JP4295409B2 - Manufacturing method of ceramic circuit board - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック基板にアルミニウム製金属回路板をロウ材により接合したセラミック回路基板の製造方法に関するものである。
【0002】
【従央の技術】
近年、パワーモジュール用基板やスイッチングモジュール用基板等の回路基板として、セラミック基板上に銀一銅合金にチタン、ジルコニア、ハフニウムおよびこれらの水素化物の少なくとも1種を添加した活性金属ロウ材を介して銅等から成る金属回路板を直接接合させたセラミック回路基板が用いられている。
【0003】
かかるセラミツク回路基板は、一般に酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体、ムライト質焼結体等の電気絶縁性のセラミックス材料から成っており、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合には、具体的には以下の方法によって製作される。
【0004】
即ち、
(1)まず、銀一銅合金にチタン、ジルコニウム、ハフニウムおよぴこれらの水素化物の少なくとも1種を添加した活性金属粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合してロウ材ペ一ストを作製する。
(2)次に、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤等を添加混合して泥漿状と成すとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のテープ成形技術を採用して複数のセラミックグリーンシートを得た後、所定寸法に形成し、次に前記セラミックグリーンシートを必要に応じて上下に積層するとともに還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成し、セラミックグリーンシートを焼結一体化させて酸化アルミニウム質焼結体から成るセラミック基板を形成する。
(3)次に、前記セラミツク基板上に前記ロウ材ぺ−ストを間に挟んで銅等から成る金属回路板を載置させる。
(4)そして最後に、前記セラミック基板と金属回路板との間に配されているロウ材ペーストを非酸化性雰囲気中で約900℃の温度に加熱し、セラミック基板に活性金属粉末を介して銀一銅合金から成るロウ材を接合させるとともに該ロウ材を金属回路板に接合させることによってセラミック回路基板が製作される。
【0005】
なお、前記ロウ材および金属回路板の露出表面には酸化腐食を有効に防止すると同時に金属回路板に半導体素子等の電子部品を接着固定する半田等の接着材との接合を強固にするため、ニッケル等の金属がメッキ法等の技術を用いることによって被着されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来のセラミック回路基板においては、一般に金属回路板が銅により形成されており、該銅は熱膨張係数が18ppm/℃で、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体、ムライト質焼結体等からなるセラミック基板の熱膨張係数(酸化アルミニウム質焼結体:7ppm/℃、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体:4ppm/℃、窒化珪素質焼結体:3ppm/℃)と大きく相違すること、銅の金属回路板は厚みが厚くなってきた場合、その硬さが硬く容易に変形しないこと等から金属回路板をセラミック基板上に接合させた後に、金属回路板とセラミック基板に熱が作用すると金属回路板とセラミック基板の間に両者の熱膨張係数の差に起因する応力が発生し、該応力が脆弱なセラミック基板に作用してセラミック基板にクラックや割れ等が発生してしまうという欠点を有していた。
【0007】
またセラミック基板への金属回路板の接合はセラミツク基板上にロウ材ペーストを挟んで銅から成る所定パターンの金属回路板を載置させた後、これを還元雰囲気中、約900℃の温度に加熱することによって行われており、前記ロウ材ペーストは液相線温度以上の温度で加熱されることから、大きく熔け広がり、この熔け広がったロウ材ペーストによって隣接する金属回路板間が電気的に短絡するという欠点も有していた。
【0008】
なお、前記ロウ材ペーストの熔け広がりを防止するためにロウ材ペーストの厚みを、例えば、10μm未満に薄くしておくことが考えられる。
【0009】
しかしながら、ロウ材ペーストの厚みを薄くすると、セラミツク基板上に金属回路板を取着する際、セラミック基板と金属回路板との間に発生する両者の熱膨張係数の相違に起因する応力を前記ロウ材が有効に吸収することができなくなってセラミック基板に大きな応力が作用し、該応力によってセラミツク基板にクラックや割れが発生するという欠点が誘発されてしまう。
【0010】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的はセラミック基板に金属回路板を、隣接する金属回路板間の電気的短絡を発生することなく、またセラミック基板に割れ等を発生することなく強固に接着させることができるセラミック回路基板の製造方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明のセラミック回路基板の製造方法は、
(1)アルミニウム粉末とシリコン粉末および/またはアルミニウムーシリコン合金粉末を主成分とするロウ材粉末と、融点が950℃以上の高融点金属粉末を点接合で接合して成る凝集体とを含有するロウ材ペーストを作製する工程と、
(2)セラミック基板上に前記ロウ材ペーストを間に挟んでアルミニウム製金属回路板を載置させる工程と、
(3)前記セラミック基板とアルミニウム製金属回路板との間に配されているロウ材ペーストを非酸化性雰囲気中で加熱し、セラミック基板に凝集体を含有するアルミニウム−シリコン合金を主成分とするロウ材を接合させるとともに該ロウ材をアルミニウム製金属回路板に接合させる工程と、
から成ることを特徴とするものである。
【0012】
また、本発明のセラミック回路基板の製造方法は、前記凝集体がロウ材に対して3乃至20重量%含有されていることを特徴とするものである。
【0013】
更に、本発明のセラミック回路基板の製造方法は、前記凝集体の平均径が10乃至100μmの平均径であること特徴とするものである。
【0014】
本発明のセラミック回路基板の製造方法によれば、金属回路板を軟質なアルミニウムで形成したことから金属回路板をセラミック基板上に接合させた後に、金属回路板とセラミック基板に熱が作用し両者間に両者の熱膨張係数の差に起因する応力が発生したとしても該応力は金属回路板を変形させることによって吸収され、その結果、セラミック基板に大きな応力が作用することはなく、セラミック基板にクラックや割れ等が発生するのを有効に防止することができる。
【0015】
また本発明のセラミック回路基板の製造方法によれば、セラミック基板への金属回路板の接合は、セラミック基板上に融点が950℃以上の高融点金属粉末を点接合で接合して成る平均径が10乃至100μmの凝集体をロウ材に対して3乃至20重量%含有したロウ材ペーストを挟んでアルミニウムから成る所定パターンの金属回路板を載置させた後、これを還元雰囲気中、約600℃の温度に加熱することによって行われることから、前記ロウ材ペーストがロウ材の液相線温度以上の温度で加熱されたとしても、前記凝集体がセラミック基板と金属回路板との間でスペーサの役目を果たして前記ロウ材ペーストが大きく熔け広がることはなく、その結果、隣接する金属回路板間に電気的な短絡が発生するのが有効に防止される。
【0016】
更に同時に、融点が950℃以上の高融点金属粉末を点接合で接合させた凝集体によって金属回路板とセラミック基板との間に所定厚みのスペースが確保され、該スペースに所定量のロウ材が介在することから金属回路板とセラミック基板の熱膨張係数の相違によって発生する応力は前記ロウ材にも吸収され、セラミック基板にクラックや割れ等を発生するのがより一層有効に防止される。
【0017】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
図1及び図2は、本発明の製造方法によって製作したセラミック回路基板の一実施例を示す断面図であり、1はセラミック基板、2はロウ材層、3は金属回路板である。
【0018】
前記セラミック基板1は窒化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体等の電気絶縁材料からなり、その上面に金属回路板3がロウ材層2を介してロウ付けされている。
【0019】
前記セラミック基板1はその上面にロウ付けされる金属回路板3を支持する支持部材として作用する。
【0020】
また前記セラミック基板1の上面にロウ付けされている金属回路板3はアルミニウムから成り、セラミック回路基板に実装される半導体素子等の電子部品に電気信号や電力を供給する作用をなす。
【0021】
更に前記セラミック基板1の上面に金属回路板3をロウ付けするロウ材はアルミニウムーシリコン合金を主成分としたロウ材で形成されており、セラミック基板1の上面および金属回路板3の下面に接合して金属回路板3をセラミック基板1上に取着する作用をなす。
【0022】
かくして上述のセラミック回路基板によれば、セラミック基板1上面の金属回路板3に半田等の接着材を介して半導体素子等の電子部品を電気的に接続させるとともに金属回路板3を外部電気回路に接続すれば半導体素子等の電子部品は金属回路板3を介して外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【0023】
次に上記セラミック回路基板の製造方法について説明する。
(1)先ず、セラミック基板1を製作する。
【0024】
前記セラミック基板1は窒化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、窒化珪素質焼結体から成る場合には、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化イットリウム等の原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤を添加混合して泥漿状となすとともに該泥漿物を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート(セラミック生シート)を形成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、窒素雰囲気中、1600乃至2000℃の高温で焼成することによって製作される。
(2)次に、金属回路板3を製作する。
【0025】
前記金属回路板3はアルミニウムから成り、例えば、アルミニウムのインゴット(塊)に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによって、厚さが500μmの所定パターン形状に製作される。
(3)次に、ロウ材ペーストを製作する。
【0026】
前記ロウ材ペーストは、アルミニウム粉末とシリコン粉末および/またはアルミニウムーシリコン合金粉末を主成分とするロウ材粉末に、融点が950℃以上の高融点金属粉末を点接合で接合して成る平均径が10乃至100μmの凝集体2aを3乃至20重量%と、適当な有機溶剤、溶媒を添加混合し、混練することによって製作される。
(4)次に、前記セラミック基板1上面に前記ロウ材ペーストを従来周知のスクリーン印刷技法を用いて、例えば、30乃至50μmの厚さで所定パターンに印刷塗布するとともに該所定パターンに印刷塗布されたロウ材ペースト上に前記金属回路板3を載置する。
(5)そして最後に、前記セラミック基板1と金属回路板3との間に配されているロウ材ペーストを、前記金属回路板3に50乃至100gの荷重をかけるながら、水素ガス雰囲気や水素・窒素ガス雰囲気の非酸化性雰囲気中で、600℃に加熱し、前記ロウ材ペーストの有機溶剤や溶媒を気散させるとともにロウ材を溶融せしめセラミック基板1の上面と金属回路板3の下面とに接合させることによって、セラミック基板1の上面に金属回路板が取着されることとなる。
【0027】
なお、この場合、セラミック基板1へのロウ材の接合メカニズムは明らかでははないが、ロウ材中のアルミニウムがセラミック基板1中に含まれている焼結助剤としての酸化マグネシウムや酸化珪素と反応し、反応層を形成することによっておこなわれるものと推測される。
【0028】
また前記セラミック基板1と金属回路板3とをロウ材を介して接合させる場合、ロウ材ペースト中には、融点が950℃以上の高融点金属粉末を点接合で接合して成る凝集体2aが添加されていることからセラミック基板1と金属回路板3との間に所定厚みのスペースが確保されてロウ材が大きく熔け広がることはなく、その結果、隣接する金属回路板3間に電気的な短絡が発生するのが有効に防止される。更に同時に、融点が950℃以上の高融点金属粉末を点接合で接合して成る凝集体2aによって金属回路板3とセラミック基板1との間に所定厚みのスペースが確保され、該スペースに所定量のロウ材が介在することから金属回路板3とセラミック基板1の熱膨張係数の相違によって発生する応力はその一部が前記ロウ材に吸収され、セラミック基板1にクラックや割れ等が発生することはない。
【0029】
前記ロウ材ペーストのアルミニウム粉末とシリコン粉末および/またはアルミニウムーシリコン合金粉末を主成分とするロウ材粉末は、例えば、アルミニウムとシリコンがそれぞれ88重量%と18重量%含有されている共晶合金からなり、マグネシウムを添加物として添加したり、チタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびこれらの水素化物の少なくとも1種より成る活性金属粉末を添加してもよい。ロウ材ペーストにマグネシウムを添加物として添加する場合にはアルミニウム、シリコン、マグネシウムをそれぞれ90重量%、7.5重量%、2.5重量%とした合金が好適に使用され、またチタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびこれらの水素化物の少なくとも1種より成る活性金属粉末を添加する場合には、その量を2乃至5重量%としておくとセラミック基板1との接合をより強固となすことができる。
【0030】
更に、前記ロウ材粉末はその粒径が1μm未満となるとロウ材粉末の比表面積が大きくなってロウ材粉末表面に形成される酸化皮膜中に多くの酸素が存在し、該酸素によってロウ材のセラミック基板1や金属回路板3に対する濡れ性が低下して、前記セラミック基板1と金属回路板3との接合強度が低下してしまう危険性がある。従って、前記ロウ材粉末はその粒径を1μm以上としておくことが好ましい。
【0031】
また更に前記ロウ材ペースト中に添加されている凝集体2aは銅、銀、金、タングステン、モリブデン、マンガン等の融点が950℃以上の高融点金属の粉末から形成されており、例えば、高融点金属粉末がモリブデンの場合であれば還元雰囲気中で約2000℃の温度に加熱し、約5分間保持することにより、粉体同士を点接合で接合した後、室温まで徐冷し、所定の径に分級することによって製作される。
【0032】
前記高融点金属はその融点が950℃とロウ材の液相線温度よりも充分に高い融点を有することから、ロウ材が液相線温度以上の温度に加熱され場合でも凝集体2aは溶融することなく前記セラミック基板1と金属回路板3との間に所定厚みのスペースを確実に確保することができる。
【0033】
前記凝集体2aはまたその径が10μm未満となるとセラミック基板1と金属回路板3との間の所定厚みのスペースを確保するのが困難となり、また100μmを超えるとロウ材ペーストをセラミック基板1上面に従来周知のスクリーン印刷法等の印刷技術を用いて印刷塗布する際、凝集体2aがスクリーンのメッシュに引っかかって所定パターンに印刷塗布するのが困難となる。従って、前記凝集体2aはその径を10乃至100μmの範囲に、より好適には20乃至50μmの範囲にしておくことが好ましい。
【0034】
更に、前記凝集体2aを形成する銅、銀、金、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末はその径が1μm未満となると比表面積が大きくなって、高融点金属粉末表面に形成される酸化皮膜中に多くの酸素が存在し、該酸素によってロウ材のセラミック基板1や金属回路板3に対する濡れ性が低下して、前記セラミック基板1と金属回路板3との接合強度が低下してしまう危険性があり、また6μmを超えると高融点金属粉末間の接合点が少なくて凝集体2aの機械的強度が弱くなり、セラミック基板1に金属回路板3をロウ付けする際に凝集体2aの高融点金属粉末間にばらけが発生してセラミック基板1と金属回路板3との間に所定厚みのスペースを確保することが困難となってしまう。従って、前記凝集体2aを形成する各高融点金属粉末はその径を1乃至6μmの範囲としておくことが好ましい。
【0035】
前記凝集体2aのロウ材への添加量は3重量%未満となると、前記セラミック基板1と金属回路板3との間に所定厚みのスペースを確保するのが困難となり、また20重量%を超えるとセラミック基板1及び金属回路板3に対するロウ材の接合面積が狭くなってセラミック基板1への金属回路板3のロウ付け強度が低下してしまう傾向にある。従って、前記凝集体2aのロウ材への添加量は3乃至20重量%の範囲としておくことが好ましい。
【0036】
また更に、前記凝集体2aを形成する高融点金属粉末に銅、銀、金を選択すると、該銅、銀、金は熱伝導率が約300W/m・Kと高いことから金属回路板3上に接着固定された電子部品が作動時に多量の熱を発生した際、その熱をロウ材中の凝集体2aを通してセラミック基板1へ良好に伝達・放散させることができる。従って、前記凝集体2aは銅、銀、金等の熱伝導率が約300W/m・K以上の高いものを使用することが好ましい。
【0037】
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例ではセラミック基板1が窒化珪素質焼結体で形成された例を示したが、電子部品が多量の熱を発し、この熱を効率良く除去したい場合にはセラミック基板1を熱伝導率の高い窒化アルミニウム質焼結体で形成しても良く、金属回路板3に高速で電気信号を伝播させたい場合にはセラミック基板1を誘電率の低いムライト質焼結体で形成すれば良い。
【0038】
また前記金属回路板3の表面にニッケルから成る、良導電性で、かつ耐蝕性及びロウ材との濡れ性が良好な金属をメッキ法により被着させておくと、金属回路板3と外部電気回路との電気的接続を良好と成すとともに金属回路板3に半導体素子等の電子部品を強固に接着させることができる。
【0039】
前記アルミニウム製金属回路板3にニッケルメッキを施す場合、ニッケルメッキの前処理としてアルミニウム製金属回路板3にジンケート処理を施しておくとニッケルメッキ層をアルミニウム製金属回路板3へ均一に、かつ強固に被着させることができる。従って、前記アルミニウム製金属回路板3にニッケルメッキを施す場合、前記アルミニウム製金属回路板3にジンケート処理を施しておくことが好ましい。また前記ジンケート処理としては、例えば、市販の上村工業株式会社製AD−3−1F 3Xを用いたジンケート浴中にアルミニウム製金属回路板3を30秒間浸漬し、次に50%硝酸液にて金属回路板3表面に析出した亜鉛を溶解し、最後に再度前記ジンケート浴に30秒浸漬することによって行われる。
【0040】
更に、前記ニッケルメッキ層は燐を8〜15重量%含有させたニッケルー燐のアモルファス合金としておくとニッケル層の表面酸化を良好に防止することができる。従って、前記アルミニウム製金属回路板3にニッケルメッキ層を被着させる場合、ニッケルメッキ層は燐を8〜15重量%含有するニッケルー燐のアモルファス合金としておくことが好ましい。
【0041】
また更に、前記金属回路板3の表面にニッケルメッキ層を被着させる場合、該ニッケルメッキ層は、その厚みが1.5μm未満となると金属回路板3の表面をニッケルメッキ層で完全に被覆するのが困難となって金属回路板3の酸化腐蝕を有効に防止することができなくなる危険性があり、また3μmを超えるとニッケルメッキ層の内部に内在する内在応力が大きくなってセラミック基板1に反りや割れ等を発生してしまう危険性がある。特にセラミック基板1の厚さが700μm以下の薄いものになった場合にはこのセラミック基板1の反りや割れ等が顕著となってしまう。従って、前記金属回路板3の表面にニッケルメッキ層を被着させる場合、ニッケルメッキ層の厚みは1.5μm乃至3μmの範囲としておくことが好ましい。
【0042】
【発明の効果】
本発明のセラミック回路基板の製造方法によれば、金属回路板を軟質なアルミニウムで形成したことから金属回路板をセラミック基板上に接合させた後に、金属回路板とセラミック基板に熱が作用し両者間に両者の熱膨張係数の差に起因する応力が発生したとしても該応力は金属回路板を変形させることによって吸収され、その結果、セラミック基板に大きな応力が作用することはなく、セラミック基板にクラックや割れ等が発生するのを有効に防止することができる。
【0043】
また本発明のセラミック回路基板の製造方法によれば、セラミック基板への金属回路板の接合は、セラミック基板上に融点が950℃以上の高融点金属粉末を点接合で接合して成る平均径が10乃至100μmの凝集体をロウ材に対して3乃至20重量%含有したロウ材ペーストを挟んでアルミニウムから成る所定パターンの金属回路板を載置させた後、これを還元雰囲気中、約600℃の温度に加熱することによって行われることから、前記ロウ材ペーストがロウ材の液相線温度以上の温度で加熱されたとしても、前記凝集体がセラミック基板と金属回路板との間でスペーサの役目を果たして前記ロウ材ペーストが大きく熔け広がることはなく、その結果、隣接する金属回路板間に電気的な短絡が発生するのが有効に防止される。
【0044】
更に同時に、融点が950℃以上の高融点金属粉末を点接合で接合させた凝集体によって金属回路板とセラミック基板との間に所定厚みのスペースが確保され、該スペースに所定量のロウ材が介在することから金属回路板とセラミック基板の熱膨張係数の相違によって発生する応力は前記ロウ材にも吸収され、セラミック基板にクラックや割れ等を発生するのがより一層有効に防止される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のセラミック回路基板の一実施例を示す断面図である。
【図2】本発明のセラミック回路基板の一実施例を示す断面図の要部拡大図である。
【符号の説明】
1・・・・セラミック基板
2・・・・ロウ材層
2a・・・凝集体
3・・・・金属回路板
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic circuit board in which an aluminum metal circuit board is bonded to a ceramic substrate with a brazing material.
[0002]
[Ohio's technology]
In recent years, as circuit boards such as power module boards and switching module boards, an active metal brazing material in which at least one of titanium, zirconia, hafnium and hydrides thereof is added to a silver-copper alloy on a ceramic board is used. A ceramic circuit board in which a metal circuit board made of copper or the like is directly bonded is used.
[0003]
Such a ceramic circuit board is generally made of an electrically insulating ceramic material such as an aluminum oxide sintered body, an aluminum nitride sintered body, a silicon nitride sintered body, and a mullite sintered body. In the case of a sintered material, it is specifically manufactured by the following method.
[0004]
That is,
(1) First, a brazing paste is prepared by adding an organic solvent and a solvent to an active metal powder obtained by adding at least one of titanium, zirconium, hafnium and hydrides thereof to a silver-copper alloy. .
(2) Next, a ceramic raw material powder such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, and calcium oxide is mixed with an appropriate organic binder, plasticizer, solvent, etc. to form a mud and this is a well-known doctor blade. After obtaining a plurality of ceramic green sheets by adopting a tape forming technique such as a method and a calender roll method, it is formed into a predetermined dimension, and then the ceramic green sheets are stacked up and down as necessary and in a reducing atmosphere. Firing is performed at a temperature of about 1600 ° C., and the ceramic green sheet is sintered and integrated to form a ceramic substrate made of an aluminum oxide sintered body.
(3) Next, a metal circuit board made of copper or the like is placed on the ceramic substrate with the brazing paste interposed therebetween.
(4) Finally, the brazing paste disposed between the ceramic substrate and the metal circuit board is heated to a temperature of about 900 ° C. in a non-oxidizing atmosphere, and the active metal powder is passed through the ceramic substrate. A ceramic circuit board is manufactured by joining a brazing material made of a silver-copper alloy and joining the brazing material to a metal circuit board.
[0005]
In order to effectively prevent oxidative corrosion on the exposed surface of the brazing material and the metal circuit board, and at the same time, to strengthen the bonding with an adhesive material such as solder for bonding and fixing an electronic component such as a semiconductor element to the metal circuit board, A metal such as nickel is deposited by using a technique such as plating.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in this conventional ceramic circuit board, the metal circuit board is generally formed of copper, and the copper has a coefficient of thermal expansion of 18 ppm / ° C., and the aluminum oxide sintered body, the aluminum nitride sintered body, or the nitrided body. Thermal expansion coefficient of ceramic substrate made of silicon sintered body, mullite sintered body, etc. (aluminum oxide sintered body: 7 ppm / ° C., aluminum nitride sintered body, mullite sintered body: 4 ppm / ° C., nitriding (Silicon sintered body: 3 ppm / ° C.) When the thickness of the copper metal circuit board is increased, the metal circuit board is placed on the ceramic substrate due to its hardness and not easily deforming. After bonding, when heat is applied to the metal circuit board and the ceramic substrate, stress is generated between the metal circuit board and the ceramic substrate due to the difference in thermal expansion coefficient between the two, and the stress is weak. Cracks or fractures had a drawback that occurs in the ceramic substrate by acting on the ceramic substrate.
[0007]
In addition, the metal circuit board is bonded to the ceramic substrate by placing a metal circuit board of a predetermined pattern made of copper on the ceramic substrate with a brazing paste in between, and then heating it to a temperature of about 900 ° C. in a reducing atmosphere. Since the brazing paste is heated at a temperature equal to or higher than the liquidus temperature, the brazing paste spreads greatly, and the molten brazing paste causes an electrical short circuit between adjacent metal circuit boards. It had the disadvantage of doing.
[0008]
In order to prevent the brazing material paste from spreading, it is conceivable that the brazing material paste has a thickness of, for example, less than 10 μm.
[0009]
However, if the thickness of the brazing paste is reduced, when the metal circuit board is mounted on the ceramic substrate, the stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the ceramic substrate and the metal circuit board is reduced. The material cannot be absorbed effectively, and a large stress acts on the ceramic substrate, which induces a defect that cracks and cracks are generated in the ceramic substrate.
[0010]
The present invention has been devised in view of the above drawbacks, and its purpose is to generate a metal circuit board on a ceramic substrate without causing an electrical short circuit between adjacent metal circuit boards, and to generate a crack or the like in the ceramic substrate. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a ceramic circuit board that can be firmly bonded without any problem.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
The method for producing a ceramic circuit board of the present invention comprises:
(1) Contains aluminum powder, brazing powder composed mainly of silicon powder and / or aluminum-silicon alloy powder, and an aggregate formed by joining high melting point metal powder having a melting point of 950 ° C. or higher by point joining. Producing a brazing paste; and
(2) placing an aluminum metal circuit board on the ceramic substrate with the brazing paste interposed therebetween;
(3) A brazing paste disposed between the ceramic substrate and the aluminum metal circuit board is heated in a non-oxidizing atmosphere, and the main component is an aluminum-silicon alloy containing aggregates on the ceramic substrate. Joining the brazing material and joining the brazing material to the aluminum metal circuit board;
It is characterized by comprising.
[0012]
The method for producing a ceramic circuit board according to the present invention is characterized in that the agglomerates are contained in an amount of 3 to 20% by weight based on the brazing material.
[0013]
Furthermore, the method for producing a ceramic circuit board according to the present invention is characterized in that the aggregate has an average diameter of 10 to 100 μm.
[0014]
According to the method for manufacturing a ceramic circuit board of the present invention, since the metal circuit board is formed of soft aluminum, after the metal circuit board is bonded onto the ceramic board, heat is applied to the metal circuit board and the ceramic board. Even if a stress due to the difference in thermal expansion coefficient between them is generated, the stress is absorbed by deforming the metal circuit board. As a result, a large stress does not act on the ceramic substrate. It is possible to effectively prevent the occurrence of cracks and cracks.
[0015]
According to the method for manufacturing a ceramic circuit board of the present invention, the metal circuit board is bonded to the ceramic board by an average diameter formed by joining refractory metal powder having a melting point of 950 ° C. or higher on the ceramic board by spot bonding. After placing a metal circuit board having a predetermined pattern made of aluminum with a brazing paste containing 3 to 20% by weight of agglomerates of 10 to 100 μm on the brazing material, this was placed in a reducing atmosphere at about 600 ° C. Therefore, even if the brazing paste is heated at a temperature equal to or higher than the liquidus temperature of the brazing material, the agglomerates are formed between the ceramic substrate and the metal circuit board. The brazing material paste does not melt and spread greatly, and as a result, the occurrence of an electrical short between adjacent metal circuit boards is effectively prevented.
[0016]
At the same time, a space having a predetermined thickness is secured between the metal circuit board and the ceramic substrate by the aggregate obtained by bonding the high melting point metal powder having a melting point of 950 ° C. or higher by spot bonding, and a predetermined amount of brazing material is provided in the space. Due to the interposition, the stress generated by the difference in thermal expansion coefficient between the metal circuit board and the ceramic substrate is also absorbed by the brazing material, and the generation of cracks and cracks in the ceramic substrate is further effectively prevented.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
1 and 2 are sectional views showing an embodiment of a ceramic circuit board manufactured by the manufacturing method of the present invention, wherein 1 is a ceramic substrate, 2 is a brazing material layer, and 3 is a metal circuit board.
[0018]
The ceramic substrate 1 is made of an electrically insulating material such as a silicon nitride sintered body, an aluminum nitride sintered body, an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, and a metal on the upper surface thereof. The circuit board 3 is brazed via the brazing material layer 2.
[0019]
The ceramic substrate 1 functions as a support member for supporting the metal circuit board 3 brazed to the upper surface thereof.
[0020]
The metal circuit board 3 brazed to the upper surface of the ceramic substrate 1 is made of aluminum and serves to supply electric signals and electric power to electronic components such as semiconductor elements mounted on the ceramic circuit substrate.
[0021]
Further, the brazing material for brazing the metal circuit board 3 to the upper surface of the ceramic substrate 1 is formed of a brazing material mainly composed of an aluminum-silicon alloy, and is bonded to the upper surface of the ceramic substrate 1 and the lower surface of the metal circuit board 3. Thus, the metal circuit board 3 is attached to the ceramic substrate 1.
[0022]
Thus, according to the above-described ceramic circuit board, electronic components such as semiconductor elements are electrically connected to the metal circuit board 3 on the upper surface of the ceramic substrate 1 through an adhesive such as solder, and the metal circuit board 3 is used as an external electric circuit. If connected, electronic components such as semiconductor elements are electrically connected to an external electric circuit through the metal circuit board 3.
[0023]
Next, a method for manufacturing the ceramic circuit board will be described.
(1) First, the ceramic substrate 1 is manufactured.
[0024]
The ceramic substrate 1 is made of an electrically insulating material such as a silicon nitride sintered body, an aluminum nitride sintered body, an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, and the like, for example, silicon nitride In the case of a sintered material, a suitable organic binder, plasticizer and solvent are added to and mixed with raw material powders such as silicon nitride, aluminum oxide, magnesium oxide and yttrium oxide to form a mud and the mud A ceramic green sheet (ceramic green sheet) is formed by adopting a well-known doctor blade method or calender roll method. After that, the ceramic green sheet is subjected to appropriate punching processing and a plurality of layers are laminated to form a nitrogen atmosphere. It is manufactured by baking at a high temperature of 1600 to 2000 ° C.
(2) Next, the metal circuit board 3 is manufactured.
[0025]
The metal circuit board 3 is made of aluminum. For example, the metal circuit board 3 is manufactured in a predetermined pattern shape having a thickness of 500 μm by applying a conventionally known metal processing method such as a rolling method or a punching method to an aluminum ingot. The
(3) Next, a brazing paste is produced.
[0026]
The brazing paste has an average diameter obtained by joining a refractory metal powder having a melting point of 950 ° C. or higher to a brazing powder containing aluminum powder and silicon powder and / or aluminum-silicon alloy powder as a main component by spot joining. It is manufactured by adding 3 to 20% by weight of an aggregate 2a of 10 to 100 μm, an appropriate organic solvent, a solvent, and kneading.
(4) Next, the brazing paste is applied to the upper surface of the ceramic substrate 1 in a predetermined pattern with a thickness of, for example, 30 to 50 μm using a conventionally known screen printing technique. The metal circuit board 3 is placed on the brazing material paste.
(5) Finally, the brazing material paste disposed between the ceramic substrate 1 and the metal circuit board 3 is subjected to a hydrogen gas atmosphere or hydrogen. In a non-oxidizing atmosphere of a nitrogen gas atmosphere, it is heated to 600 ° C. to disperse the organic solvent and solvent of the brazing material paste and melt the brazing material to form the upper surface of the ceramic substrate 1 and the lower surface of the metal circuit board 3. By joining, the metal circuit board is attached to the upper surface of the ceramic substrate 1.
[0027]
In this case, the bonding mechanism of the brazing material to the ceramic substrate 1 is not clear, but the aluminum in the brazing material reacts with magnesium oxide or silicon oxide as a sintering aid contained in the ceramic substrate 1. However, it is assumed that the reaction is performed by forming a reaction layer.
[0028]
Further, when the ceramic substrate 1 and the metal circuit board 3 are joined via a brazing material, an aggregate 2a formed by joining refractory metal powder having a melting point of 950 ° C. or higher by spot joining in the brazing material paste. Because of the addition, a space of a predetermined thickness is secured between the ceramic substrate 1 and the metal circuit board 3 so that the brazing material does not melt and spread widely. The occurrence of a short circuit is effectively prevented. At the same time, a space having a predetermined thickness is secured between the metal circuit board 3 and the ceramic substrate 1 by the agglomerate 2a formed by joining high melting point metal powders having a melting point of 950 ° C. or higher by spot bonding, and a predetermined amount is provided in the space Since the brazing material is interposed, a part of the stress generated by the difference in thermal expansion coefficient between the metal circuit board 3 and the ceramic substrate 1 is absorbed by the brazing material, and the ceramic substrate 1 is cracked or cracked. There is no.
[0029]
The brazing material powder mainly composed of aluminum powder and silicon powder and / or aluminum-silicon alloy powder of the brazing material paste is, for example, a eutectic alloy containing 88% by weight and 18% by weight of aluminum and silicon, respectively. Thus, magnesium may be added as an additive, or an active metal powder composed of at least one of titanium, zirconium, hafnium and hydrides thereof may be added. In the case of adding magnesium as an additive to the brazing paste, alloys having aluminum, silicon, and magnesium of 90% by weight, 7.5% by weight, and 2.5% by weight are preferably used, and titanium, zirconium, When adding an active metal powder made of hafnium and at least one of these hydrides, the amount of the active metal powder is set to 2 to 5% by weight, whereby the bonding with the ceramic substrate 1 can be further strengthened.
[0030]
Further, when the particle size of the brazing material powder is less than 1 μm, the specific surface area of the brazing material powder is increased, and a large amount of oxygen is present in the oxide film formed on the surface of the brazing material powder. There is a risk that the wettability with respect to the ceramic substrate 1 and the metal circuit board 3 is lowered, and the bonding strength between the ceramic substrate 1 and the metal circuit board 3 is lowered. Accordingly, the particle size of the brazing material powder is preferably 1 μm or more.
[0031]
Further, the agglomerate 2a added to the brazing material paste is formed of a high melting point metal powder having a melting point of 950 ° C. or higher such as copper, silver, gold, tungsten, molybdenum, manganese, etc. If the metal powder is molybdenum, it is heated to a temperature of about 2000 ° C. in a reducing atmosphere and held for about 5 minutes to join the powders by point bonding and then gradually cool to room temperature to obtain a predetermined diameter. It is produced by classifying it.
[0032]
Since the refractory metal has a melting point of 950 ° C., which is sufficiently higher than the liquidus temperature of the brazing material, the aggregate 2a melts even when the brazing material is heated to a temperature higher than the liquidus temperature. A space having a predetermined thickness can be reliably ensured between the ceramic substrate 1 and the metal circuit board 3 without any problems.
[0033]
If the diameter of the agglomerate 2a is less than 10 μm, it is difficult to secure a space of a predetermined thickness between the ceramic substrate 1 and the metal circuit board 3, and if it exceeds 100 μm, the brazing paste is applied to the upper surface of the ceramic substrate 1. In addition, when printing is applied using a printing technique such as a conventionally known screen printing method, it is difficult for the aggregate 2a to be caught on the mesh of the screen and to be printed and applied in a predetermined pattern. Therefore, the diameter of the aggregate 2a is preferably in the range of 10 to 100 μm, more preferably in the range of 20 to 50 μm.
[0034]
Further, the high melting point metal powder such as copper, silver, gold, tungsten, molybdenum and manganese forming the agglomerate 2a has a large specific surface area when the diameter is less than 1 μm and is formed on the surface of the high melting point metal powder. There is a large amount of oxygen in the oxide film, and the oxygen reduces the wettability of the brazing material to the ceramic substrate 1 and the metal circuit board 3, thereby reducing the bonding strength between the ceramic substrate 1 and the metal circuit board 3. When the thickness exceeds 6 μm, the number of joints between the high melting point metal powders is small, and the mechanical strength of the aggregate 2a is weakened. When the metal circuit board 3 is brazed to the ceramic substrate 1, the aggregate 2a As a result, it becomes difficult to secure a space having a predetermined thickness between the ceramic substrate 1 and the metal circuit board 3. Therefore, it is preferable that each refractory metal powder forming the aggregate 2a has a diameter in the range of 1 to 6 μm.
[0035]
If the amount of the aggregate 2a added to the brazing material is less than 3% by weight, it becomes difficult to ensure a space of a predetermined thickness between the ceramic substrate 1 and the metal circuit board 3, and exceeds 20% by weight. In addition, the bonding area of the brazing material to the ceramic substrate 1 and the metal circuit board 3 becomes narrow, and the brazing strength of the metal circuit board 3 to the ceramic substrate 1 tends to decrease. Therefore, the amount of the aggregate 2a added to the brazing material is preferably in the range of 3 to 20% by weight.
[0036]
Furthermore, when copper, silver, or gold is selected as the refractory metal powder forming the agglomerate 2a, the copper, silver, and gold have a high thermal conductivity of about 300 W / m · K. When a large amount of heat is generated during operation of the electronic component bonded and fixed to the ceramic, the heat can be satisfactorily transmitted and dissipated to the ceramic substrate 1 through the aggregate 2a in the brazing material. Therefore, it is preferable to use the aggregate 2a having a high thermal conductivity of about 300 W / m · K or more, such as copper, silver, or gold.
[0037]
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the ceramic substrate 1 is made of silicon nitride. Although an example in which the sintered body is formed is shown, when the electronic component generates a large amount of heat and it is desired to efficiently remove this heat, the ceramic substrate 1 is formed of an aluminum nitride sintered body having a high thermal conductivity. The ceramic substrate 1 may be formed of a mullite sintered body having a low dielectric constant when it is desired to propagate an electric signal to the metal circuit board 3 at a high speed.
[0038]
Further, if a metal made of nickel and having good conductivity, corrosion resistance and good wettability with the brazing material is deposited on the surface of the metal circuit board 3 by a plating method, the metal circuit board 3 and the external electric circuit 3 The electrical connection with the circuit is good, and electronic components such as semiconductor elements can be firmly bonded to the metal circuit board 3.
[0039]
When nickel plating is applied to the aluminum metal circuit board 3, if the aluminum metal circuit board 3 is subjected to zincate treatment as a nickel plating pretreatment, the nickel plating layer is uniformly and firmly applied to the aluminum metal circuit board 3. Can be attached. Accordingly, when the aluminum metal circuit board 3 is subjected to nickel plating, it is preferable that the aluminum metal circuit board 3 is subjected to a zincate treatment. As the zincate treatment, for example, the aluminum metal circuit board 3 is immersed for 30 seconds in a zincate bath using commercially available AD-3-1F 3X manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd. Zinc deposited on the surface of the circuit board 3 is dissolved and finally immersed in the zincate bath again for 30 seconds.
[0040]
Furthermore, when the nickel plating layer is made of a nickel-phosphorus amorphous alloy containing 8 to 15% by weight of phosphorus, the surface oxidation of the nickel layer can be satisfactorily prevented. Therefore, when a nickel plating layer is applied to the aluminum metal circuit board 3, the nickel plating layer is preferably made of a nickel-phosphorus amorphous alloy containing 8 to 15% by weight of phosphorus.
[0041]
Furthermore, when a nickel plating layer is applied to the surface of the metal circuit board 3, the nickel plating layer completely covers the surface of the metal circuit board 3 with the nickel plating layer when the thickness is less than 1.5 μm. There is a risk that it will be difficult to effectively prevent oxidative corrosion of the metal circuit board 3, and if it exceeds 3 μm, the internal stress inside the nickel plating layer will increase and the ceramic substrate 1 will be damaged. There is a risk of warping or cracking. In particular, when the thickness of the ceramic substrate 1 is as thin as 700 μm or less, warping or cracking of the ceramic substrate 1 becomes remarkable. Therefore, when a nickel plating layer is deposited on the surface of the metal circuit board 3, the thickness of the nickel plating layer is preferably set in the range of 1.5 μm to 3 μm.
[0042]
【The invention's effect】
According to the method for manufacturing a ceramic circuit board of the present invention, since the metal circuit board is formed of soft aluminum, after the metal circuit board is bonded onto the ceramic board, heat is applied to the metal circuit board and the ceramic board. Even if a stress due to the difference in thermal expansion coefficient between them is generated, the stress is absorbed by deforming the metal circuit board. As a result, a large stress does not act on the ceramic substrate. It is possible to effectively prevent the occurrence of cracks and cracks.
[0043]
According to the method for manufacturing a ceramic circuit board of the present invention, the metal circuit board is bonded to the ceramic board by an average diameter formed by joining refractory metal powder having a melting point of 950 ° C. or higher on the ceramic board by spot bonding. After placing a metal circuit board having a predetermined pattern made of aluminum with a brazing paste containing 3 to 20% by weight of agglomerates of 10 to 100 μm on the brazing material, this was placed in a reducing atmosphere at about 600 ° C. Therefore, even if the brazing paste is heated at a temperature equal to or higher than the liquidus temperature of the brazing material, the agglomerates are formed between the ceramic substrate and the metal circuit board. The brazing material paste does not melt and spread greatly, and as a result, the occurrence of an electrical short between adjacent metal circuit boards is effectively prevented.
[0044]
At the same time, a space having a predetermined thickness is secured between the metal circuit board and the ceramic substrate by the aggregate obtained by bonding the high melting point metal powder having a melting point of 950 ° C. or higher by spot bonding, and a predetermined amount of brazing material is provided in the space. Due to the interposition, the stress generated by the difference in thermal expansion coefficient between the metal circuit board and the ceramic substrate is also absorbed by the brazing material, and the generation of cracks and cracks in the ceramic substrate is further effectively prevented.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a ceramic circuit board according to the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of an essential part of a sectional view showing an embodiment of the ceramic circuit board of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ceramic substrate 2 ... Brazing material layer 2a ... Aggregate 3 ... Metal circuit board

Claims (3)

(1)アルミニウム粉末とシリコン粉末および/またはアルミニウム−シリコン合金粉末を主成分とするロウ材粉末と、融点が950℃以上の高融点金属粉末を点接合で接合して成る凝集体とを含有するロウ材ペーストを作製する工程と、
(2)セラミック基板上に前記ロウ材ペーストを間に挟んでアルミニウム製金属回路板を載置させる工程と、
(3)前記セラミック基板とアルミニウム製金属回路板との間に配されているロウ材ペーストを非酸化性雰囲気中で加熱し、セラミック基板に凝集体を含有するアルミニウムーシリコン合金を主成分とするロウ材を接合させるとともに該ロウ材をアルミニウム製金属回路板に接合させる工程と、
から成るセラミック回路基板の製造方法。
(1) It contains a brazing material powder mainly composed of aluminum powder, silicon powder and / or aluminum-silicon alloy powder, and an aggregate formed by joining refractory metal powder having a melting point of 950 ° C. or higher by spot joining. Producing a brazing paste; and
(2) placing an aluminum metal circuit board on the ceramic substrate with the brazing paste interposed therebetween;
(3) A brazing paste disposed between the ceramic substrate and the aluminum metal circuit board is heated in a non-oxidizing atmosphere, and the main component is an aluminum-silicon alloy containing aggregates on the ceramic substrate. Joining the brazing material and joining the brazing material to the aluminum metal circuit board;
A method of manufacturing a ceramic circuit board comprising:
前記凝集体がロウ材に対して3乃至20重量%含有されていることを特徴とする請求項1に記載のセラミック回路基板の製造方法。2. The method of manufacturing a ceramic circuit board according to claim 1, wherein the aggregate is contained in an amount of 3 to 20% by weight based on the brazing material. 前記凝集体の平均径が10乃至100μmであること特徴とする請求項1に記載のセラミック回路基板の製造方法。2. The method of manufacturing a ceramic circuit board according to claim 1, wherein an average diameter of the aggregate is 10 to 100 [mu] m.
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