JP4220884B2 - 電力検波器 - Google Patents

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Description

この発明は、高レベルのRF信号を検出する電力検波器に関するものである。
従来の電力検波器は、検波回路に基準電圧出力回路および差動増幅器を追加し、検波回路の出力電圧Vrfと、基準電圧出力回路の出力電圧Vrefを差動増幅器に入力し、差電圧を得ることで温度変動の小さい高精度な特性を得ている(例えば、非特許文献1参照)。
アジレント社「高周波デバイスデータブック(2000年度版)」、2−47頁〜2−56頁
しかし、従来の電力検波器は、入力されるRF信号が大きくなると、出力電圧Vrfが低くなり、差電圧Vdiffが差動増幅器の電源電圧より大きくなって差動増幅器が飽和し、正確に電力を検波できなくなる場合がある。この場合、差動増幅器の電源電圧を高めるか、検波回路の前段に減衰器を設けて入力するRF信号の電力を低くする必要があるが、供給される電源電圧が制限されている場合は電源電圧を高めるのは困難である。
また、検波回路の前段に減衰器を設ければ、検波回路に入力するRF信号の最大電力を小さくすることができるので、検波回路から出力される電圧の最大値を下げ、差電圧Vdiffの最大値も下げることができる。しかし、減衰器は入力するRF信号のレベルが低い場合にも作用する。
さらに、使用する2つのダイオードの特性には当然のことながらばらつきがあり、このばらつきにより、低入力電力時に電力検波器の出力電圧Vdiffが急激に小さくなる場合がある。
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、低入力電力時の出力電圧を低下させずに、差動増幅器の電源電圧を高めることなく高レベルのRF信号を検出することができる電力検波器を得るものである。
この発明に係る電力検波器は、RF信号の入力電力が入力するRF信号入力端子と、前記RF信号入力端子に一端が接続されたDCカット用キャパシタと、前記DCカット用キャパシタの他端にカソード端子又はアノード端子が接続され、アノード端子又はカソード端子が接地され、入力されたRF信号が印加される第1のダイオードと、前記第1のダイオードに並列接続された第1の負荷抵抗と、第1の直流電圧を生じる第1の出力端子と、前記第1の負荷抵抗の接地されていない一端及び前記第1の出力端子の間に接続された第1のチョークコイルとから構成された検波回路と、アノード端子又はカソード端子が接地された第2のダイオードと、前記第2のダイオードに並列接続された第2の負荷抵抗と、第2の直流電圧を生じる第2の出力端子と、前記第2の負荷抵抗の接地されていない一端及び前記第2の出力端子の間に接続された第2のチョークコイルとから構成された基準電圧出力回路と、第1の直流電圧源と、前記第1の直流電圧源に直列接続された第1の内部抵抗とから構成され、前記第1のダイオードのカソード端子又はアノード端子に第1のバイアス電流を供給する第1のバイアス回路と、第2の直流電圧源と、前記第2の直流電圧源に直列接続された第2の内部抵抗とから構成され、前記第2のダイオードのカソード端子又はアノード端子に第2のバイアス電流を供給する第2のバイアス回路と、前記検波回路の第1の出力端子から出力される第1の直流電圧、及び前記基準電圧出力回路の第2の出力端子から出力される第2の直流電圧を入力して両者の差電圧を出力する差動増幅器とが設けられ、前記RF信号を入力しないときに前記検波回路が出力する前記第1の直流電圧、及び前記基準電圧出力回路が出力する前記第2の直流電圧のどちらか一方を高めに設定し、低入力電力時に前記差電圧が高くなるようにしたものである。
この発明に係る電力検波器は、低入力電力時の出力電圧を低下させずに、差動増幅器の電源電圧を高めることなく高レベルのRF信号を検出することができるという効果を奏する。
実施の形態1.
この発明の実施の形態1に係る電力検波器について図面を参照しながら説明する。図1は、この発明の実施の形態1に係る電力検波器の構成を示す図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
図1において、本実施の形態1に係る電力検波器は、RF信号入力端子1と、不等電力分配回路18と、検波回路14と、基準電圧出力回路15と、差動増幅器13と、出力端子16と、バイアス回路19とが設けられている。
また、検波回路14は、不等電力分配回路18に接続されたDCカット用キャパシタ2と、アノード端子が接地されたダイオード3と、負荷抵抗7と、チョークコイル9と、出力端子11とから構成されている。
また、基準電圧出力回路15は、不等電力分配回路18に接続されたDCカット用キャパシタ17と、アノード端子が接地されたダイオード4と、負荷抵抗8と、チョークコイル10と、出力端子12とから構成されている。
さらに、バイアス回路19は、直流電圧源5と、直流電圧源5の内部抵抗6とから構成され、ダイオード3およびダイオード4にバイアス電流を供給する。
つぎに、この実施の形態1に係る電力検波器の動作について図面を参照しながら説明する。
図2は、この発明の実施の形態1に係る電力検波器及び従来の電力検波器の入力電力と出力電圧の関係を示す図である。図2において、横軸はRF信号入力端子1に入力するRF信号の入力電力であり、縦軸は検波回路14及び基準電圧出力回路15から出力される直流電圧である。
また、図3は、この発明の実施の形態1に係る電力検波器及び従来の電力検波器の入力電力と出力電圧の関係を示す図である。さらに、図4は、この発明の実施の形態1に係る電力検波器及び従来の電力検波器の入力電力と出力電圧の別の関係を示す図である。図3及び図4において、横軸はRF信号入力端子1に入力するRF信号の入力電力であり、縦軸は差動増幅器13から出力される差電圧Vdiffを対数目盛りで表している。
不等電力分配回路18は、入力した信号を所定の電力分配比で分配するもので、RF信号入力端子1に印加したRF信号をあらかじめ決められた電力分配比で分配し、RF信号の一部を基準電圧出力回路15にDCカット用キャパシタ17を介して出力し、残りを検波回路14へDCカット用キャパシタ2を介して出力する。このため、本実施の形態1に係る電力検波器では、基準電圧出力回路15からもRF信号のレベルに応じた直流電圧が出力される。
ダイオード3および4には、バイアス回路19からバイアス電流が供給されている。これにより負荷抵抗7、8には直流電圧が生じる。このとき、検波回路14の出力端子11に生じる直流電圧をVrf、基準電圧出力回路15の出力端子12に生じる直流電圧をVrefとする。
この状態で、RF信号入力端子1からRF信号を入力すると、RF信号は不等電力分配回路18により分配されDCカット用キャパシタ2を介して、ダイオード3に印加される。このRF信号はダイオード3によって整流され、ダイオード3に流れる直流電流が増加する。その結果、負荷抵抗7に生じる直流電圧Vrfが増加する。
直流電圧VrfおよびVrefを差動増幅器13に入力し、出力端子16に直流電圧VrfとVrefの差電圧Vref−Vrfとして出力させる。このときの差動増幅器13の利得は1とし、出力電圧をVdiffとする。この差電圧Vdiffは入力電力と1対1で対応するから、差電圧Vdiffを測定すれば電力検波器に入力するRF信号の電力を求めることができる。
また、温度が変化するとダイオード3、4の直流特性が変化するという問題があるが、検波回路14のダイオード3と特性の等しいダイオード4で構成された基準電圧出力回路15を設けた場合、その出力電圧Vrefも、検波回路14の出力電圧Vrfと同じように温度に応じて変化する。したがって、両者の出力電圧の差分を差動増幅器13で求めれば、温度によるダイオードの直流特性の変動を吸収でき、精度の高い電力検波器を構成することができる。
電力分配比を7dBとした不等電力分配回路18を用いた実施の形態1に係る電力検波器の出力電圧VrefとVrfと、従来の電力検波器の出力電圧VrefPとVrfPとを、マイクロ波回路シミュレータを用いて計算した結果を図2に示す。ここで、不等電力分配回路18は、検波回路14の入力端子よりも、基準電圧出力回路15の入力端子へ7dB低い電力を出力する。図2に示すように、従来の電力検波器の出力電圧VrfPと比べて、出力電圧Vrfは変化しないが、0dBm以上の高電力が入力した場合には本実施の形態1に係る電力検波器の出力電圧Vrefが従来の電力検波器の出力電圧VrefPと比べて、低くなることがわかる。
したがって、差動増幅器13の出力電圧Vdiffは、本実施の形態1に係る電力検波器の場合、図3に示すように従来の電力検波器に比べて高入力電力時に低下する。例えば入力電力=20dBmの場合は出力電圧Vdiffが6.7Vから3.7Vまで低下する。一方、低入力電力時には従来の電力検波器とほぼ同じ電圧となる。
図3には、従来の電力検波器の前段に5dBの減衰器を設けた場合の出力電圧Vdiffも合わせて示しているが、入力電力=20dBmで出力電圧Vdiff=3.7Vと低くなるものの、入力電力が低い場合にも出力電圧Vdiffが低下する。例えば、−20dBm入力時には従来の電力検波器の出力電圧Vdiffが30mVであるのに対し、従来の電力検波器の前段に5dBの減衰器を設けた場合は出力電圧Vdiffが10mVにまで低くなる。出力電圧Vdiffが低いと回路の雑音などによって検出できなくなることから、検出下限電力が低下する恐れがある。これに対して本実施の形態1に係る電力検波器では、入力電力が低くなっても出力電圧がほとんど低下しないことから、検出できる下限電力が低下することなく、電源電圧に起因する差動増幅器13の飽和を回避して検出上限電力を高めることができる。
同様に、従来の電力検波器と、電力分配比を5dBとした不等電力分配回路18を用いた本実施の形態1に係る電力検波器と、検波回路の前段に7dBの減衰器を接続した従来の電力検波器の出力電圧Vdiffの関係を図4に示す。入力電力20dBmとしたときの出力電圧Vdiffは従来の電力検波器で6.7Vに対し、本実施の形態1に係る電力検波器と、検波回路の前段に7dBの減衰器を接続した従来の電力検波器ではともに出力電圧Vdiffが2.9Vに低下している。一方、−20dBm入力時の出力電圧Vdiffは、従来の電力検波器で30mV、本実施の形態1に係る電力検波器では20mVであるのに対し、検波回路の前段に7dBの減衰器を接続した従来の電力検波器では7.5mVと約1/3にまで低下している。これにより、本実施の形態1に係る電力検波器においては、低入力電力時に出力電圧Vdiffがそれほど低下しないことから検出下限電力を低下させることなく、入力電力が高い場合に出力電圧Vdiffを低くして、電源電圧に起因する差動増幅器13などの飽和を回避することができる。
本実施の形態1の変形例を図5に示す。この構成ではダイオード3、4の向きと、差動増幅器13の入力端子が逆になっている。この場合でもバイアス回路19の電圧の向きを逆にすれば、図1に示す電力検波器と同様の動作を行うので、低入力電力時に出力電圧Vdiffがそれほど低下しないことから検出下限電力を低下させることなく、入力電力が高い場合に出力電圧Vdiffを低くして、電源電圧に起因する差動増幅器13の飽和を回避して検出上限電力を高めることができる。
なお、本実施の形態1では、不等電力分配器18を用いたが、これに限らず、等電力分配器を用いても構成できる。
すなわち、この実施の形態1に係る電力検波器は、検波器に入力する電力を電力分配器18で分配し、一方を検波回路14に、他方を基準電圧出力回路15に供給することで、高レベルのRF信号が電力検波器に入力した場合に基準電圧出力回路15から出力される直流電圧が高まるようにして、差動増幅器13から出力される電圧を低下させ、差動増幅器13の電源電圧に起因する飽和を回避するよう構成したので、低入力電力時の出力電圧を低下させずに、差動増幅器13の電源電圧を高めることなく高レベルのRF信号を検出できる効果がある。
実施の形態2.
この発明の実施の形態2に係る電力検波器について図面を参照しながら説明する。図6は、この発明の実施の形態2に係る電力検波器の構成を示す図である。
図6において、本実施の形態2に係る電力検波器は、RF信号入力端子1と、検波回路14と、基準電圧出力回路15と、差動増幅器13と、出力端子16と、バイアス回路19とが設けられている。
また、検波回路14は、DCカット用キャパシタ2と、アノード端子が接地されたダイオード3と、負荷抵抗7と、チョークコイル9と、出力端子11とから構成されている。
また、基準電圧出力回路15は、アノード端子が接地されたダイオード4と、負荷抵抗8と、チョークコイル10と、出力端子12とから構成されている。
また、バイアス回路19は、直流電圧源5と、直流電圧源5の内部抵抗6とから構成され、ダイオード3およびダイオード4にバイアス電流を供給する。
さらに、検出すべき周波数において、ダイオード3とダイオード4が適当な結合度で結合するよう、つまり、RF信号がダイオード4に流れるように、物理的に近接して配置する。
上記実施の形態1に係る電力検波器では、入力したRF信号を不等電力分配器18によって分配し、一方を検波回路14、他方を基準電圧出力回路15に入力したが、本実施の形態2では、検出すべき周波数においてダイオード3と4が、例えば上記実施の形態1で示したような適当な分配比で結合するよう、近接して配置することで、上記実施の形態1の不等電力分配器18と同じ働きを得るものである。
本実施の形態2に係る電力検波器では、低入力電力時に出力電圧Vdiffがそれほど低下しないことから検出下限電力を低下させることなく、入力電力が高い場合に出力電圧Vdiffを低くして電源電圧に起因する差動増幅器13などの飽和を回避することができるとともに、上記実施の形態1に示すような不等電力分配器18を用いないことから電力検波器を小形に構成することができる。
なお、本実施の形態2では、ダイオード3、4を近接して配置したが、これに限らず、例えば検波回路14を構成するダイオード3へRF信号を供給する線路と、基準電圧出力回路15を構成するダイオード4を近接配置した場合や、検波回路14を構成するダイオード3へRF信号を供給する線路と基準電圧出力回路15を構成するダイオード4へRF信号を供給する線路とを近接配置した場合でも、RF信号がダイオード4に結合するので、同様の効果が得られる。
すなわち、この実施の形態2に係る電力検波器は、検波回路14を構成するダイオード3と基準電圧出力回路15を構成するダイオード4を近接して配置することで、高レベルのRF信号が電力検波器に入力した場合に基準電圧出力回路15から出力される直流電圧が高まるようにして、差動増幅器13から出力される電圧を低下させ、差動増幅器13の電源電圧に起因する飽和を回避するよう構成したので、低入力電力時の出力電圧を低下させずに、差動増幅器13の電源電圧を高めることなく高レベルのRF信号を検出できる効果がある。
実施の形態3.
この発明の実施の形態3に係る電力検波器について図面を参照しながら説明する。この発明の実施の形態3に係る電力検波器の構成は、図1に示す実施の形態1と同じである。
この実施の形態3に係る電力検波器の回路図は図1の電力検波器と同じであるが、検出すべき周波数においてダイオード3と4が適当な結合度で結合するよう、近接して配置し、不等電力分配器18の結合量と和をとったものである。
本実施の形態3に係る電力検波器では、上記実施の形態1に示したように低入力電力時に出力電圧Vdiffをそれほど低下しないことから検出下限電力を低下させることなく、入力電力が高い場合に出力電圧Vdiffを低くして電源電圧に起因する差動増幅器13などの飽和を回避することができるとともに、ダイオード3、4が近接して配置されていることから、不等電力分配器18の結合量を小さくできる。
マイクロ波帯では通常、分配比の異なる電力分配は2つの線路を隣り合わせて配置する結合線路を使ったカプラで行われるが、結合量が大きいと、線路間隔が小さくなり、製作が難しくなるという問題がある。しかし、ダイオード3、4を近接配置することで所望の結合量のうち、ある程度の結合量は確保できるので、残りの比較的小さい結合量をカプラで実現すればよくなり、線路間隔をそれほど狭くする必要がなく、容易に実現できる利点がある。
なお、本実施の形態3では不等電力分配器18を用いたが、これに限らず、等電力分配器を用いても構成できる。
すなわち、この実施の形態3に係る電力検波器は、検波器に入力する電力を電力分配器18で分配し、一方を検波回路14に、他方を基準電圧出力回路15に供給し、かつ、検波回路14を構成するダイオード3と基準電圧出力回路15を構成するダイオード4を近接して配置することで、高レベルのRF信号が電力検波器に入力した場合に基準電圧出力回路15から出力される直流電圧が高まるようにして、差動増幅器13から出力される電圧を低下させ、差動増幅器13の電源電圧に起因する飽和を回避するよう構成したので、低入力電力時の出力電圧を低下させずに、差動増幅器13の電源電圧を高めることなく高レベルのRF信号を検出できる効果がある。
実施の形態4.
この発明の実施の形態4に係る電力検波器について図面を参照しながら説明する。図7は、この発明の実施の形態4に係る電力検波器の構成を示す図である。
図7において、本実施の形態4に係る電力検波器は、バイアス回路19と、RF信号入力端子1と、検波回路14と、バイアス回路20と、基準電圧出力回路15と、差動増幅器13と、出力端子16とが設けられている。
また、バイアス回路19は、直流電圧源5と、直流電圧源5の内部抵抗6とから構成され、ダイオード3にバイアス電流を供給する。
また、検波回路14は、DCカット用キャパシタ2と、アノード端子が接地されたダイオード3と、負荷抵抗7と、チョークコイル9と、出力端子11とから構成されている。
また、バイアス回路20は、直流電圧源21と、直流電圧源21の内部抵抗22とから構成され、ダイオード4にバイアス電流を供給する。
さらに、基準電圧出力回路15は、アノード端子が接地されたダイオード4と、負荷抵抗8と、チョークコイル10と、出力端子12とから構成されている。
つぎに、この実施の形態4に係る電力検波器の動作について図面を参照しながら説明する。
図8は、この発明の実施の形態4に係る電力検波器の入力電力と出力電圧の関係を示す図である。図8において、横軸はRF信号入力端子1に入力するRF信号の入力電力であり、縦軸は検波回路14及び基準電圧出力回路15から出力される直流電圧である。
また、図9は、この発明の実施の形態4に係る電力検波器の入力電力と出力電圧の関係を示す図である。図9において、横軸はRF信号入力端子1に入力するRF信号の入力電力であり、縦軸は差動増幅器13から出力される差電圧Vdiffを対数目盛りで表している。
ダイオード3、4に供給するバイアス電流は、バイアス回路19、20の直流電圧源5、21が出力する電圧、または、内部抵抗6、22の値を変えることで、RF信号を入力しないときに検波回路14の出力電圧Vrfが、基準電圧出力回路15の出力電圧Vrefよりもわずかに小さくなるように独立に設定する。このときの入力電力と出力電圧VrefおよびVrfの関係を図8に示す。
また、入力電力と差動増幅器13の出力電圧(差電圧)Vdiffの関係を、Vref=Vrfとした場合を含めて図9に示す。図9より、低入力電力時の出力電圧Vdiffを高めることができる。出力電圧が高ければ、差動増幅器13が発生する雑音に埋もれることなく差電圧Vdiffを検出できることから、検出の下限電力を低くすることができる
本実施の形態4の変形例を図10に示す。この構成ではダイオード3、4の向きと、差動増幅器13の入力端子が逆になっている。この場合には、バイアス回路19、20を用いて、ダイオード3、4に供給するバイアス電流を変えて、RF信号を入力しないときの出力電圧Vrfが、出力電圧Vrefよりもわずかに大きくなるようにする。このときの入力電力と出力電圧VrefおよびVrfの関係を図11に、入力電力と出力電圧Vdiffの関係を図12に示す。図12より、低入力電力時の出力電圧Vdiffを高めることができる。出力電圧が高ければ、差動増幅器13が発生する雑音に埋もれることなく出力電圧Vdiffを検出できることから、検出の下限電力を低くすることができる。
本実施の形態4の別の変形例を図13に示す。本実施の形態の別の変形例では、バイアス回路19は共通とし、ダイオード3には直接、ダイオード4には抵抗23を介して、RF信号を入力しないときの出力電圧Vrfが、出力電圧Vrefよりもわずかに小さくなるようにダイオード3、4にバイアス電流を供給する。この場合、バイアス回路19が共通でも、抵抗23の値を適切に選択することで、入力電力と出力電圧Vdiffの関係は図9に示すようになり、低入力電力時の出力電圧Vdiffを高めることができる。出力電圧が高ければ、差動増幅器13が発生する雑音に埋もれることなく出力電圧Vdiffを検出できることから、検出の下限電力を低くすることができる。
すなわち、この実施の形態4に係る電力検波器は、検波回路14を構成するダイオード3にバイアス電流を供給するバイアス回路19と、基準電圧出力回路15を構成するダイオード4にバイアス電流を供給するバイアス回路20とを設け、バイアス電流を調整してRF信号を入力しないときにダイオード3の出力する電圧とダイオード4の出力する電圧のどちらか一方を高めに設定し、低入力電力時にその差電圧が高くなるようにしたので、検出下限電力の低い電力検波器を実現できる効果がある。
実施の形態5.
本実施の形態5は、実施の形態1から3までのいずれかと、実施の形態4を組み合わせたもので、検出下限電力を低下させることなく、入力電力が高い場合に出力電圧Vdiffを低くして電源電圧に起因する差動増幅器13などの飽和を回避して検出上限電力を高めることができるとともに、低入力電力時の出力電圧Vdiffを高くして、差動増幅器13が発生する雑音に埋もれることなく出力電圧Vdiffを検出することで検出の下限電力を低くすることができる。
すなわち、この実施の形態5に係る電力検波器は、検波器に入力する電力を不等電力分配器18で分配するか、またはダイオード3、4を近接して配置するか、または検波器に入力する電力を不等電力分配器18で分配し、かつダイオード3、4を近接して配置するとともに、検波回路14を構成するダイオード3にバイアス電流を供給するバイアス回路19と、基準電圧出力回路15を構成するダイオード4にバイアス電流を供給するバイアス回路20とを設け、RF信号を入力しない時に検波回路14が出力する直流電圧と基準電圧出力回路15の出力する直流電圧のどちらか一方を高めに設定したので、検出下限電力を低下させることなく、入力電力が高い場合に出力電圧Vdiffを低くして電源電圧に起因する差動増幅器13などの飽和を回避して検出上限電力を高めることができるとともに、低入力電力時の出力電圧Vdiffを高くして、差動増幅器13が発生する雑音に埋もれることなく出力電圧Vdiffを検出することで検出の下限電力を低くすることができ、全体として検出電力範囲の広い電力検波器を実現できる効果がある。
この発明の実施の形態1に係る電力検波器の構成を示す図である。 この発明の実施の形態1に係る電力検波器及び従来の電力検波器の入力電力と出力電圧の関係を示す図である。 この発明の実施の形態1に係る電力検波器及び従来の電力検波器の入力電力と出力電圧の関係を示す図である。 この発明の実施の形態1に係る電力検波器及び従来の電力検波器の入力電力と出力電圧の関係を示す図である。 この発明の実施の形態1に係る電力検波器の変形例の構成を示す図である。 この発明の実施の形態2に係る電力検波器の構成を示す図である。 この発明の実施の形態4に係る電力検波器の構成を示す図である。 この発明の実施の形態4に係る電力検波器の入力電力と出力電圧の関係を示す図である。 この発明の実施の形態4に係る電力検波器の入力電力と出力電圧の関係を示す図である。 この発明の実施の形態4に係る電力検波器の変形例の構成を示す図である。 この発明の実施の形態4に係る電力検波器の変形例の入力電力と出力電圧の関係を示す図である。 この発明の実施の形態4に係る電力検波器の変形例の入力電力と出力電圧の関係を示す図である。 この発明の実施の形態4に係る電力検波器の別の変形例の構成を示す図である。
符号の説明
1 RF信号入力端子、2 DCカット用キャパシタ、3 ダイオード、4 ダイオード、5 直流電圧源、6 内部抵抗、7 負荷抵抗、8 負荷抵抗、9 チョークコイル、10 チョークコイル、11 出力端子、12 出力端子、13 差動増幅器、14 検波回路、15 基準電圧出力回路、16 出力端子、17 DCカット用キャパシタ、18 不等電力分配回路、19 バイアス回路、20 バイアス回路、21 直流電圧源、22 内部抵抗、23 抵抗。

Claims (2)

  1. RF信号の入力電力が入力するRF信号入力端子と、前記RF信号入力端子に一端が接続されたDCカット用キャパシタと、前記DCカット用キャパシタの他端にカソード端子又はアノード端子が接続され、アノード端子又はカソード端子が接地され、入力されたRF信号が印加される第1のダイオードと、前記第1のダイオードに並列接続された第1の負荷抵抗と、第1の直流電圧を生じる第1の出力端子と、前記第1の負荷抵抗の接地されていない一端及び前記第1の出力端子の間に接続された第1のチョークコイルとから構成された検波回路と、
    アノード端子又はカソード端子が接地された第2のダイオードと、前記第2のダイオードに並列接続された第2の負荷抵抗と、第2の直流電圧を生じる第2の出力端子と、前記第2の負荷抵抗の接地されていない一端及び前記第2の出力端子の間に接続された第2のチョークコイルとから構成された基準電圧出力回路と、
    第1の直流電圧源と、前記第1の直流電圧源に直列接続された第1の内部抵抗とから構成され、前記第1のダイオードのカソード端子又はアノード端子に第1のバイアス電流を供給する第1のバイアス回路と、
    第2の直流電圧源と、前記第2の直流電圧源に直列接続された第2の内部抵抗とから構成され、前記第2のダイオードのカソード端子又はアノード端子に第2のバイアス電流を供給する第2のバイアス回路と、
    前記検波回路の第1の出力端子から出力される第1の直流電圧、及び前記基準電圧出力回路の第2の出力端子から出力される第2の直流電圧を入力して両者の差電圧を出力する差動増幅器とを備え、
    前記RF信号を入力しないときに前記検波回路が出力する前記第1の直流電圧、及び前記基準電圧出力回路が出力する前記第2の直流電圧のどちらか一方を高めに設定し、低入力電力時に前記差電圧が高くなるようにした
    ことを特徴とする電力検波器。
  2. RF信号の入力電力が入力するRF信号入力端子と、前記RF信号入力端子に一端が接続されたDCカット用キャパシタと、前記DCカット用キャパシタの他端にカソード端子が接続され、アノード端子が接地され、入力されたRF信号が印加される第1のダイオードと、前記第1のダイオードに並列接続された第1の負荷抵抗と、第1の直流電圧を生じる第1の出力端子と、前記第1の負荷抵抗の接地されていない一端及び前記第1の出力端子の間に接続された第1のチョークコイルとから構成された検波回路と、
    抵抗と、前記抵抗の他端にカソード端子が接続され、アノード端子が接地された第2のダイオードと、前記第2のダイオードに並列接続された第2の負荷抵抗と、第2の直流電圧を生じる第2の出力端子と、前記第2の負荷抵抗の接地されていない一端及び前記第2の出力端子の間に接続された第2のチョークコイルとから構成された基準電圧出力回路と、
    直流電圧源と、前記直流電圧源に直列接続された内部抵抗とから構成され、前記第1のダイオードのカソード端子直接バイアス電流を供給するとともに、前記第2のダイオードのカソード端子前記抵抗を介してバイアス電流を供給するバイアス回路と、
    前記検波回路の第1の出力端子から出力される第1の直流電圧、及び前記基準電圧出力回路の第2の出力端子から出力される第2の直流電圧を入力して両者の差電圧を出力する差動増幅器とを備え、
    前記RF信号を入力しないときに前記検波回路が出力する前記第1の直流電圧が、前記基準電圧出力回路が出力する前記第2の直流電圧よりも高めに設定し、低入力電力時に前記差電圧が高くなるようにした
    ことを特徴とする電力検波器。
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