JP4099328B2 - Method for preventing particle generation in sputtering apparatus, sputtering method, sputtering apparatus, and covering member - Google Patents

Method for preventing particle generation in sputtering apparatus, sputtering method, sputtering apparatus, and covering member Download PDF

Info

Publication number
JP4099328B2
JP4099328B2 JP2001359878A JP2001359878A JP4099328B2 JP 4099328 B2 JP4099328 B2 JP 4099328B2 JP 2001359878 A JP2001359878 A JP 2001359878A JP 2001359878 A JP2001359878 A JP 2001359878A JP 4099328 B2 JP4099328 B2 JP 4099328B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sputtering
substrate
coating
chamber
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001359878A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2003160854A (en
Inventor
信行 高橋
暁夫 小西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Anelva Corp
Original Assignee
Canon Anelva Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Anelva Corp filed Critical Canon Anelva Corp
Priority to JP2001359878A priority Critical patent/JP4099328B2/en
Publication of JP2003160854A publication Critical patent/JP2003160854A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4099328B2 publication Critical patent/JP4099328B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願の発明は、スパッタリング装置、特にフォトマスクの製造の際に好適に用いられるスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
スパッタリング装置は、対象物の表面に薄膜を作成する装置として産業の各分野で盛んに使用されている。特に、ＬＳＩを始めとする各種電子デバイスの製造では、各種導電膜や絶縁膜の作成にスパッタリング装置は多用されている。また、スパッタリング装置は、微細な回路パターンを転写するフォトリソグラフィ工程で使用されるフォトマスクの製造にも使用されている。
このようなスパッタリング装置においては、作成される薄膜の品質は、その装置の性能を評価する最も重要な指標の一つである。作成される薄膜の品質を損なう要因の一つとして、スパッタチャンバー内に存在するパーティクルの問題がある。パーティクルとは、作成される薄膜の品質を損なう微粒子の総称である。
【０００３】
パーティクルが発生する主な原因として次のようなものがある。スパッタリングを行うスパッタチャンバー内では、基板の表面のみならず、スパッタチャンバー内の露出面にも薄膜が堆積することが避けられない。この露出面への薄膜の堆積が重なると、内部応力や自重により薄膜が剥離することがある。剥離した薄膜は、ある程度の大きさの微粒子となる。この微粒子が、基板に付着すると、作成される薄膜に微小な突起が形成される等の形状欠陥を生じさせる場合がある。また、基板の表面に予め微細回路が形成されている場合、微粒子の付着により回路の断線や短絡等の重大な欠陥が生じる恐れがある。従って、この微粒子はパーティクルである。
【０００４】
特に、フォトマスクの製造においては、クロム（Ｃｒ）やケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ）等の材料の薄膜を作成することが多い。これらの材料の薄膜は、内部応力が高い状態で堆積し易く、パーティクルを発生させ易い。その一方で、フォトマスクは、ＬＳＩなどの集積回路を製造する際の「原画」であるので、回路の形状精度に対する要求はウェーハプロセスに比べて格段に厳しい。僅かなパーティクルの付着でも、製造されるフォトマスクが欠陥品になってしまうことが多い。
【０００５】
パーティクルの発生を防止するため、通常、スパッタチャンバー内には、防着シールドと呼ばれる部材が設けられている。防着シールドは、基板の表面以外の不必要な場所へのスパッタ粒子の付着を防止するものである。防着シールドにはスパッタ粒子が付着して薄膜が堆積することが避けられないが、防着シールドには、表面に微細な凹凸を形成する等、薄膜の剥離を防止する構成となっている。それでも、スパッタリングを数多く繰り返すと、薄膜の剥離が避けられないため、所定回数のスパッタリングの後、防着シールドは新品又は薄膜が除去されたものと交換される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、防着シールドの交換のためには、スパッタチャンバーを一旦大気に開放する必要がある。さらに、防着シールドを交換した後、スパッタチャンバー内の雰囲気の清浄度を確保するため、スパッタチャンバー内を再度高真空排気するとともに、スパッタチャンバー内の残留パーティクル数が基準値以内であることや処理の再現性が確保されるかどうか等の確認を行う必要がある。このような作業の後、スパッタリングを再開する。このため、処理の再開までに長時間（例えば８時間）要し、生産性を著しく低下させる原因となっている。
【０００７】
本願の発明は、かかる課題を解決するためになされたものであり、パーティクルの発生を抑制する効果的な構成を提供するとともに、その際にも生産性を低下させないようにするという技術的意義を有する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願の請求項１記載の発明は、スパッタチャンバー内に基板を配置するとともにターゲットをスパッタして基板の表面に成膜処理を施すスパッタリング装置において、ターゲットの材料より小さな応力で膜が堆積する材料から成る被覆用部材をスパッタチャンバー内に配置するとともに、この被覆用部材をスパッタし、前記成膜処理の際にスパッタチャンバー内の基板以外の表面に堆積した薄膜を被覆用部材の材料の薄膜で被覆する被覆オペレーションを行うとともに、この被覆オペレーションの後、基板をスパッタチャンバーに搬入することなくターゲットをスパッタすることで、前記被覆オペレーションの際に被覆用部材から放出されてターゲットに付着したスパッタ粒子をターゲットから弾き出して除去する除去オペレーションを行うという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項２記載の発明は、スパッタチャンバー内に基板を配置するとともにターゲットをスパッタして基板の表面に成膜処理を施すスパッタリング方法において、前記成膜処理の後、ターゲットの材料より小さな応力で膜が堆積する材料から成る被覆用部材をスパッタチャンバー内に配置するとともにこの被覆用部材をスパッタし、前記成膜処理の際にスパッタチャンバー内の基板以外の表面に堆積した薄膜を被覆用部材の材料の薄膜で被覆する被覆オペレーションを行うとともに、この被覆オペレーションの後、基板をスパッタチャンバーに搬入することなくターゲットをスパッタすることで、前記被覆オペレーションの際に被覆用部材から放出されてターゲットに付着したスパッタ粒子をターゲットから弾き出して除去する除去オペレーションを行い、その後、基板をスパッタチャンバー内に搬入して前記成膜処理を行うという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項３記載の発明は、排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に基板を保持する基板ホルダーと、ターゲットの被スパッタ面を臨む空間に電界を設定してスパッタ放電を生じさせる基板用スパッタ電源とを備え、スパッタ放電によりスパッタされたターゲットから放出されるスパッタ粒子を基板の表面に到達させて基板の表面に成膜処理を施すスパッタリング装置であって、
前記成膜処理の際にスパッタチャンバー内の基板以外の表面に堆積した膜である成膜時堆積膜の表面に、その成膜時堆積膜より小さな応力で堆積する膜であるパーティクル防止膜を堆積させて被覆する被覆手段を有しており、
前記被覆手段は、成膜時堆積膜より小さな応力で膜が堆積する材料から成る被覆用部材と、この被覆用部材をスパッタチャンバー内の所定位置に搬送する被覆用搬送系と、前記スパッタチャンバー内に搬送された被覆用部材をスパッタするスパッタ放電を発生させる被覆用スパッタ電源とから成るものであり、
前記被覆用部材は、前記被覆用スパッタ電源によるスパッタ放電をマグネトロン放電とするための磁石を備えているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項４記載の発明は、排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に基板を保持する基板ホルダーと、ターゲットの被スパッタ面を臨む空間に電界を設定してスパッタ放電を生じさせる基板用スパッタ電源とを備え、スパッタ放電によりスパッタされたターゲットから放出されるスパッタ粒子を基板の表面に到達させて基板の表面に成膜処理を施すスパッタリング装置であって、
前記成膜処理の際にスパッタチャンバー内の基板以外の表面に堆積した膜である成膜時堆積膜の表面に、その成膜時堆積膜より小さな応力で堆積する膜であるパーティクル防止膜を堆積させて被覆する被覆手段を有していおり、
前記被覆手段は、成膜時堆積膜より小さな応力で膜が堆積する材料から成る被覆用部材と、この被覆用部材をスパッタチャンバー内の所定位置に搬送する被覆用搬送系と、前記スパッタチャンバー内に搬送された被覆用部材をスパッタするスパッタ放電を発生させる被覆用スパッタ電源とから成るものであり、
さらに、
装置全体を制御する制御部が設けられており、この制御部は、前記被覆手段によるパーティクル防止膜の堆積の後、前記基板を前記スパッタチャンバーに搬送することなく前記 基板用スパッタ電源を動作させて、前記ターゲットに付着した前記被覆用部材からのスパッタ粒子である被覆用スパッタ粒子を弾き出す除去オペレーションが行われるよう前記基板用スパッタ電源を制御する制御プログラムを有しているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項５記載の発明は、前記請求項３又は４の構成において、前記被覆用搬送系は、前記スパッタチャンバー内に前記基板を搬送する基板搬送系が兼用されているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項６記載の発明は、前記請求項３、４又は５の構成において、前記被覆用部材を、前記スパッタチャンバーと真空が連通するように設けられた他の真空チャンバー内に収容する収容部材が設けられており、前記被覆用搬送系は、この他の真空チャンバーと前記スパッタチャンバー内との間で前記被覆用部材を搬送するものであるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項７記載の発明は、前記請求項３乃至６いずれかの構成において、前記被覆用部材を前記スパッタチャンバーの所定位置に配置するものとして前記基板ホルダーが兼用されており、前記被覆用スパッタ電源は前記基板ホルダーに接続されているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項８記載の発明は、前記請求項４の構成において、前記除去オペレーションの際、前記基板ホルダーの表面のうち前記基板が接触する領域を、前記ターゲットから弾き出された前記被覆用スパッタ粒子から遮蔽する遮蔽用部材を有しているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項９記載の発明は、前記請求項８の構成において、前記遮蔽用部材は前記基板と同様の寸法形状の板状の部材であって、この遮蔽用部材を、前記スパッタチャンバーに真空が連通するように設けられた他の真空チャンバー内に収容する収容部材と、この他の真空チャンバーとスパッタチャンバーとの間で前記遮蔽用部材を搬送する遮蔽用搬送系とが設けられているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項１０記載の発明は、前記請求項９の構成において、前記遮蔽用搬送系は、前記スパッタチャンバー内に前記基板を搬送する基板搬送系が兼用されているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項１２記載の発明は、前記請求項６又は９の構成において、前記スパッタチャンバーと大気側との間の前記基板の搬送の際に前記基板が一時的に滞留するチャンバーであるロードロックチャンバーが設けられているとともに、このロードロックチャンバー内には、複数の基板を一時的に収容するロック内カセットが設けられており、前記収容部材は、このロック内カセットが兼用されているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項１２記載の発明は、前記請求項６、９又は１１の構成において、前記被覆用部材又は前記遮蔽用部材を前記収容部材から取り出して交換する時期が到来した旨の表示を行う表示部を有しているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項１３記載の発明は、排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内の所定位置に基板を保持するための基板ホルダーと、スパッタチャンバー内に被スパッタ面が露出するよう設けられたターゲットと、ターゲットの被スパッタ面を臨む空間に電界を設定してスパッタ放電を生じさせる基板用スパッタ電源とを備えてスパッタ放電によりスパッタされたターゲットから放出されるスパッタ粒子を基板に到達させて基板の表面に成膜処理を施すスパッタリング装置に使用される被覆用部材であるとともに、基板ホルダーに基板に代えて保持される被覆用部材であって、前記成膜処理の際にスパッタチャンバー内の基板以外の表面に堆積した膜である成膜時堆積膜より小さな応力で膜が堆積する材料で形成された部材本体と、基板ホルダーを介してスパッタ放電用の電界が設定された際にその放電をマグネトロン放電にする磁石とから成り、スパッタ放電によって放出するスパッタ粒子が堆積させる膜により前記成膜時堆積膜が被覆されるものであるという構成を有する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態について説明する。図１は、本願発明の実施の形態であるスパッタリング装置の構成を説明する平面概略図である。
このスパッタリング装置は、マルチチャンバータイプの装置であり、中央に配置されたセパレーションチャンバー１と、セパレーションチャンバー１の周囲に設けられた複数の処理チャンバー２，３，４及び二つのロードロックチャンバー５とからなるチャンバー配置になっている。各チャンバー１，２，３、４，５は、専用又は兼用の不図示の排気系を備えており、所定の圧力まで排気されるようになっている。各チャンバー１，２，３、４，５同士の接続箇所には、ゲートバルブ１０が設けられている。
そして、ロードロックチャンバー５の外側には、オートローダ６が設けられている。オートローダ６は、大気側にある外部カセット６１から基板９を一枚ずつ取り出し、ロードロックチャンバー５内のロック内カセット５１に収容するようになっている。
【００１０】
また、セパレーションチャンバー１内には、搬送ロボット１１が設けられている。この搬送ロボット１１は多関節ロボットが使用されている。搬送ロボット１１は、いずれか一方のロードロックチャンバー５から基板９を一枚ずつ取り出し、各処理チャンバー２，３，４に送って順次処理を行い、最後の処理を終了した後、いずれか一方のロードロックチャンバー５に戻すようになっている。セパレーションチャンバー１内は不図示の排気系によって常時１０−３〜１０−５Ｐａ程度の真空圧力が維持される。従って、搬送ロボット１１としてはこの真空圧力下で動作可能なものが採用される。
【００１１】
複数の処理チャンバー２，３，４のうちの一つは、基板９の表面に所定の薄膜を作成するためのスパッタリングを行うスパッタチャンバー４である。この他は、スパッタリングの前に基板９の表面の自然酸化膜又は表面汚染物質を除去するための前処理エッチングを行う前処理エッチングチャンバー２、スパッタリングの前に基板９を予備加熱するプリヒートチャンバー３である。
【００１２】
まず、スパッタリング装置の主要部を成すスパッタチャンバー４の構成について図２を使用して説明する。図２は、図１に示す装置の断面概略図概略図である。スパッタチャンバー４は、ゲートバルブ１０を介してセパレーションチャンバー１に気密に接続された真空チャンバーであり、電気的には接地されている。そして、スパッタチャンバー４内は、排気系４６により常時１０−４〜１０−６Ｐａ程度に排気されるよう構成されている。
【００１３】
スパッタチャンバー４には、ガス導入系４５が設けられており、アルゴン等のスパッタ率の高いガスを内部に所定の流量で導入できるようになっている。具体的には、ガス導入系４５は、アルゴン等のスパッタ放電用のガスを溜めたガスボンベ４５１と、スパッタチャンバー４とガスボンベ４５１とをつなぐ配管４５２と、配管４５２に設けられたバルブ４５３や流量調整器４５４とから主に構成されている。
スパッタチャンバー４内に被スパッタ面が露出するようにして、ターゲット４１が設けられている。ターゲット４１は、基板９の表面に作成しようとする薄膜の材料で形成されている。ターゲット４１は、ターゲットホルダー４１１及び絶縁体４１２を介して、スパッタチャンバー４上部の開口を気密に塞ぐようスパッタチャンバー４に取り付けられている。
【００１４】
ターゲット４１をスパッタするための基板用スパッタ電源４３が、ターゲット４１に接続されている。基板用スパッタ電源４３は、７００Ｖ、３０ｋＷ程度の負の直流電圧をターゲット４１に印加するよう構成されている。ガス導入系４５によって所定のガスが導入された状態でこの基板用スパッタ電源４３が動作すると、スパッタ放電が生じターゲット４１がスパッタされるようになっている。また、この基板用スパッタ電源４３には、高周波電源が用いられることがある。
【００１５】
ターゲット４１の背後には、磁石機構４２が設けられている。磁石機構４２は、中心磁石４２１と、この中心磁石４２１を取り囲む周辺磁石４２２と、中心磁石４２１及び周辺磁石４２２とを繋ぐ円盤状のヨーク４２３とから構成されている。
この磁石機構４２は、上記ガス放電をマグネトロン放電にして効率のよいマグネトロンスパッタリングを行うために備えられている。即ち、磁石機構４２により、ターゲット４１の付近に磁場が形成され、この磁場の作用により電子がマグネトロン運動を行い、より密度の高いプラズマが形成される。この結果スパッタ放電の効率がよくなり、基板９への成膜の効率も良くなる。尚、磁石機構４２の各磁石４１２，４２２は、いずれも永久磁石であるが、電磁石でこれらを構成することも可能である。
【００１６】
また、スパッタチャンバー４内には、基板ホルダー４４が設けられている。基板ホルダー４４は、基板９をスパッタチャンバー４内の所定の位置に保持するものである。基板ホルダー４４は、絶縁材４４１を介してスパッタチャンバー４に気密に取り付けられている。基板ホルダー４４は、台状で上面に基板９が載置されるようになっている。そして、基板ホルダー４４は、ターゲット４１に対してこの基板９が平行になるよう構成されている。尚、成膜中に基板９を加熱して成膜を効率的にする不図示の加熱機構が基板ホルダー４４内に設けられる場合がある。基板ホルダー４４によって基板９が保持された状態で、上記スパッタ放電を生じさせると、ターゲット４１から放出されたスパッタ粒子が基板９の表面に達し、この到達が重なって薄膜が作成される。
【００１７】
また、ターゲット４１と基板ホルダー４４との間の空間を取り囲むようにして、防着シールド４７が設けられている。防着シールド４７は円筒状の部材であり、スパッタチャンバー４の内壁面等、基板９の表面以外の不必要な場所へのスパッタ粒子の付着を防止するものである。
【００１８】
上述した成膜処理において、前述した通り、薄膜は基板９の表面のみならず、防着シールド４７にも堆積する。以下、この成膜処理の際に基板９の表面以外に堆積した膜を「成膜時堆積膜」と呼ぶ。スパッタチャンバー４内でのスパッタリング処理の回数が増えるに従い、防着シールド４７を含む放電を囲む内面全体に堆積する成膜時堆積膜の量は次第に増加する。そして、この成膜時堆積膜は、内部応力により剥離する場合があり、この剥離した膜の破片は、パーティクルとなる。さらにスパッタリングを繰り返すと、スパッタチャンバー４内に生じるパーティクルの数は増加する。
【００１９】
そこで、本実施形態では、このパーティクルの発生を防ぐため、成膜時堆積膜をさらに別の膜で被覆する処理（以下、被覆オペレーションと呼ぶ）が行える構成となっている。具体的には、被覆オペレーションは、成膜時堆積膜の上に、さらにこの成膜時堆積膜よりも小さな応力で堆積する材料の膜（以下、パーティクル防止膜と呼ぶ）を堆積させることにより被覆を行う動作である。
【００２０】
上記被覆オペレーションを可能にするため、本実施形態の装置は、パーティクル防止膜を堆積させて被覆する被覆手段を有している。本実施形態の装置の特徴点は、被覆手段が、成膜時堆積膜よりも小さく応力で堆積する材料から成る被覆用部材７１をターゲット４１とは別にスパッタチャンバー４内に配置し、この被覆用部材７１をスパッタしてパーティクル防止膜を堆積させるようになっている点である。被覆手段は、被覆用部材７１をスパッタチャンバー４内に搬入する被覆用搬送系と、スパッタチャンバー４内に搬入された被覆用部材７１の表面を臨む空間にスパッタ放電を生じさせる被覆用スパッタ電源７２等から主に構成されている。
【００２１】
まず、被覆用部材７１について説明する。図３は、被覆用部材７１の正面断面概略図である。図４は、図３の被覆用部材７１の平面断面概略図である。被覆用部材７１は、成膜対象である基板９とほぼ同じ径の円盤状である。但し、厚さは、図３に示すように、若干厚くなっている。被覆用部材７１は、ターゲット４１の材料より小さな応力で膜が堆積する材料で形成された部材本体７１１を有している。
【００２２】
上記被覆用部材７１をスパッタチャンバー４の所定位置に配置するものとして、上述した基板ホルダー４４が兼用されている。従って、被覆用スパッタ電源７２は基板ホルダー４４に接続されている。尚、被覆用スパッタ電源７２と基板ホルダー４４の間には、スイッチ７３が設けられている。スイッチ７３は、成膜処理の際には基板ホルダー４４にアースを接続し、被覆オペレーションの際には被覆用スパッタ電源７２を接続するよう制御される。
【００２３】
上記被覆用部材７１は、被覆オペレーションの際、基板ホルダー４４に基板９に代えて載置されるようになっている。基板ホルダー４４に被覆用部材７１を載置するとともに、通常のスパッタリングの際と同様にアルゴン等のガスをスパッタチャンバー４内に導入する。この状態で、被覆用スパッタ電源７２が動作すると、基板ホルダー４４及び被覆用部材７１を介して被覆用部材７１の表面を臨む空間に電界が形成され、被覆用部材７１の部材本体７１１の表面がスパッタされる。スパッタにより被覆用部材７１から放出されたスパッタ粒子は、成膜時堆積膜の表面に達し、パーティクル防止膜として堆積する。上記説明から明らかなように、パーティクル防止膜は、成膜時堆積膜よりも小さな応力で堆積するため、成膜時堆積膜の応力を緩和する作用がある。このため、パーティクル防止膜で被覆されない場合に比べ、成膜時堆積膜の剥離は抑制され、この結果、パーティクルの発生を防止することができる。
【００２４】
具体的には、成膜時堆積膜がクロム、クロム化合物、ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ）、シリコン又は窒化シリコン等である場合、これらよりも小さな応力の材料としてはアルミニウムが挙げられる。従って、被覆用部材７１の部材本体７１１にはアルミニウムが使用される。
膜の応力に関しては、一般的には、塑性変形を生じやすい材料が小さい応力で膜を形成するものと考えられる。従って、アルミニウム、銅、銀、鉛又はこれらの合金等が小さな応力で膜を形成する。ただし、蒸気圧が高い材料は、蒸発してスパッタチャンバー４内を汚損する原因となりやすいので、蒸気圧の高くないものが適している。さらにコストの点等を考えると、上記材料のうちアルミニウム，銅又はこれらの合金が実用上好ましい。このような点を考慮して、被覆用材料は適宜選定される。
【００２５】
本実施形態の別の特徴点は、上記被覆オペレーションにおけるスパッタリングがマグネトロンスパッタリングになっているとともに、このマグネトロンスパッタリングを可能にする磁石を被覆用部材７１自体が持っている点である。この点を、再び図３及び図４を使用して説明する。
【００２６】
図３及び図４に示すように、被覆用部材７１を構成する部材本体７１１の裏側（被スパッタ面である表面とは反対側）に、一対の磁石７１２，７１３が取り付けられている。一対の磁石７１２，７１３は、中央磁石７１２と、中央磁石７１２と取り囲む周辺磁石７１３である。そして、中央磁石７１２と周辺磁石７１３とをつなぐヨーク７１４が設けられている。ヨーク７１４は板状であり、部材本体７１１と面一になるように、部材本体７１１に対してネジ止め等により固定されている。
【００２７】
図３に示すように、中央磁石７１２と周辺磁石７１３との間には、部材本体７１１を貫く弧状の磁力線７１５が設定される。図４から解るように、この磁力線７１５と部材本体７１１の表面とによって閉空間は、被覆用部材７１の中心軸の周り周状に連なる。また、被覆用スパッタ電源７２による電界は、被覆用部材７１の中心軸にほぼ平行である。従って、上記被覆用部材７１のスパッタリングの際、この周状の閉空間内で電子がマグネトロン運動して閉じ込められる。即ち、マグネトロンスパッタリングが達成され、高効率のスパッタリングとなる。
このようなマグネトロンスパッタリングのため、パーティクル防止膜の成膜速度が向上する。この結果、被覆オペレーションが短時間に終了するようになっている。
【００２８】
尚、マグネトロンスパッタリングのための磁石を被覆用部材７１が持っていない場合、基板ホルダー４４内等に設ける必要が生じる。この場合、通常の成膜処理の際、基板９の表面を臨む空間に設定される磁力線に電子が捉えられて電子が基板９の表面に過剰に入射したり、基板９の表面がスパッタエッチングされたりする恐れがある。磁石を電磁石で構成し、通常の成膜処理の場合には通電しないようにすることも可能であるが、いずれにしても、機構的に複雑になる問題がある。従って、被覆用部材７１がマグネトロンスパッタリングのための磁石を持っている構成は、通常の成膜処理に影響を与えないという長所や、基板ホルダー４４等の構造を複雑にしないというメリットがある。
【００２９】
また、本実施形態では、上記被覆オペレーションの後、ターゲット４１に付着した被覆用部材７１のスパッタ粒子を除去する処理（以下、除去オペレーション）が行える構成となっている。以下、この点について説明する。
上述した被覆オペレーションの際、被覆用部材７１から放出されるスパッタ粒子（以下、被覆用スパッタ粒子）は、防着シールド４７上の成膜時堆積膜の表面のみならず、ターゲット４１の表面にも付着することが避けれられない。被覆用スパッタ粒子がターゲット４１の表面に付着した状態で、基板９をスパッタチャンバー４内に搬入してスパッタを行うと、ターゲット４１から被覆用スパッタ粒子が弾き出され、基板９の表面に付着する。被覆用スパッタ粒子はターゲット４１とは異なる材料であるから、基板９の表面に作成される薄膜を汚損してしまうことになる。
【００３０】
そこで、本実施形態では、被覆オペレーション後、通常の成膜処理を再開する前に除去オペレーションを行うようにしている。除去オペレーションは、基板９をスパッタチャンバー４内に搬入しない状態でターゲット４１をスパッタする動作である。ターゲット４１に付着した被覆用スパッタ粒子は、ターゲット４１から弾き出されて防着シールド４７等に付着するので、その後に基板９を搬入して成膜を行っても、作成される薄膜を汚損する恐れはない。
【００３１】
本実施形態の装置の別の大きな特徴点は、上記除去オペレーションの際、基板ホルダー４４の表面を被覆用スパッタ粒子から遮蔽する遮蔽用部材８が設けられている点である。上記除去オペレーションの際、ターゲット４１から弾き出される被覆用スパッタ粒子は、防着シールド４７に付着したり、あるいは排気系によって排気されたりすることが理想的であるが、時として基板ホルダー４４の表面のうちの基板９が接触する領域（以下、単に基板ホルダー４４の表面）に付着してしまうことがある。この状態で、基板９が搬入されて基板ホルダー４４に載置されると、基板９の裏面に被覆用スパッタ粒子が付着してしまうことになる。成膜終了後、この基板９が基板ホルダー４４から取り去れられる際、被覆用スパッタ粒子が基板９の裏面から遊離してスパッタチャンバー４内に浮遊し、パーティクルとなる恐れがある。もしくは、裏面に被覆用スパッタ粒子が付着したまた基板９が他のチャンバーに搬送され、そのチャンバーで被覆用スパッタ粒子が遊離すると、そのチャンバーにパーティクルを発生させることになる。
【００３２】
このような問題を防ぐため、本実施形態の装置では、除去オペレーションの際、遮蔽用部材８で基板ホルダー４４の表面を被覆用スパッタ粒子から遮蔽している。遮蔽用部材８は、基板９と同様の寸法及び形状の板状部材である。遮蔽用部材８の材料としては、万が一スパッタされてもパーティクルを発生させないよう、基板９と同様の材料とすることが好ましい。
また、上記除去オペレーションの際に遮蔽用部材８をスパッタチャンバー４内に搬送する遮蔽用搬送系が設けられている。遮蔽用搬送系は、基板９が通常基板ホルダー４４に載置する位置と同じ位置に遮蔽用部材８を配置する必要がある。
【００３３】
尚、遮蔽用部材８の他の構成としては、スパッタチャンバー４内で駆動されるシャッターのような構成でも良い。即ち、基板ホルダー４４の表面を覆うことが可能なシャッターをスパッタチャンバー４内に設ける。通常の成膜処理の際にはシャッターを開けて基板９を基板ホルダー４４に載置する。除去オペレーションの際にはシャッターにより基板ホルダー４４の表面を被覆用スパッタ粒子から遮蔽する。但し、このようなシャッター機構を設けることは、スパッタチャンバー４内の機構が複雑になる欠点がある。これに比べると、遮蔽用搬送系で遮蔽用部材８を搬送して使用する構成は、機構的に簡略化される長所がある。
【００３４】
本実施形態の装置は、大気側とスパッタチャンバー４との間で基板９を搬送する基板搬送系を備えている。前述した被覆用部材７１を搬送する被覆用搬送系と上記遮蔽用搬送系は、いずれもこの基板搬送系が兼用されている。以下、この点を説明する。
被覆用部材７１及び遮蔽用部材８は、不使用時にはロードロックチャンバー５内に収容されている。即ち、ロードロックチャンバー５内には、被覆用部材７１及び遮蔽用部材８を収容する収容部材が設けられている。この収容部材としては、ロードロックチャンバー５内で基板９を収容するロック内カセット５１が兼用されている。
【００３５】
ロック内カセット５１は、左右の側壁の内側面に水平方向に細長い突起５１１を設けている。この突起５１１は、上下方向に所定の間隔をおいて複数設けられている。そして、これらの突起５１１に基板９の縁が載ることで、基板９が収容される構成となっている。ロック内カセット５１の基板９の収容枚数は２５枚であるが、上記突起５１１は上下方向に２９個設けられている。従って、４個の余分な収容箇所がある。この４個の余分な収容箇所に二つの被覆用部材７１と二つの遮蔽用部材８が収容されるようになっている。
【００３６】
本実施形態において、基板９を搬送する基板搬送系は、上述した搬送ロボット１１と、オートローダ６と、後述するロック内カセット５１を昇降させる昇降機構５２とから主に構成されている。本実施形態では、搬送ロボット１１のアームは、あらかじめ定められ高さにおいてロック内カセット５１に進入し、ロック内カセット５１から後退するよう構成されている。以下、この高さを「アーム進入ライン」と呼ぶ。ロック内カセット５１の昇降機構５２は、ロック内カセット５１を上下に動作させ、所定の基板９の収容箇所をこのアーム進入ラインに合わせるためのものである。具体的には、昇降機構５２としては、ロック内カセット５１に固定された不図示の支柱を上下に動作させるエアシリンダでも良いし、不図示の支柱に固定されたボールネジとそのボールネジを回転させて支柱を上下動させるモータの組み合わせでも良い。
【００３７】
ロック内カセット５１と搬送ロボット１１の間における基板９の搬送の動作を説明すると、基板９をスパッタチャンバー４へ搬入する際、昇降機構５２は、アーム進入ラインよりもやや高い位置に所定の基板９の収容箇所が位置するようロック内カセット５１を昇降させる。搬送ロボット１１のアームがこの基板９の下に進入すると、昇降機構５２によりロック内カセット５１は下降し、アームに基板９が載る。その後、アームが後退してセパレーションチャンバー１まで移動し、基板９はスパッタチャンバー４へ搬入される。
【００３８】
また、成膜処理済みの基板９がスパッタチャンバー４から搬出される際、昇降機構５２は、アーム進入ラインよりもやや低い位置に基板９の所定の収容箇所が位置するよう、ロック内カセット５１を予め昇降させる。搬送ロボット１１のアームは、スパッタチャンバー４から基板９を取り出し、アーム進入ラインの高さからロック内カセット５１に進入する。基板９を載せたアームがロック内カセット５１に進入した後、昇降機構５２によってロック内カセット５１は上昇し、基板９を所定の収容箇所に収容する。
【００３９】
次に、被覆用部材７１及び遮蔽用部材８を搬送する構成について説明する。ロードロックチャンバー５とスパッタチャンバー４の間の被覆用部材７１及び遮蔽用部材８の搬送は、ロック内カセット５１の昇降機構５２と搬送用ロボット１１によって行われる。具体的には、上述した昇降機構５２は、ロック内カセット５１を上下させることにより、アーム進入ラインに沿って、所定の収容箇所の被覆用部材７１又は遮蔽用部材８を取り出したり、所定の収容箇所に被覆用部材７１又は遮蔽用部材８を収容したりするよう構成されている。
【００４０】
より具体的に説明すると、例えば被覆用部材７１をスパッタチャンバー４へ搬入する際、昇降機構５２は、アーム進入ラインよりもやや高い位置に所定の被覆用部材７１の収容箇所が位置するようロック内カセット５１を昇降させる。その後、基板９の場合と同様に搬送ロボット１１が動作し、被覆用部材７１はスパッタチャンバー４に搬入される。
【００４１】
また、被覆オペレーションが終了し、スパッタチャンバー４から被覆用部材７１が搬出される際、昇降機構５２は、アーム進入ラインよりもやや低い位置に、所定の被覆用部材７１の収容箇所が位置するようロック内カセット５１を昇降させる。その後、基板９の場合と同様に搬送ロボット１１が動作して、被覆用部材７１が収容される。遮蔽用部材８についても、同様に搬入搬出が行われる。
前述したように、被覆用部材７１は、スパッタ粒子を放出する元、即ち、ターゲット４１と同様のものであるから、被覆オペレーションに繰り返し使用されるうち、徐々に表面が削られる。限度以上に使用されると、部材本体７１１を突き抜けて磁石がスパッタされることになりかねない。そこで、本実施形態では、被覆用部材７１の使用回数を管理する手段が設けられている。以下、この点を説明する。
【００４２】
具体的には、本実施形態の装置は、装置全体の動作を制御する制御部２５を備えている。この制御部２５はマイクロコンピュータであり、各部の制御のためのプログラムを記憶した不図示の記憶部や、装置の動作状態などの各種表示を行う表示部２５１が設けられている。
図５は、制御部２５が備えるプログラムの概略について説明するフローチャートである。図５に示すように、制御部２５は、未処理の基板９を前処理エッチングチャンバー２及びプリヒートチャンバー３を経由してスパッタチャンバー４に搬入する「基板搬入指令」、スパッタチャンバー４内で基板９の成膜処理を行わせる「成膜処理指令」、処理済みの基板９を大気側に搬出する「基板搬出指令」を順次発するようにプログラミングされている。
【００４３】
そして、「基板搬出指令」の後、記憶された成膜処理の回数である処理カウンタの数を計算し、カウンタの数が限度処理回数未満であったら、再び「基板搬入指令」、「成膜処理指令」及び「基板搬出指令」を繰り返す。また、カウンタの数が限度処理回数に達していたら、「被覆オペレーション指令」及び「除去オペレーション指令」をそれぞれ発するようプログラミングされている。尚、「限度処理回数」とは、被覆オペレーションを行うことなしに連続して成膜処理が行える回数のことであり、予め決定されて入力部２５２から入力されている。
【００４４】
また、制御部２５は、被覆オペレーションの回数及び除去オペレーションの回数を記憶する不図示の記憶部を有している。ロック内カセット５１に収容されている各被覆用部材７１毎及び各遮蔽用部材８毎に使用回数が記憶されるようになっている。
図５に示すように、「除去オペレーション指令」の後、被覆オペレーションの回数である被覆カウンタの数を計算し、被覆カウンタの数が使用限度回数に達していたら、その際に使用していた被覆用部材６１が一つめであるか二つめであるかを判断する。一つめであれば、次回の被覆オペレーションから使用する被覆用部材６１を二つめのものに変更するよう基板搬送系の制御信号を変更する処理を行う。また、二つめであれば、被覆用部材７１の交換時期が来た旨の表示を行う。
【００４５】
次に、除去オペレーションの回数である除去カウンタの数を計算し、除去カウンタの数が使用限度回数未満であったら、「スタート」に戻る。また、除去カウンタの数が使用限度回数に達していたら、その際に使用していた遮蔽用部材６１が一つめであるか二つめであるかを判断する。一つめであれば、次回の除去オペレーションから使用する遮蔽用部材８を二つめのものに変更するよう基板搬送系の制御信号を変更する処理を行う。また、二つめであれば、遮蔽用８の交換時期が来た旨の表示を行う。このような処理の後、「スタート」に戻る。上記プログラムにおいて、各カウンタの数と比較する使用限度回数は、予め決定され、入力部２５２から入力されたデータである。
【００４６】
上記説明から解るように、本実施形態の装置では、被覆用部材７１が限度回数以上に使用され、被覆用部材７１中の磁石等が誤ってスパッタされてしまう事故が未然に防止されるようになっている。尚、被覆用部材７１の交換は、使用済みの被覆用部材７１を基板９と同様にオートローダ６によってロック内カセット５１から外部カセット６１に搬送することにより行う。そして、新たな二つの被覆用部材７１をオートローダ６により外部カセット６１からロック内カセット５１の所定の収容箇所に搬入するようにする。
【００４７】
尚、遮蔽用部材８は、単に被覆用スパッタ粒子が付着していくだけなので、被覆用部材７１に比べて多くの回数繰り返し使用できる。それでも、多くの被覆用スパッタ粒子が付着して薄膜に成長すると、搬送の際の衝撃等により剥離してパーティクルを発生させるため、所定の回数の使用の後、交換するようになっている。交換の際の基板搬送系の制御等の構成は、被覆用部材７１の場合と同様である。
【００４８】
上記説明から解るように、本実施形態では、被覆用部材７１及び遮蔽用部材８は、大気側に取り出されることなく常時真空側に保持され複数回のオペレーションに使用される。真空側に保持された被覆用部材７１及び遮蔽用部材８の表面は、大気側に取り出されることによる水分などの付着がない。このため、水分などの大気中の不純物がスパッタチャンバー４に取り込まれることによる問題が防止されている。
特に、パーティクル防止膜中やパーティクル防止膜と成膜時堆積膜との界面に不純物が存在すると、膜の内部応力は大きくなる。前述したように、内部応力が大きくなると、これらの膜は剥離しやすくなりパーティクルが生じる恐れが大きくなる。しかし、本実施形態では上述の通り、不純物のないパーティクル防止膜が形成されるので、被覆オペレーションの効果を高く得ることができる。
【００４９】
次に、図１に示す複数の処理チャンバーのうちの前処理エッチングチャンバー２について説明する。前処理エッチングチャンバー２は、高周波放電により基板９の表面をスパッタエッチングして自然酸化膜又は表面汚染物質を除去するようになっている。このような絶縁膜が形成されたままでスパッタチャンバー４で成膜を行うと、下地との密着性が悪くなったり、導電膜の場合には下地との導通性が低下したりする問題がある。このため、スパッタチャンバー４での成膜に先だって基板９の表面をエッチングするようにしている。
【００５０】
前処理エッチングチャンバー２は、内部にアルゴン又は窒素等のガスを導入するガス導入系と、高周波電極と、高周波電極に高周波電圧を印加して高周波放電を生じさせる高周波電源等を備えている。尚、高周波電極には、前処理エッチングチャンバー２内で基板９を保持する基板ホルダーが兼用されることが多く、基板９に自己バイアス電圧を生じさせるためのコンデンサを介して基板ホルダーに高周波電圧が印加されることが多い。
【００５１】
また、プリヒートチャンバー３におけるプリヒート（予備加熱）は、基板９の吸蔵ガスを放出させる目的で行われる。この吸蔵ガスの放出を行わない場合、成膜時の熱により吸蔵ガスが放出され、発泡によって膜の表面が粗くなる問題がある。
プリヒートチャンバー３内には、所定の温度に加熱維持される不図示のヒートステージが設けられている。基板９は、このヒートステージに載置され、所定温度に加熱されることによりプリヒートされる。
【００５２】
また、図１に示すように、セパレーションチャンバー１の周囲には、さらに別の真空チャンバー１００が設けられている。これらの真空チャンバー１００は、必要に応じて、スパッタチャンバー４と同一の構成として生産性を向上させたり、または異種薄膜を積層する場合には異種材料のターゲット４１を備えたスパッタチャンバーとしたりする。もしくは、成膜処理の後、基板９を冷却する冷却チャンバーとされたりする場合もある。
【００５３】
次に、本実施形態のスパッタリング装置の全体の動作について説明する。
外部セット８に収容された基板９は、オートローダ６によってロードロックチャンバー５内のロック内カセット５１に搬入される。ロック内カセット５１に搬入された基板９は、セパレーションチャンバー１に設けられた搬送ロボット１１により、まず前処理エッチングチャンバー２に搬入され、前処理エッチングが行われる。次に、基板９はプリヒートチャンバー３に搬送され、不図示のヒートステージに載置されて所定の温度に加熱される。これによって基板９はプリヒートされ、基板９中の吸蔵ガスが放出される。
【００５４】
そして、基板９はスパッタチャンバー４に搬入され、スパッタリングによる成膜処理が行われる。その後、基板９は搬送ロボット１１によりスパッタチャンバー４から搬出され、ロック内カセット５１に収容される。ロック内カセット５１に収容された処理済みの基板９はオートローダ６によって外部カセット６１に収容される。このような動作を繰り返して、多数の基板９に対して順次、枚葉処理を行う。
【００５５】
そして、枚葉処理が所定の回数に達した時点で制御部２５は、被覆用搬送系に兼用された基板搬送系に信号を送り、被覆用部材７１をスパッタチャンバー４内に搬入するよう制御する。この結果、被覆用部材７１はロック内カセット５１からスパッタチャンバー４に搬入され、基板ホルダー４４上の所定位置に載置される。スパッタチャンバー４は予め高真空排気されており、ガス導入系４５によって所定のガスを所定の流量で導入する。そして、スイッチ７３を切り替えて被覆用スパッタ電源７２を動作させ、被覆用部材７１をスパッタする。これにより、前述した被覆オペレーションが行われる。その後、被覆用部材７１は基板搬送系によってロック内カセット５１に収容される。
【００５６】
次に、制御部２５は、遮蔽用搬送系に兼用された基板搬送系に信号を送り、遮蔽用部材８をスパッタチャンバー４内に搬入するよう制御する。この結果、前述したように、遮蔽用部材８はロック内カセット５１からスパッタチャンバー４に搬入され、基板ホルダー４４上の所定位置に載置される。スパッタチャンバー４は再び高真空排気されており、ガス導入系４５によって所定のガスを所定の流量で導入する。そして、スイッチ７３を切り替えて基板ホルダー４４をアースにつなぐとともに、基板用スパッタ電源４３を動作させてターゲット４１をスパッタする。これにより、ターゲット４１に付着した被覆用スパッタ粒子が弾き出される。その後、遮蔽用部材８は基板搬送系によってロック内カセット５１に収容される。
この後、スパッタチャンバー４内を再度高真空排気する。そして、前述したように、次の基板９を、前処理エッチングチャンバー２及びプリヒートチャンバー３を経由してスパッタチャンバー４に搬送し、通常の成膜処理を再開する。
【００５７】
上述したように、本実施形態の装置及び方法は、被覆用部材７１をスパッタチャンバー４内に搬入してスパッタすることにより、成膜時堆積膜をパーティクル防止膜で被覆する。パーティクル防止膜は、成膜時堆積膜よりも小さな応力で堆積するため、成膜時堆積膜の剥離を抑制することができる。この結果、防着シールド４７の交換頻度は、従来に比べ飛躍的に少なくなる。従って、従来に比べ、パーティクルの発生の防止に要する全体の時間は短くなる。よって、本実施形態では、従来の装置に比べると、生産性が大きく向上する。また、パーティクルの発生が防止される結果、作成される薄膜の品質が大きく向上する。
【００５８】
【実施例】
次に、上記実施形態の装置を、フォトマスク製造用とした場合の実施例について説明する。成膜対象としての基板９は、ガラス製である。作成される膜は、ＭｏＳｉとする。
スパッタチャンバー４におけるＭｏＳｉスパッタリングの条件としては、以下の条件が挙げられる。
・ガス：アルゴン
・ガス流量：３０ｃｃ／分
・圧力：０．５Ｐａ
・スパッタ電力：３ｋＷ
上記条件でスパッタリングを行うとスパッタレートは直径８インチの基板９で１５０ｎｍ／分となり、３００ｎｍのＭｏＳｉ膜を作成するのに要する時間は２分である。尚、「スパッタ電力」とは、ターゲット４１に印加した電圧とターゲット４１を通して流れた電流の積である。
【００５９】
また、被覆オペレーションの条件としては、以下の条件が挙げられる。
・被覆用部材７１：アルミニウム
・ガス：アルゴン
・ガス流量：３０ｃｃ／分
・圧力：０．２Ｐａ
・スパッタ電力：８ｋＷ
上記条件で被覆オペレーションを行うと、パーティクル防止膜の成膜速度は５００ｎｍ／分となり、７２秒程度で一回の被覆オペレーションが終了する。また、一回のアルミニウムのスパッタ量は６００ｎｍ程度である。
また、除去オペレーションの条件としては、以下の条件が挙げられる。
・ガス：アルゴン
・ガス流量：３０ｃｃ／分
・圧力：０．５Ｐａ
・スパッタ電力：６ｋＷ
【００６０】
次に、以上のような条件である本実施例の効果について説明する。
まず、上記条件では、基板９の成膜処理の回数が５００回を越えるとパーティクルの発生が５０個以上になるため、５００枚の基板９について成膜処理を行った後に被覆オペレーションと除去オペレーションとを行うようにする。これによってパーティクルの発生は、１０個以下に抑えることができる。そして、再び基板９の成膜処理を５００回行った後、被覆オペレーションと除去オペレーションを行う。このようにして、５００回の成膜処理を行う度に、一回の被覆オペレーションと除去オペレーションとを行う。
【００６１】
しかし、この５００回の成膜処理を行う度に一回の被覆オペレーション及び除去オペレーションを行うサイクルを繰り返すと、防着シールド４７に堆積した成膜時堆積膜とパーティクル発生防止膜の全膜厚は増加していく。この厚さがある限度以上になると、防着シールド４７に堆積したこれらの膜は自重などによって剥離し、パーティクルの発生量が限度以上になってしまう場合がある。
具体的には、上記条件で成膜処理及び被覆オペレーションを行った場合には、２５００回の成膜処理（被覆オペレーション及び除去オペレーションは各５回）が限度であり、これ以上成膜処理を行うとパーティクルの発生が５０個以上になってしまう。そこで、２５００回の成膜処理を行った後、防着シールド４７を新たな防着シールド４７に交換するようにする。従来の場合には５００回の成膜処理を行った後に防着シールド４７の交換を行っており、これに比較すると、生産性は飛躍的に増大することがわかる。
【００６２】
上述した構成及び動作に係る本実施の形態において、被覆用部材７１及び遮蔽用部材８はロック内カセット５１に配備され、搬送ロボット１１によりスパッタチャンバー４内に持ち込まれるよう構成されているが、それ以外の方式として、次のような構成をすることも可能である。
まず、被覆用部材７１や遮蔽用部材８を収容する専用の収容部材をセパレーションチャンバー１内に設け、セパレーションチャンバー１内で被覆用部材７１や遮蔽用部材８を保管しても良い。また、セパレーションチャンバー１の周囲の真空チャンバーの一つを、被覆用部材７１や遮蔽用部材８を収容する専用のチャンバーとしても良い。
【００６３】
さらに、被覆用部材７１は、スパッタチャンバー４内に常時備えられていてもよい。具体的には、被覆用部材７１は、交換自在にスパッタチャンバー４の内壁に対して固定されるよう構成される。そして、被覆用部材７１がスパッタされる位置にスパッタ放電を生じさせる。尚、通常のスパッタリングの時には被覆用部材７１にスパッタ粒子が付着したり被覆用部材７１がスパッタされたりしないよう、シールドで被覆用部材７１を覆う。そして、被覆オペレーションを行う際、このシールドは除かれ、プラズマによって被覆用部材７１がエッチングされるよう構成する。この構成に比べると、上述した実施形態の構成は、シールドを設ける等の構成の煩雑さがないという点で優れている。
【００６４】
また、被覆用搬送系や遮蔽用搬送系として、基板搬送系を兼用するのではなく、専用のものを設けるようにしても良い。専用の搬送系を設けると、基板搬送系で搬送できるように基板９とほぼ同様の寸法形状や重量にする必要がなく、設計の自由度が増す。但し、基板搬送系を兼用すると、機構的に簡略化され、装置全体を小型化できるメリットがある。また、被覆用部材７１の別の構成としては、基板９と同じか同等または同様の板材の表面に被覆用材料の薄膜をスパッタリングやメッキにより形成したもの等を使用することができる。
【００６５】
また、基板用スパッタ電源４３や被覆用スパッタ電源７３としては負の直流電源が使用されているが、高周波電源が使用されることもある。また、基板用スパッタ電源７３は基板ホルダー４４に接続されたが、基板ホルダー４４とは別に被覆用の電極をスパッタチャンバー４内に設けても良い。この場合には、被覆用スパッタ電源７３をこの電極に接続するとともに、この電極に接触するように被覆用部材７１を搬入する。但し、基板ホルダー４４が被覆用の電極に兼用すると、スパッタチャンバー内の構造が簡略化できるので好適である。
また、上記の装置はフォトマスク製造用のものであったが、ＬＳＩ製造用等についても同様に実施することができる。
【００６６】
【発明の効果】
以上説明した通り、本願の各請求項記載の発明によれば、パーティクルの発生を抑制する効果的な構成が提供されるとともに、その際にも生産性を低下させないというメリットが得られる。
また、請求項２又は４記載の発明によれば、上記効果に加え、基板の表面に作成される薄膜が被覆用スパッタ粒子によって汚損される問題が防止される。
また、請求項３記載の発明によれば、上記効果に加え、マグネトロンスパッタリングによって被覆オペレーションが行われるので、被覆オペレーションが短時間に終了する上、マグネトロンスパッタリングのための磁石を被覆用部材が持っているので、通常の成膜処理に影響を与えたり、基板ホルダー等の構造を複雑にしたりする問題が無いという効果が得られる。
また、請求項５記載の発明によれば、上記効果に加え、基板搬送系が被覆用搬送系に兼用されているので、機構的に簡略化されるという効果が得られる。
また、請求項６記載の発明によれば、上記効果に加え、被覆用部材が大気に取り出されることなく複数回被覆オペレーションに使用されるので、大気側の不純物がスパッタチャンバーに持ち込まれることによる問題が抑制される。
また、請求項７記載の発明によれば、上記効果に加え、基板ホルダーが被覆用の電極に兼用されているので、スパッタチャンバー内の構造が簡略化される効果が得られる。
また、請求項８記載の発明によれば、上記効果に加え、基板の裏面への被覆用スパッタ粒子の付着が抑制されるので、これが原因によるパーティクルの発生が防止されるという効果が得られる。
また、請求項９記載の発明によれば、上記効果に加え、遮蔽用部材が大気に取り出されることなく複数回除去オペレーションに使用されるので、大気側の不純物がスパッタチャンバーに持ち込まれることによる問題が抑制される。
また、請求項１０記載の発明によれば、上記効果に加え、基板搬送系が遮蔽用搬送系に兼用されているので、機構的に簡略化されるという効果が得られる。
また、請求項１１記載の発明によれば、上記効果に加え、ロック内カセットが被覆用部材の収容部材又は遮蔽用部材の収容部材に兼用されているので、収容部材を別途設ける場合に比べ、構造的にシンプルになるという効果が得られる。
また、請求項１２記載の発明によれば、上記効果に加え、被覆用部材又は遮蔽用部材の交換時期の到来が表示されるので、被覆用部材や遮蔽用部材を限度以上に使用してしまうことによる問題が抑制されるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の実施の形態であるスパッタリング装置の構成を説明する平面概略図である。
【図２】図１に示す装置のＸ−Ｘにおける断面概略図概略図である。
【図３】被覆用部材７１の正面断面概略図である。
【図４】図３の被覆用部材７１の平面断面概略図である。
【図５】制御部２５が備えるプログラムの概略について説明するフローチャートである。
【符号の説明】
１ セパレーションチャンバー
１０ ゲートバルブ
１１ 搬送ロボット
２ 前処理エッチングチャンバー
３ プリヒートチャンバー
４ スパッタチャンバー
４１ ターゲット
４２ 磁石機構
４３ 基板用スパッタ電源
４４ 基板ホルダー
４５ ガス導入系
４６ 排気系
４７ 防着シールド
５ ロードロックチャンバー
５１ ロック内カセット
５２ 昇降機構
６ オートローダ
６１ 外部カセット
７１ 被覆用部材
７１１ 部材本体
７１２ 中央磁石
７１３ 周辺磁石
７１４ ヨーク
７２ 被覆用スパッタ電源
７３ スイッチ
８ 遮蔽用部材
９ 基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The invention of the present application relates to a sputtering apparatus, and more particularly to a sputtering apparatus suitably used for manufacturing a photomask.
[0002]
[Prior art]
Sputtering apparatuses are actively used in various industrial fields as apparatuses for forming a thin film on the surface of an object. In particular, in the manufacture of various electronic devices such as LSIs, sputtering apparatuses are frequently used to create various conductive films and insulating films. Sputtering apparatuses are also used in the manufacture of photomasks used in photolithography processes that transfer fine circuit patterns.
In such a sputtering apparatus, the quality of the produced thin film is one of the most important indexes for evaluating the performance of the apparatus. One factor that impairs the quality of the thin film produced is the problem of particles present in the sputter chamber. A particle is a general term for fine particles that impair the quality of a thin film to be produced.
[0003]
The main causes of the generation of particles are as follows. In the sputtering chamber for performing sputtering, it is inevitable that a thin film is deposited not only on the surface of the substrate but also on the exposed surface in the sputtering chamber. If the thin film deposits on the exposed surface overlap, the thin film may peel off due to internal stress or its own weight. The peeled thin film becomes fine particles having a certain size. When the fine particles adhere to the substrate, shape defects such as formation of minute protrusions on the thin film to be produced may occur. In addition, when a fine circuit is formed on the surface of the substrate in advance, there is a possibility that a serious defect such as a circuit disconnection or a short circuit may occur due to adhesion of fine particles. Therefore, the fine particles are particles.
[0004]
In particular, in the manufacture of a photomask, a thin film of a material such as chromium (Cr) or molybdenum silicide (MoSi) is often created. Thin films of these materials are easily deposited with high internal stress, and are likely to generate particles. On the other hand, since a photomask is an “original image” when an integrated circuit such as an LSI is manufactured, the demand for the shape accuracy of the circuit is much stricter than that of a wafer process. Even with a small amount of particles, the manufactured photomask often becomes defective.
[0005]
In order to prevent the generation of particles, a member called an adhesion shield is usually provided in the sputtering chamber. The deposition shield prevents adhesion of sputtered particles to unnecessary places other than the surface of the substrate. Although it is inevitable that sputter particles adhere to the deposition shield and deposit a thin film, the deposition shield is configured to prevent peeling of the thin film by forming fine irregularities on the surface. Nevertheless, if the sputtering is repeated many times, peeling of the thin film is unavoidable. Therefore, after a predetermined number of times of sputtering, the deposition shield is replaced with a new one or one from which the thin film has been removed.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in order to replace the deposition shield, it is necessary to open the sputter chamber to the atmosphere once. Furthermore, after replacing the deposition shield, the sputtering chamber is again evacuated again to ensure cleanliness of the atmosphere in the sputtering chamber, and the number of residual particles in the sputtering chamber is within the reference value and processing It is necessary to confirm whether or not the reproducibility of the image is ensured. After such work, sputtering is resumed. For this reason, it takes a long time (for example, 8 hours) until the process is restarted, which causes a significant reduction in productivity.
[0007]
The invention of the present application has been made to solve such a problem, and provides an effective configuration for suppressing the generation of particles, and also has the technical significance of preventing productivity from being lowered at that time. Have.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
  In order to solve the above problems, the invention according to claim 1 of the present application is directed to a sputter chamber.WithinIn a sputtering apparatus in which a substrate is disposed and a target is sputtered to form a film on the surface of the substrate, a covering member made of a material on which a film is deposited with a stress smaller than that of the target material is disposed in the sputtering chamber. A coating operation is performed in which the coating member is sputtered and the thin film deposited on the surface other than the substrate in the sputtering chamber is coated with a thin film of the material of the coating member during the film forming process.At the same time, after the coating operation, the target is sputtered without carrying the substrate into the sputtering chamber, so that the sputtered particles released from the coating member and adhered to the target during the coating operation are ejected from the target and removed. Perform removal operationIt has the structure of.
  In order to solve the above problems, the invention according to claim 2 is a sputter chamber.WithinIn a sputtering method in which a substrate is placed and a target is sputtered to form a film on the surface of the substrate.The film forming processThereafter, a coating member made of a material on which a film is deposited with a stress smaller than that of the target material is disposed in the sputtering chamber, and the coating member is sputtered, and other than the substrate in the sputtering chamber during the film formation process. A coating operation is performed in which the thin film deposited on the surface is coated with a thin film of the material of the coating member. After the coating operation, the target is sputtered without carrying the substrate into the sputtering chamber. A removal operation is performed in which the sputtered particles released from the coating member and adhered to the target are ejected from the target and removed, and then the substrate is carried into the sputter chamber and the film forming process is performed.
  In order to solve the above-mentioned problems, a third aspect of the present invention provides a sputter chamber having an exhaust system, and a sputter chamber.WithinSubstrate holder that holds the substrateAnd targetAnd a substrate sputtering power source for generating sputter discharge by setting an electric field in a space facing the surface to be sputtered, and causing the sputtered particles emitted from the target sputtered by the sputter discharge to reach the surface of the substrate. Sputtering equipment for film formationBecause,
  A particle prevention film is deposited on the surface of the deposited film during deposition, which is a film deposited on a surface other than the substrate in the sputtering chamber during the deposition process, with a smaller stress than the deposited film during deposition. Having coating means for coatingAnd
  The coating means includes a coating member made of a material on which a film is deposited with a stress smaller than that of the deposited film at the time of film formation, a coating transport system for transporting the coating member to a predetermined position in the sputtering chamber, And a coating sputtering power source for generating sputtering discharge for sputtering the coating member conveyed to
The covering member includes a magnet for changing the sputtering discharge by the covering sputtering power source to a magnetron discharge.It has the structure of.
  Moreover, in order to solve the said subject, invention of Claim 4 is the following.Sputter discharge comprising a sputter chamber with an exhaust system, a substrate holder for holding a substrate in the sputter chamber, and a sputter power source for a substrate that generates a spatter discharge by setting an electric field in the space facing the surface to be sputtered of the target. A sputtering apparatus for causing a sputtered particle emitted from a target sputtered by the target to reach the surface of the substrate and performing a film forming process on the surface of the substrate,
A particle prevention film is deposited on the surface of the deposited film during deposition, which is a film deposited on a surface other than the substrate in the sputtering chamber during the deposition process, with a smaller stress than the deposited film during deposition. Having a coating means for coating,
The coating means includes a coating member made of a material on which a film is deposited with a stress smaller than that of the deposited film at the time of film formation, a coating transport system for transporting the coating member to a predetermined position in the sputtering chamber, And a coating sputtering power source for generating sputtering discharge for sputtering the coating member conveyed to
further,
A control unit for controlling the entire apparatus is provided, and this control unit is configured to transfer the substrate to the sputtering chamber after the deposition of the particle prevention film by the coating unit. A control program for controlling the sputtering power source for the substrate so as to perform a removal operation of operating the sputtering power source for the substrate and ejecting the sputtered particles for coating from the coating member attached to the target. HaveIt has the structure of.
  Moreover, in order to solve the said subject, invention of Claim 5 is said claim.3 or 4In the configuration, the coating transport system has a configuration in which a substrate transport system for transporting the substrate is also used in the sputtering chamber.
  In order to solve the above problem, the invention described in claim 6 is the above-mentioned claim.3, 4 or 5In this configuration, a housing member is provided for housing the coating member in another vacuum chamber provided so that the vacuum communicates with the sputtering chamber, and the coating transport system is provided with another vacuum chamber. The coating member is transported between a chamber and the sputtering chamber.
  In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 7 is the above-mentioned claim.3 to 6In this configuration, the substrate holder is also used as the coating member disposed at a predetermined position of the sputtering chamber, and the coating sputtering power source is connected to the substrate holder.
  Moreover, in order to solve the said subject, a claim8The invention described is the claim.4In the configuration, in the removing operation, the substrate holder has a shielding member that shields a region of the surface of the substrate holder that the substrate contacts from the coating sputtered particles ejected from the target. Have.
  Moreover, in order to solve the said subject, a claim9The invention described is the claim.8In this configuration, the shielding member is a plate-like member having the same size and shape as the substrate, and the shielding member is placed in another vacuum chamber provided so that a vacuum communicates with the sputtering chamber. A housing member for housing and a shielding transport system for transporting the shielding member between the other vacuum chamber and the sputtering chamber are provided.
  Moreover, in order to solve the said subject, a claim10The invention described is the claim.9In this configuration, the shielding transport system has a configuration in which a substrate transport system for transporting the substrate is also used in the sputtering chamber.
  Moreover, in order to solve the said subject, a claim12The invention according to claim 6 is characterized in that9In the configuration, a load lock chamber, which is a chamber in which the substrate temporarily stays when the substrate is transported between the sputter chamber and the atmosphere side, is provided, and in the load lock chamber, An in-lock cassette that temporarily accommodates a plurality of substrates is provided, and the accommodating member has a configuration in which the in-lock cassette is also used.
  Moreover, in order to solve the said subject, a claim12The invention according to claim 6 is characterized in that9 or 11In the configuration, the display device includes a display unit for displaying that it is time to take out the replacement member from the housing member and replace the covering member or the shielding member.
  Moreover, in order to solve the said subject, a claim13The described invention includes a sputtering chamber having an exhaust system, a substrate holder for holding a substrate at a predetermined position in the sputtering chamber, a target provided so that a surface to be sputtered is exposed in the sputtering chamber, A sputtering power supply for the substrate that generates an electric field in the space facing the surface to be sputtered to generate a sputter discharge is provided, and sputter particles emitted from a target sputtered by the sputter discharge reach the substrate to form a film on the surface of the substrate. A coating member used in a sputtering apparatus that performs processing, and a coating member that is held in place of the substrate by a substrate holder, and is deposited on a surface other than the substrate in the sputtering chamber during the film formation process. A member body made of a material that deposits the film with a smaller stress than the deposited film during film formation, and a substrate holder When the electric field for sputtering discharge is set via the magnet, the discharge is magnetron discharge, and the deposited film is coated with the film deposited by the sputtered particles released by the sputtering discharge. It has a configuration that there is.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a schematic plan view illustrating the configuration of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.
This sputtering apparatus is a multi-chamber type apparatus, and includes a separation chamber 1 disposed in the center, a plurality of processing chambers 2, 3, 4, and two load lock chambers 5 provided around the separation chamber 1. It becomes the chamber arrangement which becomes. Each chamber 1, 2, 3, 4, 5 is provided with a dedicated or shared exhaust system (not shown) so that it is exhausted to a predetermined pressure. A gate valve 10 is provided at a connection point between the chambers 1, 2, 3, 4, and 5.
An autoloader 6 is provided outside the load lock chamber 5. The autoloader 6 takes out the substrates 9 one by one from the external cassette 61 on the atmosphere side and accommodates them in the in-lock cassette 51 in the load lock chamber 5.
[0010]
A transfer robot 11 is provided in the separation chamber 1. This transfer robot 11 is an articulated robot. The transfer robot 11 takes out the substrates 9 one by one from one of the load lock chambers 5, sends them to the respective processing chambers 2, 3, 4 and sequentially processes them, and after finishing the last processing, The load lock chamber 5 is returned. The separation chamber 1 is always 10 by an exhaust system (not shown).-3-10-5A vacuum pressure of about Pa is maintained. Therefore, a robot that can operate under this vacuum pressure is adopted as the transfer robot 11.
[0011]
One of the plurality of processing chambers 2, 3, 4 is a sputtering chamber 4 that performs sputtering for forming a predetermined thin film on the surface of the substrate 9. Other than this, a pretreatment etching chamber 2 for performing pretreatment etching for removing a natural oxide film or surface contaminants on the surface of the substrate 9 before sputtering, and a preheating chamber 3 for preheating the substrate 9 before sputtering. is there.
[0012]
  First, the structure of the sputtering chamber 4 which constitutes the main part of the sputtering apparatus will be described with reference to FIG. 2 is shown in FIG.Equipment cross sectionIt is a schematic diagram. The sputter chamber 4 is a vacuum chamber that is airtightly connected to the separation chamber 1 via a gate valve 10 and is electrically grounded. The inside of the sputter chamber 4 is always 10 by the exhaust system 46.-4-10-6It is configured to exhaust to about Pa.
[0013]
The sputter chamber 4 is provided with a gas introduction system 45 so that a gas having a high sputtering rate such as argon can be introduced into the inside at a predetermined flow rate. Specifically, the gas introduction system 45 includes a gas cylinder 451 storing a sputtering discharge gas such as argon, a pipe 452 connecting the sputter chamber 4 and the gas cylinder 451, a valve 453 provided in the pipe 452, and a flow rate adjustment. Mainly composed of a container 454.
A target 41 is provided so that the surface to be sputtered is exposed in the sputter chamber 4. The target 41 is formed of a thin film material to be formed on the surface of the substrate 9. The target 41 is attached to the sputtering chamber 4 through a target holder 411 and an insulator 412 so as to hermetically close the opening above the sputtering chamber 4.
[0014]
A substrate sputtering power supply 43 for sputtering the target 41 is connected to the target 41. The substrate sputtering power supply 43 is configured to apply a negative DC voltage of about 700 V and about 30 kW to the target 41. When the substrate sputtering power supply 43 is operated in a state where a predetermined gas is introduced by the gas introduction system 45, sputtering discharge occurs and the target 41 is sputtered. In addition, a high frequency power supply may be used for the substrate sputtering power supply 43.
[0015]
A magnet mechanism 42 is provided behind the target 41. The magnet mechanism 42 includes a central magnet 421, a peripheral magnet 422 that surrounds the central magnet 421, and a disk-shaped yoke 423 that connects the central magnet 421 and the peripheral magnet 422.
The magnet mechanism 42 is provided to perform efficient magnetron sputtering by using the gas discharge as a magnetron discharge. That is, a magnetic field is formed in the vicinity of the target 41 by the magnet mechanism 42, and electrons perform magnetron motion by the action of the magnetic field, so that a plasma with higher density is formed. As a result, the efficiency of sputtering discharge is improved, and the efficiency of film formation on the substrate 9 is also improved. Note that each of the magnets 412 and 422 of the magnet mechanism 42 is a permanent magnet, but it is also possible to configure them with electromagnets.
[0016]
A substrate holder 44 is provided in the sputter chamber 4. The substrate holder 44 holds the substrate 9 at a predetermined position in the sputtering chamber 4. The substrate holder 44 is airtightly attached to the sputtering chamber 4 via an insulating material 441. The substrate holder 44 has a trapezoidal shape on which the substrate 9 is placed. The substrate holder 44 is configured such that the substrate 9 is parallel to the target 41. Note that a heating mechanism (not shown) that heats the substrate 9 during film formation to make the film formation efficient may be provided in the substrate holder 44. When the sputter discharge is generated while the substrate 9 is held by the substrate holder 44, the sputtered particles emitted from the target 41 reach the surface of the substrate 9, and these arrivals overlap to form a thin film.
[0017]
Also, an adhesion shield 47 is provided so as to surround the space between the target 41 and the substrate holder 44. The deposition shield 47 is a cylindrical member, and prevents sputter particles from adhering to unnecessary locations other than the surface of the substrate 9 such as the inner wall surface of the sputter chamber 4.
[0018]
In the film forming process described above, as described above, the thin film is deposited not only on the surface of the substrate 9 but also on the deposition shield 47. Hereinafter, the film deposited on the surface other than the surface of the substrate 9 during the film forming process is referred to as “deposited film during film formation”. As the number of sputtering processes in the sputtering chamber 4 increases, the amount of deposited film deposited on the entire inner surface surrounding the discharge including the deposition shield 47 gradually increases. The deposited film during film formation may be peeled off due to internal stress, and the pieces of the peeled film become particles. When sputtering is further repeated, the number of particles generated in the sputtering chamber 4 increases.
[0019]
Therefore, in this embodiment, in order to prevent the generation of the particles, a process (hereinafter referred to as a covering operation) for covering the deposited film at the time of film formation with another film can be performed. Specifically, the coating operation is performed by depositing a film of a material (hereinafter referred to as a particle prevention film) deposited on the deposited film at the time of film formation with a stress smaller than that of the deposited film at the time of film formation. It is an operation to perform.
[0020]
In order to enable the above-described coating operation, the apparatus of the present embodiment has a coating means for depositing and coating a particle prevention film. The feature of the apparatus of the present embodiment is that the coating means is arranged in the sputter chamber 4 separately from the target 41 by a coating member 71 made of a material which is smaller than the deposited film during film deposition and deposited by stress. The member 71 is sputtered to deposit a particle prevention film. The coating means includes a coating transport system for transporting the coating member 71 into the sputter chamber 4 and a coating sputter power source 72 for generating sputter discharge in a space facing the surface of the coating member 71 loaded into the sputter chamber 4. Etc. are mainly composed.
[0021]
First, the covering member 71 will be described. FIG. 3 is a schematic front sectional view of the covering member 71. 4 is a schematic plan sectional view of the covering member 71 shown in FIG. The covering member 71 has a disk shape having substantially the same diameter as that of the substrate 9 to be formed. However, the thickness is slightly thicker as shown in FIG. The covering member 71 has a member main body 711 formed of a material on which a film is deposited with a smaller stress than the material of the target 41.
[0022]
The substrate holder 44 described above is also used as a member for disposing the covering member 71 at a predetermined position in the sputtering chamber 4. Accordingly, the coating sputtering power source 72 is connected to the substrate holder 44. A switch 73 is provided between the coating sputtering power source 72 and the substrate holder 44. The switch 73 is controlled to connect the ground to the substrate holder 44 during the film forming process and to connect the coating sputtering power source 72 during the coating operation.
[0023]
The covering member 71 is placed on the substrate holder 44 in place of the substrate 9 during the covering operation. The covering member 71 is placed on the substrate holder 44, and a gas such as argon is introduced into the sputtering chamber 4 in the same manner as in normal sputtering. When the coating sputtering power source 72 operates in this state, an electric field is formed in the space facing the surface of the coating member 71 via the substrate holder 44 and the coating member 71, and the surface of the member main body 711 of the coating member 71 is Sputtered. Sputtered particles emitted from the covering member 71 by sputtering reach the surface of the deposited film during film formation and are deposited as a particle prevention film. As is clear from the above description, the particle prevention film is deposited with a stress smaller than that of the deposited film during film formation, and thus has an action of relaxing the stress of the deposited film during film formation. For this reason, peeling of the deposited film during film formation is suppressed as compared with the case where the film is not covered with the particle preventing film, and as a result, generation of particles can be prevented.
[0024]
Specifically, when the deposited film during film formation is chromium, a chromium compound, molybdenum silicide (MoSi), silicon, silicon nitride, or the like, aluminum is given as a material having a stress smaller than these. Therefore, aluminum is used for the member main body 711 of the covering member 71.
Regarding the stress of the film, it is generally considered that a material that easily causes plastic deformation forms the film with a small stress. Therefore, aluminum, copper, silver, lead, or an alloy thereof forms a film with a small stress. However, since a material having a high vapor pressure tends to evaporate and cause the inside of the sputter chamber 4 to be contaminated, a material having a low vapor pressure is suitable. Further, in view of cost and the like, aluminum, copper, or an alloy thereof is practically preferable among the above materials. In consideration of such points, the coating material is appropriately selected.
[0025]
Another feature of the present embodiment is that the sputtering in the coating operation is magnetron sputtering, and the coating member 71 itself has a magnet that enables this magnetron sputtering. This point will be described with reference to FIGS. 3 and 4 again.
[0026]
As shown in FIGS. 3 and 4, a pair of magnets 712 and 713 are attached to the back side of the member main body 711 constituting the covering member 71 (on the side opposite to the surface to be sputtered). The pair of magnets 712 and 713 are a center magnet 712 and a peripheral magnet 713 surrounding the center magnet 712. A yoke 714 that connects the central magnet 712 and the peripheral magnet 713 is provided. The yoke 714 has a plate shape and is fixed to the member main body 711 by screws or the like so as to be flush with the member main body 711.
[0027]
As shown in FIG. 3, an arc-shaped magnetic field line 715 that penetrates the member main body 711 is set between the central magnet 712 and the peripheral magnet 713. As can be seen from FIG. 4, the closed space is continuous around the central axis of the covering member 71 by the magnetic lines of force 715 and the surface of the member main body 711. Further, the electric field generated by the coating sputtering power source 72 is substantially parallel to the central axis of the coating member 71. Therefore, when the covering member 71 is sputtered, electrons are confined by a magnetron motion in the circumferential closed space. That is, magnetron sputtering is achieved, resulting in highly efficient sputtering.
Due to such magnetron sputtering, the deposition rate of the particle prevention film is improved. As a result, the covering operation is completed in a short time.
[0028]
If the covering member 71 does not have a magnet for magnetron sputtering, it is necessary to provide it in the substrate holder 44 or the like. In this case, during a normal film forming process, electrons are captured by magnetic lines of force set in a space facing the surface of the substrate 9 and excessively enter the surface of the substrate 9, or the surface of the substrate 9 is sputter etched. There is a risk that. It is possible to configure the magnet with an electromagnet so that no current is applied in the case of a normal film forming process, but in any case, there is a problem that the mechanism becomes complicated. Therefore, the configuration in which the covering member 71 has magnets for magnetron sputtering has the advantage that it does not affect the normal film forming process and has the advantage that the structure of the substrate holder 44 and the like is not complicated.
[0029]
In the present embodiment, after the covering operation, a process for removing sputtered particles of the covering member 71 adhering to the target 41 (hereinafter, removing operation) can be performed. Hereinafter, this point will be described.
During the above-described coating operation, sputtered particles released from the coating member 71 (hereinafter referred to as coating sputtered particles) are not only deposited on the surface of the deposited film on the deposition shield 47 but also on the surface of the target 41. Adhering is inevitable. When the substrate 9 is carried into the sputtering chamber 4 and sputtered while the sputter particles for coating are attached to the surface of the target 41, the sputter particles for coating are ejected from the target 41 and adhere to the surface of the substrate 9. Since the sputtered particles for coating are made of a material different from that of the target 41, the thin film formed on the surface of the substrate 9 is soiled.
[0030]
Therefore, in this embodiment, after the covering operation, the removing operation is performed before the normal film forming process is resumed. The removal operation is an operation of sputtering the target 41 without carrying the substrate 9 into the sputtering chamber 4. Since the sputtered particles for coating adhering to the target 41 are ejected from the target 41 and adhere to the deposition shield 47 and the like, even if the substrate 9 is subsequently carried in and film formation is performed, the thin film to be produced may be soiled. There is no.
[0031]
Another major feature of the apparatus of the present embodiment is that a shielding member 8 is provided for shielding the surface of the substrate holder 44 from the sputter particles for coating during the removal operation. During the above removal operation, it is ideal that the sputtered particles for coating ejected from the target 41 adhere to the deposition shield 47 or be exhausted by an exhaust system. In some cases, the substrate 9 may adhere to a region (hereinafter simply referred to as a surface of the substrate holder 44) to be contacted. In this state, when the substrate 9 is carried and placed on the substrate holder 44, the sputtered particles for coating adhere to the back surface of the substrate 9. When the substrate 9 is removed from the substrate holder 44 after the film formation is completed, the sputtered particles for coating may be released from the back surface of the substrate 9 and float in the sputter chamber 4 to become particles. Alternatively, when the sputtered particles for coating adhere to the back surface or the substrate 9 is transported to another chamber and the sputtered particles for coating are released in the chamber, particles are generated in the chamber.
[0032]
In order to prevent such a problem, in the apparatus of this embodiment, the surface of the substrate holder 44 is shielded from the sputtered particles for coating by the shielding member 8 during the removal operation. The shielding member 8 is a plate-like member having the same size and shape as the substrate 9. The material for the shielding member 8 is preferably the same material as the substrate 9 so that particles are not generated even if it is sputtered.
Further, a shielding transport system for transporting the shielding member 8 into the sputter chamber 4 during the removal operation is provided. The shielding transport system needs to arrange the shielding member 8 at the same position as the position where the substrate 9 is normally placed on the substrate holder 44.
[0033]
As another configuration of the shielding member 8, a configuration such as a shutter driven in the sputter chamber 4 may be used. That is, a shutter capable of covering the surface of the substrate holder 44 is provided in the sputter chamber 4. During normal film formation, the shutter is opened and the substrate 9 is placed on the substrate holder 44. During the removal operation, the surface of the substrate holder 44 is shielded from the sputtered particles for coating by a shutter. However, providing such a shutter mechanism has a drawback that the mechanism in the sputtering chamber 4 becomes complicated. Compared to this, the configuration in which the shielding member 8 is transported and used in the shielding transport system has an advantage that it is mechanically simplified.
[0034]
The apparatus of this embodiment includes a substrate transfer system that transfers the substrate 9 between the atmosphere side and the sputter chamber 4. Both the above-described coating transport system for transporting the coating member 71 and the above-described shielding transport system share this substrate transport system. Hereinafter, this point will be described.
The covering member 71 and the shielding member 8 are accommodated in the load lock chamber 5 when not in use. That is, in the load lock chamber 5, a housing member that houses the covering member 71 and the shielding member 8 is provided. As this accommodating member, an in-lock cassette 51 that accommodates the substrate 9 in the load lock chamber 5 is also used.
[0035]
The in-lock cassette 51 is provided with a horizontally elongated protrusion 511 on the inner side surfaces of the left and right side walls. A plurality of projections 511 are provided at predetermined intervals in the vertical direction. The edge of the substrate 9 is placed on these protrusions 511 so that the substrate 9 is accommodated. The number of substrates 9 accommodated in the cassette 51 in the lock is 25, but 29 protrusions 511 are provided in the vertical direction. Thus, there are four extra storage locations. Two covering members 71 and two shielding members 8 are accommodated in the four extra accommodating locations.
[0036]
In the present embodiment, the substrate transport system for transporting the substrate 9 is mainly composed of the transport robot 11 described above, the autoloader 6, and a lifting mechanism 52 that lifts and lowers an in-lock cassette 51 described later. In the present embodiment, the arm of the transfer robot 11 is configured to enter the in-lock cassette 51 at a predetermined height and retract from the in-lock cassette 51. Hereinafter, this height is referred to as an “arm approach line”. The raising / lowering mechanism 52 of the in-lock cassette 51 is for moving the in-lock cassette 51 up and down to adjust the accommodation location of the predetermined substrate 9 to this arm entry line. Specifically, the elevating mechanism 52 may be an air cylinder that vertically moves a post (not shown) fixed to the in-lock cassette 51, or a ball screw fixed to the post (not shown) and its ball screw are rotated. A combination of motors that move the support up and down may be used.
[0037]
The operation of transporting the substrate 9 between the in-lock cassette 51 and the transport robot 11 will be described. When the substrate 9 is carried into the sputter chamber 4, the lifting mechanism 52 is located at a position slightly higher than the arm entry line. The in-lock cassette 51 is moved up and down so that the storage location is located. When the arm of the transfer robot 11 enters below the substrate 9, the in-lock cassette 51 is lowered by the elevating mechanism 52, and the substrate 9 is placed on the arm. Thereafter, the arm moves backward and moves to the separation chamber 1, and the substrate 9 is carried into the sputtering chamber 4.
[0038]
Further, when the substrate 9 that has been subjected to film formation is unloaded from the sputter chamber 4, the elevating mechanism 52 moves the cassette 51 in the lock so that the predetermined accommodation location of the substrate 9 is positioned slightly lower than the arm entry line. Raise and lower in advance. The arm of the transfer robot 11 takes out the substrate 9 from the sputter chamber 4 and enters the in-lock cassette 51 from the height of the arm entry line. After the arm on which the substrate 9 is placed enters the in-lock cassette 51, the in-lock cassette 51 is raised by the lifting mechanism 52, and the substrate 9 is accommodated in a predetermined accommodation location.
[0039]
Next, a configuration for conveying the covering member 71 and the shielding member 8 will be described. The covering member 71 and the shielding member 8 are transported between the load lock chamber 5 and the sputter chamber 4 by the lifting mechanism 52 of the in-lock cassette 51 and the transport robot 11. Specifically, the elevating mechanism 52 described above moves the cassette 51 in the lock up and down to take out the covering member 71 or the shielding member 8 at a predetermined storage location along the arm entry line, or to perform predetermined storage. The covering member 71 or the shielding member 8 is accommodated in the place.
[0040]
More specifically, for example, when the covering member 71 is carried into the sputter chamber 4, the elevating mechanism 52 is placed in the lock so that the receiving portion of the predetermined covering member 71 is positioned slightly higher than the arm entry line. The cassette 51 is moved up and down. Thereafter, the transfer robot 11 operates in the same manner as the substrate 9, and the covering member 71 is carried into the sputter chamber 4.
[0041]
Further, when the covering operation is completed and the covering member 71 is unloaded from the sputter chamber 4, the elevating mechanism 52 is positioned so that the predetermined covering member 71 is accommodated at a position slightly lower than the arm entry line. The in-lock cassette 51 is raised and lowered. Thereafter, the transfer robot 11 is operated similarly to the case of the substrate 9, and the covering member 71 is accommodated. Similarly, the shielding member 8 is carried in and out.
As described above, since the covering member 71 is the same as the source from which the sputtered particles are released, that is, the target 41, the surface is gradually scraped while being repeatedly used for the covering operation. If it is used in excess of the limit, the magnet may be sputtered through the member body 711. Therefore, in the present embodiment, means for managing the number of times the covering member 71 is used is provided. Hereinafter, this point will be described.
[0042]
Specifically, the apparatus of this embodiment includes a control unit 25 that controls the operation of the entire apparatus. The control unit 25 is a microcomputer, and is provided with a storage unit (not shown) that stores a program for controlling each unit and a display unit 251 that performs various displays such as the operation state of the apparatus.
FIG. 5 is a flowchart illustrating an outline of a program provided in the control unit 25. As shown in FIG. 5, the control unit 25 carries out a “substrate loading command” for loading an unprocessed substrate 9 into the sputter chamber 4 via the pretreatment etching chamber 2 and the preheat chamber 3, Are programmed so as to sequentially issue a “film formation processing command” for performing the film formation processing and a “substrate discharge command” for discharging the processed substrate 9 to the atmosphere side.
[0043]
Then, after the “substrate carry-out command”, the number of processing counters, which is the number of film formation processes stored, is calculated. If the number of counters is less than the limit processing number, the “substrate carry-in command”, “film formation command” Repeat “Processing command” and “Substrate unloading command”. When the number of counters reaches the limit processing number, it is programmed to issue a “covering operation command” and a “removal operation command”, respectively. The “limit processing times” is the number of times that the film forming process can be performed continuously without performing the covering operation, and is determined in advance and input from the input unit 252.
[0044]
In addition, the control unit 25 includes a storage unit (not shown) that stores the number of times of the covering operation and the number of removal operations. The number of uses is stored for each covering member 71 and each shielding member 8 housed in the in-lock cassette 51.
As shown in FIG. 5, after the “removal operation command”, the number of coating counters, which is the number of coating operations, is calculated, and if the number of coating counters reaches the limit of use, the coating used at that time It is determined whether the first member 61 is the first member or the second member 61. If it is the first, processing for changing the control signal of the substrate transport system is performed so that the covering member 61 to be used from the next covering operation is changed to the second one. If it is the second, a message indicating that it is time to replace the covering member 71 is displayed.
[0045]
Next, the number of removal counters, which is the number of removal operations, is calculated. If the number of removal counters is less than the usage limit number, the process returns to “START”. If the number of removal counters reaches the limit of use, it is determined whether the shielding member 61 used at that time is the first or second. If it is the first, a process of changing the control signal of the substrate transport system is performed so that the shielding member 8 used from the next removal operation is changed to the second one. If it is the second, a message indicating that it is time to replace the shielding 8 is displayed. After such processing, the process returns to “START”. In the above program, the use limit number to be compared with the number of each counter is data determined in advance and input from the input unit 252.
[0046]
As understood from the above description, in the apparatus of the present embodiment, the covering member 71 is used more than the limit number of times, and an accident that the magnets in the covering member 71 are sputtered by mistake is prevented in advance. It has become. The covering member 71 is replaced by transporting the used covering member 71 from the in-lock cassette 51 to the external cassette 61 by the autoloader 6 in the same manner as the substrate 9. Then, two new covering members 71 are carried from the external cassette 61 to a predetermined accommodation location of the in-lock cassette 51 by the autoloader 6.
[0047]
The shielding member 8 can be repeatedly used many times as compared with the covering member 71 because the covering sputtered particles simply adhere. Nevertheless, when a lot of sputtered particles for coating adhere and grow into a thin film, they are peeled off due to impact during transportation to generate particles, so that they are replaced after a predetermined number of uses. The configuration such as control of the substrate transport system at the time of replacement is the same as that of the covering member 71.
[0048]
As understood from the above description, in this embodiment, the covering member 71 and the shielding member 8 are always held on the vacuum side without being taken out to the atmosphere side and used for a plurality of operations. The surfaces of the covering member 71 and the shielding member 8 held on the vacuum side do not adhere moisture or the like due to being taken out to the atmosphere side. For this reason, the problem that impurities in the atmosphere such as moisture are taken into the sputtering chamber 4 is prevented.
In particular, if impurities exist in the particle prevention film or at the interface between the particle prevention film and the deposited film during film formation, the internal stress of the film increases. As described above, when the internal stress increases, these films are easily peeled off, and the risk of generating particles increases. However, in the present embodiment, as described above, since the particle prevention film without impurities is formed, the effect of the covering operation can be obtained.
[0049]
Next, the pretreatment etching chamber 2 among the plurality of treatment chambers shown in FIG. 1 will be described. The pretreatment etching chamber 2 is configured to remove the natural oxide film or surface contaminants by sputter etching the surface of the substrate 9 by high frequency discharge. If the film formation is performed in the sputtering chamber 4 with such an insulating film formed, there is a problem that the adhesion to the base is deteriorated, or in the case of a conductive film, the conductivity to the base is lowered. Therefore, the surface of the substrate 9 is etched prior to film formation in the sputter chamber 4.
[0050]
The pretreatment etching chamber 2 includes a gas introduction system that introduces a gas such as argon or nitrogen, a high-frequency electrode, and a high-frequency power source that generates a high-frequency discharge by applying a high-frequency voltage to the high-frequency electrode. In many cases, the high-frequency electrode is also used as a substrate holder for holding the substrate 9 in the pretreatment etching chamber 2, and a high-frequency voltage is applied to the substrate holder via a capacitor for generating a self-bias voltage on the substrate 9. Often applied.
[0051]
Preheating (preheating) in the preheating chamber 3 is performed for the purpose of releasing the occluded gas of the substrate 9. If this occlusion gas is not released, the occlusion gas is released by heat during film formation, and there is a problem that the surface of the film becomes rough due to foaming.
A heat stage (not shown) that is heated and maintained at a predetermined temperature is provided in the preheat chamber 3. The substrate 9 is placed on the heat stage and preheated by being heated to a predetermined temperature.
[0052]
Further, as shown in FIG. 1, another vacuum chamber 100 is provided around the separation chamber 1. If necessary, these vacuum chambers 100 have the same configuration as the sputtering chamber 4 to improve productivity, or in the case where different types of thin films are stacked, a sputtering chamber including a target 41 made of a different material is used. Or after the film-forming process, it may be a cooling chamber for cooling the substrate 9.
[0053]
Next, the overall operation of the sputtering apparatus of this embodiment will be described.
The substrate 9 accommodated in the external set 8 is carried into the in-lock cassette 51 in the load lock chamber 5 by the autoloader 6. The substrate 9 carried into the in-lock cassette 51 is first carried into the pretreatment etching chamber 2 by the transfer robot 11 provided in the separation chamber 1 and subjected to pretreatment etching. Next, the substrate 9 is transported to the preheat chamber 3, placed on a heat stage (not shown), and heated to a predetermined temperature. As a result, the substrate 9 is preheated and the occluded gas in the substrate 9 is released.
[0054]
Then, the substrate 9 is carried into the sputtering chamber 4 and a film forming process by sputtering is performed. Thereafter, the substrate 9 is unloaded from the sputter chamber 4 by the transfer robot 11 and stored in the in-lock cassette 51. The processed substrate 9 accommodated in the in-lock cassette 51 is accommodated in the external cassette 61 by the autoloader 6. By repeating such an operation, the single wafer processing is sequentially performed on a large number of substrates 9.
[0055]
When the sheet processing reaches a predetermined number of times, the control unit 25 sends a signal to the substrate transport system that is also used as the coating transport system, and controls the coating member 71 to be carried into the sputter chamber 4. . As a result, the covering member 71 is carried into the sputter chamber 4 from the in-lock cassette 51 and placed at a predetermined position on the substrate holder 44. The sputter chamber 4 has been evacuated in advance, and a predetermined gas is introduced by a gas introduction system 45 at a predetermined flow rate. Then, the switch 73 is switched to operate the coating sputtering power source 72 to sputter the coating member 71. Thereby, the covering operation described above is performed. Thereafter, the covering member 71 is accommodated in the in-lock cassette 51 by the substrate transport system.
[0056]
Next, the control unit 25 sends a signal to the substrate transport system that is also used as the shielding transport system, and controls the shield member 8 to be carried into the sputter chamber 4. As a result, as described above, the shielding member 8 is carried into the sputter chamber 4 from the in-lock cassette 51 and placed at a predetermined position on the substrate holder 44. The sputter chamber 4 is again evacuated to a high vacuum, and a predetermined gas is introduced at a predetermined flow rate by the gas introduction system 45. Then, the switch 73 is switched to connect the substrate holder 44 to the ground, and the substrate sputtering power supply 43 is operated to sputter the target 41. Thereby, the sputtered particles for coating adhering to the target 41 are ejected. Thereafter, the shielding member 8 is accommodated in the in-lock cassette 51 by the substrate transport system.
Thereafter, the inside of the sputtering chamber 4 is again evacuated to a high vacuum. Then, as described above, the next substrate 9 is transferred to the sputter chamber 4 via the pretreatment etching chamber 2 and the preheating chamber 3, and the normal film forming process is resumed.
[0057]
As described above, the apparatus and method of the present embodiment coats the deposited film with the particle preventing film by carrying the coating member 71 into the sputtering chamber 4 and performing sputtering. Since the particle prevention film is deposited with a stress smaller than that of the deposited film during film formation, peeling of the deposited film during film formation can be suppressed. As a result, the replacement frequency of the shield shield 47 is drastically reduced as compared with the conventional case. Therefore, the total time required for preventing the generation of particles is shorter than in the prior art. Therefore, in this embodiment, productivity is greatly improved as compared with the conventional apparatus. In addition, as a result of preventing the generation of particles, the quality of the produced thin film is greatly improved.
[0058]
【Example】
Next, an example in which the apparatus of the above embodiment is used for manufacturing a photomask will be described. The substrate 9 as a film formation target is made of glass. The film to be created is MoSi.
The conditions for MoSi sputtering in the sputtering chamber 4 include the following conditions.
・ Gas: Argon
・ Gas flow rate: 30cc / min
・ Pressure: 0.5Pa
・ Sputtering power: 3kW
When sputtering is performed under the above conditions, the sputtering rate is 150 nm / min with a substrate 9 having a diameter of 8 inches, and the time required to form a 300 nm MoSi film is 2 minutes. The “sputter power” is a product of the voltage applied to the target 41 and the current flowing through the target 41.
[0059]
Moreover, the following conditions are mentioned as conditions for covering operation.
・ Coating member 71: Aluminum
・ Gas: Argon
・ Gas flow rate: 30cc / min
・ Pressure: 0.2Pa
・ Sputtering power: 8kW
When the coating operation is performed under the above conditions, the deposition rate of the particle prevention film is 500 nm / min, and one coating operation is completed in about 72 seconds. Moreover, the amount of sputtering of aluminum at one time is about 600 nm.
The conditions for the removal operation include the following conditions.
・ Gas: Argon
・ Gas flow rate: 30cc / min
・ Pressure: 0.5Pa
・ Sputtering power: 6kW
[0060]
Next, the effect of the present embodiment under the above conditions will be described.
First, under the above conditions, when the number of film forming processes on the substrate 9 exceeds 500, the generation of particles becomes 50 or more. Therefore, after the film forming process is performed on 500 substrates 9, the covering operation and the removing operation are performed. To do. Thereby, the generation of particles can be suppressed to 10 or less. And after performing the film-forming process of the board | substrate 9 500 times again, covering operation and removal operation are performed. In this way, every time the film forming process is performed 500 times, one covering operation and removing operation are performed.
[0061]
However, if the cycle of performing one covering operation and removing operation is repeated every time the film forming process is performed 500 times, the total film thickness of the deposited film deposited on the deposition shield 47 and the particle generation preventing film is as follows. It will increase. If this thickness exceeds a certain limit, these films deposited on the deposition shield 47 may be peeled off due to their own weight or the like, and the amount of particles generated may exceed the limit.
Specifically, when the film forming process and the covering operation are performed under the above-described conditions, the film forming process is limited to 2500 times (the covering operation and the removing operation are each 5 times), and the film forming process is performed further. And particle generation will be 50 or more. Therefore, after performing the film forming process 2500 times, the deposition shield 47 is replaced with a new deposition shield 47. In the conventional case, the deposition shield 47 is replaced after the film formation process is performed 500 times, and it can be seen that the productivity is dramatically increased as compared with this.
[0062]
In the present embodiment related to the configuration and operation described above, the covering member 71 and the shielding member 8 are arranged in the in-lock cassette 51 and configured to be brought into the sputter chamber 4 by the transfer robot 11. As a method other than the above, the following configuration is also possible.
First, a dedicated accommodating member that accommodates the covering member 71 and the shielding member 8 may be provided in the separation chamber 1, and the covering member 71 and the shielding member 8 may be stored in the separation chamber 1. Further, one of the vacuum chambers around the separation chamber 1 may be a dedicated chamber for accommodating the covering member 71 and the shielding member 8.
[0063]
Further, the covering member 71 may be always provided in the sputtering chamber 4. Specifically, the covering member 71 is configured to be exchangeably fixed to the inner wall of the sputtering chamber 4. And sputter discharge is produced in the position where the covering member 71 is sputtered. The cover member 71 is covered with a shield so that sputter particles do not adhere to the cover member 71 or the cover member 71 is not sputtered during normal sputtering. Then, when performing the covering operation, the shield is removed and the covering member 71 is etched by the plasma. Compared to this configuration, the configuration of the above-described embodiment is superior in that there is no complexity of the configuration such as providing a shield.
[0064]
In addition, as the coating transport system and the shielding transport system, a dedicated system may be provided instead of the substrate transport system. When a dedicated transport system is provided, it is not necessary to have a size and shape that is substantially the same as that of the substrate 9 so that it can be transported by the substrate transport system. However, if the substrate transport system is also used, there is an advantage that the mechanism is simplified and the entire apparatus can be downsized. In addition, as another configuration of the covering member 71, a thin plate of a covering material formed on the surface of a plate material that is the same as, equivalent to, or similar to that of the substrate 9 can be used.
[0065]
Further, as the substrate sputtering power source 43 and the coating sputtering power source 73, a negative DC power source is used, but a high frequency power source may be used. Further, although the substrate sputtering power source 73 is connected to the substrate holder 44, a coating electrode may be provided in the sputtering chamber 4 separately from the substrate holder 44. In this case, the covering sputtering power source 73 is connected to the electrode, and the covering member 71 is carried in contact with the electrode. However, it is preferable that the substrate holder 44 is also used as a coating electrode because the structure in the sputtering chamber can be simplified.
Moreover, although the above apparatus is for photomask manufacturing, it can be similarly applied to LSI manufacturing and the like.
[0066]
【The invention's effect】
  As described above, according to the invention described in each claim of the present application, an effective configuration for suppressing the generation of particles is provided, and at the same time, there is an advantage that productivity is not lowered.
  Claim 2 or4According to the described invention, in addition to the above effects, the problem that the thin film formed on the surface of the substrate is soiled by the sputtered particles for coating is prevented.
  According to the invention described in claim 3, in addition to the above effect, the coating operation is performed by magnetron sputtering, so that the coating operation is completed in a short time and the magnet for magnetron sputtering has a magnet for coating. Therefore, there is an effect that there is no problem of affecting the normal film forming process or complicating the structure of the substrate holder or the like.
  Further, according to the fifth aspect of the invention, in addition to the above effect, since the substrate transport system is also used as the coating transport system, an effect that the mechanism is simplified can be obtained.
  Further, according to the invention described in claim 6, in addition to the above effect, since the covering member is used for the coating operation a plurality of times without being taken out to the atmosphere, there is a problem caused by atmospheric impurities being brought into the sputtering chamber. Is suppressed.
  According to the seventh aspect of the invention, in addition to the above effect, since the substrate holder is also used as a coating electrode, an effect of simplifying the structure in the sputtering chamber can be obtained.
  Claims8According to the described invention, in addition to the above effects, the adhesion of the sputtered particles for coating to the back surface of the substrate is suppressed, so that the effect of preventing the generation of particles due to this can be obtained.
  Claims9According to the described invention, in addition to the above-described effects, the shielding member is used for the removal operation a plurality of times without being taken out to the atmosphere, so that problems due to atmospheric impurities being brought into the sputtering chamber are suppressed.
  Claims10According to the described invention, in addition to the above-described effect, the substrate transport system is also used as the shielding transport system, so that an effect of being mechanically simplified can be obtained.
  Claims11According to the described invention, in addition to the above effects, since the cassette in the lock is also used as the housing member for the covering member or the housing member for the shielding member, it is structurally simple compared to the case where the housing member is separately provided. The effect of becoming is obtained.
  Claims12According to the described invention, in addition to the above effects, the arrival of the replacement time of the covering member or the shielding member is displayed, so problems due to the use of the covering member or the shielding member exceeding the limit are suppressed. The effect that it is done is acquired.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic plan view illustrating a configuration of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic sectional view taken along line XX of the apparatus shown in FIG.
3 is a schematic front sectional view of a covering member 71. FIG.
4 is a schematic plan sectional view of the covering member 71 of FIG. 3;
FIG. 5 is a flowchart for explaining an outline of a program provided in the control unit 25;
[Explanation of symbols]
1 Separation chamber
10 Gate valve
11 Transport robot
2 Pretreatment etching chamber
3 Preheat chamber
4 Sputter chamber
41 Target
42 Magnet mechanism
43 Sputtering power supply for substrate
44 Substrate holder
45 Gas introduction system
46 Exhaust system
47 Protection shield
5 Load lock chamber
51 Cassette in lock
52 Lifting mechanism
6 Autoloader
61 External cassette
71 Covering member
711 Member body
712 Center magnet
713 Peripheral magnet
714 York
72 Sputtering power supply for coating
73 switch
8 Shielding member
9 Board

Claims (13)

スパッタチャンバー内に基板を配置するとともにターゲットをスパッタして基板の表面に成膜処理を施すスパッタリング装置において、ターゲットの材料より小さな応力で膜が堆積する材料から成る被覆用部材をスパッタチャンバー内に配置するとともに、この被覆用部材をスパッタし、前記成膜処理の際にスパッタチャンバー内の基板以外の表面に堆積した薄膜を被覆用部材の材料の薄膜で被覆する被覆オペレーションを行うとともに、この被覆オペレーションの後、基板をスパッタチャンバーに搬入することなくターゲットをスパッタすることで、前記被覆オペレーションの際に被覆用部材から放出されてターゲットに付着したスパッタ粒子をターゲットから弾き出して除去する除去オペレーションを行うことを特徴とするパーティクル発生防止方法。In the sputtering apparatus for performing a film forming process by sputtering the target to the surface of the substrate with placing a substrate in a sputter chamber, placing a covering member made of a material film with a small stress than the material of the target is deposited in a sputter chamber as well as, to sputter the coating member, performs coating operations for coating a thin film deposited on a surface other than the substrate within the sputtering chamber during the deposition process with a thin film of material of the cover member, the coating operation Thereafter, the target is sputtered without carrying the substrate into the sputter chamber, and a removal operation is performed in which the sputtered particles released from the coating member and adhered to the target during the coating operation are ejected from the target and removed. Particles featuring Raw prevention method. スパッタチャンバー内に基板を配置するとともにターゲットをスパッタして基板の表面に成膜処理を施すスパッタリング方法において、前記成膜処理の後、ターゲットの材料より小さな応力で膜が堆積する材料から成る被覆用部材をスパッタチャンバー内に配置するとともにこの被覆用部材をスパッタし、前記成膜処理の際にスパッタチャンバー内の基板以外の表面に堆積した薄膜を被覆用部材の材料の薄膜で被覆する被覆オペレーションを行うとともに、この被覆オペレーションの後、基板をスパッタチャンバーに搬入することなくターゲットをスパッタすることで、前記被覆オペレーションの際に被覆用部材から放出されてターゲットに付着したスパッタ粒子をターゲットから弾き出して除去する除去オペレーションを行い、その後、基板をスパッタチャンバー内に搬入して前記成膜処理を行うことを特徴とするスパッタリング方法。In a sputtering method in which a substrate is placed in a sputtering chamber and a target is sputtered to form a film on the surface of the substrate. After the film forming process , the coating is made of a material on which a film is deposited with a smaller stress than the target material. A coating operation is performed in which a member is placed in the sputtering chamber and the coating member is sputtered, and the thin film deposited on the surface other than the substrate in the sputtering chamber is coated with a thin film of the coating member material. After the coating operation, the target is sputtered without carrying the substrate into the sputtering chamber, so that the sputtered particles released from the coating member and adhered to the target during the coating operation are ejected from the target and removed. Perform a removal operation, and then Sputtering method and performing the film forming process to be carried into the sputtering chamber. 排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に基板を保持する基板ホルダーと、ターゲットの被スパッタ面を臨む空間に電界を設定してスパッタ放電を生じさせる基板用スパッタ電源とを備え、スパッタ放電によりスパッタされたターゲットから放出されるスパッタ粒子を基板の表面に到達させて基板の表面に成膜処理を施すスパッタリング装置であって、
前記成膜処理の際にスパッタチャンバー内の基板以外の表面に堆積した膜である成膜時堆積膜の表面に、その成膜時堆積膜より小さな応力で堆積する膜であるパーティクル防止膜を堆積させて被覆する被覆手段を有しており、
前記被覆手段は、成膜時堆積膜より小さな応力で膜が堆積する材料から成る被覆用部材と、この被覆用部材をスパッタチャンバー内の所定位置に搬送する被覆用搬送系と、前記スパッタチャンバー内に搬送された被覆用部材をスパッタするスパッタ放電を発生させる被覆用スパッタ電源とから成るものであり、
前記被覆用部材は、前記被覆用スパッタ電源によるスパッタ放電をマグネトロン放電とするための磁石を備えていることを特徴とするスパッタリング装置。 Sputter discharge comprising a sputter chamber with an exhaust system, a substrate holder for holding a substrate in the sputter chamber , and a sputter power source for the substrate that generates a sputter discharge by setting an electric field in the space facing the surface to be sputtered of the target. the sputtering particles emitted from the sputtered target to reach the surface of the substrate a sputtering apparatus for performing a film forming process on the surface of the substrate by,
A particle prevention film is deposited on the surface of the deposited film during deposition, which is a film deposited on a surface other than the substrate in the sputtering chamber during the deposition process, with a smaller stress than the deposited film during deposition. Having a coating means for coating ,
The coating means includes a coating member made of a material on which a film is deposited with a stress smaller than that of the deposited film at the time of film formation, a coating transport system for transporting the coating member to a predetermined position in the sputtering chamber, And a coating sputtering power source for generating sputtering discharge for sputtering the coating member conveyed to
The said coating member is equipped with the magnet for making the sputtering discharge by the said sputtering power supply for a coating into a magnetron discharge, The sputtering device characterized by the above-mentioned. 排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内に基板を保持する基板ホルダーと、ターゲットの被スパッタ面を臨む空間に電界を設定してスパッタ放電を生じさせる基板用スパッタ電源とを備え、スパッタ放電によりスパッタされたターゲットから放出されるスパッタ粒子を基板の表面に到達させて基板の表面に成膜処理を施すスパッタリング装置であって、Sputter discharge comprising a sputter chamber with an exhaust system, a substrate holder for holding a substrate in the sputter chamber, and a sputter power source for a substrate that generates a spatter discharge by setting an electric field in the space facing the surface to be sputtered of the target. A sputtering apparatus for causing a sputtered particle emitted from a target sputtered by the target to reach the surface of the substrate and performing a film forming process on the surface of the substrate,
前記成膜処理の際にスパッタチャンバー内の基板以外の表面に堆積した膜である成膜時堆積膜の表面に、その成膜時堆積膜より小さな応力で堆積する膜であるパーティクル防止膜を堆積させて被覆する被覆手段を有していおり、  A particle prevention film is deposited on the surface of the deposited film during deposition, which is a film deposited on a surface other than the substrate in the sputtering chamber during the deposition process, with a smaller stress than the deposited film during deposition. Having a coating means for coating,
前記被覆手段は、成膜時堆積膜より小さな応力で膜が堆積する材料から成る被覆用部材と、この被覆用部材をスパッタチャンバー内の所定位置に搬送する被覆用搬送系と、前記スパッタチャンバー内に搬送された被覆用部材をスパッタするスパッタ放電を発生させる被覆用スパッタ電源とから成るものであり、  The coating means includes a coating member made of a material on which a film is deposited with a stress smaller than that of the deposited film at the time of film formation, a coating transport system for transporting the coating member to a predetermined position in the sputtering chamber, And a coating sputtering power source for generating sputtering discharge for sputtering the coating member conveyed to
さらに、  further,
装置全体を制御する制御部が設けられており、この制御部は、前記被覆手段によるパーティクル防止膜の堆積の後、前記基板を前記スパッタチャンバーに搬送することなく前記基板用スパッタ電源を動作させて、前記ターゲットに付着した前記被覆用部材からのスパ  A control unit for controlling the entire apparatus is provided, and this control unit operates the sputtering power source for the substrate without transporting the substrate to the sputtering chamber after the deposition of the particle prevention film by the coating means. The spa from the covering member attached to the target ッタ粒子である被覆用スパッタ粒子を弾き出す除去オペレーションが行われるよう前記基板用スパッタ電源を制御する制御プログラムを有していることを特徴とするスパッタリング装置。A sputtering apparatus, comprising: a control program for controlling the substrate sputtering power supply so as to perform a removal operation for ejecting the coating sputtering particles which are the scattering particles. 前記被覆用搬送系は、前記スパッタチャンバー内に前記基板を搬送する基板搬送系が兼用されていることを特徴とする請求項３又は４に記載のスパッタリング装置。The sputtering apparatus according to claim 3, wherein the coating transport system is also used as a substrate transport system for transporting the substrate into the sputtering chamber. 前記被覆用部材を、前記スパッタチャンバーと真空が連通するように設けられた他の真空チャンバー内に収容する収容部材が設けられており、前記被覆用搬送系は、この他の真空チャンバーと前記スパッタチャンバー内との間で前記被覆用部材を搬送するものであることを特徴とする請求項３、４又は５に記載のスパッタリング装置。An accommodating member is provided for accommodating the covering member in another vacuum chamber provided so that a vacuum communicates with the sputtering chamber, and the covering transport system includes the other vacuum chamber and the sputtering member. The sputtering apparatus according to claim 3, 4, or 5 , wherein the covering member is transported between the inside of the chamber. 前記被覆用部材を前記スパッタチャンバーの所定位置に配置するものとして前記基板ホルダーが兼用されており、前記被覆用スパッタ電源は前記基板ホルダーに接続されていることを特徴とする請求項３乃至６いずれかに記載のスパッタリング装置。Wherein said substrate holder are shared the covering member as being disposed at a predetermined position of said sputtering chamber, said coating sputter power one of claims 3 to 6, characterized in that it is connected to the substrate holder sputtering apparatus of crab described. 前記除去オペレーションの際、前記基板ホルダーの表面のうち前記基板が接触する領域を、前記ターゲットから弾き出された前記被覆用スパッタ粒子から遮蔽する遮蔽用部材を有していることを特徴とする請求項４記載のスパッタリング装置。The shielding member for shielding a region of the surface of the substrate holder, which is in contact with the substrate, from the sputtered particles for coating ejected from the target during the removal operation. 4. The sputtering apparatus according to 4 . 前記遮蔽用部材は前記基板と同様の寸法形状の板状の部材であって、この遮蔽用部材を、前記スパッタチャンバーに真空が連通するように設けられた他の真空チャンバー内に収容する収容部材と、この他の真空チャンバーとスパッタチャンバーとの間で前記遮蔽用部材を搬送する遮蔽用搬送系とが設けられていることを特徴とする請求項８記載のスパッタリング装置。The shielding member is a plate-like member having the same size and shape as the substrate, and the shielding member accommodates the shielding member in another vacuum chamber provided so that a vacuum communicates with the sputtering chamber. 9. A sputtering apparatus according to claim 8 , further comprising a shielding transport system for transporting the shielding member between the other vacuum chamber and the sputtering chamber. 前記遮蔽用搬送系は、前記スパッタチャンバー内に前記基板を搬送する基板搬送系が兼用されていることを特徴とする請求項９記載のスパッタリング装置。The sputtering apparatus according to claim 9, wherein the shielding transport system is also used as a substrate transport system for transporting the substrate into the sputtering chamber. 前記スパッタチャンバーと大気側との間の前記基板の搬送の際に前記基板が一時的に滞留するチャンバーであるロードロックチャンバーが設けられているとともに、このロードロックチャンバー内には、複数の基板を一時的に収容するロック内カセットが設けられており、前記収容部材は、このロック内カセットが兼用されていることを特徴とする請求項６又は請求項９記載のスパッタリング装置。A load lock chamber, which is a chamber in which the substrate temporarily stays when the substrate is transported between the sputtering chamber and the atmosphere side, is provided, and a plurality of substrates are included in the load lock chamber. The sputtering apparatus according to claim 6 or 9 , wherein an in-lock cassette that is temporarily accommodated is provided, and the accommodating member also serves as the in-lock cassette. 前記被覆用部材又は前記遮蔽用部材を前記収容部材から取り出して交換する時期が到来した旨の表示を行う表示部を有していることを特徴とする請求項６、９又は１１記載のスパッタリング装置。The covering member or sputtering apparatus of claim 6, 9 or 11, wherein a time to replace the shielding member is taken out from the accommodating member has a display unit for displaying the effect that the incoming . 排気系を備えたスパッタチャンバーと、スパッタチャンバー内の所定位置に基板を保持するための基板ホルダーと、スパッタチャンバー内に被スパッタ面が露出するよう設けられたターゲットと、ターゲットの被スパッタ面を臨む空間に電界を設定してスパッタ放電を生じさせる基板用スパッタ電源とを備えてスパッタ放電によりスパッタされたターゲットから放出されるスパッタ粒子を基板に到達させて基板の表面に成膜処理を施すスパッタリング装置に使用される被覆用部材であるとともに、基板ホルダーに基板に代えて保持される被覆用部材であって、前記成膜処理の際にスパッタチャンバー内の基板以外の表面に堆積した膜である成膜時堆積膜より小さな応力で膜が堆積する材料から成る部材本体と、基板ホルダーを介してスパッタ放電用の電界が設定された際にその放電をマグネトロン放電にする磁石とから成り、スパッタ放電によって放出するスパッタ粒子が堆積させる膜により前記成膜時堆積膜が被覆されるものであることを特徴とする被覆用部材。  A sputtering chamber provided with an exhaust system, a substrate holder for holding the substrate at a predetermined position in the sputtering chamber, a target provided so that the sputtering target surface is exposed in the sputtering chamber, and the sputtering target surface of the target. A sputtering apparatus having a sputtering power supply for a substrate that generates an electric field in a space to generate a sputter discharge, and causes a sputtered particle emitted from a target sputtered by the sputter discharge to reach the substrate to perform a film forming process on the surface of the substrate And a coating member that is held in place of the substrate by the substrate holder and deposited on the surface other than the substrate in the sputtering chamber during the film formation process. Sputtering via a substrate holder and a substrate body made of a material that deposits the film with less stress than the deposited film A magnet that discharges a magnetron discharge when an electric field is set, and the deposited film is coated with a film on which sputtered particles emitted by the sputter discharge are deposited. A covering member.
JP2001359878A 2001-11-26 2001-11-26 Method for preventing particle generation in sputtering apparatus, sputtering method, sputtering apparatus, and covering member Expired - Fee Related JP4099328B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001359878A JP4099328B2 (en) 2001-11-26 2001-11-26 Method for preventing particle generation in sputtering apparatus, sputtering method, sputtering apparatus, and covering member

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001359878A JP4099328B2 (en) 2001-11-26 2001-11-26 Method for preventing particle generation in sputtering apparatus, sputtering method, sputtering apparatus, and covering member

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003160854A JP2003160854A (en) 2003-06-06
JP4099328B2 true JP4099328B2 (en) 2008-06-11

Family

ID=19170795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001359878A Expired - Fee Related JP4099328B2 (en) 2001-11-26 2001-11-26 Method for preventing particle generation in sputtering apparatus, sputtering method, sputtering apparatus, and covering member

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4099328B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4930964B2 (en) * 2005-05-20 2012-05-16 Ｈｏｙａ株式会社 Method for manufacturing phase shift mask blank and method for manufacturing phase shift mask
JP2007025118A (en) * 2005-07-14 2007-02-01 Seiko Epson Corp Manufacturing device of alignment layer, liquid crystal device, and electronic appliance
US20140272684A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor
JP6762207B2 (en) * 2016-11-22 2020-09-30 株式会社アルバック Film formation method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003160854A (en) 2003-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2002065532A1 (en) Method for treating object to be treated and apparatus for treating the same
KR20100049686A (en) Vacuum thin film forming apparatus
WO2000018979A9 (en) Sputter deposition apparatus
JP2002525437A (en) Sputter deposition equipment
JPH03170671A (en) Sputtering device, method and device for exchanging target
JP4473410B2 (en) Sputtering apparatus and film forming method
JP4695297B2 (en) Thin film forming apparatus and load lock chamber
JPH10237638A (en) Back sputtering shield
JP2001214264A (en) Coil for sputter deposition
JP4099328B2 (en) Method for preventing particle generation in sputtering apparatus, sputtering method, sputtering apparatus, and covering member
WO2009157228A1 (en) Sputtering apparatus, sputtering method and light emitting element manufacturing method
TWI343419B (en) Target backing plate for sputtering system
JP3254482B2 (en) Plasma processing apparatus and cleaning method thereof
US6620298B1 (en) Magnetron sputtering method and apparatus
JPH11269644A (en) Method for preventing particle generation and sputtering apparatus
JP4364335B2 (en) Sputtering equipment
JP3905584B2 (en) Sputtering apparatus and collimator deposit processing method
JP4902054B2 (en) Sputtering equipment
JP4437347B2 (en) Pretreatment etching apparatus and thin film forming apparatus
JPS60249329A (en) Spatter etching mechanism in vacuum treatment unit
JPH10265953A (en) Sputter film, liquid crystal element and their production
JP7134112B2 (en) Film forming apparatus and film forming method
JP2002302764A (en) Sputtering apparatus
JP2003073801A (en) Sputtering apparatus and manufacturing method therefor
JP2023084589A (en) Sputtering device and controlling method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041126

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070702

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070710

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070910

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080219

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080317

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4099328

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110321

Year of fee payment: 3

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070910

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110321

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120321

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120321

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130321

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140321

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees