JP4269658B2 - 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置、電子ペーパなどの電気泳動装置、ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置等に用いる電気光学装置及びその製造方法、並びに例えば液晶プロジェクタ等の該電気光学装置をライトバルブとして具備する電子機器の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
アクティブマトリクス駆動形式の電気光学装置では、例えば各画素に設けられた画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下、適宜「ＴＦＴ」という。）のチャネル領域に入射光が照射されると、光による励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が変化する。特に、プロジェクタのライトバルブ用の電気光学装置の場合には、入射光の強度が高いため、ＴＦＴのチャネル領域やその周辺領域に対する入射光の遮光を行うことは重要となる。
【０００３】
そこで従来は、対向基板に設けられた各画素の開口領域を規定する遮光膜により、あるいはＴＦＴアレイ基板上においてＴＦＴの上を通過するとともにＡｌ（アルミニウム）等の金属膜からなるデータ線により、かかるチャネル領域やその周辺領域を遮光するように構成されている。例えばデータ線を金属で形成すると共にこれを走査線に沿って突出させて、その下方に位置するＴＦＴへの光の浸入を防ぐ技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
更に、ＴＦＴアレイ基板上のＴＦＴの下側に対向する位置にも、例えば高融点金属からなる遮光膜を設けることがある。このようにＴＦＴの下側にも遮光膜を設ければ、ＴＦＴアレイ基板側からの裏面反射光や、複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合に他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けてくる投射光等の戻り光が、当該電気光学装置のＴＦＴに入射するのを未然に防ぐことができる。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−３３０８６１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した各種遮光技術によれば、以下の問題点がある。
【０００７】
即ち先ず、対向基板上や電気光学基板上に遮光膜を形成する技術によれば、遮光膜とチャンネル部との間は、３次元的に見て例えば液晶層、電極、層間絶縁膜等を介してかなり離間しており、両者間へ斜めに入射する光に対する遮光が十分ではない。特に、プロジェクタのライトバルブとして用いられる小型の電気光学装置においては、入射光は光源からの光をレンズで絞った光束であり、斜めに入射する成分を無視し得ない程度（例えば、基板に垂直な方向から１０度から１５度程度傾いた成分を１０％程度）含んでいるので、このような斜めの入射光に対する遮光が十分でないことは実践上問題となる。
【０００８】
更に、一般にＴＦＴのゲート電極を含んでなる走査線は、光透過性のドープトシリコンが用いられている。係るシリコンは、周囲の酸化膜よりも高い屈折率を有しているために、走査線に対して上方斜め或いは下方斜めから入射した光は、当該シリコンにとらえられてあたかも光ファイバーの中を行くように、全反射を繰り返して光量を大きく減ずることなく迷光として伝播される。ここで、伝播された迷光は、ＴＦＴにおけるゲート電極に対向配置されるチャンネル部付近に到達する可能性は高い。そして、ゲート電極付近にきた迷光は、ＴＦＴ付近における走査線の形状変化に応じて、シリコンから出てＴＦＴのチャンネル部側にも入射されるという問題点がある。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、走査線内を伝播する迷光を遮光する構造により遮光性に優れており、明るく高品位な画像表示を可能ならしめる電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板上に、画素電極と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのゲート電極に走査信号を供給する走査線と、前記薄膜トランジスタのソース領域に画像信号を供給するデータ線とを備えており、前記走査線は前記ゲート電極を含むと共に、該走査線のうち前記ゲート電極を含む部分を除く部分の少なくとも一部は、シリサイド化された部分を含んでおり、且つ前記ゲート電極はシリサイド化されていない部分を含んでおり、前記シリサイド化された部分は、前記走査線が延びる方向に沿って前記ゲート電極を含む部分の両隣に位置している。
【００１１】
本発明の電気光学装置によれば、例えばプロジェクタのライトバルブとしての液晶装置等の電気光学装置に用いられる。その動作時には、薄膜トランジスタに対して、走査線を介して走査信号をそのゲート電極に供給しつつ、データ線を介して画像信号をそのソース領域に供給する。これにより、薄膜トランジスタにより画像信号に応じて、そのドレイン領域に接続された画素電極をスイッチング制御でき、アクティブマトリクス駆動による表示動作が可能となる。
【００１２】
そして、本発明では特に、前記走査線は前記ゲート電極を含むと共に、該走査線のうち前記ゲート電極を含む部分を除く部分の少なくとも一部は、シリサイド化された部分を含んでいる。
【００１３】
よって、第一に、このシリサイド化された部分についていえば、走査線に対する光の入射それ自体を防止することができる。したがって、走査線を、例えば光透過性のドープトポリシリコン等の光透過性材料から構成した際に、走査線に対して上方斜め或いは下方斜めから入射した光が、当該シリコン等にとらえられて光ファイバーの中を行くように迷光として伝播されるという事象それ自体の発生を抑制することができる。
【００１４】
第二に、シリサイド化された部分以外から走査線に対して光が入り込むなどして、前記の迷光の伝播という事態が発生したとしても、該迷光は、シリサイド化された部分によってその進行が遮られることになるから、該迷光がゲート電極にそのまま伝達されることはない。従って、走査線により伝播された光が、ゲート電極に対向配置されるチャンネル部付近に到達する可能性は低くなる。
【００１５】
以上の結果、前述した背景技術の如く走査線を介して伝播される光に起因して、薄膜トランジスタにて光リーク電流が発生し、トランジスタ特性を変化させる事態を効果的に防止できる。これにより、高品位の画像表示が可能となる。また、このような遮光性能の向上に応じて、より強力な入射光を使用することも可能となり、明るい画像表示が可能となる。
【００１６】
また、本発明では、前記ゲート電極はシリサイド化されていない部分を含んでおり、前記シリサイド化された部分は、前記走査線が延びる方向に沿って前記ゲート電極を含む部分の両隣に位置している。
【００１７】
即ち、走査線のうち前記ゲート電極を含む部分を除く部分の少なくとも一部は、シリサイド化された部分を含んでいる一方で、該走査線に含まれるゲート電極はシリサイド化されていない。例えば、走査線のうちシリサイド化されていないゲート電極の両隣の領域がシリサイド化されていることによって、前記の迷光が、ゲート電極に伝播する可能性は上述にも増して低められる。これにより、薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流が発生することを防止することができる。
【００１８】
本発明の電気光学装置の一の態様では、前記シリサイド化された部分は、前記走査線のうち前記ゲート電極を含む部分を除く部分のすべてである。
【００１９】
この態様によれば、シリサイド化された部分が、走査線のうちゲート電極を含む部分を除く部分のすべてであるから、前記の迷光が、ゲート電極に伝播する可能性は更に低められる。これにより、薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流が発生することを防止することができる。
【００２０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記シリサイド化された部分は、前記走査線の側面及び上面の少なくとも一方を含む。
【００２１】
この態様によれば、シリサイド化された部分が、走査線の側面及び上面の少なくとも一方を含むことから、これらの面に入射する光が、そもそも走査線内に入り込むことを防止することができる。したがって、前記の迷光がそもそも発生しない。
【００２２】
また、この場合においては、シリサイド化された部分を実際に形成する場合、走査線のすべて（即ち、側面、上面及び該走査線の断面内、換言すれば該走査線の内部）をシリサイド化するよりも、より短時間等で当該シリサイド化された部分を形成することができるから、製造工程の短縮化、低コスト化等を実現することもできる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記シリサイド化された部分は、前記走査線の延びる方向に交差する方向で断面視した場合における当該走査線の断面を含む。
【００２４】
この態様によれば、シリサイド化された部分は、前記の側面及び上面の双方を含みつつ、該走査線の断面、換言すれば該走査線の内部もまた含んでいる。これによれば、仮に、走査線内に入り込んだ前記迷光が存在するとしても、該迷光は、本態様に係るシリサイド化された部分によって、それ以上の伝播が遮られることになる。
【００２５】
また、本態様によっても、当該シリサイド化された部分は、走査線の側面及び上面の双方を含んでいるから、前述の態様にかかる作用効果で述べたように、そもそも入射光が走査線内に入り込むという事象の発生を抑制的にすることができる。
【００２６】
以上により、本態様によれば、上述にも増して、薄膜トランジスタにて光リーク電流が発生することを防止することができる。
【００２７】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記課題を解決するために、前記基板上に、薄膜トランジスタの半導体層を形成する工程と、前記半導体層上に前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を形成する工程と、該半導体層上に前記ゲート絶縁膜を介在させつつゲート電極を含む走査線を形成する工程と、前記走査線上にレジスト膜を形成する工程と、前記走査線のうち前記ゲート電極を含む部分を除く部分の少なくとも一部について、前記走査線が延びる方向に沿って前記ゲート電極を含む部分の両隣に位置するように前記レジスト膜に開口部を形成する工程と、前記開口部を通じて所定種類の金属を堆積させる工程と、前記開口部を通じて前記走査線及び前記所定種類の金属を加熱することにより、前記ゲート電極はシリサイド化されていない部分を含むように、前記少なくとも一部をシリサイド化する加熱工程と、前記所定種類の金属を除去する工程とを含む。
【００２８】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、上述の本発明の電気光学装置を好適に製造することができる。
【００２９】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、上記課題を解決するために、前記走査線を形成する工程の後に、前記レジスト膜として、又は、前記レジスト膜に加えて、前記走査線の上に絶縁膜を形成する工程を更に含む。
【００３０】
この態様によれば、前記走査線を形成した後、該走査線の上に絶縁膜を形成する工程が更に含まれている。これによれば、例えば走査線を導電性のポリシリコンから構成する場合であって、前記所定種類の金属がタングステンシリサイド（ＷＳｉ）等である場合において、最終的に、前記「所定種類の金属を除去する工程」を実施する際、前記導電性のポリシリコンを残存させつつ前記ＷＳｉのみを除去するという困難なエッチング工程等を実施する必要性に迫られない。すなわち、本態様にかかる絶縁膜を、いわゆるエッチストップとして利用することが可能であるから、前述したような所定種類の金属の一例たるＷＳｉのみのエッチングを容易に行うことができる。
【００３１】
このように、本態様によれば、走査線を構成する材料及び所定種類の金属間のエッチング選択比の如何によって、後者のみのエッチングを実施することが困難な場合において、本態様にかかる絶縁膜を存在させることにより、その困難性を解消することができる。
【００３２】
なお、このことから、当該絶縁膜は、前記所定種類の金属に比べて、よりエッチングし難い材料からなるものとするのが好ましい。前述の例では、該絶縁膜の具体例として、例えば酸化シリコン膜が好適である。
【００３３】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記加熱工程は、前記走査線の側面及び上面の少なくとも一方がシリサイド化されるまで行われる。
【００３４】
この態様によれば、比較的短時間、また加熱温度を比較的低温としながらも、走査線のシリサイド化を実施することができる。したがって、本発明によれば、製造工程の短縮化、或いは低コスト化等を達成することができる。
【００３５】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記加熱工程は、前記走査線の延びる方向に交差する方向で断面視した場合における当該走査線の断面内がシリサイド化されるまで行われる。
【００３６】
この態様によれば、前記の側面及び上面の双方を含みつつ、該走査線の断面、換言すれば該走査線の内部もまた、シリサイド化されることになる。これによれば、仮に、走査線内に入り込んだ前記迷光が存在するとしても、該迷光は、本態様に係るシリサイド化された部分によって、それ以上の伝播が遮られることになる。また、本態様によっても、当該シリサイド化された部分は、側面及び上面の双方を含んでいるから、そもそも入射光が走査線内に入り込むという事象の発生を抑制的にすることができる。
【００３７】
なお、シリサイド化される部分を、前述のように、走査線の側面及び上面の少なくとも一方、或いは双方、更には該走査線の断面内にまで至らさせるか否かは、前記加熱工程における加熱時間、加熱温度が大きなファクターになると考えられるが、その他にも、走査線それ自体の厚さ等が影響してくることも考えられる。すなわち、該走査線が厚けれ厚いほど、その断面内に至るまでシリサイド化を行うことは困難となると考えられる。このように、本態様及び前記態様において、「シリサイド化されるまで」とあるのは、各種の事情を勘案しながら、当該加熱工程が行われることを含意したものとなっている。
【００３８】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述の本発明の電気光学装置（ただし、その各種態様を含む。）を具備してなる。
【００３９】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、特に明るく表示品質に優れた、プロジェクタ、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００４０】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の各実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００４２】
（第１実施形態）
先ず本発明の第１実施形態の電気光学装置について、図１から図５を参照して説明する。ここに、図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図３はのＡ−Ａ’断面図であり、図４は図２のＢ−Ｂ'断面図であり、図５は図２のＣ−Ｃ'断面図であり、図６は比較例におけるＢ−Ｂ'断面図である。尚、図３から図６においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００４３】
図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。
【００４４】
蓄積容量７０の固定電位側容量電極は、固定電位を供給する容量線３００の一部からなる。容量線３００は、走査線３ａに沿って横方向に延びて形成されている。
【００４５】
図２において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。そして、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、ＴＦＴ３０が設けられている。
【００４６】
図２から図５に示すように、本実施形態では特に、本発明の電気光学基板の一例たるＴＦＴアレイ基板１０上において、ＴＦＴ３０の半導体層１ａのうち、中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように、走査線３ａの他の部分の幅に比べて、幅広の部分となるゲート電極３ｇが形成されている。すなわち、ゲート電極３ｇは、走査線３ａの一部を構成している。また、本実施形態においては、該ゲート電極３ｇの近傍に、走査線３ａの一部としてＷＳｉ等からなるシリサイド化部３ａｇが形成されている。このような走査線３ａ及び該走査線３ａの一部として形成されているシリサイド化部３ａｇの遮光に係る構成及び効果については、後に図４及び図５を参照して詳述する。
【００４７】
図２から図５に示すように、蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００４８】
容量線３００は、例えば金属又は合金を含む導電性の遮光膜からなり上側遮光膜の一例を構成すると共に固定電位側容量電極としても機能する。容量線３００は、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、容量線３００は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の他の金属を含んでもよい。但し、容量線３００は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜と高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜とが積層された多層構造を持ってもよい。
【００４９】
中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての容量線３００とＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは上側遮光膜の他の例としての機能を持ち、更に、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能を持つ。但し、中継層７１も、容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜若しくは多層膜から構成してもよい。
【００５０】
容量線３００は平面的に見て、走査線３ａに沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重なる個所が中上下に突出している。そして、中縦方向に夫々延びるデータ線６ａと中横方向に夫々延びる容量線３００とが相交差して形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の上側に、平面的に見て格子状の上側遮光膜（内蔵遮光膜）が構成されており、各画素の開口領域を規定している。
【００５１】
図２から図５に示すように示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設けられている。
【００５２】
下側遮光膜１１ａは、前述の如く上側遮光膜の一例を構成する容量線３００と同様に、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、下側遮光膜１１ａは、Ａｌ、Ａｇ等の他の金属を含んでもよい。
【００５３】
また容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。係る定電位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号を走査線３ａに供給するための後述の走査線駆動回路や画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路を制御する後述のデータ線駆動回路に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。更に、下側遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００５４】
図３から図５において、ＴＦＴアレイ基板１０は、その基板本体として、石英板、ガラス板等からなる透明な第２透明基板２０２を備えてなる。ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０と対向する側の表面付近には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００５５】
他方、対向基板２０は、その基板本体として、石英板、ガラス板等からなる透明な第１透明基板２０１を備えてなる。第１透明基板２０１の液晶層５０と対向する側の表面付近には、対向電極２１が形成されている。更に、その最上層部分にラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００５６】
対向基板２０には、格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、前述の如く上側遮光膜を構成する容量線３００及びデータ線６ａと共に当該対向基板２０上の遮光膜により、対向基板２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入するのを、より確実に阻止できる。
【００５７】
このように構成された、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。
【００５８】
更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００５９】
図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ゲート電極３ｇからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、ゲート電極３ｇと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００６０】
走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。第１層間絶縁膜４１上には中継層７１及び容量線３００が形成されており、これらの上には、コンタクトホール８１及び８５が各々開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられている。
【００６１】
次に、図２から図５を参照して、上述した電気光学装置の実施形態における、走査線３ａ及び該走査線３ａの一部として形成されているシリサイド化部３ａｇの遮光に係る構成及び作用効果について詳述する。
【００６２】
図４及び図５に示すように、本実施形態では特に、走査線３ａは、前述のように、チャネル領域１ａ´に対向するゲート電極３ｇを含むとともに、該走査線３ａのうち、そのゲート電極３ｇを含む部分を除く部分の少なくとも一部は、シリサイド化された部分、即ちシリサイド化部３ａｇを含んでいる。本実施形態においては、このシリサイド化部３ａｇは、マトリクス状に存在するゲート電極３ｇ（図２参照）のうち、或る任意のゲート電極３ｇからみて図２及び図４中左右方向に形成されており、該シリサイド化部３ａｇは、該ゲート電極３ｇを両隣から挟むように形成されている。また、このシリサイド化部３ａｇは、図５に示すように、走査線３ａの延びる方向に交差する方向で断面視した場合における当該走査線３ａの断面に至るまで完全にシリサイド化されたものとして形成されている。すなわち、本実施形態に係る走査線３ａは、当該部分だけ、あたかも別材料により構成されているような形となっている。
【００６３】
このような走査線３ａにおいて、走査線３ａの本体（走査線３ａのうちシリサイド化部３ａｇを除く部分をいう。以下同じ。）は、例えば導電性のポリシリコン膜から構成されており、シリサイド化部３ａｇは、例えばＷＳｉ等の高融点金属、或いはその他の金属及び前記導電性ポリシリコンとの化合物から構成されている。
【００６４】
これにより、まず、前記走査線３ａの本体に含まれるゲート電極３ｇは、ポリシリコン膜等からなる半導体層１ａに対して、絶縁膜２を介して対向配置されたＴＦＴ３０のゲート電極として良好に機能することになる。
【００６５】
他方、シリサイド化部３ａｇは、例えばＷＳｉ等の高融点金属、或いはその他の金属及び前記導電性ポリシリコンとの化合物から構成されている。このようなシリサイド化部３ａｇは、遮光性且つ導電性を有する。したがって、走査線３ａ内を流通する走査信号は滞りなく各ＴＦＴ３０に供給されるが、走査線３ａに対して上方斜め或いは下方斜めから入射した光はシリサイド化部３ａｇによって遮られることになり、当該走査線３ａにとらえられて光ファイバーの中を行くように迷光として伝播されることは殆どない。
【００６６】
より詳細には、まず第一に、シリサイド化部３ａｇについては、走査線３ａに対する光の入射それ自体を防止することができる。したがって、走査線３ａを、例えば光透過性のドープトポリシリコン等の光透過性材料から構成した際に、走査線３ａに対して上方斜め或いは下方斜めから入射した光が、当該シリコン等にとらえられて光ファイバーの中を行くように迷光として伝播されるという事象それ自体の発生を抑制することができる。
【００６７】
また第二に、シリサイド化部３ａｇ以外から走査線３ａに対して光が入り込むなどして、前記の迷光の伝播という事態が発生したとしても、該迷光は、シリサイド化部３ａｇによってその進行が遮られることになるから、該迷光がゲート電極３ｇにそのまま伝達されることはない。従って、走査線３ａにより伝播された光が、ゲート電極３ｇに対向配置されるチャンネル領域１ａ´付近に到達する可能性は低くなる。
【００６８】
以上により、走査線３ａにより伝播された光が、ゲート電極３ｇに対向配置されるチャネル領域１ａ´に到達する可能性は殆どなくなる。
【００６９】
仮に図６に示した比較例の如く、光透過性を有するポリシリコン膜からなるゲート電極３ｇ−１と一体的に走査線３ａ−１を構築した場合には、当該走査線３ａ−１は、光透過性を有すると共に周囲の層間絶縁膜を構成する酸化膜よりも高い屈折率を有することになる。このため、走査線３ａ−１に斜めに入射した入射光等は、走査線３ａ−１にとらえられて、あたかも光ファイバーの中を行くように、全反射を繰り返して光量を大きく減ずることなく伝播される。この結果、特にプロジェクタ等に用いられる時の電気光学装置の如く、強力な光が照射されると、電気光学装置内に発生した斜めの迷光５１０が、走査線３ａ−１からゲート電極３ｇ−１を通じて、ＴＦＴ３０のチャンネル領域１ａ’に入射してしまう。すると、迷光５１０による励起で光リーク電流が発生してＴＦＴ３０の特性が変化してしまうのである。特に、図６に示したように、チャンネル領域１ａ’付近は、走査線３ａ−１の中でも、他の場所と異なり、構造的或いは光学的に伝播された迷光５１０が、走査線３ａ−１外に出易い条件になっている。
【００７０】
これに対して、図４及び図５に示したように本実施形態では、シリサイド化部３ａｇを含んでなる走査線３ａに、光が伝播されることはない。従って、本実施形態によれば、走査線３ａを介して伝播される光に起因して、ＴＦＴ３０にて光リーク電流が発生し、トランジスタ特性を変化させる事態を効果的に防止できる。
【００７１】
なお、上述においては、シリサイド化部３ａｇが、ＷＳｉを含むことについて言及したが、本発明においては、当該シリサイド化部３ａｇとして形成すべき部分について、その他、単なる金属や金属ナイトライド等の合金膜を用いて形成してもよい。このような材料としては、例えば、Ｔｉ、ＴｉＮ（チタンナイトライド）等が考えられる。これらはいずれも、遮光性且つ導電性を有するから、前述と略同様な作用効果が得られる。
【００７２】
（第２実施形態）
以下では、本発明の第２実施形態の電気光学装置について、図７乃至図９を参照して説明する。ここに図７は、図２と同趣旨の図であって第２実施形態における電気光学装置の平面図であり、図８は図７のＢ-Ｂ'断面図であり、図９は図７のＣ-Ｃ'断面図である。なお、第２実施形態における基本的な構造は、概ね上述した第１実施形態の場合と同様である。また、図７乃至図９において、上述した第１実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００７３】
第２実施形態では、図７乃至図９に示すように、シリサイド化部３ａｇ２は、シリサイド化部３ａｇ２は、走査線３ａのうちゲート電極３ｇを含む部分を除く部分のすべてについて形成されている。ただ、ここで「ゲート電極３ｇを含む部分を除く部分のすべて」という場合において、当該シリサイド化部３ａｇ２が、この字義どおりの「すべて」において形成されている必要はない。図７に示すように、ゲート電極３ｇの端から若干程度距離が離れた部分からシリサイド化部３ａｇ２が始まるような形態、換言すれば、ゲート電極３ｇの端及びシリサイド化部３ａｇ２の端間に、通常の走査線３ａがなお存在する形態であってよい。本発明にいう「すべて」はこのような意義を有する用語である。
【００７４】
また、第２実施形態では、このシリサイド化部３ａｇ２は、図８及び図９に示すように、走査線３ａの側面及び上面をあたかも覆うようにして形成されている。すなわち、第２実施形態におけるシリサイド化された部分は、上記第１実施形態のように、走査線３ａの断面内にまでは至っていないのである。
【００７５】
このような形態となる第２実施形態においても、上記第１実施形態と略同様な作用効果が得られる。すなわち、第２実施形態によれば、シリサイド化部３ａｇ２が、走査線３ａの殆どすべてについて形成されていることにより、当該走査線３ａに対してそもそも光が入射するということが殆ど生じない。よって、走査線３ａ内を伝播する光は殆ど生じ得ない。したがって、第２実施形態によっても、チャネル領域１ａ´に到達する光は極めて抑制的にされることになり、ＴＦＴ３０にて光リーク電流が発生するという事態を未然に防止することが可能となるのである。
【００７６】
なお、この第２実施形態では、走査線３ａの略全線についてシリサイド化部３ａｇ２が存在し、且つ、該シリサイド化は、当該走査線３ａの側面及び上面のみについて行われている形態について説明したが、本発明においては、場合により、これらと第１実施形態の組合せを適宜実現してよい。すなわち、図２のようにゲート電極３ｇの両隣にシリサイド化部３ａｇを形成する場合を簡単に「両隣形成」、図７のように走査線３ａの略全線についてシリサイド化部３ａｇ２を形成する場合を同じく「全線形成」、図４及び図５のようにゲート電極３ｇの断面内に至るまでシリサイド化部３ａｇを形成する場合を同じく「断面形成」、図８及び図９のように走査線３ａの側面及び上面のみにつきシリサイド化部３ａｇ２を形成する場合を同じく「上面等形成」と呼ぶと、第１実施形態における「両隣形成」及び「断面形成」の組合せ、第２実施形態における「全線形成」及び「上面等形成」の組合せのほか、「両隣形成」及び「上面等形成」、「全線形成」及び「断面形成」という組合せを実現してよい。このうち後者の「全線形成」及び「断面形成」は、走査線３ａ内に光の伝播を生じさせない最も効果的な形態ということができる。
【００７７】
また、第２実施形態においては、走査線３ａの上面及び側面の双方についてシリサイド化が行われる形態について述べたが、本発明は、上面のみ、或いは場合により側面のみなどといった形態であっても、当然にその範囲内に含む。
【００７８】
（電気光学装置の製造方法）
次に、上述した第１実施形態の電気光学装置の製造プロセスについて、図１０乃至図１２を参照して説明する。ここに図１０乃至図１２は、製造プロセスの各工程における電気光学装置の積層構造を、図３として示した図２のＡ−Ａ´断面図及び図４として示した図２のＢ−Ｂ´断面図に関して、順を追って示す工程図である。なお、本実施形態においては、走査線３ａの一部にシリサイド化部３ａｇを形成することに特徴があるから、以下では、その点について特に詳しく説明を行うこととする。
【００７９】
まず、図１０の工程（１）に示すように、石英基板、ハードガラス、シリコン基板等の基板本体２０２を用意する。ここで、好ましくはＮ_２（窒素）等の不活性ガス雰囲気で約９００〜１３００℃の高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスで基板本体２０２に生じる歪が少なくなるように前処理しておく。続いて、このように処理された基板本体２０２の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタリングにより、１００〜５００ｎｍ程度の膜厚、好ましくは２００ｎｍの膜厚の遮光膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、平面形状が格子状の下側遮光膜１１ａを形成する。
【００８０】
更に続けて、下側遮光膜１１ａ上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２を形成する。この下地絶縁膜１２の膜厚は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度とする。
【００８１】
続いて、下地絶縁膜１２上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時間、好ましくは４〜６時間の熱処理を施すことにより、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）膜を約５０〜２００ｎｍの厚さ、好ましくは約１００ｎｍの厚さとなるまで固相成長させる。固相成長させる方法としては、ＲＴＡを使ったアニール処理でもよいし、エキシマレーザ等を用いたレーザアニールでもよい。この際、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を、ｎチャネル型とするかｐチャネル型とするかに応じて、Ｖ族元素やＩＩＩ族元素のドーパントを僅かにイオン注入等によりドープしてもよい。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンを有する半導体層１ａを形成する。
【００８２】
続いて、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化して下層ゲート絶縁膜を形成し、場合により、これに続けて減圧ＣＶＤ法等により上層ゲート絶縁膜を形成することにより、一層又は多層の高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる（ゲート絶縁膜を含む）絶縁膜２を形成する。この結果、半導体層１ａは、約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、絶縁膜２の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３０〜１００ｎｍの厚さとなる。
【００８３】
続いて、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のスレッシュホールド電圧Ｖｔｈを制御するために、半導体層１ａのうちｎチャネル領域あるいはｐチャネル領域に、ボロン等のドーパントを予め設定された所定量だけイオン注入等によりドープする。
【００８４】
次に、図１０の工程（２）に示すように、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積し、更にリン（Ｐ）を熱拡散して、このポリシリコン膜を導電化する。この熱拡散に代えて、Ｐイオンをポリシリコン膜の成膜と同時に導入したドープドシリコン膜を用いてもよい。このポリシリコン膜の膜厚は、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３５０ｎｍ程度である。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、ＴＦＴ３０のゲート電極部を含めて所定のパターンの走査線３ａを形成する。
【００８５】
次に、前記半導体層１ａについて、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ、そしてチャネル領域１ａ´を形成する。ここでは、ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造をもつｎチャネル型のＴＦＴとする場合を説明すると、具体的にまず、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３ａ（ゲート電極）をマスクとして、Ｐ等のＶ族元素のドーパントを低濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０^１３ｃｍ^２のドーズ量にて）ドープする。これにより走査線３ａ下の半導体層１ａはチャネル領域１ａ´となる。このとき走査線３ａがマスクの役割を果たすことによって、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃは自己整合的に形成されることになる。また、これにより、既に形成済みの走査線３ａのうち、前記のチャネル領域１ａ´に対向する部分が、ゲート電極３ｇとなる。次に、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、走査線３ａよりも幅の広い平面パターンを有するレジスト層を走査線３ａ上に形成する。その後、Ｐ等のＶ続元素のドーパントを高濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０^１５／ｃｍ^２のドーズ量にて）ドープする。
【００８６】
なお、このように低濃度と高濃度の２段階に分けて、ドープを行わなくてもよい。例えば、低濃度のドープを行わずに、オフセット構造のＴＦＴとしてもよく、走査線３ａ（ゲート電極）をマスクとして、Ｐイオン・Ｂイオン等を用いたイオン注入技術によりセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。この不純物のドープにより、走査線３ａは更に低抵抗化される。
【００８７】
そして、本実施形態においては特に、図１０の工程（３）に示すように、走査線３ａの上に、酸化シリコン膜等からなる絶縁膜２を形成する。この絶縁膜２Ｚの形成方法は、上述の下地絶縁膜１２と略同様に、ＴＥＯＳガス、ＴＥＢガス、ＴＭＯＰガス等を用いた、常圧又は減圧ＣＶＤ法等を採用することができる。
【００８８】
次に、絶縁膜２Ｚ上に、感光性樹脂材料等からなるレジスト膜を塗布するとともに、該レジスト膜に対して露光工程を実施して開口部を形成し、更にこの開口部を通じて前記絶縁膜２Ｚの一部をエッチングすることにより、当該絶縁膜２Ｚにおいて、図１０の工程（４）に示すように開口部２ＺＨを形成する。この開口部２ＺＨは、走査線３ａのうちシリサイド化部３ａｇになるべき部分に対応した箇所に形成されることになる。上記の第１実施形態においては、当該シリサイド化部３ａｇは、走査線３ａの延在する方向に沿ってゲート電極３ｇの両隣に位置していたから、開口部２ＺＨは、図１１の工程（４）に示すように、当該ゲート電極３ｇの両隣に位置するように形成されることになる。
【００８９】
次に、図１１の工程（５）に示すように、前記開口部２ＺＨを含む、絶縁膜２Ｚ上に、例えばＷＳｉ膜等の高融点金属膜ＦＦＳ、又はその他の適当な金属からなる膜を形成する。より具体的には、高融点金属膜ＦＦＳがＷＳｉ膜からなる場合においては、例えば六フッ化タングステン（ＷＦ_６）ガス及びシランガスを用いたＣＶＤ法等によって、当該高融点金属膜ＦＦＳを形成することが可能である。そして、このように高融点金属膜ＦＦＳが絶縁膜２Ｚ及び開口部２ＺＨ上に形成されたら次に、該高融点金属膜ＦＦＳ及び開口部２ＺＨを通じて走査線３ａに対して熱を加える。この加熱工程により、走査線３ａ及び高融点金属膜ＦＦＳ間に適当な相互作用が生じることにより、当該開口部２ＺＨ下の走査線３ａは、図１２の工程（６）に示すように、シリサイド化部３ａｇになることになる。
【００９０】
このように走査線３ａの所定の箇所において、シリサイド化部３ａｇが形成されたら次に、前述の高融点金属膜ＦＦＳをエッチング等によって除去する。この場合、本実施形態においては殊に、該高融点金属膜ＦＦＳ及び走査線３ａ間に酸化シリコン膜等からなる絶縁膜２Ｚが形成されていたことにより、該高融点金属膜ＦＦＳの除去を容易に行うことができる。というのも、この場合、絶縁膜２Ｚがいわゆるエッチストップとして機能することになるからである。
【００９１】
この点仮に、導電性ポリシリコン膜からなる走査線３ａの上に、直接に、ＷＳｉ膜からなる高融点金属膜ＦＦＳを形成してしまうと、両者間のエッチング選択比の関係上、前者を残存させつつ後者のみを除去するのは極めて困難となる。本実施形態においては、このような不具合を被ることなく、高融点金属膜ＦＦＳのみの除去を比較的容易に行うことができるのである。
【００９２】
以上のように、走査線３ａに関するシリサイド化が終了したら次に、図１２の工程（７）では、走査線３ａ上に、例えば、ＴＥＯＳガス、ＴＥＢガス、ＴＭＯＰガス等を用いた常圧又は減圧ＣＶＤ法等により、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜からなる第１層間絶縁膜４１を形成するとともに、第１層間絶縁膜４１に対する反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、コンタクトホール８３を同時開孔する。
【００９３】
続いて、第１層間絶縁膜４１上に、蓄積容量７０を形成する。具体的には次のようである。すなわち、第一に、Ｐｔ等の金属膜を、スパッタリングにより、１００〜５００ｎｍ程度の膜厚に形成する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンをもつ中継層７１を形成する。第二に、プラズマＣＶＤ法等により、ＴａＯｘ膜等からなる誘電体膜７５を、中継層７１上に形成する。この誘電体膜７５は、絶縁膜２の場合と同様に、単層膜又は多層膜のいずれから構成してもよく、一般にＴＦＴゲート絶縁膜を形成するのに用いられる各種の公知技術により形成可能である。そして、誘電体膜７５を薄くする程、蓄積容量７０は大きくなるので、結局、膜破れなどの欠陥が生じないことを条件に、膜厚５０ｎｍ以下のごく薄い絶縁膜となるように形成すると有利である。第三に、誘電体膜７５上に、Ａｌ等の金属膜を、スパッタリングにより、約１００〜５００ｎｍ程度の膜厚に形成する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンをもつ容量線３００を形成する。これにより、該容量線３００と前述の中継層７１及び誘電体膜７５とによって、蓄積容量７０が完成する。
【００９４】
次に、図１２の工程（８）では、例えば、ＴＥＯＳガス等を用いた常圧又は減圧ＣＶＤ法により、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁膜４２を形成するとともに、第２層間絶縁膜４２に対する反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、コンタクトホール８１を開孔する。続いて、第２層間絶縁膜４２上の全面に、スパッタリング等により、遮光性のＡｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド等を金属膜として、約１００〜５００ｎｍ程度の厚さ、好ましくは約３００ｎｍに堆積する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンをもつデータ線６ａを形成する。更に、データ線６ａ上を覆うように、例えば、ＴＥＯＳガス等を用いた常圧又は減圧ＣＶＤ法により、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層間絶縁膜４３を形成するとともに、第３層間絶縁膜４３に対する反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、不図示のコンタクトホール８５（図１から図３参照）を開孔する。
【００９５】
更に続けて、第３層間絶縁膜４３上に、スパッタ処理等により、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、画素電極９ａを形成する。なお、当該電気光学装置を、反射型として用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料によって画素電極９ａを形成してもよい。そして最後に、画素電極９ａの上に、ポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角をもつように、かつ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜１６が形成される。
【００９６】
以上の各工程を経ることにより、ＴＦＴアレイ基板１０が完成する。
【００９７】
他方、対向基板２０については、ガラス基板等の基板本体２０１がまず用意され、額縁としての遮光膜が、例えば金属クロムをスパッタした後、フォトリソグラフィ及びエッチングを経て形成される。なお、これらの遮光膜は、導電性である必要はなく、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ等の金属材料のほか、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラック等の材料から形成してもよい。
【００９８】
その後、基板本体２０１の全面にスパッタ処理等により、ＩＴＯ等の透明導電性膜を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成する。さらに、対向電極２１の全面にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角をもつように、かつ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜２２が形成される。
【００９９】
以上の各工程を経ることにより、対向基板２０が完成する。
【０１００】
最後に、上述のように、各層が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６及び２２が対面するようにシール材により貼り合わされ、真空吸引等により、両基板間の空間に、例えば複数種のネマテッィク液晶を混合してなる液晶が吸引されて、所定層厚の液晶層５０が形成される。
【０１０１】
以上説明した製造プロセスにより、前述した第１実施形態の電気光学装置を製造できる。
【０１０２】
なお、上述した製造方法においては、シリサイド化部３ａｇが、走査線３ａの延びる方向に交差する方向に断面視した場合における当該走査線３ａの断面内に至るまで、シリサイド化される場合について述べたが、本発明は、このような形態に限定されない。すなわち、上述の第２実施形態で述べたように、シリサイド化される部分を、走査線３ａの側面及び上面の少なくとも一方のみ、或いは双方をシリサイド化するような形態としてよい。この場合一般に、前記の加熱工程に要する時間は比較的短くて済み、且つ、その加熱温度は比較的低くて済むことから、製造工程の簡略化、或いは低コスト化等を達成することができる。ちなみに、シリサイド化する部分を、走査線３ａの側面、上面、更には該走査線の断面内にまで至らさせるか否かは、前述のように前記加熱工程における加熱時間、加熱温度が大きなファクターになると考えられるが、その他にも、走査線３ａそれ自体の厚さ等が影響してくることも考えられる。すなわち、該走査線３ａが厚けれ厚いほど、その断面内に至るまでシリサイド化を行うことは困難となると考えられる。
【０１０３】
このように、上述の第１又は第２実施形態の電気光学装置に係るシリサイド化部３ａｇ又は３ａｇ２は、上述の各種事情を勘案することによって形成することができる。
【０１０４】
（電気光学装置の全体構成）
以上のように構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成を図１３及び図１４を参照して説明する。尚、図１３は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図１４は、図１３のＨ−Ｈ’断面図である。
【０１０５】
図１３において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図１４に示すように、図１３に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【０１０６】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【０１０７】
以上図１から図１４を参照して説明した実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【０１０８】
以上説明した実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。また、対向基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。
【０１０９】
（電子機器の実施形態）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに図１５は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１１０】
図１５において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置１００を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１１１】
尚、本発明は、上述した実施形態の如き液晶装置の他、電子ペーパなどの電気泳動装置、ＥＬ表示装置等の各種電気光学装置にも適用可能である。
【０１１２】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。
【図２】 本発明の第１実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】 図２のＡ−Ａ´断面図である。
【図４】 図２のＢ−Ｂ´断面図である。
【図５】 図２のＣ−Ｃ´断面図である。
【図６】 比較例における図２のＢ−Ｂ´断面図である。
【図７】 本発明の第２実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図８】 図７のＢ−Ｂ´断面図である。
【図９】 図７のＣ−Ｃ´断面図である。
【図１０】 本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法を、図３及び図４の視点において順を追って示す製造工程断面図（その１）である。
【図１１】 本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法を、図３及び図４の視点において順を追って示す製造工程断面図（その２）である。
【図１２】 本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法を、図３及び図４の視点において順を追って示す製造工程断面図（その３）である。
【図１３】 本発明の電気光学装置の実施形態における電気光学基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である
【図１４】 図１３のＨ−Ｈ’断面図である。
【図１５】 本発明の電子機器の実施形態に係る投射型カラー表示装置の概略ブロック図である。
【符号の説明】
１ａ’…チャネル領域
３ｇ…ゲート電極
３ａ…走査線
３ａｇ…シリサイド化部
６ａ…データ線
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
２０…対向基板
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
２Ｚ…絶縁膜
２ＺＨ…開口部
ＦＦＳ…高融点金属膜

Claims (10)

1. 基板上に、
   画素電極と、
   該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、
   該薄膜トランジスタのゲート電極に走査信号を供給する走査線と、
   前記薄膜トランジスタのソース領域に画像信号を供給するデータ線と
   を備えており、
   前記走査線は前記ゲート電極を含むと共に、
   該走査線のうち前記ゲート電極を含む部分を除く部分の少なくとも一部は、シリサイド化された部分を含んでおり、且つ前記ゲート電極はシリサイド化されていない部分を含んでおり、
   前記シリサイド化された部分は、前記走査線が延びる方向に沿って前記ゲート電極を含む部分の両隣に位置していることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記ゲート電極は、シリサイド化されていないことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記シリサイド化された部分は、前記走査線のうち前記ゲート電極を含む部分を除く部分のすべてであることを特徴とする請求項１又２に記載の電気光学装置。
4. 前記シリサイド化された部分は、前記走査線の側面及び上面の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記シリサイド化された部分は、前記走査線の延びる方向に交差する方向で断面視した場合における当該走査線の断面を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記基板上に、
   薄膜トランジスタの半導体層を形成する工程と、
   前記半導体層上に前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を形成する工程と、
   該半導体層上に前記ゲート絶縁膜を介在させつつゲート電極を含む走査線を形成する工程と、
   前記走査線上にレジスト膜を形成する工程と、
   前記走査線のうち前記ゲート電極を含む部分を除く部分の少なくとも一部について、前記走査線が延びる方向に沿って前記ゲート電極を含む部分の両隣に位置するように前記レジスト膜に開口部を形成する工程と、
   前記開口部を通じて所定種類の金属を堆積させる工程と、
   前記開口部を通じて前記走査線及び前記所定種類の金属を加熱することにより、前記ゲート電極はシリサイド化されていない部分を含むように、前記少なくとも一部をシリサイド化する加熱工程と、
   前記所定種類の金属を除去する工程と
   を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 前記走査線を形成する工程の後に、
   前記レジスト膜として、又は、前記レジスト膜に加えて、
   前記走査線の上に絶縁膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
8. 前記加熱工程は、前記走査線の側面及び上面の少なくとも一方がシリサイド化されるまで行われることを特徴とする請求項６又は７に記載の電気光学装置の製造方法。
9. 前記加熱工程は、前記走査線の延びる方向に交差する方向で断面視した場合における当該走査線の断面内がシリサイド化されるまで行われることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
10. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

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