JP4014307B2

JP4014307B2 - Resin composition for semiconductor encapsulation

Info

Publication number: JP4014307B2
Application number: JP23264298A
Authority: JP
Inventors: 康章堤; 哲也三枝; 正幸田中
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 1998-08-19
Filing date: 1998-08-19
Publication date: 2007-11-28
Anticipated expiration: 2018-08-19
Also published as: JP2000063629A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体封止用樹脂組成物、特にウェハー状態で半導体素子を封止するための半導体封止用樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯機器のダウンサイジング化に伴い、部品である半導体装置も小型・薄型化、高性能化が進んでいる。
【０００３】
従来の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子（チップ）とリードフレーム（インターポーザー）を用い、プリント基板に実装するのに必要な外部電極（ピン）以外は、樹脂で覆うように上下両面から樹脂封止されている。よって、半導体装置小型化の開発は、リードフレームへの半導体素子の搭載方法を開発する事が主であった。
【０００４】
例えば、パッケージの２辺に外部電極を並べていたのを、４辺まで増加させたパッケージや（SOJからQFP）、リードフレームのステージにチップを搭載していたのを、チップのパッケージ内占有率を増加させるために内部リードピンにつるす方法(LOC)などが開発されてきた。
【０００５】
最近ではさらに、半導体装置（パッケージ）の小型、多ピン化が進展し、外部電極を２次元状（パッケージの片面）に広げたＢＧＡ，ＰＧＡ、ＬＧＡなどが開発されているが、ＢＧＡにおいても半導体装置は半導体素子よりも若干大きくなる。
【０００６】
さらに進むと、チップサイズの半導体装置として、チップと実装基板を直接接合し、その間にアンダーフィル剤を流し込む方法（フリップチップ接続方式）などの提案がされている。
【０００７】
しかし、フリップチップ接続は実装メーカーに高度な実装技術を要求するばかりか、アンダーフィル剤を流し込む工程が増加することから、実装コストの増大を招く。
【０００８】
これらの半導体装置（パッケージ）は、コストが増加するフリップチップ接続以外、リードフレームに半導体素子を搭載し、素子から配線をフレームに接続することによって、半導体装置の外部電極を形成する。この形態では半導体素子と同面積の半導体装置は製造できない。より一層の小型、薄型、軽量化を達成するためには半導体素子と同じ面積の半導体装置を開発する必要があった。
【０００９】
そこで開発されたのが、ウェハー状態で半導体素子を一括して封止する方法であり、その後チップのサイズに切り出すことによって、小型化を実現することが可能である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この方法に従来の半導体封止用樹脂組成物を用いると、半導体装置に様々な不良が発生するという問題があった。
【００１１】
本発明の課題は、チップサイズの半導体装置を不良を少なく製造するための半導体封止用樹脂組成物を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の半導体装置は、主として次の構成を有する。すなわち、
「半導体素子をウェハーの状態で封止し、その後切断する方法で製造される半導体装置を封止するための樹脂組成物であって、該樹脂組成物が充填剤（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）からなり、前記充填剤（Ａ）の最大粒子径が４５μｍ以下であり、ＩＣＩ粘度計を用いて、１５０℃で測定したエポキシ樹脂（Ｂ）の溶融粘度が、５ポイズより小さいことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物」、
である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、さらに詳細に本発明について説明する。
【００１４】
本発明の樹脂組成物が適用される半導体装置は、図１および図２に示すようにウェハー状態で半導体素子に半導体封止用樹脂組成物が形成されてなるものである。その後、複数の半導体装置に切り離す。このような生産方法に、例えば、日経マイクロデバイス１９９８年４月号１６４頁記載のものがある。ウェハー状態で半導体素子を一括して封止した後、チップのサイズに切り出すことによって、小型化が実現できる。ウェハーの両面を封止してもかまわないが、半導体装置を薄くするためには片側のみ封止することが好ましい。
【００１５】
本発明における充填剤（Ａ）は、無機物、有機物どちらでもよいが、最大粒子径が４５μｍ以下であることが必要である。最大粒子径が４５μｍを越える場合には、生産性が低下し、また、不良率が増大する。最大粒子径はどのような方法で調整してもよいが、例えばふるいにかける場合、そのふるいを選択することによって調整できる。
【００１６】
このような充填剤（Ａ）としては、具体的には、シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、マグネシア、クレー、タルク、マイカ、ケイ酸カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、アスベスト、ガラス繊維、スチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンなどが挙げられるが、中でも非晶性の溶融シリカは線膨張係数が低く、熱応力を下げることができるので、好ましく用いられる。非晶性シリカの例としては、石英を溶融して製造した溶融シリカや、各種合成法で製造された合成シリカなどある。その形状は球状、破砕状があるが、外部電極（バンプ）へ突き刺ささり等の点から球状が好ましい。
【００１７】
本発明における充填剤（Ａ）の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物中に３０〜９８重量％添加することが好ましい。この範囲内であれば、温度サイクル性、成形性等が極めて良好である。
【００１８】
本発明において、充填剤（Ａ）をシランカップリング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤であらかじめ表面処理することが、信頼性の点で好ましい。カップリング剤としてエポキシシラン、アミノシラン、メルカプトシランなどのシランカップリング剤が好ましく用いられる。
【００１９】
本発明におけるエポキシ樹脂（Ｂ）は、分子内に２ヶ以上エポキシ基を含有するものであればよい。このようなエポキシ樹脂には、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有エポキシ樹脂、ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは１種類以上併用してもよい。
【００２０】
エポキシ樹脂（Ｂ）としては、成形性の点で、１５０℃におけるＩＣＩ粘度が５ポイズより小さなエポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００２１】
本発明におけるエポキシ樹脂（Ｂ）の添加量は、成形性の点から樹脂組成物中に０．５重量％以上添加することが好ましく、温度サイクル信頼性の点から５０重量％以下が好ましい。
【００２２】
硬化剤（Ｃ）は、上記エポキシ樹脂（Ｂ）を硬化させるものであれば、特に限定されない。このような硬化剤としては、フェノール性水酸基を２ヶ以上含有するフェノール樹脂誘導体、ポリアミン誘導体、酸無水物、ポリメルカプタンなどが用いられる。
【００２３】
本発明における硬化剤（Ｃ）の添加量は、成形性の点から樹脂組成物中に０．５重量％以上であることが好ましく、温度サイクル信頼性の点から５０重量％以下であることが好ましい。
【００２４】
また、エポキシ樹脂（Ｂ）と硬化剤（Ｃ）の化学当量比は０．８〜１．２が、密着性の点で好ましい。
【００２５】
また、本発明においてエポキシ樹脂（Ｂ）と硬化剤（Ｃ）の硬化反応を促進するため硬化促進剤を用いてもよい。硬化促進剤は硬化反応を促進するものならば特に限定されず、たとえば２−メチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾールなどのイミダゾール化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７などの３級アミン化合物、ジルコニウムテトラメトキシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラキス（アセチルアセトナト）ジルコニウム、トリ（アセチルアセトナト）アルミニウムなどの有機金属化合物およびトリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィンなどの有機ホスフィン化合物が挙げられる。なかでも耐湿性の点から、有機ホスフィン化合物が好ましく、トリフェニルホスフィンが特に好ましく用いられる。これらの硬化促進剤は、用途によっては二種以上を併用してもよく、その添加量は、エポキシ樹脂（Ｂ）１００重量部に対して０．０１〜１０重量部の範囲が好ましい。
【００２６】
本発明の樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない程度で、カーボンブラック、酸化鉄などの着色剤、ハイドロタルサイトなどのイオン捕捉剤、シリコーンゴム、オレフィン系共重合体、変性ニトリルゴム、変性ポリブタジエンゴム、変性シリコーンオイルなどのエラストマー、ポリエチレンなどの熱可塑性樹脂、長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステル、長鎖脂肪酸のアミド、パラフィンワックスなどの離型剤および有機過酸化物などの架橋剤を任意に添加することができる。
【００２７】
本発明のエポキシ樹脂組成物は溶融混練することが好ましく、たとえばバンバリーミキサー、ニーダー、ロール、単軸もしくは二軸の押出機およびコニーダーなどを用いた公知の混練方法を用いて溶融混練することにより製造される。
【００２８】
また、本発明における樹脂組成物を用いた半導体素子の封止方法は特に限定されるものではなく、従来より採用されている成形法、例えばトランスファ成形、インジェクション成形、注型法などを採用して行なうことができる。この場合、樹脂組成物の成形温度は１５０〜１８０℃、ポストキュアーは１５０〜１８０℃で２〜１６時間行なうことが好ましい。
【００２９】
【実施例】
［実施例１〜１５、比較例１〜４］
下記表１に示したフィラー、表２に示したエポキシ樹脂、硬化剤を表３〜５に示した割合で、さらにそれぞれに下記添加剤を加え、ミキサーによってドライブレンドした。
【００３０】

これらの混合物を２軸の押出機を用いて９０℃で混練した。混練後、冷却・粉砕して樹脂組成物を製造した。
【００３１】
半導体装置の製造は、トランスファー成形機を用いて樹脂組成物を１００ミクロンの厚みでウェハーの片面に成形した。この際の温度は１８０℃、加圧時間は３分とした。
【００３２】
評価は以下の方法で行った。
【００３３】
４インチウェハー充填性(充填性）：上記条件で成形した後、成形物を肉眼で観察した。ウェハーの周辺部に未充填が生じているものを不良とした。
【００３４】
外部電極（バンプ）不良率：バンプ表面の状態を顕微鏡観察し、銅製のバンプの破損個所を調べ、１つでもバンプの破損が発生している半導体装置（パッケージ）を不良とした。
【００３５】
基板実装性：各半導体装置（１０×１０ｍｍ）に切り離して、−５５℃〜１２０℃の温度範囲で冷却、加熱サイクルを繰り返し、電気的切断が生じたサイクル数を測定した。
【００３６】
ＩＣＩ粘度：室温で固形のエポキシ、硬化剤の粘度はＩＣＩ粘度計を用いて、１５０℃で測定した。室温で液体のものは、１５０℃でのＩＣＩ粘度は０．２ポイズ以下であった。
【００３７】
【表１】

【表２】

【表３】

【表４】

【表５】

【００３８】
比較例１では、成形時にシリコンウェハーが破損し、成形自体ができなかった。また、比較例２，３では成形は可能であったが、バンプ表面を観察すると、バンプの破損が多く、効率よく半導体装置を製造することが困難であった。さらに、比較例４では最大粒子径を小さくした充填剤を用いたが、一般的なエポキシ樹脂を用いたので流動性が悪化し、未充填が発生した。
【００３９】
表３〜５から明らかなように、充填剤の最大粒子径を慎重に選択し、かつ流動性に優れたエポキシ樹脂を選択することにより、非常に小型、軽量で信頼性に優れたの半導体装置を製造することができる。
【００４０】
【発明の効果】
本発明により信頼性の高い、チップサイズの半導体装置を低コストで製造することが可能となった。具体的には、成形性が良好で、電極であるバンプの破損をを少なくなることで効率的に生産できる。また、サーマルサイクル試験で温度サイクルに対する信頼性が高いことを示し、信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の樹脂組成物で封止した半導体装置の一例の縦断面図。
【図２】本発明の樹脂組成物で封止するウェハーの一例の平面図。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor sealing resin composition, and more particularly to a semiconductor sealing resin composition for sealing a semiconductor element in a wafer state.
[0002]
[Prior art]
In recent years, along with downsizing of portable devices, semiconductor devices that are parts are becoming smaller, thinner, and higher in performance.
[0003]
Conventional resin-encapsulated semiconductor devices use semiconductor elements (chips) and lead frames (interposers), and cover both the upper and lower sides so that they are covered with resin except for the external electrodes (pins) required for mounting on a printed circuit board. Resin-sealed. Therefore, development of downsizing of the semiconductor device has been mainly performed by developing a method for mounting the semiconductor element on the lead frame.
[0004]
For example, the external electrode is arranged on the two sides of the package, the package is increased to 4 sides (SOJ to QFP), and the chip is mounted on the lead frame stage. In order to increase the number, a method (LOC) for hanging on an internal lead pin has been developed.
[0005]
Recently, semiconductor devices (packages) have been further reduced in size and increased in pin count, and BGA, PGA, LGA, etc., in which external electrodes are expanded in two dimensions (one side of the package) have been developed. The device is slightly larger than the semiconductor element.
[0006]
Further progress has been made as a chip-sized semiconductor device in which a chip and a mounting substrate are directly bonded and an underfill agent is poured between them (flip chip connection method).
[0007]
However, flip-chip connection not only requires advanced mounting technology from a mounting manufacturer, but also increases the cost of mounting because of the increased number of processes for pouring an underfill agent.
[0008]
In these semiconductor devices (packages), an external electrode of the semiconductor device is formed by mounting a semiconductor element on a lead frame and connecting a wiring from the element to the frame other than flip-chip connection which increases cost. In this embodiment, a semiconductor device having the same area as the semiconductor element cannot be manufactured. In order to achieve further reduction in size, thickness, and weight, it was necessary to develop a semiconductor device having the same area as the semiconductor element.
[0009]
Thus, a method of encapsulating semiconductor elements in a wafer state has been developed, and it is possible to reduce the size by cutting the chip into chips.
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
However, when a conventional resin composition for encapsulating a semiconductor is used in this method, there is a problem that various defects occur in the semiconductor device.
[0011]
The subject of this invention is providing the resin composition for semiconductor sealing for manufacturing a chip-size semiconductor device with few defects.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the semiconductor device of the present invention mainly has the following configuration. That is,
“A resin composition for sealing a semiconductor device manufactured by a method in which a semiconductor element is sealed in a wafer state and then cut, and the resin composition contains a filler (A), an epoxy resin (B ) consists curing agent (C), Ri maximum particle size of der below 45μm of the filler (a), using the ICI viscometer, the melt viscosity of 0.99 ° C. as measured epoxy resin (B), 5 Semiconductor sealing resin composition characterized by being smaller than poise ",
It is.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
[0014]
A semiconductor device to which the resin composition of the present invention is applied is obtained by forming a semiconductor sealing resin composition on a semiconductor element in a wafer state as shown in FIGS. Thereafter, it is separated into a plurality of semiconductor devices. As such a production method, for example, there is a method described on page 164 of the Nikkei Microdevice April 1998 issue. Miniaturization can be realized by encapsulating semiconductor elements in a wafer state and then cutting them out into chip sizes. Although both sides of the wafer may be sealed, it is preferable to seal only one side in order to make the semiconductor device thinner.
[0015]
The filler (A) in the present invention may be either inorganic or organic, but it is necessary that the maximum particle size be 45 μm or less. When the maximum particle size exceeds 45 μm, the productivity is lowered and the defect rate is increased. The maximum particle size may be adjusted by any method. For example, when sieving, the maximum particle size can be adjusted by selecting the sieve.
[0016]
As such filler (A), specifically, silica, calcium carbonate, magnesium carbonate, alumina, magnesia, clay, talc, mica, calcium silicate, titanium oxide, antimony oxide, asbestos, glass fiber, styrene Among them, amorphous fused silica is preferably used because it has a low coefficient of linear expansion and can reduce thermal stress. Examples of the amorphous silica include fused silica produced by melting quartz and synthetic silica produced by various synthetic methods. The shape may be spherical or crushed, but spherical is preferred from the standpoint of sticking to the external electrode (bump).
[0017]
Although content of the filler (A) in this invention is not specifically limited, It is preferable to add 30 to 98 weight% in a resin composition. Within this range, the temperature cycleability, moldability, etc. are very good.
[0018]
In the present invention, it is preferable from the viewpoint of reliability that the filler (A) is surface-treated with a coupling agent such as a silane coupling agent or a titanate coupling agent in advance. As the coupling agent, a silane coupling agent such as epoxy silane, aminosilane, or mercaptosilane is preferably used.
[0019]
The epoxy resin (B) in this invention should just contain 2 or more epoxy groups in a molecule | numerator. Such epoxy resins include bisphenol F type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, linear aliphatic epoxy resins, alicyclic epoxy resins, heterocyclic epoxy resins, halogenated epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, Examples thereof include a cresol novolac type epoxy resin, a dicyclopentadiene skeleton-containing epoxy resin, a biphenyl skeleton-containing epoxy resin, and a naphthalene skeleton-containing epoxy resin. One or more of these may be used in combination.
[0020]
As the epoxy resin (B), it is preferable to use an epoxy resin having an ICI viscosity of less than 5 poise at 150 ° C. in terms of moldability.
[0021]
The addition amount of the epoxy resin (B) in the present invention is preferably 0.5% by weight or more in the resin composition from the viewpoint of moldability, and preferably 50% by weight or less from the viewpoint of temperature cycle reliability.
[0022]
The curing agent (C) is not particularly limited as long as it cures the epoxy resin (B). As such a curing agent, phenol resin derivatives, polyamine derivatives, acid anhydrides, polymercaptans and the like containing two or more phenolic hydroxyl groups are used.
[0023]
The addition amount of the curing agent (C) in the present invention is preferably 0.5% by weight or more in the resin composition from the viewpoint of moldability and 50% by weight or less from the viewpoint of temperature cycle reliability. preferable.
[0024]
The chemical equivalent ratio of the epoxy resin (B) and the curing agent (C) is preferably 0.8 to 1.2 from the viewpoint of adhesion.
[0025]
In the present invention, a curing accelerator may be used to accelerate the curing reaction between the epoxy resin (B) and the curing agent (C). The curing accelerator is not particularly limited as long as it accelerates the curing reaction. For example, 2-methylimidazole, 2,4-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4- Imidazole compounds such as methylimidazole and 2-heptadecylimidazole, triethylamine, benzyldimethylamine, α-methylbenzyldimethylamine, 2- (dimethylaminomethyl) phenol, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, 1 , 8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 and other tertiary amine compounds, zirconium tetramethoxide, zirconium tetrapropoxide, tetrakis (acetylacetonato) zirconium, tri (acetylacetonato) aluminum, etc. Organometallic compound and triphenylphosphine, trimethylphosphine, triethylphosphine, tributylphosphine, tri (p- methylphenyl) phosphine, an organic phosphine compound such as tri (nonylphenyl) phosphine. Of these, organic phosphine compounds are preferable from the viewpoint of moisture resistance, and triphenylphosphine is particularly preferably used. Two or more of these curing accelerators may be used in combination depending on the application, and the amount added is preferably in the range of 0.01 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin (B).
[0026]
The resin composition of the present invention includes a colorant such as carbon black and iron oxide, an ion scavenger such as hydrotalcite, a silicone rubber, an olefin copolymer, and a modified nitrile rubber without impairing the effects of the present invention. , Elastomers such as modified polybutadiene rubber and modified silicone oil, thermoplastic resins such as polyethylene, long chain fatty acids, metal salts of long chain fatty acids, esters of long chain fatty acids, amides of long chain fatty acids, and release agents such as paraffin wax A crosslinking agent such as an organic peroxide can optionally be added.
[0027]
The epoxy resin composition of the present invention is preferably melt-kneaded, for example, manufactured by melt-kneading using a known kneading method using a Banbury mixer, kneader, roll, single- or twin-screw extruder, and kneader. Is done.
[0028]
Further, the method for sealing a semiconductor element using the resin composition in the present invention is not particularly limited, and a conventionally employed molding method, for example, transfer molding, injection molding, casting method or the like is adopted. Can be done. In this case, the molding temperature of the resin composition is preferably 150 to 180 ° C., and the post cure is preferably performed at 150 to 180 ° C. for 2 to 16 hours.
[0029]
【Example】
[Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 4]
The filler shown in Table 1 below, the epoxy resin shown in Table 2 and the curing agent in the proportions shown in Tables 3 to 5 were further added to each of the following additives, and dry blended with a mixer.
[0030]

These mixtures were kneaded at 90 ° C. using a twin-screw extruder. After kneading, the mixture was cooled and pulverized to produce a resin composition.
[0031]
In the manufacture of a semiconductor device, a resin composition was molded on one side of a wafer with a thickness of 100 microns using a transfer molding machine. The temperature at this time was 180 ° C., and the pressing time was 3 minutes.
[0032]
Evaluation was performed by the following method.
[0033]
4-inch wafer fillability (fillability): After molding under the above conditions, the molded product was observed with the naked eye. An unfilled wafer was determined as defective.
[0034]
External electrode (bump) defect rate: The state of the bump surface was observed with a microscope, the damaged portion of the copper bump was examined, and a semiconductor device (package) in which even one bump was damaged was determined to be defective.
[0035]
Substrate mountability: Separated into each semiconductor device (10 × 10 mm), cooling and heating cycles were repeated in a temperature range of −55 ° C. to 120 ° C., and the number of cycles in which electrical disconnection occurred was measured.
[0036]
ICI viscosity: The viscosity of an epoxy solid at room temperature and the curing agent were measured at 150 ° C. using an ICI viscometer. The liquid at room temperature had an ICI viscosity at 150 ° C. of 0.2 poise or less.
[0037]
[Table 1]

[Table 2]

[Table 3]

[Table 4]

[Table 5]

[0038]
In Comparative Example 1, the silicon wafer was damaged during molding, and the molding itself was not possible. In Comparative Examples 2 and 3, molding was possible. However, when the bump surface was observed, the bumps were often damaged, and it was difficult to efficiently manufacture a semiconductor device. Further, in Comparative Example 4, a filler having a reduced maximum particle size was used. However, since a general epoxy resin was used, fluidity deteriorated and unfilling occurred.
[0039]
As is apparent from Tables 3 to 5, a semiconductor device that is extremely small, lightweight, and highly reliable by carefully selecting the maximum particle size of the filler and selecting an epoxy resin that is excellent in fluidity. Can be manufactured.
[0040]
【The invention's effect】
The present invention makes it possible to manufacture a highly reliable chip-sized semiconductor device at low cost. Specifically, the moldability is good, and the production can be efficiently performed by reducing the damage to the bumps as the electrodes. In addition, the thermal cycle test shows that the reliability with respect to the temperature cycle is high, and it is possible to provide a highly reliable semiconductor device.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an example of a semiconductor device sealed with a resin composition of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of an example of a wafer that is sealed with the resin composition of the present invention.

Claims

A resin composition for sealing a semiconductor device manufactured by a method of sealing a semiconductor element in a wafer state and then cutting the semiconductor element, the resin composition comprising a filler (A), an epoxy resin (B ) consists curing agent (C), Ri maximum der particle size 45μm or less of the filler (a), using the ICI viscometer, the melt viscosity of the epoxy resin (B) measured at 0.99 ° C., 5 poises A resin composition for semiconductor encapsulation, characterized by being smaller .

A resin composition for sealing a semiconductor device manufactured by a method in which a semiconductor element is sealed only on one side in a wafer state and then cut, the resin composition comprising a filler (A), an epoxy resin (B), a cured adhesive (C), Ri maximum der particle size 45μm or less of the filler (a), using the ICI viscometer, the melt viscosity of 0.99 ° C. in the measured the epoxy resin (B), the A resin composition for encapsulating a semiconductor, characterized by being smaller than 5 poise .

Epoxy resin (B), the resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1 or 2, characterized in that it comprises at least one type of bisphenol F type epoxy resin.

The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1 or 2 , wherein the epoxy resin (B) contains at least one bisphenol A type epoxy resin.

The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1 or 2 , wherein the epoxy resin (B) contains at least one novolac type epoxy resin.

The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1 or 2 , wherein the epoxy resin (B) contains at least one dicyclopentadiene type epoxy resin.

The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1 or 2 , wherein the epoxy resin (B) contains at least one biphenyl type epoxy resin.

The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1 or 2 , wherein the epoxy resin (B) contains at least one naphthalene type epoxy resin.

The epoxy resin for semiconductor encapsulation according to any one of claims 1 to 8 , wherein the curing agent (C) contains at least one phenol resin containing at least two phenolic hydroxyl groups in the molecule. Composition.

Curing agent (C) is a semiconductor encapsulating epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 9, characterized in that it comprises at least one or more acid anhydride.