JP4293376B2 - Processing equipment - Google Patents

Processing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP4293376B2
JP4293376B2 JP2006129408A JP2006129408A JP4293376B2 JP 4293376 B2 JP4293376 B2 JP 4293376B2 JP 2006129408 A JP2006129408 A JP 2006129408A JP 2006129408 A JP2006129408 A JP 2006129408A JP 4293376 B2 JP4293376 B2 JP 4293376B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
processing apparatus
wafer
chamber
processed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2006129408A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2006279056A (en
Inventor
裕二 上川
孝之 戸島
宏樹 大野
恭司 小浜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2006129408A priority Critical patent/JP4293376B2/en
Publication of JP2006279056A publication Critical patent/JP2006279056A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4293376B2 publication Critical patent/JP4293376B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

この発明は、処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば半導体ウエハやLCD用ガラス基板等の被処理体に処理流体例えば薬液、リンス液あるいは乾燥流体等を供給して洗浄・乾燥等の処理をする処理装置に関するものである。   The present invention relates to a processing apparatus. More specifically, for example, a processing fluid such as a chemical liquid, a rinsing liquid, or a drying fluid is supplied to a target object such as a semiconductor wafer or a glass substrate for LCD to perform processing such as cleaning and drying. The present invention relates to a processing device for

一般に、半導体デバイスの製造工程やLCD製造工程においては、半導体ウエハやLCD用ガラス等の被処理体(以下にウエハ等という)に付着したレジストやドライ処理後の残渣(ポリマ等)を除去するために、処理液やガス等の処理流体を用いる洗浄・乾燥処理装置が広く採用されている。ここでいう処理液とは、例えば有機溶剤あるいは有機酸や無機酸等の薬液とリンス液等で、ガスとは乾燥ガス等のことをいう。   Generally, in a semiconductor device manufacturing process or an LCD manufacturing process, a resist adhering to an object to be processed (hereinafter referred to as a wafer or the like) such as a semiconductor wafer or LCD glass or a residue (polymer or the like) after dry processing is removed. In addition, a cleaning / drying processing apparatus using a processing fluid such as a processing liquid or gas is widely used. The treatment liquid here is, for example, an organic solvent or a chemical liquid such as an organic acid or an inorganic acid and a rinsing liquid, and the gas is a dry gas or the like.

従来のこの種の洗浄・乾燥処理装置として、例えば、一側方にウエハ等の搬入・搬出用の開口及びこの開口を開閉する扉を有する一つの処理室と、この処理室内に配設されると共に、水平軸に対して傾斜した状態でウエハ等を収容したキャリアを回転するロータと、ウエハ等に対して液体を供給する液体供給手段と、ウエハ等に対してガスを供給するガス供給手段と、を具備する洗浄・乾燥装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。また、メンテナンス時などに処理室(チャンバ)を取り外すことができるものも知られている(例えば、特許文献2参照)。また、この洗浄・乾燥装置においては、上記処理室と共にモータやノズルが取付板に取り付けられた構造となっている(例えば、特許文献3参照)。また、処理室に連通する排液・排気ラインに、気液分離手段を設けて、処理に供された処理液を気液分離し、排出している(例えば、特許文献4参照)。また、気液分離部にセンサを具備するものも知られている(例えば、特許文献5参照)。この洗浄・乾燥装置によれば、複数枚のウエハ等を収容したカセットをロータにて保持した状態で、扉を閉じて処理室を密閉した後、ロータ及びウエハ等を回転すると共に、液体供給手段からウエハ等に対して液体を供給して洗浄処理を行い、洗浄処理後、同様にロータ及びウエハ等を回転すると共に、ウエハ等にガスを供給して乾燥処理を行うことができる。また、カセットレス方式で装置前面からローディングする装置も知られている(例えば、特許文献6,7参照)。   As a conventional cleaning / drying processing apparatus of this type, for example, one processing chamber having an opening for loading / unloading wafers and the like on one side and a door for opening / closing the opening is disposed in the processing chamber. And a rotor for rotating a carrier containing a wafer or the like while being inclined with respect to the horizontal axis, a liquid supply means for supplying a liquid to the wafer or the like, and a gas supply means for supplying a gas to the wafer or the like Is known (for example, see Patent Document 1). In addition, there is also known one in which a processing chamber (chamber) can be removed during maintenance or the like (see, for example, Patent Document 2). The cleaning / drying apparatus has a structure in which a motor and a nozzle are attached to an attachment plate together with the processing chamber (see, for example, Patent Document 3). In addition, gas / liquid separation means is provided in a drain / exhaust line communicating with the processing chamber to separate and discharge the processing liquid supplied to the processing (for example, see Patent Document 4). Moreover, what comprises a sensor in a gas-liquid separation part is also known (for example, refer patent document 5). According to this cleaning / drying apparatus, in a state where a cassette containing a plurality of wafers and the like is held by the rotor, the door is closed and the processing chamber is sealed, and then the rotor and wafers are rotated, and the liquid supply means Then, a cleaning process is performed by supplying a liquid to the wafer or the like, and after the cleaning process, the rotor and the wafer or the like are similarly rotated and a gas is supplied to the wafer or the like to perform a drying process. An apparatus that loads from the front side of the apparatus in a cassette-less manner is also known (see, for example, Patent Documents 6 and 7).

また、別の処理装置として、複数の上部開放の処理室(カップ)を備えた枚葉式スピン処理装置も知られている(例えば、特許文献8参照)。
米国特許第4300581号明細書 米国特許第5221360号明細書 米国特許第5022419号明細書 米国特許第5095927号明細書 米国特許第5154199号明細書 米国特許第5678320号明細書 米国特許第5784797号明細書 実公平4−34902号公報
Further, as another processing apparatus, a single-wafer type spin processing apparatus including a plurality of upper-open processing chambers (cups) is also known (for example, see Patent Document 8).
US Patent No. 4300581 US Pat. No. 5,221,360 US Pat. No. 5,024,419 US Pat. No. 5,095,927 US Pat. No. 5,154,199 US Pat. No. 5,678,320 US Pat. No. 5,784,797 Japanese Utility Model Publication No. 4-34902

しかしながら、上述のような洗浄・乾燥処理装置においては、一つの処理室内において、洗浄処理と乾燥処理を行うため、乾燥処理の際に洗浄処理に使用された洗浄液が残存して、乾燥処理に支障をきたすばかりか、乾燥処理中の雰囲気を乱すという問題があった。この問題は、一種類の洗浄液を使用する場合も問題は起こるが、特に、異なる種類の処理流体を用いて洗浄処理を行う場合、例えばレジスト剥離液やポリマー除去液等の薬液,これら薬液の溶剤(例えばIPA:isopropyl alcohol),リンス液(例えば純水)等の処理液や、乾燥ガス(例えば窒素(N2)ガス等の不活性ガスや清浄空気)等の処理流体を用いて洗浄・乾燥処理する場合、あるいは、酸性の洗浄液(例えばSPM),純水,アルカリ性の洗浄液(例えばAPM)を順次供給して洗浄処理するような場合には、異なる種類の薬液等の処理流体が反応して、クロスコンタミネーションが発生し、ウエハ等が汚染される虞れがある。   However, in the cleaning / drying processing apparatus as described above, since the cleaning process and the drying process are performed in one processing chamber, the cleaning liquid used for the cleaning process remains during the drying process, which hinders the drying process. As a result, there was a problem that the atmosphere during the drying process was disturbed. This problem also arises when one type of cleaning liquid is used. In particular, when a cleaning process is performed using a different type of processing fluid, for example, a chemical solution such as a resist stripping solution or a polymer removing solution, or a solvent for these chemical solutions. (For example, IPA: isopropyl alcohol), a rinsing liquid (for example, pure water) or a processing fluid such as a drying gas (for example, an inert gas such as nitrogen (N2) gas or clean air) is used for cleaning and drying processing. Or when a cleaning process is performed by sequentially supplying an acidic cleaning liquid (for example, SPM), pure water, and an alkaline cleaning liquid (for example, APM), processing fluids such as different types of chemicals react, There is a risk of cross contamination and contamination of the wafer and the like.

上記問題を解決する方法として、処理流体の種類に応じて別々の処理室に搬送して処理を施すことが考えられるが、このような方法では、処理効率が低下するという問題があり、また、装置の大型化を招くという問題もある。   As a method of solving the above problem, it is conceivable to carry out the treatment by transferring it to different treatment chambers depending on the type of the treatment fluid, but in such a method, there is a problem that the treatment efficiency is lowered, There is also a problem that the size of the apparatus is increased.

また、実公平4−34902号公報に記載の枚葉式スピン処理装置においては、複数の処理室(カップ)を有するため、異なる種類の薬液等の処理流体が反応するのをある程度は阻止できるが、上部開放のカップを用いるため、被処理体であるウエハ等の汚染を十分に防止することができないという問題があった。   In addition, the single wafer spin processing apparatus described in Japanese Utility Model Publication No. 4-34902 has a plurality of processing chambers (cups), so that it can prevent the processing fluids such as different types of chemical solutions from reacting to some extent. In addition, since the upper open cup is used, there is a problem that contamination of a wafer or the like to be processed cannot be sufficiently prevented.

この発明は上記事情に鑑みなされたもので、異なる種類の処理流体の反応による被処理体の汚染を防止すると共に、処理効率の向上を図れるようにし、かつ装置の小型化を図れるようにした処理装置を提供することを目的とするものである。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is possible to prevent contamination of an object to be processed due to reaction of different types of processing fluids, improve processing efficiency, and reduce the size of the apparatus. The object is to provide an apparatus.

上記目的を達成するために、請求項1記載の発明は、被処理体を保持する保持手段と、上記保持手段を回転駆動する駆動手段と、上記保持手段にて保持された被処理体を包囲可能な複数の処理室と、上記被処理体に対して処理流体を供給する処理流体供給手段と、上記複数の処理室のうちの少なくとも一つの処理室を、上記被処理体に対して相対的に移動するための移動手段と、を具備し、上記保持手段は、被処理体の処理面が鉛直になるように被処理体を回転可能に保持し、上記駆動手段によって水平軸を中心として回転駆動され、上記処理室の一部を筒体にて形成すると共に、筒体の一端に向かって拡開するテーパ状に形成し、上記筒体の拡開側端部に、処理流体の排液ポート及び排気ポートを設けたことを特徴とする。この場合、上記排液ポートを上記筒体の拡開側端部の下部に設け、上記排気ポートを上記筒体の拡開側端部の上部に設ける方が好ましい(請求項2)。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 surrounds the object to be processed held by the holding means , a driving means for rotationally driving the holding means, and the object to be processed held by the holding means. A plurality of possible processing chambers, a processing fluid supply means for supplying a processing fluid to the object to be processed, and at least one of the plurality of processing chambers relative to the object to be processed. Moving means, and the holding means rotatably holds the object to be processed so that the processing surface of the object to be processed is vertical, and is rotated about a horizontal axis by the driving means. It is driven, thereby forming a part of the processing chamber at the cylindrical body, toward one end of the cylindrical body is formed in a tapered shape expanding to the expanded end of the cylindrical body, the treatment fluid drainage A port and an exhaust port are provided. In this case, it is preferable that the drainage port is provided at the lower part of the expansion side end of the cylindrical body, and the exhaust port is provided at the upper part of the expansion side end of the cylindrical body.

上記のように構成することにより、保持手段によって保持される複数の被処理体を、複数の処理室内で処理流体を供給して処理することができるので、異なる処理流体によって被処理体が汚染されるのを防止することができる。また、処理室の一部を形成する筒体のテーパ状部と、回転する保持手段によって発生する気流によって、処理室内壁に付着する液を効率よく拡開側へ移動して排出することができる。   By configuring as described above, the plurality of objects to be processed held by the holding means can be processed by supplying the processing fluid in the plurality of processing chambers, so that the objects to be processed are contaminated by different processing fluids. Can be prevented. Moreover, the liquid adhering to the processing chamber wall can be efficiently moved to the expansion side and discharged by the tapered portion of the cylinder forming a part of the processing chamber and the air flow generated by the rotating holding means. .

請求項記載の発明は、請求項1又は2記載の処理装置において、上記処理室は、被処理体を密封状態に包囲可能に形成されることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the processing apparatus according to the first or second aspect , the processing chamber is formed so as to be able to surround the object to be processed in a sealed state.

このように構成することにより、被処理体に外部の雰囲気が接触するのを防止することができるので、被処理体の汚染を更に確実に防止することができる。   With such a configuration, it is possible to prevent an external atmosphere from coming into contact with the object to be processed, and thus it is possible to more reliably prevent the object to be processed from being contaminated.

請求項4記載の発明は、請求項1ないし3のいずれかに記載の処理装置において、上記処理流体が処理液であることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the processing apparatus according to any one of the first to third aspects, the processing fluid is a processing liquid.

請求項記載の発明は、請求項1ないしのいずれかに記載の処理装置において、上記移動手段は、被処理体を包囲する包囲位置と、この包囲位置とは異なる待機位置との間で処理室を移動することを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, in the processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the moving means includes a surrounding position that surrounds the object to be processed and a standby position that is different from the surrounding position. It is characterized by moving in the processing chamber.

このように構成することにより、被処理体の移動による振動を防止することができ、被処理体へのダメージ等を少なくすることができる。   With this configuration, vibration due to movement of the object to be processed can be prevented, and damage to the object to be processed can be reduced.

請求項記載の発明は、請求項1ないしのいずれかに記載の処理装置において、上記移動手段は、複数の処理室を同一軸線上に移動することを特徴とする。 According to a sixth aspect of the present invention, in the processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, the moving means moves a plurality of processing chambers on the same axis.

このように構成することにより、処理室の設置スペースを少なくすることができると共に、装置の小型化が図れる。   With this configuration, the installation space for the processing chamber can be reduced and the apparatus can be downsized.

請求項記載の発明は、請求項1ないしのいずれかに記載の処理装置において、上記複数の処理室のうちの少なくとも一つの処理室を、他の処理室を包囲し得るように出没及び重合可能に形成してなることを特徴とする。 According to a seventh aspect of the present invention, in the processing apparatus according to any one of the first to sixth aspects, the at least one processing chamber of the plurality of processing chambers is projected and retracted so as to surround another processing chamber. It is formed to be polymerizable.

このように構成することにより、上記請求項7記載の発明と同様に、処理室の設置スペースを少なくすることができると共に、装置の小型化が図れる。   With this configuration, the installation space for the processing chamber can be reduced and the apparatus can be miniaturized as in the case of the seventh aspect of the invention.

請求項記載の発明は、請求項1ないしのいずれかに記載の処理装置において、上記処理流体供給手段は、処理室内において、被処理体に対して薬液と、この薬液の溶剤、リンス液及び乾燥流体のうちの少なくとも一つを供給可能な処理流体供給ノズルを具備することを特徴とする。 According to an eighth aspect of the present invention, in the processing apparatus according to any one of the first to seventh aspects, the processing fluid supply means includes a chemical solution for the object to be processed, a solvent for the chemical solution, and a rinse solution in the processing chamber And a processing fluid supply nozzle capable of supplying at least one of the drying fluid.

このように構成することにより、複数の処理流体を共用のノズルにて供給することができるので、ノズルの数を低減することができると共に、処理室及び装置全体を小型にすることができる。   With this configuration, a plurality of processing fluids can be supplied by a common nozzle, so that the number of nozzles can be reduced and the processing chamber and the entire apparatus can be downsized.

請求項記載の発明は、請求項1ないしのいずれかに記載の処理装置において、上記処理室の内面に、フッ素樹脂からなる断熱被膜を形成してなることを特徴とする。 According to a ninth aspect of the present invention, in the processing apparatus according to any one of the first to eighth aspects, a heat insulating coating made of a fluororesin is formed on the inner surface of the processing chamber.

請求項10記載の発明は、請求項1ないしのいずれかに記載の処理装置において、上記処理室を構成する筒体は、フッ素樹脂からなることを特徴とする。 According to a tenth aspect of the present invention, in the processing apparatus according to any one of the first to ninth aspects, the cylindrical body constituting the processing chamber is made of a fluororesin.

請求項9,10記載の発明によれば、処理室内で高温処理を行う場合、処理室を構成する筒体等からの熱の放出を防止することができる。したがって、再度高温処理を行う場合、再加熱が容易となり、温度損失を削減することができる。 According to the ninth and tenth aspects of the present invention, when high temperature processing is performed in the processing chamber, it is possible to prevent heat from being released from the cylindrical body or the like constituting the processing chamber. Therefore, when high temperature treatment is performed again, reheating is facilitated and temperature loss can be reduced.

以上に説明したように、この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。   As described above, according to the present invention, since it is configured as described above, the following effects can be obtained.

1)請求項1,2,4記載の発明によれば、異なる処理流体によって被処理体が汚染されるのを防止することができる他、処理室の一部を形成する筒体のテーパ状部と、回転する保持手段によって発生する気流によって、処理室内壁に付着する液を効率よく拡開側へ移動して排出することができるので、処理効率を更に向上することができる。 1) According to the first, second, and fourth aspects of the invention, the object to be processed can be prevented from being contaminated by different processing fluids, and the tapered portion of the cylindrical body that forms a part of the processing chamber Since the liquid adhering to the processing chamber wall can be efficiently moved to the expansion side and discharged by the air flow generated by the rotating holding means, the processing efficiency can be further improved.

2)請求項記載の発明によれば、被処理体に外部の雰囲気が接触するのを防止することができるので、被処理体の汚染を更に確実に防止することができる。 2) According to the invention described in claim 3, since it is possible to prevent the external atmosphere from coming into contact with the object to be processed, contamination of the object to be processed can be further reliably prevented.

3)請求項記載の発明によれば、被処理体の移動による振動を防止することができ、被処理体へのダメージ等を少なくすることができる。 3) According to the invention described in claim 5, it is possible to prevent vibration due to movement of the object to be processed, and to reduce damage to the object to be processed.

4)請求項記載の発明によれば、処理室の設置スペースを少なくすることができると共に、装置の小型化が図れる。 4) According to the invention described in claim 6 , the installation space of the processing chamber can be reduced and the apparatus can be miniaturized.

5)請求項記載の発明によれば、上記請求項記載の発明と同様に、処理室の設置スペースを少なくすることができると共に、装置の小型化が図れる。 5) According to the invention of claim 7, wherein, in the same manner as the invention of the sixth aspect, it is possible to reduce the installation space of the processing chamber, it can be miniaturized devices.

6)請求項記載の発明によれば、複数の処理流体を共用のノズルにて供給することができるので、ノズルの数を低減することができると共に、処理室及び装置全体を小型にすることができる。 6) According to the invention of claim 8, it is possible to supply a plurality of process fluid in common of the nozzle, it is possible to reduce the number of nozzles, to compact the entire processing chamber and apparatus Can do.

7)請求項9,10記載の発明によれば、処理室内で高温処理を行う場合、処理室を構成する筒体等からの熱の放出を防止することができるので、再度高温処理を行う場合、再加熱が容易となり、温度損失を削減することができる。
7) According to the ninth and tenth aspects of the present invention, when high temperature processing is performed in the processing chamber, heat can be prevented from being released from the cylindrical body constituting the processing chamber, so that high temperature processing is performed again. Reheating becomes easy and temperature loss can be reduced.

以下に、この発明の最良の実施形態について、添付図面に基づいて詳細に説明する。   DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the best embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

この実施形態では半導体ウエハの洗浄・乾燥処理装置に適用した場合について説明する。   In this embodiment, a case where the present invention is applied to a semiconductor wafer cleaning / drying processing apparatus will be described.

図1はこの発明に係る処理装置を適用した洗浄・乾燥処理システムの一例を示す概略平面図である。   FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of a cleaning / drying processing system to which a processing apparatus according to the present invention is applied.

上記洗浄・乾燥処理システムは、被処理体である半導体ウエハW(以下にウエハWという)の複数枚例えば25枚を水平状態に収納する容器例えばキャリア1を搬入、搬出するための搬入・搬出部2と、ウエハWを液処理すると共に乾燥処理する処理部3と、搬入・搬出部2と処理部3との間に位置してウエハWの受渡し、位置調整及び姿勢変換等を行うインターフェース部4とで主に構成されている。なお、搬入・搬出部2とインターフェース部4の側方には、空のキャリア1を一時収納するキャリアストック5と、キャリア1をクリーニングするキャリアクリーナ6が配設されている。   The cleaning / drying processing system includes a loading / unloading unit for loading and unloading a container, for example, a carrier 1, which horizontally stores a plurality of, for example, 25, wafers W (hereinafter referred to as “wafers W”) as processing objects. 2, a processing unit 3 that liquid-processes and dry-processes the wafer W, and an interface unit 4 that is positioned between the loading / unloading unit 2 and the processing unit 3 and that transfers the wafer W, adjusts its position, changes its posture, and the like. And is mainly composed. A carrier stock 5 for temporarily storing an empty carrier 1 and a carrier cleaner 6 for cleaning the carrier 1 are disposed beside the loading / unloading unit 2 and the interface unit 4.

上記搬入・搬出部2は、洗浄・乾燥処理装置の一側端部に配置されており、キャリア搬入部2aとキャリア搬出部2bが併設されている。   The carry-in / carry-out unit 2 is disposed at one end of the cleaning / drying apparatus, and is provided with a carrier carry-in unit 2a and a carrier carry-out unit 2b.

上記インターフェース部4には、キャリア載置台7が配置されており、このキャリア載置台7と、搬入・搬出部2との間には、キャリア搬入部2aから受け取ったキャリア1をキャリア載置台7又はキャリアストック5上に搬送し、キャリア載置台7上のキャリア1をキャリア搬出部2b又はキャリアストック5へ搬送するキャリア搬送手段8が配設されている。また、インターフェース部4には、処理部3と連なる搬送路9が設けられており、この搬送路9にウエハ搬送手段例えばウエハ搬送チャック10が移動自在に配設されている。このウエハ搬送チャック10は、キャリア載置台7上のキャリア1内から未処理のウエハWを受け取った後、処理部3に搬送し、処理部3にて処理された処理済みのウエハWをキャリア1内に搬入し得るように構成されている。   The interface unit 4 is provided with a carrier mounting table 7. Between the carrier mounting table 7 and the carry-in / carry-out unit 2, the carrier 1 received from the carrier carry-in unit 2 a Carrier conveying means 8 for conveying the carrier 1 on the carrier stock 5 and conveying the carrier 1 on the carrier mounting table 7 to the carrier carry-out portion 2b or the carrier stock 5 is provided. Further, the interface section 4 is provided with a transfer path 9 connected to the processing section 3, and a wafer transfer means such as a wafer transfer chuck 10 is movably disposed in the transfer path 9. The wafer transfer chuck 10 receives an unprocessed wafer W from the inside of the carrier 1 on the carrier mounting table 7 and then transfers the processed wafer W to the processing unit 3. The processed wafer W processed by the processing unit 3 is transferred to the carrier 1. It is comprised so that it can carry in.

一方、上記処理部3には、ウエハWに付着するレジストやポリマ等を除去するこの発明に係る処理装置20が配設されている。以下に、この発明に係る処理装置について詳細に説明する。   On the other hand, the processing unit 3 is provided with a processing apparatus 20 according to the present invention for removing resist, polymer, and the like attached to the wafer W. The processing apparatus according to the present invention will be described in detail below.

上記処理装置20は、図2に示すように、ウエハWを保持する回転可能な保持手段例えばロータ21と、このロータ21を水平軸を中心として回転駆動する駆動手段であるモータ22と、ロータ21にて保持されたウエハWを包囲する複数例えば2つの処理室(第1の処理室,第2の処理室)である内チャンバ23,外チャンバ24と、これら内チャンバ23又は外チャンバ24内に収容されたウエハWに対して処理流体例えばレジスト剥離液,ポリマ除去液等の薬液の供給手段50、この薬液の溶剤例えばイソプロピルアルコール(IPA)の供給手段60、リンス液例えば純水等の処理液の供給手段(リンス液供給手段)70又は例えば窒素(N2)等の不活性ガスや清浄空気等の乾燥気体(乾燥流体)の供給手段80{図1では薬液供給手段50と乾燥流体供給手段80を示す。}と、内チャンバ23を構成する内筒体25と外チャンバ24を構成する外筒体26をそれぞれウエハWの包囲位置とウエハWの包囲位置から離れた待機位置に切り換え移動する移動手段例えば第1,第2のシリンダ27,28及びウエハWを上記ウエハ搬送チャック10から受け取ってロータ21に受け渡すと共に、ロータ21から受け取ってウエハ搬送チャック10に受け渡す被処理体受渡手段例えばウエハ受渡ハンド29とで主要部が構成されている。   As shown in FIG. 2, the processing apparatus 20 includes a rotatable holding means for holding the wafer W, for example, a rotor 21, a motor 22 that is a driving means for rotating the rotor 21 around a horizontal axis, and a rotor 21. A plurality of, for example, two processing chambers (first processing chamber, second processing chamber) that surround the wafer W held by the inner chamber 23 and the outer chamber 24, and the inner chamber 23 or the outer chamber 24. A supply means 50 for a processing fluid such as a resist stripping solution and a polymer removal liquid, a supply means 60 for a solvent such as isopropyl alcohol (IPA), and a processing liquid such as a rinsing liquid such as pure water. Supply means 70 (rinse liquid supply means) 70 or dry gas (dry fluid) supply means 80 such as nitrogen (N 2) or an inert gas such as nitrogen (N 2). Means 50 and dry fluid supply means 80 are shown. }, And a moving means for switching the inner cylinder 25 constituting the inner chamber 23 and the outer cylinder 26 constituting the outer chamber 24 to an enclosing position of the wafer W and a standby position away from the enclosing position of the wafer W, for example, The first and second cylinders 27 and 28 and the wafer W are received from the wafer transfer chuck 10 and transferred to the rotor 21, and are also received from the rotor 21 and transferred to the wafer transfer chuck 10. And the main part is composed.

上記のように構成される処理装置20におけるモータ22、処理流体の各供給手段50,60,70,80{図1では薬液供給手段50と乾燥流体供給手段80を示す。}の供給部、ウエハ受渡ハンド29等は制御手段例えば中央演算処理装置30(以下にCPU30という)によって制御されている。   The motor 22 and the processing fluid supply means 50, 60, 70, 80 in the processing apparatus 20 configured as described above (in FIG. 1, the chemical solution supply means 50 and the dry fluid supply means 80 are shown. }, The wafer delivery hand 29 and the like are controlled by a control means such as a central processing unit 30 (hereinafter referred to as CPU 30).

また、図3に示すように、上記ロータ21は、水平に配設されるモータ22の駆動軸22aに片持ち状に連結されて、ウエハWの処理面が鉛直になるように保持し、水平軸を中心として回転可能に形成されている。この場合、ロータ21は、モータ22の駆動軸22aにカップリング22bを介して連結される回転軸21Aを有する第1の回転板21aと、この第1の回転板21aと対峙する第2の回転板21bと、第1及び第2の回転板21a,21b間に架設される複数例えば4本の固定保持棒31と、これら固定保持棒31に列設された保持溝31a(図10参照)によって保持されたウエハWの上部を押さえる図示しないロック手段及びロック解除手段によって押え位置と非押え位置とに切換移動する一対の押え棒32とで構成されている。また、ロータ21の回転軸21Aは、ベアリング33を介して第1の固定壁34に回転可能に支持されており、第1の固定壁側のベアリング33に連接するラビリンスシール35によってモータ22側に発生するパーティクル等が処理室内に侵入しないように構成されている(図3参照)。なお、モータ22は、第1の固定壁34に連設される固定筒体36内に収納されている。また、モータ22は、予めCPU30に記憶されたプログラムに基づいて所定の高速回転例えば100〜3000rpmと低速回転例えば1〜500rpmを選択的に繰り返し行い得るように制御されている。なお、この場合、低速回転の回転数と高速回転の回転数の一部が重複しているが、薬液の粘性に対応して低速回転と高速回転が設定され、同一の薬液の場合には、低速回転と高速回転とは重複しない(以下の説明も同様である)。ここでいう低速回転とは、ウエハW上に接触した薬液を遠心力で振り切るときの回転数に比較して低速という意味で、逆に高速回転とは、供給された薬液がウエハW上で十分に反応できる程度に接触可能な回転数に比較して高速という意味である。   Further, as shown in FIG. 3, the rotor 21 is connected to a drive shaft 22a of a horizontally arranged motor 22 in a cantilevered manner, and holds the wafer W so that the processing surface is vertical, and is horizontal. It is formed to be rotatable around an axis. In this case, the rotor 21 includes a first rotating plate 21a having a rotating shaft 21A coupled to the drive shaft 22a of the motor 22 via a coupling 22b, and a second rotation facing the first rotating plate 21a. A plate 21b, a plurality of, for example, four fixed holding rods 31 installed between the first and second rotating plates 21a and 21b, and holding grooves 31a arranged on the fixed holding rods 31 (see FIG. 10). It is composed of a pair of presser bars 32 which are switched between a presser position and a non-presser position by a lock means (not shown) and a lock release means (not shown) for pressing the upper portion of the held wafer W. The rotating shaft 21A of the rotor 21 is rotatably supported by the first fixed wall 34 via a bearing 33, and is moved to the motor 22 side by a labyrinth seal 35 connected to the bearing 33 on the first fixed wall side. The generated particles or the like are configured not to enter the processing chamber (see FIG. 3). The motor 22 is housed in a fixed cylinder 36 that is connected to the first fixed wall 34. The motor 22 is controlled so as to be able to selectively and repeatedly perform a predetermined high speed rotation, for example, 100 to 3000 rpm and a low speed rotation, for example, 1 to 500 rpm, based on a program stored in the CPU 30 in advance. In this case, the rotation speed of the low-speed rotation and a part of the rotation speed of the high-speed rotation overlap, but the low-speed rotation and the high-speed rotation are set corresponding to the viscosity of the chemical solution. Low-speed rotation and high-speed rotation do not overlap (the same applies to the following description). The low-speed rotation here means a low speed compared with the rotation speed when the chemical solution that has contacted the wafer W is shaken off by centrifugal force. Conversely, the high-speed rotation means that the supplied chemical solution is sufficient on the wafer W. This means that the rotation speed is higher than the rotation speed that can be contacted to such an extent that it can react to the above.

したがって、モータ22は高速回転と低速回転との切り換えが何回も行われることによって過熱される虞があるので、モータ22には、過熱を抑制するための冷却手段37が設けられている。この冷却手段37は、図2に示すように、モータ22の周囲に配管される循環式冷却パイプ37aと、この冷却パイプ37aの一部と冷却水供給パイプ37bの一部を配設して、冷却パイプ37a内に封入される冷媒液を冷却する熱交換器37cとで構成されている。この場合、冷媒液は、万一漏洩してもモータ22が漏電しないような電気絶縁性でかつ熱伝導性の良好な液、例えばエチレングリコールが使用されている。また、この冷却手段37は、図示しない温度センサによって検出された信号に基づいて作動し得るように上記CPU30によって制御されている。なお、冷却手段37は必ずしも上記のような構造である必要はなく、例えば空冷式あるいはペルチェ素子を用いた電気式等任意のものを使用することができる。   Therefore, since the motor 22 may be overheated by switching between high speed rotation and low speed rotation many times, the motor 22 is provided with a cooling means 37 for suppressing overheating. As shown in FIG. 2, the cooling means 37 is provided with a circulating cooling pipe 37a piped around the motor 22, a part of the cooling pipe 37a and a part of the cooling water supply pipe 37b. The heat exchanger 37c cools the refrigerant liquid sealed in the cooling pipe 37a. In this case, as the refrigerant liquid, an electrically insulating and heat conductive liquid such as ethylene glycol is used so that the motor 22 does not leak even if it leaks. The cooling means 37 is controlled by the CPU 30 so that it can operate based on a signal detected by a temperature sensor (not shown). The cooling means 37 does not necessarily have the structure as described above. For example, an air cooling type or an electric type using a Peltier element can be used.

一方、処理室例えば内チャンバ23(第1の処理室)は、第1の固定壁34と、この第1の固定壁34と対峙する第2の固定壁38と、これら第1の固定壁34及び第2の固定壁38との間にそれぞれ第1及び第2のシール部材40a,40bを介して係合する内筒体25とで形成されている。すなわち、内筒体25は、移動手段である第1のシリンダ27の伸張動作によってロータ21と共にウエハWを包囲する位置まで移動されて、第1の固定壁34との間に第1のシール部材40aを介してシールされると共に、第2の固定壁38との間に第2のシール部材40bを介してシールされた状態で内チャンバ23(第1の処理室)を形成する(図3及び図6参照)。また、第1のシリンダ27の収縮動作によって固定筒体36の外周側位置(待機位置)に移動されるように構成されている(図4、図5及び図7参照)。この場合、内筒体25の先端開口部は第1の固定壁34との間に第1のシール部材40aを介してシールされ、内筒体25の基端部は固定筒体36の中間部に周設された第3のシール部材40cを介してシールされて、内チャンバ23内に残存する薬液の雰囲気が外部に漏洩するのを防止している。   On the other hand, the processing chamber, for example, the inner chamber 23 (first processing chamber) includes a first fixed wall 34, a second fixed wall 38 that faces the first fixed wall 34, and the first fixed wall 34. And the inner cylinder 25 that engages with the second fixed wall 38 via the first and second seal members 40a and 40b, respectively. That is, the inner cylinder 25 is moved to a position surrounding the wafer W together with the rotor 21 by the extension operation of the first cylinder 27 as a moving means, and the first seal member is interposed between the inner cylinder 25 and the first fixed wall 34. The inner chamber 23 (first processing chamber) is formed in a state of being sealed via the second sealing wall 40b and sealed with the second fixed wall 38 (see FIG. 3 and FIG. 3). (See FIG. 6). Further, the first cylinder 27 is configured to be moved to the outer peripheral side position (standby position) of the fixed cylinder 36 by the contraction operation (see FIGS. 4, 5, and 7). In this case, the distal end opening of the inner cylinder 25 is sealed with the first fixed wall 34 via the first seal member 40 a, and the base end of the inner cylinder 25 is an intermediate part of the fixed cylinder 36. The atmosphere of the chemical liquid remaining in the inner chamber 23 is prevented from leaking to the outside by being sealed through a third seal member 40c provided around the inner wall.

また、外チャンバ24(第2の処理室)は、待機位置に移動された内筒体25との間にシール部材40bを介在する第1の固定壁34と、第2の固定壁38と、第2の固定壁38と内筒体25との間にそれぞれ第4及び第5のシール部材40d,40eを介して係合する外筒体26とで形成されている。すなわち、外筒体26は、移動手段である第2のシリンダ28の伸張動作によってロータ21と共にウエハWを包囲する位置まで移動されて、第2の固定壁38との間に第4のシール部材40dを介してシールされると共に、内筒体25の先端部外方に位置する第5のシール部材40eを介してシールされた状態で、外チャンバ24(第2の処理室)を形成する(図7参照)。また、第2のシリンダ28の収縮動作によって固定筒体36の外周側位置(待機位置)に移動されるように構成されている(図4及び図5参照)。この場合、外筒体26と内筒体25の基端部間には第5のシール部材40eが介在されて、シールされている。したがって、内チャンバ23の内側雰囲気と、外チャンバ24の内側雰囲気とは、互いに気水密な状態に離隔されるので、両チャンバ23,24内の雰囲気が混じることなく、異なる処理流体が反応して生じるクロスコンタミネーションを防止することができる。   Further, the outer chamber 24 (second processing chamber) includes a first fixed wall 34 with a seal member 40b interposed between the inner cylinder 25 moved to the standby position, a second fixed wall 38, The outer cylinder body 26 is formed between the second fixed wall 38 and the inner cylinder body 25 through the fourth and fifth seal members 40d and 40e. That is, the outer cylinder 26 is moved to a position surrounding the wafer W together with the rotor 21 by the extension operation of the second cylinder 28 as a moving means, and the fourth seal member is interposed between the outer cylinder 26 and the second fixed wall 38. The outer chamber 24 (second processing chamber) is formed in a state of being sealed through the fifth seal member 40e located outside the tip end portion of the inner cylinder 25 while being sealed through the 40d. (See FIG. 7). Further, the second cylinder 28 is configured to be moved to the outer peripheral side position (standby position) of the fixed cylinder 36 by the contraction operation of the second cylinder 28 (see FIGS. 4 and 5). In this case, a fifth seal member 40e is interposed between the base end portions of the outer cylinder body 26 and the inner cylinder body 25 and sealed. Accordingly, since the inner atmosphere of the inner chamber 23 and the inner atmosphere of the outer chamber 24 are separated from each other in a gas-watertight state, different processing fluids react without the atmosphere in both the chambers 23 and 24 being mixed. Cross contamination that occurs can be prevented.

なお、上記第1ないし第5のシール部材40a〜40eは、シールする対象物の一方に膨隆可能に装着される例えば合成ゴム製の中空パッキン内に圧縮空気を封入するシール機構にて形成されている。   The first to fifth sealing members 40a to 40e are formed by a sealing mechanism that encloses compressed air in, for example, a synthetic rubber hollow packing that is swellably attached to one of the objects to be sealed. Yes.

上記のように構成される内筒体25と外筒体26は共に先端に向かって拡開するテーパ状に形成されており、図9及び図10に示すように、同一水平線上に対峙する第1の固定壁34、第2の固定壁38及び装置側壁39に架設された互いに平行な複数(図面では3本の場合を示す。)のガイドレール39Aに沿って摺動可能に取り付けられており、上記第1及び第2のシリンダ27,28の伸縮動作によって同心上に互いに出没可能及び重合可能に形成されている。このように内筒体25及び外筒体26を、一端に向かって拡開するテーパ状に形成することにより、処理時に内筒体25又は外筒体26内でロータ21が回転されたときに発生する気流が拡開側へ渦巻き状に流れ、内部の薬液等が拡開側へ排出し易くすることができる。また、内筒体25と外筒体26とを同一軸線上に重合する構造とすることにより、内筒体25と外筒体26及び内チャンバ23及び外チャンバ24の設置スペースを少なくすることができると共に、装置の小型化が図れる。   Both the inner cylinder body 25 and the outer cylinder body 26 configured as described above are formed in a tapered shape that expands toward the tip, and as shown in FIGS. 9 and 10, the first and second cylinder bodies face each other on the same horizontal line. It is slidably mounted along a plurality of parallel guide rails 39A (three cases are shown in the drawing) installed on one fixed wall 34, second fixed wall 38 and apparatus side wall 39. The first and second cylinders 27 and 28 are formed to be concentrically movable and superposed on each other by the expansion and contraction operations of the first and second cylinders 27 and 28. Thus, when the inner cylinder 25 and the outer cylinder 26 are formed in a tapered shape that expands toward one end, the rotor 21 is rotated in the inner cylinder 25 or the outer cylinder 26 during processing. The generated airflow flows spirally to the expansion side, and the internal chemicals can be easily discharged to the expansion side. In addition, by setting the inner cylinder body 25 and the outer cylinder body 26 to be superposed on the same axis, the installation space for the inner cylinder body 25, the outer cylinder body 26, the inner chamber 23, and the outer chamber 24 can be reduced. In addition, the apparatus can be miniaturized.

上記内筒体25及び外筒体26はステンレス鋼にて形成されている。また、内筒体25の外周面には例えばポリテトラフルオロエチレン(テフロン)等の断熱層が形成されており、この断熱層によって内チャンバ23内で処理に供される薬液及び薬液の蒸気が冷えるのを防止し得るように構成されている。   The inner cylinder 25 and the outer cylinder 26 are made of stainless steel. Further, a heat insulating layer such as polytetrafluoroethylene (Teflon) is formed on the outer peripheral surface of the inner cylindrical body 25, and the chemical solution and the vapor of the chemical solution used for processing in the inner chamber 23 are cooled by the heat insulating layer. It is comprised so that it can prevent.

一方、上記処理流体供給手段のうち、薬液例えばポリマ除去液の供給手段50は、図2、図3及び図8に示すように、内筒体25内に取り付けられる薬液供給ノズル51と、薬液供給部52と、この薬液供給ノズル51と薬液供給部52とを接続する薬液供給管路53に介設されるポンプ54、フィルタ55、温度調整器56、薬液供給弁57を具備してなる。この場合、薬液供給部52は、薬液供給源58と、この薬液供給源58から供給される新規の薬液を貯留する薬液供給タンク52aと、処理に供された薬液を貯留する循環供給タンク52bとで構成されており、両薬液供給タンク52a,52bには、上記内チャンバ23の拡開側部位の下部に設けられた第1の排液ポート41に第1の排液管42が接続され、第1の排液管42には、図示しない切換弁(切換手段)を介して循環管路90が接続されている。なお、内チャンバ23の拡開側部位の上部には、第1の排気ポート43が設けられており、この第1の排気ポート43には、図示しない開閉弁を介設した第1の排気管44が接続されている。また、両供給タンク52a,52bの外部には温度調整用ヒータ52cが配設されて、供給タンク52a,52b内の薬液が所定の温度に維持されるようになっている。また、薬液供給ノズル51は、ロータ21にて保持された複数例えば25枚のウエハW全体に均一に薬液を供給し得るように、最側端のウエハWの外方及び各ウエハW間に位置する26個のノズル孔(図示せず)を有するシャワーノズルにて形成されており、かつ各ノズル孔から薬液が略扇形状に噴射されるように構成されている。したがって、薬液供給ノズル51のノズル孔から、ロータ21と共に回転するウエハに向かって薬液を供給することにより、ロータ21に保持された複数例えば25枚のウエハWに均一に薬液を供給することができる。なお、ウエハWの表面側のみ薬液を供給する場合は25個のノズル孔でもよい。ここで、ロータ21には25枚のウエハWがキャリア1に収納されていた時と同じ間隔で保持されている場合を説明したが、キャリア収納時の間隔の半分で例えば50枚をロータ21に保持させることもある。この場合は、ノズル孔は51個又は50個となる。   On the other hand, among the processing fluid supply means, a chemical solution, for example, a polymer removal liquid supply means 50 includes a chemical liquid supply nozzle 51 mounted in the inner cylinder 25 and a chemical liquid supply, as shown in FIGS. And a pump 54, a filter 55, a temperature regulator 56, and a chemical solution supply valve 57 interposed in a chemical solution supply line 53 connecting the chemical solution supply nozzle 51 and the chemical solution supply unit 52. In this case, the chemical supply unit 52 includes a chemical supply source 58, a chemical supply tank 52a for storing a new chemical supplied from the chemical supply source 58, and a circulation supply tank 52b for storing a chemical supplied for processing. The first liquid drain pipe 42 is connected to the first liquid drain port 41 provided at the lower part of the expansion side portion of the inner chamber 23 in both the chemical liquid supply tanks 52a and 52b, A circulation line 90 is connected to the first drain pipe 42 via a switching valve (switching means) not shown. A first exhaust port 43 is provided at the upper part of the expansion side portion of the inner chamber 23. The first exhaust port 43 has a first exhaust pipe provided with an opening / closing valve (not shown). 44 is connected. In addition, a temperature adjusting heater 52c is disposed outside the supply tanks 52a and 52b so that the chemical solution in the supply tanks 52a and 52b is maintained at a predetermined temperature. Further, the chemical solution supply nozzle 51 is positioned outside the outermost wafer W and between the wafers W so that the chemical solution can be uniformly supplied to a plurality of, for example, 25 wafers W held by the rotor 21. The nozzle is formed by a shower nozzle having 26 nozzle holes (not shown), and a chemical solution is ejected in a substantially fan shape from each nozzle hole. Accordingly, by supplying the chemical solution from the nozzle hole of the chemical solution supply nozzle 51 toward the wafer rotating with the rotor 21, the chemical solution can be uniformly supplied to a plurality of, for example, 25 wafers W held by the rotor 21. . In addition, when supplying a chemical | medical solution only to the surface side of the wafer W, 25 nozzle holes may be sufficient. Here, a case has been described in which the rotor 21 holds 25 wafers W at the same interval as when stored in the carrier 1. However, for example, 50 sheets are stored in the rotor 21 at half the interval during storage of the carrier. May be held. In this case, the number of nozzle holes is 51 or 50.

薬液の溶剤例えばIPAの供給手段60は、図8に示すように、内筒体25内に取り付けられる上記薬液供給ノズルを兼用する供給ノズル51(以下に薬液供給ノズル51で代表する)と、溶剤供給部61と、この供給ノズル51と薬液供給部52とを接続するIPA供給管路62に介設されるポンプ54A、フィルタ55A、IPA供給弁63を具備してなる。ここでいう薬液の溶剤とは薬液と反応することなく、その後の工程で使用されるリンス液とも反応することがない液体で、この薬液の溶剤により、ウエハWやチャンバに付着した薬液を大まかに洗い流すことができるものであればよい。この場合、溶剤供給部61は、溶剤例えばIPAの供給源64と、このIPA供給源64から供給される新規のIPAを貯留するIPA供給タンク61aと、処理に供されたIPAを貯留する循環供給タンク61bとで構成されており、両IPA供給タンク61a,61bには、上記内チャンバ23の拡開側部位の下部に設けられた第1の排液ポート41に接続する第1の排液管42に図示しない切換弁(切換手段)を介して循環管路90が接続されている。   As shown in FIG. 8, a chemical solution solvent, for example, IPA supply means 60 includes a supply nozzle 51 (which will be represented by the chemical solution supply nozzle 51 hereinafter) that also serves as the chemical solution supply nozzle mounted in the inner cylinder 25, and a solvent. A pump 54A, a filter 55A, and an IPA supply valve 63 are provided in the supply section 61 and an IPA supply pipe 62 connecting the supply nozzle 51 and the chemical solution supply section 52. The chemical solution solvent here is a liquid that does not react with the chemical solution and does not react with the rinsing liquid used in the subsequent process, and the chemical solution adhering to the wafer W or the chamber is roughly divided by the solvent of the chemical solution. Anything that can be washed away is acceptable. In this case, the solvent supply unit 61 includes a supply source 64 of a solvent, for example, IPA, an IPA supply tank 61a for storing new IPA supplied from the IPA supply source 64, and a circulation supply for storing IPA used for processing. The first drainage pipe connected to the first drainage port 41 provided in the lower part of the expansion side portion of the inner chamber 23 is formed in both the IPA supply tanks 61a and 61b. A circulation line 90 is connected to 42 through a switching valve (switching means) (not shown).

一方、リンス液例えば純水の供給手段70は、図2,図3及び図8に示すように、第2の固定壁38に取り付けられる純水供給ノズル71と、純水供給源72と、純水供給ノズル71と純水供給源72とを接続する純水供給管路73に介設される供給ポンプ74、純水供給弁75とを具備してなる。この場合、純水供給ノズル71は、内チャンバ23の外側に位置すると共に、外チャンバ24の内側に位置し得るように配設されており、内筒体25が待機位置に後退し、外筒体26がロータ21とウエハWを包囲する位置に移動して外チャンバ24を形成した際に、外チャンバ24内に位置して、ウエハWに対して純水を供給し得るように構成されている。   On the other hand, the rinsing liquid, for example, pure water supply means 70, as shown in FIGS. 2, 3, and 8, includes a pure water supply nozzle 71 attached to the second fixed wall 38, a pure water supply source 72, A supply pump 74 and a pure water supply valve 75 are provided in a pure water supply pipe 73 connecting the water supply nozzle 71 and the pure water supply source 72. In this case, the pure water supply nozzle 71 is disposed outside the inner chamber 23 and so as to be located inside the outer chamber 24, and the inner cylinder 25 moves backward to the standby position, and the outer cylinder When the body 26 moves to a position surrounding the rotor 21 and the wafer W to form the outer chamber 24, the body 26 is located in the outer chamber 24 and is configured to supply pure water to the wafer W. Yes.

また、外チャンバ24の拡開側部位の下部には、第2の排液ポート45が設けられており、この第2の排液ポート45には、図示しない開閉弁を介設した第2の排液管46が接続されている。なお、第2の排液管46には、純水の比抵抗値を検出する比抵抗計47が介設されており、この比抵抗計47によってリンス処理に供された純水の比抵抗値を検出し、その信号を上記CPU30に伝達するように構成されている。したがって、この比抵抗計47でリンス処理の状況を監視し、適正なリンス処理が行われた後、リンス処理を終了することができる。   Further, a second drain port 45 is provided at the lower part of the expansion side portion of the outer chamber 24, and the second drain port 45 is provided with a second drain valve that is not shown. A drain pipe 46 is connected. The second drain pipe 46 is provided with a specific resistance meter 47 for detecting the specific resistance value of pure water, and the specific resistance value of pure water subjected to rinsing treatment by the specific resistance meter 47. Is detected, and the signal is transmitted to the CPU 30. Therefore, the specific resistance meter 47 monitors the condition of the rinsing process, and after the appropriate rinsing process is performed, the rinsing process can be terminated.

なお、上記外チャンバ24の拡開側部位の上部には、第2の排気ポート48が設けられており、この第2の排気ポート48には、図示しない開閉弁を介設した第2の排気管49が接続されている。   A second exhaust port 48 is provided in the upper part of the expansion side portion of the outer chamber 24, and the second exhaust port 48 is provided with a second exhaust through an on-off valve (not shown). A tube 49 is connected.

また、乾燥流体供給手段80は、図2、図3及び図8に示すように、第2の固定壁38に取り付けられる乾燥流体供給ノズル81と、乾燥流体例えば窒素(N2)供給源82と、乾燥流体供給ノズル81とN2供給源82とを接続する乾燥流体供給管路83に介設される開閉弁84、フィルタ85、N2温度調整器86とを具備してなり、かつ乾燥流体供給管路83におけるN2温度調整器86の二次側に切換弁87を介して上記IPA供給管路62から分岐される分岐管路88を接続してなる。この場合、乾燥流体供給ノズル81は、上記純水供給ノズル71と同様に内チャンバ23の外側に位置すると共に、外チャンバ24の内側に位置し得るように配設されており、内筒体25が待機位置に後退し、外筒体26がロータ21とウエハWを包囲する位置に移動して外チャンバ24を形成した際に、外チャンバ24内に位置して、ウエハWに対してN2ガスとIPAの混合流体を霧状に供給し得るように構成されている。この場合、N2ガスとIPAの混合流体で乾燥した後に、更にN2ガスのみで乾燥する。なお、ここでは、乾燥流体がN2ガスとIPAの混合流体である場合について説明したが、この混合流体に代えてN2ガスのみを供給するようにしてもよい。   Further, as shown in FIGS. 2, 3 and 8, the drying fluid supply means 80 includes a drying fluid supply nozzle 81 attached to the second fixed wall 38, a drying fluid such as a nitrogen (N2) supply source 82, An on-off valve 84, a filter 85, and an N2 temperature regulator 86 are provided in a dry fluid supply line 83 connecting the dry fluid supply nozzle 81 and the N2 supply source 82, and the dry fluid supply line is provided. A branch line 88 branched from the IPA supply line 62 is connected to the secondary side of the N2 temperature controller 86 at 83 via a switching valve 87. In this case, the dry fluid supply nozzle 81 is located outside the inner chamber 23 as well as the pure water supply nozzle 71, and is disposed so as to be located inside the outer chamber 24. Is retracted to the standby position, and the outer cylinder 26 moves to a position surrounding the rotor 21 and the wafer W to form the outer chamber 24. And a mixed fluid of IPA can be supplied in a mist form. In this case, after drying with a mixed fluid of N2 gas and IPA, drying is further performed only with N2 gas. Although the case where the dry fluid is a mixed fluid of N2 gas and IPA has been described here, only the N2 gas may be supplied instead of the mixed fluid.

なお、上記薬液供給手段50、IPA供給手段60、純水供給手段70及び乾燥流体供給手段80におけるポンプ54,54A、温度調整器56,N2温度調整器86、薬液供給弁57、IPA供給弁63及び切換弁87は、CPU30によって制御されている(図2参照)。   Note that the pumps 54 and 54A, the temperature regulator 56, the N2 temperature regulator 86, the chemical liquid supply valve 57, and the IPA supply valve 63 in the chemical liquid supply means 50, IPA supply means 60, pure water supply means 70, and dry fluid supply means 80. The switching valve 87 is controlled by the CPU 30 (see FIG. 2).

なお、上記のように構成される処理装置20は、上方にフィルタユニット(図示せず)を有する処理空間内に配設されて、常時清浄空気がダウンフローされている。   In addition, the processing apparatus 20 comprised as mentioned above is arrange | positioned in the processing space which has a filter unit (not shown) above, and clean air is always flowing down.

次に、この発明に係る洗浄・乾燥処理装置の動作態様について説明する。まず、搬入・搬出部2のキャリア搬入部2aに搬入された未処理のウエハWを収納したキャリア1を、キャリア搬送手段8によってキャリア載置台7上に搬送する。次に、ウエハ搬送チャック10がキャリア載置台7上に移動して、キャリア1内からウエハWを搬出し、受け取ったウエハWを処理部3の処理装置20の上方、すなわち、内筒体25及び外筒体26が待機位置に後退した状態のロータ21の上方位置まで搬送する。すると、図4に示すように、ウエハ受渡ハンド29が上昇して、ウエハ搬送チャック10にて搬送されたウエハWを受け取り、その後、下降してウエハWをロータ21の固定保持棒31上に受け渡した後、ウエハ受渡ハンド29は元の位置に移動する。ロータ21の固定保持棒31上にウエハWを受け渡した後、図示しないロック手段が作動してウエハ押え棒32がウエハWの上側縁部まで移動してウエハWの上部を保持する(図5参照)。   Next, an operation mode of the cleaning / drying processing apparatus according to the present invention will be described. First, the carrier 1 containing the unprocessed wafer W loaded into the carrier loading section 2 a of the loading / unloading section 2 is transferred onto the carrier mounting table 7 by the carrier transfer means 8. Next, the wafer transfer chuck 10 is moved onto the carrier mounting table 7 to carry out the wafer W from the inside of the carrier 1, and the received wafer W is placed above the processing device 20 of the processing unit 3, that is, the inner cylinder 25 and The outer cylinder 26 is conveyed to a position above the rotor 21 in a state where the outer cylinder 26 is retracted to the standby position. Then, as shown in FIG. 4, the wafer delivery hand 29 is raised to receive the wafer W carried by the wafer carrying chuck 10, and then lowered to deliver the wafer W onto the fixed holding rod 31 of the rotor 21. After that, the wafer delivery hand 29 moves to the original position. After delivering the wafer W onto the fixed holding rod 31 of the rotor 21, a locking means (not shown) is activated and the wafer pressing rod 32 moves to the upper edge of the wafer W to hold the upper portion of the wafer W (see FIG. 5). ).

上記のようにしてロータ21にウエハWがセットされると、図6に示すように、内筒体25及び外筒体26がロータ21及びウエハWを包囲する位置まで移動して、内チャンバ23内にウエハWを収容する。この状態において、まず、ウエハWに薬液を供給して薬液処理を行う。この薬液処理は、ロータ21及びウエハWを低速回転例えば1〜500rpmで回転させた状態で所定時間例えば数十秒間薬液を供給した後、薬液の供給を停止し、その後、ロータ21及びウエハWを数秒間高速回転例えば100〜3000rpmで回転させてウエハW表面に付着する薬液を振り切って除去する。この薬液供給工程と薬液振り切り工程を数回から数千回繰り返して薬液処理を完了する。なお、図8に二点鎖線で示すように、内筒体25内にN2ナイフノズル100を配設して、薬液を振り切る際に、N2ナイフノズル100からN2ガスを吹き付けるようにすれば、更に薬液の振り切りすなわち除去を迅速に行うことができる。なおこの場合、N2ナイフノズル100は、乾燥流体供給手段80のN2供給源82に開閉弁(図示せず)を介して接続すればよい。   When the wafer W is set on the rotor 21 as described above, the inner cylinder 25 and the outer cylinder 26 move to a position surrounding the rotor 21 and the wafer W as shown in FIG. A wafer W is accommodated therein. In this state, first, a chemical solution is supplied to the wafer W to perform a chemical treatment. In this chemical treatment, after supplying the chemical solution for a predetermined time, for example, several tens of seconds while rotating the rotor 21 and the wafer W at a low speed, for example, 1 to 500 rpm, the supply of the chemical solution is stopped. The chemical solution adhering to the surface of the wafer W is spun off and removed by rotating at high speed, for example, 100 to 3000 rpm for several seconds. The chemical solution processing is completed by repeating the chemical solution supply step and the chemical solution shaking step several times to several thousand times. As shown by a two-dot chain line in FIG. 8, when the N2 knife nozzle 100 is disposed in the inner cylindrical body 25 and N2 gas is blown from the N2 knife nozzle 100 when the chemical solution is shaken off, The chemical solution can be shaken off or removed quickly. In this case, the N2 knife nozzle 100 may be connected to the N2 supply source 82 of the dry fluid supply means 80 via an on-off valve (not shown).

上記薬液処理工程において、最初に供給される薬液は、循環供給タンク52b内に貯留された薬液が使用され、この最初に使用された薬液は第1の排液管42から廃棄され、以後の処理に供される薬液は供給タンク52b内に貯留された薬液を循環供給する。そして、薬液処理の最後に、薬液供給源58から供給タンク52a内に供給された新規の薬液が使用されて、薬液処理が終了する。   In the chemical solution processing step, as the chemical solution supplied first, the chemical solution stored in the circulation supply tank 52b is used, and this first used chemical solution is discarded from the first drain pipe 42, and the subsequent processing. The chemical solution supplied to circulates and supplies the chemical solution stored in the supply tank 52b. Then, at the end of the chemical processing, the new chemical supplied from the chemical supply source 58 into the supply tank 52a is used, and the chemical processing ends.

なお、薬液処理工程の際には、薬液処理に供された薬液は第1の排液ポート41に排出され、切換弁(図示せず)の動作によって薬液供給部52の循環管路45又は第1の排液管42に排出される一方、薬液から発生するガスは第1の排気ポート43を介して第1の排気管44から排気される。   In the chemical treatment process, the chemical used for the chemical treatment is discharged to the first drain port 41, and the operation of a switching valve (not shown) causes the circulation line 45 of the chemical supply unit 52 or the The gas discharged from the chemical liquid is exhausted from the first exhaust pipe 44 via the first exhaust port 43 while being discharged to the one drain pipe 42.

薬液処理を行った後、内チャンバ23内にウエハWを収容したままの状態で、IPA供給手段60のIPAの供給ノズルを兼用する薬液供給ノズル51から低速回転例えば1〜500rpmで回転させた状態で所定時間例えば数十秒間IPAを供給した後、IPAの供給を停止し、その後、ロータ21及びウエハWを数秒間高速回転例えば100〜3000rpmで回転させてウエハW表面に付着するIPAを振り切って除去する。このIPA供給工程とIPA振り切り工程を数回から数千回繰り返して薬液除去処理を完了する。この薬液除去処理においても、上記薬液処理工程と同様に、最初に供給されるIPAは、循環供給タンク61b内に貯留されたIPAが使用され、この最初に使用されたIPAは第1の排液管42から廃棄され、以後の処理に供されるIPAは供給タンク61b内に貯留されたIPAを循環供給する。そして、薬液除去処理の最後に、IPA供給源64から供給タンク61a内に供給された新規のIPAが使用されて、薬液除去処理が終了する。   After performing the chemical treatment, the wafer W is housed in the inner chamber 23 and rotated at a low speed, for example, 1 to 500 rpm from the chemical supply nozzle 51 that also serves as the IPA supply nozzle of the IPA supply means 60. After supplying the IPA for a predetermined time, for example, several tens of seconds, the supply of IPA is stopped, and then the rotor 21 and the wafer W are rotated at a high speed, for example, 100 to 3000 rpm for several seconds to shake off the IPA adhering to the wafer W surface. Remove. The chemical solution removal process is completed by repeating the IPA supply process and the IPA swing-off process several times to several thousand times. Also in this chemical solution removal process, the IPA stored in the circulation supply tank 61b is used as the first supplied IPA in the same manner as in the chemical solution processing step, and the IPA used first is the first drainage liquid. The IPA discarded from the pipe 42 and used for the subsequent processing circulates and supplies the IPA stored in the supply tank 61b. Then, at the end of the chemical removal process, the new IPA supplied from the IPA supply source 64 into the supply tank 61a is used, and the chemical removal process ends.

なお、薬液除去処理において、薬液除去処理に供されたIPAは第1の排液ポート41に排出され、切換弁(図示せず)の動作によって溶剤供給部61の循環管路90又は第1の排液管42に排出される一方、IPAガスは第1の排気ポート43を介して第1の排気管44から排気される。   In the chemical solution removal process, the IPA subjected to the chemical solution removal process is discharged to the first drain port 41, and the operation of a switching valve (not shown) causes the circulation line 90 of the solvent supply unit 61 or the first flow line 90 to be discharged. While being discharged to the drain pipe 42, the IPA gas is exhausted from the first exhaust pipe 44 via the first exhaust port 43.

薬液処理及びリンス処理が終了した後、図7に示すように、内筒体25が待機位置に後退して、ロータ21及びウエハWが外筒体26によって包囲、すなわち外チャンバ24内にウエハWが収容される。したがって、内チャンバ23内で処理されたウエハWから液がしたたり落ちても外チャンバ24で受け止めることができる。この状態において、まず、リンス液供給手段の純水供給ノズル71から回転するウエハWに対してリンス液例えば純水が供給されてリンス処理される。このリンス処理に供された純水と除去されたIPAは第2の排液ポート45を介して第2の排液管46から排出される。また、外チャンバ24内に発生するガスは第2の排気ポート48を介して第2の排気管49から外部に排出される。   After the chemical processing and the rinsing processing are completed, as shown in FIG. 7, the inner cylinder 25 is retracted to the standby position, and the rotor 21 and the wafer W are surrounded by the outer cylinder 26, that is, the wafer W is placed in the outer chamber 24. Is housed. Therefore, even if liquid is dropped or dropped from the wafer W processed in the inner chamber 23, it can be received by the outer chamber 24. In this state, first, a rinsing liquid, for example, pure water, is supplied to the rotating wafer W from the pure water supply nozzle 71 of the rinsing liquid supply means, and is rinsed. The pure water subjected to the rinsing process and the removed IPA are discharged from the second drain pipe 46 through the second drain port 45. The gas generated in the outer chamber 24 is discharged to the outside from the second exhaust pipe 49 via the second exhaust port 48.

このようにしてリンス処理を所定時間行った後、外チャンバ24内にウエハWを収容したままの状態で、乾燥流体供給手段80のN2ガス供給源82及びIPA供給源64からN2ガスとIPAの混合流体を回転するウエハWに供給して、ウエハ表面に付着する純水を除去することで、ウエハWと外チャンバ24内の乾燥を行うことができる。また、N2ガスとIPAの混合流体によって乾燥処理した後、N2ガスのみをウエハWに供給することで、ウエハWの乾燥と外チャンバ24内の乾燥をより一層効率よく行うことができる。   After the rinsing process is performed for a predetermined time in this manner, the N2 gas and IPA are supplied from the N2 gas supply source 82 and the IPA supply source 64 of the drying fluid supply means 80 while the wafer W is housed in the outer chamber 24. By supplying the mixed fluid to the rotating wafer W and removing pure water adhering to the wafer surface, the wafer W and the inside of the outer chamber 24 can be dried. In addition, after the drying process is performed with the mixed fluid of N2 gas and IPA, only the N2 gas is supplied to the wafer W, so that the drying of the wafer W and the inside of the outer chamber 24 can be performed more efficiently.

上記のようにして、ウエハWの薬液処理、薬液除去処理、リンス処理及び乾燥処理が終了した後、外筒体26が内筒体25の外周側の待機位置に後退する一方、図示しないロック解除手段が動作してウエハ押え棒32をウエハWの押え位置から後退する。すると、ウエハ受渡ハンド29が上昇してロータ21の固定保持棒31にて保持されたウエハWを受け取って処理装置20の上方へ移動する。処理装置の上方へ移動されたウエハWはウエハ搬送チャック10に受け取られてインターフェース部4に搬送され、キャリア載置台7上のキャリア1内に搬入される。処理済みのウエハWを収納したキャリア1はキャリア搬送手段8によってキャリア搬出部2bに搬送された後、装置外部に搬送される。   As described above, after the chemical processing, chemical removal processing, rinsing processing, and drying processing of the wafer W are completed, the outer cylinder 26 moves back to the standby position on the outer peripheral side of the inner cylindrical body 25, while unlocking not shown. The means operates to retract the wafer pressing bar 32 from the pressing position of the wafer W. Then, the wafer delivery hand 29 rises and receives the wafer W held by the fixed holding rod 31 of the rotor 21 and moves upward of the processing apparatus 20. The wafer W moved to the upper side of the processing apparatus is received by the wafer transfer chuck 10, transferred to the interface unit 4, and transferred into the carrier 1 on the carrier mounting table 7. The carrier 1 containing the processed wafers W is transferred to the carrier unloading section 2b by the carrier transfer means 8, and then transferred to the outside of the apparatus.

なお、上記実施形態では、ロータ21、内筒体25及び外筒体26を水平軸線上に配設し、ウエハWの処理面を鉛直方向に回転させて、薬液処理、薬液除去処理、リンス処理及び乾燥処理を行う場合について説明したが、ロータ21、内筒体25及び外筒体26を垂直軸線上に配設し、ウエハWの処理面を水平方向に回転させて、薬液処理、薬液除去処理、リンス処理及び乾燥処理を行うようにしてもよい。   In the above embodiment, the rotor 21, the inner cylindrical body 25, and the outer cylindrical body 26 are disposed on the horizontal axis, and the processing surface of the wafer W is rotated in the vertical direction, so that the chemical processing, the chemical removal processing, and the rinsing processing are performed. However, the rotor 21, the inner cylindrical body 25, and the outer cylindrical body 26 are arranged on the vertical axis, and the processing surface of the wafer W is rotated in the horizontal direction to perform the chemical processing and the chemical removal. You may make it perform a process, a rinse process, and a drying process.

また、上記実施形態において、内チャンバ23は、第1の固定壁34、第2の固定壁38、内筒体25によって囲まれているが、これら第1の固定壁34、第2の固定壁38及び内筒体25の内面に、例えばフッ素樹脂からなる断熱被膜を形成する方が好ましい。   In the above embodiment, the inner chamber 23 is surrounded by the first fixed wall 34, the second fixed wall 38, and the inner cylinder 25, but these first fixed wall 34, second fixed wall It is preferable to form a heat-insulating film made of, for example, a fluororesin on the inner surfaces of 38 and the inner cylinder 25.

このようにすることにより、内チャンバ23で高温薬液処理を行う場合、内筒体25等からの熱の放出を防止することができる。したがって、再度高温薬液処理を行う場合、再加熱が容易となり、温度損失を削減することができる。   By doing in this way, when performing a high temperature chemical | medical solution process in the inner chamber 23, discharge | release of the heat | fever from the inner cylinder 25 grade | etc., Can be prevented. Therefore, when the high temperature chemical treatment is performed again, reheating is facilitated and temperature loss can be reduced.

また、同様に、温度損失を削減する筒体として、図12及び図13に示すようなものを採用することもできる。ここで、図12は、組立前の状態を示す分解斜視図であり、図13は、組立後の状態を示す斜視図である。この場合、筒体200は、フッ素樹脂例えば四フッ化エチレンやPFA(テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体)からなる円筒部201を有している。この円筒部201には、その底部に一方の側から他方の側へ徐々に深くなるドレン溝202が設けられている。この円筒部201の両端には、環状の補強リング203,204が設けられている。この補強リング203,204もフッ素樹脂例えば四フッ化エチレンやPFAからなり、円筒部201に溶接で接合されている。   Similarly, as shown in FIG. 12 and FIG. 13 can be adopted as the cylinder for reducing the temperature loss. Here, FIG. 12 is an exploded perspective view showing a state before assembly, and FIG. 13 is a perspective view showing a state after assembly. In this case, the cylindrical body 200 has a cylindrical portion 201 made of a fluororesin such as tetrafluoroethylene or PFA (tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer). The cylindrical portion 201 is provided with a drain groove 202 that gradually deepens from one side to the other side at the bottom thereof. At both ends of the cylindrical portion 201, annular reinforcing rings 203 and 204 are provided. The reinforcing rings 203 and 204 are also made of a fluororesin such as tetrafluoroethylene or PFA, and are joined to the cylindrical portion 201 by welding.

なお、一方の補強リング204には、ドレン口205が設けられており、円筒部201に接合時に上記ドレン溝202に接続し、処理液の排出ができるようになっている。また、円筒部201両端の補強リング203,204間には、例えばステンレス又はアルミニウム等からなる一対の補強バー206が掛け渡されており、その両端がねじ207で固定されている。   One reinforcing ring 204 is provided with a drain port 205, which is connected to the drain groove 202 when joined to the cylindrical portion 201 so that the processing liquid can be discharged. A pair of reinforcing bars 206 made of, for example, stainless steel or aluminum is stretched between the reinforcing rings 203 and 204 at both ends of the cylindrical portion 201, and both ends thereof are fixed with screws 207.

このような筒体200にあっても、四フッ化エチレン等製の円筒部201が断熱効果を有し、したがって、再度高温薬液処理を行う場合、再加熱が容易となり温度損失を削減することができる。   Even in such a cylindrical body 200, the cylindrical portion 201 made of ethylene tetrafluoride or the like has a heat insulating effect. Therefore, when high temperature chemical treatment is performed again, reheating becomes easy and temperature loss can be reduced. it can.

また、上記実施形態では、図3に示すように、処理室を内チャンバ23(第1の処理室)と外チャンバ24(第2の処理室)の2室で形成する場合について説明したが、内筒体25及び外筒体26と同様の筒状体を3個以上用いて3室以上の複数の処理室にて処理を行うことも可能である。   In the above embodiment, as shown in FIG. 3, a case has been described in which the processing chamber is formed of two chambers, an inner chamber 23 (first processing chamber) and an outer chamber 24 (second processing chamber). It is also possible to perform processing in a plurality of processing chambers of three or more chambers using three or more cylindrical bodies similar to the inner cylindrical body 25 and the outer cylindrical body 26.

図14は、図3に示す処理装置の別の形態を示す要部断面図である。この処理装置は、図3に示す処理装置が、内筒体25と外筒体26の二重構造であるのに対して、筒体を四重構造にしたものである。この処理装置においては、第1の固定壁34と第2の固定壁38との間を、図3に示す内筒体25と同様の第1の筒体301が覆っている。この第1の筒体301もモータ22から離れるに従い拡径するように形成されている。この第1の筒体301の軸方向両端部は、シール部材340a,340bを介して第1の固定壁34と第2の固定壁38に気密にシールされている。また、この第1の筒体301の内側には、その第1の筒体301のモータ22側の端部から第1の供給ノズル310が軸方向に延在して設けられている。この第1の筒体301の外側には、第2の筒体302が配設されている。この第2の筒体302の両端部は、シール部材350a,350bを介して第1の筒体301の両端部にシールされている。また、第2の筒体302の内側にも、第2の供給ノズル320が設けられている。更に、同様に、第3の筒体303が第2の筒体302の外側に、第4の筒体304が第3の筒体303の外側に配設され、それぞれの筒体303,304の両端部はシール部材360a,360b;370a,370bによってシールされている。また、第3及び第4の筒体303,304の内側には、それぞれ第3,第4の供給ノズル330,340が設けられている。   FIG. 14 is a cross-sectional view of a main part showing another form of the processing apparatus shown in FIG. This processing apparatus is a four-fold structure of the cylinder, whereas the processing apparatus shown in FIG. 3 has a double structure of the inner cylinder 25 and the outer cylinder 26. In this processing apparatus, a first cylinder 301 similar to the inner cylinder 25 shown in FIG. 3 covers the space between the first fixed wall 34 and the second fixed wall 38. The first cylindrical body 301 is also formed so as to increase in diameter as the distance from the motor 22 increases. Both ends in the axial direction of the first cylindrical body 301 are hermetically sealed to the first fixed wall 34 and the second fixed wall 38 via seal members 340a and 340b. A first supply nozzle 310 extends in the axial direction from the end of the first cylinder 301 on the motor 22 side inside the first cylinder 301. A second cylinder 302 is disposed outside the first cylinder 301. Both ends of the second cylinder 302 are sealed to both ends of the first cylinder 301 via seal members 350a and 350b. A second supply nozzle 320 is also provided inside the second cylinder 302. Further, similarly, the third cylinder 303 is disposed outside the second cylinder 302 and the fourth cylinder 304 is disposed outside the third cylinder 303. Both ends are sealed by seal members 360a and 360b; 370a and 370b. Further, third and fourth supply nozzles 330 and 340 are provided inside the third and fourth cylinders 303 and 304, respectively.

また、第2の固定壁38は、半径方向外方へ延在しており、その外端部にシール部材370cが設けられている。そして、このシール部材370cが第2の固定壁30の外端部と第4の筒体304の前側端部外周との間をシールしている。   The second fixed wall 38 extends outward in the radial direction, and a seal member 370c is provided at the outer end thereof. The seal member 370 c seals between the outer end portion of the second fixed wall 30 and the outer periphery of the front end portion of the fourth cylindrical body 304.

なお、第1〜第4の筒体301〜304の下端部には、それぞれ第1〜第4の排液ポート401〜404が設けられている。これら排液ポート401〜404は、第2の固定壁38に設けられた孔(図示せず)に挿抜可能に貫通して配設されている。そして、これら排液ポート401〜404からの排液を受ける排液受け405〜408で排液を受け、この排液を排液管410を介して排出するようになっている。   In addition, the 1st-4th drainage ports 401-404 are provided in the lower end part of the 1st-4th cylinders 301-304, respectively. These drainage ports 401 to 404 are disposed so as to be inserted into and removed from holes (not shown) provided in the second fixed wall 38. Then, drainage is received by drainage receptacles 405 to 408 that receive drainage from these drainage ports 401 to 404, and this drainage is discharged via the drainage pipe 410.

また、第1〜第4の筒体301〜304の上端部には、それぞれ第1〜第4の排気ポート421〜424が設けられている。これら排気ポート421〜424は、第2の固定壁38に設けられた孔(図示せず)に挿抜可能に貫通して配設されており、それぞれの先端部から排気管430を介して排気するようになっている。   Moreover, the 1st-4th exhaust ports 421-424 are provided in the upper end part of the 1st-4th cylinders 301-304, respectively. These exhaust ports 421 to 424 are disposed so as to be insertable / removable through holes (not shown) provided in the second fixed wall 38, and exhaust through the exhaust pipe 430 from the respective front end portions. It is like that.

このような構成の処理装置を用いて薬液(薬品)処理、IPA処理、純水処理あるいは乾燥処理を行うには、まず、ウエハWを固定保持棒31と押え棒32で保持し、ウエハWを回転させながら第1の筒体301内の第1の供給ノズル310から薬液を噴射させて洗浄を行う。次に、第1の筒体301をモータ22側へ後退させ、第2の筒体302内の第2の供給ノズル320からIPAを供給してIPAによる洗浄を行う。次いで、第2の筒体302を後退させ、第3の筒体303内の第3の供給ノズル330から純水を噴射して洗浄を行う。その後、第3の筒体303を後退させ、第4の筒体304内の第4の供給ノズル340からN2ガスや洗浄空気等の乾燥ガスを供給してウエハWを乾燥させる。上記処理過程において、排液は第1〜第4の排液ポート401〜404から排出され、排気は、第1〜第4の排気ポート421〜424から排気される。   In order to perform a chemical (chemical) process, an IPA process, a pure water process or a drying process using the processing apparatus having such a configuration, first, the wafer W is held by the fixed holding bar 31 and the presser bar 32, and the wafer W is held. Cleaning is performed by injecting a chemical from the first supply nozzle 310 in the first cylindrical body 301 while rotating. Next, the first cylinder 301 is moved backward toward the motor 22, and IPA is supplied from the second supply nozzle 320 in the second cylinder 302 to perform cleaning with IPA. Next, the second cylinder 302 is moved backward, and cleaning is performed by injecting pure water from the third supply nozzle 330 in the third cylinder 303. Thereafter, the third cylinder 303 is retracted, and a dry gas such as N 2 gas or cleaning air is supplied from the fourth supply nozzle 340 in the fourth cylinder 304 to dry the wafer W. In the above process, the drainage is discharged from the first to fourth drainage ports 401 to 404, and the exhaust is exhausted from the first to fourth exhaust ports 421 to 424.

このように、この処理装置にあっては、ウエハW自体を移動させることなく、薬液(薬品)処理、IPA処理、純水処理及び乾燥処理をそれぞれ別の筒体内部で分離して行うことができる。したがって、処理を有効的に行うことができると共に、洗浄媒体の混合を防止し、クロスコンタミネーションを防止することができる。   As described above, in this processing apparatus, the chemical solution (chemical) processing, the IPA processing, the pure water processing, and the drying processing can be performed separately in separate cylinders without moving the wafer W itself. it can. Accordingly, the treatment can be performed effectively, and the cleaning medium can be prevented from being mixed and cross contamination can be prevented.

なお、この処理装置では、薬液(薬品)処理、IPA処理、純水処理、乾燥処理を例に説明しているが、他の処理に適用できることは勿論である。   In this processing apparatus, chemical liquid (chemical) processing, IPA processing, pure water processing, and drying processing have been described as examples, but it is needless to say that the processing apparatus can be applied to other processing.

また、上記実施形態では、薬液供給ノズル51(IPA供給ノズルを兼用する)を内筒体25内に配設し、純水供給ノズル71及び乾燥流体供給ノズル81を内筒体25と外筒体26の間で、かつ第2の固定壁38に取り付ける場合について説明したが、薬液供給ノズル51(IPA供給ノズルを兼用する)を内筒体25及び外筒体26の外部の第2の固定壁38に取り付け、純水供給ノズル71及び乾燥流体供給ノズル81を外筒体26内に配設してもよく、あるいは、薬液供給ノズル51(IPA供給ノズルを兼用する)、純水供給ノズル71及び乾燥流体供給ノズル81を内筒体25内及び外筒体26内に配設してもよい。   In the above embodiment, the chemical liquid supply nozzle 51 (also serving as the IPA supply nozzle) is disposed in the inner cylinder 25, and the pure water supply nozzle 71 and the dry fluid supply nozzle 81 are connected to the inner cylinder 25 and the outer cylinder. 26, the case where it is attached to the second fixed wall 38 has been described, but the chemical solution supply nozzle 51 (also serving as the IPA supply nozzle) is used as the second fixed wall outside the inner cylinder 25 and the outer cylinder 26. 38, the pure water supply nozzle 71 and the dry fluid supply nozzle 81 may be disposed in the outer cylindrical body 26. Alternatively, the chemical liquid supply nozzle 51 (also serving as the IPA supply nozzle), the pure water supply nozzle 71, and The drying fluid supply nozzle 81 may be disposed in the inner cylinder 25 and the outer cylinder 26.

また、上記実施形態では、内チャンバ23(第1の処理室)内で薬液処理と薬液除去処理を行い、外チャンバ24(第2の処理室)内でリンス処理と乾燥処理を行う場合について説明したが、この発明の処理方法は、必ずしもこのような処理方法に限定されるものではない。例えば、内チャンバ23(第1の処理室)と外チャンバ24(第2の処理室)において、種類の異なる薬液を用いた薬液処理を行うことも可能である。このように種類の異なる薬液を用いて異なる処理室すなわち内チャンバ23(第1の処理室)と外チャンバ24(第2の処理室)で別々に処理することで、異なる種類の薬液が混じることで生じるクロスコンタミネーションを防止することができる。   Further, in the above-described embodiment, a case where the chemical treatment and chemical removal processing are performed in the inner chamber 23 (first processing chamber) and the rinsing processing and drying processing are performed in the outer chamber 24 (second processing chamber) will be described. However, the processing method of the present invention is not necessarily limited to such a processing method. For example, chemical processing using different types of chemicals can be performed in the inner chamber 23 (first processing chamber) and the outer chamber 24 (second processing chamber). In this way, different types of chemicals are mixed in different processing chambers, ie, the inner chamber 23 (first processing chamber) and the outer chamber 24 (second processing chamber) using different types of chemicals. Can prevent cross contamination.

また、上記実施形態では、ロータ21に収容される最大数のウエハWを処理する場合について説明したが、必要に応じてロータ21に収容される最大枚数より少ない枚数、場合によっては1枚のウエハWの処理を行うことも可能である。   In the above embodiment, the case where the maximum number of wafers W accommodated in the rotor 21 is processed has been described. However, if necessary, the number of wafers smaller than the maximum number accommodated in the rotor 21 may be reduced. It is also possible to perform the process of W.

なお、上記実施形態では、この発明に係る処理装置及び処理方法を半導体ウエハの洗浄・乾燥処理装置に適用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外のLCD用ガラス基板等にも適用できることは勿論である。   In the above embodiments, the case where the processing apparatus and the processing method according to the present invention are applied to a semiconductor wafer cleaning / drying processing apparatus has been described, but it is needless to say that the present invention can also be applied to LCD glass substrates other than semiconductor wafers. is there.

この発明に係る処理装置を適用した洗浄・乾燥処理装置の概略平面図である。1 is a schematic plan view of a cleaning / drying processing apparatus to which a processing apparatus according to the present invention is applied. この発明に係る処理装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the processing apparatus which concerns on this invention. この発明に係る処理装置の要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the processing apparatus which concerns on this invention. この発明におけるウエハの受け取り状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the receipt state of the wafer in this invention. この発明におけるロータへのウエハの受け渡し状態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the delivery state of the wafer to the rotor in this invention. この発明における内チャンバでの薬液処理、薬液除去処理を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the chemical | medical solution process in the inner chamber in this invention, and a chemical | medical solution removal process. この発明における外チャンバでのリンス処理、乾燥処理を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the rinse process and drying process in the outer chamber in this invention. この発明における配管系統を示す概略配管図である。It is a schematic piping diagram which shows the piping system in this invention. この発明における内筒体と外筒体を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the inner cylinder body and outer cylinder body in this invention. 上記内筒体と外筒体を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the said inner cylinder and an outer cylinder. この発明における気液分離手段を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the gas-liquid separation means in this invention. この発明における筒体の別の構造の組立前の状態を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the state before the assembly of another structure of the cylinder in this invention. 上記筒体の組立後の状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state after the assembly of the said cylinder. この発明に係る処理装置の別の形態を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows another form of the processing apparatus which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

W 半導体ウエハ(被処理体)
21 ロータ(回転保持手段)
22 モータ(駆動手段)
23 内チャンバ(第1の処理室)
24 外チャンバ(第2の処理室)
25 内筒体
26 外筒体
27,28 シリンダ(移動手段)
29 ウエハ受渡ハンド(被処理体受渡手段)
30 CPU(制御手段)
34 第1の固定壁
37 冷却器(冷却手段)
38 第2の固定壁
40a〜40e シール部材
41 第1の排液ポート
42 第1の排液管
43 第1の排気ポート
44 第1の排気管
45 第2の排液ポート
46 第2の排液管
47 比抵抗計
48 第2の排気ポート
49 第2の排気管
50 薬液供給手段
51 薬液供給ノズル(IPA供給ノズル)
60 IPA供給手段(溶剤供給手段)
70 純水供給手段(リンス液供給手段)
71 純水供給ノズル
80 N2ガス供給手段(乾燥流体供給手段)
81 乾燥流体供給ノズル
200 筒体
310 第1の供給ノズル
320 第2の供給ノズル
330 第3の供給ノズル
340 第4の供給ノズル
401〜404 第1〜第4の排液ポート
421〜424 第1〜第4の排気ポート
W Semiconductor wafer (object to be processed)
21 Rotor (Rotation holding means)
22 Motor (drive means)
23 inner chamber (first processing chamber)
24 Outer chamber (second processing chamber)
25 Inner cylinder 26 Outer cylinder 27, 28 Cylinder (moving means)
29 Wafer delivery hand (object to be processed delivery means)
30 CPU (control means)
34 First fixed wall 37 Cooler (cooling means)
38 2nd fixed wall 40a-40e Seal member 41 1st drainage port 42 1st drainage pipe 43 1st exhaust port 44 1st exhaust pipe 45 2nd drainage port 46 2nd drainage Pipe 47 Resistivity meter 48 Second exhaust port 49 Second exhaust pipe 50 Chemical liquid supply means 51 Chemical liquid supply nozzle (IPA supply nozzle)
60 IPA supply means (solvent supply means)
70 Pure water supply means (rinse solution supply means)
71 Pure water supply nozzle 80 N2 gas supply means (dry fluid supply means)
81 dry fluid supply nozzle 200 cylinder 310 first supply nozzle 320 second supply nozzle 330 third supply nozzle 340 fourth supply nozzles 401 to 404 first to fourth drainage ports 421 to 424 first to first 4th exhaust port

Claims (10)

被処理体を保持する保持手段と、
上記保持手段を回転駆動する駆動手段と、
上記保持手段にて保持された被処理体を包囲可能な複数の処理室と、
上記被処理体に対して処理流体を供給する処理流体供給手段と、
上記複数の処理室のうちの少なくとも一つの処理室を、上記被処理体に対して相対的に移動するための移動手段と、を具備し、
上記保持手段は、被処理体の処理面が鉛直になるように被処理体を回転可能に保持し、上記駆動手段によって水平軸を中心として回転駆動され、
上記処理室の一部を筒体にて形成すると共に、筒体の一端に向かって拡開するテーパ状に形成し、上記筒体の拡開側端部に、処理流体の排液ポート及び排気ポートを設けたことを特徴とする処理装置。
Holding means for holding the object to be processed;
Driving means for rotationally driving the holding means;
A plurality of processing chambers capable of surrounding the object to be processed held by the holding means;
Processing fluid supply means for supplying a processing fluid to the object to be processed;
A moving means for moving at least one of the plurality of processing chambers relative to the object to be processed;
The holding means rotatably holds the object to be processed so that the processing surface of the object to be processed is vertical, and is driven to rotate about the horizontal axis by the driving means.
And forming part of the processing chamber at the cylindrical body, is formed in a tapered shape that widens toward one end of the cylindrical body, the expanded end of the cylindrical body, the treatment fluid drainage port and an exhaust A processing apparatus provided with a port.
請求項1記載の処理装置において、
上記排液ポートを上記筒体の拡開側端部の下部に設け、上記排気ポートを上記筒体の拡開側端部の上部に設けたことを特徴とする処理装置。
The processing apparatus according to claim 1, wherein
The processing apparatus according to claim 1, wherein the drainage port is provided at a lower portion of the expansion side end portion of the cylindrical body, and the exhaust port is provided at an upper portion of the expansion side end portion of the cylindrical body.
請求項1又は2記載の処理装置において、
上記処理室は、被処理体を密封状態に包囲可能に形成されることを特徴とする処理装置。
The processing apparatus according to claim 1 or 2 ,
The processing apparatus is characterized in that the processing chamber is formed so as to be able to enclose an object to be processed in a sealed state.
請求項1ないし3のいずれかに記載の処理装置において、
上記処理流体が処理液であることを特徴とする処理装置。
The processing apparatus according to any one of claims 1 to 3,
A processing apparatus, wherein the processing fluid is a processing liquid.
請求項1ないしのいずれかに記載の処理装置において、
上記移動手段は、被処理体を包囲する包囲位置と、この包囲位置とは異なる待機位置との間で処理室を移動することを特徴とする処理装置。
The processing apparatus according to any one of claims 1 to 4 ,
The processing apparatus is characterized in that the moving means moves the processing chamber between an surrounding position surrounding the object to be processed and a standby position different from the surrounding position.
請求項1ないしのいずれかに記載の処理装置において、
上記移動手段は、複数の処理室を同一軸線上に移動することを特徴とする処理装置。
In the processing apparatus in any one of Claim 1 thru | or 5 ,
The processing apparatus, wherein the moving means moves a plurality of processing chambers on the same axis.
請求項1ないしのいずれかに記載の処理装置において、
上記複数の処理室のうちの少なくとも一つの処理室を、他の処理室を包囲し得るように出没及び重合可能に形成してなることを特徴とする処理装置。
The processing apparatus according to any one of claims 1 to 6 ,
A processing apparatus, wherein at least one processing chamber of the plurality of processing chambers is formed so as to be capable of appearing and overlapping so as to surround another processing chamber.
請求項1ないしのいずれかに記載の処理装置において、
上記処理流体供給手段は、処理室内において、被処理体に対して薬液と、この薬液の溶剤、リンス液及び乾燥流体のうちの少なくとも一つを供給可能な処理流体供給ノズルを具備することを特徴とする処理装置。
In the processing apparatus in any one of Claims 1 thru | or 7 ,
The processing fluid supply means includes a processing fluid supply nozzle capable of supplying at least one of a chemical liquid and a solvent, a rinsing liquid, and a drying fluid of the chemical liquid to a target object in the processing chamber. A processing device.
請求項1ないしのいずれかに記載の処理装置において、
上記処理室の内面に、フッ素樹脂からなる断熱被膜を形成してなることを特徴とする処理装置。
The processing apparatus according to any one of claims 1 to 8 ,
A processing apparatus, wherein a heat insulating coating made of a fluororesin is formed on the inner surface of the processing chamber.
請求項1ないしのいずれかに記載の処理装置において、
上記処理室を構成する筒体は、フッ素樹脂からなることを特徴とする処理装置。
In the processing apparatus in any one of Claim 1 thru | or 9 ,
The processing apparatus characterized in that the cylindrical body constituting the processing chamber is made of a fluororesin.
JP2006129408A 1999-06-29 2006-05-08 Processing equipment Expired - Lifetime JP4293376B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006129408A JP4293376B2 (en) 1999-06-29 2006-05-08 Processing equipment

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18419199 1999-06-29
JP2006129408A JP4293376B2 (en) 1999-06-29 2006-05-08 Processing equipment

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000110207A Division JP3907380B2 (en) 1999-06-29 2000-04-12 Processing apparatus and processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006279056A JP2006279056A (en) 2006-10-12
JP4293376B2 true JP4293376B2 (en) 2009-07-08

Family

ID=37213402

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006129408A Expired - Lifetime JP4293376B2 (en) 1999-06-29 2006-05-08 Processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4293376B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006279056A (en) 2006-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6589359B2 (en) Cleaning method and cleaning apparatus for substrate
US6698439B2 (en) Processing apparatus with sealing mechanism
US6895979B2 (en) Processing apparatus and processing method
US10518382B2 (en) Substrate processing system
US6276378B1 (en) Apparatus for cleaning both sides of substrate
JP3698403B2 (en) Rotary liquid processing equipment
JP2003045839A (en) Substrate processing apparatus and method
JP5185046B2 (en) Substrate cleaning device
JP3681329B2 (en) Substrate surface treatment method and substrate surface treatment apparatus
JP3907380B2 (en) Processing apparatus and processing method
JP3849846B2 (en) Rotating substrate processing apparatus and rotating substrate processing method
JP4260820B2 (en) Processing equipment
JP4067076B2 (en) Liquid processing method and liquid processing apparatus
JP3983015B2 (en) Processing unit with seal mechanism
JP4293376B2 (en) Processing equipment
JP4053045B2 (en) Processing equipment
JP2003151898A (en) Liquid treatment method and apparatus
JP3756735B2 (en) Process liquid temperature control method and apparatus
JP5222110B2 (en) Substrate processing equipment
JP2002368067A (en) Rotating substrate processing device and rotating substrate processing method
JP3756745B2 (en) Processing device with temperature control seal mechanism
JPWO2006049302A1 (en) Liquid processing apparatus and operating method thereof
KR20240130666A (en) Substrate processing apparatus
JP2001168079A (en) System and method for processing liquid
JP2013004623A (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081127

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090114

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090401

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090401

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120417

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4293376

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120417

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150417

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term