JP4227995B2 - 有機el素子 - Google Patents
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(1) 有機化合物の物理的変化(結晶ドメインの成長などにより界面の不均一化が生じ、素子の電荷注入能の劣化・短絡・絶縁破壊の原因となる。特に分子量500以下の低分子化合物を用いると結晶粒の出現・成長が起こり、膜性が著しく低下する。また、ITO等の界面が荒れていても、顕著な結晶粒の出現・成長が起こり、発光効率の低下や、電流のリークを起こし、発光しなくなる。また、部分的非発光部であるダークスポットの原因にもなる。)
(2) 陰極の酸化・剥離(電子の注入を容易にするために仕事関数の小さな金属としてNa・Mg・Li・Ca・K・Alなどを用いてきたが、これらの金属は大気中の水分や酸素と反応したり、有機層と陰極の剥離が起こり、電荷注入ができなくなる。特に高分子化合物などを用い、スピンコートなどで成膜した場合、成膜時の残留溶媒や分解物が電極の酸化反応を促進し、電極の剥離が起こり部分的な非発光部を生じさせる。)
(3) 発光効率が低く、発熱量が多いこと(有機化合物中に電流を流すので、高い電界強度下に有機化合物を置かねばならず、発熱からは逃れられない。その熱のため、有機化合物の溶融・結晶化・熱分解などにより素子の劣化・破壊が起こる。)
(4) 有機化合物層の光化学的変化・電気化学的変化などが挙げられる。
クマリン化合物は、このもののみで発光層に用いられたり、トリス(8−キノリノラト)アルミニウムのようなホスト化合物とともに、ゲスト化合物あるいはドーパントとして発光層に用いられている。このような有機EL素子において発光層と組み合わせられる正孔注入層や正孔輸送層あるいは正孔注入輸送層には、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4、4’−ジアミンのように、1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン骨格を有し、ジアミンの2個の窒素原子にフェニル基または置換フェニル基を有するようなテトラフェニルジアミン誘導体が用いられている。しかし、このような有機EL素子では発光寿命および耐熱性などの信頼性が十分でなく、ホスト化合物に用いられている場合は高輝度な素子は得られていない。
このような理由で、現在までには2種以上の発光種をドーピングにより安定に発光させた例はなかった。
(1) 下記式(I)で示されるクマリン誘導体を含有する発光層と、下記式(II)で示されるテトラアリールジアミン誘導体を含有する正孔注入性および/または輸送性の層とを有する有機EL素子。
(3) 前記ホスト材料がキノリノナト金属錯体である(2)の有機EL素子。
(4) 前記発光層が、少なくとも1層の正孔注入性および/または正孔輸送性の層と少なくとも1層の電子注入性および/または電子輸送性の層とで挟持される(1)〜(3)のいずれかの有機EL素子。
(5)前記正孔注入性および/または輸送性の層に、さらにルブレンがドーパントとしてドープされた(1)〜(3)のいずれかの有機EL素子。
(6) 光の取り出し側にカラーフィルターおよび/または蛍光変換フィルターを配置し、カラーフィルターおよび/または蛍光変換フィルターを通して光を取り出すように構成した(1)〜(5)のいずれかの有機EL素子。
本発明の有機EL素子は、式(I)で示されるクマリン誘導体を含有する発光層と式(II)で示されるテトラアリールジアミン誘導体を含有する正孔注入性および/または輸送性の層とを有するものである。
R1〜R3で表されるアルキル基としては、炭素数1〜5のものが好ましく、直鎖状であっても分岐を有するものであってもよく、置換基(ハロゲン原子等)を有していてもよい。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、(n−,i−)プロピル基、(n−,i−,s−,t−)ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、t−ペンチル基、トリフルオロメチル基等が挙げられる。
R1〜R3で表されるアリール基としては、単環のものが好ましく、炭素数は6〜24であることが好ましく、置換基(ハロゲン原子、アルキル基等)を有していてもよい。具体的にはフェニル基等が挙げられる。
R1〜R3で表されるアシル基としては、炭素数は2〜10のものが好ましく、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。
R1〜R3で表されるエステル基としては、炭素数2〜10のものが好ましく、具体的にはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基等が挙げられる。
以下に、R1〜R3で表される複素環基の好適例を示す。
R1〜R3は同時に水素原子とはならないことが好ましく、特にR1が上記のような複素環基であるものが好ましい。
R4〜R7で表されるアルキル基としてはR1〜R3のところのものと同じものを挙げることができる。
R4とR5、R5とR6およびR6とR7は各々互いに結合して環を形成してもよく、特にR4とR5、R6とR7が各々互いに結合して炭素原子(C)、窒素原子(N)とともに6員環を同時に形成することが好ましい。このようにして一部水素化したキノリジン環を形成する場合の構造式としては下記式(Ia)で示されるものが好ましい。特に、クマリン化合物同士の相互作用による蛍光濃度消光を防止し蛍光量子収率が向上する。
以下に式(I)に示されるクマリン誘導体の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下では式(I)、式(Ia)中のR1等の組合せで表示する。なお、以下において、Phはフェニル基を表わす。
式(I)のクマリン誘導体は1種のみを用いても2種以上を併用してもよい。
式(II)中、Ar1、Ar2、Ar3およびAr4は各々アリール基を表し、Ar1〜Ar4のうち少なくとも1個は2個以上のベンゼン環を有する縮合環または環集合から誘導される多環のアリール基である。
Ar1〜Ar4で表されるアリール基としては、置換基を有していてもよく、総炭素数6〜24のものが好ましい。単環のアリール基としては、フェニル基、トリル基等が挙げられ、多環のアリール基としては、2−ビフェニリル基、3−ビフェニリル基、4−ビフェニリル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、ペリレニル等が挙げられる。
式(II)において、Ar1、Ar2が結合して得られるアミノ基部分とAr3、Ar4が結合して得られるアミノ基部分とは同一であることが好ましい。
R11、R12で表されるアルキル基としては式(I)のR1〜R3のところのものと同様のものを挙げることができ、メチル基等が好ましい。p、qは0または1であることが好ましい。
式(II)中、R13およびR14は各々アリール基を表し、rおよびsは各々0または1〜5の整数である。
R13、R14で表されるアリール基としては式(I)のR1〜R3のところのものと同様のものを挙げることができ、フェニル基等が好ましい。r、sは0または1であることが好ましい。
以下に式(II)で示されるテトラアリールジアミン誘導体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下では式(IIa)中のAr1等の組合せを用いて示している。またR51〜R58、R59〜R68ではすべてのHのときはHで示し、置換基があるときは置換基のみを示している。
これらの化合物は、1000〜2000程度の分子量をもち、融点は200〜400℃程度、ガラス転移温度は130〜200℃程度である。このため、通常の真空蒸着等により透明で室温以上でも安定なアモルファス状態を形成し、平滑で良好な膜として得られ、しかもそれが長期間に渡って維持される。また、バインダー樹脂を用いることなく、それ自体で薄膜化することができる。
式(II)のテトラアリールジアミン誘導体は1種のみを用いても2種以上を併用してもよい。
このほかのホスト材料としては、特開平8−12600号に記載のフェニルアントラセン誘導体や特開平8−12969号に記載のテトラアリールエテン誘導体なども好ましい。
式(V)
A1−L1−A2 (V)
A1、A2で表されるモノフェニルアントリル基またはジフェニルアントリル基は、無置換でも置換基を有するものであってもよく、置換基を有する場合の置換基としては、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アミノ基等が挙げられ、これらの置換基はさらに置換されていてもよい。また、このような置換基の置換位置は特に限定されないが、アントラセン環ではなく、アントラセン環に結合したフェニル基であることが好ましい。また、アントラセン環におけるフェニル基の結合位置はアントラセン環の9位、10位であることが好ましい。
また、L1で表されるアリーレン基は、2個ないしそれ以上のアリーレン基がアルキレン基、−O−、−S−または−NR−が介在して連結するものであってもよい。ここで、Rはアルキル基またはアリール基を表す。アルキル基としてはメチル基、エチル基等が挙げられ、アリール基としてはフェニル基等が挙げられる。なかでも、アリール基が好ましく、上記のフェニル基のほか、A1、A2であってもよく、さらにはフェニル基にA1またはA2が置換したものであってもよい。また、アルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が好ましい。
また、テトラアリールエテン誘導体は下記式(VI)で表されるものである。
Ar1〜Ar3で表される芳香族残基としては、芳香族炭化水素基(アリール基)、芳香族複素環基が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、単環もしくは多環の芳香族炭化水素基であってよく、縮合環や環集合も含まれる。芳香族炭化水素基は、総炭素数が6〜30のものが好ましく、置換基を有するものであってもよい。置換基を有する場合の置換基としては、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アミノ基等が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アリールフェニル基、アリーロキシフェニル基、アミノフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、ペリレニル基などが挙げられる。
nは2〜6の整数であり、特に2〜4の整数であることが好ましい。
L2はn価の芳香族残基を表すが、特に芳香族炭化水素、芳香族複素環、芳香族エーテルまたは芳香族アミンから誘導される2〜6価、特に2〜4価の残基であることが好ましい。これらの芳香族残基は、さらに置換基を有するものであってもよいが、無置換のものが好ましい。
式(V)、(VI)の化合物は基の組合せ等によって電子輸送性あるいは正孔輸送性のホスト材料となりうる。
なお、上記のような混合層においては、式(I)のクマリン誘導体のほか、式(III)のキナクリドン化合物または式(IV)のスチリル系アミン化合物をドーパントとして用いることができる。この場合のドープ量は式(I)のクマリン誘導体と同様である。
R21、R22で表されるアリール基としては、置換基を有していてもよく、総炭素数1〜30のものが好ましく、具体的にはフェニル基、トリル基、ジフェニルアミノフェニル基等が挙げられる。
R23、R24は各々アルキル基またはアリール基を表し、これらの具体例としては、R21、R22のところのものと同様のものを挙げることができる。tおよびuは各々0または1〜4の整数であり、0であることが好ましい。t,uが2以上であるとき、隣接するR23同士、R24同士は互いに結合して環を形成してもよく、このような環としてはベンゼン環、ナフタレン環等の炭素環が挙げられる。
R32およびR33は各々水素原子、アリール基またはアルケニル基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。
R32、R33で表されるアリール基としては置換基を有するものであってもよく、総炭素数6〜70のものが好ましい。具体的にはフェニル基、ナフチル基、アントリル基等が挙げられ、置換基としてはアリールアミノ基、アリールアミノアリール基等が好ましい。また置換基にはスチリル基が含まれることも好ましく、このような場合式(IV)で示される化合物から誘導される一価の基同士が、それ自体でまたは連結基を介して結合したような構造であることも好ましい。
R32、R34で表されるアルケニル基としては置換基を有するものであってもよく、総炭素数2〜50のものが好ましく、ビニル基等が挙げられ、ビニル基とともにスチリル基を形成していることが好ましく、このような場合、式(IV)で示される化合物から誘導される一価の基同士が、それ自体でまたは連結基を介して結合したような構造であることも好ましい。
R34はアリールアミノ基またはアリールアミノアリール基を表し、これらにはスチリル基を含んでいてもよく、このような場合、上記の同じく、式(IV)で示される化合物から誘導される一価の基同士がそれ自体でまたは連結基を介して結合したような構造であることも好ましい。
式(IV)のスチリル系アミン化合物の具体例を以下に示す。
このとき、陰極側から電子親和力の値の大きい化合物の層の順に積層することが好ましく、陰極に接して電子注入層、発光層に接して電子輸送層を設けることが好ましい。電子親和力と積層順との関係については電子注入輸送層を2層以上設けるときも同様である。
なお、基板に不透明な材料を用いる場合には、図1に示される積層順序を逆にしてもよい。
このときの緑、青、赤のCIE色度座標は、好ましくは現行CRTの色純度と同等以上またはNTSC標準の色純度と同等であればよい。
本発明における好ましいλmax、CIE色度座標のx、y値の発光は、カラーフィルター膜や蛍光変換フィルター膜などを設けることによって得てもよい。
また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用いてカラーフィルターの代わりにしてもよい。
このような蛍光変換フィルター用いることによって、CIE色度座標において好ましいx、y値が得られる。また、蛍光変換フィルター膜の厚さは0.5〜20μm程度とすればよい。
また、カラーフィルター膜や蛍光変換フィルター膜の上には保護膜を設けることが好ましい。保護膜の材質はガラス、樹脂等であってよく、フィルター膜のダメージが防止でき、後工程での問題が起きないような材料を選択すればよく、その厚さは1〜10μm程度である。保護膜を設けることにより、フィルター膜のダメージを防止でき、表面をフラット化でき、屈折率や膜厚の調整、光取り出し効率の向上等を図ることができる。
陰極および陽極は、蒸着法やスパッタ法等の気相成長法により形成することが好ましい。
さらに説明すると電子輸送性層から注入される電子による電流密度とホール輸送性層から注入されるホールによる電流密度が同程度のオーダー、すなわち両キャリアの電流密度の比が1/10〜10/1、好ましくは1/6〜6/1、より好ましくは1/2〜2/1である発光層である。
一方、正孔輸送性の発光層は、ホールの電流密度がバイポーラ型よりも高いものであり、電子輸送性のものは、電子の電流密度がバイポーラ型より高いものである。
一般には電流密度はキャリア濃度とキャリア移動度の積で決まる。
すなわち、発光層でのキャリア密度は、各界面での障壁で決まる。例えば、電子については電子注入される発光層界面での電子の障壁の大きさ(電子親和力の差)で決まり、ホールについてはホール注入される発光層界面でのホールの障壁の大きさ(イオン化ポテンシャルの差)で決まる。また、キャリア移動度は発光層に用いる材料の種類で決まる。
これらの値により、発光層内の電子とホールの分布が決まり、発光領域も決まる。
例えば、陽極/ホール輸送性層/発光層/電子輸送性層/陰極の構成において、発光層界面での各キャリア輸送性層でのキャリア密度が一定の場合を考える。
ただし、調整には限界があり、理想的には発光層の各キャリア移動度と各キャリア濃度が等しいか、ほぼ同程度であることが望ましい。
特に発光層は、電子の注入・輸送、ホールの注入・輸送、再結合、発光などの機能が要求されるが、特に電子・ホールの注入輸送する状態は、アニオンラジカル・カチオンラジカルもしくは、それに近い状態に相当し、有機固体薄膜材料に対してこのような電気化学的状態での安定性が要求される。
素子の発光安定性を得るには上記のような安定性を持つ化合物・素子構成、特に電気化学的に安定な化合物・素子構成を持つことが必要である。
この場合の混合層は、前記と同様に、正孔注入輸送性化合物と電子注入輸送性化合物とを含有する層であり、これらの混合物をホスト材料として用いたものである。また正孔輸送性の発光層は正孔注入輸送性化合物を、電子輸送性の発光層は電子注入輸送性化合物を各々ホスト材料として用いたものである。
i)まず、混合層同士の組合せ、例えば混合層が2層の場合を説明する。正孔注入性および/または輸送性の層(「正孔層」と略す)側の混合層を混合第1層、電子注入性および/または輸送性の層(「電子層」と略す)側の混合層を混合第2層とすると、正孔層から注入された正孔(ホール)は混合第1層を通過し混合第2層へ、電子層から注入された電子は混合第2層を通過し混合第1層へと進むことが可能である。再結合確率は電子濃度、ホール濃度および電子ホール衝突確率によって決まるが、再結合領域は混合第1、第2層、界面等の障壁がないので広く分散する。したがって、混合第1、第2層でそれぞれ励起子が生成され、それぞれのホストから、最も近い発光種にエネルギー移動する。混合第1層で生成された励起子はこの層中の発光種(ドーパント)へ、混合第2層ではこの層中の発光種(ドーパント)へエネルギー移動することにより、2種の発光種が発光可能になっている。
このような現象は混合層が3層以上であっても同様である。
ただし、ドーパントがキャリアトラップとして働く場合、トラップの深さを考慮する必要がある。
また、本発明では、ホスト材料の種類を変えることによってもキャリア輸送性を変えることができる。
このような多色発光に対応した発光層の1層当たりの厚さは5〜100nm、さらには10〜80nmであることが好ましく、発光層の合計厚さは60〜400nmであることが好ましい。なお、混合層1層当たりの厚さは5〜100nm、さらには10〜60nmであることが好ましい。
(Ar)m−L (VII)
芳香族残基としては、芳香族炭化水素残基、芳香族複素環残基が挙げられる。
芳香族炭化水素残基としては、ベンゼン環を含む炭化水素基のいずれであってもよく、例えば単環もしくは多環の芳香族炭化水素残基が挙げられ、縮合環や環集合も含まれる。
ナフチル基としては、1−ナフチル基、2−ナフチル基等であってよい。
このような縮合多環芳香族の2〜8価の残基Lの具体例を以下に示す。
特に、Lとしては、ベンゼン環が直鎖状に縮合したナフタセン、ペンタセンまたはヘキサセンから誘導される2〜8価、特に2〜6価の残基が好ましい。とりわけナフタセンから誘導されるもの、すなわちナフタセン骨格を有する化合物を構成するものが好ましい。
(Ar11)2−L1−L2−(Ar12)2 (VII−A)
一方、発光層に用いるホスト材料としては、前記のホスト材料、正孔注入輸送性化合物、電子注入輸送性化合物として列挙したもののなかから選択することができる。
正孔注入輸送性化合物である正孔輸送性のホスト材料としては、式(II)で示されるテトラアリールジアミン誘導体を含む芳香族三級アミンが好ましいものとして挙げられる。
以下に、前記の化合物に包含ないし重複する化合物もあるが、電子輸送性のホスト材料を列挙する。ここでは式(E−1)〜(E−14)に従うΦ101等の組合せで示している。
このような有機EL素子においては、発光層を挟持する形で陽極側に正孔注入性および輸送性の層、および陰極側に電子注入性および/または輸送性の層が設けられている。この場合の正孔注入性および/または輸送性の層、電子注入性および/または輸送性の層、陽極、陰極等は前記と同様である。
また、混合層をはじめとする有機化合物層の形成方法等の有機EL素子の製造方法についても前記と同様である。
本発明の有機EL素子は、通常、直流駆動型のEL素子として用いられるが、交流駆動またはパルス駆動することもできる。印加電圧は、通常、2〜20V程度とされる。
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
厚さ100nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥し、UVオゾン洗浄後、蒸着装置の基板ホルダーに固定して、1×10-6torrまで減圧した。
次いで、4,4’,4”−トリス(−N−(−3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)を蒸着速度2nm/secで50nmの厚さに蒸着し、正孔注入層とした。
次いで、例示化合物I−201とトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(A1Q3)を重量比で2:100の比率で、50nmの厚さに蒸着し、発光層とした。
次いで、減圧状態を保ったまま、電子注入輸送層として、トリス(8−キノリノラト)アルミニウムを蒸着速度0.2nm/secで10nmの厚さに蒸着した。
さらに、減圧状態を保ったまま、MgAg(重量比10:1)を蒸着速度0.2nm/secで200nmの厚さに蒸着して陰極とし、保護層としてAlを100nm蒸着しEL素子を得た。
実施例1と同様に素子を作製した。ただし、正孔輸送層に、例示化合物II−102の代わりに例示化合物II−101のN,N’−ジフェニル−N、N’−ビス−(4’−(N,N−ビス(m−ビフェニル)アミノビフェニル−4−イル)ベンジジンを用いた。
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、14V・753mA/cm2で100480cd/m2の緑色(発光極大波長λmax=525nm、色度座標x=0.31y=0.66)の発光が確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動で680時間(1433cd/m2、駆動電圧上昇1.5V)初期輝度300cd/m2では4000時間であった。
実施例1と同様に素子を作製した。ただし、発光層に、例示化合物I−201の代わりに例示化合物I−203を用いた。
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、13V・553mA/cm2で69500cd/m2の緑色(発光極大波長λmax=515nm、色度座標x=0.26y=0.66)の発光が確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。部分非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動で600時間(1078cd/m2、駆動電圧上昇1.5V)初期輝度300cd/m2では4000時間であった。
実施例1と同様に素子を作製した。ただし、発光層に、例示化合物I−201の代わりに例示化合物I−202を用いた。
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、14V・753mA/cm2で71700cd/m2の緑色(発光極大波長λmax=515nm、色度座標x=0.29y=0.64)の発光が確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動で800時間(998cd/m2、駆動電圧上昇1.5V)初期輝度300cd/m2では5000時間であった。
実施例1と同様に素子を作製した。ただし、発光層に、例示化合物I−201の代わりに例示化合物I−103を用いた。
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、16V・980mA/cm2で61400cd/m2の緑色(発光極大波長λmax=510nm、色度座標x=0.23y=0.63)の発光が確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動で3000時間(730cd/m2、駆動電圧上昇8.0V)初期輝度300cd/m2では10000時間であった。
実施例1と同様に素子を作製した。ただし、発光層に、例示化合物I−201の代わりに例示化合物I−104を用いた。
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、12V、625mA/cm2で40300cd/m2の緑色(発光極大波長λmax=500nm、色度座標x=0.23y=0.58)の発光が確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動で800時間(680cd/m2、駆動電圧上昇2.5V)初期輝度300cd/m2では4000時間あった。
実施例1と同様に素子を作製した。ただし、正孔輸送層に、例示化合物II−102の代わりにN,N’−ビス(−3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−4,4’−ジアミノビフェニル(TPD001)を用いた。
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、13V・518mA/cm2で71700cd/m2の緑色(発光極大波長λmax=525nm、色度座標x=0.29y=0.66)の発光が確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動で65時間(1281cd/m2、駆動電圧上昇1.5V)初期輝度300cd/m2では800時間であった。
実施例1と同様に素子を作製した。ただし、正孔輸送層に、例示化合物II−102の代わりにN,N’−ビス(−3−ビフェニル)−N,N’−ジフェニル−4,4’−ジアミノビフェニル(TPD006)を用いた。
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、14V・532mA/cm2で81000cd/m2の緑色(発光極大波長λmax=525nm、色度座標x=0.32y=0.65)の発光が確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動で68時間(1730cd/m2、駆動電圧上昇2.0V)初期輝度300cd/m2では800時間であった。
実施例1と同様に素子を作製した。ただし、正孔輸送層に、例示化合物II−102の代わりにN,N’−ビス(−3−t−ブチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD008)を用いた。
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、13V・508mA/cm2で79300cd/m2の緑色(発光極大波長λmax=525nm、色度座標x=0.30y=0.66)の発光が確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動で29時間(1749cd/m2、駆動電圧上昇1.4V)初期輝度300cd/m2では500時間であった。
実施例1と同様に素子を作製した。ただし、正孔輸送層に、例示化合物II−102の代わりにN,N,N’,N’−テトラキス(−m−ビフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD005)を用いた。
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、14V・643mA/cm2で102700cd/m2の緑色(発光極大波長λmax=525nm、色度座標x=0.28y=0.68)の発光が確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動で115時間(1842cd/m2、駆動電圧上昇1.8V)初期輝度300cd/m2では1600時間であった。
実施例1と同様に素子を作製した。ただし、正孔注入層に、例示化合物II−102の代わりにN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス−(−4’−(N−(3−メチルフェニル)−N−フェニル)アミノビフェニル−4−イル)ベンジジン(TPD017)を用いた。
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、14V・715mA/cm2で75600cd/m2の緑色(発光極大波長λmax=525nm、色度座標x=0.32y=0.66)の発光が確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動で197時間(1156cd/m2、駆動電圧上昇2.3V)初期輝度300cd/m2では2000時間であった。
実施例1と同様に素子を作製した。ただし発光層に例示化合物I−201の代わりに下記のキナクリドン(例示化合物III−1)を用い0.75wt%となるように含有させた。
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、16V・840mA/cm2で60000cd/m2の黄緑色(発光極大波長λmax=540nm、色度座標x=0.37y=0.60)の発光が確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動で100時間(800cd/m2、駆動電圧上昇3.2V)初期輝度300cd/m2では500時間であった。
以上の実施例1〜6、比較例1〜6の有機EL素子の特性等を表1、2にまとめて示す。
ガラス基板上にカラーフィルター膜を富士ハント製CR−2000を用いて塗布により1μm厚に形成し、この上に赤色蛍光変換膜を富士ハント製CT−1にBASF製Lumogen F Red 300を2wt%溶解したものを用いて塗布しベークして5μm厚に形成し、さらにこの上にオーバーコートを富士ハント製CT−1を用いて塗布しベークして1μm厚に形成した。この上に、厚さ100nmのITOをスパッタし陽極付赤色素子基板を作製した。この基板を用い、実施例1と同様に素子を作製した。
上記のカラーフィルター材料は580nm以下の波長の光をカットするものであり、赤色蛍光変換材料は発光極大波長λmaxが630nmであり、λmax付近のスペクトルの半値幅は50nmであった。
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、15V・615mA/cm2で9000cd/m2の赤色(発光極大波長λmax=600nm、色度座標x=0.60y=0.38)の発光が確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全くなかった。
実施例1において、正孔輸送層を例示化合物II−102とルブレンとを10:1(重量比)で用い、共蒸着により形成するほかは同様にして素子を作製した。
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、14V・750mA/cm2で79800cd/m2の緑色(発光極大波長λmax=525nm、555nm、色度座標x=0.38y=0.57)の発光が確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動で700時間(1173cd/m2、駆動電圧上昇2.5V)、初期輝度300cd/m2では4500時間であった。
実施例1において、発光層を、正孔注入輸送性化合物としてN,N,N’,N’−テトラキス(−m−ビフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD005)、電子注入輸送性化合物としてトリス(8−キノリノラト)
アルミニウム(AlQ3)を各々用い、ほぼ同じ蒸着速度0.5nm/secで蒸着し、それと同時に例示化合物I−103も蒸着速度約0.007nm/secで蒸着して40nm厚の混合層として形成した。混合層において、TPD005:AlQ3:例示化合物I−103=50:50:0.7(膜厚比)である。そのほかは実施例1と同様にして素子を作製した。ただし、MTDATAを用いた正孔注入輸送層は50nm厚、TPD005を用いた正孔輸送層は10nm厚、AlQ3を用いた電子注入輸送層は40nm厚とした。
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、18V・600mA/cm2で54000cd/m2の緑色(発光極大波長λmax=510nm、色度座標x=0.30y=0.60)の発光が確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動で6000時間(1030cd/m2、駆動電圧上昇2.0V)、初期輝度300cd/m2では20000時間であった。
比較例4の混合層を用いない構成の素子に比べ格段と特性が向上することがわかった。
実施例1において、正孔注入層を40nm厚に形成し、正孔輸送層をTPD005とルブレン(7wt%)とを用いて20nm厚に形成し、この上に発光層を実施例9と同様にTPD005とAlQ3と例示化合物I−103とを用いて形成するほかは同様にして素子を作製した。
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、12V・650mA/cm2で67600cd/m2の緑色(発光極大波長λmax=510nm、550nm、色度座標x=0.38y=0.56)の発光が確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動で6500時間(900cd/m2、駆動電圧上昇2.0V)、初期輝度300cd/m2では25000時間であった。
実施例1において、発光層を、正孔注入輸送性化合物として例示化合物II−102、電子注入輸送性化合物としてトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(A1Q3)を各々用い、ほぼ同じ蒸着速度0.5nm/secで蒸着し、それと同時に例示化合物I−201も蒸着速度約0.015nm/secで蒸着して40nm厚の混合層として形成した。混合層において、例示化合物II−102:AlQ3:例示化合物I−201=50:50:1.5(膜厚比)である。そのほかは実施例1と同様にして素子を作製した。ただし、MTDATAを用いた正孔注入輸送層は50nm厚、II−102を用いた正孔輸送層は10nm厚、AlQ3を用いた電子注入輸送層は20nm厚とした。
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、13V・750mA/cm2で98000cd/m2の緑色(発光極大波長λmax=525nm、色度座標x=0.29y=0.67)の発光が確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動で4000時間(1100cd/m2、駆動電圧上昇2.0V)、初期輝度300cd/m2では18000時間であった。
実施例1において、正孔注入層を40nm厚に形成し、正孔輸送層を例示化合物II−102とルブレンとを用いて20nm厚に形成し、この上に発光層を実施例9と同様に例示化合物II−102とAlQ3と例示化合物I−201とを用いて形成するほかは同様にして素子を作製した。
このEL素子に電圧を印加して電流を流したところ、13V・900mA/cm2で80000cd/m2の黄緑色(発光極大波長λmax=525nm、560nm、色度座標x=0.40y=0.55)の発光が確認され、この発光は乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動で6000時間(1050cd/m2、駆動電圧上昇1.5V)、初期輝度300cd/m2では25000時間であった。
実施例9、10において、例示化合物I−103の代わりに、例示化合物III−1(キナクリドン)を用いて同様に素子を作製し、特性を調べたところ、良好な特性を得た。
実施例9、10において、例示化合物I−103代わりに、例示化合物IV−1(スチリル系アミン化合物)を用いて同様に素子を作製し、特性を調べたところ、良好な特性を得た。
実施例11、12において、例示化合物I−201の代わりに、例示化合物III−1(キナクリドン)を用いて同様に素子を作製し、特性を調べたところ、良好な特性を得た。
実施例11、12において、例示化合物I−201の代わりに、例示化合物IV−1(スチリル系アミン化合物)を用いて同様に素子を作製し、特性を調べたところ、良好な特性を得た。
クマリン誘導体の発光スペクトルを図2に示す。このときの発光スペクトルは以下に示すような構成の有機EL素子を用いて測定したものである。
厚さ100nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板(1.1mm厚)を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥し、UVオゾン洗浄後、蒸着装置の基板ホルダーに固定して、1×10−6Torrまで減圧した。
次いで、N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス[N-フェニル-N-4-トリル(4-アミノフェニル)]ベンジジン(HIM)を蒸着速度2nm/secで50nmの厚さに蒸着し、正孔注入層とした。
N,N,N',N'-テトラキス(-3-ビフェニル-1-イル)ベンジジン(TPD005)
を蒸着速度2nm/secで10nmの厚さに蒸着し、正孔輸送層とした。
さらにトリス(8-キノリノラト)アルミニウム(AlQ3)とクマリン誘導体とを蒸着速度2nm/secと0.02nm/secで共蒸着し、クマリン誘導体が1.0vol%となる電子輸送性発光層を70nmの厚さに形成した。
さらに、減圧状態を保ったまま、MgAg(重量比10:1)を蒸着速度0.2nm/secで200nmの厚さに蒸着して陰極とし、保護層としてAlを100nm蒸着し有機EL素子を得た。
図2からわかるように、クマリン誘導体は510nm付近に発光極大波長を有する。発光スペクトルの半値巾(ピーク強度の半分の点の巾)は70nmであった。
ルブレンの発光スペクトルを図3に示す。このときの発光スペクトルは以下に示すような構成の有機EL素子を用いて測定したものである。
厚さ100nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板(1.1mm厚)を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥し、UVオゾン洗浄後、蒸着装置の基板ホルダーに固定して、1×10−6Torrまで減圧した。
次いで、N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス[N-フェニル-N-4-トリル(4-アミノフェニル)]ベンジジン(HIM)を蒸着速度2nm/secで15nmの厚さに蒸着し、正孔注入層とした。
N,N,N',N'-テトラキス-(-3-ビフェニル-1-イル)ベンジジン(TPD005)を蒸着速度2nm/secで15nmの厚さに蒸着し、正孔輸送層とした。
さらに、TPD005とトリス(8-キノリノラト)アルミニウム(AlQ3)とを体積比が1:1となるように、かつルブレン(例示化合物1−20)を2.5vol%含むように40nmの厚さに共蒸着し、混合層タイプの第1の発光層とした。このときの蒸着速度は、順に0.05nm/sec、0.05nm/sec、0.00025nm/secとした。
次いで、減圧状態を保ったまま、電子注入輸送発光層として、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(AlQ3)を蒸着速度0.2nm/secで55nmの厚さに蒸着した。
さらに、減圧状態を保ったまま、MgAg(重量比10:1)を蒸着速度0.
2nm/secで200nmの厚さに蒸着して陰極とし、保護層としてAlを100nm蒸着し有機EL素子を得た。
図3からわかるように、ルブレンは560nm付近に発光極大波長を有する。発光スペクトルの半値巾は75nmであった。
クマリン誘導体の発光スペクトルを図2に示す。このときの発光スペクトルは以下に示すような構成の有機EL素子を用いて測定したものである。
トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(AlQ3)の発光スペクトルを図4に示す。このときの発光スペクトルは以下に示すような構成の有機EL素子を用いて測定したものである。
有機EL素子の作製 厚さ100nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板(1.1mm厚)を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥し、UVオゾン洗浄後、蒸着装置の基板ホルダーに固定して、1×10−6torrまで減圧した。
次いで、4,4’,4”−トリス(−N−(−3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)を蒸着速度2nm/secで40nmの厚さに蒸着し、正孔注入層とした。
N,N,N’N’−テトラキス(−3−ビフェニル−1−イル)ベンジジン(TPD005)を、蒸着速度2nm/secで15nmの厚さに蒸着し、正孔輸送層とした。
次いで、減圧状態を保ったまま、電子注入輸送性の発光層として、トリス(8−キノリノラト)アルミニウムを蒸着速度0.2nm/secで70nmの厚さに蒸着した。
さらに、減圧状態を保ったまま、MgAg(重量比10:1)を蒸着速度0.
2nm/secで200nmの厚さに蒸着して陰極とし、保護層としてAlを100nm蒸着しEL素子を得た。
図4からわかるように、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(AlQ3)は540nm付近に発光極大波長を有する。発光スペクトルの半値巾は110nmであった。
厚さ100nmのITO透明電極(陽極)を有するガラス基板(1.1mm厚)を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥し、UVオゾン洗浄後、蒸着装置の基板ホルダーに固定して、1×10−6Torrまで減圧した。
次いで、N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス[N-フェニル-N-4-トリル(4-アミノフェニル)]ベンジジン(HIM)を蒸着速度2nm/secで50nmの厚さに蒸着し、正孔注入層とした。
N,N,N',N'-テトラキス-(-3-ビフェニル-1-イル)ベンジジン(TPD005)を蒸着速度2nm/secで15nmの厚さに蒸着し、正孔輸送層とした。
さらに、TPD005とトリス(8-キノリノラト)アルミニウム(AlQ3)とを体積比が1:1となるように、かつルブレン(例示化合物1−22)を2.5vol%含むように20nmの厚さに共蒸着し、混合層タイプの第1の発光層とした。このときの蒸着速度は順に0.05nm/sec、0.05nm/sec、0.0025nm/secとした。
また、TPD005とAlQ3とを体積比が1:1となるように、かつクマリン誘導体の例示化合物I−103を1.0vol%含むように20nmの厚さに共蒸着し、混合層タイプの第2の発光層とした。このときの蒸着速度は順に0.05nm/sec、0.05nm/sec、0.001nm/secとした。
次いで、減圧状態を保ったまま、電子注入輸送発光層として、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(AlQ3)を蒸着速度0.2nm/secで50nmの厚さに蒸着した。
さらに、減圧状態を保ったまま、MgAg(重量比10:1)を蒸着速度0.
2nm/secで200nmの厚さに蒸着して陰極とし、保護層としてAlを100nm蒸着し有機EL素子を得た。
図5に発光スペクトルを示す。図5より、クマリン誘導体とルブレンがともに発光していることがわかる。この場合の発光スペクトル比C/R、クマリン誘導体(510nm)/ルブレン(560nm)は0.65であった。また、発光スペクトルの半値巾(最大ピークの強度の半分の点の巾)は120nmであり、クマリン誘導体、ルブレンともに発光していることがわかる。また、実施例9に比べ著しく寿命が延びている。したがって、ルブレンを含む混合層が長寿命化に寄与していることがわかる。
実施例17において、TPD005の正孔輸送層を形成したのち、AlQ3とルブレンとクマリンとを各蒸着速度0.1nm/sec、0.0025nm/sec、0.001nm/secで共蒸着し、ルブレンを2.5vol%、クマリン誘導体を1.0vol%含む電子輸送性の発光層を40nm厚に形成し、その後AlQ3の電子注入輸送層を50nm厚に形成するほかは同様にして有機EL素子を得た。
この発光スペクトルを図6に示す。図6からルブレンのみが発光していることがわかる。このときのC/Rは0であり、発光スペクトルの半値巾は70nmであった。
比較例7において、発光層のホスト材料をAlQ3のかわりにTPD005とした正孔輸送性の発光層を形成するほかは同様にして有機EL素子を得た。
この発光スペクトルを図7に示す。図7からルブレンのみが発光していることがわかる。このときのC/Rは0であり、発光スペクトルの半値巾は70nmであった。
実施例17において、TPD005の正孔輸送層を形成したのち、AlQ3とルブレンを各蒸着速度0.1nm/sec、0.0025nm/secで共蒸着し、ルブレンを2.5vol%含む電子輸送性の発光層を20nm厚に形成し、さらにこの上にAlQ3とクマリン誘導体を各蒸着速度0.1nm/sec、0.001nm/secで共蒸着し、クマリン誘導体を1.0vol%含む電子輸送性の発光層を20nm厚に形成し、その後AlQ3の電子注入輸送層を50nm厚に形成するほかは同様にして有機EL素子を得た。
この発光スペクトルを図8に示す。図8からルブレンのみの発光であることがわかる。このときのC/Rは0であり、発光スペクトルの半値巾は70nmであった。
比較例9において、2層構成の発光層のホスト材料をともにTPD005とした正孔輸送性の発光層を2層形成するほかは同様にして有機EL素子を得た。
この発光スペクトルを図9に示す。図9からクマリン誘導体とAlQ3の発光になっていることがわかる。このときのスペクトルの半値巾は90nmであった。
実施例17において、TPD005の正孔輸送層を形成したのち、TPD005とルブレンを各蒸着速度0.1nm/sec、0.0025nm/secで共蒸着し、ルブレンを2.5vol%含む正孔輸送性の発光層を20nm厚に形成し、次いでAlQ3とクマリン誘導体を各蒸着速度0.1nm/sec、0.001nm/secで共蒸着し、クマリン誘導体を1.0vol%含む電子輸送性の発光層を20nm厚に形成し、その後AlQ3の電子注入輸送層を50nm厚に形成するほかは同様にして有機EL素子を得た。
この有機EL素子に電圧を印加して電流を流したところ、12V・50mA/cm2で4500cd/m2の黄緑色(発光極大波長λmax=560nm、510nm、色度座標x=0.42y=0.54)の発光が確認され、この発光は乾燥アルゴン雰囲気中で10時間以上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全くなかったいた。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動駆動で100hr(初期輝度1000cd/m2、初期駆動電圧6.5V、駆動電圧上昇3.0V)であった。
図10に発光スペクトルを示す。図10より、クマリン誘導体とルブレンがともに発光していることがわかる。この場合の発光スペクトル比C/Rは0.5であった。また半値巾は80nmであった。
このものでは、クマリン誘導体とルブレンの発光がみられるが、発光寿命が短く実用的でないことがわかった。
実施例17において、TPD005の正孔輸送層を形成したのち、TPD005とAlQ3とルブレンを各蒸着速度0.05nm/sec、0.05nm/sec、0.0025nm/secで共蒸着し、TPD005:AlQ3が1:1となり、ルブレンが2.5vol%含まれる混合層タイプの発光層を20nm厚に形成した。次いでAlQ3とクマリン誘導体を各蒸着速度0.1nm/sec、0.001nm/secで共蒸着し、クマリン誘導体を1.0vol%含む電子輸送性の発光層を20nm厚に形成し、その後AlQ3の電子注入輸送層を50nm厚に形成するほかは同様にして有機EL素子を得た。
この有機EL素子に電圧を印加して電流を流したところ、12V・50mA/cm2で4000cd/m2の黄緑色(発光極大波長λmax=510nm、560nm、色度座標x=0.42y=0.54)の発光が確認され、この発光は乾燥アルゴン雰囲気中で1000時間以上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動駆動で40000hr(初期輝度1000cd/m2、初期駆動電圧6.9V、駆動電圧上昇3.0V)であった。
図11に発光スペクトルを示す。図11より、クマリン誘導体とルブレンがともに発光していることがわかる。この場合の発光スペクトル比C/Rは0.42であった。また半値巾は130nmであった。
実施例17において、混合層タイプの第1および第2の発光層のホスト材料のTPD005とAlQ3の体積比をTPD005/AlQ3=75/25となるようにするほかは同様にして有機EL素子を得た。
この有機EL素子に電圧を印加して電流を流したところ、12V・50mA/cm2で4100cd/m2の黄緑色(発光極大波長λmax=510nm、560nm、色度座標x=0.32y=0.58)の発光が確認され、この発光は乾燥アルゴン雰囲気中で1000時間以上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動駆動で30000hr(初期輝度900cd/m2、初期駆動電圧7.2V、駆動電圧上昇2.5V)であった。
図12に発光スペクトルを示す。図12より、クマリン誘導体とルブレンがともに発光していることがわかる。この場合の発光スペクトル比C/Rは1.4であった。また半値巾は120nmであった。このように混合層のホスト材料の比率をかえることにより実施例17とは異なるC/R比が得られることがわかる。
実施例17において、混合層タイプの第1および第2の発光層のホスト材料のTPD005とAlQ3の体積比をTPD005/AlQ3=66/33となるようにするほかは同様にして有機EL素子を得た。
この有機EL素子に電圧を印加して電流を流したところ、12V・50mA/cm2で3500cd/m2の黄緑色(発光極大波長λmax=510nm、560nm、色度座標x=0.34y=0.57)の発光が確認され、この発光は乾燥アルゴン雰囲気中で1000時間以上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動駆動で20000hr(初期輝度900cd/m2、初期駆動電圧7.3V、駆動電圧上昇2.5V)であった。
図13に発光スペクトルを示す。図13より、クマリン誘導体とルブレンがともに発光していることがわかる。この場合の発光スペクトル比C/Rは1.4であった。また半値巾は130nmであった。このように混合層のホスト材料の比率をかえることにより実施例17とは異なるC/R比が得られることがわかる。
実施例17において、混合層タイプの第1および第2の発光層のホスト材料のTPD005とAlQ3の体積比をTPD005/AlQ3=25/75となるようにするほかは同様にして有機EL素子を得た。
この有機EL素子に電圧を印加して電流を流したところ、12V・50mA/cm2で4200cd/m2の黄緑色(発光極大波長λmax=510nm、560nm、色度座標x=0.47y=0.51)の発光が確認され、この発光は乾燥アルゴン雰囲気中で1000時間以上安定していた。部分的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度の半減期は10mA/cm2の定電流駆動駆動で15000hr(初期輝度900cd/m2、初期駆動電圧7.5V、駆動電圧上昇2.5V)であった。
図14に発光スペクトルを示す。図14より、クマリン誘導体とルブレンがともに発光していることがわかる。この場合の発光スペクトル比C/Rは0.25であった。また半値巾は80nmであった。このように、混合層のホスト材料の比率をかえることにより実施例17とは異なるC/R比が得られることがわかる。
また、比較例7〜11の結果を併せて考えると、多色発光の方法として、発光層のホストのキャリア輸送特性を本発明の範囲にすればよいことがわかる。
Claims (6)
- 下記式(I)で示されるクマリン誘導体を含有する発光層と、下記式(II)で示されるテトラアリールジアミン誘導体を含有する正孔注入性および/または輸送性の層とを有する有機EL素子。
- 前記クマリン誘導体を含有する発光層が、ホスト材料に前記クマリン誘導体がドーパントとしてドープされたものである請求項1の有機EL素子。
- 前記ホスト材料がキノリノナト金属錯体である請求項2の有機EL素子。
- 前記発光層が、少なくとも1層の正孔注入性および/または正孔輸送性の層と少なくとも1層の電子注入性および/または電子輸送性の層とで挟持される請求項1〜3のいずれかの有機EL素子。
- 前記正孔注入性および/または輸送性の層に、さらにルブレンがドーパントとしてドープされた請求項1〜4のいずれかの有機EL素子。
- 光の取り出し側にカラーフィルターおよび/または蛍光変換フィルターを配置し、カラーフィルターおよび/または蛍光変換フィルターを通して光を取り出すように構成した請求項1〜5のいずれかの有機EL素子。
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