JP4032244B2 - Continuous processing method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理体の処理対象面に対して、複数種類の処理の内の任意の組み合わせの処理を連続的に施すための連続処理装置および連続処理方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
被処理体として、たとえば液晶表示体に用いられるウェーハを例に挙げる。このウェーハは、たとえばシリコンウェーハであり液晶表示体のサイズに応じて各種のサイズが存在している。たとえば小型の液晶表示体に用いられるシリコン基板は、たとえば最大12インチの大きさのウェーハから切り出して作られることが多い。
このようなウェーハ基板は、各種のプロセス処理を行うために、大型のプロセス処理装置や工場が必要となっている。
従来のこの種の液晶表示体の製造装置としては、液晶パネルの端子部分に対して混合気体を供給しながらプラズマを形成することにより、端子部分の配向膜や絶縁膜を選択的に除去するようにしている(たとえば特許文献1。)。
また、このような基板に形成されたレジストパターンを剥離するために、基板洗浄装置が用いられている(たとえば特許文献2。)。
【0003】
【特許文献1】
特開平8−254676号公報(第1頁、図1)
【特許文献2】
特開平6−291098号公報(第1頁、図1)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した特許文献1と特許文献2の技術では、被処理体であるたとえばウェーハ基板の表面に対して複数種類の処理を連続的に処理することができない。ウェーハ基板の表面に対して複数種類の処理を行うためには、複数種類の処理装置を並べて配置して、その装置間においては、搬送装置を用いてウェーハ基板を処理が変わるごとに搬送しなければならない。このために各処理装置の間に搬送装置が必要であり、装置の大型化が避けられず、被処理体の表面に対して複数種類の処理を効率的に処理することができない。
そこで本発明は上記課題を解消し、被処理体の処理対象面に対して複数種類の処理を連続的に効率よく行うことができ、装置の小型化が図れる連続処理装置および連続処理方法を提供することを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明の連続処理方法は、被処理体の処理対象面に対して複数種類の処理を連続的に施すための連続処理方法であり、前記被処理体を搭載面に保持して、前記被処理体の前記処理対象面を回転する回転操作ステップと、複数種類の処理ユニットが円形状に配列されており、前記被処理体の前記処理対象面に対して、大気圧または大気圧近傍の圧力下でそれぞれ異なる処理を施すための前記複数種類の処理ユニットの任意の処理ユニットにより処理を行う処理ステップと、を有し、前記複数種類の処理ユニットを前記回転操作部の回転中心を中心として間隔をおいて配置するユニット配置部を備え、前記回転操作部は、前記ユニット配置部の中央に位置され、前記複数種類の処理ユニットは、前記被処理体の前記処理対象面と前記回転操作部の前記搭載面を洗浄する洗浄処理ユニット、乾燥処理ユニット、表面改質処理ユニット、液剤処理ユニット、アニール処理ユニットを含んでおり、前記処理対象面に対して処理を行う際には前記回転操作部に搭載された前記被処理体の前記処理対象面側へ進出させ、処理後退避させるための移動操作部をそれぞれ有していること、を特徴とする。
【0013】
このような構成によれば、回転操作ステップでは、被処理体を搭載面に保持して、被処理体の処理対象面を回転する。
処理ステップでは、複数種類の処理ユニットが円形状に配列されている。この処理ステップでは、被処理体の処理対象面に対して大気圧または大気圧近傍の圧力下でそれぞれ異なる処理を施すための複数種類の処理ユニットにより処理を行うことができる。
【0014】
これにより、複数種類の処理ユニットは、円形状に配列されていて、複数種類の処理ユニットは被処理体の処理対象面に対して搭載面を回転しながら、複数種類の処理ユニットの内の任意の組み合わせの処理を行わせる。
複数種類の処理ユニットは、回転操作部を中心として円形状に配列されているので、複数種類の処理ユニットを有しているにも関わらず、連続処理装置の小型化が図れる。回転操作部は、被処理体を搭載面に保持しながらその搭載面を回転することにより、被処理体は、複数種類の処理ユニットの任意の処理ユニットを用いて連続的に複数種類の処理を効率よく施すことができる。
【0015】
上記構成は、前記複数種類の処理ユニットを前記回転操作部の回転中心を中心として間隔をおいて配置するユニット配置部を備え、前記回転操作部は、前記ユニット配置部の中央に位置され、前記複数種類の処理ユニットは、前記処理対象面に対して処理を行う際には前記回転操作部に搭載された前記被処理体の前記処理対象面側へ進出させ、処理後退避させるための移動操作部をそれぞれ有していることを特徴とする。
【0016】
このような構成によれば、ユニット配置部は、複数種類の処理ユニットを回転操作部の回転中心を中心として間隔をおいて配置されている。回転操作部はユニット配置部の中央に位置されている。複数種類の処理ユニットは、処理対象面に対して処理を行う際に、回転操作部に搭載された被処理体の処理対象面側に進出させて処理後退避させるための移動操作部をそれぞれ有している。
これにより、ユニット配置部の複数種類の処理ユニットは、処理対象面側へ進出させて、退避させることがそれぞれできる。
【0017】
上記構成の前記複数種類の処理ユニットは、洗浄処理ユニット、乾燥処理ユニット、表面改質処理ユニット、液剤処理ユニット、アニール処理ユニットを含むことを特徴とする。
このような構成によれば、複数種類の処理ユニットは、洗浄処理、乾燥処理、表面改質処理、液剤処理、アニール処理を少なくとも含んでおり、これらの処理を任意の順番で連続的に行うことができる。
【0018】
上記構成の前記洗浄処理ユニットは、前記被処理体の前記処理対象面と前記回転操作部の前記搭載面を洗浄することを特徴とする。
このような構成によれば、洗浄処理ユニットは、被処理体の処理対象面と回転操作部の搭載面を洗浄することができる。これによって、処理対象面と回転操作部を常にきれいに洗浄できる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の連続処理装置の好ましい実施形態を示している。
この連続処理装置10は、複数種類の処理ユニット11,12,13,14,15,16,17,18、回転操作部20、そして制御部100を有している。
この連続処理装置10は、複数種類の処理ユニット11乃至18の内の任意の処理ユニットを用いて、被処理体30の処理対象面31に対して複数種類の処理を任意の順番で連続的に効率よく行うための装置である。
被処理体30は、たとえば液晶表示体を構成するための原料となるウェーハ基板である。この被処理体30は、たとえば円形状でありこの円形状の被処理体30を複数に分割することにより液晶表示体に用いられるウェーハ基板を作成することができる。
被処理体30の表面は処理対象面31である。
【0020】
図1と図2を参照しながら、回転操作部20の構造例について説明する。図2は回転操作部20の側面を示している。
図2に示す回転操作部20は、スピンコータともよんでおり、ステージ40と、モータ49を有している。このモータ49は、たとえば電動モータなどを用いることができる。モータ49は、ステージ40を、回転中心CLを中心として連続的に回転方向Rに沿って連続回転させることができる。
【0021】
ステージ40の搭載面41は、被処理体30の裏面43を着脱可能に搭載するようになっている。この裏面43は、処理対象面31の反対の面である。
処理対象面31は、後で説明する複数種類の処理を施すための表面である。モータ49は、制御部100の制御により動作される。
ステージ40は図1に示すようにたとえば円形状である。このステージ40の搭載面41の面積は、被処理体30の面積よりも大きい。
【0022】
次に、図1に示す複数種類の処理ユニット11〜18について説明する。
図1に示す複数種類の処理ユニットは、図1の例ではたとえば8つ設けられている。処理ユニット11乃至18は、ユニット配置部50に対して回転中心CLを中心にしてたとえば同じ角度ごとに円形状に配列されている。各ユニットが配列される角度は、45度である。
図1の例では、洗浄処理ユニット11、大気圧プラズマ処理ユニット12、エアー供給処理ユニット13、ガス供給処理ユニット14、乾燥処理ユニット15、液剤処理ユニット16、アニール(焼成)処理ユニット17、液剤処理ユニット18の順番に、回転方向Rに沿って配列されている。
次に、これらの処理ユニット11乃至18について、それぞれの構造例を順次説明する。
【0023】
図3と図4は、図1に示す洗浄処理ユニット11とガス供給処理ユニット14の構造例を示している。
図3は、洗浄処理ユニット11とガス供給処理ユニット14の平面図であり、図4は、洗浄処理ユニット11とガス供給処理ユニット14の側面図である。
図1に示すように、回転操作部20のステージ40は、ユニット配置部50の中央に同心円状に配置されている。ユニット配置部50はたとえばリング状の部材である。
【0024】
図3と図4を参照して、洗浄処理ユニット11の構造について説明する。
洗浄処理ユニット11は、純水吐出ノズル60と純水収容部61を有している。この純水吐出ノズル60は、純水収容部61内に収容されている純水を、被処理体30の処理対象面31に対して供給することができる。
移動制御部63は、純水吐出ノズル60を、A方向に沿って進出し、A1方向に沿って退避させることができるものである。この移動制御部63は、たとえばモータと、直線状のガイドと、送りねじを有している構造のものを採用できる。
モータが制御部100の指令により作動することにより、送りねじを回転操作して、純水吐出ノズル60を直線状のガイドに沿ってA方向に進出させたり、A1方向に退避させる。このA方向とA1方向は、被処理体30の半径方向である。
【0025】
次に、図3と図4に示すガス供給処理ユニット14の構造について説明する。
ガス供給処理ユニット14は、ノズル70と、オゾンガス収容部71および移動操作部73を有している。移動操作部73は移動操作部63と同様なものを採用できる。移動操作部73の動作により、ノズル70は、B方向に進出したりあるいはB1方向に退避させるようになっている。B方向とB1方向は、被処理体30の半径方向である。
オゾンガス収容部71に収容されたオゾンガスは、ノズル70から噴出することができる。この噴出されたオゾンガスは、純水吐出ノズル60から出る純水に対して吹き付けられることにより、オゾン水を作ることができる。このオゾン水が処理対象面31の洗浄を行うのである。移動操作部63,73は制御部100の指令により動作する。
【0026】
次に、図5と図6は、図1に示す大気圧プラズマ処理ユニット12の構造例を示している。図5は大気圧プラズマ処理ユニット12の平面図であり、図6は大気圧プラズマ処理ユニット12の側面図である。
大気圧プラズマ処理ユニット12は、大気圧プラズマ処理装置80と、移動操作部81を有している。移動操作部81は、図4に示す移動操作部63と同様な構造のものを採用できる。
大気圧プラズマ処理装置80は、第1電極83と第2電極84および誘電体85を有している。誘電体85の一方の面には第1電極83が配置され、誘電体85の他方の面には第2電極84が配置されている。第2電極84は、開口部89を有している。第1電極83は高周波交流電源86Aに接続されている。高周波交流電源86Aと第2電極84は接地されている。
【0027】
高周波交流電源86Aから第1電極83に高周波交流電力が供給されることにより、第2電極84の開口部89内には、いわゆる沿面放電によりプラズマ放電領域86を形成する。このプラズマ放電領域86には、ガス供給部87から混合ガスが供給される。混合ガスは、キャリアガスと反応ガスの混合ガスである。キャリアガスとしては、たとえばHeを用い、反応ガスとしてはたとえばCF4を用いることができる。
これにより、プラズマ放電領域86では、反応ガスの励起活性種が生成されることにより、この励起活性種が被処理体30の処理対象面31に対して撥液処理(撥水性処理)を大気圧または大気圧近傍の圧力下で施すことができる。
移動操作部81は、大気圧プラズマ処理装置80をC方向に進出させたり、C1方向に退避させる機能を有している。C方向とC1方向は、被処理体30の半径方向である。移動操作部81とガス供給部87は、制御部100の指令により動作する。
【0028】
次に、図7と図8を参照して、図1に示すエアー供給処理ユニット13の構造例について説明する。図7は、エアー供給処理ユニット13の平面図であり、図8はエアー供給処理ユニット13の側面図である。
図7と図8において、エアー供給処理ユニット13は、エアーノズル90と、エアー収容部91を有している。エアー収容部91に収容された高圧のエアーは、エアーノズル90を介して処理対象面31に対して吹き付けることができる。これによって、たとえば処理対象面31に残っている水分をこの高圧のエアーを噴射することにより吹き飛ばすことができる。
エアーノズル90は、移動操作部94の作動により、D方向に進出したり、D1方向に退避させることができる。D方向とD1方向は、被処理体30の半径方向である。移動操作部94とエアー収容部91は、制御部100の指令により動作する。
【0029】
次に、図9と図10を参照して、図1に示す乾燥処理ユニット15の構造例について説明する。図9は乾燥処理ユニット15の平面図であり、図10は乾燥処理ユニット15の側面図である。
図10に示すように乾燥処理ユニット15は、ノズル101と、移動操作部103と熱風発生部104を有している。移動操作部103は、ノズル101を、E方向に進出させたりE1方向に退避させる。E方向とE1方向は、被処理体30の半径方向である。
【0030】
熱風発生部104は、ノズル101側に熱風を供給することにより、ノズル101が被処理体30の処理対象面31に対して熱風を供給する。これによって、処理対象面31に残っているオゾン水やその他の液体の乾燥を行うことができる。
移動操作部103と熱風発生部104は、制御部100の指令により動作する。
【0031】
次に、図11と図12を参照して、液剤処理ユニット16の構造例について説明する。図11は、液剤処理ユニット16の平面図であり、図12は液剤処理ユニット16の側面図である。
図12に示すような液剤処理ユニット16は、液吐出ノズル111と液剤収容部113および移動操作部114を有している。移動操作部114は、液吐出ノズル111を、F方向に進出させたりF1方向に退避させる。
液剤収容部113内に収容された液剤は、液吐出ノズル111を通じて処理対象面31に対して供給するようになっている。移動操作部114と液剤収容部113は制御部100の指令により動作する。この液剤120が処理対象面31に供給されることにより、撥液供給処理(撥水性処理)を施すことができる。この液剤120はレジスト等であってもよい。
【0032】
次に、図13と図14を参照して、アニール処理ユニット17の構造例について説明する。図13は、アニール処理ユニット17の平面図であり、図14はアニール処理ユニット17の側面図である。
図14に示すようにアニール処理ユニット17は、高温発生部130、移動操作部131を有している。移動操作部131は高温発生部130をG方向に進出させたりG1方向に退避するものである。G方向とG1方向は、被処理体30の半径方向である。移動操作部131と高温発生部130は、制御部100の指令により動作させる。
高温発生部130は、たとえばランプヒータにより高熱を発生するヒータである。これによって、高温発生部130は処理対象面31にアニール(焼成)処理を行うことができる。
【0033】
次に、図15と図16を参照して、もう1つの液剤処理ユニット18について説明する。
液剤処理ユニット18は、図12に示す液剤処理ユニット16と同様な構造を有している。液剤処理ユニット18は、液吐出ノズル141と、移動操作部144と液剤収容部143を有している。液剤収容部143に収容されている液剤は、液吐出ノズル141を通じて処理対象面31に供給できる。移動操作部144は、液吐出ノズル141のH方向に沿って進出させたりH1方向に沿って退避させることができる。
【0034】
液剤収容部143には、たとえば親液が収容されている。この液剤収容部143の親液は、液吐出ノズル141から処理対象面31に吐出して供給することにより、処理対象面31に親液供給処理(親水性処理)を行うことができる。
この液剤収容部143にはレジスト等を収容して、液吐出ノズル141からレジスト等を塗布するようにしてもよい。
上述した各処理ユニットにおける移動操作部は、制御部100の指令により動作させることができるが、各移動操作部の構造は同様の構造のものを採用することができる。
【0035】
図18は液晶表示装置235の一例を示しており、いわゆる一画素分を示している。液晶表示装置235の構造例について、ここで簡単に説明しておく。
液晶表示装置235は、TFTアレイ基板256と、カラーフィルタ基板240および液晶層250を有している。TFTアレイ基板256は、液晶駆動用スイッチング素子であるTFT258および表示電極252をガラス基板である被処理体30の処理対象面31に形成したものである。
【0036】
カラーフィルタ基板240は、ガラス基板242の上にカラーフィルタ244および保護膜246を形成している。そして保護246の上には共通電極248が形成されている。
一方の液晶層250は、TFTアレイ基板256とカラーフィルタ基板240をシール材を用いて貼り合わせた後に、その隙間に液晶を注入して形成される。表示電極252と共通電極248の間には電圧が印加される。これによって、液晶分子251の再配列が起こり、光を透過または遮断するようになる。この操作は、液晶表示装置235の各画素について行うことにより液晶表示装置は画像を表示できる。
表示電極252および共通電極248には、透明導電膜であるITO(Indium Tin Oxide)の被膜が用いられている。
【0037】
次に、図17を参照しながら、本発明の連続処理方法の一例について説明する。
図17に示す連続処理方法は、図2の被処理体30の処理対象面31に複数種類の処理を連続的に行う。この連続処理方法は、前処理ステップST1、回転操作ステップST2、そして処理ステップST3を有している。
図17の前処理ステップST1では、図1と図2に示す被処理体30の処理対象面31に対して、撥液を形成するためのパターンと親液を形成するためのパターンが予め前処理として形成される。
【0038】
次に、図17に示す回転操作ステップST2に移る。
回転操作ステップST2では、被処理体30が、図示しない被処理体のロード・アンロード装置によりステージ40の搭載面41に対して搭載される。この被処理体30はステージ40の搭載面41上に保持される。被処理体30の処理対象面31はこの例では上向きになっている。ステージ40は、モータ49の作動により回転中心CLを中心として回転する。回転中心CLは図2の例ではステージ40の中心と被処理体30の中心を通っている。
【0039】
次に、図17の処理ステップST3に移る。
処理ステップST3では、任意の種類の組み合わせの処理の一例として、洗浄処理ステップST10、乾燥処理ステップST11、親液処理ステップST12、撥液処理ステップST13、液剤塗布ステップST14、乾燥処理ステップST15、およびアニール処理ステップST16を含んでいる。
洗浄処理ステップST10では、図2に示す被処理体30の処理対象面31をオゾン水により洗浄する。
【0040】
図3と図4を参照すると、洗浄処理ステップST10では、洗浄処理ユニット11の純水吐出ノズル60が、A方向に進出する。これと同時にガス供給処理ユニット14のノズル70がB方向に進出する。純水収容部61内の純水は、純水吐出ノズル60から処理対象面31側に吐き出される。オゾンガス収容部71のオゾンガスは、ノズル70から噴出される。
【0041】
これによって、オゾンガスは純水に吹き付けられて、オゾン水となって、処理対象面31に供給される。この場合に、被処理体30はステージ40とともに回転方向Rに連続回転している。オゾン水は処理対象面31の全体にわたって洗浄するとともに、ステージ40の搭載面41をも同時に洗浄することができる。搭載面41は、同時に常に洗浄してきれいにすることができる。
【0042】
処理対象面31が洗浄された後に、図4の純水吐出ノズル60はA1方向に退避するとともに、ノズル70もB1方向に退避する。
なお、被処理体30はステージ40とともに回転しているので、純水吐出ノズル60とノズル70は、小型のものであっても、いわゆるスピンコートの要領で、オゾン水を処理対象面31の全面にわたって供給して処理対象面31の全面を完全に洗浄することができるというメリットがある。したがって、純水吐出ノズル60とノズル70の小型化が図れる。
【0043】
次に、図17に示す乾燥処理ステップST11に移る。
乾燥処理ステップST11では、図9と図10に示す乾燥処理ユニット15が用いられる。乾燥処理ユニット15のノズル101は、E方向に進出する。これによって、ノズル101は処理対象面31に対面する。熱風発生部104が熱風をノズル101側に送ると、この熱風は処理対象面31に供給される。洗浄処理ステップST10において使用されて残ったオゾン水が、処理対象面31から完全に蒸発するので、処理対象面31を確実に乾燥させることができる。
【0044】
このような乾燥処理を行った後に、ノズル101はE1方向に退避される。この場合に被処理体30はステージ40とともに回転することができるので、ノズル101は、図9に示すような棒状もしくはライン状の部材を用いれば、処理対象面31の全面にわたって乾燥させることができる。つまりノズル101は、処理対象面31の全面積にわたって形成する必要なく、小型化が図れる。
【0045】
次に、図17に示す撥液処理ステップST12に移る。
親液処理ステップST12では、図5と図6に示す大気圧プラズマ処理ユニット12を用いる。大気圧プラズマ処理ユニット12の大気圧プラズマ処理装置80は、移動操作部81の操作によりC方向に進出される。この状態では、大気圧プラズマ処理装置80は処理対象面31に対面した位置にくる。
【0046】
高周波交流電源86Aが第1電極83に高周波交流電力を供給すると、第2電極84の開口部89にはプラズマ放電領域86が形成される。このプラズマ放電領域86には、ガス供給部87から混合ガスが供給される。これにより、プラズマ放電領域86は反応ガス(O2プラズマ)の励起活性種を生成する。この生成された励起活性種は処理対象面31の全面にわたっていわゆる親液処理(親水性処理)を施すことができる。
【0047】
この際に、被処理体30とステージ40は、回転しているので、プラズマ放電領域86の領域が小さくても、処理対象面31に対して全面にわたって親液処理を行うことができる。特に図5に示すように大気圧プラズマ処理装置80はいわゆる棒状もしくはライン状の形態を採用できるので、大気圧プラズマ処理装置80の小型化が図れる。
【0048】
図19は、具体的な一例として、図18の液晶表示装置235の表示電極252を形成する手順を示している。
図19(A)では、被処理体30の処理対象面31側に、すでに感光性樹脂によるパターン形成膜200が図17に示す前処理ステップST1において形成されている。この感光性樹脂によるパターン形成膜200のさらに表面には、図6に示す大気圧プラズマ処理装置80により親液処理位置210には親液膜211が形成される。
【0049】
次に、図17に示す撥液処理ステップST13に移る。
この撥液処理ステップST13では、図5と図6に示す大気圧プラズマ処理ユニット12を使用する。これによりCF4プラズマにより図19(B)に示すように撥液処理部230が形成される。
次に、液剤塗布ステップST14では、液剤処理ユニット18が親液の液剤103を親液膜211の上に塗布する。この親液の液剤としてはたとえばITO(Indium Tin Oxide)の類のものである。
【0050】
次に、図17に示す乾燥処理ステップST15に移る。
乾燥処理ステップST15では、乾燥処理ステップST11と同様にして、図10に示す乾燥処理ユニット15が用いられる。この乾燥処理の要領は、乾燥処理ステップST11の場合と同様である。
このようにして乾燥された処理対象面31は、図19(C)に示すようにアニール処理ステップST15によりアニール処理される。アニール処理ステップST16では、図14に示すアニール処理ユニット17が用いられる。
【0051】
高温発生部130がG方向に進出すると、高温発生部130は処理対象面31に対面する。高温発生部130からの熱が処理対象面31に加わると、たとえば図19(C)に示すようにパターン被膜ともいう親液の膜103Aがパターン形成膜200の間において焼成されることになる。これによって、図19(B)に示す撥液処理部230が除去されるとともに、パターン形成膜200が除去される。
このようにして、図19(D)に示す膜103Aが表示電極252として処理対象面31に形成される。
【0052】
図16に示す液吐出ノズル141と図14に示す高温発生部130は、ともにほぼライン状もしくは棒状の部材である。このようにライン状もしくは棒状の部材を採用しても、処理対象面31がステージ40とともに回転しているので十分処理対象面31の全面にわたって高温処理や液剤塗布処理を行うことができる。
以上のことから、図1に示す各処理ユニット11乃至18は、被処理体30の処理対象面31に対して施そうとする種類の処理を、任意の組み合わせで行うことができる。そして各処理を行う場合には、その処理しようとする処理ユニットが、被処理体30の処理対象面31に対面する位置まで進出し、処理が終わったらまた逆方向に退避できる構造になっている。
しかも、各処理ユニット11乃至18は、リング状のユニット配置部50において円形状に配列されている。ユニット配置部50の中央位置にステージ40が配置されている。
【0053】
このことから、連続処理装置10は、ライン状に複数の処理装置を配列するのに比べて、図1の平面でみて小型化が図れる。しかも処理対象面31に対して各種の処理を順に連続的に行うことができる。
本発明の連続処理装置10は、複数種類の処理ユニットを直線状に並べるのに比べて、設置スペースを大幅に削減できる。そして、連続処理装置10は、被処理体30の処理対象面31に対して複数種類の処理を連続的に効率的に行うことができる。特に表面改質、いわゆる親液処理や撥液処理を行った後のプロセスが安定する。しかも被処理体に対して複数種類の処理を連続的に行うので、従来必要であった各処理ユニット間の搬送装置を設ける必要がなく、被処理体を運ぶための搬送時間も必要ではない。連続処理装置10が処理対象面に対して処理する場合の歩留まりを向上できる。被処理体はステージに対して一旦設定すれば、この被処理体に対して連続的に複数種類の処理を任意の組み合わせまたは任意の順番で行うことができる。
図1に示す洗浄処理ユニット11は、純水とオゾンを混合するだけで、簡単にオゾン水を作ることができる。しかも、洗浄処理ユニット11は、純水に対してオゾンを混合しなければ、純水洗浄もできる。
【0054】
連続処理装置10の各処理ユニットは、図1に示すように好ましくは回転中心CLを中心として同じ角度毎に間隔をおいてユニット配置部50に対して配置されている。このように、同じ角度毎に処理ユニットが配置されることにより、処理ユニットの交換が容易になり、連続処理装置10における処理の種類の変更や拡張性およびメンテナンス性が向上する。
【0055】
しかし、これに限らず各処理ユニットはユニット配置部50において同じ角度毎でなく、各処理ユニットの形状や大きさに応じて角度は可変できるようにしてもよい。この場合にも、各処理ユニットは回転中心CLに向いていれば、特に角度の制約はない。
また、図1の各処理ユニットが、ユニット配置部50の外周位置(未処理動作状態の位置)にある時には、回転操作部20からの影響を防ぐために、開閉シャッターで隔離できるようにすると好ましい。
【0056】
本発明の連続処理装置は、図1に示す各処理ユニットの組み合わせに限らず、その数を増やしたり減らしたり、あるいは種類を変えたり、その配列順序を変更することは勿論自由である。
本発明の連続処理装置ができる処理の種類の例としては、水洗浄、オゾン洗浄、液切り、親液処理、撥液処理、アッシング処理、エッチング処理、液体成膜処理、乾燥処理、アニール処理などである。
【0057】
本発明の連続処理装置では、処理対象面に対して複数種類の処理を連続的に行うので、各処理間においてその度に被処理体を洗浄してほこり等を除去する必要がない。
本発明の実施形態において、被処理体の種類としては、シリコンウェーハに限らずその他の種類、たとえばガラス基板、あるいはその他の種類のものであっても勿論構わない。被処理体は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス(EL)装置、その他の形式の表示装置に用いることができる。また被処理体は、ガラス基板の他にセラミックス基板やプラスチック基板などでもよい。
本発明は、上記実施の形態に限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。
上記実施形態の各構成は、その一部を省略したり、上記とは異なるように任意に組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の連続処理装置の全体を示す平面図。
【図2】 連続処理装置の回転操作部の構造例を示す側面図。
【図3】 連続処理装置の洗浄処理ユニットとガス供給処理ユニットの例を示す平面図。
【図4】 洗浄処理ユニットとガス供給処理ユニットの側面図。
【図5】 撥液処理ユニットの平面図。
【図6】 撥液処理ユニットの側面図。
【図7】 エアー供給処理ユニットの平面図。
【図8】 エアー供給処理ユニットの側面図。
【図9】 乾燥処理ユニットの平面図。
【図10】乾燥処理ユニットの側面図。
【図11】液剤処理ユニットの平面図。
【図12】液剤処理ユニットの側面図。
【図13】アニール処理ユニットの平面図。
【図14】アニール処理ユニットの側面図。
【図15】液剤処理ユニットの平面図。
【図16】液剤処理ユニットの側面図。
【図17】本発明の連続処理方法の一例を示すフロー図。
【図18】一例として液晶表示装置の一画素分の構造を示す断面図。
【図19】本発明の連続処理方法により形成される工程の一例を示す図。
【符号の説明】
10・・・連続処理装置、11・・・洗浄処理ユニット、12・・・撥液処理ユニット、13・・・エアー供給処理ユニット、14・・・ガス供給処理ユニット、15・・・乾燥処理ユニット、16・・・液剤処理ユニット、17・・・アニール処理ユニット、18・・・液剤処理ユニット、20・・・回転操作部、30・・・被処理体、31・・・処理対象面、40・・・ステージ、50・・・ユニット配置部、100・・・制御部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a continuous processing apparatus and a continuous processing method for continuously performing processing in an arbitrary combination of a plurality of types of processing on a processing target surface of an object to be processed.
[0002]
[Prior art]
As an object to be processed, for example, a wafer used for a liquid crystal display is taken as an example. This wafer is, for example, a silicon wafer, and various sizes exist depending on the size of the liquid crystal display. For example, a silicon substrate used for a small liquid crystal display is often cut out from a wafer having a maximum size of 12 inches, for example.
Such a wafer substrate requires a large process processing apparatus and a factory in order to perform various process processes.
In a conventional manufacturing apparatus of this type of liquid crystal display, plasma is formed while supplying a mixed gas to the terminal portion of the liquid crystal panel, so that the alignment film and insulating film of the terminal portion are selectively removed. (For example, Patent Document 1).
Moreover, in order to peel off the resist pattern formed in such a board | substrate, the board | substrate washing | cleaning apparatus is used (for example, patent document 2).
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-8-254676 (first page, FIG. 1)
[Patent Document 2]
JP-A-6-291098 (first page, FIG. 1)
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, with the techniques of Patent Document 1 and Patent Document 2 described above, it is not possible to continuously process a plurality of types of processing on the surface of the object to be processed, such as a wafer substrate. In order to perform multiple types of processing on the surface of a wafer substrate, multiple types of processing devices must be arranged side by side, and the wafer substrate must be transferred between the devices each time the processing changes using a transfer device. I must. For this reason, a conveying apparatus is required between the processing apparatuses, and the apparatus cannot be increased in size, and a plurality of types of processes cannot be efficiently processed on the surface of the object to be processed.
Accordingly, the present invention provides a continuous processing apparatus and a continuous processing method that can solve the above-described problems and can continuously and efficiently perform a plurality of types of processing on the surface to be processed of the object to be processed, thereby reducing the size of the apparatus. The purpose is to do.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The continuous processing method of the present invention is a continuous processing method for continuously performing a plurality of types of processing on the surface to be processed of the object to be processed. A rotation operation step for rotating the processing target surface of the body, and a plurality of types of processing units are arranged in a circular shape, and the atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure is applied to the processing target surface of the target object. A processing step of performing processing by an arbitrary processing unit of the plurality of types of processing units for performing different processing in each of the plurality of types of processing units, the intervals between the plurality of types of processing units around the rotation center of the rotation operation unit. The rotation operation unit is positioned at the center of the unit arrangement unit, and the plurality of types of processing units are provided on the surface to be processed of the object to be processed and the rotation operation unit. It includes a cleaning processing unit that cleans the mounting surface, a drying processing unit, a surface modification processing unit, a liquid agent processing unit, and an annealing processing unit. It has a moving operation part for advancing to the process target surface side of the mounted object to be processed and retracting after the process.
[0013]
According to such a configuration, in the rotation operation step, the target object is held on the mounting surface, and the processing target surface of the target object is rotated.
In the processing step, a plurality of types of processing units are arranged in a circular shape. In this processing step, processing can be performed by a plurality of types of processing units for performing different processing on the processing target surface of the object to be processed under atmospheric pressure or pressure near atmospheric pressure.
[0014]
As a result, the plurality of types of processing units are arranged in a circular shape, and the plurality of types of processing units rotate any of the plurality of types of processing units while rotating the mounting surface with respect to the processing target surface of the target object. The combination process is performed.
Since the plurality of types of processing units are arranged in a circular shape around the rotation operation unit, the continuous processing apparatus can be downsized despite having a plurality of types of processing units. The rotation operation unit rotates the mounting surface while holding the processing object on the mounting surface, so that the processing object can continuously perform a plurality of types of processing using any processing unit of a plurality of types of processing units. It can be applied efficiently.
[0015]
The above configurationIsA plurality of types of processing units are arranged at intervals around the rotation center of the rotation operation unit, and the rotation operation unit is positioned at the center of the unit arrangement unit, When the processing unit performs processing on the processing target surface, a moving operation unit for advancing to the processing target surface side of the target object mounted on the rotation operation unit and retracting after processing is provided. It is characterized by having.
[0016]
According to such a configuration, the unit arrangement unit arranges a plurality of types of processing units at intervals with the rotation center of the rotation operation unit as the center. The rotation operation unit is located at the center of the unit arrangement unit. Each of the multiple types of processing units has a moving operation unit for advancing to the processing target surface side of the target object mounted on the rotation operation unit and retracting after processing when processing the processing target surface. is doing.
As a result, the plurality of types of processing units in the unit placement unit can be advanced to the processing target surface side and retracted.
[0017]
The above configurationofThe plurality of types of processing units include a cleaning processing unit, a drying processing unit, a surface modification processing unit, a liquid agent processing unit, and an annealing processing unit..
According to such a configuration, the plurality of types of processing units include at least a cleaning process, a drying process, a surface modification process, a liquid agent process, and an annealing process, and these processes are continuously performed in an arbitrary order. Can do.
[0018]
The above configurationofThe cleaning processing unit cleans the processing target surface of the object to be processed and the mounting surface of the rotation operation unit..
According to such a configuration, the cleaning processing unit can clean the processing target surface of the object to be processed and the mounting surface of the rotation operation unit. As a result, it is possible to always cleanly clean the processing target surface and the rotation operation unit.
[0019]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a preferred embodiment of the continuous processing apparatus of the present invention.
The continuous processing apparatus 10 includes a plurality of types of processing units 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, a rotation operation unit 20, and a
The continuous processing apparatus 10 continuously performs a plurality of types of processing on the
The object 30 is a wafer substrate that is a raw material for forming a liquid crystal display, for example. The object 30 is circular, for example, and a wafer substrate used for a liquid crystal display can be produced by dividing the circular object 30 into a plurality of parts.
The surface of the workpiece 30 is a
[0020]
A structural example of the rotation operation unit 20 will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 2 shows a side surface of the rotation operation unit 20.
The rotation operation unit 20 shown in FIG. 2 is also called a spin coater, and has a
[0021]
The mounting surface 41 of the
The
The
[0022]
Next, a plurality of types of processing units 11 to 18 shown in FIG. 1 will be described.
For example, eight types of processing units shown in FIG. 1 are provided in the example of FIG. The processing units 11 to 18 are arranged in a circular shape, for example, at the same angle with respect to the unit arrangement portion 50 around the rotation center CL. The angle at which each unit is arranged is 45 degrees.
In the example of FIG. 1, a cleaning processing unit 11, an atmospheric pressure plasma processing unit 12, an air supply processing unit 13, a gas supply processing unit 14, a drying processing unit 15, a liquid agent processing unit 16, an annealing (firing) processing unit 17, a liquid agent processing. The units 18 are arranged in the order of rotation R.
Next, structural examples of these processing units 11 to 18 will be sequentially described.
[0023]
3 and 4 show structural examples of the cleaning processing unit 11 and the gas supply processing unit 14 shown in FIG.
FIG. 3 is a plan view of the cleaning processing unit 11 and the gas supply processing unit 14, and FIG. 4 is a side view of the cleaning processing unit 11 and the gas supply processing unit 14.
As shown in FIG. 1, the
[0024]
The structure of the cleaning processing unit 11 will be described with reference to FIGS.
The cleaning processing unit 11 has a pure water discharge nozzle 60 and a
The
When the motor is operated according to a command from the
[0025]
Next, the structure of the gas supply processing unit 14 shown in FIGS. 3 and 4 will be described.
The gas supply processing unit 14 includes a nozzle 70, an ozone
The ozone gas stored in the ozone
[0026]
Next, FIGS. 5 and 6 show structural examples of the atmospheric pressure plasma processing unit 12 shown in FIG. FIG. 5 is a plan view of the atmospheric pressure plasma processing unit 12, and FIG. 6 is a side view of the atmospheric pressure plasma processing unit 12.
The atmospheric pressure plasma processing unit 12 includes an atmospheric pressure plasma processing apparatus 80 and a moving
The atmospheric pressure plasma processing apparatus 80 includes a
[0027]
By supplying high frequency AC power from the high frequency
As a result, in the plasma discharge region 86, the reactive active species of the reactive gas are generated, so that the excited active species performs a liquid repellent treatment (water repellent treatment) on the
The
[0028]
Next, a structural example of the air supply processing unit 13 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a plan view of the air supply processing unit 13, and FIG. 8 is a side view of the air supply processing unit 13.
7 and 8, the air supply processing unit 13 has an air nozzle 90 and an
The air nozzle 90 can be advanced in the D direction or retracted in the D1 direction by the operation of the
[0029]
Next, with reference to FIG. 9 and FIG. 10, the structural example of the drying process unit 15 shown in FIG. 1 is demonstrated. FIG. 9 is a plan view of the drying processing unit 15, and FIG. 10 is a side view of the drying processing unit 15.
As shown in FIG. 10, the drying processing unit 15 includes a nozzle 101, a
[0030]
The hot
The
[0031]
Next, referring to FIGS. 11 and 12, a structural example of the liquid agent processing unit 16 will be described. FIG. 11 is a plan view of the liquid agent processing unit 16, and FIG. 12 is a side view of the liquid agent processing unit 16.
The liquid agent processing unit 16 as shown in FIG. 12 has a liquid discharge nozzle 111, a
The liquid agent stored in the liquid
[0032]
Next, an example of the structure of the annealing unit 17 will be described with reference to FIGS. FIG. 13 is a plan view of the annealing unit 17, and FIG. 14 is a side view of the annealing unit 17.
As shown in FIG. 14, the annealing unit 17 includes a high temperature generation unit 130 and a
The high temperature generation unit 130 is a heater that generates high heat by, for example, a lamp heater. As a result, the high temperature generator 130 can perform an annealing (firing) process on the
[0033]
Next, another liquid agent processing unit 18 will be described with reference to FIGS. 15 and 16.
The liquid agent processing unit 18 has the same structure as the liquid agent processing unit 16 shown in FIG. The liquid treatment unit 18 includes a liquid discharge nozzle 141, a
[0034]
The liquid
The liquid
The movement operation unit in each processing unit described above can be operated according to a command from the
[0035]
FIG. 18 shows an example of the liquid crystal display device 235, which shows one pixel. A structural example of the liquid crystal display device 235 will be briefly described here.
The liquid crystal display device 235 includes a TFT array substrate 256, a color filter substrate 240, and a liquid crystal layer 250. The TFT array substrate 256 is obtained by forming a TFT 258 that is a liquid crystal driving switching element and a
[0036]
In the color filter substrate 240, a color filter 244 and a protective film 246 are formed on a
One liquid crystal layer 250 is formed by injecting liquid crystal into the gap after the TFT array substrate 256 and the color filter substrate 240 are bonded together using a sealing material. A voltage is applied between the
The
[0037]
Next, an example of the continuous processing method of the present invention will be described with reference to FIG.
The continuous processing method shown in FIG. 17 continuously performs a plurality of types of processing on the
In pre-processing step ST1 of FIG. 17, a pattern for forming liquid repellency and a pattern for forming lyophilic liquid are pre-processed in advance on the
[0038]
Next, the process proceeds to the rotation operation step ST2 shown in FIG.
In the rotation operation step ST2, the workpiece 30 is mounted on the mounting surface 41 of the
[0039]
Next, the process proceeds to process step ST3 in FIG.
In the processing step ST3, as an example of arbitrary types of combination processing, a cleaning processing step ST10, a drying processing step ST11, a lyophilic processing step ST12, a lyophobic processing step ST13, a liquid agent application step ST14, a drying processing step ST15, and annealing. Processing step ST16 is included.
In the cleaning processing step ST10, the
[0040]
3 and 4, in the cleaning process step ST10, the pure water discharge nozzle 60 of the cleaning processing unit 11 advances in the A direction. At the same time, the nozzle 70 of the gas supply processing unit 14 advances in the B direction. Pure water in the pure
[0041]
As a result, ozone gas is sprayed onto pure water to form ozone water and is supplied to the
[0042]
After the
In addition, since the to-be-processed object 30 is rotating with the
[0043]
Next, the process proceeds to the drying process step ST11 shown in FIG.
In the drying processing step ST11, the drying processing unit 15 shown in FIGS. 9 and 10 is used. The nozzle 101 of the drying processing unit 15 advances in the E direction. As a result, the nozzle 101 faces the
[0044]
After performing such a drying process, the nozzle 101 is retracted in the E1 direction. In this case, since the workpiece 30 can be rotated together with the
[0045]
Next, the process proceeds to the liquid repellent treatment step ST12 shown in FIG.
In the lyophilic processing step ST12, the atmospheric pressure plasma processing unit 12 shown in FIGS. 5 and 6 is used. The atmospheric pressure plasma processing apparatus 80 of the atmospheric pressure plasma processing unit 12 is advanced in the direction C by the operation of the moving
[0046]
When the high frequency AC power supply 86 </ b> A supplies high frequency AC power to the
[0047]
At this time, since the object 30 and the
[0048]
FIG. 19 shows a procedure for forming the
In FIG. 19A, the
[0049]
Next, the process proceeds to the liquid repellent treatment step ST13 shown in FIG.
In the liquid repellent treatment step ST13, the atmospheric pressure plasma treatment unit 12 shown in FIGS. 5 and 6 is used. CF4As shown in FIG. 19B, the liquid
Next, in the liquid agent application step ST <b> 14, the liquid agent processing unit 18 applies the lyophilic
[0050]
Next, the process proceeds to the drying process step ST15 shown in FIG.
In the drying processing step ST15, the drying processing unit 15 shown in FIG. 10 is used similarly to the drying processing step ST11. The point of this drying process is the same as that of the drying process step ST11.
The
[0051]
When the high temperature generator 130 advances in the G direction, the high temperature generator 130 faces the
In this manner, the
[0052]
The liquid discharge nozzle 141 shown in FIG. 16 and the high-temperature generating unit 130 shown in FIG. 14 are both substantially line-shaped or rod-shaped members. Even when a line-shaped or bar-shaped member is employed as described above, the
From the above, each of the processing units 11 to 18 shown in FIG. 1 can perform the types of processing to be performed on the
Moreover, the processing units 11 to 18 are arranged in a circular shape in the ring-shaped unit arrangement portion 50. The
[0053]
From this, the continuous processing apparatus 10 can be reduced in size as viewed from the plane of FIG. 1 as compared to arranging a plurality of processing apparatuses in a line shape. In addition, various types of processing can be sequentially performed on the
The continuous processing apparatus 10 of the present invention can greatly reduce the installation space compared to arranging a plurality of types of processing units in a straight line. The continuous processing apparatus 10 can continuously and efficiently perform a plurality of types of processing on the
The cleaning unit 11 shown in FIG. 1 can easily produce ozone water simply by mixing pure water and ozone. In addition, the cleaning unit 11 can perform pure water cleaning if ozone is not mixed with pure water.
[0054]
As shown in FIG. 1, the processing units of the continuous processing apparatus 10 are preferably arranged with respect to the unit arrangement unit 50 at intervals of the same angle around the rotation center CL. In this way, by arranging the processing units at the same angle, the processing units can be easily exchanged, and the processing type change, expandability, and maintainability in the continuous processing apparatus 10 are improved.
[0055]
However, the present invention is not limited to this, and each processing unit may be made variable in accordance with the shape and size of each processing unit, rather than every same angle in the unit arrangement unit 50. Also in this case, as long as each processing unit faces the rotation center CL, there is no restriction on the angle.
In addition, when each processing unit in FIG. 1 is at the outer peripheral position (position in the unprocessed operation state) of the unit arrangement unit 50, it is preferable that the processing unit can be isolated by an opening / closing shutter in order to prevent the influence from the rotation operation unit 20.
[0056]
The continuous processing apparatus of the present invention is not limited to the combination of the processing units shown in FIG. 1, but it is of course free to increase or decrease the number, change the type, or change the arrangement order.
Examples of types of processing that can be performed by the continuous processing apparatus of the present invention include water cleaning, ozone cleaning, liquid draining, lyophilic processing, lyophobic processing, ashing processing, etching processing, liquid film forming processing, drying processing, annealing processing, and the like. It is.
[0057]
In the continuous processing apparatus of the present invention, since a plurality of types of processing are continuously performed on the processing target surface, it is not necessary to clean the object to be processed and remove dust and the like between each processing.
In the embodiment of the present invention, the type of the object to be processed is not limited to the silicon wafer, but may be other types, for example, a glass substrate or other types. The object to be processed can be used for a liquid crystal display device, an organic electroluminescence (EL) device, and other types of display devices. The object to be processed may be a ceramic substrate or a plastic substrate in addition to the glass substrate.
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the claims.
A part of each configuration of the above embodiment can be omitted, or can be arbitrarily combined so as to be different from the above.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing the entire continuous processing apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a side view showing a structural example of a rotation operation unit of a continuous processing apparatus.
FIG. 3 is a plan view showing an example of a cleaning processing unit and a gas supply processing unit of the continuous processing apparatus.
FIG. 4 is a side view of a cleaning processing unit and a gas supply processing unit.
FIG. 5 is a plan view of a liquid repellent treatment unit.
FIG. 6 is a side view of a liquid repellent treatment unit.
FIG. 7 is a plan view of an air supply processing unit.
FIG. 8 is a side view of the air supply processing unit.
FIG. 9 is a plan view of a drying processing unit.
FIG. 10 is a side view of a drying processing unit.
FIG. 11 is a plan view of a liquid treatment unit.
FIG. 12 is a side view of a liquid agent processing unit.
FIG. 13 is a plan view of an annealing unit.
FIG. 14 is a side view of an annealing unit.
FIG. 15 is a plan view of a liquid treatment unit.
FIG. 16 is a side view of the liquid treatment unit.
FIG. 17 is a flowchart showing an example of the continuous processing method of the present invention.
FIG. 18 is a cross-sectional view illustrating a structure of one pixel of a liquid crystal display device as an example.
FIG. 19 is a diagram showing an example of steps formed by the continuous processing method of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Continuous processing apparatus, 11 ... Cleaning processing unit, 12 ... Liquid repellent processing unit, 13 ... Air supply processing unit, 14 ... Gas supply processing unit, 15 ... Drying processing unit , 16 ... Liquid treatment unit, 17 ... Annealing treatment unit, 18 ... Liquid treatment unit, 20 ... Rotation operation part, 30 ... Object to be treated, 31 ... Surface to be treated, 40 ... Stage, 50 ... Unit placement section, 100 ... Control section
Claims (1)
前記被処理体を搭載面に保持して、前記被処理体の前記処理対象面を回転する回転操作ステップと、
複数種類の処理ユニットが円形状に配列されており、前記被処理体の前記処理対象面に対して、大気圧または大気圧近傍の圧力下でそれぞれ異なる処理を施すための前記複数種類の処理ユニットの任意の処理ユニットにより処理を行う処理ステップと、を有し、
前記複数種類の処理ユニットを前記回転操作部の回転中心を中心として間隔をおいて配置するユニット配置部を備え、前記回転操作部は、前記ユニット配置部の中央に位置され、
前記複数種類の処理ユニットは、前記被処理体の前記処理対象面と前記回転操作部の前記搭載面を洗浄する洗浄処理ユニット、乾燥処理ユニット、表面改質処理ユニット、液剤処理ユニット、アニール処理ユニットを含んでおり、前記処理対象面に対して処理を行う際には前記回転操作部に搭載された前記被処理体の前記処理対象面側へ進出させ、処理後退避させるための移動操作部をそれぞれ有していること、
を特徴とする連続処理方法。It is a continuous processing method for continuously performing a plurality of types of processing on a processing target surface of an object to be processed,
A rotation operation step of holding the object to be processed on a mounting surface and rotating the object surface of the object to be processed;
The plurality of types of processing units are arranged in a circular shape, and the plurality of types of processing units for performing different processing on the processing target surface of the object to be processed under atmospheric pressure or pressure near atmospheric pressure, respectively. anda processing step of performing processing by any processing unit,
A unit arrangement unit that arranges the plurality of types of processing units at intervals around the rotation center of the rotation operation unit, and the rotation operation unit is positioned at the center of the unit arrangement unit;
The plurality of types of processing units include a cleaning processing unit, a drying processing unit, a surface modification processing unit, a liquid processing unit, and an annealing processing unit for cleaning the processing target surface of the object to be processed and the mounting surface of the rotation operation unit. A moving operation unit for advancing the processing target surface mounted on the rotation operation unit to the processing target surface side and retracting after processing when performing processing on the processing target surface. Have each,
A continuous processing method characterized by the above.
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