JP2547908B2 - Radiation detector - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は放射線検出装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radiation detecting device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】放射線検出素子はシンチレータと光検出
パネルを組み合わせて構成され、このような従来技術と
して、二次元光センサの全面にシンチレータを付けたも
のがある。しかし、これではシンチレータのクロストー
クにより解像度が低下し、また二次元光センサにダメー
ジを与えやすい欠点がある。2. Description of the Related Art A radiation detecting element is constructed by combining a scintillator and a light detecting panel. As such a conventional technique, there is one in which a scintillator is attached to the entire surface of a two-dimensional photosensor. However, this has a drawback that the resolution is lowered due to the crosstalk of the scintillator and the two-dimensional optical sensor is easily damaged.
【０００３】一方、光ファイバプレートの上部にシンチ
レータを付け、光ファイバプレートを通った光を二次元
光センサで受光する放射線検出素子も知られている。し
かし、光ファイバプレートは高価であり、装置が大型に
なってしまう。また、検出効率を上げるためにシンチレ
ータを厚くすると解像度が低下しやすい。On the other hand, there is also known a radiation detecting element in which a scintillator is attached to the upper part of an optical fiber plate and the light passing through the optical fiber plate is received by a two-dimensional optical sensor. However, the optical fiber plate is expensive and the device becomes large. Further, if the scintillator is made thick to increase the detection efficiency, the resolution is likely to be lowered.
【０００４】上記の従来技術の欠点を克服するものとし
て、光ファイバプレートの表面にエッチングで多数の凹
凸を形成し、突出したコアにシンチレータを成長させた
技術が、例えば特開昭６１−１８５８４４号および同６
１−２２５６８４号に提案されている。In order to overcome the above-mentioned drawbacks of the prior art, a technique in which a large number of irregularities are formed on the surface of an optical fiber plate by etching and a scintillator is grown on a protruding core is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 61-185844. And the same 6
No. 1-225684.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の公報の
技術によると、画素分離を図る為には、光ファイバプレ
ートにおけるコアの配設ピッチをセンサにおける画素の
ピッチと同程度にし、しかも画素とコアを正確に位置合
せして光結合しなければならない。このような事は、極
めて困難であり、実用性に欠け、また高コスト化も招
く。本発明は、これら従来技術の問題点を解決した放射
線検出装置を提供することを課題としている。However, according to the technique disclosed in the above publication, in order to achieve pixel separation, the pitch of the cores in the optical fiber plate is set to be approximately the same as the pitch of the pixels in the sensor, and The core must be precisely aligned and optically coupled. Such a thing is extremely difficult, lacks practicability, and causes cost increase. It is an object of the present invention to provide a radiation detection device that solves the problems of these conventional techniques.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明に係る放射線検出
装置は、表面が絶縁性の基板上に複数の画素が形成され
た半導体受光素子アレイを備え、半導体受光素子アレイ
上の画素ごとに凸状パターンが形成され、凸状パターン
の上面にはシンチレータの柱状結晶がそれぞれ結晶成長
されていることを特徴とする。また、凸状パターンの側
面には光反射膜がコーティングされていることを特徴と
してもよい。A radiation detecting apparatus according to the present invention comprises a semiconductor light receiving element array in which a plurality of pixels are formed on a substrate having an insulating surface, and each pixel on the semiconductor light receiving element array is convex. Pattern is formed, and columnar crystals of the scintillator are crystal-grown on the upper surface of the convex pattern. Further, the side surface of the convex pattern may be coated with a light reflecting film.
【０００７】[0007]
【作用】本発明の構成によれば、半導体受光素子アレイ
上に設けられている、それぞれの画素に対応して凸状パ
ターンが設けられ、この凸状パターンの上面にシンチレ
ータが結晶成長されているので、放射線入射による光
（シンチレーション光）は対応する画素によって確実に
検出される。According to the structure of the present invention, the convex pattern is provided corresponding to each pixel provided on the semiconductor light receiving element array, and the scintillator is crystal-grown on the upper surface of the convex pattern. Therefore, the light (scintillation light) due to the incident radiation is surely detected by the corresponding pixel.
【０００８】[0008]
【実施例】以下、添付図面により、本発明のいくつかの
実施例を説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【０００９】まず、実施例の放射線検出素子が用いられ
る放射線検出装置の全体構成を説明する。図１は全体構
成を示す斜視図で、鉛製の放射線遮蔽板１００を浮上さ
せて描いてある。ガラス基板２００の中央部にはホトダ
イオード（ＰＤ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などか
らなる二次元光センサ３００が形成され、この上に多数
のシンチレータ４４の柱状結晶からなるシンチレータ部
４００が形成されている。また、二次元光センサ３００
の一方の辺に沿うように垂直シフトレジスタ５００がガ
ラス基板２００上に設けられ、他方の辺に沿うようにガ
ラス基板２００上に水平シフトレジスタ６００が設けら
れている。垂直シフトレジスタ５００は画素のスキャン
用であり、水平シフトレジスタ６００はデータの出力用
であり、出力データはガラス基板２００上に設けたアン
プ７００から映像信号として外部に取り出される。First, the overall construction of a radiation detecting apparatus using the radiation detecting element of the embodiment will be described. FIG. 1 is a perspective view showing the entire structure, in which a radiation shield plate 100 made of lead is floated and drawn. A two-dimensional photosensor 300 including a photodiode (PD) and a thin film transistor (TFT) is formed in the center of the glass substrate 200, and a scintillator portion 400 including a plurality of columnar crystals of the scintillator 44 is formed on the two-dimensional photosensor 300. In addition, the two-dimensional optical sensor 300
The vertical shift register 500 is provided on the glass substrate 200 along one side, and the horizontal shift register 600 is provided on the glass substrate 200 along the other side. The vertical shift register 500 is for pixel scanning, the horizontal shift register 600 is for data output, and the output data is taken out as an image signal from an amplifier 700 provided on the glass substrate 200 to the outside.
【００１０】このような放射線検出素子では、図１の上
方からＸ線やガンマ（γ）線などの放射線が入射する
と、シンチレータ４４で発光が生じ、この光子が画素３
０（図３参照）に検出される。この出力は、垂直シフト
レジスタ５００および水平シフトレジスタ６００によっ
て読み出され、アンプ７００で増幅されて出力される。In such a radiation detecting element, when a radiation such as an X-ray or a gamma (γ) ray is incident from above in FIG. 1, the scintillator 44 emits light, and this photon is generated by the pixel 3
0 (see FIG. 3). This output is read by the vertical shift register 500 and the horizontal shift register 600, amplified by the amplifier 700, and output.
【００１１】本実施例においては、二次元光センサ３０
０はガラス基板２００上に二次元のアレイとして形成し
た複数の画素３０を有し、この画素３０は、図２のよう
に構成される。図２（ａ）は画素３０の平面図、同図
（ｂ）は断面図である。各々の画素３０は、光検出セル
としてのホトダイオード３１と、スイッチとしての薄膜
トランジスタ３２を有し、ホトダイオード３１は薄膜ト
ランジスタ３２のソース電極３３上にＰｉｎシリコンホ
トダイオードとして構成されている。ホトダイオード３
１のアノード電極３４はコモンライン３５に接続され、
薄膜トランジスタ３２のドレイン電極はドレインライン
３６に接続され、ゲート電極はゲートライン３７に接続
されている。なお、ドレインライン３６は前述の水平シ
フトレジスタ６００に、ゲートライン３７は垂直シフト
レジスタ５００にそれぞれ接続されている。そして、薄
膜トランジスタ３２にシンチレーション光が入射しない
ように、絶縁膜をはさんで薄膜トランジスタ３２上に遮
光膜３８が設けられている。In this embodiment, the two-dimensional optical sensor 30 is used.
Reference numeral 0 has a plurality of pixels 30 formed as a two-dimensional array on the glass substrate 200, and the pixels 30 are configured as shown in FIG. 2A is a plan view of the pixel 30, and FIG. 2B is a sectional view. Each pixel 30 has a photodiode 31 as a light detection cell and a thin film transistor 32 as a switch, and the photodiode 31 is configured as a Pin silicon photodiode on a source electrode 33 of the thin film transistor 32. Photodiode 3
The anode electrode 34 of 1 is connected to the common line 35,
The drain electrode of the thin film transistor 32 is connected to the drain line 36, and the gate electrode thereof is connected to the gate line 37. The drain line 36 is connected to the horizontal shift register 600 and the gate line 37 is connected to the vertical shift register 500. Further, a light shielding film 38 is provided on the thin film transistor 32 with the insulating film interposed therebetween so that scintillation light does not enter the thin film transistor 32.
【００１２】次に、二次元光センサ３００上におけるシ
ンチレータ部４００の製造プロセスを説明する。Next, a manufacturing process of the scintillator section 400 on the two-dimensional optical sensor 300 will be described.
【００１３】図３および図４は、上記の実施例に対応す
る製造工程別の斜視図および断面図である。まず、図３
に示すようなガラス基板２００の上面に、大面積薄膜プ
ロセスを用いることにより、図２のような画素３０を配
設した二次元光検出アレイ部３００を形成する。そし
て、二次元光検出アレイ部３００の上面に、光透過層と
してのＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４の層を堆積し、フォトリソ
グラフィ技術を用いることにより、画素３０ごとに光透
過性の凸状パターン４１を形成する（図４（ａ）参
照）。FIGS. 3 and 4 are perspective views and cross-sectional views of respective manufacturing steps corresponding to the above embodiment. First, FIG.
By using a large-area thin film process on the upper surface of the glass substrate 200 as shown in FIG. 2, the two-dimensional photodetection array section 300 having the pixels 30 as shown in FIG. 2 is formed. Then, a layer of SiO 2 or Si 3 N 4 as a light transmission layer is deposited on the upper surface of the two-dimensional photodetection array unit 300, and a light-transmissive convex pattern is provided for each pixel 30 by using photolithography technology. 41 is formed (see FIG. 4A).
【００１４】ここで、凸状パターン４１のサイズは画素
３０と同一とするか、または画素３０よりも小さくす
る。具体的には２０μｍ×２０μｍの正方形でピッチは
３０μｍ、厚さは１０μｍとする。なお、直径２０μｍ
程度の円形としてもよい。また、２個以上の画素３０に
対して１個の凸状パターン４１を設けてもよい。さら
に、１個の画素３０に対して複数個の凸状パターン４１
を設けてもよい。Here, the size of the convex pattern 41 is the same as that of the pixel 30 or smaller than that of the pixel 30. Specifically, the square is 20 μm × 20 μm, the pitch is 30 μm, and the thickness is 10 μm. Note that the diameter is 20 μm
It may be circular. Further, one convex pattern 41 may be provided for two or more pixels 30. Further, a plurality of convex patterns 41 are provided for one pixel 30.
May be provided.
【００１５】次に、この凸状パターン４１の上面にのみ
マスク４２をセットし、アルミニウムやクロムからなる
光反射膜４３を凸状パターン４１の側面に形成する（図
４（ｂ）参照）。なお、これはプラネタリウム方式（基
板を公転させながら自転させる方式）で回転させなが
ら、真空蒸着やスパッタリングを行なうことで実現でき
る。Next, the mask 42 is set only on the upper surface of the convex pattern 41, and the light reflecting film 43 made of aluminum or chromium is formed on the side surface of the convex pattern 41 (see FIG. 4B). This can be realized by performing vacuum deposition or sputtering while rotating with a planetarium method (a method of rotating the substrate while revolving).
【００１６】次に、マスク４２を除去し、シンチレータ
４４の柱状結晶を凸状パターン４１の上面に結晶成長さ
せる（図４（ｃ）参照）。具体的には、例えばＣｓＩ
（Ｎａ）、ＣｓＩ（Ｔｌ）、輝尽性螢光体等を、数μｍ
／ｍｉｎの速度で蒸着することにより、各セグメントに
分離した柱状結晶か得られる。なお、この柱状結晶の厚
さは、使用する放射線（Ｘ線）を十分に収集するよう
に、数１０μｍ〜数１００μｍとする。Next, the mask 42 is removed, and the columnar crystals of the scintillator 44 are grown on the upper surface of the convex pattern 41 (see FIG. 4C). Specifically, for example, CsI
(Na), CsI (Tl), stimulable phosphor, etc.
By depositing at a rate of / min, columnar crystals separated into each segment can be obtained. The thickness of the columnar crystal is set to several tens of μm to several hundreds of μm so that the used radiation (X-ray) can be collected sufficiently.
【００１７】次に、光反射、光遮断のコーティング膜４
５を、アルミニウムやクロムで形成する（図４（ｄ）参
照）。このとき、コーティング膜４５を数１０μｍ〜数
１００μｍの厚さにすれば、シンチレータ４４を化学
的、機械的に保護する役割も持つ。更に、オレフィン系
樹脂、キシレン系樹脂あるいはエポキシ系樹脂をコーテ
ィング膜４５上に塗布すれば、更に保護効果は高くな
る。Next, a coating film 4 for reflecting light and blocking light.
5 is formed of aluminum or chromium (see FIG. 4D). At this time, if the coating film 45 has a thickness of several tens of μm to several hundreds of μm, it also has a role of chemically and mechanically protecting the scintillator 44. Further, when an olefin resin, a xylene resin, or an epoxy resin is applied on the coating film 45, the protective effect is further enhanced.
【００１８】以上に説明した実施例の効果、利点を列挙
すると、次のようになる。まず、特性上の利点として、
シンチレータ４４は凸状パターン４１ごとに分離してい
るので、クロストークが少なく、従って高解像度が実現
できる。また、柱状のシンチレータ４４の表面がシンチ
レーション光の反射面として働くので、検出効率が高く
なる。さらに、反射膜４３を設けることで、更に高効率
にできる。さらにまた、シンチレータ部分の窓材が非常
に薄く形成されるので、放射線の透過性に優れている。The effects and advantages of the embodiments described above are listed below. First, as a characteristic advantage,
Since the scintillator 44 is separated for each of the convex patterns 41, crosstalk is small and therefore high resolution can be realized. Moreover, since the surface of the columnar scintillator 44 functions as a reflection surface of scintillation light, the detection efficiency is increased. Furthermore, by providing the reflective film 43, the efficiency can be further improved. Furthermore, since the window material of the scintillator portion is formed to be very thin, it has excellent radiation transmittance.
【００１９】次に、製造プロセス上の利点としては、半
導体プロセスを応用できるので、製造コストが低い。ま
た、シンチレータ４４を成長させる凸状パターン４１の
設計、変更が容易なので、多種多様の二次元光センサ３
００にマッチングさせることができる。さらに、二次元
光センサ３００にダメージを与えることなく、シンチレ
ータの製造プロセスを実行することができる。Next, as a manufacturing process advantage, since a semiconductor process can be applied, the manufacturing cost is low. In addition, since it is easy to design and change the convex pattern 41 for growing the scintillator 44, a wide variety of two-dimensional optical sensors 3 can be obtained.
00 can be matched. Furthermore, the scintillator manufacturing process can be executed without damaging the two-dimensional optical sensor 300.
【００２０】更にデバイス上の利点としては、光ファイ
バプレートに比べて安価であり、高開口率にできる。ま
た、大型化も比較的容易である。さらに、コーティング
膜４５が潮解性のあるシンチレータ（例えばＣｓＩ（Ｎ
ａ）など）を保護するため、真空あるいはＮ2 封入のパ
ッケージに収容する必要がなく、感度劣化の心配もな
い。Further, as an advantage on the device, it is cheaper than the optical fiber plate and can have a high aperture ratio. Further, it is relatively easy to increase the size. Further, the coating film 45 has a deliquescent scintillator (for example, CsI (N
In order to protect (a) and the like), there is no need to store it in a vacuum or N 2 sealed package, and there is no concern about sensitivity deterioration.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明の構成によれば、半導体受光素子
アレイの画素に対応して凸状パターンが設けられ、この
凸状パターンの上面にシンチレータが結晶成長されてい
るので、放射線入射による光（シンチレーション光）は
対応する画素によって検出される。このため、高解像度
であって、しかも高感度な放射線検出装置が得られる。According to the structure of the present invention, since the convex pattern is provided corresponding to the pixel of the semiconductor light receiving element array, and the scintillator is crystal-grown on the upper surface of the convex pattern, the light caused by the incidence of radiation (Scintillation light) is detected by the corresponding pixel. Therefore, it is possible to obtain a radiation detecting device having high resolution and high sensitivity.
【図１】実施例に係る放射線検出素子を用いた放射線検
出装置の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a radiation detection apparatus using a radiation detection element according to an exemplary embodiment.
【図２】実施例の二次元光センサ３００の一画素３０の
構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of one pixel 30 of the two-dimensional photosensor 300 of the example.
【図３】実施例に対応する製造プロセスの斜視図であ
る。FIG. 3 is a perspective view of a manufacturing process corresponding to the example.
【図４】実施例に対応する製造プロセスの断面図であ
る。FIG. 4 is a sectional view of a manufacturing process corresponding to the example.
１００…放射線遮蔽板、２００…ガラス基板、３００…
二次元光センサ、３０…画素、３１…ホトダイオード、
３２…薄膜トランジスタ、３６…ドレインライン、３７
…ゲートライン、４００…シンチレータ部、４１…凸状
パターン、４４…シンチレータの柱状結晶、５００…垂
直シフトレジスタ、６００…水平シフトレジスタ、７０
０…アンプ。100 ... Radiation shielding plate, 200 ... Glass substrate, 300 ...
Two-dimensional photosensor, 30 ... Pixel, 31 ... Photodiode,
32 ... Thin film transistor, 36 ... Drain line, 37
... gate line, 400 ... scintillator part, 41 ... convex pattern, 44 ... scintillator columnar crystal, 500 ... vertical shift register, 600 ... horizontal shift register, 70
0 ... amplifier.
Claims (2)
成された半導体受光素子アレイを備え、前記半導体受光
素子アレイ上の前記画素ごとに凸状パターンが形成さ
れ、前記凸状パターンの上面にはシンチレータの柱状結
晶がそれぞれ結晶成長されていることを特徴とする放射
線検出装置。1. A semiconductor light-receiving element array having a plurality of pixels formed on a substrate having an insulating surface, wherein a convex pattern is formed for each pixel on the semiconductor light-receiving element array. A radiation detection device characterized in that columnar crystals of a scintillator are respectively grown on the upper surface.
コーティングされている請求項１記載の放射線検出装
置。2. The radiation detecting apparatus according to claim 1, wherein a side surface of the convex pattern is coated with a light reflecting film.
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| JP3255386A Expired - Fee Related JP2547908B2 (en) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | Radiation detector |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014109116A1 (en) | 2013-01-09 | 2014-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | Scintillator panel manufacturing method, scintillator panel, and radiation detector |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2985731B2 (en) * | 1995-05-31 | 1999-12-06 | 松下電器産業株式会社 | X-ray imaging device |
| JP3003597B2 (en) * | 1996-11-18 | 2000-01-31 | 日本電気株式会社 | Solid-state imaging device |
| US7019301B2 (en) | 1997-02-14 | 2006-03-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detection device and method of making the same |
| EP1505410B1 (en) | 1998-06-18 | 2012-05-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| US7034306B2 (en) | 1998-06-18 | 2006-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| CN1270192C (en) * | 2000-01-13 | 2006-08-16 | 浜松光子学株式会社 | Radiation image sensor and scintillator panel |
| US6480563B2 (en) | 2000-12-19 | 2002-11-12 | Ge Medical Systems Global Technology Co., Llc | System and method of aligning scintillator crystalline structures for computed tomography imaging |
| WO2008029610A1 (en) * | 2006-09-05 | 2008-03-13 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Scintillator panel |
| DE102007049029A1 (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-23 | Bundesrepublik Deutschland, vertr. durch d. Bundesministerium f. Wirtschaft und Technologie, dieses vertreten durch d. Präsidenten d. Physikalisch-Technischen Bundesanstalt | Conversion layer e.g. fluorescence layer, for use in UV-color camera, has directional plates provided in layer and aligned to each other, where directional plates are formed from metal glass, black glass or graded index of refraction fiber |
| CN102272480B (en) | 2009-07-22 | 2014-07-30 | 松下电器产业株式会社 | Motion conversion device, flexible actuator using the same, and articulation driving unit |
| JP5767512B2 (en) * | 2011-06-07 | 2015-08-19 | キヤノン株式会社 | Radiation detection element and radiation detector |
| CN104422950B (en) * | 2013-09-08 | 2017-10-24 | 苏州瑞派宁科技有限公司 | A kind of array crystals module and its processing method |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61185844A (en) * | 1985-02-13 | 1986-08-19 | Toshiba Corp | X-ray electron tube having input face for exciting x-ray and input face thereof |
| JPH0627847B2 (en) * | 1989-12-15 | 1994-04-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | Radiation detector |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP3255386A patent/JP2547908B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014109116A1 (en) | 2013-01-09 | 2014-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | Scintillator panel manufacturing method, scintillator panel, and radiation detector |
| JP2014134430A (en) * | 2013-01-09 | 2014-07-24 | Hamamatsu Photonics Kk | Manufacturing method of scintillator panel, scintillator panel, and radiation detector |
| CN104903971A (en) * | 2013-01-09 | 2015-09-09 | 浜松光子学株式会社 | Scintillator panel manufacturing method, scintillator panel, and radiation detector |
| US9405020B2 (en) | 2013-01-09 | 2016-08-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel manufacturing method, scintillator panel, and radiation detector |
| EP3240031A1 (en) | 2013-01-09 | 2017-11-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0593780A (en) | 1993-04-16 |
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