JP4283406B2 - 酸化物超伝導材料の着磁方法および着磁装置 - Google Patents
酸化物超伝導材料の着磁方法および着磁装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4283406B2 JP4283406B2 JP2000018475A JP2000018475A JP4283406B2 JP 4283406 B2 JP4283406 B2 JP 4283406B2 JP 2000018475 A JP2000018475 A JP 2000018475A JP 2000018475 A JP2000018475 A JP 2000018475A JP 4283406 B2 JP4283406 B2 JP 4283406B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- superconductor
- magnetizing
- magnetization
- superconducting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、バルク形態を有する超伝導体マグネットの着磁方法およびその着磁装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
溶融法で製造されるRE系バルク超伝導材料は、高い臨界電流密度を有するために、磁場中冷却やパルス着磁により励磁され、バルクマグネットととして使用され、超伝導モーター（Y,Itoh等,Jpn J. Appl. Phys., Vol.34, 5574(1995)）、 超伝導磁場発生装置等への応用が検討されている。
【０００３】
生田らは、磁場中冷却により着磁した直径36mmの円柱形Sm系バルク超伝導体を用いて、最大1.5Ｔ程度の磁場を発生できるバルクマグネットについて報告している（日本磁気学会誌 Vol.23, No.4-1(1999)）。
また、Y.Itoh等は、Y系バルク超伝導材料を用い、パルス着磁と磁場中冷却による着磁を比較検討している（Jpn J. Appl. Phys., Vol.34, 5574(1995)）。
森田らは、超伝導マグネット中で直径約60mmのバルク材料を用い、40Kにおいて約4.5Tの磁場を発生させている（日本応用磁気学会誌Vol.19, No.3 (1995)）。
【０００４】
RE系バルク材料のパルス着磁に関しては、特開平6-20837において磁束跳躍をともなうパルス着磁が、また特開平6-168823、特開平10-12429等においては冷却方法も含めた着磁方法について記載されている。
以上のように、RE系バルク超伝導体は、超伝導および常伝導電磁石やパルスマグネットにより着磁され、マグネットとしての応用が検討されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、着磁のための超伝導マグネットやパルス着磁装置は、高価であり、かつ、取り扱い方法も容易ではないと言う問題があった。
そこで、本発明は、常伝導電磁石や永久磁石のように比較的安価で取り扱いも容易な磁場発生装置を用いたとしても比較的容易に着磁できる方法および着磁装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
通常、磁場発生用電磁石は均一磁場を発生するために、ポールピースの形状が工夫されている。また、パルス磁場マグネットは、ソレノイドコイルになっており、ソレノイドコイルの内側はほぼ均一磁場になっているが、幾分外側の磁場が強くなる傾向にある。
【０００７】
前述の問題点を解決するために鋭意検討した結果、均一磁場中に超伝導体を配置して着磁するのではなく、強い磁束密度を発生する超伝導体の中心部分に極端に磁束を集中させることによって、着磁がより容易にかつ効果的に行えることを見出し、本発明を完成させたものである。
【０００８】
即ち、本発明は、以下の内容を要旨とするものである。
（１） 超伝導体の着磁方法において、超伝導体の中心部（内側）に外部磁場を集中させた不均一磁場中で、超伝導状態を実現した後、外部磁場を取り除き着磁を行うことで、磁束密度が高くなる超伝導体の中心部に効率よく着磁させることができる。不均一磁場の目安としては、通常の電磁石のポールピース形状では得られない不均一のレベルとして、超伝導体の外周部分の磁束密度と中心部分の磁束密度の比が2:3以上であることが望ましい。さらに望ましくは、1:2以上である。
【０００９】
（２） リング形状を有する超伝導体の着磁方法においては、リング状超伝導の内側に外部磁場を集中させた不均一磁場中で、超伝導状態を実現した後、外部磁場を取り除くことでより効率よく着磁を行える。リング形状の超伝導バルクマグネットは、リング内部に比較的均一な磁場分布を実現しやすいことから、その有用性は特に大きい。不均一磁場の目安としては、通常の電磁石のポールピース形状では得られない不均一のレベルとして、リング状超伝導体の外周部分の磁束密度とリングの内側部分の磁束密度の比が2:3以上であることが望ましい。さらに 望ましくは、1:2以上である。
【００１０】
（３） 上記（１）または（２）の着磁方法において、超伝導体の外径よりも細い強磁性体を超伝導体の対向する側面（表裏両側面）、または、リング状の超伝導体の場合、リングの内側に配置することにより、外部磁場を集中させることによって容易に上記不均一磁場を形成することが可能となる。
【００１１】
（４） 上記（３）のような着磁方法を行うことで、磁気回路である強磁性体と超伝導体とが実質的に鎖交した状態で超伝導体を冷却することにより超伝導状態を実現することで、効果的な着磁が可能となる。また、リング形状のバルク超伝導材料の内側に強磁性体を挿入し閉磁気回路を構成することによって、十分な鎖交状態が実現できる。
【００１２】
（５） 着磁する超伝導体が臨界電流密度の高いREBa2Cu3O7-x系超伝導体（ここでREはYを含む希土類元素の1種類又はその組み合わせ）である（１）〜（４）記載の着磁方法より高性能のバルクマグネットが実現できる。
【００１３】
（６） 強磁性体からなる磁気回路とポールピースを有し、超伝導体の挿入を可能とするためのポールピース間のギャップの調整機構があり、かつポールピース中央部に凸部を有することで、この凸部に磁束を集中させ不均一磁場を発生させうる磁場発生装置は、上記（１）〜（５）記載の不均一磁場を発生させるための磁場発生装置として適している。
【００１４】
（７） また、上記（６）の磁場発生装置の中でも、磁気回路が実質的に閉回路を構成しうることを特徴とする着磁装置は、磁気抵抗が小さいため高い磁束密度を実現しやすく、特にリング形状のバルクマグネットの着磁に適している。
（８） 磁気回路が永久磁石と強磁性体から構成された上記（７）の磁場発生装置は、電源を必要とせず、安価に着磁装置が実現できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
バルクマグネットとなる超伝導体は、REBa2Cu3O7-x相（ここでREはＹを含む希土類元素の１種類又はその組み合わせ）中に、RE2BaCuO5またはRE4Ba2Cu2O10が 分散した微細組織を有する酸化物超伝導材料であり、かつ結晶粒界を含まない単一粒の材料を用いることが望ましい。さらに、大きな超伝導電流が流せるREBa2Cu3O7-x相のa-b面に対し、垂直に磁束が貫くような配置で着磁することが望まし い。リング形状材料の場合、リングの軸とｃ軸および磁束の方向が一致することが望ましい。
【００１６】
磁気回路を構成する強磁性体および超伝導体の中心部に不均一磁場を形成するための強磁性体には、純鉄、珪素鋼等の鉄系合金や、Co系合金、Ni系合金等が挙げられる。磁場発生装置としては電磁石だけでなく永久磁石も使用できる。この場合の永久磁石には、SmCo系磁石やNdFeB系の磁石があげられる。
【００１７】
本発明は、超伝導マグネットやパルス着磁装置等の着磁装置に対しても有効であり、それらの性能をより着磁に適するようにする働きを有する。したがって、本発明は、常伝導電磁石や永久磁石のように比較的安価で取り扱いも容易な磁場発生装置に限定されるものではない。
【００１８】
【実施例】
（実施例１）
SmBa2Cu3O7-x相中に1μm程度のSm2BaCuO5相および50〜500μmの銀が分散した 組織を有する円柱状（外径58mm、厚さ15mm）のY系超伝導バルク材料を用い、常伝導電磁石を用いて着磁実験を行った。円柱の軸と123相のｃ軸は、ほぼ一致させ た。電磁石のポールピース間のギャップは39mmに設定し、直径28mm、長さ10mmの純鉄製の円柱をポールピース中央部に配置し、磁気回路構成した。着磁用電磁石１、超伝導体４、保冷容器５、純鉄製円柱３およびポールピース２との位置関係を図１に示す。矢印はポールピースのギャップを調節するための移動個所を示す。
【００１９】
この状態で磁束分布を測定したところ、試料中心部で磁束密度が1.8T程度であり、超伝導リングの外周付近では1.3Ｔであることから、超伝導体の中心部分に 磁束が集中した不均一磁場ができていることが分かる。この様な磁場中で、上記超伝導体を液体窒素を用い約77Kに冷却し、しかる後、外部磁場を除去し、さら にポールピースのギャップを開き、超伝導体を取り出した。続いて、超伝導体の中央部で磁束密度を測定したところ、約1.7Tの磁場を発生していることが分かった。
【００２０】
次に比較例として、同じ超伝導体および常伝導電磁石を用いて、電磁石のポールピース間のギャップを19mmとし、純鉄製円柱を用いずに同様の着磁実験を行った。着磁後、超伝導リング材料の内部中央部で磁束密度を測定したところ、約1.55Tの磁場を発生していることが分かった。
上記実験結果から、純鉄製円柱を用いて磁場を中心部に集中させて着磁することにより、より強力な磁場を発生することができる超伝導バルクマグネットができることが確認できた。
【００２１】
（実施例２）
YBa2Cu3O7-x相中に1μm程度のY2BaCuO5相が分散した組織を有するリング形状 （外径48mm、内径20mm、厚さ15mm）のY系超伝導バルク材料を用い常伝導電磁石を用いて着磁実験を行った。リングの軸と123相のｃ軸は、ほぼ一致しており、直 径14mm、長さ25mmの純鉄製の円柱をリング内に挿入し、かつポールピース間のギャップが可変である電磁石のポールピース間に配置し、磁気的な閉回路構成しかつ、超伝導材料と磁束がほとんど鎖交するようにした。着磁用電磁石１、超伝導リング６、保冷容器５、純鉄製円柱３およびポールピースとの位置関係を図２に示す。
【００２２】
また、図２中記載の磁束密度測定点７での、軸方向成分磁束密度分布を図３に示す。この磁束分布からリング内部で平均磁束密度が2.5T程度であり、超伝導リングの外周付近では1.0Ｔであることから、超伝導体の中心部分に磁束が集中し た不均一磁場ができていることが分かる。この様な磁場中で、上記超伝導体を液体窒素を用い減圧することで約67Kに冷却し、しかる後、外部磁場を除去し、さ らにポールピースのギャップを開き、超伝導リング材を取り出した。続いて、純鉄製円柱を取り除き超伝導リング材料の内部中央部で磁束密度を測定したところ、約2.2Tの磁場を発生していることが分かった。
【００２３】
次に比較例として、同じリング材料および常伝導電磁石を用いて、純鉄製円柱を用いずに同様の着磁実験を行った。着磁後、超伝導リング材料の内部中央部で磁束密度を測定したところ、約1.1Tの磁場を発生していることが分かった。
上記実験結果から、純鉄製円柱をリング形状超伝導材料中に挿入して着磁することにより、より強力な磁場を発生することができる超伝導バルクマグネットができることが確認できた。
【００２４】
（実施例３）
SmBa2Cu3O7-x相中に1μm程度のSm2BaCuO5相および50〜500μmの銀が分散した 組織を有するリング形状（外径52mm、内径22mm、厚さ12mm）のSm系超伝導バルク材料を用い常伝導電磁石を用いて着磁実験を行った。リングの軸と123相のｃ軸は、ほぼ一致しており、直径12mm、長さ20mmの純鉄製の円柱をリング内に挿入し、かつポールピース間のギャップが可変である電磁石のポールピース間に配置し、磁気的な閉回路構成しかつ、超伝導材料と磁束がほとんど鎖交するようにした。
【００２５】
着磁用電磁石、超伝導リング、保冷容器および純鉄製円柱との位置関係は図２とほぼ同じである。
また、図２中記載の磁束密度測定点での、軸方向成分磁束密度は、リング内部で平均2.7T程度であり、超伝導リングの外周付近では1.3Tであることから、超伝導体の中心部分に磁束が集中した不均一磁場ができていることが分かる。この様な磁場中で、冷凍機により保冷容器中の上記超伝導体を約50Kに冷却し、しかる 後、外部磁場を除去し、さらにポールピースのギャップを開き、超伝導リング材を取り出した。続いて、純鉄製円柱を取り除き超伝導リング材料の内部中央部で磁束密度を測定したところ、約2.4Tの磁場を発生していることが分かった。
【００２６】
次に、比較例として、同じリング材料および常伝導電磁石を用いて、純鉄製円柱を用いずに同様の着磁実験を行った。着磁後、超伝導リング材料の内部中央部で磁束密度を測定したところ、約1.3Tの磁場を発生していることが分かった。
上記実験結果から、純鉄製円柱をリング形状超伝導材料中に挿入して着磁することにより、より強力な磁場を発生することができる超伝導バルクマグネットができることが確認できた。
【００２７】
（実施例４）
(Gd0.5Sm0.5)Ba2Cu3O7-x相中に1μm程度の(Gd0.5Sm0.5)2BaCuO5相および50〜500μmの銀が分散した組織を有するリング形状（外径50mm、内径16mm、厚さ10mm）のGd-Sm系超伝導バルク材料2個に対して、永久磁石(FeNdB系)と磁気回路から構 成される常伝導磁石を用いて、着磁実験を行った。このとき用いたGd-Sm系超伝 導バルク材料2個は、ほぼ同じ特性を有していた。リングの軸と123相のｃ軸は、ほぼ一致しており、直径16mm、長さ25mmの純鉄製の円柱をリング内に挿入し、かつポールピース間のギャップが可変である電磁石のポールピース間に配置し、磁気的な閉回路構成し、かつ、超伝導材料と磁束がほとんど鎖交するようにした。
【００２８】
着磁用電磁石、超伝導リング、保冷容器および純鉄製円柱との位置関係は図２とほぼ同じである。
また、図２中記載の磁束密度測定点での、軸方向成分磁束密度は、リング内部で平均1.8T程度であり、超伝導リングの外周付近では0.7Tであることから、超伝導体の中心部分に磁束が集中した不均一磁場ができていることが分かる。この様な磁場中で、液体窒素を保冷容器中に投入することにより、上記超伝導体を約77Kに冷却し、しかる後、外部磁場を除去し、さらにポールピースのギャップを開 き、超伝導リング材を取り出した。続いて、純鉄製円柱を取り除き超伝導リング材料の内部中央部で磁束密度を測定したところ、約1.7Tの磁場を発生していることが分かった。
【００２９】
次に、比較例として、同じリング材料および常伝導磁石を用いて、純鉄製円柱を用いずに同様の着磁実験を行った。着磁後、超伝導リング材料の内部中央部で磁束密度を測定したところ、約0.8Tの磁場を発生していることが分かった。
上記実験結果から、純鉄製円柱をリング形状超伝導材料中に挿入して着磁することにより、より強力な磁場を発生することができる超伝導バルクマグネットができることが確認できた。
【００３０】
【発明の効果】
本願発明は、簡便に効率よく超伝導体に着磁をする方法および着磁する装置を提供するものであり、高磁界を発生するバルク超伝導マグネットをより簡便に実現し得ることから、通常の永久磁石では得られない高磁界を発生でき、その工業的効果は甚大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で用いた着磁装置の概略図
【図２】実施例２〜４で用いた着磁装置の概略図
【図３】実施例２におけるポールピース間の磁束密度分布図
【符号の説明】
１ 電磁石のコイル
２ ギャップ調整機構を有する磁石のポールピース
３ 純鉄等の強磁性体製円柱
４ 超伝導材料
５ 保冷容器
６ リング形状の超伝導材料
７ 磁束密度測定点
【発明の属する技術分野】
本発明は、バルク形態を有する超伝導体マグネットの着磁方法およびその着磁装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
溶融法で製造されるRE系バルク超伝導材料は、高い臨界電流密度を有するために、磁場中冷却やパルス着磁により励磁され、バルクマグネットととして使用され、超伝導モーター（Y,Itoh等,Jpn J. Appl. Phys., Vol.34, 5574(1995)）、 超伝導磁場発生装置等への応用が検討されている。
【０００３】
生田らは、磁場中冷却により着磁した直径36mmの円柱形Sm系バルク超伝導体を用いて、最大1.5Ｔ程度の磁場を発生できるバルクマグネットについて報告している（日本磁気学会誌 Vol.23, No.4-1(1999)）。
また、Y.Itoh等は、Y系バルク超伝導材料を用い、パルス着磁と磁場中冷却による着磁を比較検討している（Jpn J. Appl. Phys., Vol.34, 5574(1995)）。
森田らは、超伝導マグネット中で直径約60mmのバルク材料を用い、40Kにおいて約4.5Tの磁場を発生させている（日本応用磁気学会誌Vol.19, No.3 (1995)）。
【０００４】
RE系バルク材料のパルス着磁に関しては、特開平6-20837において磁束跳躍をともなうパルス着磁が、また特開平6-168823、特開平10-12429等においては冷却方法も含めた着磁方法について記載されている。
以上のように、RE系バルク超伝導体は、超伝導および常伝導電磁石やパルスマグネットにより着磁され、マグネットとしての応用が検討されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、着磁のための超伝導マグネットやパルス着磁装置は、高価であり、かつ、取り扱い方法も容易ではないと言う問題があった。
そこで、本発明は、常伝導電磁石や永久磁石のように比較的安価で取り扱いも容易な磁場発生装置を用いたとしても比較的容易に着磁できる方法および着磁装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
通常、磁場発生用電磁石は均一磁場を発生するために、ポールピースの形状が工夫されている。また、パルス磁場マグネットは、ソレノイドコイルになっており、ソレノイドコイルの内側はほぼ均一磁場になっているが、幾分外側の磁場が強くなる傾向にある。
【０００７】
前述の問題点を解決するために鋭意検討した結果、均一磁場中に超伝導体を配置して着磁するのではなく、強い磁束密度を発生する超伝導体の中心部分に極端に磁束を集中させることによって、着磁がより容易にかつ効果的に行えることを見出し、本発明を完成させたものである。
【０００８】
即ち、本発明は、以下の内容を要旨とするものである。
（１） 超伝導体の着磁方法において、超伝導体の中心部（内側）に外部磁場を集中させた不均一磁場中で、超伝導状態を実現した後、外部磁場を取り除き着磁を行うことで、磁束密度が高くなる超伝導体の中心部に効率よく着磁させることができる。不均一磁場の目安としては、通常の電磁石のポールピース形状では得られない不均一のレベルとして、超伝導体の外周部分の磁束密度と中心部分の磁束密度の比が2:3以上であることが望ましい。さらに望ましくは、1:2以上である。
【０００９】
（２） リング形状を有する超伝導体の着磁方法においては、リング状超伝導の内側に外部磁場を集中させた不均一磁場中で、超伝導状態を実現した後、外部磁場を取り除くことでより効率よく着磁を行える。リング形状の超伝導バルクマグネットは、リング内部に比較的均一な磁場分布を実現しやすいことから、その有用性は特に大きい。不均一磁場の目安としては、通常の電磁石のポールピース形状では得られない不均一のレベルとして、リング状超伝導体の外周部分の磁束密度とリングの内側部分の磁束密度の比が2:3以上であることが望ましい。さらに 望ましくは、1:2以上である。
【００１０】
（３） 上記（１）または（２）の着磁方法において、超伝導体の外径よりも細い強磁性体を超伝導体の対向する側面（表裏両側面）、または、リング状の超伝導体の場合、リングの内側に配置することにより、外部磁場を集中させることによって容易に上記不均一磁場を形成することが可能となる。
【００１１】
（４） 上記（３）のような着磁方法を行うことで、磁気回路である強磁性体と超伝導体とが実質的に鎖交した状態で超伝導体を冷却することにより超伝導状態を実現することで、効果的な着磁が可能となる。また、リング形状のバルク超伝導材料の内側に強磁性体を挿入し閉磁気回路を構成することによって、十分な鎖交状態が実現できる。
【００１２】
（５） 着磁する超伝導体が臨界電流密度の高いREBa2Cu3O7-x系超伝導体（ここでREはYを含む希土類元素の1種類又はその組み合わせ）である（１）〜（４）記載の着磁方法より高性能のバルクマグネットが実現できる。
【００１３】
（６） 強磁性体からなる磁気回路とポールピースを有し、超伝導体の挿入を可能とするためのポールピース間のギャップの調整機構があり、かつポールピース中央部に凸部を有することで、この凸部に磁束を集中させ不均一磁場を発生させうる磁場発生装置は、上記（１）〜（５）記載の不均一磁場を発生させるための磁場発生装置として適している。
【００１４】
（７） また、上記（６）の磁場発生装置の中でも、磁気回路が実質的に閉回路を構成しうることを特徴とする着磁装置は、磁気抵抗が小さいため高い磁束密度を実現しやすく、特にリング形状のバルクマグネットの着磁に適している。
（８） 磁気回路が永久磁石と強磁性体から構成された上記（７）の磁場発生装置は、電源を必要とせず、安価に着磁装置が実現できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
バルクマグネットとなる超伝導体は、REBa2Cu3O7-x相（ここでREはＹを含む希土類元素の１種類又はその組み合わせ）中に、RE2BaCuO5またはRE4Ba2Cu2O10が 分散した微細組織を有する酸化物超伝導材料であり、かつ結晶粒界を含まない単一粒の材料を用いることが望ましい。さらに、大きな超伝導電流が流せるREBa2Cu3O7-x相のa-b面に対し、垂直に磁束が貫くような配置で着磁することが望まし い。リング形状材料の場合、リングの軸とｃ軸および磁束の方向が一致することが望ましい。
【００１６】
磁気回路を構成する強磁性体および超伝導体の中心部に不均一磁場を形成するための強磁性体には、純鉄、珪素鋼等の鉄系合金や、Co系合金、Ni系合金等が挙げられる。磁場発生装置としては電磁石だけでなく永久磁石も使用できる。この場合の永久磁石には、SmCo系磁石やNdFeB系の磁石があげられる。
【００１７】
本発明は、超伝導マグネットやパルス着磁装置等の着磁装置に対しても有効であり、それらの性能をより着磁に適するようにする働きを有する。したがって、本発明は、常伝導電磁石や永久磁石のように比較的安価で取り扱いも容易な磁場発生装置に限定されるものではない。
【００１８】
【実施例】
（実施例１）
SmBa2Cu3O7-x相中に1μm程度のSm2BaCuO5相および50〜500μmの銀が分散した 組織を有する円柱状（外径58mm、厚さ15mm）のY系超伝導バルク材料を用い、常伝導電磁石を用いて着磁実験を行った。円柱の軸と123相のｃ軸は、ほぼ一致させ た。電磁石のポールピース間のギャップは39mmに設定し、直径28mm、長さ10mmの純鉄製の円柱をポールピース中央部に配置し、磁気回路構成した。着磁用電磁石１、超伝導体４、保冷容器５、純鉄製円柱３およびポールピース２との位置関係を図１に示す。矢印はポールピースのギャップを調節するための移動個所を示す。
【００１９】
この状態で磁束分布を測定したところ、試料中心部で磁束密度が1.8T程度であり、超伝導リングの外周付近では1.3Ｔであることから、超伝導体の中心部分に 磁束が集中した不均一磁場ができていることが分かる。この様な磁場中で、上記超伝導体を液体窒素を用い約77Kに冷却し、しかる後、外部磁場を除去し、さら にポールピースのギャップを開き、超伝導体を取り出した。続いて、超伝導体の中央部で磁束密度を測定したところ、約1.7Tの磁場を発生していることが分かった。
【００２０】
次に比較例として、同じ超伝導体および常伝導電磁石を用いて、電磁石のポールピース間のギャップを19mmとし、純鉄製円柱を用いずに同様の着磁実験を行った。着磁後、超伝導リング材料の内部中央部で磁束密度を測定したところ、約1.55Tの磁場を発生していることが分かった。
上記実験結果から、純鉄製円柱を用いて磁場を中心部に集中させて着磁することにより、より強力な磁場を発生することができる超伝導バルクマグネットができることが確認できた。
【００２１】
（実施例２）
YBa2Cu3O7-x相中に1μm程度のY2BaCuO5相が分散した組織を有するリング形状 （外径48mm、内径20mm、厚さ15mm）のY系超伝導バルク材料を用い常伝導電磁石を用いて着磁実験を行った。リングの軸と123相のｃ軸は、ほぼ一致しており、直 径14mm、長さ25mmの純鉄製の円柱をリング内に挿入し、かつポールピース間のギャップが可変である電磁石のポールピース間に配置し、磁気的な閉回路構成しかつ、超伝導材料と磁束がほとんど鎖交するようにした。着磁用電磁石１、超伝導リング６、保冷容器５、純鉄製円柱３およびポールピースとの位置関係を図２に示す。
【００２２】
また、図２中記載の磁束密度測定点７での、軸方向成分磁束密度分布を図３に示す。この磁束分布からリング内部で平均磁束密度が2.5T程度であり、超伝導リングの外周付近では1.0Ｔであることから、超伝導体の中心部分に磁束が集中し た不均一磁場ができていることが分かる。この様な磁場中で、上記超伝導体を液体窒素を用い減圧することで約67Kに冷却し、しかる後、外部磁場を除去し、さ らにポールピースのギャップを開き、超伝導リング材を取り出した。続いて、純鉄製円柱を取り除き超伝導リング材料の内部中央部で磁束密度を測定したところ、約2.2Tの磁場を発生していることが分かった。
【００２３】
次に比較例として、同じリング材料および常伝導電磁石を用いて、純鉄製円柱を用いずに同様の着磁実験を行った。着磁後、超伝導リング材料の内部中央部で磁束密度を測定したところ、約1.1Tの磁場を発生していることが分かった。
上記実験結果から、純鉄製円柱をリング形状超伝導材料中に挿入して着磁することにより、より強力な磁場を発生することができる超伝導バルクマグネットができることが確認できた。
【００２４】
（実施例３）
SmBa2Cu3O7-x相中に1μm程度のSm2BaCuO5相および50〜500μmの銀が分散した 組織を有するリング形状（外径52mm、内径22mm、厚さ12mm）のSm系超伝導バルク材料を用い常伝導電磁石を用いて着磁実験を行った。リングの軸と123相のｃ軸は、ほぼ一致しており、直径12mm、長さ20mmの純鉄製の円柱をリング内に挿入し、かつポールピース間のギャップが可変である電磁石のポールピース間に配置し、磁気的な閉回路構成しかつ、超伝導材料と磁束がほとんど鎖交するようにした。
【００２５】
着磁用電磁石、超伝導リング、保冷容器および純鉄製円柱との位置関係は図２とほぼ同じである。
また、図２中記載の磁束密度測定点での、軸方向成分磁束密度は、リング内部で平均2.7T程度であり、超伝導リングの外周付近では1.3Tであることから、超伝導体の中心部分に磁束が集中した不均一磁場ができていることが分かる。この様な磁場中で、冷凍機により保冷容器中の上記超伝導体を約50Kに冷却し、しかる 後、外部磁場を除去し、さらにポールピースのギャップを開き、超伝導リング材を取り出した。続いて、純鉄製円柱を取り除き超伝導リング材料の内部中央部で磁束密度を測定したところ、約2.4Tの磁場を発生していることが分かった。
【００２６】
次に、比較例として、同じリング材料および常伝導電磁石を用いて、純鉄製円柱を用いずに同様の着磁実験を行った。着磁後、超伝導リング材料の内部中央部で磁束密度を測定したところ、約1.3Tの磁場を発生していることが分かった。
上記実験結果から、純鉄製円柱をリング形状超伝導材料中に挿入して着磁することにより、より強力な磁場を発生することができる超伝導バルクマグネットができることが確認できた。
【００２７】
（実施例４）
(Gd0.5Sm0.5)Ba2Cu3O7-x相中に1μm程度の(Gd0.5Sm0.5)2BaCuO5相および50〜500μmの銀が分散した組織を有するリング形状（外径50mm、内径16mm、厚さ10mm）のGd-Sm系超伝導バルク材料2個に対して、永久磁石(FeNdB系)と磁気回路から構 成される常伝導磁石を用いて、着磁実験を行った。このとき用いたGd-Sm系超伝 導バルク材料2個は、ほぼ同じ特性を有していた。リングの軸と123相のｃ軸は、ほぼ一致しており、直径16mm、長さ25mmの純鉄製の円柱をリング内に挿入し、かつポールピース間のギャップが可変である電磁石のポールピース間に配置し、磁気的な閉回路構成し、かつ、超伝導材料と磁束がほとんど鎖交するようにした。
【００２８】
着磁用電磁石、超伝導リング、保冷容器および純鉄製円柱との位置関係は図２とほぼ同じである。
また、図２中記載の磁束密度測定点での、軸方向成分磁束密度は、リング内部で平均1.8T程度であり、超伝導リングの外周付近では0.7Tであることから、超伝導体の中心部分に磁束が集中した不均一磁場ができていることが分かる。この様な磁場中で、液体窒素を保冷容器中に投入することにより、上記超伝導体を約77Kに冷却し、しかる後、外部磁場を除去し、さらにポールピースのギャップを開 き、超伝導リング材を取り出した。続いて、純鉄製円柱を取り除き超伝導リング材料の内部中央部で磁束密度を測定したところ、約1.7Tの磁場を発生していることが分かった。
【００２９】
次に、比較例として、同じリング材料および常伝導磁石を用いて、純鉄製円柱を用いずに同様の着磁実験を行った。着磁後、超伝導リング材料の内部中央部で磁束密度を測定したところ、約0.8Tの磁場を発生していることが分かった。
上記実験結果から、純鉄製円柱をリング形状超伝導材料中に挿入して着磁することにより、より強力な磁場を発生することができる超伝導バルクマグネットができることが確認できた。
【００３０】
【発明の効果】
本願発明は、簡便に効率よく超伝導体に着磁をする方法および着磁する装置を提供するものであり、高磁界を発生するバルク超伝導マグネットをより簡便に実現し得ることから、通常の永久磁石では得られない高磁界を発生でき、その工業的効果は甚大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で用いた着磁装置の概略図
【図２】実施例２〜４で用いた着磁装置の概略図
【図３】実施例２におけるポールピース間の磁束密度分布図
【符号の説明】
１ 電磁石のコイル
２ ギャップ調整機構を有する磁石のポールピース
３ 純鉄等の強磁性体製円柱
４ 超伝導材料
５ 保冷容器
６ リング形状の超伝導材料
７ 磁束密度測定点
Claims (8)
- 超伝導体の着磁方法において、超伝導体の中心部（内側）に外部磁場を集中させた不均一磁場中で、超伝導状態を実現した後、外部磁場を取り除くことで着磁を行うことを特徴とする着磁方法。
- リング形状を有する超伝導体の着磁方法において、リング状超伝導体の内側に外部磁場を集中させた不均一磁場中で、超伝導状態を実現した後、外部磁場を取り除くことで着磁を行うことを特徴とする着磁方法。
- 請求項１または２に記載の着磁方法において、超伝導体の外径よりも細い強磁性体を超伝導体の側面または内部に配置することにより外部磁場を集中させることを特徴とする着磁方法。
- 請求項３記載の着磁方法において、磁気回路である強磁性体と超伝導体とが実質的に鎖交した状態で超伝導状態を実現することを特徴とする着磁方法。
- 超伝導体がREBa2Cu3O7-x系超伝導体(ここでREはYを含む希土類元素の1種類又はその組み合わせ)であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の着磁方法。
- 超伝導体の着磁方法に用いる磁場発生装置において、強磁性体からなる磁気回路とポールピースを有し、被着磁体を挿入するためにポールピース間のギャップが調整機構があり、かつポールピース中央部に凸部を有することでこの凸部に磁束を集中させ不均一磁場を発生させうることを特徴とする着磁装置。
- 請求項６の着磁装置において、磁気回路が実質的に閉回路を構成しうることを特徴とする着磁装置。
- 磁気回路が永久磁石と強磁性体から構成された、請求項７記載の着磁装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000018475A JP4283406B2 (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 酸化物超伝導材料の着磁方法および着磁装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000018475A JP4283406B2 (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 酸化物超伝導材料の着磁方法および着磁装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001210519A JP2001210519A (ja) | 2001-08-03 |
| JP4283406B2 true JP4283406B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=18545321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000018475A Expired - Fee Related JP4283406B2 (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 酸化物超伝導材料の着磁方法および着磁装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4283406B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4895714B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2012-03-14 | アイシン精機株式会社 | 超電導体、超電導磁場発生素子、超電導磁場発生装置および核磁気共鳴装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2974108B2 (ja) * | 1993-10-13 | 1999-11-08 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 高温超伝導バルク体とコイル磁石の複合体 |
| JP3389094B2 (ja) * | 1998-03-27 | 2003-03-24 | 株式会社イムラ材料開発研究所 | 超電導磁場発生素子 |
| JP4012311B2 (ja) * | 1998-05-26 | 2007-11-21 | 新日本製鐵株式会社 | バルク超電導部材とマグネットおよびそれらの製造方法 |
| JP2000133849A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Aisin Seiki Co Ltd | 超電導体の着磁方法 |
| JP3872751B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2007-01-24 | 新日本製鐵株式会社 | 超電導マグネットおよびその製造方法と着磁方法 |
-
2000
- 2000-01-27 JP JP2000018475A patent/JP4283406B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001210519A (ja) | 2001-08-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Campbell et al. | Bulk high temperature superconductors for magnet applićations | |
| CN102610360B (zh) | 用于磁化稀土永磁体的系统和方法 | |
| JP4012311B2 (ja) | バルク超電導部材とマグネットおよびそれらの製造方法 | |
| Hull et al. | Concepts for using trapped-flux bulk high-temperature superconductor in motors and generators | |
| US3198994A (en) | Superconductive magnetic-fieldtrapping device | |
| Miki et al. | Materials processing and machine applications of bulk HTS | |
| WO1999004477A2 (en) | Trapped field internal dipole superconducting motor generator | |
| Fujimoto et al. | Preliminary study of a superconducting bulk magnet for the Maglev train | |
| Namburi et al. | Pulsed-field magnetisation of Y-Ba-Cu-O bulk superconductors fabricated by the infiltration growth technique | |
| Müller et al. | New permanent magnets | |
| US6621395B1 (en) | Methods of charging superconducting materials | |
| JP4283406B2 (ja) | 酸化物超伝導材料の着磁方法および着磁装置 | |
| JP3727122B2 (ja) | 超電導バルク体マグネット | |
| US6005460A (en) | High temperature superconductor magnetic clamps | |
| US5306701A (en) | Superconducting magnet and fabrication method | |
| JP5353585B2 (ja) | 超電導回転機 | |
| Kamijo et al. | Flux-trapping characteristics of oxide superconducting bulks in array | |
| Nishijima et al. | Magnetization method for long high-T/sub c/bulk superconductors used for magnetic separation | |
| Gasgnier | Rare-earth elements in permanent magnets and superconducting compounds and alloys (except new high T c ceramics) as thin films, thin crystals and thinned bulk materials | |
| Shiraishi et al. | Macroscopic magnetic flux motion in Y-Ba-Cu-O bulk superconductor during pulsed field magnetization | |
| Hull et al. | Concepts for using trapped-flux HTS in motors and generators | |
| Fujimoto | Technical issues of a high-Tc superconducting bulk magnet | |
| JP3025104B2 (ja) | 超電導バルクマグネットの着磁方法 | |
| Coombs | Bulk high temperature superconductor (HTS) materials | |
| Takemura et al. | Yoke geometry study using pulsed field magnetization on superconducting joined bulk Gd-Ba-Cu-O |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050907 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20061006 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080401 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090317 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090319 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4283406 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120327 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130327 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130327 Year of fee payment: 4 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130327 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130327 Year of fee payment: 4 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130327 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140327 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |