JP4176067B2 - Chip type LED - Google Patents

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Description

本発明はLED素子(ベアチップ)をセラミックスパッケージに納めたチップタイプLEDに係り、特に、基板にフリップチップ実装したチップタイプLEDに関する。   The present invention relates to a chip type LED in which an LED element (bare chip) is housed in a ceramic package, and more particularly to a chip type LED flip-chip mounted on a substrate.

看板、広告塔等の平面型ディスプレイにはLEDが使用されている。現在量産化されているLEDディスプレイに使用されているLEDは、砲弾型リードタイプLEDと、基板に直接LED素子(ベアチップ)を実装するダイレクトボンディングタイプの2種類ある。砲弾型リードタイプLEDを使用したものは、かなりの高輝度化が実現できるため、屋外用途として主に採用されている。しかし、LEDそのものが大きいため、小型サイズのディスプレイが作りにくい。一方、ダイレクトボンディングタイプは、LEDそのものが小さいため小型サイズのディスプレイは作りやすい。しかし、基板に直接LED素子を実装するので、1つずつLEDの輝度を管理することが難しく、ディスプレイとしての明るさの均一性を保つのが困難とされている。   LEDs are used in flat displays such as signboards and advertising towers. There are two types of LEDs used in LED displays that are currently mass-produced: a bullet-type lead type LED and a direct bonding type in which an LED element (bare chip) is directly mounted on a substrate. Since a bullet-type lead type LED can achieve a considerably high brightness, it is mainly adopted for outdoor use. However, since the LED itself is large, it is difficult to make a small-sized display. On the other hand, the direct bonding type is easy to make a small size display because the LED itself is small. However, since the LED elements are directly mounted on the substrate, it is difficult to manage the brightness of the LEDs one by one, and it is difficult to maintain the uniformity of brightness as a display.

これに対し、従来、図2に示すようなチップタイプLEDがあった。これは、導体層を形成した絶縁性のセラミックス支持部材21の上にLED素子23を載置し、LED素子23の電極24と電極端子22をワイヤーボンディングし、キャビティー内に封止樹脂26を満たして固化した構造である。このチップタイプLEDを1平面の上に表面実装することで高密度表示LEDディスプレイが実現できる。しかも、実装する前にLEDの輝度を確認できるので、ディスプレイとしての明るさの均一性を損なう問題がない。   On the other hand, there has conventionally been a chip type LED as shown in FIG. This is because the LED element 23 is placed on the insulating ceramic support member 21 on which the conductor layer is formed, the electrode 24 and the electrode terminal 22 of the LED element 23 are wire-bonded, and the sealing resin 26 is placed in the cavity. It is a structure that fills and solidifies. A high-density display LED display can be realized by surface mounting the chip type LED on one plane. And since the brightness | luminance of LED can be confirmed before mounting, there is no problem which impairs the uniformity of the brightness as a display.

ところが、このチップタイプLEDは、LED素子23からの発光をワイヤーが遮ることによる輝度低下の問題がある。特に、ワイヤーに金線を使用した場合、青色域に吸収があるため、輝度低下と発光色調変化の問題があった。   However, this chip type LED has a problem of luminance reduction due to the wire blocking light emitted from the LED element 23. In particular, when a gold wire is used for the wire, there is a problem of a decrease in luminance and a change in luminescent color tone due to absorption in the blue region.

また、ワイヤーを保護するために、LED素子23とワイヤーを覆う隔壁でキャビティーを形成してやる必要がある。   Moreover, in order to protect a wire, it is necessary to form a cavity with the LED element 23 and the partition which covers a wire.

さらに、LED素子23をキャビティー内に固定するためには、キャビティー内に封止樹脂26を満たす構造をとることになり、これはLED素子23に通電した時に発生する熱により封止樹脂が膨張し、ワイヤー及びLED素子23の剥がれの原因になり、また、LED素子からの発光の一部の紫外線により、封止樹脂26の劣化を引き起こし、樹脂の透過性が低下することによりチップタイプLEDの輝度低下を引き起こす問題がある。   Furthermore, in order to fix the LED element 23 in the cavity, the cavity is filled with the sealing resin 26, which is caused by the heat generated when the LED element 23 is energized. Chip type LED due to expansion, causing peeling of the wire and the LED element 23, and causing degradation of the sealing resin 26 due to a part of the ultraviolet light emitted from the LED element, thereby reducing the permeability of the resin There is a problem that causes a decrease in brightness.

さらにまた、チップタイプLEDの製法上、基板の上にLED素子を載置し、ワイヤーボンディング、封止樹脂を注入した後に各セラミック支持部材(パッケージ)単位に割り出すことで、チップタイプLEDを得ている。この割り出し時にセラミックス支持部材21に歪みが生じ、LED素子23が脱落する不良が生じる。   Furthermore, on the manufacturing method of the chip type LED, an LED element is placed on the substrate, and after wire bonding and sealing resin are injected, the chip type LED is obtained by indexing each ceramic support member (package). Yes. At the time of the indexing, the ceramic support member 21 is distorted, and the LED element 23 falls off.

従って、本発明はこのような事情に鑑みて成されたものであり、第一の目的は、さらに高密度な表示が可能なLEDディスプレイを実現するチップタイプLEDを提供すること。   Accordingly, the present invention has been made in view of such circumstances, and a first object is to provide a chip type LED that realizes an LED display capable of displaying a higher density.

第2の目的は、LED素子からの発光をワイヤーにより遮断されない構造とすることで輝度を向上することである。   The second object is to improve luminance by adopting a structure in which light emitted from the LED element is not blocked by a wire.

第3の目的は、ワイヤー保護のためのキャビティーを必要としない構造とすることである。   A third object is to provide a structure that does not require a cavity for wire protection.

第4の目的はセラミックス支持部材単位に割り出すときに歪みを生じることが原因で、LED素子が脱落しない構造とすることである。   The fourth object is to provide a structure in which the LED element does not fall off due to distortion that occurs when indexing to the ceramic support member unit.

本発明者は上述した課題に対し鋭意検討した結果、同一面側に一対の電極を有するLED素子をセラミックスLEDパッケージにフリップチップ実装することで課題を解決することを見いだし本発明を完成させるに至った。   As a result of intensive studies on the above-described problems, the present inventors have found that the problem can be solved by flip-chip mounting an LED element having a pair of electrodes on the same surface side to a ceramic LED package, and the present invention has been completed. It was.

すなわち、本発明は、(a)同一面側に一対の電極を有するLED素子と、LED素子を固定しているセラミックスの支持部材を備え、(b)セラミックス支持部材には互いに接近して固定されている一対の電極端子を有し、電極端子は導体ペーストを印刷して導体印刷を施した後、セラミックスグリーンシートの厚み方向に刃でプレスしてセラミックスグリーンシートにハーフカットの割り溝を入れる工程を経て形成されており、(c)LED素子の電極は、セラミックスの支持部材の電極端子に導電性ろう材を介してフリップチップ接続され、(d)LED素子が載置されている平面に対して垂直な方向にあるセラミックス支持部材の外縁は、LED素子が実装されているセラミックス基板を、ハーフカットラインに沿って割り出すことにより形成されており、(e)前記セラミックス支持部材はセラミックスの厚み方向にハーフカットされた部分とハーフカットされずに割れた跡が残った部分とを有するチップタイプLEDに関する。
That is, the present invention includes (a) an LED element having a pair of electrodes on the same surface side, and a ceramic support member fixing the LED element, and (b) the ceramic support member being fixed close to each other. The electrode terminal is printed with a conductor paste and printed with a conductor paste, and then pressed with a blade in the thickness direction of the ceramic green sheet to form a half-cut split groove in the ceramic green sheet the are formed through, the electrode (c) LED element, is flip-chip connected via conductive brazing material to the electrode terminals of the support member of ceramics, with respect to a plane that is placed is (d) LED element The outer edge of the ceramic support member in the vertical direction is to index the ceramic substrate on which the LED element is mounted along the half-cut line. (E) The ceramic support member relates to a chip-type LED having a portion that is half-cut in the thickness direction of the ceramic and a portion that remains unbroken and remains broken.

特に、セラミックス基板上のハーフカットライン上に中心が位置するように補助孔が形成されていることでさらに分割が容易になり、ハーフカットラインの交差点に中心が位置するように補助孔が形成されていることが最も好ましい。   In particular, since the auxiliary hole is formed so that the center is located on the half-cut line on the ceramic substrate, the division is further facilitated, and the auxiliary hole is formed so that the center is located at the intersection of the half-cut lines. Most preferably.

また、チップタイプLEDの製造方法は、以下に示す各工程を備えることを特徴とする。
(p)セラミックスグリーンシートに、チップタイプLEDとして割り出すことで形成される電極を作製するための導体印刷を施す工程、(q)導体印刷を施されたセラミックスグリーンシートにチップタイプLEDとして割り出すためのハーフカットラインを作製する工程、(r)導体印刷とハーフカットラインを作製したグリーンシートを脱脂し、次に焼結する工程、(s)焼結されたセラミックス基板にLED素子をフリップチップ接続する工程、(t)LED素子がフリップチップ接続されたセラミックス基板をハーフカットラインに沿って割り出す工程。
Moreover, the manufacturing method of chip type LED is provided with each process shown below, It is characterized by the above-mentioned.
(P) Conducting a conductor printing for producing an electrode formed by indexing the ceramic green sheet as a chip type LED, (q) For indexing as a chip type LED on the ceramic green sheet subjected to the conductor printing A step of producing a half-cut line, (r) a step of degreasing and then sintering the green sheet on which the conductor printing and the half-cut line were produced, and (s) flip chip connecting the LED element to the sintered ceramic substrate. Step (t) A step of indexing a ceramic substrate to which the LED element is flip-chip connected along a half-cut line.

グリーンシートのハーフカットライン上に中心が位置するように補助孔を形成することで、焼結されたセラミックス基板の分割がさらに容易になり好ましく、グリーンシートのハーフカットラインの交差点に中心が位置するように補助孔を形成することが最も好ましい。   By forming the auxiliary hole so that the center is located on the half cut line of the green sheet, it becomes easier to divide the sintered ceramic substrate, and the center is located at the intersection of the half cut line of the green sheet. Most preferably, auxiliary holes are formed.

本発明は、以上説明したように構成されているので、以下に記載されるような効果を奏する。   Since the present invention is configured as described above, the following effects can be obtained.

本発明に係る構成とすることで、LED素子に給電するためのワイヤーを使用しないフリップチップ接続となり、LED素子からの発光をワイヤーが遮ることがなくなり、そのことによる輝度低下の問題がなくなった。   By adopting the configuration according to the present invention, the flip chip connection without using a wire for supplying power to the LED element is achieved, and the wire does not block the light emission from the LED element, thereby eliminating the problem of lowering the luminance.

また、ワイヤーを保護するキャビティーは必要としない。その結果、チップタイプLEDはコンパクトになり、高密度実装が可能となり、そのことで例えば、高密度表示が可能なLEDディスプレイを実現できる。   Also, a cavity that protects the wire is not required. As a result, the chip-type LED becomes compact and high-density mounting is possible, and thus, for example, an LED display capable of high-density display can be realized.

さらに、従来の構造ではLED素子をキャビティー内に固定するため、封止樹脂をキャビティー内に満たす構造をとることを余儀なくされた。その結果、LED素子に通電した時に発生する熱により封止樹脂が膨張し、樹脂及びLED素子の剥がれの原因になったり、LED素子からの発光の一部の紫外線により、樹脂の劣化を引き起こし、樹脂の透過性が低下することによりLEDの輝度低下を引き起こした。これに対し、本発明の構造では、キャビティーがないために膨張による剥がれ問題はなく、しかも、LEDからの発光が封止樹脂により遮られることもない。   Furthermore, in the conventional structure, in order to fix the LED element in the cavity, it has been forced to take a structure in which the sealing resin is filled in the cavity. As a result, the sealing resin expands due to the heat generated when the LED element is energized, causing the resin and the LED element to peel off, or causing part of the light emitted from the LED element to cause deterioration of the resin, Decreasing the resin permeability caused the LED brightness to decrease. On the other hand, in the structure of the present invention, since there is no cavity, there is no problem of peeling due to expansion, and light emission from the LED is not blocked by the sealing resin.

LED素子をセラミックスの支持部材の電極端子とフリップチップ接続されて、しかも外縁がハーフカットされていることで、セラミックス特有の脆さに加え、精度良く分割でき、しかも、歪みを受けにくくなり、そのためにLED素子の剥がれの問題は最小限に抑えられる。   The LED element is flip-chip connected to the electrode terminal of the ceramic support member, and the outer edge is half-cut, so in addition to the brittleness unique to ceramics, it can be divided with high precision and is less susceptible to distortion. In addition, the problem of peeling of the LED elements is minimized.

また、上記構成とすることにより、割り出し時にLED素子に歪みのかかりにくい、剥がれの歩留まり低下の少ないチップタイプLEDを得ることができる。   Further, by adopting the above-described configuration, it is possible to obtain a chip type LED in which the LED element is less likely to be distorted at the time of indexing and the yield of peeling is reduced.

さらに、上記構成とすることにより、割り出し時にさらにLED素子に歪みのかかりにくい、剥がれによる歩留まり低下の少ないチップタイプLEDを得ることができる。   Furthermore, with the above-described configuration, it is possible to obtain a chip-type LED that is less susceptible to distortion of the LED element at the time of indexing and has a low yield reduction due to peeling.

図面を参照して本発明のチップタイプLEDを説明する。図1は、本発明のチップタイプLEDの模式断面図を示す。図3は、割り出し工程前のセラミックス基板の平面図を示す。図4は、本発明のチップタイプLEDの平面図を示す。セラミックスの支持部材11に一対の電極端子12が形成されており、LED素子13の表面の一対の電極14は導電性のろう材15によりフリップチップ接続されている。LED素子13はセラミックス支持部材と強固に接着させるためにLED素子と支持体の隙間に封止樹脂16が注入されている。   The chip type LED of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of a chip-type LED of the present invention. FIG. 3 shows a plan view of the ceramic substrate before the indexing step. FIG. 4 shows a plan view of the chip type LED of the present invention. A pair of electrode terminals 12 are formed on a ceramic support member 11, and a pair of electrodes 14 on the surface of the LED element 13 are flip-chip connected by a conductive brazing material 15. In order to firmly bond the LED element 13 to the ceramic support member, a sealing resin 16 is injected into the gap between the LED element and the support.

セラミックスの支持部材とは、LED素子を載置して電気的に接続できる構造であれば良く、セラミックスの材料にはアルミナ、窒化アルミニウム、ムライトが好ましく使用できる。支持部材としてセラミックスを選択することで絶縁性があり、その上に印刷法等により導体配線を直接形成することができる。   The ceramic support member only needs to have a structure in which the LED element can be placed and electrically connected, and alumina, aluminum nitride, and mullite can be preferably used as the ceramic material. By selecting ceramics as the support member, there is insulation, and conductor wiring can be directly formed thereon by a printing method or the like.

接近して固定されている一対の電極端子とは、LED素子13を載置して導電性のろう剤15で固定する場合に、電極端子12が同一面側のLED素子13の電極14にショートすることなく給電できる程度接近している状態である。   The pair of electrode terminals that are fixed close to each other means that the electrode terminal 12 is short-circuited to the electrode 14 of the LED element 13 on the same surface side when the LED element 13 is placed and fixed with the conductive brazing agent 15. It is in a state of being close enough to be able to supply power without doing.

フリップチップ接続とは、セラミックス支持部材11の上に設けられた一対の電極端子にLED素子13の一対の電極14を向かい合わせて接続する方式である。この方式により、ワイヤーボンディング接続により発生していた諸問題を解消することができる。   The flip chip connection is a method in which a pair of electrodes 14 of the LED element 13 are connected to a pair of electrode terminals provided on the ceramic support member 11 so as to face each other. By this method, it is possible to solve various problems caused by the wire bonding connection.

LED素子が載置されている平面に対して垂直な方向にあるセラミックス支持部材の外縁とは、セラミックス支持部材を作製する製造工程において、セラミックス基板31に予めLED素子33を接続したものを図中の点線のハーフカットライン38に沿って割り出すことで得られる。このハーフカットライン38によりセラミックス基板の割り出しは極めて容易に行うことができる。この割り出しにより、チップタイプLEDを得る。この割り出し工程を経て作製された外縁47は、ハーフカットラインに沿って形成されているため割れた跡が残るという特徴がある。   The outer edge of the ceramic support member in the direction perpendicular to the plane on which the LED element is placed is the one in which the LED element 33 is connected to the ceramic substrate 31 in advance in the manufacturing process for producing the ceramic support member. It is obtained by indexing along the half-cut line 38 of the dotted line. With this half-cut line 38, the ceramic substrate can be indexed very easily. By this indexing, a chip type LED is obtained. The outer edge 47 produced through this indexing process has a feature that a cracked mark remains because it is formed along the half-cut line.

セラミックス基板のハーフカットライン上に中心が位置するように補助孔が形成されていることで、割り出しは更に容易になる。   Indexing is further facilitated by forming the auxiliary hole so that the center is positioned on the half-cut line of the ceramic substrate.

ハーフカットラインの交差点に中心が位置するように補助孔が形成されていることで、角の部分の不規則な割れを防止することができ、さらに容易にチップタイプLEDに分割することができる。その結果、歪みがないため、LED素子の脱落の不良が起こらない。ハーフカットラインの交差点に補助孔の中心が位置するように正方形の補助孔39が形成された例である。   Since the auxiliary hole is formed so that the center is located at the intersection of the half cut lines, irregular cracks at the corners can be prevented, and the chip type LEDs can be more easily divided. As a result, since there is no distortion, the LED element does not drop out. In this example, a square auxiliary hole 39 is formed so that the center of the auxiliary hole is located at the intersection of the half cut lines.

また、本発明のチップタイプLEDの製造方法について、以下に説明する。図5は、グリーンシートのハーフカットを説明する模式断面図である。   Moreover, the manufacturing method of chip type LED of this invention is demonstrated below. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a half cut of a green sheet.

セラミックスグリーンシートとは、セラミックス基板を作製するのに用いる、例えば、アルミナ等を主成分とし、これに有機バインダー、溶剤、分散剤を加えてシート状にしたものである。これに、例えばタングステンを主成分とする導体ペーストを印刷することで導体印刷ができる。   The ceramic green sheet is a sheet formed by, for example, using alumina or the like as a main component and adding an organic binder, a solvent, and a dispersant to the ceramic substrate. For example, conductor printing can be performed by printing a conductor paste mainly composed of tungsten.

ハーフカットとは、グリーンシートの厚み方向に刃でプレスすることによりグリーンシートに割溝を入れることである。すなわち完全に切り取るのではなく、一部を残してカットする。   Half-cutting is to put a split groove in the green sheet by pressing with a blade in the thickness direction of the green sheet. In other words, it is not completely cut out, but is cut out leaving a part.

グリーンシートの脱脂は、グリーンシートのバインダー、溶剤を燃焼分解して除去することであり、その後の焼結工程により、セラミックスの粉は焼結してセラミックス基板を形成する。又、導体印刷は導体配線を形成する。ここで、セラミックス基板とは導体配線を持ったLEDを複数個実装できる基板のことを指し、セラミックス支持部材は、セラミックス基板をこれをハーフカットラインに沿って分割したことで得られる。また、セラミックス支持部材11の上にある電極端子は、セラミックス基板の導体配線がこのハーフカットラインで分割することにより形成される。   The degreasing of the green sheet is to remove the binder and solvent of the green sheet by combustion decomposition, and in the subsequent sintering step, the ceramic powder is sintered to form a ceramic substrate. Conductor printing also forms conductor wiring. Here, the ceramic substrate refers to a substrate on which a plurality of LEDs having conductor wiring can be mounted, and the ceramic support member is obtained by dividing the ceramic substrate along a half-cut line. The electrode terminal on the ceramic support member 11 is formed by dividing the conductor wiring of the ceramic substrate along this half cut line.

グリーンシートのハーフカットライン上に中心が位置するように補助孔を形成することで、焼結されたセラミックス基板の分割がさらに容易になり好ましく、グリーンシートのハーフカットラインの交差点に中心が位置するように補助孔を形成することが最も好ましい。   By forming the auxiliary hole so that the center is located on the half cut line of the green sheet, it becomes easier to divide the sintered ceramic substrate, and the center is located at the intersection of the half cut line of the green sheet. Most preferably, auxiliary holes are formed.

図3は、割り出し工程前のセラミックス基板の平面図を示す。図4は、本発明のチップタイプLEDの平面図を示す。図6は、導体印刷を形成したグリーンシートの平面図である。図7は、補助孔を開けたグリーンシートの平面図である。   FIG. 3 shows a plan view of the ceramic substrate before the indexing step. FIG. 4 shows a plan view of the chip type LED of the present invention. FIG. 6 is a plan view of a green sheet on which conductor printing is formed. FIG. 7 is a plan view of a green sheet with auxiliary holes.

アルミナ粉末に溶剤、分散剤、バインダー、および可塑剤を加えてスラリー状として、ドクターブレード法により、該アルミナスラリーを流出させ、乾燥し、グリーンシートを得た。   A solvent, a dispersant, a binder, and a plasticizer were added to the alumina powder to form a slurry, and the alumina slurry was discharged by a doctor blade method and dried to obtain a green sheet.

これに常法に従い、グリーンシートの両面の導体印刷をつなぐ目的でスルーホールを開け、スクリーン印刷法によりタングステンペーストを両面に印刷し、導体印刷62を施したグリーンシートを得た。   According to a conventional method, through holes were opened for the purpose of connecting conductor printing on both sides of the green sheet, and a tungsten paste was printed on both sides by a screen printing method to obtain a green sheet subjected to conductor printing 62.

次に、プレス機を用いて正方形の補助孔を貫通し、その後に補助孔に中心が位置するように切断機を用い、ハーフカットラインを形成した。   Next, a half-cut line was formed using a cutting machine so that a square auxiliary hole was penetrated using a press machine, and the center was located in an auxiliary hole after that.

補助孔とハーフカット加工したグリーンシートを常法に従い、乾燥、脱脂、焼結することで、タングステン導体配線が形成されたセラミックス基板を得た。タングステン導体配線に貴金属メッキを施した。   The auxiliary hole and the half cut processed green sheet were dried, degreased and sintered according to a conventional method to obtain a ceramic substrate on which a tungsten conductor wiring was formed. Noble metal plating was applied to the tungsten conductor wiring.

LED素子13は、下面に一対の電極を有し、電極に通電すると上方に光を放射する構造をしている。LED素子には、例えば、サファイアの基板の上に窒化物半導体を成長させ、活性層が一般式InxAlyGa1-x-yNで表現できる窒化物系のLEDが使用できる。この種のLEDはxの値に応じて発光ピーク波長が自在に変化できる。例えば、x=0.3に設定すればピーク波長が450nmの青色発光を得、x=0.53に設定すればピーク波長が520nmの緑色発光を得、x=0.95に設定すればピーク波長は630nmの赤色発光を得ることができる。しかし、本発明に利用できるLEDは窒化物系に限らず、このようなフリップチップ実装できる、同一面側に一対の電極がある構造のLEDならば全て使用することができる。   The LED element 13 has a pair of electrodes on the lower surface and emits light upward when the electrodes are energized. For the LED element, for example, a nitride-based LED in which a nitride semiconductor is grown on a sapphire substrate and the active layer can be expressed by the general formula InxAlyGa1-x-yN can be used. In this type of LED, the emission peak wavelength can be freely changed according to the value of x. For example, if x = 0.3 is set, blue light emission having a peak wavelength of 450 nm is obtained, if x = 0.53, green light emission having a peak wavelength of 520 nm is obtained, and if x = 0.95 is set, peak light emission is obtained. Red light emission with a wavelength of 630 nm can be obtained. However, the LED that can be used in the present invention is not limited to the nitride system, and any LED that can be flip chip mounted and has a pair of electrodes on the same surface side can be used.

セラミックス基板11の上に配線された導体配線12に、導電性のろう材15を介してLED素子の一対の電極14を電気的に接続した。導電性ろう剤は、例えば半田などの低融点金属、導電剤と接着剤とを混練りした金属ペーストが使用できる。LED素子13をセラミックス基板の上に強固に固定するために封止樹脂16がLED素子とセラミックス基板の隙間に注入されている。   A pair of electrodes 14 of the LED element was electrically connected to the conductor wiring 12 wired on the ceramic substrate 11 via a conductive brazing material 15. As the conductive brazing agent, for example, a low melting point metal such as solder, or a metal paste in which a conductive agent and an adhesive are kneaded can be used. In order to firmly fix the LED element 13 on the ceramic substrate, the sealing resin 16 is injected into the gap between the LED element and the ceramic substrate.

ハーフカットライン38に沿って割り出すことにより、セラミックス支持部材11の上に電極端子12を形成され、その上にLED素子がフリップチップ接続され、外縁17がハーフカット加工されているチップタイプLEDを得た。   By indexing along the half-cut line 38, the electrode terminal 12 is formed on the ceramic support member 11, the LED element is flip-chip connected to the chip-type LED, and the outer edge 17 is half-cut processed. It was.

本発明のチップタイプLEDは、ディスプレイ、照明装置等に利用することができる。   The chip type LED of the present invention can be used for a display, a lighting device and the like.

本発明のチップタイプLEDの模式断面図を示す。The schematic cross section of chip type LED of this invention is shown. 比較のためのチップタイプLEDの模式断面図を示す。The schematic cross section of chip type LED for a comparison is shown. 割り出し工程前のセラミックス基板の平面図を示す。The top view of the ceramic substrate before an indexing process is shown. 本発明のチップタイプLEDの平面図を示す。The top view of chip type LED of this invention is shown. グリーンシートのハーフカットを説明する模式断面図である。It is a schematic cross section explaining the half cut of a green sheet. 導体印刷を形成したグリーンシートの平面図である。It is a top view of the green sheet which formed conductor printing. 補助孔を開けたグリーンシートの平面図である。It is a top view of the green sheet which opened the auxiliary hole.

符号の説明Explanation of symbols

11、21 セラミックス支持部材
12、22 電極端子
13、23、33 LED素子
14、24 電極
15 ろう剤
16、26 封止樹脂
17 外縁
31 セラミックス基板
32 導体配線
38 ハーフカットライン
39 補助孔
61 グリーンシート
62 導体印刷
11, 21 Ceramic support members 12, 22 Electrode terminals 13, 23, 33 LED elements 14, 24 Electrode 15 Brazing agent 16, 26 Sealing resin 17 Outer edge 31 Ceramic substrate 32 Conductor wiring 38 Half cut line 39 Auxiliary hole 61 Green sheet 62 Conductor printing

Claims (4)

(a)同一面側に一対の電極を有するLED素子と、LED素子を固定しているセラミックスの支持部材を備え、(b)セラミックス支持部材には互いに接近して固定されている一対の電極端子を有し、電極端子は導体ペーストを印刷して導体印刷を施した後、セラミックスグリーンシートの厚み方向に刃でプレスしてセラミックスグリーンシートにハーフカットの割り溝を入れる工程を経て形成されており、(c)LED素子の電極は、セラミックスの支持部材の電極端子に導電性ろう材を介してフリップチップ接続され、(d)LED素子が載置されている平面に対して垂直な方向にあるセラミックス支持部材の外縁は、LED素子が実装されているセラミックス基板を、ハーフカットラインに沿って割り出すことにより形成されており、(e)前記セラミックス支持部材はセラミックスの厚み方向にハーフカットされた部分とハーフカットされずに割れた跡が残った部分とを有するチップタイプLED。 (A) an LED element having a pair of electrodes on the same surface side, and a ceramic support member fixing the LED element; (b) a pair of electrode terminals fixed to each other close to the ceramic support member The electrode terminal is formed through a process of printing a conductive paste by printing a conductive paste and then pressing the blade in the thickness direction of the ceramic green sheet with a blade to put a half-cut split groove in the ceramic green sheet. , the electrodes of (c) LED element, is flip-chip connected via conductive brazing material to the electrode terminals of the support member of ceramics, in a direction perpendicular to the plane which is placed thereon (d) LED element The outer edge of the ceramic support member is formed by indexing the ceramic substrate on which the LED element is mounted along the half-cut line. (E) The ceramic support member is a chip-type LED having a portion that is half-cut in the thickness direction of the ceramic and a portion that remains unbroken and remains broken. (p)セラミックスグリーンシートに、チップタイプLEDとして割り出すことで形成される電極を作製するための導体印刷を施す工程、(q)導体印刷を施されたセラミックスグリーンシートにチップタイプLEDとして割り出すためセラミックスグリーンシートの厚み方向に刃でプレスしてセラミックスグリーンシートにハーフカットの割り溝を入れ、ハーフカットラインを作製する工程、(r)導体印刷とハーフカットラインを作製したセラミックスグリーンシートを脱脂し、次に焼結する工程、(s)焼結されたセラミックス基板に、同一面側に一対の電極を有するLED素子をフリップチップ接続する工程、(t)LED素子がフリップチップ接続されたセラミックス基板をハーフカットラインに沿って割り出す工程、とを備えることを特徴とするチップタイプLEDの製造方法。(P) Conductive printing for producing an electrode formed by indexing the ceramic green sheet as a chip type LED, (q) Ceramics for indexing as a chip type LED on the ceramic green sheet subjected to the conductor printing A step of creating a half cut line by pressing with a blade in the thickness direction of the green sheet to create a half cut line in the ceramic green sheet, (r) degreasing the ceramic green sheet that produced the conductor printing and the half cut line, Next, a step of sintering, (s) a step of flip-chip connecting an LED element having a pair of electrodes on the same surface side to the sintered ceramic substrate, and (t) a ceramic substrate on which the LED element is flip-chip connected. A step of indexing along the half-cut line Method for manufacturing a chip type LED, wherein the door. セラミックスグリーンシートのハーフカットライン上に中心が位置するように補助孔を形成することを特徴とする請求項2に記載のチップタイプLEDの製造方法。  The method for manufacturing a chip-type LED according to claim 2, wherein the auxiliary hole is formed so that the center is located on the half cut line of the ceramic green sheet. セラミックスグリーンシートのハーフカットラインの交差点に中心が位置するように補助孔を形成することを特徴とする請求項2に記載のチップタイプLEDの製造方法。  The method for manufacturing a chip-type LED according to claim 2, wherein the auxiliary hole is formed so that the center is located at the intersection of the half cut lines of the ceramic green sheet.
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