JP4294451B2 - Semiconductor bonding equipment - Google Patents

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Description

本発明は、半導体接合装置に関し、特に半導体チップ(以下、単にチップと呼ぶ)と基板の間に接合材を介在させて接合する半導体接合装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor bonding apparatus, and more particularly to a semiconductor bonding apparatus that bonds a semiconductor chip (hereinafter simply referred to as a chip) and a substrate with a bonding material interposed therebetween.

近年、光通信装置や顕微鏡などの光学製品に搭載されるチップもしくは基板に、例えばレンズやミラー等の光学的機能を付加する事により、使用される部品点数の削減や製品の小型化もしくは高機能化を目論んだ開発が盛んに行われている。これらのデバイスには、その光学的機能を有効に発揮する為に、チップと基板の間隔を、積極的に所定の距離を保って接合しなければならないものも多く、要求されるチップと基板の間隔精度も、従来のチップと基板との接合と比較して、より高いものが求められている。   In recent years, by adding optical functions, such as lenses and mirrors, to chips or substrates mounted on optical products such as optical communication devices and microscopes, the number of parts used can be reduced, and the size and function of products can be reduced. Development with the goal of making it happen is actively underway. Many of these devices have to be bonded with a predetermined distance between the chip and the substrate in order to effectively exert their optical functions. The spacing accuracy is also required to be higher than the conventional bonding between the chip and the substrate.

従来のチップと基板の接合に対する要求としては、機械的な接合強度が確保され、なお且つ電気的な導通が得られるといったことが主たるものであり、チップと基板の間隔精度を高めることに対する要求は小さかった。従ってこれらのデバイスの接合に関して、チップと基板の間隔を決定付ける要因であるチップもしくは基板の高さ位置を、高精度に制御する機能を有する接合機もあまり見受けられない状況にある。   The main requirement for bonding the chip and the substrate is that the mechanical bonding strength is ensured and the electrical continuity is obtained, and the requirement for increasing the accuracy between the chip and the substrate is It was small. Therefore, regarding the bonding of these devices, there are not many bonding machines having a function of controlling the height position of the chip or the substrate, which is a factor determining the distance between the chip and the substrate, with high accuracy.

チップの高さ位置を積極的に制御する接合装置として、特開2000−353725号公報に示される半導体製造装置がある。以下に図9を用いてこの従来技術について説明する。この従来技術では、チップ101を保持可能なツール102を具備するツールホルダー117の高さを、ホルダー保持手段115に設置した高さ検出手段123によって検出する事により、チップ101の高さ位置を求める。さらに基板保持ステージ104により保持される基板105と、チップ101とを接地し、接地点から所望の量だけツールホルダー117の高さを上昇させる事により、チップ101と基板105が所望の間隔になるように、チップ101の高さの位置決めを行う。チップ101の高さ方向の位置決めは、ツールホルダー117の高さを反映させて行う為、Z軸送り機構の熱膨張の影響を排除して位置決めが可能になり、チップ101の位置決めを正確に数μmの精度で行う事が可能になる。
特開2000−353725号公報
As a bonding apparatus that actively controls the height position of a chip, there is a semiconductor manufacturing apparatus disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-353725. The prior art will be described below with reference to FIG. In this prior art, the height position of the chip 101 is obtained by detecting the height of the tool holder 117 having the tool 102 capable of holding the chip 101 by the height detecting means 123 installed in the holder holding means 115. . Further, by grounding the substrate 105 held by the substrate holding stage 104 and the chip 101 and raising the height of the tool holder 117 by a desired amount from the grounding point, the chip 101 and the substrate 105 have a desired distance. In this way, the height of the chip 101 is positioned. Since the positioning of the chip 101 in the height direction is performed by reflecting the height of the tool holder 117, it is possible to perform the positioning by eliminating the influence of the thermal expansion of the Z-axis feed mechanism. It becomes possible to carry out with the accuracy of μm.
JP 2000-353725 A

上記した特開2000−353725号公報において装置が測長しているのは、高さ検出手段123が設置されているホルダー保持手段115とツールホルダー117間の距離である。これによりツールホルダー117に具備されたツールが保持しているチップ101の高さを求める事は可能であるが、チップ101と基板105の相対間隔を直接求めているわけではない。   In the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-353725, the apparatus measures the distance between the holder holding means 115 where the height detecting means 123 is installed and the tool holder 117. As a result, the height of the chip 101 held by the tool provided in the tool holder 117 can be obtained, but the relative distance between the chip 101 and the substrate 105 is not directly obtained.

そこで特開2000−353725号公報においては、チップ101と基板105の相対間隔を求める為に、チップ101と基板105を接合する前に、チップ101と基板105を接地せしめ、そこから所望の量だけツールホルダー117を上昇させ、チップ101と基板105が所望の間隔になるようにチップ101の高さを位置決めしている。しかし、ツール102に具備されるヒータによりチップ101を加熱すると、基板保持ステージ104にも熱が伝わる為、基板保持ステージ104の高さが熱膨張により変化してしまう。   Therefore, in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-353725, in order to obtain the relative distance between the chip 101 and the substrate 105, the chip 101 and the substrate 105 are grounded before joining the chip 101 and the substrate 105, and a desired amount is obtained therefrom. The tool holder 117 is raised and the height of the chip 101 is positioned so that the chip 101 and the substrate 105 are at a desired distance. However, when the chip 101 is heated by the heater provided in the tool 102, heat is also transmitted to the substrate holding stage 104, so that the height of the substrate holding stage 104 changes due to thermal expansion.

加熱時においては、チップ101と基板105間に介在するバンプ101aは溶融状態にあり固体ではない為、基板保持ステージ104の高さが変化すれば、チップ101と基板105の間隔も変化してしまう問題が生じる。また、バンプ101aが溶融状態であるときには、基板保持ステージ104の高さの変化はツールホルダー117には伝わらない為、ツールホルダー117の高さを検出している高さ検出手段123では、基板保持ステージ104の高さの変化を検出することができない。このため、チップ101と基板105間の相対距離を正確に位置決めして、チップ101と基板105を接合することは困難になる。   At the time of heating, the bump 101a interposed between the chip 101 and the substrate 105 is in a molten state and not solid, so that if the height of the substrate holding stage 104 changes, the distance between the chip 101 and the substrate 105 also changes. Problems arise. In addition, when the bump 101a is in a molten state, the change in the height of the substrate holding stage 104 is not transmitted to the tool holder 117. Therefore, the height detection unit 123 that detects the height of the tool holder 117 holds the substrate. A change in the height of the stage 104 cannot be detected. For this reason, it becomes difficult to accurately position the relative distance between the chip 101 and the substrate 105 and bond the chip 101 and the substrate 105 together.

また、上記した特開2000−353725号公報のように、チップ101に予めバンプ101aを設置しておくと、チップ101と基板105を接地せしめた際に、ツールホルダー117の高さはバンプ101aの高さの影響を受ける事になる。このため、チップ101と基板105の間隔を正確に制御する為には、バンプ101aの高さを正確に形成する必要があるが、バンプ101aの高さを正確に一定に保つ為には、バンプ101aの高さをそろえる為のレベリング工程が別途必要となる。   Further, as described in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-353725, when the bump 101a is previously set on the chip 101, the height of the tool holder 117 is set to the height of the bump 101a when the chip 101 and the substrate 105 are grounded. It will be affected by the height. Therefore, in order to accurately control the distance between the chip 101 and the substrate 105, it is necessary to accurately form the height of the bump 101a. However, in order to keep the height of the bump 101a accurately, the bump 101a A leveling process for aligning the height of 101a is required separately.

本発明は、このような課題に着目してなされたものであり、その目的とするところは、チップと基板の間隔を正確に所望の値に制御することが可能な半導体接合装置を提供することにある。   The present invention has been made paying attention to such problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor bonding apparatus capable of accurately controlling a distance between a chip and a substrate to a desired value. It is in.

また、本発明の他の目的は、チップと基板との間に介在される接合材の高さを一定に揃えるためのレベリング工程が不要となる半導体接合装置を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a semiconductor bonding apparatus that eliminates the need for a leveling step for keeping the height of the bonding material interposed between the chip and the substrate constant.

上記の目的を達成するために、本発明の第1の態様に係る半導体接合装置は、チップと基板との間に接合材を介在させて接合する半導体接合装置であって、チップを保持するためのチップ保持部材と、基板を保持するための基板保持部材と、前記チップ保持部材のチップ保持面もしくは前記基板保持部材の基板保持面のいずれか一方に配置され、前記チップ保持面と前記基板保持面の間隔を測定するセンサと、前記チップおよび上記基板を整列保持する供給パレットと、を具備し、
前記センサの出力に基づいて前記チップと前記基板間の間隔を制御するとともに、前記チップ保持部材を用いて前記チップおよび前記基板を前記供給パレットから取り置きする
In order to achieve the above object, a semiconductor bonding apparatus according to a first aspect of the present invention is a semiconductor bonding apparatus for bonding with a bonding material interposed between a chip and a substrate for holding the chip. A chip holding member, a substrate holding member for holding the substrate, and a chip holding surface of the chip holding member or a substrate holding surface of the substrate holding member. A sensor for measuring the distance between the surfaces, and a supply pallet for aligning and holding the chip and the substrate ,
The distance between the chip and the substrate is controlled based on the output of the sensor, and the chip and the substrate are set aside from the supply pallet using the chip holding member .

また、本発明の第2の態様に係る半導体接合装置は、チップと基板との間に接合材を介在させて接合する半導体接合装置であって、チップを保持するためのチップ保持部材と、基板を保持するための基板保持部材と、前記チップ保持部材に隣接して配置された測長部材と、前記測長部材もしくは前記基板保持部材の基板保持面のいずれか一方に配置され、前記測長部材と前記基板保持部材の基板保持面の間隔を測定するセンサと、前記チップおよび上記基板を整列保持する供給パレットと、を具備し、前記センサの出力に基づいて前記チップと前記基板間の間隔を制御するとともに、前記チップ保持部材を用いて前記チップおよび前記基板を前記供給パレットから取り置きするThe semiconductor bonding apparatus according to the second aspect of the present invention is a semiconductor bonding apparatus for bonding with a bonding material interposed between a chip and a substrate, the chip holding member for holding the chip, and the substrate A substrate holding member for holding the substrate, a length measuring member disposed adjacent to the chip holding member, and the length measuring member or the substrate holding surface of the substrate holding member. A sensor for measuring the distance between the member and the substrate holding surface of the substrate holding member, and a supply pallet for aligning and holding the chip and the substrate, and the distance between the chip and the substrate based on the output of the sensor And the chip and the substrate are set aside from the supply pallet using the chip holding member .

また、本発明の第3の態様に係る半導体接合装置は、チップと基板との間に接合材を介在させて接合する半導体接合装置であって、チップを保持するためのチップ保持部材と、基板を保持するための基板保持部材と、前記基板保持部材上に配置され、所定の方向に傾斜可能な傾斜部材と、各々が前記傾斜部材の基板保持面に配置され、前記チップ保持部材のチップ保持面までの距離を測定する複数のセンサと、前記チップおよび上記基板を整列保持する供給パレットと、を具備し、前記複数のセンサからの出力に基づいて前記傾斜部材の傾斜角を調整することで前記チップと前記基板間の間隔を制御するとともに、前記チップ保持部材を用いて前記チップおよび前記基板を前記供給パレットから取り置きするThe semiconductor bonding apparatus according to the third aspect of the present invention is a semiconductor bonding apparatus for bonding with a bonding material interposed between the chip and the substrate, the chip holding member for holding the chip, and the substrate A substrate holding member for holding the substrate, an inclined member disposed on the substrate holding member and capable of inclining in a predetermined direction, each disposed on a substrate holding surface of the inclined member, and holding the chip of the chip holding member A plurality of sensors for measuring the distance to the surface, and a supply pallet for aligning and holding the chip and the substrate, and adjusting an inclination angle of the inclined member based on outputs from the plurality of sensors. While controlling the space | interval between the said chip | tip and the said board | substrate, the said chip | tip and the said board | substrate are reserved from the said supply pallet using the said chip | tip holding member .

また、本発明の第4の態様に係る半導体接合装置は、第1乃至第3のいずれか1つの態様に係る半導体接合装置において、前記供給パレットのチップ保持面に、前記チップが具備する接合材に対応した凹部が設けられている。 Further, the semiconductor junction device according to the fourth aspect of the present invention is a semiconductor junction device according to the first to third in any one embodiment, the chip holding surface of the supply pallet, a bonding material said chip comprises A recess corresponding to is provided.

また、本発明の第5の態様に係る半導体接合装置は、チップと基板との間に接合材を介在させて接合する半導体接合装置であって、前記チップを保持するためのチップ保持部材と、前記基板を保持するための基板保持部材と、前記チップもしくは前記基板の厚み方向に移動し且つ前記チップ及び前記基板と同一な厚み分となる位置に調整される1組の可動センサ及び変位基準部材と、を有し、前記可動センサと前記変位基準部材とが、互いに対向するよう前記チップ保持部材と前記基板保持部材とに配置され、前記可動センサと前記変位基準部材との距離に基づいて、前記チップと前記基板の間隔を制御する Further, the semiconductor junction device according to a fifth aspect of the present invention is a semiconductor junction device for joining by interposing a bonding material between the chip and the substrate, and the chip holding member for holding the chip, a substrate holding member for holding said substrate, said chip or set of movable sensor and the displacement reference member to be adjusted to move in the thickness direction and becomes the chip and the substrate and the same thickness of the position of the substrate And the movable sensor and the displacement reference member are disposed on the chip holding member and the substrate holding member so as to face each other , and based on the distance between the movable sensor and the displacement reference member, controlling the distance between the between the chip substrate

本発明によれば、チップと基板の間隔を正確に所望の値に制御することが可能な半導体接合装置が提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the semiconductor bonding apparatus which can control the space | interval of a chip | tip and a board | substrate correctly to a desired value is provided.

また、チップと基板との間に介在される接合材の高さを一定に揃えるためのレベリング工程が不要となる半導体接合装置が提供される。   Further, there is provided a semiconductor bonding apparatus that eliminates the need for a leveling process for making the height of the bonding material interposed between the chip and the substrate constant.

以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

(第1実施形態)
以下に、本発明の第1実施形態を図1及び図2を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体接合装置を側面から見た全体構成図である。図2は、本発明の第1実施形態に係る半導体接合装置を正面から見た全体構成図である。
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 1 is an overall configuration diagram of a semiconductor bonding apparatus according to a first embodiment of the present invention as viewed from the side. FIG. 2 is an overall configuration diagram of the semiconductor bonding apparatus according to the first embodiment of the present invention as viewed from the front.

図において、ベース1上にはイケール2が設置されており、該イケール2上にはZ方向(上下方向)に移動可能なZステージ3が設置されている。該Zステージ3はガイド4、ボールネジ5およびモータ6で構成されており、該モータ6の回転運動は該ボールネジ5により直線運動に変換され、さらに該ガイド4によってZ方向に直線移動が可能になっている。また、該モータ6にはコントローラ7が電気的に接続されており、該Zステージ3を任意の速度で任意の位置に駆動可能となっている。該Zステージ3上には、チップ11を保持可能なツール8がZ方向に摺動可能にツールガイド9により支持されており、さらに任意の推力を上下いずれの方向にも発生可能な押圧機構10により押圧可能になっている。また、ツール8を固定する為のロック機構19がZステージ3上に設けられている。   In the drawing, an scale 2 is installed on a base 1, and a Z stage 3 movable in the Z direction (vertical direction) is installed on the scale 2. The Z stage 3 includes a guide 4, a ball screw 5, and a motor 6. The rotational motion of the motor 6 is converted into a linear motion by the ball screw 5, and further, the guide 4 can linearly move in the Z direction. ing. Further, a controller 7 is electrically connected to the motor 6 so that the Z stage 3 can be driven to an arbitrary position at an arbitrary speed. On the Z stage 3, a tool 8 capable of holding the chip 11 is supported by a tool guide 9 so as to be slidable in the Z direction, and a pressing mechanism 10 capable of generating an arbitrary thrust in any direction. Can be pressed. A lock mechanism 19 for fixing the tool 8 is provided on the Z stage 3.

該ベース1には、該コントローラ7と電気的に接続されたステージ13が設置され、該コントローラ7により任意の位置に任意の速度でXY方向に位置決め可能となっている。   The base 1 is provided with a stage 13 electrically connected to the controller 7, and can be positioned at an arbitrary position in an XY direction at an arbitrary position by the controller 7.

また該ステージ13上には、基板14をチップ11と対向するように、例えば吸着により保持可能で、該コントローラ7と電気的に接続されており任意のθ回転の位置決めが可能な基板保持ステージ15が設けられている。さらに該基板保持ステージ15の基板保持面には、センサ16aが設置され、該ツール8のチップ保持面までの距離を測長可能になっており、さらにセンサ16aとコントローラ7は電気的に接続され、センサ16aの出力をコントローラ7に取り込む事が可能となっている。また、ステージ13上には、図2に示すように、所望の個数の基板14を整列保持する事が可能な基板供給パレット17と、チップ11を整列保持する事が可能なチップ供給パレット18が設置されている。チップ供給パレット18のチップ保持面には、基板保持ステージ15と同様にセンサ16bが設置され、ツール8のチップ保持面までの距離を測長可能になっている。 Further, on the stage 13, the substrate 14 can be held by, for example, suction so as to face the chip 11, and is electrically connected to the controller 7 and can be positioned by arbitrary θ rotation. Is provided. Further, a sensor 16a is installed on the substrate holding surface of the substrate holding stage 15, so that the distance to the chip holding surface of the tool 8 can be measured, and the sensor 16a and the controller 7 are electrically connected. The output of the sensor 16a can be taken into the controller 7. On the stage 13, as shown in FIG. 2, there are a substrate supply pallet 17 capable of aligning and holding a desired number of substrates 14 and a chip supply pallet 18 capable of aligning and holding the chips 11. is set up. Similar to the substrate holding stage 15, a sensor 16 b is installed on the chip holding surface of the chip supply pallet 18 so that the distance to the chip holding surface of the tool 8 can be measured.

なお、必要であればチップ11もしくは基板14には、例えばはんだバンプのような接合材12が予め具備されていても良い。この場合、図2に示すように、チップ11に具備される接合材12に対応する凹部29がチップ供給パレット18に設けられていることが望ましい。また、Z軸がX方向に移動可能な構成であれば、ステージ13はY軸のみ移動可能な構造であればよい。 If necessary, the chip 11 or the substrate 14 may be preliminarily provided with a bonding material 12 such as a solder bump. In this case, as shown in FIG. 2, it is desirable that a recess 29 corresponding to the bonding material 12 provided in the chip 11 is provided in the chip supply pallet 18. Further, if the Z-axis is configured to be movable in the X direction, the stage 13 may be configured to be movable only in the Y-axis.

次に、上記した構成の形態の作用について説明する。   Next, the operation of the above-described configuration will be described.

1.ステージ13をXおよびY方向に駆動して、基板供給パレット17上に配列保持されている複数の基板14のうち、所望の基板14をツール8の直下に位置決めする。 1. The stage 13 is driven in the X and Y directions to position a desired substrate 14 directly below the tool 8 among the plurality of substrates 14 arranged and held on the substrate supply pallet 17.

2.押圧機構10は、ツール8の自重より僅かに小さく、ツール8を引上げる方向の推力を発生させ、ツールの自重を軽減させる。 2. The pressing mechanism 10 is slightly smaller than the weight of the tool 8 and generates a thrust in the direction of pulling up the tool 8 to reduce the weight of the tool.

3.モータ6を駆動して、ツール8と基板14が接触する所定の位置まで、Zステージ3を降下させる。 3. The motor 6 is driven to lower the Z stage 3 to a predetermined position where the tool 8 and the substrate 14 come into contact with each other.

4.ツール8を用いて基板14を保持した後、モータ6を駆動して、Zステージ3を所定の高さに退避させる。 4). After holding the substrate 14 using the tool 8, the motor 6 is driven to retract the Z stage 3 to a predetermined height.

5.ステージ13をXおよびY方向に駆動して、基板保持ステージ15の中心をツール8の真下に位置決めする。 5). The stage 13 is driven in the X and Y directions to position the center of the substrate holding stage 15 directly below the tool 8.

6.モータ6を駆動して、基板14と基板保持ステージ15が接触する所定の位置まで、Zステージ3を降下させる。この際のツール8までの距離をセンサ16aによって測長し、その出力値を基板14の厚み値としてコントローラ7により記憶する。なお、センサ16aの出力は、基板保持ステージ15の基板保持面がゼロ点になるように予め補正されているものとする。また、このセンサ16のゼロ点補正は、必要に応じて、基板14を基板保持ステージ15に供給する度に実施してもかまわない。 6). The motor 6 is driven to lower the Z stage 3 to a predetermined position where the substrate 14 and the substrate holding stage 15 come into contact. The distance to the tool 8 at this time is measured by the sensor 16 a, and the output value is stored by the controller 7 as the thickness value of the substrate 14. Note that the output of the sensor 16a is corrected in advance so that the substrate holding surface of the substrate holding stage 15 becomes a zero point. The zero point correction of the sensor 16 may be performed every time the substrate 14 is supplied to the substrate holding stage 15 as necessary.

7.基板保持ステージ15により基板14の保持を開始後、ツール8による基板14の保持を解除する。 7. After holding the substrate 14 by the substrate holding stage 15, the holding of the substrate 14 by the tool 8 is released.

8.モータ6を駆動させ、Zステージ3を所定の高さに退避させる。 8). The motor 6 is driven to retract the Z stage 3 to a predetermined height.

9.ステージ13をXおよびY方向に駆動して、チップ供給パレット18上に配列保持されたチップ11の中の、所望するチップ11をツール8の直下に位置決めする。 9. The stage 13 is driven in the X and Y directions, and the desired chip 11 in the chips 11 arranged and held on the chip supply pallet 18 is positioned directly below the tool 8.

10.モータ6を駆動して、ツール8とチップ11が接触する所定の位置まで、Zステージ3を降下させる。この際のツール8までの距離をセンサ16bによって測長し、その出力値をチップ11の厚み値としてコントローラ7により記憶する。なお、センサ16bの出力は、チップ供給パレット18のチップ保持面がゼロ点になるように予め補正されているものとする。 10. The motor 6 is driven to lower the Z stage 3 to a predetermined position where the tool 8 and the chip 11 come into contact. The distance to the tool 8 at this time is measured by the sensor 16 b, and the output value is stored as the thickness value of the chip 11 by the controller 7. It is assumed that the output of the sensor 16b is corrected in advance so that the chip holding surface of the chip supply pallet 18 becomes the zero point.

11.ツール8を用いてチップ11を保持した後、モータ6を駆動して、Zステージ3を所定の高さに位置決めする。 11. After holding the chip 11 using the tool 8, the motor 6 is driven to position the Z stage 3 at a predetermined height.

12.ステージ13をXおよびY方向に駆動して、基板保持ステージ15に保持されている基板14と、ツール8に保持されているチップ11のXおよびY方向に関して、所望する相対位置が得られる様にステージ13を位置決めする。 12 The stage 13 is driven in the X and Y directions so that a desired relative position can be obtained with respect to the X and Y directions of the substrate 14 held on the substrate holding stage 15 and the chip 11 held on the tool 8. The stage 13 is positioned.

13.押圧機構10による推力の発生を停止し、ロック機構19によりツール8を固定する。 13. Generation of thrust by the pressing mechanism 10 is stopped, and the tool 8 is fixed by the lock mechanism 19.

14.モータ6を駆動して、チップ11と基板14の間隔が所望の値になる様に、コントローラ7に記憶されているチップ11の厚み値および基板14の厚み値を参照して、Zステージ3の高さを位置決めする。 14 The motor 6 is driven to refer to the thickness value of the chip 11 and the thickness value of the substrate 14 stored in the controller 7 so that the distance between the chip 11 and the substrate 14 becomes a desired value. Position the height.

15.ツール8もしくは基板保持ステージ15の少なくても一方に具備される図示しないヒータにより、チップ11および基板14を加熱する。ヒータ加熱により基板保持ステージ15が膨張する為、基板保持面が上昇もしくは傾く場合があるが、センサ16aも基板保持面と同様に移動する為、基板保持面の移動および傾きに伴なう変位を、センサ16aによって正確に測長することが可能となる。同様に、ツール8においても、チップ保持面がヒータ加熱による膨張により移動もしくは傾く場合があるが、チップ保持面の移動および傾きに伴う変位を、センサ16aによって正確に測長することが可能となる。 15. The chip 11 and the substrate 14 are heated by a heater (not shown) provided on at least one of the tool 8 and the substrate holding stage 15. Since the substrate holding stage 15 expands due to the heater heating, the substrate holding surface may rise or tilt. However, since the sensor 16a also moves in the same manner as the substrate holding surface, the displacement due to the movement and inclination of the substrate holding surface is caused. The sensor 16a can measure the length accurately. Similarly, in the tool 8, the chip holding surface may move or tilt due to expansion due to the heating of the heater, but the displacement accompanying the movement and tilt of the chip holding surface can be accurately measured by the sensor 16 a. .

16.上記ヒータによる加熱後のセンサ16aの出力を参照して、再度、チップ11と基板14の間隔が所望の値になるように、モータ6を駆動してZステージ3の高さを位置決めする。なお、上記工程14.を実施する前にヒータ加熱を開始し、その後、Zステージ3の位置決めを行ってもよい。その場合は、加熱後の位置決め補正は必要ない。 16. With reference to the output of the sensor 16a after heating by the heater, the motor 6 is driven again to position the height of the Z stage 3 so that the distance between the chip 11 and the substrate 14 becomes a desired value. In addition, the said process 14. Heating of the heater may be started before the Z is performed, and then the Z stage 3 may be positioned. In that case, positioning correction after heating is not necessary.

17.所定の加熱時間経過後に上記ヒータによる加熱を停止して、チップ11、接合材12および基板14を冷却する。必要に応じて、エアーブロー等の強制冷却を施しても良い。 17. After a predetermined heating time has elapsed, heating by the heater is stopped, and the chip 11, the bonding material 12, and the substrate 14 are cooled. If necessary, forced cooling such as air blow may be performed.

18.ツール8および基板保持ステージ15による保持を終了し、モータ6を駆動してZステージ3を所定の高さに退避させる。 18. The holding by the tool 8 and the substrate holding stage 15 is finished, and the motor 6 is driven to retract the Z stage 3 to a predetermined height.

図3は、第1実施形態に係る方法により製造された完成状態の半導体装置の概略構成を示しており、接合材12によりチップ11と基板14とが接合されている。   FIG. 3 shows a schematic configuration of a completed semiconductor device manufactured by the method according to the first embodiment, in which the chip 11 and the substrate 14 are bonded by the bonding material 12.

第1実施形態においては、ヒータの加熱によりツール8および基板保持ステージ15が膨張もしくは傾いたとしても、センサ16aも基板保持ステージ15と共に移動する為、正確にツール8のチップ保持面と基板保持ステージ15の基板保持面間の距離を測長することが可能になる。また、センサ16aを用いてチップ11および基板14の厚さを測定する事により、上記「ツール8のチップ保持面と基板保持ステージ15の基板保持面間の距離」から、「チップ11の厚さ」および「基板14の厚さ」を減算することにより正確にチップ11と基板14の距離を求める事が可能になる。これらセンサ16aの出力値を参照してZステージ3を駆動する事で、チップ11と基板14の距離が正確に所望の値になるようにツール8の高さを位置決めする事が可能になる為、チップ11と基板14の間隔が正確に所望の値である製品を製造する事が可能になる。   In the first embodiment, even if the tool 8 and the substrate holding stage 15 expand or tilt due to the heating of the heater, the sensor 16a also moves together with the substrate holding stage 15. Therefore, the chip holding surface of the tool 8 and the substrate holding stage are accurately detected. The distance between the 15 substrate holding surfaces can be measured. Further, by measuring the thicknesses of the chip 11 and the substrate 14 using the sensor 16a, the “thickness of the chip 11” can be obtained from the “distance between the chip holding surface of the tool 8 and the substrate holding surface of the substrate holding stage 15”. The distance between the chip 11 and the substrate 14 can be accurately obtained by subtracting “the thickness of the substrate 14”. By driving the Z stage 3 with reference to the output values of these sensors 16a, the height of the tool 8 can be positioned so that the distance between the chip 11 and the substrate 14 becomes a desired value accurately. It is possible to manufacture a product in which the distance between the chip 11 and the substrate 14 is exactly a desired value.

なお、センサ16aはツール8に設置されていても良い。この場合、チップ供給パレット18に具備されるセンサ16bは必要ない。必ずしもチップ11および基板14の厚みを本装置において測定する必要はなく、予め別の測定機を用いてチップ11および基板14の厚みを求め、コントローラ7に入力する事により、コントローラ7がチップ11および基板14の厚みを参照できるようにしても良い。ボールネジ5は、台形ネジ等に代表される他種の送りネジであっても良く、ボールネジ5に限定するものではない。カイド4は、クロスローラやボールガイド等の転がり案内機構、もしくはアリ溝による摺動機構等であってもかまわない。   The sensor 16a may be installed on the tool 8. In this case, the sensor 16b provided in the chip supply pallet 18 is not necessary. It is not always necessary to measure the thicknesses of the chip 11 and the substrate 14 in this apparatus, and the controller 7 obtains the thicknesses of the chip 11 and the substrate 14 using another measuring device in advance and inputs them to the controller 7. The thickness of the substrate 14 may be referred to. The ball screw 5 may be another type of feed screw represented by a trapezoidal screw or the like, and is not limited to the ball screw 5. The guide 4 may be a rolling guide mechanism such as a cross roller or a ball guide, or a sliding mechanism using a dovetail groove.

モータ6は、パルスモータやサーボモータ、もしくは超音波モータ等が考えられる。   The motor 6 may be a pulse motor, a servo motor, an ultrasonic motor, or the like.

Zステージ3は、リニアモータ駆動であってもかまわない。この場合にはモータ6及びボールネジ5は不要になる。 The Z stage 3 may be driven by a linear motor. In this case, the motor 6 and the ball screw 5 are not necessary.

チップ11の保持方法は、把持、静電吸着、粘着、表面張力、レーザートラップの何れであってもかまわなく、真空吸着に限定するものではない。   The holding method of the chip 11 may be any one of gripping, electrostatic adsorption, adhesion, surface tension, and laser trap, and is not limited to vacuum adsorption.

図示しないヒータは、例えば嫌気性の接合材や紫外線硬化性の接合材を使用するのであれば必ずしも必要ではない。 A heater (not shown) is not necessarily required if, for example, an anaerobic bonding material or an ultraviolet curable bonding material is used.

(第2実施形態)
以下に、本発明の第2実施形態を図4を参照して詳細に説明する。ここでは、第1の実施形態と異なる部分の構成についてのみ記載する。図4に示すように、ステージ13上には、該コントローラ7と電気的に接続されており、任意のθ回転の位置決めが可能な基板保持ステージ15aが設置されている。さらに該基板保持ステージ15a上には基板14をチップ11と対向するように例えば吸着により保持が可能で、α軸(X軸を回転中心とする軸)およびβ軸(Y軸を回転中心とする軸)に傾斜可能な傾斜ステージ32が設置されている。該傾斜ステージ32の基板保持面には、センサ16aが複数(ここではセンサ16a1〜3)設置され、該ツール8のチップ保持面までの距離を測長可能になっている。
(Second Embodiment)
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. Here, only the configuration of the part different from the first embodiment will be described. As shown in FIG. 4, a substrate holding stage 15 a that is electrically connected to the controller 7 and can be positioned at an arbitrary θ rotation is installed on the stage 13. Further, on the substrate holding stage 15a, the substrate 14 can be held, for example, by suction so as to face the chip 11, and the α axis (axis with the X axis as the rotation center) and β axis (with the Y axis as the rotation center) can be held. A tilt stage 32 that can tilt on the axis is installed. A plurality of sensors 16 a (here, sensors 16 a 1 to 3) are installed on the substrate holding surface of the tilt stage 32, and the distance to the chip holding surface of the tool 8 can be measured.

次に、上記した構成の作用について説明する。   Next, the operation of the above configuration will be described.

1.ステージ13をXおよびY方向に駆動して、傾斜ステージ32をツール8の直下に位置決めする。 1. The stage 13 is driven in the X and Y directions, and the inclined stage 32 is positioned immediately below the tool 8.

2.押圧機構10により所望の推力を、ツール8に与える。 2. A desired thrust is applied to the tool 8 by the pressing mechanism 10.

3.モータ6を駆動させ、ツール8と傾斜ステージ32が接触する所定の位置までZステージ3を降下させる。 3. The motor 6 is driven to lower the Z stage 3 to a predetermined position where the tool 8 and the tilt stage 32 come into contact.

4.センサ16a1、センサ16a2およびセンサ16a3の出力をコントローラ7に取り込み、それぞれの値を比較する。センサ16a1、センサ16a2およびセンサ16a3の出力に差があった場合は、差が無くなるように傾斜ステージ32を駆動させる。 4). The outputs of the sensors 16a1, 16a2, and 16a3 are taken into the controller 7 and the respective values are compared. When there is a difference in the outputs of the sensors 16a1, 16a2, and 16a3, the tilt stage 32 is driven so that the difference is eliminated.

5.モータ6を駆動して、Zステージ3を所定の高さに退避させる。 5). The motor 6 is driven to retract the Z stage 3 to a predetermined height.

6.以降の作用は、第1実施形態に記載する作用1.〜作用13.と同様である。 6). The following operations are the operations described in the first embodiment. -Action 13. It is the same.

7.モータ6を駆動して、チップ11と基板14の間隔が所望の値になる様に、コントローラ7に記憶されているチップ11の厚み値および基板14の厚み値を参照して、Zステージ3の高さを位置決めする。センサ16a1〜3の出力値が異なる場合は、それらの平均値を用いて位置決めすればよいが、それに限定するものではなく、特定のセンサ(例えば16a1)の出力や、最大値もしくは最小値を用いて位置決めしても良い。 7. The motor 6 is driven to refer to the thickness value of the chip 11 and the thickness value of the substrate 14 stored in the controller 7 so that the distance between the chip 11 and the substrate 14 becomes a desired value. Position the height. When the output values of the sensors 16a1 to 3 are different, the average value may be used for positioning, but the present invention is not limited to this, and the output of a specific sensor (for example, 16a1), the maximum value or the minimum value is used. May be positioned.

8.ツール8もしくは傾斜ステージ32の少なくても一方に具備される図示しないヒータにより、チップ11および基板14を加熱する。ヒータ加熱による熱膨張により、傾斜ステージ32の基板保持面が変形して傾く場合があるが、センサ16a1〜3も基板保持面と同様に移動する為、基板保持面の傾きに伴なう変位を、センサ16a1〜3によって正確に測長することが可能となる。同様に、ツール8においても、チップ保持面がヒータ加熱による膨張により傾く場合があるが、チップ保持面の移動および傾きに伴う変位を、センサ16a1〜3によって正確に測長することが可能となる。 8). The chip 11 and the substrate 14 are heated by a heater (not shown) provided on at least one of the tool 8 and the inclined stage 32. Although the substrate holding surface of the tilt stage 32 may be deformed and tilted due to thermal expansion due to the heater heating, the sensors 16a1 to 16a1 to 3 move in the same manner as the substrate holding surface. The sensors 16a1 to 3 can accurately measure the length. Similarly, in the tool 8, the chip holding surface may be inclined due to expansion due to the heating of the heater, but the displacement accompanying the movement and inclination of the chip holding surface can be accurately measured by the sensors 16 a 1 to 3. .

9.上記ヒータによる加熱後のセンサ16a1〜3の出力を参照して差がある場合は、センサ16a1〜3の出力差が無くなるように傾斜ステージ32を駆動させ、基板保持面を傾けると同時に、チップ11と基板14の間隔が所望の値になるように、モータ6を駆動してZステージ3の高さを位置決めする。なお、上記工程8.を実施する前にヒータ加熱を開始し、その後、Zステージ3の位置決めを行ってもよい。 9. When there is a difference with reference to the output of the sensors 16a1 to 3 after heating by the heater, the tilt stage 32 is driven so as to eliminate the output difference of the sensors 16a1 to 3 and the substrate holding surface is inclined, and at the same time, the chip 11 The motor 6 is driven to position the height of the Z stage 3 so that the distance between the substrate 14 and the substrate 14 becomes a desired value. The above process 8. Heating of the heater may be started before the Z is performed, and then the Z stage 3 may be positioned.

10.以下の作用は、第1実施形態に記載する作用17.〜と同様である。 10. The following actions are the actions described in the first embodiment 17. It is the same as ~.

第2実施形態においては、ヒータ加熱による変形によりツール8および傾斜ステージ32が傾いたとしても、センサ16a1〜3も同様に移動する為、正確にツール8のチップ保持面と基板保持ステージ15の基板保持面間の距離を測長することが可能になる。傾斜ステージ32を駆動する事により、センサ16a1〜3の出力差がない様に傾斜ステージ32の傾きを調整すれば、ツール8のチップ保持面と傾斜ステージ32の基板保持面を平行にする事が可能になる。従って、チップ11もしくは基板14が傾いた状態で接合される事がなくなり、第1実施形態と比較して、チップ11と基板14の間隔がより正確な製品を提供する事が可能になる。   In the second embodiment, even if the tool 8 and the tilting stage 32 are tilted due to the deformation due to heating by the heater, the sensors 16a1 to 16a1-3 move in the same manner. It becomes possible to measure the distance between the holding surfaces. By driving the tilt stage 32 and adjusting the tilt of the tilt stage 32 so that there is no output difference between the sensors 16a1 to 16, the chip holding surface of the tool 8 and the substrate holding surface of the tilt stage 32 can be made parallel. It becomes possible. Therefore, the chip 11 or the substrate 14 is not joined in a tilted state, and it is possible to provide a product in which the distance between the chip 11 and the substrate 14 is more accurate than in the first embodiment.

なお、第2実施形態においては、センサ16aの設置個数を3個としたが、センサ16aの設置個数はそれに限定するものではなく、複数個であれば良い。   In the second embodiment, the number of sensors 16a installed is three. However, the number of sensors 16a installed is not limited thereto, and may be a plurality.

(第3実施形態)
以下に、本発明の第3実施形態を図5を参照して詳細に説明する。ここでは、第1の実施形態と異なる部分の構成についてのみ記載する。
(Third embodiment)
Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. Here, only the configuration of the part different from the first embodiment will be described.

ツール8の上側に、ツール8と一体に測長板41が設けられている。該ツール8は例えばセラミックヒータで構成され、また測長板41は例えば機械構造鋼、アルミ合金もしくはステンレス鋼等の磁性体金属により構成されている。さらに、センサ16aは渦電流方式等の、非測定物が磁性体に限定される測長センサにより構成される。   On the upper side of the tool 8, a length measuring plate 41 is provided integrally with the tool 8. The tool 8 is made of, for example, a ceramic heater, and the length measuring plate 41 is made of, for example, a magnetic metal such as mechanical structural steel, aluminum alloy, or stainless steel. Further, the sensor 16a is constituted by a length measuring sensor such as an eddy current method in which a non-measurement object is limited to a magnetic material.

次に、上記した構成の作用について説明する。   Next, the operation of the above configuration will be described.

1.センサ16aは、測長板41までの距離を測定し、その出力値を基板14およびチップ11の厚み値としてコントローラ7により記憶する。 1. The sensor 16 a measures the distance to the length measuring plate 41 and stores the output value as the thickness values of the substrate 14 and the chip 11 by the controller 7.

2.モータ6を駆動して、チップ11と基板14の間隔が所望の値になる様に、コントローラ7に記憶されているチップ11の厚み値および基板14の厚み値を参照して、Zステージ3の高さを位置決めする。 2. The motor 6 is driven to refer to the thickness value of the chip 11 and the thickness value of the substrate 14 stored in the controller 7 so that the distance between the chip 11 and the substrate 14 becomes a desired value. Position the height.

3.ツール8もしくは基板保持ステージ15の少なくても一方に具備される図示しないヒータにより、チップ11および基板14を加熱する事で基板保持ステージ15も過熱され膨張する為、基板保持面が上昇もしくは傾く場合があるが、センサ16aも基板保持面と同様に移動する為、当該基板保持面の移動および傾きにともなう変位を、センサ16aによって正確に測長することが可能となる。 3. When the chip 11 and the substrate 14 are heated by a heater (not shown) provided on at least one of the tool 8 or the substrate holding stage 15, the substrate holding stage 15 is also overheated and expands, so that the substrate holding surface rises or tilts. However, since the sensor 16a moves in the same manner as the substrate holding surface, the displacement due to the movement and inclination of the substrate holding surface can be accurately measured by the sensor 16a.

第3実施形態においては、ツール8に具備される図示しないヒータにセラミックヒータ等の非磁性体を用い、なおかつセンサ16aに、例えば渦電流センサ等の被測定物が磁性体に限定されるような測長センサを用いた場合においても、正確にチップ11と基板14の距離を求める事が可能になる。セラミックヒータを用いることにより、より高温になおかつ急速にチップ11を加熱する事が可能になる為、チップ11と基板14間に介在させる接合材12の種類や接合工法の自由度が高まり、第1実施形態と比較して、より多種のチップ11および基板14に本接合方法を適応可能になる。 In the third embodiment, using a non-magnetic material such as a ceramic heater in a heater (not shown) is provided to the tool 8, in yet sensor 16a, for example so that the measuring Jobutsu such eddy current sensors are limited to the magnetic Even when a length measuring sensor is used, the distance between the chip 11 and the substrate 14 can be accurately obtained. By using the ceramic heater, it becomes possible to heat the chip 11 at a higher temperature and more rapidly. Therefore, the kind of the bonding material 12 interposed between the chip 11 and the substrate 14 and the degree of freedom of the bonding method are increased. Compared with the embodiment, the present bonding method can be applied to a wider variety of chips 11 and substrates 14.

(第4実施形態)
以下に、本発明の第4実施形態を図6(a)〜図8(b)を参照して詳細に説明する。ここでは、第1の実施形態と異なる部分の構成についてのみ記載する。図6(a)において、基板保持ステージ15bには、上下方向の任意の位置に移動および固定可能な変位基準部材52が、少なくとも1つ設けられている。またツール8aには、上下方向の任意の位置に移動および固定可能な可動センサ55が、該変位基準部材52と対向する位置に設けられている。
(Fourth embodiment)
Hereinafter, a fourth embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 6 (a) to 8 (b). Here, only the configuration of the part different from the first embodiment will be described. In FIG. 6A, the substrate holding stage 15b is provided with at least one displacement reference member 52 that can be moved and fixed at an arbitrary position in the vertical direction. Further, the tool 8 a is provided with a movable sensor 55 that can be moved and fixed at an arbitrary position in the vertical direction at a position facing the displacement reference member 52.

次に、上記した構成の作用について説明する。   Next, the operation of the above configuration will be described.

1.図6(a)に示す様に、第1の実施形態と同様にして、ツール8aは図示しない基板供給パレット17に整列されている基板14を、例えば吸着により保持して、基板保持ステージ15b上の所定の位置に搬送する。 1. As shown in FIG. 6A, in the same manner as in the first embodiment, the tool 8a holds the substrate 14 aligned on the substrate supply pallet 17 (not shown) on the substrate holding stage 15b, for example, by suction. To a predetermined position.

2.図6(a)に示す矢印方向(下方向)に、図示しないZステージ3を駆動する事によりツール8aを移動させ、基板14と基板保持ステージ15bを接地せしめる。必要があれば、押圧機構10(図1)によりツール8aの自重をキャンセルさせ、基板14に押圧力がかからない様にしても良い。 2. The tool 8a is moved by driving the Z stage 3 (not shown) in the arrow direction (downward direction) shown in FIG. 6A, and the substrate 14 and the substrate holding stage 15b are grounded. If necessary, the pressing mechanism 10 (FIG. 1) may cancel the weight of the tool 8a so that no pressing force is applied to the substrate 14.

3.図6(b)に示す様に、変位基準部材52を矢印(上)方向に移動させ、変位基準部材52の先端がツール8aの基板保持面に突き当たるように位置決めして固定する。必要があれば、ロック機構19(図1)を用いてツール8を固定した状態で、変位基準部材52の突き当ておよび固定を行っても良い。変位基準部材52の固定が終了した状態を図6(c)に示す。 3. As shown in FIG. 6B, the displacement reference member 52 is moved in the arrow (upward) direction, and positioned and fixed so that the tip of the displacement reference member 52 abuts against the substrate holding surface of the tool 8a. If necessary, the displacement reference member 52 may be abutted and fixed while the tool 8 is fixed using the lock mechanism 19 (FIG. 1). FIG. 6C shows a state where the displacement reference member 52 has been fixed.

4.ツール8aによる基板14の保持を終了させた後、図6(d)に示す様に、Zステージ3(図1)を駆動してツール8aを矢印(上)方向に退避させる。これにより基板14と変位基準部材52の上面が同一面に揃う。 4). After the holding of the substrate 14 by the tool 8a is finished, as shown in FIG. 6D, the Z stage 3 (FIG. 1) is driven to retract the tool 8a in the arrow (upward) direction. As a result, the upper surfaces of the substrate 14 and the displacement reference member 52 are aligned.

5.図7(a)に示す様に、ステージ13(図1)を駆動する事により、ツール8aの真下にチップ供給パレット20aを移動させた後、Zステージ3(図1)を駆動する事によりツール8aを降下させる。 5). As shown in FIG. 7A, the stage 13 (FIG. 1) is driven to move the chip supply pallet 20a directly below the tool 8a, and then the Z stage 3 (FIG. 1) is driven to drive the tool. Lower 8a.

6.ツール8aを所定の位置まで降下させ、ツール8aとチップ11を接地せしめる。必要があれば、押圧機構10(図1)によりツール8aの自重をキャンセルさせ、基板14に押圧力がかからない様にしても良い。 6). The tool 8a is lowered to a predetermined position, and the tool 8a and the chip 11 are grounded. If necessary, the pressing mechanism 10 (FIG. 1) may cancel the weight of the tool 8a so that no pressing force is applied to the substrate 14.

7.図7(b)に示す様に、可動センサ55を矢印(下)方向に移動させ、可動センサ55の先端がチップ供給パレット20aのチップ保持面に突き当たるように位置決めして固定する。必要があれば、ロック機構19(図1)を用いてツール8を固定した状態で、可動センサ55の突き当ておよび固定を行っても良い。可動センサ55の固定が終了した状態を図7(c)に示す。 7. As shown in FIG. 7B, the movable sensor 55 is moved in the direction of the arrow (downward), and positioned and fixed so that the tip of the movable sensor 55 abuts against the chip holding surface of the chip supply pallet 20a. If necessary, the movable sensor 55 may be abutted and fixed while the tool 8 is fixed using the lock mechanism 19 (FIG. 1). FIG. 7C shows a state in which the movable sensor 55 has been fixed.

8.ツール8aによるチップ11の保持を終了させた後、図8(a)に示す様に、Zステージ3(図1)を駆動してツール8aを上方向に退避させる。これによりチップ11と可動センサ55の先端が同一面に揃う。 8). After the holding of the chip 11 by the tool 8a is finished, as shown in FIG. 8A, the Z stage 3 (FIG. 1) is driven to retract the tool 8a upward. As a result, the tip of the chip 11 and the movable sensor 55 are aligned on the same plane.

9.ステージ13(図1)を移動する事により、基板14とツール8aに保持されたチップ11の位置決めを行う(図8(b))。 9. By moving the stage 13 (FIG. 1), the chip 11 held by the substrate 14 and the tool 8a is positioned (FIG. 8B).

10.第1実施形態と同様にして、可動センサ55の出力値をもとにZステージ3(図1)を駆動する事により、ツール8aの高さ方向の位置決めを行う。本実施形態において、可動センサ55の出力とは、可動センサ55と変位基準部材52間の距離を測定したものである。可動センサ55とチップ11の下面は同一面になるように調整されており、また、変位基準部材52と基板14の上面も同一面になるように調整されている為、可動センサ55の出力値は、そのままチップ11と基板14間の距離となり得る。従って、可動センサ55の出力値をもとに、ツール8aの位置決めを行う事により、チップ11と基板14間の距離を正確に位置決めする事が可能になる。 10. Similarly to the first embodiment, the tool 8a is positioned in the height direction by driving the Z stage 3 (FIG. 1) based on the output value of the movable sensor 55. In the present embodiment, the output of the movable sensor 55 is obtained by measuring the distance between the movable sensor 55 and the displacement reference member 52. Since the movable sensor 55 and the lower surface of the chip 11 are adjusted to be the same surface, and the displacement reference member 52 and the upper surface of the substrate 14 are adjusted to be the same surface, the output value of the movable sensor 55 is adjusted. Can be the distance between the chip 11 and the substrate 14 as it is. Therefore, by positioning the tool 8a based on the output value of the movable sensor 55, the distance between the chip 11 and the substrate 14 can be accurately positioned.

本実施形態においては、第1実施形態と比較して、チップ11および基板14の厚みデータをコントローラ7によって記憶および演算する必要なく、チップ11と基板14間の距離を正確に位置決めする事が可能になる。従って、コントローラ7の負担を軽減させた装置を提供する事が可能になる。   In this embodiment, it is possible to accurately position the distance between the chip 11 and the substrate 14 without having to store and calculate the thickness data of the chip 11 and the substrate 14 by the controller 7 as compared with the first embodiment. become. Therefore, it is possible to provide a device that reduces the burden on the controller 7.

なお、変位基準部材52と可動センサ55はお互いに1組で構成されていればよく、ツール8aに変位基準部材52が具備され、基板保持ステージ15bに可動センサ55が具備されていても良い。また、設置個数も1組に限定するものではなく、複数設置されていても良い。   It should be noted that the displacement reference member 52 and the movable sensor 55 only need to be configured as one set, and the tool 8a may be provided with the displacement reference member 52, and the substrate holding stage 15b may be provided with the movable sensor 55. Further, the number of installations is not limited to one set, and a plurality of installations may be installed.

また、上記した各実施形態において用いられるセンサは例えば、うず電流センサ、静電容量型センサ、レーザセンサセンサ等の非接触型センサが望ましいが、接触型センサで実現することも可能である。   In addition, the sensor used in each of the above embodiments is preferably a non-contact type sensor such as an eddy current sensor, a capacitance type sensor, or a laser sensor sensor, but may be realized by a contact type sensor.

(付記)
上記した具体的な実施形態から以下のような構成の発明を抽出することができる。
(Appendix)
Inventions having the following configurations can be extracted from the specific embodiments described above.

1.チップと基板との間に接合材を介在させて接合する半導体接合装置であって、
チップを保持するためのチップ保持部材と、
基板を保持するための基板保持部材と、
前記チップ保持部材のチップ保持面もしくは前記基板保持部材の基板保持面のいずれか一方に配置され、前記チップ保持面と前記基板保持面の間隔を測定するセンサと、
を具備し、
前記センサの出力に基づいて前記チップと前記基板間の間隔を制御するようにしたことを特徴とする半導体接合装置。
1. A semiconductor bonding apparatus for bonding with a bonding material interposed between a chip and a substrate,
A chip holding member for holding the chip;
A substrate holding member for holding the substrate;
A sensor that is disposed on either the chip holding surface of the chip holding member or the substrate holding surface of the substrate holding member, and that measures the distance between the chip holding surface and the substrate holding surface;
Comprising
A semiconductor bonding apparatus characterized in that an interval between the chip and the substrate is controlled based on an output of the sensor.

2.前記チップおよび上記基板を整列保持する供給パレットを具備し、
前記チップ保持部材を用いて前記チップおよび前記基板を前記供給パレットから取り置きする事を特徴とする1に記載の半導体接合装置。
2. Comprising a supply pallet for aligning and holding the chip and the substrate;
2. The semiconductor bonding apparatus according to 1, wherein the chip and the substrate are left from the supply pallet using the chip holding member.

3.前記供給パレットのチップ保持面に、前記チップが具備する接合材に対応した凹部が設けられている事を特徴とする2に記載の半導体接合装置。 3. 3. The semiconductor bonding apparatus according to 2, wherein a recess corresponding to a bonding material included in the chip is provided on a chip holding surface of the supply pallet.

(対応する発明の実施の形態)
この発明に関する実施の形態は、少なくとも第1の実施形態に対応する。
(Corresponding Embodiment of the Invention)
The embodiment relating to the present invention corresponds to at least the first embodiment.

上記構成中の文言「チップ」は、チップ11が該当する。「基板」は、基板14が該当する。「接合材」は、接合材12が該当する。「チップ保持部材」は、ツール8が該当する。「基板保持部材」は、基板保持ステージ15が該当する。「センサ」はセンサ16a、センサ16bが該当する。「供給パレット」は基板供給パレット17およびチップ供給パレット18が該当する。「凹部」は、凹部29が該当する。 The word “chip” in the above configuration corresponds to the chip 11. The “substrate” corresponds to the substrate 14. The “joining material” corresponds to the joining material 12. The “chip holding member” corresponds to the tool 8. The “substrate holding member” corresponds to the substrate holding stage 15. The “sensor” corresponds to the sensor 16a and the sensor 16b. The “supply pallet” corresponds to the substrate supply pallet 17 and the chip supply pallet 18. The “concave portion” corresponds to the concave portion 29 .

(作用効果)
上記1〜3の構成によれば、チップ保持部材もしくは基板保持部材にセンサを設ける事により、チップ保持部材のチップ保持面と基板保持部材の基板保持面間の距離を求める事が可能になる。また、チップ保持部材によってチップもしくは基板を保持する事により、センサによってチップおよび基板の厚さを求める事が可能になる。これらの値をもとに、チップ保持部材を高さ方向に駆動する事で、チップと基板の間隔が正確に所望の値になるようにチップ保持部材を位置決めする事が可能になる。熱変位等でチップ保持部材もしくは基板保持部材が変位しても、センサは、チップ保持部材もしくは基板保持部材と共に移動する為、センサにより正確にチップ保持部材のチップ保持面と基板保持部材の基板保持面間の距離を測長することが可能である。従って、チップと基板の距離を正確に所望の値に制御して、チップと基板を接合する事が可能な半導体接合装置を提供する事ができる。
(Function and effect)
According to the above configurations 1 to 3, it is possible to obtain the distance between the chip holding surface of the chip holding member and the substrate holding surface of the substrate holding member by providing the sensor on the chip holding member or the substrate holding member. Further, by holding the chip or the substrate by the chip holding member, the thickness of the chip and the substrate can be obtained by the sensor. Based on these values, by driving the chip holding member in the height direction, it is possible to position the chip holding member so that the distance between the chip and the substrate becomes a desired value accurately. Even if the chip holding member or the substrate holding member is displaced due to thermal displacement or the like, the sensor moves together with the chip holding member or the substrate holding member. Therefore, the sensor holds the chip holding surface of the chip holding member and the substrate holding member accurately. It is possible to measure the distance between surfaces. Therefore, it is possible to provide a semiconductor bonding apparatus capable of bonding the chip and the substrate by accurately controlling the distance between the chip and the substrate to a desired value.

なお、2の構成では、特に基板厚さを正確に測長することができるという効果を奏する。また、3の構成では、特に干渉を防止することが可能になるという効果を奏する。   In the configuration of 2, there is an effect that the substrate thickness can be measured particularly accurately. In addition, the configuration of 3 has an effect that interference can be particularly prevented.

4.チップと基板との間に接合材を介在させて接合する半導体接合装置であって、
チップを保持するためのチップ保持部材と、
基板を保持するための基板保持部材と、
前記基板保持部材上に配置され、所定の方向に傾斜可能な傾斜部材と、
各々が前記傾斜部材の基板保持面に配置され、前記チップ保持部材のチップ保持面までの距離を測定する複数のセンサと、
を具備し、
前記複数のセンサからの出力に基づいて前記傾斜部材の傾斜角を調整することで前記チップと前記基板間の間隔を制御するようにしたことを特徴とする半導体接合装置。
4). A semiconductor bonding apparatus for bonding with a bonding material interposed between a chip and a substrate,
A chip holding member for holding the chip;
A substrate holding member for holding the substrate;
An inclined member disposed on the substrate holding member and capable of inclining in a predetermined direction;
A plurality of sensors each disposed on a substrate holding surface of the inclined member and measuring a distance to the chip holding surface of the chip holding member;
Comprising
A semiconductor bonding apparatus, wherein an interval between the chip and the substrate is controlled by adjusting an inclination angle of the inclined member based on outputs from the plurality of sensors.

(対応する発明の実施の形態)
この発明に関する実施の形態は、少なくとも第2実施形態に対応する。
(Corresponding Embodiment of the Invention)
The embodiment relating to the present invention corresponds to at least the second embodiment.

上記構成中の文言「センサ」は、センサ16a1、センサ16a2およびセンサ16a3が該当する。「基板保持部材」は、基板保持ステージ15aが該当する。「傾斜部材」は、傾斜ステージ32が該当する。   The term “sensor” in the above configuration corresponds to the sensor 16a1, the sensor 16a2, and the sensor 16a3. The “substrate holding member” corresponds to the substrate holding stage 15a. The “tilting member” corresponds to the tilting stage 32.

(作用効果)
上記4の構成によれば、傾斜部材に複数のセンサを設けることにより、複数の測定ポイントにおいてチップ保持部材のチップ保持面までの距離を測定し、各センサの出力を比較演算する事により、チップ保持部材のチップ保持面に対する傾斜部材の傾きを検出する事が可能になる。熱変位等の影響で傾斜部材が傾いたとしても、各センサの出力を演算して傾斜部材の傾斜角を調整する事により、チップ保持部材のチップ保持面と傾斜部材の基板保持面を平行に調整する事が可能になる。従って、チップもしくは基板が傾いた状態で接合される事がなくなり、第1実施形態と比較して、チップと基板の間隔がより正確に接合可能な半導体接合装置を提供する事が可能になる。
(Function and effect)
According to the configuration of 4 above, by providing a plurality of sensors on the inclined member, the distance to the chip holding surface of the chip holding member is measured at a plurality of measurement points, and the output of each sensor is compared and calculated. It is possible to detect the inclination of the inclined member with respect to the chip holding surface of the holding member. Even if the tilting member is tilted due to the influence of thermal displacement, the chip holding surface of the chip holding member and the substrate holding surface of the tilting member are made parallel by calculating the output of each sensor and adjusting the tilt angle of the tilting member. It becomes possible to adjust. Therefore, the chip or the substrate is not joined in an inclined state, and it is possible to provide a semiconductor joining apparatus capable of joining the chip and the substrate more accurately as compared with the first embodiment.

5.チップと基板との間に接合材を介在させて接合する半導体接合装置であって、
チップを保持するためのチップ保持部材と、
基板を保持するための基板保持部材と、
前記チップ保持部材に隣接して配置された測長部材と、
前記測長部材もしくは前記基板保持部材の基板保持面のいずれか一方に配置され、前記測長部材と前記基板保持部材の基板保持面の間隔を測定するセンサと、
を具備し、
前記センサの出力に基づいて前記チップと前記基板間の間隔を制御するようにしたことを特徴とする半導体接合装置。
5. A semiconductor bonding apparatus for bonding with a bonding material interposed between a chip and a substrate,
A chip holding member for holding the chip;
A substrate holding member for holding the substrate;
A length measuring member disposed adjacent to the chip holding member;
A sensor that is disposed on either one of the length measuring member or the substrate holding surface of the substrate holding member and measures the distance between the length measuring member and the substrate holding surface of the substrate holding member;
Comprising
A semiconductor bonding apparatus characterized in that an interval between the chip and the substrate is controlled based on an output of the sensor.

(対応する発明の実施の形態)
この発明に関する実施の形態は、少なくとも第3実施形態に対応する。
(Corresponding Embodiment of the Invention)
The embodiment relating to the present invention corresponds to at least the third embodiment.

上記構成中の文言「チップ」は、チップ11が該当する。「基板」は、基板14が該当する。「接合材」は、接合材12が該当する。「ツール」は、ツール8が該当する。「基板保持部材」は、基板保持ステージ15aが該当する。「測長部材」は、測長板41が該当する。「センサ」はセンサ16aが該当する。   The word “chip” in the above configuration corresponds to the chip 11. The “substrate” corresponds to the substrate 14. The “joining material” corresponds to the joining material 12. The “tool” corresponds to the tool 8. The “substrate holding member” corresponds to the substrate holding stage 15a. The “length measuring member” corresponds to the length measuring plate 41. The “sensor” corresponds to the sensor 16a.

(作用効果)
測長部材をチップ保持部材に隣接して設ける事により、センサは測長部材までの距離を測定するので、チップ保持部材のチップ保持面と基板保持ステージの基板保持面間の距離を求める事が可能になる。また、チップおよび基板の厚さを求める事も可能である。測長部材を設けることにより、チップ保持部材に具備される図示しないヒータに非磁性体を用い、なおかつセンサに被測定物が磁性体に限定される測長センサを用いた場合においても、チップと基板の距離を求める事が可能になる。従って、図示しないヒータに、例えばセラミックヒータを用いる事が可能になる為、より高温になおかつ急速にチップを加熱する事が可能になり、第1実施形態と比較して、チップと基板間に介在させる接合材の種類や接合工法の自由度が高い半導体接合装置を提供する事が可能になる。
(Function and effect)
By providing the length measuring member adjacent to the chip holding member, the sensor measures the distance to the length measuring member, so that the distance between the chip holding surface of the chip holding member and the substrate holding surface of the substrate holding stage can be obtained. It becomes possible. It is also possible to determine the thickness of the chip and the substrate. By providing a length measuring member, even if a non-magnetic material is used for a heater (not shown) provided in the chip holding member and a length measuring sensor whose measured object is limited to a magnetic material is used for the sensor, It is possible to determine the distance of the substrate. Therefore, for example, a ceramic heater can be used as a heater (not shown), so that the chip can be heated to a higher temperature and more rapidly, and compared with the first embodiment, the chip is interposed between the chip and the substrate. It is possible to provide a semiconductor bonding apparatus having a high degree of freedom in the type of bonding material to be used and the bonding method.

6.チップと基板との間に接合材を介在させて接合する半導体接合装置であって、
前記チップを保持するためのチップ保持部材と、
前記基板を保持するための基板保持部材と、
前記チップもしくは前記基板の厚み方向に移動し且つ前記チップ及び前記基板と同一な厚み分となる位置に調整される一組の可動センサ及び変位基準部材と、を有し、
前記可動センサと前記変位基準部材とが、互いに対向するよう前記チップ保持部材と前記基板保持部材とに配置され、前記可動センサと前記変位基準部材との距離に基づいて、前記チップと前記基板の間隔を制御することを特徴とする半導体接合装置。
6). A semiconductor bonding apparatus for bonding with a bonding material interposed between a chip and a substrate,
A chip holding member for holding the chip,
A substrate holding member for holding said substrate,
Anda movable sensor and deflection reference member set of which is adjusted to a position at which the tip or moves in the thickness direction of the substrate and the chip and the substrate and the same thickness of,
The movable sensor and the displacement reference member are disposed on the chip holding member and the substrate holding member so as to face each other, and based on the distance between the movable sensor and the displacement reference member, the chip and the substrate A semiconductor bonding apparatus characterized by controlling a distance.

(対応する発明の実施の形態)
この発明に関する実施の形態は、少なくとも第4実施形態に対応する。上記構成中の文言「チップ保持部材」は、ツール8aが該当する。「基板保持部材」は、基板保持ステージ15bが該当する。「可動センサ」は、可動センサ55が該当する。「変位基準部材」は、変位基準部材52が該当する。
(Corresponding Embodiment of the Invention)
The embodiment relating to the present invention corresponds to at least the fourth embodiment. The term “chip holding member” in the above configuration corresponds to the tool 8a. The “substrate holding member” corresponds to the substrate holding stage 15b. The “movable sensor” corresponds to the movable sensor 55. The “displacement reference member” corresponds to the displacement reference member 52.

(作用効果)
変位基準部材をチップ保持部材のチップ保持面に当て付けて固定し、また可動センサを基板保持部材の基板保持面に当て付けて固定する。基板と変位基準部材の先端およびチップと可動センサの先端は、それぞれ同一面上に揃えられている為、可動センサの出力値は、そのままチップと基板間の距離となり得る。従って、可動センサの出力値をもとに、チップ保持部材の位置決めを行う事により、チップと基板間の距離を位置決めする事が可能となり、第1実施形態と比較して、チップおよび基板の厚みデータをコントローラによって記憶および演算する必要なく、コントローラの負担を軽減させた半導体接合装置を提供する事が可能になる。
(Function and effect)
The displacement reference member is applied and fixed to the chip holding surface of the chip holding member, and the movable sensor is applied to the substrate holding surface of the substrate holding member and fixed. Since the substrate and the tip of the displacement reference member and the tip of the chip and the movable sensor are arranged on the same plane, the output value of the movable sensor can be the distance between the chip and the substrate as it is. Therefore, by positioning the chip holding member based on the output value of the movable sensor, it is possible to position the distance between the chip and the substrate, and the thickness of the chip and the substrate as compared with the first embodiment. It is possible to provide a semiconductor bonding apparatus that reduces the burden on the controller without having to store and calculate data by the controller.

7.チップと基板との間に接合材を介在させて接合する半導体接合装置であって、
チップを保持する側に配置された部材と、
基板を保持するための基板保持部材と、
前記部材もしくは前記基板保持部材の基板保持面のいずれか一方に配置され、前記部材と前記基板保持部材の基板保持面の間隔を測定するセンサと、
を具備し、
前記センサの出力に基づいて前記チップと前記基板間の間隔を制御するようにしたことを特徴とする半導体接合装置。
7). A semiconductor bonding apparatus for bonding with a bonding material interposed between a chip and a substrate,
A member arranged on the side holding the chip;
A substrate holding member for holding the substrate;
A sensor that is disposed on either the member or the substrate holding surface of the substrate holding member and that measures the distance between the member and the substrate holding surface of the substrate holding member;
Comprising
A semiconductor bonding apparatus characterized in that an interval between the chip and the substrate is controlled based on an output of the sensor.

(対応する発明の実施の形態)
この発明に関する実施の形態は、少なくとも第1〜第4の実施形態のいずれかに対応する。
(Corresponding Embodiment of the Invention)
The embodiment relating to the present invention corresponds to at least one of the first to fourth embodiments.

上記構成中の文言「チップ」は、チップ11が該当する。「基板」は、基板14が該当する。「接合材」は、接合材12が該当する。「チップを保持する側に配置された部材」は、ツール8あるいは測長板41が該当する。「基板保持部材」は、基板保持ステージ15が該当する。「センサ」はセンサ16a、センサ16bが該当する。   The word “chip” in the above configuration corresponds to the chip 11. The “substrate” corresponds to the substrate 14. The “joining material” corresponds to the joining material 12. The “member arranged on the side holding the chip” corresponds to the tool 8 or the length measuring plate 41. The “substrate holding member” corresponds to the substrate holding stage 15. The “sensor” corresponds to the sensor 16a and the sensor 16b.

(作用効果)
ツール8を用いた場合は1の作用効果、測長板41を用いた場合は5の作用効果と同様である。
(Function and effect)
When the tool 8 is used, the function 1 is the same, and when the length measuring plate 41 is used, the function 5 is the same.

本発明の第1実施形態に係る半導体接合装置を側面から見た全体構成図である。It is the whole block diagram which looked at the semiconductor junction device concerning a 1st embodiment of the present invention from the side. 本発明の第1実施形態に係る半導体接合装置を正面から見た全体構成図である。It is the whole block diagram which looked at the semiconductor junction device concerning a 1st embodiment of the present invention from the front. 第1実施形態に係る方法により製造された完成状態の半導体装置の概略構成を示している。1 shows a schematic configuration of a semiconductor device in a completed state manufactured by a method according to a first embodiment. 本発明の第2実施形態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態を説明するための図(その1)である。It is FIG. (1) for demonstrating 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態を説明するための図(その2)である。It is FIG. (2) for demonstrating 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態を説明するための図(その3)である。It is FIG. (3) for demonstrating 4th Embodiment of this invention. 従来技術を説明するための図である。It is a figure for demonstrating a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

1…ベース、2…イケール、3…Zステージ、4…ガイド、5…ボールネジ、6…モータ、7…コントローラ、8…ツール、9…ツールガイド、10…押圧機構、11…チップ、12…接合材、13…ステージ、14…基板、15…基板保持ステージ、16a、16a1〜3、16b…センサ、19…ロック機構。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base, 2 ... Scale, 3 ... Z stage, 4 ... Guide, 5 ... Ball screw, 6 ... Motor, 7 ... Controller, 8 ... Tool, 9 ... Tool guide, 10 ... Pressing mechanism, 11 ... Tip, 12 ... Joining Material: 13 ... Stage, 14 ... Substrate, 15 ... Substrate holding stage, 16a, 16a1-3, 16b ... Sensor, 19 ... Lock mechanism.

Claims (5)

チップと基板との間に接合材を介在させて接合する半導体接合装置であって、
チップを保持するためのチップ保持部材と、
基板を保持するための基板保持部材と、
前記チップ保持部材のチップ保持面もしくは前記基板保持部材の基板保持面のいずれか一方に配置され、前記チップ保持面と前記基板保持面の間隔を測定するセンサと、
前記チップおよび上記基板を整列保持する供給パレットと、を具備し、
前記センサの出力に基づいて前記チップと前記基板間の間隔を制御するとともに、前記チップ保持部材を用いて前記チップおよび前記基板を前記供給パレットから取り置きすることを特徴とする半導体接合装置。
A semiconductor bonding apparatus for bonding with a bonding material interposed between a chip and a substrate,
A chip holding member for holding the chip;
A substrate holding member for holding the substrate;
A sensor that is disposed on either the chip holding surface of the chip holding member or the substrate holding surface of the substrate holding member, and that measures the distance between the chip holding surface and the substrate holding surface;
A supply pallet for aligning and holding the chip and the substrate ,
A semiconductor bonding apparatus , wherein the distance between the chip and the substrate is controlled based on the output of the sensor, and the chip and the substrate are set aside from the supply pallet using the chip holding member .
チップと基板との間に接合材を介在させて接合する半導体接合装置であって、
チップを保持するためのチップ保持部材と、
基板を保持するための基板保持部材と、
前記チップ保持部材に隣接して配置された測長部材と、
前記測長部材もしくは前記基板保持部材の基板保持面のいずれか一方に配置され、前記測長部材と前記基板保持部材の基板保持面の間隔を測定するセンサと、
前記チップおよび上記基板を整列保持する供給パレットと、を具備し、
前記センサの出力に基づいて前記チップと前記基板間の間隔を制御するとともに、前記チップ保持部材を用いて前記チップおよび前記基板を前記供給パレットから取り置きすることを特徴とする半導体接合装置。
A semiconductor bonding apparatus for bonding with a bonding material interposed between a chip and a substrate,
A chip holding member for holding the chip;
A substrate holding member for holding the substrate;
A length measuring member disposed adjacent to the chip holding member;
A sensor that is disposed on either one of the length measuring member or the substrate holding surface of the substrate holding member and measures the distance between the length measuring member and the substrate holding surface of the substrate holding member;
A supply pallet for aligning and holding the chip and the substrate ,
A semiconductor bonding apparatus , wherein the distance between the chip and the substrate is controlled based on the output of the sensor, and the chip and the substrate are set aside from the supply pallet using the chip holding member .
チップと基板との間に接合材を介在させて接合する半導体接合装置であって、
チップを保持するためのチップ保持部材と、
基板を保持するための基板保持部材と、
前記基板保持部材上に配置され、所定の方向に傾斜可能な傾斜部材と、
各々が前記傾斜部材の基板保持面に配置され、前記チップ保持部材のチップ保持面までの距離を測定する複数のセンサと、
前記チップおよび上記基板を整列保持する供給パレットと、を具備し、
前記複数のセンサからの出力に基づいて前記傾斜部材の傾斜角を調整することで前記チップと前記基板間の間隔を制御するとともに、前記チップ保持部材を用いて前記チップおよび前記基板を前記供給パレットから取り置きすることを特徴とする半導体接合装置。
A semiconductor bonding apparatus for bonding with a bonding material interposed between a chip and a substrate,
A chip holding member for holding the chip;
A substrate holding member for holding the substrate;
An inclined member disposed on the substrate holding member and capable of inclining in a predetermined direction;
A plurality of sensors each disposed on a substrate holding surface of the inclined member and measuring a distance to the chip holding surface of the chip holding member;
A supply pallet for aligning and holding the chip and the substrate ,
The gap between the chip and the substrate is controlled by adjusting the tilt angle of the tilt member based on the outputs from the plurality of sensors, and the chip and the substrate are supplied to the supply pallet using the chip holding member. A semiconductor bonding apparatus characterized by being left behind .
前記供給パレットのチップ保持面に、前記チップが具備する接合材に対応した凹部が設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載の半導体接合装置。 Wherein the chip holding surface of the supply pallet, a semiconductor junction device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that recesses corresponding to the bonding material in which the chip is provided is provided. チップと基板との間に接合材を介在させて接合する半導体接合装置であって、
前記チップを保持するためのチップ保持部材と、
前記基板を保持するための基板保持部材と、
前記チップもしくは前記基板の厚み方向に移動し且つ前記チップ及び前記基板と同一な厚み分となる位置に調整される1組の可動センサ及び変位基準部材と、を有し、
前記可動センサと前記変位基準部材とが、互いに対向するよう前記チップ保持部材と前記基板保持部材とに配置され、前記可動センサと前記変位基準部材との距離に基づいて、前記チップと前記基板の間隔を制御することを特徴とする半導体接合装置。
A semiconductor bonding apparatus for bonding with a bonding material interposed between a chip and a substrate,
A chip holding member for holding the chip,
A substrate holding member for holding said substrate,
A set of movable sensors and a displacement reference member that move in the thickness direction of the chip or the substrate and are adjusted to a position corresponding to the same thickness as the chip and the substrate ;
The movable sensor and the displacement reference member are disposed on the chip holding member and the substrate holding member so as to face each other, and based on the distance between the movable sensor and the displacement reference member, the chip and the substrate A semiconductor bonding apparatus characterized by controlling a distance.
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