JP4190352B2

JP4190352B2 - Optical recording material

Info

Publication number: JP4190352B2
Application number: JP2003144543A
Authority: JP
Inventors: 達哉石田; 智史柳澤
Original assignee: Adeka Corp
Current assignee: Adeka Corp
Priority date: 2003-05-22
Filing date: 2003-05-22
Publication date: 2008-12-03
Anticipated expiration: 2023-05-22
Also published as: JP2004345212A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報をレーザ等による熱的情報パターンとして付与することにより記録する光学記録媒体に使用される光学記録材料に関し、詳しくは、可視及び近赤外領域の波長を有し且つ低エネルギーのレーザ等により高密度の光学記録及び再生が可能な光学記録媒体に使用される光学記録材料に関する。該光学記録材料は、主として、基体上に光学記録層が形成された光学記録媒体において、該光学記録層の形成に用いられる。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
光学記録媒体は、一般に記録容量が大きく、記録又は再生が非接触で行われる等、優れた特徴を有することから広く普及している。ＷＯＲＭ、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等の追記型の光ディスクでは、光学記録層の微少面積にレーザを集光させて光学記録層の性状を変えて記録し、未記録部分との反射光量の違いによって再生を行っている。
【０００３】
現在、上記の光ディスクにおいて、記録及び再生に用いられる半導体レーザの波長は、ＣＤ−Ｒで７５０〜８３０ｎｍ、ＤＶＤ−Ｒで６２０〜６９０ｎｍであるが、更なる容量の増加を実現すべく、短波長レーザを使用する光ディスクが検討されており、例えば、記録光として３８０〜４２０ｎｍの光を用いるものが検討されている。
【０００４】
これらの短波長の記録光が用いられる光学記録媒体において形成される光学記録層には、各種金属錯体が使用されている。例えば、下記特許文献１にはアゾ化合物の金属錯体が報告されており、下記特許文献２〜４にはポルフィリン錯体が報告されており、下記特許文献５にはトリアゾールヘミポルフィリン錯体が報告されている。
【０００５】
しかし、これらの金属錯体は、短波長の記録光が用いられる光学記録媒体の光学記録層の形成に用いられる光学記録材料としては、その吸収波長特性が必ずしも適合するものではなかった。
【０００６】
従って、本発明の目的は、短波長の記録光が用いられる光学記録媒体に合致した金属錯体を含有してなる光学記録材料を提供することにある。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００１−２１４０８４号
【特許文献２】
特開平１１−２２１９６４号
【特許文献３】
特開平１１−３３４２２０７号
【特許文献４】
特開２００１−２８７４６２号
【特許文献５】
特開２００１−１８１５２４号
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、特定の配位子化合物を用いた金属錯体が、短波長の記録光、特に３８０ｎｎ〜４２０ｎｍのレーザ光に適合することを知見した。
【０００９】
本発明は、上記知見に基づいてなされたものであり、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子として用いた金属錯体を含有してなる光学記録材料（但し、オキソノール染料を含有する光学記録材料を除く）であり、上記金属錯体の含有量は、光学記録材料に含まれる固形分中の５０〜１００質量％であり、上記金属錯体の溶液における光吸収において、最大吸収波長λｍａｘが３４０〜４２０ｎｍの範囲に存在し、このλｍａｘのモル吸光係数εが１．０×１０ ³ 以上であり、３８０〜４２０ｎｍの光により記録及び再生がされる光学記録媒体に用いられる光学記録材料、及び基体上に該光学記録材料からなる薄膜（光学記録層）を形成したことを特徴とする光学記録媒体に関する。
【００１０】
【化５】

【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００１２】
配位子として用いられる上記一般式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ₁及びＲ₂で表される炭素数１〜８のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル等が挙げられ、置換基を有してもよい炭素数６〜３０のアリール基としては、フェニル、ナフチル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、４−ビニルフェニル、３−イソプロピルフェニル、４−イソプロピルフェニル、４−ブチルフェニル、４−イソブチルフェニル、４−第三ブチルフェニル、４−ヘキシルフェニル、４−シクロヘキシルフェニル、４−オクチルフェニル、４−（２−エチルヘキシル）フェニル、４−ステアリルフェニル、２，３−ジメチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，５−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、３，４−ジメチルフェニル、３，５−ジメチルフェニル、２，４−ジ第三ブチルフェニル、２，５−ジ第三ブチルフェニル、２，６−ジ−第三ブチルフェニル、２，４−ジ第三ペンチルフェニル、２，５−ジ第三アミルフェニル、２，５−ジ第三オクチルフェニル、２，４−ジクミルフェニル、シクロヘキシルフェニル、ビフェニル、２，４，５−トリメチルフェニル、４−クロロフェニル、４−ブロモフェニル、４−メトキシフェニル、４−エトキシフェニル、４−オクトキシフェニル、４−ステアリルオキシフェニル、４−シアノフェニル、４−ニトロフェニル、４−ジエチルアミノフェニル、４−（２，２−ジシアノエテン−１−イル）フェニル等が挙げられる。
【００１３】
また、Ｒ₃及びＲ₄で表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、炭素数１〜１８のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、シクロヘキシル、１−メチルシクロヘキシル、ヘプチル、２−ヘプチル、３−ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、イソノニル、デシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、へプタデシル、オクタデシル等が挙げられ、炭素数１〜１８のアルコキシ基としては、メチルオキシ、エチルオキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブチルオキシ、第二ブチルオキシ、第三ブチルオキシ、イソブチルオキシ、アミルオキシ、イソアミルオキシ、第三アミルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、イソヘプチルオキシ、第三ヘプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、イソオクチルオキシ、第三オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ステアリルオキシ等が挙げられ、ＮＨＲ’基及びＮＲ’₂基における炭素数１〜８のアルキル基であるＲ’としては、Ｒ¹で例示したものが挙げられる。
【００１４】
また、Ｒで表されるジアミン残基は、下記一般式（II）で表される基である。
【００１５】
【化６】

【００１６】
上記一般式（II）において、Ｒ_a〜Ｒ_dで表される炭素数１〜８のアルキル基としては、Ｒ₁及びＲ₂で例示したものが挙げられ、置換基を有してもよい炭素数６〜１０のアリール基としては、フェニル、ナフチル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、４−ビニルフェニル、３−イソプロピルフェニル、４−イソプロピルフェニル、４−ブチルフェニル、４−イソブチルフェニル、４−第三ブチルフェニル、２，３−ジメチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，５−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、３，４−ジメチルフェニル、３，５−ジメチルフェニル、２，４，５−トリメチルフェニル、４−クロロフェニル、４−ブロモフェニル、４−メトキシフェニル、４−エトキシフェニル、４−シアノフェニル、４−ニトロフェニル、４−ジエチルアミノフェニル、４−（２，２−ジシアノエテン−１−イル）フェニル等が挙げられる。
【００１７】
また、Ａ ₁で表される炭素数６〜１０の置換基を有してもよいシクロアルキレン基としては、１，２−シクロヘキシレン、１，３−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキシレン、２−メチル−１，４−シクロヘキシレン、３−メチル−１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘプチレン、１，５−シクロオクチレン、１，５−シクロノニレン、１，６−シクロデカニレン等が挙げられ、アリーレン基としては、１，２−フェニレン、２−メチル−１，３−フェニレン、４，５−ジメチル−１，２−フェニレン等が挙げられる。
【００１８】
上記一般式（II）で表されるジアミン残基の中でも、下記一般式（III）で表される１、２−アルキレン基が、安価に製造でき、得られる金属錯体の光吸収特性も良好なので好ましい。
【００１９】
【化７】

【００２０】
上記一般式（I）で表される化合物の具体例としては、下記化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１４が挙げられる。
【００２１】
【化８】

【００２２】
【化９】

【００２３】
本発明の光学記録材料が含有する、上述した上記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子として用いた金属錯体は、金属原子に上記一般式（Ｉ）で表される化合物の配位部分が少なくとも一つ配位したものであり、上記一般式（Ｉ）で表される化合物中の水酸基の水素原子と金属原子とが置換され、さらに窒素原子が金属原子に配位結合することにより少なくとも一つのキレート構造を形成しているものである。また、上記一般式（Ｉ）で表される化合物が有する２つの配位部分がそれぞれ別の金属原子に結合しているものでもよい。
【００２４】
上記金属錯体を構成する金属原子としては、例えば、周期表の２族元素、８族元素、９族元素、１０族元素、１１族元素及び１２族元素からなる群から選ばれる金属原子が挙げられる。
【００２５】
これらの金属原子の中でも、銅、亜鉛、ニッケル、コバルト及び鉄からなる群から選ばれる金属原子であると、該金属原子を含有する金属錯体を安価に製造でき、得られる金属錯体の光吸収特性も良好なのでより好ましい。
【００２６】
上記金属錯体の中でも、二価の金属の錯体化合物である下記一般式（IV）で表されるものは、化学的及び熱的に安定であり、λｍａｘでの吸光度が、短波長の記録光が用いられる光学記録媒体に適合するので好ましい。
【００２７】
【化１０】

【００２８】
上記一般式（IV）で表される金属錯体の中でも、下記一般式（Ｖ）で表される金属錯体は、安価に製造でき、光吸収特性も良好なので特に好ましい。尚、下記一般式（Ｖ）で表される金属錯体は、配位子として、上記一般式（Ｉ）におけるＲで表されるジアミン残基が、上記一般式（III）で表される１，２−アルキレン基である化合物を用いたものである。
【００２９】
【化１１】

【００３０】
上記一般式（IV）で表される金属錯体の具体例としては、下記金属錯体Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１８が挙げられる。
【００３１】
【化１２】

【００３２】
【化１３】

【００３３】
【化１４】

【００３４】
上記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子として用いた金属錯体は、その製造方法により特に制限を受けることはないが、例えば、好ましい形態である上記一般式（IV）で表される金属錯体は、下記〔化１５〕に示す反応式に従って得ることができる。
【００３５】
【化１５】

【００３６】
上記〔化１５〕に示すように、上記一般式（IV）で示される金属錯体は、例えば、サリチルアルデヒド誘導体とアミン化合物とから、該当する配位子である上記一般式（Ｉ）で表される化合物（シッフベース型配位子）を合成し、該シッフベース型配位子と金属塩化合物とのキレート化反応により合成してもよく、また、サリチルアルデヒド誘導体及び金属塩化合物から金属錯体中間体を合成した後、該金属錯体中間体とアミン化合物とを反応させることにより合成してもよい。上記金属塩化合物としては、ハロゲン化金属塩、水酸化物、硫酸塩、硝酸塩等の無機金属塩；酢酸塩等の有機酸金属塩；メトキシド、エトキシド、イソプロポキシド等の低級金属アルコキシド；アセチルアセトン塩、ＥＤＴＡ塩等のキレート錯体等が挙げられる。また、キレート化反応には、必要に応じて、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム、ナトリウムメトキシド、水素化ナトリウム、ナトリウムアミド、リチウムアミド、有機アミン化合物等の塩基性化合物を反応剤として用いてもよい。
【００３７】
上記金属錯体を含有する本発明の光学記録材料は、光学記録媒体の光学記録層に用いられるものである。波長が３８０ｎｍ〜４２０ｎｍの短波長レーザ用光ディスクに適合する光吸収特性は、上記金属錯体の溶液状態の最大吸収波長λｍａｘが３４０〜４２０ｎｍの範囲である。また、吸収強度は、λｍａｘのモル吸光係数εが１．０×１０³より小さいと記録感度が低下するおそれがあるので、εが１．０×１０³以上である。
【００３８】
本発明の光学記録材料中における上記金属錯体の含有量は、本発明の光学記録材料に含まれる固形分中の５０〜１００質量％である。
【００３９】
本発明の光学記録材料は、上記金属錯体の他に、必要に応じて、シアニン系化合物、アゾ系化合物、フタロシアニン系化合物等の光学記録層に用いられる化合物；ポリエチレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート等の樹脂類；界面活性剤；帯電防止剤；滑剤；難燃剤；ヒンダードアミン等のラジカル捕捉剤；フェロセン誘導体等のピット形成促進剤；分散剤；酸化防止剤；架橋剤；耐光性付与剤等を含有してもよい。さらに、本発明の光学記録材料は、一重項酸素等のクエンチャーとして、芳香族ニトロソ化合物、アミニウム化合物、イミニウム化合物、ビスイミニウム化合物、遷移金属ジチオールキレート化合物等を含有してもよい。これらの任意成分は、本発明の光学記録材料に含まれる固形分中の好ましくは０〜５０質量％の範囲で使用される。
【００４０】
本発明の光学記録材料を用いて基体上に光学記録層を形成する方法は、特に制限を受けるものではないが、一般には、メタノール、エタノール等の低級アルコール類；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルジグリコール等のエーテルアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシエチル等のエステル類；アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル等のアクリル酸エステル類、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のフッ化アルコール類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類；メチレンジクロライド、ジクロロエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素類等の有機溶媒に、上記金属錯体及び上記任意成分を溶解した溶液を、基体上にスピンコート、スプレー、ディッピング等で塗布する湿式塗布法が用いられる。その他の方法としては蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。
【００４１】
上記光学記録層の厚さは、通常、０．００１〜１０μであり、好ましくは０．０１〜５μの範囲が適当である。
【００４２】
このような光学記録層を設層する上記基体の材質は、書き込み（記録）光及び読み出し（再生）光に対して実質的に透明なものであれば特に制限はなく、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート等の樹脂、ガラス等が用いられる。また、その形状は、用途に応じ、テープ、ドラム、ベルト、ディスク等の任意の形状のものを使用できる。
【００４３】
また、上記光学記録層上に、金、銀、アルミニウム、銅等を用いて蒸着法あるいはスパッタリング法により反射膜を形成することもできるし、アクリル樹脂、紫外線硬化性樹脂等による保護層を形成することもできる。
【００４４】
【実施例】
以下、製造例及び実施例をもって本発明を更に詳細に説明する。しかしながら、本発明は、以下の実施例等によって何ら制限を受けるものではない。
【００４５】
［製造例１］金属錯体Ｎｏ．１の製造
反応フラスコに、４−ジエチルアミノサリチルアルデヒド０．０２モル、酢酸銅０．０１モル、及び水−メタノール１：１（質量比）混合溶媒１００ｍｌを仕込み、２５℃で９０分攪拌した。生成した結晶を濾取し、水、エタノール、ジエチルエーテルの順で洗浄した後、乾燥して、金属錯体中間体の結晶を０．０１０５モル（収率８４．０％）得た。反応フラスコに、得られた結晶０．０１モル及びメタノール２０ｍｌを仕込み、６５℃に加熱してメタノールが還流する状態にした。この状態のままエチレンジアミンを０．０１モル滴下し、更に７．５時間撹拌した。生成した結晶を濾取し、メタノールで洗浄した後、乾燥して結晶を０．００８３１モル（収率８３．１％）得た。得られた結晶について各種分析を行ったところ、該結晶は目的物である金属錯体Ｎｏ．１と同定された。分析結果を以下に示す。
【００４６】
（分析結果）
▲１▼ＩＲ測定：（ｃｍ^-1）
１５８８、１５０９、１４４９、１４０６、１３５３、１２４９、１１６４、１１４０、１０７６、８２７、７７３、６９９
▲２▼元素分析：Ｃｕ／Ｃ／Ｈ／Ｎ（質量％）
１３．７／６０．９／６．９／１１．５
（理論値１３．５／６１．１／６．８／１１．９）
▲３▼ＵＶスペクトル測定（クロロホルム溶媒）
λｍａｘ；３８５ｎｍ、ε；３．２６×１０⁴
λｍａｘ；３５１ｎｍ、ε；５．６８×１０⁴
▲４▼窒素気流下での示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）
５０％質量減少温度：３６８℃、吸熱ピーク（融点）：２４２℃
【００４７】
［製造例２］金属錯体Ｎｏ．１１の製造
反応フラスコに、４−ジエチルアミノサリチルアルデヒド０．１モル、エチレンジアミン０．０５モル、及びエタノール１００ｍｌを仕込み、７８℃で３時間攪拌した。生成した結晶を濾取し、乾燥して中間体の結晶０．０７７５モル（収率７７．５％）を得た。反応フラスコに、得られた結晶０．０１モル及びメタノール３０ｍｌを仕込み、６５℃に加熱してメタノールが還流する状態にした。この状態のまま酢酸亜鉛２水和物０．０１モルを加え、更に６時間撹拌した。溶媒を留去し、酢酸エチルから再結晶を行い、メタノールで洗浄した後、乾燥して結晶を０．００９０モル（収率９０．３％）得た。得られた結晶について各種分析を行ったところ、該結晶は目的物である金属錯体Ｎｏ．１１と同定された。分析結果を以下に示す。
【００４８】
（分析結果）
▲１▼ＩＲ測定：（ｃｍ^-1）
２９６９、１５９４、１５０８、１４５８、１４３２、１３９０、１３７５、１３５８、１３２３、１３０５、１２４６、１２２３、１１６４、１１４０、１０７５
▲２▼元素分析：Ｚｎ／Ｃ／Ｈ／Ｎ（質量％）
１３．８／６０．９／６．９／１１．３
（理論値１３．８／６０．８／６．８／１１．８）
▲３▼ＵＶスペクトル測定（クロロホルム溶媒）
λｍａｘ；３７６ｎｍ、ε；５．１８×１０⁴
▲４▼窒素気流下での示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）
１０％質量減少温度：３９７℃、吸熱ピーク：４０１℃
【００４９】
［製造例３］金属錯体Ｎｏ．６の製造
反応フラスコに、４−ジエチルアミノサリチルアルデヒド０．０３モル、（±）−１、２−ジフェニルエチレンジアミン０．０１５モル、及びエタノール５０ｍｌを仕込み、７８℃で３時間攪拌した。生成した結晶を濾取し、乾燥して中間体の結晶０．０２７モル（収率８９．４％）を得た。反応フラスコに、得られた結晶０．００７モル及びメタノール３０ｍｌを仕込み、６５℃に加熱してメタノールが還流する状態にした。この状態のまま酢酸銅０．００７モルを加え、更に７時間撹拌した。生成した結晶を濾取し、水、メタノールの順で洗浄した後、乾燥して、結晶を０．００６５モル（収率９２．９％）得た。得られた結晶について各種分析を行ったところ、該結晶は目的物である金属錯体Ｎｏ．６と同定された。分析結果を以下に示す。
【００５０】
（分析結果）
▲１▼ＩＲ測定：（ｃｍ^-1）
１５９２、１５１２、１４６７、１４０７、１３７５、１２４８、１２２７、１１３９、１０７６、８２６、７７３、７０１
▲２▼元素分析：Ｃｕ／Ｃ／Ｈ／Ｎ（質量％）
１０．３／６８．４／６．４／９
（理論値１０．２／６９．３／６．５／９）
▲３▼ＵＶスペクトル測定（クロロホルム溶媒）
λｍａｘ；３５８ｎｍ、ε；７．１９×１０⁴
▲４▼窒素気流下での示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）
５０％質量減少温度：３５４℃、吸熱ピーク（融点）：３３２℃
【００５１】
［製造例４］金属錯体Ｎｏ．９の製造
反応フラスコに、４−ジエチルアミノサリチルアルデヒド０．１モル、１、２−フェニレンジアミン０．０５モル、酢酸銅０．０５モル、及びメタノール１００ｍｌを仕込み、６４℃で５時間攪拌した。反応後、冷却して生成した結晶を濾取し、メタノールで洗浄した後、乾燥して、結晶を０．０２６８５モル（収率５３．７％）得た。得られた結晶について各種分析を行ったところ、該結晶は目的物である金属錯体Ｎｏ．９と同定された。分析結果を以下に示す。
【００５２】
（分析結果）
▲１▼ＩＲ測定：（ｃｍ^-1）
１６０６、１５６９、１５０９、１４８８、１３７０、１３４７、１２４７、１２０９、１１４２
▲２▼元素分析：Ｃｕ／Ｃ／Ｈ／Ｎ（質量％）
１２．３／６４．６／６．３／１０．３
（理論値１２．２／６４．６／６．２／１０．８）
▲３▼ＵＶスペクトル測定（クロロホルム溶媒）
λｍａｘ；４４６ｎｍ、ε；４．３６×１０⁴
λｍａｘ；３９９ｎｍ、ε；６．４４×１０⁴
▲４▼窒素気流下での示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）
５０％質量減少温度：３７７℃、吸熱ピーク（融点）：３３１℃
【００５３】
［実施例１−１〜１−４］光学記録媒体の製造及びＵＶスペクトル吸収測定
チタンキレート化合物（Ｔ−５０：日本曹達社製）を塗布した後、加水分解して下地層（０．０１μ）を設けた直径１２ｃｍのポリカーボネートディスク基板上に、上記製造例１〜４で得た金属錯体それぞれの２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール溶液（金属錯体濃度２質量％）をスピンコーティング法にて塗布して、厚さ１００ｎｍの光学記録層を形成し光学記録媒体を得た。得られた光学記録媒体について、ＵＶスペクトル吸収の測定を行った。ＵＶスペクトル吸収におけるλｍａｘの結果を表１に記す。
【００５４】
【表１】

【００５５】
表１の結果より、上記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子として用いた金属錯体を含有する本発明の光学記録材料を用いて作成した光学記録材媒体は、いずれも３８０〜４２０ｎｍのレーザ光により記録が可能であることが確認できた。
【００５６】
［実施例２−１〜２−３］光学記録媒体の製造及び反射光のＵＶスペクトル測定上記製造例１〜３で得た金属錯体を用いて実施例１と同様にして作成した光学記録媒体それぞれについて、薄膜（光学記録層）の入射角５°の反射光のＵＶスペクトルを測定した。反射光のλｍａｘ及び反射光の４０５ｎｍの強度の結果を表２に記す。なお、反射光の４０５ｎｍの強度は、反射光のλｍａｘの強度に対する相対強度である。
【００５７】
【表２】

【００５８】
光ディスクに代表される光学記録媒体の再生モードでは、レーザ光を光学記録媒体に反射させた反射光について、レーザ波長の光量の差で記録の有無を検出するので、反射光の吸収において、レーザ光の波長に近いところで大きい吸収強度を示すものほど好ましい。表２の結果から明らかなように、上記一般式（Ｉ）で表される化合物を配位子として用いた金属錯体を含有する本発明の光学記録材料は、短波長レーザ用光ディスク等の４０５ｎｍのレーザ光を用いる光学記録媒体の光学記録材料として好適である。
【００５９】
【発明の効果】
本発明は、短波長の記録光による光学記録媒体に合致した金属錯体を含有してなる光学記録材料を提供するものである。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical recording material used for an optical recording medium for recording information by applying information as a thermal information pattern by a laser or the like. Specifically, the optical recording material has a wavelength in the visible and near infrared region and a low energy The present invention relates to an optical recording material used for an optical recording medium capable of high-density optical recording and reproduction by a laser or the like. The optical recording material is mainly used for forming an optical recording layer in an optical recording medium having an optical recording layer formed on a substrate.
[0002]
[Prior art and problems to be solved by the invention]
Optical recording media are widely used because of their excellent characteristics such as generally large recording capacity and non-contact recording or reproduction. In write-once optical discs such as WORM, CD-R, and DVD-R, the laser is focused on a small area of the optical recording layer to change the properties of the optical recording layer for recording, and the difference in the amount of reflected light from the unrecorded portion Is playing by.
[0003]
Currently, in the above optical disk, the wavelength of a semiconductor laser used for recording and reproduction is 750 to 830 nm for CD-R and 620 to 690 nm for DVD-R. However, in order to realize further increase in capacity, a short wavelength is used. An optical disk using a laser is being studied. For example, an optical disk using light of 380 to 420 nm as a recording light is being studied.
[0004]
Various metal complexes are used in an optical recording layer formed in an optical recording medium using these short-wavelength recording lights. For example, the following Patent Document 1 reports a metal complex of an azo compound, the following Patent Documents 2 to 4 report a porphyrin complex, and the following Patent Document 5 reports a triazole hemiporphyrin complex. .
[0005]
However, these metal complexes are not necessarily suitable for the absorption wavelength characteristics as optical recording materials used for forming an optical recording layer of an optical recording medium in which short-wavelength recording light is used.
[0006]
Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical recording material containing a metal complex that matches an optical recording medium in which recording light having a short wavelength is used.
[0007]
[Patent Document 1]
JP 2001-214084 [Patent Document 2]
JP-A-11-221964 [Patent Document 3]
Japanese Patent Laid-Open No. 11-3342207 [Patent Document 4]
JP 2001-287462 A [Patent Document 5]
JP 2001-181524 A
[Means for Solving the Problems]
The present inventors have found that a metal complex using a specific ligand compound is suitable for recording light with a short wavelength, particularly laser light with a wavelength of 380 nn to 420 nm.
[0009]
The present invention has been made on the basis of the above knowledge, and is an optical recording material containing a metal complex using a compound represented by the following general formula (I) as a ligand (however, containing an oxonol dye) The content of the metal complex is 50 to 100% by mass in the solid content contained in the optical recording material, and the maximum absorption wavelength λmax in the light absorption in the solution of the metal complex Is present in the range of 340 to 420 nm, the molar absorption coefficient ε of λmax is 1.0 × 10 ³ or more, and an optical recording material used for an optical recording medium that is recorded and reproduced by light of 380 to 420 nm , The present invention also relates to an optical recording medium in which a thin film (optical recording layer) made of the optical recording material is formed on a substrate.
[0010]
[Chemical formula 5]

[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
[0012]
In the compound represented by the general formula (I) used as the ligand, the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms represented by R ₁ and R ₂ includes methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, 2-butyl, tert-butyl, isobutyl, amyl, isoamyl, tert-amyl, hexyl, cyclohexyl, heptyl, isoheptyl, tert-heptyl, n-octyl, isooctyl, tert-octyl, 2-ethylhexyl, etc. Examples of the aryl group having 6 to 30 carbon atoms that may have include phenyl, naphthyl, 2-methylphenyl, 3-methylphenyl, 4-methylphenyl, 4-vinylphenyl, 3-isopropylphenyl, 4-isopropylphenyl, 4-butylphenyl, 4-isobutylphenyl, 4-tert-butylphenyl, 4-hexylpheny 4-cyclohexylphenyl, 4-octylphenyl, 4- (2-ethylhexyl) phenyl, 4-stearylphenyl, 2,3-dimethylphenyl, 2,4-dimethylphenyl, 2,5-dimethylphenyl, 2,6 -Dimethylphenyl, 3,4-dimethylphenyl, 3,5-dimethylphenyl, 2,4-ditertiarybutylphenyl, 2,5-ditertiarybutylphenyl, 2,6-ditertiarybutylphenyl, , 4-ditertiarypentylphenyl, 2,5-ditertiaryamylphenyl, 2,5-ditertiaryoctylphenyl, 2,4-dicumylphenyl, cyclohexylphenyl, biphenyl, 2,4,5-trimethylphenyl 4-chlorophenyl, 4-bromophenyl, 4-methoxyphenyl, 4-ethoxyphenyl, 4-octoxyphenyl, 4-stere Lil oxyphenyl, 4-cyanophenyl, 4-nitrophenyl, 4-diethylamino-phenyl, 4- (2,2-Jishianoeten-1-yl) phenyl and the like.
[0013]
Examples of the halogen atom represented by R ₃ and R ₄ include fluorine, chlorine, bromine, and iodine. Examples of the alkyl group having 1 to 18 carbon atoms include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, second Butyl, tertiary butyl, isobutyl, amyl, isoamyl, tertiary amyl, hexyl, 2-hexyl, 3-hexyl, cyclohexyl, 1-methylcyclohexyl, heptyl, 2-heptyl, 3-heptyl, isoheptyl, tertiary heptyl, n -Octyl, isooctyl, tertiary octyl, 2-ethylhexyl, nonyl, isononyl, decyl, dodecyl, tridecyl, tetradecyl, pentadecyl, hexadecyl, heptadecyl, octadecyl, etc., and the alkoxy group having 1 to 18 carbon atoms is methyl Oxy, ethyloxy, propyloxy, isop Lopyroxy, butyloxy, sec-butyloxy, tert-butyloxy, isobutyloxy, amyloxy, isoamyloxy, tert-amyloxy, hexyloxy, cyclohexyloxy, heptyloxy, isoheptyloxy, tert-heptyloxy, n-octyloxy, isooctyloxy , Tertiary octyloxy, 2-ethylhexyloxy, stearyloxy and the like, and examples of R ′ which is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms in the NHR ′ group and the NR ′ ₂ group include those exemplified for R ^1. It is done.
[0014]
Further, the diamine residue represented by R is a group represented by the following general formula (II).
[0015]
[Chemical 6]

[0016]
In the general formula (II), the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms represented by R _a to R _d, include those exemplified for R ₁ and R _2, may have a location substituent Examples of the aryl group having 6 to 10 carbon atoms include phenyl, naphthyl, 2-methylphenyl, 3-methylphenyl, 4-methylphenyl, 4-vinylphenyl, 3-isopropylphenyl, 4-isopropylphenyl, 4-butylphenyl, 4-isobutylphenyl, 4-tert-butylphenyl, 2,3-dimethylphenyl, 2,4-dimethylphenyl, 2,5-dimethylphenyl, 2,6-dimethylphenyl, 3,4-dimethylphenyl, 3,5 -Dimethylphenyl, 2,4,5-trimethylphenyl, 4-chlorophenyl, 4-bromophenyl, 4-methoxyphenyl, 4-ethoxyphenyl, 4 Cyanophenyl, 4-nitrophenyl, 4-diethylamino-phenyl, 4- (2,2-Jishianoeten-1-yl) phenyl and the like.
[0017]
Examples of the cycloalkylene group which may have a substituent having 6 to 10 carbon atoms represented by A ₁ include 1,2-cyclohexylene, 1,3-cyclohexylene, 1,4-cyclohexylene, 2 -Methyl-1,4-cyclohexylene, 3-methyl-1,4-cyclohexylene, 1,4-cycloheptylene, 1,5-cyclooctylene, 1,5-cyclononylene, 1,6-cyclodecanylene, etc. as the a arylene group, 1,2-phenylene, 2-methyl-1,3-phenylene, 4,5-dimethyl-1,2-phenylene and the like cited et be.
[0018]
Among the diamine residues represented by the general formula (II), a 1,2-alkylene group represented by the following general formula (III) can be produced at low cost, and the resulting metal complex has good light absorption characteristics. preferable.
[0019]
[Chemical 7]

[0020]
Specific examples of the compound represented by the general formula (I) include the following compound No. 1-No. 14 is mentioned.
[0021]
[Chemical 8]

[0022]
[Chemical 9]

[0023]
The metal complex using the compound represented by the above general formula (I) described above as a ligand contained in the optical recording material of the present invention has an arrangement of the compound represented by the above general formula (I) on a metal atom. At least one coordinate moiety is coordinated, the hydrogen atom and the metal atom of the hydroxyl group in the compound represented by the general formula (I) are substituted, and the nitrogen atom is coordinated to the metal atom. Thus, at least one chelate structure is formed. Further, the two coordination moieties of the compound represented by the general formula (I) may be bonded to different metal atoms.
[0024]
As a metal atom which comprises the said metal complex, the metal atom chosen from the group which consists of 2nd group element of a periodic table element, 8th group element, 9th group element, 10th group element, 11th group element, and 12th group element is mentioned, for example. .
[0025]
Among these metal atoms, when the metal atom is selected from the group consisting of copper, zinc, nickel, cobalt, and iron, a metal complex containing the metal atom can be produced at low cost, and the light absorption characteristics of the resulting metal complex Is also preferable.
[0026]
Among the above metal complexes, those represented by the following general formula (IV), which is a divalent metal complex compound, are chemically and thermally stable, and the absorbance at λmax is short-wavelength recording light. This is preferable because it is compatible with the optical recording medium used.
[0027]
Embedded image

[0028]
Among the metal complexes represented by the general formula (IV), a metal complex represented by the following general formula (V) is particularly preferable because it can be produced at low cost and has good light absorption characteristics. In the metal complex represented by the following general formula (V), a diamine residue represented by R in the above general formula (I) is represented by the above general formula (III) as a ligand. A compound which is a 2-alkylene group is used.
[0029]
Embedded image

[0030]
Specific examples of the metal complex represented by the general formula (IV) include the following metal complexes No. 1-No. 18 is mentioned.
[0031]
Embedded image

[0032]
Embedded image

[0033]
Embedded image

[0034]
The metal complex using the compound represented by the above general formula (I) as a ligand is not particularly limited by the production method thereof. For example, the metal complex represented by the above general formula (IV) which is a preferred form is used. The metal complex can be obtained according to the reaction formula shown below.
[0035]
Embedded image

[0036]
As shown in the above [Chemical Formula 15], the metal complex represented by the general formula (IV) is represented by the general formula (I) which is a corresponding ligand from, for example, a salicylaldehyde derivative and an amine compound. Compound (Schiff base type ligand) may be synthesized by chelating reaction of the Schiff base type ligand with a metal salt compound, and a metal complex intermediate may be synthesized from a salicylaldehyde derivative and a metal salt compound. After the synthesis, the metal complex intermediate may be synthesized with an amine compound. Examples of the metal salt compound include inorganic metal salts such as metal halides, hydroxides, sulfates and nitrates; organic acid metal salts such as acetates; lower metal alkoxides such as methoxide, ethoxide and isopropoxide; acetylacetone salts And chelate complexes such as EDTA salts. In the chelation reaction, a basic compound such as sodium hydroxide, lithium hydroxide, sodium methoxide, sodium hydride, sodium amide, lithium amide, or an organic amine compound may be used as a reaction agent as necessary. Good.
[0037]
The optical recording material of the present invention containing the above metal complex is used for an optical recording layer of an optical recording medium. The light absorption characteristics suitable for a short wavelength laser optical disk having a wavelength of 380 nm to 420 nm are such that the maximum absorption wavelength λmax in the solution state of the metal complex is in the range of 340 to 420 nm. Further, absorption intensity, so the molar absorption coefficient of .lambda.max epsilon may decrease recording sensitivity and 1.0 × 10 ³ less than, is epsilon is 1.0 × 10 ³ or more.
[0038]
Content of the said metal complex in the optical recording material of this invention is 50-100 mass% in solid content contained in the optical recording material of this invention.
[0039]
The optical recording material of the present invention includes compounds used for optical recording layers such as cyanine compounds, azo compounds, and phthalocyanine compounds, if necessary, in addition to the above metal complexes; polyethylene, polyester, polystyrene, polycarbonate, etc. Resins; surfactants; antistatic agents; lubricants; flame retardants; radical scavengers such as hindered amines; pit formation accelerators such as ferrocene derivatives; dispersants; antioxidants; cross-linking agents; May be. Furthermore, the optical recording material of the present invention may contain an aromatic nitroso compound, an aminium compound, an iminium compound, a bisiminium compound, a transition metal dithiol chelate compound, etc. as a quencher such as singlet oxygen. These optional components are preferably used in the range of 0 to 50% by mass in the solid content contained in the optical recording material of the present invention.
[0040]
A method for forming an optical recording layer on a substrate using the optical recording material of the present invention is not particularly limited. Generally, lower alcohols such as methanol and ethanol; methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, Ether alcohols such as butyl diglycol; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, diacetone alcohol, esters such as ethyl acetate, butyl acetate, methoxyethyl acetate; ethyl acrylate, butyl acrylate, etc. Acrylic esters, fluorinated alcohols such as 2,2,3,3-tetrafluoropropanol; hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene; organics such as chlorinated hydrocarbons such as methylene dichloride, dichloroethane and chloroform Solvent The solution of the metal complex and the above optional components, spin coated onto a substrate, spraying, wet coating method is used to apply in dipping. Other methods include vapor deposition and sputtering.
[0041]
The thickness of the optical recording layer is usually 0.001 to 10 μm, preferably 0.01 to 5 μm.
[0042]
The material of the substrate on which such an optical recording layer is provided is not particularly limited as long as it is substantially transparent to writing (recording) light and reading (reproducing) light. For example, polymethyl methacrylate, A resin such as polyethylene terephthalate or polycarbonate, glass or the like is used. Moreover, the shape can use arbitrary shapes, such as a tape, a drum, a belt, a disk, according to a use.
[0043]
Further, a reflective film can be formed on the optical recording layer by vapor deposition or sputtering using gold, silver, aluminum, copper or the like, or a protective layer is formed by acrylic resin, ultraviolet curable resin, or the like. You can also.
[0044]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to production examples and examples. However, the present invention is not limited by the following examples.
[0045]
[Production Example 1] Metal Complex No. In 1 production reaction flask, 0.02 mol of 4-diethylaminosalicylaldehyde, 0.01 mol of copper acetate, and 100 ml of a water-methanol 1: 1 (mass ratio) mixed solvent were charged and stirred at 25 ° C. for 90 minutes. The produced crystal was collected by filtration, washed with water, ethanol, and diethyl ether in this order, and then dried to obtain 0.0105 mol (yield 84.0%) of a metal complex intermediate crystal. The reaction flask was charged with 0.01 mol of the obtained crystals and 20 ml of methanol, and heated to 65 ° C. so that methanol was refluxed. In this state, 0.01 mol of ethylenediamine was added dropwise, and the mixture was further stirred for 7.5 hours. The produced crystals were collected by filtration, washed with methanol, and dried to obtain 0.00831 mol of crystals (yield 83.1%). When the obtained crystal was subjected to various analyses, it was found that the crystal was the target metal complex No. 1 was identified. The analysis results are shown below.
[0046]
(result of analysis)
( ¹ ) IR measurement: (cm ^-1 )
1588, 1509, 1449, 1406, 1353, 1249, 1164, 1140, 1076, 827, 773, 699
(2) Elemental analysis: Cu / C / H / N (mass%)
13.7 / 60.9 / 6.9 / 11.5
(Theoretical value 13.5 / 61.1 / 6.8 / 11.9)
(3) UV spectrum measurement (chloroform solvent)
λmax; 385 nm, ε; 3.26 × 10 ⁴
λmax; 351 nm, ε; 5.68 × 10 ⁴
(4) Differential thermal analysis under nitrogen flow (TG-DTA)
50% mass reduction temperature: 368 ° C., endothermic peak (melting point): 242 ° C.
[0047]
[Production Example 2] Metal Complex No. No. 11 production reaction flask was charged with 0.1 mol of 4-diethylaminosalicylaldehyde, 0.05 mol of ethylenediamine, and 100 ml of ethanol, and stirred at 78 ° C. for 3 hours. The produced crystals were collected by filtration and dried to obtain 0.0775 mol of intermediate crystals (yield 77.5%). The reaction flask was charged with 0.01 mol of the obtained crystals and 30 ml of methanol, and heated to 65 ° C. to bring methanol to reflux. In this state, 0.01 mol of zinc acetate dihydrate was added, and the mixture was further stirred for 6 hours. The solvent was distilled off, recrystallized from ethyl acetate, washed with methanol and dried to obtain 0.0090 mol (yield 90.3%) of crystals. When the obtained crystal was subjected to various analyses, it was found that the crystal was the target metal complex No. 11 was identified. The analysis results are shown below.
[0048]
(result of analysis)
( ¹ ) IR measurement: (cm ^-1 )
2969, 1594, 1508, 1458, 1432, 1390, 1375, 1358, 1323, 1305, 1246, 1223, 1164, 1140, 1075
(2) Elemental analysis: Zn / C / H / N (mass%)
13.8 / 60.9 / 6.9 / 11.3
(Theoretical value 13.8 / 60.8 / 6.8 / 11.8)
(3) UV spectrum measurement (chloroform solvent)
λmax; 376 nm, ε; 5.18 × 10 ⁴
(4) Differential thermal analysis under nitrogen flow (TG-DTA)
10% mass loss temperature: 397 ° C., endothermic peak: 401 ° C.
[0049]
[Production Example 3] Metal Complex No. 6 In a reaction flask, 0.03 mol of 4-diethylaminosalicylaldehyde, (±) -1, 0.015 mol of 2-diphenylethylenediamine, and 50 ml of ethanol were charged and stirred at 78 ° C. for 3 hours. The produced crystals were collected by filtration and dried to obtain 0.027 mol of intermediate crystals (yield 89.4%). A reaction flask was charged with 0.007 mol of the obtained crystals and 30 ml of methanol, and heated to 65 ° C. to bring methanol to reflux. In this state, 0.007 mol of copper acetate was added, and the mixture was further stirred for 7 hours. The produced crystals were collected by filtration, washed with water and methanol in this order, and then dried to obtain 0.0065 mol of crystals (yield 92.9%). When the obtained crystal was subjected to various analyses, it was found that the crystal was the target metal complex No. 6 was identified. The analysis results are shown below.
[0050]
(result of analysis)
( ¹ ) IR measurement: (cm ^-1 )
1592, 1512, 1467, 1407, 1375, 1248, 1227, 1139, 1076, 826, 773, 701
(2) Elemental analysis: Cu / C / H / N (mass%)
10.3 / 68.4 / 6.4 / 9
(Theoretical value 10.2 / 69.3 / 6.5 / 9)
(3) UV spectrum measurement (chloroform solvent)
λmax; 358 nm, ε; 7.19 × 10 ⁴
(4) Differential thermal analysis under nitrogen flow (TG-DTA)
50% mass reduction temperature: 354 ° C., endothermic peak (melting point): 332 ° C.
[0051]
[Production Example 4] Metal Complex No. 9 The reaction flask was charged with 0.1 mol of 4-diethylaminosalicylaldehyde, 0.05 mol of 1,2-phenylenediamine, 0.05 mol of copper acetate, and 100 ml of methanol and stirred at 64 ° C. for 5 hours. After the reaction, the crystal formed by cooling was collected by filtration, washed with methanol, and then dried to obtain 0.02585 mol (yield 53.7%) of the crystal. When the obtained crystal was subjected to various analyses, it was found that the crystal was the target metal complex No. 9 was identified. The analysis results are shown below.
[0052]
(result of analysis)
( ¹ ) IR measurement: (cm ^-1 )
1606, 1569, 1509, 1488, 1370, 1347, 1247, 1209, 142
(2) Elemental analysis: Cu / C / H / N (mass%)
12.3 / 64.6 / 6.3 / 10.3
(Theoretical value 12.2 / 64.6 / 6.2 / 10.8)
(3) UV spectrum measurement (chloroform solvent)
λmax; 446 nm, ε; 4.36 × 10 ⁴
λmax; 399 nm, ε; 6.44 × 10 ⁴
(4) Differential thermal analysis under nitrogen flow (TG-DTA)
50% mass reduction temperature: 377 ° C., endothermic peak (melting point): 331 ° C.
[0053]
[Examples 1-1 to 1-4] Production of optical recording medium and measurement of UV spectrum absorption A titanium chelate compound (T-50: manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.) was applied and then hydrolyzed to form an underlayer (0.01 μm). A 2,2,3,3-tetrafluoropropanol solution of each of the metal complexes obtained in Production Examples 1 to 4 (metal complex concentration: 2% by mass) was spin-coated on a polycarbonate disk substrate having a diameter of 12 cm. Then, an optical recording layer having a thickness of 100 nm was formed to obtain an optical recording medium. The obtained optical recording medium was measured for UV spectral absorption. The result of λmax in UV spectrum absorption is shown in Table 1.
[0054]
[Table 1]

[0055]
From the results in Table 1, all of the optical recording material media prepared using the optical recording material of the present invention containing a metal complex using the compound represented by the general formula (I) as a ligand are 380 to 380. It was confirmed that recording was possible with a 420 nm laser beam.
[0056]
[Examples 2-1 to 2-3] Production of optical recording medium and measurement of reflected light UV spectrum Optical recording media prepared in the same manner as in Example 1 using the metal complexes obtained in Production Examples 1 to 3 above. The UV spectrum of the reflected light at an incident angle of 5 ° of the thin film (optical recording layer) was measured. The results of λmax of the reflected light and the intensity of the reflected light at 405 nm are shown in Table 2. The intensity of the reflected light at 405 nm is a relative intensity with respect to the intensity of λmax of the reflected light.
[0057]
[Table 2]

[0058]
In the playback mode of an optical recording medium typified by an optical disk, the presence or absence of recording is detected by the difference in the amount of laser wavelength with respect to the reflected light reflected from the optical recording medium. It is more preferable that it shows a large absorption intensity near the wavelength of. As is apparent from the results in Table 2, the optical recording material of the present invention containing a metal complex using the compound represented by the general formula (I) as a ligand is a 405 nm optical disk for a short wavelength laser or the like. It is suitable as an optical recording material for an optical recording medium using a laser beam.
[0059]
【The invention's effect】
The present invention provides an optical recording material containing a metal complex that matches an optical recording medium using recording light with a short wavelength.

Claims

An optical recording material containing a metal complex using a compound represented by the following general formula (I) as a ligand (excluding an optical recording material containing an oxonol dye),
Content of the said metal complex is 50-100 mass% in solid content contained in an optical recording material,
In the light absorption in the solution of the metal complex, the maximum absorption wavelength λmax exists in the range of 340 to 420 nm, the molar absorption coefficient ε of this λmax is 1.0 × 10 ³ or more,
An optical recording material used for an optical recording medium which is recorded and reproduced by light of 380 to 420 nm.

In the general formula ( II ), R _{a to} R _d are a hydrogen atom, a methyl group, a cyclohexylmethyl group, a phenyl group, a 4-methoxyphenyl group, or a 4- (2,2-dicyanoethen-1-yl) phenyl group. The optical recording material according to claim ₁ , wherein A ₁ represents a 1,2-cyclohexylene group or a 1,2-phenylene group .

Diamine residue represented by the above general formula (II) The optical recording material according to claim 1, wherein the 1,2-alkylene group represented by the following general formula (III).

The metal atom constituting the metal complex is a metal atom selected from the group consisting of Group 2 element, Group 8 element, Group 9 element, Group 10 element, Group 11 element and Group 12 element of the Periodic Table. The optical recording material according to any one of?

The optical recording material according to claim 4, wherein the metal atom is a metal atom selected from the group consisting of copper, zinc, nickel, cobalt, and iron.

The optical recording material according to claim 1, wherein the metal complex is represented by the following general formula (IV).

An optical recording medium having an optical recording layer formed on a substrate, wherein the optical recording layer is formed using the optical recording material according to any one of claims 1 to 6.