JP4270147B2

JP4270147B2 - マイクロ波回路装置

Info

Publication number: JP4270147B2
Application number: JP2005088874A
Authority: JP
Inventors: 啓輔藤原; 志浩田原; 英征大橋
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2005-03-25
Filing date: 2005-03-25
Publication date: 2009-05-27
Anticipated expiration: 2025-03-25
Also published as: JP2006270809A

Description

この発明は、例えば、通信装置やレーダ装置などに用いられるマイクロ波回路装置に関し、特に、マイクロ波信号を入出力するために導体シャーシに設けられた同軸コネクタの導体芯線と、導体シャーシ内に設けられた誘電体基板上に形成されたマイクロストリップ線路との接続部の構成に係るマイクロ波回路装置に関するものである。

通信装置やレーダ装置などに用いられるマイクロ波回路装置においては、導体シャーシにマイクロ波信号を入出力するための同軸コネクタを設け、この同軸コネクタの導体芯線を、導体シャーシに設けた穴を介して導体シャーシ内に貫入し、この貫入した導体芯線と導体シャーシ内に設けた電子回路などを有する誘電体基板上に形成したマイクロストリップ線路を、半田などにより接続するのであるが、導体芯線とマイクロストリップ線路を直接接続すると、マイクロ波信号の入出力の際に生じる発熱による導体シャーシと誘電体基板の熱膨張率の差から、導体芯線とマイクロストリップ線路の接続部に熱ストレスが生じ、接続部が破断する場合がある。

このため、通常は、同軸コネクタの導体芯線と誘電体基板上に形成したマイクロストリップ線路の接続部に生じる熱ストレスを吸収するために、導体芯線とマイクロストリップ線路の間を、柔軟性のある導体リボンを用いて接続している。

このような、導体芯線とマイクロストリップ線路を、導体リボンを介して接続するマイクロ波回路装置に係る接続部としては、例えば、導体芯線とマイクロストリップ線路を直列かつ重畳しないように配設し、この導体芯線とマイクロストリップ線路を、導体リボンを熱圧着させて接続したものがある。（例えば、特許文献１参照）

また、別のマイクロ波回路装置に係る接続部として、マイクロストリップ線路を導体芯線に対して、直列かつ重畳しないように配設すると共に、マイクロストリップ線路の端部から順に、一部の幅を変えて、キャパシタンスとなる低インピーダンスマイクロストリップ線路およびインダクタンスとなる高インピーダンスマイクロストリップ線路からなる整合回路を形成し、導体芯線と低インピーダンスマイクロストリップ線路を、導体リボンを介して半田により接続したものがある。（例えば、特許文献２参照）

特開昭６３−６９０３号公報（第２、３頁、第１図）実開平５−９００５号公報（第１０、１１頁、第１図）

マイクロ波回路装置は、通常、マイクロ波回路装置を構成する各部を、反射を生じないように特性インピーダンスが５０Ωになるようにするのであるが、導体芯線とマイクロストリップ線路の接続部においては、特性インピーダンスが、接続部の構成に大きく依存するため、特許文献１に記載の従来のマイクロ波回路装置に係る導体芯線とマイクロストリップ線路の接続部においては、特性インピーダンスが、反射の無い５０Ωから外れて反射が生じ、その結果反射特性が悪くなるため、必要とするマイクロ波信号の入出力電力が得られないという問題があった。

また、特許文献２に記載の従来のマイクロ波回路装置に係る導体芯線とマイクロストリップ線路の接続部おいては、前述した特許文献１における接続部の反射特性を改善するために、接続部近傍に位置するマイクロストリップ線路の端部から、マイクロストリップ線路の幅を変えて、順に、低インピーダンスマイクロストリップ線路および高インピーダンスマイクロストリップ線路から成る整合回路を形成することにより、所定の周波数に対して、接続部の特性インピーダンスが、反射の無い５０Ωになるよう整合を行うものであるが、整合可能な周波数帯が狭く、このため広い周波数帯に対応させるためには、必要とする周波数毎に、接続部の特性インピーダンスが５０Ωになるように、低インピーダンスマイクロストリップ線路と高インピーダンスマイクロストリップ線路の幅を変えた整合回路を有したマイクロ波回路装置を準備しなければならないという問題があった。

この従来技術である特許文献１および特許文献２の結果を示す一例として、図１６に、通信装置やレーダ装置で実用される１〜２０ＧＨｚの周波数帯に対して計算した、マイクロ波回路装置の接続部に係る反射特性を示す。図１６において、反射特性は、入射電圧に対する反射電圧の比をログスケール（反射特性＝−２０ｌｏｇ｜反射電圧／入射電圧｜）表示（ｄＢ表示）したもので、負値になるほど反射電圧が少なくなるため、反射特性が良くなることを示している。通常、反射電圧が入射電圧の十分の一になる−２０ｄＢを基準値とし、反射特性が、この基準値−２０ｄＢ以下になることを目標としている。

図１６において、２０は特許文献１に係るマイクロ波回路装置における反射特性の計算結果を示し、２１は特許文献２に係るマイクロ波回路装置において、主に衛星通信などに用いられる１４ＧＨｚの周波数に対する接続部の特性インピーダンスが、反射が生じない略５０Ωとなるような整合回路を用いた場合の反射特性の計算結果を示している。

図１６において、特許文献１に係るマイクロ波回路装置の反射特性２０は、目標値である−２０ｄＢ以下である周波数帯は、約１〜３ＧＨｚのみであり、残りの約３〜２０ＧＨｚの周波数帯は、目標値である−２０ｄＢ以下になっておらず、総じて反射特性が悪いことが判る。また、特許文献２に係るマイクロ波回路装置の反射特性２１は、１４ＧＨｚにおいて接続部の特性インピーダンスが略５０Ωとなるように整合した整合回路により、１４ＧＨｚ前後の約１ＧＨｚ（約１３〜１５ＧＨｚ）の狭い周波数帯で、反射特性が、目標値である−２０ｄＢ以下となり改善されるものの、他の周波数帯では、約１〜２ＧＨｚの周波数帯を除いて、反射特性が、目標値である−２０ｄＢ以下にはならず、特許文献１に比して改善するものの、まだ広い周波数帯で反射特性が悪いことが判る。

この発明は、これらの問題を解決するためになされたもので、導体芯線とマイクロストリップ線路の接続部に生じる熱ストレスを吸収し、接続部の破断を防止するとともに、広い周波数帯で反射特性の改善を実現したマイクロ波回路装置を提供するものである。

この発明に係るマイクロ波回路装置は、導体シャーシの外面に固定され、マイクロ波信号を入出力する同軸コネクタから導体シャーシ内に貫入された同軸コネクタの同軸芯線と、導体シャーシ内部に固定され、マイクロ波信号に所定の処理を行なう誘電体基板上に形成されたマイクロストリップ線路を接続する接続部を、同軸芯線とマイクロストリップ線路のそれぞれに対し直角方向に設けた導体リボンにより接続する構成としたものである。

この発明によれば、導体芯線とマイクロストリップ線路の接続部に生じる熱ストレスを吸収して接続部の破断を防止することに加え、広い周波数帯において反射特性の改善が実現されるため、安定したマイクロ波回路装置を提供できる効果がある。

実施の形態１
図１〜図４は、実施の形態１に係るマイクロ波回路装置について示したものである。図１は、マイクロ波回路装置の上面図である。図２は、図１に示すマイクロ波回路装置をＸ１方向から見た側面図である。図３は、図２に示すマイクロ波回路装置をＹ１方向から見た側面図である。また図４は、この実施の形態１の一実施例として、通信装置やレーダ装置で実用される１〜２０ＧＨｚの周波数帯に対して計算したマイクロ波回路装置に係る反射特性を、特許文献１および特許文献２に記載の従来のマイクロ波回路装置に係る反射特性と比較して示したものである。

図１〜図３において、金属導体よりなる導体シャーシ１の外面には、所定のマイクロ波信号を入出力するための同軸コネクタ２が、固定ネジ２ａを用いて四ヶ所で固定されている。同軸コネクタ２は、同軸中心に導体芯線２ｂを有しており、この導体芯線２ｂは、導体シャーシ１に設けられた貫通穴１ａを介して、導体シャーシ１内に貫入している。所定のマイクロ波信号は、この導体芯線２ｂを利用して、導体シャーシ１内外に入出力される。また、導体シャーシ１内には、例えばＰＴＦＥのようなフッ素樹脂などの誘電体からなる誘電体基板３が、無図示の固定ネジにより導体シャーシ１に固定されている。誘電体基板３には、無図示の電子回路が実装あるいは形成され、またこの誘電体基板３の電子回路と導体芯線２ｂを電気的に接続するためのマイクロストリップ線路３ａが、誘電体基板３上に、導体芯線２ｂ近傍まで伸びるとともに、導体芯線２ｂに対し、所定の間隔を有して平行方向になるように形成されている。なお、図３において、同軸コネクタ２および固定ネジ２ａは鎖線で示してある。

そして、導体芯線２ｂの上面部２ｃとマイクロストリップ線路３ａの上面部３ｂの間に、導体芯線２ｂとマイクロストリップ線路３ａのそれぞれに対して直角方向に、例えば厚さ約０．１ｍｍ程度の柔軟性のある銅箔で形成された導体リボン４を配設した後、半田などにより、導体リボン４を導体芯線２ｂとマイクロストリップ線路３ａに接続して、接続部を構成している。

次に図４において、横軸は、通信装置やレーダ装置で実用される１〜２０ＧＨｚの周波数帯を示し、縦軸は、１〜２０ＧＨｚの周波数帯に対する反射特性を示している。また、図４の中で、１０は、この実施の形態１のマイクロ波回路装置に係る反射特性であり、誘電体基板３として、比誘電率２．６、厚さ０．６ｍｍのフッ素樹脂の基板を使用した場合について計算した反射特性を示している。また同図には、比較のため、２０および２１に、この実施の形態１と同じ条件で、それぞれ特許文献１および特許文献２に記載の従来のマイクロ波回路装置において計算した反射特性を示してあり、これは図１６において示したものと同じものである。この反射特性は、入射電圧に対する反射電圧の比をログスケール（反射特性＝−２０ｌｏｇ｜反射電圧／入射電圧｜）表示（ｄＢ表示）したもので、負値になるほど反射電圧が少なくなるため、反射特性が良くなることを示している。通常、反射電圧が入射電圧の十分の一になる−２０ｄＢを基準値とし、反射特性が、この基準値−２０ｄＢ以下になることを目標としている。

次に、この発明の実施の形態１に係るマイクロ波回路の動作について、図１から図４を用いて説明する。

同軸コネクタ２の導体芯線２ｂから導体シャーシ１内に入力されたマイクロ波信号は、熱ストレスを吸収し、接続部の破断を防止するための導体リボン４を介して、誘電体基板３上に形成されたマイクロストリップ線路３ａに伝送されたのち、誘電体基板３に実装あるいは形成された無図示の電子回路により所定の処理が行なわれる。また同様に、無図示の電子回路により所定の処理が行なわれたマイクロ波信号は、マイクロストリップ線路３ａから、導体リボン４、導体芯線２ｂに伝送され、同軸コネクタ２から出力される。

この時、反射特性は、図４に示した実施の形態１のマイクロ波回路装置に係る反射特性１０に示すように、目標値である−２０ｄＢ以下の周波数帯は、約１〜１１ＧＨｚとなる。これは、同図に比較のために示した、特許文献１に記載の従来のマイクロ波回路装置に係る反射特性２０における−２０ｄＢ以下の周波数帯（約１〜３ＧＨｚ）、および特許文献２に記載の従来のマイクロ波回路装置に係る反射特性２１における−２０ｄＢ以下の周波数帯（約１〜２ＧＨｚ、約１３〜１５ＧＨｚ）に比して、目標値である−２０ｄＢ以下の周波数帯が広くなっており、反射特性が改善することがわかる。また目標値である−２０ｄＢに満たない周波数帯（約１１ＧＨｚ〜２０ＧＨｚ）を見ても、反射特性が、従来のマイクロ波回路装置に比して改善することがわかる。よって、実用される１〜２０ＧＨｚの周波数帯で、従来のマイクロ波回路装置に比して反射特性が改善する。

この実施の形態１によれば、導体シャーシ１の外面に固定された同軸コネクタ２から導体シャーシ１内に貫入された導体芯線２ｂと、導体シャーシ１の内部に固定された誘電体基板３上に形成されたマイクロストリップ線路３ａを接続する接続部を、同軸芯線２ｂとマイクロストリップ線路３ａを所定の間隔を有して平行方向に配設し、同軸芯線２ｂとマイクロストリップ線路３ａに対し直角方向に設けた導体リボン４により、同軸芯線２ｂとマイクロストリップ線路３ａを接続するように構成したため、導体芯線２ｂとマイクロストリップ線路３ａの接続部に生じる熱ストレスを吸収して接続部の破断を防止することに加え、広い周波数帯において反射特性の改善が実現されるため、安定したマイクロ波回路装置を提供できる効果がある。

実施の形態２
実施の形態１では、導体リボン４を導体芯線２ｂの上面部２ｃに半田などで接続したものを示したが、図５に示すように、導体リボン４の一端を導体芯線２ｂの下面部２ｄと誘電体基板３の間隙に差し込むようにして配設し、導体リボン４と導体芯線２ｂを半田などで接続してもよい。この場合、実施の形態１と同様の効果を奏する。なお、図５で使用した符号のうち、実施の形態１で使用した符号と同一のものは、同一または相当品を示す。

実施の形態３
また、実施の形態２によれば、図５において、導体リボン４を導体芯線２ｂとマイクロストリップ線路３ａの間で大きく彎曲するような形状のものを示したが、これは熱ストレスによる歪みを吸収するためのものであり、熱ストレスが吸収可能であれば、特に大きく彎曲させる必要はなく、例えば図６に示したような、彎曲の小さい導体リボン４を用いてもよい。この場合も、実施の形態１と同様の効果を奏する。なお、図６で使用した符号のうち、実施の形態１および２で使用した符号と同一のものは、同一または相当品を示す。

実施の形態４
さらに、実施の形態１〜３によれば、同軸芯線２ｂとマイクロストリップ線路３ａを所定の間隔を有して平行方向に配設し、同軸芯線２ｂとマイクロストリップ線路３ａに対し直角方向に設けた導体リボン４により、同軸芯線２ｂとマイクロストリップ線路３ａを接続した構成のものを示したが、この導体リボン４は、導体芯線２ｂとマイクロストリップ線路３ａに対して直角方向に接続されていればよいのであり、例えば、図７に示すように、導体リボン４を途中で曲げることにより、導体リボン４を、導体芯線２ｂとマイクロストリップ線路３ａに対して直角方向になるように接続するようにすれば、特に、同軸芯線２ｂとマイクロストリップ線路３ａを所定の間隔を有して平行方向に配設する必要性は無くなる。この場合、実施の形態１と同様の効果を奏する。なお、図７で使用した符号のうち、実施の形態１で使用した符号と同一のものは、同一または相当品を示す。

なお、この実施の形態４においては、実施の形態１に対応するものとして、導体リボン４を導体芯線２ｂの上面部２ｃに配設したものを示しているが、当然のことながら、実施の形態２および実施の形態３で示したように、導体リボン４を導体芯線２ｂの下面部２ｄに配設可能なことは言うまでもない。

実施の形態５
図８〜図１１は、実施の形態５に係るマイクロ波回路装置について示したものである。図８は、マイクロ波回路装置の上面図である。図９は、図８に示すマイクロ波回路装置をＸ２方向から見た側面図である。図１０は、図９に示すマイクロ波回路装置をＹ２方向から見た断面側面図である。また図１１は、この実施の形態５の一実施例として、通信装置やレーダ装置で実用される１〜２０ＧＨｚの周波数帯に対して計算したマイクロ波回路装置に係る反射特性を、実施の形態１に係るマイクロ波回路装置に係る反射特性と比較して示したものである。なお、図８〜図１１で使用した符号のうち、実施の形態１で使用した符号と同一のものは、同一または相当品を示す。

図８〜図１１において、実施の形態１と異なるところは、導体芯線２ｂに対し所定の間隔を有して平行に配設されたマイクロストリップ線路３ａに対し、導体芯線２ｂ近傍に位置するマイクロストリップ線路３ａの端部から、順にマイクロストリップ線路３ａの幅を変えて、所定の周波数に対する接続部の特性インピーダンスが、反射の無い５０Ωになるように、キャパシタンスとなる低インピーダンスマイクロストリップ線路３ｃおよびインダクタンスとなる高インピーダンスマイクロストリップ線路３ｄからなる整合回路を形成し、導体芯線２ｂと低インピーダンスマイクロストリップ線路３ｃを、導体リボン４を用いて半田などにより接続したことである。

次に、図１１において、横軸は、通信装置やレーダ装置で実用される１〜２０ＧＨｚの周波数帯を示し、縦軸は、１〜２０ＧＨｚに対する反射特性を示している。また、図１１の中で、１１は、この実施の形態５のマイクロ波回路装置に係る反射特性であり、誘電体基板３として、比誘電率２．６、厚さ０．６ｍｍのフッ素樹脂の基板を使用し、かつ周波数を１４ＧＨｚとした場合に、接続部の特性インピーダンスが５０Ωになるように、低インピーダンスマイクロストリップ線路３ｃおよび高インピーダンスマイクロストリップ線路３ｄを形成した場合について計算した反射特性を示している。また、同図には、比較のため、実施の形態１で示したマイクロ波回路装置に係る反射特性１０も示している。この反射特性は、入射電圧に対する反射電圧の比をログスケール（反射特性＝−２０ｌｏｇ｜反射電圧／入射電圧｜）表示（ｄＢ表示）したもので、負値になるほど反射電圧が少なくなるため、反射特性が良くなることを示している。通常、反射電圧が入射電圧の十分の一になる−２０ｄＢを基準値とし、反射特性が、この基準値−２０ｄＢ以下になることを目標としている。

この実施の形態５に係る動作として、実施の形態１と異なるところは、反射特性が、図１１に示した実施の形態５のマイクロ波回路装置に係る反射特性１１に示すように、目標値である−２０ｄＢ以下の周波数帯で約１〜１６ＧＨｚとなり、これは同図に比較のために示した、実施の形態１のマイクロ波回路装置に係る反射特性１０に比して、目標値である−２０ｄＢ以下の周波数帯が一層広くなり、反射特性が改善することである。また、実施の形態５のマイクロ波回路装置における反射特性１１において、目標値である−２０ｄＢに満たない周波数帯（約１６ＧＨｚ〜２０ＧＨｚ）を見ても、実施の形態１のマイクロ波回路装置に係る反射特性１０に比して、反射特性が改善している。よって、実施の形態１のマイクロ波回路装置に係る反射特性１０に比して、実用される１〜２０ＧＨｚの全ての周波数帯で反射特性が改善する。

この実施の形態５においては、導体シャーシ１内に貫入された同軸コネクタ２の同軸芯線２ｂに対し所定の間隔を有して平行に配設されたマイクロストリップ線路３ａに対し、導体芯線２ｂ近傍に位置するマイクロストリップ線路３ａの端部から、順にマイクロストリップ線路３ａの幅を変えて、所定の周波数に対する接続部の特性インピーダンスが、反射の無い５０Ωになるように、キャパシタンスとなる低インピーダンスマイクロストリップ線路３ｃおよびインダクタンスとなる高インピーダンスマイクロストリップ線路３ｄからなる整合回路を形成し、導体芯線２ｂと低インピーダンスマイクロストリップ線路３ｃを、導体リボン４を用いて半田などにより接続するように構成したため、導体芯線２ｂと低インピーダンスマイクロストリップ線路３ｃの接続部に生じる熱ストレスを吸収して接続部の破断を防止することに加え、実施の形態１に比して、マイクロ波信号に対して接続部において整合が取れることにより、実用される１〜２０ＧＨｚの全て周波数帯において反射特性の改善が実現されるため、一層安定したマイクロ波回路装置を提供できる効果がある。

実施の形態６
実施の形態５では、導体リボン４を導体芯線２ｂの上面部２ｃに半田などで接続する構成のものを示したが、図１２に示すように、導体リボン４の一端を導体芯線２ｂの下面部２ｄと誘電体基板３の間隙に差し込むようにして配設し、導体リボン４と導体芯線２ｂを半田などで接続してもよい。この場合、実施の形態５と同様の効果を奏する。なお、図１２で使用した符号のうち、実施の形態５で使用した符号と同一のものは、同一または相当品を示す。

実施の形態７
また、実施の形態６によれば、図１２において、導体リボン４を導体芯線２ｂと低インピーダンスマイクロストリップ線路３ｃの間で大きく彎曲するような形状のものを示したが、これは熱ストレスによる歪みを吸収するためのものであり、熱ストレスが吸収可能であれば、特に大きく彎曲させる必要はなく、例えば図１３に示すように、彎曲の小さい導体リボン４を用いてもよい。この場合も、実施の形態５と同様の効果を奏する。なお、図１３で使用した符号のうち、実施の形態５および６で使用した符号と同一のものは、同一または相当品を示す。

実施の形態８
さらに、実施の形態５〜７によれば、同軸芯線２ｂとマイクロストリップ線路３ａを所定の間隔を有して平行方向に配設し、導体芯線２ｂ近傍に位置するマイクロストリップ線路３ａの端部から、順にマイクロストリップ線路３ａの幅を変えて、低インピーダンスマイクロストリップ線路３ｃおよび高インピーダンスマイクロストリップ線路３ｄからなる整合回路を形成し、同軸芯線２ｂと低インピーダンスマイクロストリップ線路３ｃに対し直角方向に導体リボン４を接続するようにしたものを示したが、この場合、導体リボン４は、導体芯線２ｂと低インピーダンスマイクロストリップ線路３ｃに対して直角方向に接続されていればよく、例えば、図１４に示すように、導体リボン４を途中で曲げることにより、導体リボン４を、導体芯線２ｂと低インピーダンスマイクロストリップ線路３ｃに対して直角方向になるように接続するようにすれば、特に、同軸芯線２ｂと低インピーダンスマイクロストリップ線路３ｃを所定の間隔を有して平行方向に配設する必要性は無い。この場合、実施の形態５と同様の効果を奏する。なお、図１４で使用した符号のうち、実施の形態５〜７で使用した符号と同一のものは、同一または相当品を示す。

なお、図１４においては、実施の形態５に対応するものとして、導体リボン４を導体芯線２ｂの上面部２ｃに配設したものを示しているが、当然のことながら、実施の形態６および実施の形態７で示したように、導体リボン４を導体芯線２ｂの下面部２ｄに配設可能なことは言うまでもない。

実施の形態９
さらに、実施の形態５〜８によれば、マイクロストリップ線路３ａの幅を変えて形成した低インピーダンスマイクロストリップ線路３ｃおよび高インピーダンスマイクロストリップ線路３ｄからなる整合回路を、導体芯線２ｂ近傍のマイクロストリップ線路３ａの端部に設けたものを示したが、例えば、図１５に示すように、マイクロストリップ線路３ａの一部に設けることも可能である。この場合も、実施の形態５と同様の効果を奏する。なお、図１５で使用した符号のうち、実施の形態５〜７で使用した符号と同一のものは、同一または相当品を示す。

この発明の実施の形態１に係るマイクロ波回路装置の要部構成を示す上面図である。この発明の実施の形態１に係るマイクロ波回路装置の要部構成を示す側面図である。この発明の実施の形態１に係るマイクロ波回路装置の要部構成を示す側面図である。この発明の実施の形態１に係るマイクロ波回路装置における反射特性図である。この発明の実施の形態２に係るマイクロ波回路装置の要部構成を示す側面図である。この発明の実施の形態３に係るマイクロ波回路装置の要部構成を示す側面図である。この発明の実施の形態４に係るマイクロ波回路装置の要部構成を示す上面図である。この発明の実施の形態５に係るマイクロ波回路装置の要部構成を示す正面図である。この発明の実施の形態５に係るマイクロ波回路装置の要部構成を示す側面図である。この発明の実施の形態５に係るマイクロ波回路装置の要部構成を示す側面図である。この発明の実施の形態５に係るマイクロ波回路装置におけるマイクロ波の周波数帯に対する反射特性図である。この発明の実施の形態６に係るマイクロ波回路装置の要部構成を示す側面図である。この発明の実施の形態７に係るマイクロ波回路装置の要部構成を示す側面図である。この発明の実施の形態８に係るマイクロ波回路装置の要部構成を示す上面図である。この発明の実施の形態９に係るマイクロ波回路装置の要部構成を示す上面図である。従来のマイクロ波回路装置に係る反射特性図である。

符号の説明

１導体シャーシ
１ａ貫通穴
２同軸コネクタ
２ａ固定ネジ
２ｂ導体芯線
２ｃ導体芯線の上面部
３誘電体基板
３ａマイクロストリップ線路
３ｂマイクロストリップ線路の上面部
４導体リボン

Claims

導体シャーシの外面に固定されたマイクロ波信号を入出力する同軸コネクタと、前記導体シャーシの内部に固定された誘電体基板と、前記同軸コネクタと前記マイクロ波信号を伝送するため前記誘電体基板上に形成されたマイクロストリップ線路とを電気的に接続する接続部を備えたマイクロ波回路装置において、
前記接続部は、前記導体シャーシ内に貫入された前記同軸コネクタが有する導体芯線と前記マイクロストリップ線路の中心導体それぞれに対し直角方向に接続された導体リボンより構成しており、
前記導体芯線を前記誘電体基板上に配設したことを特徴とするマイクロ波回路装置。
前記導体芯線と前記マイクロストリップ線路の中心導体は、所定の間隔を有して平行方向に配設したことを特徴とする請求項１に記載のマイクロ波回路装置。
前記マイクロストリップ線路に、前記マイクロストリップ線路の中心導体の幅を変えて、キャパシタンスとなる低インピーダンスマイクロストリップ線路とインダクタンスとなる高インピーダンスマイクロストリップ線路からなる整合回路を形成したことを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載のマイクロ波回路装置。