JP4292906B2 - レーザパターニング方法 - Google Patents

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本発明は、レーザパターニング方法に関するものである。
従来技術におけるピーク出力の高いレーザ発振器については、その発振パルスの幅が小さくすることで得られる。既に1960年代からナノ秒、1990年代からはチタンサファイアレーザでのフェムト秒や過飽和吸収鏡を用いたピコ秒のパルス幅を持つレーザが開発・市販され、様々な分野で利用されてきた。
近年では、更にピコ秒、フェムト秒の領域で半導体レーザを用いてレーザ媒質に励起させ発振する製品として市販され、レーザの専門家以外にも利用しやすいものとなっている。このような短パルスな高ピーク出力を持つレーザは、加工物への熱的損傷が少なく特に薄膜加工や樹脂加工の微細加工に適しているとされている。従来にもナノ秒レーザを使った微細加工やエキシマレーザの紫外光を使ったアブレーション加工があったが、これらのレーザのパルス幅が大きいため熱的損傷は否めない。したがって、短パルス高ピーク出力のレーザによる微細加工は加工面が良好であることが特徴となる。しかし、ビームの集光径は理想的にはその回折限界までしか集光できない。
一般にレーザ光が理想的にTEM00であり、その回折限界までレーザ光を集光した場合、その集光径dは、
Figure 0004292906
で示される。ここでλはレーザ波長、fは集光レンズ焦点距離、wは集光レンズでのビーム径である。式(1)から小さい集光径を得るには、短波長レーザで、λを小さくするかNAの大きな焦点距離の小さいレンズで大きなビームを使うことが考えられる。しかしながら、やみくもに大きなビームを使うと集光レンズの収差により最小集光径が得られない場合があり、また、焦点深度はNAの2乗に比例し小さくなるので比加工材との距離を調節しながら加工する方式が必要となる。
式(1)はレーザの集光径だけを表した式で実際に加工物に照射した場合、レーザのエネルギだけでなく材料の波長による吸収特性、形状、表面状態によりその大きさは異なる。
図5に従来の加工システムを示す。(例えば非特許文献1参照)。ナノ秒以下のパルス幅を持つレーザ発振器101(以下「短パルスレーザ発振器」と称す)はフェムト秒またはピコ秒のパルス幅を持つレーザ発振器である。短パルスレーザ発振器101から発した光はアッテネータ111でその出力はコントロールされる。アッテネータ111は1/2波長板102と偏光板103により偏光面を回転させ一定の偏光方向だけの光を通過させることにより出力をコントロールする。出力されたレーザ光をモニターして1/2波長板102の回転角を調整することにより出力をフィードバックすることもできる。このように出力を制御し、また、制御された光は一方向の偏光を有する光となる。更にこの光はビームエクスパンダー104により平行化拡大される。市販品では拡大率は2倍から8倍までできる。その後レーザ光はアパーチャ107を通過する。アパーチャの径は可変である。通常アパーチャは迷光やレーザ光そのものにその形状を成形する時に用いられる。
また、HeNeレーザ等での光軸調整時にアパーチャを基準としてその中心にレーザ光は通過するように調整をするのに必要である。アパーチャ107を通過したレーザ光は集光レンズ108により集光されステージ109上に装填された基板110を加工する。図5及び式(1)から集光径dを小さくするには、波長λを小さくする。NAを1に近づける。このことは、ビームエクスパンダー104の倍率を上げる(すなわちwを大きくする)、集光レンズ108の焦点距離fを小さくすることになる。
しかし、例えばNA=1のレンズがあったとしても、最小径は波長1.22倍にしか集光できない。仮に可視光を発するレーザ光で波長800nmでは976nmのビーム径しか得られない。しかし、このような高NAの集光系では焦点深度は小さくなり焦点距離の調整のためにオートフォーカス機能などを設置することが必要になる。露光装置に見られるように集光レンズとウェハ位置調整のためフォーカス方向の調整、あおりなどの調整が必要となっている。
なお、リソグラフィではレーザの波長を200nm以下を用い、NA=0.65として微細パターンの形成を行っている。
池田正幸他著「レーザプロセス技術ハンドブック」 朝倉書店,1992年4月発行,P479,図3,2,46
しかしながら前述する構成では、回折限界以下の集光径が得られないことから微細溝加工を行う場合には、結局、高NAの光学系を使用するか、短波長のレーザを用いるかである。高NAの光学系を用いた微細加工方法では、焦点深度が小さくなるためフォーカス調整が必要なり設備コスト高になる。また、短波長のレーザを用いることで微細化を計ることは最近では稀はないが、可視、赤外領域対応のレーザにくらべ紫外用レーザはコスト高でありメンテナンスも必要である。
光学部品についても可視、赤外用光学部品の方がはるかに一般的で耐久性も紫外用に比べると高く、コストも安い。波長、高NAに対応する装置は結局コスト高となる。
一方、微細加工のパターン加工ではビーム分割による同時加工を行い直接描画しパターンを形成する方法やリソグラフィによる一括パターン形成する方法がある。ビーム分割した場合でも上述した回折限界以下の集光径を得るには短波長のレーザと高NAの光学系により同様なコスト高になり、またリソグラフィの場合には高価な設備とパターン形成のためにマスクが必要で製作日数、コストが更にかかるという問題点を有する。
本発明は、上記従来の問題点を解決するものであり、微細溝を形成することが可能なレーザパターニング方法を提供することを目的とする。
この課題を解決するために、本発明ではピーク出力が2.2MW以上のレーザ光をビームエクスパンダーにより拡大するとともに平行光線化し、前記拡大平行光線化されたレーザ光を集光レンズにより集光し、さらに、前記集光されたレーザ光の焦点位置近傍に設置した非線形光学材料部の終端にて前記集光されたレーザ光を回折限界以下に集光し、前記回折限界以下に集光されたレーザ光と基板上の薄膜材料とを相対的に移動させて加工を行うことを特徴とする。
この方式によれば非線形光学材料内であって集光位置近傍の高エネルギ領域では、非線形光学材料の非線形効果によりビームは自己集束を起こし、回折と自己集束がつりあうことによる自己束縛でビームは一定の微小径で非線形光学材料内を伝播し、非線形材料の終端またはその付近にて微小径で被加工物を加工する。本発明の第2の請求項にあるように、非線形光学材料を石英とし、2.2MW以上のピーク出力にとり、石英は非線形光学効果を起こす。これにより、微小径により被加工物を加工する。
一方、パターン形成をする場合は、1光束を被加工物と相対的移動により加工する場合と、多光束に分割し相対的移動によりパターン形成する場合がある。後者の場合、拡大平行光線化されたレーザ光を複数本に分割、前記集光レンズの代わりにエフシータレンズを用いることにより前記複数本に分割されたレーザ光をそれぞれ集光させることを特徴とする。
また、拡大平行光線化されたレーザ光を複数本に分割し、前記複数本に分割されたレーザ光を集光レンズで再度集光し、前記再度集光されたレーザ光を非線形光学材料内で干渉させることを特徴とする。
これはいわゆる干渉露光方式によるパターニングである。これによれば、干渉縞を形成しこの縞と被加工物との相対移動によりパターニングする方式となる。
以上のことから、本発明によれば、集光位置近傍の高エネルギ領域では、非線形効果によりビームは自己集束を起こし、また、回折と自己集束が釣り合うことによる自己束縛でビームは、一定の微小径で非線形光学材料を伝播するため、非線形材料の終端またはその付近にて微小径で薄膜材料を加工することができる。
図1は本発明第一の実施形態に係る構成を示す図である。以下、図1を参照しながら本実施形態の動作仕様を説明する。2.2MW以上のピーク出力を有するレーザ発振器1から照射されたレーザ光は、2つのミラー2a、2bによって、所望の角度に折り曲げられ、ビームを平行拡大するビームエクスパンダー3に入射される。その後、折り曲げミラー4によりビームは曲げられ、集光レンズ5に入射される。焦点近傍に置かれた非線形光学材料は、レーザの高エネルギ密度のため非線形効果を生じる。一般に物質の屈折率nは、
Figure 0004292906
となる。ここでIは入射した光のエネルギ密度(cm2/MW)、n0は初期屈折率、n2は非線形係数である。n2*IはIが閾値(石英の場合2.2MW)を超えると非線形性を示す。
そのため図2に示すように、図2(a)では、例えばレーザピーク出力が2.2MW以下の場合で、非線形光学材料をレーザ光は焦点付近では一旦集光するが(ビーム径は回折限界以上)再び拡大する。しかし、ピーク出力が2.2MW以上の場合は、図2(b)に示すように、高ピーク出力のためビームを式(2)に従って回折限界以下に集光されていく。
ここで光の回折(図2(b)の破線)により広がろうとする働きと非線形効果による集光する働き(自己集束)が釣り合うと光は、回折限界以下のビーム径でその直径を維持したまま非線形光学材料内を伝播する。この高ピーク出力のレーザ光により、非線形光学材料6の終端に設置された薄膜材料7が加工できる。薄膜材料は、基板8に形成されている。
この場合薄膜材料7、基板8をステージ上に装填し、光軸と基板8とを相対移動させることで薄膜材料のパターン形成が可能になる。
本発明の第2の発明の実施形態として非線形光学材料6に石英を用いることで2.2MWのピーク出力で薄膜材料8が加工できる。
図3に本発明の第3の発明の実施形態を示す。2.2MWのピーク出力を持つレーザ発振器1から照射されたレーザ光は、2つのミラー2a、2bにより折り曲げられ、ビームを平行拡大するビームエクスパンダー3に入射する。その後、折り曲げミラー4によりビームは曲げられビームスプリッタ9に入射し、複数本のビームに分割される。それぞれのビーム(光束)はエフシータレンズ10により入射した位置から垂直に集光、伝播しそれぞれが非線形光学材料6に入射する。
この場合、それぞれのビームのピーク出力は非線形効果を起こす2.2MW以上必要で、分割した場合の分割数に比例したレーザ出力が必要である。それぞれのビームは回折限界以下で薄膜材料8を加工する。図中11はビームと薄膜材料との相対移動させる2軸のあおり機能をもつ駆動手段で折り返しミラー4のあおりを行うことでビームを移動させることができる。
図4に本発明の第4の発明の実施の形態を示す。2.2MWのピーク出力を持つレーザ発振器1から照射されたレーザ光は2つのミラー2a、2bにより折り曲げられ、ビームを平行拡大するビームエクスパンダー3に入射する。その後、折り曲げミラー4によりビームは曲げられビームスプリッタ9に入射し、複数本のビームに分割される。それぞれのビーム(光束)は集光レンズ10により平行光線化され再度集光する。その際生じる干渉が非線形光学材料6内で生じる。
この場合、それぞれの干渉ビームのピーク出力は非線形効果を起こす2.2MW以上必要で、分割した場合の分割数に比例したレーザ出力が必要である。それぞれのビームは回折限界以下で薄膜材料8を加工する。
本発明の第1の実施形態を示す概略図 本発明の第1の実施形態に係る基本原理を示す図 本発明の第3の実施形態を示す概略図 本発明の第4の実施形態を示す概略図 従来のレーザパターニング方法を示す図
符号の説明
1 レーザ発振器
2a ミラー
2b ミラー
3 ビームエクスパンダー
4 折り曲げミラー
5 集光レンズ
6 非線形光学材料
7 薄膜材料
8 基板


Claims (4)

  1. ピーク出力が2.2MW以上のレーザ光をビームエクスパンダーにより拡大するとともに平行光線化し、前記拡大平行光線化されたレーザ光を集光レンズにより集光し、さらに、前記集光されたレーザ光の焦点位置近傍に設置した非線形光学材料部の終端にて前記集光されたレーザ光を回折限界以下に集光し、前記回折限界以下に集光されたレーザ光と基板上の薄膜材料とを相対的に移動させて加工を行うことを特徴とするレーザパターニング方法。
  2. 前記非線形光学材料は石英であることを特徴とする請求項1に記載のレーザパターニング方法。
  3. 前記拡大平行光線化されたレーザ光を複数本に分割、前記集光レンズの代わりにエフシータレンズを用いることにより前記複数本に分割されたレーザ光をそれぞれ集光させることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザパターニング方法。
  4. 前記拡大平行光線化されたレーザ光を複数本に分割し、前記複数本に分割されたレーザ光を集光レンズで再度集光し、前記再度集光されたレーザ光を非線形光学材料内で干渉させることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザパターニング方法。
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