JP4239421B2 - Surge absorber manufacturing method and surge absorber - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、サージから様々な機器を保護し、事故を未然に防ぐのに使用するサージアブソーバの製造方法及びサージアブソーバに関する。
【0002】
【従来の技術】
電話機、ファクシミリ、モデム等の通信機器用の電子機器が通信線と接続する部分、あるいはCRT駆動回路等、雷サージや静電気等の異常電圧(サージ電圧)による電撃を受けやすい部分には、異常電圧によって電子機器やこの機器を搭載するプリント基板の熱的損傷または発火等による破壊を防止するために、サージアブソーバが接続されている。
【0003】
このようなサージアブソーバの一例として、図4に示すようなものが知られている。このサージアブソーバ1は、図4に示すように、円柱状のセラミックス部材2の周面に放電間隙4(マイクロギャップ)を有する導電性被膜3を形成したアブソーバ素子の両端にキャップ電極5,5をかぶせたものを円筒状のガラス管7内に不活性ガスとともに収容し、円筒状のガラス管7の両端に一対の封止電極6,6が相対向して高温加熱で封着されたガラス管封止型とされたものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来のサージアブソーバ1は、それぞれ封止電極6,6に接続された2本のリード線6A,6Aによって電気的に接続された回路のサージのみを吸収するものであり、空間から侵入する静電気等のサージには対処することができなかった。
しかも、このようなガラス管封止型のサージアブソーバ1では、ガラス管7内にアブソーバ素子と不活性ガスを封入して製造するため、製品形状は円筒状で、表面実装には不向きとなる。また、このようにガラス管7内にアブソーバ素子を封入するものでは、比較的サイズが大きくなってしまい、近年高まってきている小型化の要求に応えることが難しかった。
【0005】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、空間から侵入する静電気等のサージを吸収でき、かつ表面実装可能で小型化を実現できるサージアブソーバの製造方法及びサージアブソーバを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決して、このような目的を達成するために、本発明は、絶縁基板の上面において放電間隙が画成されるように、互いに相対向する一対の放電電極を形成するとともに、前記放電間隙の上方空間を囲うように蓋体の周縁部を前記絶縁性基板の上面に接合材により接合する蓋体接合工程と、該蓋体によって形成される内部空間に不活性ガスを封入するガス封入工程とを有するサージアブソーバの製造方法であって、前記蓋体接合工程は、金属粉末と無機結合材とを含む導電性材料により、一方の放電電極を、先端部が前記絶縁性基板の上面に位置するとともに基端部が前記絶縁性基板の上面に設けられた溝部内に位置するように形成する工程と、他方の放電電極を前記絶縁性基板の上面に形成する工程と、絶縁性無機物からなる前記接合材を、金属製の前記蓋体の周縁部または前記他方の放電電極のうちの少なくとも一方に塗布して、前記蓋体を前記絶縁性基板の上面に載置し、前記蓋体を、その周縁部の一部が前記溝部の上方に位置するように接合して、前記一方の放電電極と前記蓋体の周縁部との間に間隙を設ける工程と、前記蓋体の周縁部を加熱して前記接合材を前記無機結合材に反応溶融させて前記他方の放電電極に吸収させ消滅させることにより、前記他方の放電電極と前記蓋体の周縁部とを電気的に接合する工程とを有し、 前記ガス封入工程は、前記間隙に内外の通気が可能な絶縁材ペーストを塗布する工程と、 不活性ガス雰囲気中で前記間隙の絶縁材ペーストを加熱して溶融させることにより該間隙を気密状態に閉塞する工程とを有することを特徴とする。
【0007】
このような製造方法によって製造されたサージアブソーバは、他方の放電電極に金属製の蓋体が電気的に接合されているから、この金属製の蓋体を空間から侵入する静電気等のサージを集電する電極とすることができ、これにより、機器ケース、SWパッド等の隙間から侵入する静電気を吸収またはグラウンドへ逃がすことが可能となる。さらに、一方の放電電極と、この一方の放電電極と電気的に接合されていない金属製の蓋体との間でも放電を行うことができ、放電電極に与える熱影響を少なくすることができる。
また、放電空間(蓋体によって形成される内部空間)を形成する蓋体が金属製であることにより、蓋体を安価に製造することができる。しかも、絶縁性基板を用いることで全体がチップ形状となり、小型化及び表面実装を図ることができる。
【0008】
また、絶縁性基板の上面に溝部を形成するだけで、容易に蓋体の周縁部と一方の放電電極との間に間隙を形成できるとともに、間隙の閉塞作業を、溝部内に絶縁材ペーストを埋め込むことで容易に行うことができる。
【0009】
また、本発明によるサージアブソーバの製造方法は、前記接合材を、前記ガス封入工程における前記間隙を閉塞する工程の加熱時に同時に溶融させることを特徴とする。
このような製造方法を用いると、蓋体の周縁部を絶縁性基板の上面へ接合するのと、蓋体の周縁部と一方の放電電極とによって形成される間隙の閉塞及び不活性ガスの封入とを同時に行うことができ、サージアブソーバの製造工程を減少させて製造効率を向上させることができる。
【0010】
また、前記無機結合材を、SiO2,B23,Na2O,PbO,ZnOまたはBaOのうちの1種または2種以上の酸化物を主成分とするガラス微粒子により構成し、前記接合材を、SiO2または50重量%以上のSiO2と残部がAl23,MgO,ZrO2またはTiO2のうちの1種または2種以上の酸化物、あるいはSiO2,B23,Na2O,PbO,ZnOまたはBaOのうちの1種または2種以上の酸化物を主成分とするガラスにより構成することが好ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を添付した図面を参照しながら説明する。
図1は本発明の実施形態によるサージアブソーバの斜視図、図2は図1におけるサージアブソーバの断面図である。
【0012】
本実施形態によるサージアブソーバ10は、図1及び図2に示すように、略長方形のチップ形状をなし、例えばアルミナ等の絶縁性材料から構成される絶縁性基板11の上面11Aに、金属粉末と無機結合材とを含む導電性材料から構成される一対の放電電極12,13が互いに相対向する配置で形成されており、一方の放電電極13の先端と他方の放電電極12の先端との間に所定の寸法をもって放電間隙14(マイクロギャップ)が形成されている。
【0013】
ここで、放電電極12,13は、金属粉末と無機結合材とを含む導電性材料から構成されているものであるが、この金属粉末は、例えばAg,Au,Pd,Pt等の貴金属、またはこれらを混合した粉末が挙げられ(Ti,Ta,W等の高融点金属、またはこれらの化合物でもよい。)、また、無機結合材は、例えばSiO2,B23,Na2O,PbO,ZnOまたはBaOのうちの1種または2種以上の酸化物を主成分とする、ほうけい酸系ガラス,ほう酸亜鉛系ガラス,ほう酸カドミウム系ガラス,けい酸鉛亜鉛系ガラス等のガラス微粒子が挙げられる。
【0014】
また、絶縁性基板11の上面11Aにおいて、放電電極12,13は、それぞれの基端部12A,13Aが絶縁性基板11の対向する端面11B,11Bのそれぞれまで達するように形成されている。また、この絶縁性基板11の上面11Aには、一方の放電電極13が形成されている部分に溝部11Cが設けられており、一方の放電電極13において、その途中部分から基端部13Aまでが溝部11Cに沿って基端部13A側に向かうにしたがい絶縁性基板11の下面に近づく傾斜がつけられている。すなわち、一方の放電電極13は、その途中部分から基端部13Aまでが溝部11C内に設けられ、その先端部のみが、絶縁性基板11の上面11A上に位置することになる。
【0015】
そして、放電電極12,13が形成された絶縁性基板11の上面11Aには、図1及び図2に示すように、それら放電電極12,13及び放電間隙14の上方空間を囲うようにして蓋体15の周縁部15Aが接合材によって接合されている。この蓋体15は、径方向に一段拡径したフランジ状の周縁部15Aを有する有底円環状の例えばコバール等の金属からなるものである。
【0016】
ここで、蓋体15と絶縁性基板11とを接合するのに用いられた接合材は、例えばSiO2または50重量%以上のSiO2と残部がAl23,MgO,ZrO2またはTiO2のうちの1種または2種以上の酸化物からなるペーストからなる絶縁性無機物、あるいはSiO2,B23,Na2O,PbO,ZnOまたはBaOのうちの1種または2種以上の酸化物を主成分とするガラスペーストからなる絶縁性無機物を、その厚さが0.1〜10μm程度の薄膜状に塗布したものである。
【0017】
また、このような接合材は、加熱されて溶融する時に、蓋体15の周縁部15Aと絶縁性基板11の上面11Aとを接合するが、他方の放電電極12の上面に塗布されている接合材が、放電電極12中に含まれる成分である無機結合材に反応溶融することで、他方の放電電極12に吸収されて消滅し、他方の放電電極12と蓋体15の周縁部15Aとが電気的に接合されて導通する。
このとき、一方の放電電極13は、その途中部分から基端部13A側に向かうにしたがい絶縁性基板11の下面に近づくような傾斜がつけられているために、溝部11Cの上方に位置する蓋体15の周縁部15Aとは接触せずに、所定の間隙16が形成されていいる。
【0018】
この一方の放電電極13と金属製の蓋体15の周縁部15Aとの間に形成された間隙16は、例えばガラス等の絶縁材17によって封止される。さらに、蓋体15により形成された内部空間には、例えば、He,Ar,Ne,Xe,SF6,CO2,C38,C26,CF4,H2及びこれらの混合ガス等の放電に好適な不活性ガスが封入されて、この内部空間が放電空間とされる。
【0019】
そして、絶縁性基板11の両端面11B,11Bまで達するように形成された放電電極12,13の基端部12A、13Aが、絶縁性基板11の両端面11B,11Bに接合された端子電極18,18に接続されてチップ形状をなすサージアブソーバ10が構成される。
【0020】
以上のような構成とされたサージアブソーバ10にあっては、互いに相対向する一対の放電電極12,13により形成される放電間隙14により、端子電極18,18に接続された回路等からのサージを吸収できるのに加え、他方の放電電極12と電気的に接合された金属製の蓋体15を、空間中から侵入する静電気等のサージを吸収するための電極とすることができるので、機器ケース、SWパッド等の隙間から侵入する静電気等のサージを吸収またはグラウンドに逃がすことができる。しかも、一方の放電電極13と、この一方の放電電極13と電気的に接合されていない金属製の蓋体15との間で放電を行うこともでき、放電電極12,13に与える熱影響が少なくなって、サージアブソーバの寿命を延ばすことができる。
【0021】
また、放電空間を形成する蓋体15が金属製であることにより、蓋体15を安価に製造することができ、サージアブソーバ10の製造コストを下げることができる。さらに、絶縁性基板11を用いてサージアブソーバ10を構成することにより、チップ形状のサージアブソーバ10を得ることができて、その小型化及び表面実装が可能となる。
また、放電空間の寸法を変更する場合には、蓋体15のみの大きさを変更するだけでよく、容易に放電空間の寸法を変更することが可能となる。
【0022】
しかも、一方の放電電極13が、その途中部分から基端部13Aまでを絶縁性基板11の上面11Aに形成された溝部11C内に設けられるとともに、蓋体15の周縁部15Aの一部が溝部11Cの上方に位置するよう接合されて間隙16が形成されていることから、絶縁性基板11の上面11Aに溝部11Cを形成するだけで、容易に蓋体15の周縁部15Aと一方の放電電極13との間に間隙16を形成でき、さらに、間隙16の閉塞作業を、溝部11C内に絶縁材17を埋め込むことで容易に行うことができる。
【0023】
以下、上記のような構成のサージアブソーバ10を製造する方法を説明する。まず、図1に示されるように、一方の放電電極13をその途中部分から基端部13A側に向かうにしたがい絶縁性基板11の下面に近づくように傾斜させるための溝部11Cが形成された絶縁性基板11の上面11Aに、互いに相対向する放電電極12,13を形成することになる。
【0024】
これら放電電極12,13は、上述したような金属粉末と無機結合材とを含む導電性材料をスパッタ法,蒸着法,イオンプレーティング法,印刷法,焼付法等によって、溝部11Cに沿う方向で一本の帯状薄膜に形成した後、その帯状薄膜の途中位置、すなわち放電間隙14を形成したい位置にレーザ光を照射して切断することにより、この切断部が放電間隙14となって、互いに相対向する放電電極12,13が形成される。
【0025】
次に、絶縁性基板11の上面11Aにおいて、蓋体15の周縁部15Aが接合されるべき位置に、上述したような絶縁性無機物からなる接合材をその厚さが0.1〜10μm程度の薄膜状に塗布して、この接合材Aが塗布された位置に蓋体15の周縁部15Aを接触させるように載置する。
このとき、絶縁性基板11の上面11Aに形成された他方の放電電極12は、図3(a)に示すように、その上に絶縁性無機物からなる接合材Aを介して金属製の蓋体15の周縁部15Aが位置しているような状態となっており(この状態では、絶縁性無機物からなる接合材Aを介しているために、他方の放電電極12と蓋体15の周縁部15Aとは導通していない)、一方の放電電極13は、その途中部分から基端部13A側に向けて絶縁性基板11の下面に近づくように傾斜していることで、蓋体15の周縁部15Aとは接触せずに、それらの間に間隙16が形成されている。
【0026】
次いで、この間隙16に、例えばガラスペースト等の絶縁材ペーストを塗布するが、間隙16に塗布されているガラスペーストは、加熱されて溶融する前には、多くの隙間や孔が存在しており、蓋体15の内部と外部との通気性を有するものである。
そして、例えば、He,Ar,Ne,Xe,SF6,CO2,C38,C26,CF4,H2及びこれらの混合ガス等の放電に適した不活性ガス中で加熱することにより、上記の接合材Aを溶融させて、蓋体15の周縁部15Aと絶縁性基板11の上面11Aとを接合するのと同時に、間隙16に塗布されているガラスペーストを介してさせて不活性ガスを蓋体15の内部空間に封入して放電空間を形成するとともに、ガラスペーストが溶融して通気性を失い、間隙16が絶縁材17に閉塞された状態となって封止される。
すなわち、本実施形態によるサージアブソーバの製造方法は、蓋体15を絶縁性基板11に接合する工程と、間隙16を閉塞する工程を同時に行うものである。
【0027】
また、上記接合材Aの加熱時には、図3(b)に示すように、絶縁性無機物からなる接合材Aが、他方の放電電極12の成分である無機結合材と反応溶融して、他方の放電電極12に吸収され消滅することにより、蓋体15の周縁部15Aと他方の放電電極12とが電気的に接合されて導通することになる。
このとき、接合材Aが塗布されている厚さが0.1μmより小さいと、蓋体15の周縁部15Aと絶縁性基板11の上面11Aとを隙間なく接合できずに、不活性ガスを封入できないおそれがあり、一方、厚さが10μmより大きいと、接合材Aが無機結合材と反応溶融しきれずに、蓋体15の周縁部15Aと他方の放電電極12とを電気的に接合することができなくなってしまうおそれが生じる。
【0028】
最後に、絶縁性基板11の両端面11B,11Bに、例えばディッピング法により、端子電極18,18を絶縁性基板11の両端面11B、11Bに形成するとともに、絶縁性基板11の両端面11B,11Bまで延びる放電電極12,13の基端部12A,13Aを端子電極18,18に接合して、上記のような構成のサージアブソーバ10が製造される。
【0029】
上記のような製造方法では、蓋体15を絶縁性基板11に接合する工程と、一方の放電電極13と蓋体15の周縁部15Aとの間に存在する間隙16をふさぐ工程とを同時に行うことができるので、製造工程の減少につながり、効率的な製品の製造を行うことができる。
【0030】
なお、本実施形態においては、一方の放電電極13がその途中部分から基端部13A側に向かうにしたがい絶縁性基板11の下面に近づくように傾斜して、一方の放電電極13と蓋体15の周縁部15Aとの間に間隙16が形成されているが、一方の放電電極13と蓋体15の周縁部15Aとの間に間隙が形成されれば他の構成でもよく、例えば、絶縁性基板11に一方の放電電極13の途中部分から基端部13Aに至るまで上面11Aより一段低くなるように段差を形成するようにして間隙16を形成してもよいし、さらには、蓋体15の周縁部15Aに、切り欠きを設けて、一方の放電電極13との間に間隙16が形成されるようにしてもよい。
【0031】
【発明の効果】
本発明によれば、放電間隙によってサージを吸収できることに加え、他方の放電電極と電気的に接合された金属製の蓋体が空間から侵入する静電気等のサージを集電する電極となるために、機器ケース、SWパッド等の隙間から侵入する静電気を吸収またはグラウンドへ逃がすことができる。しかも、一方の放電電極と、金属製の蓋体との間で放電を行うこともができて、放電電極に与える熱影響が少なくなり、サージアブソーバの寿命の延長を図ることができる。
また、放電空間を形成する蓋体が金属製であることから、蓋体を安価に製造することができ、サージアブソーバの製造コストを下げることができる。さらに、絶縁性基板を用いることでチップ形状のサージアブソーバを得ることができて、サージアブソーバの小型化及び表面実装が可能になる。
【0032】
しかも、一方の放電電極が絶縁性基板の上面に形成された溝部内に設けられるとともに、蓋体の周縁部の一部が溝部の上方に位置して間隙が形成されていることから、絶縁性基板の上面に溝部を形成するだけで、容易に蓋体の周縁部と一方の放電電極との間に間隙を形成でき、さらに、間隙の閉塞作業を、溝部内に絶縁材を埋め込むことで容易に行うことができる。
【0033】
さらには、蓋体の周縁部を絶縁性基板の上面に接合する工程と、一方の放電電極と蓋体の周縁部との間に形成された間隙をふさぐ工程とを不活性ガス中で同時に加熱して行うことから、サージアブソーバの製造工程を減らすことができて、能率的な製造が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態によるサージアブソーバの斜視図である。
【図2】 本発明の実施形態によるサージアブソーバの断面図である。
【図3】 (a)は接合材を加熱して溶融させる前の状態を示す説明図、(b)は接合材を加熱して溶融させた後の状態を示す説明図である。
【図4】 従来のサージアブソーバを示す断面図である。
【符号の説明】
10 サージアブソーバ
11 絶縁性基板
11A 上面
12,13 放電電極
12A,13A 基端部
14 放電間隙
15 蓋体
15A 周縁部
16 間隙
17 絶縁材
18 端子電極
A 接合材
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a surge absorber manufacturing method and surge absorber used for protecting various devices from surges and preventing accidents.
[0002]
[Prior art]
Abnormal voltage is applied to parts where electronic devices for communication equipment such as telephones, facsimiles, modems, etc. are connected to communication lines, or parts that are susceptible to electric shock due to abnormal voltage (surge voltage) such as lightning surge or static electricity, such as CRT drive circuits. In order to prevent the electronic device and the printed circuit board on which this device is mounted from being damaged due to thermal damage or ignition, a surge absorber is connected.
[0003]
As an example of such a surge absorber, the one shown in FIG. 4 is known. As shown in FIG. 4, the surge absorber 1 has cap electrodes 5 and 5 at both ends of an absorber element in which a conductive film 3 having a discharge gap 4 (microgap) is formed on the peripheral surface of a cylindrical ceramic member 2. The covered glass is accommodated in a cylindrical glass tube 7 together with an inert gas, and a pair of sealing electrodes 6 and 6 face each other at both ends of the cylindrical glass tube 7 and are sealed by high-temperature heating. It is a sealed type.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional surge absorber 1 as described above absorbs only the surge of the circuit electrically connected by the two lead wires 6A and 6A connected to the sealing electrodes 6 and 6, respectively. We were unable to cope with surges such as static electricity entering from the space.
Moreover, such a glass tube sealed surge absorber 1 is manufactured by enclosing the absorber element and inert gas in the glass tube 7, so that the product shape is cylindrical and is not suitable for surface mounting. Further, in the case where the absorber element is sealed in the glass tube 7 as described above, the size becomes relatively large, and it has been difficult to meet the demand for downsizing that has been increasing in recent years.
[0005]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a surge absorber manufacturing method and surge absorber that can absorb surges such as static electricity entering from a space, can be surface-mounted, and can be downsized. And
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems and achieve such an object, the present invention forms a pair of discharge electrodes opposed to each other so that a discharge gap is defined on the upper surface of the insulating substrate, A lid joining process for joining the peripheral edge of the lid to the upper surface of the insulating substrate so as to surround the space above the discharge gap , and an inert gas is enclosed in the internal space formed by the lid A method of manufacturing a surge absorber having a gas sealing step, wherein the lid joining step is performed by using a conductive material containing a metal powder and an inorganic binder , with one discharge electrode and a tip portion of the insulating substrate. A step of forming the base end portion in a groove provided on the upper surface of the insulating substrate, and a step of forming the other discharge electrode on the upper surface of the insulating substrate ; Before inorganic material The bonding material, at least one is applied to one of the peripheral edge or the other of the discharge electrodes of the metal of the lid, and placing the lid on the upper surface of the insulating substrate, the lid, the Bonding a part of the peripheral edge so as to be positioned above the groove and providing a gap between the one discharge electrode and the peripheral edge of the lid; and heating the peripheral edge of the lid by extinguishing the bonding material is taken up in the discharge electrode of the other reacted melt the inorganic binder Te, organic and the step of electrically bonding the periphery of the lid and the other discharge electrode The gas sealing step includes applying an insulating paste capable of venting the inside and outside of the gap, and heating and melting the insulating paste in the gap in an inert gas atmosphere so that the gap is hermetically sealed. And clogging to a state .
[0007]
In the surge absorber manufactured by such a manufacturing method, a metal lid is electrically joined to the other discharge electrode, so that surges such as static electricity entering the metal lid from the space are collected. It can be used as an electrode to be electrified, so that it is possible to absorb static electricity entering from a gap such as a device case or a SW pad or to escape to the ground. Furthermore, discharge can be performed between one discharge electrode and a metal lid that is not electrically joined to the one discharge electrode, and the thermal effect on the discharge electrode can be reduced.
Further, since the lid forming the discharge space (internal space formed by the lid) is made of metal, the lid can be manufactured at low cost. In addition, by using an insulating substrate, the whole becomes a chip shape, and miniaturization and surface mounting can be achieved.
[0008]
Also, just forming the groove on the upper surface of the insulation substrate, easily with to form a gap between the peripheral portion and one of the discharge electrodes of the lid, the closure operations of the gap, in the grooves insulating material paste It can be easily done by embedding.
[0009]
The surge absorber manufacturing method according to the present invention is characterized in that the bonding material is melted simultaneously with heating in the step of closing the gap in the gas sealing step.
When such a manufacturing method is used, the periphery of the lid is bonded to the upper surface of the insulating substrate, the gap formed by the periphery of the lid and one of the discharge electrodes is closed, and the inert gas is sealed. Can be performed simultaneously, and the manufacturing process of the surge absorber can be reduced and the manufacturing efficiency can be improved.
[0010]
The inorganic binder is composed of glass fine particles mainly composed of one or more oxides of SiO 2 , B 2 O 3 , Na 2 O, PbO, ZnO, or BaO, and the bonding The material is SiO 2 or 50 wt% or more of SiO 2 and the balance is one or more oxides of Al 2 O 3 , MgO, ZrO 2 or TiO 2 , or SiO 2 , B 2 O 3 , It is preferable that the glass is mainly composed of one or more oxides of Na 2 O, PbO, ZnO or BaO.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a perspective view of a surge absorber according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the surge absorber in FIG.
[0012]
As shown in FIGS. 1 and 2, the surge absorber 10 according to the present embodiment has a substantially rectangular chip shape, and a metal powder is applied to the upper surface 11A of an insulating substrate 11 made of an insulating material such as alumina, for example. A pair of discharge electrodes 12 and 13 made of a conductive material including an inorganic binder is formed so as to face each other, and between the tip of one discharge electrode 13 and the tip of the other discharge electrode 12. A discharge gap 14 (microgap) is formed with a predetermined dimension.
[0013]
Here, although the discharge electrodes 12 and 13 are comprised from the electroconductive material containing a metal powder and an inorganic binder, this metal powder is noble metals, such as Ag, Au, Pd, and Pt, or Examples of the inorganic binder include SiO 2 , B 2 O 3 , Na 2 O, and PbO. , ZnO or BaO, and fine particles of glass such as borosilicate glass, zinc borate glass, cadmium borate glass, lead zinc silicate glass, etc., mainly composed of one or more oxides of ZnO or BaO. It is done.
[0014]
Further, on the upper surface 11A of the insulating substrate 11, the discharge electrodes 12 and 13 are formed so that the respective base end portions 12A and 13A reach the respective opposing end surfaces 11B and 11B of the insulating substrate 11. The upper surface 11A of the insulating substrate 11 is provided with a groove portion 11C in a portion where one discharge electrode 13 is formed. In the one discharge electrode 13, from the middle portion to the base end portion 13A. A slope approaching the lower surface of the insulating substrate 11 is provided along the groove portion 11C toward the base end portion 13A. That is, one discharge electrode 13 is provided in the groove portion 11 </ b> C from the middle portion to the base end portion 13 </ b> A, and only the distal end portion is positioned on the upper surface 11 </ b> A of the insulating substrate 11.
[0015]
Then, the upper surface 11A of the insulating substrate 11 on which the discharge electrodes 12 and 13 are formed is covered with a cover so as to surround the space above the discharge electrodes 12 and 13 and the discharge gap 14, as shown in FIGS. The peripheral portion 15A of the body 15 is joined by a joining material. The lid body 15 is made of a bottomed annular metal such as Kovar having a flange-shaped peripheral edge portion 15 </ b> A whose diameter is increased by one step in the radial direction.
[0016]
Here, the bonding material used for bonding the lid 15 and the insulating substrate 11 is, for example, SiO 2 or 50% by weight or more of SiO 2 with the balance being Al 2 O 3 , MgO, ZrO 2 or TiO 2. Insulating inorganic substances made of a paste made of one or more oxides of these, or oxidation of one or more of SiO 2 , B 2 O 3 , Na 2 O, PbO, ZnO or BaO An insulating inorganic material made of a glass paste containing a material as a main component is applied in a thin film having a thickness of about 0.1 to 10 μm.
[0017]
Further, such a bonding material joins the peripheral portion 15A of the lid 15 and the upper surface 11A of the insulating substrate 11 when heated and melted, but is applied to the upper surface of the other discharge electrode 12. The material reacts and melts with the inorganic binder, which is a component contained in the discharge electrode 12, so that the other discharge electrode 12 absorbs and disappears, and the other discharge electrode 12 and the peripheral portion 15A of the lid body 15 are lost. Electrically joined and conducted.
At this time, one of the discharge electrodes 13 is inclined so as to approach the lower surface of the insulating substrate 11 from the middle portion toward the base end portion 13A, so that the lid positioned above the groove portion 11C. A predetermined gap 16 is formed without contacting the peripheral edge 15 </ b> A of the body 15.
[0018]
A gap 16 formed between the one discharge electrode 13 and the peripheral edge 15A of the metal lid 15 is sealed with an insulating material 17 such as glass. Further, in the internal space formed by the lid 15, for example, He, Ar, Ne, Xe, SF 6 , CO 2 , C 3 F 8 , C 2 F 6 , CF 4 , H 2 and a mixed gas thereof are used. An inert gas suitable for discharge, etc., is enclosed, and this internal space is made a discharge space.
[0019]
Then, the terminal electrodes 18 in which the base end portions 12A and 13A of the discharge electrodes 12 and 13 formed so as to reach the both end faces 11B and 11B of the insulating substrate 11 are joined to the both end faces 11B and 11B of the insulating substrate 11. , 18 to form a surge absorber 10 having a chip shape.
[0020]
In the surge absorber 10 configured as described above, a surge from a circuit or the like connected to the terminal electrodes 18 and 18 by the discharge gap 14 formed by the pair of discharge electrodes 12 and 13 facing each other. In addition, the metal lid 15 electrically joined to the other discharge electrode 12 can be used as an electrode for absorbing surges such as static electricity entering from the space. Surges such as static electricity entering from gaps such as cases and SW pads can be absorbed or released to the ground. Moreover, a discharge can be performed between one discharge electrode 13 and the metal lid 15 that is not electrically joined to the one discharge electrode 13, and there is a thermal effect on the discharge electrodes 12 and 13. The life of the surge absorber can be extended.
[0021]
Further, since the lid 15 forming the discharge space is made of metal, the lid 15 can be manufactured at low cost, and the manufacturing cost of the surge absorber 10 can be reduced. Furthermore, by configuring the surge absorber 10 using the insulating substrate 11, the chip-shaped surge absorber 10 can be obtained, and the miniaturization and surface mounting thereof can be achieved.
Further, when changing the size of the discharge space, it is only necessary to change the size of the lid 15 alone, and the size of the discharge space can be easily changed.
[0022]
Moreover, one discharge electrode 13 is provided in the groove portion 11C formed on the upper surface 11A of the insulating substrate 11 from the middle portion to the base end portion 13A, and a part of the peripheral edge portion 15A of the lid body 15 is a groove portion. Since the gap 16 is formed so as to be positioned above 11C, the peripheral portion 15A of the lid 15 and one of the discharge electrodes can be easily formed simply by forming the groove 11C on the upper surface 11A of the insulating substrate 11. The gap 16 can be formed between the groove 13 and the gap 16 can be closed easily by embedding the insulating material 17 in the groove 11C.
[0023]
Hereinafter, a method of manufacturing the surge absorber 10 having the above configuration will be described. First, as shown in FIG. 1, an insulation having a groove portion 11 </ b> C for inclining one discharge electrode 13 so as to approach the lower surface of the insulating substrate 11 from the middle portion toward the base end portion 13 </ b> A side. The discharge electrodes 12 and 13 facing each other are formed on the upper surface 11A of the conductive substrate 11.
[0024]
The discharge electrodes 12 and 13 are formed in the direction along the groove 11C by using a conductive material including the metal powder and the inorganic binder as described above by sputtering, vapor deposition, ion plating, printing, baking, or the like. After forming into a single strip-shaped thin film, the cut portion becomes the discharge gap 14 by irradiating the laser beam to the middle position of the strip-shaped thin film, that is, the position where the discharge gap 14 is to be formed. The discharge electrodes 12 and 13 facing each other are formed.
[0025]
Next, on the upper surface 11A of the insulating substrate 11, a bonding material made of an insulating inorganic material as described above is placed at a position where the peripheral portion 15A of the lid 15 is to be bonded. It apply | coats in thin film form and mounts so that the peripheral part 15A of the cover body 15 may contact the position where this joining material A was apply | coated.
At this time, as shown in FIG. 3A, the other discharge electrode 12 formed on the upper surface 11A of the insulating substrate 11 is made of a metal lid through a bonding material A made of an insulating inorganic material. 15 in which the peripheral portion 15A is located (in this state, since the joining material A made of an insulating inorganic material is interposed, the peripheral portion 15A of the other discharge electrode 12 and the lid 15 is provided. The one discharge electrode 13 is inclined so as to approach the lower surface of the insulating substrate 11 from the middle part toward the base end part 13A side, so that the peripheral part of the lid 15 A gap 16 is formed between them without contacting 15A.
[0026]
Next, an insulating material paste such as a glass paste is applied to the gap 16. The glass paste applied to the gap 16 has many gaps and holes before being heated and melted. In addition, the lid body 15 has air permeability between the inside and the outside.
Then, for example, heating is performed in an inert gas suitable for discharge such as He, Ar, Ne, Xe, SF 6 , CO 2 , C 3 F 8 , C 2 F 6 , CF 4 , H 2, or a mixed gas thereof. Thus, the bonding material A is melted to join the peripheral portion 15A of the lid 15 and the upper surface 11A of the insulating substrate 11, and at the same time, through the glass paste applied to the gap 16. Then, an inert gas is sealed in the internal space of the lid 15 to form a discharge space, and the glass paste is melted and loses air permeability, so that the gap 16 is sealed with the insulating material 17 and sealed. The
In other words, the surge absorber manufacturing method according to the present embodiment simultaneously performs the step of bonding the lid 15 to the insulating substrate 11 and the step of closing the gap 16.
[0027]
When the bonding material A is heated, as shown in FIG. 3B, the bonding material A made of an insulating inorganic material reacts and melts with the inorganic binding material that is a component of the other discharge electrode 12, and the other bonding material A is heated. By being absorbed by the discharge electrode 12 and extinguished, the peripheral portion 15A of the lid 15 and the other discharge electrode 12 are electrically joined and conducted.
At this time, if the thickness to which the bonding material A is applied is smaller than 0.1 μm, the peripheral portion 15A of the lid 15 and the upper surface 11A of the insulating substrate 11 cannot be bonded without any gap, and an inert gas is enclosed. On the other hand, if the thickness is larger than 10 μm, the bonding material A cannot be completely melted by reaction with the inorganic bonding material, and the peripheral edge portion 15A of the lid 15 and the other discharge electrode 12 are electrically bonded. There is a risk that it will not be possible.
[0028]
Finally, terminal electrodes 18 and 18 are formed on both end surfaces 11B and 11B of the insulating substrate 11 by, for example, dipping, on both end surfaces 11B and 11B of the insulating substrate 11, and both end surfaces 11B and 11B of the insulating substrate 11 are formed. The surge absorber 10 having the above-described configuration is manufactured by joining the base end portions 12A, 13A of the discharge electrodes 12, 13 extending to 11B to the terminal electrodes 18, 18.
[0029]
In the manufacturing method as described above, the step of bonding the lid 15 to the insulating substrate 11 and the step of closing the gap 16 existing between the one discharge electrode 13 and the peripheral portion 15A of the lid 15 are simultaneously performed. Therefore, it is possible to reduce the manufacturing process and efficiently manufacture the product.
[0030]
In the present embodiment, the one discharge electrode 13 is inclined so as to approach the lower surface of the insulating substrate 11 from the middle portion toward the base end portion 13A, and the one discharge electrode 13 and the lid body 15 are inclined. A gap 16 is formed between the peripheral edge 15A of the first electrode, but other configurations may be used as long as a gap is formed between the one discharge electrode 13 and the peripheral edge 15A of the lid 15. The gap 16 may be formed on the substrate 11 so as to be stepped lower than the upper surface 11A from the middle part of one of the discharge electrodes 13 to the base end part 13A. A notch may be provided in the peripheral edge portion 15 </ b> A so that a gap 16 is formed between the discharge electrode 13.
[0031]
【The invention's effect】
According to the present invention, in addition to being able to absorb the surge by the discharge gap, the metal lid electrically connected to the other discharge electrode serves as an electrode for collecting surges such as static electricity entering from the space. Static electricity entering through gaps such as device cases and SW pads can be absorbed or released to the ground. In addition, discharge can be performed between one of the discharge electrodes and the metal lid, so that the thermal effect on the discharge electrodes is reduced and the life of the surge absorber can be extended.
In addition, since the lid forming the discharge space is made of metal, the lid can be manufactured at low cost, and the manufacturing cost of the surge absorber can be reduced. Further, by using an insulating substrate, a chip-shaped surge absorber can be obtained, and the surge absorber can be miniaturized and surface-mounted.
[0032]
In addition, since one discharge electrode is provided in the groove formed on the upper surface of the insulating substrate and a part of the peripheral edge of the lid is located above the groove, a gap is formed. By simply forming a groove on the upper surface of the substrate, a gap can be easily formed between the peripheral edge of the lid and one of the discharge electrodes, and the gap can be closed easily by embedding an insulating material in the groove. Can be done.
[0033]
Furthermore, the step of bonding the peripheral portion of the lid to the upper surface of the insulating substrate and the step of closing the gap formed between the one discharge electrode and the peripheral portion of the lid are simultaneously heated in an inert gas. Therefore, the manufacturing process of the surge absorber can be reduced, and efficient manufacturing becomes possible.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view of a surge absorber according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a surge absorber according to an embodiment of the present invention.
3A is an explanatory view showing a state before the bonding material is heated and melted, and FIG. 3B is an explanatory view showing a state after the bonding material is heated and melted.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a conventional surge absorber.
[Explanation of symbols]
10 Surge Absorber 11 Insulating Substrate 11A Upper Surface 12, 13 Discharge Electrodes 12A, 13A Base End 14 Discharge Gap 15 Lid 15A Peripheral 16 Gap 17 Insulating Material 18 Terminal Electrode A Bonding Material

Claims (5)

絶縁基板の上面において放電間隙が画成されるように、互いに相対向する一対の放電電極を形成するとともに、前記放電間隙の上方空間を囲うように蓋体の周縁部を前記絶縁性基板の上面に接合材により接合する蓋体接合工程と、該蓋体によって形成される内部空間に不活性ガスを封入するガス封入工程とを有するサージアブソーバの製造方法であって、
前記蓋体接合工程は、金属粉末と無機結合材とを含む導電性材料により、一方の放電電極を、先端部が前記絶縁性基板の上面に位置するとともに基端部が前記絶縁性基板の上面に設けられた溝部内に位置するように形成する工程と、他方の放電電極を前記絶縁性基板の上面に形成する工程と、絶縁性無機物からなる前記接合材を、金属製の前記蓋体の周縁部または前記他方の放電電極のうちの少なくとも一方に塗布して、前記蓋体を前記絶縁性基板の上面に載置し、前記蓋体を、その周縁部の一部が前記溝部の上方に位置するように接合して、前記一方の放電電極と前記蓋体の周縁部との間に間隙を設ける工程と、前記蓋体の周縁部を加熱して前記接合材を前記無機結合材に反応溶融させて前記他方の放電電極に吸収させ消滅させることにより、前記他方の放電電極と前記蓋体の周縁部とを電気的に接合する工程とを有し、
前記ガス封入工程は、前記間隙に内外の通気が可能な絶縁材ペーストを塗布する工程と、 不活性ガス雰囲気中で前記間隙の絶縁材ペーストを加熱して溶融させることにより該間隙を気密状態に閉塞する工程とを有することを特徴とするサージアブソーバの製造方法。
As the discharge gap is defined in the upper surface of the insulating substrate, and forming a pair of discharge electrodes facing each other, the upper surface of the insulating substrate to the peripheral portion of the lid so as to surround the upper space of the discharge gap A method of manufacturing a surge absorber, comprising: a lid joining step for joining with a joining material; and a gas filling step for filling an inert gas in an internal space formed by the lid,
In the lid bonding step , one discharge electrode is made of a conductive material including a metal powder and an inorganic binder, and a distal end portion is positioned on the upper surface of the insulating substrate and a base end portion is an upper surface of the insulating substrate. Forming the other discharge electrode on the upper surface of the insulating substrate, and forming the bonding material made of an insulating inorganic material on the metal lid. The lid is applied to at least one of the peripheral edge or the other discharge electrode , the lid is placed on the upper surface of the insulating substrate, and the lid is partially over the groove. A step of providing a gap between the one discharge electrode and the peripheral portion of the lid, and heating the peripheral portion of the lid to react the bonding material to the inorganic binder. to be extinguished is absorbed into the other discharge electrode is melted , And a step of electrically bonding the peripheral portion of the other discharge electrode and the lid body,
The gas sealing step includes a step of applying an insulating paste capable of venting inside and outside the gap, and heating and melting the insulating paste in the gap in an inert gas atmosphere to make the gap airtight. A method of manufacturing a surge absorber.
請求項1に記載のサージアブソーバの製造方法において、前記接合材を、前記ガス封入工程における前記間隙を閉塞する工程の加熱時に同時に溶融させることを特徴とするサージアブソーバの製造方法。 The method of manufacturing a surge absorber according to claim 1 , wherein the bonding material is melted simultaneously with heating in the step of closing the gap in the gas sealing step. 請求項1または請求項2に記載のサージアブソーバの製造方法において、前記無機結合材を、SiO,B,NaO,PbO,ZnOまたはBaOのうちの1種または2種以上の酸化物を主成分とするガラス微粒子により構成し、前記接合材を、SiOまたは50重量%以上のSiOと残部がAl,MgO,ZrOまたはTiOのうちの1種または2種以上の酸化物により構成することを特徴とするサージアブソーバの製造方法。The method of manufacturing a surge absorber according to claim 1 or claim 2, the inorganic binding material, SiO 2, B 2 O 3 , Na 2 O, PbO, of ZnO or BaO 1 or more kinds of constituted by glass fine particle mainly comprising oxides, the bonding material, SiO 2 or 50 wt% or more of SiO 2 and the balance Al 2 O 3, MgO, 1 kind of ZrO 2 or TiO 2 or 2 A method of manufacturing a surge absorber, comprising an oxide of a seed or more. 請求項1または請求項2に記載のサージアブソーバの製造方法において、前記無機結合材を、SiO,B,NaO,PbO,ZnOまたはBaOのうちの1種または2種以上の酸化物を主成分とするガラス微粒子により構成し、前記接合材を、SiO,B,NaO,PbO,ZnOまたはBaOのうちの1種または2種以上の酸化物を主成分とするガラスにより構成することを特徴とするサージアブソーバの製造方法。The method of manufacturing a surge absorber according to claim 1 or claim 2, the inorganic binding material, SiO 2, B 2 O 3 , Na 2 O, PbO, of ZnO or BaO 1 or more kinds of It is composed of glass fine particles mainly composed of an oxide, and the bonding material is composed mainly of one or more oxides of SiO 2 , B 2 O 3 , Na 2 O, PbO, ZnO or BaO. A method of manufacturing a surge absorber, comprising: 絶縁性基板の上面に画成される放電間隙を介し、互いに相対向して一対の放電電極が形成されるとともに、前記放電間隙の上方空間を囲うように蓋体の周縁部が前記絶縁性基板の上面に接合され、該蓋体によって形成される内部空間に不活性ガスが封入されたサージアブソーバであって、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のサージアブソーバの製造方法によって製造されるサージアブソーバ。 A pair of discharge electrodes are formed opposite to each other via a discharge gap defined on the upper surface of the insulating substrate, and a peripheral portion of the lid is surrounded by the insulating substrate so as to surround the space above the discharge gap. A surge absorber that is joined to the upper surface of the metal and in which an inert gas is sealed in an internal space formed by the lid, and is manufactured by the method of manufacturing a surge absorber according to any one of claims 1 to 4. Surge absorber.
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