JP4181145B2

JP4181145B2 - 波長安定化光源および波長安定化装置

Info

Publication number: JP4181145B2
Application number: JP2005162765A
Authority: JP
Inventors: 茂大島; 和彦井出
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2005-06-02
Filing date: 2005-06-02
Publication date: 2008-11-12
Anticipated expiration: 2025-06-02
Also published as: JP2006339443A

Description

本発明は、波長多重伝送に適用可能な波長安定化光源および波長安定化装置に関する。

波長多重伝送技術はその伝送容量の大きさだけでなく、波長パスを有効に用いることにより高効率なネットワークを構成できるというメリットを持つ。位相調整領域を備える多電極のＤＢＲレーザ、ＳＧ−ＤＢＲ（Sampled Grating- Distributed Bragg Reflector）レーザ、ＳＳＧ−ＤＢＲ（Super-structure Grating- Distributed Bragg Reflector）レーザなどを用いれば光波長を可変して波長パスを張り替えることができる。

ＳＧ−ＤＢＲレーザやＳＳＧ−ＤＢＲレーザは、グレーティングによる前方ミラー領域と後方ミラー領域との間に位相調整領域とゲイン領域とを有し、波長を変えるにはゲイン領域以外の３電極の注入電流を制御する必要がある。このような制御は煩雑な調整を要するのでマイクロコンピュータなどが用いられる（例えば非特許文献１を参照）。そのおおまかな手順を次に説明する。

所望の波長データをマイクロコンピュータに入力すると、マイクロコンピュータはあらかじめインプットされていたデータから前方ミラー領域と後方ミラー領域と位相調整領域の電流値を読み出し、対応する電極に電流を流す。レーザは所望の波長近傍の光を出射するが、僅かなずれがある。そこでレーザモジュールに内蔵される波長検出器から得た電気信号をもとに位相調整領域の電流値が微調整され、所望の波長にロックされる。このように既存の技術では、位相調整領域の注入電流のみを制御することによって出力波長を微調整するようにしている。

しかしながら位相調整領域のみの電流を変えると０．３〜０．４ｎｍの波長変化でモードホッピングが生じるため、安定化した波長がモードホッピングの近傍であると動作が不安定になる。運用当初は安定化された波長がモードホッピング領域と離れていても、環境温度の大きな変化や経年変化などにより動作点が移動し、モードホッピングの近傍になることもある。モードホッピングが生じると、もはや所望の波長でないため通信が行えなくなるばかりでなく、波長多重伝送では他チャンネルに妨害を与えるため被害は甚大である。また、モードホッピングが生じなくても、モードホッピングの近傍では波長、出力レベル、線幅などが不安定になり、伝送品質の劣化の原因になる。なお特許文献１にはマイコン制御のためのデータベースの容量を少なくするための技術が開示されているが、波長の安定化性能を抜本的に改善するものではない。
特開２００３−２８３０４４号公報 T. Wipiejewski, Y. A. Akulova, G. A. Fish, P. C. Koh, C. Schow, P. Kozodoy,A. Dahl, M. Larson,M. Mack, T. Strand, C. Coldren, E. Hegblom, S. Penniman,T. Liljeberg, L. A. Coldren, "Performance and Reliability of Widely TunableLaser Diodes," The 53rd Electronic Components and Technology Conference(ECTC), New Orleans, Louisiana, May 29,session19, 2003

以上述べたように従来の波長安定化装置には、位相調整領域のみの電流により波長の微調整を行うためモードの安定領域が狭いという不具合がある。このため環境温度の大きな変化や経年変化などにより波長がモードホッピングの近傍に設定されることもあり、伝送特性が不安定になったり、他チャンネルに妨害を与えたり、最悪の場合には通信が行えなくなるといった事態により、光伝送の信頼性を著しく損ねることがあった。

本発明は上記問題によりなされたもので、その目的は、モードの安定領域を広くして波長精度を向上させた波長安定化光源および波長安定化装置を提供することにある。

上記課題を解決するために本発明によれば、前方ミラー領域と後方ミラー領域との間に位相調整領域とゲイン領域とを有する半導体レーザと、この半導体レーザから放射されるレーザ光の一部が入射され当該レーザ光の波長に応じた電気信号を出力する波長検出器と、前記電気信号に基づいて前記前方ミラー領域、前記後方ミラー領域、および前記位相調整領域への注入電流をフィードバック制御して前記レーザ光の波長を安定化する安定化部とを具備し、この安定化部は、前記位相調整領域への注入電流の変化に連動して、前記前方ミラー領域への注入電流と前記後方ミラー領域への注入電流とを、いずれも前記位相調整領域への注入電流の変化より少ない変化量で変化させることを特徴とする波長安定化光源が提供される。

このような手段により、位相調整領域への注入電流の増減にともない前方および後方ミラー領域への注入電流が連動して増減される。これにより位相調整領域において生じる光位相のずれが抑制され、モードホッピングの発生を抑えることができる。従って波長を連続的に可変できるようになり、環境温度の大きな変化や経年変化などによるモードホッピングへの耐性を増して極めて安定的な動作を実現できる。すなわち波長、出力レベル、線幅などを初期状態から変化によらず安定化させることができ、信頼性の高い通信を行うことが可能となる。さらに、波長多重伝送では他チャンネルに妨害を与えることも無くなり、伝送システム全体の信頼性を高める波長安定化装置を提供することができる。

本発明によれば、モードの安定領域を広くして波長精度を向上させた波長安定化光源および波長安定化装置を提供することができる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。

（第１の実施形態）
図１は本発明に係る波長安定化光源の第１の実施形態を示すブロック図である。図１において、参照符号２３は半導体レーザ（以下レーザと表記する）であり、ＳＧ−ＤＢＲレーザ、ＳＧ−ＤＢＲレーザ、ＳＳＧ−ＤＢＲレーザである。レーザ２３はグレーティングによる前方ミラー領域４と後方ミラー領域１とを備え、さらにこれらの領域に挟まれる位相調整領域２とゲイン領域３とを有する。レーザ２３の出力光５は分配器６により２分岐され、一方の分岐光は外部への出力７となり、他方の分岐光８は波長検出器９に入力される。

波長検出器９は、例えばファブリペロー共振器と光検出器の組み合わせや、ガスセルと光検出器の組み合わせなどにより実現される。波長検出器９はレーザの波長に応じた電気信号を出力し、この信号は波長安定化部２４に入力され必要に応じて増幅器１１で増幅される。

波長安定化部２４は制御器１４を備える。制御器１４は前方ミラー領域４、位相調整領域２、後方ミラー領域１への設定電流値Ｉ_FA、Ｉ_PA、Ｉ_BAを、外部から与えられる波長設定信号１３に対応する値で各端子１９、１２、１７から出力する。この制御器１４はマイクロコンピュータや論理回路などで構成することができる。

位相調整領域２への注入電流Ｉ_Pは端子１２の設定電流値Ｉ_PAと増幅器１１から与えられる電流変化ΔＩ_Pとを、アナログの加算器１５により加え合わせることにより得られる。また、前方ミラー領域４への注入電流Ｉ_Fは端子１９の設定電流値Ｉ_FAと、増幅器１１から抵抗２０を介して与えられる電流変化ΔＩ_Fとを加算器２１により加算することにより得られる。抵抗２０を介しているため電流変化ΔＩ_FはΔＩ_Pよりも少ない量となる。同様に、後方ミラー領域１への注入電流Ｉ_Bは端子１７の設定電流値Ｉ_BAと増幅器１１から抵抗１６を介して与えられる電流変化ΔＩ_Bとを加算器１８により加え合わせることにより得られる。ここでも抵抗１６を介することにより電流変化ΔＩ_BはΔＩ_Pよりも少ない量となる。さらにゲイン領域３への注入電流は定電流源２２により与えられる。

以上の構成において、波長検出器９の出力は、位相調整領域２だけでなく前方ミラー領域４と後方ミラー領域１にも帰還され、ゲイン領域３以外の各領域１，２，４への注入電流は連動して変化することになる。これによりモードホップに至る光位相のずれを抑圧することができ、レーザ２３を幅広い波長領域で安定に動作させることが可能になる。次に、理論的検討により安定動作の条件を求める過程を説明する。

図２は、図１のレーザ２３の基本構造を示す図である。レーザ２３は前方ミラー領域４、ゲイン領域３、位相調整領域２、後方ミラー領域４の４つの領域を備える。これらの領域にこの順にインデックスF,G,P,Bを付し、各領域の長さをＬ_F、Ｌ_G、Ｌ_P、Ｌ_Bとし、注入電流が印加されない状態の各領域の屈折率をｎ_F、ｎ_G、ｎ_P、ｎ_Bとする。それぞれの領域の注入電流をＩ_F、Ｉ_G、Ｉ_P、Ｉ_Bとし、これらの注入電流によって増加する屈折率をそれぞれΔｎ_F、Δｎ_G、Δｎ_P、Δｎ_Bとする。ゲイン領域以外のΔｎ_F、Δｎ_P、Δｎ_Bは同じ定数ｋを用いて式（１）〜（３）により表される。

前方ミラーのブラッグ波長をλ_F、後方ミラーのブラッグ波長をλ_Bとし、注入電流により変化する波長をそれぞれΔλ_F、Δλ_Bとすれば、これらは式（４）、（５）の関係がある。

一方、レーザ２３全体での共振器モードの波長をλ_Cとし、注入電流により変化する波長をΔλ_Cとすれば、これらの比は式（６）により表される。

グレーティングミラーでは光の位相が空間的にほぼ固定されるため、注入電流により位相が大きく変化することはない。すなわち前方ミラー領域４と後方ミラー領域１においては注入電流により屈折率が変化しても入出射端での光の位相は大きく変化せず、位相の変化はゲイン領域３と位相領域４で主に生じる。このことから、式（６）は式（７）のように簡単化できる。

式（７）に式（２）を適用すると式（８）を得る。

いま、Ｉ_G以外の注入電流は小さく、レーザ２３がある波長で発振していると仮定すると、λ_F≒λ_C≒λ_Bであり、この状態から各電極への注入電流を変化させて発振波長が変化したとすれば、Δλ_F≒Δλ_C≒Δλ_Bである。これよりΔλ_F／λ_F≒Δλ_C／λ_C≒Δλ_B／λ_Bとすることができ、ｎ_F≒ｎ_G≒ｎ_P≒ｎ_Bであることを考慮すると、前方ミラー領域の注入電流Ｉ_Fおよび後方ミラー領域の注入電流Ｉ_Pは、それぞれ次式（９）、（１０）のようにまとめることができる。

式（９）、（１０）から、例えばＬ_F／Ｌ_P＝３、Ｌ_B／Ｌ_P＝６、Ｌ_G／Ｌ_P＝５とすれば、Ｉ_F＝０．１Ｉ_P、Ｉ_B＝０．２Ｉ_Pとすれば良いことがわかる。

図３は、レーザ２３においてＬ_F／Ｌ_P＝３、Ｌ_B／Ｌ_P＝６、Ｌ_G／Ｌ_P＝５とした場合の位相調整領域への注入電流と光周波数との実験結果を示すグラフである。ここでは前方ミラー領域４および後方ミラー領域１への注入電流を一定に保ち、位相調整領域２への注入電流のみを変化させた結果を破線で表す。これをΔＩ_P：ΔＩ_F：ΔＩ_B＝１：０：０と表記する。なお図３では前方ミラー領域４への注入電流を１３ｍＡとし、後方ミラー領域１への注入電流を１７ｍＡとした。図３の破線では光周波数が４０ＧＨｚ程度変化するとモードホップが生じていることが分かる。

実線は、前方ミラー領域４および後方ミラー領域１への注入電流を位相調整領域２への注入電流と連動して変化させた結果を示す。ここでは位相調整領域２への注入電流を４＋ΔＩ_P［ｍＡ］としたとき、前方ミラー領域４への注入電流を１３＋０．１＊ΔＩ_P［ｍＡ］とし、後方ミラー領域１への注入電流を１７＋０．２＊ΔＩ_P［ｍＡ］とした場合を実線で示す。この場合の各領域への注入電流の変化の割合をΔＩ_P：ΔＩ_F：ΔＩ_B＝１：０．１：０．２と示す。この場合は位相調整領域２の電流が小さいところでモードホップが存在するものの、１００ＧＨｚ程度光周波数が連続的に変化しており、破線よりもモードが安定していることが分かる。

図４は図３と同じレーザ２３においてΔＩ_P：ΔＩ_F：ΔＩ_Bの割合を変えた実験結果を示す図である。実線は位相調整領域２への注入電流を４＋ΔＩ_P［ｍＡ］としたときに、後方ミラー領域１への注入電流を１７＋０．２＊ΔＩ_P［ｍＡ］とし、前方ミラー領域４への注入電流を１３＋０．０５＊ΔＩ_P［ｍＡ］とした場合を示す。すなわちΔＩ_P：ΔＩ_F：ΔＩ_B＝１：０．０５：０．２の割合となる。破線は前方ミラー領域４への注入電流を１３＋０．２＊ΔＩ_P［ｍＡ］とした場合であり、ΔＩ_P：ΔＩ_F：ΔＩ_B＝１：０．２：０．２となる。

図４においては破線のほうが光周波数の変化量が若干大きいが、どちらも図３の実線と同様にモードが安定していることが分かる。このように、式（９）、（１０）で与えられる前方ミラー領域４および後方ミラー領域１の電流はそれほど厳密なものでなくても十分な効果が得られる。すなわち式（９）、（１０）で与えられる前方ミラー領域４と後方ミラー領域１への注入電流は−５０％〜＋１００％程度の許容量を持つ。

さらに、式（１）〜（５）から分かるように、屈折率変化や波長変化は注入電流の平方根に比例する。すなわち、注入電流が大きいところでは屈折率変化や波長変化の割合が小さくなる。従って、前方ミラー領域や後方ミラー領域の印加電流が大きいところでは式（９）、（１０）で与えられる値の３倍程度を与えたほうがより好ましい。これらのことから本実施形態では、ΔＩ_P：ΔＩ_F：ΔＩ_Bの割合を、１：Ｌ_FＬ_P／２（Ｌ_G＋Ｌ_P）²：Ｌ_BＬ_P／２（Ｌ_G＋Ｌ_P）²から１：３Ｌ_FＬ_P／（Ｌ_G＋Ｌ_P）²：３Ｌ_BＬ_P／（Ｌ_G＋Ｌ_P）²まで変化させても十分な効果を得ることができる。

（第２の実施形態）
図５は本発明に係る波長安定化光源の第２の実施形態を示すブロック図である。図５において、図１と同一部分には同一符号を付して示し、ここでは重複する説明を省略する。図５において、増幅器１１から得られた信号をリミッタ装置５０に入力してその出力を位相調整領域２への注入電流Ｉ_Pとすることにより、制御器１４からの端子１２を不要としている。リミッタ装置５０は信号の下限と上限の両方を制限するもので、例えば、図３の特性例の場合では注入電流Ｉ_Pの下限を５ｍＡとし、上限を２５ｍＡに制限する装置である。このような構成においてもレーザ２３のモードホップを抑圧でき、動作を安定化させることができる。さらにこの実施形態では制御器１４の負荷を最も軽くでき、例えば論理回路でも構成することができるのでハードウェア的な信頼性を高めることも可能になる。

（第３の実施形態）
図６は本発明に係る波長安定化光源の第３の実施形態を示すブロック図である。図６においても、図１と同一部分には同一符号を付して示し、重複する説明を省略する。図６においては増幅器１１から得られた信号６０を制御器１４に入力し、各領域への注入電流を制御器１４の演算により直接生成して供給するようにしている。ΔＩ_P：ΔＩ_F：ΔＩ_Bの割合は第１および第２の実施形態と同様であり、図１、図５の波長安定化部２４により生成される注入電流を、制御器１４の演算のみにより生成するようにしている。この構成によれば制御器１４の負荷が最も重いが、個別素子を削減できるので全体のハードウェア規模を縮小することができる。また演算処理により、前方ミラー領域４と後方ミラー領域１の印加電流値Ｉ_FA、Ｉ_BAが小さい領域では、電流変化ΔＩ_F、ΔＩ_Bの割合を小さくし、Ｉ_FA、Ｉ_BAが大きい領域ではΔＩ_F、ΔＩ_Bの割合を大きく取るといったきめの細かい制御を行うことができる。

Ｉ_FA、Ｉ_BAが小さい領域では位相のずれが小さいので、ΔＩ_Pに対するΔＩ_FおよびΔＩ_Bの割合が小さくても十分にモードホップを抑圧することができる。これに対しＩ_FA、Ｉ_BAが大きい領域では位相のずれが大きく、ΔＩ_Pに対するΔＩ_FおよびΔＩ_Bの割合を比較的大きくしなければ、モードホップを抑圧する効果の薄れる虞がある。そこでＩ_FA、Ｉ_BAの大小に連動してΔＩ_Pに対するΔＩ_FおよびΔＩ_Bの割合を増減すると、広い波長領域において十分なモードホップの抑圧効果を得ることが可能になる。これにより波長の安定性をさらに高めることができる。

なお本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではない。例えばΔＩ_FおよびΔＩ_Bを両者ともに変化させるようにしたが、これらの一方のみを変化させるようにしても良い。この場合、領域の長さ（Ｌ_FまたはＬ_B）の長いほうの電流値を変化させ、短いほうの電流値を固定値とすればよい。

さらに本発明は、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

本発明に係る波長安定化光源の第１の実施形態を示すブロック図。本発明が対象とする半導体レーザの基本構造図。本発明の効果を説明するための実験結果を示す図。本発明の効果を説明するための他の実験結果を示す図。本発明に係る波長安定化光源の第２の実施形態を示すブロック図本発明に係る波長安定化光源の第３の実施形態を示すブロック図。

符号の説明

１…後方ミラー領域、２…位相調整領域、３…ゲイン領域、４…前方ミラー領域、５…出力光、６…分配器、７…出力、９…波長検出器、１０…出力、１１…増幅器、１２…端子、１３…波長設定信号、１４…制御器、１５…加算器、１６…抵抗、１７…端子、１８…加算器、１９…端子、２０…抵抗、２１…加算器、２２…定電流源、２３…半導体レーザ、２４…波長安定化部

Claims

前方ミラー領域と後方ミラー領域との間に位相調整領域とゲイン領域とを有する半導体レーザと、
この半導体レーザから放射されるレーザ光の一部が入射され当該レーザ光の波長に応じた電気信号を出力する波長検出器と、
前記電気信号に基づいて前記前方ミラー領域、前記後方ミラー領域、および前記位相調整領域への注入電流をフィードバック制御して前記レーザ光の波長を安定化する安定化部とを具備し、
この安定化部は、
前記位相調整領域、前記前方ミラー領域、前記後方ミラー領域、前記ゲイン領域のそれぞれの長さをＬ _P 、Ｌ _F 、Ｌ _B 、Ｌ _G とし、
前記電気信号に基づく前記位相調整領域の電流変化をΔＩ _P とし、
前記電気信号に基づく前記前方ミラー領域の電流変化をΔＩ _F とし、
前記電気信号に基づく前記後方ミラー領域の電流変化をΔＩ _B としたとき、
前記安定化部は、ΔＩ _P ：ΔＩ _F ：ΔＩ _B を、
１：Ｌ _F Ｌ _P ／２（Ｌ _G ＋Ｌ _P ） ² ：Ｌ _B Ｌ _P ／２（Ｌ _G ＋Ｌ _P ） ²
から
１：３Ｌ _F Ｌ _P ／（Ｌ _G ＋Ｌ _P ） ² ：３Ｌ _B Ｌ _P ／（Ｌ _G ＋Ｌ _P ） ²
までの間の比率で、前記位相調整領域への注入電流の変化に連動して、前記前方ミラー領域への注入電流と前記後方ミラー領域への注入電流とを、いずれも前記位相調整領域への注入電流の変化より少ない変化量で変化させることを特徴とする波長安定化光源。
前記半導体レーザの初期特性に応じて予め規定される前記前方ミラー領域への設定電流値Ｉ _FA と前記位相調整領域への設定電流Ｉ _PA と前記後方ミラー領域への設定電流値Ｉ _BA とを、与えられる波長設定信号に対応して出力する制御部を備え、
前記安定化部は、
前記前方ミラー領域に電流Ｉ _FA ＋ΔＩ _F を注入し、前記位相調整領域に電流Ｉ _PA ＋ΔＩ _P を注入し、前記後方ミラー領域に電流Ｉ _BA ＋ΔＩ _B を注入することを特徴とする請求項１に記載の波長安定化光源。
前記安定化部は、Ｉ _FA とΔＩ _F とを第１の加算器により加算して前記前方ミラー領域への印加電流値を生成し、Ｉ _PA とΔＩ _P とを第２の加算器により加算して前記位相調整領域への印加電流値を生成し、Ｉ _BA とΔＩ _B とを第３の加算器により加算して前記後方ミラー領域への印加電流値を生成することを特徴とする請求項２に記載の波長安定化光源。
前記安定化部は、Ｉ _FA およびＩ _BA の大小に連動して、ΔＩ _P に対するΔＩ _F およびΔＩ _B の割合を増減することを特徴とする請求項２または３のいずれかに記載の波長安定化光源。
前記半導体レーザは、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）レーザ、ＳＧ−ＤＢＲ（Sampled Grating - DBR）レーザ、またはＳＳＧ−ＤＢＲ（Super-structure Grating - DBR）レーザのいずれかであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の波長安定化光源。
前方ミラー領域と後方ミラー領域との間に位相調整領域とゲイン領域とを有する半導体レーザから放射されるレーザ光の波長に応じた電気信号が与えられ、この電気信号に基づいて前記前方ミラー領域、前記後方ミラー領域、および前記位相調整領域への注入電流をフィードバック制御して前記レーザ光の波長を安定化する波長安定化装置であって、
前記位相調整領域、前記前方ミラー領域、前記後方ミラー領域、前記ゲイン領域のそれぞれの長さをＬ _P 、Ｌ _F 、Ｌ _B 、Ｌ _G とし、
前記電気信号に基づく前記位相調整領域の電流変化をΔＩ _P とし、
前記電気信号に基づく前記前方ミラー領域の電流変化をΔＩ _F とし、
前記電気信号に基づく前記後方ミラー領域の電流変化をΔＩ _B としたとき、
ΔＩ _P ：ΔＩ _F ：ΔＩ _B を、
１：Ｌ _F Ｌ _P ／２（Ｌ _G ＋Ｌ _P ） ² ：Ｌ _B Ｌ _P ／２（Ｌ _G ＋Ｌ _P ） ²
から
１：３Ｌ _F Ｌ _P ／（Ｌ _G ＋Ｌ _P ） ² ：３Ｌ _B Ｌ _P ／（Ｌ _G ＋Ｌ _P ） ²
までの間の比率で、前記位相調整領域への注入電流の変化に連動して、前記前方ミラー領域への注入電流と前記後方ミラー領域への注入電流とを、いずれも前記位相調整領域への注入電流の変化より少ない変化量で変化させることを特徴とする波長安定化装置。
前記半導体レーザの初期特性に応じて予め規定される前記前方ミラー領域への設定電流値Ｉ _FA と前記位相調整領域への設定電流Ｉ _PA と前記後方ミラー領域への設定電流値Ｉ _BA とを、与えられる波長設定信号に対応して出力する制御部を備え、
前記前方ミラー領域に電流Ｉ _FA ＋ΔＩ _F を注入し、前記位相調整領域に電流Ｉ _PA ＋ΔＩ _P を注入し、前記後方ミラー領域に電流Ｉ _BA ＋ΔＩ _B を注入することを特徴とする請求項６に記載の波長安定化装置。
Ｉ _FA とΔＩ _F とを第１の加算器により加算して前記前方ミラー領域への印加電流値を生成し、Ｉ _PA とΔＩ _P とを第２の加算器により加算して前記位相調整領域への印加電流値を生成し、Ｉ _BA とΔＩ _B とを第３の加算器により加算して前記後方ミラー領域への印加電流値を生成することを特徴とする請求項７に記載の波長安定化装置。
Ｉ _FA およびＩ _BA の大小に連動して、ΔＩ _P に対するΔＩ _F およびΔＩ _B の割合を増減することを特徴とする請求項７または８のいずれかに記載の波長安定化装置。
前記半導体レーザは、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）レーザ、ＳＧ−ＤＢＲ（Sampled Grating - DBR）レーザ、またはＳＳＧ−ＤＢＲ（Super-structure Grating - DBR）レーザのいずれかであることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の波長安定化装置。