JP4132761B2 - 電荷注入制御型有機トランジスターデバイス - Google Patents
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- 238000002347 injection Methods 0.000 title claims description 21
- 239000007924 injection Substances 0.000 title claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 75
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 57
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 4
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims description 4
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 claims 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 17
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- SBFJWYYUVYESMJ-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,3-n,3-n-tetrakis(3-methylphenyl)benzene-1,3-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SBFJWYYUVYESMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXWSZJSDZKWQAU-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-5,12-dihydroquinolino[2,3-b]acridine-7,14-dione Chemical compound N1C2=CC=C(C)C=C2C(=O)C2=C1C=C(C(=O)C=1C(=CC=C(C=1)C)N1)C1=C2 TXWSZJSDZKWQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical group C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- MGJXBDMLVWIYOQ-UHFFFAOYSA-N methylazanide Chemical compound [NH-]C MGJXBDMLVWIYOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 naphthalenetetracarboxylic anhydride Naphthalene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000555 poly(dimethylsilanediyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロニクスデバイスに関し、特に有機材料を用いたトランジスターデバイス(「有機トランジスターデバイス」という)に関する。
【0002】
【従来の技術】
有機トランジスターデバイスとしては、シリコンなどの無機半導体基板をゲート電極に用い、絶縁層を挟んでソース電極とドレイン電極を基板面内に配置し、その間隙部に有機半導体材料を成膜した有機電界効果トランジスター(有機FET)が提案されている(Appl. Phys. Lett. 69 (20), 3066-3068 (1996)参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
提案されている有機トランジスターデバイスは、平面型(プレーナー型)デバイスであるために電流キャリアが有機半導体材料中を流れる距離が長く(典型的には数十μm程度)、結果的に高い電圧で駆動するか、単結晶有機材料などの特殊な製法による高いキャリア移動度を持つ材料を用いる必要がある。
【0004】
また、それらの有機トランジスターデバイスにおいては、その平面型構造のために、他の機能性デバイス、例えば、受光デバイスや発光デバイスとデバイスレベルで一体化することが困難であるため、別途回路を作成し配線で接続する必要があった。
【0005】
ここに本発明の目的は、電流キャリアの移動距離がこれまでの有機FETデバイスに比べて大幅に短い、薄膜型で積層型の有機トランジスターデバイスを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の電荷注入制御型有機トランジスターデバイスは、有機半導体薄膜での電流増幅効果を得るために、有機/金属界面で観測される光電流増倍現象のメカニズムを用いることを特徴とする。
【0007】
本発明の有機トランジスターデバイスは、光電流増倍現象を示す光導電性材料からなる第1有機半導体薄膜と電荷輸送能力をもつ第2有機半導体薄膜がその間にベース電極としての第1電極を介在させているとともに部分的に直接接触するように積層された有機半導体薄膜積層体と、第1有機半導体薄膜の外側に第1有機半導体薄膜と接して形成された第2電極と、第2有機半導体薄膜の外側に第2有機半導体薄膜と接して形成された第3電極とを備え、各電極に与えられるバイアス電圧によって第1電極からキャリアが注入され、第2、第3電極間に増倍された電流が流れることを特徴とする電荷注入制御型有機トランジスターデバイスである。
【0008】
光電流増倍現象は、光電流が増幅されて全体としての光キャリア量子収率が100%を越える現象であり、結果的に吸収フォトン数以上の電流キャリアが素子を流れる現象である。この現象は、光照射によって生成した電荷が有機半導体膜と金属基板との界面に蓄積して高電界を形成することにより、光生成キャリア数よりもはるかに大量の電荷が金属電極から注入されることにより達成される。
【0009】
本発明では、光生成キャリアに相当する電荷を、有機半導体薄膜中に挿入した第1電極(ベース電極)から供給することにより、少量の入力電流によって大量の電荷注入を引き起こすことができる。すなわち、わずかな入力電流によって大きな出力電流を得るという、トランジスターの電流増幅効果を実現することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
ベース電極となる第1電極は、有機半導体薄膜積層体を挟む2つの電極(第2、第3電極)間の電流を妨害することなく、増幅のもとになるキャリアを供給できることが好ましい。そのようなベース電極の好ましい例として、微少なピッチを持つストライプ状電極である。そのような電極は、形成しようとする電極形状に対応したストライプ状開口をもつマスクを介した真空蒸着法で作成することができる。
【0011】
図1は、本発明の実施形態の電荷注入型有機トランジスターデバイスの概略構成図である。
第1有機半導体薄膜5と第2有機半導体薄膜3が間にベース電極となる第1電極のストライプ状金属電極4を介在させた状態で積層して形成されて有機半導体薄膜積層体を構成している。この積層体の外側には、有機半導体薄膜3に接してエミッター電極となる電極2が形成され、有機半導体薄膜5に接してコレクター電極となる金属電極6が形成されている。1はこれらを支持するガラス基板であり、透明電極2と有機半導体薄膜3はガラス基板1上に形成されている。有機半導体薄膜3,5及び電極2,4,6としては、例えば真空蒸着膜を用いることができる。
【0012】
7はストライプ状のベース電極4を外部に接続するための引出し電極で、ベース電極4を横断する形状に形成されている。引出し電極7としても真空蒸着膜を用いることができる。
符号8で示される3本の線はそれぞれエミッター電極2、ベース電極用引出し電極7及びコレクター電極6へのリード線であり、各電極2,7,6と銀ペーストによって接触されている。
【0013】
有機半導体薄膜5は、コレクター電極6との界面において光電流増倍現象を示す必要があるため、用いる有機半導体材料としては、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボキシ3,4:9,10−ビス(メチルイミド)(図2に記号C9で示されるもの)などのペリレン系顔料の他に、銅フタロシアニン(図2に記号C10で示されるもの)などのフタロシアニン系顔料、ナフタレンテトラカルボン酸無水物(図2に記号C11で示されるもの)などのナフタレン誘導体、2,9−ジメチルキナクリドン(図2に記号C12で示されるもの)などのキナクリドン系顔料、ペンタセン(図2に記号C13で示されるもの)及びその誘導体、フラーレン(図2に記号C14で示されるもの)などの光導電性有機半導体分子を挙げることができる。
【0014】
一方、有機半導体薄膜3は光導電性有機半導体であってもよいが、光電流増倍を示す必要はなく、電荷輸送能力を持っていればよいので、上記光導電性有機半導体の他に、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−メチルフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)(図2に記号C15で示されるもの)などのトリフェニルジアミン化合物、N,N,N’,N’−テトラ−(m−トルイル)−m−フェニレンジアミン(図2に記号C16で示されるもの)などのフェニレンジアミン化合物、3,5−ジメチル−3’5’−ジ三級ブチル−4,4’−ジフェノキノンなどのジフェノキノン化合物(図2に記号C17で示されるもの)、2−(4−ビフェニル)−5−(4−三級ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(図2に記号C18で示されるもの)などのオキサジアゾール化合物などの電荷輸送材料を用いることができる。
【0015】
有機半導体薄膜3,5は蒸着膜のほか、有機半導体を樹脂に分散させた樹脂分散有機半導体膜とすることもできる。
有機半導体を分散させる樹脂としては、ポリカーボネート(図3に記号C19で示されるもの)、ポリビニルブチラール(図3に記号C20で示されるもの)、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ポリメタクリル酸メチルなどの汎用ポリマー、ポリビニルカルバゾール(図3に記号C21で示されるもの)、ポリメチルフェニルシラン(図3に記号C22で示されるもの)、ポリジメチルシランなどの導電性ポリマーを挙げることができる。
【0016】
樹脂分散有機半導体膜は、有機半導体と樹脂を溶媒中で混合した液を電極基板上にスピンコート法やバーコート法(基板上に塗布した分散液を、溝のついた金属棒によって薄く引き延ばす方法)によって塗布して成膜することにより形成することができる。
有機半導体薄膜3,5は一方が真空蒸着膜、他方が樹脂分散有機半導体膜であってもよい。
【0017】
有機半導体薄膜3と5は、同一の材料であっても異なっていてもかまわないが、増幅機構によって注入された電子が有機半導体薄膜5から3へ移動する際に、界面でのエネルギー障壁によって電流が阻害されないような材料を選択する必要がある。
【0018】
具体的には、有機半導体薄膜5よりも有機半導体薄膜3に用いる材料の方が、伝導体のエネルギーレベルが下にあることが望ましい。
同一材料を用いる場合にはそのようなエネルギー障壁の問題はない。
【0019】
異なる材料を用いる場合には、エネルギー障壁の条件を満たすことができれば、光電流増倍を示す必要がなく材料選択の自由度が大きい有機半導体薄膜3には、より電荷輸送能力が高い材料や、成膜性の良い材料を用いることができ、結果的にデバイスの性能を向上させることができる。
【0020】
有機半導体薄膜3,5の膜厚は、蒸着膜の場合は0.1μmから3μm程度が好ましい。これより厚いと、必要な電圧が上昇しデバイスとしてのエネルギー効率が悪化する。また、これより薄いと、各電極の端子の間で導通や漏れ電流の増大などの問題が生じ、素子の歩留まりが減少する。
【0021】
有機半導体薄膜3,5として樹脂分散有機半導体膜を用いる場合は、有機半導体の濃度は30重量%以上が好ましい。その濃度が30重量%より少なくなると膜の導電性が低下するために、注入された電荷が有機薄膜中を流れにくくなり、電流増幅特性などのトランジスターとしての性能が低下してくる。
【0022】
樹脂分散有機半導体層の膜厚は0.1〜3μm程度が好ましい。膜厚がこの範囲より薄くなると、ベース電極からの入力電流とは無関係なリーク電流が増加して、トランジスターとしての特性が低下してくる。また、上部電極と下部電極が導通する確率が高くなる。逆に膜厚がこの範囲より厚くなると、必要な電圧が上昇しデバイスとしてのエネルギー効率が悪化する。
【0023】
ストライプ状ベース電極4は、必要なホールを注入しつつ、かつ、コレクター電極6とエミッター電極2の間の電流をなるべく妨げない必要があるため、そのピッチはなるべく小さい方がよい。具体的には、100μm以下のピッチのストライプが好ましい。
【0024】
図4は、ベース電極4のエミッター電極側(図では下側)に高抵抗層19を有する電荷注入制御型有機トランジスターデバイスの断面図である。高抵抗層19に用いる材料としては、増倍を引き起こさない電荷輸送材料(図2に記号C15からC18で示されたもの)や、酸化シリコン膜、酸化アルミニウムなどの絶縁性酸化物を用いることができる。
作成した素子のトランジスターとしての性能を評価するための測定系を図5に示す。
【0025】
エミッター電極2とコレクター電極6間にはコレクター電極6側が負になるように直流電源22を接続し、その電源22に直列に電流計23を接続する。エミッター電極2・コレクター電極6間に印加する電圧をコレクター電圧、その流れる電流をコレクター電流と呼ぶ。また、ベース電極4・コレクター電極6間にはコレクター電極6側が負になるように直流電源20を接続し、その電源20に直列に電流計21を接続する。ベース電極4・コレクター電極6間に印加する電圧をベース電圧、流れる電流をベース電流と呼ぶ。
【0026】
測定は、一定のコレクター電圧を印加しながらベース電圧を印加したときの、コレクター電流とベース電流の変化量を測定することで行う。このとき印加するコレクター電圧は大きい方が増幅率は大きくなる傾向にあるが、素子が破壊されないよう、10〜30Vが適当である。ベース電圧は、コレクター電圧より低い必要があり、1〜10Vが適当である。
【0027】
【実施例】
以下に、本発明の実施例を詳細に説明する。
(実施例1)
第1の実施例として、図1に示された構造の有機トランジスターデバイスを構成した。有機半導体薄膜3及び5には、光電流増倍を示すペリレン顔料(図2に記号C9で示されるもの)を用い、真空蒸着法によってそれぞれ膜厚500nmに形成した。ベース電極4にはアルミニウムを用い、真空蒸着によって膜厚20nmでストライプ状に形成した。このとき用いたストライプ状の蒸着マスクパターンは、開口部と遮光部がそれぞれ幅100μm、長さ3mmのものを用いた。エミッター電極2としては膜厚が50nmのITO(indium tin oxide)透明電極を用いた。コレクター電極6及びベース電極用引出し電極7には銀を用い、真空蒸着によって膜厚20nmに形成した。
【0028】
この素子に対して、図5に示す測定系を構成し、入力電流(ベース電流)に対する出力電流(コレクター電流)の変化を測定した結果を図6に示す。コレクター電圧を15Vに固定したまま、ベース電圧を0Vから9Vまで増加させたところ、ベース電流の増加に対してコレクター電流が急激に増加している。このことから、本デバイスにおいてベース電圧によって、コレクター電流を変調可能であることが分かる。
【0029】
ここで、トランジスターの性能を表す電流増幅率を評価した結果を図7に示す。電流増幅率は、ベース電流(入力電流)の変化量に対するコレクター電流(出力電流)の変化量の比率として定義される。図7は、図6の測定結果から本デバイスにおける電流増幅率を算出したものであり、高いベース電圧領域では、1を上回っていることがわかった。これは、高いベース電圧領域ではベース電流変化量よりもコレクター出力電流変化量の方が大きいことを意味しており、本デバイスが電流増幅機能、すなわち、トランジスターとして動作していることを示している。
【0030】
なお、有機半導体薄膜3及び5を、単なる抵抗と考えてキルヒホッフの法則を適用した場合、このような増幅効果は不可能である。
また、有機半導体薄膜5に光電流増倍現象を示さない材料を用いた場合には、このような増幅効果は観測されないことから、この電流増幅効果は、有機半導体薄膜5とコレクター電極6界面における電荷蓄積による電荷注入によるものであると結論できる。
【0031】
(実施例2)
ベース電極4のエミッター電極側に高抵抗層19を設けた図4の素子におけるトランジスター特性について述べる。
本発明の電荷注入制御型有機トランジスターデバイスは、ベース電極4から注入されたホールがコレクター電極6界面に蓄積することによって、トンネル電子注入が引き起こされ電流が増幅されることによる。ところが、実際の動作中のデバイスには、トランジスター作用に必要なベース電極4からのホール、コレクター電極6からの電子注入のほかにも、不要な電流成分が存在すると考えられる。特に、エミッター電極2とベース電極4の間に流れる電流はベース電流を増加させ、結果的に電流増幅率の低下をまねく。そこで、ベース電極4のエミッター電極2側に高抵抗層19を挿入することによって、このような漏れ電流を抑制し、電流増幅率を増大させることが可能となる。
【0032】
このような目的で、第2の実施例として、図4に示された構造の有機トランジスターデバイスを構成した。
素子構造は、基本的には実施例1に記載したものと同様である。ただし、有機半導体薄膜3を蒸着した後、有機半導体薄膜3に用いたペリレン顔料(図2に記号C9で示されるもの)に比べて高抵抗物質であるTPD(図2に記号C15で示されるもの)をベース電極4形成用のストライプ状マスクを用いて真空蒸着によって50nmの厚さに形成し、その上からベース電極4を形成した。これにより、ベース電極4のエミッター電極2側にのみTPD層19が存在する構造となっている。
【0033】
本素子において、図5に示された測定系を用いて電流増幅率を評価した結果を図8に示す。TPD層19の導入によってベース電流が抑制された結果、電流増幅率は大幅に増加し、コレクター電圧が5Vと低い場合でも、最大8程度を達成することができた。
【0034】
【発明の効果】
本発明のデバイスでは、光導電性材料からなる第1有機半導体薄膜と電荷輸送能力をもつ第2有機半導体薄膜の間にベース電極を介在させ、ベース電極から第1有機半導体薄膜中にキャリアを注入して第1有機半導体薄膜に接する電極からのトンネル電子注入を引き起こすことにより、このデバイスに増倍された電流が流れる薄膜型の電荷注入制御型有機トランジスターデバイスを実現することができる。
このような薄膜型の構造を持つ有機トランジスターデバイスを作成することにより、他の有機エレクトロニクスデバイス、例えば、有機EL(電界発光)デバイスとトランジスターを一体化したスイッチングELデバイスなどを実現することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明における電荷注入制御型有機トランジスターデバイスの一形態の構成を示す概略斜視図である。
【図2】本発明において有機半導体薄膜として用いられる有機材料の例を示す化学構造式である。
【図3】本発明で有機半導体薄膜を樹脂分散有機半導体膜とする場合に有機半導体を分散させるのに使用される樹脂のいくつかの例を示す化学式である。
【図4】本発明の他の形態を示す概略断面図である。
【図5】本発明の有機トランジスターデバイスのトランジスター特性を測定する測定系を示す回路図である。
【図6】第1の実施例におけるベース電流の変化に対するコレクター電流の変化を示すグラフである。
【図7】同実施例における電流増幅率のベース電圧依存性の測定結果を示すグラフである。
【図8】第2の実施例における電流増幅率のベース電圧依存性の測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
1 ガラス基板
2 エミッター電極
3,5 有機半導体薄膜
4 ベース電極
6 コレクター電極
7 ベース電極用引出し電極
8 リード線
19 高抵抗層
Claims (8)
- 光電流増倍現象を示す光導電性材料からなる第1有機半導体薄膜と電荷輸送能力をもつ第2有機半導体薄膜がその間にベース電極としての第1電極を介在させているとともに部分的に直接接触するように積層された有機半導体薄膜積層体と、
第1有機半導体薄膜の外側に第1有機半導体薄膜と接して形成された第2電極と、
第2有機半導体薄膜の外側に第2有機半導体薄膜と接して形成された第3電極とを備え、
各電極に与えられるバイアス電圧によって第1電極からキャリアが注入され、第2、第3電極間に増倍された電流が流れることを特徴とする電荷注入制御型有機トランジスターデバイス。 - 第2有機半導体薄膜も光電流増倍現象を示す光導電性材料からなる請求項1に記載の電荷注入制御型有機トランジスターデバイス。
- 第1電極は微細なピッチを持つストライプ状電極である請求項1又は2に記載の電荷注入制御型有機トランジスターデバイス。
- 第1電極の第3電極側底面には高抵抗層が設けられている請求項1から3のいずれかに記載の電荷注入制御型有機トランジスターデバイス。
- 第1、第2の有機半導体薄膜は真空蒸着膜である請求項1から4のいずれかに記載の電荷注入制御型有機トランジスターデバイス。
- 第1、第2の有機半導体薄膜は有機半導体を樹脂に分散させた樹脂分散有機半導体膜である請求項1から4のいずれかに記載の電荷注入制御型有機トランジスターデバイス。
- 第1、第2の有機半導体薄膜は一方が真空蒸着膜、他方が有機半導体を樹脂に分散させた樹脂分散有機半導体膜である請求項1から4のいずれかに記載の電荷注入制御型有機トランジスターデバイス。
- 前記光導電性材料は、ペリレン系顔料、フタロシアニン系顔料、ナフタレン誘導体、キナクリドン系顔料、ペンタセン及びその誘導体、並びにフラーレンのうちのいずれか、又はそれらの混合物である請求項1から7のいずれかに記載の電荷注入制御型有機トランジスターデバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001288511A JP4132761B2 (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | 電荷注入制御型有機トランジスターデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003101104A JP2003101104A (ja) | 2003-04-04 |
JP4132761B2 true JP4132761B2 (ja) | 2008-08-13 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4132761B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1880428B1 (en) * | 2005-05-13 | 2010-09-22 | Basf Se | Azaperylenes as organic semiconductors |
US20100193777A1 (en) * | 2007-09-12 | 2010-08-05 | Fujifilm Corporation | Method of producing a desubstituted compound, organic semiconductor film and method of producing the same |
JP5648775B2 (ja) * | 2008-09-16 | 2015-01-07 | 株式会社リコー | 有機顔料分散液、有機半導体層の形成方法、有機トランジスタの製造方法および有機トランジスタ |
KR101394868B1 (ko) | 2009-09-04 | 2014-05-14 | 겐이치 나카야마 | 전류 증폭형 트랜지스터 소자 및 전류 증폭형 발광 트랜지스터 소자 |
KR20150004900A (ko) | 2012-04-27 | 2015-01-13 | 다이니치 세이카 고교 가부시키가이샤 | 트랜지스터 소자 |
-
2001
- 2001-09-21 JP JP2001288511A patent/JP4132761B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003101104A (ja) | 2003-04-04 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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