JP4283977B2 - Switching power supply device and semiconductor device for switching power supply - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スイッチング電源装置に関し、特に、軽負荷時の消費電力を低減できるスイッチング電源装置及びスイッチング電源用半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
まず、従来のスイッチング電源装置について図面を参照しながら説明する。
【0003】
図5は入力側と出力側とが電気的に絶縁された従来のスイッチング電源装置の回路構成を示している。図5に示すスイッチング電源装置において、例えば、入力端子に入力される商用電源からの交流電流は、ダイオードブリッジ等からなる整流器101により整流される。続いて、入力コンデンサ102により平滑化されて直流電圧Vinとなり、電力変換用のトランス103に入力される。トランス103は、第1の1次巻線103a、第2の1次巻線103b及び2次巻線103cを有しており、生成された直流電圧Vinが第1の1次巻線103aに入力される。
【0004】
トランス103の第1の1次巻線103aに入力された直流電圧Vinは、パワーMOSFET等からなるスイッチング素子104により制御され、スイッチング素子104のスイッチング動作によって、トランス103の2次巻線103cに磁気誘導による起電力が発生する。
【0005】
2次巻線103cに発生した起電力による電流は、2次巻線103cと接続されたダイオード110及び出力コンデンサ111により整流され且つ平滑化されて、出力電圧Voの直流電力として負荷112に供給される。
【0006】
トランス103の第2の1次巻線103bにも、第1の1次巻線103aによる直流起電力が発生し、第2の1次巻線103bから出力される直流電流は、ダイオード121及びコンデンサ122からなる補助電源部120により整流され平滑化されて補助電源電圧Vccが生成される。
【0007】
補助電源電圧Vccにより駆動される制御回路130は、スイッチング素子104のゲートに制御信号を出力する。ここで、補助電源電圧Vccは、トランス103の2次巻線103cから負荷112に供給される出力電圧Voと比例しており、該出力電圧Voを安定させる帰還信号としても用いられる。
【0008】
制御回路130は、スイッチング素子104に印加するスイッチング信号を出力する発振器131と、補助電源電圧Vccと基準電圧との差からなる誤差電圧信号VEAOを出力する誤差増幅器132と、スイッチング素子104を流れるドレイン電流IDを検出して素子電流検出信号VCLを出力するドレイン電流検出回路133と、誤差電圧信号VEAOと素子電流検出信号VCLとを比較し、比較結果を出力する比較器134と、比較信号に基づいてスイッチング信号の出力を制御するスイッチング信号制御回路135とを有している。
【0009】
スイッチング信号制御回路135は、セット端子に発振器131からのクロック信号CLKを受け、リセット端子に比較器134の出力信号を受けるRSフリップフロップ回路136と、入力端子に発振器131からの最大デューティサイクル信号MDCを受け、他の入力端子にRSフリップフロップ回路136からの出力信号を受けるNAND回路137と、NAND回路137の出力信号を受け、これを反転増幅して、スイッチング素子104のゲートに制御信号として出力するゲートドライバ138とから構成されている。
【0010】
以下、前記のように構成された従来のスイッチング電源装置の動作を説明する。
【0011】
図5において、まず、該装置が起動された直後には、商用電源からの交流電流が整流器101に入力されると、入力された交流電流が整流器101と入力コンデンサ102とにより整流及び平滑化されて、直流電圧Vinに変換され、変換された直流電圧Vinはトランス103の第1の1次巻線103aに印加される。このとき、直流電圧Vinは、制御回路130に含まれる内部回路電流供給回路139を介して電流が供給され、補助電源部120のコンデンサ122が充電される。
【0012】
その後、補助電源部120において、補助電源電圧Vccが制御回路130の起動電圧にまで達すると、制御回路130が動作を開始する。これにより、スイッチング素子104へのスイッチング動作の制御が開始されると共に、起動・停止回路140が、内部回路電流供給回路139を停止する。
【0013】
制御回路130は、負荷112に対する出力電圧Voが所定の電圧値で安定するように、補助電源電圧Vccに基づいてスイッチング素子104によるスイッチング動作を制御する。具体的には、負荷112に対する出力電圧Voと補助電源電圧Vccとをトランス103の第2の1次巻線103bと2次巻線103cの巻数比に比例した電圧とすると共に、比較器134に、誤差増幅器132からの誤差電圧信号VEAOと、ドレイン電流検出回路133からの素子電流検出信号VCLとを比較し、両信号VEAO、VCLが互いに等しくなったときに、RSフリップフロップ回路136のリセット端子にハイレベルの出力信号を出力するようにしている。
【0014】
次に、図6のタイミングチャートに示すように、負荷変動時において、負荷112に対する電流供給量が減り、負荷供給電流Ioが低下すると、出力電圧Voが若干上昇する。これを受けて、帰還側の補助電源部120の補助電源電圧Vccも上昇し、誤差増幅器132からの誤差電圧信号VEAOが低下する。
【0015】
負荷変動時や待機時等の無負荷時及び軽負荷時のように、誤差電圧信号VEAOが低下した状態で、誤差電圧信号VEAOと素子電流検出信号VCLとが等しくなると、比較器134からRSフリップフロップ回路136のリセット端子にリセット信号が出力されるため、NAND回路137からは、定常負荷時よりも早いタイミングでスイッチング素子104をオフ状態とする信号が出力される。その結果、スイッチング素子104は、スイッチング動作時におけるオン状態となる時間が短くなるため、スイッチング素子104を流れるドレイン電流IDが減少する。
【0016】
このように、従来のスイッチング電源装置の制御回路130は、負荷112に供給される負荷供給電流Ioに応じて、スイッチング素子104に流れるドレイン電流IDの大きさを制御することにより、軽負荷時の消費電力を低減することができる電流モード制御方式を採っている。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来のスイッチング電源装置は、待機時等の軽負荷時にはスイッチング素子104に流れるドレイン電流IDが低減されるものの、ドレイン電流IDを完全に0にすることができないため、無負荷時でも、ある程度の電流が流れる。従って、無負荷時においても、スイッチング素子104のスイッチング動作によって電流が損失するため、負荷が小さくなる程スイッチング素子104における電流損失の割合が大きくなる。その結果、電源の効率が低下して、電源の待機時の省電力化を達成できないという問題がある。
【0018】
本発明は、前記従来の問題を解決し、その目的は、簡単な構成で、軽負荷時のスイッチング損失を減らして消費電力を削減することにより、スイッチング電源装置における電源効率を確実に向上することができるようにすることにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明は、スイッチング電源装置を、出力電圧検出回路により検出され且つ制御回路に帰還して生成される出力側の負荷状態を示す帰還電圧に基づいて、スイッチング素子に対するスイッチング信号の出力を停止する構成とする。
【0020】
具体的に、本発明に係るスイッチング電源装置は、変圧器と、入力端子が変圧器の1次巻線と接続され、変圧器を介して第1の直流電圧を受けるスイッチング素子と、変圧器の2次巻線と接続され、変圧器の2次側の出力電圧を整流し且つ平滑化することにより、第1の直流電圧から第2の直流電圧を生成して出力する出力電圧生成回路と、スイッチング素子の動作を制御する制御回路と、第2の直流電圧の電圧値を検出して出力する出力電圧検出回路と、出力電圧検出回路の出力信号を制御回路に帰還信号として絶縁状態で帰還する帰還回路と、陽極に1次巻線の出力を受け、陰極にスイッチング素子の出力を受け、制御回路用の電源電圧を生成する制御回路用電源コンデンサと、1次巻線の出力側と制御回路用電源コンデンサの陽極との間に設けられ、電源電圧を所定値に保持する電圧レギュレータとを備え、制御回路は、スイッチング素子に印加するスイッチング信号を生成して出力する発振器と、スイッチング素子を流れる電流を検出し、素子電流検出信号として出力する電流検出回路と、帰還信号から2次側の負荷状態を示す帰還電圧信号に変換して出力する出力負荷検出回路と、帰還電圧信号と基準電圧との差からなる誤差電圧信号を生成して出力する誤差増幅器と、素子電流検出信号と誤差電圧信号とを比較し、比較した比較信号を出力する比較器と、比較信号に基づいてスイッチング信号の出力を制御するスイッチング信号制御回路と、誤差電圧信号が下限電圧値よりも小さい場合にはスイッチング信号制御回路に対してスイッチング素子へのスイッチング信号の出力を停止し、誤差電圧信号が上限電圧値よりも大きい場合にはスイッチング信号制御回路に対してスイッチング信号の出力を開始する軽負荷検出回路とを有している。
【0021】
本発明のスイッチング電源装置によると、軽負荷時には消費される電流が減少して装置の出力電圧である第2の直流電圧が上昇すると、2次側出力電圧、すなわち第2の直流電圧の負荷状態を反映する帰還電圧信号の電圧値が高くなる。これにより、帰還電圧信号と基準電圧との差からなる誤差電圧信号を生成する誤差増幅器からの誤差電圧信号の電圧値は低下する。このとき、軽負荷検出回路は、誤差電圧信号が下限電圧値よりも小さい場合にはスイッチング信号制御回路に対してスイッチング素子へのスイッチング信号の出力を停止するため、スイッチング素子における損失が減り、軽負荷時の消費電力を削減できるので、スイッチング電源装置の電源効率を向上することができる。
【0022】
その上、1次巻線の出力側と制御回路用電源コンデンサの陽極との間に電圧レギュレータを設けているため、制御回路用電源コンデンサにより生成される制御回路の電源電圧値を所定値に保持できるので、出力負荷検出回路が、2次側の負荷状態を反映した帰還信号から帰還電圧信号を確実に変換できる。
【0023】
本発明のスイッチング電源装置において、帰還回路がフォトカプラを含むことが好ましい。このようにすると、変圧器により入力側と出力側とが電気的に絶縁されている場合であっても、出力側の負荷状態を入力側に確実に帰還させることができる。
【0024】
本発明のスイッチング電源装置において、軽負荷検出回路は、下限電圧又は上限電圧の値を可変に設定できる検出電圧可変手段を有していることが好ましい。このようにすると、待機時の負荷電流値を、本装置を組み込むシステムに応じて最適化できるため、組み込むシステムの選択肢を増やすことができる。
【0025】
本発明のスイッチング電源装置において、スイッチング素子及び前記制御回路が、スイッチング素子の入力端子及び出力端子、並びに前記制御回路における前記制御回路用電源コンデンサの陽極側の入力端子及び前記出力負荷検出回路における前記帰還信号の入力端子が外部接続端子となるように一つの半導体基板上に集積化されて形成されていることが好ましい。このようにすると、スイッチング素子及び制御回路を1チップ化できるため、部品点数を大幅に削減できると共に、スイッチング電源装置のサイズを小型化できる。
【0026】
本発明に係るスイッチング電源用半導体装置は、変圧器と、入力端子が変圧器の1次巻線と接続され、変圧器を介して第1の直流電圧を受けるスイッチング素子と、変圧器の2次巻線と接続され、変圧器の2次側の出力電圧を整流し且つ平滑化することにより、第1の直流電圧から第2の直流電圧を生成して出力する出力電圧生成回路と、スイッチング素子の動作を制御する制御回路と、第2の直流電圧の電圧値を検出して出力する出力電圧検出回路と、出力電圧検出回路の出力信号を制御回路に帰還信号として絶縁状態で帰還する帰還回路と、陽極に1次巻線の出力を受け、陰極にスイッチング素子の出力を受け、制御回路用の電源電圧を生成する制御回路用電源コンデンサと、1次巻線の出力側と制御回路用電源コンデンサの陽極との間に設けられ、電源電圧を所定値に保持する電圧レギュレータとを備えたスイッチング電源装置を制御するスイッチング電源用半導体装置を対象とし、スイッチング電源用半導体装置は、スイッチング素子及び制御回路を含み、制御回路は、スイッチング素子に印加するスイッチング信号を生成して出力する発振器と、スイッチング素子を流れる電流を検出し、素子電流検出信号として出力する電流検出回路と、帰還信号から2次側の負荷状態を示す帰還電圧信号に変換して出力する出力負荷検出回路と、帰還電圧信号と基準電圧との差からなる誤差電圧信号を生成して出力する誤差増幅器と、素子電流検出信号と誤差電圧信号とを比較し、比較した比較信号を出力する比較器と、比較信号に基づいてスイッチング信号の出力を制御するスイッチング信号制御回路と、誤差電圧信号が下限電圧値よりも小さい場合にはスイッチング信号制御回路に対してスイッチング素子へのスイッチング信号の出力を停止し、誤差電圧信号が上限電圧値よりも大きい場合にはスイッチング信号制御回路に対して前記スイッチング信号の出力を開始する軽負荷検出回路とを有している。
【0027】
本発明のスイッチング電源用半導体装置によると、軽負荷時には消費される電流が減少して装置の出力電圧である第2の直流電圧が上昇すると、2次側出力電圧、すなわち第2の直流電圧の負荷状態を反映する帰還電圧信号の電圧値が高くなる。これにより、帰還電圧信号と基準電圧との差からなる誤差電圧信号を生成する誤差増幅器からの誤差電圧信号の電圧値は低下する。このとき、軽負荷検出回路は、誤差電圧信号が下限電圧値よりも小さい場合にはスイッチング信号制御回路に対してスイッチング素子へのスイッチング信号の出力を停止するため、スイッチング素子における損失が減り、軽負荷時の消費電力を削減できるので、スイッチング電源装置の電源効率を向上することができる。
【0028】
本発明のスイッチング電源用半導体装置において、軽負荷検出回路が、下限電圧又は上限電圧の値を可変に設定できる検出電圧可変手段を有していることが好ましい。
【0029】
本発明のスイッチング電源用半導体装置において、スイッチング素子及び制御回路が、スイッチング素子の入力端子及び出力端子、並びに制御回路における制御回路用電源コンデンサの陽極側の入力端子及び出力負荷検出回路における帰還信号の入力端子が外部接続端子となるように一つの半導体基板上に集積化されて形成されていることが好ましい。
【0030】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【0031】
図1は本発明の一実施形態に係るスイッチング電源装置の概略的な回路構成を示している。図1に示すように、本実施形態に係るスイッチング電源装置は、主入力端子10に印加された、例えば商用電源からの交流電流を整流し平滑化された第1の直流電圧をトランス(変圧器)13の1次側に印加しながら、スイッチング素子14のオンオフ動作の繰り返しによるスイッチング動作によって、トランス13の2次側に設けられた出力電圧生成回路16により第2の直流電圧である所望の出力電圧Voを主出力端子17に出力するスイッチング電源装置である。
【0032】
以下、スイッチング電源装置を詳細に説明する。
【0033】
トランス13は、1次巻線13a及び2次巻線13cを有している。
【0034】
主入力端子10には、交流電流を整流するダイオードブリッジ等からなる整流器11と、整流された信号を平滑化して直流電圧Vinを生成する入力コンデンサ12とがそれぞれ並列に接続されている。生成された直流電圧Vinは、トランス13の1次巻線13aに入力された後、例えばN型パワーMOSFETからなるスイッチング素子14のドレイン端子TD に入力される。ここで、スイッチング素子14のソース端子Tsは、入力コンデンサ12の陰極端子と接続され、そのゲートには、該スイッチング素子14の動作を制御する制御回路15から出力される制御信号が入力される。
【0035】
なお、本スイッチング電源装置は整流器11を設けない構成であってもよい。その場合は、第1の直流電圧Vinをあらかじめ整流してから主入力端子10に入力すればよい。
【0036】
トランス13の2次巻線13cには、出力電圧生成回路16が接続されている。出力電圧生成回路16は、1次巻線13aに印加され且つスイッチングされた直流電圧Vinの磁気誘導により発生した起電力による電流を整流する第1のダイオード161と、整流された信号を平滑化する出力コンデンサ162とから構成されている。
【0037】
出力電圧生成回路16と接続されている主出力端子17は、そのハイレベル側の端子とローレベル側の端子との間に負荷18が接続され、該負荷18には負荷供給電流Ioが流れる。
【0038】
また、トランス13の2次巻線13cと並列に接続され、第2の直流電圧である出力電圧Voを検出する出力電圧検出回路51と、検出した信号を1次側の制御回路15に帰還信号として絶縁状態で帰還可能な帰還回路としてのフォトカプラとを備えている。
【0039】
フォトカプラは、2次側の出力電圧検出回路51と接続された発光ダイオード部52aと、1次側の制御回路15の帰還信号入力端子TFBとソース端子Tsとの間に接続された受光トランジスタ部52bとから構成されている。なお、出力電圧検出回路51は、例えば、シャントレギュレータと抵抗器との直列体とを含むような構成とすればよい。
【0040】
本実施形態においては、破線20で囲まれる領域、すなわちスイッチング素子14と制御回路15とを含み、スイッチング素子14のドレイン端子TD 及びソース端子Ts、並びに制御回路用コンデンサ19の陽極と接続され、制御回路15の基準電圧が印加される基準電圧端子TREF 及び帰還信号入力端子TFBの4端子により外部との入出力が可能となる。ここでは、この4端子TD 、Ts、TREF 及びTFBを含む領域を基板上形成領域20と呼び、該基板上形成領域20が1つの半導体チップ上に形成可能であることを表わしている。なお、基板上形成領域20は、必ずしも1チップ化される必要はなく、複数の半導体基板に分割されていてもよい。この場合も、前述の4端子TD 、Ts、TREF 及びTFBを外部接続端子に持つ1つのパッケージに収容されることが好ましい。
【0041】
制御回路15は、スイッチング素子14に印加する、発振周波数が例えば100kHz程度のスイッチング信号を生成して出力する発振器21と、共有ソースが基準電圧端子TREF と接続され、一方のドレイン及び共有ゲートが帰還信号入力端子TREF と接続され、他方のドレインが抵抗を介してソース端子Tsと接続された第1のP型MOSFET531及び第2のP型MOSFET532からなり、帰還信号から2次側の負荷状態を示す帰還電圧信号VFBOに変換して出力する出力負荷検出回路53と、帰還電圧信号VFBOを逆相端子に抵抗を介して受け、正相端子に印加される基準電圧との差からなる誤差電圧信号VEAOを生成して出力する誤差増幅器22とを有している。さらに、スイッチング素子14を流れるドレイン電流IDを検出し、検出したドレイン電流IDを電圧に変換し、素子電流検出信号VCLとして出力するドレイン電流検出回路23と、誤差電圧信号VEAOと素子電流検出信号VCLとを比較し、比較した比較信号を出力するドレイン電流検出用比較器24と、比較信号に基づいてスイッチング信号の出力を制御するスイッチング信号制御回路25と、誤差電圧信号VEAOが下限電圧値よりも小さい場合にはスイッチング信号制御回路25に対してスイッチング素子14へのスイッチング信号の出力を停止し、誤差電圧信号VEAOが上限電圧値よりも大きい場合にはスイッチング信号制御回路25に対してスイッチング信号の出力を開始する軽負荷検出回路40とを有している。
【0042】
さらに、制御回路15は、スイッチング素子14のドレイン端子TD と制御回路15の基準電圧端子TREF との間に接続され、該基準電圧端子TREF に対して所定の基準電圧値を保持する電圧レギュレータ29と、基準電圧端子TREF と接続され、制御回路15の起動又は停止時にスイッチング信号制御回路25にハイレベルのイネーブル信号又はローレベルのディセーブル信号を送出する起動・停止回路30とを有している。
【0043】
スイッチング信号制御回路25は、セット端子Sに軽負荷検出回路40の出力信号を受け、リセット端子Rにドレイン電流検出用比較器24の出力信号を受けるRSフリップフロップ回路26と、第1の入力端子に起動・停止回路30の出力信号を受け、第2の入力端子に発振器21からの最大デューティサイクル信号MDCを受け、第3の入力端子にRSフリップフロップ回路26からの出力信号を受けるNAND回路27と、NAND回路27の出力信号を受け、受けた出力信号を反転増幅した制御信号をスイッチング素子14のゲートに出力するインバータからなるゲートドライバ28とから構成されている。
【0044】
軽負荷検出回路40は、基準電圧源41と、正相入力端子に誤差増幅器22からの誤差電圧信号VEAOを受け、逆相入力端子に基準電圧源41からの基準電圧VRを受ける軽負荷検出用比較器42と、一方の入力端子に軽負荷検出用比較器42の出力信号を受け、他方の入力端子に発振器21からのクロック信号CLKを受けるAND回路43とから構成されている。基準電圧源41は、軽負荷検出用比較器42の出力を受けて、基準電圧VRの値が変更可能となるように構成されている。
【0045】
軽負荷検出用比較器42は、入力される誤差電圧信号VEAOと基準電圧VRとを比較して、誤差電圧信号VEAOが基準電圧VRよりも大きい場合に、AND回路43に対してハイレベルの信号を出力する。逆に、誤差電圧信号VEAOが基準電圧VRよりも小さい場合には、AND回路43に対してローレベルの信号を出力するため、RSフリップフロップ回路26の出力信号がローレベルとなるので、ゲートドライバ28からの制御信号の出力を停止させることができる。
【0046】
また、誤差増幅器22の出力側には、誤差電圧信号VEAOの最大値をクランプするPNP型バイポーラトランジスタからなる過電流保護回路31が設けられており、誤差電圧信号VEAOがクランプ値を超える場合には、スイッチング素子14のソース端子Tsへ過電流を短絡させることにより、該スイッチング素子14が保護されるようにしている。
【0047】
また、本実施形態に係るスイッチング電源装置は、直流電圧Vin及び出力電圧Voの電圧値に制限はない。その上、1パッケージ化さらには1チップ化によってスイッチング電源装置の部品点数を大幅に削減できるため、スイッチング電源装置のサイズをも小さくでき、より小型化及び低価格化を実現できる。
【0048】
また、スイッチング素子14にN型MOSFETを用いたが、代わりにNPN型バイポーラトランジスタを用いてもよい。
【0049】
以下、前記のように構成されたスイッチング電源装置の動作について説明する。
【0050】
まず、本実施形態に係るスイッチング電源装置の起動について説明する。主入力端子10に交流電源が入力されると、整流及び平滑化されて直流電圧Vinとなり、トランス13の1次巻線13aと電圧レギュレータ29とを介して制御回路用電源コンデンサ19が充電される。その後、基準電圧端子TREF の基準電圧値が起動電圧にまで達すると、制御回路15が動作し、スイッチング素子14のオンオフ制御が開始される。
【0051】
次に、本実施形態に係るスイッチング電源装置の負荷変動時の動作について図2を用いて説明する。
【0052】
図2は本実施形態のスイッチング電源装置の出力負荷状態の変化に対する動作を表わしている。
【0053】
図2に示すように、定格負荷(定常負荷)時においては、基準電圧源41の基準電圧VRの値は下限電圧値VR1に設定されている。
【0054】
その後、例えば、負荷供給電流Ioが減少するような軽負荷となる負荷変動が生じると、負荷18に対する電力供給が過剰となって、出力電圧Voの電圧値は若干上昇する。この出力電圧Voの上昇が、出力電圧検出回路51により検出され、この検出信号はフォトカプラの発光ダイオード部52a及び受光トランジスタ部52bを介して制御回路15の帰還信号入力端子TFBに伝達される。これにより、受光トランジスタ部52bに流れる帰還信号電流が増加するに連れて、第1のP型MOSFET531のドレイン及びゲートの電位が低下して、第1及び第2のP型MOSFET531、532が低インピーダンス状態となる。その結果、基準電圧端子TREF の電位は電圧レギュレータ29を介して所定値に保持されているため、第2のP型MOSFET532の出力信号である帰還電圧信号VFBOの電圧値が上昇する。さらに、帰還電圧信号VFBOの上昇に伴って、誤差増幅器22から出力される誤差電圧信号VEAOの電圧値が低下するため、ドレイン電流検出回路23からの素子電流検出信号VCLの電圧値が低くても、ドレイン電流検出用比較器24からハイレベルの信号が出力される。その結果、RSフリップフロップ回路26からリセット信号が出力されるタイミングが早くなって、素子電流検出信号VCLの電圧値が徐々に低下する。
【0055】
このように、誤差増幅器22からの誤差電圧信号VEAOの電圧値が軽負荷検出の下限電圧値VR1と等しくなるまでの負荷変動時においては、スイッチング素子14のスイッチング動作が停止することはなく、該スイッチング素子14に流れるドレイン電流IDの最大値は線形的に低下する。その結果、負荷変動時におけるスイッチング素子14の消費電流は、負荷の大きさに合わせて徐々に抑制される。これが、いわゆる電流モードのPMW制御方式の特徴である。
【0056】
次に、誤差電圧信号VEAOの値が下限電圧値VR1とほぼ等しくなる軽負荷時には、軽負荷検出回路40の軽負荷検出用比較器42は、AND回路43に対してローレベルの信号を出力するため、スイッチング信号制御回路25のゲートドライバ28がローレベルの制御信号のみを出力して、スイッチング素子14のスイッチング動作が停止する。これとほぼ同時に、軽負荷検出用比較器42のローレベルの出力信号を受けて基準電圧源41の出力電圧VRは、下限電圧値VR1から上限電圧値VR2に変更される。
【0057】
次に、待機時のような軽負荷又は無負荷状態となると、スイッチング素子14に対するスイッチング制御が停止してスイッチング素子14がオフ状態となり、スイッチング素子14にドレイン電流IDが流れなくなる。これにより、トランス13の1次巻線13aを介した2次巻線13cへの電力供給が行われなくなるため、負荷18への電力供給は出力コンデンサ162からのみ行なわれるようになるので、出力電圧Voは徐々に低下する。出力電圧Voが低下すると、出力電圧検出回路51が検出してフォトカプラにより1次側に帰還される帰還信号の電流量が減少するため、出力負荷検出回路53から出力される帰還電圧信号VFBOは徐々に低下する。このとき、図3に示すように、基準電圧源41の出力電圧VRを下限電圧VR1よりも高い上限電圧VR2に設定しているため、スイッチング素子14によるスイッチング動作が直ちに再開されることがない。
【0058】
さらに、出力電圧Voが低下して、逆に誤差電圧信号VEAOが上限電圧値VR2を越えると、軽負荷検出用比較器42からの出力信号が再びハイレベルとなるため、これを受けるAND回路43はハイレベルの出力信号を出力できるようになるので、スイッチング素子14のスイッチング動作が再開される。これとほぼ同時に、軽負荷検出用比較器42のハイレベルの出力信号を受けて基準電圧源41の出力電圧VRは、上限電圧値VR2から下限電圧値VR1に再設定される。
【0059】
スイッチング素子14によるスイッチング動作が再開されると、スイッチング素子14に流れるドレイン電流IDは、軽負荷検出時の電流値よりも大きくなっているため、負荷18への電力供給が過剰となって、再び出力電圧Voが上昇し、出力負荷検出回路53からの帰還電圧信号VFBOが低下する。従って、前述したように、誤差電圧信号VEAOが下限電圧値VR1よりも小さくなると、スイッチング素子14に対するスイッチング信号の出力を再度停止する。
【0060】
このように、基準電圧源41から出力される基準電圧VRが軽負荷状態を検出することによりスイッチング動作を停止し、さらに、基準電圧VRを下限電圧値VR1から上限電圧値VR2へと変更することにより、誤差電圧信号VEAOが上昇しても、直ちにスイッチング動作が開始されることがないように基準電圧VRにヒステリシス特性を与えている。これにより、軽負荷又は無負荷を検出している間は、スイッチング素子14に対するスイッチング制御は、スイッチング動作の停止と再開とが繰り返される間欠発振状態となる。
【0061】
なお、出力電圧Voは、間欠発振状態のスイッチング停止期間中に低下するが、この低下の度合いは負荷供給電流Ioに依存する。すなわち、負荷供給電流Ioが小さくなる程、出力電圧Voの低下が緩やかになる。
【0062】
また、間欠発振状態におけるスイッチング停止期間は、負荷供給電流Ioが小さくなる程長くなる。すなわち、軽負荷になる程スイッチング素子14のスイッチング動作が減少することになる。
【0063】
また、図1に示した軽負荷検出回路40及び出力負荷検出回路53の回路構成は、これらに限定されるものではなく、同等の機能を有する回路構成であれば良い。
【0064】
(実施形態の一変形例)
以下、本実施形態の一変形例について図面を参照しながら説明する。
【0065】
図4は実施形態の一変形例に係るスイッチング電源装置の概略的な回路構成を示している。図4において、図1に示す構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【0066】
図4に示すように、本変形例に係るスイッチング電源装置は、一端が基板上形成領域20の端部に設けられた軽負荷検出電圧調整用端子TR を介して、軽負荷検出用比較器42の逆相入力端子と接続され、他端が主入力端子10のローレベル側と接続された検出電圧可変手段としての軽負荷検出電圧調整用抵抗器55を有している。
【0067】
このように、軽負荷検出電圧調整用抵抗器55を設けて、軽負荷検出の基準電圧VRの下限電圧値VR1及び上限電圧値VR2を適当に調整することができるようになるため、待機時における必要な負荷と併せて、スイッチング素子14のスイッチング動作が停止又は再開する際の負荷供給電流Ioを最適化することができる。従って、スイッチング素子14及び制御回路15が1チップ化されている場合であっても、軽負荷検出回路40の下限電圧値VR1又は上限電圧値VR2を電源装置の用途に応じて変更できるようになる。
【0068】
なお、本変形例においては、軽負荷検出電圧調整用抵抗器55を基板上形成領域20の外部に設けているが、必ずしもこれに限られず、所望の抵抗値を決定した後に、基板上形成領域20に組み込むようにしても良い。この場合の抵抗値の調整は、トリミング技術、例えば、レーザトリミング法により行なえる。
【0069】
【発明の効果】
本発明に係るスイッチング電源装置によると、出力側から帰還されて生成される帰還電圧信号と基準電圧との差からなる誤差電圧信号を出力する誤差増幅器と、誤差電圧信号が下限電圧値よりも小さい場合にスイッチング信号制御回路に対してスイッチング素子へのスイッチング信号の出力を停止する軽負荷検出回路とを有しているため、スイッチング素子における損失が減り、軽負荷時の消費電力を削減できるので、スイッチング電源用半導体装置の電源効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係るスイッチング電源装置を示す概略的な回路図である。
【図2】本発明の一実施形態に係るスイッチング電源装置の動作を示すタイミングチャート図である。
【図3】本発明の一実施形態に係るスイッチング電源装置における軽負荷検出用比較器に与える基準電圧を示すタイミングチャート図である。
【図4】本発明の実施形態の一変形例に係るスイッチング電源装置を示す概略的な回路図である。
【図5】従来のスイッチング電源装置を示す概略的な回路図である。
【図6】従来のスイッチング電源装置の動作を示すタイミングチャート図である。
【符号の説明】
10 主入力端子
11 整流器
12 入力コンデンサ
13 トランス(変圧器)
13a 1次巻線
13c 2次巻線
14 スイッチング素子
15 制御回路
16 出力電圧生成回路
161 第1のダイオード
162 出力コンデンサ
17 主出力端子
18 負荷
19 制御回路用電源コンデンサ
20 基板上形成領域
21 発振器
22 誤差増幅器
23 電流検出回路
24 ドレイン電流検出用比較器
25 スイッチング信号制御回路
26 RSフリップフロップ回路
27 NAND回路
28 ゲートドライバ
29 電圧レギュレータ
30 起動・停止回路
31 過電流保護回路
40 軽負荷検出回路
41 基準電圧源
42 軽負荷検出用比較器
43 AND回路
51 出力電圧検出回路
52a 発光ダイオード部(帰還回路)
52b 受光トランジスタ部(帰還回路)
53 出力負荷検出回路
531 第1のP型MOSFET
532 第2のP型MOSFET
55 軽負荷検出電圧調整用抵抗器(検出電圧可変手段)
Ts ソース端子
TD ドレイン端子
TREF 基準電圧端子
TBF 帰還信号入力端子
TR 軽負荷検出電圧調整用端子[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a switching power supply device, and more particularly to a switching power supply device and a semiconductor device for switching power supply that can reduce power consumption at light load.
[0002]
[Prior art]
First, a conventional switching power supply device will be described with reference to the drawings.
[0003]
FIG. 5 shows a circuit configuration of a conventional switching power supply apparatus in which the input side and the output side are electrically insulated. In the switching power supply device shown in FIG. 5, for example, an alternating current from a commercial power supply input to the input terminal is rectified by a
[0004]
The DC voltage Vin input to the first
[0005]
The current due to the electromotive force generated in the
[0006]
A DC electromotive force generated by the first
[0007]
The
[0008]
The
[0009]
The switching
[0010]
Hereinafter, the operation of the conventional switching power supply apparatus configured as described above will be described.
[0011]
In FIG. 5, first, immediately after the apparatus is started, when an alternating current from a commercial power source is input to the
[0012]
Thereafter, in the auxiliary
[0013]
The
[0014]
Next, as shown in the timing chart of FIG. 6, when the amount of current supplied to the
[0015]
When the error voltage signal VEAO is equal to the element current detection signal VCL in a state where the error voltage signal VEAO is lowered, such as when there is no load such as when the load fluctuates or during standby, and when the load is light, the RS flip-flop from the
[0016]
As described above, the
[0017]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional switching power supply device, although the drain current ID flowing through the
[0018]
The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and its object is to reliably improve the power supply efficiency in a switching power supply device by reducing the switching loss at light load and reducing the power consumption with a simple configuration. Is to be able to.
[0019]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a switching power supply device for a switching element based on a feedback voltage indicating a load state on an output side that is detected by an output voltage detection circuit and generated by feedback to a control circuit. The output of the switching signal is stopped.
[0020]
Specifically, a switching power supply device according to the present invention includes a transformer, a switching element whose input terminal is connected to a primary winding of the transformer, and receives a first DC voltage via the transformer, An output voltage generation circuit that is connected to the secondary winding and generates and outputs a second DC voltage from the first DC voltage by rectifying and smoothing the output voltage on the secondary side of the transformer; A control circuit that controls the operation of the switching element, an output voltage detection circuit that detects and outputs the voltage value of the second DC voltage, and an output signal of the output voltage detection circuit is fed back to the control circuit as a feedback signal in an insulated state A feedback circuit, a power supply capacitor for a control circuit that receives the output of the primary winding at the anode, an output of the switching element at the cathode, and generates a power supply voltage for the control circuit, the output side of the primary winding, and the control circuit Power supply capacitor with anode And a voltage regulator that holds the power supply voltage at a predetermined value. The control circuit generates and outputs a switching signal to be applied to the switching element, detects a current flowing through the switching element, and detects an element current. A current detection circuit that outputs as a signal, an output load detection circuit that converts the feedback signal into a feedback voltage signal that indicates a load condition on the secondary side, and outputs an error voltage signal that is the difference between the feedback voltage signal and the reference voltage. An error amplifier that generates and outputs, a comparator that compares the device current detection signal and the error voltage signal, outputs a comparison signal, and a switching signal control circuit that controls the output of the switching signal based on the comparison signal; When the error voltage signal is smaller than the lower limit voltage value, the switching signal to the switching element is not transmitted to the switching signal control circuit. Stop force, when the error voltage signal is greater than the upper limit voltage value and a light-load detection circuit starts outputting the switching signal to the switching signal control circuit.
[0021]
According to the switching power supply device of the present invention, when the current consumed at the time of a light load decreases and the second DC voltage that is the output voltage of the device rises, the secondary output voltage, that is, the load state of the second DC voltage. The voltage value of the feedback voltage signal that reflects is increased. As a result, the voltage value of the error voltage signal from the error amplifier that generates an error voltage signal consisting of the difference between the feedback voltage signal and the reference voltage is lowered. At this time, the light load detection circuit stops the output of the switching signal to the switching element to the switching signal control circuit when the error voltage signal is smaller than the lower limit voltage value. Since power consumption at the time of load can be reduced, the power supply efficiency of the switching power supply device can be improved.
[0022]
In addition, since the voltage regulator is provided between the output side of the primary winding and the anode of the control circuit power capacitor, the power voltage value of the control circuit generated by the control circuit power capacitor is held at a predetermined value. Therefore, the output load detection circuit can reliably convert the feedback voltage signal from the feedback signal reflecting the load state on the secondary side.
[0023]
In the switching power supply device of the present invention, the feedback circuit preferably includes a photocoupler. In this way, even when the input side and the output side are electrically insulated by the transformer, the load state on the output side can be reliably fed back to the input side.
[0024]
In the switching power supply device of the present invention, it is preferable that the light load detection circuit has a detection voltage variable means capable of variably setting the value of the lower limit voltage or the upper limit voltage. In this way, the load current value during standby can be optimized according to the system in which the present apparatus is incorporated, so that options for the system to be incorporated can be increased.
[0025]
In the switching power supply device of the present invention, the switching element and the control circuit include an input terminal and an output terminal of the switching element, an input terminal on the anode side of the power capacitor for the control circuit in the control circuit, and the output load detection circuit. It is preferable that the feedback signal input terminal is integrated on one semiconductor substrate so as to be an external connection terminal. In this way, since the switching element and the control circuit can be integrated into one chip, the number of parts can be greatly reduced and the size of the switching power supply device can be reduced.
[0026]
A semiconductor device for a switching power supply according to the present invention includes a transformer, a switching element having an input terminal connected to a primary winding of the transformer, receiving a first DC voltage via the transformer, and a secondary of the transformer. An output voltage generation circuit which is connected to the winding and generates and outputs a second DC voltage from the first DC voltage by rectifying and smoothing the output voltage on the secondary side of the transformer; and a switching element A control circuit that controls the operation of the output voltage, an output voltage detection circuit that detects and outputs the voltage value of the second DC voltage, and a feedback circuit that feeds back the output signal of the output voltage detection circuit as a feedback signal in an insulated state A power supply capacitor for the control circuit that receives the output of the primary winding at the anode and the output of the switching element at the cathode and generates a power supply voltage for the control circuit, the output side of the primary winding, and the power supply for the control circuit Between capacitor anode Provided is a switching power supply semiconductor device that controls a switching power supply device that includes a voltage regulator that holds a power supply voltage at a predetermined value. The switching power supply semiconductor device includes a switching element and a control circuit. An oscillator that generates and outputs a switching signal to be applied to the switching element, a current detection circuit that detects a current flowing through the switching element and outputs it as an element current detection signal, and a feedback indicating a load state on the secondary side from the feedback signal The output load detection circuit that converts and outputs the voltage signal, the error amplifier that generates and outputs the error voltage signal that is the difference between the feedback voltage signal and the reference voltage, the device current detection signal and the error voltage signal are compared. A comparator that outputs a comparison signal, and a switch that controls the output of the switching signal based on the comparison signal. When the error signal is smaller than the lower limit voltage value, the switching signal control circuit stops outputting the switching signal to the switching element, and the error voltage signal is larger than the upper limit voltage value. Has a light load detection circuit for starting output of the switching signal to the switching signal control circuit.
[0027]
According to the semiconductor device for a switching power supply of the present invention, when the current consumed at light load decreases and the second DC voltage that is the output voltage of the device rises, the secondary output voltage, that is, the second DC voltage The voltage value of the feedback voltage signal reflecting the load state increases. As a result, the voltage value of the error voltage signal from the error amplifier that generates an error voltage signal consisting of the difference between the feedback voltage signal and the reference voltage is lowered. At this time, the light load detection circuit stops the output of the switching signal to the switching element to the switching signal control circuit when the error voltage signal is smaller than the lower limit voltage value. Since power consumption at the time of load can be reduced, the power supply efficiency of the switching power supply device can be improved.
[0028]
In the semiconductor device for a switching power supply according to the present invention, it is preferable that the light load detection circuit has a detection voltage variable means capable of variably setting the value of the lower limit voltage or the upper limit voltage.
[0029]
In the semiconductor device for a switching power supply according to the present invention, the switching element and the control circuit include an input terminal and an output terminal of the switching element, an input terminal on the anode side of the control circuit power supply capacitor in the control circuit, and a feedback signal in the output load detection circuit. It is preferable to be integrated on one semiconductor substrate so that the input terminals become external connection terminals.
[0030]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0031]
FIG. 1 shows a schematic circuit configuration of a switching power supply apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the switching power supply according to the present embodiment uses a transformer (transformer) to apply a first DC voltage applied to the
[0032]
Hereinafter, the switching power supply device will be described in detail.
[0033]
The
[0034]
Connected in parallel to the
[0035]
The switching power supply apparatus may be configured without the
[0036]
An output
[0037]
The
[0038]
Further, the output
[0039]
The photocoupler includes a light emitting diode portion 52a connected to the secondary side output
[0040]
In the present embodiment, the region surrounded by the
[0041]
The
[0042]
Further, the
[0043]
The switching
[0044]
The light
[0045]
The light
[0046]
Further, an
[0047]
In the switching power supply according to the present embodiment, there are no restrictions on the voltage values of the DC voltage Vin and the output voltage Vo. In addition, since the number of parts of the switching power supply device can be greatly reduced by using one package or even one chip, the size of the switching power supply device can be reduced, and further reduction in size and cost can be realized.
[0048]
Further, although the N-type MOSFET is used for the switching element 14, an NPN-type bipolar transistor may be used instead.
[0049]
Hereinafter, an operation of the switching power supply device configured as described above will be described.
[0050]
First, activation of the switching power supply device according to the present embodiment will be described. When AC power is input to the
[0051]
Next, the operation at the time of load change of the switching power supply device according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
[0052]
FIG. 2 shows the operation of the switching power supply device according to this embodiment with respect to changes in the output load state.
[0053]
As shown in FIG. 2, at the rated load (steady load), the value of the reference voltage VR of the
[0054]
Thereafter, for example, when a load change that becomes a light load such that the load supply current Io decreases, the power supply to the
[0055]
As described above, the switching operation of the switching element 14 does not stop during a load change until the voltage value of the error voltage signal VEAO from the
[0056]
Next, at a light load when the value of the error voltage signal VEAO is substantially equal to the lower limit voltage value VR1, the light
[0057]
Next, when a light load or no load state occurs during standby, the switching control for the switching element 14 is stopped, the switching element 14 is turned off, and the drain current ID does not flow through the switching element 14. As a result, power is not supplied to the secondary winding 13c via the primary winding 13a of the
[0058]
Further, when the output voltage Vo decreases and the error voltage signal VEAO exceeds the upper limit voltage value VR2, the output signal from the light
[0059]
When the switching operation by the switching element 14 is resumed, the drain current ID flowing through the switching element 14 is larger than the current value at the time of light load detection, so that the power supply to the
[0060]
As described above, when the reference voltage VR output from the
[0061]
The output voltage Vo decreases during the switching stop period in the intermittent oscillation state, and the degree of the decrease depends on the load supply current Io. That is, as the load supply current Io decreases, the output voltage Vo decreases more slowly.
[0062]
Further, the switching stop period in the intermittent oscillation state becomes longer as the load supply current Io becomes smaller. That is, the switching operation of the switching element 14 decreases as the load becomes lighter.
[0063]
Also, the circuit configurations of the light
[0064]
(One Modification of Embodiment)
Hereinafter, a modification of the present embodiment will be described with reference to the drawings.
[0065]
FIG. 4 shows a schematic circuit configuration of a switching power supply device according to a modification of the embodiment. In FIG. 4, the same components as those shown in FIG.
[0066]
As shown in FIG. 4, the switching power supply according to the present modification has a light
[0067]
As described above, the light load detection
[0068]
In this modification, the light load detection
[0069]
【The invention's effect】
According to the switching power supply device of the present invention, an error amplifier that outputs an error voltage signal that is a difference between a feedback voltage signal generated by feedback from the output side and a reference voltage, and the error voltage signal is smaller than a lower limit voltage value Since the switching signal control circuit has a light load detection circuit that stops the output of the switching signal to the switching element, loss in the switching element is reduced, and power consumption at light load can be reduced. The power supply efficiency of the semiconductor device for switching power supply can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic circuit diagram showing a switching power supply device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a timing chart showing the operation of the switching power supply according to the embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a timing chart showing a reference voltage applied to a light load detection comparator in the switching power supply according to the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic circuit diagram showing a switching power supply device according to a modification of the embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a schematic circuit diagram showing a conventional switching power supply device.
FIG. 6 is a timing chart showing the operation of a conventional switching power supply device.
[Explanation of symbols]
10 Main input terminal
11 Rectifier
12 Input capacitor
13 Transformer
13a Primary winding
13c Secondary winding
14 Switching elements
15 Control circuit
16 Output voltage generation circuit
161 First diode
162 Output capacitor
17 Main output terminal
18 Load
19 Power supply capacitor for control circuit
20 Formation area on substrate
21 Oscillator
22 Error amplifier
23 Current detection circuit
24 Drain current detection comparator
25 Switching signal control circuit
26 RS flip-flop circuit
27 NAND circuit
28 Gate driver
29 Voltage regulator
30 Start / stop circuit
31 Overcurrent protection circuit
40 Light load detection circuit
41 Reference voltage source
42 Light load detection comparator
43 AND circuit
51 Output voltage detection circuit
52a Light emitting diode (feedback circuit)
52b Light receiving transistor (feedback circuit)
53 Output load detection circuit
531 First P-type MOSFET
532 Second P-type MOSFET
55 Light load detection voltage adjustment resistor (Detection voltage variable means)
Ts source terminal
TD drain terminal
TREF reference voltage terminal
TBF feedback signal input terminal
TR Light load detection voltage adjustment terminal
Claims (7)
入力端子が前記変圧器の1次巻線と接続され、前記変圧器を介して第1の直流電圧を受けるスイッチング素子と、
前記変圧器の2次巻線と接続され、前記変圧器の2次側の出力電圧を整流し且つ平滑化することにより、前記第1の直流電圧から第2の直流電圧を生成して出力する出力電圧生成回路と、
前記スイッチング素子の動作を制御する制御回路と、
前記第2の直流電圧の電圧値を検出して出力する出力電圧検出回路と、
前記出力電圧検出回路の出力信号を前記制御回路に帰還信号として絶縁状態で帰還する帰還回路と、
陽極に前記1次巻線の出力を受け、陰極に前記スイッチング素子の出力を受け、前記制御回路用の電源電圧を生成する制御回路用電源コンデンサと、
前記1次巻線の出力側と前記制御回路用電源コンデンサの陽極との間に設けられ、前記電源電圧を所定値に保持する電圧レギュレータとを備え、
前記制御回路は、
前記スイッチング素子に印加するスイッチング信号を生成して出力する発振器と、
前記スイッチング素子を流れる電流を検出し、素子電流検出信号として出力する電流検出回路と、
前記帰還信号から2次側の負荷状態を示す帰還電圧信号に変換して出力する出力負荷検出回路と、
前記帰還電圧信号と基準電圧との差からなる誤差電圧信号を生成して出力する誤差増幅器と、
前記素子電流検出信号と前記誤差電圧信号とを比較し、比較した比較信号を出力する比較器と、
前記比較信号に基づいて前記スイッチング信号の出力を制御するスイッチング信号制御回路と、
前記誤差電圧信号が下限電圧値よりも小さい場合には前記スイッチング信号制御回路に対して前記スイッチング素子への前記スイッチング信号の出力を停止し、前記誤差電圧信号が上限電圧値よりも大きい場合には前記スイッチング信号制御回路に対して前記スイッチング信号の出力を開始する軽負荷検出回路とを有していることを特徴とするスイッチング電源装置。A transformer,
A switching element having an input terminal connected to the primary winding of the transformer and receiving a first DC voltage via the transformer;
The second DC voltage is generated from the first DC voltage and output by rectifying and smoothing the output voltage on the secondary side of the transformer, connected to the secondary winding of the transformer. An output voltage generation circuit;
A control circuit for controlling the operation of the switching element;
An output voltage detection circuit for detecting and outputting a voltage value of the second DC voltage;
A feedback circuit that feeds back an output signal of the output voltage detection circuit to the control circuit as a feedback signal in an insulated state;
A control circuit power supply capacitor that receives an output of the primary winding at an anode and an output of the switching element at a cathode and generates a power supply voltage for the control circuit;
A voltage regulator provided between the output side of the primary winding and the anode of the control circuit power supply capacitor, and holding the power supply voltage at a predetermined value;
The control circuit includes:
An oscillator that generates and outputs a switching signal applied to the switching element;
A current detection circuit that detects a current flowing through the switching element and outputs the current as an element current detection signal;
An output load detection circuit that converts the feedback signal into a feedback voltage signal indicating a load state on the secondary side and outputs the feedback voltage signal;
An error amplifier that generates and outputs an error voltage signal composed of a difference between the feedback voltage signal and a reference voltage;
A comparator that compares the device current detection signal with the error voltage signal and outputs a compared comparison signal;
A switching signal control circuit for controlling the output of the switching signal based on the comparison signal;
When the error voltage signal is smaller than a lower limit voltage value, the switching signal control circuit stops outputting the switching signal to the switching element, and when the error voltage signal is larger than an upper limit voltage value. A switching power supply device comprising: a light load detection circuit for starting output of the switching signal to the switching signal control circuit.
前記スイッチング素子の入力端子及び出力端子、並びに前記制御回路における前記制御回路用電源コンデンサの陽極側の入力端子及び前記出力負荷検出回路における前記帰還信号の入力端子が外部接続端子となるように一つの半導体基板上に集積化されて形成されていることを特徴とする請求項1〜3のうちのいずれか1項に記載のスイッチング電源装置。The switching element and the control circuit are:
One input terminal and an output terminal of the switching element, an input terminal on the anode side of the power capacitor for the control circuit in the control circuit, and an input terminal for the feedback signal in the output load detection circuit are external connection terminals. 4. The switching power supply device according to claim 1, wherein the switching power supply device is integrated on a semiconductor substrate. 5.
入力端子が前記変圧器の1次巻線と接続され、前記変圧器を介して第1の直流電圧を受けるスイッチング素子と、
前記変圧器の2次巻線と接続され、前記変圧器の2次側の出力電圧を整流し且つ平滑化することにより、前記第1の直流電圧から第2の直流電圧を生成して出力する出力電圧生成回路と、
前記スイッチング素子の動作を制御する制御回路と、
前記第2の直流電圧の電圧値を検出して出力する出力電圧検出回路と、
前記出力電圧検出回路の出力信号を前記制御回路に帰還信号として絶縁状態で帰還する帰還回路と、
陽極に前記1次巻線の出力を受け、陰極に前記スイッチング素子の出力を受け、前記制御回路用の電源電圧を生成する制御回路用電源コンデンサと、
前記1次巻線の出力側と前記制御回路用電源コンデンサの陽極との間に設けられ、前記電源電圧を所定値に保持する電圧レギュレータとを備えたスイッチング電源装置を制御するスイッチング電源用半導体装置であって、
前記スイッチング電源用半導体装置は、前記スイッチング素子及び前記制御回路を含み、
前記制御回路は、
前記スイッチング素子に印加するスイッチング信号を生成して出力する発振器と、
前記スイッチング素子を流れる電流を検出し、素子電流検出信号として出力する電流検出回路と、
前記帰還信号から2次側の負荷状態を示す帰還電圧信号に変換して出力する出力負荷検出回路と、
前記帰還電圧信号と基準電圧との差からなる誤差電圧信号を生成して出力する誤差増幅器と、
前記素子電流検出信号と前記誤差電圧信号とを比較し、比較した比較信号を出力する比較器と、
前記比較信号に基づいて前記スイッチング信号の出力を制御するスイッチング信号制御回路と、
前記誤差電圧信号が下限電圧値よりも小さい場合には前記スイッチング信号制御回路に対して前記スイッチング素子への前記スイッチング信号の出力を停止し、前記誤差電圧信号が上限電圧値よりも大きい場合には前記スイッチング信号制御回路に対して前記スイッチング信号の出力を開始する軽負荷検出回路とを有していることを特徴とするスイッチング電源用半導体装置。A transformer,
A switching element having an input terminal connected to the primary winding of the transformer and receiving a first DC voltage via the transformer;
The second DC voltage is generated from the first DC voltage and output by rectifying and smoothing the output voltage on the secondary side of the transformer, connected to the secondary winding of the transformer. An output voltage generation circuit;
A control circuit for controlling the operation of the switching element;
An output voltage detection circuit for detecting and outputting a voltage value of the second DC voltage;
A feedback circuit that feeds back an output signal of the output voltage detection circuit to the control circuit as a feedback signal in an insulated state;
A control circuit power supply capacitor that receives an output of the primary winding at an anode and an output of the switching element at a cathode and generates a power supply voltage for the control circuit;
Switching power supply semiconductor device for controlling a switching power supply device provided between the output side of the primary winding and the anode of the control circuit power supply capacitor and having a voltage regulator for holding the power supply voltage at a predetermined value Because
The switching power supply semiconductor device includes the switching element and the control circuit,
The control circuit includes:
An oscillator that generates and outputs a switching signal applied to the switching element;
A current detection circuit that detects a current flowing through the switching element and outputs the current as an element current detection signal;
An output load detection circuit that converts the feedback signal into a feedback voltage signal indicating a load state on the secondary side and outputs the feedback voltage signal;
An error amplifier that generates and outputs an error voltage signal composed of a difference between the feedback voltage signal and a reference voltage;
A comparator that compares the device current detection signal with the error voltage signal and outputs a compared comparison signal;
A switching signal control circuit for controlling the output of the switching signal based on the comparison signal;
When the error voltage signal is smaller than a lower limit voltage value, the switching signal control circuit stops outputting the switching signal to the switching element, and when the error voltage signal is larger than an upper limit voltage value. A switching power supply semiconductor device comprising: a light load detection circuit for starting output of the switching signal to the switching signal control circuit.
前記スイッチング素子の入力端子及び出力端子、並びに前記制御回路における前記制御回路用電源コンデンサの陽極側の入力端子及び前記出力負荷検出回路における前記帰還信号の入力端子が外部接続端子となるように一つの半導体基板上に集積化されて形成されていることを特徴とする請求項5又は6に記載のスイッチング電源用半導体装置。The switching element and the control circuit are:
One input terminal and an output terminal of the switching element, an input terminal on the anode side of the power capacitor for the control circuit in the control circuit, and an input terminal for the feedback signal in the output load detection circuit are external connection terminals. 7. The switching power supply semiconductor device according to claim 5, wherein the switching power supply semiconductor device is integrated on a semiconductor substrate.
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