JP4160458B2

JP4160458B2 - Ｌｅｄ駆動回路

Info

Publication number: JP4160458B2
Application number: JP2003193483A
Authority: JP
Inventors: 弘男矢部
Original assignee: Yazaki Corp
Current assignee: Yazaki Corp
Priority date: 2003-07-08
Filing date: 2003-07-08
Publication date: 2008-10-01
Anticipated expiration: 2023-07-08
Also published as: JP2005032470A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、車両の照明や信号灯に用いられるＬＥＤ（light-emitting diode）を駆動するＬＥＤ駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、車両の照明や信号灯にＬＥＤを用いる手法が普及している。ＬＥＤを用いて、車内照明等を徐々に点灯させたり（フェードイン）、徐々に消灯させたり（フェードアウト）する手法が特許文献１に開示されている。特許文献１では、電解コンデンサが直接負荷（ＬＥＤ）への電流を制限したり、負荷に電流供給したりすることによりフェードイン、アウトを行っている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−３０５０９１号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、例えばＬＥＤにＩｎＧａＡｌＰ型を用い３直列×３並列とした場合、０．５ｓｅｃのフェードイン時間とフェードアウト時間を得ようとすると４７００［ｕＦ］の大容量電解コンデンサが必要になる。当該電解コンデンサは、寸法も大きく重量もあるため、装置が大型化する。また、点灯時にはＬＥＤの順方向電圧までコンデンサが充電されないと点灯が始まらないので、動作遅れが発生してしまう。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、車両の照明や信号灯に用いられるＬＥＤのフェードイン、フェードアウト動作を小型で高品位に行うことが可能なＬＥＤ駆動回路を提供することを目的とする。
【０００６】
また本発明は、車両の照明や信号灯に用いられるＬＥＤのフェードイン、フェードアウト動作を応答性よく行うことが可能なＬＥＤ駆動回路を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために、請求項１記載の発明は、一端が第１の直流電源Ｖ１に、他端がＬＥＤランプ１０３に接続され、該ＬＥＤランプ１０３への電流供給を制御するスイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ１）と、前記スイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ１）のトリガ用端子を制御するための電荷を蓄えるコンデンサＣ１と、前記ＬＥＤランプ１０３の点灯／消灯を指示する外部からの点滅信号により前記コンデンサＣ１の充放電を制御する充放電回路１０１と、アノードを接地側にして、前記コンデンサＣ１と直列に接続される二つのツェナーダイオードＺＤ１、ＺＤ２と、前記二つのツェナーダイオードＺＤ１、ＺＤ２の内、接地側の前記ツェナーダイオードＺＤ２と並列に接続される抵抗Ｒ１と、前記コンデンサＣ１、および前記二つのツェナーダイオードＺＤ１、ＺＤ２からなる直列回路の電圧をバッファリングして、前記スイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ１）のトリガ用端子に印加するバッファ回路１０２と、前記充放電回路１０１および前記バッファ回路１０２に電圧を供給する第２の直流電源Ｖ２と、を有することを特徴としている。
【００１０】
したがって、請求項１記載の発明によれば、第１の直流電源（バッテリ）Ｖ１からＬＥＤランプ１０３への電流供給をスイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ１）により制御し、スイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ１）のトリガ用端子（ゲート）に印加する電圧を、コンデンサＣ１、および二つのツェナーダイオードＺＤ１、ＺＤ２からなる直列回路、並びにバッファ回路１０２により所定の傾きで上昇または降下させることにより、大容量のコンデンサを用いることなく、ＬＥＤランプ１０３のフェードイン、フェードアウト動作のための電圧を小型のコンデンサで生成でき、回路を小型化することができる。
【００１１】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記二つのツェナーダイオードＺＤ１、ＺＤ２の各ツェナー電圧ＶＺ１、ＶＺ２の和と、前記ＬＥＤランプ１０３の順方向電圧および前記スイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ１）の動作しきい値電圧Ｖｔｈの和と、を略等しく設定することを特徴としている。
【００１２】
したがって、請求項２記載の発明によれば、点灯信号によりＬＥＤランプ１０３点灯の指示が入力されると、スイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ１）のトリガ用端子（ゲート）に印加する電圧が各ツェナー電圧ＶＺ１、ＶＺ２の和になり、スイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ１）の動作しきい値電圧Ｖｔｈを超えて、ＬＥＤランプ１０３に直ちに電流を流し始めることができる。よって、フェードインの動作遅れを可及的に小さくすることができる。
【００１３】
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の発明において、前記二つのツェナーダイオードＺＤ１、ＺＤ２の内、電源側の前記ツェナーダイオードＺＤ１のツェナー電圧ＶＺ１と、前記第２の直流電源Ｖ２の電源電圧から前記二つのツェナーダイオードＺＤ１、ＺＤ２の順方向電圧および前記スイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ１）の動作しきい値電圧Ｖｔｈを引いた電圧と、を略等しく設定することを特徴としている。
【００１４】
したがって、請求項３記載の発明によれば、点灯信号によりＬＥＤランプ１０３消灯の指示が入力されると、スイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ１）のトリガ用端子（ゲート）に印加する電圧が第１の直流電源Ｖ１の電源電圧と第２の直流電源Ｖ２の電源電圧との和から、電源側のツェナーダイオードＺＤ１のツェナー電圧ＶＺ１、および二つのツェナーダイオードＺＤ１、ＺＤ２の順方向電圧を引いた電圧になり、スイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ１）およびＬＥＤランプ１０３を流れる電流を直ちに低下させ始めることができる。よって、フェードアウトの動作遅れを可及的に小さくすることができる。
【００１５】
請求項４記載の発明は、請求項１から３のいずれか１項に記載の発明において、前記充放電回路１０１は、二組のカレントミラー回路を含み、前記二組のカレントミラー回路により生成される前記直列回路を流れる定電流、および前記コンデンサＣ１の静電容量の設定により、前記ＬＥＤランプ１０３のフェードイン、フェードアウト時間を設定することを特徴としている。
【００１６】
したがって、請求項４記載の発明によれば、直列回路を流れる定電流およびコンデンサＣ１の静電容量の設定によりフェードイン、フェードアウトの時間および電流変化パターンを調整することができ、点滅の品位を向上させることができる。
【００１７】
請求項５記載の発明は、請求項１から４のいずれか１項に記載の発明において、前記直列回路と前記バッファ回路１０２との間に、外部から入力される調光パルス信号によりオンオフする第２のスイッチ手段１０４をさらに有することを特徴としている。
【００１８】
したがって、請求項５記載の発明によれば、第２のスイッチ手段１０４に調光パルス信号を印加してＰＷＭ制御することにより、ＬＥＤランプ１０３を高効率に駆動することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】
図１は、本発明の実施形態におけるＬＥＤ駆動回路の基本構成図である。当該ＬＥＤ駆動回路は、バッテリＶ１、直流電源Ｖ２、充放電回路１０１、ツェナーダイオードＺＤ１、コンデンサＣ１、ツェナーダイオードＺＤ２、抵抗Ｒ１、バッファ回路１０２、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）１、およびＬＥＤランプ１０３を備える。
【００２１】
充放電回路１０１は、ＬＥＤランプ１０３の点灯／消灯を指示する外部からの点滅信号によりコンデンサＣ１を充放電する。コンデンサＣ１、ツェナーダイオードＺＤ１、およびツェナーダイオードＺＤ２は、直列に接続され直列回路を形成する。ツェナーダイオードＺＤ２には、抵抗Ｒ１が並列に接続される。バッファ回路１０２は、上記直列回路の電圧をバッファリングしてＭＯＳＦＥＴ１のゲートに伝える。ＭＯＳＦＥＴ１は、Ｎｃｈのエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴを用いるとよい。ドレイン端子はバッテリＶ１のプラス端子と接続され、ソース端子はＬＥＤランプ１０３と接続される。直流電源Ｖ２は、充放電回路１０１およびバッファ回路１０２に電圧を供給する。以上の構成により、コンデンサＣ１の充放電をもとにＭＯＳＦＥＴ１の動作をソースフォロワー動作と線形領域動作に切り替え、ＬＥＤランプ１０３をフォードイン、フェードアウトさせる。
【００２２】
図２は、本発明の実施形態におけるＬＥＤ駆動回路の具体的構成図である。バッテリの電圧Ｖ１は、通常１２Ｖ、２４Ｖまたは３６Ｖである。充放電回路１０１は、トランジスタＱ１〜Ｑ５、定電流源ＣＣ１、ＣＣ２、抵抗Ｒ２で構成される。トランジスタＱ１とトランジスタＱ４、およびトランジスタＱ３とトランジスタＱ５は、カレントミラー回路を構成している。即ち、トランジスタＱ１とトランジスタＱ４には、等しい定電流が流れる。定電流源ＣＣ２＞ＣＣ１となるように設定される。ツェナーダイオードＺＤ１、ツェナーダイオードＺＤ２、コンデンサＣ１による直列回路は、必ずしも図２に示す順番でなくてもよい。
【００２３】
バッファ回路１０２は、抵抗Ｒ３〜Ｒ５、トランジスタＱ６、トランジスタＱ７、およびツェナーダイオードＺＤ３で構成される。直流電源Ｖ２の値は、ＭＯＳＦＥＴ１のオン抵抗が十分低くなるように設定される。ツェナーダイオードＺＤ１のツェナー電圧ＶＺ１およびツェナーダイオードＺＤ２のツェナー電圧ＶＺ２は、下記式１および式２を満たすように設定される。下記式１および式２において、電圧Ｖｔｈは、ＭＯＳＦＥＴ１の動作しきい値電圧である。
【００２４】
（ＶＺ１＋ＶＺ２）≒（ＬＥＤの順方向電圧）＋Ｖｔｈ …式１
Ｖ１＋Ｖ２−ＶＺ１−（ＺＤ１の順方向電圧）−（ＺＤ２の順方向電圧）≒Ｖ１＋Ｖｔｈ …式２
【００２５】
図３は、図２に示すＬＥＤ駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。説明の簡単化のため、バッファ回路１０２による電圧降下は無視しており、ＶＤ１＝ＶＧとしている。
【００２６】
まず、点滅信号がＬｏの時、トランジスタＱ２はオフしており、定電流ＣＣ２がトランジスタＱ３に流れる。トランジスタＱ１には定電流ＣＣ１が流れ、トランジスタＱ４にも定電流ＣＣ１が流れる。トランジスタＱ５にも定電流ＣＣ２が流れようとするが定電流ＣＣ１しか流れることができないので、トランジスタＱ５は飽和し電圧ＶＤ１は略０［Ｖ］になる。ＭＯＳＦＥＴ１のゲート−ソース間電圧も略０［Ｖ］とされるのでＭＯＳＦＥＴ１は非導通であり、負荷のＬＥＤランプ１０３は通電されず消灯している。
【００２７】
次に、点滅信号がＨｉになるとトランジスタＱ２がオンし飽和する。定電流ＣＣ２はすべてトランジスタＱ２に流れるので、トランジスタＱ３を流れる電流は０［Ａ］になり、トランジスタＱ５に流れる電流も０［Ａ］になる。定電流ＣＣ１はツェナーダイオードＺＤ１、ＺＤ２、およびコンデンサＣ１による直列回路を流れ、コンデンサＣ１を充電する。ツェナーダイオードＺＤ１およびＺＤ２にはそれぞれツェナー電圧ＶＺ１およびＶＺ２が発生する。そのため、ツェナーダイオードＺＤ１、ＺＤ２およびコンデンサＣ１による直列回路に発生する電圧ＶＤ１は、まず（ＶＺ１＋ＶＺ２）となり、そこから（ＣＣ１／Ｃ１）の傾きで上昇していく。ＭＯＳＦＥＴ１のゲートには電圧ＶＤ１がかかる。ＭＯＳＦＥＴ１はゲート電圧ＶＧがしきい値電圧Ｖｔｈを超えるとソースフォロワ動作し、ソース電圧ＶＳ＝（ＶＧ−Ｖｔｈ）となる。
【００２８】
ここで、ＶＤ１＝ＶＺ１＋ＶＺ２、ＶＤ１＝ＶＧ、およびＶＳ＝ＶＧ−Ｖｔｈを上記式１に代入すると、ソース電圧ＶＳ＝（ＬＥＤの順方向電圧）となり、ただちにＬＥＤランプ１０３に負荷電流ＩＬが流れ始める。電圧ＶＤ１の上昇に伴いソース電圧ＶＳも上昇していく。負荷電流ＩＬは、下記式３で定められるので、ソース電圧ＶＳの上昇に伴い増加していく。
【００２９】
ＩＬ＝｛ＶＳ−（ＬＥＤの順方向電圧）｝／ＲＬ …式３
【００３０】
電圧ＶＤ１は、トランジスタＱ４が飽和に達するまで上昇する。電圧ＶＤ１が｛Ｖ１＋Ｖ２−（Ｑ４の飽和電圧）｝近くまで上昇すると、ＭＯＳＦＥＴ１は線形領域動作となり、ソース電圧ＶＳ＝（Ｖ１−Ｒｄｓｏｎ＊ＩＬ）で一定になり、負荷電流ＩＬも一定となる。ＭＯＳＦＥＴ１のオン抵抗Ｒｄｓｏｎが十分小さいとき、ＶＳ＝Ｖ１とみなせる。トランジスタＱ４の飽和電圧は無視できるものとし、電圧ＶＤ１は（Ｖ１＋Ｖ２）の値で一定となるが、電圧ＶＤ１が（Ｖ１＋Ｖ２）に達した後も、コンデンサＣ１は抵抗Ｒ１を通じて充電される。即ち、コンデンサＣ１の下流側電圧ＶＤ２は、抵抗Ｒ１が設けられない場合はツェナー電圧ＶＺ２で止まってしまうが、抵抗Ｒ１が設けられた場合はツェナー電圧ＶＺ２を下回っても抵抗Ｒ１を通じて電流が流れるため、時間をかけて０［Ｖ］まで低下する。したがって、コンデンサＣ１の両端子間にかかる電圧は（Ｖ１＋Ｖ２−ＶＺ１）となる。
【００３１】
次に、点滅信号がＬｏになるとトランジスタＱ２はオフする。定電流ＣＣ２は再びトランジスタＱ３を流れ、トランジスタＱ５にも定電流ＣＣ２が流れる。そのため、コンデンサＣ１は（ＣＣ２−ＣＣ１）の電流で放電される。ツェナーダイオードＺＤ１およびＺＤ２は順方向動作となるので、電圧ＶＤ１はただちに｛Ｖ１＋Ｖ２−ＶＺ１−（ＺＤ１の順方向電圧）−（ＺＤ２の順方向電圧）｝となり、そこから（ＣＣ２−ＣＣ１）／Ｃ１の傾きで下がっていく。ここで、上記式２のようにＶＺ１を設定しているので、ゲート電圧ＶＧのソース電圧ＶＳに対するオーバードライブ分はすぐに消える。ＭＯＳＦＥＴ１は再びソースフォロワ動作となり、ソース電圧ＶＳはほとんど時間遅れなく低下を始める。負荷電流ＩＬは上記式３に従い低下していき、ソース電圧ＶＳがＬＥＤランプ１０３の順方向電圧よりも下がると０［Ｖ］となる。
【００３２】
以上により、ＬＥＤランプ１０３は動作遅れなくフェードインおよびフェードアウト動作する。フェードインおよびフェードアウトの時間はコンデンサＣ１の静電容量、定電流ＣＣ１および定電流ＣＣ２の組み合わせにより自由に設定することができる。動作遅れ時間が許容される場合は、必ずしも上記式１および式２に従ってＶＺ１とＶＺ２を設定しなくてもよい。
【００３３】
なお、上述した実施形態は、本発明の好適な実施形態の一例を示したものであり、本発明はそれに限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。
【００３４】
まず、第１のバリエーションとして、コンデンサＣ１の充放電を抵抗制御式とする例を図４に示す。抵抗制御では、電圧の時間変化はＲ＊Ｃの時定数で決まる指数曲線になる。図４の例では、トランジスタＱ１０および抵抗Ｒ１０により充電を制御し、トランジスタＱ１１、抵抗Ｒ１１により放電を制御している。また、定電流と抵抗を組み合わせることもできる。
【００３５】
次に、第２のバリエーションとして、ＰＷＭ(Pulse Width Modulation)による調光機能を追加した例を図５に示す。スイッチ手段１０４を追加して調光パルス入力によりＭＯＳＦＥＴ１をチョッピング動作させながら、フェードイン、アウト動作することができる。一般に、ＰＷＭの周波数は、ちらつきをなくすため５０［Ｈｚ］以上とされる。
【００３６】
次に、第３のバリエーションとして、ＭＯＳＦＥＴ１を過熱遮断機能付きとした例を図６に示す。図６において、コンパレータＣＭＰの一方の端子には、ダイオードＤ１、Ｄ２の順方向電圧ＶＦが入力され、他方の端子には定電圧Ｖｒｅｆが入力される。通常温度時はダイオードＤ１、Ｄ２の順方向電圧ＶＦ＜定電圧Ｖｒｅｆとなっているため、コンパレータＣＭＰの出力はＬｏであり、遮断用ＭＯＳＦＥＴ１´はオフである。ダイオードＤ１、Ｄ２の順方向電圧ＶＦは、ＭＯＳＦＥＴの温度が上がると−２ｍＶ／℃の傾きで低下する。
【００３７】
所定の温度以上になると定電圧ＶｒｅｆよりもダイオードＤ１、Ｄ２の順方向電圧ＶＦの方が低くなるので、コンパレータＣＭＰの出力がＨＩに反転し、遮断用ＭＯＳＦＥＴ１´はオンし、ＭＯＳＦＥＴ１はオフする。ＭＯＳＦＥＴ１がオフすると、電流が流れなくなって発熱もなくなるので温度が下がり、再びコンパレータＣＭＰの出力はＬｏに反転して、ＭＯＳＦＥＴ１はオンに復帰する。
【００３８】
次に、第４のバリエーションとして、直流電源Ｖ２と放充電回路１０１とバッファ回路１０２、または、直流電源Ｖ２と充放電回路１０１とバッファ回路１０２とＭＯＦＥＴ１、または、複数の直流電源Ｖ２と充放電回路１０１とバッファ回路１０２とＭＯＳＦＥＴ１を一つの基板に集積化することができる。基板にはシリコン、ＧａＡｓ、ＳｉＣ等がある。
【００３９】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１記載の発明によれば、第１の直流電源（バッテリ）からＬＥＤランプへの電流供給をスイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ）により制御し、スイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ）のトリガ用端子（ゲート）に印加する電圧を、コンデンサ、および二つのツェナーダイオードからなる直列回路、並びにバッファ回路により所定の傾きで上昇または降下させることにより、大容量のコンデンサを用いることなく、ＬＥＤランプのフェードイン、フェードアウト動作のための電圧を小さなコンデンサで生成でき、回路を小型化することができる。
【００４１】
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の発明の効果に加えて、点灯信号によりＬＥＤランプ点灯の指示が入力されると、スイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ）のトリガ用端子（ゲート）に印加する電圧が各ツェナー電圧の和になり、スイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ）の動作しきい値電圧を超えて、ＬＥＤランプに直ちに電流を流し始めることができる。よって、フェードインの動作遅れを可及的に小さくすることができる。
【００４２】
請求項３記載の発明によれば、請求項１または２記載の発明の効果に加えて、点灯信号によりＬＥＤランプ消灯の指示が入力されると、スイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ）のトリガ用端子（ゲート）に印加する電圧が第１の直流電源の電源電圧と第２の直流電源の電源電圧との和から、電源側のツェナーダイオードのツェナー電圧、および二つのツェナーダイオードの順方向電圧を引いた電圧になり、スイッチ手段（ＭＯＳＦＥＴ）およびＬＥＤランプを流れる電流を直ちに低下させ始めることができる。よって、フェードアウトの動作遅れを可及的に小さくすることができる。
【００４３】
請求項４記載の発明によれば、請求項１から３のいずれか１項に記載の発明の効果に加えて、直列回路を流れる定電流およびコンデンサの静電容量の設定によりフェードイン、フェードアウトの時間および電流変化パターンを調整することができ、点滅の品位を向上させることができる。
【００４４】
請求項５記載の発明によれば、請求項１から４のいずれか１項に記載の発明の効果に加えて、第２のスイッチ手段に調光パルス信号を印加してＰＷＭ制御することにより、ＬＥＤランプを高効率に駆動することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態におけるＬＥＤ駆動回路の基本構成図である。
【図２】本発明の実施形態におけるＬＥＤ駆動回路の具体的構成図である。
【図３】図２に示すＬＥＤ駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図４】充放電回路を抵抗式にしたバリエーションを示す回路図である。
【図５】ＰＷＭによる調光機能を持たせたバリエーションを示す回路図である。
【図６】ＭＯＳＦＥＴに過熱遮断機能を持たせたバリエーションを示す回路の部分図である。
【符号の説明】
Ｖ１バッテリ
Ｖ２直流電源
１０１充放電回路
ＺＤ１、ＺＤ２ツェナーダイオード
Ｃ１コンデンサ
Ｒ１抵抗
１０２バッファ回路
ＭＯＳＦＥＴ１ＭＯＳ型電解効果トランジスタ
１０３ＬＥＤランプ

Claims

一端が第１の直流電源に、他端がＬＥＤランプに接続され、該ＬＥＤランプへの電流供給を制御するスイッチ手段と、
前記スイッチ手段のトリガ用端子を制御するための電荷を蓄えるコンデンサと、
前記ＬＥＤランプの点灯／消灯を指示する外部からの点滅信号により前記コンデンサの充放電を制御する充放電回路と、
アノードを接地側にして、前記コンデンサと直列に接続される二つのツェナーダイオードと、
前記二つのツェナーダイオードの内、接地側の前記ツェナーダイオードと並列に接続される抵抗と、
前記コンデンサ、および前記二つのツェナーダイオードからなる直列回路の電圧をバッファリングして、前記スイッチ手段のトリガ用端子に印加するバッファ回路と、
前記充放電回路および前記バッファ回路に電圧を供給する第２の直流電源と、
を有することを特徴とするＬＥＤ駆動回路。
前記二つのツェナーダイオードの各ツェナー電圧の和と、
前記ＬＥＤランプの順方向電圧および前記スイッチ手段の動作しきい値電圧の和と、を略等しく設定することを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ駆動回路。
前記二つのツェナーダイオードの内、電源側の前記ツェナーダイオードのツェナー電圧と、
前記第２の直流電源の電源電圧から前記二つのツェナーダイオードの順方向電圧および前記スイッチ手段の動作しきい値電圧を引いた電圧と、を略等しく設定することを特徴とする請求項１または２記載のＬＥＤ駆動回路。
前記充放電回路は、二組のカレントミラー回路を含み、
前記二組のカレントミラー回路により生成される前記直列回路を流れる定電流、および前記コンデンサの静電容量の設定により、前記ＬＥＤランプのフェードイン、フェードアウトパターンを設定することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のＬＥＤ駆動回路。
前記直列回路と前記バッファ回路との間に、外部から入力される調光パルス信号によりオンオフする第２のスイッチ手段をさらに有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のＬＥＤ駆動回路。