JP4038277B2 - Work piece cleaving method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハ、ガラス等の被加工物にレーザー光線を照射する等して割断することにより、被加工物を所定の大きさ、形状のペレットに分離する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェーハ等の被加工物を個々のペレットに分離する方法としては、スクライバーによりきずをつけてからブレーキングにより分離する方法、ダイシング装置によりダイシングして分離する方法等が実用に供されている。
【0003】
しかし、ブレーキングによる分離の場合にはブレーキングにおいてペレットが破損するという問題があり、また、ダイシングによる分離の場合には切削屑(コンタミネーション)が付着して被加工物の表面を汚染するという問題がある。そこで、このような問題がない割断技術によりペレットに分離する方法が注目されている。
【0004】
例えば、図7に示すように、表面に所定間隔を置いて格子状に配列された複数の直線状領域であるストリートSが存在し、このストリートSによって区画された多数の矩形領域に回路パターンが施された半導体ウェーハWにおいては、例えば、図8に示すようにストリートSにスクライブきずを縦横に形成してスクライブ領域31を形成し、そこにレーザー光線を照射することにより、サーマルショックが与えられてスクライブ領域が割断される。
【0005】
このような割断は、例えば図7に示す如くテープTを介してフレームFに配設された半導体ウェーハWを図9に示すようなチャックテーブル32に保持した状態で行われる。このチャックテーブル32は、吸着力によって半導体ウェーハWを吸引保持する吸着部33と、フレームFを保持する保持部34とを有し、割断時は、図10のようにして半導体ウェーハWが吸着されると共に、フレームFが保持部34に固定される。
【0006】
そして 図11に示すように、スクライブ手段35から下方に突出したスクライブ針36の作用を受けて半導体ウェーハWの表面にスクライブきずが形成され、1本のストリートSにスクライブきずを形成するごとにスクライブ手段35をY軸方向にストリート間隔分だけ移動させて同様にスクライブきずを形成させ、更にチャックテーブル32を90度回転させて同様の作業を行うことにより、ストリートSに縦横にスクライブ領域が形成される。
【0007】
そして次に、図12に示すように、レーザー光線照射手段37から照射されるレーザー光線とスクライブ領域とのY軸方向の位置合わせを行い、チャックテーブル32をX軸方向に移動させることにより、スクライブ領域にレーザー光線が照射されて当該スクライブ領域が割断される。また、1本のストリートSを割断するごとにレーザー光線照射手段37をY軸方向にストリート間隔分だけ移動させて同様に割断を行い、更にチャックテーブル32を90度回転させて同様の割断を行うことにより、図13のようにストリートSが縦横に割断されて個々のペレットに分離される。
【0008】
このようにして割断により被加工物を分離すると、ブレーキングの場合のようにペレットが破損することがなく、また、ダイシングの場合のように切削屑が発生しないので被加工物の表面が汚染されるという問題も生じない。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ダイシングによる場合は切削によって切削溝が形成されるため、切削後はペレット間に若干の間隔があるのに対し、割断による場合は溝が形成されないため、図14に示すように、分離後も隣り合うペレットP同士は極めて密着した状態にある。
【0010】
このために、割断後にそのままの状態で搬送すると、図15に示すように、テープTが撓んだ場合等においては、ペレットP同士が擦れ合って各ペレットに欠けやクラックが生じてペレットの品質を低下させるという問題が生じる。
【0011】
このように、割断により被加工物を分離する場合においては、割断後にペレット同士が擦れ合うのを防止することによりペレットの品質を低下させないようにすることに解決すべき課題を有している。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、テープを介してフレームに保持された被加工物を割断装置のチャックテーブルに保持して割断する被加工物の割断方法であって、被加工物を所定の間隔をおいて割断する割断工程と、該チャックテーブルの外周に着脱自在に配設されたテープ拡張凹リングに形成された溝部にテープ拡張凸リングを挿嵌し、該割断工程によって割断された被加工物が複数のペレットとなって密着状態で保持されているテープを拡張してペレット間の間隔を広げる拡張工程と、該溝部に該テープ拡張凸リングが挿嵌された状態のままで該テープ拡張凹リングを該チャックテーブルから取り外し、該拡張工程にて間隔が広がり該テープを介してフレームに保持されたペレットを搬送する搬送工程とから少なくとも構成される被加工物の割断方法を提供する。
【0013】
このように構成される割断方法によれば、テープを拡張することによりペレット間の間隔が広がって搬送時にペレット同士が擦れ合うことがなくなるため、ペレットに欠けやクラックが生じなくなる。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態として、図1に示す割断装置10を用いて半導体ウェーハを割断してペレットに分離する場合を例に挙げて説明する。
【0015】
図1に示した割断装置10において半導体ウェーハWを割断するときは、半導体ウェーハWは、一般にダイシングに用いられるテープTを介してフレームFに保持されてカセット11に複数段に重ねて収納される。
【0016】
フレームFに保持された半導体ウェーハWは、搬出入手段12によってカセット11から搬出され、搬送手段13に吸着されて搬送手段13が旋回動することにより、チャックテーブル14に搬送されて載置され、吸引保持される。
【0017】
チャックテーブル14は、図2に示すように、本体部16と、後述するテープ拡張凹リング17が着脱自在に固定される被固定部20とから概ね構成されている。本体部16は、例えばポーラス部材により形成され吸引源(図示せず)から供給される吸引力によって半導体ウェーハWを吸引する吸着部19と、フレームFを保持する2つの保持部21とから構成されており、図1に示したように支持テーブル15に回転可能に支持され、支持テーブル15の下部に配設されたモーター(図示せず)に駆動されて回転する構成となっている。
【0018】
保持部21においては、一対のガイドレール22が配設されており、ガイドレール22にガイドされてスライド部23が所要範囲スライド可能となっている。
【0019】
更に、保持部21は、スライド部23と一体となってスライド可能でかつ所要角度回動自在な回動部24を有しており、回動部24の下面とスライド部23の上面との間でフレームFを挟持することができる。また、スライド部23のスライドによりフレームFの大きさに適宜対応させてフレームFを挟持することができる。
【0020】
テープ拡張凹リング17は、被固定部20に着脱自在に固定されるもので、その上面側には所定の幅、深さを有する溝部25が形成されている。また、被固定部20にテープ拡張凹リング17を固定すると、テープ拡張凹リング17の上面と吸着部19の上面とが略同一平面上に位置することになる。
【0021】
テープ拡張凸リング18は、テープ拡張凹リング17の溝部25に対応した大きさ、形状に形成されており、溝部25にはテープ拡張凸リング18を挿嵌してテープTを拡張することができる。なお、半導体ウェーハWがチャックテーブル14に載置される際は、テープ拡張凸リング18は取り外されている。
【0022】
このように構成されるチャックテーブル14に割断しようとする半導体ウェーハWが吸引保持されると、図3に示すように透明または半透明であるテープT越しにテープ拡張凹リング17が確認できる状態にある。また、フレームFは保持部21によって固定されている。
【0023】
図3のようにしてチャックテーブル14に半導体ウェーハWが保持されると、チャックテーブル14がX軸方向に移動して図1に示したアライメント手段26の直下に位置付けられ、パターンマッチング等の処理によって割断すべき領域が検出され、割断すべき領域とスクライブ手段27から下方に突出したスクライブ針28とのY軸方向の位置合わせが行われる。こうして位置合わせがなされると、図4に示すように、スクライブ手段27が下降すると共に、更にチャックテーブル14がX軸方向に移動し、スクライブ針28の作用を受けて半導体ウェーハWの表面にスクライブきずが形成される。
【0024】
そして更にチャックテーブル14がX軸方向に移動すると、スクライブきずが形成された領域(スクライブ領域)にレーザー光線照射手段29の照射部30からレーザー光線が照射されて当該スクライブ領域が割断される。
【0025】
このようにして割断を行うごとにスクライブ手段27及びレーザー光線照射手段29をY軸方向に所定間隔割り出し送りして同様の割断をし、更にチャックテーブル14を90度回転させてから同様に割断を行うと、図5に示すように半導体ウェーハWが縦横に割断されて個々のペレットPとなる(割断工程)。なお、従来の技術で説明したように、最初にすべてのスクライブ領域を形成してから、割断を行うようにしてもよい。
【0026】
割断後のペレットPは、図14に示したように極めて密着した状態にあり、この状態でフレームFに保持された半導体ウェーハWをチャックテーブル14から取り外して搬送しようとすると、ペレット同士が擦れ合う等して欠けやクラックが生じやすい。そこで、フレームFが保持部21によって固定されている状態で、吸着部19による半導体ウェーハWの吸引力を解除し、テープ拡張凹リング17の溝部25にテープ拡張凸リング18を挿嵌する。
【0027】
こうして溝部25にテープ拡張凸リング18を挿嵌すると、図6において拡大して示すように、溝部25を覆うようにして張られていたテープTがテープ拡張凸リングに押されて溝部25に入りこみ、溝部25の内面とテープ拡張凸リング18との間に挟まれてテープTが引っ張られ、テープT全体が拡張される(拡張工程)。
【0028】
このようにしてテープTが拡張されると、図6に示したように、テープTに保持されたペレットP同士の間隔が広がった状態で保持されることになる。そして、テープTに保持された状態のままでペレットPを搬送するときは、フレームFを保持部21から取り外すと共に、テープ拡張凸リング18が溝部25に挿嵌された状態のままでテープ拡張凹リング17を被固定部20から取り外す。こうすることにより、テープTが拡張されたままで、即ち、ペレットP同士の間隔が広がった状態のままで搬送することができる。
【0029】
このように、割断後にペレット間の間隔を広げることにより、搬送時にテープTが撓んだりした場合でも、従来のようにペレット同士が擦れ合うことがないため、ペレットに欠けやクラックが生じて品質を低下させるということがなくなる。
【0030】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る割断方法によれば、テープを拡張することによりペレット間の間隔が広がって搬送時にペレット同士が擦れ合うことがなくなるため、ペレットに欠けやクラックが生じなくなって、ペレットの品質を低下させることがなくなる。また、これにより、割断技術が一層活用されるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る割断方法を実施するのに好適な割断装置の一例を示す斜視図である。
【図2】同割断装置に搭載されるチャックテーブルの構成を示す斜視図である。
【図3】同チャックテーブルに割断前の半導体ウェーハが保持された様子を示す斜視図である。
【図4】同チャックテーブルに保持された半導体ウェーハを割断する様子を示す説明図である。
【図5】割断された半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図6】テープ拡張凹リングにテープ拡張凸リングを挿嵌した状態を示す説明図である。
【図7】テープを介してフレームに保持された半導体ウェーハの表面を示す平面図である。
【図8】同半導体ウェーハにスクライブ領域を形成した状態を示す平面図である。
【図9】従来の割断に使用されていたチャックテーブルを示す斜視図である。
【図10】同チャックテーブルに割断前の半導体ウェーハが保持された様子を示す斜視図である。
【図11】同チャックテーブルに保持された半導体ウェーハにスクライブ領域を形成する様子を示す説明図である。
【図12】同チャックテーブルに保持された半導体ウェーハを割断する様子を示す説明図である。
【図13】割断された半導体ウェーハを示す斜視図である。
【図14】割断後に密着状態にあるペレットを示す説明図である。
【図15】テープが撓んだときのペレットの状態を示す説明図である。
【符号の説明】
10……割断装置 11……カセット 12……搬出入手段 13……搬送手段
14……チャックテーブル 15……支持テーブル 16……本体部
17……テープ拡張凹リング 18……テープ拡張凸リング 19……吸着部
20……被固定部 21……保持部 22……ガイドレール
23……スライド部 24……回動部 25……溝部
26……アライメント手段 27……スクライブ手段 28……スクライブ針
29……レーザー光線照射手段 30……照射部
31……スクライブ領域 32……チャックテーブル 33……吸着部
34……保持部 35……スクライブ手段 36……スクライブ針
37……レーザー光線照射手段
W……半導体ウェーハ T……テープ F……フレーム P……ペレット[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of separating a workpiece into pellets having a predetermined size and shape by cleaving the workpiece such as a semiconductor wafer or glass by irradiating it with a laser beam.
[0002]
[Prior art]
As a method of separating a workpiece such as a semiconductor wafer into individual pellets, a method of separating by breaking after scratching with a scriber, a method of separating by dicing with a dicing apparatus, and the like are practically used.
[0003]
However, in the case of separation by braking, there is a problem that the pellets are damaged in the braking, and in the case of separation by dicing, cutting waste (contamination) adheres and contaminates the surface of the workpiece. There's a problem. Therefore, a method of separating into pellets by a cleaving technique without such a problem has been attracting attention.
[0004]
For example, as shown in FIG. 7, there are streets S that are a plurality of linear regions arranged in a lattice pattern at predetermined intervals on the surface, and circuit patterns are formed in a number of rectangular regions partitioned by the streets S. In the applied semiconductor wafer W, for example, as shown in FIG. 8, scribe flaws are formed vertically and horizontally on the street S to form a
[0005]
Such cleaving is performed, for example, in a state where the semiconductor wafer W disposed on the frame F is held on the chuck table 32 as shown in FIG. 9 via the tape T as shown in FIG. The chuck table 32 has a
[0006]
Then, as shown in FIG. 11, a scribe flaw is formed on the surface of the semiconductor wafer W by the action of the
[0007]
Then, as shown in FIG. 12, the laser beam irradiated from the laser beam irradiation means 37 and the scribe region are aligned in the Y-axis direction, and the chuck table 32 is moved in the X-axis direction, thereby moving the scribe region. The scribe region is cleaved by irradiation with a laser beam. Further, every time one street S is cleaved, the laser beam irradiation means 37 is moved by the street interval in the Y-axis direction to cleave similarly, and the chuck table 32 is further rotated by 90 degrees to cleave similarly. Thus, as shown in FIG. 13, the streets S are cut vertically and horizontally and separated into individual pellets.
[0008]
When the workpiece is separated by cleaving in this way, the pellets are not damaged as in the case of braking, and the cutting surface is not generated as in the case of dicing, so the surface of the workpiece is contaminated. There will be no problem.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, since cutting grooves are formed by cutting in the case of dicing, there are some gaps between the pellets after cutting, whereas grooves are not formed in the case of cleaving, so that after separation as shown in FIG. Also, the adjacent pellets P are in extremely close contact with each other.
[0010]
For this reason, if the tape T is bent as shown in FIG. 15 when it is conveyed as it is after the cleaving, the pellets P are rubbed together to cause chipping and cracking in the pellets. This causes a problem of lowering.
[0011]
Thus, in the case of separating the workpieces by cleaving, there is a problem to be solved by preventing the pellets from being deteriorated by preventing the pellets from rubbing against each other after cleaving.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
As a specific means for solving the above-mentioned problems, the present invention provides a method for cleaving a workpiece that is held and held on a chuck table of a cleaving device by a workpiece held on a frame via a tape, A cleaving step of cleaving a workpiece at a predetermined interval, and a tape expanding convex ring inserted into a groove formed in a tape expanding concave ring detachably disposed on the outer periphery of the chuck table , and the cleaving step The workpiece cleaved by is expanded into a plurality of pellets to expand the tape held in close contact to widen the interval between the pellets , and the tape expansion convex ring is inserted into the groove remains at least from a transfer step of the tape extended concave ring removed from the chuck table, it conveys the pellets held in the frame through the tape wider interval in the extension step of Also provides a cleaving method of composed workpiece.
[ 0013 ]
According to the cleaving method configured in this manner, the interval between the pellets is expanded by expanding the tape, and the pellets are not rubbed with each other at the time of conveyance, so that the pellets are not chipped or cracked.
[ 0014 ]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
As an embodiment of the present invention, a case where a semiconductor wafer is cleaved and separated into pellets using the
[ 0015 ]
When the semiconductor wafer W is cleaved by the
[ 0016 ]
The semiconductor wafer W held on the frame F is unloaded from the
[ 0017 ]
As shown in FIG. 2, the chuck table 14 is generally composed of a
[ 0018 ]
In the
[ 0019 ]
Further, the
[ 0020 ]
The tape expansion
[ 0021 ]
The tape
[ 0022 ]
When the semiconductor wafer W to be cut is sucked and held by the chuck table 14 configured as described above, the tape expansion
[ 0023 ]
When the semiconductor wafer W is held on the chuck table 14 as shown in FIG. 3, the chuck table 14 moves in the X-axis direction and is positioned directly below the alignment means 26 shown in FIG. A region to be cleaved is detected, and the region to be cleaved and the
[ 0024 ]
When the chuck table 14 further moves in the X-axis direction, a laser beam is irradiated from the
[ 0025 ]
In this way, every time cleaving is performed, the scribing means 27 and the laser beam irradiation means 29 are indexed and fed at predetermined intervals in the Y-axis direction, and the cleaving is performed after the chuck table 14 is further rotated 90 degrees. Then, as shown in FIG. 5, the semiconductor wafer W is vertically and horizontally divided into individual pellets P (a cutting process). Note that, as described in the related art, all the scribe regions may be formed first, and then cleaving may be performed.
[ 0026 ]
The pellet P after cleaving is in an extremely close contact state as shown in FIG. 14, and when the semiconductor wafer W held by the frame F is removed from the chuck table 14 and transported in this state, the pellets rub against each other. As a result, chipping and cracking are likely to occur. Therefore, in a state where the frame F is fixed by the holding
[ 0027 ]
When the tape expansion
[ 0028 ]
When the tape T is expanded in this way, as shown in FIG. 6, it is held in a state where the interval between the pellets P held on the tape T is widened. When the pellet P is transported while being held on the tape T, the frame F is removed from the holding
[ 0029 ]
In this way, by widening the interval between the pellets after cleaving, even when the tape T is bent during transportation, the pellets do not rub against each other as in the past, so that the pellets are chipped and cracked and the quality is improved. It will not be reduced.
[ 0030 ]
【The invention's effect】
As described above, according to the cleaving method according to the present invention, the interval between the pellets is expanded by expanding the tape, and the pellets do not rub against each other during transportation . The quality of the pellet is not degraded. In addition, the cleaving technique is further utilized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing an example of a cleaving apparatus suitable for carrying out a cleaving method according to the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing a configuration of a chuck table mounted on the cleaving apparatus.
FIG. 3 is a perspective view showing a state in which a semiconductor wafer before cutting is held on the chuck table.
FIG. 4 is an explanatory view showing a state in which the semiconductor wafer held on the chuck table is cleaved.
FIG. 5 is a perspective view showing a cleaved semiconductor wafer.
FIG. 6 is an explanatory view showing a state in which the tape expansion convex ring is inserted into the tape expansion concave ring.
FIG. 7 is a plan view showing a surface of a semiconductor wafer held on a frame via a tape.
FIG. 8 is a plan view showing a state in which a scribe region is formed on the semiconductor wafer.
FIG. 9 is a perspective view showing a chuck table used for conventional cleaving.
FIG. 10 is a perspective view showing a state where a semiconductor wafer before being cut is held on the chuck table.
FIG. 11 is an explanatory diagram showing a state in which a scribe region is formed on the semiconductor wafer held on the chuck table.
FIG. 12 is an explanatory view showing a state in which the semiconductor wafer held on the chuck table is cleaved.
FIG. 13 is a perspective view showing a cleaved semiconductor wafer.
FIG. 14 is an explanatory view showing a pellet in a close contact state after cleaving.
FIG. 15 is an explanatory view showing a state of pellets when the tape is bent.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (1)
該被加工物を所定の間隔をおいて割断する割断工程と、
該チャックテーブルの外周に着脱自在に配設されたテープ拡張凹リングに形成された溝部にテープ拡張凸リングを挿嵌し、該割断工程によって割断された被加工物が複数のペレットとなって密着状態で保持されているテープを拡張してペレット間の間隔を広げる拡張工程と、
該溝部に該テープ拡張凸リングが挿嵌された状態のままで該テープ拡張凹リングを該チャックテーブルから取り外し、該拡張工程にて間隔が広がり該テープを介してフレームに保持されたペレットを搬送する搬送工程と
から少なくとも構成される被加工物の割断方法。A method of cleaving a workpiece that is held by a chuck table of a cleaving device and cleaved the workpiece held on the frame via a tape,
A cleaving step of cleaving the workpiece at a predetermined interval;
The tape expansion convex ring is inserted into a groove formed in the tape expansion concave ring detachably disposed on the outer periphery of the chuck table, and the workpiece cut by the cleaving step becomes a plurality of pellets and closely contacts An expansion process of expanding the tape held in a state to widen the interval between the pellets ;
The tape expansion concave ring is removed from the chuck table while the tape expansion convex ring is inserted into the groove, and the interval is widened in the expansion process, and the pellets held on the frame are conveyed via the tape. A workpiece cleaving method comprising at least a conveying step .
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