JP4144545B2 - Liquid crystal device manufacturing method, liquid crystal device, and electronic apparatus - Google Patents

Liquid crystal device manufacturing method, liquid crystal device, and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP4144545B2
JP4144545B2 JP2004090830A JP2004090830A JP4144545B2 JP 4144545 B2 JP4144545 B2 JP 4144545B2 JP 2004090830 A JP2004090830 A JP 2004090830A JP 2004090830 A JP2004090830 A JP 2004090830A JP 4144545 B2 JP4144545 B2 JP 4144545B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal device
film
substrate
alignment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004090830A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2005275194A (en
Inventor
強 前田
綱紀 廣嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004090830A priority Critical patent/JP4144545B2/en
Publication of JP2005275194A publication Critical patent/JP2005275194A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4144545B2 publication Critical patent/JP4144545B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Description

本発明は、液晶装置の配向制御技術に関するものである。   The present invention relates to an alignment control technique for a liquid crystal device.

一般に、液晶プロジェクタのライトバルブや携帯電話等のディスプレイとして用いられる液晶装置には、その液晶層を挟持する基板の最表面に、液晶分子の配列を制御するための配向膜が形成されている。この配向膜としては、ポリイミド等の有機膜をラビング処理したものが広く使用されている。しかし、このような有機配向膜は配向力に優れる反面、熱や光に弱く、長期間の使用によって、その配向力が次第に低下してしまうという問題があった。例えば光束密度が2〜10(lm/mm)程度の高強度の光が照射されるプロジェクタに搭載した場合には、配向膜は光源からの光や熱によって次第に分解されてしまい、液晶分子を所望のプレチルト角に配列できなくなる場合がある。
これに対して、前記配向膜に無機配向膜を用い、この無機配向膜の形状効果によって液晶を配向させる技術が提案されている。例えば特許文献1では、斜方蒸着法により基板に対して斜めに配列した柱状構造物を形成する方法が開示されている。このような無機配向膜は、ポリイミド等の有機配向膜に比べて耐光性や耐溶剤性に優れており、液晶装置の信頼性を向上させることが可能である。
特開昭57−112714号公報
In general, in a liquid crystal device used as a light valve of a liquid crystal projector or a display such as a mobile phone, an alignment film for controlling the alignment of liquid crystal molecules is formed on the outermost surface of a substrate sandwiching the liquid crystal layer. As this alignment film, a film obtained by rubbing an organic film such as polyimide is widely used. However, such an organic alignment film is excellent in the alignment force, but is weak against heat and light, and has a problem that the alignment force gradually decreases with long-term use. For example, when mounted on a projector that is irradiated with high-intensity light with a light flux density of about 2 to 10 (lm / mm 2 ), the alignment film is gradually decomposed by light and heat from the light source, and the liquid crystal molecules are In some cases, it may become impossible to arrange at a desired pretilt angle.
On the other hand, a technique has been proposed in which an inorganic alignment film is used as the alignment film and liquid crystals are aligned by the shape effect of the inorganic alignment film. For example, Patent Document 1 discloses a method of forming columnar structures arranged obliquely with respect to a substrate by oblique vapor deposition. Such an inorganic alignment film is superior in light resistance and solvent resistance compared to an organic alignment film such as polyimide, and can improve the reliability of the liquid crystal device.
JP-A-57-112714

しかしながら、このような従来の無機配向膜は成膜工程に真空プロセスを用いるため、製造装置が大掛かりなものになってしまう。また、アクティブマトリクス型の液晶装置の電極面に配向膜を形成する場合、スイッチング素子の形成位置に対応して電極表面に段差部が形成され、その段差部において斜方蒸着方向から影となる部分ができる場合がある。このような不具合は、配向膜としての信頼性低下につながり、例えば液晶装置を表示装置として用いた場合、表示不良を生じさせる原因となる。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、配向能力が高く、配向安定性及び信頼性に優れた配向膜を容易に形成することのできる液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。
However, since such a conventional inorganic alignment film uses a vacuum process in the film forming process, the manufacturing apparatus becomes large. Further, when forming an alignment film on the electrode surface of an active matrix type liquid crystal device, a stepped portion is formed on the electrode surface corresponding to the position where the switching element is formed, and a portion shadowed from the oblique deposition direction in the stepped portion. May be possible. Such a defect leads to a decrease in reliability as the alignment film, and causes a display defect when, for example, a liquid crystal device is used as a display device.
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a method for manufacturing a liquid crystal device capable of easily forming an alignment film having high alignment ability and excellent alignment stability and reliability. And

上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置の製造方法は、対向する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板の少なくとも一方の基板の表面に無機配向膜を形成する工程を備え、前記無機配向膜の形成工程が、前記一方の基板の表面に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を電解液を用いて陽極酸化することにより、前記一方の基板の表面に、複数の微細孔を有する陽極酸化膜を形成する工程と、電解メッキにより、前記陽極酸化膜の微細孔に、前記液晶を配向させるための繊維状の金属メッキ膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, a method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention is a method for manufacturing a liquid crystal device in which a liquid crystal is sandwiched between a pair of opposing substrates, and at least one of the pair of substrates. A step of forming an inorganic alignment film on a surface, wherein the forming step of the inorganic alignment film includes a step of forming a metal film on the surface of the one substrate, and anodizing the metal film using an electrolytic solution. A step of forming an anodized film having a plurality of fine holes on the surface of the one substrate, and a fibrous metal plated film for orienting the liquid crystal in the fine holes of the anodized film by electrolytic plating Forming the step.

一般に、金属膜を陽極酸化した場合、その陽極酸化の条件を変えることによって緻密で欠陥のない膜から多孔質な膜まで様々な膜を形成することができる。例えば大きな電流で短時間陽極酸化を行なった場合には、多数の微細孔がランダムに開孔した多孔質膜が形成され、逆に小さな電流で長時間陽極酸化を行なった場合には、緻密で欠陥のない膜が形成される。また、その中間の条件をとった場合には、多数の微細孔が規則的に配列した2次元配列構造を有する多孔質膜が形成されるようになる。本方法は、陽極酸化法を用いて形成した微細孔の内部に金属メッキ膜を形成し、これによって得られた繊維状の金属メッキ膜によって基板表面に多数の微細な導電性突起(柱状構造物)を形成するようにしたものである。このような突起は、基板表面に一定の密度で2次元配列して形成されることで、その突起に沿った方向に配向力を持つようになる。
本方法によれば、液晶がこれらの突起に沿って確実に配向されるため、高い配向能力を実現することができる。また、この配向膜は無機材料からなるため、ポリイミド等の有機配向膜に比べて耐光性や耐溶剤性に優れており、又、微細な柱状構造物で液晶配向を実現している(即ち、形状配向膜の一種である)ので、安定した配向が得られる。さらに、斜方蒸着のように影になる部分がないので配向ムラが生じることもない。また、陽極酸化法を用いた場合には、前記微細孔のピッチ,サイズ,形状,深さ等を陽極酸化の条件によって調節することができるため、最適化によって安定な配向状態を容易に実現することが可能である。
Generally, when a metal film is anodized, various films can be formed from a dense and defect-free film to a porous film by changing the anodizing conditions. For example, when anodization is performed for a short time with a large current, a porous film having a large number of micropores randomly formed is formed. A film without defects is formed. In addition, when the intermediate condition is adopted, a porous film having a two-dimensional array structure in which a large number of micropores are regularly arranged is formed. In this method, a metal plating film is formed inside the fine holes formed by using the anodic oxidation method, and a number of fine conductive protrusions (columnar structures) are formed on the substrate surface by the fibrous metal plating film obtained thereby. ). Such protrusions are two-dimensionally arranged at a constant density on the surface of the substrate, so that they have an alignment force in the direction along the protrusions.
According to this method, since the liquid crystal is reliably aligned along these protrusions, a high alignment ability can be realized. In addition, since this alignment film is made of an inorganic material, it is superior in light resistance and solvent resistance compared to an organic alignment film such as polyimide, and liquid crystal alignment is realized with a fine columnar structure (that is, Therefore, stable orientation can be obtained. Furthermore, since there is no shadowed portion as in oblique deposition, no alignment unevenness occurs. In addition, when the anodizing method is used, the pitch, size, shape, depth, etc. of the micropores can be adjusted according to the anodizing conditions, so that a stable alignment state can be easily realized by optimization. It is possible.

本発明の液晶装置の製造方法では、前記複数の微細孔が2次元配列された(即ち、前記繊維状の導電性突起が2次元配列された)ものとすることができる。こうすることで、液晶を概ね一方向に配向させることができる。具体的には、前記複数の微細孔が前記一方の基板に対して略垂直に形成された(即ち、前記繊維状の導電性突起が前記一方の基板に対して略垂直に2次元配列された)ものとすることができる。この場合、液晶は初期状態(電圧無印加状態)において垂直配向を示すことになる。   In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention, the plurality of fine holes may be two-dimensionally arranged (that is, the fibrous conductive protrusions are two-dimensionally arranged). By doing so, the liquid crystal can be aligned in approximately one direction. Specifically, the plurality of micro holes are formed substantially perpendicular to the one substrate (that is, the fibrous conductive protrusions are two-dimensionally arranged substantially perpendicular to the one substrate. ). In this case, the liquid crystal exhibits a vertical alignment in the initial state (voltage non-application state).

また本発明の液晶装置の製造方法では、前記陽極酸化膜の形成工程が磁界中で行なわれるものとすることができる。この場合、磁界の制御によって微細孔の延在方向を制御することが可能である。つまり、陽極酸化は、電解液中の酸素イオンを電気的な作用によって金属膜の表面に引き寄せて金属表面を酸化するものであるため、陽極酸化を磁界中で行なった場合には、このイオンの動きに異方性が生じ、酸化膜の成長方向が指向性を持つようになる。このような酸化膜の成長方向の異方性は磁界の強さによって変化するため、この磁界の強さを調節することによって微細孔の傾斜量(即ち、液晶のチルト角)を制御することが可能である。   In the method for manufacturing a liquid crystal device of the present invention, the step of forming the anodic oxide film may be performed in a magnetic field. In this case, it is possible to control the extending direction of the fine holes by controlling the magnetic field. In other words, anodic oxidation attracts oxygen ions in the electrolyte solution to the surface of the metal film by electrical action and oxidizes the metal surface. Therefore, when anodic oxidation is performed in a magnetic field, Anisotropy occurs in the movement, and the growth direction of the oxide film becomes directional. Since the anisotropy in the growth direction of the oxide film changes depending on the strength of the magnetic field, the tilt amount of the micropores (that is, the tilt angle of the liquid crystal) can be controlled by adjusting the strength of the magnetic field. Is possible.

この方法では、前記陽極酸化膜の形成工程が、前記磁界を前記一方の基板に対して平行又は斜めに印加し、前記複数の微細孔を前記一方の基板に対して傾斜した状態で配列形成する(即ち、前記繊維状の導電性突起を前記一方の基板に対して傾斜させた状態で配列形成する)工程であるものとすることができる。このように微細孔を傾斜させた場合には、液晶は初期状態において基板面に対して一様にチルトした配向状態を示すことになる。その傾斜に応じて液晶のチルト角を制御することができ、リバースドメイン等の配向欠陥をなくすことが可能である。また、このような微細孔を2次元的に配列することで、液晶を概ね一方向に配向させることができる。なお、この方法では、前記陽極酸化膜の形成工程における前記磁界の強さが1T以上であることが望ましい。こうすることで、十分なチルトが得られるようになる。   In this method, in the step of forming the anodic oxide film, the magnetic field is applied parallel or obliquely to the one substrate, and the plurality of fine holes are arranged in an inclined state with respect to the one substrate. (That is, the fibrous conductive protrusions are arranged in an inclined state with respect to the one substrate). When the micropores are tilted in this way, the liquid crystal shows an alignment state that is uniformly tilted with respect to the substrate surface in the initial state. The tilt angle of the liquid crystal can be controlled according to the tilt, and alignment defects such as a reverse domain can be eliminated. Further, by arranging such fine holes two-dimensionally, the liquid crystal can be aligned in almost one direction. In this method, it is desirable that the magnetic field strength in the step of forming the anodic oxide film is 1T or more. By doing so, a sufficient tilt can be obtained.

また本発明の液晶装置の製造方法では、前記金属膜がアルミニウム(Al)からなるものとすることができる。前記金属膜としては、この他にタングステン(Ta),チタン(Ti),マグネシウム(Mg)等のいわゆるバルブ金属と呼ばれるものやその合金を使用することができるが、この中でもアルミニウムは前記のような微細孔を形成しやすい。また本発明の液晶装置の製造方法では、前記電解液がシュウ酸,リン酸,硫酸,クロム酸等の弱酸性の電解液からなるものを好適に用いることができる。   In the liquid crystal device manufacturing method of the present invention, the metal film may be made of aluminum (Al). As the metal film, a so-called valve metal such as tungsten (Ta), titanium (Ti), magnesium (Mg), or an alloy thereof can be used, and among them, aluminum is as described above. Easy to form micropores. In the method for producing a liquid crystal device according to the present invention, it is possible to suitably use the electrolytic solution made of a weakly acidic electrolytic solution such as oxalic acid, phosphoric acid, sulfuric acid, or chromic acid.

また本発明の液晶装置の製造方法では、前記陽極酸化膜の形成工程が、前記金属膜の表面のみを陽極酸化し、それ以外の前記金属膜を前記液晶に電圧を印加するための電極として残す工程であるものとすることができる。こうすることで、別途、液晶配向用の電極を形成する必要がなくなり、工程が簡単になる。   In the method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention, in the step of forming the anodic oxide film, only the surface of the metal film is anodized, and the other metal film is left as an electrode for applying a voltage to the liquid crystal. It can be a process. By doing so, it is not necessary to separately form an electrode for liquid crystal alignment, and the process becomes simple.

また本発明の液晶装置の製造方法では、前記一方の基板の表面に前記液晶に電圧を印加するための電極を備え、前記無機配向膜の形成工程が、前記電極と前記金属膜との間に前記電極の表面を保護するための保護膜を形成する工程を含むものとすることができる。このように保護膜を形成してから陽極酸化を行なうようにすることで、下地の電極膜が電解液によって腐食されるのを防止することができる。また、電極と金属膜との間に絶縁性の保護膜を設けた場合には、例えば前記陽極酸化膜の形成工程において前記金属膜の一部が酸化されずに残ったとしても、これによって電極間に短絡が生じることはない。   In the method for manufacturing a liquid crystal device of the present invention, an electrode for applying a voltage to the liquid crystal is provided on the surface of the one substrate, and the step of forming the inorganic alignment film is performed between the electrode and the metal film. The method may include a step of forming a protective film for protecting the surface of the electrode. Thus, by performing anodization after forming a protective film, it is possible to prevent the underlying electrode film from being corroded by the electrolytic solution. Further, when an insulating protective film is provided between the electrode and the metal film, for example, even if a part of the metal film is left unoxidized in the step of forming the anodic oxide film, the electrode is thereby removed. There is no short circuit between them.

本発明の液晶装置の製造方法では、前記無機配向膜の形成工程が、前記金属メッキ膜の形成後に前記陽極酸化膜を除去する工程を含むものとすることができる。この場合、前記無機配向膜は前記導電性突起のみによって構成されることになる。このため、従来の絶縁材料からなる配向膜(ポリイミド等の有機配向膜やSiO斜方蒸着膜等の無機絶縁配向膜など)と違って、液晶に電圧を印加した際に、この無機配向膜が誘電体として機能して電圧降下が起きるといった問題は生じない。すなわち、電極に印加した電圧をフルに液晶に印加することが可能になる。 In the method for manufacturing a liquid crystal device of the present invention, the step of forming the inorganic alignment film may include a step of removing the anodic oxide film after the formation of the metal plating film. In this case, the inorganic alignment film is constituted only by the conductive protrusions. Therefore, unlike conventional alignment films made of an insulating material (such as organic alignment films such as polyimide and inorganic insulating alignment films such as SiO 2 oblique deposition film), this inorganic alignment film is applied when a voltage is applied to the liquid crystal. Does not cause a problem of voltage drop due to functioning as a dielectric. That is, the voltage applied to the electrodes can be fully applied to the liquid crystal.

また本発明の液晶装置の製造方法では、前記一対の基板の他方の基板の表面に前記無機配向膜を形成する工程を備えることができる。このように双方の基板の配向膜を無機配向膜とすることで、液晶装置の信頼性をより高めることができる。   Moreover, in the manufacturing method of the liquid crystal device of this invention, the process of forming the said inorganic alignment film on the surface of the other board | substrate of a pair of said board | substrate can be provided. Thus, the reliability of a liquid crystal device can be improved more by making the alignment film of both the substrates into an inorganic alignment film.

また本発明の液晶装置の製造方法では、前記一対の基板の他方の基板の表面に有機配向膜を形成する工程を備えることができる。このように他方の基板の配向膜を配向能力に優れる有機配向膜とすることで、液晶充填後の初期の配向状態(例えば液晶注入直後の配向状態)を安定させることができる。つまり、形状効果によって液晶を配向させる形状配向膜では、液晶は準安定な配向状態をとり易く、液晶充填直後の配向状態は不安定になり易い。このため、液晶が最も安定な配向状態に遷移できるように、前述の形状効果による配向力の他に、これをアシストするような何らかの配向力を付与することが望ましい。一方、ポリイミド等の有機配向膜では、液晶の配向は有機配向膜と液晶との分子間力によって強固に規制されるため、前述の形状配向膜に比べて安定配向への遷移が確実に行なわれ、遷移するまでの時間も短い。このため、本方法のように対向基板側を有機配向膜とすることで、その有機配向膜の配向規制力を液晶層を介して間接的に前記一方の基板側に伝えることができ、この結果、無機配向膜近傍の液晶の配向状態を最も安定な状態に短時間で確実に遷移させることが可能になる。   In the method for manufacturing a liquid crystal device of the present invention, a step of forming an organic alignment film on the surface of the other substrate of the pair of substrates can be provided. Thus, by making the alignment film of the other substrate an organic alignment film having excellent alignment ability, the initial alignment state after filling the liquid crystal (for example, the alignment state immediately after liquid crystal injection) can be stabilized. That is, in a shape alignment film that aligns liquid crystal by shape effect, the liquid crystal tends to be in a metastable alignment state, and the alignment state immediately after filling the liquid crystal tends to be unstable. For this reason, in order to make the liquid crystal transition to the most stable alignment state, in addition to the alignment force due to the shape effect described above, it is desirable to apply some alignment force that assists this. On the other hand, in the case of an organic alignment film such as polyimide, the alignment of the liquid crystal is strongly regulated by the intermolecular force between the organic alignment film and the liquid crystal, so that the transition to the stable alignment is performed more reliably than the shape alignment film described above. The time until transition is short. For this reason, by using the organic alignment film on the opposite substrate side as in this method, the alignment regulating force of the organic alignment film can be indirectly transmitted to the one substrate side via the liquid crystal layer. Thus, the alignment state of the liquid crystal in the vicinity of the inorganic alignment film can be reliably changed to the most stable state in a short time.

本発明の液晶装置は、対向する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置であって、前記一対の基板の少なくとも一方の基板の表面に、液晶を配向させるための複数の微細な繊維状の導電性突起からなる無機配向膜を備えたことを特徴とする。
本構成によれば、液晶がこれらの導電性突起に沿って確実に配向されるため、高い配向能力を実現することができる。また、この配向膜は無機材料からなるため、ポリイミド等の有機配向膜に比べて信頼性に優れており、又、形状効果によって配向を実現しているので、安定した配向が得られる。また本構成では、従来の絶縁材料からなる配向膜と違って、電圧印加時に前記無機配向膜の存在によって電圧降下が生じることがなく、電圧をフルに液晶に印加できるようになる。
The liquid crystal device of the present invention is a liquid crystal device in which liquid crystal is sandwiched between a pair of opposing substrates, and a plurality of fine fibers for aligning the liquid crystal on the surface of at least one of the pair of substrates. And an inorganic alignment film made of conductive conductive protrusions.
According to this configuration, since the liquid crystal is reliably aligned along these conductive protrusions, a high alignment ability can be realized. In addition, since this alignment film is made of an inorganic material, it is more reliable than an organic alignment film such as polyimide, and since the alignment is realized by the shape effect, a stable alignment can be obtained. Further, in this configuration, unlike a conventional alignment film made of an insulating material, a voltage drop does not occur due to the presence of the inorganic alignment film when a voltage is applied, and the voltage can be fully applied to the liquid crystal.

本発明の液晶装置では、前記複数の導電性突起が2次元配列されたものとすることができる。こうすることで、液晶を概ね一方向に配向させることができる。具体的には、前記複数の導電性突起が前記一方の基板に対して略垂直に形成されたものとすることができる。この場合、液晶は初期状態(電圧無印加状態)において垂直配向を示すことになる。或いは、前記複数の導電性突起が前記一方の基板に対して傾斜して形成されたものとすることができる。この場合、液晶は初期状態においてチルト配向を示すことになる。これらの場合において、前記液晶を誘電異方性が負のネマチック液晶とすることで、垂直配向型の液晶装置を実現することができる。
また本発明の液晶装置では、前記複数の導電性突起が一定のピッチで規則的に配列されることが望ましい。また、前記複数の導電性突起のサイズ,形状,高さが略等しく構成されることが望ましい。こうすることで、均一な配向が得られるようになる。
In the liquid crystal device of the present invention, the plurality of conductive protrusions may be two-dimensionally arranged. By doing so, the liquid crystal can be aligned in approximately one direction. Specifically, the plurality of conductive protrusions may be formed substantially perpendicular to the one substrate. In this case, the liquid crystal exhibits a vertical alignment in the initial state (voltage non-application state). Alternatively, the plurality of conductive protrusions may be formed to be inclined with respect to the one substrate. In this case, the liquid crystal exhibits tilt alignment in the initial state. In these cases, a vertical alignment type liquid crystal device can be realized by making the liquid crystal a nematic liquid crystal having a negative dielectric anisotropy.
In the liquid crystal device of the present invention, it is desirable that the plurality of conductive protrusions are regularly arranged at a constant pitch. In addition, it is desirable that the plurality of conductive protrusions have substantially the same size, shape, and height. By doing so, uniform orientation can be obtained.

また本発明の液晶装置では、前記一対の基板の双方の基板の表面に前記無機配向膜を備えたものとすることができる。このように双方の基板の配向膜を無機配向膜とすることで、液晶装置の信頼性をより高めることができる。
また本発明の液晶装置では、前記一対の基板の他方の基板の表面に有機配向膜を備えたものとすることができる。このように他方の基板の配向膜を配向能力に優れる有機配向膜とすることで、液晶充填後の初期の配向状態を安定させることができる。
In the liquid crystal device of the present invention, the inorganic alignment film may be provided on the surfaces of both the pair of substrates. Thus, the reliability of a liquid crystal device can be improved more by making the alignment film of both the substrates into an inorganic alignment film.
In the liquid crystal device of the present invention, an organic alignment film may be provided on the surface of the other substrate of the pair of substrates. Thus, the initial alignment state after liquid crystal filling can be stabilized by making the alignment film of the other substrate an organic alignment film having excellent alignment ability.

本発明の電子機器は、前述の方法を用いて製造された液晶装置を備えたことを特徴とする。これにより、表示品質が高く信頼性にも優れた電子機器を提供することができる。   An electronic apparatus according to the present invention includes a liquid crystal device manufactured using the above-described method. Thereby, an electronic apparatus with high display quality and excellent reliability can be provided.

以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。尚、以下で参照する各図面では図を見易くするために各部の大きさや厚さを適宜異ならせている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing referred to below, the size and thickness of each part are appropriately changed in order to make the drawing easy to see.

[第1の実施の形態]
[液晶装置]
図1は本実施形態の液晶装置の概略構成を示す模式的断面図である。図1に示す液晶装置1は、対向する一対の基板10,20の間に液晶層30を挟持した構成を有する。下基板10の内面側(液晶層側)には下電極11と配向膜12とが順次形成されており、上基板20の内面側には上電極21と配向膜22とが順次形成されている。この液晶装置1は、アクティブマトリクス型若しくはパッシブ型のいずれの構造をとってもよい。アクティブマトリクス型の構造を採る場合には、画素スイッチング素子として、TFT(Thin Film Transistor;三端子素子)又はMIM構造を有するTFD(Thin Film Diode;二端子素子)のいずれを用いることもできる。また、この液晶装置1は透過型若しくは反射型のいずれの構造であってもよい、さらに、これらの基板には必要に応じてカラーフィルタを設けることができる。
[First Embodiment]
[Liquid Crystal Device]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of the liquid crystal device of the present embodiment. The liquid crystal device 1 shown in FIG. 1 has a configuration in which a liquid crystal layer 30 is sandwiched between a pair of opposing substrates 10 and 20. A lower electrode 11 and an alignment film 12 are sequentially formed on the inner surface side (liquid crystal layer side) of the lower substrate 10, and an upper electrode 21 and an alignment film 22 are sequentially formed on the inner surface side of the upper substrate 20. . The liquid crystal device 1 may have an active matrix type or passive type structure. When adopting an active matrix structure, either a TFT (Thin Film Transistor) or a TFD (Thin Film Diode) having an MIM structure can be used as the pixel switching element. Further, the liquid crystal device 1 may have either a transmission type or a reflection type structure, and a color filter may be provided on these substrates as necessary.

本実施形態において配向膜12,13は、表面に多数の突起を有する無機配向膜として構成されている。具体的には、配向膜12,13は、多孔質なアルミナ陽極酸化膜12aと、その陽極酸化膜の細孔内にメッキ形成した多数の微細な繊維状の金属メッキ膜12bとを備えており(図4参照)、これらの金属メッキ膜12bが前記陽極酸化膜12aの表面から突出して形成されることによって、前述の多数の突起が形成されている。この配向膜12,13は、形状効果(膜面に形成された構造物と対象物との相互作用)によって配向制御を行なう形状配向膜の一種であって、本例では、酸化膜表面に形成された突起構造によって、配向膜近傍の液晶Lの配向状態を規定している。   In the present embodiment, the alignment films 12 and 13 are configured as inorganic alignment films having a large number of protrusions on the surface. Specifically, the alignment films 12 and 13 include a porous alumina anodic oxide film 12a and a large number of fine fibrous metal plating films 12b formed in the pores of the anodic oxide film. (See FIG. 4) These metal plating films 12b are formed so as to protrude from the surface of the anodic oxide film 12a, thereby forming the above-mentioned many protrusions. The alignment films 12 and 13 are a kind of shape alignment film that performs alignment control by shape effect (interaction between the structure formed on the film surface and the object). In this example, the alignment films 12 and 13 are formed on the surface of the oxide film. The projected structure defines the alignment state of the liquid crystal L in the vicinity of the alignment film.

一般に、金属膜を陽極酸化した場合、その陽極酸化の条件を変えることによって緻密で欠陥のない膜から多孔質な膜まで様々な膜を形成することができる。例えば大きな電流で短時間陽極酸化を行なった場合には、多数の微細孔がランダムに開孔した多孔質膜が形成され、逆に小さな電流で長時間陽極酸化を行なった場合には、緻密で欠陥のない膜が形成される。また、その中間の条件をとった場合には、多数の微細孔が規則的に配列した2次元配列構造を有する多孔質膜が形成されるようになる。このような微細孔は、陽極酸化の条件によって、数nm〜数百nmの径のものを形成することが可能である。このような微細な孔を有する陽極酸化膜を配向膜として使用した場合、係る微細孔に液晶Lを吸着させることによって、液晶Lをその孔の内壁に沿う方向又はそれに垂直な方向に配向させることができる。本実施形態では、適切な陽極酸化条件を選択して、このような微細孔を膜面に規則的に配列形成し、更にこの微細孔内に微細な繊維状の金属膜をメッキ形成している。そして、陽極酸化膜から突出した多数の繊維状の金属メッキ膜によって、液晶Lのダイレクタの方向を概ね一方向に揃えている。具体的には、これらの微細孔(即ち、前記繊維状の金属メッキ膜)を基板に対して略垂直に形成し、液晶Lを初期状態において垂直配向させるようにしている。   Generally, when a metal film is anodized, various films can be formed from a dense and defect-free film to a porous film by changing the anodizing conditions. For example, when anodization is performed for a short time with a large current, a porous film having a large number of micropores randomly formed is formed. A film without defects is formed. In addition, when the intermediate condition is adopted, a porous film having a two-dimensional array structure in which a large number of micropores are regularly arranged is formed. Such micropores can be formed with a diameter of several nm to several hundred nm depending on the conditions of anodization. When such an anodic oxide film having fine holes is used as the alignment film, the liquid crystal L is adsorbed in the fine holes to align the liquid crystal L in the direction along the inner wall of the holes or in the direction perpendicular thereto. Can do. In this embodiment, appropriate anodic oxidation conditions are selected, such fine holes are regularly arranged on the film surface, and a fine fibrous metal film is formed by plating in the fine holes. . The direction of the director of the liquid crystal L is generally aligned in one direction by a large number of fibrous metal plating films protruding from the anodized film. Specifically, these fine holes (that is, the fibrous metal plating film) are formed substantially perpendicular to the substrate so that the liquid crystal L is vertically aligned in the initial state.

このような垂直配向型の配向膜12,22を形成した場合には、前記液晶Lとして誘電異方性が負のネマチック液晶を用いることで、電圧による液晶Lの配向制御が可能になる。つまり、係る構成の液晶装置1では、液晶層30を構成する液晶分子Lは、両電極11,21に電圧が印加されていない状態(非選択状態、初期配向状態)では、配向膜12,22の配向規制力によって基板10,20に対して概ね垂直方向に配向し、前記両電極間に電圧が印加される(選択状態とされる)と、基板10,20の面方向に向かって倒れるように動作する。よって、この液晶装置1を、偏光方向をクロスした2枚の偏光板で挟み込めば、非選択状態において黒表示、選択状態において白表示を実現することができる。   When such vertical alignment type alignment films 12 and 22 are formed, by using nematic liquid crystal having negative dielectric anisotropy as the liquid crystal L, it is possible to control the alignment of the liquid crystal L by voltage. That is, in the liquid crystal device 1 having such a configuration, the liquid crystal molecules L constituting the liquid crystal layer 30 are aligned in the alignment films 12 and 22 when no voltage is applied to the electrodes 11 and 21 (non-selected state and initial alignment state). When the substrate is oriented in a substantially vertical direction with respect to the substrates 10 and 20 by the orientation regulating force, and a voltage is applied between the two electrodes (selected state), the substrates 10 and 20 are inclined toward the surface direction. To work. Therefore, when the liquid crystal device 1 is sandwiched between two polarizing plates whose polarization directions are crossed, black display in the non-selected state and white display in the selected state can be realized.

[液晶装置の製造方法]
次に、図2〜図4を参照しながら、本発明の液晶装置の製造方法の一例について説明する。図2は基板に配向膜を形成する工程の一例を示す模式図、図3は陽極酸化膜の構造を示す模式図、図4は陽極酸化膜の細孔に繊維状の金属膜をメッキ形成する工程を示す模式図である。
[Method of manufacturing liquid crystal device]
Next, an example of a manufacturing method of the liquid crystal device of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 is a schematic diagram showing an example of a process for forming an alignment film on a substrate, FIG. 3 is a schematic diagram showing the structure of an anodized film, and FIG. 4 is a method of plating a fibrous metal film on the pores of the anodized film. It is a schematic diagram which shows a process.

本方法ではまず、図2に示すように、電極11を備えた基板10の全面に陽極酸化可能な金属膜(陽極)M1を形成し、アセトン等で脱脂処理を行なった後、所定の電解液Eを用いて前記金属膜M1を陽極酸化する。ここで、基板10や電極11としては公知のものを用いることができる。本例では、透過表示を行なうために、例えば基板10をガラス等の透光性基板とし、電極11をITO等の透光性導電膜とする。基板10には、必要に応じて、画素スイッチング用の回路やカラーフィルタ等を形成することができる。金属膜M1としては、アルミニウム(Al),タングステン(Ta),チタン(Ti),マグネシウム(Mg)等のいわゆるバルブ金属と呼ばれるものやその合金を使用することができる。中でもアルミニウムは前述のような規則的な細孔配列構造を形成し易いため、本例では前記金属膜M1としてアルミニウムを用いる。この金属膜M1は、例えば純度99.99%のアルミニウムをスパッタ等により基板10上に200nm程度堆積させることにより得られる。また、前記電解液Eとしては、シュウ酸,リン酸,硫酸,クロム酸等の弱酸性の電解液が好適である。本例では、0.3M(mol/l)の硫酸水溶液を用いる。   In this method, first, as shown in FIG. 2, a metal film (anode) M1 that can be anodized is formed on the entire surface of the substrate 10 provided with the electrode 11, degreased with acetone or the like, and then a predetermined electrolytic solution. The metal film M1 is anodized using E. Here, a well-known thing can be used as the board | substrate 10 and the electrode 11. FIG. In this example, in order to perform transmissive display, for example, the substrate 10 is a translucent substrate such as glass, and the electrode 11 is a translucent conductive film such as ITO. A pixel switching circuit, a color filter, and the like can be formed on the substrate 10 as necessary. As the metal film M1, a so-called valve metal such as aluminum (Al), tungsten (Ta), titanium (Ti), magnesium (Mg), or an alloy thereof can be used. In particular, aluminum easily forms a regular pore arrangement structure as described above, and therefore, in this example, aluminum is used as the metal film M1. The metal film M1 is obtained by depositing, for example, aluminum having a purity of 99.99% on the substrate 10 by sputtering or the like to a thickness of about 200 nm. Further, as the electrolytic solution E, weakly acidic electrolytic solutions such as oxalic acid, phosphoric acid, sulfuric acid, and chromic acid are suitable. In this example, a 0.3 M (mol / l) sulfuric acid aqueous solution is used.

陽極酸化は、例えば以下の条件で行なう。電解液Eの液温:20℃、印加電圧:直流30V、陰極M2:白金(Pt)、陽極酸化時間:1時間。このような陽極酸化処理を行なうと、金属膜M1の表面には、電気分解反応によって微細な孔が垂直に開いていく。そして、反応の進行に伴って、金属膜M1の表面にナノメートルスケールの小さな孔(ナノホール)が規則的に配列した酸化アルミニウムの薄い膜12aが形成される。これは、酸化によってアルミニウム膜の体積が増加し、これによって生じた膜中のストレスを緩和するように、前記孔が自己組織的に再配列されることによる。そして更に反応を進めていくと、前記孔は孔径を広げながら下層側に延びていき、最終的に、下地の層(基板10や電極11)まで貫通したナノホールアレイが形成される。   Anodization is performed, for example, under the following conditions. Solution temperature of electrolyte E: 20 ° C., applied voltage: DC 30 V, cathode M2: platinum (Pt), anodization time: 1 hour. When such anodizing treatment is performed, fine holes are opened vertically on the surface of the metal film M1 by electrolysis reaction. As the reaction proceeds, a thin film 12a of aluminum oxide in which small holes (nanoholes) on the nanometer scale are regularly arranged is formed on the surface of the metal film M1. This is because the volume of the aluminum film is increased by oxidation, and the pores are rearranged in a self-organized manner so as to relieve the stress in the film. As the reaction proceeds further, the holes extend to the lower layer side while expanding the hole diameter, and finally a nanohole array penetrating to the underlying layer (substrate 10 or electrode 11) is formed.

図3は、陽極酸化膜12aの概略構造を示す模式図であり、図3(a)はその部分斜視図、図3(b)はその部分断面図である。この陽極酸化膜12aは、セルと呼ばれる一定サイズの円柱状のアルミナ層Cが細密充填した構造からなる。各セルCの中心には均一な径の微細孔(ポア)Pが開孔しており、この微細孔Pが膜面に垂直に配向して配列するという特異な幾何学構造となっている。各微細孔Pのピッチ(即ち、セルCのサイズ),サイズ,深さ、下地のアルミニウムの残存率は、電解液Eの濃度,温度、陽極酸化時の電圧,電流密度,時間を変えることによって制御することができる。また、適切な条件を選択することで、これらの微細孔Pが、形状,サイズ,深さ等において均一で、且つこれらが長距離にわたって一定のピッチで規則配列したホールアレイ構造を形成することが可能である。
なお、本例では、長時間(例えば1時間)の陽極酸化を行なうことによって、下地のアルミニウムを略ゼロとした。こうすることによって、可視光が透過可能になり、透過型の表示装置に利用できるようになる。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a schematic structure of the anodic oxide film 12a. FIG. 3 (a) is a partial perspective view thereof, and FIG. 3 (b) is a partial sectional view thereof. The anodic oxide film 12a has a structure in which a cylindrical alumina layer C having a certain size called a cell is closely packed. A micropore (pore) P having a uniform diameter is formed at the center of each cell C, and the micropore P has a unique geometric structure in which the micropores P are aligned perpendicularly to the film surface. The pitch (that is, the size of the cell C), the size, the depth, and the residual ratio of the underlying aluminum are changed by changing the concentration, temperature, voltage during anodic oxidation, current density, and time. Can be controlled. Further, by selecting appropriate conditions, it is possible to form a hole array structure in which these fine holes P are uniform in shape, size, depth, etc. and are regularly arranged at a constant pitch over a long distance. Is possible.
In this example, the base aluminum was made substantially zero by performing anodization for a long time (for example, 1 hour). By doing so, visible light can be transmitted and used for a transmissive display device.

次に、図4に示すように、陽極酸化膜12aの各微細孔P内に繊維状の金属膜12bをメッキ形成する。本例では、前記陽極酸化膜12aの形成された基板10を1mol/lの硫酸ニッケルと30g/lの硼酸からなる20℃のメッキ浴に入れて、交流電析法によってニッケルを微細孔P内に電解析出し、該微細孔Pから突き出るようにしている。このような突起状の金属メッキ膜12bは、基板表面に一定の密度で配列形成されることで、その金属メッキ膜12bの延在方向に沿った方向に配向力を持つようになる。本例では、このような金属メッキ膜12bが基板に一定のピッチで規則的に配列されているため、広い範囲で均一な配向状態が得られる。   Next, as shown in FIG. 4, a fibrous metal film 12b is formed in each fine hole P of the anodic oxide film 12a by plating. In this example, the substrate 10 on which the anodic oxide film 12a is formed is placed in a 20 ° C. plating bath made of 1 mol / l nickel sulfate and 30 g / l boric acid, and nickel is put into the fine holes P by an AC electrodeposition method. Electrolytically deposited and protrudes from the fine holes P. Such protruding metal plating films 12b are arranged and formed at a constant density on the surface of the substrate, thereby having an alignment force in the direction along the extending direction of the metal plating film 12b. In this example, since such metal plating films 12b are regularly arranged on the substrate at a constant pitch, a uniform orientation state can be obtained in a wide range.

次に、同様の方法を用いて上基板20に配向膜22を形成する。そして、これらの基板10,20を用いて空セルを作製し、この空セルの中に誘電異方性が負の液晶を充填(例えば真空注入)する。
以上により、液晶装置1が製造される。
Next, the alignment film 22 is formed on the upper substrate 20 using the same method. Then, an empty cell is manufactured using these substrates 10 and 20, and liquid crystal having negative dielectric anisotropy is filled into the empty cell (for example, vacuum injection).
Thus, the liquid crystal device 1 is manufactured.

以上説明したように、本実施形態によれば、液晶Lが配向膜12,22に設けられた金属メッキ膜12bに沿って確実に配向されるため、高い配向能力を実現することができる。また、この配向膜12,22は無機材料からなるため、ポリイミド等の有機配向膜に比べて耐光性や耐溶剤性に優れており、又、微細な柱状構造物で液晶配向を実現している(即ち、形状配向膜の一種である)ので、安定した配向が得られる。さらに、斜方蒸着のように影になる部分がないので配向ムラが生じることもない。また、陽極酸化法を用いた場合には、前記微細孔のピッチ,サイズ,形状,深さ等を陽極酸化の条件によって調節することができるため、最適化によって安定な配向状態を容易に実現することが可能である。   As described above, according to the present embodiment, since the liquid crystal L is reliably aligned along the metal plating film 12b provided on the alignment films 12 and 22, high alignment ability can be realized. In addition, since the alignment films 12 and 22 are made of an inorganic material, they are superior in light resistance and solvent resistance compared to organic alignment films such as polyimide, and liquid crystal alignment is realized with fine columnar structures. (That is, it is a kind of shape alignment film), so that stable alignment can be obtained. Furthermore, since there is no shadowed portion as in oblique deposition, no alignment unevenness occurs. In addition, when the anodizing method is used, the pitch, size, shape, depth, etc. of the micropores can be adjusted according to the anodizing conditions, so that a stable alignment state can be easily realized by optimization. It is possible.

なお、本実施形態では陽極酸化膜12aに高度に規則的な2次元配列構造を形成したが、この配列構造は必ずしも膜面全体にわたって完全に規則的である必要はない。例えば、前述のような微細孔Pがその配列状態を維持したまま不規則な位置にまばらに形成されるようなものであってもよい。また、各微細孔Pは膜面に完全に垂直でなくてもよく、全体としてそれらの延在方向に方向性を持っていればよい。
また、本実施形態では陽極酸化の条件を最適化することによって前述のような2次元配列構造を形成したが、規則的な細孔構造を形成する方法はこのようなものに限定されない。例えば、金属膜M1の表面に予め規則的な突起形状を作っておき、これを陽極酸化する方法も考えられる。この場合、酸化膜は前記突起部を核として成長するため、結果として、微細孔が規則的に2次元配列したポーラスな陽極酸化膜が形成されることになる。
In this embodiment, a highly regular two-dimensional array structure is formed in the anodic oxide film 12a. However, this array structure does not necessarily need to be completely regular over the entire film surface. For example, the fine holes P as described above may be sparsely formed at irregular positions while maintaining the arrangement state. Moreover, each fine hole P does not need to be completely perpendicular to the film surface, and as long as it has directionality in the extending direction as a whole.
In the present embodiment, the two-dimensional array structure as described above is formed by optimizing the anodizing conditions, but the method of forming a regular pore structure is not limited to this. For example, a method in which a regular protrusion shape is previously formed on the surface of the metal film M1, and this is anodized can be considered. In this case, the oxide film grows with the protrusions as nuclei, and as a result, a porous anodic oxide film in which micropores are regularly arranged in two dimensions is formed.

[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態を図5,図6を用いて説明する。本実施形態において、前記第1の実施の形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態において前記第1の実施形態と異なる点は、電極と配向膜との間に前記電極を保護するための保護膜を配置した点と、陽極酸化膜の孔内に金属メッキ膜を形成した後にこの陽極酸化膜を除去し、導電性突起である前記金属メッキ膜のみを配向膜として残すようにした点のみである。すなわち、前記第1の実施形態では、ITO等の電極11,21の表面に直接金属膜M1を形成したが、本実施形態では、金属膜M1を形成する前に予め電極11,21の表面に電解液E(本例では0.5Mのシュウ酸)に対して耐食性を有する保護膜13,23を形成している。このように保護膜13,23を形成してから陽極酸化を行なうようにすることで、下地の電極11,21が電解液Eによって腐食されるのを防止することができる。なお、保護膜13,23はSiO等の無機絶縁膜によって構成されている。このため、仮に陽極酸化工程において金属膜M1の一部が酸化されずに残ったとしても、これによって電極間に短絡が生じることはない。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, the same members or parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. In this embodiment, the difference from the first embodiment is that a protective film for protecting the electrode is disposed between the electrode and the alignment film, and a metal plating film is formed in the hole of the anodized film. After that, the anodic oxide film is removed, and only the metal plating film, which is a conductive protrusion, is left as an alignment film. That is, in the first embodiment, the metal film M1 is directly formed on the surfaces of the electrodes 11 and 21 such as ITO. However, in the present embodiment, the surface of the electrodes 11 and 21 is formed in advance before the metal film M1 is formed. The protective films 13 and 23 having corrosion resistance against the electrolytic solution E (0.5 M oxalic acid in this example) are formed. By thus performing the anodic oxidation after forming the protective films 13 and 23, it is possible to prevent the underlying electrodes 11 and 21 from being corroded by the electrolytic solution E. The protective films 13 and 23 are made of an inorganic insulating film such as SiO 2 . For this reason, even if a part of the metal film M1 remains without being oxidized in the anodic oxidation step, this does not cause a short circuit between the electrodes.

また、本実施形態では金属メッキ膜を形成した後、陽極酸化膜をエッチングによって除去しているので、基板10(20)の配向膜は繊維状の金属メッキ膜15(25)のみで構成されることになる(図6参照)。このため、従来の絶縁材料からなる配向膜(ポリイミド等の有機配向膜やSiO斜方蒸着膜等の無機絶縁配向膜など)と違って、液晶Lに電圧を印加した際に、この無機配向膜15,25が誘電体として機能して電圧降下が起きるといった問題は生じない。すなわち、電極11,21に印加した電圧をフルに液晶Lに印加することが可能になる。なお、陽極酸化膜の除去は、30g/lの酸化クロムと35ml/lのリン酸とを含むエッチング液に基板を1分間浸漬することによって行なうことができる。
このように本実施形態によれば、液晶装置2の配向安定性や信頼性を更に高めることができ、液晶装置2を製造する際の歩留まりを高めることも可能である。また、配向膜15,25を導電材料によって構成したことで、電気的特性にも優れたものとなる。
In this embodiment, since the anodic oxide film is removed by etching after the metal plating film is formed, the alignment film of the substrate 10 (20) is composed only of the fibrous metal plating film 15 (25). (See FIG. 6). Therefore, unlike a conventional alignment film made of an insulating material (such as an organic alignment film such as polyimide or an inorganic insulating alignment film such as a SiO 2 oblique deposition film), this inorganic alignment is applied when a voltage is applied to the liquid crystal L. There is no problem that the films 15 and 25 function as a dielectric and a voltage drop occurs. That is, the voltage applied to the electrodes 11 and 21 can be fully applied to the liquid crystal L. The anodic oxide film can be removed by immersing the substrate in an etching solution containing 30 g / l chromium oxide and 35 ml / l phosphoric acid for 1 minute.
As described above, according to the present embodiment, the alignment stability and reliability of the liquid crystal device 2 can be further increased, and the yield in manufacturing the liquid crystal device 2 can be increased. Further, since the alignment films 15 and 25 are made of a conductive material, the electrical characteristics are excellent.

[第3の実施の形態]
次に、本発明の第3の実施の形態を図7〜図10を用いて説明する。本実施形態において、前記第1の実施の形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態において前記第1の実施形態と異なる点は、陽極酸化膜の微細孔が基板に対して傾斜した状態で配列形成されている点のみである。本例では、これらの微細孔を基板の法線に対して概ね5°傾斜させた状態で形成し、液晶Lを初期状態において一方向にチルト配向(基板面からのプレチルト角は概ね85°)させるようにしている。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, the same members or parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. This embodiment is different from the first embodiment only in that the fine holes of the anodic oxide film are arranged in an inclined state with respect to the substrate. In this example, these fine holes are formed in a state inclined at approximately 5 ° with respect to the normal line of the substrate, and the liquid crystal L is tilted in one direction in the initial state (the pretilt angle from the substrate surface is approximately 85 °). I try to let them.

このような配向膜16,26を形成した場合には、前記液晶Lとして誘電異方性が負のネマチック液晶を用いることで、電圧による液晶Lの配向制御が可能になる。つまり、係る構成の液晶装置2では、液晶層30を構成する液晶分子Lは、両電極11,21に電圧が印加されていない状態(非選択状態、初期配向状態)では、配向膜16,26の配向規制力によって基板10,20に対して概ね垂直方向に配向し、前記両電極間に電圧が印加される(選択状態とされる)と、基板10,20の面方向に向かって倒れるように動作する。よって、この液晶装置3を、偏光方向をクロスした2枚の偏光板で挟み込めば、非選択状態において黒表示、選択状態において白表示を実現することができる。この際、本実施形態では、液晶Lが前述の微細孔によって基板に対して傾斜配向されているので、液晶Lは選択状態においてその傾斜方向に一様に傾倒されるようになる。このため、傾倒方向の異なる領域(リバースドメイン)が複数形成されるのを防ぐことができ、これらの境界に生じるディスクリネーション等の表示むらを抑えることができる。   When such alignment films 16 and 26 are formed, by using a nematic liquid crystal having a negative dielectric anisotropy as the liquid crystal L, the alignment of the liquid crystal L can be controlled by voltage. In other words, in the liquid crystal device 2 having such a configuration, the liquid crystal molecules L constituting the liquid crystal layer 30 are aligned in the alignment films 16 and 26 when no voltage is applied to the electrodes 11 and 21 (non-selected state and initial alignment state). When the substrate is oriented in a substantially vertical direction with respect to the substrates 10 and 20 by the orientation regulating force, and a voltage is applied between the two electrodes (selected state), the substrates 10 and 20 are inclined toward the surface direction. To work. Therefore, if the liquid crystal device 3 is sandwiched between two polarizing plates whose polarization directions are crossed, black display in the non-selected state and white display in the selected state can be realized. At this time, in this embodiment, the liquid crystal L is tilted with respect to the substrate by the fine holes described above, so that the liquid crystal L is uniformly tilted in the tilt direction in the selected state. For this reason, it is possible to prevent a plurality of regions (reverse domains) having different tilt directions from being formed, and it is possible to suppress display unevenness such as disclination occurring at the boundary between them.

[液晶装置の製造方法]
次に、図8〜図10を参照しながら、本発明の液晶装置の製造方法の一例について説明する。図8は基板に配向膜を形成する工程の一例を示す模式図、図9は陽極酸化膜の構造を示す模式図、図10は陽極酸化膜の細孔に繊維状の金属膜をメッキ形成する工程を示す模式図である。
[Method of manufacturing liquid crystal device]
Next, an example of a method for manufacturing a liquid crystal device of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a schematic view showing an example of a process for forming an alignment film on the substrate, FIG. 9 is a schematic view showing the structure of the anodized film, and FIG. 10 is a method of plating a fibrous metal film on the pores of the anodized film. It is a schematic diagram which shows a process.

本方法ではまず、図8に示すように、電極11を備えた基板10の全面に陽極酸化可能な金属膜(陽極)M1を形成し、アセトン等で脱脂処理を行なった後、所定の電解液Eを用いて、基板面に平行な磁界H′中で前記金属膜M1を陽極酸化する。ここで、基板10や電極11としては公知のものを用いることができる。本例では、透過表示を行なうために、例えば基板10をガラス等の透光性基板とし、電極11をITO等の透光性導電膜とする。基板10には、必要に応じて、画素スイッチング用の回路やカラーフィルタ等を形成することができる。金属膜M1としては、アルミニウム(Al),タングステン(Ta),チタン(Ti),マグネシウム(Mg)等のいわゆるバルブ金属と呼ばれるものやその合金を使用することができる。中でもアルミニウムは前述のような規則的な細孔配列構造を形成し易いため、本例では前記金属膜M1としてアルミニウムを用いる。この金属膜M1は、例えば純度99.99%のアルミニウムをスパッタ等により基板10上に200nm程度堆積させることにより得られる。また、前記電解液Eとしては、シュウ酸,リン酸,硫酸,クロム酸等の弱酸性の電解液が好適である。本例では、0.3M(mol/l)の硫酸水溶液を用いる。   In this method, first, as shown in FIG. 8, a metal film (anode) M1 that can be anodized is formed on the entire surface of the substrate 10 provided with the electrode 11, and after degreasing treatment with acetone or the like, a predetermined electrolytic solution is obtained. Using E, the metal film M1 is anodized in a magnetic field H ′ parallel to the substrate surface. Here, a well-known thing can be used as the board | substrate 10 and the electrode 11. FIG. In this example, in order to perform transmissive display, for example, the substrate 10 is a translucent substrate such as glass, and the electrode 11 is a translucent conductive film such as ITO. A pixel switching circuit, a color filter, and the like can be formed on the substrate 10 as necessary. As the metal film M1, a so-called valve metal such as aluminum (Al), tungsten (Ta), titanium (Ti), magnesium (Mg), or an alloy thereof can be used. In particular, aluminum easily forms a regular pore arrangement structure as described above, and therefore, in this example, aluminum is used as the metal film M1. The metal film M1 is obtained by depositing, for example, aluminum having a purity of 99.99% on the substrate 10 by sputtering or the like to a thickness of about 200 nm. Further, as the electrolytic solution E, weakly acidic electrolytic solutions such as oxalic acid, phosphoric acid, sulfuric acid, and chromic acid are suitable. In this example, a 0.3 M (mol / l) sulfuric acid aqueous solution is used.

陽極酸化は、例えば以下の条件で行なう。電解液Eの液温:20℃、磁界H′:2T(20kG)、印加電圧:直流30V、陰極M2:白金(Pt)、陽極酸化時間:1時間。このような陽極酸化処理を行なうと、金属膜M1の表面には、電気分解反応によって微細な孔が開いていく。そして、反応の進行に伴って、金属膜M1の表面にナノメートルスケールの小さな孔(ナノホール)が規則的に配列した酸化アルミニウムの薄い膜16aが形成される。これは、酸化によってアルミニウム膜の体積が増加し、これによって生じた膜中のストレスを緩和するように、前記孔が自己組織的に再配列されることによる。そして更に反応を進めていくと、前記孔は孔径を広げながら下層側に延びていき、最終的に、下地の層(基板10や電極11)まで貫通したナノホールアレイが形成される。
ところで、このような微細孔は通常、基板に対して垂直な方向に開いていく。しかし、本実施形態では、このような陽極酸化処理を基板面に平行な磁界中で行なっているため、前記微細孔は基板に対して斜め方向に開孔されることになる。つまり、陽極酸化は、電解液中の酸素イオンを電気的な作用によって金属膜の表面に引き寄せて金属表面を酸化するものであるため、陽極酸化を磁界中で行なった場合には、このイオンの動きに異方性が生じ、酸化膜の成長方向が指向性を持つようになる。例えば、磁界を基板の法線に対して非平行な方向に印加した場合には、酸化膜は、基板の法線方向から磁界の方位角方向側に傾いた方向に成長するようになる。本例では、磁界を基板面に平行な方向に印加しているので、微細孔はその磁界の方向に向けて傾倒した状態で開孔されることになる。
Anodization is performed, for example, under the following conditions. Electrolyte E temperature: 20 ° C., magnetic field H ′: 2T (20 kG), applied voltage: DC 30 V, cathode M2: platinum (Pt), anodization time: 1 hour. When such anodizing treatment is performed, fine holes are opened on the surface of the metal film M1 by electrolysis. As the reaction proceeds, a thin film 16a of aluminum oxide in which small holes (nanoholes) on the nanometer scale are regularly arranged is formed on the surface of the metal film M1. This is because the volume of the aluminum film is increased by oxidation, and the pores are rearranged in a self-organized manner so as to relieve the stress in the film. As the reaction proceeds further, the holes extend to the lower layer side while expanding the hole diameter, and finally a nanohole array penetrating to the underlying layer (substrate 10 or electrode 11) is formed.
By the way, such fine holes usually open in a direction perpendicular to the substrate. However, in this embodiment, since such anodization is performed in a magnetic field parallel to the substrate surface, the fine holes are opened obliquely with respect to the substrate. In other words, anodic oxidation attracts oxygen ions in the electrolyte solution to the surface of the metal film by electrical action and oxidizes the metal surface. Therefore, when anodic oxidation is performed in a magnetic field, Anisotropy occurs in the movement, and the growth direction of the oxide film becomes directional. For example, when a magnetic field is applied in a direction non-parallel to the normal line of the substrate, the oxide film grows in a direction inclined from the normal direction of the substrate toward the azimuth direction side of the magnetic field. In this example, since the magnetic field is applied in a direction parallel to the substrate surface, the micro hole is opened in a state of being inclined toward the direction of the magnetic field.

図9は、陽極酸化膜16aの概略構造を示す模式図であり、図9(a)はその部分斜視図、図9(b)はその部分断面図である。この陽極酸化膜16aは、セルと呼ばれる一定サイズの円柱状のアルミナ層Cが細密充填した構造からなる。各セルCの中心には均一な径の微細孔(ポア)Pが開孔しており、この微細孔Pが膜面に垂直に配向して配列するという特異な幾何学構造となっている。各微細孔Pのピッチ(即ち、セルCのサイズ),サイズ,深さ、下地のアルミニウムの残存率は、電解液Eの濃度,温度、陽極酸化時の電圧,電流密度,時間を変えることによって制御することができる。また、適切な条件を選択することで、これらの微細孔Pが、形状,サイズ,深さ等において均一で、且つこれらが長距離にわたって一定のピッチで規則配列したホールアレイ構造を形成することが可能である。   9A and 9B are schematic views showing a schematic structure of the anodic oxide film 16a. FIG. 9A is a partial perspective view thereof, and FIG. 9B is a partial cross-sectional view thereof. This anodic oxide film 16a has a structure in which a cylindrical alumina layer C having a certain size called a cell is closely packed. A micropore (pore) P having a uniform diameter is formed at the center of each cell C, and the micropore P has a unique geometric structure in which the micropores P are aligned perpendicularly to the film surface. The pitch (that is, the size of the cell C), the size, the depth, and the residual ratio of the underlying aluminum are changed by changing the concentration, temperature, voltage during anodic oxidation, current density, and time. Can be controlled. Further, by selecting appropriate conditions, it is possible to form a hole array structure in which these fine holes P are uniform in shape, size, depth, etc. and are regularly arranged at a constant pitch over a long distance. Is possible.

また、本実施形態では、陽極酸化膜を磁界H′によって斜めに成長させているので、各微細孔Pは基板の法線に対して一定の角度θで傾斜している。この傾斜角θは、酸化膜の成長過程における異方性の大きさ、即ち、磁界H′の強さを変えることによって制御することができる。例えば、磁界H′が1T(10kG)以上になると、微細孔Pは基板法線に対して傾斜を生じるようになる。本例では、磁界H′を2Tとして微細孔Pの傾斜角θを5°程度としている。
なお、本例では、長時間(例えば1時間)の陽極酸化を行なうことによって、下地のアルミニウムを略ゼロとした。こうすることによって、可視光が透過可能になり、透過型の表示装置に利用できるようになる。
In this embodiment, since the anodic oxide film is grown obliquely by the magnetic field H ′, each fine hole P is inclined at a constant angle θ with respect to the normal line of the substrate. This inclination angle θ can be controlled by changing the magnitude of anisotropy in the growth process of the oxide film, that is, the strength of the magnetic field H ′. For example, when the magnetic field H ′ is 1T (10 kG) or more, the fine holes P are inclined with respect to the substrate normal. In this example, the magnetic field H ′ is 2T, and the inclination angle θ of the fine hole P is about 5 °.
In this example, the base aluminum was made substantially zero by performing anodization for a long time (for example, 1 hour). By doing so, visible light can be transmitted and used for a transmissive display device.

次に、図10に示すように、陽極酸化膜16aの各微細孔P内に繊維状の金属膜16bをメッキ形成する。本例では、前記陽極酸化膜16aの形成された基板10を1mol/lの硫酸ニッケルと30g/lの硼酸からなる20℃のメッキ浴に入れて、交流電析法によってニッケルを微細孔P内に電解析出し、該微細孔Pから突き出るようにしている。このような突起状の金属メッキ膜16bは、基板表面に一定の密度で配列形成されることで、その金属メッキ膜16bの延在方向に沿った方向に配向力を持つようになる。本例では、このような金属メッキ膜12bが基板に一定のピッチで規則的に配列されているため、広い範囲で均一な配向状態が得られる。   Next, as shown in FIG. 10, a fibrous metal film 16b is formed in each fine hole P of the anodic oxide film 16a by plating. In this example, the substrate 10 on which the anodic oxide film 16a is formed is placed in a 20 ° C. plating bath made of 1 mol / l nickel sulfate and 30 g / l boric acid, and nickel is put into the fine holes P by AC electrodeposition. Electrolytically deposited and protrudes from the fine holes P. Such protruding metal plating films 16b are arranged and formed on the surface of the substrate at a constant density, so that the metal plating films 16b have an alignment force in a direction along the extending direction of the metal plating film 16b. In this example, since such metal plating films 12b are regularly arranged on the substrate at a constant pitch, a uniform orientation state can be obtained in a wide range.

次に、同様の方法を用いて上基板20に配向膜26を形成する。そして、これらの基板10,20を用いて空セルを作製し、この空セルの中に誘電異方性が負の液晶を充填(例えば真空注入)する。
以上により、液晶装置3が製造される。
Next, the alignment film 26 is formed on the upper substrate 20 using the same method. Then, an empty cell is manufactured using these substrates 10 and 20, and liquid crystal having negative dielectric anisotropy is filled into the empty cell (for example, vacuum injection).
Thus, the liquid crystal device 3 is manufactured.

以上説明したように、本実施形態では陽極酸化を磁界中で行なっているので、一様なチルト配向を実現することができる。また、この磁界の方向及び大きさを制御することによって、微細孔Pの傾き(即ち、液晶Lのチルト)を制御することが可能である。   As described above, in this embodiment, since anodic oxidation is performed in a magnetic field, uniform tilt alignment can be realized. Further, by controlling the direction and magnitude of this magnetic field, it is possible to control the tilt of the fine hole P (that is, the tilt of the liquid crystal L).

[第4の実施の形態]
次に、本発明の第4の実施の形態を図11,図12を用いて説明する。本実施形態において、前記第3の実施の形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態において前記第3の実施形態と異なる点は、電極と配向膜との間に前記電極を保護するための保護膜を配置した点と、陽極酸化膜の孔内に金属メッキ膜を形成した後にこの陽極酸化膜を除去し、導電性突起である前記金属メッキ膜のみを配向膜として残すようにした点のみである。すなわち、前記第3の実施形態では、ITO等の電極11,21の表面に直接金属膜M1を形成したが、本実施形態では、金属膜M1を形成する前に予め電極11,21の表面に電解液E(本例では0.5Mのシュウ酸)に対して耐食性を有する保護膜13,23を形成している。このように保護膜13,23を形成してから陽極酸化を行なうようにすることで、下地の電極11,21が電解液Eによって腐食されるのを防止することができる。なお、保護膜13,23はSiO等の無機絶縁膜によって構成されている。このため、仮に陽極酸化工程において金属膜M1の一部が酸化されずに残ったとしても、これによって電極間に短絡が生じることはない。
[Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, the same members or parts as those in the third embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. This embodiment differs from the third embodiment in that a protective film for protecting the electrode is disposed between the electrode and the alignment film, and a metal plating film is formed in the hole of the anodized film After that, the anodic oxide film is removed, and only the metal plating film, which is a conductive protrusion, is left as an alignment film. That is, in the third embodiment, the metal film M1 is directly formed on the surfaces of the electrodes 11 and 21 such as ITO. However, in the present embodiment, the surface of the electrodes 11 and 21 is formed in advance before the metal film M1 is formed. The protective films 13 and 23 having corrosion resistance against the electrolytic solution E (0.5 M oxalic acid in this example) are formed. By thus performing the anodic oxidation after forming the protective films 13 and 23, it is possible to prevent the underlying electrodes 11 and 21 from being corroded by the electrolytic solution E. The protective films 13 and 23 are made of an inorganic insulating film such as SiO 2 . For this reason, even if a part of the metal film M1 remains without being oxidized in the anodic oxidation step, this does not cause a short circuit between the electrodes.

また、本実施形態では金属メッキ膜を形成した後、陽極酸化膜をエッチングによって除去しているので、基板10(20)の配向膜は繊維状の金属メッキ膜17(27)のみで構成されることになる(図12参照)。このため、従来の絶縁材料からなる配向膜(ポリイミド等の有機配向膜やSiO斜方蒸着膜等の無機絶縁配向膜など)と違って、液晶Lに電圧を印加した際に、この無機配向膜17,27が誘電体として機能して電圧降下が起きるといった問題は生じない。すなわち、電極11,21に印加した電圧をフルに液晶Lに印加することが可能になる。なお、陽極酸化膜の除去は、30g/lの酸化クロムと35ml/lのリン酸とを含むエッチング液に基板を1分間浸漬することによって行なうことができる。
このように本実施形態によれば、液晶装置4の配向安定性や信頼性を更に高めることができ、液晶装置4を製造する際の歩留まりを高めることも可能である。また、配向膜17,27を導電材料によって構成したことで、電気的特性にも優れたものとなる。
In this embodiment, since the anodic oxide film is removed by etching after the metal plating film is formed, the alignment film of the substrate 10 (20) is composed only of the fibrous metal plating film 17 (27). (See FIG. 12). Therefore, unlike a conventional alignment film made of an insulating material (such as an organic alignment film such as polyimide or an inorganic insulating alignment film such as a SiO 2 oblique deposition film), this inorganic alignment is applied when a voltage is applied to the liquid crystal L. There is no problem that the films 17 and 27 function as a dielectric and a voltage drop occurs. That is, the voltage applied to the electrodes 11 and 21 can be fully applied to the liquid crystal L. The anodic oxide film can be removed by immersing the substrate in an etching solution containing 30 g / l chromium oxide and 35 ml / l phosphoric acid for 1 minute.
As described above, according to the present embodiment, the alignment stability and reliability of the liquid crystal device 4 can be further increased, and the yield in manufacturing the liquid crystal device 4 can also be increased. Further, since the alignment films 17 and 27 are made of a conductive material, the electrical characteristics are excellent.

[電子機器]
次に、前述の液晶装置を備えた電子機器について説明する。ここでは、一例として、前記液晶装置を光変調手段として備えた透過型の投射型表示装置について説明する。
図13は、本例の投射型表示装置の一例である3板式のカラー液晶プロジェクタの概略構成を示す図である。この図において、510は光源、513、514はダイクロイックミラー、515、516、517は反射ミラー、518は入射レンズ、519はリレーレンズ、520は出射レンズ、522、523、524は透過型液晶ライトバルブ、525はクロスダイクロイックプリズム、526は投射レンズを示す。
[Electronics]
Next, an electronic device including the above-described liquid crystal device will be described. Here, as an example, a transmissive projection display device including the liquid crystal device as a light modulation unit will be described.
FIG. 13 is a diagram showing a schematic configuration of a three-plate type color liquid crystal projector which is an example of the projection display device of this example. In this figure, 510 is a light source, 513 and 514 are dichroic mirrors, 515, 516 and 517 are reflection mirrors, 518 is an entrance lens, 519 is a relay lens, 520 is an exit lens, 522, 523 and 524 are transmissive liquid crystal light valves. Reference numeral 525 denotes a cross dichroic prism, and 526 denotes a projection lens.

光源510はメタルハライド等のランプ511とランプの光を反射するリフレクタ512とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー513は、光源510からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー517で反射されて、前記実施形態の液晶装置を備えた赤色光用液晶ライトバルブ522に入射される。一方、ダイクロイックミラー513で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー514によって反射され、前記実施形態の液晶装置を備えた緑色光用液晶ライトバルブ523に入射される。なお、青色光は第2のダイクロイックミラー514も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ518、リレーレンズ519、出射レンズ520を含むリレーレンズ系からなる導光手段521が設けられ、これを介して青色光が前記実施形態の液晶装置を備えた青色光用液晶ライトバルブ524に入射される。赤色光用液晶ライトバルブ522、緑色光用液晶ライトバルブ523、青色光用液晶ライトバルブ524の前後にはそれぞれ入射側偏光板522a、523a、524aと出射側偏光板522b、523b、524bが設置されている。入射側偏光板で直線偏光となった光は液晶ライトバルブにより変調された後、出射側偏光板を通過するが、この時決められた振動方向の光しか透過できないため調光が可能となる。   The light source 510 includes a lamp 511 such as a metal halide and a reflector 512 that reflects the light of the lamp. The blue light and green light reflecting dichroic mirror 513 transmits red light of the light flux from the light source 510 and reflects blue light and green light. The transmitted red light is reflected by the reflection mirror 517 and is incident on the red light liquid crystal light valve 522 provided with the liquid crystal device of the embodiment. On the other hand, green light out of the color light reflected by the dichroic mirror 513 is reflected by the dichroic mirror 514 that reflects green light, and enters the green light liquid crystal light valve 523 provided with the liquid crystal device of the embodiment. Note that the blue light also passes through the second dichroic mirror 514. For blue light, in order to compensate for the difference in optical path length from green light and red light, a light guide means 521 comprising a relay lens system including an incident lens 518, a relay lens 519, and an exit lens 520 is provided. Through this, the blue light is incident on the blue light liquid crystal light valve 524 provided with the liquid crystal device of the embodiment. Incident-side polarizing plates 522a, 523a, and 524a and outgoing-side polarizing plates 522b, 523b, and 524b are installed before and after the red light liquid crystal light valve 522, the green light liquid crystal light valve 523, and the blue light liquid crystal light valve 524, respectively. ing. The light that has been linearly polarized by the incident-side polarizing plate is modulated by the liquid crystal light valve and then passes through the outgoing-side polarizing plate. However, since only light in the vibration direction determined at this time can be transmitted, the light can be adjusted.

各液晶ライトバルブと2枚の偏光板により調光された3つの色光はクロスダイクロイックプリズム525に入射する。このプリズムは4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ526によってスクリーン527上に投写され、画像が拡大されて表示される。   The three color lights modulated by each liquid crystal light valve and two polarizing plates are incident on the cross dichroic prism 525. In this prism, four right-angle prisms are bonded, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface. These dielectric multilayer films combine the three color lights to form light representing a color image. The synthesized light is projected onto the screen 527 by the projection lens 526 which is a projection optical system, and the image is enlarged and displayed.

本例の投射型表示装置は、前記実施形態の液晶装置を備えたものであるので、量産性に優れ、液晶層を構成する液晶分子に対する配向規制力が高く、さらに光や熱に対する耐久性に優れた、高信頼性の表示装置である。本例では、従来、ポリイミド有機膜を配向膜に用いた場合に2000時間であった寿命を10000時間以上にすることができた。
なお、本例では赤色光用,緑色光用,青色光用の各液晶ライトバルブに前記実施形態の液晶装置を用いたが、係る液晶装置は必ずしも全ての液晶ライトバルブに適用される必要はなく、少なくともいずれかの液晶ライトバルブに適用すれば、耐久性の向上を図ることができる。この場合、特に光のエネルギーが高い青色光用の液晶ライトバルブに適用するのが効果的である。
Since the projection type display device of this example includes the liquid crystal device of the above-described embodiment, it is excellent in mass productivity, has high alignment regulating power for the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer, and has durability against light and heat. It is an excellent and highly reliable display device. In this example, when a polyimide organic film is conventionally used for the alignment film, the lifetime of 2000 hours can be increased to 10,000 hours or more.
In this example, the liquid crystal device of the embodiment is used for each of the liquid crystal light valves for red light, green light, and blue light. However, the liquid crystal device need not be applied to all liquid crystal light valves. If applied to at least one of the liquid crystal light valves, durability can be improved. In this case, it is particularly effective to apply to a liquid crystal light valve for blue light having a high light energy.

[第5の実施の形態]
次に、本発明の第5の実施の形態を図14を用いて説明する。本実施形態において、前記第1の実施の形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態において前記第1の実施形態と異なる点は、下基板10側の電極を高反射率の金属反射電極14とし、上基板20側の配向膜をポリイミド等の有機配向膜24とした点のみである。すなわち、前記第1の実施形態では、電極11,21の表面に、これとは別の金属膜M1を形成し、この金属膜M1を全て陽極酸化することによって電極11,21の表面にポーラスな無機配向膜12,22を形成した。これに対して本実施形態の液晶装置5では、基板10に電極11を設けずに、基板表面に直接陽極としての金属膜M1を成膜する。そして、陽極酸化膜の形成工程において、該金属膜M1の表面のみを陽極酸化し、それ以外の前記金属膜M1を液晶Lに電圧を印加するための電極14として残している。こうすることで、別途、液晶配向用の電極を形成する必要がなくなり、工程を簡単にすることができる。
[Fifth Embodiment]
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the present embodiment, the same members or parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. In this embodiment, the difference from the first embodiment is that the electrode on the lower substrate 10 side is a high-reflection metal reflective electrode 14 and the alignment film on the upper substrate 20 side is an organic alignment film 24 such as polyimide. Only. That is, in the first embodiment, another metal film M1 is formed on the surfaces of the electrodes 11 and 21, and all the metal film M1 is anodized to make the surfaces of the electrodes 11 and 21 porous. Inorganic alignment films 12 and 22 were formed. On the other hand, in the liquid crystal device 5 of the present embodiment, the metal film M1 as an anode is directly formed on the substrate surface without providing the electrode 11 on the substrate 10. In the step of forming the anodic oxide film, only the surface of the metal film M1 is anodized, and the other metal film M1 is left as an electrode 14 for applying a voltage to the liquid crystal L. By doing so, it is not necessary to separately form an electrode for liquid crystal alignment, and the process can be simplified.

また、上基板側の配向膜を配向能力に優れる有機配向膜24としたため、液晶充填後の初期の配向状態(例えば液晶注入直後の配向状態)を安定させることができる。つまり、無機配向膜12のように形状効果によって液晶Lを配向させる形状配向膜では、液晶Lは準安定な配向状態をとり易く、液晶充填直後の配向状態は不安定になり易い。このため、液晶Lが最も安定な配向状態に遷移できるように、前述の形状効果による配向力の他に、これをアシストするような何らかの配向力を付与することが望ましい。一方、ポリイミド等の有機配向膜では、液晶Lの配向は有機配向膜と液晶Lとの分子間力によって強固に規制されるため、前述の無機配向膜12に比べて安定配向への遷移が確実に行なわれ、遷移するまでの時間も短い。このため、本実施形態のように上基板20側を有機配向膜24とすることで、その有機配向膜24の配向規制力を液晶層30を介して間接的に下基板10側に伝えることができ、この結果、無機配向膜12近傍の液晶Lの配向状態を最も安定な状態に短時間で確実に遷移させることが可能になる。
このように本実施形態によれば、液晶装置5の配向安定性や信頼性を更に高めることができる。
In addition, since the alignment film on the upper substrate side is the organic alignment film 24 having excellent alignment ability, the initial alignment state after filling the liquid crystal (for example, the alignment state immediately after liquid crystal injection) can be stabilized. That is, in the shape alignment film that aligns the liquid crystal L by the shape effect like the inorganic alignment film 12, the liquid crystal L tends to be in a metastable alignment state, and the alignment state immediately after filling the liquid crystal tends to be unstable. For this reason, in order to make the liquid crystal L transition to the most stable alignment state, in addition to the alignment force due to the shape effect described above, it is desirable to apply some alignment force that assists this. On the other hand, in an organic alignment film such as polyimide, the alignment of the liquid crystal L is strongly regulated by the intermolecular force between the organic alignment film and the liquid crystal L, so that the transition to the stable alignment is more reliable than the inorganic alignment film 12 described above. The time until the transition is performed is short. For this reason, by using the upper substrate 20 side as the organic alignment film 24 as in this embodiment, the alignment regulating force of the organic alignment film 24 can be indirectly transmitted to the lower substrate 10 side via the liquid crystal layer 30. As a result, the alignment state of the liquid crystal L in the vicinity of the inorganic alignment film 12 can be reliably shifted to the most stable state in a short time.
Thus, according to this embodiment, the alignment stability and reliability of the liquid crystal device 5 can be further improved.

[第6の実施の形態]
次に、本発明の第6の実施の形態を図15を用いて説明する。本実施形態において、前記第5の実施の形態と同様の部材又は部位については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態において前記第5の実施形態と異なる点は、下基板10側の陽極酸化膜の微細孔が基板に対して傾斜した状態で配列形成されている点のみである。本例では陽極酸化する際の磁界等の条件を調節することにより、液晶Lのチルト角を概ね5°(即ち、非選択状態において液晶Lは基板に対して平行配向から概ね5°傾斜したチルト配向をする)としている。そして、液晶Lに誘電異方性が正のネマチック液晶を用いて、これを上下基板間でハイブリッド配向させている。
このように本実施形態でも、液晶装置6の配向安定性や信頼性を更に高めることができる。
[Sixth Embodiment]
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the present embodiment, the same members or parts as those in the fifth embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. The present embodiment is different from the fifth embodiment only in that the fine holes of the anodic oxide film on the lower substrate 10 side are arranged in an inclined state with respect to the substrate. In this example, the tilt angle of the liquid crystal L is adjusted to approximately 5 ° (that is, the liquid crystal L is tilted approximately 5 ° from the parallel alignment with respect to the substrate in the non-selected state) by adjusting the conditions such as the magnetic field when anodizing. Orientation). Then, nematic liquid crystal having positive dielectric anisotropy is used for the liquid crystal L, and this is hybrid-aligned between the upper and lower substrates.
Thus, also in this embodiment, the alignment stability and reliability of the liquid crystal device 6 can be further improved.

[電子機器]
次に、前述の液晶装置を備えた電子機器について説明する。ここでは、一例として、前記液晶装置を光変調手段として備えた反射型の投射型表示装置について説明する。図16は、本例の投射型表示装置の一例である3板式のカラー液晶プロジェクタの概略構成を示す図である。
[Electronics]
Next, an electronic device including the above-described liquid crystal device will be described. Here, as an example, a reflection type projection display device including the liquid crystal device as light modulation means will be described. FIG. 16 is a diagram showing a schematic configuration of a three-plate type color liquid crystal projector which is an example of the projection display device of this example.

本例の液晶プロジェクタは、システム光軸Lに沿って配置した光源部710、インテグレータレンズ720、偏光変換素子730から概略構成される偏光照明装置700、この偏光照明装置700から出射されたS偏光光束をS偏光光束反射面741により反射させる偏光ビームスプリッタ740、偏光ビームスプリッタ740のS偏光光束反射面741から反射された光のうち、青色光(B)の成分を分離するダイクロックミラー742、分離された青色光(B)を変調する反射型液晶ライトバルブ745B、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光(R)の成分を反射させて分離するダイクロックミラー743、分離された赤色光(R)を変調する反射型液晶ライトバルブ745R、ダイクロックミラー743を通過する残りの光の緑色光(G)を変調する反射型液晶ライトバルブ745G、3つの反射型液晶ライトバルブ745R、745G、745Bにて変調された光をダイクロックミラー743、742、偏光ビームスプリッタ740にて合成し、この合成光をスクリーン760に投写する投写レンズからなる投写光学系750から構成されている。前記3つの反射型液晶ライトバルブ745R、745G、745Bには、それぞれ前述の実施形態で説明した液晶装置が用いられている。   The liquid crystal projector of this example includes a light source unit 710 disposed along the system optical axis L, an integrator lens 720, and a polarization conversion device 730 that is roughly composed of a polarization conversion element 730, and an S-polarized light beam emitted from the polarization illumination device 700. Is reflected by the S-polarized light beam reflecting surface 741, and the dichroic mirror 742 that separates the blue light (B) component from the light reflected from the S-polarized light beam reflecting surface 741 of the polarized beam splitter 740 is separated. The reflective liquid crystal light valve 745B that modulates the blue light (B) is separated, and the dichroic mirror 743 that reflects and separates the red light (R) component out of the luminous flux after the blue light is separated. Reflective liquid crystal light valve 745R that modulates red light (R) and the remaining light that passes through dichroic mirror 743 The light modulated by the reflective liquid crystal light valve 745G that modulates the color light (G) and the three reflective liquid crystal light valves 745R, 745G, and 745B are synthesized by the dichroic mirrors 743 and 742, and the polarization beam splitter 740. The projection optical system 750 includes a projection lens that projects the combined light onto the screen 760. Each of the three reflective liquid crystal light valves 745R, 745G, and 745B uses the liquid crystal device described in the above embodiment.

光源部710から出射されたランダムな偏光光束は、インテグレータレンズ720により複数の中間光束に分割された後、第2のインテグレータレンズを光入射側に有する偏光変換素子720により偏光光束がほぼ揃った一種類の偏光光束(S偏光光束)に変換されてから偏光ビームスプリッタ740に至るようになっている。偏光変換素子730から出射されたS偏光光束は、偏光ビームスプリッタ740のS偏光光束反射面741によって反射され、反射された光束のうち、青色光(B)の光束がダイクロックミラー742の青色光反射層にて反射され、反射型液晶ライトバルブ745Bによって変調される。また、ダイクロックミラー742の青色光反射層を透過した光束のうち、赤色光(R)の光束はダイクロックミラー743の赤色光反射層にて反射され、反射型液晶ライトバルブ745Rによって変調される。一方、ダイクロックミラー743の赤色光反射層を透過した緑色光(G)の光束は反射型液晶ライトバルブ745Gにより変調される。以上のようにして反射型液晶ライトバルブ745R、745G、745Bによって色光の変調がなされる。
これらの液晶パネルの画素から反射された色光のうち、S偏光成分はS偏光を反射する偏光ビームスプリッタ740を通過せず、P偏光成分は通過する。この偏光ビームスプリッタ740を透過した光により画像が形成される。
The randomly polarized light beam emitted from the light source unit 710 is divided into a plurality of intermediate light beams by the integrator lens 720, and then the polarized light beam is substantially aligned by the polarization conversion element 720 having the second integrator lens on the light incident side. After being converted into a kind of polarized light beam (S-polarized light beam), it reaches the polarization beam splitter 740. The S-polarized light beam emitted from the polarization conversion element 730 is reflected by the S-polarized light beam reflecting surface 741 of the polarization beam splitter 740, and among the reflected light beams, the blue light (B) light beam is the blue light of the dichroic mirror 742. Reflected by the reflective layer and modulated by the reflective liquid crystal light valve 745B. Of the light beams transmitted through the blue light reflection layer of the dichroic mirror 742, the red light (R) light beam is reflected by the red light reflection layer of the dichroic mirror 743 and modulated by the reflective liquid crystal light valve 745R. . On the other hand, the luminous flux of green light (G) transmitted through the red light reflecting layer of the dichroic mirror 743 is modulated by the reflective liquid crystal light valve 745G. As described above, the color light is modulated by the reflective liquid crystal light valves 745R, 745G, and 745B.
Of the color light reflected from the pixels of these liquid crystal panels, the S-polarized component does not pass through the polarization beam splitter 740 that reflects S-polarized light, and the P-polarized component passes through it. An image is formed by the light transmitted through the polarization beam splitter 740.

本例の投射型表示装置は、前記実施形態の液晶装置を備えたものであるので、量産性に優れ、液晶層を構成する液晶分子に対する配向規制力が高く、さらに光や熱に対する耐久性に優れた、高信頼性の表示装置である。
なお、本例では赤色光用,緑色光用,青色光用の各液晶ライトバルブに前記実施形態の液晶装置を用いたが、係る液晶装置は必ずしも全ての液晶ライトバルブに適用される必要はなく、少なくともいずれかの液晶ライトバルブに適用すれば、耐久性の向上を図ることができる。この場合、特に光のエネルギーが高い青色光用の液晶ライトバルブに適用するのが効果的である。
Since the projection type display device of this example includes the liquid crystal device of the above-described embodiment, it is excellent in mass productivity, has high alignment regulating power for the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer, and has durability against light and heat. It is an excellent and highly reliable display device.
In this example, the liquid crystal device of the embodiment is used for each of the liquid crystal light valves for red light, green light, and blue light. However, the liquid crystal device need not be applied to all liquid crystal light valves. If applied to at least one of the liquid crystal light valves, durability can be improved. In this case, it is particularly effective to apply to a liquid crystal light valve for blue light having a high light energy.

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。例えば、前記各実施の形態の液晶装置は、前述した投射型表示装置に限らず、種々の電子機器に搭載することができる。この電子機器としては例えば、携帯電話、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等があり、前記液晶装置はこれらの画像表示手段として好適に用いることができる。また、上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but it goes without saying that the present invention is not limited to such examples. For example, the liquid crystal device according to each of the above embodiments can be mounted not only on the projection display device described above but also on various electronic devices. Examples of such electronic devices include mobile phones, electronic books, personal computers, digital still cameras, LCD televisions, viewfinder type or monitor direct view type video tape recorders, car navigation devices, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations. There are devices such as videophones, POS terminals, touch panels, etc., and the liquid crystal device can be suitably used as these image display means. Further, the shapes and combinations of the constituent members shown in the above-described examples are merely examples, and various modifications can be made based on design requirements and the like without departing from the gist of the present invention.

本発明の第1実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面模式図。1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention. 同、液晶装置の製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of a liquid crystal device equally. 同、液晶装置の陽極酸化膜の構造を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the structure of the anodic oxide film of a liquid crystal device. 同、陽極酸化膜の微細孔に金属膜をメッキ形成する工程を示す図。The figure which shows the process of plating and forming a metal film in the micropore of an anodic oxide film. 本発明の第2実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面模式図。The cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the liquid crystal device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 同、液晶装置の配向膜の構造を示す断面模式図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the alignment film of the liquid crystal device. 本発明の第3実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面模式図。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal device according to a third embodiment of the present invention. 同、液晶装置の製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of a liquid crystal device equally. 同、液晶装置の陽極酸化膜の構造を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the structure of the anodic oxide film of a liquid crystal device. 同、陽極酸化膜の微細孔に金属膜をメッキ形成する工程を示す図。The figure which shows the process of plating and forming a metal film in the micropore of an anodic oxide film. 本発明の第4実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面模式図。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal device according to a fourth embodiment of the invention. 同、液晶装置の配向膜の構造を示す断面模式図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the alignment film of the liquid crystal device. 本発明の電子機器の一例である投射型表示装置の概略構成を示す図。1 is a diagram showing a schematic configuration of a projection display device that is an example of an electronic apparatus of the present invention. 本発明の第5実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面模式図。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal device according to a fifth embodiment of the invention. 本発明の第6実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面模式図。Sectional schematic diagram which shows the structure of the liquid crystal device which concerns on 6th Embodiment of this invention. 本発明の電子機器の一例である投射型表示装置の概略構成を示す図。1 is a diagram showing a schematic configuration of a projection display device that is an example of an electronic apparatus of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1,2,3,4,5,6・・・液晶装置、10,20・・・基板、11,14,21・・・電極、12,16,22,26・・・無機配向膜、12a,16a・・・陽極酸化膜、12b,16b・・・金属メッキ膜、15,17,25,27・・・導電性突起(無機配向膜)、13,23・・・保護膜、24・・・有機配向膜、30・・・液晶層、E・・・電解液、L・・・液晶、M1・・・金属膜、P・・・微細孔

1, 2, 3, 4, 5, 6 ... liquid crystal device, 10, 20 ... substrate, 11, 14, 21 ... electrode, 12, 16, 22, 26 ... inorganic alignment film, 12a , 16a ... anodized film, 12b, 16b ... metal plating film, 15, 17, 25, 27 ... conductive protrusion (inorganic alignment film), 13, 23 ... protective film, 24 ... Organic alignment film, 30 ... Liquid crystal layer, E ... Electrolyte, L ... Liquid crystal, M1 ... Metal film, P ... Micropore

Claims (19)

対向する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板の表面に無機配向膜を形成する工程を備え、
前記無機配向膜の形成工程が、前記一方の基板の表面に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を電解液を用いて陽極酸化することにより、前記一方の基板の表面に、複数の微細孔を有する陽極酸化膜を形成する工程と、電解メッキにより、前記複数の微細孔の各々に、前記微細孔の内部を覆い一部が前記陽極酸化膜の表面から突出した導電性突起を形成する工程とを含むことを特徴とする、液晶装置の製造方法。
A method of manufacturing a liquid crystal device in which a liquid crystal is sandwiched between a pair of opposing substrates,
Forming an inorganic alignment film on the surface of at least one of the pair of substrates;
Forming the inorganic alignment film includes forming a metal film on the surface of the one substrate;
Anodizing the metal film using an electrolytic solution to form an anodic oxide film having a plurality of micropores on the surface of the one substrate; and electrolytic plating to each of the plurality of micropores. And a step of forming a conductive protrusion that covers the inside of the fine hole and a part of which protrudes from the surface of the anodic oxide film.
前記複数の微細孔が2次元配列されたことを特徴とする、請求項1記載の液晶装置の製造方法。   The method of manufacturing a liquid crystal device according to claim 1, wherein the plurality of fine holes are two-dimensionally arranged. 前記複数の微細孔が前記一方の基板に対して略垂直に形成されたことを特徴とする、請求項2記載の液晶装置の製造方法。   The method of manufacturing a liquid crystal device according to claim 2, wherein the plurality of micro holes are formed substantially perpendicular to the one substrate. 前記陽極酸化膜の形成工程が、磁界を前記一方の基板に対して平行又は斜めに印加し、前記複数の微細孔を前記一方の基板に対して傾斜した状態で配列形成する工程であることを特徴とする、請求項1又は2記載の液晶装置の製造方法。   The step of forming the anodic oxide film is a step of applying a magnetic field parallel or oblique to the one substrate and forming the plurality of micro holes in an inclined state with respect to the one substrate. The method for manufacturing a liquid crystal device according to claim 1, wherein the liquid crystal device is manufactured. 前記金属膜がアルミニウムからなることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の液晶装置の製造方法。   The method for manufacturing a liquid crystal device according to claim 1, wherein the metal film is made of aluminum. 前記電解液が酸性の電解液からなることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の液晶装置の製造方法。   The method of manufacturing a liquid crystal device according to claim 1, wherein the electrolytic solution is an acidic electrolytic solution. 前記陽極酸化膜の形成工程が、前記金属膜の表面のみを陽極酸化し、それ以外の前記金属膜を前記液晶に電圧を印加するための電極として残す工程であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の液晶装置の製造方法。   The step of forming the anodized film is a process of anodizing only the surface of the metal film and leaving the other metal film as an electrode for applying a voltage to the liquid crystal. The manufacturing method of the liquid crystal device of any one of 1-6. 前記一方の基板の表面に前記液晶に電圧を印加するための電極を備え、
前記無機配向膜の形成工程が、前記電極と前記金属膜との間に前記電極の表面を保護するための保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の液晶装置の製造方法。
An electrode for applying a voltage to the liquid crystal on the surface of the one substrate;
The formation step of the inorganic alignment film includes a step of forming a protective film for protecting the surface of the electrode between the electrode and the metal film. 2. A method for manufacturing a liquid crystal device according to item 1.
前記無機配向膜の形成工程が、前記導電性突起の形成後に前記陽極酸化膜を除去する工程を含むことを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の液晶装置の製造方法。   The method for manufacturing a liquid crystal device according to claim 1, wherein the forming step of the inorganic alignment film includes a step of removing the anodic oxide film after forming the conductive protrusions. . 前記一対の基板の他方の基板の表面に前記無機配向膜を形成する工程を備えたことを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の液晶装置の製造方法。   The method for manufacturing a liquid crystal device according to claim 1, further comprising a step of forming the inorganic alignment film on a surface of the other substrate of the pair of substrates. 前記一対の基板の他方の基板の表面に有機配向膜を形成する工程を備えたことを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の液晶装置の製造方法。   The method for manufacturing a liquid crystal device according to claim 1, further comprising a step of forming an organic alignment film on a surface of the other substrate of the pair of substrates. 対向する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置であって、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板の表面に、液晶を配向させるための複数の導電性突起からなる無機配向膜を備え
前記複数の導電性突起は、互いに離間した状態で2次元配列されており、
各導電性突起は、前記一方の基板の平面内において互いに最密充填配置された複数の領域の各々の中心となる位置に配置されていることを特徴とする、液晶装置。
A liquid crystal device having a liquid crystal sandwiched between a pair of opposing substrates,
An inorganic alignment film comprising a plurality of conductive protrusions for aligning liquid crystal on the surface of at least one of the pair of substrates ;
The plurality of conductive protrusions are two-dimensionally arranged in a state of being separated from each other,
Each of the conductive protrusions is disposed at a position that is the center of each of a plurality of regions that are closely packed with each other in the plane of the one substrate .
前記複数の導電性突起が前記一方の基板に対して略垂直に形成されたことを特徴とする、請求項12記載の液晶装置。 The liquid crystal device according to claim 12 , wherein the plurality of conductive protrusions are formed substantially perpendicular to the one substrate. 前記複数の導電性突起が前記一方の基板に対して傾斜して形成されたことを特徴とする、請求項12記載の液晶装置。 The liquid crystal device according to claim 12 , wherein the plurality of conductive protrusions are formed to be inclined with respect to the one substrate. 前記液晶が、誘電異方性が負のネマチック液晶からなることを特徴とする、請求項13又は14記載の液晶装置。 It said liquid crystal, characterized in that the dielectric anisotropy is negative nematic liquid crystal, the liquid crystal device according to claim 13 or 14, wherein. 前記複数の導電性突起のサイズ,形状,高さが略等しく構成されたことを特徴とする、請求項1215のいずれか1項に記載の液晶装置。 Wherein the plurality of sizes of conductive protrusions, shape, wherein the height is substantially equal configuration, the liquid crystal device according to any one of claims 12-15. 前記一対の基板の双方の基板の表面に前記無機配向膜を備えたことを特徴とする、請求項1216のいずれか1項に記載の液晶装置。 Characterized by comprising the inorganic alignment film on the surface of the substrate of both of the pair of substrates, the liquid crystal device according to any one of claims 12 to 16. 前記一対の基板の他方の基板の表面に有機配向膜を備えたことを特徴とする、請求項1216のいずれか1項に記載の液晶装置。 The liquid crystal device according to any one of claims 12 to 16 , wherein an organic alignment film is provided on a surface of the other substrate of the pair of substrates. 請求項1〜11のいずれか1項に記載の方法を用いて製造された液晶装置を備えたことを特徴とする、電子機器。   An electronic apparatus comprising a liquid crystal device manufactured using the method according to claim 1.
JP2004090830A 2004-03-26 2004-03-26 Liquid crystal device manufacturing method, liquid crystal device, and electronic apparatus Expired - Fee Related JP4144545B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004090830A JP4144545B2 (en) 2004-03-26 2004-03-26 Liquid crystal device manufacturing method, liquid crystal device, and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004090830A JP4144545B2 (en) 2004-03-26 2004-03-26 Liquid crystal device manufacturing method, liquid crystal device, and electronic apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005275194A JP2005275194A (en) 2005-10-06
JP4144545B2 true JP4144545B2 (en) 2008-09-03

Family

ID=35174908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004090830A Expired - Fee Related JP4144545B2 (en) 2004-03-26 2004-03-26 Liquid crystal device manufacturing method, liquid crystal device, and electronic apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4144545B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5463052B2 (en) * 2009-02-17 2014-04-09 富士フイルム株式会社 Metal parts

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005275194A (en) 2005-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7227604B2 (en) Reflective liquid crystal display device having first and second obliquely evaporated alignment films, for preventing burn-in
JP2007101764A (en) Projection display apparatus and three-plate liquid crystal projector
JP2007033746A (en) Method for manufacturing optical element, optical element, and projection type display device
JP2007010713A (en) Manufacturing method of optical element and projection display apparatus
KR20050025081A (en) Inorganic alignment film and method for forming the same, substrate for electronic device, liquid crystal panel, and electronic equipment
JP4144545B2 (en) Liquid crystal device manufacturing method, liquid crystal device, and electronic apparatus
TW200424629A (en) LCD apparatus and electronic machine
JP4111159B2 (en) Liquid crystal device manufacturing method, liquid crystal device, and electronic apparatus
JP4144546B2 (en) Liquid crystal device manufacturing method, liquid crystal device, and electronic apparatus
JP2007033967A (en) Manufacturing method of liquid crystal apparatus, liquid crystal apparatus and electronic device
JP2005275192A (en) Method of manufacturing liquid crystal device and electronic equipment
JP2009223137A (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
JP2005275193A (en) Method of manufacturing liquid crystal device and electronic equipment
JP2006195033A (en) Liquid crystal device, electronic equipment, and method for manufacturing liquid crystal device
JP5493344B2 (en) Liquid crystal device and electronic device
JP2006201235A (en) Manufacturing method of liquid crystal apparatus, liquid crystal apparatus, and projection display apparatus
JP4604927B2 (en) Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and projection display device
JP2007041264A (en) Method for manufacturing liquid crystal device, liquid crystal device, and electronic appliance
JP2006292787A (en) Liquid crystal display panel and device
EP1394596B1 (en) Reflection type liquid crystal display element and liquid crystal display unit
US20130141674A1 (en) Liquid crystal device, electronic device and phase difference compensating plate
JP2003165175A (en) Oriented film, method for forming oriented film, liquid crystal device and projection-type display device
JP2011154156A (en) Liquid crystal display device and projector
JP2005200500A (en) Liquid crystal additive, liquid crystal composition, liquid crystal device, and projection display device
JP3726495B2 (en) Two-terminal nonlinear element, liquid crystal display panel using the nonlinear element, and electronic device

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070105

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070105

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070816

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070821

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070927

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080318

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080411

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080527

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080609

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627

Year of fee payment: 5

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees