JP4305128B2 - Gas purification material and a method of manufacturing the same - Google Patents

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Description

本発明は、ガス浄化材料及びその製造方法に関し、より詳しくは、金属酸化物からなる担体に金属成分を担持せしめてなり、有害ガスに対する分解触媒及び/又は吸着剤として機能するガス浄化材料、並びにその製造方法に関する。 The present invention relates to gas purification material and a manufacturing method thereof, and more particularly, be it allowed supporting the metal component on a carrier consisting of a metal oxide, gas purification material serving as a cracking catalyst and / or adsorbent for the harmful gas, and As a method for manufacturing.

近年、人間を取り巻く環境に存在し得る成分であって人体に影響を及ぼす可能性のある有害ガスの存在が問題視されるようになってきており、例えば建築資材等から空気中に発散するアルデヒド類や、排ガス中の有害成分であるNOxやCOを低温でより確実に除去することが可能な技術の開発が望まれている。 Recently, aldehydes emanating a component that may be present in the environment surrounding a person has come to the presence of toxic gases that may affect the human body is a problem, for example, from building materials and the like in the air s and the development of more reliably capable of removing technique of NOx and CO are harmful components in the exhaust gas at low temperatures is desired.

このような背景の下で、有害ガスを除去するための各種のガス浄化材料が開発されており、例えば特開平8−24653号公報(特許文献1)には、γ−アルミナ、チタニア、ジルコニア等の多孔質無機酸化物に白金属金属を含浸法、沈澱法、ゾル−ゲル法等によって担持せしめた第1の触媒と多孔質無機酸化物に銀化合物を担持せしめた第2の触媒とを備えた排ガス浄化触媒が記載されている。 Under this background, noxious gases and various gas purification material for have been developed removed, for example JP-A-8-24653 (Patent Document 1), .gamma.-alumina, titania, zirconia, and the like and a second catalyst was allowed carrying silver compound in the first catalyst and the porous inorganic oxide was allowed carried by gel method or the like - the impregnation white metal metal porous inorganic oxide, precipitation, sol exhaust gas purifying catalyst is described a.

また、特開平8−52351号公報(特許文献2)には、チタニアを主成分とする担体に主触媒活性金属成分として白金族金属、助触媒成分として酸化ホウ素を含浸法で担持せしめた揮発性有機塩素化合物分解用触媒が開示されている。 Further, Japanese Unexamined 8-52351 (Patent Document 2), a platinum group as the main catalytically active metal component on a carrier mainly composed of titania metal, volatile was allowed carrying boron oxide by an impregnation method as co-catalyst component organic chlorine compounds cracking catalyst is disclosed.

しかしながら、従来のように白金属金属等の金属成分を含浸法等で金属酸化物等の担体に担持せしめてなるガス浄化材料であっても、有害ガスに対する除去性能の効率的な向上には限界があり、所望の除去性能を達成するためにはかかる金属成分を比較的多量に担持せしめる必要があったため、ガス浄化材料のコスト低減に限界があり、資源確保の点からも未だ十分なものではなかった。 However, a limit to be a conventional gas purification material comprising brought supported on a carrier such as a metal oxide of the metal component of the white metal such as metal by an impregnation method or the like, efficient improvement in removal performance for hazardous gases There is, because it has been necessary to allowed to relatively large amounts carrying such metal components to achieve the desired removal performance, there is a limit to cost reduction of the gas purification material, intended still sufficient in terms of securing resources There was no. また、上記従来のガス浄化材料を製造する際には白金属金属等の金属の塩を用いるため、塩成分を除去するための焼成等の後処理が必要なため製造工程が煩雑となり、また金属塩を含む廃液の処理が必要なためグリーンケミストリーの見地からも未だ十分なものではなかった。 Further, the since the time of producing the conventional gas purification material using metal salts of platinum group metals, the manufacturing process becomes complicated because it requires post-processing such as calcination to remove the salt component, also metal salt was not yet enough from the process is green chemistry point of view because it requires of liquid waste containing.
特開平8−24653号公報 JP 8-24653 discloses 特開平8−52351号公報 JP 8-52351 discloses

本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、金属酸化物からなる担体(以下、「金属酸化物担体」という)に担持する金属成分の担持量が従来より少量であっても、空気中のアルデヒド類や排ガス中のNOx、CO等といった有害ガスを効率良くかつ確実に除去することが可能なガス浄化材料を提供すること、並びに、従来より環境に対する負荷を低減しかつ製造工程の簡略化が可能なガス浄化材料の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the problems of the prior art, a carrier made of a metal oxide (hereinafter, referred to as "metal oxide support") supported amount of metal component supported on the a small amount of prior art even, to provide a gas purification material that can be removed NOx aldehydes and the exhaust gas in the air, harmful gases such as CO or the like efficiently and reliably, as well as reducing vital loads than conventional on the environment and to provide a manufacturing method of gas purification material manufacturing process can be simplified.

本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、金属からなるターゲットにレーザー光を照射して発生せしめた金属の飛散粒子を金属酸化物担体上に付着させることにより上記目的が達成可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。 The present inventors have made intensive studies to achieve the above object, the object by attaching the scattered particles of metals was allowed generated by irradiating a laser beam to a target made of a metal on a metal oxide support It found that but is achievable, thereby completing the present invention.

すなわち、本発明のガス浄化材料の製造方法は、 Rh、Nb、Re、Ag、Au、Cu、Co、Cr、Ni、Fe、Ir、Mo、Pt、Pd、Sn、Ti、V、W、Zn、Zr、Ru、Os、及びそれらを主成分とする合金からなる群から選択される金属からなるターゲットにパルス幅が100ピコ秒〜100ナノ秒でかつ照射強度が10 W/cm 〜10 12 W/cm であるパルスレーザー光を照射して波長50nm〜100nmの真空紫外光及び前記金属の飛散粒子を発生させ、 Ti、Al、Si、Ce、Zr、Fe、Mn、Ni、Zn及びCuからなる群から選択される少なくとも一種の金属の単独酸化物又は複合酸化物である金属酸化物からなる担体の表面に前記真空紫外光を照射しつつ前記飛散粒子を付着させて前記担体 That is, the manufacturing method of gas purification material of the present invention, Rh, Nb, Re, Ag , Au, Cu, Co, Cr, Ni, Fe, Ir, Mo, Pt, Pd, Sn, Ti, V, W, Zn , Zr, Ru, Os, and target pulse width of 100 picoseconds to 100 nanoseconds in and irradiation intensity 10 6 W / cm 2 ~10 to made from a metal selected from the group consisting of a main component alloy 12 W / cm and irradiated with a pulsed laser beam is 2 to generate vacuum ultraviolet light and the metal of the sputtered particles wavelength 50nm~100nm to, Ti, Al, Si, Ce , Zr, Fe, Mn, Ni, Zn and at least one metal alone oxide or the composite oxide in which are deposited causes the scattered particles the to the surface of the support comprising a metal oxide while irradiating vacuum ultraviolet light carrier is selected from the group consisting of Cu に担持された金属成分を形成せしめることを特徴とする方法である。 A method characterized in that allowed to form a supported metal component.

また、本発明のガス浄化材料は、 The gas purifying material of the present invention,
Ti、Al、Si、Ce、Zr、Fe、Mn、Ni、Zn及びCuからなる群から選択される少なくとも一種の金属の単独酸化物又は複合酸化物である金属酸化物からなる担体と、 Ti, a carrier made of a metal oxide is that Al, Si, Ce, Zr, Fe, Mn, Ni, alone oxide of at least one metal selected from the group consisting of Zn and Cu or a composite oxide,
Rh、Nb、Re、Ag、Au、Cu、Co、Cr、Ni、Fe、Ir、Mo、Pt、Pd、Sn、Ti、V、W、Zn、Zr、Ru、Os、及びそれらを主成分とする合金からなる群から選択される金属からなるターゲットにパルス幅が100ピコ秒〜100ナノ秒でかつ照射強度が10 W/cm 〜10 12 W/cm であるパルスレーザー光を照射して発生せしめた金属の飛散粒子が、前記パルスレーザー光の照射により発生せしめた波長50nm〜100nmの真空紫外光が照射された状態で前記担体の表面に付着して形成され、前記担体上に担持されている金属成分と、 Rh, main component Nb, Re, Ag, Au, Cu, Co, Cr, Ni, Fe, Ir, Mo, Pt, Pd, Sn, Ti, V, W, Zn, Zr, Ru, Os, and their pulse width to a target comprising a metal selected from the group consisting of an alloy of 100 picoseconds to 100 nanoseconds in and irradiation intensity is irradiated with a pulsed laser beam is 10 6 W / cm 2 ~10 12 W / cm 2 metal scattering particles allowed generating Te is, the pulsed laser beam vacuum ultraviolet light having a wavelength 50nm~100nm which allowed generated by irradiation of is formed adheres to the surface of the carrier in a state of being irradiated, supported on said carrier a metal component is,
からなることを特徴とするものである。 It is made of is characterized in.

なお、上記本発明のガス浄化材料及びその製造方法において、金属酸化物担体に担持する金属成分の担持量が少量であっても有害ガスを効率良くかつ確実に除去することが可能となる理由は必ずしも定かではないが、本発明者らは以下のように推察する。 Incidentally, in the above-mentioned gas purification material and the manufacturing method thereof of the present invention, the reason why it is possible to carry the amount of metal component supported on the metal oxide support to remove an even harmful gases in small quantities efficiently and reliably not necessarily clear, the present inventors speculate as follows. すなわち、金属からなるターゲットにレーザー光が照射されると、ターゲット表面に高温のプラズマが形成され、そのターゲット表面から金属を含む原子又はクラスタが高いエネルギーをもって飛散するほか、上記プラズマ内部もしくはプラズマにより加熱されたターゲット表面では、ターゲットを構成する材料が蒸発することにより形成された中性原子、イオン、並びに前記の中性原子及びイオンのうちのいくつかが結合して形成されたクラスタが高いエネルギーをもって飛散する。 That heat, when a laser beam to a target made of a metal is irradiated, the high temperature plasma is formed on the target surface, in addition to atoms or clusters containing metal from the target surface is scattered with high energy, by the plasma inside or plasma in the target surface, the neutral atoms are formed by the material constituting the target is evaporated, ions, and said neutral atoms and clusters some are formed by bonding of ions with high energy scattered. そして、このような飛散粒子が金属酸化物担体上に到達すると、飛散粒子は高いエネルギーをもっているため担体上に付着して金属成分の微細な粒子として再構成される。 When such scattered particles reaching the metal oxide support, scattering particles is reconstructed as fine particles of a metal component deposited on the carrier because it has a high energy. そして、さらにその上に飛散粒子が到達すると、このような金属成分の微粒子からなる薄膜が担体上に形成される。 Then, further when the scattered particles onto arrives, a thin film made of fine particles of such a metal component is formed on the support. そのため、本発明によれば、有害ガスの分解反応や吸着に寄与する金属酸化物担体の表面にのみこのような金属成分の微粒子やそれからなる薄膜が担持され、金属成分の担持量が少量であっても有害ガスを効率良くかつ確実に除去することが可能となるものと本発明者らは推察する。 Therefore, according to the present invention, a thin film made of such particles and the metal components such that only the surface of the contributing metal oxide support in the decomposition reaction and adsorption of noxious gases is supported, a small amount of the supported amount of the metal component it is also possible to remove the noxious gases efficiently and reliably as the present inventors speculate.

また、本発明のガス浄化材料及びその製造方法においては、前記金属成分が、前記金属酸化物からなる担体の表面に波長50nm〜100nmの真空紫外光が照射された状態で前記飛散粒子が付着して形成されたものである。 In the gas purification material and the manufacturing method thereof of the present invention, the metal component, the scattered particles are adhered in a state where the vacuum ultraviolet light is irradiated wavelength 50nm~100nm to the surface of the support made of the metal oxide der those formed Te Ru. 金属酸化物担体上にこのような紫外光が照射されると金属酸化物担体の表面が活性化されるため、活性化された金属酸化物担体上に到達した飛散粒子は担体表面に強固に結合し、金属酸化物担体に対する金属成分の密着性が向上する。 Since when such ultraviolet light to the metal oxide support is irradiated the surface of the metal oxide support is activated, scattered particles reaching the activated metal oxide support is firmly attached to the carrier surface and, it increases the adhesion of the metal component to the metal oxide support.

さらに、本発明のガス浄化材料及びその製造方法においては、前記レーザー光がパルス幅が100ピコ秒〜100ナノ秒でかつ照射強度が10 W/cm 〜10 12 W/cm であるパルスレーザー光である。 Further, in the gas purification material and the manufacturing method thereof of the present invention, the laser beam pulse width is 100 picoseconds to 100 nanoseconds in and irradiation intensity is 10 6 W / cm 2 ~10 12 W / cm 2 pulses Ru laser beam der. その場合、前記金属からなるターゲットに前記パルスレーザー光を照射して波長50nm〜100nmの真空紫外光及び前記金属の飛散粒子を発生させ、前記金属酸化物担体の表面に前記真空紫外光を照射しつつ前記飛散粒子を付着させて前記担体上に担持された金属成分を形成せしめることが可能となる。 In that case, said the target made of metal by irradiating a pulsed laser beam to generate vacuum ultraviolet light and the metal of the sputtered particles wavelength 50 nm to 100 nm, the irradiation with vacuum ultraviolet light to the surface of the metal oxide support wherein by adhering scattered particles it becomes possible allowed to form a supported metal component on the carrier while. 金属酸化物担体(特に好ましくは炭化珪素のごとき炭素を含有する金属酸化物担体)上にこのような真空紫外光が照射されると金属酸化物担体の表面がより活性化されるため、活性化された金属酸化物担体上に到達した飛散粒子は担体表面により強固に結合し、金属酸化物担体に対する金属成分の密着性がより向上する。 Since the metal oxide support (particularly preferably a metal oxide support containing carbon such as silicon carbide) When such a vacuum ultraviolet light on is irradiated the surface of the metal oxide support is more active, activated metal oxide scattered particles reaching the carrier is firmly bonded by a carrier surface, improved adhesion of the metal component to the metal oxide support.

なお、ここでいう波長50nm〜100nmの真空紫外光とは、50nm〜100nmの波長領域における少なくとも一部の波長を有する真空紫外光のことをいうが、以下の条件のうちの少なくとも一つの条件を満たしていることが好ましい。 Here, the vacuum ultraviolet light having a wavelength 50 nm to 100 nm referred, but refers to a vacuum ultraviolet light having at least a portion of the wavelength in the wavelength range of 50 nm to 100 nm, at least one condition of the following conditions it is preferable to have met.
(i)50nm〜100nmの波長領域に少なくとも一つの光強度のピークを有すること、 (I) has a peak of at least one of the light intensity in the wavelength range of 50 nm to 100 nm,
(ii)50nm〜100nmの波長領域の光の全エネルギーが100nm〜150nmの波長領域の光の全エネルギーより高いこと、 (Ii) the total energy of light in the wavelength region of 50nm~100nm be higher than the total energy of light in the wavelength range of 100 nm to 150 nm,
(iii)50nm〜100nmの波長領域の光の全エネルギーが50nm以下の波長領域の光の全エネルギーより高いこと (Iii) the total energy of light in the wavelength region of 50nm~100nm be higher than the total energy of light in a wavelength region 50nm
(iv)50nm〜100nmの波長領域の光のエネルギー密度が担体上で0.1μJ/cm 〜10mJ/cm (より好ましくは1μJ/cm 〜100μJ/cm )であること。 (iv) 0.1μJ / cm 2 ~10mJ / cm 2 ( more preferably 1μJ / cm 2 ~100μJ / cm 2 ) at an energy density of light in the wavelength region of 50nm~100nm is on the support in that. なお、担体上における前記エネルギー密度が0.1μJ/cm より低くなると処理に要する時間が過度に長くなってしまう傾向にあり、他方、10mJ/cm より高くなると担体が分解されてしまう傾向にある。 Incidentally, there is a tendency that time required for processing and the energy density on the carrier is lower than 0.1μJ / cm 2 becomes excessively long, while a tendency that the carrier becomes higher than 10 mJ / cm 2 from being degraded is there.

前記本発明のガス浄化材料の製造方法においては、容器内での減圧状態下、及び/又は、容器内若しくは容器外のいずれかでの水素ガス、ヘリウムガス、ネオンガス及びアルゴンガスからなる群から選択される少なくとも一種のガスを含有するシールドガス雰囲気下において前記担体の表面に前記飛散粒子を付着せしめることが好ましい。 Selection In the method for producing a gas purifying material of the present invention, under reduced pressure in the vessel, and / or hydrogen gas at any outside container or container, helium gas, from the group consisting of neon and argon gas it is preferred that allowed to attaching the scattering particles to the surface of the carrier in the shield gas atmosphere containing at least one gas is. このように内部が減圧状態となっている容器を用いると、前記紫外光(又は真空紫外光)が空気中の酸素等の紫外光吸収物質に吸収されることなく金属酸化物担体表面に照射されるため担体表面がより効率良く活性化されると共に、金属成分の酸化が十分に防止される傾向にある。 When used in this manner the container interior is in the decompressed state, the ultraviolet light (or vacuum ultraviolet light) is irradiated to the metal oxide support surface without being absorbed in the ultraviolet light absorbing substances such as oxygen in the air with the order support surface is more efficiently activated, tends to oxidation of the metal components can be sufficiently prevented. また、シールドガス雰囲気下で処理すると、減圧状態とせずとも前記紫外光(又は真空紫外光)が紫外光吸収物質に吸収されることなく金属酸化物担体表面に照射されるため担体表面がより効率良く活性化されると共に、金属成分の酸化が十分に防止される傾向にある。 Also, when treated under a shielding gas atmosphere, the surface of the support for the ultraviolet light without a reduced pressure (or vacuum ultraviolet light) is irradiated onto the metal oxide support surface without being absorbed in the ultraviolet light absorbing agent is more efficient often with activated tend to oxidation of the metal components can be sufficiently prevented. さらに、後者の場合、前者の場合に比べて真空ポンプや耐圧容器を用いる必要がなくなるため、装置の簡便性及び低コストという点でより好ましい傾向にある。 Furthermore, in the latter case, since it is not necessary to use a vacuum pump or pressure vessel as compared with the former case, it tends to be preferred in terms of simplicity and low cost of the device.

本発明のガス浄化材料によれば、金属酸化物からなる担体に担持する金属成分の担持量が従来より少量であっても、空気中のアルデヒド類や排ガス中のNOx、CO等といった有害ガスを効率良くかつ確実に除去することが可能となる。 According to the gas purification material of the present invention, even in small quantities conventionally carried amount of the metal component supported on a carrier consisting of metal oxides, NOx aldehydes and the exhaust gas in the air, harmful gases such as CO, etc. it is possible to efficiently and reliably removed. そのため、本発明のガス浄化材料によれば金属成分の担持量の低減によるコスト低減が可能となり、さらに資源確保の点からも有効である。 Therefore, according to the gas purification material of the present invention enables cost reduction by reducing the amount of supported metal components, it is also effective from the further standpoint of securing resources.

また、本発明のガス浄化材料の製造方法によれば、従来のような金属塩を用いることなく金属成分を担持したガス浄化材料が得られるため、従来は必要であった焼成等の後処理や廃液処理が不要となり、グリーンケミストリーの見地からも環境に対する負荷を低減しかつ簡略化された工程で前記本発明のガス浄化材料を製造することが可能となる。 According to the manufacturing method of gas purification material of the present invention, since the gas purification material carrying a metal component without using the conventional metal salts, such as are obtained, Ya post-baking, etc. which has been conventionally required waste liquid treatment is not required, it is possible to manufacture a gas purifying material of the present invention in also reducing the load on the environment and simplified process in terms of green chemistry.

以下、本発明のガス浄化材料並びにその製造方法について、それらの好適な実施形態に即して詳細に説明する。 Hereinafter, the gas purification material and manufacturing method thereof of the present invention will be described in detail with reference to their preferred embodiments.

図1は、本発明に好適なガス浄化材料の製造装置の好適な一実施形態の基本構成を示す模式図であり、図1に示すガス浄化材料の製造装置はいわゆるレーザーアブレーション装置1として構成されている。 Figure 1 is a schematic diagram showing a basic configuration of a preferred embodiment of an apparatus for producing a preferred gas purification material in the present invention, apparatus for producing gas purification material shown in FIG. 1 is configured as a so-called laser ablation apparatus 1 ing. すなわち、図1に示すレーザーアブレーション装置1は、レーザー光源2と、レーザー光源2から発せられたレーザー光L が導入される処理容器3とを備えており、処理容器3の内部にはレーザー光L が照射されるターゲット4と、表面に金属成分5が担持されるべき金属酸化物担体6とが配置されている。 That is, the laser ablation apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a laser light source 2 and a treatment container 3 with the laser beam L 1 emitted from the laser light source 2 is introduced, the inside of the processing chamber 3 a laser beam and the target 4 which L 1 is irradiated, and a metal oxide support 6 to the metal component 5 is supported is disposed on the surface.

レーザー光源2は、レーザー光(好ましくは波長が150nm〜11μm、パルス幅が1ps〜1μs、1パルスあたりのエネルギーが0.01J〜100Jであるパルスレーザー光)を照射することができるレーザー光発生装置であればよく、特に制限されないが、例えばヘムト秒レーザー装置、エキシマレーザー装置、YAGレーザー装置によって構成され、中でもパルス幅が100ピコ秒〜100ナノ秒であるパルスレーザー光を照射することができるYAGレーザー装置によって構成されることが好ましい。 Laser light source 2, a laser beam (preferably the wavelength 150Nm~11myuemu, pulse width 1Ps~1myuesu, energy pulsed laser light is 0.01J~100J per pulse) laser light generator that emits as long is not particularly limited, for example Hemuto second laser device, an excimer laser device is constituted by a YAG laser device, YAG capable Among these pulse widths is irradiated with a pulsed laser beam is 100 picoseconds to 100 nanoseconds it is preferably constituted by a laser device. そして、レーザー光源2は、処理容器3の内部に配置されているターゲット4に向かってレーザー光L を照射する位置に配置されている。 Then, the laser light source 2 is disposed at a position irradiated with laser light L 1 towards the target 4 which is located inside the treatment container 3. また、図示はしていないが、レーザー光L をターゲット4に照射した際にターゲット4の表面から飛散粒子aが効率的に発生するように、レーザー光L の光路の途中にレンズ、鏡等を適宜配置してレーザー光のエネルギー密度や照射角度を調整してもよい。 Further, although not shown, the laser beam L 1 as scattered from the surface particles a target 4 when irradiated to target 4 is produced efficiently, the lens in the optical path of the laser light L 1, mirror etc. may be adjusted energy density and irradiation angle of suitably arranged to laser light. 特に、集光レンズ(図示せず)を処理容器3の内部又は外部に配置して、ターゲット4に照射されるレーザー光L の照射強度が10 W/cm 〜10 12 W/cm となるようにすることが好ましく、10 W/cm 〜10 11 W/cm となるようにすることがより好ましい。 In particular, by placing a condenser lens (not shown) inside or outside the treatment container 3, the laser beam L irradiation intensity of 1 10 6 W / cm 2 ~10 12 W / cm 2 irradiated to the target 4 it is preferred that the a, it is more preferable to be 10 8 W / cm 2 ~10 11 W / cm 2.

処理容器3は、少なくともターゲット4と担体6とを内部に収容するための容器(例えばステンレス製の容器)であり、レーザー光L を容器3内に配置されたターゲット4の表面に導入するための窓9(例えば石英製の窓)を備えている。 Treatment container 3, at least the target 4 and the carrier 6 is a container for housing therein (e.g., stainless steel vessel), for introduction into the surface of the target 4 placed a laser beam L 1 into the container 3 and a window 9 (e.g. quartz window). また、処理容器3には真空ポンプ(図示せず)が接続されており、容器3の内部を所定圧力の減圧状態に維持することが可能となっている。 Further, the processing vessel 3 is connected to a vacuum pump (not shown), it is possible to maintain the interior of the container 3 in a reduced pressure state at a predetermined pressure. このように内部が減圧状態となる容器3を用いると、紫外光(又は真空紫外光)L が空気中の酸素等の紫外光吸収物質に吸収されることなく担体6の表面に照射されるため担体6の表面がより効率良く活性化されると共に、金属成分5の酸化が十分に防止される。 When used in this manner the container 3 inside the vacuum state, ultraviolet light (or vacuum ultraviolet light) L 2 is irradiated to the surface of the support 6 without being absorbed by the ultraviolet light absorbing substances such as oxygen in the air together with the surface of the support 6 is more efficiently activated for the oxidation of the metal component 5 can be sufficiently prevented. なお、容器3の内部を減圧状態に維持する際の圧力としては、 133.3Pa( 1Torr 以下の圧力が好ましく、 0.133Pa( 1×10 −3 Torr 以下の圧力がより好ましい。 As the pressure in maintaining the interior of the container 3 in a reduced pressure state, preferably a pressure below 133.3Pa (1Torr), 0.133Pa (1 × 10 -3 Torr) or less of pressure it is more preferable. また、酸素分圧及び/又は窒素分圧が133.3Pa( 1Torr 以下の圧力となるようにすることが好ましい。 The oxygen partial pressure and / or partial pressure of nitrogen is preferably set to be equal to or less than the pressure of 133.3 Pa (1 Torr).

ターゲット4は、後述する担体6上に金属成分5として担持されるための金属からなるものであり、具体的には得られるガス浄化材料の用途や担体として用いる金属酸化物の種類等によって適宜決定される。 Target 4 is made of a metal to be carried as the metal component 5 on the carrier 6 which will be described later, suitably determined depending on the type of metal oxide used as the application and a carrier gas purification material that specifically obtained It is. このような金属としては、 Rh、Nb、Re、Ag、Au、Cu、Co、Cr、Ni、Fe、Ir、Mo、Pt、Pd、Sn、Ti、V、W、Zn、Zr、Ru、Os、それらを主成分とする合金からなる群から選択される金属が用いられ 、中でも貴金属元素(Pt、Pd、Rh、Ru、Ir、Os、Au、Ag)がより好ましく、白金族元素(Pt、Pd、Rh、Ru、Ir、Os)が特に好ましい。 Such metals, Rh, Nb, Re, Ag , Au, Cu, Co, Cr, Ni, Fe, Ir, Mo, Pt, Pd, Sn, Ti, V, W, Zn, Zr, Ru, Os they metal selected from the group consisting of an alloy whose main component is used, among others noble metal element (Pt, Pd, Rh, Ru , Ir, Os, Au, Ag) are more preferable, and platinum group elements (Pt, pd, Rh, Ru, Ir, Os) being particularly preferred. なお、ターゲット4の形状等は特に制限されず、板状、ロッド状等に成形された前記ターゲット材料からなるバルク材や、前記ターゲット材料をテープ上に塗布、蒸着等によって形成したテープ状ターゲット等を用いることができる。 The shape and the like of the target 4 is not particularly limited, the plate-shaped bulk material and made of the target material molded rod or the like, applying the target material onto a tape, a tape-shaped target or the like formed by vapor deposition or the like it can be used.

担体6は、その表面に金属成分5が担持されるべき金属酸化物からなる担体であり、具体的には得られるガス浄化材料の用途や担持される金属成分の種類等によって適宜決定される。 Carrier 6 is the carrier of the metal component 5 on the surface thereof a metal oxide to be supported, Ru is appropriately determined depending on the type of metal component applications and supporting of gas purification material is specifically obtained.

このような金属酸化物としては、 Ti、Al、Si、Ce、Zr、Fe、Mn、Ni、Zn、Cuからなる群から選択される少なくとも一種の金属の単独酸化物又は複合酸化物が用いられ 、酸化チタン、アルミナ、酸化ケイ素、酸化セリウム、ゼオライト、ジルコニア、酸化鉄、酸化マンガン、酸化ニッケル、酸化亜鉛、酸化銅がより好ましい。 Examples of such metal oxides, Ti, Al, Si, Ce , Zr, Fe, Mn, Ni, Zn, alone oxide or composite oxide of at least one metal selected from the group consisting of Cu are used , titanium oxide, alumina, silicon oxide, cerium oxide, zeolite, zirconia, iron oxide, manganese oxide, nickel oxide, zinc oxide, copper oxide is more preferable. なお、本発明にかかる金属酸化物は、ゼオライト、酸化チタン−ジルコニア、酸化セリウム−ジルコニアのように複数の金属元素を含有していてもよく、更に非金属元素を含んでいてもよい。 The metal oxide of the present invention, zeolites, titanium oxide - zirconia, cerium oxide - may contain a plurality of metal elements as zirconia may further contain a nonmetallic element. また、担体6は、複数の金属酸化物を積層、混合等によって複合化したものであってもよく、前記金属酸化物をそれ以外の材料(例えば樹脂材料)と積層、混合等によって複合化したものであってもよい。 Further, the carrier 6, stacking a plurality of metal oxide may be one complexed by mixing the like, laminating the metal oxide and other materials (for example, resin material), it was complexed with such mixed it may be the one.

このような金属酸化物からなる担体6の形状は特に制限はなく、板状、ハニカム状、粉末状、ペレット状、モノリス状、繊維状等の形状を得られるガス浄化材料の用途等に応じて選択することができる。 The shape of the support 6 made of such a metal oxide is not particularly limited, the plate-shaped, honeycomb-like, powder, pellets, monolith, depending on the application of the gas purification material obtained a fibrous shape like it can be selected. また、金属酸化物からなる担体6の大きさも特に制限はなく、得られるガス浄化材料の用途等に応じて適宜決定されるが、例えば、担体6が板状やハニカム状の場合は一般的には0.1mm〜5mm程度の厚さが好ましく、担体6が粉末状の場合は一般的には0.5mm〜5mm程度の粒径が好ましい。 The size of the carrier 6 made of a metal oxide is not particularly limited, but is appropriately determined depending on the application of the resulting gas purification material, for example, if the carrier 6 is plate-like and honeycomb Generally preferably a thickness of about 0.1mm~5mm, if the carrier 6 is in powder form is generally preferred particle size of about 0.5 mm to 5 mm.

上述の担体6とターゲット4との位置的関係は特に限定されず、担体6の表面にターゲット4の表面から発生した飛散粒子aが効率良く付着するようにターゲット4に対して担体6が適宜配置され、図1においてはターゲット4の法線に対する角度Θが45°となる位置に担体6が配置されている。 The positional relationship between the carrier 6 above the target 4 is not particularly limited, the support 6 is suitably arranged with respect to the target 4 so as scattering particles a generated from the surface of the target 4 to the surface of the support 6 is efficiently adhere is the carrier 6 is arranged at a position where the angle Θ relative to the normal of the target 4 is 45 ° in FIG. また、ターゲット4にはターゲット駆動装置(例えばターゲット回転台、図示せず)が接続され、レーザー光L の照射位置にターゲットの新鮮な面(レーザー光未照射面)が順次繰り出されるようになっている。 Moreover, the target 4 target drive (e.g., a target turntable, not shown) is connected, fresh surfaces (laser beam non-irradiated surface) of the target irradiation position of the laser beam L 1 is adapted to be sequentially fed ing. さらに、担体6にも担体駆動装置(例えば担体回転台、図示せず)が接続され、担体6の表面により均一に金属成分5が担持されるようになっていてもよい。 Furthermore, the carrier drive device to a carrier 6 (e.g., a carrier turntable, not shown) is connected, is uniform metal component 5 may be adapted to be carried by the surface of the support 6.

以上、本発明に好適なガス浄化材料の製造装置の一実施形態について説明したが、本発明に好適な装置は上記実施形態に限定されるものではない。 Having described an embodiment of a production apparatus suitable gas purifying material of the present invention, apparatus suitable for the present invention is not limited to the above embodiment. すなわち、例えば、上記実施形態では処理容器3が真空ポンプ(図示せず)に接続されているが、水素ガス、ヘリウムガス、ネオンガス及びアルゴンガスからなる群から選択される少なくとも一種のシールドガスを導入するためのガスボンベ(図示せず)に接続されていてもよく、その場合は容器3の内部を所定のシールドガス雰囲気に維持することが可能となる。 That is, for example, in the above embodiment the processing chamber 3 is connected to a vacuum pump (not shown), but hydrogen gas, helium gas, introducing at least one shielding gas selected from the group consisting of neon and argon gas gas cylinder for may be connected to a (not shown), it is possible that case to keep the interior of the container 3 at a predetermined shielding gas atmosphere. このように内部がシールドガス雰囲気となっている容器3を用いると、容器3内を減圧状態とせずとも紫外光(又は真空紫外光)L が紫外光吸収物質に吸収されることなく担体6の表面に照射されるため担体6の表面がより効率良く活性化されると共に、金属成分5の酸化が十分に防止される。 With such internal use container 3 which is a shielding gas atmosphere, carrier without without a container 3 and a vacuum ultraviolet light (or vacuum ultraviolet light) L 2 is absorption in the ultraviolet light absorbing material 6 with the surface of the carrier 6 to be applied to the surface is more efficiently activated, oxidation of the metal component 5 can be sufficiently prevented. また、処理容器3に真空ポンプ(図示せず)及びガスボンベ(図示せず)の双方を接続し、容器3の内部を所定のシールドガス雰囲気にすると共に所定の圧力条件に維持することが好適である。 Further, a vacuum pump (not shown) into the processing chamber 3 and the gas cylinder connected to both (not shown), is preferred to maintain a predetermined pressure condition with the inside of the container 3 at a predetermined shielding gas atmosphere is there. このような条件としては、例えばヘリウムガス雰囲気で大気圧以下の圧力が好ましく、 6.67×10 Pa( 500Torr 以下の圧力がより好ましい。 Such conditions include, for example, preferably subatmospheric pressure helium gas atmosphere, and more preferably 6.67 × 10 4 Pa (500Torr) or less pressure. また、酸素分圧及び/又は窒素分圧が133.3Pa( 1Torr 以下の圧力となるようにすることが好ましい。 The oxygen partial pressure and / or partial pressure of nitrogen is preferably set to be equal to or less than the pressure of 133.3 Pa (1 Torr).

また、上記実施形態ではレーザー光源2が処理容器3の外部に配置されているが、処理容器3の内部に配置されていてもよく、その場合はレーザー光L を容器3内に導入するための窓9は不要となる。 Although the laser light source 2 in the above embodiment is arranged outside the processing vessel 3, it may be disposed in the interior of the processing vessel 3, for case of introducing the laser beam L 1 into the container 3 window 9 is not required of.

更に、上記実施形態ではターゲット4の法線に対する角度Θが45°となる位置に担体6が配置されているが、このような位置関係に限定されるものではなく、ターゲット4の法線に対する角度Θが10°〜60°程度の範囲となる位置に担体6が配置されていてもよい。 Further, in the above embodiment the carrier 6 is arranged at a position angle Θ relative to the normal of the target 4 is 45 °, but is not limited to such a positional relationship, angle relative to the normal of the target 4 Θ may be arranged carrier 6 is in a position in the range of about 10 ° to 60 °.

また、ターゲット4としてレーザー光L を透過可能なものを用い、ターゲット4をレーザー光源2と担体6との間に配置せしめ、ターゲット4の裏面(透明フィルム側)から表面(ターゲット材料側)に透過したレーザー光L によってターゲット4の表面(ターゲット材料側)から飛散粒子a(或いは飛散粒子a及び紫外光(又は真空紫外光)L )が発生し、それらが担体6の表面に供給されるようにしてもよい。 Further, the laser light L 1 using the capable transmission as the target 4, allowed placing target 4 between the laser light source 2 and the carrier 6, the back surface of the target 4 (the transparent film side) to the surface (a target material side) scattered from the surface of the target 4 (a target material side) particles a (or scattering particles a and ultraviolet light (or vacuum ultraviolet light) L 2) is generated by the transmitted laser beam L 1, they are fed to the surface of the support 6 it may be so that. このような構成にすると、比較的大型の担体に対する金属成分の担持がより容易になる傾向にある。 With such a structure, it tends to be more easily supported metal component to the relatively large size of the carrier. また、このような構成に用いるターゲットとしては、レーザー光に対して透明なフィルム(例えばPETフィルム)上に前述のターゲット材料を蒸着、貼着等により積層したテープ状ターゲットが好ましい。 As the target used in this configuration, a transparent film to a laser beam (e.g. PET film) deposited above the target material onto a tape-shaped target formed by laminating by adhering or the like are preferable.

更に、金属酸化物からなる担体6として粉末状、ペレット状、モノリス状、繊維状等のものを用いる場合は、このような担体6が載置される処理台(例えば、ステンレス製テーブル、図示せず)を容器3内に配置し、さらに処理台上に載置された担体6に振動及び/又は攪拌を与えて回転させるための振動装置(例えば超音波発生装置、図示せず)を処理台に接続してもよい。 Furthermore, powdery as a carrier 6 made of a metal oxide, pellets, monolith, when using those in such fibrous, processing table such carriers 6 are mounted (e.g., stainless steel table, shown not) were placed in the container 3, further vibration to the carrier 6 which is placed on the processing table and / or vibration device for rotating giving stirring (e.g. ultrasonic generator, the processing table and not shown) it may be connected to. このような構成にすると、担体6の表面に飛散粒子a(或いは飛散粒子a及び紫外光(又は真空紫外光)L )が供給される際に、振動装置によって付与された振動及び/又は攪拌によって担体6が回転するため、飛散粒子aが付着していない新鮮面が順次露出するようになり、担体6の表面全体に亘って飛散粒子aが付着して金属成分5がより均一に担持されるようになる。 With such a configuration, when the scattering on the surface of the carrier 6 particles a (or scattering particles a and ultraviolet light (or vacuum ultraviolet light) L 2) is supplied, the vibration and / or agitation imparted by the vibration device the order support 6 is rotated, is as fresh surface scattering particles a is not attached is exposed sequentially, metal components 5 attached is scattered particles a over the entire surface of the carrier 6 can be more uniformly supported Become so.

次に、本発明のガス浄化材料の製造方法の好適な一実施形態、並びにそれによって得られる本発明のガス浄化材料の好適な一実施形態について、図1を参照しつつ説明する。 Next, a preferred embodiment of a method for manufacturing a gas purifying material of the present invention, as well as the preferred embodiment of the gas purifying material of the present invention obtained thereby will be described with reference to FIG.

本発明のガス浄化材料の製造方法においては、前述の金属からなるターゲット4にレーザー光L パルス幅が100ピコ秒〜100ナノ秒でかつ照射強度が10 W/cm 〜10 12 W/cm 好ましくは波長が150nm〜11μ m、 1パルスあたりのエネルギーが0.01J〜100Jであるパルスレーザー光)がレーザー光源2から照射される。 In the method for producing a gas purifying material of the present invention, the laser beam L 1 (pulse width to a target 4 consisting of the aforementioned metal is 100 picoseconds to 100 nanoseconds and irradiation intensity 10 6 W / cm 2 ~10 12 W / cm 2, preferably pulsed laser light wavelength energy per 150nm~11μ m, 1 pulse is 0.01J~100J) is irradiated from the laser light source 2. すると、ターゲット4の表面に高温のプラズマPが形成され、レーザー光L が照射されたターゲット4の表面からは金属を含む原子又はクラスタが高いエネルギーをもって飛散するほか、上記プラズマP内部もしくはプラズマPにより加熱されたターゲット4の表面からは、ターゲットを構成する材料が蒸発することにより形成された中性原子、イオン、並びに前記の中性原子及びイオンのうちのいくつかが結合して担持されたクラスタが高いエネルギーをもって飛散する。 Then, formed plasma P of high temperature on the surface of the target 4 is, in addition to atoms or clusters containing metal from the surface of the target 4 to the laser light L 1 is irradiated are scattered with high energy, the plasma P inside or plasma P from the heated surface of the target 4, the neutral atoms of the material constituting the target is formed by evaporating, ion, and some of the neutral atoms and ions are carried by combining cluster is scattered with high energy.

そして、このようにレーザー光L の照射によりターゲット4の表面から発生した各種飛散粒子(アブレータ)aは高いエネルギーをもっているため、金属酸化物担体6上に到達すると担体6の表面に付着して金属成分5の微細な粒子として再構成される。 The various scattering particles (ablator) a generated from the surface of the target 4 by irradiation of the thus laser light L 1 is because it has a high energy, adheres to the surface of the reaching on the metal oxide support 6 carrier 6 reconstructed as fine particles of the metal component 5. そして、さらにその上に飛散粒子aが到達すると、このような金属成分5の微粒子からなる薄膜が担体6の表面に形成される。 Then, further when the scattering particles a on arrives, a thin film made of fine particles of such metal component 5 is formed on the surface of the support 6. このようにして金属成分5が担持された本発明のガス浄化材料においては、有害ガスの分解反応や吸着に寄与する金属酸化物担体6の表面にのみこのような金属成分5の微粒子やそれからなる薄膜が担持されており、したがって金属成分5の担持量が少量であっても有害ガスを効率良くかつ確実に除去することが可能となる。 In such gas purifying material of the present invention that the metal component 5 is supported in the thus made fine and then metal components 5 such only on the surface of the contributing metallic oxide support 6 in the decomposition reaction and adsorption of noxious gases thin film are supported, therefore it is possible to be a small amount of the supported amount of the metal component 5 to remove harmful gases efficiently and reliably.

なお、レーザー光L の波長が前記下限未満では大気による吸収が大きく、ターゲットに十分なエネルギーを供給できなくなり、プラズマが形成されなくなる傾向にあり、他方、上記上限を超えると高温のプラズマが形成できなくなるため、紫外光(又は真空紫外光)や微細な飛散粒子を形成できなくなる傾向にある。 Incidentally, large absorption by the atmosphere at the wavelength of the laser light L 1 is less than the lower limit, it becomes impossible to supply sufficient energy to the target, there is a tendency that the plasma is not formed, while the high temperature plasma exceeds the above upper limit is formed it becomes impossible, in a tendency not be formed with ultraviolet light (or vacuum ultraviolet light) and a fine scattering particles. また、レーザー光L のパルス幅が前記下限ではごく短時間にレーザーのエネルギーが集中するため飛散粒子aの運動エネルギーが過大となり、飛散粒子aが金属酸化物担体6上に到達したときに金属酸化物担体6が破壊されてしまう傾向にあり、他方、上記上限を超えるとエネルギーが時間的に集中しないために十分大きなエネルギーをもった飛散粒子aが発生しなくなる傾向にある。 Further, the pulse width of the laser beam L 1 is excessively large kinetic energy of the scattered particles a the energy of the laser is concentrated in very short time at the lower limit, the metal when the scattering particles a has reached on the metal oxide support 6 tend to oxide support 6 is broken, the other tends to scatter particles a having a sufficiently large energy to the energy exceeds the above upper limit is not concentrated temporally does not occur. また、レーザー光L の1パルスあたりのエネルギーが前記下限未満ではエネルギー不足で高温のプラズマが形成されなくなる傾向にあり、他方、上記上限を超えるとターゲットへの投与熱量が多過ぎてターゲットが溶融し、ドロップレットやスパッターを生じ易くなる傾向にある。 Further, there is a tendency energy per pulse of the laser beam L 1 is no longer a high-temperature plasma is formed by lack of energy is less than the lower limit, on the other hand, target dosage amount of heat is too large to target exceeds the upper limit melt and, in the easily it tends to occur a droplet or sputtering.

また、前述の各種飛散粒子(アブレータ)aが金属酸化物担体6の表面に供給される際に、担体6の表面に波長50nm〜100nmの真空紫外光L を照射するようにする。 Also, you to various scattering particles (ablator) a described above is irradiated as it is supplied to the surface of the metal oxide support 6, to the surface of the support 6 a vacuum ultraviolet light L 2 having a wavelength of 50 nm to 100 nm. このように金属酸化物担体6の表面に紫外光L が照射されると、金属酸化物担体6の表面が活性化され、活性化された金属酸化物担体6上に到達した飛散粒子aは担体6の表面に強固に結合し、金属酸化物担体6に対する金属成分5の密着性が向上する。 With such ultraviolet light L 2 on the surface of the metal oxide support 6 is irradiated, the surface of the metal oxide support 6 is activated, the scattering particles a having reached on the metal oxide support 6 which is activated strongly bonded to the surface of the support 6, it increases the adhesion of the metal component 5 to the metal oxide support 6.

更に、ターゲット4に照射されるレーザー光L を、パルス幅が100ピコ秒〜100ナノ秒でかつ照射強度が10 W/cm 〜10 12 W/cm であるパルスレーザー光L とする。 Further, the laser light L 1 irradiated to target 4, and the irradiation intensity at the pulse width of 100 picoseconds to 100 nanoseconds and the pulse laser light L 1 is 10 6 W / cm 2 ~10 12 W / cm 2 you. このような条件を満たすパルスレーザー光L がターゲット4に照射されると、ターゲット4の表面に形成された高温のプラズマPから波長50nm〜100nmの真空紫外光L が発生する。 When such conditions are satisfied pulsed laser light L 1 is irradiated to the target 4, the vacuum ultraviolet light L 2 having a wavelength 50nm~100nm is generated from the high temperature plasma P formed on the surface of the target 4. そして、金属酸化物担体6上にこの真空紫外光L が照射されると金属酸化物担体(特に好ましくは炭化珪素のごとき炭素を含有する金属酸化物担体)6の表面がより活性化されるため、活性化された金属酸化物担体6上に到達した飛散粒子aは担体6の表面の原子により強固に結合し、金属酸化物担体6に対して十分な密着強度をもって金属成分5が担持される。 Then, the surface of the 6 the metal oxide support 6 this vacuum ultraviolet light L 2 on are irradiated metal oxide support (metal oxide support particularly preferably contains carbon such as silicon carbide) are more active Therefore, activated scattered particles a having reached on the metal oxide support 6 is tightly bound by the atoms in the surface of the carrier 6, the metal component 5 is supported with sufficient adhesion strength to the metal oxide support 6 that.

なお、パルスレーザー光L のパルス幅が100ピコ秒未満では短時間にレーザーのエネルギーが集中してターゲットに照射されるため波長50nm未満の光が発生するようになり、他方、100ナノ秒を超えるとレーザーのエネルギーが時間的に十分集中して照射されないため発生する光の波長が100nmを超えてしまう。 The pulse width of the pulsed laser light L 1 becomes such that light having a wavelength less than 50nm because the laser energy in a short time is less than 100 picoseconds is irradiated to the target to concentrate produced, while the 100 nanosecond wavelength of weight, the light generated because energy of the laser is not irradiated temporally sufficiently concentrated exceeds 100 nm. また、発生する光L の波長が50nm未満の場合並びに100nm超の場合はいずれも、金属酸化物担体の表面の活性化の度合いが低下して金属酸化物担体6に対する金属成分5の密着性が低下し易くなる傾向にある。 Moreover, any case where the wavelength of the light L 2 to be generated in the case of less than 50nm and 100nm greater than the adhesion of the metal component 5 degree of activation of the surface of the metal oxide support is lowered relative to the metal oxide support 6 there tends to be liable to lower. さらに、パルスレーザー光L の照射強度が10 W/cm 未満では波長50nm〜100nmの真空紫外光L が十分に発生しない傾向にあり、他方、10 12 W/cm を超えるとターゲットに照射されたときに発生する電磁波の主たる波長域が50nm以下の波長域になるため、波長50nm〜100nmの真空紫外光L の光量が減少してしまう傾向にある。 Moreover, the irradiation intensity of the pulsed laser light L 1 is tend to vacuum ultraviolet light L 2 having a wavelength 50nm~100nm is not sufficiently occur in less than 10 6 W / cm 2, while when it exceeds 10 12 W / cm 2 Target the main wavelength region of electromagnetic wave generated when irradiated is to become in a wavelength range 50 nm, it tends to amount of vacuum ultraviolet light L 2 having a wavelength 50nm~100nm is reduced to.

このようにして金属酸化物担体6の表面に担持される金属成分5は、飛散粒子aが付着して形成された金属成分の微細な粒子及び/又はこのような金属成分の微粒子からなる薄膜である。 Metal component 5 to be carried on the surface of the metal oxide support 6 in this way, a thin film made of fine particles of fine particles and / or Such metal components of the metal component scattered particles a is formed by adhering is there. このような金属成分は、基本的に前述のターゲット4に用いた金属と同様の金属であるが、一旦飛散粒子aとなった分子等により再構成されたものであるためターゲット4に用いた材料と全く同一の組成である必要はない。 Materials such metal components is the same metal as the metal used in essentially above the target 4, using the target 4 because it was reconstructed by temporarily molecules such that a scattered particle a need not be exactly the same composition when. 更に、金属成分5が微細な粒子である場合、その粒径は特に制限されないが、一般的には平均粒径が0.1nm〜10nm程度であることが好ましい。 Further, if the metal component 5 is a fine particle, but the particle diameter thereof is not particularly limited, it is preferable in general the average particle size of about 0.1 nm to 10 nm. 平均粒径が上記下限未満では十分なガス浄化性能が得られなくなる傾向にあり、他方、上記上限を超えてもそれ以上のガス浄化性能が見込めず、却って製造コストや資源消費量の増加を招くこととなる傾向にある。 Average particle size tends to become sufficient gas purification performance can be obtained with less than the above lower limit, on the other hand, it exceeds the upper limit can not be expected more gas purification performance, rather leads to increase in manufacturing cost and resource consumption it tends to be that. また、金属成分5が薄膜である場合、その膜厚は特に制限されないが、一般的には膜厚が5nm〜40nm程度であることが好ましい。 Further, if the metal component 5 is thin, its thickness is not particularly limited, it is preferable in general a thickness of about 5 nm to 40 nm. 膜厚が上記下限未満では十分なガス浄化性能が発現しなくなる傾向にあり、他方、上記上限を超えると金属酸化物担体を覆うこととなり、金属酸化物担体自体に期待されるガス浄化作用を引き出せなくなる傾向にある。 Tends thickness sufficient gas purification performance can not be exhibited less than the lower limit, on the other hand, it becomes possible to exceeds the upper limit cover the metal oxide support, withdraw the gas purification action expected of a metal oxide support itself It is in no trend.

本発明のガス浄化材料においては、このような金属成分の微粒子及び/又は薄膜を金属酸化物担体に担持せしめて使用することにより、金属成分の触媒作用と金属酸化物担体の触媒作用及び/又は吸着作用との相乗効果によって有害ガスの浄化が十分に達成され、しかも有害ガスの分解反応や吸着に寄与する金属酸化物担体の表面にのみこのような金属成分が担持されているため、金属成分の担持量が少量であっても有害ガスが効率良くかつ確実に除去される。 In the gas purification material of the present invention, by using fine particles and / or thin film of such a metal component made to carry the metal oxide support, catalysis and / or catalytic metal oxide support of the metal components since harmful purifying the gas is fully achieved, yet such metal components only on the surface of the contributing metal oxide support in the decomposition reaction or adsorption of harmful gas by the synergistic effect of the adsorption action is supported, the metal component even the amount of carrying a small amount noxious gases can be efficiently and reliably removed.

本発明のガス浄化材料における前記金属成分の含有量は、特に制限されないが、金属酸化物担体100重量部に対して0.01〜1.0重量部であることが好ましく、0.05〜0.65重量部であることがより好ましい。 The content of the metal component in the gas purification material of the present invention is not particularly limited, is preferably from 0.01 to 1.0 parts by weight based on the metal oxide support 100 parts by weight, 0.05 to 0 and more preferably .65 parts by weight. 前記金属成分の含有量が前記下限未満では金属成分による触媒作用が十分に得られない傾向にあり、他方、前記上限を超えてもそれ以上の触媒作用が得られず、却って製造コストや資源消費量の増加を招くこととなる傾向にある。 The catalysis by metal component content is less than the lower of the metal component is in sufficiently obtained tends not, on the other hand, can not be obtained more catalysts act exceeds the upper limit, rather manufacturing cost and resource consumption it tends to be causing an increase in the amount.

なお、上述の本発明のガス浄化材料の製造方法においては、担体6の表面に飛散粒子aを付着させる際に担体6を高温に加熱する必要はなく、その温度は特に制限されないが、一般的には室温〜50℃程度であればよい。 In the manufacturing method of gas purification material of the present invention described above, it is not necessary to heat the carrier 6 to a high temperature during the deposition of scattered particles a to the surface of the support 6, but the temperature is not particularly limited, generally it may be about room temperature to 50 ° C. the. また、担体6の表面に飛散粒子aを付着させて金属成分5を形成させるのに要する時間(レーザー光照射時間)も特に制限されず、担持された金属成分5が所望の粒径及び/又は所望の膜厚となるように適宜決定されるが、一般的には粒径0.1nm〜10nm程度又は膜厚5nm〜40nm程度が好ましく、粒径2nm〜5nm程度又は膜厚8nm〜20nm程度が特に好ましい。 The time required for depositing the scattered particles a to the surface of the support 6 to form the metal component 5 (laser light irradiation time) is not particularly limited, the metal component 5 carried the desired particle size and / or is suitably determined so as to have a desired thickness, typically preferred particle size of about 0.1nm~10nm about or thickness 5nm~40nm to, a particle size of about 2nm~5nm or thickness of about 8nm~20nm is particularly preferred.

また、本発明のガス浄化材料の製造方法においては、上記のようにして金属成分5を金属酸化物担体6に担持せしめる前及び/又は後(好ましくは後)に、必要に応じて水素、一酸化炭素若しくは炭化水素(メタン、アセトアルデヒド等)含有雰囲気中における還元処理、及び/又は、窒素若しくは空気中における焼成処理を施してもよい。 In the method of manufacturing the gas purifying material of the present invention, the metal component 5 as described above after before and / or allowed to supported on the metal oxide support 6 (preferably after), the hydrogen optionally one carbon monoxide or hydrocarbons (methane, acetaldehyde) reduction treatment in the atmosphere containing, and / or may be subjected to a firing process in a nitrogen or air. このような還元処理、焼成処理の条件は特に制限されないが、例えば200〜800℃の温度で1〜10時間加熱するといった条件が採用される。 Such reducing treatment, conditions of the baking process is not particularly limited, conditions are employed such heating for 1 to 10 hours at a temperature of, for example 200 to 800 ° C..

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples, the present invention is not limited to the following examples.

(実施例1〜6) (Examples 1-6)
[金属酸化物担体の製造] Production of metal oxide support]
CeO −ZrO 固溶体{(株)キャタラー社製、Ce:Zr=5:1(モル比)}100g、アルミナゾル(日産化学社製)35g及び蒸留水20mlを混合してスラリーを調製した。 CeO 2 -ZrO 2 solid solution {Co. Cataler Co., Ce: Zr = 5: 1 ( molar ratio)} 100 g, alumina sol (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) were mixed with 35g of distilled water 20ml to prepare a slurry. 得られたスラリーをコージェライトハニカムプレート(日本ガイシ社製、40mm×100mm×3mmに成形)の表面に塗布した後、120℃で3時間乾燥し、更に空気気流中において450℃で2時間焼成した。 The resulting slurry cordierite honeycomb plate was applied to the surface of the (NGK Co., molded into 40mm × 100mm × 3mm), dried 3 hours at 120 ° C., and calcined for 2 hours at 450 ° C. in an air stream . 得られた金属酸化物担体(CeO −ZrO 基板)におけるCeO −ZrO 固溶体の被覆量は0.7gであった。 Coverage of CeO 2 -ZrO 2 solid solution in the resulting metal oxide support (CeO 2 -ZrO 2 substrate) was 0.7 g.

[ガス浄化材料の製造] Production of gas purifying material]
このようにして得られたCeO −ZrO 基板を用いて図1に示すガス浄化材料の製造装置を作製した。 To prepare a manufacturing apparatus for a gas purification material shown in FIG. 1 with the CeO 2 -ZrO 2 substrate thus obtained. すなわち、レーザー光源2としてYAGレーザー装置(スペクトラフィジックス社製、商品名:PRO−290)、処理容器3として石英窓付の真空容器(ステンレス鋼製、容量30リットル)、ターゲット4として白金板(直径50mm、厚さ1mm)、担体6として前記CeO −ZrO 基板、をそれぞれ用いて図1に示すガス浄化材料の製造装置を作製した。 That, YAG laser device as the laser light source 2 (Spectra-Physics Co., Ltd., trade name: PRO-290), the vacuum vessel with a quartz window as the processing chamber 3 (stainless steel, capacitor 30 liters), platinum plate (diameter as target 4 50 mm, 1 mm thick), said CeO 2 -ZrO 2 substrate as a carrier 6, the respectively used to prepare a manufacturing apparatus for a gas purification material shown in FIG. なお、担体6はターゲット4の法線に対する角度Θが60°となる位置に配置し、担体6とターゲット4との間の距離(中心間の距離)は80mmとした。 Incidentally, the carrier 6 is arranged at a position angle Θ relative to the normal of the target 4 is 60 °, (the distance between the centers) the distance between the carrier 6 and the target 4 was 80 mm.

次に、作製された装置を用い、容器3の内部を圧力が1.33Pa( 1×10 −2 Torr の真空度とし、ターゲット4を12rpm、担体6を200rpmで回転させた状態で、レーザー光源2から波長532nm、パルス幅7ナノ秒、エネルギー1J/パルス、周波数10Hz、照射強度4.8×10 W/cm (4.8GW/cm )のパルスレーザー光L をターゲット4に照射した。 Next, using the produced device, the interior of the container 3 the pressure and vacuum degree of 1.33Pa (1 × 10 -2 Torr) , the target 4 12 rpm, a carrier 6 while rotating at 200 rpm, a laser wavelength 532nm from the light source 2, a pulse width 7 ns, energy 1 J / pulse, frequency 10 Hz, a pulsed laser light L 1 of the irradiation intensity 4.8 × 10 9 W / cm 2 (4.8GW / cm 2) to the target 4 It was irradiated. 容器3内部が真空状態のためパルスレーザー光L は減衰することなくターゲット4に到達し、ターゲット4の表面には高温のプラズマPが形成され、波長が50nm〜100nmの範囲にある真空紫外光L が発生し、同時に、ターゲット4の表面から白金の中性原子、イオン、及びこれら中性原子、イオンのうちのいくつかが結合して形成されたクラスタ等の飛散粒子(アブレータ)aが高いエネルギーをもって飛散した。 Container 3 pulsed laser light L 1 for internal vacuum state reaches the target 4 without attenuation, the surface of the target 4 hot plasma P is formed, the vacuum ultraviolet light having a wavelength in the range of 50nm~100nm L 2 is generated, simultaneously, the neutral atom of platinum from the surface of the target 4, ions, and these neutral atoms, the scattered particles (ablator) a cluster such that some are formed by bonding of the ions scattered with a high energy. そして、担体(CeO −ZrO 基板)6の表面にプラズマPから発生した真空紫外光L が照射されて十分に活性化され、そこに飛散粒子aが高いエネルギーをもって高速で到達して付着し、担体6の表面に白金微粒子からなる白金薄膜5が形成された。 Then, the carrier is (CeO 2 -ZrO 2 substrate) 6 sufficiently activated vacuum ultraviolet light L 2 is irradiated generated from the plasma P on the surface of, attached to reach a high speed with an energy higher scattering particles a therein and, the platinum film 5 made of platinum fine particles to the surface of the support 6 is formed.

なお、実施例1〜6においてそれぞれレーザー照射時間を表1に示す時間とし、それによって担体6の表面に担持された白金薄膜5の膜厚及び白金の担持量は表1に示す通りであった。 Incidentally, each of the laser irradiation time and the time shown in Table 1 in Examples 1 to 6, whereby the supported amount of the film thickness and the platinum of the platinum thin film 5 is supported on the surface of the carrier 6 were as shown in Table 1 . また、担体温度は約25℃であった。 Further, the support temperature was about 25 ° C..

[水素還元処理] [Hydrogen reduction process]
白金を担持したCeO −ZrO 基板に対して、水素と窒素との混合ガス(水素含有量:5容量%)中において500℃で2時間の水素還元処理を施した。 Against CeO 2 -ZrO 2 substrate supporting platinum, mixed gas of hydrogen and nitrogen: was subjected to 2 hours of reduction with hydrogen at 500 ° C. in a (hydrogen content 5% by volume).

[ホルムアルデヒド除去性能の評価] [Evaluation of formaldehyde removal performance]
初期濃度が300ppmのホルムアルデヒド(Air雰囲気)を、白金を担持した後に水素還元処理したCeO −ZrO 基板9.8gと共に容量50リットルのガス非透過性の袋に入れて密封し、その密封直後(0.16時間後)、1時間経過後及び3時間経過後における袋内のホルムアルデヒド濃度を北川式ガス検知管(ガスクロ工業社製)で測定した。 The initial concentration of 300ppm formaldehyde (Air atmosphere), platinum was sealed in with CeO 2 -ZrO 2 substrate 9.8g that hydrogen reduction treatment after carrying the volume of 50 liters of gas-impermeable bag, immediately sealed (after 0.16 hours) was measured formaldehyde concentration in the bag after the lapse of 1 hour has elapsed and after 3 hours Kitagawa gas detector tube (gas chromatographic Kogyo Co., Ltd.). 得られた結果を表1に示す。 The results obtained are shown in Table 1.

(比較例1) (Comparative Example 1)
実施例1で用いたものと同様のCeO −ZrO 固溶体に対して以下のようにして含浸法にて白金(白金担持量はCeO −ZrO 固溶体100重量部に対して1.5重量部)を担持せしめた。 Platinum (platinum content by impregnation method as follows for like CeO 2 -ZrO 2 solid solution as used in Example 1, 1.5 weight relative to CeO 2 -ZrO 2 solid solution 100 parts by weight part) was allowed to carry a. すなわち、CeO −ZrO 固溶体粉末にPt塩(田中貴金属社製、商品名:白金Pソルト)の所定濃度の水溶液を所定量含浸させ、次いで蒸発乾固させた後に大気中で500℃にて2時間焼成して白金を担持せしめた。 That, CeO 2 -ZrO 2 solid solution powder of Pt salts (Tanaka Kikinzoku Co., Ltd., trade name: Platinum P Salt) an aqueous solution of a predetermined concentration by a predetermined amount impregnated, then at 500 ° C. in air After evaporation to dryness It was allowed supporting platinum and calcined 2 hours.

次に、含浸法により白金を担持したCeO −ZrO 固溶体100g、アルミナゾル(日産化学社製)35g及び蒸留水20mlを混合してスラリーを調製し、得られたスラリーを実施例1で用いたものと同様のコージェライトハニカムプレートの表面に塗布した後、120℃で3時間乾燥し、更に空気気流中において450℃で2時間焼成した。 Next, impregnation CeO 2 -ZrO 2 solid solution supporting platinum by 100 g, alumina sol were mixed (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) 35 g and distilled water 20ml to prepare a slurry, the resulting slurry was used in Example 1 after application to the surface of the same cordierite honeycomb plate and stuff, and dried 3 hours at 120 ° C., and calcined for 2 hours at 450 ° C. in an air stream. 得られた金属酸化物担体(CeO −ZrO 基板)におけるCeO −ZrO 固溶体の被覆量は0.7gであった。 Coverage of CeO 2 -ZrO 2 solid solution in the resulting metal oxide support (CeO 2 -ZrO 2 substrate) was 0.7 g.

続いて、このようにして含浸法により白金を担持したCeO −ZrO 基板に対して実施例1と同様にして水素還元処理を施した後、実施例1と同様にしてホルムアルデヒド除去性能を評価した。 Subsequently, after performing hydrogen reduction treatment in the same manner as in Example 1 with respect to CeO 2 -ZrO 2 substrate supporting platinum by impregnation method in this manner, the to formaldehyde removal performance in the same manner as in Example 1 Evaluation did. 得られた結果を表1に示す。 The results obtained are shown in Table 1.

(比較例2) (Comparative Example 2)
白金担持量がCeO −ZrO 固溶体100重量部に対して0.15重量部となるようにした以外は比較例1と同様にして含浸法により白金を担持したCeO −ZrO 基板を製造し、比較例1と同様にして水素還元処理を施した後に比較例1と同様にしてホルムアルデヒド除去性能を評価した。 Produced platinum supporting amount of CeO 2 -ZrO 2 substrate supporting platinum by impregnation method, except that was made to be 0.15 parts by weight in the same manner as in Comparative Example 1 with respect to CeO 2 -ZrO 2 solid solution 100 parts by weight and to evaluate the formaldehyde removal performance in the same manner as in Comparative example 1 was subjected to a hydrogen reduction treatment in the same manner as in Comparative example 1. 得られた結果を表1に示す。 The results obtained are shown in Table 1.

(比較例3) (Comparative Example 3)
ブランクとして、初期濃度が300ppmのホルムアルデヒド(Air雰囲気)のみを容量50リットルのガス非透過性の袋に入れて密封し、その密封直後(0.16時間後)、1時間経過後及び3時間経過後における袋内のホルムアルデヒド濃度を測定した。 As a blank, the initial concentration is sealed in only 300ppm formaldehyde (Air atmosphere) in volume of 50 liters of gas-impermeable bag, immediately sealed (0.16 hours later), After 1 hour and 3 hours after the formaldehyde concentration in the bag after the measurement. 得られた結果を表1に示す。 The results obtained are shown in Table 1.

表1に示した結果から明らかな通り、レーザーアブレーション法で白金をCeO −ZrO 基板に担持させた本発明のガス浄化材料(実施例1〜6)は、従来の含浸法により白金をCeO −ZrO 基板に担持させたガス浄化材料(比較例1〜2)に比べてホルムアルデヒド除去性能が非常に優れており、白金担持量が少量であっても同等若しくはそれ以上の除去性能が達成されることが確認された。 As apparent from the results shown in Table 1, gas purification material (Examples 1-6) of the present invention that the platinum laser ablation was carried on CeO 2 -ZrO 2 substrates, CeO platinum by conventional impregnation method 2 -ZrO 2 formaldehyde removal performance as compared with the gas purification material is supported on a substrate (Comparative examples 1-2) are excellent, equal to or greater than the removal performance even platinum content a small amount to achieve it is has been confirmed that is.

以上説明したように、本発明のガス浄化材料によれば、金属酸化物からなる担体に担持する金属成分の担持量が従来より少量であっても、空気中のアルデヒド類や排ガス中のNOx、CO等といった有害ガスを効率良くかつ確実に除去することが可能となる。 As described above, according to the gas purification material of the present invention, even in small quantities conventionally carried amount of the metal component supported on a carrier consisting of metal oxides, NOx aldehydes and the exhaust gas in the air, harmful gases such CO etc. becomes possible to efficiently and reliably removed. そのため、本発明のガス浄化材料によれば金属成分の担持量の低減によるコスト低減が可能となり、さらに資源確保の点からも有効である。 Therefore, according to the gas purification material of the present invention enables cost reduction by reducing the amount of supported metal components, it is also effective from the further standpoint of securing resources. また、本発明のガス浄化材料の製造方法によれば、従来のような金属塩を用いることなく金属成分を担持したガス浄化材料が得られるため、従来は必要であった焼成等の後処理や廃液処理が不要となり、グリーンケミストリーの見地からも環境に対する負荷を低減しかつ簡略化された工程で前記本発明のガス浄化材料を製造することが可能となる。 According to the manufacturing method of gas purification material of the present invention, since the gas purification material carrying a metal component without using the conventional metal salts, such as are obtained, Ya post-baking, etc. which has been conventionally required waste liquid treatment is not required, it is possible to manufacture a gas purifying material of the present invention in also reducing the load on the environment and simplified process in terms of green chemistry. 従って、本発明は、常温で空気中のアルデヒド類等の有害ガスを浄化するための「常温空気浄化用触媒」や、低温で排ガス中のNOx、CO等の有害ガスを浄化するための「低温排ガス浄化用触媒」といった、有害ガスに対する分解触媒及び/又は吸着剤として機能するガス浄化材料を提供するための技術として非常に有用である。 Accordingly, the present invention is, for purifying harmful gas aldehydes in the air such as at normal temperature "cold air purifying catalyst" or, in the exhaust gas at a low temperature NOx, for purifying harmful gas such as CO "low temperature such exhaust gas purification catalyst ", is very useful as a technique for providing a gas purification material that functions as a cracking catalyst and / or adsorbent for the harmful gases.

本発明に好適なガス浄化材料の製造装置の好適な一実施形態の基本構成を示す模式図である。 It is a schematic diagram showing a basic configuration of a preferred embodiment of an apparatus for producing a preferred gas purification material in the present invention.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…ガス浄化材料の製造装置、2…レーザー光源、3…処理容器、4…ターゲット、5…金属成分、6…金属酸化物担体、7…窓、L …パルスレーザー光、L …真空紫外光、a…飛散粒子、P…プラズマ。 1 ... apparatus for producing gas purification material, 2 ... laser light source, 3 ... processing vessel 4 ... target, 5 ... metal component, 6 ... metal oxide support, 7 ... window, L 1 ... pulsed laser beam, L 2 ... vacuum ultraviolet light, a ... scattering particles, P ... plasma.

Claims (7)

  1. Rh、Nb、Re、Ag、Au、Cu、Co、Cr、Ni、Fe、Ir、Mo、Pt、Pd、Sn、Ti、V、W、Zn、Zr、Ru、Os、及びそれらを主成分とする合金からなる群から選択される金属からなるターゲットにパルス幅が100ピコ秒〜100ナノ秒でかつ照射強度が10 W/cm 〜10 12 W/cm であるパルスレーザー光を照射して波長50nm〜100nmの真空紫外光及び前記金属の飛散粒子を発生させ、 Ti、Al、Si、Ce、Zr、Fe、Mn、Ni、Zn及びCuからなる群から選択される少なくとも一種の金属の単独酸化物又は複合酸化物である金属酸化物からなる担体の表面に前記真空紫外光を照射しつつ前記飛散粒子を付着させて前記担体上に担持された金属成分を形成せしめることを特徴 Rh, main component Nb, Re, Ag, Au, Cu, Co, Cr, Ni, Fe, Ir, Mo, Pt, Pd, Sn, Ti, V, W, Zn, Zr, Ru, Os, and their pulse width to a target comprising a metal selected from the group consisting of an alloy of 100 picoseconds to 100 nanoseconds in and irradiation intensity is irradiated with a pulsed laser beam is 10 6 W / cm 2 ~10 12 W / cm 2 to generate vacuum ultraviolet light and the metal sputtered particles wavelength 50nm~100nm Te, Ti, Al, Si, Ce , Zr, Fe, Mn, Ni, at least one metal selected from the group consisting of Zn and Cu characterized in that allowed to form a supported metal component on the carrier alone oxide or composite oxide in which are deposited causes the scattered particles the to the surface of the support comprising a metal oxide while irradiating vacuum ultraviolet light とするガス浄化材料の製造方法。 Method for producing a gas purification material to.
  2. 前記金属が、Pt、Pd、Rh、Ru、Ir、Os、Au及びAgからなる群から選択される貴金属であることを特徴とする請求項1記載のガス浄化材料の製造方法。 Wherein the metal, Pt, Pd, Rh, Ru , Ir, Os, manufacturing method of gas purification material according to claim 1, wherein the noble metals are selected from the group consisting of Au and Ag.
  3. 前記金属酸化物が、酸化チタン、アルミナ、酸化ケイ素、酸化セリウム、ゼオライト、ジルコニア、酸化鉄、酸化マンガン、酸化ニッケル、酸化亜鉛及び酸化銅からなる群から選択される少なくとも一種の金属酸化物であることを特徴とする請求項1又は2記載のガス浄化材料の製造方法。 Wherein the metal oxide is titanium oxide, alumina, silicon oxide, cerium oxide, zeolite, zirconia, iron oxide, manganese oxide, nickel oxide, is at least one metal oxide selected from the group consisting of zinc oxide and copper oxide method for producing a gas purifying material according to claim 1 or 2, wherein the.
  4. 減圧状態、及び/又は、水素ガス、ヘリウムガス、ネオンガス及びアルゴンガスからなる群から選択される少なくとも一種のガスを含有するシールドガス雰囲気下において前記担体の表面に前記飛散粒子を付着させることを特徴とする請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載のガス浄化材料の製造方法。 Reduced pressure, and / or hydrogen gas, helium gas, characterized in that the deposition of the neon gas and the scattering particles to the surface of the carrier in the shield gas atmosphere containing at least one gas selected from the group consisting of argon gas method for producing a gas purifying material according to any one of claims 1 to 3.
  5. Ti、Al、Si、Ce、Zr、Fe、Mn、Ni、Zn及びCuからなる群から選択される少なくとも一種の金属の単独酸化物又は複合酸化物である金属酸化物からなる担体と、 Ti, a carrier made of a metal oxide is that Al, Si, Ce, Zr, Fe, Mn, Ni, alone oxide of at least one metal selected from the group consisting of Zn and Cu or a composite oxide,
    Rh、Nb、Re、Ag、Au、Cu、Co、Cr、Ni、Fe、Ir、Mo、Pt、Pd、Sn、Ti、V、W、Zn、Zr、Ru、Os、及びそれらを主成分とする合金からなる群から選択される金属からなるターゲットにパルス幅が100ピコ秒〜100ナノ秒でかつ照射強度が10 W/cm 〜10 12 W/cm であるパルスレーザー光を照射して発生せしめた金属の飛散粒子が、前記パルスレーザー光の照射により発生せしめた波長50nm〜100nmの真空紫外光が照射された状態で前記担体の表面に付着して形成され、前記担体上に担持されている金属成分と、 Rh, main component Nb, Re, Ag, Au, Cu, Co, Cr, Ni, Fe, Ir, Mo, Pt, Pd, Sn, Ti, V, W, Zn, Zr, Ru, Os, and their pulse width to a target comprising a metal selected from the group consisting of an alloy of 100 picoseconds to 100 nanoseconds in and irradiation intensity is irradiated with a pulsed laser beam is 10 6 W / cm 2 ~10 12 W / cm 2 metal scattering particles allowed generating Te is, the pulsed laser beam vacuum ultraviolet light having a wavelength 50nm~100nm which allowed generated by irradiation of is formed adheres to the surface of the carrier in a state of being irradiated, supported on said carrier a metal component is,
    からなることを特徴とするガス浄化材料。 Gas purifying material characterized by comprising a.
  6. 前記金属が、Pt、Pd、Rh、Ru、Ir、Os、Au及びAgからなる群から選択される貴金属であることを特徴とする請求項5記載のガス浄化材料。 Wherein the metal, Pt, Pd, Rh, Ru , Ir, Os, gas purification material according to claim 5, characterized in that the noble metal is selected from the group consisting of Au and Ag.
  7. 前記金属酸化物が、酸化チタン、アルミナ、酸化ケイ素、酸化セリウム、ゼオライト、ジルコニア、酸化鉄、酸化マンガン、酸化ニッケル、酸化亜鉛及び酸化銅からなる群から選択される少なくとも一種の金属酸化物であることを特徴とする請求項5又は6記載のガス浄化材料。 Wherein the metal oxide is titanium oxide, alumina, silicon oxide, cerium oxide, zeolite, zirconia, iron oxide, manganese oxide, nickel oxide, is at least one metal oxide selected from the group consisting of zinc oxide and copper oxide gas purifying material according to claim 5 or 6, wherein the.
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