JP4276015B2 - Sinking wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents

Sinking wiring board and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP4276015B2
JP4276015B2 JP2003271674A JP2003271674A JP4276015B2 JP 4276015 B2 JP4276015 B2 JP 4276015B2 JP 2003271674 A JP2003271674 A JP 2003271674A JP 2003271674 A JP2003271674 A JP 2003271674A JP 4276015 B2 JP4276015 B2 JP 4276015B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
wiring board
laminated
base material
sinking
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003271674A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2005033041A (en
Inventor
謹二 西條
一雄 吉田
真司 大澤
光司 南部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyo Kohan Co Ltd
Original Assignee
Toyo Kohan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyo Kohan Co Ltd filed Critical Toyo Kohan Co Ltd
Priority to JP2003271674A priority Critical patent/JP4276015B2/en
Publication of JP2005033041A publication Critical patent/JP2005033041A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4276015B2 publication Critical patent/JP4276015B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Description

本発明は、配線板の配線部の配設位置に関して、配線路の少なくとも一部の配線底部を配線板基材表面より沈降させてなる沈降配線を有する沈降配線板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a sedimented wiring board having a sedimented wiring in which at least a part of a wiring bottom of a wiring path is settled from the surface of a wiring board substrate with respect to the arrangement position of the wiring part of the wiring board .

従来より、プリント配線板などでは積層化の方法が数多く提案されており、その積層方法として接着剤を用いて接合する方法などが用いられている。特許文献1には、高分子フィルム上に金属薄膜を積層して金属箔を接合することによって金属積層フィルムを製造する方法が示されており、また特許文献2には、過剰な熱や圧力を加えることなく異種の金属板を接合する活性化接合による方法が示されている。   Conventionally, many methods of lamination have been proposed for printed wiring boards and the like, and a method of bonding using an adhesive or the like is used as the lamination method. Patent Document 1 discloses a method for producing a metal laminated film by laminating a metal thin film on a polymer film and bonding a metal foil, and Patent Document 2 discloses excessive heat and pressure. There is shown a method by activated joining in which different kinds of metal plates are joined without addition.

本出願に関する先行技術文献として次のものがある。
特開2002−113811号公報 特開平1−224184号公報
Prior art documents relating to the present application include the following.
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-113811 JP-A-1-224184

しかしながら接着剤などを用いると、接着剤層による特性インピーダンスなどの電気的特性の劣化を招いたり、接着剤層分の厚みや重量が増し軽量・薄型化に向かないなどの問題があった。本発明はこのような技術的背景に鑑み、悪影響を及ぼす接着剤を用いずに積層化可能なプリント配線板を提供することを課題とする。   However, when an adhesive is used, there are problems such as deterioration of electrical characteristics such as characteristic impedance due to the adhesive layer, and an increase in thickness and weight of the adhesive layer, which is not suitable for light weight and thinning. In view of such a technical background, an object of the present invention is to provide a printed wiring board that can be laminated without using an adversely affecting adhesive.

本発明の沈降配線板の製造方法は、基材、中間層、配線材の3層を積層してなる沈降配線板の製造方法であって、金属からなる配線材の接合予定面をスパッタエッチングにより活性化処理する工程と、有機高分子からなる基材表面をスパッタエッチングにより活性化処理する工程と、前記活性化処理をした基材上にスパッタリング法により前記配線材と同じ金属の中間層を形成する工程と、前記中間層と前記活性化処理をした配線材とを当接して冷間圧延処理をして積層接合し、積層材を製造する工程と、前記積層材の配線材にエッチング処理をして配線パターンを製造する工程と、前記積層材にホットプレス処理をして前記配線パターンを前記基材に沈降させる工程と、を有することを特徴とする。 The method for producing a sedimented wiring board according to the present invention is a method for producing a sedimented wiring board formed by laminating three layers of a base material, an intermediate layer, and a wiring material, and a bonding planned surface of a wiring material made of metal is formed by sputter etching. An activation process, an activation process of a substrate surface made of an organic polymer by sputter etching, and an intermediate layer of the same metal as the wiring material is formed on the activated substrate by sputtering. A step of abutting the intermediate layer and the activated wiring material and cold-rolling and laminating and joining to produce a laminated material, and etching the wiring material of the laminated material And a step of manufacturing the wiring pattern and a step of hot pressing the laminated material to settle the wiring pattern on the base material .

上記したように、配線路の少なくとも一部の配線底部を基材面より沈降させるため、積層化を図る際に配線路に不要な応力を及ぼさずに積層することが可能であり、断線などの悪影響を防止することができる。また積層に際して接着剤を用いておらず、より一層の軽量化や薄形化が図れる。   As described above, since at least a part of the wiring bottom of the wiring path is settled from the substrate surface, it is possible to stack without exerting unnecessary stress on the wiring path when stacking is performed. Adverse effects can be prevented. In addition, no adhesive is used for the lamination, and further weight reduction and thickness reduction can be achieved.

以下に、本発明の実施形態を説明する。図1は、本発明の沈降配線板の一実施形態を示す概略断面図であり、基材24の片面に配線路33が配され、配線路33底部が基材24表面より沈降している例を示している。図2は、本発明の沈降配線板の他の一実施形態を示す概略断面図であり、2層の配線路と2層の基材から構成されている例を示している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a sinking wiring board according to the present invention, in which a wiring path 33 is arranged on one side of a base material 24 and the bottom of the wiring path 33 is sinking from the surface of the base material 24. Is shown. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the sinking wiring board of the present invention, and shows an example in which the wiring board has two layers and two layers of base materials.

図1に示す沈降配線板40は、以下のようにして製造することができる。まず図3に示す基材24に配線路の元となる配線材23を積層した積層材20にエッチング処理などを施して、所要の配線パターンを有する配線路33を形成して図4に示すような配線板30を製造する。次にホットプレスなどにより、基材24を充分に加熱して柔軟性を持たせ、配線路33に破断などの影響を与える応力集中を与えないようにして基材24の表面より沈降させた後固定して、図1に示すような沈降配線板40を製造することができる。なお沈降させる度合いは、図1に示すように配線路33の表面が基材24の表面とほぼ一致する程度でもよいし、図5に示すように配線路33表面が基材24表面より出ていてもよいし、図6に示すように配線路33表面が基材24表面よりも沈んでいてもよく、沈降配線板の適用用途や積層化の有無、積層方法などにより適宜選択して用いることができる。基材24が熱可塑性を有する素材であれば、配線板30を加熱して基材4を軟化させたうえで配線路33部を平板などを用いて加圧して、配線路33を沈降させることができる。基材24が熱硬化性を有する素材であれば、配線路33が充分に沈降しうる程度の軟性を有している場合には、配線路33を基材24表面より沈降させた後に基材24を硬化させることにより沈降配線板40を製造することができる。   The sinking wiring board 40 shown in FIG. 1 can be manufactured as follows. First, the laminated material 20 obtained by laminating the wiring material 23 to be the wiring path on the base material 24 shown in FIG. 3 is subjected to an etching process or the like to form a wiring path 33 having a required wiring pattern, as shown in FIG. A flexible wiring board 30 is manufactured. Next, after the base material 24 is sufficiently heated to have flexibility by hot pressing or the like, and is allowed to settle from the surface of the base material 24 so as not to give stress concentration that affects the wiring path 33 such as breakage. The fixed wiring board 40 as shown in FIG. 1 can be manufactured by fixing. The degree of sedimentation may be such that the surface of the wiring path 33 substantially coincides with the surface of the base material 24 as shown in FIG. 1, or the surface of the wiring path 33 protrudes from the surface of the base material 24 as shown in FIG. Alternatively, as shown in FIG. 6, the surface of the wiring path 33 may be submerged than the surface of the base material 24, and the surface of the wiring path 33 may be appropriately selected depending on the application application of the sedimented wiring board, the presence or absence of lamination, the lamination method, and the like Can do. If the base material 24 is a thermoplastic material, the wiring board 30 is heated to soften the base material 4, and then the wiring path 33 is pressed using a flat plate or the like to sink the wiring path 33. Can do. If the base material 24 is a thermosetting material, if the wiring path 33 is sufficiently soft enough to settle, the base material 24 is set after the wiring path 33 is settled from the surface of the base material 24. The sinking wiring board 40 can be manufactured by curing 24.

積層材20は、基材24に接着層を介して配線材23を積層してもよいし、特許文献1に記載するような活性化接合を利用して積層を実現してもよい。活性化処理を用いた積層法は、真空槽内において、巻き戻しリールに設置された基材24の接合予定面側を、活性化処理装置で活性化処理する。同様にして巻き戻しリールに設置された配線材23の接合予定面側を、活性化処理装置で活性化処理する。次に基材24の表面に、膜形成ユニットによりスパッタリング法を用いて中間層を形成する。その後、膜形成された基材24と活性化処理された配線材23を積層接合することにより積層化を達成することができる。このとき中間層を配線材23と同材質とすることにより積層材20を製造することができる。同様にして、図7に示すような両面に配線材を有する積層材22を製造することができる。   The laminated material 20 may be obtained by laminating the wiring material 23 on the base material 24 via an adhesive layer, or may realize lamination by using activated bonding as described in Patent Document 1. In the laminating method using the activation treatment, the surface to be joined of the base material 24 installed on the rewinding reel is activated by the activation treatment device in the vacuum chamber. In the same manner, the bonding planned surface side of the wiring member 23 installed on the rewinding reel is activated by the activation processing apparatus. Next, an intermediate layer is formed on the surface of the base material 24 by sputtering using a film forming unit. Thereafter, lamination can be achieved by laminating and bonding the film-formed substrate 24 and the activated wiring material 23. At this time, the laminated material 20 can be manufactured by making the intermediate layer the same material as the wiring material 23. Similarly, a laminated material 22 having wiring materials on both sides as shown in FIG. 7 can be manufactured.

活性化処理は、真空槽内に装填された基材24および配線材23をそれぞれアース接地された一方の電極Aと接触させ、絶縁支持された他の電極Bとの間に、10〜1×10−3Paの極低圧不活性ガス雰囲気中で、1〜50MHzの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極Aと接触した基材24および配線材23のそれぞれの接合予定面側の面積が、実効的に電極Bの面積の1/3以下となるようにスパッタエッチング処理することにより達成することができる。不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンなどやこれらを含む混合体を適用することができる。好ましくはアルゴンである。なお不活性ガス圧力が1×10−3Pa未満では安定したグロー放電が行いにくく高速エッチングが困難であり、10Paを超えると活性化処理効率が低下する。印加する交流は、1MHz未満では安定したグロー放電を維持するのが難しく連続エッチングが困難であり、50MHzを超えると発振し易く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よくエッチングするためには電極Aと接触した基材24、配線材23のそれぞれの面積を実効的に電極Bの面積より小さくする必要があり、実効的1/3以下とすることにより充分な効率でエッチング可能となる。 In the activation treatment, the base material 24 and the wiring member 23 loaded in the vacuum chamber are brought into contact with one electrode A grounded and grounded, and the other electrode B insulated and supported is 10 to 1 ×. Substrate 24 and wiring in contact with electrode A exposed to plasma generated by glow discharge by applying an alternating current of 1 to 50 MHz in an extremely low pressure inert gas atmosphere of 10 −3 Pa. This can be achieved by performing a sputter etching process so that the area of each material 23 on the planned bonding surface side is effectively 1/3 or less of the area of the electrode B. As the inert gas, argon, neon, xenon, krypton, or a mixture containing these can be used. Argon is preferable. If the inert gas pressure is less than 1 × 10 −3 Pa, stable glow discharge is difficult to perform and high-speed etching is difficult, and if it exceeds 10 Pa, the activation treatment efficiency decreases. If the alternating current applied is less than 1 MHz, it is difficult to maintain a stable glow discharge, and continuous etching is difficult, and if it exceeds 50 MHz, oscillation tends to occur and the power supply system becomes complicated, which is not preferable. Moreover, in order to etch efficiently, it is necessary to make each area | region of the base material 24 and the wiring material 23 which contacted the electrode A effectively smaller than the area of the electrode B, By making it effective 1/3 or less, Etching can be performed with sufficient efficiency.

膜形成ユニットにおいては、前記活性化処理装置とは逆に基材24側の面積を実効的に大きくすることによりスパッタリング処理を行うことができる。すなわち、真空槽内に装填された基材24をアース接地された一方の電極Aと接触させ、絶縁支持された他の電極Cとの間に、10〜1×10−3Paの極低圧不活性ガス雰囲気中で、1〜50MHzの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極Aと接触した基材24の面積が、実効的に電極Cの面積の3倍以上となるようにスパッタリング処理をすることにより膜形成が可能である。不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンなどやこれらを含む混合体を適用することができる。好ましくはアルゴンである。なお不活性ガス圧力が1×10−3Pa未満では安定したグロー放電が行いにくく、10Paを超えるとスパッタリング効率が低下する。印加する交流は、1MHz未満では安定したグロー放電を維持するのが難しく連続スパッタリングが困難であり、50MHzを超えると発振し易く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よくスパッタリングするためには電極Aと接触した基材24の面積を実効的に電極Cの面積より大きくする必要があり、実効的に3倍以上とすることにより充分な効率で膜形成が可能となる。 In the film forming unit, the sputtering process can be performed by effectively increasing the area on the substrate 24 side, contrary to the activation processing apparatus. That is, the substrate 24 loaded in the vacuum chamber is brought into contact with one electrode A which is grounded, and between the other electrode C which is insulated and supported, an extremely low pressure of 10 to 1 × 10 −3 Pa is avoided. In an active gas atmosphere, an alternating current of 1 to 50 MHz is applied to cause glow discharge, and the area of the substrate 24 in contact with the electrode A exposed to the plasma generated by the glow discharge is effectively equal to that of the electrode C. A film can be formed by performing a sputtering treatment so that the area is three times or more. As the inert gas, argon, neon, xenon, krypton, or a mixture containing these can be used. Argon is preferable. If the inert gas pressure is less than 1 × 10 −3 Pa, stable glow discharge is difficult to be performed, and if it exceeds 10 Pa, the sputtering efficiency is lowered. If the alternating current to be applied is less than 1 MHz, it is difficult to maintain a stable glow discharge and continuous sputtering is difficult, and if it exceeds 50 MHz, oscillation tends to occur and the power supply system becomes complicated, which is not preferable. In order to perform sputtering efficiently, it is necessary to effectively make the area of the base material 24 in contact with the electrode A larger than the area of the electrode C. By effectively increasing the area to 3 times or more, a film can be formed with sufficient efficiency. Is possible.

積層接合は、膜形成された基材24と活性化処理された配線材23の接合予定面が対向するようにして両者を当接して重ね合わせ、圧接ユニットで冷間圧接を施すことによって達成することができる。この際の積層接合は低温度で可能であり、基材24、配線材23ならびに接合部に組織変化や合金層の形成などといった悪影響を軽減または排除することが可能である。Tを基材24、配線材23の温度(℃)とするとき、0℃<T<300℃で良好な圧接状態が得られる。0℃以下では特別な冷却装置が必要となり、300℃以上では組織変化などの悪影響が生じてくるため好ましくない。より好ましくは、0℃<T<200℃である。さらに好ましくは、0℃<T<150℃である。また圧延率R(%)は、0.01%≦R≦30%であることが好ましい。0.01%未満では充分な接合強度が得られず、30%を超えると変形が大きくなり加工上好ましくない。より好ましくは、0.1%≦R≦3%である。さらに好ましくは、1%<R≦3%である。   Laminate bonding is achieved by abutting and superimposing the film-formed base material 24 and the activated wiring material 23 so as to face each other, and performing cold pressure welding with a pressure welding unit. be able to. Lamination bonding at this time can be performed at a low temperature, and adverse effects such as structural changes and formation of alloy layers on the base material 24, the wiring material 23, and the joint can be reduced or eliminated. When T is the temperature (° C.) of the base material 24 and the wiring material 23, a good pressure contact state is obtained at 0 ° C. <T <300 ° C. If it is 0 ° C. or lower, a special cooling device is required, and if it is 300 ° C. or higher, adverse effects such as changes in structure occur. More preferably, 0 ° C. <T <200 ° C. More preferably, 0 ° C. <T <150 ° C. The rolling rate R (%) is preferably 0.01% ≦ R ≦ 30%. If it is less than 0.01%, sufficient bonding strength cannot be obtained, and if it exceeds 30%, deformation becomes large, which is not preferable for processing. More preferably, 0.1% ≦ R ≦ 3%. More preferably, 1% <R ≦ 3%.

基材24の材質としては、沈降配線板を製造可能な素材であれば特にその種類は限定されず、沈降配線板の用途により適宜選択して用いることができる。例えば、プラスチックなどの有機高分子物質やプラスチックに粉末や繊維などを混ぜた混合体などを適用することができる。沈降配線板をプリント配線板などに適用する場合には、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル、ナイロンなどの芳香族ポリアミドなどを用いることができる。基材24の耐熱温度は、融点、軟化点、ガラス転移点などで規定することが可能であり、沈降配線板の用途や材質により適宜選択して用いることができる。さらに軟化点として材質により、荷重たわみ温度、加熱たわみ温度、ビカット軟化温度などを適用することができる。   The material of the substrate 24 is not particularly limited as long as it is a material capable of producing a sedimented wiring board, and can be appropriately selected and used depending on the use of the sedimented wiring board. For example, an organic polymer substance such as plastic or a mixture obtained by mixing powder or fiber with plastic can be used. When the sedimented wiring board is applied to a printed wiring board or the like, polyimide such as polyimide, polyetherimide, polyethylene terephthalate, aromatic polyamide such as nylon, or the like can be used. The heat-resistant temperature of the base material 24 can be defined by a melting point, a softening point, a glass transition point, and the like, and can be appropriately selected and used depending on the use and material of the sedimented wiring board. Furthermore, depending on the material, the deflection temperature under load, the deflection temperature under heating, the Vicat softening temperature, etc. can be applied as the softening point.

プラスチックとしては、例えば、アクリル樹脂、アミノ樹脂(メラミン樹脂、ユリア樹脂、ベンゾグアナミン樹脂など)、アリル樹脂、アルキド樹脂、ウレタン樹脂、液晶ポリマー(LCP、Liquid Crystal Polymer)、EEA樹脂(Ethylene Ethylacrylate 樹脂)、AAS樹脂(Acrylonitrile Acrylate Styrene 樹脂)、ABS樹脂(Acrylonitrile Butadiene Styrene樹脂)、ACS樹脂(Acrylnitrile Chlorinated polyethylene Styrene 樹脂)、AS樹脂(Acrylonitrile Styrene 樹脂)、アイオノマー樹脂、エチレンポリテトラフルオロエチレン共重合体、エポキシ樹脂、珪素樹脂、スチレンブタジエン樹脂、フェノール樹脂、弗化エチレンプロピレン、弗素樹脂、ポリアセタール、ポリアリレート、ポリアミド(6ナイロン、11ナイロン、12ナイロン、66ナイロン、610ナイロン、612ナイロンなど)、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルホン、ポリエステル(ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリシクロヘキンジメルテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリトリメチレンナフタレートなど)、ポリオレフィン(ポリエチレン、ポリプロピレンなど)、ポリカーボネート、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリサルホン、ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリブタジエン、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどを適用することができる。   Examples of the plastic include acrylic resin, amino resin (melamine resin, urea resin, benzoguanamine resin, etc.), allyl resin, alkyd resin, urethane resin, liquid crystal polymer (LCP, Liquid Crystal Polymer), EEA resin (Ethylene Ethylacrylate resin), AAS resin (Acrylonitrile Acrylate Styrene resin), ABS resin (Acrylonitrile Butadiene Styrene resin), ACS resin (Acrylnitrile Chlorinated polyethylene Styrene resin), AS resin (Acrylonitrile Styrene resin), ionomer resin, ethylene polytetrafluoroethylene copolymer, epoxy resin , Silicon resin, styrene butadiene resin, phenol resin, fluoroethylene propylene, fluorine resin, polyacetal, polyarylate, polyamide (6 nylon, 11 nylon, 12 nylon, 66 nylon, 610 nylon, 6 12 nylon, etc.), polyamideimide, polyimide, polyetherimide, polyetheretherketone, polyethersulfone, polyester (polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycyclohexine dimer terephthalate, polytrimethylene terephthalate, polytrimethylene) Methylene naphthalate, etc.), polyolefin (polyethylene, polypropylene, etc.), polycarbonate, polychlorotrifluoroethylene, polysulfone, polystyrene, polyphenylene sulfide, polybutadiene, polybutene, polymethylpentene, and the like can be applied.

また基材24の厚みも沈降配線板の用途により適宜選定される。例えば、1〜1000μmである。1μm未満の場合には基材としての製造が難しくなり、1000μmを超えると重くなる。沈降配線板の用途がフレキシブルプリント配線板などであれば、例えば3〜300μmの範囲のものを適用することができる。3μm未満の場合には機械的強度が乏しく、300μmを超えると可撓性が乏しくなる。好ましくは、10〜150μmである。より好ましくは、20〜75μmである。   Further, the thickness of the base material 24 is appropriately selected depending on the use of the sinking wiring board. For example, it is 1-1000 micrometers. When the thickness is less than 1 μm, it is difficult to produce the substrate, and when it exceeds 1000 μm, the substrate becomes heavy. If the use of the sinking wiring board is a flexible printed wiring board or the like, for example, the one in the range of 3 to 300 μm can be applied. If it is less than 3 μm, the mechanical strength is poor, and if it exceeds 300 μm, the flexibility is poor. Preferably, it is 10-150 micrometers. More preferably, it is 20-75 micrometers.

配線材23の材質としては、導電配線材であってもよし、抵抗配線材であってもよいし、これらの積層配線材であってもよい。積層配線材は、導電配線材や抵抗配線材などを複数層積層したものであり、例えば、箔などの導電配線材に抵抗配線材からなる膜をメッキや蒸着、スパッタリングなどにより積層したものである。また箔同士の導電配線材や抵抗配線材などに活性化接合を施すことによって接合することもできる。活性化処理を用いた積層法は、真空槽内において、巻き戻しリールに設置された箔材の接合予定面側を、活性化処理装置で活性化処理する。同様にしてもう一方の箔材を活性化処理する。その後、活性化処理された箔同士を積層接合することにより積層化を達成することができる。   The material of the wiring material 23 may be a conductive wiring material, a resistance wiring material, or a laminated wiring material of these. The laminated wiring material is obtained by laminating a plurality of layers of conductive wiring materials, resistance wiring materials, and the like. For example, a film made of a resistance wiring material is laminated on a conductive wiring material such as a foil by plating, vapor deposition, sputtering, or the like. . Moreover, it can also join by performing activation joining to the conductive wiring material of foil, resistance wiring material, etc. In the laminating method using the activation treatment, the surface to be joined of the foil material installed on the rewinding reel is activated by the activation treatment device in the vacuum chamber. Similarly, the other foil material is activated. Thereafter, lamination can be achieved by laminating and joining the activated foils.

活性化処理は、真空槽内に装填された箔材同士をそれぞれアース接地された一方の電極Aと接触させ、絶縁支持された他の電極Bとの間に、10〜1×10−3Paの極低圧不活性ガス雰囲気中で、1〜50MHzの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極Aと接触した箔材のそれぞれの接合予定面側の面積が、実効的に電極Bの面積の1/3以下となるようにスパッタエッチング処理することにより達成することができる。不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンなどやこれらを含む混合体を適用することができる。好ましくはアルゴンである。なお不活性ガス圧力が1×10−3Pa未満では安定したグロー放電が行いにくく高速エッチングが困難であり、10Paを超えると活性化処理効率が低下する。印加する交流は、1MHz未満では安定したグロー放電を維持するのが難しく連続エッチングが困難であり、50MHzを超えると発振し易く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よくエッチングするためには電極Aと接触した箔材のそれぞれの面積を実効的に電極Bの面積より小さくする必要があり、実効的1/3以下とすることにより充分な効率でエッチング可能となる。 In the activation treatment, the foil materials loaded in the vacuum chamber are brought into contact with one electrode A which is grounded, and 10 to 1 × 10 −3 Pa between the other electrode B which is insulated and supported. In the extremely low pressure inert gas atmosphere, an alternating current of 1 to 50 MHz is applied to perform glow discharge, and the respective bonding planned surfaces of the foil material in contact with the electrode A exposed in the plasma generated by the glow discharge Can be achieved by performing a sputter etching process so that the area is effectively 1 / or less of the area of the electrode B. As the inert gas, argon, neon, xenon, krypton, or a mixture containing these can be used. Argon is preferable. If the inert gas pressure is less than 1 × 10 −3 Pa, stable glow discharge is difficult to perform and high-speed etching is difficult, and if it exceeds 10 Pa, the activation treatment efficiency decreases. If the alternating current applied is less than 1 MHz, it is difficult to maintain a stable glow discharge, and continuous etching is difficult, and if it exceeds 50 MHz, oscillation tends to occur and the power supply system becomes complicated, which is not preferable. In addition, in order to perform etching efficiently, it is necessary to make each area of the foil material in contact with the electrode A effectively smaller than the area of the electrode B. Etching with sufficient efficiency by making it effective 1/3 or less. It becomes possible.

積層接合は、活性化処理された箔材同士の接合予定面が対向するようにして両者を当接して重ね合わせ、圧接ユニットで冷間圧接を施すことによって達成することができる。この際の積層接合は低温度で可能であり、箔材同士ならびに接合部に組織変化や合金層の形成などといった悪影響を軽減または排除することが可能である。Tを箔材の温度(℃)とするとき、0℃<T<300℃で良好な圧接状態が得られる。0℃以下では特別な冷却装置が必要となり、300℃以上では組織変化などの悪影響が生じてくるため好ましくない。より好ましくは、0℃<T<200℃である。さらに好ましくは、0℃<T<150℃である。また圧延率R(%)は、0.01%≦R≦30%であることが好ましい。0.01%未満では充分な接合強度が得られず、30%を超えると変形が大きくなり加工上好ましくない。より好ましくは、0.1%≦R≦3%である。さらに好ましくは、1%<R≦3%である。   Laminate bonding can be achieved by bringing the two foil materials that have been activated into contact with each other so that the surfaces to be bonded face each other and overlapping them, and then performing cold pressure welding with a pressure welding unit. In this case, the lamination bonding can be performed at a low temperature, and adverse effects such as a change in structure and formation of an alloy layer at the foil members and at the bonding portion can be reduced or eliminated. When T is the temperature (° C.) of the foil material, a good pressure contact state is obtained at 0 ° C. <T <300 ° C. If it is 0 ° C. or lower, a special cooling device is required, and if it is 300 ° C. or higher, adverse effects such as changes in structure occur. More preferably, 0 ° C. <T <200 ° C. More preferably, 0 ° C. <T <150 ° C. The rolling rate R (%) is preferably 0.01% ≦ R ≦ 30%. If it is less than 0.01%, sufficient bonding strength cannot be obtained, and if it exceeds 30%, deformation becomes large, which is not preferable for processing. More preferably, 0.1% ≦ R ≦ 3%. More preferably, 1% <R ≦ 3%.

導電配線材の材質としては、沈降配線板を製造可能な素材で導電性の優れたものであれば特にその種類は限定されず、沈降配線板の用途により適宜選択して用いることができる。例えば、常温で固体である導電性の優れた金属(例えば、Al、Cu、Ag、Pt、Auなど)や、これらの金属のうち少なくとも1種類を含む導電性の優れた合金(例えば、JISに規定の合金など)などが適用できる。導電配線材の比抵抗としては、20℃で、1〜20μΩ・cmの範囲であることが好ましく、更に1〜10μΩ・cmの範囲であることがより好ましい。沈降配線板の用途がプリント配線板などであれば、導電配線材としては、導電性に優れた金属であるCu、Alなどや、これらの金属のうち少なくとも1種類を含む導電性の優れた合金などを適用することができる。すなわち銅材、アルミニウム材などを導電配線材として適用することが可能である。銅材としては、Cuの他、JISに規定の無酸素銅、タフピッチ銅、リン青銅、黄銅や、銅−ベリリウム系合金(例えば、ベリリウム2重量%、残部が銅の合金など)、銅−銀系合金(例えば、銀3〜5重量%、残部が銅の合金など)など、アルミニウム材としては、Alの他、JISに規定の1000系、3000系などのアルミニウム合金板を適用することができる。   The material of the conductive wiring material is not particularly limited as long as it is a material capable of producing a sedimented wiring board and has excellent conductivity, and can be appropriately selected and used depending on the use of the sedimented wiring board. For example, a metal having excellent conductivity that is solid at room temperature (for example, Al, Cu, Ag, Pt, Au, etc.) or an alloy having excellent conductivity including at least one of these metals (for example, JIS Specified alloys etc.) can be applied. The specific resistance of the conductive wiring material is preferably in the range of 1 to 20 μΩ · cm at 20 ° C., and more preferably in the range of 1 to 10 μΩ · cm. If the use of the sinking wiring board is a printed wiring board or the like, as the conductive wiring material, Cu, Al, etc., which are metals having excellent conductivity, and alloys having excellent conductivity including at least one of these metals are used. Etc. can be applied. That is, a copper material, an aluminum material, or the like can be applied as the conductive wiring material. Examples of copper materials include Cu, oxygen-free copper specified in JIS, tough pitch copper, phosphor bronze, brass, copper-beryllium alloys (for example, alloys of 2% by weight beryllium and the remainder being copper), copper-silver, and the like. As an aluminum material such as an aluminum alloy (for example, an alloy of 3 to 5% by weight of silver, the balance being copper, etc.), aluminum alloy plates such as 1000 series and 3000 series defined in JIS can be applied in addition to Al. .

抵抗配線材の材質としては、沈降配線板を製造可能な素材で所要の比抵抗を有するものあれば特にその種類は限定されず、沈降配線板の用途により適宜選択して用いることができる。例えば、常温で固体であり所要の比抵抗を有する合金(例えば、JISに規定の合金など)などが適用できる。抵抗配線材の比抵抗として、20℃で、30〜300μΩ・cmの範囲であることが好ましい。沈降配線板の用途がプリント配線板などであれば、配線パターンに抵抗部を形成可能な所要の比抵抗を有する抵抗合金材を適用することができる。抵抗合金材としては、銅−マンガン系合金(例えば、マンガン12〜15重量%、ニッケル2〜4重量%、残部が銅の合金など)、銅−ニッケル系合金(例えば、銅55重量%、ニッケル45重量%からなる合金など)、ニッケル−クロム系合金(例えば、ニッケル80重量%、クロム20重量%からなる合金など)、ニッケル−リン系合金(例えば、リン1〜20重量%、残部がニッケルの合金など)、ニッケル−ホウ素−リン系合金(例えば、ホウ素2重量%、リン8〜16重量%、残部がニッケルの合金など)、鉄−クロム系合金(例えば、クロム20重量%、アルミニウム3重量%、残部が鉄の合金など)、鉄−ニッケル系合金、鉄−炭素系合金などを適用することができる。   The material of the resistance wiring material is not particularly limited as long as it is a material capable of manufacturing a sinking wiring board and has a required specific resistance, and can be appropriately selected and used depending on the use of the sinking wiring board. For example, an alloy that is solid at room temperature and has a required specific resistance (for example, an alloy specified in JIS) can be applied. The specific resistance of the resistance wiring material is preferably in the range of 30 to 300 μΩ · cm at 20 ° C. If the use of the sinking wiring board is a printed wiring board or the like, a resistance alloy material having a required specific resistance capable of forming a resistance portion in the wiring pattern can be applied. Examples of the resistance alloy material include a copper-manganese alloy (for example, manganese 12 to 15% by weight, nickel 2 to 4% by weight, the balance of copper and the like), a copper-nickel alloy (for example, copper 55% by weight, nickel). 45% by weight alloy, etc.), nickel-chromium alloy (for example, nickel 80% by weight, chromium 20% by weight alloy, etc.), nickel-phosphorus alloy (for example, phosphorus 1-20% by weight, the balance being nickel) Alloy, etc.), nickel-boron-phosphorus alloy (for example, 2% by weight of boron, 8-16% by weight of phosphorus, etc.), iron-chromium alloy (for example, 20% by weight of chromium, aluminum 3) % By weight, the balance being iron, etc.), iron-nickel alloys, iron-carbon alloys and the like can be applied.

また導電配線材や抵抗配線材の厚みは、沈降配線板を製造可能であれば特に限定はされず、沈降配線板の用途により適宜選定して用いることができる。例えば、1〜1000μmであることが好ましい。導電配線材や抵抗配線材が箔などの板材からなる場合には1μm未満では導電配線材や抵抗配線材としての製造が難しくなり、1000μmを超えると沈降配線板としての製造が難しくなる。より好ましくは、10〜500μmである。なお導電配線材や抵抗配線材は、電解箔や圧延箔などの板材であってもよいし、メッキや蒸着などによる膜材を積層したものであってもよい。   Further, the thickness of the conductive wiring material and the resistance wiring material is not particularly limited as long as a sedimented wiring board can be manufactured, and can be appropriately selected and used depending on the use of the sedimented wiring board. For example, it is preferable that it is 1-1000 micrometers. When the conductive wiring material or the resistance wiring material is made of a plate material such as a foil, if it is less than 1 μm, it becomes difficult to manufacture as a conductive wiring material or a resistance wiring material. More preferably, it is 10-500 micrometers. The conductive wiring material and the resistance wiring material may be a plate material such as electrolytic foil or rolled foil, or may be a laminate of film materials by plating or vapor deposition.

本発明の沈降配線板は、図2に示す積層化においても好適である。積層に際して単層の沈降配線板を複数層重ねてホットプレスなどにより基材間を融着させるなどして積層化を施す際に、配線路自体への応力を削減もしくは抑止することができるため断線などの悪影響を排除もしくは低減することができる。このため特性インピーダンスなどに悪影響を及ぼしかねない接着剤などを用いなくてもよい。また必要により単層の沈降配線板表面に、グロー放電やコロナ放電などのプラズマ放電による活性化処理を用いることも可能である。コロナ放電などを利用する場合、減圧状態のみならず大気圧付近でも活性化処理が可能であり、雰囲気も不活性ガス中のみならず空気中でも可能である。なお活性化処理の要否ならびに種類は、沈降配線板の構成や用途により適宜選定することができる。   The sinking wiring board of the present invention is also suitable for the lamination shown in FIG. When laminating by laminating multiple layers of single-layer sedimented wiring boards and fusing the substrates together by hot pressing etc., the stress on the wiring path itself can be reduced or suppressed, thus breaking the wire Adverse effects such as can be eliminated or reduced. For this reason, it is not necessary to use an adhesive that may adversely affect the characteristic impedance. If necessary, activation treatment by plasma discharge such as glow discharge or corona discharge can be used on the surface of the single-layer sedimented wiring board. When corona discharge or the like is used, activation treatment is possible not only in a reduced pressure state but also in the vicinity of atmospheric pressure, and the atmosphere is possible not only in an inert gas but also in air. The necessity and type of the activation treatment can be appropriately selected depending on the configuration and application of the sinking wiring board.

また沈降配線板には、基材24の片面に配線材23を積層した2層の積層材20のみならず、基材24の両面に配線材23を積層した3層の積層材22を用いることができる。積層材22の両面に配された配線材23にそれぞれエッチング処理を施して、配線路33、34を形成して配線板32を製造し、これにホットプレスなどを施して両面に配線路を有する沈降配線板を形成することができる。この両面に配線路を有する沈降配線板の片面もしくは両面に、例えば片面に配線路を有する沈降配線板40などを重ねて積層化を図ることができる。沈降配線板は、配線路が基板に沈降ないし埋没しているため、多層化を図る際に配線路自体の位置ズレを抑止もしくは軽減することが可能であり、位置精度向上に効果がある。   Further, for the sinking wiring board, not only the two-layer laminated material 20 in which the wiring material 23 is laminated on one side of the base material 24 but also the three-layer laminated material 22 in which the wiring material 23 is laminated on both sides of the base material 24 are used. Can do. Etching is performed on the wiring members 23 arranged on both surfaces of the laminated material 22 to form wiring paths 33 and 34 to manufacture a wiring board 32, which is hot-pressed to have wiring paths on both surfaces. A sinking wiring board can be formed. For example, a sedimentation wiring board 40 having a wiring path on one side can be stacked on one side or both sides of the sedimentation wiring board having wiring paths on both sides. In the sinking wiring board, since the wiring path is settled or buried in the substrate, it is possible to suppress or reduce the positional deviation of the wiring path itself when increasing the number of layers, which is effective in improving the positional accuracy.

さらに配線材23が上層に導電配線材、下層に抵抗配線材となる積層構造を有する積層配線材からなる場合、これを用いた沈降配線板表面の導電配線材部分にエッチング処理を施して導電配線材部分を除去して抵抗配線材部分のみからなる抵抗配線部を形成することにより、沈降配線板に抵抗部を形成することができ抵抗素子などの実装を省略することが可能となり、実装部品点数を削減することができる。   Further, when the wiring material 23 is made of a laminated wiring material having a laminated structure in which the upper layer is a conductive wiring material and the lower layer is a resistance wiring material, the conductive wiring material portion on the surface of the settled wiring board using this is subjected to an etching process to conduct the conductive wiring. By removing the material part and forming the resistance wiring part consisting only of the resistance wiring material part, it is possible to form the resistance part on the sinking wiring board, and it is possible to omit the mounting of the resistance element, etc. Can be reduced.

本発明の沈降配線板の基材には、耐熱温度の異なる基材を用いることができる。沈降配線板を積層化する場合、内側に耐熱温度の高い基材を使用し、外側に耐熱温度の低い基材を使用することによって、積層された沈降配線板全体を均一に加熱する必要がなくなり、内側の沈降配線板の配線路を加熱により不安定にすることなく固定したまま積層することが可能である。   Substrates having different heat resistance temperatures can be used as the base material of the sinking wiring board of the present invention. When laminating sedimentation wiring boards, using a base material with a high heat resistance temperature on the inside and using a base material with a low heat resistance temperature on the outside eliminates the need to heat the entire laminated wiring wiring board uniformly. It is possible to laminate the wiring path of the inner sedimentation wiring board while it is fixed without being unstable by heating.

このようにして製造された複数層の沈降配線板に、スルーホールや層間の導通加工などを施して回路の多層化を図ることが可能であり、この多層化を図った沈降配線板をさらに基材として用いてより多層のプリント配線板を得ることができる。このためプリント配線板(リジッドプリント配線板やフレキシブルプリント配線板など)などに好適であり、ICカード、CSP(チップサイズパッケージまたはチップスケールパッケージ)やBGA(ボールグリッドアレイ)などのICパッケージなどにも応用できる。   A multilayered circuit can be formed by applying through holes, interlayer conductive processing, etc., to the multi-layered sinking wiring board manufactured in this way. A multilayer printed wiring board can be obtained by using as a material. For this reason, it is suitable for printed wiring boards (rigid printed wiring boards, flexible printed wiring boards, etc.) and the like, and also for IC packages such as IC cards, CSP (chip size package or chip scale package) and BGA (ball grid array). Can be applied.

以下に、実施例を説明する。基材24として厚み100μmの液晶ポリマーを用い、配線材23として厚み50μmの電解銅箔を用いた積層材20にエッチング処理を施して所定のパターンを有する配線板30を製造した。これにホットプレス加工を施して配線部を液晶ポリマー内に埋もれされて沈降配線板40を形成した。次に別の沈降配線板を用意し先の沈降配線板と重ねてホットプレス加工を施して2層の沈降配線板40を製造した。これにスルーホール加工を施して2層のプリント配線板を製造した。   Examples will be described below. A wiring board 30 having a predetermined pattern was manufactured by performing an etching process on the laminate 20 using a liquid crystal polymer having a thickness of 100 μm as the base material 24 and an electrolytic copper foil having a thickness of 50 μm as the wiring material 23. This was subjected to hot pressing, and the wiring portion was buried in the liquid crystal polymer to form a sedimented wiring board 40. Next, another settling wiring board was prepared and overlapped with the above settling wiring board and subjected to hot press processing to produce a two-layer settling wiring board 40. This was subjected to through-hole processing to produce a two-layer printed wiring board.

以上説明したように本発明の沈降配線板は、配線路の少なくとも一部の配線底部を基材面より沈降させてなるものである。このため積層化を図る際に配線路に不要な応力を及ぼさずに積層することが可能であり、断線などの悪影響を防止することができ、また積層に際して接着剤を用いておらず、より一層の軽量化や薄形化が図れ、回路基板などへの適用も好適である。   As described above, the sinking wiring board of the present invention is formed by sinking at least a part of the wiring bottom of the wiring path from the substrate surface. For this reason, it is possible to laminate without causing unnecessary stress on the wiring path when the lamination is attempted, and it is possible to prevent an adverse effect such as disconnection, and no adhesive is used in the lamination. Can be reduced in weight and thickness, and is suitable for application to circuit boards and the like.

本発明の沈降配線板の一実施形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows one Embodiment of the sedimentation wiring board of this invention. 本発明の沈降配線板の他の一実施形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows other one Embodiment of the sedimentation wiring board of this invention. 積層板の一実施形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows one Embodiment of a laminated board. 配線板の一実施形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows one Embodiment of a wiring board. 本発明の沈降配線板のさらに他の一実施形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows another one Embodiment of the sedimentation wiring board of this invention. 本発明の沈降配線板のさらに他の一実施形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows another one Embodiment of the sedimentation wiring board of this invention. 積層板の他の一実施形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows other one Embodiment of a laminated board. 配線板の他の一実施形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows other one Embodiment of a wiring board.

符号の説明Explanation of symbols

20 積層材
22 積層材
23 配線材
24 基材
30 配線板
32 配線板
33 配線路
34 配線路
40 沈降配線板
42 沈降配線板
43 沈降配線板
44 沈降配線板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 Laminated material 22 Laminated material 23 Wiring material 24 Base material 30 Wiring board 32 Wiring board 33 Wiring path 34 Wiring path 40 Precipitation wiring board 42 Precipitation wiring board 43 Precipitation wiring board 44 Precipitation wiring board

Claims (1)

基材、中間層、配線材の3層を積層してなる沈降配線板の製造方法であって、
金属からなる配線材の接合予定面をスパッタエッチングにより活性化処理する工程と、
有機高分子からなる基材表面をスパッタエッチングにより活性化処理する工程と、
前記活性化処理をした基材上にスパッタリング法により前記配線材と同じ金属の中間層を形成する工程と、
前記中間層と前記活性化処理をした配線材とを当接して冷間圧延処理をして積層接合し、積層材を製造する工程と、
前記積層材の配線材にエッチング処理をして配線パターンを製造する工程と、
前記積層材にホットプレス処理をして前記配線パターンを前記基材に沈降させる工程と、を有することを特徴とする沈降配線板の製造方法。
A method for manufacturing a sedimented wiring board in which three layers of a base material, an intermediate layer, and a wiring material are laminated,
A process of activating the bonding planned surface of the wiring material made of metal by sputter etching;
A step of activating the substrate surface made of an organic polymer by sputter etching;
Forming an intermediate layer of the same metal as the wiring material by sputtering on the activated substrate;
A step of abutting the intermediate layer and the wiring material subjected to the activation treatment to perform a cold rolling treatment and laminating and bonding, and manufacturing a laminated material;
Etching the wiring material of the laminated material to produce a wiring pattern;
And a step of hot-pressing the laminated material to cause the wiring pattern to settle on the base material .
JP2003271674A 2003-07-08 2003-07-08 Sinking wiring board and manufacturing method thereof Expired - Fee Related JP4276015B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003271674A JP4276015B2 (en) 2003-07-08 2003-07-08 Sinking wiring board and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003271674A JP4276015B2 (en) 2003-07-08 2003-07-08 Sinking wiring board and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005033041A JP2005033041A (en) 2005-02-03
JP4276015B2 true JP4276015B2 (en) 2009-06-10

Family

ID=34209462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003271674A Expired - Fee Related JP4276015B2 (en) 2003-07-08 2003-07-08 Sinking wiring board and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4276015B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5072283B2 (en) * 2006-07-31 2012-11-14 三洋電機株式会社 Circuit board
JP2008109127A (en) * 2006-09-29 2008-05-08 Nippon Steel Chem Co Ltd Manufacturing method of flexible substrate
KR100897316B1 (en) * 2007-10-26 2009-05-14 삼성전기주식회사 Manufacturing method of PCB

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005033041A (en) 2005-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100502498B1 (en) Multilayer circuit board and method for manufacturing multilayer circuit board
US7733665B2 (en) Multi-layer substrate having conductive pattern and resin film and method for manufacturing the same
US6159586A (en) Multilayer wiring substrate and method for producing the same
JP4276015B2 (en) Sinking wiring board and manufacturing method thereof
KR100583666B1 (en) High polymer plate and conductive plate connecting body, and part using the connecting body
JP2004071865A (en) Resistive layer laminated material and component using the same
JP4117829B2 (en) Method for producing conductive layer laminate and method for producing component using conductive layer laminate
JP3979647B2 (en) Method for producing alloy layer laminate and method for producing component using alloy layer laminate
JP2005324466A (en) Low thermal expansion laminated material and part using it
US20050164006A1 (en) Laminated plate and part using the laminated plate
JP4050943B2 (en) Method for manufacturing resistance layer bonding material and method for manufacturing component using resistance layer bonding material
JP2004071866A (en) Method of manufacturing resistive layer laminated material and method of manufacturing component using resistive layer laminated material
JP2004128460A (en) Method of manufacturing resistance-layer laminate and method of manufacturing component using the same
JP2004128458A (en) Resistance-layer laminate and component using the same
JP2003136626A (en) Conductive layer-laminated material and part using the material
JP2004174901A (en) Substrate layer-including laminated material and part using the same
JP4276016B2 (en) Low thermal expansion laminate and method for producing the same
JP2004243701A (en) Alloy layer laminate and part using the same
JP2003236679A (en) Method of manufacturing resistance layer laminated member and method of manufacturing component using resistance layer laminated member
JP4059485B2 (en) Conductive layer laminate and parts using conductive layer laminate
JP2003136665A (en) Method for producing conductive layer laminated material and method for producing part using the laminated material
JP2005324467A (en) Manufacturing method of low thermal expansion material layer and manufacturing method of part using low thermal expansion material layer
JP2004090620A (en) Manufacturing process for resistive layer joint and manufacturing process for component using the same
JP2004096081A (en) Resistance layer joint body and component using resistance layer joint body
JP2004174904A (en) Method for manufacturing substrate layer-including laminated material and method for manufacturing part using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060207

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20070416

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080717

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080723

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080917

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081002

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20081002

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090303

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090305

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120313

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120313

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130313

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140313

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees