JP4226973B2 - X-ray crystal orientation measuring apparatus with crystal sample holding device - Google Patents

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Description

本発明は、単結晶材料などの結晶を所定の結晶方位で切断するための結晶定方位切断方法に関し、更には、かかる方法を実施するために使用する結晶試料保持装置とそれに好適なX線結晶方位測定装置に関する。   The present invention relates to a crystal orientation cutting method for cutting a crystal such as a single crystal material in a predetermined crystal orientation, and further, a crystal sample holding device used for carrying out such a method and an X-ray crystal suitable for it. The present invention relates to an azimuth measuring device.

一般に、単結晶は、原子または分子が規則正しく周期的に配列したものであり、従って、結晶のどの場所でも、その結晶方位は同じであり、このような結晶は、通常、シングルドメインであると言われる。かかる単結晶では、その結晶方位により機械的、光学的、電磁気的性質が異なっており(異方性がある)、この結晶の特性を積極的に利用する場合には、その結晶方位を調べ、一定の方向に切り出して(定方位切断)利用している。そのため、結晶方位測定が必要となる。   In general, a single crystal is a regular periodic arrangement of atoms or molecules, and therefore the crystal orientation is the same everywhere in the crystal, and such a crystal is usually said to be single domain. Is called. In such a single crystal, mechanical, optical, and electromagnetic properties are different depending on the crystal orientation (there is anisotropy). When actively utilizing the characteristics of this crystal, the crystal orientation is investigated, It is cut out in a certain direction (fixed orientation cutting) and used. Therefore, crystal orientation measurement is required.

ところで、従来技術における結晶の方位測定方法について、以下に、添付の図を参照しながら説明する。
まず、図8に第1の例(ゴニオスタットとポラロイドカセット(ポラロイドは登録商標)を使用した方位測定方法)を示す。この例で定方位切断加工を施すには、次の手順を踏む。
結晶を直交する3軸の回転機構が付いたゴニオスタットの上に固定する。(2)ポラロイドカセットでラウエ写真を撮影する。(3)撮影結果を解析して3軸の回転で角度補正を加え所望の格子面に方位を調整する。(4)調整後、所定の格子面が設定させているか再確認の撮影を行う。必用なら微調整を施す。(5)結晶をゴニオスタットごと外周歯カッターに移設し、結晶を切断する。
By the way, the crystal orientation measurement method in the prior art will be described below with reference to the accompanying drawings.
First, FIG. 8 shows a first example (direction measuring method using a goniostat and a polaroid cassette ( Polaroid is a registered trademark)) . In this example, the following procedure is performed in order to perform a fixed-direction cutting process.
( 1 ) The crystal is fixed on a goniostat having a three-axis rotation mechanism orthogonal to each other. (2) Take a Laue photo with Polaroid cassette. (3) Analyzing the imaging result, adjusting the angle to a desired lattice plane by correcting the angle by rotating around three axes. (4) After adjustment, photographing is performed to confirm whether a predetermined lattice plane is set. Make fine adjustments if necessary. (5) Transfer the crystal together with the goniostat to the outer peripheral tooth cutter and cut the crystal.

この方法は最も一般的に行なわれている方法であるが、しかしながら、取り扱うことが可能な結晶の最大径は20mm程度までであり、例えば、螢石の巨大結晶(例えば、300〜400mmの大口径の結晶)に適用することはできない。   This method is the most commonly performed method, however, the maximum diameter of the crystal that can be handled is up to about 20 mm. For example, a huge crystal of meteorite (for example, a large diameter of 300 to 400 mm). It is not possible to apply it to the crystal.

次に、添付の図9に示す例(3軸の回転機構とポラロイドカセット(ポラロイドは登録商標)を使用した方位測定方法)でも、直交する3軸の回転機構により結晶を保持することにより、結晶の方位調整が可能である。この例では、内周歯カッター用で、同様に方位調整で面出しの終わった結晶は、φ回転機構ごとカッターのバイスに移設される。その後、χ,ω角は、ゴニオメータの目盛り板で読み取り、カッター付属のχ,ω回転機構に写し取って切断する。しかしながら、この方法で取り扱える結晶の大きさも、せいぜい直径100mm程度までであり、到底、上述したような螢石巨大結晶に適用することはできない。 Next, in the example shown in FIG. 9 (an orientation measurement method using a three-axis rotation mechanism and a Polaroid cassette (Polaroid is a registered trademark)) , the crystal is held by the orthogonal three-axis rotation mechanism. Can be adjusted. In this example, the crystals that are used for the inner peripheral tooth cutter and have been chamfered by adjusting the orientation are transferred to the cutter vise together with the φ rotation mechanism. After that, the χ and ω angles are read with a goniometer scale plate, copied to the χ and ω rotating mechanism attached to the cutter, and cut. However, the size of the crystals that can be handled by this method is at most about 100 mm in diameter, and cannot be applied to the above-mentioned huge meteorite crystals.

更に、添付の図10の例は、上記のような巨大結晶にも適用できる方法であるが、但し、結晶が巨大で重いため、χ回転機構は省かざるを得ない。そのため、もっぱらφとω回転機構で面出し調整を行うものである。ところで、結晶はゴニオメータのV溝に乗せるため、その外形を円筒研削され、かつ、両端面も棒軸に垂直に切断した状態に整備する必要がある。ω回転は、このV溝に乗った結晶を回転ノブの調整で設定でき、他方、φ回転は、プロトラクター(分度器)を利用する。   Furthermore, the attached example of FIG. 10 is a method that can be applied to a giant crystal as described above. However, since the crystal is huge and heavy, the χ rotation mechanism must be omitted. Therefore, surface adjustment is performed exclusively by the φ and ω rotating mechanisms. By the way, in order to place the crystal in the V-groove of the goniometer, it is necessary to maintain the outer shape of the crystal that is cylindrically ground and that both end faces are cut perpendicular to the rod axis. The ω rotation can set the crystal on the V-groove by adjusting the rotary knob, while the φ rotation uses a protractor (protractor).

先ず、ポラロイドカセット(ポラロイドは登録商標)による撮影前に、基準のケガキ線を結晶の外周面に入れておく。その方位測定後、プロトラクターを回転修正すべき角度に設定し、設定した定規とケガキ線とが平行になるよう結晶を回転設定する。プロトラクターをゼロ位置に戻し、再び、ケガキ線を書き込み、これを切断のときの基準線とする。なお、この場合には、カッターとしては、上記の外周歯や内周歯は使えないため、帯鋸カッターで結晶の切断が行なわれる。その後、スコヤでφ回転位置基準のケガキ線と平行にセットする。端面とカッターのプレードをω角に設定して切断する。以上の手順を踏んでいた。 First, a reference marking line is put on the outer peripheral surface of the crystal before photographing with a Polaroid cassette (Polaroid is a registered trademark) . After the orientation measurement, the protractor is set to an angle that should be corrected for rotation, and the crystal is rotated so that the set ruler and the marking line are parallel. Return the protractor to the zero position, write the marking line again, and use this as the reference line for cutting. In this case, since the outer peripheral teeth and the inner peripheral teeth cannot be used as the cutter, the crystal is cut with a band saw cutter. After that, set it in parallel with the marking line of φ rotation position with a skewer. Set the end face and cutter blade to ω angle and cut. I followed the above steps.

なお、例えば、ブリッジマン法で育成された螢石結晶(CaF,Fluorite)では、各種の応用目的を果たすために、近年では、300〜400mmの大口径の結晶が人工的に育成されており、上述したようにその結晶方位による異方性を積極的に利用する場合には、このように巨大な結晶の方位を調べ、かつ、必要な方位で切断加工することが必要となってきている。 In addition, for example, in the meteorite crystal (CaF 2 , Fluorite) grown by the Bridgeman method, in recent years, a crystal having a large diameter of 300 to 400 mm has been artificially grown in order to fulfill various application purposes. As described above, when the anisotropy due to the crystal orientation is positively utilized, it is necessary to investigate the orientation of such a huge crystal and cut it in a necessary orientation. .

また、結晶方位測定とは、結晶の外形に対し、その結晶軸がどのように取り付いているかを調べることであり(全3軸方位)、そのためには、一般的に、ラウエ(Laue)法が利用されている。   In addition, crystal orientation measurement is to examine how the crystal axes are attached to the outer shape of the crystal (all three-axis orientations). For this purpose, the Laue method is generally used. It's being used.

さらには、以下に示す特許文献1によれば、特性X線を利用してブラッグ反射が起きるX線の入射角を測定し、もって、既知のブラッグ角から求める面方位を測定する方法や装置も既に知られている。なお、かかる測定方法を採用した面方位測定装置も既に製品化されており、例えば、FSASあるいはSAMの名称により商品化されている。   Furthermore, according to Patent Document 1 shown below, there is also a method and apparatus for measuring an incident angle of X-rays at which Bragg reflection occurs using characteristic X-rays, and measuring a plane orientation obtained from a known Bragg angle. Already known. In addition, the plane orientation measuring apparatus which employ | adopted this measuring method is already commercialized, for example, is commercialized by the name of FSAS or SAM.

また、やはり特性X線を利用してブラッグ反射が起きるX線の入射角を測定し、それと共に、回折X線が検出器のどの位置に入射したかを併せて調べることにより、結晶方位を測定する方法も既に、以下の特許文献2により知られている。   Also, the crystal orientation is measured by measuring the incident angle of X-rays where Bragg reflection occurs, using characteristic X-rays, and also investigating where the diffracted X-rays are incident. The method of doing this is already known from Patent Document 2 below.

特公平4−59581号公報(特開昭57−136151号公報);第3図Japanese Examined Patent Publication No. 4-59581 (Japanese Patent Laid-Open No. 57-136151); FIG. 特公平3−58058号公報(特開昭57−136150号公報);第4図Japanese Examined Patent Publication No. 3-58058 (JP-A 57-136150); FIG.

上記に説明した従来技術では、その一部によれば、巨大結晶が扱えるものの、しかしながら、結晶を円筒研削したり、端面を棒軸に垂直に加工するなどの前準備に手間がかかる欠点があった。特に、螢石結晶はブリッジマン法によって結晶育成がなされ、そのため、結晶成長後の形状は、通常、坩堝の形であり、所謂、円筒部と円錐部がある。なお、かかる螢石の巨大結晶は、結晶成長に大電力と長時間(約3ケ月程度)を要し、大変に高価な結晶である。そのため、その錐部も利用してなるべく無駄を出したくないという要望も強い。   Although some of the conventional techniques described above can handle large crystals, there are disadvantages, however, that preparations such as cylindrical grinding of the crystal and machining of the end face perpendicular to the rod axis are time-consuming. It was. In particular, the meteorite crystal is grown by the Bridgman method. Therefore, the shape after the crystal growth is usually a crucible shape, so-called a cylindrical portion and a conical portion. Such huge crystals of meteorites are very expensive crystals that require high power and a long time (about 3 months) for crystal growth. For this reason, there is a strong demand not to use the cone part as much as possible.

加えて、特に螢石の特長として、方位の僅かに異なる結晶粒より構成される、所謂、サブグレイン構造になっていることが挙げられる。しかしながら、上述した従来技術のX線方位測定試料保持機構では、場所を数ケ所変えて測定してその平均値で定方位切断加工を行なおうとした場合、困難であるか、又は、更に複雑な機構を必要とするものであった。   In addition, a feature of the meteorite is that it has a so-called subgrain structure composed of crystal grains having slightly different orientations. However, in the above-described X-ray azimuth measurement sample holding mechanism described above, it is difficult or more complicated when it is attempted to carry out a constant azimuth cutting process with an average value by measuring several places. It was something that required a mechanism.

そこで、本発明では、上述の従来技術における問題点を解消し、特に、螢石結晶等の巨大な結晶について、その結晶方位を測定し、所望の一定方位で切り出すための方法であり、簡単に実現することの可能な結晶定方位切断方法を提供し、更には、かかる結晶定方位切断方法において結晶方位を測定するために使用するに適したX線結晶方位測定装置を、更には、そのために使用するに好適な結晶試料保持装置を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention solves the above-mentioned problems in the prior art, and in particular, is a method for measuring the crystal orientation of a huge crystal such as a meteorite crystal and cutting it out at a desired constant orientation. A crystal orientation cutting method that can be realized, and an X-ray crystal orientation measuring apparatus suitable for use in measuring the crystal orientation in such a crystal orientation cutting method are provided. An object is to provide a crystal sample holding device suitable for use.

上記の目的を達成するため、本発明によれば、まず、その一部に測定用小孔を形成し、結晶試料の被測定面を下面にして載置可能な試料テーブルと、前記テーブルの下方に配置され、X線を前記測定用小孔を介して前記結晶試料の被測定面に照射する手段と、前記結晶試料の被測定面からの回折像を撮像する手段と、前記撮像手段により撮像された回折像に基づいて、前記結晶試料の被測定面における結晶定方位を測定するX線結晶方位測定装置が提供される。   In order to achieve the above object, according to the present invention, first, a measurement table is formed in a part thereof, a sample table that can be placed with a measured surface of a crystal sample as a lower surface, and a lower portion of the table. And means for irradiating the measurement surface of the crystal sample with the X-rays through the small holes for measurement, means for imaging a diffraction image from the measurement surface of the crystal sample, and imaging by the imaging means An X-ray crystal orientation measuring apparatus for measuring the crystal orientation on the surface to be measured of the crystal sample is provided based on the diffraction image.

また、本発明によれば、前記したX線結晶方位測定装置において、さらに、上記試料テーブル上に載置された前記結晶試料をその表面上に移動可能にする手段を備えてもよく、また、前記結晶試料の被測定面からの回折像を撮像する手段は、CCDカメラにより構成されていることが好ましい。   Moreover, according to the present invention, the above-described X-ray crystal orientation measuring apparatus may further include means for allowing the crystal sample placed on the sample table to move on the surface thereof, The means for capturing a diffraction image from the surface to be measured of the crystal sample is preferably constituted by a CCD camera.

さらに、本発明によれば、やはり、上記の目的を達成するため、前記に記載したX線結晶方位測定装置によって結晶試料の結晶方位を測定するために使用する結晶試料保持装置であって、その一部に測定用小孔を形成し、かつ、円滑表面を有する試料テーブルと、前記試料テーブルの円滑表面上に配置され、かつ、所定形状の枠体の底面にX線を透過可能なシート状部材を貼り付けてなる試料ホルダー部と、前記試料ホルダー部を前記試料テーブルの円滑な表面上で移動可能にする移動手段とを備えている結晶試料保持装置が提供される。   Furthermore, according to the present invention, in order to achieve the above object, there is also provided a crystal sample holding device used for measuring the crystal orientation of a crystal sample by the X-ray crystal orientation measuring device described above, A sample table in which a small hole for measurement is partially formed and having a smooth surface, and a sheet shape that is disposed on the smooth surface of the sample table and can transmit X-rays to the bottom surface of a frame of a predetermined shape There is provided a crystal sample holding device comprising a sample holder part to which a member is attached and a moving means for allowing the sample holder part to move on a smooth surface of the sample table.

なお、本発明では、前記の結晶試料保持装置において、前記試料テーブルの円滑表面は、エンジニアリングプラスチックで形成し、及び/又は、前記X線が透過可能なシート状部材は、PETシート又はルミラーシート(ルミラーは登録商標)から構成されていることが好ましい。加えて、前記透過可能なシート状部材の表面には、その上に載置される結晶試料の位置を決定するためのマークが形成されていることが好ましい。 In the present invention, in the crystal sample holding device, the smooth surface of the sample table is formed of engineering plastic, and / or the sheet-like member that can transmit X-rays is a PET sheet or a Lumirror sheet ( Lumirror is preferably composed of registered trademark . In addition, it is preferable that a mark for determining the position of the crystal sample placed thereon is formed on the surface of the permeable sheet-like member.

更に、本発明によれば、やはり上記の目的を達成するため、結晶体の結晶方位を測定して結晶体を所定の方位で切断するための結晶定方位切断方法であって、前記結晶体の一部を切り出し、前記切り出した結晶体の切断面における結晶方位を、前記に記載したX線結晶方位測定装置によって測定し、前記測定結果により前記結晶体を所定の結晶方位に沿って切断する結晶定方位切断方法が提供されている。   Furthermore, according to the present invention, there is also provided a crystal orientation cutting method for measuring a crystal orientation of a crystal body and cutting the crystal body in a predetermined orientation in order to achieve the above object. A crystal in which a part is cut out, the crystal orientation at the cut surface of the cut out crystal is measured by the X-ray crystal orientation measuring apparatus described above, and the crystal is cut along a predetermined crystal orientation according to the measurement result A fixed-direction cutting method is provided.

そして、本発明によれば、前記の結晶定方位切断方法において、前記工程を繰り返して切断面の微調整を行なってもよく、又は、前記切り出した結晶体の切断面における結晶方位を測定する際、前記切り出した結晶体を移動しながら複数点での結晶方位を測定してもよい。   And according to the present invention, in the crystal orientation cutting method, the step may be repeated to finely adjust the cut surface, or when measuring the crystal orientation in the cut surface of the cut crystal The crystal orientation at a plurality of points may be measured while moving the cut crystal.

本発明になる結晶試料保持装置およびX線結晶方位測定装置によれば、大口径の結晶試料の結晶方位解析が容易かつ簡単に可能となり、かつ、本発明になる結晶定方位切断方法では、これらの装置を利用することによって巨大結晶をも含む測定試料を無駄なく、かつ、正確な方位で切断することが可能となるという優れた効果を発揮することが出来る。   According to the crystal sample holding device and the X-ray crystal orientation measuring device according to the present invention, the crystal orientation analysis of a large-diameter crystal sample can be easily and easily performed. By using this apparatus, it is possible to exhibit an excellent effect that a measurement sample including a giant crystal can be cut without waste and in an accurate orientation.

以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
まず、本発明になる結晶試料保持装置について、添付の図2〜図4を参照しながら説明する。なお、この結晶試料保持装置は、上記した螢石結晶等の巨大な結晶をその基準面上に載せて平面(x−y軸)上で移動可能な、所謂、試料ステージとして構成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
First, a crystal sample holding device according to the present invention will be described with reference to FIGS. This crystal sample holding device is configured as a so-called sample stage in which a huge crystal such as the above-mentioned meteorite crystal can be placed on its reference plane and moved on a plane (xy axis).

試料ステージは、以下のような構造と機能である。
まず、この試料ステージは、図2に示すように、平面板の試料テーブル10上に、サンプルホルダー20を配置し、さらに、このサンプルホルダー20を試料テーブル平面上でx軸及びy軸方向に移動可能なX,Y移動機構30、40を設けて構成されている。なお、ここでは図示しないが、この試料テーブル10の中央部(以下に述べるケガキ線の交差点)には、試料の結晶方位を測定するための小孔が形成されている。
The sample stage has the following structure and function.
First, as shown in FIG. 2, in this sample stage, a sample holder 20 is arranged on a sample table 10 of a flat plate, and the sample holder 20 is moved in the x-axis and y-axis directions on the sample table plane. Possible X and Y moving mechanisms 30 and 40 are provided. Although not shown here, a small hole for measuring the crystal orientation of the sample is formed in the center of the sample table 10 (intersection of marking lines described below).

また、その上に試料(サンプル)Sを載せるサンプルホルダー20は、図3(A)及び(B)に示すように、例えば、外形530mm×550mmで、その内部に開口を有する、所謂、「ロ」の字状の金枠21に、透明フィルム22を張った構造となっている。なお、この透明フィルム22は、例えば、PETシートやミラーシート(ルミラーは登録商標)など、X線を透過する透明シートであり、このシートは、例えば、上記金枠21の裏面に付着された両面テープによって取り付けられ、試料の保持面を形成している。他方、上記試料テーブル10は、その表面の摩擦の小さい高分子材料からなる、所謂、エンジニアリングプラスチックの板で構成されており、円滑面を形成している。また、図中の符号23は、サンプルホルダー20の中央部に、透明シート22上に十字に形成された基準クロスのマーク、所謂、ケガキ線である。 Further, as shown in FIGS. 3A and 3B, the sample holder 20 on which the sample (sample) S is placed has, for example, an outer shape of 530 mm × 550 mm and an opening in the so-called “Robot”. It has a structure in which a transparent film 22 is stretched on a metal frame 21 having a letter "". Incidentally, the transparent film 22 is, for example, PET sheets and Le mirror sheet (Lumirror registered trademark), a transparent sheet which transmits X-ray, the sheet can, for example, adhering to the rear face of the metal frame 21 It is attached with double-sided tape to form a sample holding surface. On the other hand, the sample table 10 is formed of a so-called engineering plastic plate made of a polymer material having a small friction on the surface thereof, and forms a smooth surface. Reference numeral 23 in the figure denotes a reference cross mark formed in a cross shape on the transparent sheet 22 at the center of the sample holder 20, a so-called marking line.

再び、上記の図2に戻り、上記のサンプルホルダー20は、螢石結晶等の巨大な結晶である試料(S)をその中央部に載せた状態で移動するが、上述したように、サンプルホルダー20の裏面に両面テープで取り付けられた透明フィルム(シート)22は、表面の摩擦の小さいエンジニアリングプラスチックの板の上に支持されて移動し、そのことから、破損されることなく、X,Y移動機構30、40によって自在に移動することが出来る。なお、本実施の形態では、X,Y移動機構30、40は、それぞれ、ガイドレールとネジ送りにより構成されており、図中の符号31、41は、それぞれ、そのネジ送りを回動するためのハンドルである。また、X,Y軸上の表示は、例えば、mm単位で行なわれ、LEDによる表示や、目盛り表示も可能である。さらに、上記のハンドル操作による移動機構に代えて、ステッピングモータによる電動移動機構を採用することもできる。   Returning to FIG. 2 again, the sample holder 20 moves in a state where the sample (S), which is a huge crystal such as a meteorite crystal, is placed on the center portion thereof. A transparent film (sheet) 22 attached to the back surface of 20 with a double-sided tape is supported and moved on an engineering plastic plate with a small friction on the surface. The mechanism 30 or 40 can be moved freely. In the present embodiment, the X and Y moving mechanisms 30 and 40 are each constituted by a guide rail and a screw feed, and reference numerals 31 and 41 in the drawing respectively rotate the screw feed. Is the handle. Further, the display on the X and Y axes is performed in units of mm, for example, and display by LEDs and scale display are also possible. Furthermore, instead of the moving mechanism by the handle operation described above, an electric moving mechanism by a stepping motor can be adopted.

また、上記の構成になる試料ステージでは、試料Sは、サンプルホルダー20の透明シート22上に、その被測定面を下にして置くだけであり、クランプ等は行なわず、透明シートとの摩擦力だけで止まっているであり、そのため、被測定面での結晶定方位の測定に何等の悪影響をも及ぼすことがなく、方位測定のための結晶保持機構として好適な構造である。   Further, in the sample stage having the above-described configuration, the sample S is simply placed on the transparent sheet 22 of the sample holder 20 with its surface to be measured facing down, and is not clamped, and the frictional force with the transparent sheet. Therefore, it does not have any adverse effect on the measurement of the crystal orientation on the surface to be measured, and is a structure suitable as a crystal holding mechanism for orientation measurement.

上記の試料ステージに搭載される試料Sは、特に、螢石結晶等の巨大な結晶では、その試料サイズは、最大直径450mm、最大厚さ300mm、最大重量150kg程度にもなる。なお、後に説明する本発明のX線結晶方位測定装置によりその結晶方位を測定可能な試料の条件としては、上述の結晶試料保持装置である試料ステージの特徴から、以下のことが挙げられる。
(1)基準面に置くだけの保持なので、測定面は凹凸が無く平面であること。
(2)試料形状は、円筒形、円錐形、スラブ状であっても測定面が平面であれば、形状は問わない。
(3)方位解析の基準として、試料側面にアジマス線を付けて試料基準とする。
(4)測定面の仕上げは、ラウエ斑点が観察可能なこと。換言すれば、加工歪みが測定に影響のない程度であることである。通常、ダイアモンドプレードによるAsCut面で十分である。
The sample S mounted on the sample stage is particularly a huge crystal such as a meteorite crystal, and the sample size is about 450 mm in maximum diameter, 300 mm in maximum thickness, and 150 kg in maximum weight. The conditions of the sample whose crystal orientation can be measured by the X-ray crystal orientation measuring apparatus of the present invention described later include the following from the characteristics of the sample stage that is the crystal sample holding apparatus described above.
(1) Since the measurement surface is held only on the reference surface, the measurement surface should be flat without unevenness.
(2) The shape of the sample is not limited as long as the measurement surface is flat even if it is cylindrical, conical, or slab-shaped.
(3) As a reference for azimuth analysis, an azimuth line is attached to the side surface of the sample to make it a sample reference.
(4) The finish of the measurement surface should be able to observe Laue spots. In other words, the processing strain is such that it does not affect the measurement. Usually, an AsCut surface with diamond blades is sufficient.

次に、上述した結晶試料保持装置(試料ステージ)によってx−y軸方向に移動可能に保持された試料Sについて、その結晶方位を測定するX線結晶方位測定装置の構成について、添付の図4を参照しながら説明する。   Next, with respect to the configuration of the X-ray crystal orientation measuring apparatus for measuring the crystal orientation of the sample S held so as to be movable in the xy axis direction by the crystal sample holding apparatus (sample stage) described above, FIG. Will be described with reference to FIG.

この図4にも明らかなように、上述した試料テーブル10の中央部に形成された、試料の結晶方位を測定するための(測定用)小孔が符号11により示されており、この測定用の小孔11は、図示のように、その上面での開口径は小さいがその底面に向かって広がる、所謂、テーパ状に形成されている。そして、この測定用小孔11の下方には、測定用のX線を発生するX線管100、このX線管100からの測定用のX線を平行X線にすると共に、所定の径に絞るためのコリメータ110、そして、上記X線を上記試料結晶Sの下面(測定面)に照射することにより得られるラウエパターンを撮像するための装置である、所謂、CCDカメラ120とが設けられている。また、図中の符号101は、上記X線管100に所定の高電圧等を供給するための手段を備えた、所謂、X線発生装置を示している。   As clearly shown in FIG. 4, a small hole (for measurement) for measuring the crystal orientation of the sample formed in the central portion of the sample table 10 described above is indicated by reference numeral 11. As shown in the figure, the small hole 11 is formed in a so-called tapered shape having a small opening diameter on its upper surface but expanding toward its bottom surface. An X-ray tube 100 for generating X-rays for measurement, and X-rays for measurement from the X-ray tube 100 are made parallel X-rays at a predetermined diameter below the measurement small hole 11. A collimator 110 for narrowing down and a so-called CCD camera 120 which is an apparatus for imaging a Laue pattern obtained by irradiating the lower surface (measurement surface) of the X-ray with the X-ray is provided. Yes. Reference numeral 101 in the figure denotes a so-called X-ray generator provided with means for supplying a predetermined high voltage or the like to the X-ray tube 100.

なお、上記のコリメータ110は、図4に示すように、上記試料結晶Sの下面(測定面)に対して所定の角度ω(例えば、約60度)で入射するように設定・配置されており、一方、ラウエパターンを撮像するCCDカメラ120も、同様に、上記試料結晶Sの下面(測定面)に対して同じ角度ωで配置されている。また、上記CCDカメラ120の前面には、照射X線により光を発生する蛍光板121が取り付けられており、CCDカメラ120は、この蛍光板121の発光により形成されるラウエパターンを撮像し、電気信号に変換する。この蛍光板121と上記試料晶Sの下面(測定面)との距離は、例えば、約35mm程度に設定されている。   As shown in FIG. 4, the collimator 110 is set and arranged so as to be incident on the lower surface (measurement surface) of the sample crystal S at a predetermined angle ω (for example, about 60 degrees). On the other hand, the CCD camera 120 for imaging the Laue pattern is also arranged at the same angle ω with respect to the lower surface (measurement surface) of the sample crystal S. In addition, a fluorescent screen 121 that generates light by irradiated X-rays is attached to the front surface of the CCD camera 120, and the CCD camera 120 images a Laue pattern formed by the light emission of the fluorescent screen 121 and generates an electrical signal. Convert. The distance between the fluorescent plate 121 and the lower surface (measurement surface) of the sample crystal S is set to about 35 mm, for example.

また、上記CCDカメラ120には、その制御を行なうためのカメラコントロール122、さらには、上記CCDカメラ120により得られた画像信号をディジタル処理し、CPUのメモリー上に取り込む処理を行なうイメージグラバ123が接続されている。これらカメラコントロール122やイメージグラバ123は、制御装置(例えば、パーソナルコンピュータから構成される)であるCPU140に接続されており、また、このCPU140には、出力装置であるディスプレイ141、入力装置を構成するキーボード142やポインティングデバイスであるマウス143が、記憶手段であるハードディスク装置(HD)144、CD−ROM145、FD146が、そして、やはり出力装置であるプリンタ147が接続されている。   The CCD camera 120 has a camera control 122 for performing the control, and an image grabber 123 for performing a digital process on the image signal obtained by the CCD camera 120 and loading it into the memory of the CPU. It is connected. The camera control 122 and the image grabber 123 are connected to a CPU 140 that is a control device (for example, configured from a personal computer). The CPU 140 includes a display 141 that is an output device and an input device. A keyboard 142 and a mouse 143 as a pointing device are connected to a hard disk device (HD) 144 as a storage means, a CD-ROM 145 and an FD 146, and a printer 147 as an output device.

以上にその構成を説明したX線結晶方位測定装置によれば、上記した結晶試料保持装置である試料ステージ(図2を参照)に、測定結晶である試料Sをただ置くだけである。すなわち、上記結晶試料保持装置である試料ステージの上に試料Sを載せた状態で移動しながら、その下面の測定面における結晶方位を、上記X線結晶方位測定装置の働きによって測定する。すなわち、X線管100から発生されたX線は、コリメータ110で絞られ、試料Sの下面に照射される。その結果得られたラウエパターンは、蛍光板121に投影され、CCDカメラ120により撮像される。その後、CPU140に取り込まれた画像は、例えば、上記HD144内に記憶されたソフトウェアプログラムなどによる画像処理により、そのラウエ斑点の位置が計測され、全3軸方位解析が自動的に実行される。   According to the X-ray crystal orientation measuring apparatus whose configuration has been described above, the sample S as the measurement crystal is simply placed on the sample stage (see FIG. 2) as the crystal sample holding apparatus. That is, while moving with the sample S placed on the sample stage which is the crystal sample holding device, the crystal orientation on the measurement surface on the lower surface is measured by the function of the X-ray crystal orientation measuring device. That is, the X-rays generated from the X-ray tube 100 are focused by the collimator 110 and irradiated on the lower surface of the sample S. The resulting Laue pattern is projected onto the fluorescent screen 121 and imaged by the CCD camera 120. Thereafter, the image captured by the CPU 140 is subjected to, for example, image processing by a software program or the like stored in the HD 144, the Laue spot position is measured, and all three-axis orientation analysis is automatically executed.

続いて、上記にその詳細を説明したX線結晶方位測定装置及び結晶試料保持装置(試料ステージ)によって、例えば、螢石等の単結晶材料の結晶方位を測定して所定の方位で切断するための結晶定方位切断方法について、添付の図1を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、上述したように、最大直径450mm、その重量が200〜3000kg程度にも達し、かつ、円筒部の上に円錐部を積み重ねた、所謂、坩堝形状の螢石結晶等の巨大な結晶から、所定の方位で切り出す、定方位切断方法について説明する。   Subsequently, the crystal orientation of a single crystal material such as meteorite is measured and cut in a predetermined orientation by the X-ray crystal orientation measuring device and the crystal sample holding device (sample stage) described in detail above. The crystal orientation cutting method will be described with reference to FIG. In the following description, as described above, a so-called crucible-shaped meteorite crystal or the like having a maximum diameter of 450 mm, a weight of about 200 to 3000 kg, and a cone portion stacked on the cylindrical portion, etc. A fixed orientation cutting method that cuts out a huge crystal in a predetermined direction will be described.

まず、図1の(A)に破線で示すように、坩堝形状の結晶体Cから錐部(先端の一部)c1を試し切りする。なお、その際、切り出された結晶体と結晶本体との関係がわかるように、切断個所に照合線rを入れておく(例えば、軸方向に対して直角な面での直交方向)。   First, as shown by a broken line in FIG. 1A, a cone portion (a part of the tip) c1 is cut from a crucible-shaped crystal C. At that time, a reference line r is placed at the cutting point so that the relationship between the crystallized crystal body and the crystal body can be understood (for example, an orthogonal direction on a plane perpendicular to the axial direction).

次に、図1の(B)に示すように、切り出した錐部c1の切断面の方位測定を行なう。すなわち、定方位切断したい格子面の傾き角αと傾きの方向βを求める。必要ならば、結晶試料保持装置(試料ステージ)によって錐部c1の下面をX−Y軸方向に移動して、結晶面内で複数の点で方位を測定し、その測定結果の平均によってα、βを与えることもできる。   Next, as shown in FIG. 1B, the orientation of the cut surface of the cut-out cone part c1 is measured. That is, the inclination angle α and the inclination direction β of the lattice plane to be cut in a fixed orientation are obtained. If necessary, the crystal sample holding device (sample stage) is used to move the lower surface of the cone c1 in the X-Y axis direction, measure the orientation at a plurality of points in the crystal plane, and α, β can also be given.

なお、これら傾き角αと方向βは、アジマス線aを付けるための基準とする。方位測定の結果得られたベクトルVと、xy軸(4ヶ所のアジマス線a)、そして、格子面の傾き角αと傾きの方向βの関係について、添付の図5に示す。すなわち、図5で格子面の方位を表現するために、図2に示した方位解析の基準座標(xyz)に対し、方位角α,βを定義している。角αは、格子面法線とz軸とのなす角、角βは、格子面法緑のxy平面への投影線とx軸とのなす角である。こうして、結晶の外形に対し、格子面の傾き角αと傾きの方向角βが、上記解析の結果から分かる。そして、図6にも示すように、錐部と結晶本体を照合線であわせ、アジマス線を結晶本体に写し取り、xy座標を定め、このxy座標を基準に角αと角βを設定して切断する(図1(C))。   The inclination angle α and direction β are used as a reference for attaching the azimuth line a. The relationship between the vector V obtained as a result of the azimuth measurement, the xy axis (four azimuth lines a), and the inclination angle α of the lattice plane and the inclination direction β is shown in FIG. That is, in order to express the orientation of the lattice plane in FIG. 5, the azimuth angles α and β are defined with respect to the reference coordinates (xyz) of the orientation analysis shown in FIG. The angle α is an angle formed by the lattice plane normal line and the z axis, and the angle β is an angle formed by the projection line of the lattice plane method green onto the xy plane and the x axis. In this way, the inclination angle α of the lattice plane and the direction angle β of the inclination with respect to the outer shape of the crystal can be understood from the result of the above analysis. Then, as shown in FIG. 6, the cone portion and the crystal body are aligned with a reference line, the azimuth line is copied to the crystal body, xy coordinates are determined, and angles α and β are set based on the xy coordinates. Cut (FIG. 1C).

上述した定方位切断の仕方の更に詳細を説明する。例えば、面方位を{111}に調整して切り出したい時には、方位測定の結果から{111}の中でαが一番小さな値を選ぶ。例えば、添付の図7に示した全3軸方位測定の結果の例では、アンダーラインで示した(−1−11)のαが一番小さい値を示している。なお、ここで、αの小さい値を選択するのは、切断のし易さと、材料の無駄を最小限にするためである(円筒形状に整形されることによる)。そして、この切断はアジマス線a((x,y)座標)を基準にして、添付の図6に示すように、α,β角を設定してカッターで切断する。なお、上記の説明では、定方位切断の仕方を、簡単のため円筒形の場合について述べたが、しかしながら、実際には、図1(C)に示す手順で行なうのが望ましい。   Further details of the above-described method of cutting the fixed orientation will be described. For example, when it is desired to cut out by adjusting the plane orientation to {111}, α is selected as the smallest value among {111} from the result of orientation measurement. For example, in the example of the result of all three-axis azimuth measurements shown in FIG. 7 attached, α of (−1-11) indicated by an underline indicates the smallest value. Here, the reason why the small value of α is selected is to facilitate cutting and minimize waste of material (by being shaped into a cylindrical shape). And this cutting | disconnection cuts with a cutter, setting (alpha) and (beta) angle | corner as shown in attached FIG. 6 on the basis of the azimuth line a ((x, y) coordinate). In the above description, the method of cutting the azimuth direction is described in the case of a cylindrical shape for the sake of simplicity. However, in practice, it is desirable to perform the procedure according to the procedure shown in FIG.

更に、上記図1(C)で切断したスラブ状結晶c2の切断面により方位測定を行ない(図1(D)を参照)、所望の方位に切断されているかどうか確認する。なお、その結果、修正が必要であれば、上記の上記図1(C)の作業を繰り返し、切断面の微調整を行なう。そして、所定の方位精度で切断されていれば、その後、その切断面を基準として、結晶体Cを必要な厚さで切断し(所謂、本切断を行なう)、所望の異方性を備えた円筒(円盤)状の結晶を得る。なお、この時、結晶試料をサンプルホルダー20の中央部に載せる際には、試料側に付けられたアジマス線を、サンプルホルダー20の透明シート22に形成された十字マーク(基準クロス)とを合わせるように配置する。または、試料を置いた後に、基準クロスに合わせてアジマス線を付けてもよい。   Furthermore, orientation measurement is performed with the cut surface of the slab-like crystal c2 cut in FIG. 1C (see FIG. 1D), and it is confirmed whether or not it is cut in a desired direction. As a result, if correction is necessary, the above-described operation shown in FIG. 1C is repeated to finely adjust the cut surface. Then, if the crystal body C is cut with a predetermined orientation accuracy, the crystal body C is then cut with a necessary thickness on the basis of the cut surface (so-called main cutting is performed), and the desired anisotropy is provided. A cylindrical (disk) crystal is obtained. At this time, when the crystal sample is placed on the center portion of the sample holder 20, the azimuth line attached to the sample side is aligned with the cross mark (reference cross) formed on the transparent sheet 22 of the sample holder 20. Arrange as follows. Or after putting a sample, you may attach an azimuth line according to a reference cross.

なお、上記図1の(B)や(D)に示した工程において方位測定を行なう場合、特に、上述したような巨大な結晶では、切り出した結晶(試料S)も大きな重量結晶となるが、上述したような結晶試料保持装置(試料ステージ)によれば、例えば、400mmφ、100mm厚さ、40kg程度の螢石結晶であれば、XY移動が可能であり、高精度で方位測定を行なうことが出来る。また、更に重量結晶を扱う場合、例えば、螢石結晶等の巨大な結晶で、その試料サイズが最大直径450mm、最大厚さ300mm、最大重量150kg程度となる試料Sでも、例えば、上記試料ステージを構成する上記試料テーブル10と透明シート22との間に、圧搾空気を導入し、試料のXY移動をエアーで浮かせて行なうことによって可能である。但し、方位の測定時にはその必要はなく、エアーによる浮上を停止する。   When performing orientation measurement in the steps shown in FIGS. 1B and 1D, particularly in the case of a huge crystal as described above, the cut crystal (sample S) also becomes a large weight crystal. According to the crystal sample holding apparatus (sample stage) as described above, for example, a fluorite crystal of 400 mmφ, 100 mm thickness and about 40 kg can be moved in the XY direction, and the orientation can be measured with high accuracy. I can do it. Further, when handling a weight crystal, for example, a sample S which is a huge crystal such as a meteorite crystal and whose sample size has a maximum diameter of 450 mm, a maximum thickness of 300 mm, and a maximum weight of about 150 kg is used. This is possible by introducing compressed air between the sample table 10 and the transparent sheet 22 to be configured, and performing the XY movement of the sample with air. However, this is not necessary when measuring azimuth, and levitation by air is stopped.

加えて、上記の実施の形態の例においては、上記図4にも示すように、CCDを用いた側面反射ラウエ法光学系による方式を示したが、しかしながら、本発明ではこれだけに限定されることなく、その他、例えば、ポラロイド写真(ポラロイドは登録商標)による背面反射ラウエ法光学系により測定することも可能である。 In addition, in the example of the above-described embodiment, as shown in FIG. 4, the method using the side reflection Laue optical system using the CCD is shown. However, the present invention is limited to this. In addition, for example, it is also possible to measure with a back reflection Laue method optical system based on a polaroid photograph (Polaroid is a registered trademark) .

以上のように、発明では、結晶方位測定を行なう試料結晶を、測定面を下面にして試料テーブルの試料ステージ上に置くだけで、試料結晶を移動しながらその結晶方位を測定することが可能となる。特に、上述した螢石等の巨大結晶では、その一部にサブグレイン構造がある場合もあり、試料面内で何点か測定することにより、測定結果の平均で定方位切断の角度を決める場合がある。かかる場合にも、上記の結晶試料保持装置(試料ステージ)によれば、試料結晶を試料ステージ上に置くだけであることから、測定毎に試料の姿勢が変わらないように移動しながら、かつ、試料にはクランプ等で応力がかからないようにすることが可能になり、良好な状態での高精度な方位計測が可能となる。   As described above, according to the invention, it is possible to measure the crystal orientation while moving the sample crystal simply by placing the sample crystal for measuring the crystal orientation on the sample stage of the sample table with the measurement surface facing downward. Become. In particular, the above-mentioned huge crystals such as meteorites may have a sub-grain structure in some of them, and by measuring several points in the sample surface, the angle of the fixed orientation cut is determined by the average of the measurement results There is. Even in such a case, according to the crystal sample holding device (sample stage), since the sample crystal is only placed on the sample stage, the sample is moved so that the posture of the sample does not change every measurement, and The sample can be prevented from being stressed by a clamp or the like, and high-precision azimuth measurement can be performed in a good state.

産業上の利用性Industrial availability

以上の詳細な説明からも明らかなように、本発明になる結晶試料保持装置およびX線結晶方位測定装置によれば、大口径の結晶試料の結晶方位解析が容易かつ簡単に可能となり、かつ、本発明になる結晶定方位切断方法では、これらの装置を利用することによって巨大結晶をも含む測定試料を無駄なく、かつ、正確な方位で切断することが可能となるという優れた効果を発揮することが出来、結晶試料保持装置およびX線結晶方位測定装置に適用できる。   As is clear from the above detailed description, according to the crystal sample holding device and the X-ray crystal orientation measuring device according to the present invention, crystal orientation analysis of a large-diameter crystal sample can be easily and easily performed, and In the crystal orientation cutting method according to the present invention, by using these devices, an excellent effect is achieved that it is possible to cut a measurement sample including a giant crystal without waste and in an accurate orientation. It can be applied to a crystal sample holding device and an X-ray crystal orientation measuring device.

本発明の一実施の形態になる結晶定方位切断方法における工程を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the process in the crystal orientation cutting method which becomes one embodiment of this invention. 上記結晶定方位切断方法に使用される結晶試料保持装置(試料ステージ)の全体構成を示す上面図である。It is a top view which shows the whole structure of the crystal sample holding | maintenance apparatus (sample stage) used for the said crystal orientation cutting method. 上記結晶試料保持装置(試料ステージ)のサンプルホルダーの詳細構造を示す展開斜視図及びその裏面図である。It is the expansion | deployment perspective view which shows the detailed structure of the sample holder of the said crystal | crystallization sample holding device (sample stage), and its back view. 上記結晶定方位切断方法に使用されるX線結晶方位測定装置の全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of the X-ray crystal orientation measuring apparatus used for the said crystal orientation cutting method. 上記結晶定方位切断方法において、測定結晶面で格子面の傾き角αと方向β、格子面法線ベクトル、xy軸(4ヶ所のアジマス線)の関係を説明する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining the relationship between the lattice plane tilt angle α and the direction β, the lattice plane normal vector, and the xy axes (four azimuth lines) in the crystal orientation cutting method. 上記結晶定方位切断方法において切断される切断面を説明する図である。It is a figure explaining the cut surface cut | disconnected in the said crystal orientation cutting method. 上記結晶定方位切断方法において、上記X線結晶方位測定装置による全3軸方位測定の結果の一例を示す図である。In the said crystal orientation cutting method, it is a figure which shows an example of the result of all the triaxial orientation measurement by the said X-ray crystal orientation measuring apparatus. 従来技術の一例(ゴニオスタットとポラロイドカセット(ポラロイドは登録商標)を使用した方位測定方法)を示す図である。It is a figure which shows an example (direction measuring method using a goniostat and a polaroid cassette (Polaroid is a registered trademark)) of a prior art. 従来技術の他の例(3軸の回転機構とポラロイドカセット(ポラロイドは登録商標)を使用した方位測定方法)を示す図である。It is a figure which shows the other example (direction measuring method using a 3 axis | shaft rotation mechanism and a Polaroid cassette (Polaroid is a registered trademark)) of a prior art. 従来技術の更に他の例を示す図である。It is a figure which shows the further another example of a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

10 試料テーブル
11 測定用小孔
20 サンプルホルダー
21 金枠
22 透明シート
23 基準クロスマーク(ケガキ線)
30、40 X,Y移動機構
100 X線管
110 コリメータ
120 CCDカメラ
121 蛍光板
S 試料
C 結晶体
c1 切り出し錘部
c2 切断したスラブ状結晶
10 Sample table 11 Small hole for measurement 20 Sample holder 21 Gold frame 22 Transparent sheet 23 Reference cross mark (marking line)
30, 40 X, Y moving mechanism 100 X-ray tube 110 Collimator 120 CCD camera 121 Fluorescent plate S Sample C Crystal body c1 Cutting weight c2 Cut slab crystal

Claims (4)

その一部に測定用小孔を形成し、かつ、円滑表面を有する試料テーブルの円滑表面上に配置され、所定形状の枠体の底面にX線を透過可能なシート状部材を貼り付けてなり、かつ、当該透過可能なシート状部材上に、結晶試料の被測定面を下面にして載置する試料ホルダー部と、当該試料ホルダー部を前記試料テーブルの円滑な表面上で移動可能にする移動手段とを有する結晶試料保持装置を備え、
前記試料テーブルの下方に配置され、X線を前記測定用小孔を介して前記結晶試料の被測定面に照射する手段と、前記結晶試料の被測定面からの回折像を撮像する手段と、前記撮像手段により撮像された回折像に基づいて、前記結晶試料の被測定面における結晶定方位を測定する手段とを備えていることを特徴とする結晶試料保持装置を備えたX線結晶方位測定装置。
A small hole for measurement is formed in a part of the sample table, and is arranged on the smooth surface of a sample table having a smooth surface. And a sample holder part for placing the surface to be measured of the crystal sample on the permeable sheet-like member, and a movement for allowing the sample holder part to move on the smooth surface of the sample table. A crystal sample holding device having means,
Means for irradiating the measurement surface of the crystal sample with X-rays through the small holes for measurement, and means for imaging a diffraction image from the measurement surface of the crystal sample; X-ray crystal orientation measurement provided with a crystal sample holding device, comprising: means for measuring a crystal orientation on a surface to be measured of the crystal sample based on a diffraction image picked up by the image pickup means apparatus.
前記請求項1に記載の結晶試料保持装置を備えたX線結晶方位測定装置において、前記試料テーブルの円滑表面は、エンジニアリングプラスチックで形成したことを特徴とする結晶試料保持装置を備えたX線結晶方位測定装置。   2. An X-ray crystal orientation measuring apparatus comprising the crystal sample holding apparatus according to claim 1, wherein the smooth surface of the sample table is formed of an engineering plastic. Orientation measuring device. 前記請求項1に記載の結晶試料保持装置を備えたX線結晶方位測定装置において、前記透過可能なシート状部材は、PETシートから構成されていることを特徴とする結晶試料保持装置を備えたX線結晶方位測定装置。 2. An X-ray crystal orientation measuring apparatus comprising the crystal sample holding apparatus according to claim 1, wherein the transmissive sheet-like member is made of a PET sheet . X-ray crystal orientation measuring device. 前記請求項3に記載の結晶試料保持装置を備えたX線結晶方位測定装置において、前記透過可能なシート状部材の表面には、その上に載置される結晶試料の位置を決定するためのマークが形成されていることを特徴とする結晶試料保持装置を備えたX線結晶方位測定装置。   4. An X-ray crystal orientation measuring device comprising the crystal sample holding device according to claim 3, wherein the surface of the permeable sheet-like member is used to determine the position of a crystal sample placed thereon. An X-ray crystal orientation measuring device provided with a crystal sample holding device, wherein a mark is formed.
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