JP4143224B2

JP4143224B2 - Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus

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Publication number: JP4143224B2
Application number: JP21718699A
Authority: JP
Inventors: 光弘國枝; 憲裕菊地; 哲郎金丸
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-07-31
Filing date: 1999-07-30
Publication date: 2008-09-03
Anticipated expiration: 2019-07-30
Also published as: JP2000105471A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真感光体に関し、詳しくは画像の高解像度化が可能な短波長の半導体レーザーに適した電子写真感光体及びプロセスカートリッジ、及び短波長の半導体レーザーも露光光源として有する電子写真装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、レーザープリンターなどに代表されるレーザーを光源として使用している電子写真装置において使用されているレーザーは、８００ｎｍ付近あるいは６８０ｎｍ付近に発振波長を有する半導体レーザーが主流である。近年、出力画像の高画質化のニーズの高まりから、高解像度化に向けた様々なアプローチがなされている。レーザーの波長もこの高解像度化に深く関わっており、特開平９−２４００５１号公報にも記載されている様に、レーザーの発振波長が短くなるほど、レーザーのスポット径を小さくすることが可能となり、高解像度の潜像形成が可能となる。
【０００３】
レーザーの発振波長の短波長化には、いくつかの手法が挙げられる。
【０００４】
一つは、非線形光学材料を利用し、第２高調波発生（ＳＨＧ）を用いてレーザー光の波長を２分の１にするものである（特開平９−２７５２４２号公報、特開平９−１８９９３０号公報及び特開平５−３１３０３３号公報など）。この系は、一次光源として、既に技術が確立し、高出力可能のあＧａＡｓ系半導体レーザーやＹＡＧレーザーを使用することができるため、長寿命化や大出力化が可能である。
【０００５】
もう一つは、ワイドギャップ半導体を用いるもので、ＳＨＧ利用のデバイスと比べ、装置の小型化が可能である。ＺｎＳｅ系半導体レーザー（特開平７−３２１４０９号公報及び特開平６−３３４２７２号公報など）やＧａＮ系半導体レーザー（特開平８−８８４４１号公報及び特開平７−３３５９７５号公報など）が、その発光効率の高さから、以前から多くの研究の対象となっている。
【０００６】
これらの半導体レーザーは素子構造、結晶成長条件及び電極などの最適化が難しく、結晶中の欠陥などにより、実用化に必須である室温での長時間発振が困難であった。
【０００７】
ところが、基盤等の技術革新が進み、１９９７年１０月には、ＧａＮ系半導体レーザーで１１５０時間連続発振（５０℃条件）が報告されるなど、実用化が目前に迫っている状態である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来のレーザーを用いた電子写真装置に使用される電子写真感光体は、７００〜８００ｎｍ付近の波長域で実用的な感度特性を発現するよう設計されてきた。しかしながら、従来のこれらの電子写真感光体を、４００〜５００ｎｍに発振波長を有する半導体レーザーを用いた電子写真装置に組み込んでも、実用的な感度特性を得ることができない。その主な理由は、従来の長波長レーザー用感光体に使用されている電荷発生物質、具体的には無金属フタロシアニン、銅フタロシアニン及びオキシチタニウムフタロシアニンなどの金属フタロシアニン、及び一部のアゾ顔料などは、４００〜５００ｎｍ付近には十分な吸収帯がなく、こうした波長域では十分なキャリアが発生しないためである。
【０００９】
また、４００〜５００ｎｍ付近に十分な吸収帯を有する電荷発生物質を用いた場合でも、十分な感度特性が得られるとは限らない。電子写真感光体は近年、電荷キャリアの発生と電荷の移動の機能を別々の層に分担させる、いわゆる積層型（機能分離型）が高感度化に有利なことから、研究開発度及び製品の主流となっている。導電性支持体上に電荷発生層と電荷輸送層がこの順に積層された感光体では、レーザー光が電荷輸送層を透過して電荷発生層に到達した場合にのみ感度を発現する。しかし４００〜５００ｎｍ付近の短波光の吸収係数の大きい電荷輸送物質を用いた感光体は、電荷発生層まで光が十分に届かないため、４００〜５００ｎｍの光の吸収の大きな電荷発生物質を使用したとしても十分な感度を示さない。
【００１０】
本発明の目的は、３８０〜５００ｎｍの波長域でも高い感度特性を有し、かつ繰り返し使用時の電位変動の小さい電子写真感光体を提供し、また、この感光体と短波長レーザーを使用することによって、実用的で安定して高画質な出力画像が得られる電子写真装置及びこの装置に着脱可能なプロセスカートリッジを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、導電性支持体上に電荷発生層及び電荷輸送層をこの順に有する電子写真感光体において、該電子写真感光体が、３８０〜５００ｎｍの波長域の単色光を照射され、かつ該電荷輸送層が照射される該単色光に対し、３０％以上の透過率を有する電子写真感光体であって、
該電荷輸送層は、下記式（１）で示される電荷輸送物質を含み、
【数１１】

該電荷輸送物質は、下記例示化合物Ｎｏ．６、７、９〜１１、２８、３１または３３であることを特徴とする電子写真感光体である：
例示化合物Ｎｏ．６
【数１２】

例示化合物Ｎｏ．７
【数１３】

例示化合物Ｎｏ．９
【数１４】

例示化合物Ｎｏ．１０
【数１５】

例示化合物Ｎｏ．１１
【数１６】

例示化合物Ｎｏ．２８
【数１７】

例示化合物Ｎｏ．３１
【数１８】

例示化合物Ｎｏ．３３
【数１９】

。
【００１２】
また、本発明は、電子写真感光体、及び帯電手段、現像手段及びクリーニング手段から選択される少なくともひとつの手段を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジにおいて、該電子写真感光体が、上記の電子写真感光体であることを特徴とするプロセスカートリッジである。
【００１３】
また、本発明は、電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有する電子写真装置において、
該露光手段が、３８０〜５００ｎｍの波長域の単色光を生じさせるものであり、該電子写真感光体が、上記の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の電子写真感光体について詳しく説明する。
【００１５】
導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層がこの順に積層された構成を有する積層型感光体の層構成の具体例を図１乃至図４に示す。本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と電荷発生層の間にバリヤー機能や接着機能を有する下引き層を有する構成（図２及び図４）、感光層を外部からの機械的及び化学的悪影響から保護することなどを目的とした保護層を有する構成（図３及び図４）など、いかなる構成であっても構わない。図中、１は導電性支持体、２は電荷発生層、３は電荷輸送層、４は下引き層、５は保護層を示す。
【００１６】
本発明における導電性支持体としては、例えば以下に示した形態のものを挙げることができる。
【００１７】
（１）アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス及び銅などの金属を板形状またはドラム形状にしたもの。
【００１８】
（２）ガラス、樹脂及び紙などの非導電性支持体や前記（１）の導電性支持体上にアルミニウム、パラジウム、ロジウム、金及び白金などの金属を蒸着もしくはラミネートしたもの。
【００１９】
（３）ガラス、樹脂及び紙などの非導電性支持体や前記（１）の導電性支持体上に導電性高分子、酸化スズ及び酸化インジウムなどの導電性化合物を含有する層を蒸着あるいは塗布することにより形成したもの。
【００２０】
本発明に用いられる有効な電荷発生物質としては、例えば以下のような物質が挙げられる。これらの電荷発生物質は単独で用いてもよく、２種類以上組み合わせてもよい。
【００２１】
（１）モノアゾ、ビスアゾ及びトリスアゾなどのアゾ系顔料
（２）インジコ及びチオインジゴなどのインジゴ系顔料
（３）金属フタロシアニン及び非金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料
（４）ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミドなどのペリレン系顔料
（５）アンスラキノン及びピレンキノンなどの多環キノン系顔料
（６）スクアリリウム色素
（７）ピリリウム塩及びチオピリリウム塩類
（８）トリフェニルメタン系色素
（９）セレン及び非晶質シリコンなどの無機物質
【００２２】
電荷発生物質を含有する層、即ち電荷発生層は上記のような電荷発生物質を適当な結着剤に分散し、これを導電性支持体上に塗工することにより形成することができる。また、導電性支持体上に蒸着、スパッタ及びＣＶＤなどの乾式法で形成することができる。
【００２３】
上記結着剤としては広範囲な結着性樹脂から選択でき、例えば、ポリカーボネーと樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ブチラール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ポリスルホン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂及び塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらは単独または共重合体ポリマーとして１種または２種以上混合して用いてもよい。
【００２４】
電荷発生層中に含有する樹脂は、８０重量％以下、特には４０重量％以下であることが好ましい。また、電荷発生層の膜厚は５μｍ以下、特には０．０１μｍ〜２μｍとすることが好ましい。また、電荷発生層には種々の増感剤を添加してもよい。
【００２５】
電荷輸送物質を含有する層、即ち電荷輸送層は、照射されるレーザー光に対し、３０％以上、好ましくは９０％以上の透過率を有する。透過率は、後述の実施例からも明らかなように、照射される光に対するものであって、３８０〜５００ｎｍの範囲の波長を有する全ての光に対するものである必要はない。
【００２６】
本発明における電荷輸送層は、電荷輸送物質と適当な結着剤（結着性樹脂）とを組み合わせて形成することができる。電荷輸送層に用いられる結着剤としては、前記電荷発生層に用いられているものが挙げられ、更にポリビニルカルバゾール及びポリビニルアントラセンなどの光導電性高分子も挙げられる。
【００２７】
電荷輸送物質は電子輸送性物質と正孔輸送性物質があり、電子輸送性物質としては、例えば２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロフルオレノン、クロラニル及びテトラシアノキノジメタンなどの電子吸引性物質やこれら電子吸引性物質を高分子化したものなどが挙げられる。
【００２８】
正孔輸送性物質としては、例えばピレン及びアントラセンなどの多環芳香族化合物、カルバゾール系、インドール系、オキサゾール系、チアゾール系、オキサジアゾール系、ピラゾール系、ピラゾリン系、チアジアゾール系及びトリアゾール系化合物等の複素環化合物、ヒドラゾン系化合物、スチリル系化合物、ベンジジン系化合物、トリアリールメタン系化合物、トリアリールアミン系化合物あるいは、これらの化合物からなる基を主鎖または側鎖に有するポリマー（例えばポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及びポリビニルアントラセンなど）が挙げられる。これらの電荷輸送物質は単独で用いてもよく、２種類以上組み合わせてもよい。
【００２９】
４００〜５００ｎｍ付近に十分な吸収帯を有する電荷発生物質を使用した感光体と４００ｎｍ付近の光源を組み合わせた場合、従来の長波長光源用感光体と長波長光源を組み合わせた場合と比較して、繰り返し使用した際に感光体の電位変動が大きかったり、画像においてゴースト現象等の画像欠陥を生じ易いことが本発明者らの検討により明らかになった。この一因として、短波長の強いエネルギーの光の照射により電荷発生層で発生した励起子及び電荷キャリアの一部が、電子写真プロセスで消費されずに感光層内に蓄積していき、感光体の帯電能や感度特性を変化させることが考えられる。本発明者らは、このような励起子やキャリアは、電荷輸送物質や他の化合物との電子移動反応により蓄積を抑えることが可能であることを見い出した。つまり、繰り返し使用時の電位変動やメモリー現象を抑制させ、安定した高品位な画像を得るために、最適な電荷輸送物質が存在するのである。
【００３０】
これらの観点から、本発明において用いられる電荷輸送物質は、下記式（１）で示される構造を有するものであって、下記例示化合物Ｎｏ．６、７、９〜１１、２８、３１または３３である。
【００３１】
【外４】

（式中、Ａｒ、Ａｒ₂ 及びＡｒ₃ は置換基を有しても良いアリール基を示す。）
【００３２】
芳香環基としては、フェニル、ナフチル、アントラセニル及びピレニルなどの芳香族炭化水素環基、ピリジル、キノリル、チエニル、フリル、ベンゾイミダゾリル及びベンゾチアゾリル等の芳香族複素環基が挙げられる。
【００３３】
また、これらの基が有してもよい置換基としてはメチル、エチル、プロピル、ブチル及びヘキシルなどのアルキル基、メトキシ、エトキシ及びブトキシなどのアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素などのハロゲン原子、ピリジル、キノリル、チエニル及びフリルなどの複素環基、ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル及びフルフリル等のアラルキル基、アセチル及びベンジルなどのアシル基、トリフルオロメチルなどのハロアルキル基、シアノ基、ニトロ基、フェニルカルバモイル基、カルボキシ基及びヒドロキシ基などがある。
【００３４】
以下に式（１）で示される化合物の例を挙げる。構造式は式（１）のＡｒ１，Ａｒ２及びＡｒ３に相当する部分のみを記載した。
【００３５】
【外５】

【００３６】
【外６】

【００３７】
【外７】

【００３８】
【外８】

【００３９】
【外９】

【００４０】
結着剤と電荷輸送物質との配合割合は、結着剤１００重量部あたり電荷輸送物質を１０〜５００重量部とすることが好ましい。電荷輸送層は、上述の電荷発生層と電気的に接続されており、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キャリアを受け取るとともに、これらの電荷キャリアを表面まで輸送できる機能を有している。この電荷輸送層は電荷キャリアを輸送できる限界があるので、必要以上に膜厚を厚くすることができないが、５μｍ〜４０μｍ、特には１０μｍ〜３０μｍの範囲が好ましい。
【００４１】
更に、電荷輸送層中に酸化防止剤、紫外線吸収剤及び可塑剤などを必要に応じて添加することもできる。
【００４２】
下引き層はカゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、ポリアミド（ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン６１０、共重合ナイロン及びＮ−アルコキシメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン及び酸化アルミニウムなどによって形成することができる。膜厚は０．１〜１０μｍであることが好ましく特には０．５〜５μｍであることが好ましい。
【００４３】
保護層は樹脂層や導電性粒子などを含有する樹脂層である。
【００４４】
これら各種の層は、適当な有機溶媒を用い、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ローラーコーティング法、マイヤーバーコーティング法及びブレードコーティング法などのコーティング法により形成することができる。
【００４５】
本発明における露光手段は、露光光源として３８０〜５００ｎｍの発振波長を有する半導体レーザーを有していればよく、他の構成は特に限定されるものではない。また、半導体レーザーも発振波長が上記の範囲内であれば、他の構成は特に限定されるものではない。なお、本発明においては、半導体レーザーの発振波長が４００〜４５０ｎｍであることが、電荷輸送物質の選択範囲の広さ、コスト及び電子写真特性の点で好ましい。
【００４６】
また、本発明における帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段も特に限定されるものではない。
【００４７】
図５に本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す。
【００４８】
図において、６はドラム状の本発明の電子写真感光体であり、軸７を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。感光体１は、回転過程において、一次帯電手段８によりその周面に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次いで、レーザービーム走査露光などの露光手段（不図示）からの露光光９を受ける。こうして感光体６の周面に静電潜像が順次形成されていく。
【００４９】
形成された静電潜像は、次いで現像手段１０によりトナー現像され、現像されたトナー現像像は、不図示の給紙部から感光体６と転写手段１１との間に感光体６の回転と同期取りされて給送された転写材１２に、転写手段１１により順次転写されていく。
【００５０】
像転写を受けた転写材１２は、感光体面から分離されて像定着手段１３へ導入されて像定着を受けることにより複写物（コピー）として装置外へプリントアウトされる。
【００５１】
像転写後の感光体６の表面は、クリーニング手段１４によって転写残りのトナーの除去を受けて清掃面化され、更に前露光手段（不図示）からの前露光光１５により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、図においては一次帯電手段８が帯電ローラーを用いた接触帯電手段であるので前露光は必ずしも必要ではない。
【００５２】
本発明においては、上述の電子写真感光体６、一次帯電手段８、現像手段１０及びクリーニング手段１４などの構成要素のうち、複数のものをプロセスカートリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置本体に対して着脱可能に構成してもよい。例えば、一次帯電手段８、現像手段１０及びクリーニング手段１４の少なくとも１つを感光体６と共に一体に支持してカートリッジ化し、装置本体のレール１７などの案内手段を用いて装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジ１６とすることができる。
【００５３】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明は、その要旨を越えない限り、以下の実施例によって限定されるものではない。なお、以下の実施例中、「部」は「重量部」を示す。
【００５４】
（実施例１）
《電子写真感光体サンプルの作成》
アルミニウム基板上に、Ｎ−メトキシメチル化６ナイロン樹脂（重量平均分子量３０，０００）５．５部とアルコール可溶性共重合ナイロン樹脂（重量平均分子量２８，０００）８部をメタノール３０部、ブタノール８０部の混合溶液に溶解した液をマイヤーバーで塗布し、乾燥することによって膜厚が約１μｍの下引き層を設けた。
【００５５】
次に、下記構造式で示されるアゾ化合物２０部とブチラール樹脂（ブチラール化度６５ｍｏｌ％、重量平均分子量３０，０００）１０部をテトラヒドロフラン４００部に添加し、１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンドミル装置で２０時間分散した。この分散液を先に作成した下引き層の上にマイヤーバーで塗布し、乾燥することによって、膜厚が約０．４μｍの電荷発生層を形成した。
【００５６】
【外１０】

【００５７】
次に、例示化合物６を７部、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート（重量平均分子量４５，０００）１０部をモノクロルベンゼン６０部に溶解した電荷輸送層溶液を調製し、この溶液を電荷発生層上にマイヤーバーで塗布し、１００℃で１時間乾燥することによって、膜厚が２３μｍの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作成した。
【００５８】
《電子写真特性の測定》
以上のようにして作成した感光体の電子写真特性を、静電複写紙試験装置（川口電気製：ＥＰＡ−８１００）を用いて以下のように測定した。
【００５９】
（初期特性）
感光体の表面電位を−６００Ｖになるようにコロナ帯電器で帯電し、次いでモノクロメータで分離した３８０ｎｍの単色光で露光し、表面電位が−３００Ｖまで減衰するのに必要な光量を測定し、半減露光感度（Ｅ１／２）を求めた。また、露光３０秒後の残留表面電位（Ｖｒ）を測定した。
【００６０】
（繰り返し特性）
常温常湿下（温度２３℃、湿度５５％ＲＨ）で初期暗部電位（Ｖｄ）及び初期明部電位（Ｖ１）をそれぞれ−６００Ｖ、−２００Ｖ付近に設定し、３８０ｎｍの単色光を用いて帯電及び露光を５０００回繰り返し、Ｖｄ及びＶ１の変動量（ΔＶｄ、ΔＶ１）を測定した。電位変動における負符号は電位の絶対値の低下を表し、正符号は電位の絶対値の増加を表す。
【００６１】
《電荷輸送層の透過率の測定》
作成した感光体から電荷輸送層のみを剥離し、紫外可視分光光度計（島津製作所製：ＵＶ−２２００）を用いて、各波長における電荷輸送層の透過率を測定した。透過スペクトルを図６に示す。なお、図６において、各透過スペクトル線に付した番号は、対応する例示化合物番号を示している。
【００６２】
結果を表１に示す。
【００６３】
（実施例２〜５）
例示化合物６の代わりに下記の表１に示した化合物を用いた他は実施例１と同様に電子写真感光体を作成し、評価を行った。結果を表１に示す。また、各電荷輸送層の透過スペクトルを図６に示す。
【００６４】
（比較例１及び２）
化合物６の代わりに下記構造式で示される比較化合物１及び比較化合物２を用いた他は実施例１と同様に電子写真感光体を作成し、評価を行った。結果を表１に示す。
【００６５】
比較化合物１
【００６６】
【外１１】

【００６７】
比較化合物２
【００６８】
【外１２】

【００６９】
【表１】

【００７０】
これらの結果から、本発明の電子写真感光体は、３８０ｎｍ付近の波長を有する露光光を用いた電子写真装置に組み込んだ場合に、優れた感度を発現し、繰り返し使用時の電位や感度の安定性に優れることが分かる。高感度の観点から、電荷輸送層の透過率のより高い感光体が特に好ましい。電荷輸送層が露光光を透過しない比較例１及び２の感光体では、感度が全く発現しない。
【００７１】
（実施例６〜１０及び比較例３〜６）
例示化合物６の代わりに下記の表２に示した化合物を用いた他は実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。静電複写紙試験装置の露光光を４４５ｎｍの単色光に変えた他は実施例１と同様にして電子写真特性を評価した。結果を表２に示す。また、電荷輸送層の透過スペクトルを図６に示す。
【００７２】
【表２】

【００７３】
これらの結果から本発明の電子写真感光体は、４４５ｎｍ付近の波長を有する露光光を用いた電子写真装置に組み込んだ場合にも同様に、優れた感度を発現し、繰り返し使用時の電位や感度の安定性に優れることが分かる。実施例５において３８０ｎｍでの電荷輸送層の透過率が低かったために感度がやや低めであった例示化合物１１を用いた感光体も、実施例９から分かるように４４５ｎｍでは電荷輸送層の透過率が高く、高い感度を発現する。比較化合物１及び２を用いた比較例３及び４の感光体でも感度は発現するが、その感度は極めて低い。
【００７４】
また、比較例５及び６から分かるように、式（１）で示される構造を有する化合物を使用した場合でも、電荷輸送層の透過率が０である波長を有する光を使用した場合には感度は発現しない。
【００７５】
（実施例１１〜１３）
化合物６の代わりに、下記の表３に示した化合物を用いた他は実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。静電複写紙試験装置の露光光を５００ｎｍの単色光に変えた他は実施例１と同様にして電子写真特性を評価した。結果を表３に示す。
【００７６】
【表３】

【００７７】
実施例１２及び１３から、比較例５及び６で感度を発現しなかった感光体も、露光光が電荷輸送層を十分に透過する波長を有する場合には、感度、繰り返し特性に優れることが分かる。
【００７８】
（実施例１４及び１５）
１０％酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した酸化チタン粉体５０部、レゾール型フェノール樹脂２５部、メチルセロソルブ２０部、メタノール５部及びシリコーンオイル（ポリジメチルシロキサンポリオキシアルキレン共重合体、平均分子量３０００）０．００２部を１ｍｍφガラスビーズを用いたサンドミル装置で２時間分散して導電層用塗料を調製した。この塗料をアルミニウムシリンダー（３０ｍｍφ×２６１ｍｍ）上に浸漬塗布し、１４０℃で３０分乾燥することによって、膜厚が２０μｍの導電層を形成した。
【００７９】
Ｎ−メトキシメチル化６ナイロン樹脂（重量平均分子量５２，０００）５部とアルコール可溶性共重合ナイロン樹脂（重量平均分子量４８，０００）１０部をメタノール９５部に溶解した。この液を導電層上に浸漬塗布し、乾燥することによって、膜厚が０．８μｍの下引き層を形成した。
【００８０】
次に、α型オキシチタニウムフタロシアニン１５部を、ポリビニルブチラール（商品名エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学（株）製）１０部をシクロヘキサノン２００部に溶解した液に添加し、１ｍｍφのガラスビーズを用いたサンドミル装置で１０時間分散し、更に２００部の酢酸エチルを加えて希釈した。この液を下引き層上に浸漬塗布し、９５℃で１０分間乾燥することによって、膜厚が０．３μｍの電荷発生層を形成した。
【００８１】
次に、下記表４に示した例示化合物８部及びビスフェノールＺ型ポリカーボネート（重量平均分子量４５，０００）１０部をモノクロロベンゼン６５部に溶解した。この液を電荷発生層上に浸漬塗布し、１００℃で１時間乾燥することによって、膜厚が２１μｍの電荷輸送層を形成し、実施例１４及び１５の電子写真感光体を作成した。
【００８２】
このようにして作成した電子写真感光体を、パルス変調装置を搭載しているキヤノン製プリンターＬＢＰ−２０００改造機（光源として日立金属（株）製全固体青色ＳＨＧレーザーＩＣＤ−４３０／発振波長４３０ｎｍを搭載。また、反転現像系で６００ｄｐｉ相当の画像入力に対応できる帯電−露光−現像−転写−クリーニングからなるカールソン方式の電子写真システムに改造。）に装着した。暗部電位Ｖｄ＝−６５０Ｖ、明部電位Ｖ１＝−２００Ｖに設定し、１ドット１スペースの画像と文字（５ポイント）画像の出力を行い、得られた画像を目視により評価した。
【００８３】
（比較例７）
プリンターの光源を発振波長７８０ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザーに代えた以外は実施例１４と同様にして、実施例１４で用いた感光体の画像評価を行った。
【００８４】
結果を表４に示す。
【００８５】
【表４】

【００８６】
これらの結果から、本発明の電子写真装置は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ高解像度の出力画像が得られることがわかる。
【００８７】
【発明の結果】
以上説明したように、本発明の電子写真感光体は、４００〜５００ｎｍ付近の短波長の半導体レーザーの発振波長領域において高感度であり、また、繰り返し帯電、露光による連続画像形成に際して明部電位と暗部電位の変動が小さく耐久性に優れて、高品位な画像が得られるとという顕著な効果を奏する。また、この電子写真感光体と上記半導体レーザーを組み合わせることにより、高解像度の画像形成が可能で繰り返し使用にも安定して使用し得る電子写真装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す断面図である。
【図２】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す断面図である。
【図３】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す断面図である。
【図４】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す断面図である。
【図５】本発明のプロセスカートリッジを有する電子写真装置の一例を概略的に示す構成説明図である。
【図６】露光波長に対する電荷輸送層の透過率を示す透過スペクトル図である。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electrophotographic photosensitive member, a process cartridge, and an electrophotographic photosensitive member, and more specifically, an electrophotographic photosensitive member and a process cartridge suitable for a short wavelength semiconductor laser capable of increasing the resolution of an image, and a short wavelength semiconductor laser. Also relates to an electrophotographic apparatus having an exposure light source.
[0002]
[Prior art]
Currently, semiconductor lasers having an oscillation wavelength near 800 nm or around 680 nm are the mainstream lasers used in electrophotographic apparatuses that use a laser typified by a laser printer or the like as a light source. In recent years, various approaches toward higher resolution have been made due to the increasing needs for higher image quality of output images. The wavelength of the laser is also deeply involved in this increase in resolution, and as described in JP-A-9-240051, the shorter the laser oscillation wavelength, the smaller the laser spot diameter, A high-resolution latent image can be formed.
[0003]
There are several methods for shortening the laser oscillation wavelength.
[0004]
One is to use a non-linear optical material and to halve the wavelength of the laser beam using second harmonic generation (SHG) (Japanese Patent Laid-Open Nos. 9-275242 and 9-189930). No. and JP-A-5-313033). Since this system has already established technology as a primary light source and can use a GaAs semiconductor laser or YAG laser capable of high output, it can extend the life and output.
[0005]
The other uses a wide-gap semiconductor, and the size of the apparatus can be reduced as compared with a device using SHG. Luminescence efficiency of ZnSe-based semiconductor lasers (JP-A-7-321409, JP-A-6-334272, etc.) and GaN-based semiconductor lasers (JP-A-8-88441, JP-A-7-335975, etc.) Because of its height, it has been the subject of many studies.
[0006]
These semiconductor lasers have difficulty in optimizing the element structure, crystal growth conditions, electrodes, and the like, and have been difficult to oscillate at room temperature, which is essential for practical use, due to defects in the crystal.
[0007]
However, technological innovations such as the foundation have advanced, and in October 1997, a GaN-based semiconductor laser reported 1150-hour continuous oscillation (50 ° C. condition), and practical application is imminent.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
An electrophotographic photosensitive member used in a conventional electrophotographic apparatus using a laser has been designed so as to exhibit practical sensitivity characteristics in a wavelength region near 700 to 800 nm. However, even if these conventional electrophotographic photoreceptors are incorporated into an electrophotographic apparatus using a semiconductor laser having an oscillation wavelength of 400 to 500 nm, practical sensitivity characteristics cannot be obtained. The main reason is that the charge generation materials used in conventional long wavelength laser photoreceptors, specifically metal phthalocyanines such as metal-free phthalocyanine, copper phthalocyanine and oxytitanium phthalocyanine, and some azo pigments, etc. This is because there is no sufficient absorption band in the vicinity of 400 to 500 nm, and sufficient carriers are not generated in such a wavelength region.
[0009]
In addition, even when a charge generation material having a sufficient absorption band in the vicinity of 400 to 500 nm is used, sufficient sensitivity characteristics are not always obtained. In recent years, electrophotographic photoconductors are divided into separate layers for charge carrier generation and charge transfer functions, so-called stacked type (functional separation type) is advantageous for high sensitivity. It has become. In a photoreceptor in which a charge generation layer and a charge transport layer are laminated in this order on a conductive support, sensitivity is exhibited only when laser light passes through the charge transport layer and reaches the charge generation layer. However, a photoconductor using a charge transport material having a large absorption coefficient of short-wave light in the vicinity of 400 to 500 nm does not sufficiently reach the charge generation layer. Therefore, a charge generation material having a large absorption of 400 to 500 nm is used. However, it does not show sufficient sensitivity.
[0010]
An object of the present invention is to provide an electrophotographic photosensitive member having high sensitivity characteristics even in a wavelength range of 380 to 500 nm and having a small potential fluctuation during repeated use, and to use this photosensitive member and a short wavelength laser. Thus, an electrophotographic apparatus capable of obtaining a practical, stable and high-quality output image and a process cartridge detachable from the apparatus are provided.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
That is, the present invention relates to an electrophotographic photosensitive member having a charge generation layer and a charge transport layer in this order on a conductive support, wherein the electrophotographic photosensitive member is irradiated with monochromatic light in a wavelength range of 380 to 500 nm, and to the single color light charge transport layer is irradiated, a that electronic photosensitive member having a transmittance of 30% or more,
The charge transport layer includes a charge transport material represented by the following formula (1),
## EQU11 ##

The charge transport material includes the following Exemplified Compound Nos. An electrophotographic photosensitive member characterized by being 6, 7, 9-11, 28, 31 or 33:
Exemplified Compound No. 6
[Expression 12]

Exemplified Compound No. 7
[Formula 13]

Exemplified Compound No. 9
[Expression 14]

Exemplified Compound No. 10
[Expression 15]

Exemplified Compound No. 11
[Expression 16]

Exemplified Compound No. 28
[Expression 17]

Exemplified Compound No. 31
[Expression 18]

Exemplified Compound No. 33
[Equation 19]

.
[0012]
The present invention also provides an electrophotographic photosensitive member, and a process cartridge that integrally supports at least one means selected from a charging means, a developing means, and a cleaning means, and is detachable from an electrophotographic apparatus main body. A process cartridge , wherein the photoconductor is the electrophotographic photoconductor described above .
[0013]
The present invention also provides an electrophotographic apparatus having an electrophotographic photosensitive member, a charging unit, an exposure unit, a developing unit, and a transfer unit.
The electrophotographic apparatus is characterized in that the exposure means generates monochromatic light in a wavelength range of 380 to 500 nm, and the electrophotographic photosensitive member is the above-described electrophotographic photosensitive member.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the electrophotographic photoreceptor of the present invention will be described in detail.
[0015]
1 to 4 show specific examples of the layer structure of a laminated photoreceptor having a structure in which at least a charge generation layer and a charge transport layer are laminated in this order on a conductive support. The electrophotographic photosensitive member of the present invention has a structure having an undercoat layer having a barrier function or an adhesive function between a conductive support and a charge generation layer (FIGS. 2 and 4), and the photosensitive layer is mechanically and externally provided. Any configuration such as a configuration having a protective layer for protecting from adverse chemical effects (FIGS. 3 and 4) may be used. In the figure, 1 is a conductive support, 2 is a charge generation layer, 3 is a charge transport layer, 4 is an undercoat layer, and 5 is a protective layer.
[0016]
Examples of the conductive support in the present invention include those shown below.
[0017]
(1) A metal such as aluminum, aluminum alloy, stainless steel, and copper, which has a plate shape or a drum shape.
[0018]
(2) Non-conductive support such as glass, resin and paper, or metal such as aluminum, palladium, rhodium, gold and platinum deposited or laminated on the conductive support of (1).
[0019]
(3) Deposit or coat a layer containing a conductive compound such as a conductive polymer, tin oxide and indium oxide on a non-conductive support such as glass, resin and paper and the conductive support described in (1). What was formed by doing.
[0020]
Examples of effective charge generating materials used in the present invention include the following materials. These charge generation materials may be used alone or in combination of two or more.
[0021]
(1) Azo pigments such as monoazo, bisazo and trisazo (2) Indigo pigments such as indico and thioindigo (3) Phthalocyanine pigments such as metal phthalocyanine and non-metallic phthalocyanine Perylene pigments (5) polycyclic quinone pigments such as anthraquinone and pyrenequinone (6) squarylium dyes (7) pyrylium salts and thiopyrylium salts (8) triphenylmethane dyes (9) selenium and amorphous silicon Inorganic substance 【0022】
A layer containing a charge generation material, that is, a charge generation layer, can be formed by dispersing the charge generation material as described above in a suitable binder and coating it on a conductive support. Further, it can be formed on a conductive support by a dry method such as vapor deposition, sputtering, and CVD.
[0023]
The binder can be selected from a wide range of binder resins, such as polycarbonate and resin, polyester resin, polyarylate resin, butyral resin, polystyrene resin, polyvinyl acetal resin, diallyl phthalate resin, acrylic resin, methacrylic resin, Examples include, but are not limited to, vinyl acetate resin, phenol resin, silicone resin, polysulfone resin, styrene-butadiene copolymer resin, alkyd resin, epoxy resin, urea resin, and vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin. It is not a thing. You may use these individually or in mixture of 2 or more types as a copolymer polymer.
[0024]
The resin contained in the charge generation layer is preferably 80% by weight or less, particularly 40% by weight or less. The thickness of the charge generation layer is preferably 5 μm or less, particularly 0.01 μm to 2 μm. Various sensitizers may be added to the charge generation layer.
[0025]
The layer containing the charge transport material, that is, the charge transport layer has a transmittance of 30% or more, preferably 90% or more, with respect to the irradiated laser beam. As will be apparent from the examples described later, the transmittance is for irradiated light, and need not be for all light having a wavelength in the range of 380 to 500 nm.
[0026]
The charge transport layer in the present invention can be formed by combining a charge transport material and a suitable binder (binder resin). Examples of the binder used in the charge transport layer include those used in the charge generation layer, and also include photoconductive polymers such as polyvinyl carbazole and polyvinyl anthracene.
[0027]
Charge transport materials include electron transport materials and hole transport materials, and examples of electron transport materials include 2,4,7-trinitrofluorenone, 2,4,5,7-tetranitrofluorenone, chloranil, and tetra. Examples thereof include electron-withdrawing substances such as cyanoquinodimethane and those obtained by polymerizing these electron-withdrawing substances.
[0028]
Examples of the hole transporting substance include polycyclic aromatic compounds such as pyrene and anthracene, carbazole, indole, oxazole, thiazole, oxadiazole, pyrazole, pyrazoline, thiadiazole, and triazole compounds Heterocyclic compounds, hydrazone compounds, styryl compounds, benzidine compounds, triarylmethane compounds, triarylamine compounds, or polymers having a group consisting of these compounds in the main chain or side chain (for example, poly-N -Vinylcarbazole and polyvinylanthracene). These charge transport materials may be used alone or in combination of two or more.
[0029]
When combining a photoconductor using a charge generating material having a sufficient absorption band in the vicinity of 400 to 500 nm and a light source near 400 nm, as compared with the case where a conventional long wavelength light source photoconductor and a long wavelength light source are combined, As a result of studies by the present inventors, it is clear that the potential fluctuation of the photosensitive member is large or image defects such as a ghost phenomenon are likely to occur in an image when it is used repeatedly. One reason for this is that a part of excitons and charge carriers generated in the charge generation layer due to irradiation of strong energy light with a short wavelength accumulates in the photosensitive layer without being consumed in the electrophotographic process. It is conceivable to change the chargeability and sensitivity characteristics of the. The present inventors have found that the accumulation of such excitons and carriers can be suppressed by an electron transfer reaction with a charge transport material or another compound. In other words, there is an optimal charge transport material to suppress potential fluctuation and memory phenomenon during repeated use and to obtain a stable high-quality image.
[0030]
From these viewpoints, the charge transport material used in the present invention has a structure represented by the following formula (1), and the following Exemplified Compound Nos. 6, 7, 9-11, 28, 31 or 33 .
[0031]
[Outside 4]

(In the formula, Ar, Ar ₂ and Ar ₃ represent an aryl group which may have a substituent.)
[0032]
Examples of the aromatic ring group include aromatic hydrocarbon ring groups such as phenyl, naphthyl, anthracenyl and pyrenyl, and aromatic heterocyclic groups such as pyridyl, quinolyl, thienyl, furyl, benzoimidazolyl and benzothiazolyl.
[0033]
In addition, the substituents that these groups may have include alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl and hexyl, alkoxy groups such as methoxy, ethoxy and butoxy, and halogen atoms such as fluorine, chlorine, bromine and iodine. , Heterocyclic groups such as pyridyl, quinolyl, thienyl and furyl, aralkyl groups such as benzyl, phenethyl, naphthylmethyl and furfuryl, acyl groups such as acetyl and benzyl, haloalkyl groups such as trifluoromethyl, cyano group, nitro group, phenyl Examples include a carbamoyl group, a carboxy group, and a hydroxy group.
[0034]
Give an example of the compound represented by the formula (1) below. For the structural formula, only the portions corresponding to Ar1, Ar2 and Ar3 in formula (1) are described .
[0035]
[Outside 5]

[0036]
[Outside 6]

[0037]
[Outside 7]

[0038]
[Outside 8]

[0039]
[Outside 9]

[0040]
The blending ratio of the binder and the charge transport material is preferably 10 to 500 parts by weight of the charge transport material per 100 parts by weight of the binder. The charge transport layer is electrically connected to the charge generation layer described above and has a function of receiving charge carriers injected from the charge generation layer in the presence of an electric field and transporting these charge carriers to the surface. ing. Since this charge transport layer has a limit capable of transporting charge carriers, the film thickness cannot be increased more than necessary, but a range of 5 μm to 40 μm, particularly 10 μm to 30 μm is preferable.
[0041]
Furthermore, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a plasticizer, and the like can be added to the charge transport layer as necessary.
[0042]
The undercoat layer can be formed of casein, polyvinyl alcohol, nitrocellulose, polyamide (such as nylon 6, nylon 66, nylon 610, copolymer nylon and N-alkoxymethylated nylon), polyurethane and aluminum oxide. The film thickness is preferably 0.1 to 10 μm, and particularly preferably 0.5 to 5 μm.
[0043]
The protective layer is a resin layer containing a resin layer, conductive particles, and the like.
[0044]
These various layers can be formed by a coating method such as a dip coating method, a spray coating method, a spinner coating method, a roller coating method, a Meyer bar coating method, and a blade coating method using an appropriate organic solvent.
[0045]
The exposure means in this invention should just have the semiconductor laser which has an oscillation wavelength of 380-500 nm as an exposure light source, and another structure is not specifically limited. Further, other configurations of the semiconductor laser are not particularly limited as long as the oscillation wavelength is within the above range. In the present invention, the oscillation wavelength of the semiconductor laser is preferably 400 to 450 nm from the viewpoints of the wide selection range of the charge transport material, cost, and electrophotographic characteristics.
[0046]
Further, the charging means, developing means, transfer means and cleaning means in the present invention are not particularly limited.
[0047]
FIG. 5 shows a schematic configuration of an electrophotographic apparatus having a process cartridge having the electrophotographic photosensitive member of the present invention.
[0048]
In the figure, reference numeral 6 denotes a drum-shaped electrophotographic photosensitive member of the present invention, which is rotationally driven around a shaft 7 in the direction of an arrow at a predetermined peripheral speed. In the rotation process, the photosensitive member 1 is uniformly charged with a positive or negative predetermined potential on its peripheral surface by the primary charging unit 8, and then receives exposure light 9 from an exposure unit (not shown) such as laser beam scanning exposure. receive. In this way, electrostatic latent images are sequentially formed on the peripheral surface of the photoreceptor 6.
[0049]
The formed electrostatic latent image is then developed with toner by the developing unit 10, and the developed toner developed image is rotated between the photosensitive member 6 and the transfer unit 11 from a paper supply unit (not shown). The images are sequentially transferred by the transfer means 11 to the transfer material 12 fed in synchronization.
[0050]
The transfer material 12 that has received the image transfer is separated from the surface of the photosensitive member, introduced into the image fixing means 13, and subjected to image fixing, thereby being printed out as a copy (copy).
[0051]
After the image transfer, the surface of the photosensitive member 6 is subjected to removal of toner remaining after transfer by the cleaning unit 14 to be cleaned, and further subjected to charge removal processing by pre-exposure light 15 from a pre-exposure unit (not shown). Used repeatedly for image formation. In the figure, since the primary charging means 8 is a contact charging means using a charging roller, pre-exposure is not necessarily required.
[0052]
In the present invention, a plurality of components such as the electrophotographic photosensitive member 6, the primary charging unit 8, the developing unit 10, and the cleaning unit 14 described above are integrally coupled as a process cartridge. May be configured to be detachable from an electrophotographic apparatus main body such as a copying machine or a laser beam printer. For example, a process in which at least one of the primary charging unit 8, the developing unit 10, and the cleaning unit 14 is integrally supported with the photosensitive member 6 to form a cartridge and can be attached to and detached from the apparatus main body using guide means such as the rail 17 of the apparatus main body. The cartridge 16 can be used.
[0053]
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples unless it exceeds the gist. In the following examples, “part” means “part by weight”.
[0054]
(Example 1)
<Preparation of electrophotographic photoreceptor sample>
On an aluminum substrate, 5.5 parts of N-methoxymethylated 6 nylon resin (weight average molecular weight 30,000) and 8 parts of alcohol-soluble copolymer nylon resin (weight average molecular weight 28,000) 30 parts of methanol, 80 parts of butanol A solution dissolved in the mixed solution was applied with a Meyer bar and dried to provide an undercoat layer having a thickness of about 1 μm.
[0055]
Next, 20 parts of an azo compound represented by the following structural formula and 10 parts of a butyral resin (butyralization degree 65 mol%, weight average molecular weight 30,000) were added to 400 parts of tetrahydrofuran, and a sand mill apparatus using 1 mmφ glass beads was used. Dispersed for 20 hours. The dispersion was applied with a Meyer bar on the previously prepared undercoat layer and dried to form a charge generation layer having a thickness of about 0.4 μm.
[0056]
[Outside 10]

[0057]
Next, a charge transport layer solution was prepared by dissolving 7 parts of Exemplified Compound 6 and 10 parts of bisphenol Z-type polycarbonate (weight average molecular weight 45,000) in 60 parts of monochlorobenzene. The film was dried at 100 ° C. for 1 hour to form a charge transport layer having a thickness of 23 μm, and an electrophotographic photosensitive member was produced.
[0058]
<Measurement of electrophotographic characteristics>
The electrophotographic characteristics of the photoreceptor prepared as described above were measured as follows using an electrostatic copying paper test apparatus (manufactured by Kawaguchi Denki: EPA-8100).
[0059]
(Initial characteristics)
Charge the surface potential of the photoconductor with a corona charger so as to be −600 V, then expose with monochromatic light of 380 nm separated by a monochromator, measure the amount of light necessary for the surface potential to decay to −300 V, Half exposure sensitivity (E1 / 2) was determined. Further, the residual surface potential (Vr) after 30 seconds of exposure was measured.
[0060]
(Repeat characteristics)
Under normal temperature and normal humidity (temperature 23 ° C., humidity 55% RH), the initial dark portion potential (Vd) and the initial bright portion potential (V1) are set around −600 V and −200 V, respectively, and charged with 380 nm monochromatic light. The exposure was repeated 5000 times, and the amount of variation (ΔVd, ΔV1) of Vd and V1 was measured. The minus sign in the potential fluctuation represents a decrease in the absolute value of the potential, and the plus sign represents an increase in the absolute value of the potential.
[0061]
<Measurement of transmittance of charge transport layer>
Only the charge transport layer was peeled from the prepared photoreceptor, and the transmittance of the charge transport layer at each wavelength was measured using an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation: UV-2200). The transmission spectrum is shown in FIG. In addition, in FIG. 6, the number attached | subjected to each transmission spectrum line has shown the corresponding example compound number.
[0062]
The results are shown in Table 1.
[0063]
(Examples 2 to 5)
An electrophotographic photoreceptor was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the compounds shown in Table 1 below were used instead of the exemplified compound 6. The results are shown in Table 1. Moreover, the transmission spectrum of each charge transport layer is shown in FIG.
[0064]
(Comparative Examples 1 and 2)
An electrophotographic photoreceptor was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that Comparative Compound 1 and Comparative Compound 2 represented by the following structural formula were used instead of Compound 6. The results are shown in Table 1.
[0065]
Comparative compound 1
[0066]
[Outside 11]

[0067]
Comparative compound 2
[0068]
[Outside 12]

[0069]
[Table 1]

[0070]
From these results, the electrophotographic photoreceptor of the present invention exhibits excellent sensitivity when incorporated in an electrophotographic apparatus using exposure light having a wavelength near 380 nm, and stabilizes the potential and sensitivity during repeated use. It turns out that it is excellent in property. From the viewpoint of high sensitivity, a photoreceptor having a higher transmittance of the charge transport layer is particularly preferable. In the photoreceptors of Comparative Examples 1 and 2 in which the charge transport layer does not transmit exposure light, no sensitivity is exhibited.
[0071]
(Examples 6 to 10 and Comparative Examples 3 to 6)
An electrophotographic photosensitive member was prepared in the same manner as in Example 1 except that the compounds shown in Table 2 below were used instead of the exemplified compound 6. The electrophotographic characteristics were evaluated in the same manner as in Example 1 except that the exposure light of the electrostatic copying paper test apparatus was changed to 445 nm monochromatic light. The results are shown in Table 2. A transmission spectrum of the charge transport layer is shown in FIG.
[0072]
[Table 2]

[0073]
From these results, the electrophotographic photosensitive member of the present invention also exhibits excellent sensitivity when incorporated in an electrophotographic apparatus using exposure light having a wavelength near 445 nm, and potential and sensitivity during repeated use. It can be seen that it is excellent in stability. In Example 5, the photoreceptor using Example Compound 11 whose sensitivity was slightly low because the transmittance of the charge transport layer at 380 nm was low, the transmittance of the charge transport layer was also at 445 nm as shown in Example 9. High and highly sensitive. Although the sensitivity is exhibited even in the photoreceptors of Comparative Examples 3 and 4 using Comparative Compounds 1 and 2, the sensitivity is very low.
[0074]
Further, as can be seen from Comparative Examples 5 and 6, even when the compound having the structure represented by the formula (1) is used, the sensitivity when the light having a wavelength at which the charge transport layer has a transmittance of 0 is used. Is not expressed.
[0075]
(Examples 11 to 13)
An electrophotographic photosensitive member was prepared in the same manner as in Example 1 except that the compounds shown in Table 3 below were used in place of the compound 6. The electrophotographic characteristics were evaluated in the same manner as in Example 1 except that the exposure light of the electrostatic copying paper test apparatus was changed to a monochromatic light of 500 nm. The results are shown in Table 3.
[0076]
[Table 3]

[0077]
From Examples 12 and 13, it can be seen that the photoreceptors that did not exhibit sensitivity in Comparative Examples 5 and 6 are also excellent in sensitivity and repeatability when the exposure light has a wavelength that sufficiently transmits the charge transport layer. .
[0078]
(Examples 14 and 15)
50 parts of titanium oxide powder coated with tin oxide containing 10% antimony oxide, 25 parts of resol type phenol resin, 20 parts of methyl cellosolve, 5 parts of methanol and silicone oil (polydimethylsiloxane polyoxyalkylene copolymer, average molecular weight) 3000) 0.002 part was dispersed in a sand mill apparatus using 1 mmφ glass beads for 2 hours to prepare a conductive layer coating material. This paint was dip-coated on an aluminum cylinder (30 mmφ × 261 mm) and dried at 140 ° C. for 30 minutes to form a conductive layer having a thickness of 20 μm.
[0079]
5 parts of N-methoxymethylated 6 nylon resin (weight average molecular weight 52,000) and 10 parts of alcohol-soluble copolymer nylon resin (weight average molecular weight 48,000) were dissolved in 95 parts of methanol. This liquid was dip-coated on the conductive layer and dried to form an undercoat layer having a thickness of 0.8 μm.
[0080]
Next, 15 parts of α-type oxytitanium phthalocyanine was added to a solution obtained by dissolving 10 parts of polyvinyl butyral (trade name S-REC BM-S, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) in 200 parts of cyclohexanone, and 1 mmφ glass beads were used. The mixture was dispersed in a sand mill for 10 hours, and further diluted with 200 parts of ethyl acetate. This solution was dip-coated on the undercoat layer and dried at 95 ° C. for 10 minutes to form a charge generation layer having a thickness of 0.3 μm.
[0081]
Next, 8 parts of the exemplary compound shown in Table 4 below and 10 parts of bisphenol Z-type polycarbonate (weight average molecular weight 45,000) were dissolved in 65 parts of monochlorobenzene. This solution was dip-coated on the charge generation layer and dried at 100 ° C. for 1 hour to form a charge transport layer having a thickness of 21 μm. Thus, electrophotographic photoreceptors of Examples 14 and 15 were prepared.
[0082]
The electrophotographic photosensitive member produced in this manner was modified from a Canon printer LBP-2000 equipped with a pulse modulator (all solid blue SHG laser ICD-430 manufactured by Hitachi Metals Co., Ltd./oscillation wavelength 430 nm as a light source). And a remodeled Carlson electrophotographic system consisting of charging-exposure-development-transfer-cleaning that can handle image input equivalent to 600 dpi in a reversal development system. The dark portion potential Vd = −650 V and the bright portion potential V1 = −200 V were set, and an image of one dot and one space and a character (5-point) image were output. The obtained image was visually evaluated.
[0083]
(Comparative Example 7)
Image evaluation of the photoreceptor used in Example 14 was performed in the same manner as in Example 14 except that the light source of the printer was changed to a GaAs semiconductor laser having an oscillation wavelength of 780 nm.
[0084]
The results are shown in Table 4.
[0085]
[Table 4]

[0086]
From these results, it can be seen that the electrophotographic apparatus of the present invention is excellent in dot reproducibility and character reproducibility and can provide a high-resolution output image.
[0087]
Results of the Invention
As described above, the electrophotographic photoreceptor of the present invention has high sensitivity in the oscillation wavelength region of a short-wavelength semiconductor laser near 400 to 500 nm, and has a bright portion potential in continuous image formation by repeated charging and exposure. There is a remarkable effect that a high-quality image can be obtained with small fluctuation of the dark portion potential and excellent durability. Further, by combining this electrophotographic photosensitive member and the semiconductor laser, an electrophotographic apparatus capable of forming a high-resolution image and stably used for repeated use is provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a layer structure of an electrophotographic photosensitive member of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the layer structure of the electrophotographic photosensitive member of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of the layer structure of the electrophotographic photosensitive member of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of the layer structure of the electrophotographic photosensitive member of the present invention.
FIG. 5 is a structural explanatory view schematically showing an example of an electrophotographic apparatus having a process cartridge of the present invention.
FIG. 6 is a transmission spectrum diagram showing the transmittance of the charge transport layer with respect to the exposure wavelength.

Claims

In an electrophotographic photoreceptor having a charge generation layer and a charge transport layer in this order on a conductive support, the electrophotographic photoreceptor is irradiated with monochromatic light in a wavelength range of 380 to 500 nm, and the charge transport layer is irradiated. to the single color light, a that electronic photosensitive member having a transmittance of 30% or more,
The charge transport layer includes a charge transport material represented by the following formula (1),

The charge transport material includes the following Exemplified Compound Nos. An electrophotographic photosensitive member characterized by being 6, 7, 9-11, 28, 31 or 33:
Exemplified Compound No. 6

Exemplified Compound No. 7

Exemplified Compound No. 9

Exemplified Compound No. 10

Exemplified Compound No. 11

Exemplified Compound No. 28

Exemplified Compound No. 31

Exemplified Compound No. 33

.

The electrophotographic photosensitive member according to claim 1, wherein the monochromatic light in the wavelength range of 380 to 500 nm is a semiconductor laser beam.

The electrophotographic photosensitive member according to claim 2, wherein a wavelength of the semiconductor laser light is within a wavelength range of 400 to 450 nm.

The electrophotographic photosensitive member according to claim 1, wherein the charge transport layer has a transmittance of 90% or more.

Charge generating layer, an electrophotographic photosensitive member according to any one of claims 1 to 4 containing the azo pigment as a charge generating material.

The electrophotographic photoreceptor according to claim 5 , wherein the azo pigment is represented by the following structural formula:

.

An electrophotographic photosensitive member, and a process cartridge that integrally supports at least one unit selected from a charging unit, a developing unit, and a cleaning unit, and is detachable from the main body of the electrophotographic apparatus, wherein the electrophotographic photosensitive unit is claimed in claim A process cartridge which is the electrophotographic photosensitive member according to any one of 1 to 6 .

In an electrophotographic apparatus having an electrophotographic photosensitive member, a charging unit, an exposure unit, a developing unit, and a transfer unit,
The exposure means generates monochromatic light in a wavelength range of 380 to 500 nm, and the electrophotographic photosensitive member is the electrophotographic photosensitive member according to any one of claims 1 to 6. Electrophotographic device.

9. The electrophotographic apparatus according to claim 8 , wherein the exposure means has a semiconductor laser having an oscillation wavelength in a wavelength range of 380 to 500 nm as an exposure light source.