JP4232577B2 - Radiation sensitive resin composition - Google Patents

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本発明は、ＫｒＦエキシマレーザーあるいはＡｒＦエキシマレーザーに代表される遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒子線の如き各種の放射線を使用する微細加工に有用な化学増幅型レジストとして好適に使用することができる感放射線性樹脂組成物に関する。   The present invention is a chemically amplified resist useful for microfabrication using various types of radiation such as deep ultraviolet rays such as KrF excimer laser or ArF excimer laser, X-rays such as synchrotron radiation, and charged particle beams such as electron beams. It is related with the radiation sensitive resin composition which can be used conveniently as.

集積回路素子の製造に代表される微細加工の分野においては、より高い集積度を得るために、最近では０．２０μｍ以下のレベルでの微細加工が可能なリソグラフィー技術が必要とされている。
しかし、従来のリソグラフィープロセスでは、一般に放射線としてｉ線等の近紫外線が用いられているが、この近紫外線では、サブクオーターミクロンレベルの微細加工が極めて困難であると言われている。
そこで、０．２０μｍ以下のレベルでの微細加工を可能とするために、より波長の短い放射線の利用が検討されている。このような短波長の放射線としては、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、電子線等を挙げることができるが、これらのうち、特にＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）あるいはＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）が注目されている。 In the field of microfabrication represented by the manufacture of integrated circuit elements, in order to obtain a higher degree of integration, recently, a lithography technique capable of microfabrication at a level of 0.20 μm or less is required.
However, in the conventional lithography process, near ultraviolet rays such as i rays are generally used as radiation, and it is said that fine processing at the subquarter micron level is extremely difficult with this near ultraviolet rays.
Therefore, in order to enable microfabrication at a level of 0.20 μm or less, use of radiation having a shorter wavelength is being studied. Examples of such short-wavelength radiation include an emission line spectrum of a mercury lamp, far-ultraviolet rays typified by excimer laser, X-rays, and electron beams. ) Or ArF excimer laser (wavelength 193 nm) has been attracting attention.

このようなエキシマレーザーによる照射に適したレジストとして、酸解離性官能基を有する成分と放射線の照射（以下、「露光」という。）により酸を発生する成分（以下、「酸発生剤」という。）とによる化学増幅効果を利用したレジスト（以下、「化学増幅型レジスト」という。）が数多く提案されている。
化学増幅型レジストとしては、例えば、カルボン酸のｔ−ブチルエステル基またはフェノールのｔ−ブチルカーボナート基を有する重合体と酸発生剤とを含有するレジストが提案されている（特許文献１参照）。このレジストは、露光により発生した酸の作用により、重合体中に存在するｔ−ブトキシカルボニル基あるいはｔ−ブチルカーボナート基が解離して、該重合体がカルボキシル基あるいはフェノール性水酸基からなる酸性基を有するようになり、その結果、レジスト被膜の露光領域がアルカリ現像液に易溶性となる現象を利用したものである。 As a resist suitable for irradiation with such an excimer laser, a component having an acid-dissociable functional group and a component that generates an acid upon irradiation with radiation (hereinafter referred to as “exposure”) (hereinafter referred to as “acid generator”). Many resists that utilize the chemical amplification effect (hereinafter referred to as “chemically amplified resist”) have been proposed.
As the chemically amplified resist, for example, a resist containing a polymer having a t-butyl ester group of carboxylic acid or a t-butyl carbonate group of phenol and an acid generator has been proposed (see Patent Document 1). . This resist has an acid group formed of a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group by dissociation of a t-butoxycarbonyl group or t-butyl carbonate group present in the polymer by the action of an acid generated by exposure. As a result, it utilizes the phenomenon that the exposed region of the resist film becomes readily soluble in an alkaline developer.

ところで、従来の化学増幅型レジストの多くは、フェノール系樹脂をベースにするものであるが、このような樹脂の場合、放射線として遠紫外線を使用すると、樹脂中の芳香族環に起因して遠紫外線が吸収されるため、露光された遠紫外線がレジスト被膜の下層部まで十分に到達できないという欠点があり、そのため露光量がレジスト被膜の上層部では多く、下層部では少なくなり、現像後のレジストパターンのパターンプロファイルが上部で細く下部にいくほど太い台形状になってしまい、十分な解像度が得られないなどの問題があった。その上、現像後のパターンプロファイルが台形状となった場合、次の工程、即ちエッチングやイオンの打ち込みなどを行う際に、所望の寸法精度が達成できず、問題となっていた。しかも、パターンプロファイル上部の辺と側壁とがほぼ直角になる矩形状でないと、ドライエッチングによるレジストの消失速度が速くなってしまい、エッチング条件の制御が困難になる問題もあった。   By the way, many of the conventional chemically amplified resists are based on a phenolic resin. However, in the case of such a resin, if far ultraviolet rays are used as radiation, the far-field is caused by an aromatic ring in the resin. Since ultraviolet rays are absorbed, there is a drawback that the exposed far ultraviolet rays cannot sufficiently reach the lower layer part of the resist film. Therefore, the exposure amount is higher in the upper layer part of the resist film and lower in the lower layer part. There is a problem that the pattern profile of the pattern becomes narrower at the top and becomes thicker as it goes down, and a sufficient resolution cannot be obtained. In addition, when the pattern profile after development has a trapezoidal shape, a desired dimensional accuracy cannot be achieved in the next step, that is, etching or ion implantation, which is a problem. In addition, if the upper side of the pattern profile and the side wall of the pattern profile are not rectangular, the resist disappearance rate due to dry etching is increased, which makes it difficult to control the etching conditions.

一方、レジストのパターンプロファイルは、レジスト被膜の放射線透過率を高めることにより改善することができる。例えば、ポリメチルメタクリレートに代表される（メタ）アクリレート系樹脂は、遠紫外線に対しても透明性が高く、放射線透過率の観点から非常に好ましい樹脂であり、例えばメタクリレート系樹脂を使用した化学増幅型レジストが提案されている（特許文献２参照）。
しかしながら、この組成物は、微細加工性能の点では優れているものの、芳香族環をもたないため、ドライエッチング耐性が低いという欠点があり、この場合も高精度のエッチング加工を行うことが困難であり、放射線に対する透明性とドライエッチング耐性とを兼ね備えたものとは言えない。 On the other hand, the resist pattern profile can be improved by increasing the radiation transmittance of the resist film. For example, (meth) acrylate resins typified by polymethyl methacrylate are highly transparent to far ultraviolet rays and are very preferable from the viewpoint of radiation transmittance. For example, chemical amplification using methacrylate resins A type resist has been proposed (see Patent Document 2).
However, although this composition is excellent in terms of microfabrication performance, it does not have an aromatic ring and thus has a drawback of low dry etching resistance. In this case as well, it is difficult to perform highly accurate etching. Therefore, it cannot be said that it has both transparency to radiation and dry etching resistance.

また、化学増幅型レジストについて、放射線に対する透明性を損なわないで、ドライエッチング耐性を改善する方策の一つとして、レジスト中の樹脂成分に、芳香族環に代えて脂肪族環を導入する方法が知られており、例えば脂肪族環を有する（メタ）アクリレート系樹脂を使用した化学増幅型レジストが提案されている（特許文献３参照）。
しかしながら、このレジストでは、樹脂成分が有する酸解離性官能基として、従来の酸により比較的解離し易い基（例えば、テトラヒドロピラニル基等のアセタール系官能基）や酸により比較的解離し難い基（例えば、ｔ−ブチルエステル基、ｔ−ブチルカーボネート基等のｔ−ブチル系官能基）が用いられており、前者の酸解離性官能基を有する樹脂成分の場合、レジストの基本物性、特に感度やパターンプロファイルは良好であるが、組成物としての保存安定性に難点があり、また後者の酸解離性官能基を有する樹脂成分では、逆に保存安定性は良好であるが、レジストの基本物性、特に感度やパターンプロファイルが損なわれるという欠点がある。さらに、このレジスト中の樹脂成分には脂肪族環が導入されているため、樹脂自体の疎水性が非常に高くなり、基板に対する接着が不十分になるという問題があった。
また、化学増幅型レジストを用いてレジストパターンを形成する際には、酸解離性官能基の解離を促進するため、通常露光後に加熱処理されるが、普通、その加熱温度が変化するとレジストパターンの線幅もある程度変動するのが避けられない。しかし、近年における集積回路素子の微細化を反映して、露光後の加熱温度の変化に対しても線幅の変動（即ち温度依存性）が小さいレジストの開発も強く求められるようになってきた。 In addition, for chemically amplified resists, as one of the measures for improving dry etching resistance without impairing transparency to radiation, there is a method of introducing an aliphatic ring instead of an aromatic ring into the resin component in the resist. For example, a chemically amplified resist using a (meth) acrylate resin having an aliphatic ring has been proposed (see Patent Document 3).
However, in this resist, as the acid dissociable functional group of the resin component, groups that are relatively easily dissociated by conventional acids (for example, acetal functional groups such as tetrahydropyranyl groups) and groups that are relatively hardly dissociated by acids (For example, t-butyl functional groups such as t-butyl ester groups and t-butyl carbonate groups) are used, and in the case of the former resin component having an acid-dissociable functional group, basic physical properties of the resist, particularly sensitivity The pattern profile is good, but the storage stability of the composition is difficult, and the latter resin component with acid-dissociable functional groups has good storage stability, but the basic physical properties of the resist. In particular, the sensitivity and pattern profile are impaired. Furthermore, since an aliphatic ring is introduced into the resin component in the resist, there is a problem that the hydrophobicity of the resin itself becomes very high and adhesion to the substrate becomes insufficient.
In addition, when a resist pattern is formed using a chemically amplified resist, heat treatment is usually performed after exposure in order to promote dissociation of the acid-dissociable functional group. Normally, when the heating temperature is changed, the resist pattern is changed. It is inevitable that the line width also fluctuates to some extent. However, reflecting the recent miniaturization of integrated circuit elements, development of a resist having a small line width variation (that is, temperature dependency) with respect to a change in heating temperature after exposure has been strongly demanded. .

さらに、化学増幅型レジストにおいては、酸発生剤がレジストとしての機能に大きな影響を及ぼすことが知られており、今日では、露光による酸発生の量子収率が高く、高感度であるなどの理由から、オニウム塩化合物が化学増幅レジストの酸発生剤として広く使用されている。
前記オニウム塩化合物としては、例えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等が使用されているが、これらの従来のオニウム塩化合物は、一般に感度の点で満足できず、また感度が比較的高い場合でも、解像度、パターンプロファイル等を総合したレジスト性能の点で未だ十分とは言えない。 Furthermore, in chemically amplified resists, it is known that acid generators have a significant effect on resist functions. Today, the reason is that the quantum yield of acid generation by exposure is high and the sensitivity is high. Therefore, onium salt compounds are widely used as acid generators for chemically amplified resists.
Examples of the onium salt compound include triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium naphthalenesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, and the like, and these conventional onium salt compounds. In general, this method is not satisfactory in terms of sensitivity, and even when the sensitivity is relatively high, it is still not sufficient in terms of resist performance that combines resolution, pattern profile, and the like.

このような状況の下、集積回路素子における微細化の進行に対応しうる技術開発の観点から、遠紫外線に代表される短波長の放射線に適応可能で、放射線に対する透明性が高く、かつ感度、解像度、パターンプロファイル等のレジストとしての基本物性に優れた化学増幅型レジストが強く求められている。   Under such circumstances, from the viewpoint of technological development that can respond to the progress of miniaturization in integrated circuit elements, it can be applied to short-wavelength radiation typified by far ultraviolet rays, has high transparency to radiation, and is sensitive. There is a strong demand for a chemically amplified resist having excellent basic physical properties as a resist such as resolution and pattern profile.

特公平２−２７６６０号公報JP-B-2-27660 特開平４−２２６４６１号公報JP-A-4-226461 特開平７−２３４５１１号公報JP-A-7-234511

本発明の課題は、放射線に対する透明性が高く、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターンプロファイル等のレジストとしての基本物性に優れる化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a radiation-sensitive resin composition useful as a chemically amplified resist having high transparency to radiation and excellent basic properties as a resist such as sensitivity, resolution, dry etching resistance, and pattern profile. is there.

本発明によると、前記課題は、
（Ａ）下記一般式（１）〜（６）で表される繰返し単位群から選ばれる少なくとも２種の繰り返し単位を有し、それら繰返し単位の各々の含有量が１〜４９ｍｏｌ％であり、かつそれら繰返し単位の合計含有量が５〜７０ｍｏｌ％であり、さらに酸の作用によりアルカリ易溶性となるアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂、および
（Ｂ）感放射線性酸発生剤
を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物により解決することができる。 According to the present invention, the problem is
(A) It has at least two types of repeating units selected from the repeating unit group represented by the following general formulas (1) to (6), and the content of each of these repeating units is 1 to 49 mol%, and The total content of these repeating units is 5 to 70 mol%, and further contains an alkali-insoluble or alkali-insoluble resin that becomes readily alkali-soluble by the action of an acid, and (B) a radiation-sensitive acid generator. This can be solved by the radiation sensitive resin composition.

Figure 0004232577

〔一般式（１）〜（６）の各式において、Ｒ１ は水素原子またはメチル基を示し、Ｒ２は置換基を有してもよい炭素原子数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ２が複数存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
Figure 0004232577
[In the general formulas (1) to (6), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents an optionally substituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R When two or more 2 exists, they may be the same or different. ]

本発明の感放射線性樹脂組成物は、活性光線、例えばＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）あるいはＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）に代表される遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして有用であり、特に放射線に対する透明性が高く、高解像度であり、かつ感度、ドライエッチング耐性、パターンプロファイル等を含めたレジストとしての基本物性に優れるとともに、プロセスマージンおよびＬＥＲをバランスよく発現することができる。特定の樹脂、酸発生剤および溶剤を組み合わせることにより、優れて性能が発現され、また基板に対する接着性およびパターンの裾形状も良好となり、今後ますます微細化が進行すると予想される集積回路素子の製造に極めて好適に使用することができる。   The radiation-sensitive resin composition of the present invention is useful as a chemically amplified resist that is sensitive to actinic rays, for example, far ultraviolet rays represented by KrF excimer laser (wavelength 248 nm) or ArF excimer laser (wavelength 193 nm). In addition to being excellent in basic physical properties as a resist including sensitivity, dry etching resistance, pattern profile, etc., it is possible to express process margin and LER in a balanced manner. By combining specific resins, acid generators and solvents, excellent performance is achieved, and adhesion to the substrate and pattern skirt shape are also improved. It can be used very suitably for production.

以下、本発明を詳細に説明する。
−（Ａ）成分−
本発明における（Ａ）成分は、前記一般式（１）〜（６）で表される繰返し単位群から選ばれる少なくとも２種の繰り返し単位を有する重合体からなり、それらの繰返し単位が各々重合体を構成する構造単位全体に対して１〜４９ｍｏｌ％存在し、かつそれら繰返し単位の合計量が５〜７０ｍｏｌ％であり、さらに酸の作用によりアルカリ易溶性となるアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂（以下、「樹脂（Ａ）」という。）である。
ここでいう「アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性」とは、樹脂（Ａ）を含有する感放射線性樹脂組成物から形成されたレジスト被膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件（好ましくはｐＨが８〜１４のアルカリ水溶液、さらに好ましくはｐＨが９〜１４のアルカリ水溶液で現像する条件）下で、当該レジスト被膜の代わりに樹脂（Ａ）のみを用いた被膜を現像した場合に、当該被膜の初期膜厚の５０％以上が現像後に残存する性質を意味する。「アルカリ易溶性」とは、同様の処理で被膜が溶解して初期膜厚の５０％以上が失われる性質を意味する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
-(A) component-
The component (A) in the present invention comprises a polymer having at least two types of repeating units selected from the repeating unit group represented by the general formulas (1) to (6), and each of these repeating units is a polymer. 1 to 49 mol% with respect to the entire structural units constituting the resin, and the total amount of these repeating units is 5 to 70 mol%, and further, an alkali-insoluble or hardly-alkali-soluble resin that becomes readily alkali-soluble by the action of acid Hereinafter, it is referred to as “resin (A)”.
The term “alkali insoluble or alkali insoluble” as used herein refers to alkali development conditions (preferably used for forming a resist pattern from a resist film formed from a radiation-sensitive resin composition containing the resin (A)). when developing a film using only the resin (A) instead of the resist film under an alkaline aqueous solution having a pH of 8-14, more preferably an alkaline aqueous solution having a pH of 9-14. It means that 50% or more of the initial film thickness of the film remains after development. “Alkali readily soluble” means the property that the film is dissolved by the same treatment and 50% or more of the initial film thickness is lost.

以下、一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、一般式（４）、一般式（５）および一般式（６）で表される繰返し単位を、それぞれ、繰返し単位（１）、繰返し単位（２）、繰返し単位（３）、繰返し単位（４）、繰返し単位（５）および繰返し単位（６）という。
繰返し単位（１）〜繰返し単位（６）は、それぞれ、下記一般式（１ｍ）〜（６ｍ）で表される単量体に由来する。 Hereinafter, the repeating units represented by the general formula (1), the general formula (2), the general formula (3), the general formula (4), the general formula (5), and the general formula (6) are respectively represented by repeating units ( 1), repeating unit (2), repeating unit (3), repeating unit (4), repeating unit (5) and repeating unit (6).
The repeating unit (1) to the repeating unit (6) are derived from monomers represented by the following general formulas (1m) to (6m), respectively.

Figure 0004232577

〔一般式（１ｍ）〜（６ｍ）の各式において、Ｒ１およびＲ２は一般式（１）〜（６）に関して定義のとおりである。〕
これらは二種以上を組み合わせて使用することができる。
樹脂（Ａ）は、繰返し単位（１）〜（６）以外の繰返し単位（以下、「他の繰返し単位」という。）を有することもできる。
Figure 0004232577
[In each formula of the general formulas (1m) to (6m), R 1 and R 2 are as defined for the general formulas (1) to (6). ]
These can be used in combination of two or more.
The resin (A) can also have a repeating unit other than the repeating units (1) to (6) (hereinafter referred to as “other repeating unit”).

他の繰返し単位を与える重合性不飽和単量体としては、例えば、
（メタ）アクリル酸ノルボルニル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸トリシクロデカニル、（メタ）アクリル酸テトラシクロデカニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニル、（メタ）アクリル酸アダマンチル、（メタ）アクリル酸−３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、（メタ）アクリル酸−３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチル、（メタ）アクリル酸−３−オキソ−１−アダマンチル、（メタ）アクリル酸アダマンチルメチル等の有橋式炭化水素骨格を有する（メタ）アクリル酸エステル類； Examples of the polymerizable unsaturated monomer that gives other repeating units include:
Norbornyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, tetracyclodecanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, adamantyl (meth) acrylate, (Meth) acrylic acid-3-hydroxy-1-adamantyl, (meth) acrylic acid-3,5-dihydroxy-1-adamantyl, (meth) acrylic acid-3-oxo-1-adamantyl, (meth) acrylic acid adamantyl (Meth) acrylic acid esters having a bridged hydrocarbon skeleton such as methyl;

（メタ）アクリル酸カルボキシノルボルニル、（メタ）アクリル酸カルボキシトリシクロデカニル、（メタ）アクリル酸カルボキシテトラシクロデカニル等の不飽和カルボン酸の（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−メチルプロピル、（メタ）アクリル酸１−メチルプロピル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸シクロプロピル、（メタ）アクリル酸シクロペンチル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸４−メトキシシクロヘキシル、（メタ）アクリル酸２−シクロペンチルオキシカルボニルエチル、（メタ）アクリル酸２−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、（メタ）アクリル酸２−（４−メトキシシクロヘキシル）オキシカルボニルエチル等の有橋式炭化水素骨格をもたない（メタ）アクリル酸エステル類； (Meth) acrylic acid carboxynorbornyl, (meth) acrylic acid carboxytricyclodecanyl, (meth) acrylic acid carboxytetracyclodecanyl and other unsaturated carboxylic acid methyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid Ethyl, n-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, 2-methylpropyl (meth) acrylate, 1-methylpropyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, ( 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, cyclopropyl (meth) acrylate, cyclopentyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate , (Meth) acrylic acid 4-methoxycyclohexyl, (meth) acrylic It does not have a bridged hydrocarbon skeleton such as 2-cyclopentyloxycarbonylethyl acid, 2-cyclohexyloxycarbonylethyl (meth) acrylate, 2- (4-methoxycyclohexyl) oxycarbonylethyl (meth) acrylate, etc. ) Acrylic esters;

α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸ｎ−プロピル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸ｎ−ブチル等のα−ヒドロキシメチルアクリル酸エステル類；
（メタ）アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル化合物；
（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物； α-hydroxymethyl acrylate esters such as methyl α-hydroxymethyl acrylate, ethyl α-hydroxymethyl acrylate, n-propyl α-hydroxymethyl acrylate, n-butyl α-hydroxymethyl acrylate;
Unsaturated nitrile compounds such as (meth) acrylonitrile, α-chloroacrylonitrile, crotonnitrile, maleinonitrile, fumaronitrile, mesaconnitrile, citraconenitrile, itaconnitrile;
Unsaturated amide compounds such as (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, crotonamide, maleinamide, fumaramide, mesaconamide, citraconamide, itaconamide;

Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリン、Ｎ−ビニル−ε−カプロラクタム、Ｎ−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物；
（メタ）アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、無水イタコン酸、シトラコン酸、無水シトラコン酸、メサコン酸等の不飽和カルボン酸（無水物）類；
（メタ）アクリル酸２−カルボキシエチル、（メタ）アクリル酸２−カルボキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−カルボキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−カルボキシブチル、（メタ）アクリル酸４−カルボキシシクロヘキシル等の不飽和カルボン酸の有橋式炭化水素骨格をもたないカルボキシル基含有エステル類； Other nitrogen-containing vinyl compounds such as N- (meth) acryloylmorpholine, N-vinyl-ε-caprolactam, N-vinylpyrrolidone, vinylpyridine, vinylimidazole;
Unsaturated carboxylic acids (anhydrides) such as (meth) acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, maleic anhydride, fumaric acid, itaconic acid, itaconic anhydride, citraconic acid, citraconic anhydride, mesaconic acid;
(Meth) acrylic acid 2-carboxyethyl, (meth) acrylic acid 2-carboxypropyl, (meth) acrylic acid 3-carboxypropyl, (meth) acrylic acid 4-carboxybutyl, (meth) acrylic acid 4-carboxycyclohexyl, etc. Carboxyl group-containing esters having no bridged hydrocarbon skeleton of the unsaturated carboxylic acid of

α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−メトキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−エトキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−ｎ−プロポキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−ｉ−プロポキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−ｎ−ブトキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−（２−メチルプロポキシ）カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−（１−メチルプロポキシ）カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−ｔ−ブトキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−シクロヘキシルオキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−（４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシ）カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−フェノキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−（１−エトキシエトキシ）カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−（１−シクロヘキシルオキシエトキシ）カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−テトラヒドロフラニルオキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、 α- (meth) acryloyloxy-β-methoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-ethoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-n-propoxycarbonyl-γ -Butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-i-propoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-n-butoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β -(2-methylpropoxy) carbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β- (1-methylpropoxy) carbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-t-butoxycarbonyl- γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyl Oxy-β-cyclohexyloxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β- (4-t-butylcyclohexyloxy) carbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-phenoxycarbonyl- γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β- (1-ethoxyethoxy) carbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β- (1-cyclohexyloxyethoxy) carbonyl-γ-butyrolactone, α -(Meth) acryloyloxy-β-t-butoxycarbonylmethoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-tetrahydrofuranyloxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-tetrahi B pyranyl butyloxycarbonyl -γ- butyrolactone,

α−メトキシカルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−エトキシカルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−ｎ−プロポキシカルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−ｉ−プロポキシカルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−ｎ−ブトキシカルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−（２−メチルプロポキシ）カルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−（１−メチルプロポキシ）カルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−ｔ−ブトキシカルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−シクロヘキシルオキシカルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−（４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシ）カルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−フェノキシカルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−（１−エトキシエトキシ）カルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−（１−シクロヘキシルオキシエトキシ）カルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−テトラヒドロフラニルオキシカルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−テトラヒドロピラニルオキシカルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、β−（メタ）アクリロイルオキシ−β−メチル−δ−バレロラクトン
等の酸解離性基を有する（メタ）アクリロイルオキシラクトン化合物； α-methoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-ethoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-n-propoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ -Butyrolactone, α-i-propoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-n-butoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α- (2-methylpropoxy) carbonyl -Β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α- (1-methylpropoxy) carbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-t-butoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy- γ-butyrolactone, α-cyclohexyloxy Carbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α- (4-t-butylcyclohexyloxy) carbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-phenoxycarbonyl-β- (meth) acryloyl Oxy-γ-butyrolactone, α- (1-ethoxyethoxy) carbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α- (1-cyclohexyloxyethoxy) carbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone , Α-t-butoxycarbonylmethoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-tetrahydrofuranyloxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-tetrahydropyranyloxycarbonyl-β (Meth) acryloyloxy -γ- butyrolactone, beta-(meth) acrylate having an acryloyloxy -β- methyl -δ- valeronitrile acid-dissociable group of the lactone, such as (meth) acryloyloxy lactone compounds;

α−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−フルオロ−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−メチル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−エチル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β，β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−メトキシ−γ−ブチロラクトン、
α−フルオロ−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−ヒドロキシ−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−メチル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−エチル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α，α−ジメチル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−メトキシ−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−δ−バレロラクトン、β−（メタ）アクリロイルオキシ−δ−バレロラクトン、δ−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−バレロラクトン、δ−（メタ）アクリロイルオキシ−β−メチル−γ−バレロラクトン、δ−（メタ）アクリロイルオキシ−β、β−ジメチル−γ−バレロラクトン、２−（メタ）アクリロイルオキシ−５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０３，７］ノナン、２−（メタ）アクリロイルオキシ−９−メトキシカルボニル−５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０３，７］ノナン、４−（メタ）アクリロイルオキシ−７−オキソ−６−オキサビシクロ［３．２．１］オクタン、４−（メタ）アクリロイルオキシ−２−メトキシカルボニル−７−オキソ−６−オキサビシクロ［３．２．１］オクタン、８（９）−（メタ）アクリロイルオキシ−３−オキソ−４−オキサトリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン
等の酸解離性基をもたない（メタ）アクリロイルオキシラクトン化合物
等の単官能性単量体、 α- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-fluoro-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β- Hydroxy-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-methyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-ethyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β, β- Dimethyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-methoxy-γ-butyrolactone,
α-fluoro-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-hydroxy-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-methyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α- Ethyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α, α-dimethyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-methoxy-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α- (Meth) acryloyloxy-δ-valerolactone, β- (meth) acryloyloxy-δ-valerolactone, δ- (meth) acryloyloxy-γ-valerolactone, δ- (meth) acryloyloxy-β-methyl-γ -Valerolactone, δ- (meth) acryloyloxy-β, β-dimethyl-γ-valerolactone, 2- (meth) acryloyloxy-5-oxo-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonane, 2- (meth) acryloyloxy-9-methoxycarbonyl-5-oxo-4- Oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonane, 4- (meth) acryloyloxy-7-oxo-6-oxabicyclo [3.2.1] octane, 4- (meth) acryloyloxy- 2-methoxycarbonyl-7-oxo-6-oxabicyclo [3.2.1] octane, 8 (9)-(meth) acryloyloxy-3-oxo-4-oxatricyclo [5,2,1,0 2,6 ] monofunctional monomer such as (meth) acryloyloxylactone compound having no acid dissociable group such as decane,

１，２−アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３−アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカニルジメチロールジ（メタ）アクリレート等の有橋式炭化水素骨格を有する多官能性単量体； 1,2-adamantanediol di (meth) acrylate, 1,3-adamantanediol di (meth) acrylate, 1,4-adamantanediol di (meth) acrylate, tricyclodecanyl dimethylol di (meth) acrylate, etc. A polyfunctional monomer having a bridged hydrocarbon skeleton;

メチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、２，５−ジメチル−２，５−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，８−オクタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ビス（２−ヒドロキシプロピル）ベンゼンジ（メタ）アクリレート、１，３−ビス（２−ヒドロキシプロピル）ベンゼンジ（メタ）アクリレート等の有橋式炭化水素骨格をもたない多官能性単量体
等の多官能性単量体を挙げることができる。 Methylene glycol di (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 2,5-dimethyl-2,5-hexanediol di ( (Meth) acrylate, 1,8-octanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, 1,4-bis (2-hydroxypropyl) benzenedi (meth) acrylate, 1,3-bis A polyfunctional monomer such as a polyfunctional monomer having no bridged hydrocarbon skeleton such as (2-hydroxypropyl) benzenedi (meth) acrylate can be exemplified.

これらの他の繰り返し単位を与える重合性不飽和単量体のうち、有橋式炭化水素骨格を有する（メタ）アクリル酸エステル類等が好ましい。
より好ましい重合性不飽和単量体としては、（メタ）アクリル酸−３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、（メタ）アクリル酸−３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチル、（メタ）アクリル酸−３−オキソ−１−アダマンチル、２−（メタ）アクリロイルオキシ−５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０３，７］ノナン、２−（メタ）アクリロイルオキシ−９−メトキシカルボニル−５−オキソ−４−オキサトリシクロ［４．２．１．０３，７］ノナン、４−（メタ）アクリロイルオキシ−７−オキソ−６−オキサビシクロ［３．２．１］オクタン、４−（メタ）アクリロイルオキシ−２−メトキシカルボニル−７−オキソ−６−オキサビシクロ［３．２．１］オクタン、８（９）−（メタ）アクリロイルオキシ−３−オキソ−４−オキサトリシクロ［５，２，１，０２，６］デカン等を挙げることができる。
樹脂（Ａ）において、他の繰り返し単位は、一種単独でも２種以上組み合わさっても存在することができる。 Of these polymerizable unsaturated monomers giving other repeating units, (meth) acrylic acid esters having a bridged hydrocarbon skeleton are preferred.
More preferable polymerizable unsaturated monomers include (meth) acrylic acid-3-hydroxy-1-adamantyl, (meth) acrylic acid-3,5-dihydroxy-1-adamantyl, (meth) acrylic acid-3- Oxo-1-adamantyl, 2- (meth) acryloyloxy-5-oxo-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonane, 2- (meth) acryloyloxy-9-methoxycarbonyl- 5-oxo-4-oxatricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonane, 4- (meth) acryloyloxy-7-oxo-6-oxabicyclo [3.2.1] octane, 4- (Meth) acryloyloxy-2-methoxycarbonyl-7-oxo-6-oxabicyclo [3.2.1] octane, 8 (9)-(meth) acryloyloxy-3-oxo 4-oxatricyclo [5,2,1,0 2,6] decane, and the like.
In the resin (A), other repeating units can be present singly or in combination of two or more.

樹脂（Ａ）において、繰り返し単位（１）〜（６）からなる群から選ばれた少なくとも２種以上の繰返し単位の含有率は、樹脂を構成する重合体中の全繰り返し単位に対して、各々、１〜４９ｍｏｌ％、好ましくは３〜４０ｍｏｌ％であり、それらの合計が５〜７０ｍｏｌ％となることが好ましい。この場合、繰り返し単位（１）〜（６）群から選ばれた繰返し単位の含有率の合計が５モル％未満では、レジストの現像時のコントラストが得られないと共に、解像度が劣化し、現像欠陥の一因となる傾向があり、一方７０モル％を超えると、現像液に対するコントラストは向上するが、現像性の低下および感度が著しく劣化する傾向がある。
さらに、他の繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単位に対して、通常、９５モル％以下、好ましくは８０モル％以下である。 In the resin (A), the content of at least two or more types of repeating units selected from the group consisting of the repeating units (1) to (6) is as follows with respect to all the repeating units in the polymer constituting the resin. 1 to 49 mol%, preferably 3 to 40 mol%, and the total thereof is preferably 5 to 70 mol%. In this case, if the total content of the repeating units selected from the repeating units (1) to (6) is less than 5 mol%, the contrast at the time of developing the resist cannot be obtained, the resolution is deteriorated, and development defects are caused. On the other hand, when it exceeds 70 mol%, the contrast to the developer is improved, but the developability is lowered and the sensitivity tends to be remarkably deteriorated.
Furthermore, the content of other repeating units is usually 95 mol% or less, preferably 80 mol% or less, based on all repeating units.

繰り返し単位（１）〜（６）群から選ばれた繰返し単位の好ましい組合せとしては、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ４Ｈ９）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 As a preferred combination of repeating units selected from the repeating units (1) to (6) group, the repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ), repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : — C 2 H 5 ), repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 4 H 9) combinations), the repeating unit (1) (R 1: -CH 3, R 2: -CH 3) and repeating units ( ) (R 1: -CH 3, R 2: a combination of -CH 3), the repeating unit (1) (R 1: -CH 3, R 2: -CH 3) and the repeating unit (3) (R 1: - CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ), repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : -CH 3 ), repeating unit (1) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -CH 3 ) and repeating unit (4) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -C 2 H the combination of 5), the repeating unit (1) (R 1: -CH 3, R 2: -CH 3) and the repeating unit (5) (R 1: -CH 3, R 2: a combination of -CH 3), repeated Unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : -CH 3 ) combination,

繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ４Ｈ９）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 A combination of a repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1 ) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 4 H 9 ), a repeating unit (1) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -C 2 H 5 ) and the repeating unit (3) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -CH 3 ), the repeating unit (1) (R 1 : -CH 3 , R 2: -C 2 H 5 ) and the repeating unit (3) (R 1: -CH 3, R 2: -C 2 combination of H 5), repeat Unit (1) (R 1: -CH 3, R 2: -C 2 H 5) and the repeating unit (4) (R 1: -CH 3, R 2: -CH 3) a combination of the repeating unit (1) A combination of (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ), a repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 )

繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 A combination of repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), repeating unit (2) ( R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ), a repeating unit (2) (R 1 : — CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) in combination, repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : A combination of —CH 3 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ),

繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 A combination of repeating unit (3) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), repeating unit (3) ( R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ), a repeating unit (3) (R 1 : — Combination of CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), repeating unit (3) (R 1 : —CH 3 , R 2 : A combination of —CH 3 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ),

繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 A combination of a repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ), a repeating unit (4 ) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) in combination, repeating unit (4) (R 1 : — A combination of CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : -C 2 H 5) and the repeating unit (5) (R 1: -CH 3, R 2: a combination of -CH 3), repeating unit (4) (R 1: -CH 3, R 2: -C 2 H 5 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 )

繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 A combination of the repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ),
A combination of the repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ), the repeating unit (1) ( R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (2) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) in combination, repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : -CH 3 ) and repeating unit (2) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ), repeating unit (1) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and Combination of repeating unit (3) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (3) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ), repeating unit (1) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and repeating unit (4) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ), repeating unit (1) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and repeating unit (4) (R 1 : -H, R 2 : the combination of -C 2 H 5), repeating units (1) (R 1: -H , R 2: -CH 3) and the repeating unit (5) (R 1: -H , R 2: a combination of -CH 3) A combination of the repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ),

繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 A combination of the repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ) and the repeating unit (2) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), the repeating unit (1) ( R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ) and the repeating unit (2) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ), the repeating unit (1) (R 1 :- H, R 2 : —C 2 H 5 ) and a repeating unit (3) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : — C 2 H 5 ) and repeating unit (3) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ), repeating unit (1) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ) And the repeating unit (4) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ), repeating the repeating unit (1) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ) Unit (4) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ), repeating unit (1) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ) and repeating unit (5 ) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ), repeating unit (1) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ) and repeating unit (6) (R 1 :- H, R 2 : —CH 3 ),

繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 Combination of repeating unit (2) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (4) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), repeating unit (2) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and the repeating unit (4) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ), the repeating unit (2) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and repeating unit (5) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ), repeating unit (2) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and repeating unit (6) A combination of (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ),
A combination of a repeating unit (3) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (4) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (3) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and the repeating unit (4) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ), the repeating unit (3) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and repeating unit (5) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ), repeating unit (3) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and repeating unit (6) A combination of (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ),

繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）、 A combination of the repeating unit (4) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (4) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ), the repeating unit (4) ( R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and a repeating unit (5) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) in combination, repeating unit (4) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and repeating unit (6) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ), repeating unit (4) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ) and Combination of repeating unit (5) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), repeating unit (4) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ) and repeating unit (6) ( R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ),
Repeating unit (5) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (6) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ),

繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 Combination of repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ), repeating unit (1) A combination of (R 1 : —H 3 , R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1) (R 1 : —H , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ), a repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : — CH 3 ) and repeating unit (3) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) in combination, repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and repeating unit ( 3) Combination of (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ), repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) in combination, the repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (4 ) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ), repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (5) (R 1 : -CH 3, R 2: a combination of -CH 3), the repeating unit (1) (R 1: -H , R 2: -CH 3) and the repeating unit (6) (R 1: -CH 3, R 2: the combination of -CH 3),

繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 Combination of repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ) and repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), repeating unit (1) A combination of (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ) and a repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ), a repeating unit (1) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ) and a repeating unit (3) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -CH 3 ), a repeating unit (1) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ) and a repeating unit (3) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -C 2 H 5 ), a repeating unit (1) (R 1 : -H, R 2 :- C 2 H 5) and the repeating unit (4) (R 1: -CH 3, R 2: a combination of -CH 3), the repeating unit (1) (R 1: -H , R : -C 2 H 5) and the repeating unit (4) (R 1: -CH 3, R 2: -C combination of 2 H 5), repeating units (1) (R 1: -H , R 2: -C 2 H 5 ) and a repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ) A combination of repeating units (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ),

繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 Combination of repeating unit (2) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), repeating unit (2) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and a repeating unit (4) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -C 2 H 5 ), a repeating unit (2) (R 1 : -H, R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) in combination, repeating unit (2) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) And a repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 )
A combination of a repeating unit (3) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (3) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and a repeating unit (4) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -C 2 H 5 ), a repeating unit (3) (R 1 : -H, R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) in combination, repeating unit (3) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) And a repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 )

繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 Combination of repeating unit (4) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ), repeating unit (4) (R 1 : H, R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) in combination, repeating unit (4) (R 1 : —H, R 2 : -CH 3 ) and repeating unit (6) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -CH 3 ), repeating unit (4) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ) And repeating units (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), repeating units (4) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ) and repeating units ( 6) a combination of (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ),
A combination of the repeating unit (5) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ),

繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ４Ｈ９）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 Combination of repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ), repeating unit (1) A combination of (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (2) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (2) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ), a repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : — CH 3 ) and repeating unit (2) (R 1 : —H, R 2 : —C 4 H 9 ), repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and repeating Combination of units (3) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ), repeating units (1) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -C H 3 ) and repeating unit (3) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ), repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and repeating A combination of units (4) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), repeating units (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and repeating units (4) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ), repeating unit (1) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -CH 3 ) and repeating unit (5) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ), a combination of the repeating unit (1) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -CH 3 ) and the repeating unit (6) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ). combination,

繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 Combination of repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and repeating unit (2) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), repeating unit (1) A combination of (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and the repeating unit (2) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ), a repeating unit (1) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -C 2 H 5 ) and the repeating unit (3) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ), a repeating unit (1) (R 1 : -CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a repeating unit (3) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ), repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : -C 2 H 5) and the repeating unit (4) (R 1: -H , R 2: a combination of -CH 3), the repeating unit (1) (R 1: -CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a repeating unit (4) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ), a repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : -C 2 H 5 ) and repeating unit (5) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ), repeating unit (1) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -C 2 H 5 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 )

繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 A combination of repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (4) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), repeating unit (2) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -CH 3 ) and a repeating unit (4) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ), a repeating unit (2) (R 1 : -CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (5) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3) ) And the repeating unit (6) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ),
A combination of a repeating unit (3) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (4) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (3) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -CH 3 ) and a repeating unit (4) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ), a repeating unit (3) (R 1 : -CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (5) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (3) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3) ) And the repeating unit (6) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ),

繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せが挙げられる。 Combination of repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (4) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ), repeating unit (4) A combination of (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (5) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (6) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2). H 5 ) and repeating unit (5) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ), repeating unit (4) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -C 2 H 5 ) and repeating A combination of units (6) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ),
A combination of the repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) may be mentioned.

これらの中で特に好ましい組合せとしては、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 Among these, a particularly preferable combination is the repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2). H 5 ), a combination of repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), A combination of a repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (3) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ), a repeating unit (1 ) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1) (R 1 : — CH 3, R 2: -CH 3 ) and the repeating unit (5) (R 1: -CH 3, R 2: -CH Combinations), the repeating unit (1) (R 1: -CH 3, R 2: -CH 3) and the repeating unit (6) (R 1: -CH 3, R 2: a combination of -CH 3),

繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 A combination of a repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1 ) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a repeating unit (3) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ), a repeating unit (1) ( A combination of R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and the repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1) (R 1 : — A combination of CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ),
A combination of the repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), the repeating unit (2) ( A combination of R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ),

繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 A combination of a repeating unit (3) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (3) ( A combination of R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ),
A combination of the repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), the repeating unit (4) ( R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) in combination, repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : A combination of —C 2 H 5 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ),
A combination of the repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ),

繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 A combination of the repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ), the repeating unit (1) ( R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (2) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) in combination, repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : -CH 3 ) and repeating unit (3) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ), repeating unit (1) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and Combination of repeating unit (4) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (5) (R 1 : -H, R 2: a combination of -CH 3), the repeating unit (1) (R 1: -H , R 2: -CH 3) and the repeating unit (6) (R 1 -H, R 2: a combination of -CH 3),

繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 A combination of the repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ) and the repeating unit (2) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), the repeating unit (1) ( R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ) and the repeating unit (3) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ), a repeating unit (1) (R 1 :- H, R 2 : —C 2 H 5 ) and a repeating unit (5) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : — C 2 H 5 ) and a repeating unit (6) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 )

繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 Combination of repeating unit (2) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (5) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), repeating unit (2) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and a repeating unit (6) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 )
A combination of the repeating unit (3) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (5) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), the repeating unit (3) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and a repeating unit (6) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 )
A combination of a repeating unit (4) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (5) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (4) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and a repeating unit (6) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ), a repeating unit (4) (R 1 : -H, R 2 :- C 2 H 5 ) and a repeating unit (5) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ), a repeating unit (4) (R 1 : -H, -C 2 H 5 ) and a repeating unit ( 6) A combination of (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ),
A combination of the repeating unit (5) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ),

繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 Combination of repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ), repeating unit (1) A combination of (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (2) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (3) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ), a repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : — CH 3 ) and a repeating unit (4) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit ( 5) (R 1: -H, R 2: a combination of -CH 3), the repeating unit (1) (R 1: -CH 3, R 2: -CH ) And the repeating unit (6) (R 1: -H , R 2: a combination of -CH 3),

繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 Combination of repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and repeating unit (2) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), repeating unit (1) A combination of (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and the repeating unit (3) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ), a repeating unit (1) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -C 2 H 5 ) and a repeating unit (5) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ), a repeating unit (1) (R 1 : -CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a repeating unit (6) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 )
A combination of the repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), the repeating unit (2) ( A combination of R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ),

繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 A combination of a repeating unit (3) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (5) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (3) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -CH 3 ) and a repeating unit (6) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 )
A combination of a repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (5) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (6) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and the repeating unit (5) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ), repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , —C 2 H 5 ) And a repeating unit (6) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 )
A combination of the repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ),

繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（１）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（４）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 Combination of repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (1) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ), repeating unit (1) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and a repeating unit (2) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -CH 3 ) in combination, repeating unit (1) (R 1 : -H, R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (3) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) in combination, repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (4) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) in combination, the repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (5 ) (R 1: -CH 3, R 2: a combination of -CH 3), the repeating unit (1) (R 1: -H , R 2: -CH 3) Repeating unit (6) (R 1: -CH 3, R 2: -CH 3) combinations,

繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（２）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（３）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（１）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（２）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、 Combination of repeating unit (1) (R 1 : —H, R 2 : —C 2 H 5 ) and repeating unit (2) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), repeating unit (1) A combination of (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ) and the repeating unit (3) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -C 2 H 5 ), a repeating unit (1) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ) and a repeating unit (5) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -CH 3 ), a repeating unit (1) (R 1 : -H, R 2 : —C 2 H 5 ) and a repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 )
Combination of repeating unit (2) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), repeating unit (2) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and the repeating unit (6) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -CH 3 )

繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（３）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（５）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、繰り返し単位（４）（Ｒ１：−Ｈ、−Ｃ２Ｈ５）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
繰り返し単位（５）（Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）と繰り返し単位（６）（Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）の組合せ、
が挙げられる。 A combination of a repeating unit (3) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and a repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (3) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and the repeating unit (6) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -CH 3 )
Combination of repeating unit (4) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and repeating unit (5) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), repeating unit (4) (R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ) and a repeating unit (6) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -CH 3 ) in combination, repeating unit (4) (R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ) and a repeating unit (5) (R 1 : -CH 3 , R 2 : -CH 3 ), a repeating unit (4) (R 1 : -H, -C 2 H 5 ) A combination of repeating units (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ),
A combination of the repeating unit (5) (R 1 : —H, R 2 : —CH 3 ) and the repeating unit (6) (R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ),
Is mentioned.

樹脂（Ａ）は、前記一般式（１）〜（６）で表される繰返し単位群から選ばれる少なくとも２種の繰り返し単位を有する重合体であるが、前記一般式（１）〜（３）で表される繰返し単位群から選ばれる少なくとも２種の繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
また、樹脂（Ａ）は、前記一般式（６）で表され、かつ前記一般式（６）中の前記Ｒ２がメチル基である繰返し単位群から選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位と、前記一般式（１）〜（３）で表される繰返し単位群から選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位とを有する重合体が好ましい。
更に、樹脂（Ａ）は、前記一般式（１）〜（３）で表され、かつ前記一般式（１）〜（３）中の前記Ｒ２がメチル基である繰返し単位群から選ばれる少なくとも１種の繰返し単位と、前記一般式（１）〜（３）で表され、かつ前記一般式（１）〜（３）中の前記Ｒ２がメチル基以外の、置換されていてもよい炭素原子数１〜４のアルキル基、好ましくは置換されていてもよい炭素原子数２〜４のアルキル基である繰返し単位群から選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位とを有する重合体が特に好ましい。 The resin (A) is a polymer having at least two types of repeating units selected from the repeating unit group represented by the general formulas (1) to (6), and the general formulas (1) to (3). A polymer having at least two kinds of repeating units selected from the repeating unit group represented by
The resin (A) is represented by the general formula (6), and the R 2 in the general formula (6) is selected from a repeating unit group in which a methyl group is selected, and A polymer having at least one repeating unit selected from the repeating unit group represented by the general formulas (1) to (3) is preferable.
Furthermore, the resin (A) is represented by the general formulas (1) to (3), and at least selected from the repeating unit group in which the R 2 in the general formulas (1) to (3) is a methyl group. One type of repeating unit and carbon represented by the general formulas (1) to (3), and the R 2 in the general formulas (1) to (3) may be substituted other than a methyl group Particularly preferred is a polymer having at least one repeating unit selected from a repeating unit group which is an alkyl group having 1 to 4 atoms, preferably an alkyl group having 2 to 4 carbon atoms which may be substituted.

樹脂（Ａ）のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、通常、３，０００〜３０，０００、好ましくは５，０００〜３０，０００、さらに好ましくは５，０００〜２０，０００である。この場合、樹脂（Ａ）のＭｗが３，０００未満では、レジストとしたときの耐熱性が低下する傾向があり、一方３０，０００を超えると、レジストとしたときの現像性が低下する傾向がある。
また、樹脂（Ａ）のＭｗとゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算数平均分子量（以下、「Ｍｎ」という。）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常、１〜５、好ましくは１〜３である。 The weight average molecular weight in terms of polystyrene (hereinafter referred to as “Mw”) by gel permeation chromatography (GPC) of the resin (A) is usually 3,000 to 30,000, preferably 5,000 to 30,000, More preferably, it is 5,000-20,000. In this case, if the Mw of the resin (A) is less than 3,000, the heat resistance as a resist tends to decrease, whereas if it exceeds 30,000, the developability as a resist tends to decrease. is there.
The ratio (Mw / Mn) of Mw of the resin (A) to polystyrene-reduced number average molecular weight (hereinafter referred to as “Mn”) by gel permeation chromatography (GPC) is usually 1 to 5, preferably 1-3.

樹脂（Ａ）は、例えば、所望の分子組成を構成する各繰り返し単位に対応する重合性不飽和単量体を、ヒドロパーオキシド類、ジアルキルパーオキシド類、ジアシルパーオキシド類、アゾ化合物等のラジカル重合開始剤を使用し、必要に応じて連鎖移動剤の存在下、適当な溶媒中で重合することにより製造することができる。
前記重合に使用される溶媒としては、例えば、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等のアルカン類；シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類；クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類；テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーエル類等を挙げることができる。これらの溶媒は、一種単独でまたは２種以上を混合しても使用することができる。 Resin (A) is, for example, a polymerizable unsaturated monomer corresponding to each repeating unit constituting a desired molecular composition, radicals such as hydroperoxides, dialkyl peroxides, diacyl peroxides, and azo compounds. It can manufacture by superposing | polymerizing in a suitable solvent using a polymerization initiator and presence of a chain transfer agent as needed.
Examples of the solvent used for the polymerization include alkanes such as n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, and n-decane; cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, decalin, Cycloalkanes such as norbornane; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, cumene; halogenated hydrocarbons such as chlorobutanes, bromohexanes, dichloroethanes, hexamethylene dibromide, chlorobenzene; ethyl acetate And saturated carboxylic acid esters such as n-butyl acetate, i-butyl acetate and methyl propionate; and airs such as tetrahydrofuran, dimethoxyethanes and diethoxyethanes. These solvents can be used alone or in combination of two or more.

また、前記重合における反応温度は、通常、４０〜１２０℃、好ましくは５０〜９０℃であり、反応時間は、通常、１〜４８時間、好ましくは１〜２４時間である。
なお、樹脂（Ａ）は、ハロゲン、金属等の不純物が少ないほど好ましく、それにより、レジストとしたときの感度、解像度、プロセス安定性、パターンプロファイル等をさらに改善することができる。樹脂（Ａ）の精製法としては、例えば、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等を挙げることができる。
本発明において、樹脂（Ａ）は、一種単独でまたは２種以上を混合しても使用することができる。 Moreover, the reaction temperature in the said polymerization is 40-120 degreeC normally, Preferably it is 50-90 degreeC, and reaction time is 1-48 hours normally, Preferably it is 1-24 hours.
In addition, resin (A) is so preferable that there are few impurities, such as a halogen and a metal, Thereby, the sensitivity, resolution, process stability, pattern profile, etc. when it is set as a resist can be improved further. Examples of the purification method of the resin (A) include chemical purification methods such as washing with water and liquid-liquid extraction, and combinations of these chemical purification methods with physical purification methods such as ultrafiltration and centrifugation. be able to.
In the present invention, the resin (A) can be used alone or in combination of two or more.

−（Ｂ）成分−
本発明における（Ｂ）成分は、露光により酸を発生する感放射線性酸発生剤（以下、「酸発生剤（Ｂ）」という。）からなる。
酸発生剤（Ｂ）は、露光により発生した酸の作用によって、樹脂（Ａ）中に存在する酸解離性基を解離させ、その結果レジスト被膜の露光部がアルカリ現像液に易溶性となり、ポジ型のレジストパターンを形成する作用を有するものである。
本発明における酸発生剤（Ｂ）としては、下記一般式（７）で表される化合物（以下、「酸発生剤（Ｂ＊）」という。）を含むものが好ましい。 -(B) component-
(B) component in this invention consists of a radiation sensitive acid generator (henceforth "acid generator (B)") which generate | occur | produces an acid by exposure.
The acid generator (B) dissociates the acid dissociable groups present in the resin (A) by the action of the acid generated by exposure, and as a result, the exposed portion of the resist film becomes readily soluble in an alkali developer, and is positive. It has the effect | action which forms the resist pattern of a type | mold.
The acid generator (B) in the present invention preferably contains a compound represented by the following general formula (7) (hereinafter referred to as “acid generator (B *)”).

Figure 0004232577
Figure 0004232577

〔一般式（７）において、Ｒ３は水素原子、水酸基、炭素原子数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素原子数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基、または炭素原子数２〜１１の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシカルボニル基を示し、Ｒ４は炭素原子数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示し、Ｒ５は独立に炭素原子数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、または置換されていてもよいフェニル基または置換基されていてもよいナフチル基を示すか、あるいは２個のＲ５が互いに結合して炭素原子数２〜１０の２価の基を形成しており、該２価の基は置換されていてもよく、ｋは０〜２の整数であり、Ｘ−は式：Ｒ６ＣｎＦ２ｎＳＯ３ −（式中、Ｒ６は、フッ素原子または置換されていてもよい炭素原子数１〜１２の炭化水素基を示し、ｎは１〜１０の整数である）で表されるアニオンを示し、ｍは０〜１０の整数である。〕 [In General Formula (7), R 3 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a linear or branched alkoxyl group having 1 to 10 carbon atoms, Or a linear or branched alkoxycarbonyl group having 2 to 11 carbon atoms, R 4 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 5 is independently a carbon atom. Represents a linear or branched alkyl group of 1 to 10 or an optionally substituted phenyl group or an optionally substituted naphthyl group, or two R 5 are bonded to each other to form a carbon A divalent group having 2 to 10 atoms is formed, the divalent group may be substituted, k is an integer of 0 to 2, and X − is a formula: R 6 C n F 2n SO 3 - (wherein, R 6 is a fluorine atom or location Is shows good hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms even if, n represents denotes an anion represented by a is) integer of 1 to 10, m is an integer of 0. ]

一般式（７）において、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５の炭素原子数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等を挙げることができる。
これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等が好ましい。 In the general formula (7), examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms of R 3 , R 4 and R 5 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, i- Propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2- Examples thereof include an ethylhexyl group, an n-nonyl group, and an n-decyl group.
Of these alkyl groups, a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, and the like are preferable.

また、Ｒ３の炭素原子数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、１−メチルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等を挙げることができる。
これらのアルコキシル基のうち、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ基等が好ましい。 Examples of the linear or branched alkoxyl group having 1 to 10 carbon atoms of R 3 include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an i-propoxy group, an n-butoxy group, and 2-methyl. Propoxy group, 1-methylpropoxy group, t-butoxy group, n-pentyloxy group, neopentyloxy group, n-hexyloxy group, n-heptyloxy group, n-octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, n -Nonyloxy group, n-decyloxy group, etc. can be mentioned.
Of these alkoxyl groups, a methoxy group, an ethoxy group, an n-butoxy group, and the like are preferable.

また、Ｒ３の炭素原子数２〜１１の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２−メチルプロポキシカルボニル基、１−メチルプロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ノニルオキシカルボニル基、ｎ−デシルオキシカルボニル基等を挙げることができる。
これらのアルコキシカルボニル基のうち、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基等が好ましい。
一般式（７）におけるＲ３としては、水素原子、水酸基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ基等が好ましい。
また、一般式（７）におけるＲ４としては、メチル基、エチル基、ｔ−ブチル基等が好ましい。
また、ｍとしては、０〜２が好ましい。 Examples of the linear or branched alkoxycarbonyl group having 2 to 11 carbon atoms of R 3 include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-propoxycarbonyl group, an i-propoxycarbonyl group, and n-butoxy. Carbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, n-pentyloxycarbonyl group, neopentyloxycarbonyl group, n-hexyloxycarbonyl group, n-heptyloxycarbonyl group, An n-octyloxycarbonyl group, a 2-ethylhexyloxycarbonyl group, an n-nonyloxycarbonyl group, an n-decyloxycarbonyl group, and the like can be given.
Of these alkoxycarbonyl groups, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-butoxycarbonyl group, and the like are preferable.
As R < 3 > in General formula (7), a hydrogen atom, a hydroxyl group, a methoxy group, an ethoxy group, n-butoxy group etc. are preferable.
Moreover, as R < 4 > in General formula (7), a methyl group, an ethyl group, t-butyl group, etc. are preferable.
Moreover, as m, 0-2 are preferable.

一般式（７）において、Ｒ５の置換されていてもよいフェニル基としては、例えば、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基等のフェニル基または炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基で置換されたフェニル基；これらのフェニル基またはアルキル置換フェニル基を、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシル基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等の少なくとも一種の基１個以上で置換した基等を挙げることができる。 In the general formula (7), examples of the optionally substituted phenyl group represented by R 5 include a phenyl group, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, 2,3-dimethylphenyl group, 2 , 4-dimethylphenyl group, 2,5-dimethylphenyl group, 2,6-dimethylphenyl group, 3,4-dimethylphenyl group, 3,5-dimethylphenyl group, 2,4,6-trimethylphenyl group, 4 A phenyl group such as an ethylphenyl group, a 4-tert-butylphenyl group, a 4-cyclohexylphenyl group, or a phenyl group substituted with a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; A phenyl group or an alkyl-substituted phenyl group can be a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, an alkoxyl group, an alkoxyalkyl group, an alkoxycarbo group. Examples include a group substituted with at least one group such as a nyl group and an alkoxycarbonyloxy group.

フェニル基およびアルキル置換フェニル基に対する置換基のうち、前記アルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、１−メチルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基等を挙げることができる。   Among the substituents for the phenyl group and the alkyl-substituted phenyl group, examples of the alkoxyl group include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1- Examples thereof include a linear, branched or cyclic alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a methylpropoxy group, a t-butoxy group, a cyclopentyloxy group and a cyclohexyloxy group.

また、前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、１−メトキシエチル基、２−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、２−エトキシエチル基等の炭素原子数２〜２１の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。
また、前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２−メチルプロポキシカルボニル基、１−メチルプロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数２〜２１の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。 Examples of the alkoxyalkyl group include 2 to 21 carbon atoms such as a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a 1-methoxyethyl group, a 2-methoxyethyl group, a 1-ethoxyethyl group, and a 2-ethoxyethyl group. And linear, branched or cyclic alkoxyalkyl groups.
Examples of the alkoxycarbonyl group include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-propoxycarbonyl group, an i-propoxycarbonyl group, an n-butoxycarbonyl group, a 2-methylpropoxycarbonyl group, and a 1-methylpropoxycarbonyl group. , T-butoxycarbonyl group, cyclopentyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl and the like, which are linear, branched or cyclic alkoxycarbonyl groups having 2 to 21 carbon atoms.

また、前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、ｉ−プロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数２〜２１の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。
一般式（７）におけるＲ５の置換されていてもよいフェニル基としては、フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−ｔ−ブトキシフェニル基等が好ましい。 Examples of the alkoxycarbonyloxy group include methoxycarbonyloxy group, ethoxycarbonyloxy group, n-propoxycarbonyloxy group, i-propoxycarbonyloxy group, n-butoxycarbonyloxy group, t-butoxycarbonyloxy group, Examples thereof include a linear, branched or cyclic alkoxycarbonyloxy group having 2 to 21 carbon atoms such as cyclopentyloxycarbonyl group and cyclohexyloxycarbonyl.
Examples of the optionally substituted phenyl group represented by R 5 in the general formula (7) include a phenyl group, a 4-cyclohexylphenyl group, a 4-t-butylphenyl group, a 4-methoxyphenyl group, and a 4-t-butoxyphenyl group. Etc. are preferred.

また、Ｒ５の置換されていてもよいナフチル基としては、例えば、１−ナフチル基、２−メチル−１−ナフチル基、３−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、５−メチル−１−ナフチル基、６−メチル−１−ナフチル基、７−メチル−１−ナフチル基、８−メチル−１−ナフチル基、２，３−ジメチル−１−ナフチル基、２，４−ジメチル−１−ナフチル基、２，５−ジメチル−１−ナフチル基、２，６−ジメチル−１−ナフチル基、２，７−ジメチル−１−ナフチル基、２，８−ジメチル−１−ナフチル基、３，４−ジメチル−１−ナフチル基、３，５−ジメチル−１−ナフチル基、３，６−ジメチル−１−ナフチル基、３，７−ジメチル−１−ナフチル基、３，８−ジメチル−１−ナフチル基、４，５−ジメチル−１−ナフチル基、５，８−ジメチル−１−ナフチル基、４−エチル−１−ナフチル基２−ナフチル基、１−メチル−２−ナフチル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−２−ナフチル基等のナフチル基または炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基で置換されたナフチル基；これらのナフチル基またはアルキル置換ナフチル基を、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシル基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等の少なくとも１種の基１個以上で置換した基等を挙げることができる。 Examples of the optionally substituted naphthyl group for R 5 include 1-naphthyl group, 2-methyl-1-naphthyl group, 3-methyl-1-naphthyl group, 4-methyl-1-naphthyl group, 4-methyl-1-naphthyl group, 5-methyl-1-naphthyl group, 6-methyl-1-naphthyl group, 7-methyl-1-naphthyl group, 8-methyl-1-naphthyl group, 2,3-dimethyl -1-naphthyl group, 2,4-dimethyl-1-naphthyl group, 2,5-dimethyl-1-naphthyl group, 2,6-dimethyl-1-naphthyl group, 2,7-dimethyl-1-naphthyl group, 2,8-dimethyl-1-naphthyl group, 3,4-dimethyl-1-naphthyl group, 3,5-dimethyl-1-naphthyl group, 3,6-dimethyl-1-naphthyl group, 3,7-dimethyl- 1-naphthyl group, 3,8-dimethyl-1-naphth Tyl group, 4,5-dimethyl-1-naphthyl group, 5,8-dimethyl-1-naphthyl group, 4-ethyl-1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-methyl-2-naphthyl group, 3-methyl A naphthyl group substituted with a naphthyl group such as a 2-naphthyl group or 4-methyl-2-naphthyl group or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; these naphthyl group or alkyl Examples include groups in which a substituted naphthyl group is substituted with at least one group such as a hydroxyl group, carboxyl group, cyano group, nitro group, alkoxyl group, alkoxyalkyl group, alkoxycarbonyl group, alkoxycarbonyloxy group, etc. Can do.

上記置換基であるアルコキシル基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基およびアルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、前記フェニル基およびアルキル置換フェニル基について例示した基を挙げることができる。
一般式（５）におけるＲ５の置換されていてもよいナフチル基としては、１−ナフチル基、１−（４−メトキシナフチル）基、１−（４−エトキシナフチル）基、１−（４−ｎ−ブトキシナフチル）基等が好ましい。 Examples of the alkoxyl group, alkoxyalkyl group, alkoxycarbonyl group, and alkoxycarbonyloxy group that are the above substituents include the groups exemplified for the phenyl group and the alkyl-substituted phenyl group.
As the naphthyl group which may be substituted for R 5 in the general formula (5), 1-naphthyl group, 1- (4-methoxynaphthyl) group, 1- (4-ethoxynaphthyl) group, 1- (4- n-butoxynaphthyl) group and the like are preferable.

また、２個のＲ５が互いに結合して形成した炭素原子数２〜１０の２価の基としては、式（７）中の硫黄原子と共に５員または６員の環、特に好ましくは５員の環（即ち、テトラヒドロチオフェン環）を形成する基が望ましい。
また、前記２価の基に対する置換基としては、例えば、前記フェニル基およびアルキル置換フェニル基に対する置換基として例示したヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシル基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。
一般式（７）におけるＲ５としては、メチル基、エチル基、フェニル基、４−メトキシフェニル基、１−ナフチル基、２個のＲ５が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する２価の基等が好ましい。 In addition, the divalent group having 2 to 10 carbon atoms formed by bonding two R 5 to each other is preferably a 5- or 6-membered ring, particularly preferably a 5-membered ring, together with the sulfur atom in the formula (7). A group that forms a ring (that is, a tetrahydrothiophene ring) is desirable.
Examples of the substituent for the divalent group include a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, an alkoxyl group, an alkoxyalkyl group, an alkoxy group exemplified as the substituent for the phenyl group and the alkyl-substituted phenyl group. Examples thereof include a carbonyl group and an alkoxycarbonyloxy group.
As R 5 in the general formula (7), a methyl group, an ethyl group, a phenyl group, a 4-methoxyphenyl group, a 1-naphthyl group, and two R 5 are bonded to each other to form a tetrahydrothiophene ring structure together with a sulfur atom. A divalent group is preferred.

一般式（７）のＸ−で表されるＲ６ＣｎＦ２ｎＳＯ３ −アニオン中の−ＣｎＦ２ｎ−基は、炭素原子数ｎのパーフルオロアルキレン基であるが、該基は直鎖状もしくは分岐状であることができる。ここで、ｎは２、４または８であることが好ましい。Ｒ６における置換されていてもよい炭素原子数１〜１２の炭化水素基としては、炭素原子数１〜１２のアルキル基、シクロアルキル基、有機脂環式炭化水素基が好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ノルボルニル基、ヒドロキシノルボルニル基、アダマンチル基等を挙げることができる。 The —C n F 2n — group in the R 6 C n F 2n SO 3 — anion represented by X − in the general formula (7) is a perfluoroalkylene group having n carbon atoms. It can be chained or branched. Here, n is preferably 2, 4 or 8. The hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms which may be substituted in R 6 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group or an organic alicyclic hydrocarbon group. Specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group N-hexyl group, cyclohexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group, n-decyl group, norbornyl group, hydroxynorbornyl group, adamantyl group, etc. it can.

酸発生剤（Ｂ＊）の具体例としては、
トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、トリｔ−ブチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリｔ−ブチルフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリｔ−ブチルフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリｔ−ブチルフェニルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニル−ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニル−ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニル−ジフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニル−ジフェニルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−ナフチルジメチルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−ナフチルジメチルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−ナフチルジエチルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−ナフチルジエチルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−ナフチルジエチルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、 Specific examples of the acid generator (B *) include
Triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, triphenylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, triphenylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1, 1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, tri-t-butylphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, tri-t-butylphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, tri-t-butylphenylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, tri t-butylphenylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 4-cyclohexylphenyl Diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-cyclohexylphenyl-diphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 4-cyclohexylphenyl-diphenylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, 4-cyclohexylphenyl-diphenylsulfonium 2-bicyclo [2.2 .1] Hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 1-naphthyldimethylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1-naphthyldimethylsulfonium par Fluoro-n-octanesulfonate, 1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate 2-bicyclo [2.2 1] Hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1-naphthyldiethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 1-naphthyldiethylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1-naphthyldiethylsulfonium perfluoro -N-octane sulfonate, 1-naphthyldiethylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethane sulfonate,

１−（４−ヒドロキシナフチル）ジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ヒドロキシナフチル）ジメチルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ヒドロキシナフチル）ジメチルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−ヒドロキシナフチル）ジメチルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−ヒドロキシナフチル）ジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ヒドロキシナフチル）ジエチルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ヒドロキシナフチル）ジエチルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−ヒドロキシナフチル）ジエチルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−メチルナフチル）ジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−メチルナフチル）ジメチルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−メチルナフチル）ジメチルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−メチルナフチル）ジメチルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−メチルナフチル）ジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−メチルナフチル）ジエチルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−メチルナフチル）ジエチルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−メチルナフチル）ジエチルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、 1- (4-hydroxynaphthyl) dimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-hydroxynaphthyl) dimethylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-hydroxynaphthyl) dimethylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (4-hydroxynaphthyl) dimethylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-hydroxynaphthyl) diethylsulfonium trifluoro L-methanesulfonate, 1- (4-hydroxynaphthyl) diethylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-hydroxynaphthyl) diethylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, 1 (4-Hydroxynaphthyl) diethylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-methylnaphthyl) dimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate 1- (4-methylnaphthyl) dimethylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-methylnaphthyl) dimethylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (4-methylnaphthyl) dimethylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1] Hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-methylnaphthyl) diethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-methylnaphthyl) diethylsulfonium Nonafluoro n-butanesulfonate, 1- (4-methylnaphthyl) diethylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (4-methylnaphthyl) diethylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1 , 1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate,

１−（４−シアノナフチル）ジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−シアノナフチル）ジメチルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−シアノナフチル）ジメチルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−シアノナフチル）ジメチルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−シアノナフチル）ジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−シアノナフチル）ジエチルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−シアノナフチル）ジエチルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−シアノナフチル）ジエチルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−ニトロナフチル）ジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ニトロナフチル）ジメチルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ニトロナフチル）ジメチルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−ニトロナフチル）ジメチルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−ニトロナフチル）ジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ニトロナフチル）ジエチルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート１−（４−ニトロナフチル）ジエチルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−ニトロナフチル）ジエチルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、 1- (4-cyanonaphthyl) dimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-cyanonaphthyl) dimethylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-cyanonaphthyl) dimethylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (4-cyanonaphthyl) dimethylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-cyanonaphthyl) diethylsulfonium trifluoro L-methanesulfonate, 1- (4-cyanonaphthyl) diethylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-cyanonaphthyl) diethylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (4-cyanonaphthyl) die Rusulfonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-nitronaphthyl) dimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 1- (4- Nitronaphthyl) dimethylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-nitronaphthyl) dimethylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (4-nitronaphthyl) dimethylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1 ] Hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-nitronaphthyl) diethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-nitronaphthyl) diethylsulfonium nonafluoro-n-butane Sulfonate 1- (4 Nitronaphthyl) diethylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (4-nitronaphthyl) diethylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethane Sulfonate,

１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−メトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−メトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−メトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−メトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−エトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−エトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−エトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−エトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート等を挙げることができる。 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, (3,5-Dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium 2-bicyclo [2.2. 1] Hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-methoxynaphthyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-methoxynaphthyl) tetrahydrothiophenium nona Fluoro-n-butans Honate, 1- (4-methoxynaphthyl) tetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (4-methoxynaphthyl) tetrahydrothiophenium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl- 1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-ethoxynaphthyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-ethoxynaphthyl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, -(4-Ethoxynaphthyl) tetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (4-ethoxynaphthyl) tetrahydrothiophenium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1 , 2,2-Tetrafluoroethanesulfo 1- (4-n-butoxynaphthyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthyl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-n- Butoxynaphthyl) tetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthyl) tetrahydrothiophenium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2 , 2-tetrafluoroethanesulfonate and the like.

これらの酸発生剤（Ｂ＊）のうち、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリｔ−ブチルフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニル−ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート等が好ましい。
本発明において、酸発生剤（Ｂ＊）は、一種単独でもまたは２種以上を混合しても使用することができる。 Among these acid generators (B *), triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, tri-t-butylphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 4-cyclohexylphenyl-diphenylsulfonium nonafluoro-n-butane Sulfonate, triphenylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, triphenylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (3 5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- 3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-n -Butoxynaphthyl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthyl) tetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthyl) tetrahydrothio Phenium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate is preferred.
In the present invention, the acid generator (B *) can be used alone or in combination of two or more.

また、本発明においては、酸発生剤（Ｂ）として用いることができる酸発生剤（Ｂ＊）以外の感放射線性酸発生剤（以下、「他の酸発生剤」という。）としては、例えば、酸発生剤（Ｂ＊）以外のオニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物等を挙げることができる。   In the present invention, the radiation sensitive acid generator (hereinafter referred to as “other acid generator”) other than the acid generator (B *) that can be used as the acid generator (B) is, for example, And onium salt compounds other than the acid generator (B *), halogen-containing compounds, diazoketone compounds, sulfone compounds, sulfonic acid compounds, and the like.

これらの他の酸発生剤としては、下記のものを挙げることができる。
オニウム塩化合物：
オニウム塩化合物としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。
オニウム塩化合物の具体例としては、
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、シクロヘキシル・２−オキソシクロヘキシル・メチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル・２−オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２−オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等を挙げることができる。 Examples of these other acid generators include the following.
Onium salt compounds:
Examples of the onium salt compound include iodonium salts, sulfonium salts, phosphonium salts, diazonium salts, pyridinium salts, and the like.
As a specific example of the onium salt compound,
Diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, diphenyliodonium perfluoro-n-octanesulfonate, diphenyliodonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2, 2-tetrafluoroethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium per Fluoro-n-octanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, Rohekishiru-2-oxo-cyclohexyl methyl trifluoromethanesulfonate, dicyclohexyl-2-oxo-cyclohexyl trifluoromethane sulfonate, and 2-oxo-cyclohexyl dimethyl sulfonium trifluoromethanesulfonate, and the like.

ハロゲン含有化合物：
ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物等を挙げることができる。
ハロゲン含有化合物の具体例としては、フェニルビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、４−メトキシフェニルビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、１−ナフチルビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン等の（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン誘導体や、１，１−ビス（４−クロロフェニル）−２，２，２−トリクロロエタン等を挙げることができる。
ジアゾケトン化合物：
ジアゾケトン化合物としては、例えば、１，３−ジケト−２−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物等を挙げることができる。
ジアゾケトンの具体例としては、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステルまたは１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステルまたは１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等を挙げることができる。 Halogen-containing compounds:
Examples of the halogen-containing compound include haloalkyl group-containing hydrocarbon compounds and haloalkyl group-containing heterocyclic compounds.
Specific examples of halogen-containing compounds include (trichloromethyl such as phenylbis (trichloromethyl) -s-triazine, 4-methoxyphenylbis (trichloromethyl) -s-triazine, 1-naphthylbis (trichloromethyl) -s-triazine. ) -S-triazine derivatives and 1,1-bis (4-chlorophenyl) -2,2,2-trichloroethane.
Diazo ketone compounds:
Examples of the diazo ketone compound include a 1,3-diketo-2-diazo compound, a diazobenzoquinone compound, a diazonaphthoquinone compound, and the like.
Specific examples of the diazo ketone include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride, 1,2, naphthoquinonediazide of 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone. -4-sulfonic acid ester or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 1,1,1-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester of 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl) ethane Examples include 2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester.

スルホン化合物：
スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホンや、これらの化合物のα−ジアゾ化合物等を挙げることができる。
スルホン化合物の具体例としては、４−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタン等を挙げることができる。 Sulfone compounds:
Examples of the sulfone compound include β-ketosulfone, β-sulfonylsulfone, and α-diazo compounds of these compounds.
Specific examples of the sulfone compound include 4-trisphenacylsulfone, mesitylphenacylsulfone, bis (phenylsulfonyl) methane, and the like.

スルホン酸化合物：
スルホン酸化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、アルキルスルホン酸イミド、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。
スルホン酸化合物の具体例としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールのトリス（トリフルオロメタンスルホネート）、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネート、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネート、１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート等を挙げることができる。 Sulfonic acid compounds:
Examples of the sulfonic acid compounds include alkyl sulfonic acid esters, alkyl sulfonic acid imides, haloalkyl sulfonic acid esters, aryl sulfonic acid esters, and imino sulfonates.
Specific examples of the sulfonic acid compound include benzoin tosylate, pyrogallol tris (trifluoromethanesulfonate), nitrobenzyl-9,10-diethoxyanthracene-2-sulfonate, trifluoromethanesulfonylbicyclo [2.2.1] hept- 5-ene-2,3-dicarbodiimide, nonafluoro-n-butanesulfonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarbodiimide, perfluoro-n-octanesulfonylbicyclo [2.2 .1] Hept-5-ene-2,3-dicarbodiimide, 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonylbicyclo [2.2. 1] Hept-5-ene-2,3-dicarbodiimide, N- (trifluoromethanesulfonyloxy ) Succinimide, N- (nonafluoro-n-butanesulfonyloxy) succinimide, N- (perfluoro-n-octanesulfonyloxy) succinimide, N- (2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1 , 1,2,2-tetrafluoroethanesulfonyloxy) succinimide, 1,8-naphthalenedicarboxylic acid imide trifluoromethanesulfonate, 1,8-naphthalenedicarboxylic acid imidononafluoro-n-butanesulfonate, 1,8-naphthalenedicarboxylic acid Examples include imidoperfluoro-n-octane sulfonate.

これらの他の酸発生剤のうち、
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、
シクロヘキシル・２−オキソシクロヘキシル・メチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル・２−オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２−オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、 Of these other acid generators,
Diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, diphenyliodonium perfluoro-n-octanesulfonate, diphenyliodonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2, 2-tetrafluoroethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium per Fluoro-n-octanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate,
Cyclohexyl, 2-oxocyclohexyl, methylsulfonium trifluoromethanesulfonate, dicyclohexyl, 2-oxocyclohexylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 2-oxocyclohexyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate,

トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホニルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネート
等が好ましい。
前記他の酸発生剤は、一種単独でもまたは２種以上を混合しても使用することができる。 Trifluoromethanesulfonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarbodiimide, nonafluoro-n-butanesulfonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarbodiimide Perfluoro-n-octanesulfonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarbodiimide, 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2 , 2-tetrafluoroethanesulfonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarbodiimide, N- (trifluoromethanesulfonyloxy) succinimide, N- (nonafluoro-n-butanesulfonyloxy) succinimide N- (perfluoro-n-octanesulfonyloxy) succinimide, N- (2-bicyclo [2.2.1] Hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonyloxy) succinimide, 1,8-naphthalenedicarboxylic acid imide trifluoromethanesulfonate and the like are preferable.
The other acid generators can be used singly or in combination of two or more.

酸発生剤（Ｂ）としては、酸発生剤（Ｂ＊）が好ましく、酸発生剤（Ｂ＊）と他の酸発生剤との併用も好ましい。他の酸発生剤を併用する場合、他の酸発生剤の使用割合は、酸発生剤（Ｂ＊）と他の酸発生剤との合計に対して、通常、８０重量％以下、好ましくは６０重量％以下である。
本発明において、酸発生剤（Ｂ）の合計使用量は、レジストとしての感度および現像性を確保する観点から、樹脂（Ａ）１００重量部に対して、通常、０．１〜２０重量部、好ましくは０．５〜１０重量部である。この場合、前記合計使用量が０．１重量部未満では、感度および現像性が低下する傾向があり、一方２０重量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、矩形のレジストパターンを得られ難くなる傾向がある。 As the acid generator (B), an acid generator (B *) is preferable, and a combination of an acid generator (B *) and another acid generator is also preferable. When other acid generators are used in combination, the use ratio of the other acid generators is usually 80% by weight or less, preferably 60% with respect to the total of the acid generator (B *) and the other acid generators. % By weight or less.
In the present invention, the total amount of the acid generator (B) used is usually 0.1 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin (A) from the viewpoint of ensuring the sensitivity and developability as a resist. Preferably it is 0.5-10 weight part. In this case, if the total amount used is less than 0.1 parts by weight, the sensitivity and developability tend to decrease. On the other hand, if it exceeds 20 parts by weight, the transparency to radiation decreases and a rectangular resist pattern is obtained. There is a tendency to become difficult to get.

−その他の成分−
本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて、酸拡散制御剤、酸解離性基を有する脂環式化合物、界面活性剤、増感剤等の各種の添加剤を配合することができる。
前記酸拡散制御剤は、露光により酸発生剤から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する作用を有する成分である。
このような酸拡散制御剤を配合することにより、得られる感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性が向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上するとともに、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間（ＰＥＤ）の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物が得られる。
酸拡散制御剤としては、レジストパターンの形成工程中の露光や加熱処理により塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ましい。
このような含窒素有機化合物としては、例えば、下記一般式（８） -Other ingredients-
The radiation-sensitive resin composition of the present invention may contain various additives such as an acid diffusion controller, an alicyclic compound having an acid-dissociable group, a surfactant, and a sensitizer as necessary. Can do.
The acid diffusion control agent is a component having an action of controlling a diffusion phenomenon of an acid generated from an acid generator upon exposure in a resist film and suppressing an undesirable chemical reaction in a non-exposed region.
By blending such an acid diffusion controller, the storage stability of the resulting radiation-sensitive resin composition is improved, the resolution as a resist is further improved, and the process from exposure to heat treatment after exposure is improved. A change in the line width of the resist pattern due to fluctuations in the placement time (PED) can be suppressed, and a composition having extremely excellent process stability can be obtained.
As the acid diffusion controller, a nitrogen-containing organic compound whose basicity does not change by exposure or heat treatment in the resist pattern forming step is preferable.
As such a nitrogen-containing organic compound, for example, the following general formula (8)

Figure 0004232577

〔一般式（８）において、各Ｒ７は相互に独立に水素原子、置換もしくは非置換の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、置換もしくは非置換のアリール基または置換もしくは非置換のアラルキル基を示す。〕
で表される化合物（以下、「含窒素化合物（イ）」という。）、同一分子内に窒素原子を２個有する化合物（以下、「含窒素化合物（ロ）」という。）、窒素原子を３個以上有するポリアミノ化合物や重合体（以下、これらをまとめて「含窒素化合物（ハ）」という。）、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げることができる。
Figure 0004232577
[In the general formula (8), each R 7 is independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted linear, branched or cyclic alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted aralkyl. Indicates a group. ]
(Hereinafter referred to as “nitrogen-containing compound (i)”), a compound having two nitrogen atoms in the same molecule (hereinafter referred to as “nitrogen-containing compound (b)”), 3 nitrogen atoms Examples thereof include polyamino compounds and polymers having at least one compound (hereinafter, these are collectively referred to as “nitrogen-containing compounds (c)”), amide group-containing compounds, urea compounds, nitrogen-containing heterocyclic compounds, and the like.

含窒素化合物（イ）としては、例えば、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、シクロヘキシルアミン等のモノ（シクロ）アルキルアミン類；ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニルアミン、ジ−ｎ−デシルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジ（シクロ）アルキルアミン類；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリ（シクロ）アルキルアミン類；アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン等の芳香族アミン類を挙げることができる。   Examples of the nitrogen-containing compound (i) include mono (cyclo) alkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine, cyclohexylamine; di-n- Butylamine, di-n-pentylamine, di-n-hexylamine, di-n-heptylamine, di-n-octylamine, di-n-nonylamine, di-n-decylamine, cyclohexylmethylamine, dicyclohexylamine, etc. Di (cyclo) alkylamines; triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine , Tri-n-nonylamine, tri-n-decylamine, cyclohexyl Tri (cyclo) alkylamines such as dimethylamine, methyldicyclohexylamine, tricyclohexylamine; aniline, N-methylaniline, N, N-dimethylaniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4-methylaniline, 4 -Aromatic amines such as nitroaniline, diphenylamine, triphenylamine and naphthylamine can be mentioned.

含窒素化合物（ロ）としては、例えば、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス〔１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル〕ベンゼン、１，３−ビス〔１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル〕ベンゼン、ビス（２−ジメチルアミノエチル）エーテル、ビス（２−ジエチルアミノエチル）エーテル等を挙げることができる。
含窒素化合物（ハ）としては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、２−ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等を挙げることができる。 Examples of the nitrogen-containing compound (b) include ethylenediamine, N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diaminodiphenylmethane, and 4,4′-diaminodiphenylether. 4,4′-diaminobenzophenone, 4,4′-diaminodiphenylamine, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2- (3-aminophenyl) -2- (4-aminophenyl) propane, 2, -(4-aminophenyl) -2- (3-hydroxyphenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -2- (4-hydroxyphenyl) propane, 1,4-bis [1- (4-aminophenyl) ) -1-Methylethyl] benzene, 1,3-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl] benze Bis (2-dimethylaminoethyl) ether, bis (2-diethylaminoethyl) ether, and the like.
Examples of the nitrogen-containing compound (c) include polyethyleneimine, polyallylamine, 2-dimethylaminoethylacrylamide polymer, and the like.

前記アミド基含有化合物としては、例えば、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−オクチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−ノニルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−デシルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−テトラ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，７−ジアミノヘプタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，８−ジアミノオクタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，９−ジアミノノナン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１０−ジアミノデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１２−ジアミノドデカン、
Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−メチルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダゾール等のＮ−ｔ−ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物のほか、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン等を挙げることができる。 Examples of the amide group-containing compound include Nt-butoxycarbonyldi-n-octylamine, Nt-butoxycarbonyldi-n-nonylamine, Nt-butoxycarbonyldi-n-decylamine, Nt -Butoxycarbonyldicyclohexylamine, Nt-butoxycarbonyl-1-adamantylamine, Nt-butoxycarbonyl-N-methyl-1-adamantylamine, N, N-di-t-butoxycarbonyl-1-adamantylamine, N, N-di-t-butoxycarbonyl-N-methyl-1-adamantylamine, Nt-butoxycarbonyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, N, N′-di-t-butoxycarbonylhexamethylenediamine, N, N, N′N′-tetra-t-butoxycarbonylhexamethylenedi Amine, N, N′-di-t-butoxycarbonyl-1,7-diaminoheptane, N, N′-di-t-butoxycarbonyl-1,8-diaminooctane, N, N′-di-t-butoxy Carbonyl-1,9-diaminononane, N, N′-di-t-butoxycarbonyl-1,10-diaminodecane, N, N′-di-t-butoxycarbonyl-1,12-diaminododecane,
N, N′-di-t-butoxycarbonyl-4,4′-diaminodiphenylmethane, Nt-butoxycarbonylbenzimidazole, Nt-butoxycarbonyl-2-methylbenzimidazole, Nt-butoxycarbonyl-2 -Nt-butoxycarbonyl group-containing amino compounds such as phenylbenzimidazole, formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, propionamide, Examples thereof include benzamide, pyrrolidone, N-methylpyrrolidone and the like.

前記ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア、トリ−ｎ−ブチルチオウレア等を挙げることができる。
前記含窒素複素環化合物としては、例えば、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類；ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、２−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、４−ヒドロキシキノリン、８−オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類；ピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン等のピペラジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、モルホリン、４−メチルモルホリン、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ [２．２．２] オクタン等を挙げることができる。
これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素化合物（イ）、アミド基含有化合物、含窒素複素環化合物等が好ましい。
前記酸拡散制御剤は、一種単独でもまたは２種以上を混合しても使用することができる。 Examples of the urea compound include urea, methylurea, 1,1-dimethylurea, 1,3-dimethylurea, 1,1,3,3-tetramethylurea, 1,3-diphenylurea, tri-n-butyl. Examples include thiourea.
Examples of the nitrogen-containing heterocyclic compound include imidazole, 4-methylimidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole, benzimidazole, 2-phenylbenzimidazole, Nt-butoxycarbonyl-2-phenylbenzimidazole, and the like. Imidazoles: pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, 2-methyl-4-phenylpyridine, nicotine, nicotinic acid, nicotine Pyrazines such as acid amide, quinoline, 4-hydroxyquinoline, 8-oxyquinoline, acridine; piperazines such as piperazine and 1- (2-hydroxyethyl) piperazine, pyrazine, pyrazole, pyridazine, quinosaline, purine, pyro Jin, piperidine, 3-piperidino-1,2-propanediol, morpholine, 4-methylmorpholine, 1,4-dimethylpiperazine, and 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane.
Of these nitrogen-containing organic compounds, nitrogen-containing compounds (a), amide group-containing compounds, nitrogen-containing heterocyclic compounds and the like are preferable.
The acid diffusion controller may be used alone or in combination of two or more.

また、前記酸解離性基を有する脂環式化合物は、ドライエッチング耐性、パターンプロファイル、基板との接着性等をさらに改善する作用を示す成分である。
このような脂環式化合物としては、例えば、
１−アダマンタンカルボン酸ｔ−ブチル、１−アダマンタンカルボン酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、１，３−アダマンタンジカルボン酸ジ−ｔ−ブチル、１−アダマンタン酢酸ｔ−ブチル、１−アダマンタン酢酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、１，３−アダマンタンジ酢酸ジ−ｔ−ブチル等のアダマンタン誘導体類；
デオキシコール酸ｔ−ブチル、デオキシコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸２−エトキシエチル、デオキシコール酸２−シクロヘキシルオキシエチル、デオキシコール酸３−オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒドロピラニル、デオキシコール酸メバロノラクトンエステル等のデオキシコール酸エステル類；
リトコール酸ｔ−ブチル、リトコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸２−エトキシエチル、リトコール酸２−シクロヘキシルオキシエチル、リトコール酸３−オキソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニル、リトコール酸メバロノラクトンエステル等のリトコール酸エステル類
等を挙げることができる。
これらの脂環式化合物は、一種単独でもまたは２種以上を混合しても使用することができる。 In addition, the alicyclic compound having an acid dissociable group is a component having an effect of further improving dry etching resistance, pattern profile, adhesion to a substrate, and the like.
Examples of such alicyclic compounds include:
1-adamantane carboxylate t-butyl, 1-adamantane carboxylate t-butoxycarbonylmethyl, 1,3-adamantane dicarboxylate di-t-butyl, 1-adamantane acetate t-butyl, 1-adamantane acetate t-butoxycarbonylmethyl Adamantane derivatives such as 1,3-adamantanediacetate di-t-butyl;
Deoxycholate t-butyl, deoxycholate t-butoxycarbonylmethyl, deoxycholate 2-ethoxyethyl, deoxycholate 2-cyclohexyloxyethyl, deoxycholate 3-oxocyclohexyl, deoxycholate tetrahydropyranyl, deoxychol Deoxycholic acid esters such as acid mevalonolactone ester;
Lithocholic acid t-butyl, lithocholic acid t-butoxycarbonylmethyl, lithocholic acid 2-ethoxyethyl, lithocholic acid 2-cyclohexyloxyethyl, lithocholic acid 3-oxocyclohexyl, lithocholic acid tetrahydropyranyl, lithocholic acid mevalonolactone ester, etc. Examples include lithocholic acid esters.
These alicyclic compounds can be used singly or in combination of two or more.

また、前記界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す成分である。
このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤のほか、以下商品名で、ＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、ポリフローＮｏ．７５，同Ｎｏ．９５（共栄社化学（株）製）、エフトップＥＦ３０１，同ＥＦ３０３，同ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ（株）製）、メガファックスＦ１７１，同Ｆ１７３（大日本インキ化学工業（株）製）、フロラードＦＣ４３０，同ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０，サーフロンＳ−３８２，同ＳＣ−１０１，同ＳＣ−１０２，同ＳＣ−１０３，同ＳＣ−１０４，同ＳＣ−１０５，同ＳＣ−１０６（旭硝子（株）製）等を挙げることができる。
これらの界面活性剤は、一種単独でもまたは２種以上を混合しても使用することができる。 The surfactant is a component having an action of improving coating properties, striation, developability and the like.
Examples of such surfactants include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene n-octylphenyl ether, polyoxyethylene n-nonylphenyl ether, and polyethylene glycol dilaurate. In addition to nonionic surfactants such as polyethylene glycol distearate, KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Polyflow No. 75, no. 95 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), F-top EF301, EF303, EF352 (manufactured by Tochem Products), Megafax F171, F173 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals), Florard FC430, FC431 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-106 ( Asahi Glass Co., Ltd.).
These surfactants can be used singly or in combination of two or more.

また、前記増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤（Ｂ）に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を示すもので、感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する。
このような増感剤としては、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等を挙げることができる。
これらの増感剤は、一種単独でもまたは２種以上を混合しても使用することができる。また、染料あるいは顔料を配合することにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和でき、接着助剤を配合することにより、基板との接着性を改善することができる。
さらに、前記以外の添加剤としては、後述するアルカリ可溶性樹脂、酸解離性の保護基を有する低分子のアルカリ溶解性制御剤、ハレーション防止剤、保存安定化剤、消泡剤等を挙げることができる。 The sensitizer absorbs radiation energy and transmits the energy to the acid generator (B), thereby increasing the amount of acid produced. The radiation-sensitive resin composition It has the effect of improving the apparent sensitivity.
Examples of such sensitizers include acetophenones, benzophenones, naphthalenes, biacetyl, eosin, rose bengal, pyrenes, anthracenes, phenothiazines and the like.
These sensitizers can be used singly or in combination of two or more. In addition, by blending a dye or pigment, the latent image of the exposed area can be visualized, and the influence of halation during exposure can be alleviated. By blending an adhesion aid, adhesion to the substrate can be improved. it can.
Furthermore, examples of additives other than the above include alkali-soluble resins described later, low-molecular alkali-solubility control agents having acid-dissociable protecting groups, antihalation agents, storage stabilizers, antifoaming agents, and the like. it can.

−溶剤−
本発明の組成物を使用する際には通常上述した成分は溶剤に溶解される。
溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、２−ヘプタノンおよびシクロヘキサノンの群から選ばれる少なくとも１種（「溶剤（Ｃ）という」）が好ましい。
溶剤としては上記の溶剤以外の溶剤（「他の溶剤」という）を使用することもできる。上記の溶剤とそれ以外の溶剤を混合して用いることもできる。
他の溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｉ−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｉ−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｓｅｃ−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｔ−ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；
２−ブタノン、２−ペンタノン、３−メチル−２−ブタノン、２−ヘキサノン、４−メチル−２−ペンタノン、３−メチル−２−ペンタノン、３，３−ジメチル−２−ブタノン、２−オクタノン等の直鎖状もしくは分岐状のケトン類； -Solvent-
When using the composition of this invention, the component mentioned above is normally melt | dissolved in a solvent.
The solvent is preferably at least one selected from the group of propylene glycol monomethyl ether acetate, 2-heptanone and cyclohexanone (referred to as “solvent (C)”).
As the solvent, solvents other than the above-mentioned solvents (referred to as “other solvents”) can also be used. A mixture of the above solvent and other solvents can also be used.
Examples of other solvents include propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol mono-n-propyl ether acetate, propylene glycol mono-i-propyl ether acetate, propylene glycol mono-n-butyl ether acetate, propylene glycol mono-i- Propylene glycol monoalkyl ether acetates such as butyl ether acetate, propylene glycol mono-sec-butyl ether acetate, propylene glycol mono-t-butyl ether acetate;
2-butanone, 2-pentanone, 3-methyl-2-butanone, 2-hexanone, 4-methyl-2-pentanone, 3-methyl-2-pentanone, 3,3-dimethyl-2-butanone, 2-octanone, etc. Linear or branched ketones of

シクロペンタノン、３−メチルシクロペンタノン、２−メチルシクロヘキサノン、２，６−ジメチルシクロヘキサノン、イソホロン等の環状のケトン類；
２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｎ−プロピル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｉ−プロピル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｎ−ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｉ−ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｓｅｃ−ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｔ−ブチル等の２−ヒドロキシプロピオン酸アルキル類；
３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル等の３−アルコキシプロピオン酸アルキル類のほか、 Cyclic ketones such as cyclopentanone, 3-methylcyclopentanone, 2-methylcyclohexanone, 2,6-dimethylcyclohexanone, isophorone;
Methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, n-propyl 2-hydroxypropionate, i-propyl 2-hydroxypropionate, n-butyl 2-hydroxypropionate, i-butyl 2-hydroxypropionate, Alkyl 2-hydroxypropionates such as sec-butyl 2-hydroxypropionate and t-butyl 2-hydroxypropionate;
In addition to alkyl 3-alkoxypropionates such as methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate and ethyl 3-ethoxypropionate,

ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、トルエン、キシレン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ベンジルエチルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等を挙げることができる。 n-propyl alcohol, i-propyl alcohol, n-butyl alcohol, t-butyl alcohol, cyclohexanol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol mono-n-propyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether , Diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol di-n-propyl ether, diethylene glycol di-n-butyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol mono-n-propyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether , Propylene glycol monoethyl Ether, propylene glycol mono-n-propyl ether, toluene, xylene, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, 3-methyl-3-methoxybutyl butyrate, ethyl acetate, n-propyl acetate, n-butyl acetate, methyl acetoacetate, Ethyl acetoacetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, benzyl ethyl ether, di-n-hexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol Cole monoethyl ether, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, etc. Can do.

これらの他の溶剤のうち、直鎖状もしくは分岐状のケトン類、環状のケトン類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、２−ヒドロキシプロピオン酸アルキル類、３−アルコキシプロピオン酸アルキル類等が好ましい。
前記他の溶剤は、一種単独でもまたは２種以上を混合しても使用することができる。 Of these other solvents, linear or branched ketones, cyclic ketones, propylene glycol monoalkyl ether acetates, alkyl 2-hydroxypropionate, alkyl 3-alkoxypropionate and the like are preferable.
The other solvents may be used alone or in combination of two or more.

溶剤として、溶剤（Ｃ）と他の溶剤との混合溶剤を使用する場合、他の溶剤の割合は、全溶剤に対して、通常、５０重量％以下、好ましくは３０重量％以下、さらに好ましくは２５重量％以下である。
また、本発明の感放射線性樹脂組成物における溶剤の使用量は、組成物中の全固形分濃度が、通常、５〜７０重量％、好ましくは１０〜２５重量％、さらに好ましくは１０〜２０重量％となる量である。
本発明の感放射線性樹脂組成物は、樹脂（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）および添加剤成分を溶剤に溶解して均一溶液としたのち、好ましくは、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過して使用される。 When a mixed solvent of the solvent (C) and another solvent is used as the solvent, the ratio of the other solvent is usually 50% by weight or less, preferably 30% by weight or less, more preferably based on the total solvent. 25% by weight or less.
The amount of the solvent used in the radiation-sensitive resin composition of the present invention is such that the total solid content in the composition is usually 5 to 70% by weight, preferably 10 to 25% by weight, more preferably 10 to 20%. It is the amount which becomes weight%.
The radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably obtained by dissolving the resin (A), the acid generator (B) and the additive component in a solvent to form a uniform solution, and preferably using, for example, a filter having a pore size of about 0.2 μm. Used after filtration.

−レジストパターンの形成方法−
本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に化学増幅型レジストとして有用である。
前記化学増幅型レジストにおいては、露光により酸発生剤から発生した酸の作用によって、樹脂（Ａ）中の酸解離性基が解離して、カルボキシル基を生じ、その結果、レジストの露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が高くなり、該露光部がアルカリ現像液によって溶解、除去され、ポジ型のレジストパターンが得られる。
本発明の感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを形成する際には、組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウエハー、アルミニウムで被覆されたウエハー等の基板上に塗布することにより、レジスト被膜を形成し、場合により予め加熱処理（以下、「ＰＢ」という。）を行ったのち、所定のレジストパターンを形成するように該レジスト被膜に露光する。その際に使用される放射線としては、使用される酸発生剤の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子線等を適宜選定して使用されるが、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）あるいはＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）で代表される遠紫外線が好ましく、特にＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）が好ましい。
本発明においては、露光後に加熱処理（以下、「ＰＥＢ」という。）を行うことが好ましい。このＰＥＢにより、樹脂（Ａ）中の酸解離性基の解離反応が円滑に進行する。ＰＥＢの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成によって変わるが、通常、３０〜２００℃、好ましくは５０〜１７０℃である。 -Method for forming resist pattern-
The radiation sensitive resin composition of the present invention is particularly useful as a chemically amplified resist.
In the chemically amplified resist, an acid-dissociable group in the resin (A) is dissociated by the action of an acid generated from an acid generator by exposure to generate a carboxyl group, and as a result, an alkali in an exposed portion of the resist is obtained. The solubility in the developer is increased, and the exposed portion is dissolved and removed by the alkali developer, and a positive resist pattern is obtained.
When forming a resist pattern from the radiation-sensitive resin composition of the present invention, the composition solution is coated with, for example, a silicon wafer or aluminum by an appropriate application means such as spin coating, cast coating or roll coating. A resist film is formed by coating on a substrate such as a wafer, and in some cases, a heat treatment (hereinafter referred to as “PB”) is performed in advance, and then a predetermined resist pattern is formed on the resist film. Exposure. The radiation used at this time is appropriately selected from visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, charged particle beams, etc., depending on the type of acid generator used. ArF excimer laser Far ultraviolet rays represented by (wavelength 193 nm) or KrF excimer laser (wavelength 248 nm) are preferable, and ArF excimer laser (wavelength 193 nm) is particularly preferable.
In the present invention, it is preferable to perform heat treatment (hereinafter referred to as “PEB”) after exposure. By this PEB, the dissociation reaction of the acid dissociable group in the resin (A) proceeds smoothly. The heating condition of PEB varies depending on the composition of the radiation sensitive resin composition, but is usually 30 to 200 ° C, preferably 50 to 170 ° C.

本発明においては、感放射線性樹脂組成物の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば特公平６−１２４５２号公報等に開示されているように、使用される基板上に有機系あるいは無機系の反射防止膜を形成しておくこともでき、また環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、例えば特開平５−１８８５９８号公報等に開示されているように、レジスト被膜上に保護膜を設けることもでき、あるいはこれらの技術を併用することもできる。
次いで、露光されたレジスト被膜を現像することにより、所定のレジストパターンを形成する。
現像に使用される現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、１，８−ジアザビシクロ−［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ−［４．３．０］−５−ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも１種を溶解したアルカリ性水溶液が好ましい。
前記アルカリ性水溶液の濃度は、通常、１０重量％以下である。この場合、アルカリ性水溶液の濃度が１０重量％を超えると、非露光部も現像液に溶解するおそれがあり好ましくない。 In the present invention, in order to maximize the potential of the radiation-sensitive resin composition, for example, as disclosed in Japanese Patent Publication No. 6-12458, an organic or inorganic substrate is used. An antireflection film can also be formed, and in order to prevent the influence of basic impurities contained in the environmental atmosphere, as disclosed in, for example, JP-A-5-188598, A protective film can be provided, or these techniques can be used in combination.
Next, the exposed resist film is developed to form a predetermined resist pattern.
Examples of the developer used for development include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, and di-n-propylamine. , Triethylamine, methyldiethylamine, ethyldimethylamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, choline, 1,8-diazabicyclo- [5.4.0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo- [4.3.0] An alkaline aqueous solution in which at least one of alkaline compounds such as 5-nonene is dissolved is preferable.
The concentration of the alkaline aqueous solution is usually 10% by weight or less. In this case, if the concentration of the alkaline aqueous solution exceeds 10% by weight, the unexposed area may be dissolved in the developer, which is not preferable.

また、前記アルカリ性水溶液からなる現像液には、例えば有機溶媒を添加することもできる。
前記有機溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルｉ−ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、３−メチルシクロペンタノン、２，６−ジメチルシクロヘキサノン等のケトン類；メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、１，４−ヘキサンジオール、１，４−ヘキサンジメチロール等のアルコール類；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−アミル等のエステル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類や、フェノール、アセトニルアセトン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。
これらの有機溶媒は、一種単独でもまたは２種以上を混合しても使用することができる。
有機溶媒の使用量は、アルカリ性水溶液に対して、１００容量％以下が好ましい。この場合、有機溶媒の使用量が１００容量％を超えると、現像性が低下して、露光部の現像残りが多くなるおそれがある。
また、アルカリ性水溶液からなる現像液には、界面活性剤等を適量添加することもできる。
なお、アルカリ性水溶液からなる現像液で現像したのちは、一般に、水で洗浄して乾燥する。 In addition, for example, an organic solvent can be added to the developer composed of the alkaline aqueous solution.
Examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl i-butyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, 3-methylcyclopentanone, and 2,6-dimethylcyclohexanone; methyl alcohol, ethyl alcohol, and n-propyl. Alcohols such as alcohol, i-propyl alcohol, n-butyl alcohol, t-butyl alcohol, cyclopentanol, cyclohexanol, 1,4-hexanediol, 1,4-hexanedimethylol; ethers such as tetrahydrofuran and dioxane Esters such as ethyl acetate, n-butyl acetate and i-amyl acetate; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; phenol, acetonylacetone and dimethylformamide.
These organic solvents can be used singly or in combination of two or more.
The amount of the organic solvent used is preferably 100% by volume or less with respect to the alkaline aqueous solution. In this case, when the amount of the organic solvent used exceeds 100% by volume, the developability is lowered, and there is a possibility that the remaining development in the exposed area increases.
In addition, an appropriate amount of a surfactant or the like can be added to the developer composed of an alkaline aqueous solution.
In addition, after developing with the developing solution which consists of alkaline aqueous solution, generally it wash | cleans with water and dries.

以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。ここで、部は、特記しない限り重量基準である。
実施例および比較例における各測定・評価は、下記の要領で行った。 Hereinafter, the embodiments of the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples. Here, the part is based on weight unless otherwise specified.
Each measurement and evaluation in Examples and Comparative Examples was performed as follows.

Ｍｗ：
東ソー（株）製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００HXL ２本、Ｇ３０００HXL １本、Ｇ４０００HXL １本）を用い、流量 １．０ミリリットル／分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度 ４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定した。
放射線透過率：
組成物溶液を石英ガラス上にスピンコートにより塗布し、１３０℃に保持したホットプレート上で９０秒間ＰＢを行って形成した膜厚 ０．３４μｍのレジスト被膜について、波長 １９３ｎｍにおける吸光度から、放射線透過率を算出して、遠紫外線領域における透明性の尺度とした。 Mw:
Using a GPC column (2 G2000HXL, 1 G3000HXL, 1 G4000HXL) manufactured by Tosoh Corporation, with a monodisperse polystyrene as the standard under the analysis conditions of flow rate 1.0 ml / min, elution solvent tetrahydrofuran, column temperature 40 ° C. Measured by gel permeation chromatography (GPC).
Radiation transmittance:
The composition solution was applied on quartz glass by spin coating and subjected to PB for 90 seconds on a hot plate maintained at 130 ° C. For a resist film having a film thickness of 0.34 μm, from the absorbance at a wavelength of 193 nm, the radiation transmittance Was calculated as a measure of transparency in the deep ultraviolet region.

感度：
基板として表面に膜厚 ８２０ÅのＡＲＣ２５（ブルワー・サイエンス（Ｂｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ）社製）膜を形成したシリコンウエハーを用い、組成物溶液を基板上にスピンコートにより塗布し、１２０℃に保持したホットプレート上で９０秒間ＰＢを行って形成した膜厚 ０．２７μｍのレジスト被膜に、（株）ニコン製ＡｒＦエキシマレーザー露光装置（レンズ開口数 ０．５５、露光波長 １９３ｎｍ）により、マスクパターンを介して露光した。その後、１１０℃に保持したホットプレート上で９０秒間ＰＥＢを行ったのち、２．３８重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により、２５℃で１分間現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。このとき、線幅 ０．１６μｍのライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を１対１の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度とした。
解像度：
最適露光量で解像される最小のレジストパターンの寸法を、解像度とした。 sensitivity:
Using a silicon wafer on which an ARC25 (Brewer Science) film having a thickness of 820 mm was formed on the surface as a substrate, the composition solution was applied onto the substrate by spin coating and kept on a hot plate maintained at 120 ° C. The resist film formed by performing PB for 90 seconds with a film thickness of 0.27 μm was exposed through a mask pattern by a NiF ArF excimer laser exposure apparatus (lens numerical aperture 0.55, exposure wavelength 193 nm). . Thereafter, PEB was performed for 90 seconds on a hot plate maintained at 110 ° C., and then developed with a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 25 ° C. for 1 minute, washed with water and dried. The resist pattern was formed. At this time, the exposure amount for forming a line-and-space pattern (1L1S) having a line width of 0.16 μm in a one-to-one line width was defined as the optimum exposure amount, and this optimum exposure amount was defined as the sensitivity.
resolution:
The minimum resist pattern dimension that can be resolved at the optimum exposure dose is defined as the resolution.

ドライエッチング耐性：
組成物溶液をシリコンウエハー上にスピンコートにより塗布し、乾燥して形成した膜厚 ０．５μｍのレジスト被膜に対して、ＰＭＴ社製ドライエッチング装置（Pinnacle8000) を用い、エッチングガスをＣＦ４とし、ガス流量 ７５ｓｃｃｍ（１ｓｃｓｍ＝１ａｔｍ、０℃におけるガス流量 １ｃｃ／ｍｉｎ）、圧力 ２．５ｍＴｏｒｒ、出力 ２，５００Ｗの条件でドライエッチングを行って、エッチング速度を測定した。後述する比較例１の組成物溶液から形成したレジスト被膜のエッチング速度を１．０として、これに対する相対エッチング速度を評価した。エッチング速度が小さいほど、ドライエッチング耐性に優れることを意味する。 Dry etching resistance:
The composition solution was applied onto a silicon wafer by spin coating and dried. A resist film having a thickness of 0.5 μm was applied to a dry etching apparatus (Pinnacle 8000) manufactured by PMT, and the etching gas was set to CF 4 . Dry etching was performed under conditions of a gas flow rate of 75 sccm (1 scsm = 1 atm, a gas flow rate of 1 cc / min at 0 ° C.), a pressure of 2.5 mTorr, and an output of 2500 W, and an etching rate was measured. The etching rate of the resist film formed from the composition solution of Comparative Example 1 described later was set to 1.0, and the relative etching rate was evaluated. It means that it is excellent in dry etching tolerance, so that an etching rate is small.

パターンプロファイル：
線幅 ０．１６μｍのライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）の方形状断面の下辺寸法Ｌ１と上下辺寸法Ｌ２とを走査型電子顕微鏡により測定し、０．８５≦Ｌ２／Ｌ１≦１を満足し、かつパターンプロファイルが裾を引いていない場合を、パターンプロファイルが“良好”であるとした。 Pattern profile:
The bottom side dimension L1 and the top and bottom side dimension L2 of the rectangular cross section of the line and space pattern (1L1S) having a line width of 0.16 μm were measured with a scanning electron microscope, and 0.85 ≦ L2 / L1 ≦ 1 was satisfied. When the pattern profile does not have a tail, the pattern profile is determined to be “good”.

感度２：
下記参考例１１〜１９および比較例２に関して、ウェハー表面に膜厚 ７７０ÅのＡＲＣ２９Ａ（日産化学社製）膜を形成した基板を用い、表２に記載の組成および量で調製した組成物を基板上にスピンコートにより塗布し、ホットプレート上にて、表３に示す条件でＰＢを行って成形した膜厚 ０．２０μｍのレジスト被膜に、Ｎｉｋｏｎ社製フルフィールド縮小投影露光装置Ｓ３０６Ｃ（開口数 ０．７５）を用い、マスクパターンを介して露光した。その後に、表３に示す条件でＰＥＢを行った後、水洗し、乾燥して、ポジ型レジストパターンを形成した。このとき、寸法 １１０ｎｍの１対１ライン・アンド・スペースのマスクを介して形成した線幅が、線幅 １１０ｎｍの１対１ライン・アンド・スペースに形成される露光量を最適露光量とし、この最適露光量を「感度２」とした。 Sensitivity 2:
Regarding the following Reference Examples 11 to 19 and Comparative Example 2, using a substrate having an ARC29A (Nissan Chemical Co., Ltd.) film having a film thickness of 770 mm formed on the wafer surface, the composition prepared in the composition and amount shown in Table 2 on the substrate A full-field reduction projection exposure apparatus S306C (numerical aperture of 0.02 μm) manufactured by Nikon Co., Ltd. was applied to a resist film having a thickness of 0.20 μm formed by spin coating on a hot plate under the conditions shown in Table 3. 75) and exposed through a mask pattern. Thereafter, PEB was performed under the conditions shown in Table 3, then washed with water and dried to form a positive resist pattern. At this time, the exposure amount formed in a one-to-one line and space with a line width of 110 nm is defined as an optimum exposure amount, with a line width formed through a one-to-one line and space mask with a dimension of 110 nm. The optimum exposure amount was “sensitivity 2”.

感度３：
下記参考例１１〜１９および比較例２に関して、ウェハー表面に膜厚 ７７０ÅのＡＲＣ２９Ａ（日産化学社製）膜を形成した基板を用い、表２に記載の組成および量で調製した組成物を基板上にスピンコートにより塗布し、ホットプレート上にて、表３に示す条件でＰＢを行って成形した膜厚 ０．２０μｍのレジスト被膜に、Ｎｉｋｏｎ社製フルフィールド縮小投影露光装置Ｓ３０６Ｃ（開口数 ０．７５）を用い、マスクパターンを介して露光した。その後に、表３に示す条件でＰＥＢを行った後、２．３８重量％のＴＭＡＨ水溶液により、２５℃で６０秒現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型レジストパターンを形成した。このとき、寸法 １００ｎｍの１ライン１０スペース（１Ｌ１０Ｓ）マスクを介して形成した線幅が、線幅 ７０ｎｍのラインに形成される露光量を最適露光量とし、この最適露光量を「感度３」とした。 Sensitivity 3:
Regarding the following Reference Examples 11 to 19 and Comparative Example 2, using a substrate having an ARC29A (Nissan Chemical Co., Ltd.) film having a film thickness of 770 mm formed on the wafer surface, the composition prepared in the composition and amount shown in Table 2 on the substrate A full-field reduction projection exposure apparatus S306C (numerical aperture of 0.02 μm) manufactured by Nikon Co., Ltd. was applied to a resist film having a thickness of 0.20 μm formed by spin coating on a hot plate under the conditions shown in Table 3. 75) and exposed through a mask pattern. Thereafter, PEB was performed under the conditions shown in Table 3, and then developed with a 2.38 wt% TMAH aqueous solution at 25 ° C. for 60 seconds, washed with water, and dried to form a positive resist pattern. At this time, an exposure amount formed on a line having a line width of 70 nm is set as an optimum exposure amount, and the optimum exposure amount is referred to as “sensitivity 3”. did.

粗密差（ｎｍ）：
下記参考例１１〜１９および比較例２に関して、前記「感度３」の測定に記載の前記寸法 １００ｎｍの１ライン１０スペース（１Ｌ１０Ｓ）マスクに代えて、寸法 １００ｎｍの１対１．２ライン・アンド・スペースのマスクを介して形成した線幅と、前記「感度３」の測定に記載の方法によって形成した線幅との差を下記式に基づいて求め、これを「粗密差」（単位：ｎｍ）とした。
粗密差＝［線幅：１対１．２ライン］−［線幅：１対１０ライン］
この粗密差の絶対値が、１５ｎｍ未満であれば良好であると評価し、１５ｎｍ以上であれば不良であると評価した。 Density difference (nm):
With respect to the following Reference Examples 11 to 19 and Comparative Example 2, instead of the 100-nm 1-line 10-space (1L10S) mask described in the “sensitivity 3” measurement, a 100-nm 1-to-1.2 line and The difference between the line width formed through the space mask and the line width formed by the method described in the measurement of “sensitivity 3” is obtained based on the following formula, and this is determined as “rough density difference” (unit: nm). It was.
Density difference = [Line width: 1 to 1.2 lines] − [Line width: 1 to 10 lines]
When the absolute value of the density difference was less than 15 nm, it was evaluated as good, and when it was 15 nm or more, it was evaluated as defective.

スペースのＤＯＦ：
下記参考例１１〜１９および比較例２に関して、前記「感度２」の測定に記載の方法に準じて、形成される孤立スペースの線幅が１２０ｎｍとなるような寸法の孤立スペースのマスクを選択した。次いで、前記のとおり形成される孤立スペースの線幅が１２０ｎｍとなる場合の焦点深度の範囲を測定した。前記範囲が、０．３μｍ以上であれば良好であると評価し、０．３μｍ未満であれば不良であると評価した。 Space DOF:
With respect to the following Reference Examples 11 to 19 and Comparative Example 2, an isolated space mask having a dimension such that the line width of the formed isolated space was 120 nm was selected in accordance with the method described in the measurement of “sensitivity 2”. . Next, the range of the depth of focus when the line width of the isolated space formed as described above was 120 nm was measured. When the range was 0.3 μm or more, it was evaluated as good, and when it was less than 0.3 μm, it was evaluated as defective.

ＰＥＢ温度依存性：
下記参考例１１〜１９および比較例２に関して、前記「感度２」の測定に記載の前記線幅 １１０ｎｍの１対１ライン・アンド・スペースを形成するＰＢ／ＰＥＢ条件を基準として、前記基準のＰＥＢ温度＋２℃に設定した温度で、前記「感度２」の測定と同様にして寸法 １１０ｎｍの１対１ライン・アンド・スペースのマスクを介して形成された線幅をＣＤ１（＋２℃）とする。同様に、前記基準のＰＥＢ温度−２℃に設定した温度で形成された線幅をＣＤ２（−２℃）とする。
前記ＣＤ１およびＣＤ２の値に基づき、前記基準のＰＥＢ温度と前記設定温度との差異により生じる線幅の変化を下記式によって求め、その値をＰＥＢ温度依存性として表示した。
ＰＥＢ温度依存性＝（ＣＤ２−ＣＤ１）／４ ［ｎｍ／℃］
この値が小さいほど、ＰＥＢ温度依存性については良好であることを意味する。 PEB temperature dependence:
With respect to the following Reference Examples 11 to 19 and Comparative Example 2, the reference PEB was determined based on the PB / PEB conditions for forming the one-to-one line-and-space with a line width of 110 nm described in the “sensitivity 2” measurement. A line width formed through a one-to-one line-and-space mask with a dimension of 110 nm is set to CD1 (+ 2 ° C.) in the same manner as the measurement of “sensitivity 2” at a temperature set to + 2 ° C. Similarly, the line width formed at the reference PEB temperature set to −2 ° C. is CD2 (−2 ° C.).
Based on the values of CD1 and CD2, the change in line width caused by the difference between the reference PEB temperature and the set temperature was determined by the following formula, and the value was displayed as PEB temperature dependency.
PEB temperature dependency = (CD2-CD1) / 4 [nm / ° C.]
The smaller this value, the better the PEB temperature dependency.

合成例１
一般式（１ｍ）においてＲ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３である化合物（化合物ａ）を２６．４６ｇ（２５モル％）、一般式（３ｍ）においてＲ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５である化合物（化合物ｂ）を１３．３０ｇ（１５モル％）、式（９）： Synthesis example 1
In the general formula (1m), 26.46 g (25 mol%) of the compound (compound a) that is R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 , and in the general formula (3m), R 1 : —CH 3 , R 2 : 13.30 g (15 mol%) of the compound (compound b) which is —C 2 H 5 , formula (9):

Figure 0004232577

で表されるラクトンメタクリレート（化合物ｃ）を６０．２４ｇ（６０モル％）およびアゾビスイソ酪酸ジメチル６．２４ｇを、２−ブタノン３００ｇに溶解して均一溶液としたモノマー溶液を準備した。また、２−ブタノン１００ｇを投入した１０００ミリリットル三口フラスコ内を３０分間窒素でパージしたのち、フラスコ内を攪拌しながら８０℃に加熱し、前記モノマー溶液を滴下漏斗を用いて、１２ミリリットル／５分の速度で滴下した。滴下開始時を重合開始時点として、８０℃で重合を５時間実施した。重合終了後、反応溶液を３０℃以下に冷却して、メタノール２，０００ｇ中へ投入し、析出した白色粉末をろ別した。その後、白色粉末をメタノール４００ｇと混合してスラリーとし攪拌する操作を２回繰り返して洗浄したのち、炉別し、５０℃にて１７時間乾燥して、白色粉末の樹脂（６９ｇ、収率６９重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが６，５００であり、繰返し単位（１）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）、繰返し単位（３）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）、および式（１０）：
Figure 0004232577
A monomer solution prepared by dissolving 60.24 g (60 mol%) of lactone methacrylate (compound c) and 6.24 g of dimethyl azobisisobutyrate in 300 g of 2-butanone was prepared. In addition, after purging the inside of a 1000 ml three-necked flask charged with 100 g of 2-butanone with nitrogen for 30 minutes, the inside of the flask was heated to 80 ° C. while stirring, and the monomer solution was heated to 12 ml / 5 minutes using a dropping funnel. It was dripped at the speed of. The polymerization was carried out at 80 ° C. for 5 hours with the start of dropping as the polymerization start time. After completion of the polymerization, the reaction solution was cooled to 30 ° C. or lower, poured into 2,000 g of methanol, and the precipitated white powder was filtered off. Thereafter, the operation of mixing the white powder with 400 g of methanol and stirring it as a slurry was repeated twice, washed, separated in a furnace, and dried at 50 ° C. for 17 hours to obtain a white powder resin (69 g, yield 69 wt. %).
This resin has Mw of 6,500, a repeating unit (1) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (3) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2: -C 2 H 5) , and equation (10):

Figure 0004232577

で表される前記化合物ｃに由来する繰り返し単位の含有率が２５．１：１４．０：６０．９（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-１）とする。
Figure 0004232577
The content rate of the repeating unit derived from the said compound c represented by 25.1: 14.0: 60.9 (mol%) was a copolymer. This resin is referred to as “resin (A-1)”.

合成例２
一般式（２ｍ）においてＲ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３である化合物（化合物ｄ）を２０．５３ｇ（２５モル％）、化合物ｂを１４．３７ｇ（１５モル％）、化合物ｃを６５．１０ｇ（６０モル％）およびアゾビスイソ酪酸ジメチル６．７４ｇを、２−ブタノン３００ｇに溶解して均一溶液としたモノマー溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂（７３ｇ、収率７３重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが７，２００であり、繰返し単位（２）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）、繰返し単位（３）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）および式（１０）で表される繰り返し単位の含有率が２４．８：１４．５：６０．７（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-２）とする。 Synthesis example 2
20.53 g (25 mol%) of the compound (compound d) which is R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 in the general formula (2m), 14.37 g (15 mol%) of the compound b, compound c White powder resin in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 65.10 g (60 mol%) and 6.74 g of dimethyl azobisisobutyrate were dissolved in 300 g of 2-butanone to obtain a homogeneous solution. (73 g, yield 73 wt%) was obtained.
This resin has Mw of 7,200, a repeating unit (2) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (3) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and the content of the repeating unit represented by the formula (10) were 24.8: 14.5: 60.7 (mol%). This resin is referred to as “resin (A-2)”.

合成例３
一般式（４ｍ）においてＲ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３である化合物（化合物ｅ）を２５．５６ｇ（２５モル％）、一般式（４ｍ）においてＲ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５である化合物（化合物ｆ）を１６．２６ｇ（１５モル％）、化合物ｃを５８．１８ｇ（６０モル％）およびアゾビスイソ酪酸ジメチル６．０２ｇを、２−ブタノン３００ｇに溶解して均一溶液としたモノマー溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂（７８ｇ、収率７８重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが７，６００であり、繰返し単位（４）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）、繰返し単位（４）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）および式（１０）で表される繰り返し単位の含有率が２４．８：１４．４：６０．８（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-３）とする。 Synthesis example 3
25.56 g (25 mol%) of the compound (compound e) that is R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 in the general formula (4m), and R 1 : —CH 3 , R in the general formula (4m) 2 : 16.26 g (15 mol%) of the compound (compound f) which is —C 2 H 5 , 58.18 g (60 mol%) of compound c and 6.02 g of dimethyl azobisisobutyrate are dissolved in 300 g of 2-butanone. Then, a white powdery resin (78 g, yield 78% by weight) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that the monomer solution was made into a uniform solution.
This resin has Mw of 7,600, a repeating unit (4) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (4) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a content ratio of the repeating unit represented by the formula (10) were 24.8: 14.4: 60.8 (mol%). This resin is referred to as “resin (A-3)”.

合成例４
化合物ａを２５．０３ｇ（２５モル％）、一般式（１ｍ）においてＲ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５である化合物（化合物ｇ）を２１．２３ｇ（２０モル％）、化合物ｃを２８．４９ｇ（３０モル％）、下記式（１１） Synthesis example 4
25.03 g (25 mol%) of compound a, 21.23 g (20 mol%) of compound (compound g) which is R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 in the general formula (1m), 28.49 g (30 mol%) of compound c, the following formula (11)

Figure 0004232577

で表される３−ヒドロキシ−１−アダマンチルメタクリレート（化合物ｈ）２５．２５ｇ（２５モル％）およびアゾビスイソ酪酸ジメチル６．００ｇを、２−ブタノン２００ｇに溶解して均一溶液としたモノマー溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂（７５ｇ、収率７５重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが７，３００であり、繰返し単位（１）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）、繰返し単位（１）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）、前記式（１０）で表される繰返し単位、および下記式（１２）
Figure 0004232577
A monomer solution prepared by dissolving 25.25 g (25 mol%) of 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate (compound h) and 6.00 g of dimethyl azobisisobutyrate in 200 g of 2-butanone was used. Except for the above, a white powdery resin (75 g, yield 75% by weight) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1.
This resin has an Mw of 7,300, a repeating unit (1) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ), the repeating unit represented by the formula (10), and the following formula (12)

Figure 0004232577

で表される繰り返し単位の含有率が２５．１：１４．０：３１．１：２９．８（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-４）とする。
Figure 0004232577
The content rate of the repeating unit represented by this was 25.1: 14.0: 31.1: 29.8 (mol%) copolymer. This resin is referred to as “resin (A-4)”.

合成例５
化合物ａを３８．５９ｇ（３８モル％）、一般式（１ｍ）においてＲ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５である化合物（化合物ｇ）を１６．１４ｇ（１５モル％）、化合物ｃを４５．２７ｇ（４７モル％）およびアゾビスイソ酪酸ジメチル５．９８ｇを、２−ブタノン３００ｇに溶解して均一溶液としたモノマー溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂（７２ｇ、収率７２重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが７，０００であり、繰返し単位（１）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）、繰返し単位（１）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）、式（１０）で表される繰り返し単位の含有率が３７．１：１３．０：４９．９（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-５）とする。 Synthesis example 5
38.59 g (38 mol%) of compound a, 16.14 g (15 mol%) of compound (compound g) which is R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 in the general formula (1m), A white powder was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 45.27 g (47 mol%) of compound c and 5.98 g of dimethyl azobisisobutyrate were dissolved in 300 g of 2-butanone to obtain a homogeneous solution. Of resin (72 g, yield 72 wt%) was obtained.
This resin has Mw of 7,000, a repeating unit (1) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a copolymer having a content of the repeating unit represented by the formula (10) of 37.1: 13.0: 49.9 (mol%). This resin is referred to as “resin (A-5)”.

合成例６
化合物ａを３８．２４ｇ（３８モル％）、一般式（５ｍ）においてＲ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３である化合物（化合物ｈ’）を１６．９０ｇ（１５モル％）、化合物ｃを４４．８６ｇ（４７モル％）およびアゾビスイソ酪酸ジメチル５．９３ｇを、２−ブタノン３００ｇに溶解して均一溶液としたモノマー溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂（７１ｇ、収率７１重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが７，６００であり、繰返し単位（１）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）、繰返し単位（５）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）、式（１０）で表される繰り返し単位の含有率が３７．５：１５．１：４７．４（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-６）とする。 Synthesis Example 6
38.24 g (38 mol%) of compound a, 16.90 g (15 mol%) of compound (compound h ′ ) which is R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 in formula (5m), compound In the same manner as in Synthesis Example 1 except that 44.86 g (47 mol%) of c and 5.93 g of dimethyl azobisisobutyrate were dissolved in 300 g of 2-butanone to obtain a homogeneous solution, A resin (71 g, yield 71 wt%) was obtained.
This resin has Mw of 7,600, a repeating unit (1) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (5) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a copolymer having a content of the repeating unit represented by the formula (10) of 37.5: 15.1: 47.4 (mol%). This resin is referred to as “resin (A-6)”.

合成例７
化合物ａを３９．２５ｇ（３８モル％）、一般式（６ｍ）においてＲ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３である化合物（化合物ｉ）を１４．７０ｇ（１５モル％）、化合物ｃを４６．０５ｇ（４７モル％）およびアゾビスイソ酪酸ジメチル６．０９ｇを、２−ブタノン３００ｇに溶解して均一溶液としたモノマー溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂（７７ｇ、収率７７重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが７，８００であり、繰返し単位（１）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）、繰返し単位（６）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）、式（１０）で表される繰り返し単位の含有率が３７．７：１４．７：４７．６（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-７）とする。 Synthesis example 7
39.25 g (38 mol%) of compound a, 14.70 g (15 mol%) of compound (compound i) which is R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 in formula (6m), compound c White powdery resin in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 46.05 g (47 mol%) and dimethyl azobisisobutyrate (6.09 g) were dissolved in 300 g of 2-butanone to obtain a homogeneous solution. (77 g, yield 77 wt%) was obtained.
This resin has Mw of 7,800, repeating unit (1) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), repeating unit (6) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a copolymer having a content of the repeating unit represented by the formula (10) of 37.7: 14.7: 47.6 (mol%). This resin is referred to as “resin (A-7)”.

合成例８
一般式（１ｍ）においてＲ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５である化合物（化合物ｊ）を１６．０７ｇ（１５モル％）、一般式（６ｍ）においてＲ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３である化合物（化合物ｋ）を３６．１８ｇ（３８モル％）、化合物ｃを４７．７５ｇ（４７モル％）およびアゾビスイソ酪酸ジメチル６．３１ｇを、２−ブタノン３００ｇに溶解して均一溶液としたモノマー溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂（７５ｇ、収率７５重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが７，３００であり、繰返し単位（１）（但し、Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）、繰返し単位（６）（但し、Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）、式（１０）で表される繰り返し単位の含有率が１３．９：３７．２：４８．９（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-８）とする。 Synthesis example 8
Formula (1m) in R 1: -H, R 2: -C 2 H 5 , compound (Compound j) a 16.07 g (15 mol%), R 1 in the general formula (6m): -H, R 2 : 36.18 g (38 mol%) of the compound (compound k) which is —CH 3 , 47.75 g (47 mol%) of compound c and 6.31 g of dimethyl azobisisobutyrate were dissolved in 300 g of 2-butanone. A white powdery resin (75 g, yield 75% by weight) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that the monomer solution was used as a uniform solution.
This resin has Mw of 7,300, a repeating unit (1) (provided that R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5 ), a repeating unit (6) (provided that R 1 : -H, R 2 : —CH 3 ) and a copolymer having a content of the repeating unit represented by the formula (10) of 13.9: 37.2: 48.9 (mol%). This resin is referred to as “resin (A-8)”.

合成例９
化合物ａを３６．７２ｇ（３５モル％）、化合物ｇを１６．６８ｇ（１５モル％）、式（１３）： Synthesis Example 9
36.72 g (35 mol%) of compound a, 16.68 g (15 mol%) of compound g, formula (13):

Figure 0004232577

で表されるラクトンアクリレート（化合物ｌ）を４６．６１ｇ（５０モル％）およびアゾビスイソ酪酸ジメチル６．１８ｇを、２−ブタノン３００ｇに溶解して均一溶液としたモノマー溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂（７６ｇ、収率７６重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが５，６００であり、繰返し単位（１）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）、繰返し単位（１）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）、および式（１４）：
Figure 0004232577
Synthesis Example except that 46.61 g (50 mol%) of lactone acrylate represented by the formula (1) and 6.18 g of dimethyl azobisisobutyrate were dissolved in 300 g of 2-butanone to obtain a homogeneous solution. 1 was obtained as a white powder resin (76 g, yield 76% by weight).
This resin has an Mw of 5,600, a repeating unit (1) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2: -C 2 H 5) , and equation (14):

Figure 0004232577

で表される前記化合物ｌに由来する繰り返し単位の含有率が３４．２：１４．１：５１．７（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-９）とする。
Figure 0004232577
The content rate of the repeating unit derived from the said compound l represented by 34.2: 14.1: 51.7 (mol%) was a copolymer. This resin is referred to as “resin (A-9)”.

合成例１０
化合物ａを３６．３７ｇ（３５モル％）、一般式（５ｍ）においてＲ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３である化合物（化合物ｍ）を１７．４６ｇ（１５モル％）、化合物ｌを４７．０３ｇ（５０モル％）およびアゾビスイソ酪酸ジメチル６．１２ｇを、２−ブタノン３００ｇに溶解して均一溶液としたモノマー溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂（７７ｇ、収率７７重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが５，６００であり、繰返し単位（１）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）、繰返し単位（５）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）、式（１４）で表される繰り返し単位の含有率が３３．８：１４．１：５２．１（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-１０）とする。 Synthesis Example 10
36.37 g (35 mol%) of compound a, 17.46 g (15 mol%) of compound (compound m) which is R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 in formula (5m), compound l A white powder resin in the same manner as in Synthesis Example 1 except that a monomer solution in which 47.03 g (50 mol%) and 6.12 g of dimethyl azobisisobutyrate were dissolved in 300 g of 2-butanone was used as a homogeneous solution was used. (77 g, yield 77 wt%) was obtained.
This resin has an Mw of 5,600, a repeating unit (1) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (5) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ) and a copolymer having a content of the repeating unit represented by the formula (14) of 33.8: 14.1: 52.1 (mol%). This resin is referred to as “resin (A-10)”.

合成例１１
化合物ｍを３８．２３ｇ（３５モル％）、化合物ｇを１５．５１ｇ（１５モル％）、化合物ｃを４６．２６ｇ（５０モル％）およびアゾビスイソ酪酸ジメチル５．８０ｇを、２−ブタノン３００ｇに溶解して均一溶液としたモノマー溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂（７７ｇ、収率７７重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが６，５００であり、繰返し単位（５）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）、繰返し単位（１）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）、式（１０）で表される繰り返し単位の含有率が３２．７：１０．３：５６．０（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-１１）とする。 Synthesis Example 11
Compound m (38.23 g, 35 mol%), compound g (15.51 g, 15 mol%), compound c (46.26 g, 50 mol%) and dimethyl azobisisobutyrate (5.80 g) are dissolved in 2-butanone (300 g). Then, a white powdery resin (77 g, yield 77% by weight) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that the monomer solution was made into a uniform solution.
This resin has Mw of 6,500, a repeating unit (5) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a copolymer having a content of the repeating unit represented by the formula (10) of 32.7: 10.3: 56.0 (mol%). This resin is referred to as “resin (A-11)”.

合成例１２
化合物ｍを３９．３８ｇ（３５モル％）、化合物ｇを１５．９８ｇ（１５モル％）、化合物ｌを４７．０３ｇ（５０モル％）およびアゾビスイソ酪酸ジメチル５．９２ｇを、２−ブタノン３００ｇに溶解して均一溶液としたモノマー溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂（７６ｇ、収率７６重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが５，９００であり、繰返し単位（５）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）、繰返し単位（１）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）、式（１４）で表される繰り返し単位の含有率が３４．２：１３．８：５２．２（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-１２）とする。 Synthesis Example 12
39.38 g (35 mol%) of Compound m, 15.98 g (15 mol%) of Compound g, 47.03 g (50 mol%) of Compound 1 and 5.92 g of dimethyl azobisisobutyrate are dissolved in 300 g of 2-butanone. Then, a white powdery resin (76 g, yield 76% by weight) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that the monomer solution used as a uniform solution was used.
This resin has an Mw of 5,900, a repeating unit (5) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (1) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a copolymer having a content of the repeating unit represented by the formula (14) of 34.2: 13.8: 52.2 (mol%). This resin is referred to as “resin (A-12)”.

合成例１３
一般式（５ｍ）においてＲ １ ：−Ｈ、Ｒ ２ ：−ＣＨ ３ である化合物（化合物ｎ）を３５．６４ｇ（３５モル％）、化合物ｊを１６．２５ｇ（１５モル％）、化合物ｌを４８．１２ｇ（５０モル％）およびアゾビスイソ酪酸ジメチル６．３８ｇを、２−ブタノン３００ｇに溶解して均一溶液としたモノマー溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂（７６ｇ、収率７６重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが６，９００であり、繰返し単位（５）（但し、Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−ＣＨ３）、繰返し単位（１）（但し、Ｒ１：−Ｈ、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）、式（１４）で表される繰り返し単位の含有率が３４．１：１３．６：５２．３（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-１３）とする。 Synthesis Example 13
35.64 g (35 mol%) of the compound ( compound n ) which is R 1 : -H, R 2 : -CH 3 in the general formula (5m), 16.25 g (15 mol%) of the compound j, A white powdery resin (as in Synthesis Example 1) except that 48.12 g (50 mol%) and 6.38 g of dimethyl azobisisobutyrate were dissolved in 300 g of 2-butanone to obtain a homogeneous solution were used. 76 g, yield 76% by weight).
This resin has Mw of 6,900, repeating unit (5) (provided that R 1 : -H, R 2 : -CH 3 ), repeating unit (1) (provided that R 1 : -H, R 2 : -C 2 H 5), the content of the repeating unit represented by the formula (14) is 34.1: 13.6: was a copolymer of 52.3 (mol%). This resin is referred to as “resin (A-13)”.

合成例１４
化合物ａを４２．４０ｇ（４０モル％）、一般式（２ｍ）においてＲ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５である化合物（化合物ｏ）を１２．３７ｇ（１５モル％）、化合物ｃを４５．２４ｇ（４５モル％）およびアゾビスイソ酪酸ジメチル８．３３ｇを、２−ブタノン３００ｇに溶解して均一溶液としたモノマー溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂（６５ｇ、収率６５重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが６，２００であり、繰返し単位（１）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）、繰返し単位（２）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）および式（１０）で表される繰り返し単位の含有率が３７．６：１３．４：４９．０（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-１４）とする。 Synthesis Example 14
42.40 g (40 mol%) of compound a, 12.37 g (15 mol%) of compound (compound o), which is R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 in the general formula (2m), A white powder was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 45.24 g (45 mol%) of compound c and 8.33 g of dimethyl azobisisobutyrate were dissolved in 300 g of 2-butanone to obtain a homogeneous solution. Of resin (65 g, yield 65 wt%) was obtained.
This resin has an Mw of 6,200, a repeating unit (1) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), a repeating unit (2) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a copolymer having a content of the repeating unit represented by the formula (10) of 37.6: 13.4: 49.0 (mol%). This resin is referred to as “resin (A-14)”.

合成例１５
化合物ａを４４．６３ｇ（４２モル％）、化合物ｏを１４．０５ｇ（１７モル％）、化合物ｃを４１．３２ｇ（４１モル％）およびアゾビスイソ酪酸ジメチル８．３５ｇを、２−ブタノン３００ｇに溶解して均一溶液としたモノマー溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂（７３ｇ、収率７３重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが５，９００であり、繰返し単位（１）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）、繰返し単位（２）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）および式（１０）で表される繰り返し単位の含有率が３９．２：１７．１：４３．８（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-１５）とする。 Synthesis Example 15
44.63 g (42 mol%) of compound a, 14.05 g (17 mol%) of compound o, 41.32 g (41 mol%) of compound c, and 8.35 g of dimethyl azobisisobutyrate are dissolved in 300 g of 2-butanone. Then, a white powdery resin (73 g, yield 73 wt%) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that the monomer solution was made into a uniform solution.
This resin has Mw of 5,900, repeating unit (1) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), repeating unit (2) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a content of repeating units represented by the formula (10) were 39.2: 17.1: 43.8 (mol%). This resin is referred to as “resin (A-15)”.

合成例１６
化合物ａを４４．０７ｇ（４２モル％）、化合物ｏを８．１６ｇ（１０モル％）、化合物ｃを４７．７７ｇ（４８モル％）およびアゾビスイソ酪酸ジメチル８．２４ｇを、２−ブタノン３００ｇに溶解して均一溶液としたモノマー溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂（７８ｇ、収率７８重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが５，９００であり、繰返し単位（１）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−ＣＨ３）、繰返し単位（２）（但し、Ｒ１：−ＣＨ３、Ｒ２：−Ｃ２Ｈ５）および式（１０）で表される繰り返し単位の含有率が３８．７：１０．４：５０．９（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ａ-１６）とする。 Synthesis Example 16
44.07 g (42 mol%) of compound a, 8.16 g (10 mol%) of compound o, 47.77 g (48 mol%) of compound c and 8.24 g of dimethyl azobisisobutyrate are dissolved in 300 g of 2-butanone. Then, a white powdery resin (78 g, yield 78% by weight) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that the monomer solution was made into a uniform solution.
This resin has Mw of 5,900, repeating unit (1) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —CH 3 ), repeating unit (2) (provided that R 1 : —CH 3 , R 2 : —C 2 H 5 ) and a copolymer having a content of repeating units represented by the formula (10) of 38.7: 10.4: 50.9 (mol%). This resin is referred to as “resin (A-16)”.

合成例１７（比較用）
化合物ａを４１．２８ｇ（４０モル％）、化合物ｃを５８．７２ｇ（６０モル％）およびアゾビスイソ酪酸ジメチル６．００ｇを、２−ブタノン２００ｇに溶解して均一溶液としたモノマー溶液を用いた以外は、合成例１と同様にして、白色粉末の樹脂を得た（７６ｇ、収率７６重量％）。
この樹脂は、Ｍｗが７，５００であり、繰返し単位（１）および式（１０）で表される繰り返し単位の含有率が３９．５：６０．５（モル％）の共重合体であった。この樹脂を樹脂（Ｒ-１）とする。 Synthesis Example 17 (for comparison)
Except for using a monomer solution in which 41.28 g (40 mol%) of compound a, 58.72 g (60 mol%) of compound c, and 6.00 g of dimethyl azobisisobutyrate were dissolved in 200 g of 2-butanone to form a uniform solution. Obtained a white powdery resin in the same manner as in Synthesis Example 1 (76 g, yield 76% by weight).
This resin was a copolymer having an Mw of 7,500 and a content of repeating units represented by the repeating units (1) and (10) of 39.5: 60.5 (mol%). . This resin is referred to as “resin (R-1)”.

実施例１〜３、参考例１〜１９および比較例１〜２
表１または表２に示す成分および量からなる各組成物について、上記項目について各種評価を行った。その評価結果を表４または表５に示す。なお、表１または表２において、樹脂（Ａ-１）〜（Ａ-１６）および（Ｒ-１）以外の成分は以下の通りである。また、表１または表２に記載の「部」は重量部を意味する。 Examples 1-3, Reference Examples 1-19 and Comparative Examples 1-2
Various evaluations were performed on the above-mentioned items for each composition comprising the components and amounts shown in Table 1 or Table 2. The evaluation results are shown in Table 4 or Table 5. In Table 1 or Table 2, components other than the resins (A-1) to (A-16) and (R-1) are as follows. Further, “parts” described in Table 1 or Table 2 means parts by weight.

酸発生剤（Ｂ）
Ｂ−１：１−（４−ｎ−ブトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート
Ｂ−２：トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート
Ｂ−３：４−シクロヘキシルフェニル−ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート Acid generator (B)
B-1: 1- (4-n-butoxynaphthyl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate B-2: triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate B-3: 4-cyclohexylphenyl-diphenylsulfonium Nonafluoro-n-butanesulfonate

酸拡散制御剤（Ｄ）
Ｄ−１：Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダゾール
Ｄ−２：３−ピロリジノ−１，２−プロパンジオール
Ｄ−３：Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４−ヒドロキシピペリジン
Ｄ−４：２，６−ジイソプロピルアニリン
脂環式化合物（Ｅ）
Ｅ−１：デオキシコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル
Ｅ−２：リトコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル
Ｅ−３：３−［２−ヒドロキシ−２，２−ビス（トリフルオロメチル）エチル］テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカン Acid diffusion controller (D)
D-1: Nt-butoxycarbonyl-2-phenylbenzimidazole D-2: 3-pyrrolidino-1,2-propanediol D-3: Nt-butoxycarbonyl-4-hydroxypiperidine D-4: 2 , 6-Diisopropylaniline alicyclic compound (E)
E-1: t-Butoxycarbonylmethyl deoxycholate E-2: t-butoxycarbonylmethyl lithocholic acid E-3: 3- [2-hydroxy-2,2-bis (trifluoromethyl) ethyl] tetracyclo [4. 4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodecane

溶剤（Ｃ）
Ｃ−１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
Ｃ−２：２−ヘプタノン
Ｃ−３：シクロヘキサノン
Ｃ−４：γ−ブチロラクトン Solvent (C)
C-1: propylene glycol monomethyl ether acetate C-2: 2-heptanone C-3: cyclohexanone C-4: γ-butyrolactone

Figure 0004232577
Figure 0004232577

Figure 0004232577
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Figure 0004232577
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Figure 0004232577
Figure 0004232577

Figure 0004232577
Figure 0004232577

Claims (4)

（Ａ）下記一般式（１）で表される繰返し単位群から選ばれる少なくとも２種の繰り返し単位を有し、それら繰返し単位の各々の含有量が１〜４９ｍｏｌ％であり、かつそれら繰返し単位の合計含有量が５〜７０ｍｏｌ％であり、また、下記式（１０）または（１４）で表される繰り返し単位を有し、さらに酸の作用によりアルカリ易溶性となるアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂、および
（Ｂ）感放射線性酸発生剤
を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
Figure 0004232577
〔一般式（１）において、Ｒ１は水素原子またはメチル基を示し、Ｒ２ は炭素原子数１〜４のアルキル基を示す。〕
Figure 0004232577
Figure 0004232577
 (A) It has at least two kinds of repeating units selected from the repeating unit group represented by the following general formula (1 ), each of the repeating units has a content of 1 to 49 mol%, and Alkali insoluble or hardly alkali-soluble resin having a total content of 5 to 70 mol%, having a repeating unit represented by the following formula (10) or (14), and being easily soluble in alkali by the action of an acid And (B) a radiation sensitive resin composition, comprising a radiation sensitive acid generator.
Figure 0004232577
Oite the [formula (1), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 2 is shows the alkyl group carbon atom number of 1-4. ]
Figure 0004232577
Figure 0004232577
 （Ｂ）感放射線性酸発生剤が、下記式（７）で表される化合物である、請求項１記載の感放射線性樹脂組成物。
Figure 0004232577
〔一般式（７）において、Ｒ３は水素原子、水酸基、炭素原子数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素原子数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基、または炭素原子数２〜１１の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシカルボニル基を示し、Ｒ４は炭素原子数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示し、Ｒ５は独立に炭素原子数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、または置換されていてもよいフェニル基または置換されていてもよいナフチル基を示すか、あるいは２個のＲ５が互いに結合して炭素原子数２〜１０の２価の基を形成しており、該２価の基は置換されていてもよく、ｋは０〜２の整数であり、Ｘ−は式：Ｒ６ＣｎＦ２ｎＳＯ３ −（式中、Ｒ６は、フッ素原子または置換されていてもよい炭素原子数１〜１２の炭化水素基を示し、ｎは１〜１０の整数である）で表されるアニオンを示し、ｍは０〜１０の整数である。〕 (B) The radiation sensitive resin composition of Claim 1 whose radiation sensitive acid generator is a compound represented by following formula (7).
Figure 0004232577
[In General Formula (7), R 3 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a linear or branched alkoxyl group having 1 to 10 carbon atoms, Or a linear or branched alkoxycarbonyl group having 2 to 11 carbon atoms, R 4 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 5 is independently a carbon atom. Represents a linear or branched alkyl group of 1 to 10 or an optionally substituted phenyl group or an optionally substituted naphthyl group, or two R 5 are bonded to each other to form a carbon atom A divalent group of 2 to 10 is formed, the divalent group may be substituted, k is an integer of 0 to 2, and X − is a formula: R 6 C n F 2n SO 3 - (wherein, R 6 is a fluorine atom or a substituted Is shows good hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms even if, n represents denotes an anion represented by a is) integer of 1 to 10, m is an integer of 0. ] 前記（Ａ）樹脂および前記（Ｂ）感放射線性酸発生剤が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、２−ヘプタノンおよびシクロヘキサノンから選ばれる少なくとも一種を含有する溶剤に溶解されてなる、請求項１または２に記載の感放射線性樹脂組成物。   The said (A) resin and the said (B) radiation sensitive acid generator are melt | dissolved in the solvent containing at least 1 type chosen from propylene glycol monomethyl ether acetate, 2-heptanone, and cyclohexanone. The radiation sensitive resin composition as described. 前記（Ａ）樹脂が、前記一般式（１）で表され、かつ前記一般式（１）中の前記Ｒ２がメチル基である繰返し単位群から選ばれる少なくとも１種の繰返し単位と、前記一般式（１）で表され、かつ前記一般式（１）中の前記Ｒ２ が炭素原子数２〜４のアルキル基である繰返し単位群から選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位とを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の感放射線性樹脂組成物。 (A) the resin, the represented by the general formula (1), and at least one repeating unit selected from repeating units groups are the R 2 is a methyl group in the general formula (1), the general is represented by the formula (1), and in that it has at least one repeating unit wherein R 2 in the general formula (1) is selected from repeating units group is an alkyl group having carbon atom number of from 2 to 4 The radiation sensitive resin composition of any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned.
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