JP4061312B2 - Light emitting diode driving semiconductor device and light emitting diode driving device - Google Patents
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Description
本発明は、発光ダイオード駆動用半導体装置、特に、発光ダイオードを並列接続して使用するLED照明装置に適した発光ダイオード駆動用半導体装置に関する。また、それを用いた発光ダイオード駆動装置に関する The present invention relates to a semiconductor device for driving a light-emitting diode, and more particularly to a semiconductor device for driving a light-emitting diode suitable for an LED lighting device using light-emitting diodes connected in parallel. Further, it relates to a light emitting diode driving device using the same.
発光ダイオードを並列接続して駆動した場合、各発光ダイオードにおける順方向電圧のばらつきによって発生する出力輝度のばらつきが、重要な課題となる。このばらつきを低減する方法として、カレントミラー回路による定電流回路が主に使用されていた。 When the light emitting diodes are driven in parallel, the output luminance variation caused by the forward voltage variation in each light emitting diode becomes an important issue. As a method for reducing this variation, a constant current circuit using a current mirror circuit has been mainly used.
図18は、特許文献1に開示された従来例の発光ダイオード駆動装置を示す回路図である。この回路は、複数の発光ダイオード102、103、電流制限抵抗101、及びバイポーラトランジスタ104をそれぞれ直列接続してなる複数のLEDアレイ回路100を備える。更に、各LEDアレイ回路100のバイポーラトランジスタ104と共に各カレントミラー回路を構成するバイポーラトランジスタ121を有する定電流回路120と、各LEDアレイ回路100のバイポーラトランジスタ104を共にスイッチング作動させるように各カレントミラー回路に接続されたバイポーラトランジスタ131を有するスイッチング手段130とを備える。定電流回路120へは、定電圧回路110から定電圧が供給される。
FIG. 18 is a circuit diagram showing a conventional light emitting diode driving device disclosed in
定電流回路120のバイポーラトランジスタ121が各LEDアレイ回路100のバイポーラトランジスタ104と共に構成するカレントミラー回路の動作により、各LEDアレイ回路100には、定電流回路120の定電流と同一の電流が流れて、各LEDアレイ回路100の両発光ダイオード102 、103を発光駆動する。スイッチング回路130は、各カレントミラー回路に接続されたバイポーラトランジスタ131が、調光回路140からの調光制御出力によりスイッチング制御されることにより、各バイポーラトランジスタ104を共にスイッチング作動させる。
Due to the operation of the current mirror circuit configured by the
この従来例による発光ダイオード駆動装置によれば、各カレントミラー回路のカレントミラー作用のもとに、定電流回路120のバイポーラトランジスタ121及び各並列接続されたLEDアレイ回路100のバイポーラトランジスタ104をスイッチング作動させることにより、並列接続された各LEDアレイ回路100は定電流で駆動されるため、各発光ダイオード102、103の順方向電圧にバラツキが生じても、発光輝度にバラツキが生じない。
According to the conventional LED driving device, the
図19は、特許文献2に開示された、他の従来例の発光ダイオード駆動装置を示す回路図である。この従来例は、複数個のLEDが直列接続されたLED直列回路202を2並列以上接続して形成されたLEDアレイ回路201と、各々のLED直列回路202に直列接続された定電流回路203とを備える。定電流回路203は、各々のLED直列回路202の入力電圧の大きさに関係なく、そのLED列に一定電流を流す。単相交流電源204、整流器205、および定電圧レギュレータ206により電源部が構成され、単相交流電源204の電源電圧を整流器205で整流し定電圧レギュレータ206で調整された直流電圧が、LEDアレイ回路201に印加される。電源部は、定電流回路203の負担電圧がLED直列回路202のLED列の順方向電圧よりも小さくなるように、制御手段207により制御される。
FIG. 19 is a circuit diagram showing another conventional LED driving device disclosed in
定電圧レギュレータ206は昇圧チョッパ付きの昇圧型であり、制御手段207により制御され、LEDアレイ回路201に供給する一定電圧を調整して出力する。比較手段208は、各々のLED直列回路202の回路要素203の負担電圧のうちの最小値を検出し、その検出した最小値を制御手段207に出力する。
The
制御手段207は、定電流回路203の負担電圧がLED直列回路202のLED列の順方向電圧よりも小さくなるように定電圧レギュレータ206を制御する。この場合、各々の定電流回路203の負担電圧にはばらつきがあるので、比較手段208で検出された各々の定電流回路203の入力電圧のうちの最小値がLED直列回路202のLED列の順方向電圧よりも小さくなるように、定電圧レギュレータ206が制御される。また、制御手段207は、LED列の順方向電圧が確立し各々のLED直列回路202が点灯したときは、定電流回路203の負担電圧の最小値を実質的に零に制御する。
しかしながら、特許文献1に開示された発光ダイオード駆動装置には、以下の課題がある。すなわち、各LEDアレイ回路に電流制限抵抗が接続されているため、電力損失が大きい。また各発光ダイオード回路にバイポーラトランジスタを接続し、カレントミラー回路による定電流回路を形成しているため、各LEDアレイ回路のバイポーラトランジスタで電力損失が発生し、発光効率が低くなる。
However, the light-emitting diode driving device disclosed in
また、特許文献2に開示された発光ダイオード駆動装置には、以下の課題がある。すなわち、各LEDアレイ回路に接続された回路要素の負担電圧の内、最小値が実質的に零になるように制御しているが、他のLEDアレイに接続された回路要素には負担電圧が発生しているため、これらの回路要素で電力損失が発生する。また、交流電圧を直流に変換する際にチョッパ回路を使用しているため、この回路で電力損失が発生する。さらに各LEDアレイ回路に流れる電流値を変更する手段を備えていないため、調光機能を有しない。
Further, the light emitting diode driving device disclosed in
本発明は、上記課題に鑑み、LEDアレイによって順方向電圧のばらつきなどがあっても、簡便な構成で光度と色度を制御することができ、かつ電力損失の小さい発光ダイオード駆動用半導体装置を提供することを目的とする。 In view of the above problems, the present invention provides a light emitting diode driving semiconductor device that can control light intensity and chromaticity with a simple configuration and has low power loss even if there is a variation in forward voltage depending on the LED array. The purpose is to provide.
本発明の発光ダイオード駆動用半導体装置は、複数個の発光ダイオードを直列接続して形成された発光ダイオードアレイを複数列備えた発光ダイオードブロックと、前記発光ダイオードブロックに直列に接続されたチョークコイルと、前記チョークコイルに生じる逆起電力を前記複数の発光ダイオードアレイに供給するための複数のダイオードと、交流電源の交流電圧を整流して前記発光ダイオードブロックと前記チョークコイルに印加する整流回路と、前記発光ダイオードブロックへ電流を供給するためのスイッチング駆動回路とを備えた発光ダイオード駆動装置における前記スイッチング駆動回路を構成する。 A semiconductor device for driving a light emitting diode according to the present invention includes a light emitting diode block having a plurality of light emitting diode arrays formed by connecting a plurality of light emitting diodes in series, a choke coil connected in series to the light emitting diode block, and A plurality of diodes for supplying back electromotive force generated in the choke coil to the plurality of light emitting diode arrays, a rectifier circuit that rectifies an AC voltage of an AC power source and applies the AC voltage to the light emitting diode block and the choke coil; The switching drive circuit in a light emitting diode driving device comprising a switching drive circuit for supplying current to the light emitting diode block is configured.
上記課題を解決するため、本発明の発光ダイオード駆動用半導体装置は、スイッチング素子ブロックと制御回路ブロックとを備え、前記スイッチング素子ブロックは、前記発光ダイオードアレイ毎に直列接続される複数の主スイッチング素子と、前記主スイッチング素子に対応して接続された少なくとも1つの接合型FETとを備え、前記制御回路ブロックは、前記接合型FETの他端に接続された入力端子と、前記入力端子に接続され基準電圧を出力する基準電圧端子と、前記交流電圧を整流した電圧を検出する入力電圧検出回路と、前記入力電圧検出回路の出力電圧が所定値以上になると、前記複数の主スイッチング素子に対する所定の発振周波数での断続的なオンオフ制御に基づくオン動作を開始し、前記入力電圧検出回路の出力電圧が所定値未満になると停止する起動/停止回路と、前記複数の主スイッチング素子に流れる電流をそれぞれ検出する複数の電流検出回路と、前記各電流検出回路による検出信号に応じて、前記主スイッチング素子に流れる電流が一定となるようにオフ動作を制御する制御回路とを備える。 In order to solve the above problems, a semiconductor device for driving a light emitting diode according to the present invention includes a switching element block and a control circuit block, and the switching element block includes a plurality of main switching elements connected in series for each light emitting diode array. And at least one junction type FET connected to correspond to the main switching element, and the control circuit block is connected to the input terminal connected to the other end of the junction type FET and to the input terminal. A reference voltage terminal that outputs a reference voltage, an input voltage detection circuit that detects a voltage obtained by rectifying the AC voltage, and a predetermined voltage for the plurality of main switching elements when an output voltage of the input voltage detection circuit exceeds a predetermined value. Starts an ON operation based on intermittent ON / OFF control at the oscillation frequency, and outputs the output voltage of the input voltage detection circuit. A start / stop circuit that stops when less than a predetermined value, a plurality of current detection circuits that detect currents flowing through the plurality of main switching elements, and a detection signal from each of the current detection circuits, And a control circuit that controls the off operation so that the flowing current is constant.
以上のように構成することにより、各発光ダイオードアレイには、スイッチング素子がオン状態にあるときは、チョークコイル→発光ダイオード→スイッチング素子の向きに電流が流れ、スイッチング素子がオフ状態にあるときは、チョークコイルと発光ダイオードとダイオードで構成される回路ループをチョークコイル→発光ダイオード→ダイオードの向きに電流が流れ、降圧チョッパのような動作をする。従って、電力変換効率が高く、部品点数が少なく小型で、入力電圧の変動や各発光ダイオードアレイの順方向電圧ばらつきに依存せずに各発光ダイオードアレイに流れる電流を定電流で制御できので、色度を一定にした発光ダイオード駆動装置を実現できる。また駆動回路が起動/停止する電圧が、整流された入力電圧の任意の電圧で規定されるので、1周期中で電流が流れる期間と流れない期間との比率を調整できるので、光度を一定にした発光ダイオード駆動装置を実現できる。 By configuring as described above, in each light emitting diode array, when the switching element is in the on state, current flows in the direction of the choke coil → the light emitting diode → the switching element, and when the switching element is in the off state, A current flows through a circuit loop composed of a choke coil, a light emitting diode, and a diode in the direction of the choke coil → the light emitting diode → the diode, and operates like a step-down chopper. Therefore, the power conversion efficiency is high, the number of parts is small, the size is small, and the current flowing to each light emitting diode array can be controlled with a constant current without depending on the fluctuation of the input voltage or the forward voltage variation of each light emitting diode array. A light emitting diode driving device with a constant degree can be realized. In addition, since the voltage at which the drive circuit starts / stops is defined by an arbitrary voltage of the rectified input voltage, the ratio between the period during which current flows and the period during which current does not flow can be adjusted in one cycle, so that the luminous intensity is kept constant. The light emitting diode driving device can be realized.
本発明によれば、高電力変換効率で、LEDアレイによって順方向電圧のばらつきなどがあっても、簡便な構成で光度及び色度の制御が可能な小型の発光ダイオード駆動装置を実現することができる。 According to the present invention, it is possible to realize a small-sized light emitting diode driving device capable of controlling light intensity and chromaticity with a simple configuration even when there is a variation in forward voltage depending on the LED array with high power conversion efficiency. it can.
上記構成の発光ダイオード駆動用半導体装置において、前記スイッチング素子ブロックは、複数の制御端子、複数の高電位側端子、及び低電位側端子を有し、前記接合型FETの出力端子と対をなす前記主スイッチング素子の一方の出力端子が接続され、前記各制御端子に前記制御回路ブロックの各出力端子と前記複数の主スイッチング素子の各制御端子が接続され、前記高電位側端子に前記接合型FETの入力端子が接続され、前記接合型FETの出力端子と前記対をなす主スイッチング素子の出力端子の接続部に前記制御回路ブロックの入力端子が接続され、前記低電位側端子に前記複数の主スイッチング素子の他方の出力端子と前記制御回路ブロックのグランド端子が接続された構成とすることができる。 In the light emitting diode driving semiconductor device configured as described above, the switching element block has a plurality of control terminals, a plurality of high potential side terminals, and a low potential side terminal, and is paired with the output terminal of the junction FET. One output terminal of the main switching element is connected, each output terminal of the control circuit block and each control terminal of the plurality of main switching elements are connected to each control terminal, and the junction type FET is connected to the high potential side terminal Input terminal of the control circuit block is connected to a connection portion of the output terminal of the main switching element paired with the output terminal of the junction FET, and the plurality of main terminals are connected to the low potential side terminal. The other output terminal of the switching element and the ground terminal of the control circuit block may be connected.
あるいは、前記スイッチング素子ブロックは、複数の制御端子、複数の高電位側端子、及び低電位側端子を有し、前記各制御端子に前記制御回路ブロックの各出力端子と前記複数の主スイッチング素子の各制御端子が接続され、前記各高電位側端子に前記複数の主スイッチング素子の一方の出力端子が接続され、前記高電位側端子の一つに前記接合型FETの入力端子が接続され、前記接合型FETの出力端子に前記制御回路ブロックの入力端子が接続され、前記低電位端子に前記複数の主スイッチング素子の他方の出力端子と前記制御回路ブロックのグランド端子が接続された構成とすることができる。 Alternatively, the switching element block has a plurality of control terminals, a plurality of high potential side terminals, and a low potential side terminal, and each of the output terminals of the control circuit block and the plurality of main switching elements are connected to the control terminals. Each control terminal is connected, one output terminal of the plurality of main switching elements is connected to each high potential side terminal, the input terminal of the junction FET is connected to one of the high potential side terminals, The input terminal of the control circuit block is connected to the output terminal of the junction FET, and the other output terminal of the plurality of main switching elements and the ground terminal of the control circuit block are connected to the low potential terminal. Can do.
あるいは、前記スイッチング素子ブロックは、複数の制御端子、整流電圧源端子、複数の高電位側端子、及び低電位側端子を有し、前記各制御端子に前記制御回路ブロックの各出力端子と前記複数の主スイッチング素子の各制御端子が接続され、前記整流電源端子に前記整流回路の出力端子と前記接合型FETの入力端子が接続され、前記接合型FETの出力端子に前記制御回路ブロックの入力端子が接続され、前記各高電位側端子に前記複数の主スイッチング素子の一方の出力端子が接続され、前記低電位端子に前記複数の主スイッチング素子の他方の出力端子と前記制御回路ブロックのグランド端子が接続された構成とすることができる。 Alternatively, the switching element block has a plurality of control terminals, a rectified voltage source terminal, a plurality of high potential side terminals, and a low potential side terminal, and each output terminal of the control circuit block and the plurality The control terminals of the main switching element are connected, the output terminal of the rectifier circuit and the input terminal of the junction FET are connected to the rectified power supply terminal, and the input terminal of the control circuit block is connected to the output terminal of the junction FET. Are connected, one output terminal of the plurality of main switching elements is connected to each high potential side terminal, the other output terminal of the plurality of main switching elements and the ground terminal of the control circuit block to the low potential terminal Can be configured to be connected.
以上のような構成によれば、接合型FETによるピンチオフ効果により、接合型FETの高電位側に印加される高電圧は接合型FETの低電位側では低い電圧でピンチオフされる。それにより、スイッチング素子ブロックから制御回路への電力供給が可能となるため、起動抵抗等による電力損失が少なくなり、電力変換効率が高い発光ダイオード駆動装置を実現できる。 According to the above configuration, the high voltage applied to the high potential side of the junction FET is pinched off at a low voltage on the low potential side of the junction FET due to the pinch-off effect of the junction FET. As a result, since power can be supplied from the switching element block to the control circuit, a power loss due to a starting resistor or the like is reduced, and a light emitting diode driving device with high power conversion efficiency can be realized.
以上のいずれかの構成の発光ダイオード駆動用半導体装置において、前記制御回路ブロックは、その入力端子と基準電圧端子の間に挿入されたレギュレータを有することが好ましい。 In the light emitting diode driving semiconductor device having any one of the above configurations, it is preferable that the control circuit block has a regulator inserted between the input terminal and the reference voltage terminal.
この構成により、制御回路動作中の基準電圧を一定に保つことが出来るため、安定したスイッチング素子の制御を実現できる。 With this configuration, the reference voltage during operation of the control circuit can be kept constant, so that stable switching element control can be realized.
以上のいずれかの構成の発光ダイオード駆動用半導体装置において、前記複数の電流検出回路は、前記複数の主スイッチング素子のオン電圧を検出基準電圧と比較することにより前記各スイッチング素子に流れる電流を検出することが好ましい。 In the semiconductor device for driving a light emitting diode having any one of the above-described configurations, the plurality of current detection circuits detect currents flowing through the switching elements by comparing ON voltages of the plurality of main switching elements with a detection reference voltage. It is preferable to do.
このようにスイッチング素子ブロックの各スイッチング素子のオン電圧を検出することにより、電力損失を低減した各スイッチング素子の電流検出、すなわち各発光ダイオードアレイに流れる電流ピーク値の検出を実現でき、電力変換効率が高い発光ダイオード駆動装置を実現できる。 By detecting the ON voltage of each switching element of the switching element block in this way, it is possible to detect the current of each switching element with reduced power loss, that is, to detect the peak value of the current flowing through each light emitting diode array, and to achieve power conversion efficiency. Can realize a light emitting diode driving device.
以上のいずれかの構成の発光ダイオード駆動用半導体装置において、前記複数の電流検出回路は、前記複数の主スイッチング素子に対して制御端子と高電位側端子が並列接続されて各々一対をなす複数の副スイッチング素子と、前記各副スイッチング素子の低電位側に直列接続された抵抗とを備え、前記副スイッチング素子に流れる電流は、前記主スイッチング素子に流れる電流よりも小さく、且つ前記主スイッチング素子に流れる電流に対して一定の電流比となるように設定され、前記各抵抗の両端電圧を検出基準電圧と比較することにより前記各主スイッチング素子の電流を検出することが好ましい。 In the light emitting diode driving semiconductor device having any one of the configurations described above, the plurality of current detection circuits include a plurality of pairs, each of which has a control terminal and a high potential side terminal connected in parallel to the plurality of main switching elements. A sub-switching element and a resistor connected in series to the low-potential side of each sub-switching element, wherein a current flowing through the sub-switching element is smaller than a current flowing through the main switching element, and the main switching element It is preferable to set a constant current ratio to the flowing current, and to detect the current of each main switching element by comparing the voltage across each resistor with a detection reference voltage.
この構成によれば、抵抗により直接大電流を検出しないため、電力損失を低減したスイッチング素子の電流検出、すなわち各発光ダイオードアレイに流れる電流ピーク値の検出を実現でき、電力変換効率が高い発光ダイオード駆動装置を実現できる。 According to this configuration, since a large current is not directly detected by a resistor, a current detection of a switching element with reduced power loss, that is, detection of a peak value of a current flowing through each light emitting diode array, and a light emitting diode with high power conversion efficiency A drive device can be realized.
以上のいずれかの構成の発光ダイオード駆動用半導体装置において、前記複数の電流検出回路に接続された外部検出端子を更に有し、前記外部検出端子に入力される前記検出基準電圧の値を変えることにより、前記主スイッチング素子の断続的なオンオフ制御におけるオン期間を外部信号により変更可能な構成を有し、それにより前記発光ダイオードブロックに流れる定電流レベルを調整可能であることが好ましい。 The semiconductor device for driving a light emitting diode having any one of the above configurations further includes an external detection terminal connected to the plurality of current detection circuits, and changes a value of the detection reference voltage input to the external detection terminal. Thus, it is preferable that the ON period in the intermittent ON / OFF control of the main switching element can be changed by an external signal, and thereby the constant current level flowing through the light emitting diode block can be adjusted.
この構成により、発光ダイオードブロック全体の光度及び色度を制御する機能を有する電力変換効率が高い発光ダイオード駆動装置を実現できる。 With this configuration, it is possible to realize a light-emitting diode driving device having a function of controlling the luminous intensity and chromaticity of the entire light-emitting diode block and having high power conversion efficiency.
あるいは、前記複数の電流検出回路に接続された各々の外部検出端子を更に有し、前記複数の外部検出端子に入力される前記検出基準電圧の値をそれぞれ変えることにより、前記主スイッチング素子の断続的なオンオフ制御におけるオン期間を外部信号により変更可能な構成を有し、前記発光ダイオードアレイに流れる定電流レベルを個別に調整可能であることが好ましい。 Alternatively, each of the external switching terminals connected to the plurality of current detection circuits further includes an intermittent connection of the main switching element by changing a value of the detection reference voltage input to the plurality of external detection terminals. It is preferable that the on period in the on / off control can be changed by an external signal, and the constant current level flowing through the light emitting diode array can be individually adjusted.
この構成によれば、発光ダイオードアレイ別の光度及び色度を制御する機能を有するため、より複雑な調光機能を有した電力変換効率が高い発光ダイオード駆動装置を実現できる。 According to this configuration, since it has a function of controlling the light intensity and chromaticity of each light emitting diode array, it is possible to realize a light emitting diode driving device having a more complicated light control function and high power conversion efficiency.
以上のいずれかの構成の発光ダイオード駆動用半導体装置において、前記入力電圧検出回路は、前記整流回路によって整流された電圧が入力される整流電源端子と前記制御回路ブロックのグランド端子間に直列に接続された2つの抵抗と、前記2つの抵抗による抵抗分割によって分圧された直流電圧が+端子に入力され、予め設定された基準電圧が−端子に入力されるコンパレータとを備えることが好ましい。 In the semiconductor device for driving a light emitting diode having any one of the above configurations, the input voltage detection circuit is connected in series between a rectified power supply terminal to which a voltage rectified by the rectifier circuit is input and a ground terminal of the control circuit block. It is preferable that the two resistors are provided, and a comparator in which a DC voltage divided by resistance division by the two resistors is input to the + terminal and a preset reference voltage is input to the − terminal.
この構成により、交流電源の周波数の倍周期中(一般商用電源を使用した場合は100Hz/120Hz)で発光させる期間と消光させる期間を正確に規定できる発光ダイオード駆動装置を実現できる。 With this configuration, it is possible to realize a light emitting diode driving device that can accurately define the period of light emission and the period of light extinction during a double period of the frequency of the AC power supply (100 Hz / 120 Hz when a general commercial power supply is used).
あるいは、前記入力電圧検出回路は、前記整流回路によって整流された電圧が入力される整流電源端子と前記制御回路ブロックのグランド端子間に直列に接続された2つの抵抗と、前記2つの抵抗による抵抗分割によって分圧された直流電圧が+端子に入力され、基準電圧が−端子に入力されるコンパレータとを備え、前記基準電圧を外部信号により変更することにより、前記スイッチング素子が起動/停止する電圧を調整可能であることが好ましい。 Alternatively, the input voltage detection circuit includes two resistors connected in series between a rectified power supply terminal to which a voltage rectified by the rectifier circuit is input and a ground terminal of the control circuit block, and a resistor formed by the two resistors. A voltage at which the switching element is started / stopped by changing the reference voltage according to an external signal, and a comparator in which a DC voltage divided by the division is input to the + terminal and a reference voltage is input to the − terminal Is preferably adjustable.
この構成により、簡単に起動/停止電圧を調整可能となり、光度の調整可能な電力変換効率が高い発光ダイオード駆動装置を実現できる。 With this configuration, it is possible to easily adjust the start / stop voltage, and it is possible to realize a light emitting diode driving device with high power conversion efficiency capable of adjusting luminous intensity.
あるいは、前記入力電圧検出回路は、前記整流回路によって整流された電圧が入力される整流電源端子と前記制御回路ブロックのグランド端子間に直列に接続された2つの抵抗と、前記2つの抵抗による抵抗分割によって分圧された直流電圧がそれぞれ一方の入力端子に入力される第1及び第2のコンパレータと、前記第1及び第2のコンパレータの他方の入力端子に各々接続された外部端子であるHIレベル入力端子及びLOWレベル入力端子と、前記第1及び第2のコンパレータの出力端子が接続されたNOR回路とを備え、前記第1のコンパレータは、+端子に前記LOWレベル入力端子が接続され、−端子に前記抵抗分割によって分圧された直流電圧が入力されて、前記起動/停止回路の起動レベルの下限を規定する入力電圧VLに対する比較結果を出力し、前記第2のコンパレータは、−端子に前記HIレベル入力端子が接続され、+端子に前記抵抗分割によって分圧された直流電圧が入力されて、前記起動/停止回路の起動レベルの上限を規定する入力電圧VHに対する比較結果を出力し、任意の電圧VH及びVLにより起動/停止を制御可能であることが好ましい。 Alternatively, the input voltage detection circuit includes two resistors connected in series between a rectified power supply terminal to which a voltage rectified by the rectifier circuit is input and a ground terminal of the control circuit block, and a resistor formed by the two resistors. HI which is an external terminal connected to each of the first and second comparators to which the DC voltage divided by the division is input to one input terminal and the other input terminal of the first and second comparators. A NOR circuit having a level input terminal and a LOW level input terminal, and an output terminal of the first and second comparators connected thereto, the first comparator having a + terminal connected to the LOW level input terminal; The DC voltage divided by the resistance division is input to the terminal, and the input voltage VL that defines the lower limit of the start level of the start / stop circuit is set to In the second comparator, the HI level input terminal is connected to a negative terminal, a DC voltage divided by the resistance division is input to a positive terminal, and the start / stop circuit of the second comparator It is preferable that the comparison result with respect to the input voltage VH that defines the upper limit of the activation level is output and the activation / deactivation can be controlled by arbitrary voltages VH and VL.
この構成により、1周期中における起動電圧と停止電圧のレベルを個別に設定できるため、より複雑な光度調整が可能な電力変換効率が高い発光ダイオード駆動装置を実現できる。 With this configuration, since the level of the start voltage and the stop voltage in one cycle can be set individually, it is possible to realize a light emitting diode driving device with high power conversion efficiency capable of more complex light intensity adjustment.
上記構成の発光ダイオード駆動用半導体装置において、前記接合型FETの低電位側出力端子が前記制御回路ブロックの入力端子に接続され、前記入力電圧検出回路は、前記接合型FETの低電位側出力端子が+端子に接続され、予め設定された基準電圧が−端子に入力されるコンパレータを備えた構成とすることができる。 In the light emitting diode driving semiconductor device having the above configuration, the low potential side output terminal of the junction FET is connected to the input terminal of the control circuit block, and the input voltage detection circuit is connected to the low potential side output terminal of the junction FET. Can be configured to include a comparator connected to the + terminal and a preset reference voltage input to the-terminal.
この構成によれば、抵抗による直接的な入力電圧の検出ではないため、電力変換効率が高い入力電圧検出機能を有した発光ダイオード駆動装置を実現できる。 According to this configuration, since the input voltage is not directly detected by the resistor, a light emitting diode driving device having an input voltage detection function with high power conversion efficiency can be realized.
あるいは、前記接合型FETの低電位側出力端子が前記制御回路ブロックの入力端子に接続され、前記入力電圧検出回路は、前記接合型FETの低電位側出力端子が+端子に接続され、基準電圧が−端子に入力されるコンパレータで構成され、前記基準電圧を外部信号により変更することにより、前記スイッチング素子が起動/停止する電圧を調整可能である構成とすることができる。 Alternatively, the low potential side output terminal of the junction FET is connected to the input terminal of the control circuit block, and the input voltage detection circuit is configured such that the low potential side output terminal of the junction FET is connected to the + terminal and the reference voltage Can be configured such that a voltage at which the switching element is started / stopped can be adjusted by changing the reference voltage with an external signal.
この構成により、簡単に起動/停止電圧を調整可能となり、光度の調整可能な電力変換効率が高い発光ダイオード駆動装置を実現できる。 With this configuration, it is possible to easily adjust the start / stop voltage, and it is possible to realize a light emitting diode driving device with high power conversion efficiency capable of adjusting luminous intensity.
あるいは、前記接合型FETの低電位側出力端子が前記制御回路ブロックの入力端子に接続され、前記入力電圧検出回路は、前記接合型FETの低電位側出力端子が一方の入力端子に接続された第1及び第2のコンパレータと、前記第1及び第2のコンパレータの他方の入力端子に各々接続された外部端子であるHIレベル入力端子及びLOWレベル入力端子と、前記第1及び第2のコンパレータの出力端子が接続されたNOR回路とを備え、前記第1のコンパレータは、+端子に前記LOWレベル入力端子が接続され、−端子に前記接合型FETの低電位側出力端子が接続されて、前記起動/停止回路の起動レベルの下限を規定する入力電圧VLに対する比較結果を出力し、前記第2のコンパレータは、−端子に前記HIレベル入力端子が接続され、+端子に前記接合型FETの低電位側出力端子が接続されて、前記起動/停止回路の起動レベルの上限を規定する入力電圧VHに対する比較結果を出力し、任意の電圧VH及びVLにより起動/停止を制御可能である構成とすることができる。 Alternatively, the low potential side output terminal of the junction FET is connected to the input terminal of the control circuit block, and the input voltage detection circuit has the low potential side output terminal of the junction FET connected to one input terminal. HI level input terminal and LOW level input terminal which are external terminals respectively connected to the other input terminals of the first and second comparators, and the first and second comparators A NOR circuit connected to the output terminal of the first FET, the first comparator has a + terminal connected to the LOW level input terminal, a negative terminal connected to the low potential side output terminal of the junction FET, The comparison result with respect to the input voltage VL that defines the lower limit of the start level of the start / stop circuit is output, and the second comparator has a HI level input terminal at a negative terminal. Then, the low potential side output terminal of the junction FET is connected to the + terminal, and the comparison result with respect to the input voltage VH that defines the upper limit of the start level of the start / stop circuit is output, and arbitrary voltages VH and VL are output. Thus, the start / stop can be controlled.
この構成により、1周期中における起動電圧と停止電圧のレベルを個別に設定できるため、より複雑な光度調整が可能な電力変換効率が高い発光ダイオード駆動装置を実現できる。 With this configuration, since the level of the start voltage and the stop voltage in one cycle can be set individually, it is possible to realize a light emitting diode driving device with high power conversion efficiency capable of more complex light intensity adjustment.
上記構成の発光ダイオード駆動用半導体装置において、前記発光ダイオードアレイの各々に対応させて前記入力電圧検出回路と前記起動/停止回路とを備え、任意の電圧VH及びVLで起動/停止を制御可能である構成とすることができる。 The light emitting diode driving semiconductor device having the above configuration includes the input voltage detection circuit and the start / stop circuit corresponding to each of the light emitting diode arrays, and the start / stop can be controlled with arbitrary voltages VH and VL. There can be a certain configuration.
この構成により、1周期中における起動電圧と停止電圧のレベルを発光ダイオードアレイ毎に個別に設定できるため、より複雑な光度調整が可能な電力変換効率が高い発光ダイオード駆動装置を実現できる。 With this configuration, since the level of the start voltage and the stop voltage in one cycle can be set individually for each light emitting diode array, a light emitting diode driving device with high power conversion efficiency capable of more complex light intensity adjustment can be realized.
以上のいずれかの構成の発光ダイオード駆動用半導体装置において、前記外部検出端子と前記電流検出回路との間にソフトスタート回路を備え、前記ソフトスタート回路は、前記起動/停止回路から起動信号を入力すると、前記検出基準電圧を一定値に至るまで徐々に増加するように出力する構成とすることが好ましい。 In the light emitting diode driving semiconductor device having any one of the above configurations, a soft start circuit is provided between the external detection terminal and the current detection circuit, and the soft start circuit inputs a start signal from the start / stop circuit. Then, it is preferable that the detection reference voltage is output so as to gradually increase until reaching a certain value.
この構成により、起動時に発生する突入電流を防止でき、各発光ダイオードアレイの光度を徐々に高くすることができる発光ダイオード駆動装置を実現できる。 With this configuration, it is possible to realize a light-emitting diode driving device that can prevent an inrush current that occurs at startup and can gradually increase the luminous intensity of each light-emitting diode array.
また、過熱保護機能を備えることが好ましい。 Moreover, it is preferable to provide an overheat protection function.
この構成により、発光ダイオード駆動装置の安全性を向上することができる。 With this configuration, the safety of the light-emitting diode driving device can be improved.
本発明の発光ダイオード駆動装置は、複数個の発光ダイオードを直列接続して形成された発光ダイオードアレイを複数列備えた発光ダイオードブロックと、前記発光ダイオードブロックに直列に接続されたチョークコイルと、前記チョークコイルに生じる逆起電力を前記複数の発光ダイオードアレイに供給するための複数のダイオードと、交流電源の交流電圧を整流して前記発光ダイオードブロックと前記チョークコイルに印加する整流回路と、前記発光ダイオードブロックへ電流を供給するためのスイッチング駆動回路とを備え、前記スイッチング駆動回路は、上記いずれかの構成の発光ダイオード駆動用半導体装置により構成されたことを特徴とする。 A light emitting diode driving device of the present invention includes a light emitting diode block having a plurality of light emitting diode arrays formed by connecting a plurality of light emitting diodes in series, a choke coil connected in series to the light emitting diode block, A plurality of diodes for supplying back electromotive force generated in the choke coil to the plurality of light emitting diode arrays; a rectifier circuit that rectifies an AC voltage of an AC power supply and applies the rectified voltage to the light emitting diode block and the choke coil; And a switching drive circuit for supplying a current to the diode block, wherein the switching drive circuit is constituted by the light-emitting diode driving semiconductor device having any one of the above-described configurations.
この構成により、上述の発光ダイオード駆動用半導体装置により得られる効果と同様、電力変換効率が高く、部品点数が少なく小型で、入力電圧の変動や各発光ダイオードアレイの順方向電圧ばらつきに依存せずに各発光ダイオードアレイに流れる電流を定電流で制御でき、色度を自由に制御可能な発光ダイオード駆動装置を実現できる。また駆動回路が起動/停止する電圧が整流された入力電圧の任意の電圧で規定されるので、1周期中で電流が流れる期間と流れない期間との比率を調整でき、光度を自由に制御可能な発光ダイオード駆動装置を実現できる。 With this configuration, similar to the effect obtained by the above-described semiconductor device for driving a light emitting diode, the power conversion efficiency is high, the number of parts is small, and the size is small. In addition, the current flowing through each light emitting diode array can be controlled with a constant current, and a light emitting diode driving device capable of freely controlling chromaticity can be realized. In addition, since the voltage at which the drive circuit starts / stops is defined by an arbitrary voltage of the rectified input voltage, the ratio of the period during which current flows and the period during which current does not flow can be adjusted in one cycle, and the light intensity can be controlled freely A light emitting diode driving device can be realized.
この構成の発光ダイオード駆動装置において、前記ダイオードの逆回復時間(Trr)が100nsec以下であることが好ましい。 In the light emitting diode driving device having this configuration, the reverse recovery time (Trr) of the diode is preferably 100 nsec or less.
この構成により、スイッチング素子がオフ状態からオン状態に移行する過渡状態において、スイッチング素子での電力損失が低減することが可能となる。 With this configuration, power loss in the switching element can be reduced in a transient state in which the switching element shifts from the off state to the on state.
また、前記発光ダイオードブロックは、前記発光ダイオードアレイ毎に発光色の異なる前記発光ダイオードが複数個直接接続された3列以上の前記発光ダイオードアレイを備え、前記発光ダイオードアレイ毎に、前記主スイッチング素子、前記電流検出回路、及び前記主スイッチング素子の断続的なオンオフ制御におけるオン期間を外部信号により制御するための外部端子を備え、前記各発光ダイオードアレイに流れる定電流レベルをそれぞれ制御して、前記発光ダイオードブロックの色度を制御可能であることが好ましい。 The light emitting diode block includes three or more light emitting diode arrays in which a plurality of the light emitting diodes having different emission colors are directly connected to each of the light emitting diode arrays, and the main switching element is provided for each light emitting diode array. And an external terminal for controlling an on period in intermittent on / off control of the current detection circuit and the main switching element by an external signal, and controlling a constant current level flowing through each light emitting diode array, It is preferable that the chromaticity of the light emitting diode block can be controlled.
この構成により、発光ダイオードアレイ別に赤色、緑色、青色の発光ダイオードを配置すれば、赤、青、緑の各色の発光ダイオードアレイ別に流れる定電流レベルを調整し色毎の光度が制御できるため、より複雑な調光機能を有した電力変換効率が高い発光ダイオード駆動装置を実現できる。 With this configuration, if red, green and blue light emitting diodes are arranged for each light emitting diode array, the constant current level flowing for each red, blue and green light emitting diode array can be adjusted, and the light intensity for each color can be controlled. A light-emitting diode driving device having a complicated light control function and high power conversion efficiency can be realized.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
(実施の形態1)
図1に、本発明の実施の形態1における発光ダイオード駆動用の半導体装置6Aを用いた発光ダイオード駆動装置を示す。本実施の形態では、複数の発光ダイオードが直列接続された2つのLEDアレイ5A、5Bを、並列に接続して構成された発光ダイオードブロック5を発光させる場合について説明する。半導体装置6Aは、スイッチング素子ブロック7Aと、制御回路ブロック8Aとから構成されている。
(Embodiment 1)
FIG. 1 shows a light emitting diode driving device using a
交流電源1に接続された全波整流回路2の高電位側には、チョークコイル3の一端と、ダイオード4A,4Bのカソード端子が接続されている。チョークコイル3の他端には、発光ダイオードブロック5のLEDアレイ5A,5Bのアノード端子側が接続されている。LEDアレイ5Aのカソード端子には、ダイオード4Aのアノード端子と、スイッチング素子ブロック7Aの高電位側端子VD1がそれぞれ接続されている。LEDアレイ5Bのカソード端子側には、ダイオード4Bのアノード端子と、スイッチング素子ブロック7Aの高電位側端子VD2がそれぞれ接続されている。
One end of the
スイッチング素子ブロック7Aは、接合型FET9と、2つのスイッチング素子10A,10Bで構成される。接合型FET9とスイッチング素子10Aは直列接続され、接合型FET9の高電位側が高電位側端子VD1に接続されている。低電位側端子にはスイッチング素子10Aの低電位側出力端子と制御回路ブロック8Aのグランド端子が接続されている。接合型FET9とスイッチング素子10Aの接続点には、制御回路ブロック8Aの入力端子VJが、スイッチング素子10Aの制御端子には制御回路ブロック8Aの出力端子GATE1がそれぞれ接続されている。また高電位側端子VD2には、スイッチング素子10Bの高電位側出力端子が接続されている。スイッチング素子10Bの低電位側出力端子は低電位端子に接続されている。スイッチング素子10Bの制御端子には、制御回路ブロック8Aの出力端子GATE2が接続されている。
The switching element block 7A includes a junction FET 9 and two switching
制御回路ブロック8Aは、整流電圧端子IN、入力端子VJ、出力端子GATE1、GATE2、グランド端子GND、及び基準電圧端子Vccを有する。整流電圧端子INは、全波整流回路2の高電位側と、入力電圧検出回路21に接続されている。基準電圧端子Vccには、コンデンサ24が接続されている。入力端子VJにはレギュレータ11の一端が接続され、レギュレータ11の他端は基準電圧端子Vccに接続されている。
The
出力端子GATE1は対応するスイッチング素子10Aの制御端子に、出力端子GATE2は対応するスイッチング素子10Bの制御端子に接続されるとともに、以下のような構成の駆動回路と接続されている。
The output terminal GATE1 is connected to the control terminal of the
スイッチング素子10A,10Bの高電位側出力端子は、共通の検出基準電圧Vsnを有するドレイン電流検出回路18A,18Bの検出端子に接続される。
The high potential side output terminals of the
出力端子GATE1には、AND回路13Aの出力端子と、オン時ブランキングパルス発生器14の入力端子が接続されている。AND回路13Aの入力端子には、起動/停止回路12の出力端子と、発振器19のMAX DUTY信号出力端子と、RSフリップフロップ回路15Aの出力端子Qが接続されている。AND回路17Aの入力端子には、ドレイン電流検出回路18Aの出力端子と、オン時ブランキングパルス発生器14の出力端子が接続されている。OR回路16Aの入力には、AND回路17Aの出力信号と発振器19のMAX DUTY信号の反転信号が入力され、OR回路16Aの出力信号は、RSフリップフロップ回路15Aのリセット信号端子Rに入力される。
An output terminal of the AND
出力端子GATE2には、AND回路13Bの出力端子が接続される。AND回路13Bの入力端子には、起動/停止回路12の出力信号と、発振器19のMAX DUTY信号出力端子と、RSフリップフロップ回路15Bの出力端子Qが接続されている。AND回路17Bの入力端子には、ドレイン電流検出回路18Bの出力端子と、オン時ブランキングパルス発生器14の出力端子が接続されている。OR回路16Bの入力には、AND回路17Bの出力信号と、発振器19のMAX DUTY信号の反転信号が入力され、OR回路16Bの出力信号は、RSフリップフロップ回路15Bのリセット信号端子Rに入力される。
The output terminal GATE2 is connected to the output terminal of the AND
入力電圧検出回路21は、検出基準電圧Vstが−端子に入力されるコンパレータ20と、直列に接続された2つの抵抗22,23とで構成されている。直列接続抵抗22,23は、高電位側が制御回路ブロック8Aの整流電圧端子INに接続され、低電位側が制御回路ブロック8Aのグランド端子GND/SOURCEに接続され、中間端子がコンパレータ20の+端子に接続されている。コンパレータ20の出力端子は、起動/停止回路12の入力端子に接続されている。
The input
次に、図2、及び図3を参照して、上記構成の発光ダイオード駆動装置の動作を説明する。図2(a)は、発光ダイオード駆動装置におけるVin端子電圧波形、(b)は、LEDアレイ5A,5Bに流れる定電流IL0の波形、(c)は、制御回路ブロック8Aの基準電圧端子Vccの電圧Vccを示す。
Next, with reference to FIG. 2 and FIG. 3, the operation of the light emitting diode driving apparatus having the above-described configuration will be described. 2A shows the Vin terminal voltage waveform in the light emitting diode driving device, FIG. 2B shows the waveform of the constant current IL0 flowing through the
全波整流回路2から出力された電圧Vinは、図2(a)に示すように交流電圧を全波整流した波形となる。全波整流電圧Vinは、チョークコイル3とLEDアレイ5Aを介して、スイッチング素子ブロック7Aの接合型FET9の高電位側に印加され、図3のVDで示すように徐々に上昇する。接合型FET9の高電位側電圧VD1と低電位側電圧VJは、図3に示すように、VDの上昇とともに上昇する(領域A)。但し、ピンチオフにより、VD≧VDP以上では、VJ=VJPとなる(領域B)。
The voltage Vin output from the full-
そして、接合型FET9の低電位側に接続されたレギュレータ11により、制御回路ブロック8Aの基準電圧端子Vccの電圧Vccも上昇する。高電位側電圧VDがVDSTARTになり、低電位側電圧VJが起動電圧Vcc0に達すると、電圧Vccは、図2(c)に示すように、レギュレータにより常に一定電圧Vcc0となるように制御され、制御回路ブロック8Aの発振器19の出力が開始される。基準電圧端子Vccの電圧がVcc0を下回ると発振器19の出力は停止される。
The voltage Vcc at the reference voltage terminal Vcc of the
さらに、全波整流電圧Vinは、整流電源端子INを通して入力電圧検出回路21中の抵抗22の高電位側に印加され、抵抗22,23で分圧された電圧Vin’がコンパレータ20の+端子に印加される。コンパレータ20の−端子には基準電圧Vstが印加されており、抵抗22,23で分圧された電圧Vin’が基準電圧Vstに達すると、コンパレータ20は起動/停止回路12に起動信号を送る。
Further, the full-wave rectified voltage Vin is applied to the high potential side of the
図2(a)に示すように、抵抗22,23で分圧された電圧Vin’が基準電圧Vstに達する時のVin電圧(Vin1)は、VJ電圧がVcc0電圧に達する時のVin電圧(Vin2)よりも高くなるように設定されている。そのため、電圧Vin’が基準電圧Vstに達したときから、制御回路ブロック8Aによるスイッチング素子10A,10Bの断続的なオンオフ制御が開始される。抵抗22,23で分圧された電圧Vin’が基準電圧Vstを下回ると、コンパレータ20は起動/停止回路12に停止信号を送り、制御回路ブロック8Aはスイッチング素子10A,10Bをオフ状態に保つ。
As shown in FIG. 2A, the Vin voltage (Vin1) when the voltage Vin ′ divided by the
このように、電圧Vin’が基準電圧Vst以上の電圧の期間T1に、スイッチング素子10A,10Bの断続的なオンオフ制御が実行され、LEDアレイ5A,5Bに定電流IL0が流れる。電圧Vin’が基準電圧Vst以下の電圧の期間T2は、スイッチング素子10A,10Bはオフ状態を保ち、発光ダイオード5に電流が流れない。
As described above, the intermittent on / off control of the
次に図4を参照して、本実施の形態の発光ダイオード駆動装置における定電流出力動作について説明する。図4(a)は高電位側端子VD1の電圧、(b)は高電位側端子VD2の電圧、(c)はスイッチング素子10A、10Bに流れる電流、(d)はLEDアレイ5A、5Bに流れる電流を示す。
Next, with reference to FIG. 4, the constant current output operation in the light emitting diode driving device of the present embodiment will be described. 4A shows the voltage at the high potential side terminal VD1, FIG. 4B shows the voltage at the high potential side terminal VD2, FIG. 4C shows the current flowing through the
まず、LEDアレイ5Aに流れる電流ILについて説明する。起動/停止回路12によって、制御回路ブロック8Aによるスイッチング素子10Aの断続的なオンオフ制御が開始されると、スイッチング素子10Aの発振周波数、及びMAXオンデューティーは、それぞれ発振器19のCLOCK信号、及びMAX DUTY信号により規定される。一方、スイッチング素子10Aに流れる電流が、スイッチング素子10Aのオン電圧を、ドレイン電流検出回路18Aの検出基準電圧Vsnと比較することにより検出される。スイッチング素子10Aのオン電圧がVsnに達すると、発振器19からの次のCLOCK信号がRSフリップフロップ15Aの入力Sに入るまで、スイッチング素子10Aはオフ状態にされる。即ち、スイッチング素子10Aのオンデューティーは、発振器19のMAX DUTY信号の反転信号と、ドレイン電流検出回路18Aの出力信号が入力されたOR回路16Aの出力信号により規定される。スイッチング素子10Aの制御端子にはオン時ブランキングパルス発生器14が接続され、このオン時ブランキングパルス発生器14の出力信号と、ドレイン電流検出回路18Aの出力信号をAND回路17Aに入力することで、スイッチング素子10Aのオフ状態からオン状態になるときに発生するリンギングによるスイッチング素子10Aのオンオフ制御の誤動作を防いでいる。
First, the current IL flowing through the LED array 5A will be described. When the on / off control of the
以上のように、制御回路ブロック8Aによるスイッチング素子10Aの断続的なオンオフ制御がなされ、スイッチング素子10Aに流れる電流IDは、図4(c)に示すような波形になる。このIDPをピークとする電流IDが、スイッチング素子10Aがオン状態にあるとき、チョークコイル3→LEDアレイ5A→スイッチング素子10Aの向きに流れ、スイッチング素子10Aがオフ状態にあるとき、チョークコイル3→LEDアレイ5A→ダイオード4Aの閉ループを流れる。そのためLEDアレイ5Aに流れる電流ILは、図4(d)に示すような波形となり、LEDアレイ5Aに流れる電流の平均電流は、図4(d)に示すIL0となる。
As described above, the on / off control of the
次にLEDアレイ5Bに流れる電流IL’について説明する。起動/停止回路12によって、制御回路ブロック8Aによるスイッチング素子10Bの断続的なオンオフ制御が開始されると、スイッチング素子10Bの発振周波数、及びMAXオンデューティーは、スイッチング素子10Aと同様に、それぞれ発振器19のCLOCK信号、及びMAX DUTY信号により規定される。一方、スイッチング素子10Bに流れる電流が、スイッチング素子10Bのオン電圧を、ドレイン電流検出回路18Bの検出基準電圧Vsnと比較することにより検出される。スイッチング素子10Bのオン電圧がVsnに達すると、発振器19からの次のCLOCK信号がRSフリップフロップ15Bの入力Sに入るまで、スイッチング素子10Bはオフ状態にされる。即ち、スイッチング素子10Bのオンデューティーは、発振器19のMAX DUTY信号の反転信号と、ドレイン電流検出回路18Bの出力信号が入力されたOR回路16Bの出力信号により規定される。この際、ドレイン電流検出回路10A,10Bは、同じ検出基準電圧Vsnにより動作するため、スイッチング素子10Aに流れるドレインピーク電流値とスイッチング素子10Bに流れるドレインピーク電流値は同値になる。
Next, the current IL ′ flowing through the
以上のように、制御回路ブロック8Aによるスイッチング素子10Bの断続的なオンオフ制御がなされ、スイッチング素子10Bに流れる電流ID’は、図4(c)に示すような波形になる。このIDPをピークとする電流ID’が、スイッチング素子10Bがオン状態にあるとき、チョークコイル3→LEDアレイ5B→スイッチング素子10Bの向きに流れ、スイッチング素子10Bがオフ状態にあるとき、チョークコイル3→LEDアレイ5B→ダイオード4Bの閉ループを流れる。
As described above, the ON / OFF control of the
LEDアレイ5A,5B間の順方向電圧の違いによって、各スイッチング素子10A,10Bのドレイン電流がピーク電流に達するまでの時間、すなわち各スイッチング素子のオン期間に、図4(a)、(b)に示すようにな差が発生する。しかし、各スイッチング素子10A,10Bに流れるドレインピーク電流、及び次のオン状態になるタイミングが同等であるため、各LEDアレイに流れる平均電流IL0は略同等になる。
Due to the difference in forward voltage between the
本実施の形態の半導体装置を用いた発光ダイオード駆動装置を使用した場合、以下の効果が得られる。 When the light emitting diode driving device using the semiconductor device of the present embodiment is used, the following effects are obtained.
まず、発光ダイオード駆動装置の起動時の電力損失がない。一般的に、半導体装置に対する電力供給は、入力電圧(高電圧)から直流的に抵抗を介して行われ、この電力供給は起動・停止のみならず、通常動作中も同じように行われるため、抵抗での電力損失が発生する。しかし、本実施の形態によれば、このような抵抗は不要である。 First, there is no power loss when starting up the light emitting diode driving device. In general, power is supplied to a semiconductor device from an input voltage (high voltage) through a resistor in a direct current, and this power supply is performed not only during start / stop but also during normal operation. A power loss occurs in the resistor. However, according to the present embodiment, such a resistor is not necessary.
次に、スイッチング素子10A、10Bに流れる定電流は、スイッチング素子10A,10Bのオン電圧をドレイン電流検出回路18A,18Bによりそれぞれ検出して決定されるため、従来例のような電流制限抵抗等を接続する必要がなく、発光ダイオードに直列に接続された回路要素による電力損失は発生しない。
Next, the constant current flowing through the
また、接合型FET9を使用することにより、入力電源として低電圧から高電圧まで、部品点数が少なく、小型で安定した発光輝度を得ることができる発光ダイオード駆動装置を実現できる。 Further, by using the junction FET 9, it is possible to realize a light emitting diode driving device that can obtain a small and stable light emission luminance with a small number of components from a low voltage to a high voltage as an input power source.
また、一般的に白色発光ダイオードは、駆動電流によって青色を発光する青色発光ダイオードと、青色を黄色に変換するYAG系の蛍光体とから構成され、青色発光ダイオードからの青色光で蛍光体が蛍光発光することにより白色光を射出する。このような白色発光ダイオードは、その順方向電流値と色度及び光度に関して相関があることが知られている。すなわち、順方向電流値が増えると相対光度が上がるだけでなく、色度が変化してしまう。そこで、色度を一定にして光度を調整するためには、発光ダイオードの順方向電流値を一定にし、かつ電流が流れる期間を一定期間中に調整する必要がある。 In general, a white light-emitting diode is composed of a blue light-emitting diode that emits blue light by a drive current and a YAG-based phosphor that converts blue to yellow, and the phosphor is fluorescent by blue light from the blue light-emitting diode. White light is emitted by emitting light. It is known that such a white light emitting diode has a correlation with respect to its forward current value and chromaticity and luminous intensity. That is, when the forward current value increases, not only the relative luminous intensity increases, but also the chromaticity changes. Therefore, in order to adjust the luminous intensity while keeping the chromaticity constant, it is necessary to make the forward current value of the light emitting diode constant and to adjust the current flowing period during the certain period.
本実施の形態の半導体装置を用いた駆動装置により発光ダイオードを駆動した場合、発光ダイオードの順方向電流値は、ドレイン電流検出回路18A、18Bの検出基準電圧Vsnを変えることで簡単に調整できる。さらに、起動/停止電圧を、基準電圧Vstを変更することにより簡単に調整できる。そのため、交流電源1として商用電源を使用した場合、倍周期中(100Hz/120Hz)で発光させる期間と消光させる期間を簡単に調整でき、簡単に白色発光ダイオードの色度と光度を調整できる発光ダイオード駆動装置を実現できる。
When the light emitting diode is driven by the driving device using the semiconductor device of the present embodiment, the forward current value of the light emitting diode can be easily adjusted by changing the detection reference voltage Vsn of the drain
尚、図1の回路において、半導体装置6Aを、スイッチング素子ブロック7Aと制御回路ブロック8Aを同一基板上に形成した構成とすることで、発光ダイオード駆動装置を小型化することができる。これは、以降に示す実施の形態においても同様である。
In the circuit of FIG. 1, the
また、図1の構成において、ダイオード4A,4Bの逆回復時間が100ns以下であるダイオードを使用することにより、スイッチング素子10A、10Bがオフ状態からオン状態に移行する過渡状態において、スイッチング素子での電力損失を実用上十分な程度に低減することが可能となる。
Further, in the configuration of FIG. 1, by using a diode whose reverse recovery time of the
また、図1の構成において、交流電圧を整流する手段として全波整流回路2を使用したが、半波整流回路を使用しても同様の効果が得られるのは明白である。これは、以降に示す実施の形態においても同様である。
In the configuration of FIG. 1, the full-
さらに図1には図示していないが、スイッチング素子ブロック7Aの高電位側と低電位側に、並列接続されたツェナーダイオードなどのクランプ回路を接続してもよい。 Further, although not shown in FIG. 1, a clamp circuit such as a Zener diode connected in parallel may be connected to the high potential side and the low potential side of the switching element block 7A.
制御回路ブロック8Aによるスイッチング素子10A,10Bの断続的なオンオフ制御において、スイッチング素子10A,10Bがオン状態からオフ状態へ移行するときに、スイッチング素子ブロック7Aの高電圧側端子電圧が、配線容量や配線インダクタンスで生ずるリンギングにより、スイッチング素子10A,10Bの耐圧を超える電圧となる場合があり、それがスイッチング素子10A,10Bの破壊につながる可能性がある。
In the intermittent on / off control of the
このような場合に、スイッチング素子10A,10Bの耐圧よりも低いクランプ電圧を有するクランプ回路を接続することで、スイッチング素子ブロック7Aの高電圧側端子電圧VDをこのクランプ電圧でクランプし、スイッチング素子10A,10Bの破壊を防ぐことが可能であり、安全性の高い発光ダイオード駆動装置を実現できる。
In such a case, by connecting a clamp circuit having a clamp voltage lower than the breakdown voltage of the
以下の実施形態においても、クランプ回路を追加することで同様の効果を得ることが可能である。 Also in the following embodiments, the same effect can be obtained by adding a clamp circuit.
(実施の形態2)
図5に、本発明の実施の形態2における発光ダイオード駆動用の半導体装置6Bを用いた発光ダイオード駆動装置を示す。この発光ダイオード駆動装置は、スイッチング素子ブロック7Bの接合型FET9の接続が異なり、制御回路ブロック8Bにおけるドレイン電流検出回路18A,18Bによるドレイン電流の検出方法、及び構成が異なる以外は、図1に示した実施の形態1の回路と同様の構成である。
(Embodiment 2)
FIG. 5 shows a light emitting diode driving device using the
スイッチング素子10Aに対して、スイッチング素子10Aに流れる電流よりも小さく、且つ一定の電流比の電流が流れるスイッチング素子25Aを並列接続し、スイッチング素子25Aの低電位側端子に抵抗26Aを直列接続した構成とする。スイッチング素子25Aに流れる電流を抵抗26Aの両端電圧で検出し、ドレイン電流検出回路18Aの入力とする。ドレイン電流検出回路18Bの検出方法も同様である。
A configuration in which a
以上のような構成にすることにより、抵抗により直接大電流を検出しないため、電力損失を低減したスイッチング素子の電流検出が可能となる。 With the configuration as described above, since a large current is not directly detected by the resistor, it is possible to detect the current of the switching element with reduced power loss.
(実施の形態3)
図6に、本発明の実施の形態3における発光ダイオード駆動用の半導体装置6Cを用いた発光ダイオード駆動装置を示す。この発光ダイオード駆動装置は、制御回路ブロック8CにおけるAND回路13A,13Bの入力端子に過熱保護回路38を追加した以外は、図5に示した実施の形態2の回路と同様の構成である。
(Embodiment 3)
FIG. 6 shows a light emitting diode driving device using the light emitting diode driving
過熱保護回路38を追加することにより、スイッチング素子10A,10Bの温度を検出する。特に、スイッチング素子ブロック7Bと制御回路ブロック8Cが同一基板上に形成された半導体装置で構成された場合、温度検出精度が高くなる。過熱保護回路38により、スイッチング素子10A,10Bの異常な温度上昇を検出した場合、過熱保護回路38よりAND回路13A,13Bの入力に、スイッチング素子10A,10Bを強制的にオフさせる信号を出力し、スイッチング素子10A,10Bの温度を下げる。
By adding the
ここで、スイッチング素子10A,10Bの強制的なオフ状態の解除動作は、発光ダイオード駆動装置への電源供給を一端停止し、再度開始するまでこのオフ状態を保持するラッチモードと、過熱保護回路38により規定された温度以下になるまでスイッチング素子10A,10Bをオフ状態に保持し、この規定された温度以下になれば自動的にオフ状態を解除する自己復帰モード、の2通りを採用可能である。
Here, the forcible OFF state release operation of the
本実施の形態の発光ダイオード駆動装置を使用した場合、実施の形態1および2について示した効果に加えて、異常な温度上昇によるスイッチング素子10A,10Bの破壊を回避することができるため、安全性の高い発光ダイオード駆動装置を実現できる。
When the light emitting diode driving device of the present embodiment is used, in addition to the effects shown in the first and second embodiments, the destruction of the
以下の実施の形態においても、過熱保護回路38を追加することで同様の効果を得ることができる。
Also in the following embodiments, the same effect can be obtained by adding the
(実施の形態4)
図7に、本発明の実施の形態4における発光ダイオード駆動用の半導体装置6Dを用いた発光ダイオード駆動装置を示す。この発光ダイオード駆動装置は、スイッチング素子ブロック7Cの接合型FET9の接続が異なり、制御回路ブロック8Dのドレイン電流検出回路18A,18Bの検出基準電圧Vsnを決める端子SNを外部端子としたこと以外は、図5に示した実施の形態2の回路と同様の構成である。
(Embodiment 4)
FIG. 7 shows a light-emitting diode driving device using a
図8を参照して、LEDアレイ5Aに流れる電流ILが変化する際の動作を説明する。本実施の形態の発光ダイオード駆動装置の起動・停止動作は、基本的に実施の形態1の発光ダイオード駆動装置と同様である。 With reference to FIG. 8, the operation when the current IL flowing through the LED array 5A changes will be described. The start / stop operation of the light emitting diode driving apparatus of the present embodiment is basically the same as that of the light emitting diode driving apparatus of the first embodiment.
ドレイン電流検出回路18A,18Bの検出基準電圧Vsnは、外部端子SNに入力される電圧により可変である。ここで、例えば、図8(e)に示すように、SN端子電圧Vsnを3段階で徐々に低下させた場合、ドレイン電流検出レベルも3段階で徐々に低下するため、スイッチング素子10Aに流れる電流も3段階で徐々に低下する。これにより、スイッチング素子10Aには、図8(c)に示すようにPWM制御された電流IDが流れ、LEDアレイ5Aには、図8(d)に示すような電流ILが流れ、LEDアレイ5Aの平均電流ILOは図8(d)に示すようになる。即ち、Vsn電圧により、LEDアレイ5Aの平均電流が変化する。
The detection reference voltage Vsn of the drain
なお、ドレイン電流検出回路18Aの動作を、検出基準電圧Vsnの変動に対して発光ダイオード5Aの平均電流が比例して変化するものとして説明したが、ドレイン電流検出回路18Aの検出基準電圧変動に対してLEDアレイ5Aの平均電流が反比例して変化するように動作させてもよい。
The operation of the drain
本実施の形態の発光ダイオード駆動装置を使用した場合、実施の形態3について示した効果に加えて、以下の効果が得られる。 When the light emitting diode driving device of the present embodiment is used, the following effects are obtained in addition to the effects shown in the third embodiment.
ドレイン電流検出回路の検出基準電圧を決める端子を外部端子SNとして出すことにより、外部より容易に発光ダイオードの順方向電流値を調整することができる。すなわち白色発光ダイオードの色度を調整できる。 By providing the terminal for determining the detection reference voltage of the drain current detection circuit as the external terminal SN, the forward current value of the light emitting diode can be easily adjusted from the outside. That is, the chromaticity of the white light emitting diode can be adjusted.
以下の実施の形態においても、本実施の形態と同様の構成を適用して同様の効果を得ることが可能である。 Also in the following embodiments, it is possible to obtain the same effect by applying the same configuration as the present embodiment.
(実施の形態5)
図9に、本発明の実施の形態5における発光ダイオード駆動用の半導体装置6Eを用いた発光ダイオード駆動装置を示す。この発光ダイオード駆動装置は、制御回路ブロック8Eにおける、ドレイン電流検出回路18A,18Bの検出基準電圧をそれぞれ決める端子SN1、SN2を外部端子とすること以外は、図7に示した実施の形態4の回路と同様の構成である。
(Embodiment 5)
FIG. 9 shows a light-emitting diode driving device using the
本実施の形態の発光ダイオード駆動装置を使用した場合、実施の形態3について示した効果に加えて以下の効果が得られる。 When the light emitting diode driving device of the present embodiment is used, the following effects can be obtained in addition to the effects shown in the third embodiment.
ドレイン電流検出回路18A,18Bの検出基準電圧を決める端子を外部端子SN1,SN2として出すことにより、外部より容易にLEDアレイ5A,5Bの順方向電流値を個別に調整することができる。すなわち白色発光ダイオードの色度を調整できる。
By providing the terminals that determine the detection reference voltages of the drain
また、図9の回路ではLEDアレイを2並列接続した例を示したが、3列以上の発光ダイオードアレイを備え、発光ダイオードアレイ毎に赤色、緑色、青色の発光ダイオードを配置し、発光ダイオードアレイ毎にスイッチング素子、電流検出回路、及びスイッチング素子の断続的なオンオフ制御におけるオン期間を外部信号により制御できる外部端子を備えた構成にすることもできる。それにより、各LEDアレイに流れる定電流レベルをそれぞれ制御できるため、LED光源として色度を自由に設定可能になる。 In the circuit of FIG. 9, an example in which two LED arrays are connected in parallel is shown. However, a light emitting diode array is provided with three or more rows of light emitting diode arrays, and red, green, and blue light emitting diodes are arranged for each light emitting diode array. It is also possible to employ a configuration including an external terminal that can control the switching element, the current detection circuit, and the on period in the intermittent on / off control of the switching element by an external signal. As a result, the constant current level flowing through each LED array can be controlled individually, so that the chromaticity can be freely set as the LED light source.
(実施の形態6)
図10に、本発明の実施の形態6における発光ダイオード駆動用の半導体装置6Fを用いた発光ダイオード駆動装置を示す。この発光ダイオード駆動装置は、図7に示す実施の形態4の構成に対して、制御回路ブロック8Fの構成が以下のように異なる。
(Embodiment 6)
FIG. 10 shows a light emitting diode driving device using the
すなわち、発振器35からは、MAX DUTY信号およびCLOCK信号に加えて、のこぎり波SAWTOOTH信号を供給する。このSAWTOOTH信号と外部端子SNの電圧信号Vsnを、コンパレータ34により比較する。そして、図7におけるOR回路16A、16Bに対応するOR回路37A、37Bに対し、MAX DUTY信号の反転信号に代えてコンパレータ34の出力信号を入力する。OR回路37A、37Bのもう一つの入力として、図7におけるAND回路17A、17Bに対応する、AND回路36A、36Bの出力が入力される。
That is, the oscillator 35 supplies a sawtooth wave SAWTOOTH signal in addition to the MAX DUTY signal and the CLOCK signal. The SAWTOOTH signal and the voltage signal Vsn at the external terminal SN are compared by the comparator 34. Then, instead of the inverted signal of the MAX DUTY signal, the output signal of the comparator 34 is input to the
この制御回路ブロック8Fによる、スイッチング素子10Aの駆動制御について説明する。ドレイン電流検出回路18Aにおいて、スイッチング素子25Aに流れる電流を抵抗26Aの両端電圧で検出させるが、検出基準電圧は一定であり、従ってスイッチング素子10Aに流れる電流の最大値は常に一定である。
The drive control of the
コンパレータ34により、SAWTOOTH信号と外部端子SNの電圧信号Vsnを比較した出力信号と、AND回路36Aの出力信号が入力されたOR回路37Aの出力信号が、RSフリップフロップ回路15Aのリセット信号端子Rに入力される。従って、外部端子SNへの入力電圧を変化させれば、スイッチング素子10Aのオンデューティーが変化し、PWM制御されることになる。スイッチング素子10Bの制御も同様である。
An output signal obtained by comparing the SAWTOOTH signal with the voltage signal Vsn of the external terminal SN by the comparator 34 and an output signal of the
本実施の形態の発光ダイオード駆動装置を使用した場合、上記のような構成に違いはあるが、各端子の電流・電圧波形は図8と同じであり、図7に示す実施の形態4の構成と同様の効果が得られる。 When the light emitting diode driving apparatus according to the present embodiment is used, there is a difference in the configuration as described above, but the current / voltage waveforms at the respective terminals are the same as those in FIG. 8, and the configuration of the fourth embodiment shown in FIG. The same effect can be obtained.
(実施の形態7)
図11に、本発明の実施の形態7における発光ダイオード駆動用の半導体装置6Gを用いた発光ダイオード駆動装置を示す。この発光ダイオード駆動装置は、図7に示す実施の形態4の構成に対して、制御回路ブロック8Gの入力電圧検出回路21に関する構成が以下のように異なる。
(Embodiment 7)
FIG. 11 shows a light emitting diode driving device using the semiconductor device 6G for driving a light emitting diode in the seventh embodiment of the present invention. This light emitting diode driving device differs from the configuration of the fourth embodiment shown in FIG. 7 in the configuration relating to the input
すなわち、入力電圧検出回路21の検出基準電圧Vstを決める端子が、外部端子STとして構成されている。
That is, the terminal that determines the detection reference voltage Vst of the input
入力電圧検出回路21の検出基準電圧Vstを、外部端子STに入力される電圧によって可変にできるので、起動/停止電圧を簡単に調整可能である。従って、交流電源1に商用電源を使用した場合、倍周期中(100Hz/120Hz)で発光させる期間と消光させる期間を簡単に調整でき、簡単に白色発光ダイオードの色度と光度を調整できる。
Since the detection reference voltage Vst of the input
(実施の形態8)
図12に、本発明の実施の形態8における発光ダイオード駆動用の半導体装置6Hを用いた発光ダイオード駆動装置を示す。この発光ダイオード駆動装置は、図11に示す実施の形態7に対して、制御回路ブロック8Hの入力電圧検出回路21に関する構成が以下のように異なる。
(Embodiment 8)
FIG. 12 shows a light-emitting diode driving device using the
入力電圧検出回路21は、全波整流回路2によって全波整流された電圧が入力される整流電源端子INと制御回路ブロック8Hのグランド端子間に直列に接続された2つの抵抗22,23と、抵抗分割によって分圧された直流電圧vin’がそれぞれ一方の入力端子に入力される第1及び第2のコンパレータ28,29と、第1及び第2のコンパレータ28,29の他方の入力端子にそれぞれ接続される2つの外部端子(LOWレベル入力端子、HIレベル入力端子)と、第1及び第2のコンパレータ28,29の出力端子が接続されるNOR回路27で構成される。
The input
第1のコンパレータ28の+端子にはLOWレベル入力端子INLが接続され、−端子には直流電圧Vin’が入力される。第2のコンパレータ29の−端子にはHIレベル入力端子INHが接続され、+端子には直流電圧Vin’が入力される。第1及び第2のコンパレータ28,29の出力信号は、NOR回路27を通して起動/停止回路12に入力される。入力端子INH、INLには3つの直列接続された抵抗30,31,32で分圧された電圧(VH、VL)がそれぞれ入力され、VH>VLの関係がある。
The LOW level input terminal INL is connected to the + terminal of the
本実施の形態の発光ダイオード駆動装置の動作について、図12、図13を参照して説明する。 The operation of the light-emitting diode driving apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.
2つの抵抗22、23によって分圧されたVin’がVLに達すると、入力電圧検出回路21は起動/停止回路12に起動信号を送り、制御回路ブロック8Hによるスイッチング素子10A,10Bの断続的なオンオフ制御が開始される。Vin’がVHに達すると、入力電圧検出回路21は起動/停止回路12に停止信号を送り、制御回路ブロック8Hはスイッチング素子10A,10Bをオフ状態に保つ。
When Vin ′ divided by the two
すなわち図13に示すように、Vin’電圧がVL以上、VH以下の期間にスイッチング素子10A,10Bは断続的なオンオフ制御を行い、発光ダイオードが発光する。Vin’電圧がVH以上、VL以下の期間には、スイッチング素子10A,10Bはオフ状態を保持し、発光ダイオードは消光する。
That is, as shown in FIG. 13, the
ここでVH,VLの電圧は3つの直列接続された抵抗30,31,32で分圧され決定される構成としたが、これに限定されるものではない。VH>VLの関係があり、全波整流電圧Vinの変化に対して、Vin’がVLよりも低い電圧からVHよりも高い電圧に変化する関係が達成できる信号であればよい。
Here, the voltages VH and VL are determined by being divided by three series-connected
以上のような構成により、1周期中における起動電圧と停止電圧のレベルを個別に設定できるため、より複雑な光度調整が可能な電力変換効率が高い発光ダイオード駆動装置を実現できる。 With the configuration as described above, since the level of the start voltage and the stop voltage in one cycle can be set individually, it is possible to realize a light emitting diode driving device with high power conversion efficiency capable of more complex light intensity adjustment.
(実施の形態9)
図14に、本発明の実施の形態9における発光ダイオード駆動用の半導体装置6Iを用いた発光ダイオード駆動装置を示す。この発光ダイオード駆動装置は、制御回路ブロック8Iにおける入力電圧検出回路21の直列接続抵抗22,23の高電位側が、スイッチング素子ブロック7Cの接合型FET9の低電位側に接続されていること以外は、図7に示した実施の形態4と同様の構成である。
(Embodiment 9)
FIG. 14 shows a light emitting diode driving device using the semiconductor device 6I for driving a light emitting diode according to the ninth embodiment of the present invention. In this light emitting diode driving device, except that the high potential side of the
このように、全波整流電圧Vinを直接抵抗分割せず、接合型FET9の低電位側電圧VJを抵抗分割することにより、抵抗22,23で発生する電力損失を少なくすることができる。
In this way, the power loss generated in the
(実施の形態10)
図15に、本発明の実施の形態10における発光ダイオード駆動用の半導体装置6Jを用いた発光ダイオード駆動装置を示す。この発光ダイオード駆動装置は、制御回路ブロック8Jにおける入力電圧検出回路21の直列接続抵抗22,23の高電位側が、スイッチング素子ブロック7Cの接合型FET9の低電位側に接続されていること以外は、図11に示した実施の形態7と同様の構成であり、得られる効果は実施の形態9と同様である。
(Embodiment 10)
FIG. 15 shows a light-emitting diode driving device using the
(実施の形態11)
図16は、本発明の実施の形態11における発光ダイオード駆動用の半導体装置6Kを用いた発光ダイオード駆動装置を示す。この発光ダイオード駆動装置は、制御回路ブロック8Kにおける入力電圧検出回路21の直列接続抵抗22,23の高電位側が、スイッチング素子ブロック7Cの接合型FET9の低電位側に接続されていること以外は、図12に示した実施の形態8と同様の構成であり、得られる効果は実施の形態9と同様である。
(Embodiment 11)
FIG. 16 shows a light emitting diode driving device using the
なお、図12、図16に示す構成では、スイッチング素子10A,10Bの起動電圧と停止電圧のレベルはそれぞれ同じであるが、スイッチング素子10A,10Bのそれぞれに入力電圧検出回路と起動/停止回路を備えた構成として、スイッチング素子10A,10Bのそれぞれを任意の電圧VH,VLで起動/停止を制御可能としてもよい。
In the configuration shown in FIGS. 12 and 16, the levels of the start voltage and stop voltage of the
(実施の形態12)
図17に、本発明の実施の形態12における発光ダイオード駆動用の半導体装置6Lを用いた発光ダイオード駆動装置を示す。この発光ダイオード駆動装置は、制御回路ブロック8Lにおける外部検出端子SNとドレイン電流検出回路18との間にソフトスタート回路33を備えていること以外は、図16に示した実施の形態11と同様の構成である。
(Embodiment 12)
FIG. 17 shows a light-emitting diode driving device using the
ソフトスタート回路33は、起動/停止回路12とも接続される。ソフトスタート回路33は起動信号を入力されると、検出基準電圧Vsnを一定値に至るまで徐々に増加するように出力する。
The
このような構成にすることにより、起動時に発生する突入電流を防止でき、発光ダイオードに流れる順方向電流を徐々に高くして、発光ダイオードの光度を徐々に上げることが可能となる。 By adopting such a configuration, it is possible to prevent an inrush current that occurs at the time of start-up, and it is possible to gradually increase the forward current flowing through the light-emitting diode and gradually increase the light intensity of the light-emitting diode.
発光ダイオードを使用した装置・機器全般に利用可能であり、特に、LED照明機器として有用である。 The present invention can be used for all apparatuses and devices using light emitting diodes, and is particularly useful as an LED lighting device.
1,204 交流電源
2,205 整流回路
3 チョークコイル
4A,4B ダイオード
5 発光ダイオードブロック
5A,5B LEDアレイ
6A〜6L 半導体装置
7A〜C スイッチング素子ブロック
8A〜8L 制御回路ブロック
9 接合型FET
10A,10B スイッチング素子
11 レギュレータ
12 起動/停止回路
13A,13B AND回路
14 オン時ブランキングパルス発生器
15A,15B RSフリップフロップ回路
16A,16B,37A,37B OR回路
17A,17B,36A,36B AND回路
18A,18B ドレイン電流検出回路
19,35 発振器
20,28,29,34 コンパレータ
21 入力電圧検出回路
22,23,26A,26B,30,31,32 抵抗
24 コンデンサ
25A,25B N型MOSFET
27 NOR回路
33 ソフトスタート回路
100,201 LEDアレイ回路
101 電流制限抵抗
102,103 発光ダイオード
104,121,131 バイポーラトランジスタ
110 定電圧回路
120 定電流回路
130 スイッチング手段
140 調光回路
202 LED直列回路
203 定電流回路
206 定電圧レギュレータ
207 制御手段
208 比較手段
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,204 AC power supply 2,205
10A,
27 NOR
Claims (21)
スイッチング素子ブロックと制御回路ブロックとを備え、
前記スイッチング素子ブロックは、前記発光ダイオードアレイ毎に直列接続される複数の主スイッチング素子と、
前記主スイッチング素子に対応して接続された少なくとも1つの接合型FETとを備え、
前記制御回路ブロックは、
前記接合型FETの他端に接続された入力端子と、
前記入力端子に接続され基準電圧を出力する基準電圧端子と、
前記交流電圧を整流した電圧を検出する入力電圧検出回路と、
前記入力電圧検出回路の出力電圧が所定値以上になると、前記複数の主スイッチング素子に対する所定の発振周波数での断続的なオンオフ制御に基づくオン動作を開始し、前記入力電圧検出回路の出力電圧が所定値未満になると停止する起動/停止回路と、
前記複数の主スイッチング素子に流れる電流をそれぞれ検出する複数の電流検出回路と、
前記各電流検出回路による検出信号に応じて、前記主スイッチング素子に流れる電流が一定となるようにオフ動作を制御する制御回路とを備えたことを特徴とする発光ダイオード駆動用半導体装置。 A light emitting diode block having a plurality of light emitting diode arrays formed by connecting a plurality of light emitting diodes in series, a choke coil connected in series to the light emitting diode block, and a counter electromotive force generated in the choke coil A plurality of diodes for supplying to a plurality of light emitting diode arrays, a rectifying circuit for rectifying an AC voltage of an AC power source and applying the rectified voltage to the light emitting diode block and the choke coil, and for supplying a current to the light emitting diode block A light emitting diode driving semiconductor device constituting the switching driving circuit in a light emitting diode driving device comprising a switching driving circuit,
A switching element block and a control circuit block;
The switching element block includes a plurality of main switching elements connected in series for each light emitting diode array;
And at least one junction type FET connected corresponding to the main switching element,
The control circuit block is
An input terminal connected to the other end of the junction FET;
A reference voltage terminal connected to the input terminal and outputting a reference voltage;
An input voltage detection circuit for detecting a voltage obtained by rectifying the AC voltage;
When the output voltage of the input voltage detection circuit becomes equal to or higher than a predetermined value, an on operation based on intermittent on / off control at a predetermined oscillation frequency for the plurality of main switching elements is started, and the output voltage of the input voltage detection circuit is A start / stop circuit that stops when less than a predetermined value;
A plurality of current detection circuits for respectively detecting currents flowing through the plurality of main switching elements;
A light emitting diode driving semiconductor device comprising: a control circuit that controls an off operation so that a current flowing through the main switching element is constant according to a detection signal from each of the current detection circuits.
前記接合型FETの出力端子と対をなす前記主スイッチング素子の一方の出力端子が接続され、
前記各制御端子に前記制御回路ブロックの各出力端子と前記複数の主スイッチング素子の各制御端子が接続され、
前記高電位側端子に前記接合型FETの入力端子が接続され、前記接合型FETの出力端子と前記対をなす主スイッチング素子の出力端子の接続部に前記制御回路ブロックの入力端子が接続され、
前記低電位側端子に前記複数の主スイッチング素子の他方の出力端子と前記制御回路ブロックのグランド端子が接続された請求項1記載の発光ダイオード駆動用半導体装置。 The switching element block has a plurality of control terminals, a plurality of high potential side terminals, and a low potential side terminal,
One output terminal of the main switching element paired with the output terminal of the junction FET is connected,
Each output terminal of the control circuit block and each control terminal of the plurality of main switching elements are connected to the control terminals,
An input terminal of the junction type FET is connected to the high potential side terminal, and an input terminal of the control circuit block is connected to a connection portion of the output terminal of the main switching element paired with the output terminal of the junction type FET,
2. The semiconductor device for driving a light emitting diode according to claim 1, wherein the other output terminal of the plurality of main switching elements and the ground terminal of the control circuit block are connected to the low potential side terminal.
前記各制御端子に前記制御回路ブロックの各出力端子と前記複数の主スイッチング素子の各制御端子が接続され、
前記各高電位側端子に前記複数の主スイッチング素子の一方の出力端子が接続され、
前記高電位側端子の一つに前記接合型FETの入力端子が接続され、前記接合型FETの出力端子に前記制御回路ブロックの入力端子が接続され、
前記低電位端子に前記複数の主スイッチング素子の他方の出力端子と前記制御回路ブロックのグランド端子が接続された請求項1記載の発光ダイオード駆動用半導体装置。 The switching element block has a plurality of control terminals, a plurality of high potential side terminals, and a low potential side terminal,
Each output terminal of the control circuit block and each control terminal of the plurality of main switching elements are connected to the control terminals,
One output terminal of the plurality of main switching elements is connected to each high potential side terminal,
The input terminal of the junction FET is connected to one of the high potential side terminals, and the input terminal of the control circuit block is connected to the output terminal of the junction FET,
2. The semiconductor device for driving a light emitting diode according to claim 1, wherein the other output terminal of the plurality of main switching elements and the ground terminal of the control circuit block are connected to the low potential terminal.
前記各制御端子に前記制御回路ブロックの各出力端子と前記複数の主スイッチング素子の各制御端子が接続され、
前記整流電源端子に前記整流回路の出力端子と前記接合型FETの入力端子が接続され、前記接合型FETの出力端子に前記制御回路ブロックの入力端子が接続され、
前記各高電位側端子に前記複数の主スイッチング素子の一方の出力端子が接続され、
前記低電位端子に前記複数の主スイッチング素子の他方の出力端子と前記制御回路ブロックのグランド端子が接続された請求項1記載の発光ダイオード駆動用半導体装置。 The switching element block has a plurality of control terminals, a rectified voltage source terminal, a plurality of high potential side terminals, and a low potential side terminal,
Each output terminal of the control circuit block and each control terminal of the plurality of main switching elements are connected to the control terminals,
The output terminal of the rectifier circuit and the input terminal of the junction FET are connected to the rectified power supply terminal, and the input terminal of the control circuit block is connected to the output terminal of the junction FET.
One output terminal of the plurality of main switching elements is connected to each high potential side terminal,
2. The semiconductor device for driving a light emitting diode according to claim 1, wherein the other output terminal of the plurality of main switching elements and the ground terminal of the control circuit block are connected to the low potential terminal.
前記複数の主スイッチング素子に対して制御端子と高電位側端子が並列接続されて各々一対をなす複数の副スイッチング素子と、
前記各副スイッチング素子の低電位側に直列接続された抵抗とを備え、
前記副スイッチング素子に流れる電流は、前記主スイッチング素子に流れる電流よりも小さく、且つ前記主スイッチング素子に流れる電流に対して一定の電流比となるように設定され、
前記各抵抗の両端電圧を検出基準電圧と比較することにより前記各主スイッチング素子の電流を検出する請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光ダイオード駆動用半導体装置。 The plurality of current detection circuits include:
A plurality of sub-switching elements each having a pair of a control terminal and a high-potential side terminal connected in parallel to the plurality of main switching elements;
A resistor connected in series on the low potential side of each of the sub-switching elements,
The current flowing through the sub-switching element is set to be smaller than the current flowing through the main switching element and a constant current ratio with respect to the current flowing through the main switching element,
The semiconductor device for driving a light-emitting diode according to claim 1, wherein the current of each main switching element is detected by comparing a voltage between both ends of each resistor with a detection reference voltage.
前記整流回路によって整流された電圧が入力される整流電源端子と前記制御回路ブロックのグランド端子間に直列に接続された2つの抵抗と、
前記2つの抵抗による抵抗分割によって分圧された直流電圧がそれぞれ一方の入力端子に入力される第1及び第2のコンパレータと、
前記第1及び第2のコンパレータの他方の入力端子に各々接続された外部端子であるHIレベル入力端子及びLOWレベル入力端子と、
前記第1及び第2のコンパレータの出力端子が接続されたNOR回路とを備え、
前記第1のコンパレータは、+端子に前記LOWレベル入力端子が接続され、−端子に前記抵抗分割によって分圧された直流電圧が入力されて、前記起動/停止回路の起動レベルの下限を規定する入力電圧VLに対する比較結果を出力し、
前記第2のコンパレータは、−端子に前記HIレベル入力端子が接続され、+端子に前記抵抗分割によって分圧された直流電圧が入力されて、前記起動/停止回路の起動レベルの上限を規定する入力電圧VHに対する比較結果を出力し、
任意の電圧VH及びVLにより起動/停止を制御可能である請求項1〜10のいずれか1項に記載の発光ダイオード駆動用半導体装置。 The input voltage detection circuit is
Two resistors connected in series between a rectified power supply terminal to which a voltage rectified by the rectifier circuit is input and a ground terminal of the control circuit block;
First and second comparators, each of which receives a DC voltage divided by resistance division by the two resistors and is input to one input terminal;
An HI level input terminal and a LOW level input terminal which are external terminals respectively connected to the other input terminals of the first and second comparators;
A NOR circuit to which output terminals of the first and second comparators are connected,
In the first comparator, the LOW level input terminal is connected to the + terminal, and the DC voltage divided by the resistance division is input to the − terminal to define the lower limit of the start level of the start / stop circuit. Outputs the comparison result for the input voltage VL,
In the second comparator, the HI level input terminal is connected to a negative terminal, and a DC voltage divided by the resistance division is input to a positive terminal to define an upper limit of the starting level of the starting / stopping circuit. Outputs the comparison result for the input voltage VH,
11. The semiconductor device for driving a light emitting diode according to claim 1, wherein start / stop can be controlled by arbitrary voltages VH and VL.
前記入力電圧検出回路は、前記接合型FETの低電位側出力端子が+端子に接続され、予め設定された基準電圧が−端子に入力されるコンパレータを備えた請求項4記載の発光ダイオード駆動用半導体装置。 The low potential side output terminal of the junction FET is connected to the input terminal of the control circuit block,
5. The LED driving circuit according to claim 4, wherein the input voltage detection circuit includes a comparator in which a low-potential side output terminal of the junction FET is connected to a + terminal and a preset reference voltage is input to a − terminal. Semiconductor device.
前記入力電圧検出回路は、前記接合型FETの低電位側出力端子が+端子に接続され、基準電圧が−端子に入力されるコンパレータで構成され、
前記基準電圧を外部信号により変更することにより、前記スイッチング素子が起動/停止する電圧を調整可能である請求項4に記載の発光ダイオード駆動用半導体装置。 The low potential side output terminal of the junction FET is connected to the input terminal of the control circuit block,
The input voltage detection circuit is configured by a comparator in which a low-potential side output terminal of the junction FET is connected to a + terminal and a reference voltage is input to a − terminal.
5. The semiconductor device for driving a light emitting diode according to claim 4, wherein a voltage at which the switching element is started / stopped can be adjusted by changing the reference voltage by an external signal.
前記入力電圧検出回路は、
前記接合型FETの低電位側出力端子が一方の入力端子に接続された第1及び第2のコンパレータと、
前記第1及び第2のコンパレータの他方の入力端子に各々接続された外部端子であるHIレベル入力端子及びLOWレベル入力端子と、
前記第1及び第2のコンパレータの出力端子が接続されたNOR回路とを備え、
前記第1のコンパレータは、+端子に前記LOWレベル入力端子が接続され、−端子に前記接合型FETの低電位側出力端子が接続されて、前記起動/停止回路の起動レベルの下限を規定する入力電圧VLに対する比較結果を出力し、
前記第2のコンパレータは、−端子に前記HIレベル入力端子が接続され、+端子に前記接合型FETの低電位側出力端子が接続されて、前記起動/停止回路の起動レベルの上限を規定する入力電圧VHに対する比較結果を出力し、
任意の電圧VH及びVLにより起動/停止を制御可能である請求項4に記載の発光ダイオード駆動用半導体装置。 The low potential side output terminal of the junction FET is connected to the input terminal of the control circuit block,
The input voltage detection circuit is
First and second comparators in which the low potential side output terminal of the junction FET is connected to one input terminal;
An HI level input terminal and a LOW level input terminal which are external terminals respectively connected to the other input terminals of the first and second comparators;
A NOR circuit to which output terminals of the first and second comparators are connected,
The first comparator has a + terminal connected to the LOW level input terminal and a − terminal connected to the low potential side output terminal of the junction FET to define a lower limit of the start level of the start / stop circuit. Outputs the comparison result for the input voltage VL,
The second comparator has an HI level input terminal connected to a negative terminal and a low potential side output terminal of the junction FET connected to a positive terminal to define an upper limit of the startup level of the start / stop circuit. Outputs the comparison result for the input voltage VH,
5. The semiconductor device for driving a light emitting diode according to claim 4, wherein start / stop can be controlled by arbitrary voltages VH and VL.
前記発光ダイオードブロックに直列に接続されたチョークコイルと、
前記チョークコイルに生じる逆起電力を前記複数の発光ダイオードアレイに供給するための複数のダイオードと、
交流電源の交流電圧を整流して前記発光ダイオードブロックと前記チョークコイルに印加する整流回路と、
前記発光ダイオードブロックへ電流を供給するためのスイッチング駆動回路とを備え、
前記スイッチング駆動回路は、請求項1〜18のいずれか1項に記載の発光ダイオード駆動用半導体装置により構成されたことを特徴とする発光ダイオード駆動装置。 A light-emitting diode block including a plurality of light-emitting diode arrays formed by connecting a plurality of light-emitting diodes in series;
A choke coil connected in series to the light emitting diode block;
A plurality of diodes for supplying back electromotive force generated in the choke coil to the plurality of light emitting diode arrays;
A rectifying circuit for rectifying an AC voltage of an AC power source and applying the rectified voltage to the light emitting diode block and the choke coil;
A switching drive circuit for supplying current to the light emitting diode block;
The light emitting diode drive device characterized by the said switching drive circuit being comprised by the semiconductor device for a light emitting diode drive of any one of Claims 1-18.
前記発光ダイオードアレイ毎に、前記主スイッチング素子、前記電流検出回路、及び前記主スイッチング素子の断続的なオンオフ制御におけるオン期間を外部信号により制御するための外部端子を備え、前記各発光ダイオードアレイに流れる定電流レベルをそれぞれ制御して、前記発光ダイオードブロックの色度を制御可能である請求項19記載の発光ダイオード駆動装置。 The light emitting diode block includes the light emitting diode array of three or more rows in which a plurality of the light emitting diodes having different emission colors are directly connected for each light emitting diode array,
Each light emitting diode array includes an external terminal for controlling an on period in an intermittent on / off control of the main switching element, the current detection circuit, and the main switching element by an external signal, and each light emitting diode array includes The light emitting diode driving device according to claim 19, wherein the chromaticity of the light emitting diode block can be controlled by respectively controlling a flowing constant current level.
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JP2009105016A (en) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Led lighting system |
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JP6681859B2 (en) * | 2017-09-25 | 2020-04-15 | 双葉電子工業株式会社 | Integrated circuit device, fluorescent display tube |
JP6681860B2 (en) * | 2017-09-25 | 2020-04-15 | 双葉電子工業株式会社 | Integrated circuit device, fluorescent display tube |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103338568A (en) * | 2013-07-20 | 2013-10-02 | 木林森股份有限公司 | Program-controlled blowing or voice-operated dual-purpose LED (Light-Emitting Diode) illumination switching control circuit |
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