JP3726495B2 - 2-terminal nonlinear element, a liquid crystal display panel and an electronic apparatus using the non-linear element - Google Patents

2-terminal nonlinear element, a liquid crystal display panel and an electronic apparatus using the non-linear element Download PDF

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Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、例えば、液晶表示パネルなどにおいて、画素電極を駆動するスイッチング素子に用いて好適な2端子型非線形素子、その製造方法、その非線形素子を用いた液晶表示パネルおよび電子機器に関する。 The present invention is, for example, in a liquid crystal display panel, suitable two-terminal nonlinear device using a switching element for driving the pixel electrode, a method of manufacturing a liquid crystal display panel and an electronic apparatus using the non-linear element.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
一般に、アクティブ・マトリクス方式の液晶表示パネルは、マトリクス状に配列された画素電極の各々に非線形(スイッチング)素子が設けられた素子アレイ基板と、カラーフィルタなどが形成された対向基板と、これら両基板との間に充填された液晶とから構成され、各非線形素子を駆動して、画素毎に液晶の配向状態を制御することによって、所定の情報を表示するものである。 In general, the liquid crystal display panel of active matrix type, and the element array substrate nonlinear (switching) element is provided on each of pixel electrodes arranged in a matrix, a counter substrate and a color filter are formed, they both it is composed of a liquid crystal filled between the substrate and drives the respective non-linear element, by controlling the alignment state of the liquid crystal for each pixel, and displays the predetermined information.
【0003】 [0003]
ここで、非線形素子としては、主に、薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)などの3端子型非線形素子と、薄膜ダイオード(TFD:Thin Film Diode)などの2端子型非線形素子とに大別されるが、後者の2端子型非線形素子の方が、配線の交差部分がないために配線間の短絡不良が原理的に発生しない点、さらに、成膜工程およびフォトリソグラフィ工程を短縮できる点において有利である。 Here, as the nonlinear element, mainly thin film transistors are classified into a:: (Thin Film Diode TFD) 2-terminal type nonlinear element, such as a (TFT Thin Film Transistor) 3-terminal type non-linear element such as a thin film diode but the latter two-terminal nonlinear element, that the short-circuit failure does not occur in principle between wirings because there is no intersection of the wiring, furthermore, an advantage in that it can shorten the film formation process and a photolithographic process is there.
【0004】 [0004]
このような2端子型非線形素子は、一般には、導電体−絶縁体−導電体のサンドイッチ構造であり、かかる構造により双方向のダイオードスイッチング特性を有する。 Such two-terminal nonlinear device is generally conductor - insulator - a sandwich of conductors, having a bidirectional diode switching characteristic by such a structure.
【0005】 [0005]
一方、近年では、装置小型化や、軽量化、低消費電力化などの理由から、液晶表示パネルに対して、バックライトを廃して反射型とする要求が高まりつつある。 Meanwhile, in recent years, a device size and weight reduction, the reason of such low power consumption, the liquid crystal display panel, increasing demand for the reflection type and waste backlight.
【0006】 [0006]
ここで、2端子型非線形素子を用いた液晶表示パネルを反射型とする場合、単純には、液晶表示パネルの背面に設けられる偏光板に反射板を加えることで、あるいは、反射型偏光板に置換することで可能である。 Here, when the liquid crystal display panel that uses a two-terminal type nonlinear element and the reflection type, simply, by adding a reflector to the polarizing plate provided on the back surface of the liquid crystal display panel, or a reflective polarizer it is possible to replace. ただし、偏光板の光透過率は低いので、画面全体が暗くなり、いわゆるペーパーホワイト化が達成できない。 However, since the light transmittance of the polarizing plate is low, the entire screen becomes dark, so-called paper white of can not be achieved.
【0007】 [0007]
そこで、第1に、画素電極と第2導電体とを一体とするとともに、両者をアルミニウムなどの反射率の高い金属膜から構成し、第2に、電圧無印加状態で液晶分子がほぼ垂直配向されるSH(スーパーホメオトロピック)型液晶などを用いることによって、透過率の低い偏光板の使用をなるべく避けて、2端子型非線形素子を用いた反射型液晶表示パネルを構成することが考えられる。 Therefore, the first, with an integral a pixel electrode and a second conductor, both composed of a metal film having a high reflectivity such as aluminum, the second, substantially vertically aligned liquid crystal molecules in a state where no voltage is applied by using such SH (super homeotropic) liquid crystal that is, as much as possible avoid the use of low transmittance polarizing plate, it is considered to constitute a reflection type liquid crystal display panel that uses a two-terminal type nonlinear element.
【0008】 [0008]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
しかしながら、純粋なアルミニウムは、耐食性や耐熱性に乏しいため、そのままでは、液晶表示パネルの品質や信頼性などが低下する、という問題があった。 However, pure aluminum, since poor corrosion resistance and heat resistance, is unchanged, such as the quality and reliability of the liquid crystal display panel is disadvantageously decreases.
【0009】 [0009]
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、液晶表示パネルに適用した場合、品質や信頼性などを高い状態で維持することが可能な2端子型非線形素子およびその製造方法、ならびに、その非線形素子を用いて、画面が明るい液晶表示パネルおよび電子機器を提供することにある。 The present invention has been made in view of such circumstances, it is an object when applied to a liquid crystal display panel, the two-terminal type which can maintain such quality and reliability in a state of high nonlinear element and a method of manufacturing the same, and, the non-linear element by using the screen is to provide a bright liquid crystal display panel and an electronic apparatus.
【0012】 [0012]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
上記目的を達成するため、基板上にタンタル単体又はタンタル合金により形成される第1導電体と、前記第1導電体の表面を陽極酸化して形成される絶縁体と、前記絶縁体上に積層された第2導電体とからなる2端子型非線形素子において、前記第2導電体として、アルミニウムにネオジムを添加した金属を用いたことを特徴とする。 To achieve the above object, a first conductor which is formed by tantalum alone or a tantalum alloy on a substrate, an insulator surface of the first conductor is formed by anodizing, laminated on the insulator in two-terminal type nonlinear element and a second conductor that is, as the second conductor, characterized by using the aluminum was added neodymium metal.
【0013】 [0013]
この構成によれば、2端子型非線形素子において、耐食性や耐熱性などが改善されるだけでなく、電流−電圧特性のシフトや、ドリフトなどについても改善することが可能となる。 According to this configuration, the two-terminal type non-linear element, not only such corrosion resistance and heat resistance is improved, the current - and shift voltage characteristics, it is possible also to improve the like drift.
【0014】 [0014]
また前記第1導電体として、タンタルにタングステンを添加した金属を用いたことを特徴とする。 As the first conductive material, characterized by using a metal that adding tungsten to the tantalum.
【0015】 [0015]
また前記第2導電体と、液晶層を駆動するための画素電極とを一体としたことを特徴とする。 Also characterized by being integral with the second conductor, and a pixel electrode for driving the liquid crystal layer.
【0016】 [0016]
この構成によれば、第2導電体あるいは画素電極の成膜工程およびフォトリソグラフィ工程を省略すること可能となる。 According to this configuration, it is possible to omit the deposition process and a photolithography process of the second conductor or the pixel electrode.
【0017】 [0017]
また上記の2端子型非線形素子を有する液晶パネル用基板と、対向電極を有する対向基板とが適当な間隔をおいて配置されるとともに、前記液晶パネル用基板と前記対向基板との間隙内に液晶が封入されていることを特徴とする。 Also a substrate for a liquid crystal panel having a two-terminal nonlinear device of the above, together with a counter substrate are disposed at appropriate intervals having opposing electrodes, the liquid crystal in said gap between the liquid crystal panel substrate and the counter substrate There, characterized in that it is sealed.
【0018】 [0018]
この構成によれば、2端子型非線形素子において耐食性や耐熱性などが改善されるだけでなく、電流−電圧特性のシフトや、ドリフトなどについても改善されるので、液晶表示パネルにおいて焼き付き・残像の軽減化を図ることが可能となる。 According to this configuration, 2 as well, such as corrosion resistance and heat resistance at terminal nonlinear device is improved, the current - and shifting of the voltage characteristic, since it is improved for such drift, the burn-afterimage in a liquid crystal display panel it is possible to achieve a reduction of.
【0019】 [0019]
また電子機器にあっては、上記の液晶表示パネルを備えたことを特徴とする。 Also in the electronic device is characterized by including a liquid crystal display panel described above. このような液晶表示パネルを適用した電子機器としては、例えば、カーナビゲーションシステム、携帯情報端末機器、その他各種の電子機器が考えられる。 Such electronic apparatus to which the liquid crystal display panel, for example, a car navigation system, a portable information terminal device, other electronic devices can be considered.
【0020】 [0020]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 It will be described below with reference to the drawings, embodiments of the present invention.
【0021】 [0021]
<TFD素子> <TFD element>
まず、本発明の実施形態にかかる2端子型非線形素子について説明する。 First, a description will be given two-terminal nonlinear device according to an embodiment of the present invention. この2端子型非線形素子は、例えば、アクティブマトリクス型液晶表示装置の各画素を駆動するTFD素子として用いられるものである。 The 2-terminal type non-linear element, for example, is used as a TFD element for driving each pixel of an active matrix liquid crystal display device. ここで、図1(a)は、このTFD素子を適用した液晶パネル基板における1画素分のレイアウトを示す平面図であり、図1(b)は、そのTFD素子の構造を図1(a)におけるA−A線に沿って示す断面図である。 Here, FIG. 1 (a) is a plan view showing the layout of one pixel in the liquid crystal panel substrate of applying this TFD element, FIG. 1 (b), FIG. 1 the structure of the TFD element (a) it is a sectional view taken along the line a-a in.
【0022】 [0022]
これらの図に示すように、TFD素子20は、基板30上に形成された絶縁膜31を下地として、その上面に形成されており、絶縁膜31の側から順番に第1導電体膜22、絶縁体たる酸化膜24、および、第2導電体膜26から構成されて、導電体−絶縁体−導電体のサンドイッチ構造を採る。 As shown in these figures, TFD elements 20, the insulating film 31 formed on the substrate 30 as a base is formed on its upper surface, the first conductor film 22 from the side in the order of the insulating film 31, insulator serving oxide film 24, and is composed of the second conductive film 26, the conductor - take a sandwich structure of the conductor - insulator. そして、かかる構造によりTFD素子は、双方向のダイオードスイッチング特性を有することになる。 Then, TFD element by such a structure will have a bidirectional diode switching characteristics.
【0023】 [0023]
また、TFD素子20を構成する第1導電体膜22は、そのまま一方の端子として走査線12となる一方、第2導電体膜26は、そのまま他方の端子として画素電極36となる。 The first conductive film 22 constituting the TFD element 20, while the scanning line 12 as it is as one terminal, the second conductive film 26, the pixel electrode 36 as it is as the other terminal.
【0024】 [0024]
基板30は、絶縁性および透明性を有するものであり、例えば、ガラス、プラスチックなどから構成される。 Substrate 30 has an insulating property and transparency, for example, a glass, plastic. ここで、下地をなす絶縁膜31が設けられる理由は、第2導電体膜26の堆積後における熱処理により、第1導電体膜22が下地から剥離しないようにするため、および、第1導電体膜22に不純物が拡散しないようにするためである。 The reason why the insulating film 31 constituting the base is provided, by heat treatment after deposition of the second conductive film 26, since the first conductive film 22 is prevented from peeling from the substrate, and the first conductor impurities film 22 is for preventing diffusion. したがって、これが問題とならない場合には、絶縁膜31は省略可能である。 Therefore, if this is not a problem, the insulating film 31 may be omitted.
【0025】 [0025]
また、第1導電体膜22は、導電性の金属薄膜であり、例えば、タンタル単体あるいはタンタル合金からなる。 The first conductive film 22 is a conductive metal thin film, for example, tantalum alone or a tantalum alloy. 酸化膜24は、例えば、第1導電体膜22の表面を、化成液中により陽極酸化することによって形成される絶縁膜である。 Oxide film 24 is, for example, the surface of the first conductive film 22, an insulating film formed by anodic oxidation by chemical conversion solution. 第2導電体膜26は、導電性の金属薄膜であり、アルミニウムに少量の希土類元素、特に、ネオジム、サマリウム、セリウムなどのランタノイド系元素を添加した金属からなる。 Second conductive film 26 is a conductive metal thin film, a small amount of rare earth element to aluminum, in particular, neodymium, samarium, made of metal with the addition of lanthanoid element such as cerium. そして、画素電極36は、第2導電体膜26と一体に形成されている。 The pixel electrode 36 is formed integrally with the second conductive film 26.
【0026】 [0026]
<TFD素子の製造プロセス▲1▼> <Manufacturing process of the TFD element ▲ 1 ▼>
次に、図1に示した非線形素子たるTFD素子20の製造プロセスについて説明する。 Next, description will be given of a manufacturing process of the non-linear element serving as TFD element 20 shown in FIG.
【0027】 [0027]
(1)まず、図2に示すように、基板30上面に絶縁膜31が形成される。 (1) First, as shown in FIG. 2, the insulating film 31 is formed on the substrate 30 upper surface. この絶縁膜31は、例えば、酸化タンタルからなり、スパッタリング法で堆積したタンタル膜を熱酸化する方法や、酸化タンタルからなるターゲットを用いたスパッタリングあるいはコスパッタリング法などにより形成される。 The insulating film 31 is, for example, a tantalum oxide, a tantalum film deposited by a sputtering method or a method of thermal oxidation, is formed by sputtering or co-sputtering method using a target made of tantalum oxide. この絶縁膜31は、上述したように、第1導電体膜22の密着性を向上させ、さらに基板30からの不純物の拡散を防止することを主目的として設けられるので、その膜厚は、例えば、50〜200nm程度で十分である。 The insulating film 31 is, as described above, to improve the adhesion between the first conductive film 22, so provided as primary purpose of further preventing diffusion of impurities from the substrate 30, the thickness thereof is, for example , it is sufficient about 50~200nm.
【0028】 [0028]
(2)次いで、絶縁膜31上面に第1導電体膜22が成膜される。 (2) Then, the first conductive film 22 is formed on the insulating film 31 upper surface. この第1導電体膜22の組成は、例えば、タンタル単体あるいはタンタル合金からなる。 The composition of the first conductive film 22 is, for example, tantalum alone or a tantalum alloy. タンタル合金とする場合、主成分のタンタルに、例えば、タングステン、クロム、モリブデン、レニウム、イットリウム、ランタン、ディスプロリウムなどの周期律表において第6〜第8族に属する元素を添加しても良い。 If a tantalum alloy, tantalum main component may, for example, tungsten, chromium, molybdenum, rhenium, yttrium, lanthanum, be added an element belonging to 6 Group 8 in the periodic table, such as disk pro potassium . 特に添加する元素としては、タングステンが好ましく、その含有割合は、例えば、0.1〜6重量%が望ましい。 As the element, especially the addition, tungsten is preferred, its content is, for example, is preferable 0.1 to 6 wt%.
【0029】 [0029]
また、第1導電体膜22は、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法などで形成可能であり、タンタル合金からなる第1導電体膜22を形成する場合には、混合ターゲットを用いたスパッタリング法や、コスパッタリング法、電子ビーム蒸着法などが用いられる。 The first conductive film 22 can be formed in a sputtering method or an electron beam deposition method, in the case of forming the first conductive film 22 made of tantalum alloy, a sputtering method, using a mixed target, co sputtering, is used, such as electron beam evaporation.
【0030】 [0030]
なお、第1導電体膜22の膜厚は、TFD素子の用途によって好適な値が選択され、通常、100〜500nm程度である。 The thickness of the first conductive film 22, preferred values ​​are selected depending on the application of the TFD elements, usually about 100 to 500 nm.
【0031】 [0031]
(3)そして、第1導電体膜22が、一般に用いられているフォトリソグラフィおよびエッチング技術によってパターニングされる。 (3) Then, the first conductive film 22 is patterned by photolithography and etching techniques are commonly used.
【0032】 [0032]
(4)続いて、酸化膜24が第1導電体膜22の表面に形成される。 (4) Then, the oxide film 24 is formed on the surface of the first conductive film 22. 詳細には、第1導電体膜22の表面が、陽極酸化法によって酸化することで形成される。 Specifically, the surface of the first conductive film 22 is formed by oxidizing by anodic oxidation. このとき、走査線12の表面も同時に酸化されて絶縁膜が形成される。 At this time, the surface of the scanning line 12 be oxidized at the same time the insulating film is formed. 酸化膜24の膜厚は、その用途によって好ましい値が選択され、例えば、20〜70nm程度とされる。 The film thickness of the oxide film 24, a preferred value is selected depending on the application, for example, about 20 to 70 nm. 陽極酸化に用いられる化成液は、特に、限定されないが、例えば、0.01〜0.1重量%のクエン酸水溶液を用いることができる。 Chemical conversion solution used in the anodic oxidation, in particular, but not limited to, for example, may be used aqueous citric acid solution of 0.01 to 0.1 wt%.
【0033】 [0033]
(5)次いで、第2導電体膜26が成膜される。 (5) Then, the second conductive film 26 is deposited. この第2導電体膜26は、上述したように、アルミニウムに少量の希土類元素、特に、ネオジム、サマリウム、セリウムなどのランタノイド系元素を添加した金属からなり、スパッタリング法などによって堆積させることによって形成されている。 The second conductive film 26, as described above, a small amount of rare earth element to aluminum, in particular, neodymium, samarium, a metal added with lanthanoid element such as cerium, is formed by depositing by a sputtering method ing. また、第2導電体膜26の膜厚は、例えば、50〜300nm程度である。 The thickness of the second conductive film 26 is, for example, about 50 to 300 nm.
【0034】 [0034]
(6)そして、第2導電体膜26が、画素電極36をも一体として、一般に用いられているフォトリソグラフィおよびエッチング技術によりパターニングされる。 (6) Then, the second conductive film 26, as an integral also the pixel electrode 36 is patterned by photolithography and etching techniques are commonly used.
【0035】 [0035]
このようなプロセスにより、基板30には、複数のTFD素子20がマトリックス状に形成されて、素子アレイ基板となる。 Such a process, the substrate 30, a plurality of TFD elements 20 are formed in a matrix, the element array substrate.
【0036】 [0036]
<TFD素子における他の例> <Another example of the TFD element>
次に、TFD素子における他の例について説明する。 Next, a description is given of another example of the TFD element.
【0037】 [0037]
<バック・トゥ・バック構造> <Back-to-back structure>
次に、TFD素子の他の例として、バック・トゥ・バック(back-to-back)構造のTFD素子について説明する。 Next, as another example of the TFD elements, the TFD elements of the back-to-back (back-to-back) structure is described. 図3(a)は、このTFD素子を適用した液晶パネル基板における1画素分のレイアウトを示す平面図であり、図3(b)は、そのTFD素子の構造をB−B線に沿って示す断面図である。 3 (a) is a plan view showing the layout of one pixel in the liquid crystal panel substrate of applying this TFD element, FIG. 3 (b) shows along the structure of the TFD element line B-B it is a cross-sectional view.
【0038】 [0038]
バック・トゥ・バック構造とは、非線形特性の対称化を図るため、2つのダイオードを逆向きに直列接続した構造をいう。 The back-to-back structure, in order to symmetrization of nonlinear characteristics, refers to a structure connected in series with two diodes in opposite directions. このため、図に示すように、TFD素子40は、第1のTFD素子40aと第2のTFD40bとが、極性を互いに反対にして直列接続した構造となっている。 Therefore, as shown in FIG, TFD elements 40 comprises a first TFD element 40a and the second TFD40b has a series connection structure in the opposite polarities to each other.
【0039】 [0039]
具体的には、基板30と、この表面に形成された絶縁膜31と、第1導電体膜42と、この表面に陽極酸化によって形成された酸化膜44と、この表面に形成されて相互に離間した第2導電体膜46a、46bとから構成されている。 Specifically, a substrate 30, an insulating film 31 formed on the surface, the first conductor film 42, the oxide film 44 formed on the surface by anodic oxidation, to each other are formed on the surface spaced second conductive film 46a, and a and 46b.
【0040】 [0040]
そして、第1のTFD素子40aにおける第2導電体膜46aはそのまま走査線48となる一方、第2のTFD素子40bにおける第2導電体膜46bはそのまま画素電極45となっている。 Then, while the second conductor film 46a in the first TFD element 40a is as a scan line 48, the second conductive film 46b of the second TFD element 40b is directly a pixel electrode 45. なお、酸化膜44は、図1に示したTFD素子20における酸化膜24に比べて膜厚が小さく設定され、例えば、約半分程度に形成される。 Incidentally, the oxide film 44, the film thickness as compared with the oxide film 24 in the TFD element 20 shown in FIG. 1 is smaller, for example, it is formed on about half. また、第1導電体膜42や、酸化膜44、第2導電体膜46a、46bなどの各構成要素の具体的な構成などは、前述したTFD素子20と同様であるので、その説明を省略することとする。 Also, and the first conductor film 42, oxide film 44, the second conductive film 46a, such as specific configurations of the components such as 46b are the same as TFD element 20 described above, description thereof is omitted I decided to.
【0041】 [0041]
このほかに、2つのダイオードを逆向きに並列接続したリング状素子によっても非線形特性の対称性を確保することができる。 In addition to this, it is possible to ensure the symmetry of the nonlinear characteristics by a ring-shaped element connected in parallel with two diodes in opposite directions.
【0042】 [0042]
<TFD素子の製造プロセス▲2▼> <Manufacturing process of the TFD element ▲ 2 ▼>
次に、図3に示したようなバック・トゥ・バック構造のTFD素子40の製造プロセスについて説明する。 Next, description will be given of a manufacturing process of the TFD element 40 of the back-to-back structure shown in FIG.
【0043】 [0043]
(1)まず、図4に示すように、基板30上面に絶縁膜31が形成される。 (1) First, as shown in FIG. 4, the insulating film 31 is formed on the substrate 30 upper surface. なお、この工程は、図2に示した工程(1)と同一である。 Note that this step is identical to step (1) shown in FIG.
【0044】 [0044]
(2)次いで、絶縁膜31上面に第1導電体膜42が成膜される。 (2) Then, the first conductive film 42 is formed on the insulating film 31 upper surface. なお、この工程についても、図2に示した工程(2)と同一である。 Note that this step is also the same as step (2) shown in FIG.
【0045】 [0045]
(3)そして、第1導電体膜42が、一般に用いられているフォトリソグラフィおよびエッチング技術によってパターニングされる。 (3) Then, the first conductive film 42 is patterned by photolithography and etching techniques are commonly used.
【0046】 [0046]
(4)続いて、酸化膜44が第1導電体膜42の表面に形成される。 (4) Then, the oxide film 44 is formed on the surface of the first conductive film 42. 詳細には、図2に示した工程(4)と同様に、陽極酸化法が用いられる。 Specifically, similarly to the step (4) shown in FIG. 2, the anodic oxidation method is used. これにより、走査線48の表面も同時に酸化される。 Thus, the surface of the scanning lines 48 are also oxidized at the same time. ただし、酸化膜44の膜厚は、上述したように、図2に示した酸化膜22の膜厚の約半分程度である。 However, the thickness of the oxide film 44, as described above, in the order of about half the thickness of the oxide film 22 shown in FIG.
【0047】 [0047]
(5)次いで、第2導電体膜46が成膜される。 (5) Then, the second conductive film 46 is deposited. なお、この工程は、図2に示した工程(5)と同一である。 Note that this step is identical to step (5) shown in FIG.
【0048】 [0048]
(6)さらに、図5に示すように、第2導電体膜26が、画素電極45をも一体として、一般に用いられているフォトリソグラフィおよびエッチング技術によりパターニングされる。 (6) Further, as shown in FIG. 5, the second conductive film 26, as an integral also the pixel electrode 45 is patterned by photolithography and etching techniques are commonly used.
【0049】 [0049]
(7)そして、酸化膜44が形成された第1導電体膜42であって、図において破線で示された部分49が、一般に用いられているフォトリソグラフィおよびエッチング技術によりパターニングされて、走査線48の下層たる第1導電体膜から分離される。 (7) Then, a first conductive film 42 is an oxide film 44 is formed, a portion 49 indicated by broken lines in FIG, is patterned by photolithography and etching techniques are commonly used, the scanning lines It is separated from the lower layer serving as a first conductor film 48.
【0050】 [0050]
このようなプロセスにより、基板30には、第1のTFD素子40aと第2のTFD40bとからなるバック・トゥ・バック構造のTFD素子40が、マトリックス状に形成されて、素子アレイ基板となる。 Such a process, the substrate 30, the TFD element 40 of the back-to-back structure composed of a first TFD element 40a and the second TFD40b is formed in a matrix, the element array substrate.
【0051】 [0051]
なお、バック・トゥ・バック構造を有するTFD素子の製造プロセスについては、上記工程(1)〜(7)の順番に限られず、例えば、工程(4)によって第1導電体膜42の表面に酸化膜22を形成した直後に、工程(7)によって、走査線48から分離して、この後、工程(5)、(6)を実行することによっても可能である。 Note that the manufacturing process of the TFD element having a back-to-back structure is not limited to the order of the steps (1) to (7), for example, by step (4) on the surface of the first conductive film 42 oxide immediately after forming the film 22, the step (7), separated from the scanning line 48, thereafter, step (5), it is possible by executing the (6).
【0052】 [0052]
<TFD素子の特性についての考察> <Consideration of the characteristics of the TFD element>
次に、本実施形態にかかるTFD素子の優位性について検討する。 Next, consider the advantages of the TFD elements according to the present embodiment. ここで、本願発明者らは、TFD素子の第2導電体膜の材料として、従来より用いられているクロムを用いた場合と、本実施形態のようにアルミニウムにネオジムを添加した金属とを用いた場合とで比較実験を行った。 Here, the inventors have use as a material of the second conductive film of the TFD element, in the case of using chromium conventionally used, in aluminum as in this embodiment and the metal was added neodymium a comparison was made experiment in the case you were. なお、本実験では、アルミニウムに対するネオジムの添加量を1.0重量%(=0.19原子%)とした。 In the present experiment, the amount of neodymium to aluminum was 1.0 wt% (= 0.19 atomic%).
【0053】 [0053]
まず、TFD素子における電流−電圧特性のシフトについて検討する。 First, the current in the TFD element - to consider the shift of the voltage characteristic. ここで、電流−電圧特性のシフトとは、図7において、元の電流−電圧特性▲1▼が、TFD素子を駆動することによって、その形状を保ったまま、例えば▲2▼のように変動することをいう。 Here, the current - the shift of the voltage characteristic, in FIG. 7, the original current - voltage characteristics ▲ 1 ▼ is by driving the TFD element, while maintaining its shape, for example, ▲ 2 ▼ variation as It refers to. このような変動が発生すると、同一電圧値に対する電流値が相違するので、コントラストが変化する。 When such variation occurs, the current value is different for the same voltage value, contrast is changed. すなわち、同一階調レベルの表示でも画面全体においてはコントラスト差が生じる。 That is, the contrast difference in the entire screen in the display of the same gradation level occurs. このコントラスト差が、いわゆる焼き付きとして見えることになる。 The contrast difference, will appear as a so-called burn-in.
【0054】 [0054]
さて、図6(a)に示すように、電流値変化に対するシフト変化の傾きは、第2導電体としてクロムを用いた場合よりも、アルミニウムにネオジムを添加した金属を用いた場合の方が小さいことが判る。 Now, as shown in FIG. 6 (a), the inclination of the shift change to the current value changes, than with chromium as the second conductor is smaller in the case of using the aluminum was added neodymium metal it can be seen. なお、同図における電流値は、TFD素子の両端に一定電圧(4V)を印加した場合の値である。 The current value in the figure, the value of the case of applying across a constant voltage of the TFD element (4V).
【0055】 [0055]
したがって、本実施形態では、クロムを用いる場合と比べると、電流−電圧特性のシフトが小さく抑えられるため、いわゆる焼き付きが軽減できるという点においてそれだけ有利となる。 Thus, in this embodiment, as compared with the case of using chromium, current - because the shift voltage characteristics is suppressed small, and correspondingly advantageous in that so-called burn-can be reduced.
【0056】 [0056]
次に、TFD素子における電流−電圧特性のドリフトについて検討する。 Next, the current in the TFD elements - be discussed drift voltage characteristics. ここで、電流−電圧特性のドリフトとは、図7において、元の電流−電圧特性▲1▼が、TFD素子の両端に電圧を印加することによって、例えば▲3▼のように変動して、正負において非対称となることをいう。 Here, the current - the drift voltage characteristics in FIG. 7, the original current - voltage characteristics ▲ 1 ▼ is by applying a voltage across the TFD elements, e.g. ▲ 3 ▼ varied as, say that is asymmetrical in the positive and negative. このように非対称になると、絶対値が同一である正負電圧での電流値に差が生じて、正負期間での直流オフセット電圧となり、これが画面上において残像として見えることとなる。 With such becomes asymmetric, the absolute value of difference occurs between the current value of positive and negative voltages are the same, becomes a DC offset voltage at the positive and negative periods, and that this is visible as an afterimage on the screen.
【0057】 [0057]
さて、図6(b)に示すように、ドリフト値は、第2導電体としてクロムを用いた場合が0.15〜0.2Vであるのに対し、アルミニウムにネオジムを添加した金属を用いた場合が0.1V以下であるため、後者の方が小さいことが判る。 Now, as shown in FIG. 6 (b), the drift value, if the case of using chromium as the second conductor whereas a 0.15~0.2V, using a metal obtained by adding neodymium aluminum 0.1 because it is V or less, it can be seen that the latter is small. なお、同図における電流値は、TFD素子に一定電流値が流れる場合の値である。 The current value in this figure is the value in the case where the TFD elements constant current flows.
【0058】 [0058]
また、このドリフトは、第1導電体として、タンタルにタングステンを添加した金属を用いると減少し、さらに、本実施形態のように、第2導電体としてアルミニウムにネオジムを添加した金属を用いると、より減少することが判った。 Also, the drift, as the first conductor, and reduced using a metal that adding tungsten to the tantalum, further, as in this embodiment, the use of metal aluminum was added neodymium as the second conductor, It was found to be reduced more.
【0059】 [0059]
したがって、本実施形態では、クロムを用いる場合と比べると、電流−電圧特性のドリフトが小さく抑えられるため、残像が少ないという点においてそれだけ有利となる。 Thus, in this embodiment, as compared with the case of using chromium, current - for drift voltage characteristics can be suppressed small, and correspondingly advantageous in that afterimage is small.
【0060】 [0060]
よって、本実施形態にかかるTFD素子を液晶表示パネルに適用すると、焼き付き・残像の軽減化を図ることが可能となる。 Therefore, the TFD elements according to the present embodiment is applied to the liquid crystal display panel, it is possible to achieve a reduction of burn-afterimage.
【0061】 [0061]
なお、第2導電体膜26としてアルミニウムにネオジムを添加した金属を用いることのみによっても、TFD素子における電流−電圧特性の急峻性、シフト、ドリフトが改善されるため、第2導電体膜26と画素電極36とを一体とせずに、画素電極36をITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜で形成しても、同様な効果が得られる。 Even by only using a metal aluminum added neodymium as the second conductive film 26, current in the TFD element - the steepness of the voltage characteristic, shift, since the drift is improved, the second conductive film 26 a pixel electrode 36 without integrally be formed pixel electrode 36 of a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide), the same effects can be obtained. ただし、図2に示した工程(1)〜(6)、あるいは、図4、図5に示した工程(1)〜(7)に加えて、画素電極たる金属膜の成膜工程およびパターニング工程が別途必要となる。 However, the process shown in FIG. 2 (1) to (6), or FIG. 4, in addition to the steps (1) to (7) shown in FIG. 5, the pixel electrode serving as a metal film forming step and patterning step but it required separately.
【0062】 [0062]
<液晶表示パネル> <Liquid crystal display panel>
次に、上述した製造プロセスにより作成したTFD素子20(40)を適用した液晶表示パネルの一例について説明する。 Next, an example of a liquid crystal display panel to which the TFD element 20 created by the manufacturing process described above (40). 図8は、その等価回路の一例を示すブロック図である。 Figure 8 is a block diagram showing an example of the equivalent circuit.
【0063】 [0063]
この図に示すように、液晶表示パネル10では、走査線12とデータ線14との各交点において画素領域16が形成されており、各画素領域16は、液晶表示要素(液晶層)18とTFD素子20とが直列に接続された構成となっている。 As shown in this figure, the liquid crystal display panel 10, and the pixel region 16 is formed at each intersection of the scanning lines 12 and data lines 14, each pixel region 16, the liquid crystal display element (liquid crystal layer) 18 and the TFD It has a structure in which the elements 20 are connected in series. ここで、各走査線12は走査信号駆動回路100によって、また、各データ線14はデータ信号駆動回路110によって、それぞれ駆動される。 Here, by the scanning lines 12 scanning signal driving circuit 100, and each data line 14 by the data signal driving circuit 110 are driven.
【0064】 [0064]
なお、図8では、TFD素子20が走査線の側に接続され、液晶層18がデータ線の側に接続されているが、これとは逆に、TFD素子20をデータ線の側に、液晶層18を走査線の側に設ける構成でもよい。 In FIG. 8, the TFD element 20 is connected to the side of the scanning lines, the liquid crystal layer 18 is connected to the side of the data line, on the contrary, the TFD elements 20 on the side of the data lines, the liquid crystal it may be configured to provide a layer 18 on the side of the scanning line.
【0065】 [0065]
さらに、液晶表示パネル10の構造について説明する。 Further, a description is given of the structure of the liquid crystal display panel 10. 図9は、その一例を摸式的に示す部分破断斜視図である。 Figure 9 is a partially broken perspective view showing an example of a schematic manner. この図に示すように、液晶表示パネル10は、素子アレイ基板30と、これに対向配置される対向基板32とを備えている。 As shown in this figure, the liquid crystal display panel 10 includes an element array substrate 30 and a counter substrate 32 that is this opposed. 対向基板32は、例えば、ガラス基板からなる。 Facing substrate 32, for example, a glass substrate.
【0066】 [0066]
素子アレイ基板30において、画素電極36は、それぞれマトリクス状に複数配列する。 In the element array substrate 30, pixel electrodes 36 arrayed in each matrix. ここで、同一行に配列する画素電極36は、行方向に短冊状に延在する複数の走査線12の1本に、TFD素子20を介して接続されている。 Here, the pixel electrode 36 arranged in the same row, to one of a plurality of scanning lines 12 extending in a strip shape in the row direction, are connected via the TFD element 20.
【0067】 [0067]
一方、対向基板32において、複数のデータ線14は、それぞれ走査線12の延在方向と直交する列方向へ短冊状に延在して、かつ、素子アレイ基板30の画素電極36と交差するように形成されている。 On the other hand, the counter substrate 32, a plurality of data lines 14 each extend in a strip shape in the column direction perpendicular to the extending direction of the scanning lines 12, and so as to intersect the pixel electrode 36 of the element array substrate 30 It is formed in.
【0068】 [0068]
さて、このように構成された素子アレイ基板30と対向基板32とは、一方の基板の周辺に沿って塗布されるシール剤と、適切に散布されたスペーサとによって、一定のギャップ(間隙)を保っており、この閉空間に例えば、SH(スーパーホメオトロピック)型の液晶が封入されて、液晶層18(図8参照)が形成されている。 Now, the thus configured element array substrate 30 and the counter substrate 32, a sealing agent applied along the periphery of one substrate, by a spacer which is suitably spread, constant gap (the gap) maintained and, for example, the closed space, SH liquid crystal (super homeotropic) type is sealed, the liquid crystal layer 18 (see FIG. 8) is formed.
【0069】 [0069]
一方、図8における走査信号駆動回路100が、各TFD素子20に所定電圧の走査信号を、走査線12を介して順次供給するのに合わせて、データ信号駆動回路110は、表示の階調レベルに応じたパルス幅を有するデータ信号を、データ線14を介して順次供給する。 On the other hand, the scanning signal driving circuit 100 in FIG. 8, a scanning signal of a predetermined voltage to the TFD elements 20, combined to sequentially supplied through the scanning line 12, the data signal driving circuit 110, the display of gray level data signal having a pulse width corresponding to the sequentially supplied through the data line 14.
【0070】 [0070]
そして、走査線12とデータ線14とに印加される電位差に基づきTFD素子20の電流値が変化して、液晶層18が充放電される結果、当該液晶層18の表示状態、非表示状態またはその中間状態に切り替えられる。 Then, the current value is changed in the TFD element 20 on the basis of the potential difference applied to the scanning lines 12 and data lines 14, a result of the liquid crystal layer 18 are charged and discharged, the display state of the liquid crystal layer 18, the non-display state or It is switched to the intermediate state. これにより、液晶層18の表示動作が制御されることとなる。 By this, the display operation of the liquid crystal layer 18 is controlled.
【0071】 [0071]
ほかに、対向基板32には、液晶表示パネル10の用途に応じて、例えば、ストライプ状モザイク状や、トライアングル状等に配列されたカラーフィルタが設けられ、さらに、例えば、クロムやニッケルなどの金属材料や、カーボンやチタンなどをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどのブラックマトリクスが設けられる。 In addition, the counter substrate 32, depending on the application of the liquid crystal display panel 10, for example, a stripe mosaic, color filters are provided that are arranged in a triangle shape or the like, furthermore, for example, a metal such as chromium or nickel materials and a black matrix of such dispersed resin black like the photoresist carbon or titanium is provided.
【0072】 [0072]
また、液晶表示パネル10において、分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、配向膜、偏光板等が不要となるため、光利用効率が高まり、このため液晶表示パネルの高輝度化や低消費電力化などの点において有利である。 In the liquid crystal display panel 10, the use of the polymer dispersion type liquid crystal is dispersed as a fine particle in the molecule, the orientation film, since the polarizing plate or the like is not required, increased light utilization efficiency, for this reason the liquid crystal display panel which is advantageous in terms of high luminance and lower power consumption.
【0073】 [0073]
<電子機器:その1> <Electronic devices: Part 1>
次に、このような液晶表示パネル10を電子機器に用いた例のいくつかについて説明する。 Next, a description will be given some examples of using such a liquid crystal display panel 10 to the electronic device.
【0074】 [0074]
まず、この液晶表示パネルをライトバルブとして用いたビデオプロジェクタについて説明する。 First, a description will be given video projector using the liquid crystal display panel as a light valve. 図10は、ビデオプロジェクタの構成例を示す平面図である。 Figure 10 is a plan view showing a configuration example of a video projector.
【0075】 [0075]
この図に示すように、ビデオプロジェクタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。 As shown in this diagram, a video projector 1100 includes a lamp unit 1102 including a white light source such as a halogen lamp. このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド1104内に配置された複数のミラー1106、1106、……および2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gに入射される。 Projection light emitted from the lamp unit 1102, a light guide 1104 plurality of mirrors arranged in 1106,1106, that is, RGB by ...... and two dichroic mirrors 1108, corresponding to the primary colors the liquid crystal panel 1110R as light valves, are incident on the 1110B and 1110G.
【0076】 [0076]
液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gの構成は、上述した通りであり、図示しないビデオ信号処理回路から供給されるR、G、Bの原色信号でそれぞれ駆動される。 Liquid crystal panels 1110R, 1110B and 1110G configuration is as described above, R supplied from the video signal processing circuit, not shown, G, are driven by primary color signals B. さて、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射される。 Now, the light modulated by the liquid crystal panels is incident on a dichroic prism 1112 in three directions. このダイクロイックプリズム1112においては、RおよびBの光が90度に屈折する一方、Gの光が直進する。 In the dichroic prism 1112, the light of R and B are refracted by 90 degrees, the light of G goes straight. したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ1114を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。 Thus, images of the respective colors are synthesized, through a projection lens 1114, a color image is projected on a screen or the like.
【0077】 [0077]
なお、このように液晶表示パネル10をプロジェクタに適用する場合、液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gは透過型となるので、画素電極がITOなどの透明導電膜で第2導電体とは別途形成されることとなる。 In the case of applying this way of the liquid crystal display panel 10 to the projector, the liquid crystal panel 1110R, since 1110B and 1110G are the transmission type, the pixel electrode is separately formed from the second conductive a transparent conductive film such as ITO and thus.
【0078】 [0078]
また、液晶パネル1110R、1110Bおよび1110Gには、ダイクロイックミラー1108によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射するので、対向基板32にカラーフィルタを設ける必要はない。 The liquid crystal panels 1110R, 1110B, and 1110G, by the dichroic mirror 1108, R, G, since the light corresponding to the primary colors of B is incident, there is no need to provide a color filter on the opposing substrate 32.
【0079】 [0079]
<電子機器:その2> <Electronic devices: Part 2>
さらに、液晶表示パネルをパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。 Further, an example of applying the liquid crystal display panel on a personal computer. 図11は、このパーソナルコンピュータの構成を示す正面図である。 Figure 11 is a front view showing the structure of the personal computer. 図において、パーソナルコンピュータ1200は、キーボード1202を備えた本体部1204と、液晶ディスプレイ1206とから構成されている。 In the figure, the personal computer 1200 includes a main body 1204 having a keyboard 1202 and a liquid crystal display 1206.. この液晶ディスプレイ1206は、先に述べた液晶表示パネル10にカラーフィルタとバックライトとを付加することにより構成される。 The liquid crystal display 1206 is constructed by adding to the liquid crystal display panel 10 described above and a color filter and the backlight.
【0080】 [0080]
<電子機器:その3> <Electronic devices: Part 3>
次に、液晶表示パネルをページャに適用した例について説明する。 Next, an example of applying the liquid crystal display panel on pager. 図12は、このページャの構造を示す分解斜視図である。 Figure 12 is an exploded perspective view showing the structure of the pager. この図に示すように、ページャ1300は、金属フレーム1302において、液晶表示パネル10を、バックライト1306aを含むライトガイド1306、回路基板1308、第1、第2のシールド板1310、1312とともに収容する構成となっている。 As shown in this figure, the pager 1300, the metal frame 1302, a liquid crystal display panel 10 is accommodated together with the light guide 1306, the circuit board 1308, first and second shield plates 1310 and 1312 including the backlight 1306a configuration It has become. そして、液晶表示パネル10と回路基板10との導通は、対向基板32に対しては2つの弾性導電体1314、1316によって、素子アレイ基板30に対してはフィルムテープ1318によって、それぞれ図られている。 Then, conduction between the liquid crystal display panel 10 and the circuit board 10, for the counter substrate 32 by two elastic conductors 1314 and 1316, the film tape 1318 to the element array substrate 30, are achieved, respectively .
【0081】 [0081]
なお、図10〜図12を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、携帯電話、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等などが電子機器の例として挙げられる。 Incidentally, in addition to the electronic apparatus described with reference to FIGS. 10 to 12, a liquid crystal television, a viewfinder type or monitor direct view type video tape recorder, a car navigation system, an electronic organizer, a calculator, a word processor, a workstation, mobile phones, videophones, POS terminals, such as device or the like having a touch panel can be mentioned as examples of electronic devices. そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。 The thing is of course applicable to these various electronic apparatuses.
【0082】 [0082]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
以上説明したように、本発明によれば、第1導電体−絶縁体−第2導電体からなる2端子型非線形素子において、前記第2導電体として、Alに希土類元素を添加した金属を用いることにより、純粋なAlを用いた場合と比べて、耐食性や耐熱性などが改善されるだけでなく、2端子型非線形素子における電流−電圧特性の急峻性、シフト、ドリフトについても改善されるので、液晶表示パネルに適用した場合に、焼き付き・残像の軽減化を図ることが可能となる。 As described above, according to the present invention, the first conductor - insulator - in a two-terminal type non-linear element comprising a second conductor, a second conductor, using a metal doped with a rare earth element in the Al by, as compared with the case of using a pure Al, as well, such as corrosion resistance and heat resistance is improved, the current in the two-terminal nonlinear element - the steepness of the voltage characteristic, shift, because it is improved also drift , when applied to a liquid crystal display panel, it is possible to achieve a reduction of burn-afterimage.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】 (a)は、本発明の実施形態にかかるTFD素子を適用した液晶パネル用基板の1画素分についてのレイアウトを示す平面図であり、(b)は、そのA−A線の断面図である。 1 (a) is a plan view showing the layout of one pixel of the liquid crystal panel substrate according to the according TFD element to an embodiment of the present invention, (b) is the A-A line it is a cross-sectional view.
【図2】 (1)〜(6)は、それぞれ同TFD素子の製造プロセスを示す図である。 [2] (1) to (6) are diagrams showing a manufacturing process of the TFD elements, respectively.
【図3】 (a)は、さらに、他のTFD素子を適用した液晶パネル用基板の1画素分についてのレイアウトを示す平面図であり、(b)は、そのB−B線の断面図である。 3 (a) is further a plan view showing the layout of one pixel of the liquid crystal panel substrate according to the other of the TFD elements, (b) is a cross-sectional view of line B-B is there.
【図4】 (1)〜(5)は、それぞれ同TFD素子の製造プロセスを示す図である。 [4] (1) to (5) are diagrams showing a manufacturing process of the TFD elements, respectively.
【図5】 (6)、(7)は、それぞれ同TFD素子の製造プロセスを示す図である。 [5] (6), (7) are diagrams showing a manufacturing process of the TFD elements, respectively.
【図6】 (a)および(b)は、それぞれTFD素子の電流−電圧特性の優位性を説明するための図である。 6 (a) and (b), the current of each TFD element - is a view for explaining the superiority of the voltage characteristic.
【図7】 TFD素子の電流−電圧特性におけるシフト、ドリフトを説明するための図である。 [7] Current TFD element - shift in the voltage characteristics diagrams for explaining the drift.
【図8】 液晶表示パネルおよびその駆動回路の構成を示すブロック図である。 8 is a block diagram showing a configuration of a liquid crystal display panel and a driving circuit.
【図9】 液晶表示パネルの構成を示す部分破断斜視図である。 9 is a partial cutaway perspective view showing a liquid crystal display panel structure.
【図10】 液晶表示パネルを適用した電子機器の一例たる液晶プロジェクタの構成を示す断面図である。 10 is a cross-sectional view showing a which is an example of a liquid crystal projector configuration of an electronic apparatus to which the liquid crystal display panel.
【図11】 液晶表示パネルを適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す正面図である。 11 is a front view showing the structure of which is an example personal computer of an electronic apparatus to which the liquid crystal display panel.
【図12】 液晶表示パネルを適用した電子機器の一例たるページャの構成を示す分解斜視図である。 12 is an exploded perspective view showing a which is an example pager configuration of an electronic apparatus to which the liquid crystal display panel.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
10……液晶表示パネル12、48……走査線14……データ線18……液晶層20、40……TFD素子22……第1導電体膜(第1導電体) 10 ...... LCD panel 12, 48 ...... scanning lines 14 ...... data lines 18 ...... liquid crystal layer 20, 40 ...... TFD element 22 ...... first conductor film (first conductor)
24……酸化膜(絶縁体) 24 ...... oxide film (insulator)
26……第2導電体膜(第2導電体) 26 ...... second conductor film (second conductor)
30……(素子アレイ)基板32……対向基板36、45……画素電極 30 ... (array) substrate 32 ...... counter substrate 36, 45 ... pixel electrode

Claims (5)

  1. 基板上にタンタル単体又はタンタル合金により形成される第1導電体と、前記第1導電体の表面を陽極酸化して形成される絶縁体と、前記絶縁体上に積層された第2導電体とからなる2端子型非線形素子において、 A first conductor which is formed by tantalum alone or a tantalum alloy on a substrate, wherein the first conductor insulator surface is formed by anodic oxidation of a second conductor which is laminated on the insulator in two-terminal nonlinear device consisting,
    前記第2導電体として、アルミニウムにネオジムを添加した金属を用いたことを特徴とする2端子型非線形素子。 Wherein the second conductor, a two-terminal nonlinear element characterized by using the aluminum was added neodymium metal.
  2. 前記第1導電体として、タンタルにタングステンを添加した金属を用いたことを特徴とする請求項1に記載の2端子型非線形素子。 2-terminal nonlinear device according to claim 1, characterized in that said a first conductor, using a metal that adding tungsten to the tantalum.
  3. 前記第2導電体と、液晶層を駆動するための画素電極とを一体としたことを特徴とする請求項1又は2に記載の2端子型非線形素子。 2-terminal nonlinear device according to claim 1 or 2, characterized in that integral with said second conductor, and a pixel electrode for driving the liquid crystal layer.
  4. 請求項1乃至3のいずれかに記載の2端子型非線形素子を有する液晶パネル用基板と、対向電極を有する対向基板とが適当な間隔をおいて配置されるとともに、前記液晶パネル用基板と前記対向基板との間隙内に液晶が封入されていることを特徴とする液晶表示パネル。 Wherein the substrate for a liquid crystal panel, together with a counter substrate having a counter electrode are arranged at appropriate intervals, and the liquid crystal panel substrate having a two-terminal nonlinear device according to any one of claims 1 to 3 the liquid crystal display panel, wherein a liquid crystal is sealed in the gap between the opposed substrate.
  5. 請求項4に記載の液晶表示パネルを備えたことを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the liquid crystal display panel of claim 4.
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