JP4220025B2 - Radiation image sensor and manufacturing method thereof - Google Patents

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JP4220025B2
JP4220025B2 JP24820098A JP24820098A JP4220025B2 JP 4220025 B2 JP4220025 B2 JP 4220025B2 JP 24820098 A JP24820098 A JP 24820098A JP 24820098 A JP24820098 A JP 24820098A JP 4220025 B2 JP4220025 B2 JP 4220025B2
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scintillator
image sensor
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卓也 本目
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Hamamatsu Photonics KK
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、医療用のＸ線撮影等に用いられる放射線イメージセンサ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
医療、工業用のＸ線撮影では、Ｘ線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果の保存性の面から放射線検出素子を用いた放射線イメージングシステムが普及してきている。このような放射線イメージングシステムにおいては、放射線検出素子により２次元の放射線による画素データを電気信号として取得し、この信号を処理装置により処理してモニタ上に表示している。
【０００３】
従来、放射線検出素子を構成するシンチレータパネルとして、特公平５−３９５５８号公報に開示されているシンチレータパネルが知られている。このシンチレータパネルは、ＦＯＰ上に典型的なシンチレータ材料であるＣｓＩからなる柱状構造のシンチレータを形成している。この柱状構造を有するシンチレータにおいては、柱状構造を有するシンチレータの１本１本がライトガイドとしての役目をにない、放射線によって発生した光を光出射面まで導いているため解像度の劣化が低く押さえられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、柱状構造のシンチレータにおいては、シンチレータの径を小さくすればするほど解像度の劣化を抑制することができるが、シンチレータにより発生した光がシンチレータの光出射面に到達するまでに数多くの反射吸収を繰り返すため撮像素子の受光部に入射する光が減少するという問題があった。また、シンチレータの径を大きくすればするほど受光部に到達する光は多くなるが、横方向にも光が伝わり易くなり、隣接あるいはある程度遠くの受光部まで到達し結果として解像度が劣化するという問題があった。なお、特開平３−７９０７５号公報には、画素間に存在するシンチレータの隙間にセパレータを設けた放射線撮像素子が開示されている。
【０００５】
この発明の課題は、高解像度を維持した状態で撮像素子の受光部に入射する光を増加させることができる放射線イメージセンサ及びその製造方法を提供すことである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の放射線イメージセンサは、撮像素子の受光面上に形成された柱状構造のシンチレータと、前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆する有機膜とを備える放射線イメージセンサにおいて、前記撮像素子の受光部上に形成された前記柱状構造のシンチレータの柱径が前記撮像素子の受光部上以外の部分に形成された前記柱状構造のシンチレータの柱径に比較して大きいことを特徴とする。
【０００７】
この請求項１記載の放射線イメージセンサによれば、撮像素子の受光部上に形成されている柱径の大きい柱状構造のシンチレータで発生した光は対向する受光部に伝達されやすく、またこの柱径の大きい柱状構造のシンチレータに隣接し、受光部上以外の部分に形成された柱径の小さい柱状構造のシンチレータで発生した光が柱径の大きい柱状構造のシンチレータに入射した場合、その光は柱径の大きい柱状構造のシンチレータに対向する受光部に伝達されやすい。従って、受光部に到達する光量を増加させることができる。
【０００８】
また、請求項２記載の放射線イメージセンサは、基板上に形成された柱状構造のシンチレータと、前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆する有機膜と、前記シンチレータ側に受光面を向けて配置された撮像素子とを備える放射線イメージセンサにおいて、前記撮像素子の受光部に対向している前記柱状構造のシンチレータの柱径が前記撮像素子の受光部以外の部分に対向している前記柱状構造のシンチレータの柱径に比較して大きいことを特徴とする。
【０００９】
この請求項２記載の放射線イメージセンサによれば、撮像素子の受光部に対向して形成されている柱径の大きい柱状構造のシンチレータで発生した光は対向する受光部に伝達されやすく、またこの柱径の大きい柱状構造のシンチレータに隣接し、受光部上以外の部分に対向して形成された柱径の小さい柱状構造のシンチレータで発生した光が柱径の大きい柱状構造のシンチレータに入射した場合、その光は柱径の大きい柱状構造のシンチレータに対向する受光部に伝達されやすい。従って、受光部に到達する光量を増加させることができる。
【００１０】
また、請求項３記載の放射線イメージセンサの製造方法は、撮像素子の受光面上に柱状構造のシンチレータを形成する第１の工程と、前記撮像素子の受光部上に形成された前記柱状構造のシンチレータの柱径を、前記撮像素子の受光部上以外の部分に形成された前記柱状構造のシンチレータの柱径に比較して大径化させる第２の工程と、前記シンチレータの表面を有機膜で覆う第３の工程とを備えることを特徴とする。
【００１１】
この請求項３記載の放射線イメージセンサの製造方法によれば、撮像素子の受光部上に形成されている柱径の大きい柱状構造のシンチレータで発生した光は対向する受光部に伝達されやすく、またこの柱径の大きい柱状構造のシンチレータに隣接し、受光部上以外の部分に形成された柱径の小さい柱状構造のシンチレータで発生した光が柱径の大きい柱状構造のシンチレータに入射した場合、その光は柱径の大きい柱状構造のシンチレータに対向する受光部に伝達されやすい。従って、受光部に到達する光量を増加させることが可能な放射線イメージセンサを製造することができる。
【００１２】
また、請求項４記載の放射線イメージセンサの製造方法は、請求項３記載の放射線イメージセンサの製造方法の前記第２の工程における前記シンチレータの大径化を前記シンチレータに対するレーザ照射により行うことを特徴とする。
【００１３】
また、請求項５記載の放射線イメージセンサの製造方法は、請求項３記載の放射線イメージセンサの製造方法の前記第２の工程における前記シンチレータの大径化を前記シンチレータの水分による潮解を利用して行うことを特徴とする。
【００１４】
また、請求項６記載の放射線イメージセンサの製造方法は、基板上に形成された柱状構造のシンチレータと、前記シンチレータ側に受光面を向けて配置された撮像素子とを備える放射線イメージセンサを製造する方法において、前記基板上に前記柱状構造のシンチレータを形成する第１の工程と、前記撮像素子の受光部に対応する位置の前記柱状構造のシンチレータの柱径を、それ以外の前記柱状構造のシンチレータの柱径に比較して大径化させる第２の工程と、前記シンチレータの表面を有機膜で覆う第３の工程と、前記シンチレータ側に受光面を向けて前記撮像素子を配置する第４の工程とを備えることを特徴とする。
【００１５】
この請求項６記載の放射線イメージセンサの製造方法によれば、撮像素子の受光部に対向している柱状構造のシンチレータにより撮像素子の受光部に伝達される光量を増加させることが可能な放射線イメージセンサを製造することができる。
【００１６】
また、請求項７記載の放射線イメージセンサの製造方法は、請求項６記載の放射線イメージセンサの製造方法の前記第２の工程における前記シンチレータの大径化を前記シンチレータに対するレーザ照射により行うことを特徴とする。
【００１７】
また、請求項８記載の放射線イメージセンサの製造方法は、請求項６記載の放射線イメージセンサの製造方法の前記第２の工程における前記シンチレータの大径化を前記シンチレータの水分による潮解を利用して行うことを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図４を参照して、この発明の第１の実施の形態の説明を行う。図１は実施の形態にかかる放射線イメージセンサ２の断面図である。図１に示すように、放射線イメージセンサ２は、薄膜トランジスタ＋フォトダイオードアレイ(撮像素子)１０の受光部１０ｂに対応して設けられている単結晶化されたシンチレータ１２の表面を耐湿性の向上を目的とする第１のポリパラキシリレン膜(有機膜)１４により覆い、更に、この第１のポリパラキシリレン膜１４上に耐湿性の向上を目的とするＡｌ膜１６を設けると共に、Ａｌ膜１６上に、このＡｌ膜１６の剥がれを防止するための第２のポリパラキシリレン膜１８を設けた構造を有するものである。
【００１９】
次に、図２〜図４を参照して、この放射線イメージセンサ２の製造工程について説明する。図２（ａ）に示すように、放射線イメージセンサ２を構成する薄膜トランジスタ＋フォトダイオードアレイ（以下、フォトダイオードアレイという。）１０は、以下に説明する工程で製造される。まず、ガラス基板上にフォトリソグラフィ技術を用いて、薄膜トランジスタ及びフォトダイオードアレイを形成し、ボンディングパッド部を除いてアレイ保護のためにＳｉＮ等の無機絶縁膜でこのアレイを覆う。次に、フォトダイオードやＡｌ配線等による凹凸を緩和するために、さらにポリイミド膜を数μｍコーティングする。この工程の前にアレイテスタ等により欠陥検出をし、紫外線レーザ等を用いてＡｌ配線の短絡等の修復を行なうこともある。このような工程で製造された、フォトダイオードアレイ１０は、基板１０ａ上に受光部１０ｂが２００μｍのピッチでアレイ状に形成され、各受光部１０ｂに対応してアモルファスシリコン薄膜トランジスタのスイッチング素子１０ｃが設けられている。なお、図３（ａ）は、フォトダイオードアレイ１０の一部を示す平面図である。なお、フォトダイオード（ＰＤ）へのバイパスラインが薄膜トランジスタ上を通っているが電気的にはゲートラインと接続されていない。
【００２０】
まず、このフォトダイオードアレイ１０の受光面上に、ＴｌをドープしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長させ、柱径３μｍ、厚さ６００μｍの柱状構造のシンチレータ１２を形成する（図２（ｂ）参照）。なお、図３（ｂ）は、図３（ａ）のフォトダイオードアレイ１０の受光面上に柱状構造のシンチレータ１２を形成した状態を示す平面図である。
【００２１】
次に、受光部１０ｂ上に形成されたシンチレータ１２の上面に、１５０μｍ径に絞ったＹＡＧレーザを照射する。これにより受光部１０ｂ上に形成された柱状構造のシンチレータ１２が融合して、受光部１０ｂ上に形成されたシンチレータ１２のみを融合させ大結晶化させ大きな結晶とする（図２（ｃ）参照）。より好ましくは単結晶化させる。なお、図３（ｃ）は、ＹＡＧレーザの照射により受光部１０ｂ上に形成されたシンチレータ１２のみを大きな結晶とした状態を示す平面図である。
【００２２】
次に、シンチレータ１２が形成されたフォトダイオードアレイ１０をＣＶＤ装置の蒸着室に入れ、ポリパラキシリレンの原料を昇華させた蒸気中に露出させておくことにより、シンチレータ１２を形成したフォトダイオードアレイ１０の全体を１０μｍの厚さの第１のポリパラキシリレン膜１４で覆う（図４（ａ）参照）。 次に、第１のポリパラキシリレン膜１４で覆ったフォトダイオードアレイ１０をＣＶＤ装置の蒸着室から取り出し、第１のポリパラキシリレン膜１４の表面にＡｌ膜１６を３００ｎｍの厚さで蒸着する（図４（ｂ）参照）。ここでＡｌ膜１６は、シンチレータ１２の耐湿性の向上を目的とするものであるためシンチレータ１２を覆う範囲で形成される。
【００２３】
その後、Ａｌ膜１６の表面に、このＡｌ膜１６の剥がれを防止するための第２のポリパラキシリレン膜１８を形成する（図４（ｃ）参照）。即ち、第１のポリパラキシリレン膜１４の成膜の場合と同様に、シンチレータ１２が形成されたフォトダイオードアレイ１０をＣＶＤ装置の蒸着室に入れ、ＣＶＤ法によりＡｌ膜１６の表面及びＡｌ膜１６が形成されていない第１のポリパラキシリレン膜１４上に第２のポリパラキシリレン膜１８を１０μｍの厚さで成膜する。この工程を終了することにより放射線イメージセンサ２の製造が終了する。
【００２４】
この第１の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ２によれば、フォトダイオードアレイ１０の受光部１０ｂに対向している柱径の大きい柱状構造のシンチレータで発生した光は対向する受光部１０ｂに伝達されやすい。またこの大きなシンチレータに隣接し受光部１０ｂ以外の部分に形成された柱状の小さい柱状構造のシンチレータで発生した光が柱径の大きい柱状構造のシンチレータに入射した場合、その光は柱径の大きい柱状構造のシンチレータに対向する受光部１０ｂに伝達されやすい。これにより、受光部１０ｂに到達する光量を増加させることができる。
【００２５】
ところで柱径の大きい柱状構造のシンチレータで発生した光の多くは対向している受光部１０ｂに到達するが、一部は柱径の大きい柱状構造のシンチレータに対向していない受光部（近接している受光部）に進行し、この光がその受光部に入射すると解像度劣化の原因になる。しかし、柱径の大きい柱状構造のシンチレータに隣接する柱径の小さい柱状構造のシンチレータの数多くの界面で反射、吸収が繰り返され近接している受光部にはほとんど到達しないので解像度劣化を抑えることができる。
【００２６】
また、シンチレータ１２の表面を第１のポリパラキシリレン膜１４、Ａｌ膜１６及び第２のポリパラキシリレン膜１８で覆っているためシンチレータ１２の耐湿性も維持することができる。
【００２７】
なお、上述の第１の実施の形態においては、フォトダイオードアレイ１０の受光部１０ｂ上に形成されたシンチレータ１２の大結晶化をＹＡＧレーザの照射により行っているが、これに限らず水分による潮解を利用してシンチレータ１２の大結晶化を行っても良い。
【００２８】
この場合には、柱状構造のシンチレータ１２を形成したフォトダイオードアレイ１０（図２（ｂ）参照）のシンチレータ１２上にＦｅ製メッシュ３０を配置する（図５（ａ）参照）。ここでＦｅ製メッシュ３０は、２００μｍのピッチ（アレイ状に形成されている受光部１０ｂと同一のピッチ)でアレイ状に形成されたΦ１５０μｍのマスク部３０ａを有するものであり、Ｆｅ製メッシュ３０のマスク部３０ａが受光部１０ｂ上に位置するように配置する。なお、フォトダイオードアレイ１０の下面にはＦｅ製メッシュ３０がシンチレータ１２の表面に密着するように磁石を配置することが好ましい。
【００２９】
次に、シンチレータ１２上にＦｅ製メッシュ３０を配置した状態でポリパラキシリレン膜３２を３μｍの厚さで成膜する。これにより図５(ｂ)に示すように、Ｆｅ製メッシュ３０でマスクされていない部分のシンチレータ１２がポリパラキシリレン膜３２で覆われる。
【００３０】
次に、Ｆｅ製メッシュ３０を取り外した状態で湿度９０％、気温３０℃の雰囲気中に２４時間放置すると、ポリパラキシリレン膜で覆われていない受光部１０ｂ上に形成されている柱状構造のシンチレータ１２が潮解して融合し大結晶化、好ましくは単結晶化させる。
【００３１】
また、上述の第１の実施の形態においては、シンチレータ１２を形成する基板としてフォトダイオードアレイ１０を用いているが、これに限らずＣＣＤ、ＭＯＳ型固体イメージセンサ等を用いるようにしてもよい。
【００３２】
次に、図６〜図８を参照して、この発明の第２の実施の形態の説明を行う。図６は第２の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ４の断面図である。図６に示すように、放射線イメージセンサ４は、Ａｌ製の基板４０上にフォトダイオードアレイ５０の受光部５０ｂに対応して設けられている単結晶化されたシンチレータ４２の表面を耐湿性の向上を目的とする第１のポリパラキシリレン膜(有機膜)４４により覆い、更に、この第１のポリパラキシリレン膜４４上に耐湿性の向上を目的とするＳｉＯ2膜４６を設けると共に、ＳｉＯ2膜４６上に、このＳｉＯ2膜４６の剥がれを防止するための第２のポリパラキシリレン膜４８を設けた構造を有するものである。
【００３３】
次に、図７〜図８を参照して、この放射線イメージセンサ４の製造工程について説明する。まず、図７（ａ）に示すように、Ａｌ製の基板４０の一方の表面に、ＴｌをドープしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長させ、柱径３μｍ、厚さ６００μｍの柱状構造のシンチレータ４２を形成する。
【００３４】
次に、シンチレータ４２の上面に１５０μｍ径に絞ったＹＡＧレーザを照射する。これによりＹＡＧレーザを照射した部分のシンチレータ４２が融合して大結晶化し大きな結晶となる。なお、ＹＡＧレーザの照射は、薄膜トランジスタ＋フォトダイオードアレイ（以下、フォトダイオードアレイという。）５０（図６参照）の受光部５０ｂが形成されているピッチと同じピッチで繰り返す。これによりフォトダイオードアレイ５０の受光部に対応する位置のシンチレータ４２のみを大きな結晶とする（図７（ｂ）参照）。
【００３５】
次に、シンチレータ４２が形成された基板４０をＣＶＤ装置の蒸着室に入れ、ポリパラキシリレンの原料を昇華した蒸気中に露出させておくことにより、シンチレータ４２を形成した基板４０の全体を１０μｍの厚さの第１のポリパラキシリレン膜４４で覆う（図７（ｃ）参照）。次に、第１のポリパラキシリレン膜４４で覆った基板４０をＣＶＤ装置の蒸着室から取り出し、第１のポリパラキシリレン膜４４の表面にＳｉＯ2膜４６を３００ｎｍの厚さで蒸着する（図８（ａ）参照）。ここでＳｉＯ2膜４６は、シンチレータ４２の耐湿性の向上を目的とするものであるためシンチレータ４２を覆う範囲で形成される。
【００３６】
その後、ＳｉＯ2膜４６の表面に、このＳｉＯ2膜４６の剥がれを防止するための第２のポリパラキシリレン膜４８を形成する（図８（ｂ）参照）。即ち、第１のポリパラキシリレン膜４４の成膜の場合と同様に、シンチレータ４２が形成された基板４０をＣＶＤ装置の蒸着室に入れ、ＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜４６の表面及びＳｉＯ2膜４６が形成されていない第１のポリパラキシリレン膜４４上に第２のポリパラキシリレン膜４８を１０μｍの厚さで成膜する。
【００３７】
次に、シンチレータ４２上にフォトダイオードアレイ５０を貼り付ける（図８（ｃ）参照）。即ち、フォトダイオードアレイ５０は、基板５０ａ上に受光部５０ｂが２００μｍのピッチでアレイ状に形成され、各受光部５０ｂに対応してアモルファスシリコン薄膜トランジスタにより形成されたスイッチング回路５０ｃが設けられたものであり、シンチレータ４２側にフォトダイオードアレイ５０の受光面を向け、大結晶化したシンチレータ４２に受光部５０ｂが対向するように位置合わせを行いフォトダイオードアレイ５０を貼り付ける。この工程を終了することにより放射線イメージセンサ４の製造が終了する。
【００３８】
この第２の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ４によれば、フォトダイオードアレイ５０の受光部５０ｂに対向する柱径の大きい柱状構造のシンチレータで発生した光は対向する受光部５０ｂに伝達されやすい。またこの大きなシンチレータに隣接し受光部５０ｂ以外の部分に形成された柱径の小さい柱状構造のシンチレータで発生した光が柱径の大きい柱状構造のシンチレータに入射した場合、その光は柱径の大きい柱状構造のシンチレータに対向する受光部５０ｂに伝達されやすい。これにより受光部５０ｂに到達する光量を増加させることができる。
【００３９】
ところで柱径の大きい柱状構造のシンチレータで発生した光の多くは対向している受光部５０ｂに到達するが、一部は対向していない受光部（近接している受光部）に進行する。この光がその受光部５０ｂに入射すると解像度劣化の原因になる。しかし、柱径の大きい柱状構造のシンチレータに隣接する柱径の小さい柱状構造のシンチレータの数多くの界面で反射、吸収が繰り返され近接している受光部にはほとんど到達しないので解像度劣化を抑えることができる。また、シンチレータ４２の表面を第１のポリパラキシリレン膜４４、ＳｉＯ2膜４６及び第２のポリパラキシリレン膜４８で覆っているためシンチレータ４２の耐湿性も維持することができる。
【００４０】
なお、上述の第２の実施の形態においては、フォトダイオードアレイ５０の受光部５０ｂに対向している部分のシンチレータ４２の大結晶化をＹＡＧレーザの照射により行っているが、第１の実施の形態の場合と同様に水分による潮解を利用してシンチレータ４２の大結晶化を行っても良い。
【００４１】
なお、上述の各実施の形態における、ポリパラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチルパラキシリレン等を含む。
【００４２】
また、上述の各実施の形態においては、シンチレータとしてＣｓＩ（Ｔｌ）が用いられているが、これに限らずＣｓＩ（Ｎａ）、ＮａＩ（Ｔｌ）、ＬｉＩ（Ｅｕ）、ＫＩ（Ｔｌ）等を用いてもよい。
【００４３】
また、上述の第２の実施の形態においては、シンチレータ４２を形成する基板としてＡｌ製の基板４０を用いているが、Ｘ線透過率の良い基板であればよいことからＣ（グラファイト）製の基板、特にアモルファスカーボン製の基板やＢｅ製の基板等を用いても良い。
【００４４】
【発明の効果】
この発明の放射線イメージセンサによれば、撮像素子の受光部上に形成された柱状構造のシンチレータにより撮像素子の受光部に伝達される光量を増加させることができる。また、シンチレータの表面を有機膜で覆っているためシンチレータの耐湿性も維持することができる。
【００４５】
また、この発明の放射線イメージセンサの製造方法によれば、撮像素子の受光部上に形成された柱状構造のシンチレータにより撮像素子の受光部に伝達される光量を増加させることが可能な放射線イメージセンサを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの断面図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの製造工程を示す図である。
【図３】この発明の第１の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの製造工程を示す図である。
【図４】この発明の第１の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの製造工程を示す図である。
【図５】この発明の第１の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの製造工程の変形例を説明するための図である。
【図６】この発明の第２の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの断面図である。
【図７】この発明の第２の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの製造工程を示す図である。
【図８】この発明の第２の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの製造工程を示す図である。
【符号の説明】
２，４…放射線イメージセンサ、１０…フォトダイオードアレイ、１２…シンチレータ、１４…第１のポリパラキシリレン膜、１６…Ａｌ膜、１８…第２のポリパラキシリレン膜、４０…基板、４２…シンチレータ、４４…第１のポリパラキシリレン膜、４６…ＳｉＯ2膜、４８…第２のポリパラキシリレン膜。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a radiation image sensor used for medical X-ray imaging and the like and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
In medical and industrial X-ray imaging, an X-ray photosensitive film has been used, but radiation imaging systems using radiation detection elements have become widespread from the viewpoint of convenience and preservation of imaging results. In such a radiation imaging system, pixel data based on two-dimensional radiation is acquired as an electrical signal by a radiation detection element, and this signal is processed by a processing device and displayed on a monitor.
[0003]
Conventionally, a scintillator panel disclosed in Japanese Patent Publication No. 5-39558 is known as a scintillator panel constituting a radiation detection element. This scintillator panel forms a columnar scintillator made of CsI, which is a typical scintillator material, on an FOP. In this scintillator having a columnar structure, each of the scintillators having a columnar structure does not serve as a light guide, and light generated by radiation is guided to the light exit surface, so that degradation in resolution is suppressed to a low level. ing.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in a scintillator having a columnar structure, the resolution can be suppressed as the diameter of the scintillator is reduced. However, a large number of reflections are absorbed before the light generated by the scintillator reaches the light exit surface of the scintillator. Since it repeats, there existed a problem that the light which injects into the light-receiving part of an image pick-up element reduces. In addition, the larger the scintillator diameter, the more light reaches the light receiving part, but the light easily propagates in the horizontal direction, and reaches the light receiving part adjacent or some distance away, resulting in degradation of resolution. was there. Japanese Patent Laid-Open No. 3-79075 discloses a radiation imaging element in which a separator is provided in a scintillator gap existing between pixels.
[0005]
An object of the present invention is to provide a radiation image sensor capable of increasing light incident on a light receiving portion of an image sensor while maintaining high resolution, and a method for manufacturing the same.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The radiation image sensor according to claim 1, comprising: a columnar structure scintillator formed on a light receiving surface of an image sensor; and an organic film that covers at least a part of the columnar structure scintillator. A column diameter of the columnar structure scintillator formed on the light receiving portion of the element is larger than a column diameter of the columnar structure scintillator formed on a portion other than the light receiving portion of the imaging element. .
[0007]
According to the radiation image sensor of the first aspect, light generated by the scintillator having a columnar structure with a large column diameter formed on the light receiving portion of the image sensor is easily transmitted to the opposing light receiving portion, and the column diameter If light generated by a columnar structure scintillator with a small column diameter that is adjacent to a columnar structure scintillator with a large column diameter is incident on a columnar structure scintillator with a large column diameter, the light It is easy to be transmitted to the light receiving part facing the scintillator having a columnar structure with a large diameter. Accordingly, it is possible to increase the amount of light reaching the light receiving unit.
[0008]
The radiation image sensor according to claim 2 is a scintillator having a columnar structure formed on a substrate, an organic film covering at least a part of the scintillator having the columnar structure, and a light receiving surface facing the scintillator side. In the radiation image sensor comprising the image sensor, the column diameter of the columnar structure scintillator facing the light receiving portion of the image sensor faces the portion other than the light receiving portion of the image sensor. It is characterized by being larger than the column diameter of the scintillator.
[0009]
According to the radiation image sensor of the second aspect, light generated by the scintillator having a columnar structure with a large column diameter formed facing the light receiving portion of the image sensor is easily transmitted to the facing light receiving portion. When light generated by a columnar structure scintillator with a small column diameter formed adjacent to a scintillator with a columnar structure with a large column diameter and facing a portion other than the light receiving part enters the scintillator with a columnar structure with a large column diameter The light is likely to be transmitted to the light receiving portion facing the scintillator having a columnar structure with a large column diameter. Accordingly, it is possible to increase the amount of light reaching the light receiving unit.
[0010]
According to a third aspect of the present invention, there is provided a radiation image sensor manufacturing method comprising: a first step of forming a columnar structure scintillator on a light receiving surface of an image sensor; and the columnar structure formed on a light receiving portion of the image sensor. A second step of increasing the column diameter of the scintillator in comparison with the column diameter of the columnar scintillator formed on a portion other than the light receiving portion of the image sensor; and an organic film on the surface of the scintillator And a third step of covering.
[0011]
According to the method for manufacturing a radiation image sensor according to claim 3, the light generated by the columnar structure scintillator having a large column diameter formed on the light receiving portion of the image sensor is easily transmitted to the opposing light receiving portion. When light generated by a columnar structure scintillator with a small column diameter formed on a portion other than the light receiving part adjacent to the columnar structure scintillator with a large column diameter is incident on the columnar structure scintillator with a large column diameter, Light is likely to be transmitted to the light receiving portion facing the scintillator having a columnar structure with a large column diameter. Therefore, a radiation image sensor capable of increasing the amount of light reaching the light receiving unit can be manufactured.
[0012]
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a radiation image sensor, wherein the scintillator is increased in diameter by the laser irradiation to the scintillator in the second step of the method of manufacturing the radiation image sensor according to the third aspect. And
[0013]
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing the radiation image sensor, wherein the scintillator is increased in diameter in the second step of the method for manufacturing the radiation image sensor according to the third aspect by using deliquescence due to moisture of the scintillator. It is characterized by performing.
[0014]
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a radiation image sensor manufacturing method including a columnar structure scintillator formed on a substrate and an image sensor disposed with a light receiving surface facing the scintillator side. in the method, the scintillator of the first step and, the column diameters of the scintillator of the columnar structure in the position corresponding to the light receiving portion of the imaging element, and the other of the columnar structure to form a scintillator of said columnar structure on the substrate of a second step for comparing the column diameters to large diameter, and a third step of covering the surface of the scintillator by the organic film, the fourth positioning the imaging device toward the light-receiving surface on the scintillator side And a process.
[0015]
According to the method for manufacturing a radiation image sensor according to claim 6, a radiation image capable of increasing the amount of light transmitted to the light receiving portion of the image pickup device by the columnar structure scintillator facing the light receiving portion of the image pickup device. A sensor can be manufactured.
[0016]
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a radiation image sensor, wherein the scintillator is enlarged in diameter by performing laser irradiation on the scintillator in the second step of the method for manufacturing a radiation image sensor according to the sixth aspect. And
[0017]
Further, in the method for manufacturing a radiation image sensor according to claim 8, the increase in the diameter of the scintillator in the second step of the method for manufacturing the radiation image sensor according to claim 6 is performed using deliquescence due to moisture of the scintillator. It is characterized by performing.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a cross-sectional view of a radiation image sensor 2 according to an embodiment. As shown in FIG. 1, the radiation image sensor 2 improves the moisture resistance of the surface of a single crystal scintillator 12 provided corresponding to the light receiving portion 10b of the thin film transistor + photodiode array (imaging device) 10. The first polyparaxylylene film (organic film) 14 is covered with the target, and an Al film 16 is provided on the first polyparaxylylene film 14 for the purpose of improving moisture resistance. 16 has a structure in which a second polyparaxylylene film 18 for preventing the Al film 16 from peeling off is provided.
[0019]
Next, a manufacturing process of the radiation image sensor 2 will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 2A, a thin film transistor + photodiode array (hereinafter referred to as a photodiode array) 10 constituting the radiation image sensor 2 is manufactured by the steps described below. First, a thin film transistor and a photodiode array are formed on a glass substrate by using a photolithography technique, and this array is covered with an inorganic insulating film such as SiN for array protection except for the bonding pad portion. Next, in order to alleviate unevenness due to photodiodes, Al wirings, etc., a polyimide film is further coated by several μm. Before this step, defects may be detected by an array tester or the like, and repair such as a short circuit of the Al wiring may be performed using an ultraviolet laser or the like. In the photodiode array 10 manufactured by such a process, the light receiving portions 10b are formed in an array shape with a pitch of 200 μm on the substrate 10a, and a switching element 10c of an amorphous silicon thin film transistor is provided corresponding to each light receiving portion 10b. It has been. FIG. 3A is a plan view showing a part of the photodiode array 10. Note that a bypass line to the photodiode (PD) passes over the thin film transistor, but is not electrically connected to the gate line.
[0020]
First, CsI columnar crystals doped with Tl are grown on the light receiving surface of the photodiode array 10 by vapor deposition to form a columnar scintillator 12 having a column diameter of 3 μm and a thickness of 600 μm (FIG. 2B). reference). FIG. 3B is a plan view showing a state in which the columnar structure scintillator 12 is formed on the light receiving surface of the photodiode array 10 of FIG.
[0021]
Next, the upper surface of the scintillator 12 formed on the light receiving unit 10b is irradiated with a YAG laser with a diameter of 150 μm. As a result, the columnar scintillator 12 formed on the light receiving portion 10b is fused, and only the scintillator 12 formed on the light receiving portion 10b is fused to be crystallized into a large crystal (see FIG. 2C). . More preferably, single crystallization is performed. FIG. 3C is a plan view showing a state where only the scintillator 12 formed on the light receiving portion 10b by the irradiation of the YAG laser is made into a large crystal.
[0022]
Next, the photodiode array 10 on which the scintillator 12 is formed is placed in a vapor deposition chamber of a CVD apparatus and exposed to vapor obtained by sublimating a polyparaxylylene raw material, thereby forming the photodiode array on which the scintillator 12 is formed. 10 is entirely covered with a first polyparaxylylene film 14 having a thickness of 10 μm (see FIG. 4A). Next, the photodiode array 10 covered with the first polyparaxylylene film 14 is taken out from the vapor deposition chamber of the CVD apparatus, and an Al film 16 is vapor deposited to a thickness of 300 nm on the surface of the first polyparaxylylene film 14. (See FIG. 4B). Here, since the Al film 16 is intended to improve the moisture resistance of the scintillator 12, it is formed in a range that covers the scintillator 12.
[0023]
Thereafter, a second polyparaxylylene film 18 for preventing the peeling of the Al film 16 is formed on the surface of the Al film 16 (see FIG. 4C). That is, as in the case of forming the first polyparaxylylene film 14, the photodiode array 10 on which the scintillator 12 is formed is placed in the vapor deposition chamber of the CVD apparatus, and the surface of the Al film 16 and the Al film are formed by the CVD method. A second polyparaxylylene film 18 having a thickness of 10 μm is formed on the first polyparaxylylene film 14 where 16 is not formed. By completing this process, the production of the radiation image sensor 2 is completed.
[0024]
According to the radiation image sensor 2 according to the first embodiment, light generated by a columnar structure scintillator having a large column diameter facing the light receiving portion 10b of the photodiode array 10 is transmitted to the facing light receiving portion 10b. Easy to be. Further, when light generated by a scintillator having a small columnar structure adjacent to the large scintillator and formed in a portion other than the light receiving portion 10b is incident on a scintillator having a columnar structure having a large column diameter, the light is columnar with a large column diameter. It is easy to be transmitted to the light receiving portion 10b facing the structure scintillator. Thereby, the light quantity which reaches | attains the light-receiving part 10b can be increased.
[0025]
By the way, most of the light generated in the columnar structure scintillator having a large column diameter reaches the light receiving unit 10b facing each other, but a part of the light receiving unit (closely adjacent to the columnar structure scintillator having a large column diameter). If this light is incident on the light receiving portion, it causes resolution degradation. However, since the reflection and absorption are repeated at many interfaces of the columnar structure scintillator adjacent to the columnar structure scintillator with a larger column diameter and hardly reach the adjacent light receiving part, resolution degradation can be suppressed. it can.
[0026]
Further, since the surface of the scintillator 12 is covered with the first polyparaxylylene film 14, the Al film 16, and the second polyparaxylylene film 18, the moisture resistance of the scintillator 12 can be maintained.
[0027]
In the above-described first embodiment, the scintillator 12 formed on the light receiving portion 10b of the photodiode array 10 is crystallized by irradiation with a YAG laser. The scintillator 12 may be crystallized using the above.
[0028]
In this case, an Fe mesh 30 is disposed on the scintillator 12 of the photodiode array 10 (see FIG. 2B) in which the columnar scintillator 12 is formed (see FIG. 5A). Here, the Fe mesh 30 has a Φ150 μm mask portion 30a formed in an array at a pitch of 200 μm (the same pitch as the light receiving portions 10b formed in an array). The mask part 30a is disposed on the light receiving part 10b. A magnet is preferably disposed on the lower surface of the photodiode array 10 so that the Fe mesh 30 is in close contact with the surface of the scintillator 12.
[0029]
Next, a polyparaxylylene film 32 is formed to a thickness of 3 μm with the Fe mesh 30 disposed on the scintillator 12. As a result, as shown in FIG. 5B, the scintillator 12 that is not masked by the Fe mesh 30 is covered with the polyparaxylylene film 32.
[0030]
Next, when the Fe mesh 30 is removed and left in an atmosphere of 90% humidity and 30 ° C. for 24 hours, the columnar structure formed on the light receiving portion 10b not covered with the polyparaxylylene film is formed. The scintillator 12 is deliquescent and fused to form a large crystal, preferably a single crystal.
[0031]
In the first embodiment described above, the photodiode array 10 is used as a substrate on which the scintillator 12 is formed. However, the present invention is not limited to this, and a CCD, a MOS solid-state image sensor, or the like may be used.
[0032]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a cross-sectional view of the radiation image sensor 4 according to the second embodiment. As shown in FIG. 6, the radiation image sensor 4 improves the moisture resistance of the surface of a single crystal scintillator 42 provided on an Al substrate 40 corresponding to the light receiving portion 50b of the photodiode array 50. A first polyparaxylylene film (organic film) 44 intended for the purpose of coating, and a SiO 2 film 46 intended to improve moisture resistance is provided on the first polyparaxylylene film 44, and on the SiO 2 film 46, and has a second polyparaxylylene film 48 is provided a structure for preventing the peeling of the SiO 2 film 46.
[0033]
Next, with reference to FIGS. 7-8, the manufacturing process of this radiation image sensor 4 is demonstrated. First, as shown in FIG. 7 (a), a columnar crystal of CsI doped with Tl is grown on one surface of an Al substrate 40 by vapor deposition to form a columnar structure scintillator having a column diameter of 3 μm and a thickness of 600 μm. 42 is formed.
[0034]
Next, the upper surface of the scintillator 42 is irradiated with a YAG laser with a diameter of 150 μm. As a result, the portion of the scintillator 42 irradiated with the YAG laser is fused and crystallized into a large crystal. The YAG laser irradiation is repeated at the same pitch as the pitch at which the light receiving portions 50b of the thin film transistor + photodiode array (hereinafter referred to as photodiode array) 50 (see FIG. 6) are formed. As a result, only the scintillator 42 at the position corresponding to the light receiving portion of the photodiode array 50 is made a large crystal (see FIG. 7B).
[0035]
Next, the substrate 40 on which the scintillator 42 is formed is placed in the vapor deposition chamber of the CVD apparatus, and the raw material of polyparaxylylene is exposed to sublimated vapor, whereby the entire substrate 40 on which the scintillator 42 is formed is 10 μm. Are covered with a first polyparaxylylene film 44 having a thickness (see FIG. 7C). Next, the substrate 40 covered with the first polyparaxylylene film 44 is taken out from the vapor deposition chamber of the CVD apparatus, and the SiO 2 film 46 is deposited on the surface of the first polyparaxylylene film 44 to a thickness of 300 nm. (See FIG. 8 (a)). Here, since the SiO 2 film 46 is intended to improve the moisture resistance of the scintillator 42, it is formed in a range that covers the scintillator 42.
[0036]
Thereafter, a second polyparaxylylene film 48 for preventing peeling of the SiO 2 film 46 is formed on the surface of the SiO 2 film 46 (see FIG. 8B). That is, as in the case of forming the first polyparaxylylene film 44, the substrate 40 on which the scintillator 42 is formed is placed in the vapor deposition chamber of the CVD apparatus, and the surface of the SiO 2 film 46 and the SiO 2 film are formed by the CVD method. A second polyparaxylylene film 48 is formed to a thickness of 10 μm on the first polyparaxylylene film 44 where 46 is not formed.
[0037]
Next, the photodiode array 50 is pasted on the scintillator 42 (see FIG. 8C). That is, in the photodiode array 50, the light receiving portions 50b are formed in an array shape with a pitch of 200 μm on the substrate 50a, and a switching circuit 50c formed of an amorphous silicon thin film transistor is provided corresponding to each light receiving portion 50b. Yes, the light receiving surface of the photodiode array 50 is directed to the scintillator 42 side, alignment is performed so that the light receiving portion 50b faces the scintillator 42 that has been crystallized, and the photodiode array 50 is attached. By completing this process, the production of the radiation image sensor 4 is completed.
[0038]
According to the radiation image sensor 4 according to the second embodiment, light generated by a columnar structure scintillator having a large column diameter facing the light receiving portion 50b of the photodiode array 50 is easily transmitted to the facing light receiving portion 50b. . If light generated by a scintillator having a columnar structure with a small column diameter formed adjacent to the large scintillator and other than the light receiving portion 50b is incident on a scintillator having a columnar structure with a large column diameter, the light has a large column diameter. The light is easily transmitted to the light receiving portion 50b facing the columnar scintillator. Thereby, the light quantity which reaches | attains the light-receiving part 50b can be increased.
[0039]
By the way, most of the light generated in the scintillator having a columnar structure with a large column diameter reaches the light receiving unit 50b facing each other, but part of the light travels to the light receiving unit (close light receiving unit) not facing each other. When this light is incident on the light receiving portion 50b, resolution is deteriorated. However, since the reflection and absorption are repeated at many interfaces of the columnar structure scintillator adjacent to the columnar structure scintillator with a larger column diameter and hardly reach the adjacent light receiving part, resolution degradation can be suppressed. it can. Further, since the surface of the scintillator 42 is covered with the first polyparaxylylene film 44, the SiO 2 film 46, and the second polyparaxylylene film 48, the moisture resistance of the scintillator 42 can be maintained.
[0040]
In the second embodiment, the scintillator 42 in the portion facing the light receiving portion 50b of the photodiode array 50 is crystallized by irradiation with a YAG laser. As in the case of the embodiment, the scintillator 42 may be largely crystallized by utilizing deliquescence by moisture.
[0041]
The polyparaxylylene in each of the above-described embodiments includes polyparaxylylene, polymonochloroparaxylylene, polydichloroparaxylylene, polytetrachloroparaxylylene, polyfluoroparaxylylene, poly Including dimethyl paraxylylene, polydiethyl paraxylylene and the like.
[0042]
In each of the above-described embodiments, CsI (Tl) is used as the scintillator, but not limited to this, CsI (Na), NaI (Tl), LiI (Eu), KI (Tl), or the like is used. May be.
[0043]
Further, in the second embodiment described above, the Al substrate 40 is used as the substrate for forming the scintillator 42. However, any substrate having good X-ray transmittance may be used, so that it is made of C (graphite). A substrate, particularly an amorphous carbon substrate, a Be substrate, or the like may be used.
[0044]
【The invention's effect】
According to the radiation image sensor of the present invention, the amount of light transmitted to the light receiving portion of the image sensor can be increased by the columnar structure scintillator formed on the light receiving portion of the image sensor. Moreover, since the surface of the scintillator is covered with an organic film, the moisture resistance of the scintillator can be maintained.
[0045]
According to the method for manufacturing a radiation image sensor of the present invention, the radiation image sensor capable of increasing the amount of light transmitted to the light receiving portion of the image pickup device by the columnar structure scintillator formed on the light receiving portion of the image pickup device. Can be manufactured.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a radiation image sensor according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing manufacturing steps of the radiation image sensor according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing manufacturing steps of the radiation image sensor according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing manufacturing steps of the radiation image sensor according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a view for explaining a modification of the manufacturing process of the radiation image sensor according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view of a radiation image sensor according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram showing manufacturing steps of the radiation image sensor according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a diagram showing manufacturing steps of the radiation image sensor according to the second embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
2, 4 ... radiation image sensor, 10 ... photodiode array, 12 ... scintillator, 14 ... first polyparaxylylene film, 16 ... Al film, 18 ... second polyparaxylylene film, 40 ... substrate, 42 ... scintillator 44 ... first polyparaxylylene film, 46 ... SiO 2 film, 48 ... second polyparaxylylene film.

Claims (8)

撮像素子の受光面上に形成された柱状構造のシンチレータと、前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆する有機膜とを備える放射線イメージセンサにおいて、
前記撮像素子の受光部上に形成された前記柱状構造のシンチレータの柱径が前記撮像素子の受光部上以外の部分に形成された前記柱状構造のシンチレータの柱径に比較して大きいことを特徴とする放射線イメージセンサ。In a radiation image sensor comprising a columnar scintillator formed on a light receiving surface of an imaging device, and an organic film covering at least a part of the columnar scintillator,
The column diameter of the scintillator having the columnar structure formed on the light receiving portion of the image sensor is larger than the column diameter of the scintillator having the columnar structure formed on a portion other than on the light receiving portion of the image sensor. Radiation image sensor. 基板上に形成された柱状構造のシンチレータと、前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆する有機膜と、前記シンチレータ側に受光面を向けて配置された撮像素子とを備える放射線イメージセンサにおいて、
前記撮像素子の受光部に対向している前記柱状構造のシンチレータの柱径が前記撮像素子の受光部以外の部分に対向している前記柱状構造のシンチレータの柱径に比較して大きいことを特徴とする放射線イメージセンサ。In a radiation image sensor comprising: a columnar structure scintillator formed on a substrate; an organic film covering at least a part of the columnar structure scintillator; and an image sensor disposed with a light receiving surface facing the scintillator side.
A column diameter of the columnar scintillator facing the light receiving portion of the image sensor is larger than a column diameter of the columnar scintillator facing a portion other than the light receiving portion of the image sensor. Radiation image sensor. 撮像素子の受光面上に柱状構造のシンチレータを形成する第１の工程と、
前記撮像素子の受光部上に形成された前記柱状構造のシンチレータの柱径を、前記撮像素子の受光部上以外の部分に形成された前記柱状構造のシンチレータの柱径に比較して大径化させる第２の工程と、
前記シンチレータの表面を有機膜で覆う第３の工程と、
を備えることを特徴とする放射線イメージセンサの製造方法。A first step of forming a columnar scintillator on a light receiving surface of an image sensor;
The column diameter of the scintillator with the columnar structure formed on the light receiving portion of the image sensor is larger than the column diameter of the scintillator with the columnar structure formed on a portion other than on the light receiving portion of the image sensor. A second step of
A third step of covering the surface of the scintillator with an organic film;
A method for producing a radiation image sensor, comprising: 前記第２の工程における前記シンチレータの大径化を前記シンチレータに対するレーザ照射により行うことを特徴とする請求項３記載の放射線イメージセンサの製造方法。4. The method of manufacturing a radiation image sensor according to claim 3, wherein the diameter of the scintillator in the second step is increased by laser irradiation of the scintillator. 前記第２の工程における前記シンチレータの大径化を前記シンチレータの水分による潮解を利用して行うことを特徴とする請求項３記載の放射線イメージセンサの製造方法。4. The method of manufacturing a radiation image sensor according to claim 3, wherein the diameter of the scintillator in the second step is increased by utilizing deliquescence due to moisture of the scintillator. 基板上に形成された柱状構造のシンチレータと、前記シンチレータ側に受光面を向けて配置された撮像素子とを備える放射線イメージセンサを製造する方法において、
前記基板上に前記柱状構造のシンチレータを形成する第１の工程と、
前記撮像素子の受光部に対応する位置の前記柱状構造のシンチレータの柱径を、それ以外の前記柱状構造のシンチレータの柱径に比較して大径化させる第２の工程と、
前記シンチレータの表面を有機膜で覆う第３の工程と、
前記シンチレータ側に受光面を向けて前記撮像素子を配置する第４の工程と、
を備えることを特徴とする放射線イメージセンサの製造方法。 In a method of manufacturing a radiation image sensor comprising a scintillator having a columnar structure formed on a substrate, and an image sensor disposed with a light receiving surface facing the scintillator side,
A first step of forming a scintillator of said columnar structure on the substrate,
A second step of increasing a column diameter of the scintillator having the columnar structure at a position corresponding to the light receiving unit of the imaging element as compared with a column diameter of the other scintillator having the columnar structure ;
A third step of covering the surface of the scintillator with an organic film;
A fourth step of placing the imaging device toward the light-receiving surface to the scintillator side,
A method for producing a radiation image sensor, comprising: 前記第２の工程における前記シンチレータの大径化を前記シンチレータに対するレーザ照射により行うことを特徴とする請求項６記載の放射線イメージセンサの製造方法。The method of manufacturing a radiation image sensor according to claim 6, wherein the scintillator is enlarged in diameter in the second step by laser irradiation of the scintillator. 前記第２の工程における前記シンチレータの大径化を前記シンチレータの水分による潮解を利用して行うことを特徴とする請求項６記載の放射線イメージセンサの製造方法。The method of manufacturing a radiation image sensor according to claim 6, wherein the diameter of the scintillator in the second step is increased using deliquescence due to moisture of the scintillator.
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