JP4071201B2 - Switch matrix - Google Patents
Switch matrix Download PDFInfo
- Publication number
- JP4071201B2 JP4071201B2 JP2004041434A JP2004041434A JP4071201B2 JP 4071201 B2 JP4071201 B2 JP 4071201B2 JP 2004041434 A JP2004041434 A JP 2004041434A JP 2004041434 A JP2004041434 A JP 2004041434A JP 4071201 B2 JP4071201 B2 JP 4071201B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input
- output
- switch
- switches
- transmission line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 50
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 126
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 21
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 21
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
本発明は、入力信号を任意の出力に切り替えて出力する多入力多出力スイッチマトリックスに関し、概ね数GHzまたは数Gbit/s程度以上の信号を切り替え可能な高周波スイッチに関わる。 The present invention relates to a multi-input multi-output switch matrix that switches an input signal to an arbitrary output for output, and relates to a high-frequency switch that can switch a signal of approximately several GHz or several Gbit / s or more.
図8、図9は下記特許文献1および非特許文献1で開示されている従来のスイッチマトリックスの回路構成を示す図である。図8は入力端子数および出力端子数が共に2の場合の2×2スイッチを、図9は入力端子数および出力端子数が共に4の場合の4×4スイッチを示している。これらのスイッチは入力端子および出力端子毎に1入力2出力/2入力1出力あるいは1入力4出力/4入力1出力のスイッチを備え、これらのスイッチ出力端子間を4本または16本のインタコネクション用伝送線路で接続することにより構成している。 FIG. 8 and FIG. 9 are diagrams showing a circuit configuration of a conventional switch matrix disclosed in Patent Document 1 and Non-Patent Document 1 below. FIG. 8 shows a 2 × 2 switch when both the number of input terminals and the number of output terminals are two, and FIG. 9 shows a 4 × 4 switch when both the number of input terminals and the number of output terminals are four. These switches have 1 input, 2 output, 2 input, 1 output or 1 input, 4 output, 4 input, 1 output switch for each input terminal and output terminal, and 4 or 16 interconnections between these switch output terminals. It is configured by connecting with a transmission line for use.
このスイッチマトリックスの動作を図8の2×2スイッチを参照して説明する。第1の入力端子11から入力される信号は、第1の入力用伝送線路101を介して第1の1入力2出力スイッチ31に入力される。この第1の1入力2出力スイッチ31において第1のインタコネクション用伝送線路711または第2のインタコネクション伝送線路81のどちらに信号を出力するかを選択する。
The operation of this switch matrix will be described with reference to the 2 × 2 switch in FIG. Signal input from the first input terminal 1 1 is input to the first one-input two-output switch 3 1 via the
第1のインタコネクション用伝送線路711への経路が選択された場合には、第1の2入力1出力スイッチ41は第1のインタコネクション用伝送線路711からの経路を選択し、第1の出力用伝送線路109を介して第1の出力端子21に信号を出力する。また、第2のインタコネクション用伝送線路81への経路が選択された場合には、第2の2入力1出力スイッチ42は第2のインタコネクション用伝送線路81からの経路を選択し、第2の出力用伝送線路1010を介して第2の出力端子22に信号を出力する。
If the path of the first to the
一方、第2の入力端子12から入力される信号は、第2の入力用伝送線路102を介して第2の1入力2出力スイッチ32に入力される。ここで第2の1入力2出力スイッチ32において、第1のインタコネクション用伝送線路712または第2のインタコネクション用伝送線路82のどちらに信号を出力するかを選択する。第1のインタコネクション用伝送線路712への経路が選択された場合には、第2の2入力1出力スイッチ42は第1のインタコネクション用伝送線路712からの経路を選択し、第2の出力用伝送線路1010を介して第2の出力端子22に信号を出力する。また、第2のインタコネクション用伝送線路82への経路が選択された場合には、第1の2入力1出力スイッチ41は第2のインタコネクション用伝送線路82からの経路を選択し、第1の出力用伝送線路109を介して第1の出力端子21に信号を出力する。
Meanwhile, the signal input from the second input terminal 1 2 is input a second to 1 input 2 output switch 3 2 via the second
ここで、第1および第2の1入力2出力スイッチ31、32と第1および第2の2入力1出力スイッチ41、42のスイッチング切替動作は、制御端子6からの制御信号をそれぞれ制御線51〜4および55〜8を介して入力することにより実現する。
また、入力端子数および出力端子数が共に3以上の場合のスイッチマトリックスの動作も上記と同様である。図9は入力端子数および出力端子数が共に4の場合を示しており、第1〜第4の入力端子11〜14、第1〜第4の入力用伝送線路101〜104、第1〜第4の1入力4出力スイッチ111〜114、第1〜第16のインタコネクション用伝送線路771〜7716、第1〜第4の4入力1出力スイッチ121〜124、第1〜第4の出力用伝送線路105〜108、第1〜第4の出力端子21〜24で構成される。なお、制御線および制御端子は図示していない。
これらの従来構成のスイッチマトリックスには以下の問題点がある。
Here, the switching operation of the first and second 1-input 2-output switches 3 1 , 3 2 and the first and second 2-input 1-output switches 4 1 , 4 2 is performed by supplying a control signal from the
The operation of the switch matrix when the number of input terminals and the number of output terminals are both 3 or more is the same as described above. FIG. 9 shows the case where the number of input terminals and the number of output terminals are both 4, and the first to fourth input terminals 1 1 to 1 4 , the first to fourth input
These conventional switch matrices have the following problems.
まず第1に、挿入損失の低減/高アイソレーション化と回路の小型化の両立が困難であるという問題点である。これはインタコネクション用伝送線路には有限の長さが必要であり、この有限の長さに伴う挿入損失の増加が少なからず存在することに起因する。伝送線路を例えばコプレーナ線路で構成すると、挿入損失を低減するには、中心導体幅および中心導体とグランド導体間のギャップを広げる必要がある。これはコプレーナ線路の特性インピーダンスが中心導体幅とギャップ間隔の比でほぼ一意的に決まってしまうためである。 First, there is a problem that it is difficult to achieve both reduction in insertion loss / high isolation and circuit miniaturization. This is due to the fact that a finite length is required for the interconnection transmission line, and there is a considerable increase in insertion loss due to this finite length. When the transmission line is constituted by a coplanar line, for example, it is necessary to widen the center conductor width and the gap between the center conductor and the ground conductor in order to reduce the insertion loss. This is because the characteristic impedance of the coplanar line is almost uniquely determined by the ratio between the center conductor width and the gap interval.
一方、スイッチマトリックスには、各経路間の高アイソレーション特性も要求される。ここで、コプレーナ線路間のアイソレーションは、線路間グランド幅を広げる程、大きくなる。従って、低損失かつ高アイソレーションな特性を実現するためには、中心導体幅およびグランド幅の両方を広くすることが必要になり、高密度に伝送線路を配置するスイッチマトリックスにおいては、結果的に各接続経路が長くなることが避けられず、中心導体幅を広げることによる挿入損失の低減効果が少なからず相殺されてしまう。 On the other hand, the switch matrix is also required to have high isolation characteristics between the paths. Here, the isolation between the coplanar lines increases as the inter-line ground width increases. Therefore, in order to realize low loss and high isolation characteristics, it is necessary to widen both the center conductor width and the ground width. As a result, in a switch matrix in which transmission lines are arranged at high density, The length of each connection path is unavoidable, and the effect of reducing the insertion loss by increasing the width of the center conductor is canceled out.
これは、回路の大型化も意味し、特に半導体基板にスイッチマトリックスを集積しようとした場合には、この回路の大型化はコスト増を招くという問題点も生じる。入力端子数および出力端子数を共にnとすると、接続経路数はnの2乗必要となることから、これらの問題はスイッチの規模が大きくなればなる程顕著になる。図9に示した4×4以上の規模のスイッチマトリックスではこれは非常に大きな問題である。 This also means an increase in the size of the circuit. In particular, when the switch matrix is to be integrated on the semiconductor substrate, the increase in the size of the circuit causes an increase in cost. If the number of input terminals and the number of output terminals are both n, the number of connection paths requires the square of n, so these problems become more prominent as the scale of the switch increases. In the switch matrix having a scale of 4 × 4 or more shown in FIG. 9, this is a very big problem.
第2に、各経路間の挿入損失を揃えることが困難であるという問題点である。図8に示した2×2スイッチにおいては、第1のインタコネクション用伝送線路711、712より第2のインタコネクション用伝送線路81、82の方が長い。したがって第2のインタコネクション用伝送線路を使用する経路の方が挿入損失が大きくなってしまう。これを回避するためには、第1のインタコネクション用伝送線路を長くするしかなく、結果として挿入損失の大きい経路に特性を揃えるしかないということになる。
Second, it is difficult to make the insertion loss between the paths uniform. In the 2 × 2 switch shown in FIG. 8, the second interconnection transmission lines 8 1 and 8 2 are longer than the first
さらに4×4スイッチでは、この問題は顕著になる。つまり、互いに対向するスイッチ同士を最短で接続する伝送線路(図9で771、776、7711、7716)と最も長い伝送線路(図9で774、7713)とでは約1.9倍も長さが異なる。16本の伝送線路の長さを揃えるためには、例えば図9において最も長い伝送線路(774、7713)以外の14本全ての伝送線路をこの長い線路に合わせて長くする必要があり、さらなる回路の大型化を招くばかりでなく、2×2スイッチと同様に結果として挿入損失の大きい経路に特性を揃えるしかないということになってしまう。これは、スイッチの規模が大きくなればなる程問題となる。 Furthermore, this problem becomes significant with 4 × 4 switches. In other words, the transmission line (77 1 , 77 6 , 77 11 , 77 16 in FIG. 9) and the longest transmission line (77 4 , 77 13 in FIG. 9) connecting the switches facing each other in the shortest are approximately 1. Nine times as long. In order to align the lengths of the 16 transmission lines, for example, all 14 transmission lines other than the longest transmission line (77 4 , 77 13 ) in FIG. In addition to incurring a further increase in circuit size, the result is that the characteristic must be aligned with a path with a large insertion loss as in the case of the 2 × 2 switch. This becomes a problem as the scale of the switch increases.
第3に入力端子数および出力端子数が増大すればするほど、接続経路同士の交差数が多くなり、アイソレーション特性が劣化してしまうという問題点である。2×2スイッチでは図8に示した第2のインタコネクション用伝送線路81、82の配線交差部9の1つだけであるが、図9に示した4×4スイッチマトリックスでは、実に36個もの配線交差部(91〜936)が存在することになる。このようにスイッチが大親模化すればする程、配線交差数が増大し、アイソレーション特性の劣化を招いてしまうことになる。
Thirdly, as the number of input terminals and output terminals increases, the number of intersections between connection paths increases and the isolation characteristics deteriorate. In the 2 × 2 switch, there is only one
第4にスイッチ制御線の増加によるアイソレーション特性の劣化を招いてしまうということである。図8に示した2×2スイッチの場合においても、例えば、各スイッチに2本づつの制御線が必要な場合、合計8本もの制御線(51〜58)が必要であり、これらは入力用伝送線路102および出力用伝送線路1010と交差せざるを得ず、この交差によりアイソレーション特性が劣化する。この劣化は前記のように入力、出力の両方にスイッチが必要な構成でより顕著になり、スイッチ規模が大きくなればなる程、問題となる。
Fourth, the isolation characteristic is deteriorated due to an increase in switch control lines. Also in the case of the 2 × 2 switch shown in FIG. 8, for example, when two control lines are required for each switch, a total of eight control lines (5 1 to 5 8 ) are required. it is inevitable to intersect the
第5に、スイッチをcoldFETで構成した場合、所要ゲート幅が2倍のサイズのFETが必要とされ、これに伴い回路が大型化してしまうということである。coldFETとはFETのソース/ドレインを等電位にし、ゲート電圧を制御することにより通過(ON)と遮断(OFF)の切替を行うスイッチであるが、このON時の損失はFETのon抵抗で決定される。図8、図9に示した従来例のように入出力の両方にスイッチを配置する構成では、入出力両方のスイッチのon抵抗値が効いてくることになる。したがって各スイッチに許容されるon抵抗値は、挿入損失から決定される所要値の1/2となる。このon抵抗はFETのゲート幅に反比例するため、2倍のゲート幅のFETが必要となり、回路の大型化を招いてしまう。また、この2倍のゲート幅のFETは2倍のoff容量を持つため反射損失の劣化を招く問題もある。 Fifth, when the switch is formed of a cold FET, an FET having a double required gate width is required, and the circuit is enlarged accordingly. A cold FET is a switch that switches between passing (ON) and blocking (OFF) by setting the source / drain of the FET to the same potential and controlling the gate voltage. The loss at this ON is determined by the on resistance of the FET. Is done. In the configuration in which switches are arranged for both input and output as in the conventional example shown in FIGS. 8 and 9, the on resistance values of both the input and output switches are effective. Therefore, the on resistance value allowed for each switch is ½ of the required value determined from the insertion loss. Since the on resistance is inversely proportional to the gate width of the FET, an FET having a double gate width is required, resulting in an increase in circuit size. In addition, since the FET having a double gate width has a double off capacitance, there is a problem in that the reflection loss is deteriorated.
以上の従来技術の問題点は、入力、出力の両方にそれぞれn個の1入力n出力/n入力1出力スイッチを配置していることに根本の原因があり、これらの間を接続するインタコネクション用伝送線路数がn2本も必要となることに起因する。 The above-mentioned problems of the prior art are caused by the fact that n 1-input n-output / n-input 1-output switches are arranged for both input and output, respectively. This is because n 2 transmission lines are required.
本発明の目的は上記従来の問題点を解決し、各経路間の損失のバラツキが少なく、低損失/高アイソレーションで大規模化が容易なスイッチマトリックスを提供することにある。 An object of the present invention is to solve the above-described conventional problems, and to provide a switch matrix that has little variation in loss between paths, and that is easy to increase in scale with low loss / high isolation.
上記目的を達成するため、請求項1記載のスイッチマトリックスは、第1および第2の1入力2出力スイッチまたは2入力1出力スイッチと第1および第2の入力端子と第1および第2の出力端子と2個の第1の接続経路と2個の第2の接続経路を備え、前記第1と第2の1入力2出力スイッチの出力または第1と第2の2入力1出力スイッチの入力を所定の間隔で向かい合わせに配置し、前記2個の第1の接続経路で前記第1と第2の1入力2出力スイッチの出力同士または前記第1と第2の2入力1出力スイッチの入力同士をそれぞれ接続し、前記2個の第2の接続経路は、一端が第1および第2の出力端子または第1および第2の入力端子にそれぞれ接続され、他端が前記2個の第1の接続経路にそれぞれ接続され、前記第2の接続経路の一方は、当該接続経路が接続されていない第1の接続経路と交差してなり、前記2個の第1の接続経路の長さが所望の動作周波数における伝送線路内波長の1/36以下となるように構成した。 In order to achieve the above object, the switch matrix according to claim 1 includes a first and second one-input two-output switch or two-input one-output switch, first and second input terminals, and first and second outputs. A terminal, two first connection paths, and two second connection paths, the outputs of the first and second one-input two-output switches or the inputs of the first and second two-input one-output switches were placed face to face at a predetermined interval, the two first connection paths the first and the output or between the first second 1 input 2 output switch of the second 2-input 1-output switch Inputs are connected to each other, and one end of each of the two second connection paths is connected to the first and second output terminals or the first and second input terminals, and the other end is connected to the two second connection paths. are respectively connected to one of the connection path, said second connection via One is made to intersect with the first connection path to which the connection path is not connected, 1/36 or less of the transmission line in a wavelength length of the two first connection paths at the desired operating frequency of the It comprised so that it might become.
請求項2のスイッチマトリックスは、請求項1に記載のスイッチマトリックスにおいて、前記1入力2出力スイッチまたは2入力1出力スイッチはソース/ドレイン間をゲート電圧によりオン、オフする少なくとも2個以上のFETを用いて構成した。 The switch matrix according to claim 2 is the switch matrix according to claim 1, wherein the one-input two-output switch or the two-input one-output switch includes at least two FETs that are turned on and off by a gate voltage between the source and the drain. Used to configure.
請求項3記載のスイッチマトリックスは、n個の1入力n出力スイッチ(nは4以上の偶数)とn2/2個の第3の接続経路とn個の第4の接続経路とn個の入力端子とn個の出力端子を備え、前記n個の1入力n出力スイッチをn/2個づつ2グループに分割し、これら2グループの1入力n出力スイッチの出力側を所定の間隔で向い合せに配置し、それぞれn/2個のスイッチペアを形成し、前記n個の入力端子は、前記n個の1入力n出力スイッチの入力にそれぞれ接続され、前記出力側が向い合せに配置されたn/2個のスイッチペアの出力同士を前記n2/2個の第3の接続経路でそれぞれ接続し、前記n個の第4の接続経路の一端が前記n個の出力端子にそれぞれ接続され、他端を前記n2/2個の第3の接続経路のうち、前記n/2個の各スイッチペアに対する各接続経路から1箇所づつ接続した構成とした。 Switch matrix according to claim 3 is, n pieces of 1 input n-output switch (n is an even number of 4 or more) and n 2/2 pieces of the third connection path and n of the fourth individual connection paths and the n An input terminal and n output terminals are provided. The n one-input n-output switches are divided into two groups of n / 2 pieces, and the output sides of the two groups of one-input n-output switches face each other at a predetermined interval. N / 2 switch pairs are formed, the n input terminals are respectively connected to the inputs of the n 1-input n-output switches, and the output side is arranged facing each other. the outputs of the n / 2 pieces of switch pairs connected respectively by the n 2/2 pieces of the third connection path, one end of said n fourth connection path is connected to each of the n output terminals among the other end of the n 2/2 pieces of the third connection path, Serial has a structure which is connected one by one point from the connection path for n / 2 pieces of each pair of switches.
請求項4に記載のスイッチマトリックスは、請求項3に記載のスイッチマトリックスにおいて、n個の前記1入力n出力スイッチの代わりにn個のn入力1出力スイッチを用い、前記分割された2グループのn入力1出力スイッチの入力側を所定の間隔で向い合わせに配置してn/2個のスイッチペアを形成し、前記入力側が向かい合わせに配置されたn/2個のスイッチペアの入力同士を前記n2/2個の第3の接続経路でそれぞれ接続し、前記n個の出力端子は、前記n個のn入力1出力スイッチの出力にそれぞれ接続され、前記n個の第4の接続経路の1端が前記n個の入力端子にそれぞれ接続され、他端を前記n2/2個の第3の接続経路のうち、前記n/2の各スイッチペアに対する各接続経路から1箇所づつ接続して構成した。 The switch matrix according to claim 4 is the switch matrix according to claim 3 , wherein n n-input 1-output switches are used instead of n 1-input n-output switches, and the two divided groups are divided. The input side of the n-input 1-output switch is arranged to face each other at a predetermined interval to form n / 2 switch pairs, and the inputs of the n / 2 switch pairs in which the input sides are arranged face-to-face wherein n 2/2 pieces of third respectively connected with the connection path, the n output terminals, the connected n pieces of n input 1 to the output of the output switch, the n fourth connection path 1 end connected respectively to said n input terminals, among the other end of the n 2/2 pieces of the third connection path, one location at a time connection from the connection path for each switch pair of said n / 2 I have configured to .
請求項5に記載のスイッチマトリックスは、請求項3または請求項4に記載のスイッチマトリックスにおいて、前記1入力n出力スイッチまたはn入力1出力スイッチはソース/ドレイン間をゲート電圧によりオンオフする少なくともn個以上のFETを用いて構成した。
The switch matrix according to
請求項6に記載のスイッチマトリックスは、請求項1乃至請求項5の何れかに記載のスイッチマトリックスにおいて、前記各スイッチ、接続経路および入力端子および出力端子を同一半導体基板上に形成した。
Switch matrix according to
本発明に係わるスイッチマトリックスは、入出力どちらか一方にスイッチを備え、互いに所定の間隔で出力側を対向して配置したスイッチペアを並列に並べ、この所定の間隔にインタコネクション用伝送線路を配置したことを最も主要な特長とする。 The switch matrix according to the present invention has a switch on either one of the input and output sides, arranges a pair of switches arranged in parallel with each other facing the output side at a predetermined interval, and arranges an interconnection transmission line at this predetermined interval. This is the main feature.
このため、入力および出力の両方にスイッチを備える従来技術と比較して、
1)所要スイッチ数の半減、
2)所要スイッチ制御線の半減、
3)インタコネクション用伝送線路数の削減、およびインタコネクション用伝送線路長の短縮、
4)インタコネクション用回路サイズの削減、
5)インタコネクション用伝送線路の交差部の削減、
6)所要ゲート幅の半減(coldFETスイッチを適用する場合)、
が可能になり、スイッチマトリックスの低損失化、挿入損失の経路依存性の低減、高アイソレーション化、小型化、入出力数の増大(大規模化)、広帯域化および経済化を達成することができる。
For this reason, compared to the prior art with switches on both input and output,
1) Half the required number of switches,
2) Half the required switch control line,
3) Reduction of the number of transmission lines for interconnection and shortening of the length of transmission lines for interconnection,
4) Reduction of circuit size for interconnection,
5) Reduction of intersections of interconnection transmission lines,
6) Half the required gate width (when using a cold FET switch),
It is possible to achieve low switching matrix loss, reduced path dependency of insertion loss, high isolation, downsizing, increase in the number of inputs and outputs (upscaling), wide bandwidth and economy. it can.
従って、無線通信システム用RFスイッチや1Gbit/sまたは10Gbit/sイーサネット(登録商標)用スイッチあるいはルータの小型高性能化に寄与するところが大である。 Therefore, it greatly contributes to the miniaturization and high performance of RF switches for wireless communication systems, 1 Gbit / s or 10 Gbit / s Ethernet (registered trademark) switches or routers.
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施の形態に係わるスイッチマトリックスを示す図である。本スイッチマトリックスは、第1および第2の入力端子11、12、第1および第2の入力用伝送線路101、102、第1および第2の1入力2出力スイッチ31、32、第1のインタコネクション用伝送線路711、712、第2のインタコネクション用伝送線路81、82、第1および第2の出力用伝送線路109、1010、および第1および第2の出力端子21、22とで構成されている。図1において、第2のインタコネクション用伝送線路81と82とはオーバレイ構造にして配線交差部9で交差している。図8に示した従来例との相違は、出力側に2入力1出力スイッチを配置せず、入力側のみに1入力2出力スイッチを配置し、所要のスイッチ数を半減したこと、およびインタコネクション用伝送線路をより短くし、かつ互いに等しい長さとなるように配置したことである。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a diagram showing a switch matrix according to the first embodiment of the present invention. The switch matrix includes first and second input terminals 1 1 , 1 2 , first and second
この第1の実施の形態におけるスイッチマトリックス動作は以下の通りである。第1の入力端子11から入力される信号は、第1の入力用伝送線路101を介して第1の1入力2出力スイッチ31に入力され、第1の出力端子21への接続経路である第1のインタコネクション用伝送線路711か、または第2の出力端子22への接続経路である第2のインタコネクション用伝送線路81に出力される。
The switch matrix operation in the first embodiment is as follows. Signal input from the first input terminal 1 1 is input to the first one-input two-output switch 3 1 via the
一方、第2の入力端子12から入力される信号は、第2の入力用伝送線路102を介して第2の1入力2出力スイッチ32に入力され、第1の出力端子21への接続経路である第2のインタコネクション用伝送線路82か、または第2の出力端子22への接続経路である第2のインタコネクション用伝送線路712に出力される。すなわち、インタコネクション用伝送線路711と82、および712と81はそれぞれ2入力1出力の合成手段を構成していることになる。
Meanwhile, the signal input from the second input terminal 1 2, the second through the
ここで、2×2スイッチマトリックスの動作を考えた場合、(入力端子11から出力端子21への接続;入力端子12から出力端子22への接続)または、(入力端子11から出力端子22への接続;入力端子12から出力端子21への接続)の2通りの状態をとることになる。前者の場合、第2のインタコネクション用伝送線路81、82のスイッチ接続端が開放(オープン)状態に、後者の場合、第1のインタコネクション用伝送線路711、712のスイッチ接続端が開放(オープン)状態になり、これらのインタコネクション用伝送線路の長さが動作周波数帯の波長に比べて無視できない長さである場合、オープンスタブとしてスイッチ特性の劣化を招いてしまう。
Here, when the operation of the 2 × 2 switch matrix is considered, (connection from the input terminal 1 1 to the output terminal 2 1 ; connection from the input terminal 1 2 to the output terminal 2 2 ) or (from the input terminal 1 1 It will take the two states: connection) from the input terminal 1 2 to the output terminal 2 1; connected to the output terminal 2 2. In the former case, the switch connection ends of the second interconnection transmission lines 8 1 , 8 2 are in an open (open) state, and in the latter case, the switch connection ends of the first
この様子をシミュレーションしたのが図2である。横軸にインタコネクション用伝送線路長(伝送線路内における1波長に対する割合)、縦軸にインタコネクション用伝送線路長がゼロの時を基準にした挿入損失の劣化量と、反射損失およびアイソレーションをプロットしている。この図を見ると、インタコネクション用伝送線路が長くなればなる程、オープンスタブの影響が徐々に現われ、挿入損失が増大し、反射損失が減少することがわかる。一方、アイソレーションは反射損失の減少の裏返しで改善される。例えば、インタコネクション用伝送線路長を伝送線路内波長の1/36以下にした場合、反射損失の劣化を3.5dB、挿入損失の劣化を0.12dB以下に抑えることができる。これは10数GHz以下の周波数範囲において、GaAs等の半導体基板上にインタコネクション用伝送線路として容易に実現できるものである。 This situation is simulated in FIG. The horizontal axis shows the transmission line length for interconnection (ratio to one wavelength in the transmission line), and the vertical axis shows the amount of insertion loss degradation, reflection loss, and isolation when the transmission line length for interconnection is zero. Plotting. From this figure, it can be seen that as the transmission line for the interconnection becomes longer, the influence of the open stub appears gradually, the insertion loss increases, and the reflection loss decreases. On the other hand, isolation is improved by turning over the reduction in reflection loss. For example, when the length of the transmission line for interconnection is set to 1/36 or less of the wavelength within the transmission line, the deterioration of reflection loss can be suppressed to 3.5 dB and the deterioration of insertion loss can be suppressed to 0.12 dB or less. This can be easily realized as a transmission line for interconnection on a semiconductor substrate such as GaAs in a frequency range of 10 GHz or less.
ここで、図1の実施の形態のインタコネクション用伝送線路の長さは、従来例と比較して短く、かつ相互に長さが等しくなっていることがわかる。従って前記従来例と比較して挿入損失を低減できると共に経路毎の挿入損失を揃えることが可能になる。さらにスイッチを例えばcoldFETで構成した場合、図8に示した従来例の入出力の両方にスイッチを配置する構成と比較して、所要のゲート幅を半減することができ、上述したインタコネクション用伝送線路長の短縮と併せて回路面積の大幅な縮小が可能になる。
さらに、所要スイッチ数を半減できたことに伴い、制御線の数も半減でき、信号線である伝送線路との交差も回避できるため、これに起因するアイソレーション特性の劣化を避けることができる。
なお、入力端子と出力端子とを入替え、かつ1入力2出力スイッチを2入力1出力スイッチに置き換え、かつ、前記の4個の接続経路のうち2個の接続経路で構成されている2入力1出力の合成手段を1入力2出力分配手段とし、残りの2個の接続経路でもう一方の1入力2出力分配手段として構成しても構わない。
Here, it can be seen that the length of the interconnection transmission line in the embodiment of FIG. 1 is shorter than that of the conventional example and is equal to each other. Therefore, the insertion loss can be reduced as compared with the conventional example, and the insertion loss for each path can be made uniform. Furthermore, when the switch is configured by, for example, a cold FET, the required gate width can be halved as compared with the configuration in which the switch is arranged for both the input and output of the conventional example shown in FIG. Along with the shortening of the line length, the circuit area can be greatly reduced.
Furthermore, since the number of required switches can be halved, the number of control lines can be halved, and crossing with a transmission line as a signal line can be avoided, so that deterioration of isolation characteristics due to this can be avoided.
It should be noted that the input terminal and the output terminal are switched, the 1-input 2-output switch is replaced with a 2-input 1-output switch, and 2 input 1 configured by 2 connection paths among the 4 connection paths. The output combining means may be configured as 1-input 2-output distribution means, and the remaining two connection paths may be configured as the other 1-input 2-output distribution means.
[第2の実施の形態]
図3は、本発明の第2の実施の形態に係わるスイッチマトリックスを示す図である。本スイッチマトリックスは、第1および第2の入力端子11、12、第1および第2の入力用伝送線路101、102、第1および第2の1入力2出力スイッチ31、32、インタコネクション用伝送線路71、72、73、74、第1および第2の出力用伝送線路109、1010、1010’、および第1と第2の出力端子21、22とで構成されている。
[Second Embodiment]
FIG. 3 is a diagram showing a switch matrix according to the second embodiment of the present invention. The switch matrix includes first and second input terminals 1 1 , 1 2 , first and second
本スイッチマトリックスの実施の形態を第1の実施の形態との相違を中心に説明する。第1の実施の形態との最も主要な相違は、1入力2出力スイッチの出力側を互いに向い合せにして配置したことである。 The embodiment of the present switch matrix will be described focusing on the differences from the first embodiment. The most important difference from the first embodiment is that the output sides of the 1-input 2-output switch are arranged facing each other.
本実施の形態のスイッチマトリックスは、第1および第2の1入力2出力スイッチ31、32の出力側を所定の間隔で互いに向い合せにして配置し、出力同士をインタコネクション用伝送線路71および72と、インタコネクション用伝送線路73および74とでそれぞれ最短に直結したことを最も主要な特徴とする。また、出力端子21、22への接続は、それぞれ出力用伝送線路109をインタコネクション用伝送線路71、72の間に、出力用伝送線路1010’をインタコネクション用伝送線路73、74の間にそれぞれ接続することにより実現している。
In the switch matrix of the present embodiment, the output sides of the first and second 1-input 2-output switches 3 1 , 3 2 are arranged facing each other at a predetermined interval, and the outputs are connected to the interconnection transmission line 7. 1 and 7 2, and most important feature that is directly connected to the shortest respectively the interconnection transmission line 7 3 and 7 4. The output terminals 2 1 and 2 2 are connected to the
ここで、出力用伝送線路1010’を含むインタコネクション用伝送線路は、2つの1入力2出力スイッチの間に極めてコンパクトに配置しているため、その接続長を第1の実施の形態と比較して短くすることができる。例えば線幅10μm程度のコプレーナ線路を使用した場合、わずか100μm角以下程度の領域にレイアウト可能である。従って、OFF経路のオープンスタブの影響を緩和できると共に挿入損失を低減できるため、より一層の高周波動作が達成される。なお、出力用伝送線路1010’の存在により、経路間の挿入損失にバラツキが生じるが、1010’の長さを50μm程度以下にできるためほとんど問題とならない。
Here, the interconnection transmission line including the
図4は本実施の形態の変形例を示す図である。図4に示した実施の形態においては入力用伝送線路101および102を延伸し、入力端子11および12を一辺に集めることを可能にしている。ここで、この入力用伝送線路101および102の線幅をインタコネクション用伝送線路71〜74と比較して大幅に広く出来ることを利用し、低損失に伝送線路を引き回すことが可能になっている。したがって、入力および出力を対向から取出すように実装する必要がある場合などに、極めて有効な手段を提供することが出来る。
FIG. 4 is a diagram showing a modification of the present embodiment. In the embodiment shown in Figure 4 extends the
なお、前記と同様に、入力端子と出力端子とを入替え、かつ1入力2出力スイッチを2入力1出力スイッチに置き換えても構わない。 As described above, the input terminal and the output terminal may be interchanged, and the 1-input 2-output switch may be replaced with a 2-input 1-output switch.
[第3の実施の形態]
図5は本発明の第3の実施の形態に係わるスイッチマトリックスを示す図である。本マトリックススイッチは、第1〜第4の入力端子11〜14、第1〜第4の入力用伝送線路101〜104、第1〜第4の1入力4出力スイッチ111〜114、第1〜第16の第1のインタコネクション用伝送線路71〜716、第1〜第6の第2のインタコネクション用伝送線路81〜86、第1〜第4の出力用伝送線路105〜108、および第1〜第4の出力端子21〜24とで構成され、4入力4出力(4×4)スイッチマトリックスとして動作する。
[Third Embodiment]
FIG. 5 is a diagram showing a switch matrix according to the third embodiment of the present invention. This matrix switch includes first to fourth input terminals 1 1 to 1 4 , first to fourth
本実施の形態と図9に示した従来例との最も主要な相違点は、入力部のみに1入力4出力スイッチを配し、かつその出力を互いに対向させて配置したことである。これにより、所要スイッチ数の半減、インタコネクション用伝送線路数の削減、インタコネクション用伝送線路長の短縮および配線交差部の削減が可能になり、スイッチマトリックスの低損失化、挿入損失の経路依存性の低減、高アイソレーション化および小型化が可能になる。また、スイッチにcoldFETを使用する場合には、所要ゲート幅を半減できるため、より一層の回路の小型化に効果がある。 The main difference between the present embodiment and the conventional example shown in FIG. 9 is that a 1-input 4-output switch is arranged only in the input section and the outputs are arranged to face each other. This makes it possible to halve the required number of switches, reduce the number of interconnection transmission lines, shorten the length of interconnection transmission lines, and reduce wiring intersections. Lower switch matrix loss and path dependence of insertion loss Reduction, high isolation and downsizing. In addition, when a cold FET is used for the switch, the required gate width can be halved, which is effective in further downsizing the circuit.
本実施の形態によるスイッチマトリックスは、互いにその出力側を向い合せにして配置した1入力4出力スイッチペア(111、114)および(112、113)の出力同士を第1のインタコネクション用伝送線路8組(71および72)、(73および74)、(75および76)、(77および78)、(79および710)、(711および712)、(713および714)、(715および716)で最短に接続している。 In the switch matrix according to the present embodiment, the outputs of the 1-input 4-output switch pairs (11 1 , 11 4 ) and (11 2 , 11 3 ) arranged with their output sides facing each other are connected to each other as a first interconnection. 8 transmission lines (7 1 and 7 2 ), (7 3 and 7 4 ), (7 5 and 7 6 ), (7 7 and 7 8 ), (7 9 and 7 10 ), (7 11 and 7 12 ), (7 13 and 7 14 ), and (7 15 and 7 16 ).
出力端子21への接続は、第1のインタコネクション用伝送線路71、72間と79、710間を接続する第2のインタコネクション用伝送線路81に出力用伝送線路105を接続することにより実現する。出力端子22への接続は、第1のインタコネクション用伝送線路73、74間と711、712間を接続する第2のインタコネクション用伝送線路82に接続された伝送線路85を介して出力用伝送線路106を接続することにより実現する。出力端子23への接続は、第1のインタコネクション用伝送線路75、76間と713、714間を接続する第2のインタコネクション用伝送線路83に接続された伝送線路86を介して出力用伝送線路107を接続することにより実現する。出力端子24への接続は、第1のインタコネクション用伝送線路77、78間と715、716間を接続する第2のインタコネクション用伝送線路84に出力用伝送線路108を接続することにより実現する。
Connection to the output terminal 2 1, the first interconnection transmission line 71, 7 2 between and 7 9, 7 second interconnection transmission line 81 to the output transmission line which connects between 10 10 5 This is realized by connecting Connection to the output terminal 2 2, a first interconnection transmission line 7 3, 7 4 between and 7 11, 7 12 connects the second interconnection transmission line 82 connected to the transmission line 8 5 through realized by connecting the output transmission line 106. Connection to the output terminal 2 3, the first
ここで、インタコネクション用伝送線路の数は従来例の16本から12本に減少しており、また配線交差部9の数も図9に示した従来の36から図5に示すように14(91〜914)と半分以下に激減していることがわかる。さらに図示はしていないが、スイッチの制御線の数も半減でき、これらの制御線と信号線との交差数も半減できる。以上の2つの効果により、スイッチのアイソレーション特性を従来例より大幅に向上することが可能になる。
Here, the number of interconnection transmission lines is reduced from 16 in the conventional example to 12, and the number of
さらに、第1および第2のインタコネクション用伝送線路は、2つの1入力4出力スイッチペアの間にコンパクトに配置しているため、接続長を図9に示した従来の実施の形態と比較して大幅に短くすることができる。図5と図9は伝送線路を同一の線幅、線路間隔で図示しており、そのまま直接長さやサイズを比較できるようなっているが、最長経路同士のインタコネクション用伝送線路長を比較した場合、約1/4に短くすることができることがわかる。インタコネクション部の回路サイズも1/10以下にすることができる。 Furthermore, since the first and second interconnection transmission lines are compactly arranged between two 1-input 4-output switch pairs, the connection length is compared with that of the conventional embodiment shown in FIG. Can be significantly shortened. 5 and 9 show the transmission lines with the same line width and line spacing, and the lengths and sizes can be directly compared as they are, but when the transmission line lengths for the interconnections of the longest paths are compared It can be seen that it can be shortened to about 1/4. The circuit size of the interconnection part can also be reduced to 1/10 or less.
また、例えば線幅10μm程度のコプレーナ線路を使用した場合、このインタコネクション部はわずか300μm角以下程度の領域にレイアウト可能である。従って、高密度のインタコネクション用伝送線路に起因する挿入損失を大幅に低減でき、かつ経路間の挿入損失のバラツキも大幅に抑えることが可能になる。また、スイッチにcoldFETを使用する場合には、所要ゲート幅を半減できるため、より一層の回路の小型化効果がある。 For example, when a coplanar line having a line width of about 10 μm is used, the interconnection portion can be laid out in an area of only about 300 μm square. Therefore, it is possible to greatly reduce the insertion loss due to the high-density interconnection transmission line and to greatly suppress the variation in the insertion loss between the paths. Further, when a cold FET is used for the switch, the required gate width can be halved, so that the circuit can be further miniaturized.
なお、入力端子と出力端子とを入替え、かつ1入力4出力スイッチを4入力1出力スイッチに置き換えても構わない。 The input terminal and the output terminal may be interchanged, and the 1-input 4-output switch may be replaced with a 4-input 1-output switch.
[その他の実施の形態]
図6、図7は、本発明の第3の実施の形態の変型例のスイッチマトリックスを示す図である。図6および図7に示した実施の形態においては、第1〜第4の出力端子21〜24および第1〜第4の出力用伝送線路105〜108を一辺に集めていることに最も主要な特徴がある。これは、図5に示した第3の実施の形態のスイッチマトリックス中の伝送線路85、86を出力端子側に移動させ、新たに伝送線路87を付加することにより達成される。これに伴い、配線交差部の数が4箇所増加するが、出力端子を一方向から取出すことが可能になり、装置化した場合に入出力のピン配置を一方向づつにすることを容易に出来る効果がある。図7に示した実施の形態においては、さらに入力用伝送線路101〜104を延伸し、入力端子11〜14を一辺に集めることを可能にしている。ここで、この入力用伝送線路101〜104の延伸による挿入損失の増大はほとんど問題とならない。これは、入力用伝送線路の線幅をインタコネクション用伝送線路と比較して大幅に広くできることを利用し、低損失に伝送線路を引き回すことが可能なことに起因している。したがって、入力および出力を対向させて取出すように実装する必要がある場合などに、極めて有効な手段を提供することができる。
なお、入力端子と出力端子とを入替え、かつ1入力4出力スイッチを4入力1出力スイッチに置き換えても構わない。
[Other embodiments]
6 and 7 are diagrams showing a switch matrix of a modified example of the third embodiment of the present invention. In the embodiment shown in FIGS. 6 and 7, the first to fourth output terminals 2 1 to 2 4 and the first to fourth
The input terminal and the output terminal may be interchanged, and the 1-input 4-output switch may be replaced with a 4-input 1-output switch.
11〜14:入力端子、
21〜24:出力端子、
31〜32:1入力2出力スイッチ、
41〜42:2入力1出力スイッチ、
51〜8:制御線、
6:制御端子、
71〜716:第1のインタコネクション用伝送線路、
711〜712:第1のインタコネクション用伝送線路、
771〜7716:第1のインタコネクション用伝送線路、
81〜87:第2のインタコネクション用伝送線路、
9、91〜936:配線交差部、
101〜104:入力用伝送線路、
105〜1010’:出力用伝送線路、
111〜114:1入力4出力スイッチ、
121〜124:4入力1出力スイッチ
1 1 to 1 4 : input terminal,
2 1 to 2 4 : output terminals,
3 1 to 3 2 : 1 input 2 output switch,
4 1 to 4 2 : 2 input 1 output switch,
5 1-8 : control line,
6: Control terminal,
7 1 to 7 16 : first interconnection transmission line,
71 1 to 71 2 : transmission line for first interconnection,
77 1 to 77 16 : first interconnection transmission line,
8 1 to 8 7 : transmission line for second interconnection,
9, 9 1 to 9 36 : wiring intersection,
10 1 to 10 4 : transmission line for input,
10 5 to 10 10 ′: output transmission line,
11 1 to 11 4 : 1 input 4 output switch,
12 1 to 12 4 : 4 input 1 output switch
Claims (6)
前記第1と第2の1入力2出力スイッチの出力または第1と第2の2入力1出力スイッチの入力を所定の間隔で向かい合わせに配置し、
前記2個の第1の接続経路で前記第1と第2の1入力2出力スイッチの出力同士または前記第1と第2の2入力1出力スイッチの入力同士をそれぞれ接続し、
前記2個の第2の接続経路は、一端が第1および第2の出力端子または第1および第2の入力端子にそれぞれ接続され、他端が前記2個の第1の接続経路にそれぞれ接続され、
前記第2の接続経路の一方は、当該接続経路が接続されていない第1の接続経路と交差してなり、
前記2個の第1の接続経路の長さが所望の動作周波数における伝送線路内波長の1/36以下であることを特徴とするスイッチマトリックス。 1st and 2nd 1 input 2 output switch or 2 input 1 output switch, 1st and 2nd input terminal, 1st and 2nd output terminal, 2 1st connection path, and 2nd 2nd With a connection path of
The outputs of the first and second 1-input 2-output switches or the inputs of the first and second 2-input 1-output switches are arranged facing each other at a predetermined interval,
The two first connection paths the first and second 1 input 2 outputs of the output switches or the first and the input ends of the second 2-input 1-output switch connected respectively,
One end of each of the two second connection paths is connected to the first and second output terminals or the first and second input terminals, and the other end is connected to each of the two first connection paths. And
One of the second connection paths intersects the first connection path to which the connection path is not connected,
The switch matrix, wherein the length of the two first connection paths is 1/36 or less of the wavelength in the transmission line at a desired operating frequency.
前記1入力2出力スイッチまたは2入力1出力スイッチはソース/ドレイン間をゲート電圧によりオン、オフする少なくとも2個以上のFETを用いて構成したことを特徴とするスイッチマトリックス。 The switch matrix of claim 1 , wherein
The switch matrix, wherein the one-input two-output switch or the two-input one-output switch is configured by using at least two or more FETs that are turned on and off by a gate voltage between the source and drain.
前記n個の1入力n出力スイッチをn/2個づつ2グループに分割し、これら2グループの1入力n出力スイッチの出力側を所定の間隔で向い合せに配置し、それぞれn/2個のスイッチペアを形成し、
前記n個の入力端子は、前記n個の1入力n出力スイッチの入力にそれぞれ接続され、
前記出力側が向い合せに配置されたn/2個のスイッチペアの出力同士を前記n2/2個の第3の接続経路でそれぞれ接続し、
前記n個の第4の接続経路の一端が前記n個の出力端子にそれぞれ接続され、他端を前記n2/2個の第3の接続経路のうち、前記n/2個の各スイッチペアに対する各接続経路から1箇所づつ接続したことを特徴とするスイッチマトリックス。 n 1-input n-output switch (n is an even number of 4 or more) of the n 2/2 pieces of the third connection path and the n fourth connection path n input terminals and n output terminals Prepared,
The n 1-input n-output switches are divided into 2 groups each of n / 2, and the output sides of these 2 groups of 1-input n-output switches are arranged facing each other at a predetermined interval. Form a switch pair,
The n input terminals are connected to inputs of the n 1-input n-output switches, respectively.
The output side is connected to the outputs of the arranged n / 2 pieces of switch pairs oppositely in the n 2/2 pieces of the third connection path,
One end of the n fourth connection path is connected to each of the n output terminals, among the other end of the n 2/2 pieces of the third connection path, said n / 2 pieces of each pair of switches A switch matrix characterized in that one connection point is connected from each connection path.
n個の前記1入力n出力スイッチの代わりにn個のn入力1出力スイッチを用い、
前記分割された2グループのn入力1出力スイッチの入力側を所定の間隔で向い合わせに配置してn/2個のスイッチペアを形成し、
前記入力側が向かい合わせに配置されたn/2個のスイッチペアの入力同士を前記n2/2個の第3の接続経路でそれぞれ接続し、
前記n個の出力端子は、前記n個のn入力1出力スイッチの出力にそれぞれ接続され、
前記n個の第4の接続経路の1端が前記n個の入力端子にそれぞれ接続され、他端を前記n2/2個の第3の接続経路のうち、前記n/2の各スイッチペアに対する各接続経路から1箇所づつ接続したことを特徴とするスイッチマトリックス。 The switch matrix of claim 3 ,
Instead of n 1-input n-output switches, n n-input 1-output switches are used,
N / 2 switch pairs are formed by arranging the input sides of the two divided n-input 1-output switches facing each other at a predetermined interval;
Are respectively connected to input ends of arranged n / 2 pieces of switch pairs the input side to the opposed by the n 2/2 pieces of the third connection path,
The n output terminals are respectively connected to outputs of the n n input 1 output switches,
Wherein one end of the n fourth connection path is connected respectively to said n input terminals, among the other end of the n 2/2 pieces of the third connection path, each switch pair of said n / 2 A switch matrix characterized in that one connection point is connected from each connection path.
前記1入力n出力スイッチまたはn入力1出力スイッチはソース/ドレイン間をゲート電圧によりオンオフする少なくともn個以上のFETを用いて構成したことを特徴とするスイッチマトリックス。 The switch matrix according to claim 3 or claim 4 ,
The switch matrix, wherein the 1-input n-output switch or the n-input 1-output switch is configured by using at least n or more FETs that are turned on and off by a gate voltage between the source and the drain.
前記各スイッチ、接続経路および入力端子および出力端子を同一半導体基板上に形成したことを特徴とするスイッチマトリックス。 The switch matrix according to any one of claims 1 to 5 ,
A switch matrix characterized in that the switches, connection paths, input terminals, and output terminals are formed on the same semiconductor substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004041434A JP4071201B2 (en) | 2004-02-18 | 2004-02-18 | Switch matrix |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004041434A JP4071201B2 (en) | 2004-02-18 | 2004-02-18 | Switch matrix |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005236525A JP2005236525A (en) | 2005-09-02 |
JP4071201B2 true JP4071201B2 (en) | 2008-04-02 |
Family
ID=35019051
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004041434A Expired - Lifetime JP4071201B2 (en) | 2004-02-18 | 2004-02-18 | Switch matrix |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4071201B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011109714A (en) * | 2011-02-21 | 2011-06-02 | Toshiba Teli Corp | Multi-channel high frequency signal switching apparatus |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006095729A1 (en) | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Matrix switch |
JP4586064B2 (en) * | 2007-12-18 | 2010-11-24 | 日本電信電話株式会社 | 4x4 switch |
US8059639B2 (en) * | 2008-02-11 | 2011-11-15 | Keithley Instruments, Inc. | Switch matrix |
WO2023120188A1 (en) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 | 株式会社村田製作所 | High-frequency circuit and communication device |
-
2004
- 2004-02-18 JP JP2004041434A patent/JP4071201B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011109714A (en) * | 2011-02-21 | 2011-06-02 | Toshiba Teli Corp | Multi-channel high frequency signal switching apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005236525A (en) | 2005-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4192194B2 (en) | Matrix switch | |
CN108292911B (en) | Low phase shift high frequency attenuator | |
US7205864B2 (en) | Distributed matrix switch | |
US4779065A (en) | Microwave signal routing matrix | |
JP4071201B2 (en) | Switch matrix | |
EP0967680A2 (en) | An apparatus and method for enhancing the isolation of an MMIC cross-point switch | |
US5856713A (en) | N-way MMIC switch | |
US6605959B1 (en) | Structure and method for implementing wide multiplexers | |
JP4087354B2 (en) | 4x4 switch and 8x8 switch | |
JPH0750559A (en) | Matrix for changing ultra high frequency electrical signal | |
JP4040600B2 (en) | 2x2 switch and 4x4 switch | |
JPH0832395A (en) | Variable attenuator | |
US6798281B2 (en) | Two-input/two-output broadband active selector switch with distributed structure, and phase control device comprising such a switch | |
US6111475A (en) | High frequency multi-port switching circuit | |
US6225874B1 (en) | Coupling structure as a signal switch | |
JP3891443B2 (en) | High frequency switch circuit and semiconductor device | |
JP4812741B2 (en) | Semiconductor switch | |
JPH09199902A (en) | Circuit selection device | |
KR101476805B1 (en) | A re-configurable amplifier | |
JP2010074025A (en) | Multi-terminal semiconductor switch | |
JP4586064B2 (en) | 4x4 switch | |
JPH11186803A (en) | High frequency switch circuit | |
JP2008042343A (en) | Switching circuit and switching equipment | |
JP3946712B2 (en) | Switch device | |
JP2007228559A (en) | Switch apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060407 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070404 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070410 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4071201 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |