JP4193873B2 - High frequency switch - Google Patents
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Description
本発明は、高周波スイッチ、特に、移動体通信機器等に組み込まれて用いられる高周波スイッチに関する。 The present invention relates to a high-frequency switch, and more particularly to a high-frequency switch used by being incorporated in a mobile communication device or the like.
高周波スイッチは、一般的には、デジタル携帯電話等において送信回路と受信回路とを切り換えるために用いられる。図6は、従来の高周波スイッチ1を示す電気回路図である。送信端子TxにはダイオードD1のアノードが接続されている。ダイオードD1のアノードは、伝送線路2及びコンデンサC1の直列回路を介し、グランドに接地している。伝送線路2とコンデンサC1との中間接続点には、抵抗Raを介して電圧制御端子Vc1が接続している。ダイオードD1のカソードは、アンテナ端子ANTに接続している。
The high frequency switch is generally used for switching between a transmission circuit and a reception circuit in a digital cellular phone or the like. FIG. 6 is an electric circuit diagram showing a conventional high-
アンテナ端子ANTには、伝送線路3を介して受信端子Rxが接続している。さらに、受信端子Rxには、ダイオードD2のアノードが接続している。ダイオードD2のカソードは、グランドに接地している。ここに、伝送線路2とグランドとの間に接続されるバイアスカット用コンデンサC1は、大容量のもの(1GHz付近で47pF程度、2GHz付近で22pF程度)である。 A reception terminal Rx is connected to the antenna terminal ANT via the transmission line 3. Furthermore, the anode of the diode D2 is connected to the receiving terminal Rx. The cathode of the diode D2 is grounded. Here, the bias-cut capacitor C1 connected between the transmission line 2 and the ground has a large capacity (about 47 pF near 1 GHz and about 22 pF near 2 GHz).
従来の高周波スイッチ1は、伝送線路2とグランドとの間に接続されるバイアスカット用コンデンサC1として、大容量のものが必要であるため、コンデンサC1のサイズが大きく、高周波スイッチ1の小型化を妨げていた。
Since the conventional
また、高周波スイッチ1において、送信端子Txとアンテナ端子ANTとが接続しているとき、アンテナ端子ANTと受信端子Rxとの間のアイソレーションを確保する必要がある。このアイソレーションが悪いと、送信端子Txとアンテナ端子ANTとの間の挿入損失が大きくなるからである。
Moreover, in the
そこで、本発明の目的は、小型で性能の優れた高周波スイッチを提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a high-frequency switch that is small and has excellent performance.
以上の目的を達成するために、本発明は、
(a)送信端子、アンテナ端子、受信端子及び電圧制御端子と、
(b)前記送信端子にカソードが電気的に接続され、前記アンテナ端子にアノードが電気的に接続された第1のダイオードと、
(c)前記アンテナ端子と前記受信端子との間に電気的に接続された第1の伝送線路と、
(d)前記受信端子にカソードが電気的に接続され、前記電圧制御端子にアノードが電気的に接続された第2のダイオードと、
(e)前記送信端子に一端が電気的に接続されると共に、他端がグランドに直接接地された第2の伝送線路と、
(f)前記電圧制御端子とグランドとの間に電気的に接続されると共に、前記第2のダイオードに直列接続されたコンデンサと、
(g)を備えた高周波スイッチであって、
(h)前記第2の伝送線路の一端と前記第1のダイオードのカソードとが直接に接続されており、
(i)前記電圧制御端子を所定の電位にすることにより、前記第1及び前記第2のダイオードを同時にON状態もしくはOFF状態に制御し、
(j)ON状態のときは、前記第2のダイオードが有するインダクタンスと前記コンデンサの容量とが送信周波数で共振し、
(k)複数の誘電体層と、前記第1及び第2の伝送線路と、前記コンデンサのコンデンサ電極と、前記コンデンサ電極の直下に対向して配置されて前記コンデンサを形成するグランド電極とを積層して構成した積層体の表面に、前記送信端子と前記受信端子と前記アンテナ端子と前記電圧制御端子とをそれぞれ設けると共に、前記第1及び第2のダイオードをそれぞれ搭載したこと、
を特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention provides:
(A) a transmission terminal, an antenna terminal, a reception terminal, and a voltage control terminal;
(B) a first diode having a cathode electrically connected to the transmission terminal and an anode electrically connected to the antenna terminal;
(C) a first transmission line electrically connected between the antenna terminal and the receiving terminal;
(D) a second diode having a cathode electrically connected to the receiving terminal and an anode electrically connected to the voltage control terminal;
(E) a second transmission line having one end electrically connected to the transmission terminal and the other end directly grounded;
(F) a capacitor electrically connected between the voltage control terminal and the ground, and connected in series to the second diode;
A high-frequency switch comprising (g),
(H) one end of the second transmission line and the cathode of the first diode are directly connected;
(I) By controlling the voltage control terminal to a predetermined potential, the first and second diodes are simultaneously controlled to be in an ON state or an OFF state;
(J) In the ON state, the inductance of the second diode and the capacitance of the capacitor resonate at the transmission frequency,
(K) Laminating a plurality of dielectric layers, the first and second transmission lines, a capacitor electrode of the capacitor, and a ground electrode that is disposed directly opposite the capacitor electrode to form the capacitor. The transmission terminal, the reception terminal, the antenna terminal, and the voltage control terminal are provided on the surface of the laminated body configured as described above, and the first and second diodes are mounted, respectively.
It is characterized by.
以上の構成により、電圧制御端子に正電位を印加した場合、第1及び第2のダイオードはON状態となり、送信端子に入った送信信号はアンテナ端子に伝送される。このとき、送信信号は受信端子に殆ど伝送されない。第2のダイオードがON状態のときの自身が有するインダクタンスとコンデンサの容量が送信周波数で直列共振し、インピーダンスが0となるからである。つまり、第1及び第2の伝送線路はλ/4のショートスタブとして動作するため、送信端子とアンテナ端子が接続され、受信端子はグランドに接地される。 With the above configuration, when a positive potential is applied to the voltage control terminal, the first and second diodes are turned on, and the transmission signal that has entered the transmission terminal is transmitted to the antenna terminal. At this time, the transmission signal is hardly transmitted to the reception terminal. This is because when the second diode is in the ON state, the inductance and the capacitance of the capacitor resonate in series at the transmission frequency, and the impedance becomes zero. That is, since the first and second transmission lines operate as λ / 4 short stubs, the transmission terminal and the antenna terminal are connected, and the reception terminal is grounded.
また、電圧制御端子を接地電位とした場合、第1及び第2のダイオードはOFF状態となり、送信端子とアンテナ端子との間が遮断されると共に、受信端子とグランドとの間も遮断される。この結果、アンテナ端子に入った受信信号は受信端子に伝送され、送信端子には殆ど伝送されない。このように、高周波スイッチは、電圧制御端子に印加するバイアス電圧をコントロールすることにより、送受の信号の伝送路を切り換えることができる。 Further, when the voltage control terminal is set to the ground potential, the first and second diodes are turned off, and the transmission terminal and the antenna terminal are cut off, and the reception terminal and the ground are also cut off. As a result, the reception signal that has entered the antenna terminal is transmitted to the reception terminal and hardly transmitted to the transmission terminal. As described above, the high-frequency switch can switch the transmission path of the transmission / reception signal by controlling the bias voltage applied to the voltage control terminal.
さらに、送信端子側に接続されていた従来の大容量コンデンサが不要になり、受信端子側に接続される小容量コンデンサだけですむようになる。 Furthermore, the conventional large-capacitance capacitor connected to the transmission terminal side becomes unnecessary, and only a small-capacitance capacitor connected to the reception terminal side is required.
また、一つの部品内に必要な回路が内蔵された積層構造の高周波スイッチが得られる。 Further , a high-frequency switch having a laminated structure in which necessary circuits are built in one component can be obtained.
本発明によれば、ダイオードのカソードとアノードの向きを従来の高周波スイッチの場合とは逆にすることにより、送信端子側に接続されていた従来の大容量で大型のバイアスカット用コンデンサを不要にし、受信端子側に接続された小容量で小型のバイアスカット用コンデンサだけですむようにできる。従って、高周波スイッチを小型化することができる。 According to the present invention, the direction of the cathode and anode of the diode is reversed from that of the conventional high-frequency switch, thereby eliminating the need for the conventional large-capacity and large bias-cut capacitor connected to the transmission terminal side. Only a small capacitor and a small bias-cut capacitor connected to the receiving terminal can be used. Therefore, the high frequency switch can be reduced in size.
また、この小型のコンデンサの容量を調整することにより、送信端子とアンテナ端子とが接続しているときの、アンテナ端子と受信端子との間のアイソレーションを従来の高周波スイッチより大きくすることができる。従って、送信端子とアンテナ端子との間の挿入損失を低減することができる。さらに、電圧制御端子は、送信時はグランドにショートし、受信時は第2のダイオードの高インピーダンスで高周波信号から遮断されるため、電圧制御端子に接続されるコントロール回路と高周波信号とのアイソレーションを大きく確保できる。この結果、性能の優れた高周波スイッチを得ることができる。 Also, by adjusting the capacitance of this small capacitor, the isolation between the antenna terminal and the reception terminal when the transmission terminal and the antenna terminal are connected can be made larger than that of the conventional high-frequency switch. . Therefore, the insertion loss between the transmission terminal and the antenna terminal can be reduced. Furthermore, since the voltage control terminal is short-circuited to the ground during transmission and is blocked from the high-frequency signal by the high impedance of the second diode during reception, the control circuit connected to the voltage control terminal is isolated from the high-frequency signal. Can be secured greatly. As a result, a high-frequency switch with excellent performance can be obtained.
以下、本発明に係る高周波スイッチの実施例について添付図面を参照して説明する。 Embodiments of a high frequency switch according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
[第1実施例、図1〜図3]
図1は、本発明に係る高周波スイッチの一例を示す電気回路図である。送信端子Txには、スイッチング素子であるダイオードD11のカソードが接続されている。ダイオードD11のカソードは、伝送線路12を介してグランドに接地している。伝送線路12は、
チョーク素子として機能する。さらに、ダイオードD11のアノードは、アンテナ端子ANTに接続している。
[First embodiment, FIGS. 1 to 3]
FIG. 1 is an electric circuit diagram showing an example of a high-frequency switch according to the present invention. The cathode of a diode D11 that is a switching element is connected to the transmission terminal Tx. The cathode of the diode D11 is grounded to the ground via the
Functions as a choke element. Furthermore, the anode of the diode D11 is connected to the antenna terminal ANT.
アンテナ端子ANTには、伝送線路13を介して受信端子Rxが接続している。さらに、受信端子Rxには、ダイオードD12のカソードが接続している。ダイオードD12のアノードは、バイアスカット用コンデンサC12を介してグランドに接地している。ダイオードD12とコンデンサC12との中間接続点には、抵抗R11を介して電圧制御端子Vcが接続している。この電圧制御端子Vcには、高周波スイッチ21の伝送路を切り換えるためのコントロール回路が接続される。
A reception terminal Rx is connected to the antenna terminal ANT via the
ダイオードD11の両端(アノード・カソード間)には、伝送線路14及びコンデンサC13の直列回路が接続している。伝送線路14及びコンデンサC13は、ダイオードD11がOFF状態のときのアイソレーションを良くするためのものである。
A series circuit of a
ここに、伝送線路12,13として、特性インピーダンスが40Ω以上の分布定数線路、あるいは、高周波インダクタが使用される。分布定数線路の場合、伝送線路12,13の線路長は、λ/12以上λ/4以下(λ:所望周波数の波長)の範囲に設定される。伝送線路14も、分布定数線路や高周波インダクタが使用される。また、端子Tx,ANT,Rxとグランドとの間にそれぞれ発生する浮遊容量Cf1,Cf2,Cf3は、インピーダンス整合のためのバイパスコンデンサとして機能させることができる。
Here, as the
次に、この高周波スイッチ21を用いての送受信について説明する。電圧制御端子Vcに正電位を印加した場合、この電圧は、ダイオードD11,D12に対して順方向のバイアス電圧として働く。従って、ダイオードD11,D12はON状態となる。このとき、コンデンサC12によって直流分がカットされ、ダイオードD11,D12を含む回路に電圧制御端子Vcに供給された電圧が印加される。
Next, transmission / reception using the high-
この結果、送信端子Txに入った送信信号は、ダイオードD11を経てアンテナ端子ANTに伝送される。このとき、送信信号は受信端子Rxに殆ど伝送されない。ダイオードD12がON状態のときの自身が有するインダクタンスとコンデンサC12の容量が送信周波数で直列共振し、インピーダンスが0となるからである。つまり、伝送線路12,13はλ/4のショートスタブとして動作するため、送信端子Txとアンテナ端子ANTが接続され、受信端子Rxはグランドに接地される。
As a result, the transmission signal that has entered the transmission terminal Tx is transmitted to the antenna terminal ANT via the diode D11. At this time, the transmission signal is hardly transmitted to the reception terminal Rx. This is because when the diode D12 is in the ON state, the inductance of the diode D12 and the capacitance of the capacitor C12 resonate in series at the transmission frequency, and the impedance becomes zero. That is, since the
また、電圧制御端子Vcを接地電位とした場合、ダイオードD11,D12はOFF状態となる。従って、送信端子Txとアンテナ端子ANTとの間が遮断されると共に、受信端子Rxとグランドとの間も遮断される。この結果、アンテナ端子ANTに入った受信信号は、伝送線路13を経て受信端子Rxに伝送され、送信端子Txには殆ど伝送されない。このように、高周波スイッチ21は、電圧制御端子Vcに印加するバイアス電圧をコントロールすることにより、送受の信号の伝送路を切り換えることができる。
Further, when the voltage control terminal Vc is set to the ground potential, the diodes D11 and D12 are turned off. Accordingly, the transmission terminal Tx and the antenna terminal ANT are blocked, and the reception terminal Rx and the ground are also blocked. As a result, the reception signal that has entered the antenna terminal ANT is transmitted to the reception terminal Rx via the
さらに、高周波スイッチ21は、ダイオードD11,D12のカソードとアノードを、図6に示した従来の高周波スイッチ1のダイオードD1,D2のカソードとアノードの向きと逆にして接続することにより、従来の高周波スイッチ1が有していた大容量で大型のバイアスカット用コンデンサC1や電圧制御端子Vc1や抵抗Raを不要にすることができる。つまり、高周波スイッチ21は、受信端子Rx側の、ダイオードD12とグランドとの間に接続された小容量で小型のコンデンサC12だけですむようになる。コンデンサC12の容量は、例えば1GHz付近で10pF、2GHz付近で3pFである。従って、高周波スイッチ21の小型化を図ることができる。
Furthermore, the
また、コンデンサC12の容量を調整することにより、送信端子Txとアンテナ端子ANTとが接続しているときの、アンテナ端子ANTと受信端子Rxとの間のアイソレーションを従来の高周波スイッチより大きくすることができる。この結果、送信端子Txとアンテナ端子ANTとの間の挿入損失を低減することができる。 Further, by adjusting the capacitance of the capacitor C12, the isolation between the antenna terminal ANT and the reception terminal Rx when the transmission terminal Tx and the antenna terminal ANT are connected is made larger than that of the conventional high-frequency switch. Can do. As a result, the insertion loss between the transmission terminal Tx and the antenna terminal ANT can be reduced.
さらに、電圧制御端子Vcは、送信時(ダイオードD12がON状態時)はグランドにショートし、受信時(ダイオードD12がOFF状態時)はダイオードD12の高インピーダンスで高周波信号から遮断されるため、電圧制御端子Vcに接続されるコントロール回路と高周波信号とのアイソレーションを大きく確保できる。 Furthermore, the voltage control terminal Vc is short-circuited to the ground during transmission (when the diode D12 is in an ON state), and is blocked from a high-frequency signal due to the high impedance of the diode D12 during reception (when the diode D12 is in an OFF state). A large isolation between the control circuit connected to the control terminal Vc and the high frequency signal can be secured.
次に、図1に示した電気回路を有した、積層型高周波スイッチの一例について、図2及び図3を参照して説明する。図2に示すように、高周波スイッチ31は、分布定数線路32a,32b等を設けた誘電体シート45と、広面積のグランド電極35,36を設けた誘電体シート45と、分布定数線路33a,33b,34a,34bを設けた誘電体シート45と、ビアホール付きパッド50a〜54bを設けた誘電体シート45等にて構成されている。
Next, an example of a multilayer high-frequency switch having the electric circuit shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 2, the high-
分布定数線路33a,33bは例えば渦巻き形状をしており、シート45の左側に設けられている。分布定数線路33aの引出し部42aはシート45の奥側の辺の左側に露出し、分布定数線路33bの引出し部42bはシート45の左辺に露出している。分布定数線路33a,33bは、シート45に設けたビアホール58を介して電気的に直列に接続され、伝送線路12を形成する。
The distributed
分布定数線路34a,34bは大略ミアンダ形状をしており、シート45の右側に設けられている。分布定数線路34aの引出し部43aはシート45の手前側の辺の中央に露出し、分布定数線路34bの引出し部43bはシート45の奥側の辺の右側に露出している。分布定数線路34a,34bは、シート45に設けたビアホール59を介して電気的に直列に接続され、伝送線路13を形成する。
The distributed
分布定数線路32a,32bは渦巻き形状をしており、シート45の右側に設けられている。分布定数線路32a,32bは、シート45に設けたビアホール57を介して電気的に直列に接続され、伝送線路14を形成する。このように、一定の特性インピーダンスを有した伝送線路12〜14を、それぞれ分布定数線路33a,33b、34a,34b、32a,32bの2層で構成することにより、1層当りの伝送線路の長さは従来より短くてすむ。従って、シート45のサイズを小さくでき、プリント基板等に対する占有面積が小さい高周波スイッチ31が得られる。
The distributed
グランド電極35,36は、それぞれシート45の表面に広面積に設けられている。グランド電極35,36の引出し部35a,36aはシート45の左辺に露出し、引出し部35b,36bはシート45の右辺に露出し、引出し部35c,36cはシート45の奥側の辺の中央に露出し、引出し部35d,36dはシート45の手前側の辺の右側に露出している。これら二つのグランド電極35,36の間に、伝送線路12,13が並設されている。
The
さらに、分布定数線路32aが設けられているシート45の表面には、引出し電極37,38,39及び中継電極40が設けられている。引出し電極37,38の一端はそれぞれシート45の奥側の辺の左側及び右側に露出し、引出し電極39の一端はシート45の手前側の辺の左側に露出している。そして、分布定数線路32aはビアホール付きパッド52bに電気的に接続され、引出し電極37はビアホール付きパッド50a,52aに電気的に接続され、引出し電極38はビアホール付きパッド51aに電気的に接続され、中
継電極40はビアホール付きパッド53b,54b,51bに電気的に接続される。
Furthermore,
分布定数線路32bが設けられているシート45の表面には、引出し電極41が設けられている。引出し電極41の一端はシート45の手前側の辺の中央に露出している。そして、引出し電極41は分布定数線路32bに電気的に接続されると共に、ビアホール55を介してビアホール付きパッド50bに電気的に接続される。また、ビアホール付きパッド53aは、シート45に設けたビアホール56a,56bを介してグランド電極35に電気的に接続される。
An
以上の構成からなる各シート45は積み重ねられ、一体的に焼成されることにより、図3に示すように積層体60とされる。積層体60の奥側の側面部の左側、中央及び右側には、それぞれ送信端子Tx、グランド端子G3及び受信端子Rxが形成される。積層体60の手前側の側面部の左側、中央及び右側には、それぞれ電圧制御端子Vc、アンテナ端子ANT及びグランド端子G4が形成される。積層体60の左右の側面部には、それぞれグランド端子G1,G2が形成される。
Each
送信端子Txは、伝送線路12の一方の端部(具体的には、分布定数線路33aの引出し部42a)と、引出し電極37とに電気的に接続している。受信端子Rxは、伝送線路13の一方の端部(具体的には、分布定数線路34bの引出し部43b)と、引出し電極38とに電気的に接続している。アンテナ端子ANTは、伝送線路13の他方の端部(具体的には、分布定数線路34aの引出し部43a)と、引出し電極41とに電気的に接続している。電圧制御端子Vcは、引出し電極39に電気的に接続している。グランド端子G1は、伝送線路12の他方の端部(具体的には、分布定数線路33bの引出し部42b)と、グランド電極35,36の引出し部35a,36aとに電気的に接続している。グランド端子G2,G3,G4は、それぞれグランド電極35,36の引出し部35b,36b、35c,36c、35d,36dに電気的に接続している。
The transmission terminal Tx is electrically connected to one end portion of the transmission line 12 (specifically, the lead portion 42a of the distributed
さらに、積層体60の上面のパッド50a,50bにはそれぞれダイオードD11のカソード電極及びアノード電極が半田付けされ、パッド51a,51bにはそれぞれダイオードD12のカソード電極及びアノード電極が半田付けされ、パッド52a,52bにはそれぞれコンデンサC13の端子電極が半田付けされ、パッド53a,53bにはそれぞれコンデンサC12の端子電極が半田付けされ、パッド54a,54bにはそれぞれ抵抗R11の端子電極が半田付けされる。
Furthermore, the cathode and anode electrodes of the diode D11 are soldered to the
こうして、図1に示した電気回路を有した、表面実装タイプの積層型高周波スイッチ31が得られる。この積層型高周波スイッチ31は、図6に示した従来の高周波スイッチ1が有していた大容量のバイアスカット用コンデンサC1を積層体60に内蔵あるいは搭載する必要がないので、伝送線路12〜14を2層で構成しているにもかかわらず、積層体60の層数を少なくすることができる。さらに、シート45のサイズも小さくでき、高周波スイッチ31のプリント基板等に占める面積を小さくできる。
In this way, the surface mount type multilayer
また、図6に示した従来の高周波スイッチ1は、伝送線路2とコンデンサC1との中間接続点に抵抗Ra(実装部品)が電気的に接続されていたので、配線が複雑であった。これに対して、高周波スイッチ31は、伝送線路12の一端がグランド端子G1に接続しているので、配線が簡素になり、積層体60の層数の削減や、不要結合の削減に伴う挿入損失の改善を図ることができる。
Further, the conventional high-
[第2実施例、図4及び図5]
図1に示した電気回路を有した、積層型高周波スイッチの別の例について、図4及び図5を参照して説明する。この第2実施例の高周波スイッチ61は、バイアスカット用コン
デンサC12が積層体に内蔵されている。なお、図4及び図5において、図2及び図3と同じ部品及び部分には同じ符号を付し、その説明は省略する。
[Second Embodiment, FIGS. 4 and 5]
Another example of the multilayer high-frequency switch having the electric circuit shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. In the
図4に示すように、高周波スイッチ61は、分布定数線路62やコンデンサ電極70を設けた誘電体シート45と、広面積のグランド電極35,36を設けた誘電体シート45と、分布定数線路63,64を設けた誘電体シート45と、引出し電極37,38等を設けた誘電体シート45と、ビアホール付きパッド50a,50b等を設けた誘電体シート45等にて構成されている。
As shown in FIG. 4, the
分布定数線路62は例えばミアンダ形状をしており、伝送線路14を形成する。分布定数線路62の一端は引出し電極41に電気的に接続され、他端はシート45に設けたビアホール67を介してビアホール付きパッド52bに電気的に接続される。分布定数線路63,64も大略ミアンダ形状をしており、それぞれ伝送線路12,13を形成する。分布定数線路63の一方の引出し部63aはシート45の奥側の辺の左側に露出し、他方の引出し部63bはシート45の左辺に露出している。分布定数線路64の一方の引出し部64aはシート45の手前側の辺の中央に露出し、他方の引出し部64bはシート45の奥側の辺の右側に露出している。このように、伝送線路12〜14を、それぞれ分布定数線路63,64,62の1層で構成することにより、積層体80(後述)の層数をさらに抑えることができる。
The distributed constant line 62 has, for example, a meander shape, and forms the
コンデンサ電極70は、シート45を挟んでグランド電極35に対向しており、グランド電極35と共にコンデンサC12を形成する。コンデンサ電極70は、シート45に設けた中継電極65にビアホール66を介して電気的に接続される。さらに、中継電極65はビアホール付きパッド51b,54bに電気的に接続される。
The
以上の構成からなる各シート45は積み重ねられ、一体的に焼成されることにより、図5に示すように積層体80とされる。積層体80の奥側の側面部には、それぞれ送信端子Tx、グランド端子G3及び受信端子Rxが形成される。積層体80の手前側の側面部には、それぞれ電圧制御端子Vc、アンテナ端子ANT及びグランド端子G4が形成される。積層体80の左右の側面部には、それぞれグランド端子G1,G2が形成される。
Each
送信端子Txは、分布定数線路63の引出し部63aと、引出し電極37とに電気的に接続している。受信端子Rxは、分布定数線路64の引出し部64bと、引出し電極38とに電気的に接続している。アンテナ端子ANTは、分布定数線路64の引出し部64aと、引出し電極41とに電気的に接続している。電圧制御端子Vcは、引出し電極39に電気的に接続している。グランド端子G1は、分布定数線路63の引出し部63bと、グランド電極35,36の引出し部35a,36aとに電気的に接続している。グランド端子G2,G3,G4は、それぞれグランド電極35,36の引出し部35b,36b、35c,36c、35d,36dに電気的に接続している。
The transmission terminal Tx is electrically connected to the extraction portion 63 a of the distributed
さらに、積層体80の上面のパッド50a,50bにはそれぞれダイオードD11のカソード電極及びアノード電極が半田付けされ、パッド51a,51bにはそれぞれダイオードD12のカソード電極及びアノード電極が半田付けされ、パッド52a,52bにはそれぞれコンデンサC13の端子電極が半田付けされ、パッド54a,54bにはそれぞれ抵抗R11の端子電極が半田付けされる。
Further, the cathode and anode electrodes of the diode D11 are soldered to the
こうして、図1に示した電気回路を有した、表面実装タイプの積層型高周波スイッチ61が得られる。コンデンサC12は小容量であるため、コンデンサ電極70の面積が小さく、積層体80に内蔵しても占有エリアが小さい。従って、高周波スイッチ61を従来より小型化することができる。
In this way, the surface mount type laminated
さらに、高周波スイッチ61は、コンデンサC12を積層体80に内蔵しているので、コンデンサC12を実装部品として積層体上に搭載した場合と比較して、コンデンサC12からグランドに到る配線路の長さが短くなる。従って、残留インダクタンスが小さくなり、バイアスカット作用が向上する。さらに、コンデンサC12の値はコンデンサ電極70の大きさを変えることで微調整することが可能であり、送信端子Txとアンテナ端子ANTとが接続しているときの、アンテナ端子ANTと受信端子Rxとの間のアイソレーションを従来の高周波スイッチより大きくすることができ、送信端子Txとアンテナ端子ANTとの間の挿入損失低減の効果を効率よく享受できる。
Further, since the high-
[他の実施例]
なお、本発明に係る高周波スイッチは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
[Other embodiments]
The high-frequency switch according to the present invention is not limited to the above embodiment, and can be variously modified within the scope of the gist.
例えば、図1に示した高周波スイッチ21において、ダイオードD12の両端(アノード・カソード間)にも伝送線路及びコンデンサの直列回路を接続してもよい。あるいは、伝送線路及びコンデンサの直列回路と並列に、コンデンサをダイオードD11,D12のそれぞれの両端(アノード・カソード間)に並列に接続して、ダイオードD11,D12がOFF状態のときのアイソレーションを良くしてもよい。また、逆バイアス印加時の電圧安定化のための抵抗(10KΩ以上)をダイオードD11,D12のそれぞれの両端に並列接続してもよい。
For example, in the high-
また、前記実施例において、端子Tx,Rx,ANTには直流バイアスが印加されることになるため、別途必要に応じて、別部品のバイアスカット用のカップリングコンデンサをこれらの端子Tx〜ANTに接続してもよい。 In the above embodiment, since a DC bias is applied to the terminals Tx, Rx, and ANT, a separate coupling capacitor for bias cutting is separately applied to these terminals Tx to ANT as necessary. You may connect.
21,31,61…高周波スイッチ
D11,D12…ダイオード
C12…コンデンサ
12,13…伝送線路
53…グランド電極
60,80…積層体
70…コンデンサ電極
Tx…送信端子
ANT…アンテナ端子
Rx…受信端子
Vc…電圧制御端子
G1,G2,G3,G4…グランド端子
21, 31, 61 ... high frequency switch D11, D12 ... diode C12 ...
53 ...
70: Capacitor electrode Tx: Transmission terminal ANT: Antenna terminal Rx: Reception terminal Vc: Voltage control terminal G1, G2, G3, G4 ... Ground terminal
Claims (1)
前記送信端子にカソードが電気的に接続され、前記アンテナ端子にアノードが電気的に接続された第1のダイオードと、
前記アンテナ端子と前記受信端子との間に電気的に接続された第1の伝送線路と、
前記受信端子にカソードが電気的に接続され、前記電圧制御端子にアノードが電気的に接続された第2のダイオードと、
前記送信端子に一端が電気的に接続されると共に、他端がグランドに直接接地された第2の伝送線路と、
前記電圧制御端子とグランドとの間に電気的に接続されると共に、前記第2のダイオードに直列接続されたコンデンサと、
を備えた高周波スイッチであって、
前記第2の伝送線路の一端と前記第1のダイオードのカソードとが直接に接続されており、
前記電圧制御端子を所定の電位にすることにより、前記第1及び前記第2のダイオードを同時にON状態もしくはOFF状態に制御し、
ON状態のときは、前記第2のダイオードが有するインダクタンスと前記コンデンサの容量とが送信周波数で共振し、
複数の誘電体層と、前記第1及び第2の伝送線路と、前記コンデンサのコンデンサ電極と、前記コンデンサ電極の直下に対向して配置されて前記コンデンサを形成するグランド電極とを積層して構成した積層体の表面に、前記送信端子と前記受信端子と前記アンテナ端子と前記電圧制御端子とをそれぞれ設けると共に、前記第1及び第2のダイオードをそれぞれ搭載したこと、
を特徴とする高周波スイッチ。 A transmission terminal, an antenna terminal, a reception terminal, and a voltage control terminal;
A first diode having a cathode electrically connected to the transmitting terminal and an anode electrically connected to the antenna terminal;
A first transmission line electrically connected between the antenna terminal and the receiving terminal;
A second diode having a cathode electrically connected to the receiving terminal and an anode electrically connected to the voltage control terminal;
A second transmission line having one end electrically connected to the transmission terminal and the other end directly grounded;
A capacitor electrically connected between the voltage control terminal and ground, and connected in series to the second diode;
A high frequency switch comprising:
One end of the second transmission line and the cathode of the first diode are directly connected;
By setting the voltage control terminal to a predetermined potential, the first and second diodes are simultaneously controlled to be in an ON state or an OFF state,
In the ON state, the inductance of the second diode and the capacitance of the capacitor resonate at the transmission frequency,
A structure in which a plurality of dielectric layers, the first and second transmission lines, the capacitor electrode of the capacitor, and a ground electrode that is disposed directly opposite to the capacitor electrode to form the capacitor are stacked. On the surface of the laminated body, the transmission terminal, the reception terminal, the antenna terminal, and the voltage control terminal are provided, and the first and second diodes are respectively mounted.
High frequency switch characterized by
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