JP4038027B2 - Ｘ線回折装置用超電導磁石装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、Ｘ線回折用超電導磁石装置に関するもので、特に、Ｘ線の減衰を最小限に抑える事の出来るＸ線回折装置用超電導磁石装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、超電導磁石装置は、強力な磁場を生成する事ができる事から種々の用途に適用する事が提案され、現に、ＮＭＲや他の物性測定装置に使用されている。
【０００３】
係る従来の適用分野の内、Ｘ線回折装置に超電導磁石装置を適用した例としては、特開平７−５８３６５号公報がある。この公報に記載の装置は、図５に記載している様に、基台２に真空断熱容器３を保持させ、該真空断熱容器３内に配置された輻射シールド４に囲繞された真空空間内に、上下一対の超電導磁石５ａ，５ｂと、これを保持する保持枠１１と、ビスマス系金属等の高温超電導材料で形成した電流リード６と、蓄冷式冷凍機７の第１段冷却ステージ７ａ及び第２段冷却ステージ７ｂとが配置された構造となっている。前記輻射シールド４は、前記第１段冷却ステージ７ａに熱的に接触して固定されると共に、その内部の超電導磁石５ａ，５ｂ及び前記電流リード６への熱侵入を防止している。尚、前記電流リード６は、リード１２及び外部接続端子１３を介して、外部電源（図示せず）に接続されている。
【０００４】
超電導磁石５ａ，５ｂは、上部磁石５ａと下部磁石５ｂとからなり、夫々環状の巻枠９ａ，９ｂに超電導コイルが巻着されたもので、その外周は伝熱性の良好な銅製の保持枠１１で保持されている。該保持枠１１は、前記上下の超電導磁石５ａ，５ｂの外周面に配置される側部枠体１１ａと、上部磁石５ａの上面に配置されて前記上部の超電導コイル巻枠９ａと前記側部枠体１１ａとにボルト止めされる上部枠体１１ｂと、下部磁石５ｂの下面に配置されて前記下部の超電導コイル巻枠９ｂと前記側部枠体１１ａとにボルト止めされる下部枠体１１ｃとからなっている。又、上下超電導磁石５ａ，５ｂの間には、両磁石間に作用する電磁力（吸引力）を支えるための銅製の支持部材８が介装されている。
【０００５】
又、前記真空断熱容器３には、その上下方向の中心軸線に沿って該真空断熱容器３の内壁を形成して大気に連通する内筒部３ａが、前記超電導磁石５ａ，５ｂの中心を貫通する様に配置され、該内筒部３ａの外面を囲繞する様に、前記輻射シールドの内筒部４ａが形成された構造となっており、Ｘ線回折用の試料を、前記内筒３ａ内の超電導磁石５ａ，５ｂの間の中心に、外部から装入したり取り出したりできる様に構成されている。
【０００６】
前記上下の超電導磁石５ａ，５ｂの間に配置される支持部材８は、前記図５のＡ−Ａ断面図である図６に示されている様に、前記上下の超電導磁石５ａ，５ｂとの間の全領域に配置されるものではなく、中心部から角度αで扇形に広がる第１扇形空間Ｓ１と角度βで扇形に広がる第２扇形空間Ｓ２とが形成され、これら両扇形空間は、前記真空断熱容器３の外壁の一部を形成する側壁３ｂ，３ｃによって該真空断熱容器３の外部に開放された空間となっており、これら第１扇形空間Ｓ１及び第２扇形空間Ｓ２は、夫々Ｘ線入射通路及びＸ線回折通路を形成している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
係る構造のＸ線回折装置用超電導磁石装置においては、試料１０は外部から前記内筒部３ａ内の前記上下の超電導磁石５ａ，５ｂの中心位置に挿入配置され、Ｘ線発生装置（図示せず）から発せられたＸ線ビームは、大気空間であるＸ線入射通路Ｓ１を経て試料１０に照射され、該試料１０で回折された回折Ｘ線は、大気中のＸ線回折通路Ｓ２を経てＸ線受像装置（図示せず）にて受光する構成であり、Ｘ線は大気を通過する間に減衰する事は避けられない。従って、微妙な差異を問題とする様なＸ線回折の際には、必ずしも充分な装置とは言えなかった。
【０００８】
又、内筒部３ａ内における試料１０の配置位置の確認は、該内筒部３ａの上部から目視観察する事によって行われるが、狭い筒内での垂直方向からの目視観察のみによる位置判断では、必ずしも常に適正な判断がなされるとは限らず、多分に操作員の勘に頼らざるを得ない問題があった。
【０００９】
本発明は、係る問題点を解決するもので、Ｘ線の減衰を最小限に止める様になす事を第１の目的とし、更に、内筒部内における試料位置の正確な判断を行える様になす事を第２の目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために成されたものであって、
真空断熱容器内に、上下２段に超電導磁石を配置し、該上下二段の超電導磁石の間に、Ｘ線入射通路とＸ線回折通路とが形成されてなるＸ線回折装置用超電導磁石装置において、
前記真空断熱容器の中心線に沿って前記超電導磁石の中心部に向かって形成され該真空断熱容器の内側壁を形成すると共に、Ｘ線回折用試料を該真空断熱容器外から前記上下の超電導磁石の中心部に配置するための内筒部と、
該内筒部から前記真空断熱容器の周壁に向けて広がる前記Ｘ線入射通路及びＸ線回折通路としての一対の扇形空間と、
該扇形空間の外側面の夫々に、前記真空断熱容器に気密に固着され且つＸ線通過窓を有するカバー部材と、を設けると共に、
前記Ｘ線入射通路及びＸ線回折通路内は、真空空間、又は前記真空断熱容器内と気密に区画されて大気よりもＸ線透過減衰率の小さなガスが封入された空間となし、
前記カバー部材のＸ線通過窓は、大気よりもＸ線透過減衰率の小さな金属材料又は高分子材料で形成されている
ことを特徴とするものである。
【００１１】
係る構成を採用する事により、Ｘ線は、大気中よりも減衰率が小さくなる様に形成された通路を通って入射及び回折する事になるので、得られた回折データは従来に比して分解能の高い精緻なものとなる。尚、本発明で使用する大気よりもＸ線透過減衰率の小さな材料としては、ベリリウム又はポリイミド樹脂が好ましい。
【００１２】
更に、上記構成に加えて、前記上下２段の超電導磁石の間であって、前記Ｘ線入射通路及びＸ線回折通路とは独立して形成され且つ前記内筒部から前記真空断熱容器の周壁に向かって形成された一対の筒状の試料位置観測用Ｘ線透過通路を直線的に配置しておけば、該Ｘ線透過通路を通してＸ線によって試料の設置状態を観測する事が可能となり、これによって試料の適性配置が極めて容易となる。
【００１３】
尚、この試料設置状態観測用のＸ線透過通路内も、前記Ｘ線入射通路や回折通路と同様に、真空にしたり大気よりもＸ線透過減衰率の小さなガスを封入したりする事も可能であるが、そこまでの精密さは要求されないので、大気開放型のＸ線通路となす事も可能である。
【００１４】
【発明の実施の態様】
以下に本発明を実施例の図面を用いて詳細に説明する。図１は、本発明に係るＸ線回折装置用超電導磁石装置を示す要部断面図であり、図５の装置と同一構成は同一符号を付している。同図において、基台２に真空断熱容器３を保持させ、該真空断熱容器３内に配置された輻射シールド４に囲繞された真空空間内に、上下の超電導磁石５ａ，５ｂと、これを保持する保持枠１１と、蓄冷式冷凍機７の第１段冷却ステージ７ａ及び第２段冷却ステージ７ｂとが配置された構造となっており、又、前記輻射シールド４は、前記第１段冷却ステージ７ａに、銅板或いは銅ワイヤ等の熱伝導性の高い材料１４によって熱的に接触して固定されると共に、その内部の超電導磁石５等への外部からの輻射熱の侵入を防止する様になっている。又、超電導磁石５は、上下一対の超電導磁石５ａ，５ｂからなり、夫々環状の巻枠９ａ，９ｂに超電導コイルが巻着されたもので、その外周は伝熱性の良好な銅製の保持枠１１で保持されており、該保持枠１１の構成は実質的に図５の場合と同一であるので詳細説明は省略する。又、上下の超電導磁石の間には、両磁石間に作用する電磁力（吸引力）を支えるための銅製の支持部材８が介装されている点も、前記図５のものと基本的に同一である。尚、本発明の装置においては、前記円筒部３ａの上部に蓋部材２２がボルト２３によって該円筒部３ａに対して着脱自在に配置され、更に、円筒部３ａ内を脱気するための真空ポンプに接続可能なノズル２４が取り付けられている。
【００１５】
次に、図２は、上下の超電導磁石間における断面である図１のＱ−Ｑ断面図であり、図３は、図２のＲ−Ｒ矢視図である。両図に示されている様に、この断面部分の構成は、前記図５，６に示した従来のものとは全く異なっている。即ち、本発明に係る装置においては、上下の超電導磁石間における前記真空断熱容器３の構造は、円筒状の外周壁３ｂと、中心部の内筒部３ａと、所定の内角αの第１扇形空間Ｓ１を形成する半径方向の一対の側壁３ｃ及び該第１扇形空間Ｓ１の上下一対の底壁３ｅと、同様に所定の内角βの第２扇形空間Ｓ２を形成する半径方向の一対の側壁３ｄ及び該第２扇形空間の上下一対の底壁３ｆと、前記内筒部３ａの両側で且つ上記第１及び第２扇形空間Ｓ１，Ｓ２とは独立して直線配置された一対の筒状空間（第１筒状空間Ｔ１及び第２筒状空間Ｔ２）を形成するための円筒壁３ｇ，３ｇ’とからなっている。又、上記第１，第２扇形空間Ｓ１，Ｓ２の上下の底壁３ｅ，３ｆは、共に内側から外側に向けて上下方向の幅が広がる様に、ラッパ状に形成されている。
【００１６】
更に、前記第１，第２扇形空間Ｓ１，Ｓ２の外周面には、夫々カバー部材１５が、前記真空断熱容器３の外面適所に配置されたブラケット１６にボルト１７によって固着され、これにより内部空間である前記両扇形空間Ｓ１，Ｓ２は、夫々外気に対して気密構造となっている。又、前記カバー部材１５は、図２のＳ−Ｓ矢視図である図４に示されている様に、中央部にＸ線透過窓となる開口１５ｂを有するステンレス鋼材等で形成した支持板１５ａの周囲をボルト１７によって前記ブラケット１６に固着される構造となっており、更に、前記中央部の開口１５ｂを含む全面を、Ｘ線透過減衰率が大気よりも小さな材料で形成した薄板１８で被覆されており、これによって前記開口１５ｂは気密に密閉されている。
【００１７】
尚、本発明で使用する係るＸ線透過減衰率が大気よりも小さな材料とは、ベリリウム又はポリイミド樹脂が代表的な材料である。この材料の使用形態は、図示の如く前記開口１５ｂを含む前記支持板１５ａの全面を覆う様に接着する他、これらの材料で形成した板材を前記開口１５ｂに気密に装着する方式も採用できる事は言うまでもない。
【００１８】
又、前記円筒部３ａの前記第１，第２扇形空間Ｓ１，Ｓ２との境界部２１には開口が形成されている。同様に、該円筒部３ａの前記試料の設置位置観測のためのＸ線通路となる前記両筒状空間Ｔ１，Ｔ２との境界部２０にも開口が形成されており、該筒状空間Ｔ１，Ｔ２の外側面には、窓部材１９が外気に対して気密に装着されている。これにより、円筒部３ａ内と前記第１，第２扇形空間Ｓ１，Ｓ２及び前記筒状空間Ｔ１，Ｔ２とは、互いに連通された構造となっている。
【００１９】
次に、本発明の装置により、試料のＸ線回折分析を行う操作について説明すると、前記内筒部３ａの頂部の前記蓋部材２２を外し、頂部開口から試料１０を挿入して前記両扇形空間Ｓ１，Ｓ２と同一平面に設置する。
【００２０】
次に、前記蓋部材２２を円筒部３ａの上部開口に取り付けて密封し、続いて、該蓋部材２２に配置されている脱気ノズル２４を真空ポンプ（図示せず）に接続して該円筒部３ａ内を脱気する。すると、該円筒部３に連通している前記筒状空間Ｔ１，Ｔ２及び扇形空間Ｓ１，Ｓ２も同様に真空に脱気される。
【００２１】
この状態で、先ず、前記第１筒状空間Ｔ１の外側に配置されたＸ線照射装置又は中性子照射装置（図示せず）からＸ線或いは中性子線を前記試料１０に向けて照射し、他方の第２筒状空間Ｔ２の端部にＸ線或いは中性子線受像装置を配置して、試料のＸ線映像を観察する事により、試料が適性な位置に配置されているか否かを観察する。適性位置になければ、内筒部３ａの上部蓋部材２２を外して再度試料位置や向きを調整して適性位置に配置する。
【００２２】
この様にして、試料１０の適性配置が確認されると、Ｘ線照射通路となる前記第１扇形空間Ｓ１の前記カバー部材１５のＸ線透過窓となる前記開口１５ｂの外側にＸ線照射装置（図示せず）を配置し、Ｘ線回折通路となる第２扇形空間Ｓ２の前記カバー部材１５の前記開口１５ｂの外側にＸ線受像装置（図示せず）を配置し、所定のＸ線回折操作を行う事になる。
【００２３】
この様に、Ｘ線の照射通路Ｓ１と回折通路Ｓ２とが、大気よりＸ線透過減衰率の低い真空状態に維持されているので、両扇形空間Ｓ１，Ｓ２を通過する間のＸ線の減衰は最小限に抑えられ、更に、Ｘ線が、照射通路Ｓ１に照射される際及び受像される際に通過するカバー部材１５のＸ線透過窓１５ｂも、大気よりＸ線透過減衰率の低い材料で形成されているので、この部分でのＸ線の減衰も抑えられる。従って、従来の如く、Ｘ線通路が大気に開放されている場合に比してＸ線の全減衰率を最小限に抑える事が可能となり、回折画像として一層鮮明な画像を得る事が可能となる。
【００２４】
ここで、本実施例では、上記第１，第２扇形空間Ｓ１，Ｓ２内も、大気よりもＸ線透過減衰率の低い真空状態に保持すると共に、該扇形空間Ｓ１，Ｓ２の外側のカバー部材１５のＸ線通過窓の部分にも、大気よりＸ線透過減衰率の小さなベリリウムやポリイミド樹脂を配置している点に特徴を有しているが、本発明は、これに限定されるものではなく、以下の如き種々の変形例が存在する。
【００２５】
先ず、上記扇形空間Ｓ１，Ｓ２及び円筒部３ａ内を真空に形成する代わりに、該空間内に、大気よりもＸ線透過減衰率の小さなガス、例えばヘリウムガスを封入しておく方式もある。この場合には、前記蓋部材２２に形成されたノズル２４から該空間内を真空引きした後にヘリウムガスを供給する事になる。この方式の場合には、前記扇形空間を真空状態にした際の前記カバー部材１５の開口部１５ｂに作用する真空応力の作用時間を短くする事ができ、該開口部１５ｂに装着したベリリウムやポリイミド樹脂の損傷を抑制する効果がある。
【００２６】
又、上記方式は、いずれも、試料１０の出し入れの際に、前記扇形空間Ｓ１，Ｓ２や筒状空間Ｔ１，Ｔ２も真空にしたり、ヘリウムを供給したりせねばならないが、試料の出し入れに必要なのは、円筒部３ａのみであるので、該円筒部３ａと両扇形空間Ｓ１，Ｓ２との境界部２１及び前記筒状空間Ｔ１，Ｔ２との境界部２０に、前述の大気よりもＸ線透過減衰率の低いベリリウムやポリイミド樹脂を気密に配置して両扇形空間Ｓ１，Ｓ２及び筒状空間Ｔ１，Ｔ２と円筒部３ａとを気密構造となし、該扇形空間Ｓ１，Ｓ２及び筒状空間Ｔ１，Ｔ２内を、真空状態或いはヘリウムガス封入状態に常時保持できる様にする事も可能である。この様になせば、試料の出し入れの際には、円筒部３ａに対してのみ、大気に開放したり、脱気操作やヘリウムガスの封入操作を行えばよいので、これらの操作時間が短縮化される効果がある。
【００２７】
尚、前記試料の設置位置観測のためのＸ線通路となる前記両筒状空間Ｔ１，Ｔ２は、試料の位置確認のためのＸ線通路であるので、その減衰率については、さほど考慮する必要がないから、大気に開放させていても問題はない。従って、前記円筒部３ａの該筒状空間Ｔ１，Ｔ２との境界部２０には、前述のベリリウムやポリイミド樹脂で形成したＸ線透過窓を気密に装着し、その外側端部は、大気に開放した構造となす事も可能である。
【００２８】
更に、前記内筒部３ａの内部は、試料の出し入れのために大気に連通される事は避けられないが、該内筒部３ａ内の空気層は前記両扇形空間Ｓ１，Ｓ２に比して極めて短いので、大気開放のままでもＸ線の透過減衰量は無視し得る。従ってＸ線の通過部分である前記第１，第２扇形空間Ｓ１，Ｓ２との境界部２１を前述の如くベリリウムやポリイミド樹脂で気密に形成しておき、両扇形空間Ｓ１，Ｓ２は、前述の通り真空あるいはヘリウムガス封入状態を常時維持できる様になす事も可能である。特に、両扇形空間Ｓ１，Ｓ２或いは前記筒状空間Ｔ１，Ｔ２を常時真空に保持する方式の場合には、これらの空間を真空断熱容器３内と連通させておく事も可能である。
【００２９】
【発明の効果】
以上詳述した如く、本発明によれば、Ｘ線の通路となるＸ線照射通路或いはＸ線回折通路となる両扇形空間Ｓ１，Ｓ２内を、真空或いは大気よりもＸ線透過減衰率の小さなガスを充填させており、更に、これらＸ線通路となる扇形空間と外部とを画成するカバー部材のＸ線通路となる開口部１５ｂにも大気よりもＸ線透過減衰率の小さなベリリウムやポリイミド樹脂を配置しているので、Ｘ線が照射され回折されて受像される間のＸ線通路の殆どは大気よりもＸ線透過減衰率の小さな状態となり、従来の大気中をＸ線通路とする方式に比して大幅にＸ線の減衰が抑制される結果、一層精緻な回折データを得る事が可能となり、我が国の科学技術の進展に大きく寄与する事が期待される。
【００３０】
更に、前記Ｘ線照射通路及びＸ線回折通路となる両扇形空間Ｓ１，Ｓ２とは独立して試料位置観察用の直線状のＸ線透過通路Ｔ１，Ｔ２を形成しておけば、該通路Ｔ１，Ｔ２からＸ線或いは中性子線を照射して試料の位置確認を行う事が可能となるので、最適なＸ線回折画像の撮影が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＸ線回折用超電導磁石装置の一例を示す要部概略断面図である。
【図２】図１のＱ−Ｑ断面図である。
【図３】図２のＳ−Ｓ矢視図である。
【図４】図２のＲ−Ｒ矢視図である。
【図５】従来のＸ線回折用超電導磁石装置の例を示す要部概念図である。
【図６】図５のＡ−Ａ断面図である。
【符号の説明】
３ 真空断熱容器
３ａ 内筒部
４ 輻射シールド
５ 超電導磁石
７ 蓄冷式冷却機
８ 支持部材
９ 巻枠
１０ 試料
１１ 保持枠
１５ カバー部材
１５ｂ カバー部材の開口（Ｘ線透過窓）
１９ 筒状空間の窓部材
２０ 内筒部の筒状空間との境界部
２１ 内筒部の扇形空間との境界部
Ｓ１ 第１扇形空間（Ｘ線照射通路）
Ｓ２ 第２扇形空間（Ｘ線回折通路）
Ｔ１ 第１筒状空間（試料位置観察用Ｘ線透過通路）
Ｔ２ 第２筒状空間（試料位置観察用Ｘ線透過通路）

Claims (10)

1. 真空断熱容器（３）内に、上下２段に超電導磁石（５ａ，５ｂ）を配置し、該上下二段の超電導磁石の間に、Ｘ線入射通路（Ｓ１）とＸ線回折通路（Ｓ２）とが形成されてなるＸ線回折装置用超電導磁石装置において、
   前記真空断熱容器（３）の中心線に沿って前記超電導磁石の中心部に向かって形成され該真空断熱容器（３）の内側壁を形成すると共に、Ｘ線回折用試料（１０）を該真空断熱容器（３）外から前記上下の超電導磁石の中心部に配置するための内筒部（３ａ）と、
   該内筒部（３ａ）から前記真空断熱容器（３）の周壁（３ｂ）に向けて広がる前記Ｘ線入射通路（Ｓ１）及び前記Ｘ線回折通路（Ｓ２）としての一対の扇形空間と、該扇形空間の外側面の夫々に、前記真空断熱容器（３）に気密に固着され且つＸ線通過窓（１５ｂ）を有するカバー部材（１５）と、を設けると共に、
   前記Ｘ線入射通路（Ｓ１）及び前記Ｘ線回折通路（Ｓ２）内は、真空空間、又は前記真空断熱容器（３）内と気密に区画されて大気よりもＸ線透過減衰率の小さなガスが封入された空間となし、
   前記カバー部材（１５）のＸ線通過窓（１５ｂ）は、大気よりもＸ線透過減衰率の小さな金属材料又は高分子材料で形成されており、
   前記上下２段の超電導磁石（５ａ，５ｂ）の間であって、前記Ｘ線入射通路（Ｓ１）及びＸ線回折通路（Ｓ２）とは独立して形成され且つ前記内筒部（３ａ）から前記真空断熱容器（３）の周壁（３ｂ）に向かって形成された一対の筒状の試料位置観測用Ｘ線透過通路（Ｔ１，Ｔ２）を直線的に配置してなることを特徴とするＸ線回折装置用超電導磁石装置。
2. 前記Ｘ線通過窓（１５ｂ）が、ベリリウム又はポリイミド樹脂で形成されている事を特徴とする請求項１に記載のＸ線回折装置用超電導磁石装置。
3. 前記Ｘ線入射通路（Ｓ１）及び前記Ｘ線回折通路（Ｓ２）は、前記真空断熱容器（３）内とは気密に画成された真空空間である事を特徴とする請求項１又は２に記載のＸ線回折装置用超電導磁石装置。
4. 前記Ｘ線入射通路（Ｓ１）及び前記Ｘ線回折通路（Ｓ２）内にはヘリウムガスが封入されている事を特徴とする請求項１又は２に記載のＸ線回折装置用超電導磁石装置。
5. 前記内筒部（３ａ）の前記Ｘ線入射通路（Ｓ１）及び前記Ｘ線回折通路（Ｓ２）に面する部分にＸ線透過窓を設け、該Ｘ線透過窓に前記大気よりもＸ線透過減衰率の小さな金属材料又は高分子材料で形成された窓部材（２１）を配置した事を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＸ線回折装置用超電導磁石装置。
6. 前記Ｘ線入射通路（Ｓ１）及び前記Ｘ線回折通路（Ｓ２）は、内側から外側に向けてその高さ方向の幅が広がる様に形成されている事を特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＸ線回折装置用超電導磁石装置。
7. 前記Ｘ線透過通路（Ｔ１，Ｔ２）の外側面には、該通路を外気に対して気密に装着された窓部材（１９）を有し、該Ｘ線透過通路（Ｔ１，Ｔ２）内は、真空空間、又は前記真空断熱容器（３）内とは気密に区画されて大気よりもＸ線透過減衰率の小さなガスが封入された空間とされ、更に、前記窓部材（１９）は、大気よりもＸ線透過減衰率の小さな金属材料又は高分子材料で形成されている事を特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のＸ線回折装置用超電導磁石装置。
8. 前記窓部材（１９）が、ベリリウム又はポリイミド樹脂で形成されている事を特徴とする請求項７に記載のＸ線回折装置用超電導磁石装置。
9. 前記Ｘ線透過通路（Ｔ１，Ｔ２）は、大気に連通されている事を特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のＸ線回折装置用超電導磁石装置。
10. 前記内筒部（３ａ）の前記Ｘ線透過通路（Ｔ１，Ｔ２）に面する部分にＸ線透過窓を設け、該Ｘ線透過窓に前記大気よりもＸ線透過減衰率の小さな金属材料又は高分子材料で形成された窓部材（２０）を配置した事を特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のＸ線回折装置用超電導磁石装置。

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