JP4239668B2 - Data memory control method - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、データメモリ制御方式に関し、特に、SDHにおけるクロスコネクトのTSW機能をLSIにて実現した場合に、クロスコネクトの実施に必要な2面からなるデータメモリの記憶容量を削減可能にしたデータメモリ制御方式に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、電話,データ,映像などの電子情報の一元的サービス(ブロードバンドISDNによるマルチメディア化)の進展により、米国,欧州などの情報端末利用者が発信した前記電子情報を、日本にいながらにして瞬時に入手することが可能になってきた。この電子情報の送受信には、異なった速度の高速データを、階層構成(ハイアラーキ)により処理するデジタル伝送方式を採用している。
【0003】
ところで、かかるマルチメディア化が進展する以前には、日本と米国と欧州とには、デジタル伝送方式がそれぞれ異なったPDH(Plesiochronous Digital Hierarchy:非同期デジタル・ハイアラーキ)が存在していた。この異なったPDHでは、世界的に統一されたユーザ網インターフェイスに基づく、ブロードバンドISDNの展開に支障があることが明らかになった。
【0004】
そこで、当時のCCITT(現ITU、国際電気通信連合)は、ユーザ網インターフェイスとして1988年にSDH(Synchronous Digital Hierarchy:同期デジタル・ハイアラーキ)の標準化を行い、各種の検討を経て1996年に一つの勧告G.707に統合した。
なお、北米標準として検討されてきたSONET(Synchronous Optical Network:光同期伝送網)があるが、SDHとほぼ同じ技術であるためSONET/SDHと表記するのが一般的である。
【0005】
ここで、本発明に係わる従来技術の説明の前に、SDHの技術的特徴と概念と多重化のイメージを説明する。
なお、この説明は「わかりやすいSDH/SONET伝送方式」(オーム社、河西・槙・辻・上田共著)およびITU−T(Telecommunication Standardization Sector of ITU)の勧告G.707(03/96)による。
【0006】
SDHの特徴は、次の3点に集約できる。
▲1▼ 世界統一された同期インターフェイスであり、PDHに存在した1.5Mbit/s系および2Mbit/s系の両方の情報を対等に扱えるとともに、通信装置のマルチベンダ化が可能になる。また、同期化されているので、多重化されている情報を低速に分離せずに直接アクセスできる。
【0007】
▲2▼ 各種情報の柔軟な多重化が可能であり、64kbit/sをベースとする音声情報から高速データ情報まで多重化できる。このため、将来のブロードバンドサービス実現のためのインフラストラクチャを導入時点から構築できる。
【0008】
▲3▼ 運用保守性に富んだインターフェイスであり、多重化された情報のエンド・エンドのオンライン監視ができる。このため、ネットワークの高機能化,高品質化が可能となる。
【0009】
図4(A)はITU−Tで標準化された多重化構造を示す図、図4(B)は日本国内で使用するTTC標準の多重化構造を示す図である。ここに、TTC(The Telecommunication Technology Committee)とは電気通信技術委員会であり、ITUの国際標準勧告を受けて日本国内の標準を制定する。
また、図5はSDHにおける多重化のイメージ(概念)を示す図である。
【0010】
図4(A),(B)に示すように、ITU−T標準およびTTC標準の多重化構造は、それぞれ8階層からなる。
本明細書では、図4(A)の右下から左上にかけて、「C−11→VC−11→TU−11→TUG−2→TUG−3→VC−4→AU−4→AUG→STM−N」の多重化の経路(経路▲1▼)を通る場合を、主として説明する。
【0011】
図中のVC−4等の略号については、必要に応じて後述する。
また、図中のAU等には斜線を付してポインタ操作(ポインタ処理)を行っていることを示す。ポインタは、高速信号内の低速情報の識別と、周波数位相差の通過を極めて効率的に行うことができ、SDHの大きな特徴の一つである(後述)。
【0012】
マッピングとは、多重化される情報をVC(バーチャルコンテナ)(後述)に収容することをいう。
アライニングとは、VCをTU(トリビュータリユニット)(後述)に収容することをいう。
【0013】
図5はSDHにおける多重化フォーマットを、電子情報に相当する「ボール」を箱に入れて、SOHに相当する「貨物列車」で運ぶ場合を例にして説明する図である。
なお、図5では、日本のデジタル1次群信号である1.544Mbit/sの情報をSTM−1(後述)に多重化する場合を示す。
【0014】
即ち、図4(B)における右下から左上にかけて、「C−11→VC−11→TU−11→TUG−2→VC−3→AU−3→AUG→STM−N」の経路(経路▲2▼)を通る場合である。経路▲1▼と経路▲2▼との相違点は、VC−4をVC−3に代え、TUG−3が不要な点である。
【0015】
図5に示すように、ボール(電子情報)を箱(コンテナ:C−11)に入れ、箱ごとに発送伝票(POH)を付けて仮想コンテナ(VC−11)とし、パレットへの積み込み位置を表示し(TU−11)、箱を4個ひもで束ねる(TUG−2)。
【0016】
そして、4個の束の箱を7個パレットに積み(VC−3)、輸送伝票を付け(POH)、貨車への積み込み位置を表示し(ポインタ)、貨車に積み込む(AU−3)。さらに、貨車を3両つないだ状態で(AUG)、機関車をつなぎ(SOH)、目的地に運ぶ(STM−1)。
【0017】
また、SDHの別の大きな特徴としては、フレーム構造の中に伝送網の階層化概念を明確に取り入れたことである。その結果、ネットワーク設計および運用保守の階層化が可能となり、高度なネットワークサービスを提供できるようになった。
【0018】
伝送網の階層化は、図6(A)に示すように、サービス対応に規定された回線網、伝送システムはサービスのいずれからも独立したパス網、パス網を多重化する伝送媒体を意識しないセクション網および光ファイバや空間からなる伝送媒体網の4階層に分けられる。
【0019】
SDHにおいては、図6(B)に示すように、セクション網レイヤの部分をセクションと定義し、パス網レイヤのパスの部分を高次パスと低次パスとして定義している。その結果、SDH伝送システムを導入すればネットワークの運用保守も高度化され、ネットワーク事業運営に大きなインパクトを与える。
【0020】
次に、前記図4(A),(B)および図5に示した「VC−4からAUGへの多重化」を説明する。
ここに、VCとはVirtual Container(バーチャルコンテナ、仮想コンテナ)であり、規格化された多重化単位の箱(規格化された伝送容量の単位)である(図5参照)。
【0021】
このVCには余裕を持たせて情報を収容するので、各種情報の柔軟な多重化を可能とするとともに、多重化構造はすべてバイト多重となり、伝送速度は基本速度の整数倍になる。
VCとしては、その収容情報の速度に対応して、VC−4,VC−3,VC−2,VC−12,VC−11が定義されている。なお、VC−nを任意の数だけ集めたコンテナもある。
【0022】
AUはAdministrative Unit(管理ユニット)であり、VC−3あるいはVC−4に管理ユニット(AU)ポインタを付加した箱である。AU−3とAU−4の2種類が定義されている。
AUGとはAdministrative Unit Group(管理ユニットグループ)であり、AU−4を1個、あるいは3個のAU−3を多重化したものである(図5参照)。
【0023】
図7(A)はVC−4からAU−4を形成し、AUGに多重化される過程を示す図、図7(B)はAUGからSTM−Nへ多重化される過程を示す図である。
図7(A),(B)に示すように、VC−4は9行261列から構成され、最初の列はPOH(Path Overhead:パスオーバーヘッド)である。
【0024】
POHは、パスとして定義されたVC−11あるいはVC−3パスなどの生成点で付与され、情報が伝達された後の終端点まで保存される。このことは、情報を網内で転送する場合に、伝送情報の符合誤りなどの状態をエンド・エンドで監視することを保証し、高度なネットワーク運用保守を可能とする。
【0025】
高次パスのPOHは、図7(A)に示すように、VC−4の第1列に位置し、J1,B3,C2,G1,F2,H4,F3,K3,N1のバイトが定義される。ポインタバイトの右隣のバイト位置を「0」とし、バイト毎にアドレスが振られている。
【0026】
J1は、VCの最初のバイトであり、この位置はAUポインタにより指示される。J1は、パスの生成点ごとに特有のパターンの信号(API)を送信し、パスの終端点ではAPIをチェックすることにより、パス設定が正しいかどうかを確認するのに使用される。
【0027】
J1はSTM−1信号の番地0から782のどの番地にも載せることができる(図8(B)を用いて後述)。J1が入れられたバイトのアドレス値(番地)は、2進値に変換され、H1,H2(位置表示)に載せられる。
【0028】
受信側ではH1,H2の値をみることにより、VC−4の先頭位置(J1の位置)が分かる(後述)。
H1,H2は、前述のようにVCのペイロードに対する位置表示に使用される。
なお、J1以外のバイトの説明は省略する。
【0029】
VC−4はH1,H2,H3バイト(ポインタ)を有するAU−4に収容される。VC−4とAU−4との位相関係は独立であり、ポインタにより位相関係が与えられる。ポインタは、AU−4におけるVC−4の先頭位置を指示する。AU−4はそのままAUGとなる。
【0030】
次に、前記図4(A),(B)および図5に示した「AUGからSTM−Nへの多重化」を説明する。
SТM−Nは、Synchronous Transport Module(同期転送モジュール)−Nである。Nは基本となるSTM−1の何倍の伝送速度(ビットレート)であるかを示し、整数である。Nの値としては1,4,16,64が標準化され、基本速度(N=1)は155.52Mbit/sである。
【0031】
図7(B)に示すように、AUGは9行261列の箱の4行目に1行9列の出っ張りが付いている。この出っ張りがポインタである。AUG#1,AUG#2,…,AUG#Nがバイトインタリーブされ、9行N×261列のSTM−Nが構成される。
STM−Nの最初のN×9列は次に説明するSOHであり、このうち、1〜3行目がRSOH、5〜9行目がMSOHである。4行目に各AUGを構成しているAU−3やAU−4のポインタが多重化される。
【0032】
SOHはSection Overhead(セクションオーバーヘッド)であり、フレーム同期信号,ビット誤り検出符合,警報の発生状態表示,伝送路切替制御など、運用上の諸機能を有する。
SOHには、中間中継装置相互間あるいは中間中継装置と端局多重中継装置の間で使用される中継SOH(RSOH)と、中間中継装置では何も処理せずに端局多重中間中継装置・相互間で使用される多重SOH(MSOH)とがある。
【0033】
図8(A)はSTM−1の多重化フレームの概念図、図8(B)はAU−4ポインタのオフセット値を示す図である。
図8(A)に示すように、1〜9列目は前記SOHとポインタであり、10列目以降の9行×261列はペイロードである。ペイロードには、主情報(音声情報,高速データ等)を収容する。
【0034】
図8(B)に示すように、STM−1のペイロードにはH3バイトの次のバイトから番地(オフセット値)が振られている。H3バイトの次のバイトから「0,−,−,2,−,−,…,782,−,−」のように番地が振られる。VC−4のJ1バイトが存在する番地(オフセット値)がポインタ値になる(図11(A)参照)。例えば、STM−1の第1行目の最初にVC−4のJ1バイトが位置するとき、ポインタ値は522になる。
【0035】
次に、本願発明と関連する従来技術の本論に入る。
勧告G.707に基づいて製造されたユーザ網インターフェイス用のSONET/SDH装置においては、近年の伝送容量の増大および装置インターフェースの多様化に伴って、クロスコネクト容量も増大してきた。
【0036】
ここに、SONET/SDH装置とは、主に通信事業者の局間の中継網においてネットワークノード間を接続し、前述のようにデータを多重伝送する技術であるSONETとSDHを一括りにして表記したものであり、SONETとSDHはともにノード間で同期をとり、高速通信を行う技術をいう。
【0037】
また、クロスコネクトとは、多重化された信号からパス(回線束)単位でのタイムスロット(ТS:情報を多重化する部分)の入れ替えを可能にする回線設定技術をいう。具体的には、交換機に接続される回線、専用線伝送装置に接続される回線、その電話局は通過して他の電話局へ伝送される回線というように、目的別に回線を設定する技術をいう。
【0038】
クロスコネクト容量とは、高速通信の際にクロスコネクト(回線設定)を実施可能な総量をいう。
図9は、SDHにおけるクロスコネクト装置の位置付けを示す図である。
【0039】
次に、図10(A),(B)を参照しつつ、TSWを用いてクロスコネクトを行う場合の回路構成および処理の概念を説明する。ここに、TSWとは、タイムスイッチ(時分割型スイッチ)であり、ハードウェア,ファームウェアにより構成したスイッチング回路である。
図10(A)は従来技術のTSWのブロック図、図10(B)はSTM−1の概念図である。
【0040】
図10(A),(B)において、101は、シリアル形式のSTM−1信号110の1行分の領域を持ったデータメモリであり、書き込み用の第1面101aと読み出し用の第2面101bとからなる。また、102は、データメモリ101にSTM−1信号の書き込み制御を行う書き込み制御回路である。
【0041】
103は、データメモリ101からデータを読み出すためのアドレスを格納したコントロールメモリ、104は、コントロールメモリ103から前記アドレスを読み出し、データメモリ101からの読み出し制御を行う読み出し制御回路である。
110aはペイロード、110bはRSOH(中継SOH)、110cは管理ポインタ(AUPТR)、110dはMSOH(多重SOH)である。
【0042】
次に、データメモリ101におけるクロスコネクトを説明する。
STM−1信号110の1行分をシーケンシャルにデータメモリ101に書き込む場合に、図11(A)に示すように、VC−4の先頭バイト(J1バイト)が図示の位置にあったと仮定する。この場合は、J1バイトが縦一列のタイムスロット(TS)に一致しないため、クロスコネクトを実施することができない。
【0043】
そこで、図11(B)に示すように、J1バイトがSOHの隣の列に来るように、位相調整を行う。この位相調整されたSTM−1信号110の1行分を、データメモリ101にシーケンシャルに書き込む。そして、読み出し制御回路104により、データメモリ101からデータを読み出す順番を切り替え、クロスコネクトを行う。
【0044】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術を用いてクロスコネクトのTSW機能をLSI(集積回路)にて実現した場合には、次のような問題点がある。
即ち、SONET/SDH装置ではインターフェースの増加に伴いクロスコネクト容量が増大し、データメモリの容量が膨大になっている。その結果、H/W(ハードウェア)による実装スペ−ス・パターン配線やF/W(ファームウェア)による制御が、複雑になるという問題点がある。
【0045】
本発明は、上記の事情にかんがみなされたもので、SDHにおけるクロスコネクトのTSW機能をLSIにて実現した場合に、クロスコネクトの実施に必要な2面からなるデータメモリの記憶容量を削減可能にしたデータメモリ制御方式を提供する。
【0046】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため請求項1記載の発明は、入力データに対してクロスコネクト処理を行うための第1面と第2面からなる第1のメモリ(データメモリ11)と、前記第1のメモリにおけるクロスコネクト処理時のアドレスデータを記憶する第2のメモリ(コントロールメモリ17)と、該第2のメモリに記憶したアドレスデータに基き、前記クロスコネクト処理の制御を行う制御手段とを備えたデータメモリ制御方式において、
前記制御手段は、
前記入力データから、クロスコネクト処理時の基準となるパルスを抽出する基準パルス抽出手段(フレームパルス抽出部12)と、
該基準パルス抽出手段が抽出した基準パルスに基き、前記第1のメモリにおける第1面,第2面の各1行の記憶領域数に相当するパルス数ごとに、第1パルス列を発生する第1パルス発生手段(720進カウンタ14)と、
前記基準パルス抽出手段が抽出した基準パルスに基き、前記第2のメモリにおける1行の記憶領域数に相当するパルス数ごとに、第2パルス列を発生する第2パルス発生手段(1080進カウンタ15)と、
前記基準パルス抽出手段が抽出した基準パルスに基き、2進パルスを発生する第3パルス発生手段(2進カウンタ16)とを備え、
前記第2パルス列を等分に区分したデータを、前記2進パルスの0または1に対応させてクロスコネクト処理を行う構成としてある。
【0047】
このようにすれば、例えば図2,図3に示すように、第2のメモリに記憶している1080バイトのデータを等分し、第3パルス発生手段からの0または1のレベルに応じて第1のメモリの第1面,第2面に順次格納していくので、第1のメモリの容量を削減できる。
【0048】
次に請求項2記載の発明は、請求項1記載のデータメモリ制御方式において、
前記第2のメモリの1行の記憶領域数をP(整数)とし、前記第1のメモリの第1面,第2面の各1行の記憶領域数をQ(整数)とした場合に、P/Qは割り切れる構成としてある。
このようにすれば、一般的な記憶領域を持つメモリ(例えば、720バイトと1080バイト)を無駄なく有効に使用できる。
【0049】
次に請求項3の発明は、請求項1又は請求項2記載のデータメモリ制御方式において、
前記入力データは、SONET/SDH装置に使用するSTM信号である構成としてある。
【0050】
このようにすれば、STM信号のクロスコネクト処理に使用するメモリの容量を削減できる。
【0051】
次に請求項4の発明は、請求項1〜請求項3のいずれかに記載のデータメモリ制御方式において、
前記STM信号は、STM−4信号である構成としてある。
このようにすれば、STM−4信号のクロスコネクト処理に使用するメモリ容量を削減できる。
【0052】
次に請求項5記載の発明は、請求項1〜請求項4記載のいずれかに記載のデータメモリ制御方式において、
前記第1のメモリの第1面および第2面の記憶領域数は720バイトであり、前記第2のメモリの記憶領域数は1080バイトである構成としてある。
【0053】
このようにすれば、従来の第1のメモリの第1面および第2面の記憶領域数は1080バイトであったが、本発明によれば720バイトで済ますことが可能となり、従来例に比較し2/3のメモリ容量で済む。
【0054】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
図1は本実施形態のブロック図、図2はTSWにおけるクロスコネクト実施のタイムチャート、図3はクロスコネクト実施の概念図である。
【0055】
本実施形態は、STM−4信号を8ビットにパラレル変換するTSW動作を行う。このSTM−4信号は、伝送するビット列を一定の長さのフレームに区切って、周期的に繰り返す多重化伝送システムであり、一本のチャネルの信号を、フレームの中の同じビット位置あるいはタイム・スロット(ТS)で運ぶ方式である。
【0056】
図1に示すように、入力されたSTM−4信号は、S/P(シリアル・パラレル変換)部13を介してデータメモリ11に入力し、また直接、フレームパルス抽出部12に入力する。
データメモリ11は、書き込み用の第1面11aと読み出し用の第2面11bとからなり、それぞれ720バイトのメモリ領域を有する。
【0057】
S/P部13は、入力したSTM−4信号を、前記図11(A),(B)に示したように、ペイロードのVC−4/3の先頭バイト(J1バイト)が、RSOH,MSOHの隣の列に来るように位相調整し、8ビットのパラレルデータに変換してデータメモリ11に出力する。
【0058】
フレームパルス抽出部12は、STM−4信号の1フレームから抽出した8kHzフレームを2分周した4KHzフレームパルスを、720進カウンタ14と1080進カウンタ15と2進カウンタ16とに、それぞれ出力する。
【0059】
720進カウンタ14では、データメモリ11に対し、S/P部13からの8ビットパラレルデータを、データメモリ11に書き込むためのシーケンシャルアドレスを出力する(図2の符号A参照)。
【0060】
1080進カウンタ15では、コントロールメモリ17に対し、1080進カウンタ値を出力する(図2の符号B参照)。
2進カウンタ16では、演算部18に対し、2進カウンタ値を出力する(図2の符号C参照)。
コントロールメモリ17は、1080進カウンタ15からのカウンタ値をアドレスとし、当該コントロールメモリ17のデータを演算部18に出力する。
【0061】
演算部18は、コントロールメモリ17および2進カウンタ16からの情報により、データメモリ11に対して、読み出しアドレスを出力する。
データメモリ11は、演算部18からの読み出しアドレスのデータをP/S(パラレル/シリアル変換)部19に出力する。
P/S部19は、データメモリ11からの8ビットパラレルデータを622.08MHzのシリアルデータに変換し、STM−4信号を出力する。
【0062】
次に本実施形態の動作を説明する。
本実施形態は、コントロールメモリ17に対し、1行の3分の2の領域(1080バイトに対する720バイト)を持ち、データメモリ11が第1面11aと第2面11bを備えるので、2行を一周期とするTSW動作を行う。
【0063】
即ち、STM−4信号の場合、1行は1080バイトであるので、従来のデータメモリでは1080バイト必要となるが、本実施形態によれば、3分の2の領域の720バイトでも、TSW動作を実現することが可能となる。
【0064】
フレームパルス抽出部12は、入力されたSTM−4信号のフレーム同期をとり、8KHzのフレーム抽出をする。STM−Nフレームは9行であるため、本実施形態ではTSW動作が前述のように2行で一周期としているので、720進カウンタ14,1080進カウンタ15,2進カウンタ16を、8KHzのパルスでロードすることができない。そのため、8KHzのフレームをフリーランでさらに2分周した4KHzのパルスでロードする。
【0065】
720進カウンタ14は、S/P部13からのデータをデータメモリ11に書き込むためのシーケンシャルアドレスとしてカウンタ値(720フレームパルスごと)を出力する(図2の符号A参照)。
1080進カウンタ15は、1行分のクロスコネクト情報(1行分のデータメモリ読み出しアドレス)を持っているコントロールメモリ17に対し、アドレスを1080フレームパルスごとに出力し、コントロールメモリ17はデータメモリ読み出し用アドレスを出力する(図2の符号B参照)。
【0066】
2進カウンタ16は、8KHz周期でカウント値を演算部18に出力する。
演算部18は、コントロールメモリ17からの1行分のデータメモリ読み出しアドレスと2進カウンタ16からのカウンタ値より、データメモリ読み出し用アドレスに変換を行いデータメモリ11に出力する。
【0067】
データメモリ11は、演算部18からの変換された読み出しアドレスにより、データをP/S部19に出力し、P/S部19では8ビットパラレルデータを622.08MHzのシリアルデータに変換し、STM−4信号を出力する。
【0068】
次に、演算部18における演算方法について、図2,図3を参照しつつ説明する。
<2進カウンタが0の時>(図2の符号C参照)
フレームパルス数が「0〜359」であれば、「エリア1」であると認識し、データメモリ11の読み出しアドレスとして、コントロールメモリ17から読み出したアドレスデータをそのまま出力する。
【0069】
フレームパルス数が「360〜719」であれば、「エリア2」であると認識し、データメモリ11の読み出しアドレスとして、コントロールメモリ17から読み出したアドレスデータをそのまま出力する。
フレームパルス数が720〜1079であれば、「エリア3」であると認識し、データメモリ11の読み出しアドレスとして、コントロールメモリ17から読み出したアドレスデータからマイナス720の計算結果を出力する。
【0070】
<2進カウンタが1の時>
フレームパルス数が「0〜359」であれば、「エリア4」であると認識し、データメモリ11の読み出しアドレスとして、コントロールメモリ17から読み出したアドレスデータからプラス360の計算結果を出力する。
【0071】
フレームパルス数が「360〜719」であれば、「エリア5」であると認識し、データメモリ11の読み出しアドレスとして、コントロールメモリ17から読み出したアドレスデータからプラス360の計算結果を出力する。
【0072】
フレームパルス数が720〜1079であれば、「エリア6」であると認識し、データメモリ11の読み出しアドレスとして、コントロールメモリ17から読み出したアドレスデータからそのまま出力する。
【0073】
このようにすれば、図3に示すように、1080バイトのコントロールメモリ17に格納されていた1行の1080バイトのアドレスデータを、720バイトの2面のデータメモリ11(11a,11b)に書き込むことが可能となる。従って、従来のデータメモリ容量が1080バイトであったのに対し、本実施形態によればデータメモリ容量が720バイトで済むことになり、720バイトは必要である。
【0074】
なお、本実施形態ではSTM信号のクロスコネクトの場合を説明したが、パラレルデータが2面からなる第1のメモリ(データメモリ)に入力し、第2のメモリ(コントロールメモリ)に格納されたアドレスデータに基き、前記第1のメモリに格納する場合に、第1のメモリの容量を削減する手段として使用可能であるのは、勿論である。
【0075】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、以下の効果を発揮することができる。
請求項1記載の発明によれば、例えば図2,図3に示すように、第2のメモリに記憶している1080バイトのデータを等分し、第3パルス発生手段からの0または1のレベルに応じて第1のメモリの第1面,第2面に順次格納していくので、第1のメモリの容量を削減できる。
【0076】
請求項2記載の発明によれば、一般的な記憶領域を持つメモリ(例えば、720バイトと1080バイト)を無駄なく有効に使用できる。
請求項3記載の発明によれば、STM信号のクロスコネクト処理に使用するメモリの容量を削減できる。
【0077】
請求項4記載の発明によれば、STM−4信号のクロスコネクト処理に使用するメモリ容量を削減できる。
請求項5記載の発明によれば、従来の第1のメモリの第1面および第2面の記憶領域数は1080バイトであったが、本発明によれば720バイトで済ますことが可能となり、従来例に比較し2/3のメモリ容量で済む。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態のブロック図である。
【図2】同実施形態における、データ処理のタイムチャートである。
【図3】同実施形態における、データ処理の概念を説明する図である。
【図4】以下の図は従来技術を説明する図であって、(A)はITU−Tで標準化された多重化構造を示す図、(B)は日本国内で使用するTTC標準の多重化構造を示す図である。
【図5】SDHにおける多重化フォーマットを、電子情報に相当する「りんご」を箱に入れて、SOHに相当する「貨物列車」で運ぶ場合を例にして説明する図である。
【図6】(A)は伝送網の階層化を示す図、(B)はSDHにおけるセクションとパスの位置付けを示す図である。
【図7】(A)はVC−4からAU−4を形成し、AUGに多重化される過程を示す図、(B)はAUGからSTM−Nへ多重化される過程を示す図である。
【図8】(A)はSTM−1の多重化フレームの概念図、(B)はAU−4ポインタのオフセット値を示す図である。
【図9】SDHにおけるクロスコネクト装置の位置付けを示す図である。
【図10】(A)はTSWを実施するブロック図、(B)はSTM−1の概念図である。
【図11】位相調整を説明する図であって、(A)は位相調整前の先頭バイト(J1バイト)の位置を示す図、(B)は位相調整後の先頭バイト(J1バイト)の位置を示す図である。
【符号の説明】
11 データメモリ
11a データメモリの第1面
11b データメモリの第2面
12 フレームパルス抽出部
13 S/P部
14 720進カウンタ
15 1080進カウンタ
16 2進カウンタ
17 コントロールメモリ
18 演算部
19 P/S部
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a data memory control system, and in particular, data that can reduce the storage capacity of a data memory composed of two surfaces necessary for the implementation of cross-connect when the cross-connect TSW function in SDH is realized by LSI. The present invention relates to a memory control method.
[0002]
[Prior art]
In recent years, with the advancement of integrated services for telephone, data, video and other electronic information (multi-media using broadband ISDN), the electronic information sent by information terminal users in the US, Europe, etc. can be obtained instantly while in Japan. It has become possible to do. For transmission and reception of this electronic information, a digital transmission method is employed in which high-speed data at different speeds is processed by a hierarchical structure (hierarchy).
[0003]
By the way, before the development of multimedia, PDH (Plesiochronous Digital Hierarchy) having different digital transmission systems existed in Japan, the United States, and Europe. This different PDH has been found to hinder the deployment of broadband ISDN based on a globally unified user network interface.
[0004]
Therefore, CCITT (current ITU, International Telecommunications Union) at that time standardized SDH (Synchronous Digital Hierarchy) as a user network interface in 1988 and made a recommendation in 1996 after various studies. Integrated into G.707.
Although there is SONET (Synchronous Optical Network) which has been studied as a North American standard, since it is almost the same technology as SDH, it is generally expressed as SONET / SDH.
[0005]
Here, prior to the description of the prior art according to the present invention, the technical features and concepts of SDH and the image of multiplexing will be described.
This explanation is based on “Easy-to-understand SDH / SONET transmission method” (Ohm, co-authored by Kasai, Kaoru, Tsuji, Ueda) and Recommendation G.707 (03/96) of ITU-T (Telecommunication Standardization Sector of ITU).
[0006]
The features of SDH can be summarized in the following three points.
(1) A synchronous interface that is unified throughout the world, and can handle both 1.5 Mbit / s and 2 Mbit / s systems existing in PDH on an equal basis, and enables multi-vendor communication devices. Further, since they are synchronized, the multiplexed information can be directly accessed without being separated at a low speed.
[0007]
{Circle around (2)} Various types of information can be flexibly multiplexed, and from voice information based on 64 kbit / s to high-speed data information can be multiplexed. Therefore, an infrastructure for realizing future broadband services can be constructed from the time of introduction.
[0008]
(3) An interface that is rich in operation and maintenance, and enables end-to-end online monitoring of multiplexed information. For this reason, it is possible to improve the function and quality of the network.
[0009]
FIG. 4A is a diagram showing a multiplexing structure standardized by ITU-T, and FIG. 4B is a diagram showing a TTC standard multiplexing structure used in Japan. Here, TTC (The Telecommunication Technology Committee) is a telecommunications technology committee, and establishes domestic standards in response to ITU international standard recommendations.
FIG. 5 is a diagram showing an image (concept) of multiplexing in SDH.
[0010]
As shown in FIGS. 4A and 4B, the multiplexing structures of the ITU-T standard and the TTC standard each have eight layers.
In this specification, “C-11 → VC-11 → TU-11 → TUG-2 → TUG-3 → VC-4 → AU-4 → AUG → STM-” from the lower right to the upper left of FIG. The case of passing through the N ”multiplexing route (route (1)) will be mainly described.
[0011]
Abbreviations such as VC-4 in the drawing will be described later as necessary.
In addition, AU and the like in the figure are shaded to indicate that a pointer operation (pointer processing) is being performed. The pointer can identify low-speed information in a high-speed signal and pass a frequency phase difference very efficiently, and is a major feature of SDH (described later).
[0012]
Mapping refers to accommodating multiplexed information in a VC (virtual container) (described later).
Aligning means accommodating a VC in a TU (Tributary Unit) (described later).
[0013]
FIG. 5 is a diagram illustrating a multiplexing format in SDH, taking as an example a case where “balls” corresponding to electronic information are put in a box and carried by “freight trains” corresponding to SOH.
FIG. 5 shows a case where information of 1.544 Mbit / s, which is a Japanese digital primary group signal, is multiplexed into STM-1 (described later).
[0014]
That is, from the lower right to the upper left in FIG. 4 (B), the route “C-11 → VC-11 → TU-11 → TUG-2 → VC-3 → AU-3 → AUG → STM-N” 2)). The difference between the route (1) and the route (2) is that VC-4 is replaced with VC-3 and TUG-3 is not required.
[0015]
As shown in FIG. 5, a ball (electronic information) is put in a box (container: C-11), a shipping slip (POH) is attached to each box to form a virtual container (VC-11), and the loading position on the pallet is determined. Display (TU-11) and bind the boxes with four strings (TUG-2).
[0016]
Then, four bundle boxes are stacked on 7 pallets (VC-3), a transportation slip is attached (POH), the loading position on the freight car is displayed (pointer), and the freight car is loaded (AU-3). Furthermore, with three freight cars connected (AUG), locomotives are connected (SOH) and carried to the destination (STM-1).
[0017]
Another significant feature of SDH is that it clearly incorporates the concept of layered transmission networks in the frame structure. As a result, network design and operation and maintenance can be hierarchized, and advanced network services can be provided.
[0018]
As shown in FIG. 6 (A), the transmission network is hierarchized, and the line network and the transmission system defined for the service are unaware of the path network independent of any service and the transmission medium for multiplexing the path network. It is divided into four layers, a section network and a transmission medium network composed of optical fibers and space.
[0019]
In SDH, as shown in FIG. 6B, the section network layer portion is defined as a section, and the path network layer path portion is defined as a high-order path and a low-order path. As a result, if the SDH transmission system is introduced, the operation and maintenance of the network will be advanced, which will have a great impact on the network business operation.
[0020]
Next, “VC-4 to AUG multiplexing” shown in FIGS. 4A and 4B and FIG. 5 will be described.
Here, VC is a virtual container (virtual container, virtual container), which is a standardized unit box (standardized transmission capacity unit) (see FIG. 5).
[0021]
Since this VC accommodates information with a margin, various types of information can be flexibly multiplexed. The multiplexing structure is all byte-multiplexed, and the transmission rate is an integral multiple of the basic rate.
As VCs, VC-4, VC-3, VC-2, VC-12, and VC-11 are defined corresponding to the speed of the accommodation information. There is also a container that collects an arbitrary number of VC-n.
[0022]
AU is an Administrative Unit, which is a box in which a management unit (AU) pointer is added to VC-3 or VC-4. Two types of AU-3 and AU-4 are defined.
An AU is an Administrative Unit Group, which is a single AU-4 or a multiplex of three AU-3s (see FIG. 5).
[0023]
FIG. 7A is a diagram showing a process of forming AU-4 from VC-4 and multiplexing to AUG, and FIG. 7B is a diagram showing a process of multiplexing from AUG to STM-N. .
As shown in FIGS. 7A and 7B, VC-4 is composed of 9 rows and 261 columns, and the first column is POH (Path Overhead).
[0024]
The POH is assigned at a generation point such as a VC-11 or VC-3 path defined as a path, and is stored up to a terminal point after information is transmitted. This ensures that when information is transferred in the network, the state of transmission information, such as a sign error, is monitored end to end, and advanced network operation and maintenance is possible.
[0025]
As shown in FIG. 7A, the higher-order path POH is located in the first column of VC-4, and bytes of J1, B3, C2, G1, F2, H4, F3, K3, and N1 are defined. The The byte position on the right side of the pointer byte is “0”, and an address is assigned for each byte.
[0026]
J1 is the first byte of the VC, and this position is indicated by the AU pointer. J1 is used to check whether the path setting is correct by transmitting a signal (API) having a specific pattern for each path generation point and checking the API at the end point of the path.
[0027]
J1 can be placed at any address 0 to 782 of the STM-1 signal (described later with reference to FIG. 8B). The address value (address) of the byte in which J1 is entered is converted into a binary value and is placed on H1 and H2 (position display).
[0028]
On the receiving side, the head position (position of J1) of VC-4 can be known (described later) by looking at the values of H1 and H2.
H1 and H2 are used for position indication with respect to the payload of the VC as described above.
A description of bytes other than J1 is omitted.
[0029]
VC-4 is accommodated in AU-4 having H1, H2, H3 bytes (pointers). The phase relationship between VC-4 and AU-4 is independent, and the phase relationship is given by a pointer. The pointer indicates the start position of VC-4 in AU-4. AU-4 becomes an AUG as it is.
[0030]
Next, “multiplexing from AUG to STM-N” shown in FIGS. 4A and 4B and FIG. 5 will be described.
ST M-N is Synchronous Transport Module-N. N indicates how many times the transmission rate (bit rate) is the basic STM-1, and is an integer. 1, 4, 16, and 64 are standardized as the value of N, and the basic speed (N = 1) is 155.52 Mbit / s.
[0031]
As shown in FIG. 7B, the AUG has a 1 row and 9 column protrusion on the 4th row of the 9 row and 261 column box. This protrusion is a pointer. AUG # 1, AUG # 2,..., AUG # N are byte-interleaved to form an STM-N of 9 rows and N × 261 columns.
The first N × 9 columns of the STM-N are SOH described below, among which the first to third rows are RSOH and the fifth to ninth rows are MSOH. In the fourth row, the pointers of AU-3 and AU-4 constituting each AUG are multiplexed.
[0032]
SOH is Section Overhead (section overhead), and has various operational functions such as a frame synchronization signal, a bit error detection code, an alarm state display, and transmission path switching control.
The SOH includes a relay SOH (RSOH) used between the intermediate relay devices or between the intermediate relay device and the terminal multiplex relay device, and the terminal relay multiplex intermediate relay device There are multiple SOH (MSOH) used between.
[0033]
FIG. 8A is a conceptual diagram of an STM-1 multiplexed frame, and FIG. 8B is a diagram showing an offset value of an AU-4 pointer.
As shown in FIG. 8A, the 1st to 9th columns are the SOH and the pointer, and the 9th row × 261th column after the 10th column is the payload. The payload contains main information (voice information, high-speed data, etc.).
[0034]
As shown in FIG. 8B, the address (offset value) is assigned to the payload of STM-1 from the byte next to the H3 byte. Addresses are assigned like “0, −, −, 2, −, −,..., 782, −, −” from the byte following the H3 byte. The address (offset value) where the J1 byte of VC-4 exists becomes the pointer value (see FIG. 11A). For example, when the J1 byte of VC-4 is located at the beginning of the first line of STM-1, the pointer value is 522.
[0035]
Next, the main topic of the prior art related to the present invention is entered.
In a SONET / SDH device for a user network interface manufactured based on Recommendation G.707, the cross-connect capacity has also increased with the recent increase in transmission capacity and diversification of device interfaces.
[0036]
Here, the SONET / SDH device is a notation of SONET and SDH, which are technologies that connect network nodes in a relay network between telecommunications carrier stations and multiplex-transmit data as described above. SONET and SDH are both technologies that synchronize between nodes and perform high-speed communication.
[0037]
Cross connect refers to a line setting technique that enables switching of time slots (ТS: a part for multiplexing information) in units of paths (line bundles) from multiplexed signals. Specifically, a technology for setting a line for each purpose, such as a line connected to an exchange, a line connected to a dedicated line transmission device, and a line that passes through the telephone station and is transmitted to another telephone station. Say.
[0038]
The cross-connect capacity is the total amount that can be cross-connected (line setting) during high-speed communication.
FIG. 9 is a diagram illustrating the positioning of the cross-connect device in SDH.
[0039]
Next, with reference to FIGS. 10A and 10B, the concept of the circuit configuration and processing in the case of performing cross-connect using TSW will be described. Here, TSW is a time switch (time division type switch), which is a switching circuit configured by hardware and firmware.
FIG. 10A is a block diagram of a conventional TSW, and FIG. 10B is a conceptual diagram of STM-1.
[0040]
10A and 10B, reference numeral 101 denotes a data memory having an area for one row of the serial STM-1 signal 110. The first surface 101a for writing and the second surface for reading. 101b. Reference numeral 102 denotes a write control circuit that performs write control of the STM-1 signal to the data memory 101.
[0041]
A control memory 103 stores an address for reading data from the data memory 101, and a read control circuit 104 reads the address from the control memory 103 and performs read control from the data memory 101.
110a is a payload, 110b is an RSOH (relay SOH), 110c is a management pointer (AUPТR), and 110d is an MSOH (multiple SOH).
[0042]
Next, cross connect in the data memory 101 will be described.
When sequentially writing one row of the STM-1 signal 110 to the data memory 101, as shown in FIG. 11A, it is assumed that the first byte (J1 byte) of VC-4 is at the position shown in the figure. In this case, since the J1 byte does not match the time slot (TS) in a single vertical column, the cross connect cannot be performed.
[0043]
Therefore, as shown in FIG. 11B, phase adjustment is performed so that the J1 byte is in the column adjacent to the SOH. One row of the phase-adjusted STM-1 signal 110 is sequentially written into the data memory 101. Then, the read control circuit 104 switches the order of reading data from the data memory 101 and performs cross-connect.
[0044]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the cross-connect TSW function is realized by an LSI (integrated circuit) using the conventional technique, there are the following problems.
That is, in the SONET / SDH apparatus, the cross-connect capacity increases with an increase in interfaces, and the data memory capacity becomes enormous. As a result, there is a problem that the mounting space pattern wiring by H / W (hardware) and the control by F / W (firmware) become complicated.
[0045]
The present invention is considered in view of the above circumstances, and when the TSW function of the cross connect in SDH is realized by LSI, it is possible to reduce the storage capacity of the data memory consisting of two surfaces necessary for implementing the cross connect. A data memory control method is provided.
[0046]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the first aspect of the present invention provides a first memory (data memory 11) comprising a first surface and a second surface for performing cross-connect processing on input data, and the first memory A second memory (control memory 17) for storing address data at the time of cross-connect processing in the memory, and a control means for controlling the cross-connect processing based on the address data stored in the second memory In the data memory control method,
The control means includes
Reference pulse extraction means (frame pulse extraction unit 12) for extracting a pulse serving as a reference at the time of cross-connect processing from the input data;
Based on the reference pulse extracted by the reference pulse extracting means, a first pulse train is generated for each number of pulses corresponding to the number of storage areas in each row of the first surface and the second surface in the first memory. Pulse generating means (720-ary counter 14);
Based on the reference pulse extracted by the reference pulse extracting means, second pulse generating means (1080 decimal counter 15) for generating a second pulse train for each number of pulses corresponding to the number of storage areas in one row in the second memory. When,
Third pulse generating means (binary counter 16) for generating a binary pulse based on the reference pulse extracted by the reference pulse extracting means;
The data obtained by equally dividing the second pulse train is configured to perform cross-connect processing corresponding to 0 or 1 of the binary pulse.
[0047]
In this way, for example, as shown in FIG. 2 and FIG. 3, the 1080 bytes of data stored in the second memory are equally divided according to the 0 or 1 level from the third pulse generating means. Since the data is sequentially stored on the first surface and the second surface of the first memory, the capacity of the first memory can be reduced.
[0048]
Next, the invention according to claim 2 is the data memory control system according to claim 1,
When the number of storage areas in one row of the second memory is P (integer), and the number of storage areas in each row of the first surface and the second surface of the first memory is Q (integer), P / Q is divisible.
In this way, a memory having a general storage area (for example, 720 bytes and 1080 bytes) can be used effectively without waste.
[0049]
Next, the invention according to claim 3 is the data memory control system according to claim 1 or 2, wherein
The input data is configured as an STM signal used for a SONET / SDH device.
[0050]
In this way, it is possible to reduce the memory capacity used for the STM signal cross-connect processing.
[0051]
Next, the invention according to claim 4 is the data memory control system according to any one of claims 1 to 3,
The STM signal is configured to be an STM-4 signal.
In this way, the memory capacity used for the STM-4 signal cross-connect process can be reduced.
[0052]
Next, the invention according to claim 5 is the data memory control system according to any one of claims 1 to 4,
The number of storage areas of the first and second surfaces of the first memory is 720 bytes, and the number of storage areas of the second memory is 1080 bytes.
[0053]
In this way, the number of storage areas of the first and second surfaces of the conventional first memory is 1080 bytes, but according to the present invention, it can be reduced to 720 bytes. However, a memory capacity of 2/3 is sufficient.
[0054]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described based on the illustrated embodiments.
FIG. 1 is a block diagram of the present embodiment, FIG. 2 is a time chart of cross-connect implementation in TSW, and FIG. 3 is a conceptual diagram of cross-connect implementation.
[0055]
In the present embodiment, a TSW operation for converting the STM-4 signal into 8 bits in parallel is performed. This STM-4 signal is a multiplexed transmission system in which a bit string to be transmitted is divided into frames of a certain length and is periodically repeated. The signal of one channel is transmitted at the same bit position or time / time in the frame. It is a method of carrying by slot (ТS).
[0056]
As shown in FIG. 1, the input STM-4 signal is input to the data memory 11 via an S / P (serial / parallel conversion) unit 13 and directly input to the frame pulse extraction unit 12.
The data memory 11 includes a first surface 11a for writing and a second surface 11b for reading, and each has a memory area of 720 bytes.
[0057]
As shown in FIGS. 11A and 11B, the S / P unit 13 converts the input STM-4 signal into the first byte (J1 byte) of VC-4 / 3 of the payload as RSOH, MSOH. The phase is adjusted so as to come to the next column, and converted into 8-bit parallel data and output to the data memory 11.
[0058]
The frame pulse extraction unit 12 outputs a 4 KHz frame pulse obtained by dividing an 8 kHz frame extracted from one frame of the STM-4 signal by 2 to the 720-ary counter 14, the 1080-ary counter 15, and the binary counter 16, respectively.
[0059]
The 720-ary counter 14 outputs a sequential address for writing the 8-bit parallel data from the S / P unit 13 to the data memory 11 to the data memory 11 (see symbol A in FIG. 2).
[0060]
The 1080 base counter 15 outputs a 1080 base counter value to the control memory 17 (see reference B in FIG. 2).
The binary counter 16 outputs a binary counter value to the calculation unit 18 (see reference C in FIG. 2).
The control memory 17 outputs the data in the control memory 17 to the arithmetic unit 18 using the counter value from the 1080-count counter 15 as an address.
[0061]
The calculation unit 18 outputs a read address to the data memory 11 based on information from the control memory 17 and the binary counter 16.
The data memory 11 outputs the read address data from the calculation unit 18 to a P / S (parallel / serial conversion) unit 19.
The P / S unit 19 converts the 8-bit parallel data from the data memory 11 into 622.08 MHz serial data and outputs an STM-4 signal.
[0062]
Next, the operation of this embodiment will be described.
In this embodiment, the control memory 17 has an area of two-thirds of one row (720 bytes with respect to 1080 bytes), and the data memory 11 includes the first surface 11a and the second surface 11b. A TSW operation for one cycle is performed.
[0063]
That is, in the case of the STM-4 signal, since one row is 1080 bytes, the conventional data memory requires 1080 bytes, but according to this embodiment, the TSW operation is performed even with 720 bytes in the two-thirds area. Can be realized.
[0064]
The frame pulse extraction unit 12 performs frame synchronization of the input STM-4 signal and extracts an 8 KHz frame. Since the STM-N frame has 9 rows, in this embodiment, the TSW operation has one cycle of 2 rows as described above. Therefore, the 720-decimal counter 14, the 1080-decimal counter 15, and the binary counter 16 are set to 8 KHz pulses. Can not be loaded with. For this reason, an 8 KHz frame is loaded with a 4 KHz pulse obtained by further dividing the frequency by 2 in a free run.
[0065]
The 720-ary counter 14 outputs a counter value (every 720 frame pulses) as a sequential address for writing data from the S / P unit 13 to the data memory 11 (see symbol A in FIG. 2).
The 1080-adic counter 15 outputs an address for every 1080 frame pulses to the control memory 17 having cross-connect information (data memory read address for one row) for one row, and the control memory 17 reads the data memory. Output address (see symbol B in FIG. 2).
[0066]
The binary counter 16 outputs the count value to the calculation unit 18 at an 8 KHz cycle.
The arithmetic unit 18 converts the data memory read address for one row from the control memory 17 and the counter value from the binary counter 16 into a data memory read address and outputs the data memory 11 to the data memory 11.
[0067]
The data memory 11 outputs the data to the P / S unit 19 in accordance with the converted read address from the arithmetic unit 18, and the P / S unit 19 converts the 8-bit parallel data into 622.08 MHz serial data. 4 signals are output.
[0068]
Next, a calculation method in the calculation unit 18 will be described with reference to FIGS.
<When the binary counter is 0> (see symbol C in FIG. 2)
If the number of frame pulses is “0 to 359”, it is recognized as “area 1”, and the address data read from the control memory 17 is output as it is as the read address of the data memory 11.
[0069]
If the number of frame pulses is “360 to 719”, it is recognized as “area 2”, and the address data read from the control memory 17 is output as it is as the read address of the data memory 11.
If the number of frame pulses is 720-1079, it is recognized as “area 3”, and a calculation result of minus 720 is output from the address data read from the control memory 17 as the read address of the data memory 11.
[0070]
<When binary counter is 1>
If the number of frame pulses is “0 to 359”, it is recognized as “area 4”, and a calculation result of plus 360 is output from the address data read from the control memory 17 as the read address of the data memory 11.
[0071]
If the number of frame pulses is “360 to 719”, it is recognized as “area 5”, and a calculation result of plus 360 is output from the address data read from the control memory 17 as the read address of the data memory 11.
[0072]
If the number of frame pulses is 720 to 1079, it is recognized as “area 6” and is output as it is from the address data read from the control memory 17 as the read address of the data memory 11.
[0073]
In this way, as shown in FIG. 3, the 1080 bytes of address data stored in the 1080 bytes of the control memory 17 are written into the two-byte data memory 11 (11a, 11b) of 720 bytes. It becomes possible. Therefore, while the conventional data memory capacity is 1080 bytes, according to the present embodiment, the data memory capacity is 720 bytes, and 720 bytes are necessary.
[0074]
In this embodiment, the case of STM signal cross-connecting has been described. However, parallel data is input to a first memory (data memory) having two surfaces and an address stored in the second memory (control memory). Needless to say, it can be used as means for reducing the capacity of the first memory when it is stored in the first memory based on data.
[0075]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the following effects can be exhibited.
According to the first aspect of the present invention, for example, as shown in FIG. 2 and FIG. 3, the 1080 bytes of data stored in the second memory are equally divided, and 0 or 1 from the third pulse generating means is obtained. Since the data is sequentially stored in the first and second surfaces of the first memory according to the level, the capacity of the first memory can be reduced.
[0076]
According to the second aspect of the present invention, a memory having a general storage area (for example, 720 bytes and 1080 bytes) can be used effectively without waste.
According to the third aspect of the present invention, the capacity of the memory used for the STM signal cross-connect process can be reduced.
[0077]
According to the fourth aspect of the present invention, the memory capacity used for the STM-4 signal cross-connect processing can be reduced.
According to the invention described in claim 5, the number of storage areas on the first and second surfaces of the conventional first memory is 1080 bytes, but according to the present invention, it is possible to suffice with 720 bytes. Compared to the conventional example, a memory capacity of 2/3 is sufficient.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a data processing time chart in the embodiment;
FIG. 3 is a diagram illustrating a concept of data processing in the embodiment.
4A and 4B are diagrams for explaining the prior art, in which FIG. 4A shows a multiplexing structure standardized by ITU-T, and FIG. 4B shows multiplexing of a TTC standard used in Japan. It is a figure which shows a structure.
FIG. 5 is a diagram illustrating a multiplexing format in SDH, taking as an example a case where “apples” corresponding to electronic information are put in a box and transported by “freight trains” corresponding to SOH.
6A is a diagram showing the hierarchization of a transmission network, and FIG. 6B is a diagram showing the positioning of sections and paths in SDH.
7A is a diagram showing a process of forming AU-4 from VC-4 and multiplexing to AUG, and FIG. 7B is a diagram showing a process of multiplexing from AUG to STM-N. .
8A is a conceptual diagram of an STM-1 multiplexed frame, and FIG. 8B is a diagram illustrating an offset value of an AU-4 pointer.
FIG. 9 is a diagram showing the positioning of the cross-connect device in SDH.
10A is a block diagram for implementing TSW, and FIG. 10B is a conceptual diagram of STM-1.
11A and 11B are diagrams for explaining phase adjustment, in which FIG. 11A shows the position of the first byte (J1 byte) before phase adjustment, and FIG. 11B shows the position of the first byte (J1 byte) after phase adjustment; FIG.
[Explanation of symbols]
11 Data memory
11a First aspect of data memory
11b Second side of data memory
12 Frame pulse extractor
13 S / P section
14 720 base counter
15 1080 decimal counter
16 Binary counter
17 Control memory
18 Calculation unit
19 P / S part

Claims (5)

入力データに対してクロスコネクト処理を行うための第1面と第2面からなる第1のメモリと、該第1のメモリにおけるクロスコネクト処理時のアドレスデータを記憶する第2のメモリと、該第2のメモリに記憶したアドレスデータに基き、前記クロスコネクト処理の制御を行う制御手段とを備えたデータメモリ制御方式において、
前記制御手段は、
前記入力データから、クロスコネクト処理時の基準となるパルスを抽出する基準パルス抽出手段と、
該基準パルス抽出手段が抽出した基準パルスに基き、前記第1のメモリにおける第1面,第2面の各1行の記憶領域数に相当するパルス数ごとに、第1パルス列を発生する第1パルス発生手段と、
前記基準パルス抽出手段が抽出した基準パルスに基き、前記第2のメモリにおける1行の記憶領域数に相当するパルス数ごとに、第2パルス列を発生する第2パルス発生手段と、
前記基準パルス抽出手段が抽出した基準パルスに基き、2進パルスを発生する第3パルス発生手段とを備え、
前記第2パルス列を等分に区分したデータを、前記2進パルスの0または1に対応させてクロスコネクト処理を行うことを特徴とするデータメモリ制御方式。
A first memory having a first surface and a second surface for performing cross-connect processing on input data; a second memory for storing address data at the time of cross-connect processing in the first memory; In a data memory control system comprising control means for controlling the cross-connect process based on address data stored in a second memory,
The control means includes
Reference pulse extraction means for extracting a pulse serving as a reference at the time of cross-connect processing from the input data;
Based on the reference pulse extracted by the reference pulse extracting means, a first pulse train is generated for each number of pulses corresponding to the number of storage areas in each row of the first surface and the second surface in the first memory. Pulse generating means;
Second pulse generating means for generating a second pulse train for each number of pulses corresponding to the number of storage areas in one row in the second memory, based on the reference pulse extracted by the reference pulse extracting means;
A third pulse generating means for generating a binary pulse based on the reference pulse extracted by the reference pulse extracting means;
A data memory control system, wherein data obtained by equally dividing the second pulse train is subjected to cross-connect processing corresponding to 0 or 1 of the binary pulse.
請求項1記載のデータメモリ制御方式において、
前記第2のメモリの1行の記憶領域数をP(整数)とし、前記第1のメモリの第1面,第2面の各1行の記憶領域数をQ(整数)とした場合に、P/Qは割り切れることを特徴とするデータメモリ制御方式。
The data memory control system according to claim 1, wherein
When the number of storage areas in one row of the second memory is P (integer), and the number of storage areas in each row of the first surface and the second surface of the first memory is Q (integer), A data memory control system characterized in that P / Q is divisible.
請求項1又は請求項2記載のデータメモリ制御方式において、
前記入力データは、SONET/SDH装置に使用するSTM信号であることを特徴とするデータメモリ制御方式。
In the data memory control system according to claim 1 or 2,
A data memory control system, wherein the input data is an STM signal used for a SONET / SDH device.
請求項1〜請求項3のいずれか記載のデータメモリ制御方式において、
前記STM信号は、STM−4信号であることを特徴とするデータメモリ制御方式。
In the data memory control system according to any one of claims 1 to 3,
The data memory control system, wherein the STM signal is an STM-4 signal.
請求項1〜請求項4記載のいずれかデータメモリ制御方式において、
前記第1のメモリの第1面および第2面の記憶領域数は720バイトであり、前記第2のメモリの記憶領域数は1080バイトであることを特徴とするデータメモリ制御方式。
In the data memory control system according to any one of claims 1 to 4,
A data memory control system, wherein the number of storage areas of the first and second surfaces of the first memory is 720 bytes, and the number of storage areas of the second memory is 1080 bytes.
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