JP4305465B2 - Wafer processing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、エピタキシャル成長や熱処理等を行うウェーハの処理装置に関し、特には、ウェーハをサセプタから持ち上げることができるウェーハの処理装置に関する。   The present invention relates to a wafer processing apparatus that performs epitaxial growth, heat treatment, and the like, and more particularly, to a wafer processing apparatus that can lift a wafer from a susceptor.

半導体ウェーハ(以下、単にウェーハともいう。)に対し、例えば熱処理やエピタキシャル成長等の処理を施す装置としては、ウェーハをチャンバ内に搬入して該チャンバ内のサセプタ上に載置した状態で、該ウェーハに対し処理を施し、該処理後は、サセプタ上のウェーハをチャンバ外に搬出する構成のものがある。この処理の前後に、ウェーハをサセプタ上に載置したりサセプタ上から移送する方式は多種多様であるが、その一つとして、図6に示したように、チャンバ51中において、サセプタ支持手段53に支持されたサセプタ52上面より貫通孔56を通して上方に突出動作可能に設けられた少なくとも3個以上のリフトピン54を、リフトピン昇降手段55によって、互いに略等量だけ突出動作させ、該突出動作後のリフトピン上にウェーハWを搬送して該3つ以上のリフトピン54により略水平状態に支持させた後、これらリフトピン54を互いに同期状態で下降させることにより、ウェーハをサセプタ上に載置する一方、該載置状態のウェーハを、リフトピンの突出動作によりサセプタ上方に上昇させてから、搬送装置によりチャンバ外に搬出する方式(リフトピン方式)が知られている(特許文献1参照)。しかし、この方式では二重管式サセプタ移動機構が必要であり(特許文献2参照)、ウェーハをサセプタから持ち上げる機構が複雑になるという問題があった。   As an apparatus for performing processing such as heat treatment or epitaxial growth on a semiconductor wafer (hereinafter also simply referred to as a wafer), the wafer is loaded into a chamber and placed on a susceptor in the chamber. There is a configuration in which the wafer on the susceptor is carried out of the chamber after the treatment. Before and after this processing, there are various methods for placing the wafer on the susceptor and transferring the wafer from the susceptor. As one of them, as shown in FIG. At least three or more lift pins 54 provided so as to be able to project upward from the upper surface of the susceptor 52 supported through the through hole 56 are caused to project by a substantially equal amount by the lift pin lifting and lowering means 55, and after the projecting operation, After the wafer W is transferred onto the lift pins and supported by the three or more lift pins 54 in a substantially horizontal state, the lift pins 54 are lowered in synchronization with each other to place the wafer on the susceptor, The loaded wafer is lifted above the susceptor by the lift pin protruding operation, and then transferred out of the chamber by the transfer device. Method of (lift pin method) has been known (see Patent Document 1). However, this system requires a double-tube susceptor moving mechanism (see Patent Document 2), and there is a problem that the mechanism for lifting the wafer from the susceptor becomes complicated.

また、図7に示したように、二重管式に比べて構造が簡単な一軸式のサセプタ支持手段を有するウェーハの処理装置で用いられるウェーハ移送手段としては、ウェーハにガスを吹き付けるベルヌーイ方式によるものがある(例えば特許文献3、4参照)。この方法では、チャンバ61内に一軸式のサセプタ支持装置63によって支持されたサセプタ62上にウェーハWを載置する手段としてベルヌーイ方式のウェーハ移送手段69が用いられる。しかし、この方式のウェーハ移送手段は、ウェーハを浮上させる為にガスを吹き付けるため、周辺の塵が舞い上がり、パーティクルによる膜厚不良や抵抗不良が発生するという問題点があった。また、ベルヌーイ方式によるウェーハ移送手段はウェーハを吸着したりサセプタに載置するためにウェーハとの距離が必要であり、ウェーハを吸着あるいは解放するときに移送手段との接触やサセプタへの落下による傷が発生するという問題もあった。   Further, as shown in FIG. 7, as a wafer transfer means used in a wafer processing apparatus having a uniaxial susceptor support means having a simple structure as compared with the double tube type, a Bernoulli method for blowing gas onto the wafer is used. There are some (see, for example, Patent Documents 3 and 4). In this method, Bernoulli-type wafer transfer means 69 is used as means for placing the wafer W on the susceptor 62 supported by a uniaxial susceptor support device 63 in the chamber 61. However, this type of wafer transfer means blows gas to lift the wafer, so that there is a problem in that surrounding dust rises and film thickness defects and resistance defects occur due to particles. Also, the Bernoulli-type wafer transfer means requires a distance from the wafer in order to suck or place the wafer on the susceptor, and scratches caused by contact with the transfer means or dropping on the susceptor when the wafer is sucked or released. There was also a problem that occurred.

特開平9−205130号公報JP-A-9-205130 米国特許第5421893号明細書US Pat. No. 5,421,893 国際公開第WO2002/097872号パンフレットInternational Publication No. WO2002 / 097872 Pamphlet 特開2005−340521号公報JP 2005-340521 A

本発明はこのような問題に鑑みてなされたもので、より簡単な機構でサセプタからウェーハを持ち上げることができ、サセプタにウェーハを載置したり、サセプタからウェーハを回収したりするウェーハ移送手段のチャック方式としてベルヌーイ方式でないものを採用することができるウェーハの処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such problems, and it is possible to lift a wafer from a susceptor with a simpler mechanism, and to provide a wafer transfer means for placing the wafer on the susceptor and for collecting the wafer from the susceptor. It is an object of the present invention to provide a wafer processing apparatus that can employ a chuck system that is not Bernoulli.

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、ウェーハの処理装置であって、少なくとも、チャンバと、該チャンバ内に配置され、上面に処理されるウェーハが載置されるサセプタと、該サセプタを回転上下動自在に支持するサセプタ支持手段とを具備し、前記サセプタには上下に貫通する少なくとも3個の貫通孔が形成されており、該貫通孔を閉塞するように配置されている蓋体を有し、前記サセプタ支持手段は、前記サセプタを解放可能に支持し、該サセプタ支持手段が前記サセプタを解放したときに前記サセプタを保持する台座を有し、前記ウェーハを処理する場合は、前記ウェーハを載置したサセプタを前記サセプタ支持手段で保持し、前記ウェーハを前記チャンバ内に出し入れする場合は前記台座に前記サセプタを保持することで該サセプタを前記サセプタ支持手段から解放し、前記サセプタ支持手段が前記台座に保持されたサセプタの前記貫通孔を介して下から前記蓋体を押し上げることで前記ウェーハを前記サセプタから持ち上げることができるものであることを特徴とするウェーハの処理装置を提供する(請求項1)。   The present invention has been made in order to solve the above-described problem, and is a wafer processing apparatus, at least a chamber, and a susceptor on which a wafer disposed in the chamber and processed on the upper surface is placed, Susceptor support means for supporting the susceptor so that the susceptor can rotate up and down. The susceptor is formed with at least three through holes penetrating in the vertical direction and arranged to close the through holes. The susceptor support means has a lid, releasably supports the susceptor, and has a pedestal that holds the susceptor when the susceptor support means releases the susceptor; The susceptor on which the wafer is placed is held by the susceptor support means, and the susceptor is held on the pedestal when the wafer is taken into and out of the chamber. Thus, the susceptor is released from the susceptor supporting means, and the susceptor supporting means lifts the wafer from the susceptor by pushing up the lid from below through the through-hole of the susceptor held by the pedestal. A wafer processing apparatus characterized by being capable of being provided is provided.

このような装置であれば、ウェーハを処理する場合は、ウェーハを載置したサセプタをサセプタ支持手段で保持し、ウェーハをチャンバ内に出し入れする場合は台座にサセプタを保持することでサセプタをサセプタ支持手段から解放し、サセプタ支持手段が台座に保持されたサセプタの貫通孔を介して下から蓋体を押し上げることでウェーハをサセプタから持ち上げることができるものであるので、構造が簡単な一軸式のサセプタ支持手段でありながら、サセプタを支持すること及びウェーハをサセプタから持ち上げることの両方を行うことができ、構造が簡単な一軸式でありながら、ウェーハをサセプタから持ち上げることのできるウェーハの処理装置とすることができる。   With such an apparatus, when processing a wafer, the susceptor on which the wafer is placed is held by the susceptor support means, and when the wafer is taken in and out of the chamber, the susceptor is held on the pedestal to support the susceptor. The wafer can be lifted from the susceptor by pushing up the lid from below through the through hole of the susceptor that is released from the susceptor support means held by the pedestal, so the uniaxial susceptor with a simple structure A wafer processing apparatus capable of supporting both the susceptor and lifting the wafer from the susceptor while being a support means, and capable of lifting the wafer from the susceptor while having a simple uniaxial structure. be able to.

この場合、前記ウェーハを下面から支持するフォークを有するウェーハ移送手段を具備し、該ウェーハ移送手段は、前記サセプタから押し上げられた前記蓋体上の前記ウェーハを前記フォークで支持して前記チャンバ外に移送するものであり、および前記ウェーハを前記フォークで支持して前記チャンバ内の前記サセプタから押し上げられた前記蓋体上に載置するものであることが好ましい(請求項2)。   In this case, a wafer transfer means having a fork for supporting the wafer from the lower surface is provided, and the wafer transfer means supports the wafer on the lid body pushed up from the susceptor by the fork and out of the chamber. Preferably, the wafer is transferred, and the wafer is supported on the fork and placed on the lid body pushed up from the susceptor in the chamber.

このように、ウェーハを下面から支持するフォークを有するウェーハ移送手段を具備し、該ウェーハ移送手段は、サセプタから押し上げられた蓋体上のウェーハをフォークで支持してチャンバ外に移送するものであり、およびウェーハをフォークで支持してチャンバ内のサセプタから押し上げられた蓋体上に載置するものであれば、ウェーハを移送する際に発塵が起きにくいとともに、ウェーハに傷を付けにくいウェーハの処理装置とすることができる。   As described above, the apparatus includes wafer transfer means having a fork for supporting the wafer from the lower surface, and the wafer transfer means supports the wafer on the lid pushed up from the susceptor with the fork and transfers the wafer outside the chamber. If the wafer is mounted on a lid pushed up from the susceptor in the chamber by supporting the wafer with a fork, dust generation will not occur when the wafer is transferred, and the wafer will not be damaged. It can be a processing device.

また、前記蓋体はキャップ状の形状であり、前記サセプタの貫通孔の周りに前記キャップ状の蓋体を嵌合できるように座ぐりが形成され、前記蓋体の下面は前記サセプタ支持手段と嵌合できるように形成されているものであることが好ましい(請求項3)。
また、前記蓋体は上部が下部に比較して太いピン状の形状であり、前記サセプタの貫通孔の周りに前記ピン状の蓋体の上部を嵌合できるように座ぐりが形成され、前記ピン状の蓋体の下端は前記サセプタ支持手段と嵌合できるように形成されているものであることが好ましい(請求項4)。
The lid body has a cap-like shape, and a counterbore is formed around the through-hole of the susceptor so that the cap-like lid body can be fitted, and the lower surface of the lid body has the susceptor support means. It is preferable that it is formed so that it can be fitted.
Further, the lid body has a thick pin-like shape in comparison with the lower part, and a counterbore is formed around the through-hole of the susceptor so that the upper part of the pin-like lid body can be fitted. It is preferable that the lower end of the pin-shaped lid is formed so as to be fitted to the susceptor support means.

このように、蓋体がサセプタの貫通孔に嵌合できるように形成され、蓋体の下部がサセプタ支持手段と嵌合できるように形成されているウェーハの処理装置であれば、ウェーハを処理するときは、サセプタの貫通孔と蓋体が確実に嵌合され、サセプタと蓋体の上面をほぼ面一とすることができるため、ウェーハの全面を均一な環境で処理することができる。また、ウェーハをサセプタから持ち上げるときは、サセプタ支持手段と蓋体が確実に嵌合されるので、確実にウェーハを持ち上げることができる。   If the wafer processing apparatus is formed so that the lid can be fitted into the through hole of the susceptor and the lower part of the lid can be fitted to the susceptor support means, the wafer is processed. In some cases, the through hole of the susceptor and the lid are securely fitted, and the upper surface of the susceptor and the lid can be substantially flush with each other, so that the entire surface of the wafer can be processed in a uniform environment. Further, when lifting the wafer from the susceptor, the susceptor support means and the lid are securely fitted, so that the wafer can be reliably lifted.

また、前記ウェーハの処理装置は、単結晶ウェーハ上にエピタキシャル成長処理するものであるか、または前記ウェーハを熱処理するものとすることできる(請求項5)。   The wafer processing apparatus may perform epitaxial growth on a single crystal wafer or heat-treat the wafer.

このように、ウェーハの処理装置を、単結晶ウェーハ上にエピタキシャル成長処理するものであるか、または前記ウェーハを熱処理するものとすれば、構造が簡単な一軸式のサセプタ支持手段でありながら、サセプタを支持すること及びウェーハをサセプタから持ち上げることの両方を行うことができ、低コストでエピタキシャル成長またはウェーハの熱処理させることができるとともに、処理されるウェーハにパーティクルや傷が付きにくいウェーハの処理装置とすることができる。   As described above, if the wafer processing apparatus is an apparatus for performing epitaxial growth on a single crystal wafer, or heat-treating the wafer, the susceptor can be formed while being a uniaxial susceptor support means having a simple structure. It is possible to both support and lift the wafer from the susceptor, to perform epitaxial growth or heat treatment of the wafer at a low cost, and to make a wafer processing apparatus in which particles or scratches are not easily attached to the processed wafer. Can do.

本発明に従うウェーハの処理装置であれば、構造が簡単な一軸式でありながら、ウェーハ移送手段としてフォーク式を用いることができるリフトピン式のウェーハの処理装置とすることができる。このため、ウェーハ移送手段にベルヌーイ方式のウェーハチャックを用いる必要がなく、構造が簡単な一軸式でありながら、発塵や傷を抑えてウェーハを移送して所望の処理をすることができる安価で高品質のウェーハの処理装置とすることができる。   The wafer processing apparatus according to the present invention can be a lift pin type wafer processing apparatus that can use a fork type as a wafer transfer means while having a simple uniaxial structure. For this reason, it is not necessary to use a Bernoulli-type wafer chuck as a wafer transfer means, and the uniaxial type with a simple structure is inexpensive and can perform desired processing by transferring the wafer while suppressing dust generation and scratches. A high-quality wafer processing apparatus can be obtained.

以下では、本発明の実施の形態について図面を参照して説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図1〜3は、本発明に係るウェーハの処理装置の一例を示す概略図である。図1は、ウェーハの処理中の様子を示す。また、図2は、サセプタを台座に保持させ、サセプタ支持手段がサセプタから解放されているときの様子を示す。また、図3は、サセプタ支持手段で蓋体を押し上げ、ウェーハを持ち上げたときの様子を示す。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.
1 to 3 are schematic views showing an example of a wafer processing apparatus according to the present invention. FIG. 1 shows a state during processing of a wafer. FIG. 2 shows a state where the susceptor is held on the pedestal and the susceptor support means is released from the susceptor. FIG. 3 shows a state where the lid is pushed up by the susceptor support means and the wafer is lifted.

このウェーハの処理装置100は、少なくとも、チャンバ11と、チャンバ11内に配置され、上面に処理されるウェーハWが載置されるサセプタ12と、サセプタ12を上下に貫通する少なくとも3個の貫通孔13と、貫通孔13を閉塞するように配置されている蓋体14と、サセプタ12を回転上下動自在に支持するサセプタ支持手段16と、該サセプタ支持手段16がサセプタ12を解放するときにサセプタ支持手段16の代わりにサセプタ12を保持することができる台座17とを具備している。   The wafer processing apparatus 100 includes at least a chamber 11, a susceptor 12 that is disposed in the chamber 11 and on which a wafer W to be processed is placed, and at least three through holes that vertically penetrate the susceptor 12. 13, a lid 14 disposed so as to close the through-hole 13, a susceptor support means 16 that supports the susceptor 12 so as to be rotatable up and down, and a susceptor when the susceptor support means 16 releases the susceptor 12. Instead of the support means 16, a pedestal 17 that can hold the susceptor 12 is provided.

この場合、サセプタ支持手段16の形状は特に限定されないが、例えば、貫通孔13と同数のアームが中心軸から延びている形状であり、そのアームの先端が貫通孔の位置と対応するような角度で配置されるようにすることができる。また、貫通孔及びアームの数はそれぞれ3個であり、それぞれ等角度で配置されていれば、単純な構造とすることができるので好ましい。もちろん、貫通孔及びアームの数は4個あるいはそれ以上とすることも可能である。   In this case, the shape of the susceptor support means 16 is not particularly limited. For example, the same number of arms as the through holes 13 extend from the central axis, and the angle at which the tips of the arms correspond to the positions of the through holes. Can be arranged in. Further, the number of through holes and arms is 3 respectively, and it is preferable that they are arranged at an equal angle since a simple structure can be obtained. Of course, the number of through-holes and arms can be four or more.

また、蓋体14は、貫通孔13の周りに形成された座ぐりによって係止されることが好ましい。このとき、蓋体14は図4に示すように、キャップ状の形状であり、サセプタ12の貫通孔13の周りに嵌合できるように座ぐり15が形成されており、下面はサセプタ支持手段16と嵌合できるように形成されている。このような蓋体を設けることで、サセプタに貫通孔が形成されていても、ウェーハ処理時に温度分布等のバラツキが発生することを防止できる。そしてこの蓋体14を貫通孔13を介して下からサセプタ支持手段16により押し上げることで、ウェーハをサセプタから持ち上げることができる。
蓋体14としては、図5に示すように、上部が下部に比較して太いピン状のような形態とすることもできる。この場合は、サセプタ支持手段16のアームの先端が凹状となり、ピン状の蓋体と嵌合する。すなわち、図4のように、アーム先端が凸状となるのと反対の関係となる。
The lid body 14 is preferably locked by a counterbore formed around the through hole 13. At this time, as shown in FIG. 4, the lid body 14 has a cap-like shape, and a counterbore 15 is formed so as to be fitted around the through-hole 13 of the susceptor 12, and the lower surface is the susceptor support means 16. It is formed so that it can be fitted. By providing such a lid, even if a through-hole is formed in the susceptor, it is possible to prevent variations such as temperature distribution during wafer processing. The wafer can be lifted from the susceptor by pushing up the lid 14 from below through the through hole 13 by the susceptor support means 16.
As shown in FIG. 5, the lid body 14 may have a shape like a pin having a thicker upper portion than the lower portion. In this case, the tip of the arm of the susceptor support means 16 has a concave shape and is fitted with a pin-shaped lid. That is, as shown in FIG. 4, the relationship is opposite to the convex shape of the arm tip.

サセプタ支持手段16は、回転上下動自在にサセプタを支持することができるとともに、サセプタ12を解放可能に支持することができる。サセプタ支持手段16がサセプタ12を解放したときは、図2に示されるように台座17がサセプタ12を保持する構成とする。また、アームを回転させて貫通孔直下に配置することによって、図3に示されるように、サセプタ支持手段16がサセプタ12の貫通孔13に配置されている蓋体14を押し上げることができる。
また、サセプタ支持手段16がサセプタ12を保持する箇所は特に限定されないが、図1のようにアームの先端部分が貫通孔の間の中間点を支持するような角度に配置するのが好ましい。また、その際、サセプタ12とサセプタ支持手段16が滑らないように、嵌合部分18を設けることが好ましい。これによりサセプタ支持手段がサセプタを支持する際に位置決めする上でも都合がよいし、落下させてしまうようなこともない。
The susceptor support means 16 can support the susceptor so that it can freely rotate up and down, and can support the susceptor 12 so that it can be released. When the susceptor support means 16 releases the susceptor 12, the base 17 holds the susceptor 12 as shown in FIG. Further, by rotating the arm and disposing it immediately below the through hole, the susceptor support means 16 can push up the lid 14 disposed in the through hole 13 of the susceptor 12 as shown in FIG.
Further, the location where the susceptor support means 16 holds the susceptor 12 is not particularly limited, but it is preferable that the susceptor support means 16 be disposed at an angle such that the tip portion of the arm supports an intermediate point between the through holes as shown in FIG. At this time, it is preferable to provide a fitting portion 18 so that the susceptor 12 and the susceptor support means 16 do not slip. This is convenient for positioning when the susceptor support means supports the susceptor, and it does not drop.

本発明にかかるウェーハの処理装置を用いてウェーハの処理を行うには、以下のような順序による。
まず、図1のようにサセプタ支持手段16でウェーハWを載置したサセプタ12を支持してエピタキシャル成長あるいは熱処理等の所望の処理を行う。処理が終了したら、図2のように、サセプタを下降させ台座17によってサセプタを保持し、サセプタ支持手段16をサセプタから解放する。そして、図3に示すように、サセプタ支持手段16を回転し、サセプタ支持手段16の例えばアームの先端部分をサセプタ12の貫通孔13の直下に合わせ、サセプタ12の貫通孔13から蓋体14を押し上げて保持する。これによって、ウェーハWがサセプタから持ち上げられる。
次いで、搬送口23からフォーク式のウェーハ移送手段20を用いてウェーハWを下面で支持してチャンバ11外に搬出し、次に処理するウェーハWをサセプタ支持手段16によって押し上げられた蓋体14の上に載置する。
このように、本発明では、ウェーハをサセプタから持ち上げることで、ウェーハのチャンバ内への出し入れをできるので、パーティクルの発生や、ウェーハを傷付けることを防止できる。
In order to process a wafer using the wafer processing apparatus according to the present invention, the following order is used.
First, as shown in FIG. 1, the susceptor 12 on which the wafer W is placed is supported by the susceptor support means 16 to perform a desired process such as epitaxial growth or heat treatment. When the processing is completed, as shown in FIG. 2, the susceptor is lowered, the susceptor is held by the base 17, and the susceptor support means 16 is released from the susceptor. Then, as shown in FIG. 3, the susceptor support means 16 is rotated, for example, the tip of the arm of the susceptor support means 16 is aligned directly below the through hole 13 of the susceptor 12, and the lid body 14 is moved from the through hole 13 of the susceptor 12. Push up and hold. As a result, the wafer W is lifted from the susceptor.
Next, the fork-type wafer transfer means 20 is used to support the wafer W on the lower surface and carry it out of the chamber 11 from the transfer port 23, and the wafer W to be processed next is pushed up by the susceptor support means 16. Place on top.
Thus, in the present invention, since the wafer can be taken in and out of the chamber by lifting the wafer from the susceptor, generation of particles and damage to the wafer can be prevented.

次に、図2のように、サセプタ12を台座17に保持したままサセプタ支持手段16を下降させる。これによって蓋体14はサセプタ12に嵌合され、ウェーハ12はサセプタ12上に載置される。   Next, as shown in FIG. 2, the susceptor support means 16 is lowered while the susceptor 12 is held on the base 17. As a result, the lid 14 is fitted to the susceptor 12, and the wafer 12 is placed on the susceptor 12.

次に、図1のように、サセプタ支持手段16を回転させ、サセプタ12の例えば嵌合加工部18を支持して持ち上げる。
この状態でサセプタ支持手段16を回転させることでサセプタ12を回転させながらガス供給口21及びガス排出口22を用いてガスをチャンバ11内に供給し、エピタキシャル成長処理や熱処理などのウェーハの処理を再度行うことができる。
Next, as shown in FIG. 1, the susceptor support means 16 is rotated to support and lift, for example, the fitting processing portion 18 of the susceptor 12.
In this state, by rotating the susceptor support means 16, the gas is supplied into the chamber 11 using the gas supply port 21 and the gas discharge port 22 while rotating the susceptor 12, and wafer processing such as epitaxial growth processing and heat treatment is performed again. It can be carried out.

ウェーハの処理を行った後は、再び図2のようにサセプタ支持手段16を下降させ、サセプタ12を台座17に保持するとともにサセプタ支持手段16をサセプタ12から解放する。次いで、サセプタ支持手段16を回転させ、アームの先端部分をサセプタ12の貫通孔13の直下に合わせる。   After processing the wafer, the susceptor support means 16 is lowered again as shown in FIG. 2 to hold the susceptor 12 on the base 17 and release the susceptor support means 16 from the susceptor 12. Next, the susceptor support means 16 is rotated so that the tip of the arm is aligned directly below the through hole 13 of the susceptor 12.

そして、再び図3のようにサセプタ支持手段16を上昇させ、貫通孔13に嵌合された蓋体14を押し上げることによってウェーハWをサセプタ14から持ち上げる。次いで、搬送口23からフォーク式のウェーハ移送手段20を挿入し、ウェーハWとサセプタ12の間に横から入って、ウェーハWを下から支持し、チャンバ11外へと移送する。   Then, as shown in FIG. 3, the susceptor support means 16 is raised again, and the lid 14 fitted in the through hole 13 is pushed up to lift the wafer W from the susceptor 14. Next, the fork-type wafer transfer means 20 is inserted from the transfer port 23, enters from the side between the wafer W and the susceptor 12, supports the wafer W from below, and transfers it outside the chamber 11.

このように、本発明に係るウェーハの処理装置を用いてウェーハの処理を行えば、構造が簡単な一軸式でありながら、ウェーハ移送手段としてフォーク式を用いることができるリフトピン式のウェーハの処理装置とすることができる。   Thus, if a wafer is processed using the wafer processing apparatus according to the present invention, a lift pin type wafer processing apparatus that can use a fork type as a wafer transfer means while having a simple uniaxial structure. It can be.

以下、実施例及び比較例を示して本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例)
図1〜3に示した、一軸式のサセプタ支持手段を有し、ウェーハをサセプタから持ち上げ、フォーク式のウェーハ移送手段を用いてウェーハの移送を行う本発明のウェーハの処理装置を使用して、直径200mm、厚さ725μmのシリコンウェーハ2000枚にエピタキシャル成長を行った。
その結果、パーティクルによる不良率は1.5%であり、パーティクルによる不良率を低い水準に抑えることができた。また、ウェーハの傷による不良率は0.7%であり、これも良好な値であった。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example are shown and this invention is demonstrated further more concretely, this invention is not limited to these.
(Example)
1-3, using the wafer processing apparatus of the present invention, which has a uniaxial susceptor support means, lifts the wafer from the susceptor, and transfers the wafer using a fork-type wafer transfer means, Epitaxial growth was performed on 2000 silicon wafers having a diameter of 200 mm and a thickness of 725 μm.
As a result, the failure rate due to particles was 1.5%, and the failure rate due to particles could be suppressed to a low level. The defect rate due to wafer scratches was 0.7%, which was also a good value.

(比較例)
図7に示した、ベルヌーイ方式のウェーハ移送手段を用いてウェーハの移送を行うウェーハの処理装置を使用して、実施例1と同様の条件でシリコンウェーハ2000枚にエピタキシャル成長を行った。
その結果、パーティクルによる不良率は2.5%となり、実施例1と比べてパーティクルによる不良率が高いものであった。また、ウェーハの傷による不良率は4.2%であり、傷による不良が多発した。
(Comparative example)
Epitaxial growth was performed on 2000 silicon wafers under the same conditions as in Example 1 using the wafer processing apparatus for transferring wafers using Bernoulli-type wafer transfer means shown in FIG.
As a result, the defect rate due to particles was 2.5%, which was higher than that of Example 1. Further, the defect rate due to scratches on the wafer was 4.2%, and defects due to scratches occurred frequently.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same effects. Are included in the technical scope.

本発明に係るウェーハの処理装置の一例を示す概略断面図であり、ウェーハの処理中の一例を示す概略図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the processing apparatus of the wafer which concerns on this invention, and is a schematic diagram which shows an example in the process of a wafer. 本発明に係るウェーハの処理装置の一例を示す概略断面図であり、サセプタを台座に保持させ、サセプタ支持手段がサセプタから解放されているときの概略図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the processing apparatus of the wafer which concerns on this invention, is a schematic view when a susceptor is hold | maintained at a base and a susceptor support means is released from the susceptor. 本発明に係るウェーハの処理装置の一例を示す概略断面図であり、サセプタ支持手段で蓋体を押し上げ、ウェーハを持ち上げたときの一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the processing apparatus of the wafer which concerns on this invention, pushes up a cover body with a susceptor support means, and is a schematic sectional drawing which shows an example when a wafer is lifted. 本発明に係るウェーハ処理装置の蓋体がキャップ状である場合を示す概略図であり、(a)はサセプタ支持手段によって蓋体が押し上げられている場合を示す概略図であり、(b)はサセプタ支持手段が蓋体から離れている場合を示す概略図である。It is the schematic which shows the case where the cover body of the wafer processing apparatus which concerns on this invention is cap shape, (a) is the schematic which shows the case where the cover body is pushed up by the susceptor support means, (b) It is the schematic which shows the case where a susceptor support means is separated from the cover body. 本発明に係るウェーハ処理装置の蓋体がピン状である場合を示す概略図であり、(a)はサセプタ支持手段によって蓋体が押し上げられている場合を示す概略図であり、(b)はサセプタ支持手段が蓋体から離れている場合を示す概略図である。It is the schematic which shows the case where the cover body of the wafer processing apparatus which concerns on this invention is pin shape, (a) is the schematic diagram which shows the case where the cover body is pushed up by the susceptor support means, (b) It is the schematic which shows the case where a susceptor support means is separated from the cover body. 従来の二重管式サセプタ移動機構を有するウェーハの処理装置を示す概略図であり、(a)はウェーハの処理中の様子を示した概略図であり、(b)はウェーハを移送する際の概略図である。It is the schematic which shows the processing apparatus of the wafer which has the conventional double tube | pipe type susceptor moving mechanism, (a) is the schematic which showed the mode in process of a wafer, (b) is at the time of transferring a wafer FIG. 従来のベルヌーイ方式のウェーハ移送手段を有するウェーハの処理装置を示す概略図であり、(a)はウェーハの処理中の様子を示した概略図であり、(b)はウェーハを移送する際の概略図である。It is the schematic which shows the processing apparatus of the wafer which has the conventional Bernoulli-type wafer transfer means, (a) is the schematic which showed the mode in process of the wafer, (b) is the outline at the time of transferring a wafer FIG.

符号の説明Explanation of symbols

11…チャンバ、 12…サセプタ、 13…貫通孔、 14…蓋体、
15…座ぐり、 16…サセプタ支持手段、 17…台座、 18…嵌合加工部、
20…ウェーハ移送手段、 21…供給口、 22…排出口、 23…搬送口、
51…チャンバ、 52…サセプタ、 53…サセプタ支持手段、
54…リフトピン、 55…リフトピン昇降手段、 56…貫通孔、
61…チャンバ、 62…サセプタ、 63…サセプタ支持手段、
69…ウェーハ移送手段、 100…ウェーハの処理装置、 W…ウェーハ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Chamber, 12 ... Susceptor, 13 ... Through-hole, 14 ... Cover body,
15 ... Counterbore, 16 ... Susceptor support means, 17 ... Base, 18 ... Fitting processing part,
20 ... Wafer transfer means, 21 ... Supply port, 22 ... Discharge port, 23 ... Transfer port,
51 ... Chamber, 52 ... Susceptor, 53 ... Susceptor support means,
54 ... Lift pin, 55 ... Lift pin lifting means, 56 ... Through hole,
61 ... Chamber, 62 ... Susceptor, 63 ... Susceptor support means,
69: Wafer transfer means, 100: Wafer processing apparatus, W: Wafer.

Claims (5)

ウェーハの処理装置であって、少なくとも、チャンバと、該チャンバ内に配置され、上面に処理されるウェーハが載置されるサセプタと、該サセプタを回転上下動自在に支持するサセプタ支持手段とを具備し、
前記サセプタには上下に貫通する少なくとも3個の貫通孔が形成されており、該貫通孔を閉塞するように配置されている蓋体を有し、前記サセプタ支持手段は、前記サセプタを解放可能に支持し、該サセプタ支持手段が前記サセプタを解放したときに前記サセプタを保持する台座を有し、前記ウェーハを処理する場合は、前記ウェーハを載置したサセプタを前記サセプタ支持手段で保持し、前記ウェーハを前記チャンバ内に出し入れする場合は前記台座に前記サセプタを保持することで該サセプタを前記サセプタ支持手段から解放し、前記サセプタ支持手段が前記台座に保持されたサセプタの前記貫通孔を介して下から前記蓋体を押し上げることで前記ウェーハを前記サセプタから持ち上げることができるものであることを特徴とするウェーハの処理装置。
A wafer processing apparatus, comprising at least a chamber, a susceptor placed in the chamber, on which a wafer to be processed is placed, and a susceptor support means for supporting the susceptor so as to be rotatable up and down. And
The susceptor has at least three through holes penetrating vertically, and has a lid disposed so as to close the through hole, and the susceptor support means can release the susceptor. The susceptor support means has a pedestal for holding the susceptor when the susceptor support means is released, and when processing the wafer, the susceptor on which the wafer is placed is held by the susceptor support means, When the wafer is taken into and out of the chamber, the susceptor is released from the susceptor support means by holding the susceptor on the pedestal, and the susceptor support means is passed through the through hole of the susceptor held by the pedestal. A wafer characterized in that the wafer can be lifted from the susceptor by pushing up the lid from below. Of the processing device.
請求項1に記載のウェーハの処理装置であって、前記ウェーハを下面から支持するフォークを有するウェーハ移送手段を具備し、該ウェーハ移送手段は、前記サセプタから押し上げられた前記蓋体上の前記ウェーハを前記フォークで支持して前記チャンバ外に移送するものであり、および前記ウェーハを前記フォークで支持して前記チャンバ内の前記サセプタから押し上げられた前記蓋体上に載置するものであることを特徴とするウェーハの処理装置。   2. The wafer processing apparatus according to claim 1, further comprising wafer transfer means having a fork for supporting the wafer from a lower surface, the wafer transfer means being pushed up from the susceptor and the wafer on the lid body. The wafer is supported by the fork and transferred to the outside of the chamber, and the wafer is supported by the fork and placed on the lid body pushed up from the susceptor in the chamber. A wafer processing device. 請求項1または請求項2に記載のウェーハの処理装置であって、前記蓋体はキャップ状の形状であり、前記サセプタの貫通孔の周りに前記キャップ状の蓋体を嵌合できるように座ぐりが形成され、前記蓋体の下面は前記サセプタ支持手段と嵌合できるように形成されているものであることを特徴とするウェーハの処理装置。   3. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the lid has a cap-like shape, and a seat is provided so that the cap-like lid can be fitted around a through-hole of the susceptor. An apparatus for processing a wafer, wherein a counterbore is formed, and a lower surface of the lid is formed so as to be fitted to the susceptor support means. 請求項1または請求項2に記載のウェーハの処理装置であって、前記蓋体は上部が下部に比較して太いピン状の形状であり、前記サセプタの貫通孔の周りに前記ピン状の蓋体の上部を嵌合できるように座ぐりが形成され、前記ピン状の蓋体の下端は前記サセプタ支持手段と嵌合できるように形成されているものであることを特徴とするウェーハの処理装置。   3. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the lid has a pin-like shape whose upper part is thicker than the lower part, and the pin-like lid is formed around a through hole of the susceptor. A wafer processing apparatus, wherein a counterbore is formed so that an upper portion of the body can be fitted, and a lower end of the pin-shaped lid is formed so as to be fitted to the susceptor support means. . 前記ウェーハの処理装置は、単結晶ウェーハ上にエピタキシャル成長処理するものであるか、または前記ウェーハを熱処理するものであることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載のウェーハの処理装置。   5. The wafer according to claim 1, wherein the wafer processing apparatus performs epitaxial growth on a single crystal wafer or heat-treats the wafer. 6. Processing equipment.
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