JP4200213B2 - Wide energy range radiation detector - Google Patents
Wide energy range radiation detector Download PDFInfo
- Publication number
- JP4200213B2 JP4200213B2 JP2003418086A JP2003418086A JP4200213B2 JP 4200213 B2 JP4200213 B2 JP 4200213B2 JP 2003418086 A JP2003418086 A JP 2003418086A JP 2003418086 A JP2003418086 A JP 2003418086A JP 4200213 B2 JP4200213 B2 JP 4200213B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cdte
- layer
- type
- energy range
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N cadmium telluride Chemical compound [Te]=[Cd] RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N cadmium zinc Chemical compound [Zn].[Cd] CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
この技術は、Ｘ線のような高エネルギーの電磁波を検出する半導体素子に関する。 This technology relates to a semiconductor element that detects high-energy electromagnetic waves such as X-rays.
これまで、軟Ｘ線に対してはＳi(シリコン)、硬Ｘ線に対してはＣdＴe(カドミウム・テルル)を主材料とする半導体素子により、検出素子を構成していた(特許文献１参照)。
しかしながら、軟Ｘ線及び硬Ｘ線の双方に対して良好な感度を得ることは困難であった。
一方で、ＣdＴeは結晶の機械的強度が弱いため、微細なチップに加工し平面上に２次元に配列することが困難である。そのため、図６に示されるようにＳi基板３上に接着層５を介してＣdＴe基板４を固定し、機械的強度を保ったうえで切断加工を行っていた。この技術においては、切断後の加工に際し接着層が障害となり、接着層を除去するなどの手間がかかっていた。このため製造段階で工程が複雑になり、コスト面での不利な状況が存在した。
However, it has been difficult to obtain good sensitivity to both soft X-rays and hard X-rays.
On the other hand, since CdTe has a weak crystal mechanical strength, it is difficult to process it into a fine chip and arrange it two-dimensionally on a plane. Therefore, as shown in FIG. 6, the
この発明では、広域エネルギーレンジのためにタンデム構造を採用することを提案する。
図１のようにＳi基板３とＣdＴe(またはＣdＺnＴe)基板４とをタンデムに配置し、Ｓi基板３側からＸ線を入射すると、軟Ｘ線１はＳi基板３の内部で吸収されるが、硬Ｘ線２はＳi基板３を透過しＣdＴe(またはＣdＺnＴe)基板４の内部に浸透し消滅する。それぞれの基板に電極を設けることにより、Ｘ線の消滅に伴う電荷を検出できる。
さらに、この発明ではＳi基板３とＣdＴe基板４との間にＩn(インジウム)を間挿して一体化を図ることにより、強度を高めるとともに各検出素子を分離独立できる構造を提案する。強度が高まれば、切削又はエッチングなどの機械的あるいは化学的処理により、ＣdＴe基板に分離帯を設ける加工を行い得る。この加工により各検出素子を電気的に分離独立できるため、２次元画像センサとして利用できる。
In the present invention, it is proposed to adopt a tandem structure for a wide energy range.
When the
Furthermore, the present invention proposes a structure that can increase the strength and separate each detection element by interposing In (indium) between the
この発明では、IV族の半導体としてＳi(シリコン)を軟Ｘ線検出に用いるとともに、II−VI族の半導体としてＣdＴe(カドミウム・テルル)またはＣdＺnＴe(カドミウム・ジンク・テルル)を硬Ｘ線検出に用いるものとする。この２材料をIII族のＩn(インジウム)で接着する。
接合時において、接合面にＩnをはさみ込み加熱圧着することにより、ＣdＴe側はｎ型半導体となり、Ｓi側はｐ型半導体となる。
タンデム構造を採用する際に、接着材料としてＩnを用いることによって、両半導体における不純物金属としての効果をも有することとなり、ＣdＴe−ｐｉｎ(ｐ型−insulator−ｎ型)半導体と、Ｓi−ｐｉｎ半導体とを直列に接続する構造が容易に作成できる。
この発明の広域エネルギーレンジ放射線検出器は、ＣｄＴｅ基板、Ｉｎの拡散によりｎ型となったｎ型ＣｄＴｅ層、Ｉｎ層、Ｉｎの拡散によりｐ型となったｐ型Ｓｉ層、Ｓｉ基板をこの順に有し、ＣｄＴｅ基板におけるＩｎ層と反対側の外面から、Ｓｉ基板の一部にかけて分離帯が設けられ、Ｓｉ基板側は機械的に結合された状態で共通端子に接続され、分離帯によって複数の検出素子に分離されたＣｄＴｅ基板側は個々の信号端子に接続されて、１次元あるいは２次元センサーとして配列されてなることを特徴とする。
In this invention, Si (silicon) is used for soft X-ray detection as a group IV semiconductor, and CdTe (cadmium tellurium) or CdZnTe (cadmium zinc tellurium) is used for hard X-ray detection as a group II-VI semiconductor. Shall be used. These two materials are bonded with Group III In (indium).
At the time of bonding, In is sandwiched between the bonding surfaces and thermocompression bonded, the CdTe side becomes an n-type semiconductor and the Si side becomes a p-type semiconductor.
When In is used as an adhesive material when adopting the tandem structure, it also has an effect as an impurity metal in both semiconductors, and a CdTe-pin (p-type-insulator-n-type) semiconductor and a Si-pin semiconductor. Can be easily created.
The wide energy range radiation detector according to the present invention includes a CdTe substrate, an n-type CdTe layer that becomes n-type by diffusion of In, an In layer, a p-type Si layer that becomes p-type by diffusion of In, and an Si substrate in this order. And a separation band is provided from the outer surface of the CdTe substrate opposite to the In layer to a part of the Si substrate, and the Si substrate side is mechanically coupled and connected to a common terminal. The CdTe substrate side separated by the detection elements is connected to individual signal terminals and is arranged as a one-dimensional or two-dimensional sensor.
II-VI族半導体であるＣdＴeまたはＣdＺnＴeの基板にＩnを薄く蒸着し、エキシマレーザーでのドーピングまたは加熱による拡散ドーピングにより、ｎ型ＣdＴeまたはＣdＺnＴe層を形成する。他の面には金(Ａu)又はプラチナ(Ｐt)などによるショットキー接合、またはアンチモン(Ｓb)などのＶ族元素の拡散によるｐ型のＣdＴeまたはＣdＺnＴe層を形成する。
また一方で、IV族であるＳiの基板にＩnを薄く蒸着し、エキシマレーザーでのドーピングまたは加熱による拡散ドーピング処理により、ｐ型Ｓi層を形成する。このとき、Ｓiのｐ型ドーピングはあらかじめＩn以外のボロン(Ｂ)などの不純物によってｐ型を形成しておいたものを用いてもよい。他の面にはあらかじめ燐(Ｐ)などにより、ｎ型のＳi層が形成されているものを用いる。
Ｓi基板のｐ型層と、ＣdＴe基板(またはＣdＺnＴeの基板)のｎ型層とを加熱しながら張り合わせると、Ｉnを接着層として、Ｓi基板とＣdＴe基板(またはＣdＺnＴeの基板)とが結合される。これにより、ＣdＴeとＳiの２つのｐｉｎダイオードがシリーズ接続された構造体が形成される。Ｉn層の反対側にはｐ型のＳi層及びｎ型ＣdＴe層を形成するものであってもよい。この場合には、ｎ型ＣdＴeとｐ型Ｓiによりｎｉｎ−ｐｉｐダイオードが形成された構造体となる。
In is thinly deposited on a substrate of CdTe or CdZnTe, which is a II-VI group semiconductor, and an n-type CdTe or CdZnTe layer is formed by doping with an excimer laser or diffusion doping by heating. On the other surface, a p-type CdTe or CdZnTe layer is formed by diffusion of a group V element such as antimony (Sb) or a Schottky junction made of gold (Au) or platinum (Pt).
On the other hand, In is thinly deposited on a Si substrate which is a group IV, and a p-type Si layer is formed by doping with an excimer laser or diffusion doping by heating. At this time, the p-type doping of Si may be a p-type doped with an impurity such as boron (B) other than In. On the other surface, an n-type Si layer previously formed of phosphorus (P) or the like is used.
When the p-type layer of the Si substrate and the n-type layer of the CdTe substrate (or CdZnTe substrate) are bonded together by heating, the Si substrate and the CdTe substrate (or CdZnTe substrate) are bonded using In as an adhesive layer. The As a result, a structure in which two pin diodes of CdTe and Si are connected in series is formed. A p-type Si layer and an n-type CdTe layer may be formed on the opposite side of the In layer. In this case, a structure in which a nin-pip diode is formed by n-type CdTe and p-type Si is obtained.
構造体形成の一例を図を参照しながら説明する。
形成に用いる２つの基板を図２の左に示す。図２の左上がＳi基板３上にＩn層６を蒸着したものを示している。図２の左下がＣdＴe基板４上にＩn層６を蒸着したものを示している。それぞれのＩn面を張り合わせて加熱すると、Ｉn層６を接着層として、Ｓi基板３とＣdＴe基板４とが結合される。この段階での構造体を図２の右に示す。Ｉnは、Ｓi基板３とＣdＴe基板４とに拡散し、それぞれｐ型層とｎ型層を形成する。Ｉn層の反対側にはｎ型のＳi層及びｐ型ＣdＴe層を形成する。
最初のＩnの蒸着は片方の基板にのみ施されるものであってもよい。
また、この場合においてもＩn層の反対側にはｐ型のＳi層及びｎ型ＣdＴe層を形成するものであってもよい。
An example of structure formation will be described with reference to the drawings.
Two substrates used for formation are shown on the left of FIG. The upper left of FIG. 2 shows the In
The initial deposition of In may be performed only on one substrate.
Also in this case, a p-type Si layer and an n-type CdTe layer may be formed on the opposite side of the In layer.
次に、この構造体を用いるＸ線検出方法を述べる。
ｎ型のＳi層９及びｐ型ＣdＴe層１０を形成後の構造体を図３に示す。構造体から信号を取り出すために、ｎ-Ｓi層９(Ｓi基板のｎ型層)を信号端子１１へ接続し、ｐ-ＣdＴe層１０(カドミウム・テルル基板のｐ型層)を他の信号端子１２へ接続する。
信号端子１１を経由してＳi基板のｎ型層９に正電位を、信号端子１２を経由してＣdＴe基板のｐ型層１０に負電位を印加し、両ｐｉｎダイオードに逆バイアスを与える。Ｘ線又はガンマ線をシリコン(Ｓi)側から入射すると、軟Ｘ線は主としてシリコン３で吸収され、硬Ｘ線はＣdＴe４で吸収される。これにより、各Ｘ線は吸収された半導体層内で電子と正孔とを発生させて消滅し、外部に信号を出力することとなる。
このように、タンデム構造を採用したことにより、ワイドレンジの検出器となる。また、静電容量が小さくなり、高感度の素子が得られる。
Next, an X-ray detection method using this structure will be described.
The structure after the n-type Si layer 9 and the p-
A positive potential is applied to the n-type layer 9 of the Si substrate via the signal terminal 11 and a negative potential is applied to the p-
Thus, it becomes a wide range detector by adopting a tandem structure. In addition, the capacitance is reduced, and a highly sensitive element can be obtained.
次に、上記検出器を２次元センサーとするときの製造法について述べる。
ＣdＴe基板は結晶の機械的強度が弱いため、微細なチップに加工し平面上に２次元に配列することが困難であった。この発明で得られるＣdＴe基板とＳi基板の積層構造は、Ｓi基板がＣdＴe基板の支持層となっており強靭である。したがって、２次元配置構造とする際には、切削又はエッチングなどの機械的あるいは化学的処理により、ＣdＴe基板側からＳi層の一部までの分離帯を設ける加工を行い得る。これにより、平面上に分離された検出素子が２次元に配列した構造が容易に作成できる。
このような加工を行った検出器の断面図を図４に示す。Ｓi側に共通端子１３を設け、ＣdＴe側からは分離帯１４により分離された個々の検出素子から信号線を引き出して信号端子１２に接続する。
この信号線の引出しは、セラミック基板上に配線を行い、ＣdＴeの各素子に対応するバンプを金属あるいは導電性接着剤で形成したものを、検出器に圧接することにより行うのがよい。セラミック基板上の配線は、所望により１層または多層基板とする。
図４のようなＳiの壁面の露出は暗電流の増加を招くので、あらかじめＳi基板３に切削加工を施し、作成された溝にＳiＯ2を埋設あるいは酸化反応によりＳiＯ2を溝の壁面に形成してなる基板に、Ｉn層６を設けたＣdＴe基板４を張り合わせて加熱した後に、さらにＣdＴe基板４に対し切削加工を施して分離帯１４を作成する方法も考えられる。この模式図を図５に示す。
Next, a manufacturing method when the detector is a two-dimensional sensor will be described.
Since the CdTe substrate has a weak mechanical strength, it is difficult to process it into a fine chip and arrange it two-dimensionally on a plane. The laminated structure of the CdTe substrate and the Si substrate obtained by the present invention is strong because the Si substrate serves as a support layer for the CdTe substrate. Therefore, when a two-dimensional arrangement structure is formed, a process of providing a separation band from the CdTe substrate side to a part of the Si layer can be performed by mechanical or chemical treatment such as cutting or etching. Thereby, a structure in which detection elements separated on a plane are two-dimensionally arranged can be easily created.
FIG. 4 shows a cross-sectional view of the detector subjected to such processing. A common terminal 13 is provided on the Si side, and a signal line is drawn from each detection element separated by the separation band 14 from the CdTe side and connected to the
The signal lines are preferably drawn by wiring on a ceramic substrate and pressing a detector with bumps corresponding to each element of CdTe formed of metal or conductive adhesive. The wiring on the ceramic substrate may be a single layer or a multilayer substrate as desired.
Since exposure of the Si wall surface as shown in FIG. 4 causes an increase in dark current, the
ここでは、２次元配列として説明したが、１次元配列であっても可能なことは説明するまでもなく自明である。
また、II−VI族の半導体としてＣdＴeを、IV族の半導体としてシリコンを用いるものとして説明したが、他にII−VI族の半導体としてＣdＺnＴeなどが利用できる。また、IV族の代わりにIII−Ｖ族であるＧaＡsの表面のドーピング処理をあらかじめ行っておくことにより、Ｉnを介しての接着とタンデム構造を採用する広域レンジの検出器構成として利用できる。
Although a two-dimensional array has been described here, it is obvious that a one-dimensional array is possible without needing to be described.
Further, although CdTe is used as the II-VI group semiconductor and silicon is used as the IV group semiconductor, CdZnTe or the like can be used as the II-VI group semiconductor. In addition, by performing a doping process on the surface of GaAs which is a group III-V instead of a group IV in advance, it can be used as a wide-range detector configuration which employs adhesion via In and a tandem structure.
これまでに説明した構造のＸ線検出素子により、軟Ｘ線から硬Ｘ線、ガンマ線まで広域のエネルギー幅における電磁波が検出可能となる。また、機械的強度が弱いII−VI族の半導体に対し分割構造が容易に作成可能であるので、２次元画像検出素子としての製造が低コストで可能となる。 The X-ray detection element having the structure described so far can detect electromagnetic waves in a wide energy range from soft X-rays to hard X-rays and gamma rays. In addition, since a divided structure can be easily created for a II-VI group semiconductor having a low mechanical strength, manufacturing as a two-dimensional image detection element is possible at low cost.
１ 軟Ｘ線
２ 硬Ｘ線
３ Ｓｉ(シリコン)基板
４ ＣｄＴｅ(カドミウム・テルル)基板
５ 接着層
６ Ｉｎ(インジウム)層
７ ｐ−Ｓｉ(ｐ型シリコン)層
８ ｎ−ＣｄＴｅ(ｎ型カドミウム・テルル)層
９ ｎ−Ｓｉ(ｎ型シリコン)層
１０ ｐ−ＣｄＴｅ(ｐ型カドミウム・テルル)層
１１，１２ 信号端子
１３ 共通端子
１４ 分離帯
１５ ＳiＯ2(酸化シリコン)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (2)
前記ＣｄＴｅ基板におけるＩｎ層と反対側の外面から、前記Ｓｉ基板の一部にかけて分離帯が設けられ、
前記Ｓｉ基板側は機械的に結合された状態で共通端子に接続され、
前記分離帯によって複数の検出素子に分離された前記ＣｄＴｅ基板側は個々の信号端子に接続されて、１次元あるいは２次元センサーとして配列されてなる、
広域エネルギーレンジ放射線検出器。 A CdTe substrate, an n-type CdTe layer that becomes n-type by diffusion of In, an In layer, a p-type Si layer that becomes p-type by diffusion of In, and a Si substrate in this order,
A separation band is provided from the outer surface opposite to the In layer in the CdTe substrate to a part of the Si substrate,
The Si substrate side is connected to a common terminal in a mechanically coupled state,
The CdTe substrate side separated into a plurality of detection elements by the separation band is connected to individual signal terminals and arranged as a one-dimensional or two-dimensional sensor.
Wide energy range radiation detector.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003418086A JP4200213B2 (en) | 2003-12-16 | 2003-12-16 | Wide energy range radiation detector |
| PCT/JP2004/019156 WO2005060011A1 (en) | 2003-12-16 | 2004-12-15 | Wide range energy radiation detector and manufacturing method |
| US11/454,522 US8044476B2 (en) | 2003-12-16 | 2006-06-16 | Wide range radiation detector and manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003418086A JP4200213B2 (en) | 2003-12-16 | 2003-12-16 | Wide energy range radiation detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005183454A JP2005183454A (en) | 2005-07-07 |
| JP4200213B2 true JP4200213B2 (en) | 2008-12-24 |
Family
ID=34780391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003418086A Expired - Lifetime JP4200213B2 (en) | 2003-12-16 | 2003-12-16 | Wide energy range radiation detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4200213B2 (en) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005060011A1 (en) | 2003-12-16 | 2005-06-30 | National University Corporation Shizuoka University | Wide range energy radiation detector and manufacturing method |
| JP2007136050A (en) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | National Univ Corp Shizuoka Univ | X-ray detector array |
| EP2088451B1 (en) * | 2008-02-05 | 2016-01-06 | PANalytical B.V. | Imaging detector |
| KR101654140B1 (en) | 2010-03-30 | 2016-09-09 | 삼성전자주식회사 | X-ray detector with oxide semiconductor transistor |
| KR101678671B1 (en) | 2010-04-01 | 2016-11-22 | 삼성전자주식회사 | X-ray detector with double photoconductor |
| KR101820843B1 (en) | 2011-02-18 | 2018-01-22 | 삼성전자주식회사 | X-ray detector with oxide semiconductor transistor |
| JP2021100023A (en) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 富士通株式会社 | Photodetector and imaging device using the same |
-
2003
- 2003-12-16 JP JP2003418086A patent/JP4200213B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005183454A (en) | 2005-07-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10353057B2 (en) | Photodetector and LIDAR system including the photodetector | |
| US8044476B2 (en) | Wide range radiation detector and manufacturing method | |
| US6107619A (en) | Delta-doped hybrid advanced detector for low energy particle detection | |
| TWI345304B (en) | Back incidence type light detection component and its manufacturing method | |
| US6175141B1 (en) | Opto-electronic sensor component | |
| US10923614B2 (en) | Photodiode, photodiode array, and solid-state imaging device | |
| JP4478012B2 (en) | Back-illuminated photodiode array and manufacturing method thereof | |
| TWI312199B (en) | A photo electric diodes array and the manufacturing method of the same and a radiation ray detector | |
| JP3256470B2 (en) | Low light level image detector having extended wavelength response range using atomically bonded (fused) semiconductor material | |
| US7531778B2 (en) | Nano tube photo detecting device | |
| JP4165129B2 (en) | Back-illuminated solid-state image sensor | |
| JP2019533302A5 (en) | ||
| WO2005038923A1 (en) | Semiconductor photodetecting element and radiation detector | |
| JPH0613644A (en) | Semiconductor photovoltaic conversion device | |
| US11961932B2 (en) | Photodetector | |
| JP4200213B2 (en) | Wide energy range radiation detector | |
| WO2004082023A1 (en) | Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector | |
| WO2004082024A1 (en) | Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector | |
| JP2005191440A (en) | Wide energy range radiation detector and manufacturing method therefor | |
| KR20060003335A (en) | Photodiode array and production method thereof and radiation detector | |
| WO2006043105A1 (en) | Electro-optical device | |
| JP2003017672A (en) | Electronic device, manufacturing method therefor, camera, and vehicle | |
| JP2009264877A (en) | Infrared sensor, and method for manufacturing the same | |
| JP3857387B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor radiation detection apparatus | |
| US7045761B2 (en) | Self-pixelating focal plane array with electronic output |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061215 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061215 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070116 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080603 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080718 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080718 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080909 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4200213 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |