JP4032889B2

JP4032889B2 - Insulating film formation method

Info

Publication number: JP4032889B2
Application number: JP2002261042A
Authority: JP
Inventors: 孝義加藤; 晴美池田; 章秀柏木
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2002-09-06
Filing date: 2002-09-06
Publication date: 2008-01-16
Anticipated expiration: 2022-09-06
Also published as: JP2004103688A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁膜の形成方法およびゲート絶縁膜に関し、特にはシリコン基板上に金属酸化物を用いた絶縁膜を形成する方法とこの方法によって得られたゲート絶縁膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＭＯＳ型シリコン半導体装置においては、トランジスタ構造の微細化に伴い、ゲート絶縁膜の薄膜化が進んでおり、デザインルールが０．１０μｍ世代では、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）を用いたゲート絶縁膜に２ｎｍレベルの膜厚が要求されている。しかしこのレベルの膜厚の酸化シリコン膜では、キャリアの直接トンネリングによりゲートリーク電流が増大する、という大きな課題がある。この問題に加え、いわゆるＰＭＯＳのボロン突抜け現象を抑える目的もあって、デザインルールが０．１８μｍの世代より、酸化シリコン膜にＮＯガス等の熱処理により窒素を熱拡散させ、窒化酸化シリコン膜（ＳｉＯＮ膜）をゲート絶縁膜とする技術が採用されている。
【０００３】
このような窒素の導入により、酸化シリコン膜が窒化シリコン膜に近づくため、膜の誘電率が上昇する。したがってリーク電流を抑えるために物理膜厚を厚くしてもデバイス性能に寄与する容量膜厚（Ｃ−Ｖ測定で得られる膜厚）は同等かそれ以下にすることが可能となる。しかし、窒素を導入することで、新たにＮＢＴＩ（Negative Bias Temperature Instability）等の問題も発生し、シリコン窒化酸化膜中の窒素濃度プロファイルの制御が課題となっている。これは、熱拡散によって酸化シリコン膜に導入され、酸化シリコン膜／シリコン基板界面に到達した窒素が、正の固定電荷またはキャリアの散乱因子として働くため、窒素をゲート絶縁膜（酸化シリコン膜）の表面側に集中させようとするものである。この目的のため、熱拡散に代わり、窒素プラズマを照射し、酸化シリコン膜の表面のみを窒化する技術が採用され始めている。しかしながら、０．１０μｍ〜０．０７μｍ世代では、窒素を導入するゲート絶縁膜（シリコン酸化膜）の膜厚が１ｎｍからこれ以下の厚さになっており、膜中の窒素濃度を制御すること自体が困難になっている。
【０００４】
そこで、ＳｉＯ₂より比誘電率の高い金属酸化物を用いてゲート絶縁膜を構成する研究が盛んに行われている。例えばキャパシタ絶縁膜等で採用されているＴａＯ₂は比誘電率が約２０あり、比誘電率３．７のＳｉＯ₂と置き換えると、ゲート絶縁膜の物理膜厚を５倍以上厚くすることが可能であり、直接トンネリング現象を抑えることが可能になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、シリコン半導体装置のゲート絶縁膜に金属酸化物を適用する場合、シリコン基板の表面に金属酸化物膜を形成することになる。したがって形成された金属酸化物／シリコン界面は、従来のシリコン酸化膜／シリコン基板界面以上に、格子構造、化学組成、熱膨張係数等が異なる全くのヘテロ接合となる。その結果、界面には大きな歪みやこれに起因する欠陥や原子レベルの凹凸が発生するが、これらはゲート絶縁膜としての特性を劣化させることは、シリコン酸化膜における古くからの課題と同様に大きな問題である。
【０００６】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、界面付近における格子歪みや結晶欠陥、さらには凹凸の発生なく、単結晶シリコンからなる基板上に金属酸化物を用いた絶縁膜を形成する方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するための本発明は、単結晶シリコンからなる基板の処理表面に第１反応物を吸着させる第１工程と、この処理表面に酸素を含む第２反応物を吸着させる第２工程とを繰り返し行うことで、基板上に第１反応物に含有された物質の酸化物からなる絶縁膜を形成する、いわゆる原子層蒸着法（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）に関する。先ず、第１の方法においては、第１工程において、金属を含有する反応物とシリコンを含有する反応物とを処理表面に吸着させる。またこの際、工程の繰り返しの進行にともない、シリコンを含有する反応物の割合を段階的に減少させることを特徴としている。
【０００８】
このような方法によれば、工程の繰り返しにともなって、シリコンを含有する反応物の割合を段階的に減少させているため、形成される絶縁膜は、基板に近い部分から表面に向かって徐々にシリコンの含有量が少なくなるような濃度勾配を有するものとなる。このため、この絶縁膜は、基板に近い部分では金属酸化物に対するシリコン酸化物の割合が多く酸化シリコン膜に近い組成となり、単結晶シリコンからなる基板と間の格子歪みが小さく抑えられる。また、この絶縁膜は、表面に近づくにしたがってシリコン酸化物の割合が徐々に減らされるため、格子歪みの発生を小さく抑えながら、より誘電率の高い金属酸化物に近い組成となる。
【０００９】
また、本発明は第１の方法のようにして得られたゲート絶縁膜でもあり、基板に近い部分から表面に向かって徐々に含有量が少なくなるような濃度勾配を有してシリコン酸化物を含有している。
【００１０】
また、第２の本発明は、第１工程と第２工程とを繰り返し行う前に、基板表面のシリコンに終端している水素原子を脱離させる前処理工程を行うことを特徴としている。
【００１１】
このような方法では、単結晶シリコンからなる基板表面から水素原子を脱離させた後に、この基板の処理表面に対して第１反応物や第２反応物の吸着が行われるため、処理表面に対して第１反応物や第２反応物の吸着をムラ無く吸着させることができる。このため、処理表面の全面に対して、均一に第１反応物や第２反応物の吸着が行われることになり、局所的な吸着不足による凹凸やこれに起因する格子歪みなく、絶縁膜が形成される。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態の絶縁膜の製造方法を示すフローチャートである。ここでは、単結晶シリコンからなる基板の表面側にＭＯＳトランジスタを形成する工程において、酸化物としてアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）を用いたゲート絶縁膜を形成する場合に本発明を適用した実施の形態を説明する。しかし、本第１実施形態の方法はゲート絶縁膜の形成への適用に限定されるものではない。
【００１４】
先ず、ステップＳ１では、単結晶シリコンからなる基板（基板抵抗１０ΩのＰ型シリコン）の洗浄を行う。ここでは、アンモニア−過酸化水素水溶液と、塩酸−過酸化水素水溶液とを用いたＲＣＡ洗浄を行い、さらにフッ酸（ＨＦ濃度１％）を用いた洗浄を行う。これにより、基板表面の微粒子、有機物、金属不純物を除去する。
【００１５】
次に、洗浄処理を終了させた基板を成膜チャンバ内に収納する。そして、成膜チャンバ内の圧力を２．６７×１０²Ｐａに保つと共に、基板温度を３００℃に保つ。この状態で、次のステップに移行する前に、成膜チャンバ内に窒素ガスを４００ｓｃｃｍで１秒間供給し、成膜チャンバ内のガスを窒素に置換する工程を行う。尚、以降の工程においては、各処理ステップの間に、成膜チャンバ内のガスを窒素に置換する工程を行うこととする。
【００１６】
次に、ステップＳ２では、以上のような洗浄処理を行った基板の処理表面に、シリコンを含有する反応物（Ｓｉ含有反応物）をガス状で供給し、これにより処理表面にＳｉ含有反応物を化学的に吸着させる。Ｓｉ含有反応物としては、シラン（ＳｉＨ₄）やジクロロシラン（H2SiCl2）、テトラクロロシラン（SiCl4）、テトラキスジメチルアミノシラン（Si[N(CH3)2]4）、テトラキスジエチルアミノシラン（Si[N(C2H5)2]4）、テトラキス１メトキシ２メチル２プロポキシシラン（Si[OC(CH3)2CH2OCH3]4）、トリスジメチルアミノシラン（HSi[N(CH3)2]3）、トリスジエチルアミノシラン（HSi[N(C2H5)2]3）等のガス状で供給可能な物質を用いることができる。
【００１７】
ここでは、基板が収納された成膜チャンバ内に、アルゴン（Ａｒ）をキャリアガスとしてＳｉ含有反応物を導入する。この場合の処理条件は、例えば次のようである。

ここで、ガスの流量ｓｃｃｍ（standard cubic centimeter ／minutes）は標準状態においての流量［ｃｍ³／ｍｉｎ］であり、以下同様であることとする。
【００１８】
以上の後、次のステップに移行する前に、ステップＳ１の最終段で説明したと同様に、成膜チャンバ内を窒素置換する工程を行う。
【００１９】
その後、ステップＳ３では、基板の処理表面に、酸素を含有する反応物（Ｏ含有反応物）を供給し、これにより処理表面にＯ含有反応物を化学的に吸着させる。これにより、先に吸着されているＳｉ含有反応物のＳｉに結合しているＨ原子が脱離し、このＳｉにＯ含有反応物のＯが結合する状態で化学的な吸着が行われ、これにより酸化シリコン層が形成される。Ｏ含有反応物としては、酸化性ガスを用いることができ、水蒸気ガス、オゾンガス等が用いられる。
【００２０】
ここでは、基板が収納された成膜チャンバ内に、アルゴン（Ａｒ）をキャリアガスとしてＯ含有反応物（Ｈ₂Ｏ）を導入する。この場合の処理条件は、例えば２１℃にて蒸気圧で気化させたＨ₂Ｏを、Ａｒ（流量５０ｓｃｃｍ）をキャリアガスとして成膜チャンバ内に導入し、０．５秒間（ガス供給時間）の処理を行う。
【００２１】
以上の後、次のステップに移行する前に、ステップＳ１の最終工程と同様に、成膜チャンバ内を窒素置換する工程を行う。
【００２２】
次いで、ステップＳ４では、以上のステップＳ２とステップＳ３の工程が、設定された回数だけ繰り返えされ、この繰り返しが終了した否かを判断する。ここでは、繰り返しが終了した（Ｙｅｓ）と判断されるまで、ステップＳ２に戻って、さらにステップＳ３を繰り返し行う。この繰り返しの回数は、酸化シリコン層が所定の膜厚で成膜されるだけの１回〜複数回に設定される。そして、繰り返しが終了した（Ｙｅｓ）と判断された場合に、次のステップＳ５に進む。
【００２３】
そして、ステップＳ５では、次のステップＳ６で行われる処理においてのガス供給量の設定調整が行われる。すなわち、次のステップＳ６では、ステップ基板の処理表面に、金属を含有する反応物（Ｍｅ含有反応物）とＳｉ含有反応物とをガス状で供給し、処理表面にＭｅ含有反応物と共にＳｉ含有反応物を吸着させる処理を行う。
【００２４】
そこで、本ステップＳ５では、Ｍｅ含有反応物とＳｉ含有反応物とのガス供給量を調整する。この際、初期においては、Ｍｅ含有反応物に対してＳｉ含有反応物の割合が多くなるように設定され、ステップＳ５の繰り返しが進むにつれて、Ｓｉ含有反応物の割合が減少するように、複数の供給量が設定されることとする。
【００２５】
ここで、Ｍｅ含有反応物としては、目的とする金属元素を含有する有機金属ガスを用いることができる。例えば、ここでは金属酸化物としてアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）を含有するゲート絶縁膜の形成を目的としているため、アルミニウムを含有する有機金属ガスとして、ＴＭＡ［trimethylaluminium：Ａｌ（ＣＨ₃）₃］が用いられる。
【００２６】
尚、ゲート絶縁膜を構成する金属酸化物としては、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）に限定されることはなく、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｒ、Ｙ、Ｇｄ等の酸化物であっても良い。例えば、Ｈｆ酸化物をゲート絶縁膜として形成する場合、Ｍｅ含有反応物にはテトラキスジメチルアミノハフニウム（Hf[N(CH3)2]4）、ハフニウムターシャリーブトキサイド（Hf(OtBu)4）が用いられる。
【００２７】
また、Ｓｉ含有反応物としては、ステップＳ２で説明したガスと同様のものを用いることができる。
【００２８】
そして、Ｍｅ含有反応物にＴＭＡを用い、Ｓｉ含有反応物にＳｉ₄Ｈを用いた場合、ステップＳ５においては、例えば初期の供給量（流量）の設定値として、ＴＭＡ：ＳｉＨ₄＝１０ｓｃｃｍ：１９０ｓｃｃｍに設定されることとする。そして、ステップ５の繰り返しにおいて、ＴＭＡの供給量を１０ｓｃｃｍずつ増加させ、一方ＳｉＨ₄の供給量を１０ｓｃｃｍずつ減少させた複数段階の供給量が設定されていることとする。そして、ステップＳ４からステップＳ５に進んだ場合には、先ず、初期の設定値にＭｅ含有反応物とＳｉ含有反応物の供給量が調整される。
【００２９】
そして、次のステップＳ６では、先ず、ステップＳ５で調整された初期の供給量に基づいて、処理表面にＭｅ含有反応物（ＴＭＡ）とＳｉ含有反応物（ＳｉＨ₄）とを供給し、これにより処理表面にＭｅ含有反応物（ＴＭＡ）とＳｉ含有反応物（ＳｉＨ₄）とを化学的に吸着させる。

【００３０】
以上の後、次のステップに移行する前に、ステップＳ１の最終工程と同様に、成膜チャンバ内を窒素置換する工程を行う。
【００３１】
次のステップＳ７では、ステップＳ３と同様にして、基板の処理表面に、Ｏ含有反応物（酸化性ガスであり、例えばＨ₂Ｏ）を供給し、これにより処理表面にＯ含有反応物（Ｈ₂Ｏ）を化学的に吸着させる。これにより、先に吸着されているＭｅ含有反応物（ＴＭＡ）のアルミニウム（Ａｌ）に結合しているメチル基とＳｉ含有反応物（ＳｉＨ₄）のＳｉに結合しているＨ原子が脱離し、ＡｌとＳｉとにＯ含有反応物（Ｈ₂Ｏ）のＯが結合する状態で化学的な吸着が行われ、これにより金属酸化物（Ａｌ₂Ｏ₃）とシリコン酸化物（ＳｉＯ₂₎とからなる絶縁層が形成される。
【００３２】
以上の後、次のステップに移行する前に、ステップＳ１の最終工程と同様に、成膜チャンバ内を窒素置換する工程を行う。
【００３３】
次いで、ステップＳ８では、以上のステップＳ６とステップＳ７の工程が、設定された回数だけ繰り返えされ、この繰り返しが終了したか否かを判断する。ここでは、繰り返しが終了した（Ｙｅｓ）と判断されるまで、ステップＳ６に戻って、さらにステップＳ７を繰り返し行う。この繰り返しの回数は、ステップＳ５で調整された供給量での成膜が所定の膜厚で行われるだけの１回〜複数回に設定される。そして、繰り返しが終了した（Ｙｅｓ）と判断された場合に、次のステップＳ９に進む。
【００３４】
ステップＳ９では、ステップＳ５で設定されている全ての設定値での繰り返し処理が終了したか否かを判断する。ここで、繰り返し行われた（Ｙｅｓ）と判断されるまで、ステップＳ５に戻る。そして、戻る毎に、ステップ６での各反応物の供給量が、前回よりもＳｉ含有反応物の供給量の割合を減少させた次の設定値となるように調整を行う。そして、次のステップＳ６、ステップＳ７を繰り返し行い、次のステップＳ８で（Ｙｅｓ）と判断されるまで、ステップＳ５で調整ｓれた設定値での処理を繰り返し行う。
【００３５】
以降、ステップＳ５〜Ｓ９を繰り返し行い、ステップＳ９で、繰り返しが終了した（Ｙｅｓ）と判断された場合に、上述した一連の原子層蒸着によるゲート電極の形成を終了させる。
【００３６】
そして、以上により、基板側の酸化シリコン層が設けられ、その上部にシリコン酸化物と金属酸化物とからなる中間層を有し、さらに表面層に金属酸化物層を設けたゲート絶縁膜が得られる。
【００３７】
尚、ステップＳ９で繰り返しが終了した（Ｙｅｓ）と判断された後には、Ｓｉ含有反応物を供給せずにＭｅ含有反応物のみをキャリアガスと共に供給する工程と、Ｏ含有反応物をキャリアガスと共に供給する工程とを繰り返し行い、処理表面に金属酸化物のみからなる層を形成するようにしても良い。
【００３８】
以上説明した第１実施形態の形成方法によれば、ステップＳ５からステップＳ９の繰り返しにともなって、Ｓｉ含有反応物の割合を段階的に減少させているため、形成されるゲート絶縁膜の中間層は、基板に近い部分から表面に向かって徐々にＳｉの含有量が少なくなるような濃度勾配を有するものとなる。このため、このゲート絶縁膜は、基板に近い部分では金属酸化物に対するシリコン酸化物の割合が多く酸化シリコン膜に近い組成となり、単結晶シリコンからなる基板と間の格子歪みが小さく抑えられる。また、このゲート絶縁膜は、表面に近づくにしたがってシリコン酸化物の割合が徐々に減らされるため、格子歪みの発生を小さく抑えながら、より誘電率の高い金属酸化物に近い組成となる。
【００３９】
したがって、酸化シリコン膜と同等の界面特性を維持しつつ、リーク電流を増大させずに容量膜厚を薄膜化したゲート絶縁膜を形成することが可能になり、ＭＯＳトランジスタのさらなる微細化と動作速度の高速化を図ることが可能になる。
【００４０】
尚、以上説明した第１実施形態においては、ステップＳ２とステップＳ３とを、順序を入れ替えて行っても良い。この場合、ステップＳ４において（Ｎｏ）と判断された場合には、先に行われるステップＳ３に戻り、次いでステップＳ２を行うこととする。またこの場合、ステップＳ６とステップＳ７とを、順序を入れ替えて行うことが好ましい。この場合、ステップＳ８において（Ｎｏ）と判断された場合には、先に行われるステップＳ７に戻り、次いでステップＳ６を行うこととする。さらに、ステップＳ９が終了した後に、Ｓｉ含有反応物を供給せずにＭｅ含有反応物のみをキャリアガスと共に供給する工程と、Ｏ含有反応物をキャリアガスと共に供給する工程とを繰り返し行う場合にも、これらの工程の順序も入れ替えることが好ましい。以上のように、各ステップを入れ替えた場合であっても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４１】
また、第１実施形態においては、ステップＳ２〜ステップＳ４を行うことで、基板上に酸化シリコン層を形成することとした。しかし、本発明においては、これらのステップＳ２〜ステップＳ４は必要に応じて行われれば良く、これらのステップを行うことで、行わない場合と比較して、単結晶シリコンからなる基板とゲート絶縁膜との界面における格子歪みを最小限に抑えることが可能となる。尚、これらのステップＳ２〜ステップＳ４を行わない場合には、ステップＳ５で設定される初期の設定値を、Ｓｉ含有反応物の供給量に対するＭｅ含有反応物の供給量を充分に少なくすることが好ましく、これにより、単結晶シリコンからなる基板とゲート絶縁膜との界面における格子歪みをできるだけ小さく抑えることとする。
【００４２】
＜第２実施形態＞
図２は、本発明の第２実施形態の絶縁膜の製造方法を示すフローチャートである。ここでは、単結晶シリコンからなる基板の表面側にＭＯＳトランジスタを形成する工程において、酸化物としてアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）を用いたゲート絶縁膜を形成する場合に本発明を適用した実施の形態を説明する。しかし、本第２実施形態の方法はゲート絶縁膜の形成への適用に限定されるものではない。
【００４３】
先ず、ステップＳ２１では、第１実施形態のステップＳ１と同様に、単結晶シリコンからなる基板（基板抵抗１０ΩのＰ型シリコン）の洗浄を行い、さらに洗浄処理を終了させた基板を成膜チャンバ内に収納し、成膜チャンバ内の圧力を２．６７×１０²Ｐａに保つと共に基板温度を３００℃に保ち、さらに成膜チャンバ内を窒素置換する工程を行う。尚、以降の工程においては、各処理ステップの間に、成膜チャンバ内を窒素置換する工程を行うこととする。
【００４４】
次に、ステップＳ２２では、以上のような洗浄処理を行った基板の処理表面のシリコンに終端しているＨ原子を脱離させる工程を行う。ここでは、処理表面にＳｉ−Ｈ結合の解離エネルギー（２９８．５ｋＪ／ｍｏｌ；室温）以上のエネルギーの波長を含む光を照射することで、水素原子を脱離させる。そこで、処理表面に重水素ランプを光源とする紫外線を１分間照射する処理を行う。
【００４５】
次いで、ステップＳ２３では、処理表面に第１反応物として金属を含有する反応物（Ｍｅ含有反応物）を供給し、処理表面に金属を化学的に吸着させる。Ｍｅ含有反応物としては、第１実施形態と同様の材料が用いられ、ここではアルミニウムを含有する有機金属ガスとしてＴＭＡ（trimethylaluminium）が用いられる。
【００４６】
この際、アルゴン（Ａｒ）をキャリアガスとして、基板が収納された成膜チャンバ内にＭｅ含有反応物を導入する。この場合の処理条件は、例えば次のようである。

【００４７】
その後、ステップＳ２４では、基板の処理表面に、酸素を含有する第２反応物（Ｏ含有反応物）を供給し、これにより処理表面にＯ含有反応物を化学的に吸着させる。これにより、ステップＳ２３で吸着された金属にＯ含有反応物のＯが結合する状態で化学的な吸着が行われ、これにより金属酸化物層が形成される。このステップＳ２４は、第１実施形態のステップＳ３と同様に行われ、Ｏ含有反応物としては、第１実施形態と同様の材料が用いられる。
【００４８】
次いで、ステップＳ２５では、以上のステップＳ２３とステップＳ２４の工程が、設定された回数だけ繰り返され、この繰り返しが終了した否かを判断する。ここでは、繰り返しが終了した（Ｙｅｓ）と判断されるまで、ステップＳ２３に戻って、さらにステップＳ２４を繰り返し行う。この繰り返しの回数は、金属酸化物層が所定の膜厚で成膜されるだけの１回〜複数回に設定される。
【００４９】
そして、繰り返しが終了した（Ｙｅｓ）と判断された場合に、上述した一連の原子層蒸着によるゲート電極の形成を終了させる。
【００５０】
以上説明した第２実施形態の形成方法によれば、単結晶シリコンからなる基板表面から水素原子を脱離させた後に、この基板の処理表面に対してＭｅ含有反応物やＯ含有反応物の吸着が行われるため、処理表面に対してＭｅ含有反応物やＯ含有反応物の吸着をムラ無く吸着させることができる。つまり、このような水素原子の脱離処理を行わない場合、基板はＳｉがＨで終端されている部分とされていない部分とが混在することになる。そして、Ｈで終端されている部分は、これ以外の部分と比較して、反応物が化学的に吸着し難く、ここではＡｌが結合し難い部分となる。したがって、繰り返し工程が進むにしたがって、Ｈが終端されている部分の成膜速度が他の部分と比較して遅くなり、凹凸の発生およびこれによる格子歪みの発生の原因となるのである。
【００５１】
したがって、ステップＳ２３とステップＳ２４とを繰り返し行う原子層蒸着の前処理として、ステップＳ２１の水素原子の脱離処理を行うことで、処理表面の全面に対して、均一にＭｅ含有反応物やＯ含有反応物の吸着が行われることになり、局所的な吸着不足による凹凸やこれに起因する格子歪みなく、ゲート絶縁膜を形成することが可能になるのである。
【００５２】
＜第３実施形態＞
本第３実施形態は、上述した第２実施形態におけるステップＳ２２の水素原子の脱離の工程を、光照射に変えて熱処理によって行う方法であり、他のステップＳ２１、Ｓ２３〜Ｓ２５は同様に行われることとする。
【００５３】
すなわち、ステップＳ２２においては、基板を収納した成膜チャンバ内を大気圧〜減圧雰囲気にして基板を加熱することで、処理表面のＳｉに終端している水素原子を脱離させる。この際の処理条件は、成膜チャンバ内の圧力を１．３３×１０^-7〜１．０１×１０⁵Ｐａ程度に保ち、基板温度を１００〜１２００℃の範囲で行うこととする。一例としては、成膜チャンバ内を１．３３×１０^-6Ｐａに減圧し、基板温度を６００℃で５分間保持する熱処理を行う。
【００５４】
このような第３実施形態の方法であっても、第２実施形態と同様に、単結晶シリコンからなる基板表面から水素原子を脱離させた後に、この基板の処理表面に対してＭｅ含有反応物やＯ含有反応物の吸着が行われるため、第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５５】
尚、以上説明した第２実施形態および第３実施形態においては、ステップＳ２３とステップＳ２４とを、順序を入れ替えて行っても良く、同様の効果を得ることができる。だたし、この場合、ステップＳ２５において（Ｎｏ）と判断された場合には、先に行われるステップＳ２４に戻り、次いでステップＳ２３を行うこととする。
【００５６】
また、以上説明した第２実施形態および第３実施形態は、第１実施形態と組み合わせて行うことが可能である。この場合、例えば第１実施形態において図１を用いて説明したステップＳ１とステップＳ２との間に、第２実施形態または第３実施形態において図２を用いて説明したステップＳ２２を行うようにする。
【００５７】
このように、第１実施形態と第２実施形態または第３実施形態を組み合わせて行うことで、さらに基板とゲート絶縁膜との界面付近における格子構造の歪みを抑える効果が高くなる。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の第１の製造方法によれば、原子層蒸着法による酸化物絶縁膜の形成において、工程の繰り返しにともなって、Ｓｉ含有反応物の割合を段階的に減少させてＭｅ含有反応物を処理表面に吸着させることで、基板に近い部分では酸化シリコン膜に近い組成で、表面に近いほど金属酸化膜に近い組成の絶縁膜を形成することが可能となる。これにより、基板との界面付近における格子歪みが小さく抑えられ、かつ結晶欠陥が少なく、しかも金属酸化物を用いることで誘電率の高い絶縁膜を得ることが可能になる。この結果、単結晶シリコンからなる基板上に、酸化シリコン膜と同等の界面特性を維持しつつ、リーク電流を増大させずに容量膜厚を薄膜化した絶縁膜を形成することが可能になる。
【００５９】
また、本発明の第２の製造方法によれば、単結晶シリコンからなる基板表面から水素原子を脱離させた後に、この基板の処理表面に対して原子層蒸着法による酸化物絶縁膜の形成工程を行う構成としたことで、反応物の局所的な吸着不足による凹凸やこれに起因する格子歪みや結晶欠陥の発生を抑えた絶縁膜の形成が可能になる。この結果、単結晶シリコンからなる基板上に、酸化シリコン膜と同等の界面特性を維持しつつ、リーク電流を増大させずに絶縁膜を形成することが可能になる。
【００６０】
そして、本発明のゲート絶縁膜によれば、単結晶シリコンからなる基板に近い部分から表面に向かって徐々にシリコン酸化物の含有量を減少させた金属酸化物としたことで、酸化シリコン膜と同等の界面特性を維持することが可能で、かつリーク電流を抑えて容量膜厚の薄膜化を図ることが可能になる。この結果、ＭＯＳトランジスタのさらなる微細化と動作速度の高速化を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の工程を示すフローチャートである。
【図２】本発明の第２実施形態および第３実施形態の工程を示すフローチャートである。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for forming an insulating film and a gate insulating film, and more particularly to a method for forming an insulating film using a metal oxide on a silicon substrate and a gate insulating film obtained by this method.
[0002]
[Prior art]
In the MOS type silicon semiconductor device, the gate insulating film is made thinner with the miniaturization of the transistor structure. When the design rule is 0.10 μm generation, silicon oxide (SiO 2) ₂ ) Is required to have a film thickness of 2 nm level. However, a silicon oxide film having a thickness of this level has a big problem that a gate leakage current increases due to direct tunneling of carriers. In addition to this problem, there is a purpose of suppressing the so-called PMOS boron penetration phenomenon. From the generation of the design rule of 0.18 μm, the silicon oxide film is thermally diffused by heat treatment with NO gas or the like to form a silicon nitride oxide film ( A technique using a SiON film) as a gate insulating film is employed.
[0003]
Such introduction of nitrogen increases the dielectric constant of the film because the silicon oxide film approaches the silicon nitride film. Therefore, even if the physical film thickness is increased in order to suppress the leakage current, the capacity film thickness (film thickness obtained by CV measurement) contributing to device performance can be made equal or less. However, by introducing nitrogen, problems such as NBTI (Negative Bias Temperature Instability) newly occur, and control of the nitrogen concentration profile in the silicon oxynitride film has become a problem. This is because nitrogen that has been introduced into the silicon oxide film by thermal diffusion and reached the silicon oxide film / silicon substrate interface works as a positive fixed charge or carrier scattering factor, so nitrogen is used as the gate insulating film (silicon oxide film). It is intended to concentrate on the surface side. For this purpose, a technique of irradiating nitrogen plasma instead of thermal diffusion and nitriding only the surface of the silicon oxide film has begun to be adopted. However, in the 0.10 μm to 0.07 μm generation, the thickness of the gate insulating film (silicon oxide film) into which nitrogen is introduced is from 1 nm to less than this, and controlling the nitrogen concentration in the film itself Has become difficult.
[0004]
Therefore, SiO ₂ There are many studies on the construction of a gate insulating film using a metal oxide having a higher relative dielectric constant. For example, TaO used in capacitor insulation films ₂ Has a relative dielectric constant of about 20 and a relative dielectric constant of 3.7 SiO ₂ In other words, the physical thickness of the gate insulating film can be increased by 5 times or more, and the direct tunneling phenomenon can be suppressed.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, when a metal oxide is applied to the gate insulating film of the silicon semiconductor device, a metal oxide film is formed on the surface of the silicon substrate. Therefore, the formed metal oxide / silicon interface becomes a completely heterojunction having a different lattice structure, chemical composition, thermal expansion coefficient, etc. than the conventional silicon oxide film / silicon substrate interface. As a result, large distortion, defects resulting from this, and irregularities at the atomic level occur at the interface, but these deteriorate the characteristics of the gate insulating film as well as the old problem in silicon oxide films. It is a problem.
[0006]
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the object of the present invention is to provide a metal oxide on a substrate made of single crystal silicon without occurrence of lattice distortion, crystal defects, and irregularities in the vicinity of the interface. It is an object of the present invention to provide a method for forming an insulating film using silicon.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve such an object, the present invention provides a first step in which a first reactant is adsorbed on a processing surface of a substrate made of single crystal silicon, and a second step in which a second reactant containing oxygen is adsorbed on the processing surface. The present invention relates to a so-called atomic layer deposition (ALD) method in which an insulating film made of an oxide of a substance contained in a first reactant is formed on a substrate by repeating two steps. First, in the first method, in the first step, a reactant containing metal and a reactant containing silicon are adsorbed on the treatment surface. At this time, the ratio of the reaction product containing silicon is gradually reduced as the process is repeated.
[0008]
According to such a method, since the ratio of the reactant containing silicon is gradually reduced as the process is repeated, the formed insulating film is gradually formed from the portion close to the substrate toward the surface. In addition, the concentration gradient is such that the silicon content decreases. For this reason, the insulating film has a composition in which the ratio of silicon oxide to metal oxide is large near the substrate and is close to that of the silicon oxide film, and lattice distortion between the insulating film and the substrate made of single crystal silicon can be kept small. In addition, since the ratio of silicon oxide is gradually reduced as the insulating film approaches the surface, the insulating film has a composition close to that of a metal oxide having a higher dielectric constant while suppressing generation of lattice distortion.
[0009]
The present invention is also a gate insulating film obtained by the first method, and has a concentration gradient that gradually decreases from the portion close to the substrate toward the surface. Contains.
[0010]
The second aspect of the present invention is characterized in that a pretreatment step for desorbing hydrogen atoms terminating in silicon on the substrate surface is performed before the first step and the second step are repeated.
[0011]
In such a method, after the hydrogen atoms are desorbed from the substrate surface made of single crystal silicon, the first reactant and the second reactant are adsorbed on the treatment surface of the substrate. On the other hand, the first reactant and the second reactant can be adsorbed without unevenness. For this reason, the first reactant and the second reactant are adsorbed uniformly over the entire surface of the treatment surface, and the insulating film can be formed without irregularities due to local lack of adsorption and lattice distortion resulting therefrom. It is formed.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0013]
<First Embodiment>
FIG. 1 is a flowchart showing a method of manufacturing an insulating film according to the first embodiment of the present invention. Here, in the step of forming a MOS transistor on the surface side of a substrate made of single crystal silicon, alumina (Al ₂ O _Three An embodiment to which the present invention is applied in the case of forming a gate insulating film using) will be described. However, the method of the first embodiment is not limited to application to the formation of the gate insulating film.
[0014]
First, in step S1, a substrate made of single crystal silicon (P-type silicon having a substrate resistance of 10Ω) is cleaned. Here, RCA cleaning using an ammonia-hydrogen peroxide aqueous solution and a hydrochloric acid-hydrogen peroxide aqueous solution is performed, and further cleaning using hydrofluoric acid (HF concentration 1%) is performed. Thereby, the fine particles, organic substances, and metal impurities on the substrate surface are removed.
[0015]
Next, the substrate for which the cleaning process has been completed is stored in a film formation chamber. The pressure in the film formation chamber is 2.67 × 10 ² While maintaining Pa, the substrate temperature is maintained at 300 ° C. In this state, before proceeding to the next step, a process of supplying nitrogen gas into the film forming chamber at 400 sccm for 1 second and replacing the gas in the film forming chamber with nitrogen is performed. In the following processes, a process of replacing the gas in the film forming chamber with nitrogen is performed between the processing steps.
[0016]
Next, in step S2, a reactant (Si-containing reactant) containing silicon is supplied in a gaseous state to the treated surface of the substrate that has been subjected to the above-described cleaning treatment, whereby the Si-containing reactant is delivered to the treated surface. Is chemically adsorbed. Si-containing reactants include silane (SiH _Four ), Dichlorosilane (H2SiCl2), tetrachlorosilane (SiCl4), tetrakisdimethylaminosilane (Si [N (CH3) 2] 4), tetrakisdiethylaminosilane (Si [N (C2H5) 2] 4), tetrakis 1 methoxy 2 methyl 2 Propoxysilane (Si [OC (CH3) 2CH2OCH3] 4), trisdimethylaminosilane (HSi [N (CH3) 2] 3), trisdiethylaminosilane (HSi [N (C2H5) 2] 3) can be supplied in gaseous form Can be used.
[0017]
Here, the Si-containing reactant is introduced into the film forming chamber in which the substrate is housed, using argon (Ar) as a carrier gas. The processing conditions in this case are as follows, for example.

Here, the gas flow rate sccm (standard cubic centimeter / minutes) is the flow rate in the standard state [cm. ^Three / Min], and so on.
[0018]
After the above, before proceeding to the next step, a step of replacing the inside of the film forming chamber with nitrogen is performed in the same manner as described in the final stage of step S1.
[0019]
Thereafter, in step S3, an oxygen-containing reactant (O-containing reactant) is supplied to the processing surface of the substrate, whereby the O-containing reactant is chemically adsorbed on the processing surface. As a result, H atoms bonded to Si of the Si-containing reactant previously adsorbed are desorbed, and chemical adsorption is performed in a state where O of the O-containing reactant is bonded to Si. A silicon oxide layer is formed. As the O-containing reactant, an oxidizing gas can be used, and a water vapor gas, an ozone gas, or the like is used.
[0020]
Here, an O-containing reactant (H) with argon (Ar) as a carrier gas in a film forming chamber in which a substrate is stored. ₂ O) is introduced. The processing conditions in this case are, for example, H vaporized by vapor pressure at 21 ° C. ₂ O is introduced into the deposition chamber using Ar (flow rate of 50 sccm) as a carrier gas, and a treatment is performed for 0.5 seconds (gas supply time).
[0021]
After the above, before proceeding to the next step, a step of replacing the inside of the film forming chamber with nitrogen is performed as in the final step of step S1.
[0022]
Next, in step S4, the above steps S2 and S3 are repeated a set number of times, and it is determined whether or not the repetition has been completed. Here, the process returns to step S2 and repeats step S3 until it is determined that the repetition has ended (Yes). The number of repetitions is set to one to a plurality of times when the silicon oxide layer is formed with a predetermined film thickness. If it is determined that the repetition has been completed (Yes), the process proceeds to the next step S5.
[0023]
In step S5, the setting adjustment of the gas supply amount in the process performed in the next step S6 is performed. That is, in the next step S6, a reaction product containing a metal (Me-containing reaction product) and a Si-containing reaction product are supplied in a gaseous state to the processing surface of the step substrate, and Si is contained together with the Me-containing reaction product on the processing surface. A treatment for adsorbing the reactant is performed.
[0024]
Therefore, in this step S5, the gas supply amounts of the Me-containing reactant and the Si-containing reactant are adjusted. At this time, in an initial stage, the ratio of the Si-containing reactant to the Me-containing reactant is set so as to increase, and as the repetition of step S5 proceeds, a plurality of Si-containing reactant ratios are decreased. The supply amount is set.
[0025]
Here, as the Me-containing reactant, an organometallic gas containing a target metal element can be used. For example, here, alumina (Al ₂ O _Three ) Containing a gate insulating film, TMA [trimethylaluminium: Al (CH _Three ) _Three ] Is used.
[0026]
As the metal oxide constituting the gate insulating film, alumina (Al ₂ O _Three ), And oxides such as Hf, Zr, La, Ce, Ta, Ti, Pr, Y, and Gd may be used. For example, when Hf oxide is formed as a gate insulating film, tetrakisdimethylaminohafnium (Hf [N (CH3) 2] 4) and hafnium tertiary butoxide (Hf (OtBu) 4) are used as the Me-containing reactant. It is done.
[0027]
As the Si-containing reactant, the same gas as described in step S2 can be used.
[0028]
And, using TMA for the Me-containing reactant, Si for the Si-containing reactant _Four In the case where H is used, in step S5, for example, TMA: SiH is set as an initial supply amount (flow rate) set value. _Four = 10 sccm: It is assumed that 190 sccm is set. Then, in the repetition of step 5, the supply amount of TMA is increased by 10 sccm, while SiH _Four It is assumed that a plurality of stages of supply amounts are set by decreasing the supply amount by 10 sccm. When the process proceeds from step S4 to step S5, first, the supply amounts of the Me-containing reactant and the Si-containing reactant are adjusted to the initial set values.
[0029]
In the next step S6, first, the Me-containing reactant (TMA) and the Si-containing reactant (SiH) are formed on the processing surface based on the initial supply amount adjusted in step S5. _Four Thus, the Me-containing reactant (TMA) and the Si-containing reactant (SiH) are applied to the treated surface. _Four ) And chemically adsorb.

[0030]
After the above, before proceeding to the next step, a step of replacing the inside of the film forming chamber with nitrogen is performed as in the final step of step S1.
[0031]
In the next step S7, as in step S3, an O-containing reactant (oxidizing gas such as H ₂ O) is supplied, whereby O-containing reactant (H ₂ O) is chemically adsorbed. As a result, the methyl group bonded to the aluminum (Al) of the Me-containing reactant (TMA) previously adsorbed and the Si-containing reactant (SiH _Four ) H atoms bonded to Si are desorbed, and O and a reaction product (H ₂ Chemical adsorption is performed in a state where O of O is bonded, and thereby metal oxide (Al ₂ O _Three ) And silicon oxide (SiO ₂₎ Is formed.
[0032]
After the above, before proceeding to the next step, a step of replacing the inside of the film forming chamber with nitrogen is performed as in the final step of step S1.
[0033]
Next, in step S8, the above steps S6 and S7 are repeated a set number of times, and it is determined whether or not the repetition has been completed. Here, the process returns to step S6 and step S7 is repeated until it is determined that the repetition has been completed (Yes). The number of repetitions is set to one to a plurality of times when film formation with the supply amount adjusted in step S5 is performed with a predetermined film thickness. If it is determined that the repetition has been completed (Yes), the process proceeds to the next step S9.
[0034]
In step S9, it is determined whether or not the iterative process with all the set values set in step S5 has been completed. Here, the process returns to step S5 until it is determined that the process has been repeatedly performed (Yes). Then, each time the process returns, adjustment is performed so that the supply amount of each reactant in Step 6 becomes the next set value obtained by reducing the ratio of the supply amount of the Si-containing reactant compared to the previous time. Then, the next step S6 and step S7 are repeated, and the process with the set value adjusted in step S5 is repeated until it is determined (Yes) in the next step S8.
[0035]
Thereafter, steps S5 to S9 are repeated, and when it is determined in step S9 that the repetition is completed (Yes), the formation of the gate electrode by the series of atomic layer deposition described above is ended.
[0036]
As described above, a gate insulating film having a silicon oxide layer on the substrate side, an intermediate layer made of silicon oxide and metal oxide formed thereon, and a metal oxide layer provided on the surface layer is obtained. It is done.
[0037]
In addition, after it is determined in step S9 that the repetition has been completed (Yes), the step of supplying only the Me-containing reactant together with the carrier gas without supplying the Si-containing reactant, and the O-containing reactant together with the carrier gas The step of supplying may be repeated to form a layer made of only a metal oxide on the treated surface.
[0038]
According to the formation method of the first embodiment described above, since the ratio of the Si-containing reactant is gradually reduced with the repetition of Step S5 to Step S9, the intermediate layer of the formed gate insulating film Has a concentration gradient such that the Si content gradually decreases from the portion close to the substrate toward the surface. For this reason, the gate insulating film has a composition in which the ratio of silicon oxide to metal oxide is large in the portion close to the substrate and is close to that of the silicon oxide film, and lattice strain between the substrate made of single crystal silicon is suppressed to a small level. In addition, since the ratio of silicon oxide is gradually reduced as the gate insulating film approaches the surface, the gate insulating film has a composition close to that of a metal oxide having a higher dielectric constant while suppressing generation of lattice distortion.
[0039]
Accordingly, it becomes possible to form a gate insulating film with a reduced capacitance film thickness without increasing leakage current while maintaining the same interface characteristics as a silicon oxide film, and further miniaturization and operation speed of MOS transistors. Can be speeded up.
[0040]
In the first embodiment described above, step S2 and step S3 may be performed in a reversed order. In this case, when it is determined (No) in step S4, the process returns to step S3 performed first, and then step S2 is performed. In this case, it is preferable to perform steps S6 and S7 by switching the order. In this case, when it is determined as (No) in step S8, the process returns to step S7 performed first, and then step S6 is performed. Furthermore, after step S9 is completed, the process of supplying only the Me-containing reactant with the carrier gas without supplying the Si-containing reactant and the step of supplying the O-containing reactant with the carrier gas are repeated. The order of these steps is also preferably changed. As described above, even if each step is replaced, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
[0041]
In the first embodiment, the silicon oxide layer is formed on the substrate by performing steps S2 to S4. However, in the present invention, these steps S2 to S4 may be performed as necessary. By performing these steps, the substrate and the gate insulating film made of single crystal silicon are compared with the case where they are not performed. It is possible to minimize lattice distortion at the interface. In addition, when these steps S2 to S4 are not performed, the initial set value set in step S5 may sufficiently reduce the supply amount of the Me-containing reactant with respect to the supply amount of the Si-containing reactant. Preferably, the lattice distortion at the interface between the substrate made of single crystal silicon and the gate insulating film is suppressed as much as possible.
[0042]
Second Embodiment
FIG. 2 is a flowchart showing a method for manufacturing an insulating film according to the second embodiment of the present invention. Here, in the step of forming a MOS transistor on the surface side of a substrate made of single crystal silicon, alumina (Al ₂ O _Three An embodiment to which the present invention is applied in the case of forming a gate insulating film using) will be described. However, the method of the second embodiment is not limited to application to the formation of the gate insulating film.
[0043]
First, in step S21, similarly to step S1 of the first embodiment, a substrate made of single crystal silicon (P-type silicon having a substrate resistance of 10Ω) is cleaned, and the substrate after the cleaning process is completed is formed in the film forming chamber. And the pressure in the deposition chamber is 2.67 × 10 ² While maintaining Pa, the substrate temperature is maintained at 300 ° C., and the inside of the film formation chamber is replaced with nitrogen. In the subsequent processes, a process of replacing the inside of the film forming chamber with nitrogen is performed between the processing steps.
[0044]
Next, in step S22, a step of desorbing H atoms terminating in silicon on the processed surface of the substrate that has been subjected to the cleaning process as described above is performed. Here, the hydrogen atom is desorbed by irradiating the treatment surface with light having a wavelength of energy equal to or higher than the dissociation energy of the Si—H bond (298.5 kJ / mol; room temperature). Therefore, a process of irradiating the processing surface with ultraviolet rays using a deuterium lamp as a light source for 1 minute is performed.
[0045]
Next, in step S23, a reactant (Me-containing reactant) containing a metal as a first reactant is supplied to the treatment surface, and the metal is chemically adsorbed on the treatment surface. As the Me-containing reactant, the same material as that in the first embodiment is used. Here, TMA (trimethylaluminium) is used as the organometallic gas containing aluminum.
[0046]
At this time, the Me-containing reactant is introduced into the film forming chamber in which the substrate is housed using argon (Ar) as a carrier gas. The processing conditions in this case are as follows, for example.

[0047]
Thereafter, in step S24, a second reactant (O-containing reactant) containing oxygen is supplied to the processing surface of the substrate, and thereby the O-containing reactant is chemically adsorbed on the processing surface. Thus, chemical adsorption is performed in a state where O of the O-containing reactant is bonded to the metal adsorbed in step S23, thereby forming a metal oxide layer. This step S24 is performed similarly to step S3 of the first embodiment, and the same material as that of the first embodiment is used as the O-containing reactant.
[0048]
Next, in step S25, the above steps S23 and S24 are repeated a set number of times, and it is determined whether or not the repetition has been completed. Here, the process returns to step S23 and step S24 is repeated until it is determined that the repetition has been completed (Yes). The number of repetitions is set to one to a plurality of times when the metal oxide layer is formed with a predetermined film thickness.
[0049]
When it is determined that the repetition has been completed (Yes), the formation of the gate electrode by the above-described series of atomic layer deposition is terminated.
[0050]
According to the formation method of the second embodiment described above, after the hydrogen atoms are desorbed from the substrate surface made of single crystal silicon, the Me-containing reactant and the O-containing reactant are adsorbed to the processing surface of the substrate. Therefore, the adsorption of the Me-containing reactant and the O-containing reactant can be uniformly adsorbed on the treatment surface. That is, when such a desorption process of hydrogen atoms is not performed, the substrate includes a portion where Si is terminated with H and a portion where Si is not terminated. And the part terminated with H is a part where it is difficult for the reactants to be chemically adsorbed compared to other parts, and here it is difficult for Al to bond. Therefore, as the repetitive process proceeds, the film forming speed of the portion where H is terminated becomes slower than that of the other portions, which causes the occurrence of unevenness and the resulting lattice distortion.
[0051]
Therefore, as a pretreatment for atomic layer deposition in which Step S23 and Step S24 are repeated, the hydrogen atom desorption treatment in Step S21 is performed, so that the Me-containing reactant or O-containing material is uniformly distributed over the entire surface of the treatment surface. The reactant is adsorbed, and the gate insulating film can be formed without unevenness due to local lack of adsorption and lattice distortion resulting therefrom.
[0052]
<Third Embodiment>
The third embodiment is a method in which the step of desorbing hydrogen atoms in step S22 in the second embodiment described above is performed by heat treatment instead of light irradiation, and the other steps S21 and S23 to S25 are similarly performed. Will be.
[0053]
That is, in step S22, hydrogen atoms terminated at Si on the processing surface are desorbed by heating the substrate in a film formation chamber containing the substrate in an atmospheric pressure to reduced pressure atmosphere. The processing condition at this time is that the pressure in the film forming chamber is 1.33 × 10 6. ^-7 ~ 1.01 × 10 ^Five The substrate temperature is kept in the range of 100 to 1200 ° C. while maintaining at about Pa. As an example, the inside of the deposition chamber is 1.33 × 10 ^-6 A heat treatment is performed by reducing the pressure to Pa and holding the substrate temperature at 600 ° C. for 5 minutes.
[0054]
Even in the method according to the third embodiment, as in the second embodiment, after the hydrogen atoms are desorbed from the substrate surface made of single crystal silicon, the Me-containing reaction is performed on the processing surface of the substrate. Since the adsorption of the product and the O-containing reactant is performed, the same effect as in the second embodiment can be obtained.
[0055]
In the second embodiment and the third embodiment described above, step S23 and step S24 may be performed in a reversed order, and the same effect can be obtained. However, in this case, if (No) is determined in step S25, the process returns to step S24, which is performed first, and then step S23 is performed.
[0056]
Further, the second embodiment and the third embodiment described above can be performed in combination with the first embodiment. In this case, for example, step S22 described using FIG. 2 in the second embodiment or the third embodiment is performed between step S1 and step S2 described using FIG. 1 in the first embodiment. .
[0057]
As described above, by combining the first embodiment and the second embodiment or the third embodiment, the effect of suppressing the distortion of the lattice structure near the interface between the substrate and the gate insulating film is further enhanced.
[0058]
【The invention's effect】
As described above, according to the first manufacturing method of the present invention, in the formation of the oxide insulating film by the atomic layer deposition method, the ratio of the Si-containing reactant is gradually reduced as the process is repeated. By adsorbing the Me-containing reactant on the processing surface, it is possible to form an insulating film having a composition close to a silicon oxide film at a portion close to the substrate and a composition closer to a metal oxide film as the surface is closer. As a result, the lattice distortion near the interface with the substrate can be kept small, the crystal defects are small, and an insulating film having a high dielectric constant can be obtained by using a metal oxide. As a result, it is possible to form an insulating film with a reduced capacitance film thickness on the substrate made of single crystal silicon while maintaining the same interface characteristics as the silicon oxide film and without increasing the leakage current.
[0059]
According to the second manufacturing method of the present invention, after the hydrogen atoms are desorbed from the surface of the substrate made of single crystal silicon, the oxide insulating film is formed on the treated surface of the substrate by the atomic layer deposition method. With the configuration in which the process is performed, it is possible to form an insulating film that suppresses unevenness due to local insufficient adsorption of reactants, and lattice distortion and crystal defects caused by the unevenness. As a result, it is possible to form an insulating film on the substrate made of single crystal silicon without increasing the leakage current while maintaining the same interface characteristics as the silicon oxide film.
[0060]
According to the gate insulating film of the present invention, the metal oxide in which the content of silicon oxide is gradually reduced from the portion close to the substrate made of single crystal silicon toward the surface, the silicon oxide film and It is possible to maintain the same interface characteristics, and it is possible to reduce the leakage current and reduce the thickness of the capacitor film. As a result, the MOS transistor can be further miniaturized and the operation speed can be increased.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a flowchart showing steps of a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a flowchart showing steps of a second embodiment and a third embodiment of the present invention.

Claims

The substrate is formed by repeatedly performing a first step of adsorbing a first reactant on a processing surface of a substrate made of single crystal silicon and a second step of adsorbing a second reactant containing oxygen on the processing surface of the substrate. A method of forming an insulating film made of an oxide of a substance contained in a first reactant,
In the first step, as the first reactant, a reactant containing metal and a reactant containing silicon are simultaneously supplied onto the treatment surface, thereby adsorbing these reactants on the treatment surface. With
As the first step and the second step are repeatedly performed, the supply ratio of the reactant containing silicon to the reactant containing the metal in the first step is gradually reduced. A method for forming an insulating film.

In the formation method of the insulating film of Claim 1,
Before repeating the first step and the second step,
Performing a pre-treatment step of adsorbing a reactant containing silicon on the treatment surface and a step of adsorbing a reactant containing oxygen on the treatment surface of the substrate to form a silicon oxide layer on the substrate. A method for forming an insulating film, which is performed.

In the formation method of the insulating film of Claim 1,
Before repeating the first step and the second step,
A method of forming an insulating film, comprising performing a pretreatment step of desorbing hydrogen atoms terminating in silicon on the substrate surface.