JP4167901B2 - 治療用目的の照射装置 - Google Patents

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Description

本発明は、治療用目的の照射装置、特にHIVまたはプリオン感染、皮膚や粘膜の真菌性疾患、皮膚や粘膜の細菌性疾患、並びに手湿疹または肛門湿疹などの皮膚、結合組織および内部器官、ウイルス性および他の感染症の急性あるいは慢性の、全体的あるいは部分的な細胞性炎症を治療するための照射装置に関する。
治療用照射配置は、皮膚疾患の光治療の分野で長い間既知であった。この特定な用途に従えば、患者は315〜1500nmの間の波長の照射を受ける。特に、315〜340nm(UV−A2)の間の波長領域は発ガンリスクの増大を伴い、そこで、アトピー性湿疹の治療ではUV−A1治療(340〜400nm)が使用される。
光化学的治療は、一般的な意味で、治療効果を得るために光学的な照射の一般的な使用を包含する。光化学的治療の下位の専門分野は光力学的治療(PDT)である。PDT適用の主分野は、ガン治療と全体的あるいは部分的な細胞性皮膚炎症の治療である。両方のPDT適用の共通の特徴は反応性酸素種の発生である。全身的あるいは局所的に与えられる染料分子を励起し、励起状態に転換する光学的照射により、これを行う。存在する酸素分子との相互作用により、反応性酸素種が生成し、これが細胞にダメージを与えるか、あるいは細胞を破壊する。
PDTによるがん治療は、腫瘍細胞の破壊を目的としているが、2つの適用分野に区分される。主な適用は内臓の治療である。この方法は、レーザーを光ファイバーにより腫瘍まで輸送し、小さい点状領域を照射する光学的照射を包含する。加えて、患者は光増感剤を投与される。
これは、腫瘍組織の灌流とその部分における酸素を減少させ、反応性酸素種の発生も制約する問題を提供する。従がって、腫瘍組織の酸素含量を増加させ、反応性酸素種の発生を促すために、患者に酸素を吸入させることは、PDTによる内臓の腫瘍治療における既知の方法である。酸素消費の増大のために、パルスオフ間隔において新鮮な酸素を組織中に拡散させるように、照射源をパルス動作させることは既知である。
PDTによる腫瘍治療の第2の分野は、自然に存在する酸素のために追加の酸素が与えられない特にメラノーマなどの表皮腫瘍の治療である。
腫瘍とは別に、全体的あるいは部分的な細胞性皮膚炎症は、通常、大きな領域の皮膚を覆うので、例えば、5cm〜2mの大きな領域を一度に覆うことができる照射源が推奨の手段である。腫瘍とのもう一つの差異は、炎症領域中の紅斑により認識可能である炎症中の血流の増加である。更には、増感剤の外因性の適用はなく、そこで一重項酸素(例えば、内因性ポルフィリンの光力学的効果を使用することにより)の光治療的に誘起された関与を仮定しても、酸素濃度の相当な減少が皮膚中の三重項効率の減少に重要な効果を殆どあるいは全く及ぼさないことを結論とすることができる。これ以外に、内因性の光増感剤の最大濃度は、全身的あるいは局所的な適用により実施可能な濃度の数桁下である。前述の良好な灌流が光/酸素の組み合わされた治療が、細胞性疾患の治療において試みられなかった理由である。
全体的あるいは部分的な細胞性疾患の治療において主に使用されるPDT法は、340〜400nmの間の波長領域を用いる高線量のUVA1治療である。満足な治療用効果を得るために、これは、例えば60mW/cm以上の高線量の使用を必要とする。それにもかかわらず、治療を受けた患者の20〜30%はUVA1治療に反応しない。
皮脂線中に富化された皮膚領域のブロックされた小胞中のバクテリアの増殖により引き起こされる皮膚疾患である座瘡を角化症と一緒に、著しい比率のUVAを含まない400〜440nmの範囲の青色光により治療することは既知であるが、成功は限定的であった。
ここで、本発明者らは非特許文献1の論文に言及するが、これは更なる文献のリファレンスを包含する。この形の治療は、ウッドランプを用いる皮膚病学的試験の一部として座瘡小胞の赤色蛍光を使用することでスタートした。蛍光用に求められる源は、プロピオン酸菌属座瘡中の大量のポルフィリンの貯蔵であった(非特許文献2)。ポルフィリンの主吸収(ソーレー帯)が420nm近傍なので、メファ(Meffert)らが青色光により座瘡小胞を治療したことは明白であった。ポルフィリンの最長波長帯は630nmであるので、光力学的小胞治療に好ましく、そして、この目的に使用される4mmの透過深さ(penetration depth)を有する。
特許文献1により405〜440nmの範囲の少なくとも一つの狭帯域スペクトルを有して成るこのような照射装置が既知である。このスペクトルの代替的あるいは累積的な領域として、610〜670および520〜550nmの波長間隔が示されている。治療効能の更なる改善のために、照射の前あるいは間に酸素富化されたエマルジョンを与えることにより、照射領域内の酸素濃度を増加することが提案されている。このための照射強度は10〜500mW/cmの間である。
特許文献2によりハウジング中に搭載され、そして治療のためにパルス光を発光するのに好適な非コヒーレントな光源および光学ファイバーのケーブルを通ることなく罹患皮膚領域上に出射される光線を規定するハウジング中の開口部を備えたハウジングを包含して、このように、光学ファイバー付きの装置よりも広い照射領域を示す、皮膚領域中の血管疾患を治療するための装置であって、低カットオフフィルターも包含し、このようにこのスペクトルの可視およびUV部をカットオフし、このインコヒーレント光源が300〜1000nmの間の波長を組み合わせた光線を出射する装置が既知である。この光源は、1〜10msの間の時間パルスを供給するために、パルス形成ネットワークへの電気的接続を有し、皮膚治療領域中の皮膚の下の血管を加熱し、そして血管中で血液凝固を引き起こすために、出射光が低カットオフフィルターを通り、そして皮膚を火傷させずに所望の深さまで皮膚を透過するように、出射光線が30〜100J/cmの間のエネルギー密度を生じる。そこで記述されている血液凝固は、全体的あるいは部分的な細胞性皮膚炎症または座瘡の治療において避けられるべきものであり、そこでこの記述の装置はPDTには好適でない。
特許文献3により600〜1200nmの範囲のパルス光を出射し、それにより、壊死の閾値以下で熱を組織の中に結合して、皮膚のコラーゲンを収縮せしめる照射源を包含する、皮膚を引き締めるための照射装置が既知である。このパルスエネルギーは、大部分は1J/cm近傍の範囲である。このパルス照射ピークは、100〜1000W/cmの出力を示す。一つの治療に対する好ましい全エネルギーは、100J/cmとして与えられる。
特許文献4により500〜850nmの波長間隔のパルス光を出射する照射源を包含し、パルスエネルギーが5J/cm未満である皮膚を引き締めるための照射配置が既知である。
特許文献5により主としてT細胞性の皮膚疾患、特に、アトピー性皮膚炎、皮膚のT細胞リンパ腫、紅色苔癬、円形脱毛症、全身性エリテマトーデスおよび乾癬を治療するための治療用および美容用目的の照射配置が既知であり、この照射装置は光学的照射の少なくとも一つの光源を有して成り、罹患領域上に400〜440nmの波長間隔で少なくとも2mW/cmの強度と300〜400nmの波長間隔で21%未満の強度を生じる。この照射装置は、400〜440nmの範囲の照射の驚くべき効率を利用し、これは、これまでは治療を拒んできた紅色苔癬のような皮膚疾患を治療することが可能であり、そして主としてT細胞性の皮膚疾患を治療するための照射装置を提供し、そしてUVAに比べて劇的に低減された発ガン性により子供の治療用の可能性も提供する。
本特許は、また、青色光の効率モードに対して、照射強度に対して患者に特異的な閾値が存在するという事実も述べている。この記述は、各患者の皮膚中のメラニンおよび/または抗酸化剤の特定の含量に基づき、60mW/cm以上、あるいは100mW/cm以上の照射強度が好ましくは加えられる。
特許文献6により組織中のがん細胞を治療するための治療用照射配置が既知であるが、これは、診断用および治療用モードを特徴とする。この照射源は広帯域フラッシュランプであり、このスペクトルは動作モードに従ってフィルターにより変成される。治療モードにおいては、光源は、600〜1000nmまたは600〜700nmの範囲の光を出射し、パルスは、0.1〜20J/cmの間のエネルギー密度を示す。ここでの強度は100〜2000mW/cmである。診断モードは青色光におけるがん細胞の蛍光を利用する。好適な光学的配置により蛍光を記録し、分析することができる。この目的のために、試験対象の組織は、400nmにピークを持つ350〜500nmの間のスペクトル範囲のパルスにより照射される。このパルス周波数は0.02〜2Hzの間に存し、0.1〜1000msの間のパルス長である。この光は0.02〜4J/cmの間のエネルギー密度で石英円筒または光ファイバーの中に結合される。試験領域のサイズは、石英円筒または光ファイバーと皮膚表面の間の距離に依存する。この照射の非コヒーレンス性により、照射エネルギーの一部分のみが光ファイバーの中に結合可能である。しかしながら、エネルギーの大部分を石英円筒の中に結合することが可能であるが、この光線は円筒を出る時に極めて拡げられる。例えば、0.5cmの領域と5cmの観察距離で、治療対象上でのエネルギー密度は500分の1に減少する。しかしながら、蛍光を観察するには、これらの観察用円筒が必要であり、これは、特許文献7に例示的に記載されている。これは、皮膚の上に0.04〜8mJ/cmのやや低いエネルギー密度を生じるが、診断用の目的には充分である。
WO00/02491明細書 EP0 565 331 B1 米国特許第5,964,749号明細書 WO00/53114明細書 WO00/28575明細書 EP 0 726 083 A2 米国特許第6,021,344号明細書 米国特許第4,167,669号明細書 米国特許第3,521,111号明細書 米国特許第3,540,789号明細書 WO96/13851明細書 米国特許第5,184,044号明細書 V. Sigurdsson(V.シガードソン)ら著「Phototherapy of Acne Vulagris with visible Light(可視光線による尋常性座瘡の光線療法)」Dermatologie出版、1997年、第194巻;第3号、p.256〜260 Mc Ginly (マクギンリー)ら著「Facial follicular porphyrin fluorescence. Correlation with age and density of propionibacterium acnes, Br. J. Dermatol(顔面毛包性ポルフィリンの蛍光。プロピオン酸菌属の座瘡の年齢と密度の相関関係)」1980年、第102巻、第3号、p.437〜441 ICNIRP(IRPA)-International Commission on Non-Ionizing Radiation Protection Association(国際非電離放射線防護委員会)による「Guidelines on limits of exposure to ultraviolet radiation of wavelengths between 180 nm and 400 nm(波長180nm〜400nmの紫外線放射の照射制限におけるガイドライン)」Health Physics(保険物理)出版、1985年、第49巻、p.331〜340 「Proposed change to the IRPA 1985 guidelines on limits of exposure to ultraviolet radiation(国際放射線防護学会による1985年の紫外線放射波長の照射制限におけるガイドラインへの変更案)」Health Physics(保険物理)出版、1989年、第56巻、p.971〜972
本発明は、皮膚と内臓の急性あるいは慢性の全体的あるいは部分的な細胞性炎症を治療するための、あるいはHIVまたはプリオン感染、皮膚や粘膜の真菌性疾患、皮膚や粘膜の細菌性疾患、並びに手湿疹または肛門湿疹などのウイルス性および他の感染症を治療するための照射配置を提供する技術的な問題に基づいている。
この技術的問題の解決は請求項1に与えられている特徴の目的から得られる。本発明の他の好ましいバリエーションは従属請求項から得られる。
この目的のために、この照射装置は、広範な領域の照射のための少なくとも一つの照射源を含み、出射照射波長が400nmよりも高く、かつ400〜500nmの波長領域の少なくとも一つの部分を有して成り、皮膚と内臓の全体的あるいは部分的な細胞性炎症を治療するための照射装置であって、この照射配置がこの治療対象領域上に光学パルスを発生するための手段を有して成り、この光学パルスピークの照射強度が0.5W/cm〜100kW/cmの間であり、一つの出射光学パルスのエネルギー密度が0.05〜10J/cmの間にあるものである。この照射装置を皮膚表面と直接接触させてもよい場合には、照射強度とエネルギー密度に対するデータは照射対象領域に関する。用語「広範な」は、本明細書では0.1cmよりも大きい領域に関する。400nm以上とは、全光学出力の7%未満がUV範囲で出射され、少なくとも30%の光学出力が400〜500nmの範囲で出射されるという意味である。UVBとUVCのパーセントは無視し得るほど小さく(全発光の0.1%以下であり)、UV発光の残りの部分がUVA1とUVA2で、その比が1:10であるが、これは、残りのUV発光の主要部分がUVA1の範囲、すなわち340〜400nmの間にあることを意味する。もう一つの好ましい実施形態は、残りのUVパーセントの全光学発光の3.5〜5%未満と400〜500nmの範囲に全光学発光の40%以上を有する。
本発明は、パルス照射時には(科学文献に記述されるものと別に)ピーク出力時間の間の一重項酸素の発生がcw照射時よりも数桁高いという発見を利用している。高ピーク出力のもう一つの利点は、皮膚の深層も充分な照射強度を受け、青色光の低透過深さにより、通常、cw照射の一部しかこれらの深層には到達しないという事実である。加えて、パルス照射エネルギーはより強力な光生物学的効果を有する。cw照射とパルス照射の等しい累積照射量を仮定し、cw照射に対しても70mW/cmの強度を仮定すると、照射入力の60mW/cmは一定のオフセットとして皮膚の酸化防止剤により中和されるので、光生物学的効果には10mW/cmしか残らないことが理解されるであろう。パルス照射を使用することにより、一定のオフセットによる光生物学的効率の減少を有効に低減することができることは明白である。kW出力範囲でのパルス出力ピークは、皮膚の抗酸化剤効果により限界的にしか影響を受けない。細胞の壊死を避け、しかしアポトーシスのみを誘起するように、平均のエネルギー供給が選択される。同様に、この治療は、特許文献2で目標としたアブレーション閾値以下である。隣接層との間の熱交換を許容しない時間内に組織中に2500J/cm以上のエネルギーが蓄積された時に組織アブレーションが起こる。照射時間が皮膚の外層の皮膚の最上層の緩和時間以下であるパルス生成による時間変調のために、容易に除去可能な温熱療法が達成される。400〜500nmの範囲の光は200μm後にそのエネルギーの50%を失う。200μmの直径の構造に対して見積もられる熱緩和時間はほぼ20msであり、これは、<20msの光の保持期間を仮定すると、深層中でいかなるエネルギー蓄積もなく皮膚の外層のみが加熱されることを意味する。
既述の適用分野のほかに、この照射配置を火傷の消毒または下脚の静脈性潰瘍の治療にも使用することができる。いままでは、これらはUV光による治療が行われ、時には一時的な改善をもたらすが、長期的には傷治癒における合併症をしばしばもたらした。これらの短命の効果は、UV光の殺菌効果にこれらの原因があり、複雑さは修復不能の細胞損傷から生じる。好ましくは400〜500nmのスペクトル範囲、更に好ましくは430〜490nmの範囲の光学パルス付きのUVを含まない時間変調の照射は、初期的に、FPG−エンドヌクレオチダーゼのために真核生物により容易に補修可能な細胞中の酸化的損傷を引き起こす。ブドウ状球菌または連鎖球菌などの原核生物は、これらの酵素を持たないが、この種類の損傷に対して更に感度が高く、従がって選択的に殺すことが可能である。
同様に、この照射配置を座瘡と座瘡瘢痕の治療に使用することができる。ここでは、他の機構のうち、コラゲナーゼを活性化して、瘢痕を平坦化させる。同一の効果を強皮症の治療で観察することができ、この照射配置の適用がコラーゲンプラークの有効な低減を引き起こすことができる。更には、パルス照射を使用することにより、強皮症の患者の循環リンパ球に及ぼす顕著な効果がある。5回の照射の後75%のキラーリンパ球の特別な減少が起こる。循環リンパ球の数は約25%減少した。活性化されたリンパ球は、内部色素の変化により使用される照射に対して感度を持つようになるという事実により、これらの発見を説明することができる。
パルス照射源により、あるいは治療対象領域にわたる照射源の相対運動により、パルスを発生させることができる。
好ましくは、有効パルス長は1μs〜500msの間である。この相対的に広い範囲は、パルス照射源に対する、また走査装置の形の相対的運動に対する異なる好ましい有効パルス長から派生する。しかしながら、この走査装置は、好ましくは大きな領域を覆う皮膚疾患の治療に使用される。
フラッシュランプに対する好ましい有効パルス長は、1μs〜50msの間、更に好ましくは10μs〜10msの間、そして最も好ましくは100〜600μsの間であり、パルスオン/オフ期間は非対称的である。
走査装置の実施形態においては、好ましい有効パルス長は、1ms〜500msの間、更に好ましくは20〜100msの間である。有効パルス長は、最大性能の50%の到達と最大性能の50%までの低下の間の時間を意味する。欠乏酸素を拡散させるために、パルス間のオフ期間は有効パルス長よりも長い。パルスオン/オフ期間の比は、好ましくはこの走査装置に対しては3〜3000の間であり、そしてフラッシュランプに対しては100〜100,000の間である。
もう一つの効果は、壊死が起こらないようなパルスオフ期間時の照射領域の熱冷却である。
もう一つの好ましい実施形態においては、この照射源に対するパルス周波数は、高周波数と共に短い有効パルス長と低パルスエネルギーを用いて、0.01〜100Hzの間、更に好ましくは0.05〜50Hzの間、そして更に好ましくは0.3〜3Hzの間である。
酸素の拡散と熱冷却を改善するために、新しいパルスシリーズを発生する前に一連のパルス、好ましくは例えば100パルスの後に数秒と数分の間のより長いパルスオフ間隔が存在する。酸素の極めて長い拡散時間により長いパルスオフ間隔の前に丁度一つの単一パルスを投与する適用もある。これらの休止の長さは1〜数時間で変化することができる。特に、慢性疾患の治療のためには、例えば、ベルト、照射用毛布または照射用床として照射配置を患者に割り当てて、例えば時間当たり1パルスを与えることができる。これらの長い休止は、組織中の熱問題または酸素の拡散を無視し得るものとする。
有効パルス長がパルス照射源または相対運動をしている照射源のいずれかに依存するのに従って、パルス当たりの好ましい照射強度またはピーク出力密度も異なる。
パルス照射源の実施形態においては、パルス当たりの照射強度は、1W/cm〜100kW/cmの間、好ましくは50W/cm〜50kW/cmの間、更に好ましくは500W/cm〜10kW/cmの間、そして最も好ましくは1kW/cm〜5kW/cmの間である。パルス当たりのエネルギー密度は、50mJ/cm〜10J/cmの間、好ましくは100mJ/cm〜1J/cmの間、そして最も好ましくは300〜1000mJ/cmの間である。
加えて照射源もパルス化されている走査装置の実施形態においては、パルス当たりの照射強度は、500mW/cm〜500W/cmの間、好ましくは1〜300W/cmの間、そして最も好ましくは50〜200W/cmの間である。パルス当たりのエネルギー密度は、50mJ/cm〜10J/cmの間、好ましくは100〜1000mJ/cmの間、そして最も好ましくは150〜500mJ/cmの間にある。
極めて重篤な疾患の治療に対しては1〜10J/cmの間の高いエネルギー密度が好ましくは使用され、治療領域の充分な冷却の問題を提起する。
光学パルスの平均cw照射強度は、好ましくは1mW/cm〜10W/cmの間、更に好ましくは5〜500mW/cmの間、そして最も好ましくは10〜200mW/cmの間にある。平均cw照射強度は、一つの全期間の間等強度で継続される一つのパルスの値を意味する。
もう一つの好ましい実施形態においては、照射源は、スペクトルの望ましくない部分をスペクトルの所望部分に抑制および/または変換するための配置と組み合わせたXe−フラッシュランプである。これらの標準Xe−フラッシュランプは安価であり、400〜500nmの間の波長のスペクトルの所望部分で充分な強度の光を出射する。ここで、これらの発明においてはアブレーション閾値を意識的に越えているので、本発明者らは、例えば特許文献8または特許文献2を参照するが、そこで記述されているパルスエネルギーは本発明には高過ぎる。放電チャンネル中の電力密度に依存して、Xe−フラッシュランプは、スペクトルの点で黒体に多少なりとも匹敵することができ、これらの通常の発光は200〜2000nmの間である。スペクトルの望ましくない部分を既知の標準フィルターによりカットオフすることができる。好ましい実施形態においては、Xe−フラッシュランプをガリウム、インジウムおよび/またはこれらの対応するハロゲン化物により充填することにより、スペクトルの所望青色部分を増加させることができる。更に、スペクトルの青色部分の効率を増加させるために、このXe−フラッシュランプを水銀、ヨウ化水銀またはアマルガムによってドーピングすることができる。純粋なXe−フラッシュランプに対しては、照射率は、ほぼ40mm長および3.2mm直径の電極について最良であり、供給電圧はほぼ600Wであった。あるいは、重水素フラッシュランプも適用可能である。
もう一つの可能な照射源は、過負荷パルス化ヨウ化水銀−ガリウムランプである。過負荷とは、最大放電エネルギーが公称ランプ電流の3〜1000倍であり、パルス放電エネルギーが好ましくは15〜1500A/cm放電容器の断面積の間であると定義される。同一の標準金属蒸気水銀ハライドランプの記述は、例えば、特許文献9、特許文献10および特許文献11に見出される。
特許文献12は、ランプの構造に関して、インジウムスペクトルの反転が既にあるので、20Wのランプ性能と55Vの電圧低下、8A/cm放電容器断面積のランプ電流が最大の推奨可能なランプ負荷に相当することを示している。電流密度の更なる増加は反転を完全欠乏まで増幅する。
穏やかな過負荷動作でもスペクトル発光の顕著な弱化または完全な喪失を引き起こすので、いままで、これらを過負荷動作したことはない。254nmでの水銀発光、488nmでのナトリウム発光、および450nmでのインジウム発光が例として含まれる。ここで、本発明者らは特許文献12を例として参照する。更には、放電は高負荷と共に不充分となり、そして過負荷動作は経済的に得策でない。
予期せざることには、過負荷が正常の動作条件の100〜1000倍であっても、ヨウ化ガリウムドープの水銀媒体または高圧ランプは、403および417nmでのガリウム発光の広幅化または反転のいずれも示さないことが見出された。正常条件下1.5A/cm放電容器断面積の放電電流で運転されたヨウ化ガリウムドープ水銀放電ランプをパルス動作モードで1000A/cm放電容器の断面積でガリウム発光線の低減または反転なしで運転することができる。可能な説明は、金属ガリウムが2200℃の沸点を有し、ガリウム蒸気圧をランプのパルス動作下でも無視することができるという事実に関係する。しかしながら、ヨウ化水銀の水銀とヨードへの崩壊がある。プラズマ放電の間、ヨードは、ガリウム、三ヨウ化ガリウムと不安定な化合物を形成する。GaIはやや低温で蒸気圧の顕著な増加を示す。GaIはある圧力まで安定であるだけであり、圧力を更に増加させるとガリウムとプラズマへの急速な崩壊があるという事実により、ガリウム発光の不在反転を説明することができる。従がって、パルス動作時に急速な温度上昇があったとしても、相対的に安定なガリウム蒸気圧を維持することができる。化合物GaIの崩壊の後、放電とガリウム発光の自己吸収において起こらない金属性ガリウムの凝縮がある。従がって、この予期せずに発見された効果は、200〜ほぼ2200℃の間の温度範囲にわたる逆説の一定蒸気圧に関連付け可能である。ヨウ化水銀は水銀とプラズマに容易に崩壊し、そこでガリウムと化合物を形成するのに利用可能なプラズマが常に存在する。従がって、水銀圧力はエネルギー負荷と共に急速に増加し、ガリウムを発光させるための励起エネルギーをもたらす。ガリウム蒸気圧は相対的に安定であることにより、エネルギーの大部分は403と417nmのガリウムスペクトル線として出射される。
過負荷動作時、タングステン電極の一時的な加熱がプランクの法則に従って起き、特に温度上昇時に相当に多量の熱を発することができる。従がって、入力エネルギーの発光が正常動作のランプにおけるよりもかなり高効率であるのは温度上昇によるので、ベース負荷を変調されたランプを増加して動作させてもよい。1kWランプを2〜20kWの定常負荷により動作させることができることが判った。スペクトル測定は次のことを示した。1000Wヨウ化水銀ガリウムドープランプをcw動作させる場合、ほぼ400〜440nmのスペクトル範囲の400mW/cmが皮膚に到達する。2〜400W/cmの間の照射強度が皮膚に到達するように、パルス負荷時の照射強度を4あるいは5倍まで一時的に増加させながら、照射強度をシマーモードで2〜4mW/cmの平均照射強度まで減少させることができる。パルス長の好ましい比は3〜300の間に存する。この単純なパルス光源は、例えば歯科用硬化、活版用途、表面の封止、光硬化性管によるパイプ修理、DVD製造分野におけるプラスチック硬化、並びにスペクトルのUV−青色範囲における光吸収のラジカル機構により影響を受け得る他の光化学的反応の加速などの他の技術的な用途にも好適である。
ガリウムまたはガリウム添加物と水銀の比は、好ましくは1:10ないし1:100でなければならない。400Wの性能範囲においては、成分の好ましい比は、44mgの水銀に対して1〜5mgのヨウ化ガリウムである。
もう一つの通常のランプは、直径13.5mmの円筒形石英管と容積20cmの放電容器からなる。電極間の円筒は14cmである。このランプを20mgのHg、3mgのヨウ化水銀、1mgのガリウムおよび3.57mmHgの圧力のアルゴンで充填する。
スペクトルのUV部分もスペクトルの所望部分に変換することができる。このために、種々の種類の箔が有用であることが判明したが、この材料は無機蛍光体でドープしたシリコーンエラストマーまたはフッ素ポリマー、特にPTFE(テフロン(登録商標))である。シリコーンエラストマーは、好ましくは付加重合により製造され、そこで水などの揮発性成分は無機蛍光体と接触しない。シリコーンエラストマーは、好ましくはヒドロキシルポリジオルガノシロキサンとオルガノ水素シロキサンとの組成物により製造され、蛍光体はこの混合物に添加され、化学反応は白金触媒により室温で引き金を引かれる。この蛍光性箔は10〜800μmの好ましい厚さを有し、この蛍光体粒子の密度は好ましくは1〜20mg/cmの間であり、グレインサイズは5〜15μmである。このUVC透過キャリア(UVC-transparent carrier)は、熱または圧力なしで硬化可能であるシリコーンゴムから成ることもができる。かなりの熱入力のために、箔を冷却し、寿命を数桁延ばすことが有利であることが判明した。熱入力に依っては、箔を空気または箔を内部に入れた水浴により冷却することができる。
もう一つの好ましい実施形態においては、パルス照射源をシマーモードで動作させ、パルス勾配を増加させることが可能となる。
あるいは、照射対象領域に相対運動を与える配置により出射された照射パルスを生成させることができる。最も単純な種類の配置はX−あるいはX−Y−走査テーブルであり、そこでは患者はcw動作型照射源下で往復の移動が可能である。cw動作の照射源として、基本的に、青色発光LEDまたは好ましくはガリウム、インジウムまたは各々のハライドを含有する同等の気体放電ランプなどのスペクトルの青色範囲で発光する照射源が考慮に入る。ここでは、アブレーション閾値を避けるように走査速度を採用しなければならない。従がって、数mm厚さの焦点線を生成し、これを治療対象領域にわたって長さ方向に、あるいは横方向に1〜100cm/秒の速度で動かす。
治療領域に対して得られるパルス長を更に減少させるために、走査運動をパルス照射源と組み合わせることも可能であり、これは、熱緩和を考慮すると有利でもある。
特に、上方の性能範囲においては、照射細胞の壊死を避けるために、本実施形態は冷却ユニットを含む。従がって、この細胞温度は60℃以下に保持されなければならない。ここでは、この冷却ユニットのタイプとサイズは、投与されるエネルギーの種類と投与間隔に依存する。高エネルギーを使用する場合、空気冷却を接触冷却により、例えば冷却されたサファイアまたは皮膚に直接に散布される冷却剤により置き換えることができる。接触冷却のもう一つの可能性は、冷却液体、例えば水、油またはアルコールの使用であり、これは、ラテックスあるいはシリコーン膜を通して組織から熱を取り去る。この冷却剤は熱移動抵抗が可能な限り低く、光学的に透明でなければならない。損傷を引き起こさずに皮膚を冷却できれば、細胞の壊死を引き起こさずに高エネルギー投入が可能である。ここで、パルス照射のもう一つの利点が明らかになる。組織中の光学パルスによる熱入力と冷却による冷気入力の勾配は相互に変化する。冷気入力の勾配は通常更に浅く、結晶化による凍結損傷が起こることもある。しかしながら、このパルスにより、100μsの範囲の衝撃加熱が起こり、過冷却温度にも拘わらず氷結晶化が撹乱される。好ましくは、冷却と熱入力を同期し、すなわち、パルスの間に冷却を増大させる。ペルチエエレメントによりこの調節を行うことができ、パルス時に冷却剤温度を例えば、4℃〜−(40-80)℃に低下させる。
この照射配置の効率を酸素濃度の上昇により増大することができる。特許文献1に記述されている手段のほかに、これを酸素マスクからの吸入酸素供給により行うことができる。吸入酸素供給の利点は、深い組織領域の循環による酸素により増幅された濃度であり、局所的な酸素濃度を用いた場合、本発明者らは、皮膚表面と細胞の間の勾配を考慮しなければならない。
光の平均透過深さは波長に大きく依存し、透過深さは波長と共に増加する。従がって、好ましい実施形態は、520〜550nmおよび/または610〜670nmの領域の発光も包含し、これは、蛍光性材料に適切な蛍光体を添加することにより、容易に達成可能である。ここでは、深層の細胞の照射に対する赤色または黄色の比率は、青色成分を犠牲にして増加する。しかしながら、青色成分も、殺菌性のために表層下炎症の治療において重要であり、炎症の余波で皮膚にコロニーを作り、そして再度前炎症性超抗原を生成する表皮バクテリアを殺す。
出力を増加し、治療対象領域に対して出力を集中させるために、この照射源は、好ましくは反射体を包含する。この反射体を放物面として、あるいは楕円面として構成することができる。好ましくはパルス化により出射された照射の一時的な閾値のために放物面反射体を使用し、好ましくは走査動作のために楕円面反射体を使用する。
出射された照射の好ましいビーム直径は、4mmよりも幅広く、更に好ましくは10mmよりも幅広く、そして最も好ましくは40mmよりも幅広い。ここで、光の透過深さは照射領域のサイズに依存するという事実が使用される。特に、ほぼ点状の照射は極めて低い透過深さを有する。大きな領域の照射は上層における光散乱にかかわらず隣接する散乱光子の相加的重ね合わせを引き起こす。これらの結果は、同一出力密度での点状の入力に比較して透過深さが大きくなる。それにも拘わらず、このビーム直径は大き過ぎてはならず、200mm、好ましくは100mm、そして最も好ましくは60mmを超えてはならない。
前出の考慮は以下に基づく。
照射領域を増大することにより、表面でのエネルギー密度は減少し、幅を拡げられた照射領域の期間は長くなってもよい。このことによって、長い時間間隔にわたって短いパルスの間に可能であるよりも多数の吸収性色素を光化学的に励起することができる。照射領域内の照射ピークの不在は、局所的な漂白または酸素の局所的な不足を妨げる。更には、すべての光線の散乱は中心領域中の照射を追加し、増加させるので、照射場の中心領域中に局所的な最大が存在する。大きな直径を使用することにより、縁の光線の散乱が中心領域の強度を増加させないので、組織パラメーターとスペクトルに依り、最適な照射領域は4mm以上で、60mm未満の直径を有する。最適のビーム直径を選ぶことにより、中心照射領域における高強度または高透過深さを得ることができる。照射領域の更なる広幅化は、領域の増加に比例する出力密度の減少をもたらし、そこで光はより深い組織層には到達しない。更には、大きな組織領域の再照射期間が短縮し、熱抽出はより困難となる。
実施形態の例示を用いて本発明を説明する。
照射装置1は、好ましくはキセノンフラッシュランプである広帯域照射源2を有して成る。焦点を避けた側で開放された放物面反射体3の焦点に照射源2を搭載する。放物面反射体3の開放端での出口領域は、好ましくは調節可能なシャッターにより規定される。この調節可能なシャッターは照射対象領域を調節することができる。照射源2と放物面反射体3とをハウジング5中に搭載する。ハウジング5はハンドピース6を有して成り、それによって照射装置1を治療対象領域7上に置くことができる。照射源2と治療対象領域7との間に、蛍光性粒子によりドープされている配列された蛍光性箔8がある。蛍光性箔8を照射源2またはシャッター4の近傍にも配列することができる。好ましくは、蛍光性箔8は置き換えが容易なように配列される。これはエージングによる置き換えを簡単にするだけでなく、異なる蛍光性粒子を含む蛍光性箔を柔軟に使用することを簡単にする。更には、外部に搭載された蛍光性箔8を容易に消毒することができる。電気的コネクターと可変パルス幅を発生するためのパルス形成ネットワークは、わかりやすくする理由からここには示さない。
図2は蛍光性箔付きの使用中のキセノンフラッシュランプのスペクトルを示すが、放電容器は石英ガラスでできている。この蛍光性箔は、好ましくはスペクトルの青色領域内で発光する無機蛍光体によりドープされているシリコーンエラストマーである。この蛍光性箔は、280〜400nmの間のUV部分をカットオフし、この部分を400〜450nmの間の可視青色範囲に変換する。この図は、400以下のエネルギーが全光学出力の4.5%未満であることを示す。更には、このUV照射は、殆ど全く340〜400nmの範囲内の、特に370〜400nmの間の範囲内にある。この範囲の波長は、UVBあるいはUVC範囲のそれよりも数桁低い光生物学的効能を有するので、UV暴露に対する国際的な限度を超えていない。これらの値の定義は、非特許文献3または非特許文献4により与えられている。400〜500nmの間の波長内の光学エネルギーは全光学出力の43.6%であり、400〜450nmの波長領域で28.2%である。
これらの測定は較正されたCDI分光計と100μmUVファイバーについて行われた。
有効パルス長を10μs〜1msの間としながら、このキセノンフラッシュランプを0.01および100Hzの周波数により動作させる。単一パルスのエネルギーは、好ましくは0.3〜0.8J/cmの範囲内にある。
図3は光変調を発生するための照射装置1の代替の実施形態を示す。照射装置1は患者用床9を有して成り、その頂部に照射源2を搭載する。照射源2は放物面、楕円面あるいは半円筒の反射体3により囲まれる。照射源2をここには図示しない旋回機構により左と右に垂直位置から角度αだけ動かすことができる。この旋回運動により、患者の身体の異なる部分を照射することができ、そこで身体の各部分に対して光変調が行われる。この照射源をパルス化あるいはcw動作してもよい。代替の実施形態においては、照射源の旋回に加えて、患者用床9の旋回させることができる。
図4は照射装置1の代替の実施形態を示す。この照射源はリンクまたはストライプ状の形で構成され、そして機械的固定具11を使用することにより患者用床9の上方で可動である。この照射器具2をパルスあるいはcwモードで動作させることができる。矢印方向の走査運動は身体の各部分に対する光変調も可能である。図4の一次元の走査運動を二次元の走査運動により置き換えることができることが図5に示される。
ここでは、加えて照射装置2を患者10に斜めに動かすことができる。
領域照射装置の必要性を図6a〜cに図示する。図6aは、光出力を20mmのビーム直径により出射する場合、透過レベルで見出すことができる出力密度を断面で示す。表面下15mmの密度は僅か0.1kW/cmであることが判る。図6bは、同一の利用可能な出力が1mmの直径のシングルファイバーにより組織の中に結合される場合の条件を示す。正方形の照射領域の仮定の下に、表面のエネルギー密度は400倍増加した。この結果、皮膚の表面で100kW/cmのピーク密度の照射出力の極めて大きな勾配を生じ、アブレーションが生じる。図6aに示すように同一の出力密度を1mmのビーム直径で結合させると、光学出力は組織のより深い層に殆ど到達せず、図6cに示される。5mmの透過深さの後、出力密度は0.1K1/cmまで低下した。図6bおよび6cは、小さな直径が表面をアブレーションせずに、大きな透過深さに到達することができないことを図示する。
図7は透過深さ(1/e)の特別な依存性を示す。透過深さが400〜900nmの間で徐々に上昇し、そこで青色部分に比較してポルフィリンの吸収が減少するとしても、青色部分に比較してスペクトルの緑色および赤色部分を増加させることは得策でない。
図8は、パルス照射装置と5kW/cmのパルスピークによる照射治療の好ましい実施形態を示す。パルスまたはフラッシュのトレインが出射される。
一つの単一パルスは100〜2000μsの間の有効長を有し、10ms〜1000sの間のパルスオフ期間t2が続く。有効パルス長t1は、好ましくは100〜500μsの間であり、パルスオフ期間は100ms〜4秒の間である。パルスの好ましい数は10〜10000の間に、更に好ましくは100〜1000の間に在る。従って、期間t3に続く全パルスは結果として(t1+t2)となり、これにパルス数を乗じる。この第1のパルスシリーズには期間t4が続き、ここでは、酸素が組織の中に再拡散し、組織が冷却するように、照射は出射されず、壊死を避ける。期間t4は、好ましくは1分〜100分の間で選択され、最も好ましいのは長い期間である。引き続き、期間t3に続くパルスの新しいパルスシリーズを発生する。この期間には期間t4が再度続く。全照射時間t5は、疾患の重篤度に従って数分〜2時間の間で選択される。数時間または1〜3日の間隔の後、この手順を繰り返す。全身的あるいは局所的な染料は投与されず、そこで記述される手順はPDTではない。
更に詳細な説明のために、本発明者らはアレルギー性接触湿疹の治療の例を選択した。この手順は、1日当たり2回の照射サイクルを包含し、期間t3およびt4は5分の長さを有し、このように1日当たりの全治療時間は15分である。パルス周波数は0.5Hzであり、そこで期間t3の間に150パルスを印加する。有効パルス長t1はほぼ10μsのビルドアップ時間で100μsである。このように、パルスオフ期間t2はほぼ2秒である。パルスピークはほぼ0.5kW/cmであり、1パルス当たりのエネルギー密度は波勾配に対して0.4〜0.5J/cmの間である。結果として、本発明者らは、250mW/cmの平均cw性能と1日当たり120〜150J/cmエネルギー密度を得る。1週間当たり2回の治療セッションは、結果として240〜300J/cmの全エネルギー密度を生じ、全治療期間は、好ましくは4〜8週間である。
更には、t1、t3およびt4に対する、並びに照射ピークに対する値を維持しながら、0.05Hzの周波数により記述される照射治療を行った。t2の10倍の増加により、治療サイクル当たりの投与されたエネルギー密度と平均cw性能は、10倍減少したが、類似の治療結果を生じた。これは極めて遅い酸素拡散を理由とすることによるかもしれず、そこで追加の酸素投与なしには、エネルギー密度の増加により、追加の効果を得ることはできない。
図8bは図4に従った照射装置による治療サイクルを示し、この照射装置はcw動作される。この照射ピークは5W/cmにあり、これは、図8aに従ったパルス動作時よりもかなり低い。期間t1は照射装置が走査手順時にある領域を照射することができる期間に相当し、好ましくは0.1と0.5秒の間に存する。期間t2は走査期間から期間t1を差し引いたものである。この時間の間、酸素は組織を再灌流することができ、そして組織を冷却することができる。t2は1〜300秒の間の、好ましくは2〜20秒の間の期間である。
最後に、図8cにおいては、走査運動とパルス動作との組み合わせを示し、照射ピークは250〜500W/cmの間である。期間t3の間、照射源がある領域を網羅しながら、好ましくは5つのパルスを発生し、最初と最後のパルスは運動により治療領域に部分的にしか到達しない。好ましい有効パルス長は100μsであり、そして、t2が0.2秒の照射時間t3で40msの期間を有するように、照射源を25Hzの周波数によりタイミングをとる。しかしながら、図8aおよび8bの実施例に従えば異なる組み合わせが可能である。
コルチゾンなどの抗炎症薬の添加はどちらかというと逆効果であることが通常観察されてきた。従がって、患者は治療の前に類似の薬を摂ることを控えなければならない。抗炎症物質の効果は長く継続するために、これらの摂取を治療の数日前に中止しなければならない。更には、小領域の治療により身体の非治療領域の治癒が得られることが観察された。このことは、照射の局所的に誘起される全身的な効果を示し、免疫化および/または脱感作と類似に働くように見える。
図9は、1000Wで動作させた連続モード(曲線a)およびパルス化過負荷動作(曲線b)の1000Wヨウ化ガリウムドープの水銀ランプの相対的な照射出力の比較を示す。パルス動作モードでの平均出力は1500Wである。小さな過負荷でも光学発光の顕著な上昇を誘起することが明白である。
図10は、入力電力を変化させる場合の1000Wの正常な動作出力のヨウ化ガリウムドープの水銀ランプのスペクトルのエネルギー密度を示す。曲線aは、1000Wでのcw動作条件下のスペクトルのエネルギー密度を表わす。曲線bは、100Wの低下された負荷でのスペクトルのエネルギー密度を示し、そして曲線cは、10kWの入力電力のスペクトルのエネルギー密度を示す。低負荷および過負荷の動作をcwモードで行った。両方の場合、ガリウム発光のスペクトル線は安定なままであり、そしてスペクトル線の反転はないことが判る。更には、発光の膨大な比例的増加がある。
対照的に、図11はナトリウム蒸気ランプの異なる挙動を示す。曲線bは、230Wの正常動作電力のランプを用いた700Wのパルス化動作が488nm近傍のナトリウムスペクトルの発光の完全な反転を誘起することを示す。比較のために、曲線aは、正常な電力条件下でのcw動作での相対的な照射強度を示す。
図12は、ヨウ化ガリウムドープの水銀ランプのパルス化過負荷動作のための回路配置を示す。この回路は、ヨウ化ガリウムドープの水銀ランプ30、点火装置31、ゼロ電流検出器32、パルス発生器33、第1のリレーK1および第2のリレーK2、スタータースイッチS1およびパルススイッチ34を包含する。リレーK1およびK2の両方を中立導体Nと3相回路の第1相に接続する。ヨウ化ガリウムドープの水銀ランプ30を補助接点により3相回路の第2相に接続する。スタータースイッチS1の第2の補助接点により、第1相V1をコイル配置によりゼロ電流検出器32により点火装置31に接続する。コイルL1およびL2を直列に接続する。第3のコイルL3を上述の直列コイルに並列に接続し、第2のリレーK2に属する接点K2とスイッチする。第1のコイルL1に並列に第1のリレーK1に関係するもう一つの接点K1.1がある。第1のリレーK1に属する第2の接点K1.2を第2のリレーK2とパルススイッチ34との間でスイッチする。この回路配置の主要な機能は次のように説明される。スタータースイッチS1を閉じることにより、関係する補助接点も閉じる。従がって、接点K1は閉じ、そして接点K1.2は開くか、あるいは開いたままである。この3相回路の第1相を、閉じた接点K1.1によりコイルL2から点火装置31と接続する。この配置においては、コイルL2は、ランプ電流を制限する誘導コイルとして機能する。ヨウ化ガリウムドープの水銀ランプ30が正常動作条件に達するまで、このスイッチング条件は残る。次に、リレーK1は開くが、これはウインドシールドワイパーのトリッピングリレーであってもよい。リレーK1を開くことによって、接点K1.1を開くことおよび接点K1.2を同時に閉じることを誘起する。これはリレーK2を起動し、コイルL1をコイルL2に直列にスイッチする。この配置においては、コイルL2はシマーコイルとして振舞う。パルススイッチ34はなお開いているので、接点K2も開いたままである。この条件においては、ヨウ化ガリウムドープの水銀ランプ30はシマーモードで動作する。ゼロ電流検出器32が3相回路の第1相V1でゼロ電流を検出すると、パルス化動作をパルス発生器33によりスタートする。ここで、パルススイッチ34がスイッチし、リレーK2の起動により接点K2を閉じる。ここで、コイルL3を直列でスイッチするが、これはこの配置の全誘導性を低下させている。これによって、点火装置31は過負荷パルスを受け取る。このパルスの終わりに、パルス発生器33はパルススイッチ34を開く。これは接点K2を閉じ、そして次のパルスがパルス発生器33により発生される限り、コイルL1およびL2の直列配置によりヨウ化ガリウムドープの水銀ランプ30が再度動作する。
図13はキャパシターバンク付きの代替の実施形態を示す。図9に関するすべての要素は同一の番号が与えられている。図9の実施形態に対照的に、TRIAC35を点火装置31とヨウ化ガリウムドープの水銀ランプ30との間に配列する。TRIAC駆動装置36をパルス発生器32によりトリガーする。
キャパシターバンク38をIGBT37またはコイルL3によりヨウ化ガリウムドープの水銀ランプ30の電極に接続する。IGET37の駆動装置39もパルス発生器33によりトリガーする。この装置の機能は次のとおりである。再度、スタータースイッチS1を閉じ、これがK1.1も閉じ、接点K1.2を開く。起動されたTRIAC35によって、正常負荷下でのヨウ化ガリウムドープの水銀ランプ30の動作が可能になる。その後、リレーK1が開き、接点K1.1が開き、そしてK1.2が閉じる。パルス発生器33を作動させながら、ヨウ化ガリウムドープの水銀ランプ30をコイルL1およびL2の直列配置によりシマーモードで動作させる。パルス動作を可能とするために、ゼロ電流検出器32がゼロ電流を検出し、この情報をパルス発生器33まで伝達する。この発生器は駆動装置33および39を作動させ、TRIAC35がブロックし、IGST37が接触する。これは、キャパシターバンクをヨウ化ガリウムドープの水銀ランプ30にスイッチし、ランプを供給電圧から切断する。パルスの終わりに、IGST37がブロックし、TRIAG35が導通し、ヨウ化ガリウムドープの水銀ランプ30をコイルL1およびL2によりシマーモードで再度動作させる。前述の技術的な例におけるコイルは、異なった方法で実現可能である一般的な誘導性に関することが理解される。大きさを示すために、コイルL1、L2およびL3に対する次の例を示す。L1=500mH;L2=150mHおよびL3=7mH。
パルス動作:Ieff=40Aまたは11.8A/cm、Ipeak=55Aまたは16.2A/cm
シマーモード:Ieff=1.2Aまたは0.35A/cm、Ipeak=1.7Aまたは0.5A/cm
正常動作:Ieff=5Aまたは1.5A/cm、Ipeak=7Aまたは2A/cm
パルス光源付きの照射装置の断面である。 蛍光性箔付きの照射源のスペクトルである。 小角回転光源付きの照射装置の概略図である。 一次元の走査運動付きの照射装置の概略図である。 二次元の走査運動付きの照射装置の概略図である。 a〜cとも照射領域にわたる透過深さの異なる図である。 波長の関数としての透過深さの図示である。 異なるパルス閾値方式である。 異なるパルス閾値方式である。 異なるパルス閾値方式である。 ヨウ化ガリウムドープの水銀放電ランプの相対的照射強度に及ぼすcw動作とパルス化動作の影響である。 異なる出力負荷でのヨウ化ガリウムドープの水銀ランプのスペクトルのエネルギー密度である。 cwおよびパルス過負荷動作におけるナトリウム蒸気圧ランプの相対的照射強度である。 3相電流の2相によるヨウ化ガリウムドープの水銀ランプのパルス動作に対する概略回路構成である。 キャパシターバンク付きの代替的な回路構成である。

Claims (15)

  1. 治療対象の大きな領域を照射するための少なくとも一つの照射源を有して成り、その際、全光学出力の7%未満がUV範囲で出射され、400〜500nmの波長領域のスペクトル分を有し、その際、少なくとも30%の光学出力がこの波長領域で出射されるような、皮膚と内臓の全体的あるいは部分的な細胞性炎症を治療するための照射装置において、該照射装置が光学パルスを発生するためにパルス運転にて運転可能であり、および/または走査装置によって治療対象領域に対して移動可能であり、光学パルスのピーク照射強度が0.5W/cmよりも高く、かつ100kW/cmよりも低く、一つの出射光学パルスのエネルギー密度が0.3〜0.8J/cm の間であることを特徴とする照射装置。
  2. 前記パルスが周期的に与えられ、光学パルスの全周期にわたる平均cw照射強度が1mW/cm〜10W/cmの間であることを特徴とする請求項に記載の照射装置。
  3. 有効パルス長が1μs〜500msの間であることを特徴とする請求項1または2に記載の照射装置。
  4. 前記照射源が0.01〜100Hzの周波数を有することを特徴とする請求項に記載の照射装置。
  5. 前記照射源が、スペクトルの所望領域内でのスペクトルのUV部分と他の望ましくない部分をカットオフおよび/または変換するための装置を備えたキセノン-あるいは重水素フラッシュランプまたは過負荷パルス動作のヨウ化ガリウムドープの水銀ランプであることを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の照射装置。
  6. 上記照射源の前に配置されたUVC透過性のキャリア材料付きの蛍光体材料を有して成ることを特徴とする請求項に記載の照射装置。
  7. 上記透過性キャリア材料が無機蛍光体粒子でドープ処理されたシリコーンエラストマーまたはフッ素ポリマーからできている蛍光性箔であることを特徴とする請求項に記載の照射装置。
  8. 前記キャリア材料または蛍光性箔が、410〜490nmのスペクトル範囲で蛍光性の[Sr:Eu、Sr(POCl:Eu、BaMgAl1627:Eu,CaWO:Pb;(Sr,Ca,Ba)(POCl:Eu;Sr:Sn,(Ba,Ca)(POCl:Eu]および/または510〜560nmのスペクトル範囲で蛍光性の[ZnSiO:Mn;MgAl1119:Ce,Tb,Mn;YBO:Tb;LaPO:Ce,Tb]および/または610〜670nmのスペクトル範囲で蛍光性の[Y:Eu;Y(P,V)O:Eu;CaSiO:Pb,Mn;(Sr,Mg)(PO:Sn;3.5MgO*0.5MgF*GeO:Mn]の少なくとも一つの蛍光体によりドープ処理されることを特徴とする請求項またはに記載の照射装置。
  9. 上記パルス照射源がシマーモードで運転可能とせしめることができる手段を有することを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の照射装置。
  10. 前記照射源が、照射対象領域用の、該照射源および/または蛍光性箔に属する冷却装置を備えることを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の照射装置。
  11. 前記冷却装置が空気冷却として構成されていることを特徴とする請求項10に記載の照射装置。
  12. 前記照射装置が酸素の局所的あるいは吸入的な吸い込みのために割り当てられた手段を有することを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載の照射装置。
  13. 上記照射源が520〜550nmおよび/または610〜670nmの範囲で追加の発光を有することを特徴とする請求項1〜12のいずれか一項に記載の照射装置。
  14. 前記照射源が放物面あるいは楕円面の反射体により囲まれていることを特徴とする請求項1〜13のいずれか一項に記載の照射装置。
  15. 上記出射光のビーム直径が少なくとも一つの次元で10mmよりも幅広く、かつ100mmよりも狭いことを特徴とする請求項1〜14のいずれか一項に記載の照射装置。
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