JP4206919B2 - 単結晶の引上げ方法及びその装置 - Google Patents
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Description
しかし、近年の半導体デバイスの高集積化、低コスト化及び生産性の効率化に対応して、シリコンウェーハも大口径化が要求されてきており、最近では、例えば直径が約300mmと大きく、重量が約300kgと重い単結晶の製造が望まれている。この場合、従来のようにネック部を直径3mm程度に細くすると、ネック部が引上げ中の単結晶の重量に耐えられずに破損し、単結晶が落下するおそれがあった。
上記重量法では、チャンバ上部に設置したロードセルを用いて、引上げられた単結晶の重量変化を直径として測定する。単結晶のボディのように直径約150mmないし300mm程度の太い単結晶の直径を測定する場合には、その重量変化が大きいため比較的精度良く測定できるけれども、種結晶のように直径約10mm程度の細い単結晶の直径を測定することは困難であった。
一方、上記光学法では、種結晶のように直径約10mm程度の細い単結晶の直径を精度良く測定できる。具体的には、引上げ中の単結晶及び融液の固液界面に発生する高輝度部であるフュージョンリングの所定位置における円弧幅を測定し、この円弧幅から単結晶の直径を算出する(例えば特許文献2参照)。この方法では、フュージョンリングの端部から、予め定めた距離を隔てた位置における割線と交わる位置のフュージョンリングの円弧幅を測定し、この測定値を予め定めた基準値と一致させることにより、単結晶の直径を精度良く制御できるようになっている。
具体的には、特許文献1に記載された単結晶引上げ方法では、種結晶を融液に漬け込むときに、種結晶を補助加熱手段により1380〜1420℃程度に加熱するため、この補助加熱手段も非常に高温となっており、この補助加熱手段からは非常に高輝度の放射光が発生する。チャンバ外から観察される種結晶の周囲にはフュージョンリングに加え、融液表面に映った補助加熱手段の鏡像が出現する。補助加熱手段の温度及び放射率が高いほど、上記鏡像の輝度は高いため、特許文献2に記載された単結晶の直径制御方法では、フュージョンリングと補助加熱手段の融液に映った鏡像とを区別し難く、種結晶の直径を正確に測定できない問題点があった。
本発明の目的は、補助加熱手段を用いた種結晶の融液への漬け込み時に、フュージョンリングと補助加熱手段の融液表面に映る鏡像を、両者の輝度分布の相違から識別することにより、種結晶の直径を精度良く測定できる、単結晶の引上げ方法及びその装置に関するものである。
その特徴ある構成は、チャンバ11外から固液界面周縁の融液15表面に発生するフュージョンリング29と補助加熱手段24の融液15表面に映る鏡像31とを2次元CCDカメラ28により撮影し、2次元CCDカメラ28の撮影したフュージョンリング29と鏡像31との間に出現しかつ輝度がフュージョンリング29の輝度及び補助加熱手段24の鏡像31の輝度より低い低輝度部34を検出することにより、フュージョンリング29と上記鏡像31とを識別し、更に識別されたフュージョンリング29から種結晶23の直径を算出するところにある。
この請求項1に記載された単結晶の引上げ方法では、種結晶23の融液15への漬け込み時に、フュージョンリング29と補助加熱手段24の融液12表面に映る鏡像31を、両者の輝度分布の相違から識別し、この識別されたフュージョンリング29から種結晶23の直径を算出する。
この請求項2に記載された単結晶の引上げ方法では、種結晶23の融液15への接触位置を基準とする2次元CCDカメラ28の走査により、上記エッジが閾値以上のフュージョンリング29から閾値未満の低輝度部34に変化した位置として検出され、2次元CCDカメラ28の撮影した画像からエッジの外側部分を除去して、フュージョンリング29のみの画像を生成し、その画像を用いて種結晶23の直径を精度良く算出できる。
この請求項3に記載された単結晶の引上げ方法では、種結晶23の振れや単結晶の引上げ毎の種結晶23の位置のばらつきの影響を除去できるので、種結晶23の直径を精度良くかつ効率的に測定できる。
その特徴ある構成は、チャンバ11外に固液界面を臨むように設置され固液界面周縁の融液15表面に発生するフュージョンリング29及び補助加熱手段24の融液15表面に映る鏡像31を撮影する2次元CCDカメラ28と、2次元CCDカメラ28の撮影したフュージョンリング29と鏡像31との間に出現しかつ輝度がフュージョンリング29の輝度及び補助加熱手段24の鏡像31の輝度より低い低輝度部34を検出することにより、フュージョンリング29と上記鏡像31とを識別する画像処理手段32と、この画像処理手段32により識別されたフュージョンリング29から種結晶23の直径を算出するコントローラ33とを備えたところにある。
この請求項4に記載された単結晶の引上げ装置では、種結晶23の融液15への漬け込み時に、2次元CCDカメラ28の撮影したフュージョンリング29と補助加熱手段24の融液15表面に映る鏡像31を、両者の輝度分布の相違から画像処理手段32が識別し、この画像処理手段32により識別されたフュージョンリング29からコントローラ33が種結晶23の直径を算出する。
また2次元CCDカメラが撮影したフュージョンリングと補助加熱手段の融液表面に映る鏡像との間に出現する低輝度部を検出すれば、フュージョンリングと上記鏡像とを確実に識別できる。
また2次元CCDカメラが撮影した画像のうち低輝度の種結晶が高輝度の補助加熱手段の融液に映る鏡像を遮る部分から種結晶の中心軸の位置を検出し、上記種結晶の中心軸上における画像のうち鉛直方向の輝度分布からフュージョンリングの最下部を検出することにより、種結晶の融液への接触位置を検出すれば、種結晶の振れや単結晶の引上げ毎の種結晶の位置のばらつきの影響を除去できるので、種結晶の直径を精度良くかつ効率的に測定できる。
更にチャンバ外に固液界面を臨むように設置された2次元CCDカメラが固液界面近傍に発生するフュージョンリング及び補助加熱手段の融液表面に映る鏡像を撮影し、2次元CCDカメラの撮影した画像に基づいて画像処理手段がフュージョンリングと鏡像とを識別し、更に画像処理手段により識別されたフュージョンリングからコントローラが種結晶の直径を算出すれば、上記と同様に種結晶の直径を精度良く測定できる。
<第1の実施の形態>
図1に示すように、シリコン単結晶の引上げ装置10は、内部を圧力を調整可能な水冷式のチャンバ11と、このチャンバ11内に設けられた坩堝12とを備える。チャンバ11は、大径の有底円筒状のメインチャンバ11aと、メインチャンバ11aの上端に接続された小径の円筒状のプルチャンバ11bとを有し、坩堝12はメインチャンバ11aに収容される。また坩堝12は、石英により形成されシリコン融液15が貯留される有底円筒状の内層容器12aと、黒鉛により形成され上記内層容器12aの外側に嵌合された有底円筒状の外層容器12bとからなる。外層容器12bの底面にはシャフト13の上端が接続され、このシャフト13の下部にはシャフト13を介して坩堝12を回転させかつ昇降させる坩堝駆動手段14が設けられる。更に坩堝12の外周面は抵抗加熱式の円筒状のヒータ16により所定の間隔をあけて包囲され、このヒータ16の外周面は円筒状の保温筒17により所定の間隔をあけて包囲される。なお、この実施の形態では、融液としてシリコン融液を挙げ、単結晶としてシリコン単結晶を挙げたが、GaAs融液及びGaAs単結晶,InP融液及びInP単結晶,ZnS融液及びZnS単結晶、或いはZnSe融液及びZnSe単結晶でもよい。
先ずチャンバ11内を減圧した後、アルゴンガス等の不活性ガスを導入してチャンバ11内を減圧した不活性ガス雰囲気とし、坩堝12内の結晶用原料をヒータ16により融解する。次いで引上げ軸21をシャフト13の軸線と同一軸線上であってシャフト13の回転方向とは逆方向に所定の速度で回転させながら、シードチャック22に取付けられた種結晶23を下降させてその先端部をシリコン融液15に接触させる。次に駆動手段27により補助加熱手段24を種結晶23に向って移動させ、補助加熱手段24により種結晶23の周面を所定の間隔をあけて包囲した後に、補助加熱手段24に通電して種結晶23及びシリコン融液15の固液界面近傍を加熱しながら種結晶23をシリコン融液15に更に漬け込む。このため最初に温度の高いシリコン融液15(約1410℃程度)に、これより温度の低い種結晶23(約1300℃程度)を接触させる際に、種結晶23に発生する熱応力を解消できるので、種結晶23への転位の導入も解消される。
また、種結晶の直径は、所定の測定ライン(1次元画像)上のフュージョンリングの間隔から算出してもよく、或いは2次元画像中の最大のフュージョンリングの間隔から算出してもよい。
<実施例1>
図1〜図4に示すように、補助加熱手段24の開口部24cから2次元CCDカメラ28にて種結晶23を観察した。先ず水平方向の測定ラインに沿って2次元CCDカメラ28を走査し、補助加熱手段24と種結晶23の画像から種結晶23の中心軸を算出し、その種結晶23の中心軸における鉛直方向の輝度分布の最大輝度位置からフュージョンリング29の最下部を検出した。次にフュージョンリング29最下部での水平方向の輝度分布中で高輝度から所定の輝度の閾値を経て低輝度に変化する部分を検出し、この部分をフュージョンリング29と低輝度部34のエッジとした。その後、測定ラインを画像中で1ライン上に移して上記と同様にしてフュージョンリング29と低輝度部34のエッジを検出した。このとき検出されるエッジは1つ下の測定ラインで検出されたエッジよりも種結晶23の中心軸から外側に存在することとなるため、この条件に合致するようエッジ検出の走査は1本下の測定ラインで検出されたエッジから外側のみで走査した。この操作をフュージョンリング29と低輝度部34のエッジが検出不能となるまで繰返した。これらの操作によりフュージョンリング29と補助加熱手段24の鏡像との間に存在する低輝度部34を検出した。
なお、この実施例では、フュージョンリング最下部から水平方向に走査してその測定ラインを順次上方に移動させて低輝度部を検出したが、鉛直方向に走査してその測定ラインを水平方向に移動させて低輝度部を検出してもよく、或いは種結晶の中心軸から左右方向に走査してその測定ラインを順次上方に移動させて低輝度部を検出してもよい。
11 チャンバ
12 坩堝
15 シリコン融液
18 シード引上げ手段
23 種結晶
24 補助加熱手段
28 2次元CCDカメラ
29 フュージョンリング
31 補助加熱手段の鏡像
32 画像処理手段
33 コントローラ
34 低輝度部
Claims (4)
- チャンバ(11)内の坩堝(12)に貯留された融液(15)に種結晶(23)の先端部を接触させた後に、この種結晶(23)の周面を所定の間隔をあけて包囲する補助加熱手段(24)により前記種結晶(23)及び前記融液(15)の固液界面を加熱しながら前記種結晶(23)を前記融液(15)に更に漬け込み、前記補助加熱手段(24)による前記種結晶(23)の加熱を停止した後に、ネックを形成することなく単結晶を引上げる単結晶の引上げ方法において、
前記チャンバ(11)外から前記固液界面周縁の前記融液(15)表面に発生するフュージョンリング(29)と前記補助加熱手段(24)の融液(15)表面に映る鏡像(31)とを2次元CCDカメラ(28)により撮影し、
前記2次元CCDカメラ(28)の撮影した前記フュージョンリング(29)と前記鏡像(31)との間に出現しかつ輝度が前記フュージョンリング(29)の輝度及び前記補助加熱手段(24)の鏡像(31)の輝度より低い低輝度部(34)を検出することにより、前記フュージョンリング(29)と前記鏡像(31)とを識別し、
更に前記識別されたフュージョンリング(29)から前記種結晶(23)の直径を算出する
ことを特徴とする単結晶の引上げ方法。 - 種結晶(23)の融液(15)への接触位置を基準とする2次元CCDカメラ(28)の走査により、フュージョンリング(29)と低輝度部(34)との間のエッジを輝度の閾値として低輝度部(34)を検出する請求項1記載の単結晶の引上げ方法。
- 2次元CCDカメラ(28)が撮影した画像のうち低輝度の種結晶(23)が高輝度の補助加熱手段(24)の融液(15)に映る鏡像(31)を遮る部分から前記種結晶(23)の中心軸の位置を検出し、前記種結晶(23)の中心軸上における画像のうち鉛直方向の輝度分布からフュージョンリング(29)の最下部を検出することにより、前記種結晶(23)の前記融液(15)への接触位置を検出する請求項2記載の単結晶の引上げ方法。
- チャンバ(11)内に設けられ融液(15)が貯留された坩堝(12)と、前記坩堝(12)内の融液(15)から単結晶を引上げるために前記融液(15)に接触させる種結晶(23)を吊下げるシード引上げ手段(18)と、前記融液(15)に接触した種結晶(23)の周面を所定の間隔をあけて包囲し前記種結晶(23)及び前記融液(15)の固液界面を加熱する補助加熱手段(24)とを備えた単結晶の引上げ装置において、
前記チャンバ(11)外に前記固液界面を臨むように設置され前記固液界面周縁の前記融液(15)表面に発生するフュージョンリング(29)及び前記補助加熱手段(24)の融液(15)表面に映る鏡像(31)を撮影する2次元CCDカメラ(28)と、
前記2次元CCDカメラ(28)の撮影した前記フュージョンリング(29)と前記鏡像(31)との間に出現しかつ輝度が前記フュージョンリング(29)の輝度及び前記補助加熱手段(24)の鏡像(31)の輝度より低い低輝度部(34)を検出することにより、前記フュージョンリング(29)と前記鏡像(31)とを識別する画像処理手段(32)と、
前記画像処理手段(32)により識別されたフュージョンリング(29)から前記種結晶(23)の直径を算出するコントローラ(33)と
を備えたことを特徴とする単結晶の引上げ装置。
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