JP4058321B2 - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示素子およびその製造方法に関し、詳しくは垂直配向型の液晶表示素子およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
プロジェクタに用いる液晶表示素子は従来ツイステッドネマティック型(以下TN型という)のモードのものを使用してきた。TN型の液晶の場合には、有機の配向膜が用いられている。そのようなTN型の液晶の液晶表示素子を搭載した液晶プロジェクタを長期に動作させた状態では、大光量の光が液晶パネルに照射され、かつ液晶パネルが最大60℃〜70℃の高温に曝されるため、有機配向膜が劣化し、長寿命化には限界がある。TN型液晶表示装置に無機配向膜を使用すると、無機配向膜と液晶との間の化学的相互作用が弱く、ラビング、光、イオンビームや酸化シリコン(SiO2 )斜め蒸着などの配向処理を行っても、配向の安定性が低く、まだ実用の域には到達していないのが現状である。
【0003】
一方、酸化シリコン(SiO2 )斜め蒸着膜を無機配向膜として使用すると、垂直配向型であれば安定して配向することが知られている(例えば、特許文献1参照。)(例えば、特許文献2参照。)。
【0004】
【特許文献1】
特開平5−203958号公報(第2−6頁、第1図)
【特許文献2】
特開平7−159788号公報(第3−4頁、第2図)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、配向膜として、SiO2
斜方蒸着膜だけで所定のプレチルト角2度〜4度(基板の法線方向に対して)を安定的に出すには、蒸着方法の条件出し(例えば、蒸着角度、蒸着膜厚、二段斜方蒸着など)を十分に行う必要があった。また、液晶表示素子の駆動時にはプレチルト角の安定性が不十分でむらが発生しやすく、特に動画を表示する高解像度プロジェクタ用の液晶表示素子では特に問題となる。具体的には、プレチルト角を小さく与えた場合、駆動電圧の急変時に液晶は180度反対の2方向に倒れる可能性があり、これが動的なむらとなって現れる。
【0006】
動的なむらを改善するため、二段蒸着法(特公昭55−13338号公報)やSiO2 を蒸着して下地配向膜を形成した後に有機物質を被覆する方法(特開平7−159788号公報)などが考案されている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされた液晶表示素子およびその製造方法である。
【0008】
本発明の液晶表示素子は、基板上に、垂直配向性を有するとともに側鎖にアルキル基を有する無機配向膜を塗布した後にその塗布膜を焼成し、表面にアルキル基がある無機配向膜とし、その後、前記表面にアルキル基がある無機配向膜上の酸化シリコンを基板の法線方向に対し斜め方向から斜方蒸着して酸化シリコン膜を形成してなる液晶の配向膜を備えたものである。
【0009】
上記液晶表示素子では、上記無機配向膜を塗布した後にその塗布膜を焼成し、その後、無機配向膜上の酸化シリコンを基板の法線方向に対し斜め方向から斜方蒸着して酸化シリコン膜を形成して配向膜を得ていることから、側鎖にアルキル基を有する無機配向膜では、液晶のプレチルト角(基板の法線方向に対する角度)は1度以上6度以下の安定した状態に制御される。また、無機配向膜であるため、この液晶表示素子を液晶プロジェクタに用い、その液晶プロジェクタを長期に動作させた場合であっても、配向膜の劣化がない。
【0010】
本発明の液晶表示素子の製造方法は、基板上に、側鎖にアルキル基を有する無機配向膜を塗布した後にその塗布膜を焼成して、表面にアルキル基がある無機配向膜とする工程と、前記表面にアルキル基がある無機配向膜上の酸化シリコンを基板に対し斜め方向から斜方蒸着して酸化シリコン膜を形成する工程とからなる液晶の配向膜の形成工程を備えている。
【0011】
上記液晶表示素子の製造方法では、上記無機配向膜を塗布した後にその塗布膜を焼成し、その後、無機配向膜上の酸化シリコンを基板の法線方向に対し斜め方向から斜方蒸着して酸化シリコン膜を形成して配向膜を形成していることから、側鎖にアルキル基を有する無機配向膜では、液晶のプレチルト角(基板の法線方向に対する角度)は1度以上6度以下の安定した状態に制御される。また、このように製造された無機配向膜を用いた液晶表示素子を液晶プロジェクタに用いた場合には、その液晶プロジェクタを長期に動作させた場合であっても、配向膜の劣化がない。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明の液晶表示素子およびその製造方法に係る一実施の形態を、図1の模式断面図によって説明する。
【0013】
図1の(1)に示すように、本発明の液晶表示素子は、透明電極21が形成された基板11上に、側鎖にアルキル基を有する無機配向膜31を塗布した後にその塗布膜を焼成し、その後、無機配向膜31上の酸化シリコン41を基板11の法線方向に対し斜め方向から斜方蒸着して酸化シリコン膜を形成してなる液晶の配向膜を備えたものである。
【0014】
上記無機配向膜31のアルキル基32はCn H2n + 1を基本とし、炭素数nは3以上30以下とし、より好ましくは炭素数nは5以上20以下である。上記アルキル基には、長鎖アルキル基中に1〜2の2重結合が入っていてもよい。なお、炭素数3未満であるとアルキル基と液晶との相互作用が不十分で本発明のプレチルト角の安定性が十分に得られない。一方、炭素数が多過ぎると材料の疎水性が高まり、ハジキやすくなるためにコーティング特性が低下するという問題が発生する。よって、アルキル基の炭素数は上記範囲に決定される。
【0015】
上記無機配向膜31のアルキル基32の濃度は5%以上30%以下とする。アルキル基の濃度が5%未満と低いと垂直配向性が低下する。一方、アルキル濃度が30%を超えるように高いと疎水性が高まり、コーティング特性が著しく悪くなる。よって、アルキル基32の濃度は上記範囲に決定される。なお、アルキル基の長さおよび濃度の最適化は、基本的には表面張力が0.35mN以下の場合に垂直配向となるので、それを目安とする。
【0016】
本発明の側鎖にアルキル基を有する無機配向膜の主鎖の骨格は、化学式1に示すように、シロキサン骨格系をベースとする。
【0017】
【化1】
【0018】
また焼成後の無機配向膜31の膜厚は20nm以上300nm以下とする。膜厚が20nm未満と薄いと基板に対するカバーリングが不足し、本発明のプレチルト角安定性という効果を十分に発揮できない。一方、膜厚が300nmを超えるような厚膜であると液晶にかかる電界ロスが大きくなるので好ましくない。よって、無機配向膜31の膜厚は上記範囲に決定される。
【0019】
さらに、酸化シリコンの蒸着角度は基板11に対する法線方向から20度以上85度以下、より好ましくは30度以上70度以下とする。蒸着角度が85度を超えるように高いとSiOx が疎に付着するので、配向の均一性に問題を生じる。逆に、角度が20度未満と低いと垂直配向に必要な異方性が得られにくく、プレチルト角が低くなり、電界を掛けた際に、配向が乱れやすい。よって、酸化シリコンの蒸着角度は上記範囲に決定される。
【0020】
上記酸化シリコン膜の膜厚は1nm以上30nm以下とし、より好ましくは3nm以上15nm以下とする。酸化シリコン膜の膜厚が1nmと薄いと配向に必要なプレチルト角が得られない。逆に、酸化シリコン膜の膜厚が30nmと厚いと本配向に必要なアイランド(島)状にSiOx が付かず連続膜となるので無機配向膜を下地とする効果が得られなくなってしまう。よって、酸化シリコン膜の膜厚は上記範囲に決定される。
【0021】
上記説明した配向膜が形成される透明電極が形成された基板は、TFTアレイ基板と対向基板とからなり、これらの基板どうしは、通常のプロセスにより所定の間隔(例えば2μm以上3μm以下の間隔)を設けて貼り合わされ、その基板間に垂直配向用の液晶51が注入され、封止されて液晶表示素子が形成されている。その結果、図1の(2)に示すように、垂直配向型の液晶51のプレチルト角(基板11の法線方向に対する角度)は1度以上6度以下の安定した状態に制御される。上記垂直配向型の液晶51としては、屈折率異方性Δnが0.05以上0.30以下であり、誘電率異方性Δεが−8以上−1以下の負の誘電異方性を有するネマティック型液晶材料を用いる。
【0022】
次に、プレチルト角の安定化のメカニズムについて以下に述べる。SiO2 斜方蒸着膜単独では斜方から蒸着することによる形状の異方性効果により配向するだけである。下地の無機配向膜においては、表面にアルキル基があり、それと液晶との化学相互作用によりプレチルト角が更に安定化するので、動作時のプレチルト角の安定化が図れると考えられる。
【0023】
また、本発明の液晶表示素子は、配向膜が無機配向膜であるため、この液晶表示素子を液晶プロジェクタに用い、その液晶プロジェクタを長期に動作させた場合であっても、配向膜の劣化がない。
【0024】
次に、本発明の液晶表示素子の製造方法の一例を、以下に説明する。
【0025】
側鎖にアルキル基を有する無機配向膜(例えば、EXP−OA018(日産化学製))の4%エタノール/ブチルセロソルブ溶液をスピンコートにより透明電極が形成された基板上に塗布した後、80℃に加熱されたホットプレートで5分加熱することで乾燥させ、さらに180℃に加熱されたクリーンオーブンで60分加熱して焼成する。その際、焼成後の膜厚が120nmとなるように上記プロセスを行う。
【0026】
次に、酸化シリコン(SiO2 )の斜方蒸着を行う。蒸着方向は、基板法線方向に対して例えば45度とした。SiO2 膜の膜厚は5nm〜10nmとする。次いで透明電極(例えばITO:インジウムスズオキサイド)のパターンを有する2枚のテスト基板を貼り合わせ、この基板間に垂直配向用の液晶(ここでは一例としてZLI4850(メルク社製、Δn=0.2119、Δε=−2.1)を用いた)を注入して封止し、液晶表示素子のテストセル1を作製した。
【0027】
比較例1として、SiO2 斜方蒸着膜(膜厚10nm)のみで配向膜を形成し、上記同様にして透明電極を形成した後、2枚のテスト基板を貼り合わせ、垂直配向用の液晶を注入してテストセル2を作製した。
【0028】
比較例2として、有機配向膜(例えば、JALS−204(日本合成ゴム製))(膜厚50nm)のみで配向膜を形成し、上記同様にして透明電極を形成した後、2枚のテスト基板を貼り合わせ、垂直配向用の液晶を注入してテストセル3を作製した。
【0029】
比較例3として、有機配向膜(例えば、JALS−204(日本合成ゴム製))(膜厚50nm)とSiO2 斜方蒸着膜(10nm)とで配向膜を形成し、上記同様にして透明電極を形成した後、2枚のテスト基板を貼り合わせ、垂直配向用の液晶を注入してテストセル4を作製した。
【0030】
その結果、以下のような結果を得た。有機配向膜単独でかつ配向処理を行わない比較例1のテストセルでは、垂直配向用の液晶は配向するが、電圧をかけて「白」を表示した時のムラがひどく、配向処理は必要であるという結果となった。また比較例1〜3の各テストセル2〜4では、いずれも配向が不十分であり、電圧がOFF状態の時の「黒」が出ていない。
【0031】
上記本発明の液晶表示素子であるテストセル1は、電圧OFF時の黒がしっかり得られ、かつ、電圧ON時の白の状態も均一であることが分った。また、図2の光配向の際の光照射量とプレチルト角の関係に示すように、および図3のSiO2 斜方蒸着膜厚とプレチルト角の関係に示すように、光配向処理では0.1度以下のプレチルト角しか得られないが、本発明の配向処理を行った液晶表示素子では3度〜4度のプレチルト角が安定して得られた。
【0032】
上記液晶表示素子は、配向膜に側鎖にアルキル基を有するが、主鎖は無機物質(例えばシロキサン骨格)からなるので、従来のポリイミドなどの有機系配向膜を用いる場合に比較して、耐光性が2.6倍程度向上し7000時間以上の寿命を実現ですることができる。上記寿命測定では、UVカットフィルター(半値λ=430nm)使用し、明るさ2600ANSIlm、温度60℃の条件で、累積故障率が10%となった時間を寿命とした。なお、耐光性寿命は使用条件(温度、光量、入射光波長等)により異なる。
【0033】
また、SiO2 斜め蒸着膜を無機配向膜として使用することから、垂直配向型の液晶であれば安定して配向することが知られている。しかし、配向膜として、SiO2 斜方蒸着膜だけでは所定のプレチルト角1度〜6度(基板の法線方向に対して)を安定的に出すには、蒸着方法の条件だし(蒸着角度、蒸着膜厚、二段蒸着など)を十分に行う必要があり、また、駆動時のプレチルト角の安定性が不十分でむらが発生しやすく、特に動画を表示する高解像度プロジェクタ用LCDでは特に問題となっていた。しかしながら、本発明の液晶表示素子は、側鎖にアルキル基を有するシロキサン系の無機配向膜を下地にSiO2 蒸着膜を薄く付けて配向膜とすることで、側鎖のアルキル基と液晶との相互作用により、駆動時のプレチルト角の安定性に優れた液晶表示素子が実現できるようになった。
【0034】
次に、上記の液晶表示素子を用いた電子機器の一例として、投射型表示装置の構成について、図4の概略構成図によって説明する。
【0035】
図4に示すように、投射型液晶表示装置(液晶プロジェクタ)300は、光軸Cにそって光源301と透過型の液晶表示素子302と投影光学系303とが順に配設されて構成されている。光源301を構成するランプ304から射出された光はリフレクタ305によって後方に放射される成分が前方に集光され、コンデンサレンズ306に入射される。コンデンサレンズ306は、光をさらに集中して、入射側偏光板307を介し液晶表示素子302へ導く。導かれた光は、シャッタもしくはライトバルブの機能を有する液晶表示素子302および射出がエア偏光板308により画像に変換される。表示された画像は、投影光学系303を介してスクリーン310上に拡大投影される。なお、光源301とコンデンサレンズ306との間にはフィルタ314が挿入されており、光源に含まれる不用な波長の光、例えば赤外光および紫外光を除去する。
【0036】
本発明の液晶表示素子は、上記投射型表示装置の応用例として、本発明の液晶表示素子を3個用意し、各々RGB用のライトバルブとして本発明の液晶表示素子を用いて投射型カラー表示装置を構成することができる。
【0037】
図示はしないが、投射型カラー表示装置は、均一照明光学系と、この均一照明光学系から射出された光を赤(R)、緑(G)、青(B)に分離する光分離手段と、分離された各色光束R、G、Bを変調する変調手段である3つのライトバルブ(液晶表示素子)とを備え、さらに変調された後の色光束を再合成する色合成手段である色合成プリズムと、合成された光束を投射面の表面に拡大投射する投射手段である投射レンズユニットとを備えている。さらに、青色光束Bを対応するライトバルブに導く導光系を備えているものである。
【0038】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明の液晶表示素子およびその製造方法によれば、耐光性寿命を従来の有機配向膜を用いた液晶表示素子と比較して大幅(例えば2.6倍程度)に延ばすことができる。また、側鎖にアルキル基を有する無機配向膜を下地にSiO2 蒸着膜を薄く付けて配向膜としたことにより、側鎖のアルキル基と液晶との相互作用により、駆動時のプレチルト角の安定性に優れた液晶表示素子が実現できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の液晶表示素子およびその製造方法に係る一実施の形態を示す図1の模式断面図である。
【図2】光配向の際の光照射量とプレチルト角との関係図である。
【図3】SiO2 斜方蒸着膜厚とプレチルト角との関係図である。
【図4】液晶表示素子を用いた電子機器の一例である投射型表示装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
11…基板、31…無機配向膜、32…アルキル基、41…酸化シリコン、51…垂直配向型の液晶
Claims (10)
- 基板上に、垂直配向性を有するとともに側鎖にアルキル基を有する無機配向膜を塗布した後にその塗布膜を焼成し、表面にアルキル基がある無機配向膜とし、その後、前記表面にアルキル基がある無機配向膜上の酸化シリコンを基板の法線方向に対し斜め方向から斜方蒸着して酸化シリコン膜を形成してなる液晶の配向膜を備えた
ことを特徴とする液晶表示素子。 - 前記無機配向膜のアルキル基はCn H2n + 1を基本とし、炭素数nは3以上30以下である
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子。 - 前記焼成後の無機配向膜の膜厚は20nm以上300nm以下である
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子。 - 前記酸化シリコン膜の膜厚は1nm以上30nm以下である
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子。 - 前記焼成温度は180℃である
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子。 - 液晶の配向膜の形成工程は、
基板上に、側鎖にアルキル基を有する無機配向膜を塗布した後にその塗布膜を焼成して、表面にアルキル基がある無機配向膜とする工程と、
前記表面にアルキル基がある無機配向膜上の酸化シリコンを基板の法線方向に対し斜め方向から斜方蒸着して酸化シリコン膜を形成する工程と
を備えたことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 前記無機配向膜のアルキル基はCn H2n + 1を基本とし、炭素数nは3以上30以下である
ことを特徴とする請求項6記載の液晶表示素子の製造方法。 - 前記焼成後の無機配向膜の膜厚は20nm以上300nm以下である
ことを特徴とする請求項6記載の液晶表示素子の製造方法。 - 前記酸化シリコン膜の膜厚は1nm以上30nm以下である
ことを特徴とする請求項6記載の液晶表示素子の製造方法。 - 前記焼成温度は180℃である
ことを特徴とする請求項6記載の液晶表示素子の製造方法。
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