JP4003529B2 - 動きベクトル検出回路と動きベクトル検出方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、動きベクトル検出回路と動きベクトル検出方法に関する。詳しくは、カラム方向に延びると共にロウ方向に配列された各ワード線に対応したメモリセルの並びに、探索フレームの探索範囲に対応して水平方向に並ぶ、第1の行の各画素ブロックの複数の画素データを格納するものとし、上記探索範囲から候補ブロックを選択して、該候補ブロックを構成する画素データを含む上記第1の行の画素ブロックに対応するワード線を活性化するとともに、活性化されたワード線に対応する画素ブロックを構成する画素データのうち、上記候補ブロックを構成する画素データをデータバッファに取り込むものとし、順次選択される上記候補ブロックを構成する上記データバッファに取り込まれた複数の画素データおよび入力される参照フレームの参照ブロックの複数の画素データに基づいたブロックマッチング処理により、上記参照ブロックに最もマッチする上記候補ブロックの、上記参照ブロックに対する相対位置に基づいて、動きベクトルを求めるものである。
【0004】
【従来の技術】
従来、動画像の処理として、動きベクトル、すなわち時間的に異なる画像中の物体の動き方向と大きさを用いるものがある。例えば画像の高能率符号化における動き補償予測符号化に動きベクトルが用いられる。
【0005】
動きベクトルを検出する方法の一つとしてブロックマッチング法がある。これは、探索フレームの候補ブロックを所定の探索範囲内で移動し、参照フレームの参照ブロックと最も合致している候補ブロックを検出することにより、動きベクトルを求めるものである。
【0006】
図13は、今注目しているフレームを参照フレームとし、このフレームから例えば1フレームだけ前のフレームである探索フレームに向かった動きベクトルを求める様子を示している。
【0007】
まず、参照フレームの画素データを、いくつかの画素ブロックに分割する。分割したそれぞれの画素ブロックの大きさは全て等しいものとする。ここでは、画素ブロックの大きさを4画素×4画素とする。
【0008】
今、画素ブロックのうち一つの画素ブロックに注目し、これを参照ブロックとする。この参照ブロックについての動きベクトルを求める方法を示す。探索フレームの画素データにおいて、参照フレームの参照ブロックと同じ位置を中心としてある広さの領域を探索範囲として設定する。探索範囲内に参照ブロックと同じ大きさの画素ブロックを取り、これを候補ブロックとする。
【0009】
参照フレームの参照ブロックを構成する複数の画素データ(4画素×4画素)と、探索フレームの探索範囲内の候補ブロックを構成する複数の画素データ(4画素×4画素)とから、それぞれ対応する位置にある画素データの差分絶対値を求め、差分絶対値の和をこの候補ブロックについての差分絶対値和とする。
【0010】
探索範囲内には複数の候補ブロックが存在する。探索範囲内で取りうる全ての候補ブロックに関して、参照ブロックとの差分絶対値和を計算する。探索範囲を12画素×12画素とすると、取りうる候補ブロックの数は、9×9=81となる。1つの参照ブロックについて81の差分絶対値和を計算する。こうして求めた差分絶対値和の中で最も小さな値を提供する候補ブロックの参照ブロックに対する相対位置を、当該参照ブロックの動きベクトルとする。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
このようにブロックマッチング法では、候補ブロックを構成する画素データを連続的に読み出す必要がある。一般的に、メモリからの読み出し速度は、その他のロジック回路の動作速度と比較して遅いので、ブロックマッチング処理において、メモリアクセスの速度が演算処理の速度を規制してしまっている。
【0012】
この発明の目的は、動きベクトルを求めるための処理時間の短縮化を図ることができる動きベクトル検出回路等を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る動きベクトル検出回路は、少なくとも第1のメモリバンクを備え、第1のメモリバンクは、カラム方向に延びると共にロウ方向に配列された各ワード線に対応したメモリセルの並びに、探索フレームの探索範囲に対応して水平方向に並ぶ、第1の行の各画素ブロックの複数の画素データを格納するメモリセルアレイと、メモリセルアレイより活性化されたワード線に対応して読み出される所定画素ブロックの複数の画素データの各ビット信号を増幅するセンスアンプと、センスアンプより出力される複数の画素データを格納するデータバッファと、センスアンプとデータバッファとの間に挿入され、センスアンプより出力される複数の画素データのそれぞれをデータバッファに選択的に取り込むためのスイッチと、探索範囲から候補ブロックを選択し、候補ブロックを構成する画素データを含む第1の行の画素ブロックに対応するワード線を活性化するとともに、活性化されたワード線に対応する画素ブロックを構成する画素データのうち候補ブロックを構成する画素データをデータバッファに取り込むようにスイッチのオンオフ動作を制御する制御回路と、制御回路により順次選択される候補ブロックの複数の画素データおよび入力される参照フレームの参照ブロックの複数の画素データに基づいたブロックマッチング処理により、参照ブロックに最もマッチする候補ブロックの、参照ブロックに対する相対位置に基づいて、動きベクトルを求めるマッチング回路とを有するものである。
【0014】
また、第2のメモリバンクをさらに備え、第2のメモリバンクは、カラム方向に延びると共にロウ方向に配列された各ワード線に対応したメモリセルの並びに、探索フレームの探索範囲に対応して水平方向に並ぶ、第1の行に隣接する第2の行の各画素ブロックの複数の画素データを格納するメモリセルアレイと、メモリセルアレイより活性化されたワード線に対応して読み出される所定画素ブロックの複数の画素データの各ビット信号を増幅するセンスアンプと、センスアンプより出力される複数の画素データを格納するデータバッファと、センスアンプとデータバッファとの間に挿入され、センスアンプより出力される複数の画素データのそれぞれをデータバッファに選択的に取り込むためのスイッチと、候補ブロックを構成する画素データを含む第2の行の画素ブロックに対応するワード線の活性化するとともに、活性化されたワード線に対応する画素ブロックを構成する画素データのうち候補ブロックを構成する画素データをデータバッファに取り込むようにスイッチのオンオフ動作を制御する制御回路とを有し、第1のメモリバンクは、制御回路により制御され、第1のメモリバンクのデータバッファに格納された複数の画素データおよび第2のメモリバンクのデータバッファに格納された複数の画素データから、候補ブロックを構成する複数の画素データを取り出すセレクタをさらに有し、第1のメモリバンクのマッチング回路は、制御回路により制御されるセレクタにより順次取り出された候補ブロックの複数の画素データおよび入力される参照フレームの参照ブロックの複数の画素データに基づいたブロックマッチング処理により動きベクトルを求めるものである。
【0017】
この発明においては、第1のメモリバンクのメモリセルアレイには、カラム方向に延びると共にロウ方向に配列された各ワード線に対応したメモリセルの並びに、それぞれ、探索フレームの探索範囲に対応して水平方向に並ぶ第1の行の各画素ブロックの複数の画素データが格納されている。ここで、メモリセルアレイのカラム方向には、例えば1画素ブロック分の複数の画素データを格納するために必要なだけの個数のメモリセルが配列されている。
【0018】
このメモリセルアレイより、活性化された所定のワード線に対応して読み出される所定画素ブロックの複数の画素データは、センスアンプおよびスイッチを介してデータバッファに選択的に取り込まれる。このスイッチおよびデータバッファは例えばDフリップフロップで構成される。
【0019】
この場合、ある画素ブロックの複数の画素データのみがデータバッファに取り込まれた状態から、この画素ブロックに対して水平方向に隣接する画素ブロックの複数の画素データのみがデータバッファに取り込まれた状態となるまでの各段階の状態は、あるワード線を活性化してある画素ブロックの複数の画素データを読み出し、これをデータバッファに取り込んだ後、隣接するワード線を活性化させて水平方向に隣接する画素ブロックの複数の画素データを読み出し、この複数の画素データをスイッチを用いてデータバッファに順次取り込んでいくことのみで実現される。
【0020】
一方、第2のメモリバンクのメモリセルアレイには、カラム方向に延びると共にロウ方向に配列された各ワード線に対応したメモリセルの並びに、それぞれ、探索フレームの探索範囲に対応して水平方向に並ぶ、第1の行に隣接する第2の行の各画素ブロックの複数の画素データが格納されている。ここで、メモリセルアレイのカラム方向には、例えば1画素ブロック分の複数の画素データを格納するために必要なだけの個数のメモリセルが配列されている。
【0021】
このメモリセルアレイより、活性化された所定のワード線に対応して読み出される所定画素ブロックの複数の画素データは、センスアンプおよびスイッチを介してデータバッファに選択的に取り込まれる。このスイッチおよびデータバッファは例えばDフリップフロップで構成される。
【0022】
この場合、ある画素ブロックの複数の画素データのみがデータバッファに取り込まれた状態から、この画素ブロックに対して水平方向に隣接する画素ブロックの複数の画素データのみがデータバッファに取り込まれた状態となるまでの各段階の状態は、あるワード線を活性化してある画素ブロックの複数の画素データを読み出し、これをデータバッファに取り込んだ後、隣接するワード線を活性化させて水平方向に隣接する画素ブロックの複数の画素データを読み出し、この複数の画素データをスイッチを用いてデータバッファに順次取り込んでいくことのみで実現される。
【0023】
第1のメモリバンクのメモリセルアレイには、各ワード線に対応したメモリセルの並びに、それぞれ、第1の行の各画素ブロックの複数の画素データが格納されている。これに対して第2のメモリセルアレイには、各ワード線に対応したメモリセルの並びに、それぞれ、第1の行に隣接する第2の行の各画素ブロックの複数の画素データが格納されている。そのため、第1のメモリバンクのメモリセルアレイから所定の画素ブロックの複数の画素データを読み出すとき、第2のメモリバンクからその所定の画素ブロックに対して垂直方向に隣接した画素ブロックの画素データを読み出すことが可能となる。
【0024】
第1のメモリバンクのデータバッファに格納された複数の画素データ、あるいは第1のメモリバンクのデータバッファに格納された複数の画素データおよび第2のメモリバンクのデータバッファに格納された複数の画素データに基づいて、セレクタにより候補ブロックを構成する複数の画素データが取り出される。
【0025】
この場合、候補ブロックを構成する複数の画素データが、1つの画素ブロックあるいは水平方向に隣接する2つの画素ブロックの画素データからなる場合には、第1のメモリバンクのデータバッファに格納された複数の画素データのみ、あるいは第2のメモリバンクのデータバッファに格納された複数の画素データのみを用いて候補ブロックを構成する複数の画素データが取り出される。
【0026】
一方、候補ブロックを構成する複数の画素データが、垂直方向に隣接する2つの画素ブロックあるいは水平垂直に隣接する4つの画素ブロックの画素データからなる場合には、第1のメモリバンクのデータバッファに格納された複数の画素データおよび第2のメモリバンクのデータバッファに格納された複数の画素データを用いて、候補ブロックを構成する複数の画素データが取り出される。
【0027】
そして、セレクタで順次取り出された候補ブロックの複数の画素データおよび入力される参照フレームの参照ブロックの複数の画素データに基づいて、ブロックマッチング処理により、参照ブロックに係る動きベクトルが求められる。
【0028】
上述したように、第1のメモリバンクおよび第2のメモリバンクにおいて、ある画素ブロックの複数の画素データのみがデータバッファに取り込まれた状態から、この画素ブロックに対して水平方向に隣接する画素ブロックの複数の画素データのみがデータバッファに取り込まれた状態となるまでの各段階の状態は、あるワード線を活性化してある画素ブロックの複数の画素データを読み出し、これをデータバッファに取り込んだ後、隣接するワード線を活性化させて水平方向に隣接する画素ブロックの複数の画素データを読み出し、この複数の画素データをスイッチを用いてデータバッファに順次取り込んでいくことのみで実現される。したがって、メモリセルアレイへのアクセス回数を少なくでき、動きベクトルを求めるための処理時間の短縮化を図ることができる。
【0033】
また、この発明に係る動きベクトル検出方法は、入力される参照フレームの参照ブロックの複数の画素データおよび探索フレームの探索範囲から選択される候補ブロックの複数の画素データに基づいたブロックマッチング処理により動きベクトルを求める動きベクトル検出方法であって、カラム方向に延びると共にロウ方向に配列された各ワード線に対応したメモリセルの並びに、探索フレームの探索範囲に対応して水平方向に並ぶ、第1の行の各画素ブロックの複数の画素データを格納するステップと、探索範囲から候補ブロックを選択して、該候補ブロックを構成する画素データを含む第1の行の画素ブロックに対応するワード線を活性化するとともに、活性化されたワード線に対応する画素ブロックを構成する画素データのうち、候補ブロックを構成する画素データをデータバッファに取り込むステップと、順次選択される候補ブロックを構成するデータバッファに取り込まれた複数の画素データおよび参照フレームの参照ブロックの複数の画素データに基づいたブロックマッチング処理により、参照ブロックに最もマッチする候補ブロックの、参照ブロックに対する相対位置に基づいて、動きベクトルを求めるステップを設けたものである。
【0035】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、この発明の実施の形態について説明する。
図1は、実施の形態としての動き補償予測符号化装置100の構成を示している。
この符号化装置100は、画像データ(動画像を構成するフレームデータ)Diを入力する入力端子101と、この入力端子101に供給される画像データDiと後述する動き補償回路110から供給される予測画像データとの差分を演算する減算器102と、この減算器102で得られる差分データに対してDCT(Discrete Cosine Transform:離散コサイン変換)を行うDCT回路103と、このDCT回路103で得られるDCT係数に対して量子化を行う量子化回路104と、この量子化回路104で得られた符号化データDoを出力する出力端子105とを有している。
【0036】
また、符号化装置100は、量子化回路104で得られた符号化データDoに対して逆量子化を行う逆量子化回路106と、この逆量子化回路106の出力データに対して逆DCTを行って差分データを得る逆DCT回路107と、この逆DCT回路107で得られる差分データと動き補償回路110で得られる予測画像データとを加算して元の画像データを復元する加算器108と、この加算器108で復元された画像データを記憶するフレームメモリ109とを有している。
【0037】
また、符号化装置100は、フレームメモリ109に記憶された画像データを読み込み、後述する動きベクトル検出部111からの動きベクトルMVに基づいて動き補償をした後、上述したように減算器102および加算器108に予測画像データとして供給する動き補償回路110と、入力端子101に供給される画像データDiの動きベクトルMVを検出して動き補償回路110に供給する動きベクトル検出部111とを有している。
【0038】
図1に示す動き補償予測符号化装置100の動作を説明する。
入力端子101に入力される画像データDiは、減算器102および動きベクトル検出部111に供給される。減算器102では、この画像データDiと動き補償回路110から供給される予測画像データとの差分が演算される。
【0039】
減算器102で得られる差分データはDCT回路103に供給されて離散コサイン変換される。このDCT回路103で得られるDCT係数は量子化回路104に供給されて量子化される。そして、この量子化回路104で得られた符号化データDoが出力端子105に出力される。
【0040】
また、量子化回路104で得られる符号化データDoが逆量子化回路106に供給されて逆量子化され、さらにこの逆量子化回路106の出力データが逆DCT回路107に供給されて逆DCTされ、差分データが復元される。この差分データと動き補償回路110からの予測データとが加算器108で加算されて元の画像データが復元され、この復元された画像データがフレームメモリ109に記憶される。
【0041】
動き補償回路110では、あるフレームにおいては、その前のフレームにフレームメモリ109に記憶された画像データの読み込みが行われて、動きベクトル検出部111からの動きベクトルMVに基づいて動き補償されて、予測画像データが得られる。この予測画像データは、上述したように、差分データを得るために減算器102に供給されると共に、画像データを復元するために加算器108に供給される。
【0042】
次に、動きベクトル検出部111の詳細を説明する。この動きベクトル検出部111では、ブロックマッチング法により動きベクトルが検出される。図2は、動きベクトル検出部111の構成を示している。
【0043】
この動きベクトル検出部111は、検出部全体の動作を制御する制御部121と、入力される参照フレームの画像データDiを、所定サイズ、本実施の形態においては4画素×4画素のサイズで順次ブロック化するブロック化回路122とを有している。
【0044】
また、動きベクトル検出部111は、ブロック化回路122より順次出力される画素ブロックの複数の画素データを、次のフレームで探索フレームの画素データとして用いるために格納しておくフレームメモリ123と、ブロック化回路122より順次出力される画素ブロックの複数の画素データを参照ブロックの画素データとして入力し、各参照ブロックに対応した探索範囲の複数の画素データをフレームメモリ123から読み出して入力し、各参照ブロックに係る動きベクトルMVを求める動きベクトル検出回路124とを有している。
【0045】
図2に示す動きベクトル検出部111の動作を説明する。入力される参照フレームの画像データDiはブロック化回路122に入力される。このブロック化回路122では、画像データDiが、4画素×4画素のサイズで順次ブロック化される。
【0046】
このブロック化回路122より順次出力される画素ブロックの複数の画素データは、フレームメモリ123に供給され、次のフレームで探索フレームの画素データとして用いるために格納される。
【0047】
また、ブロック化回路122より順次出力される画素ブロックの複数の画素データは動きベクトル検出回路124に参照ブロックの画素データとして入力される。また、この動きベクトル検出回路124には、各参照ブロックの画素データの入力に合わせて、それぞれ対応した探索範囲の複数の画素データがフレームメモリ123から読み出されて入力される。そして、動きベクトル検出回路124では、それぞれの参照ブロック毎に、ブロックマッチング処理が行われ、動きベクトルMVが生成される。
【0048】
次に、動きベクトル検出回路124の詳細を説明する。図3は、動きベクトル検出回路124の構成を示している。
この動きベクトル検出回路124は、第1のメモリバンク150と第2のメモリバンク170とから構成されている。
【0049】
第2のメモリバンク170について説明する。この第2のメモリバンク170は、バンク内の各回路の動作を制御入力に基づいて制御する制御回路171と、複数のメモリセルがマトリックス状に配されたメモリセルアレイ172と、記憶データ入力用のデータバッファ173と、ロウアドレスデコーダ174とを有している。
【0050】
メモリセルアレイ172を構成するメモリセルMCは、例えばDRAMセルである。図4はDRAMセルの一例の構成を示している。
【0051】
キャパシタC1,C2が直列に接続され、互いの中点PにはVcc/2(Vccは電源電圧)が与えられている。キャパシタC1の中点とは反対側が記憶ノードN1とされ、この記憶ノードN1はワード線WLにゲートが接続されたアクセストランジスタQ7を介してビット線BLに接続されている。また、キャパシタC2の中点とは反対側が記憶ノードN2とされ、この記憶ノードN2はワード線WLにゲートが接続されたアクセストランジスタQ8を介してビット線/BL(/BLはBLバーを表している)に接続されている。
【0052】
このような構成のDRAMセルにおいて、一対のキャパシタC1,C2で構成されるメモリセル部14に“1”または“0”のデータが記憶される。そして、このメモリセル部14とビット線BL,/BLとの間で、アクセストランジスタQ7,Q8を介して、読み出しおよび書き込みのデータ転送が行われる。
【0053】
図3に戻って、メモリセルアレイ172には、カラム方向に延びると共にロウ方向に配列された各ワード線WLに対応したメモリセルMCの並びに、それぞれ、探索フレームの探索範囲に対応して水平方向に並ぶ第1の行の各画素ブロックの複数の画素データが格納される。
【0054】
本実施の形態において、探索範囲は参照ブロックに対応した画素ブロックを中心とした3画素ブロック×3画素ブロックとされる。その場合、メモリセルアレイ172の連続する3本のワード線に対応したメモリセルMCの並びに、それぞれ、2番目の行の水平方向に並ぶ3画素ブロックの複数の画素データが格納される。
【0055】
このようにメモリセルアレイ172の各ワード線に対応したメモリセルMCの並びに1画素ブロック分の複数の画素データが格納されるものである。そこで、本実施の形態において、メモリセルアレイ172のカラム方向には、1画素ブロック分の複数の画素データを格納するために必要なだけの個数のメモリセルMCが配列されている。
【0056】
このメモリセルアレイ172の各ワード線に対応したメモリセルMCの並びに格納される探索範囲の画素ブロックの複数の画素データは、上述したフレームメモリ123(図2参照)から読み出されてデータバッファ173に一時的に格納される。そして、このデータバッファ173に1画素ブロック分の複数の画素データが揃った後に、この1画素ブロック分の複数の画素データを構成する各ビット信号が後述するセンスアンプを介してメモリセルアレイ172の各ビット線BL,/BLに供給される。
【0057】
この状態で、メモリセルアレイ172の所定のワード線が活性化されると、当該所定のワード線に対応したメモリセルMCの並びに、1画素ブロック分の複数の画素データが同時に記憶される。このように、メモリセルアレイ172には、画素ブロック単位で画素データの書き込みを行うことができ、画素データの書き込みを効率よく行うことができる。
【0058】
また、ロウアドレスデコーダ174には、アドレスバッファ174aを介してロウアドレスが入力される。ロウアドレスデコーダ174は、アドレスバッファ174aを介して供給されるロウアドレスに対応して、メモリセルアレイ172の所定のワード線を活性化し、当該所定のワード線に対応したメモリセルMCの並びに、記憶データの書き込み、読み出しが可能となるようにする。
【0059】
また、第2のメモリバンク170は、メモリセルアレイ172より活性化された所定のワード線に対応して読み出される所定画素ブロックの複数の画素データの各ビット信号を増幅するセンスアンプ175と、このセンスアンプ175より出力される複数の画素データを格納するデータバッファ177と、センスアンプ175とデータバッファ177との間に挿入され、センスアンプ175より出力される複数の画素データのそれぞれをデータバッファ177に選択的に取り込むためのスイッチ176とを有している。
【0060】
メモリセルアレイ172より活性化された所定のワード線に対応して読み出される1画素ブロックの複数の画素データを構成する全ビット信号の数をnとするとき、センスアンプ175はn個のアンプ部からなっており、スイッチ176はn個のスイッチ部176-1〜176-nからなっており、データバッファ177はn個の記憶部からなっている。
【0061】
この場合、メモリセルアレイ172より活性化された所定のワード線に対応して所定画素ブロックの複数の画素データが読み出されるとき、この複数の画素データの各ビット信号が増幅されてセンスアンプ175の出力側に得られた状態となる。この状態で、スイッチ176の所定のスイッチ部をオンとすることで、当該所定のスイッチ部に対応したセンスアンプ175のアンプ部の出力ビット信号を、当該所定のスイッチ部に対応したデータバッファ177の記憶部に取り込むことができる。
【0062】
そのため、ある画素ブロックの複数の画素データのみがデータバッファ177に取り込まれた状態から、この画素ブロックに対して水平方向に隣接する画素ブロックの複数の画素データのみがデータバッファ177に取り込まれた状態となるまでの各段階の状態を、以下のようにメモリセルアレイ172への2回のアクセスのみで達成できる。
【0063】
まず、あるワード線を活性化してある画素ブロックの複数の画素データを読み出し、これをセンスアンプ175およびスイッチ176を介してデータバッファ177に取り込む。次に、隣接するワード線を活性化させて水平方向に隣接する画素ブロックの複数の画素データを読み出し、この複数の画素データがセンスアンプ175の出力側に得られた状態とする。この状態で、スイッチ176のスイッチ部176-1〜176-nを選択的にオンとして、センスアンプ175の出力側に得られた複数の画素データをデータバッファ177に順次取り込んでいく。
【0064】
なお、スイッチ176およびデータバッファ177は、例えば図5に示すように、Dフリップフロップ178-1〜178-nを用いて構成される。これらDフリップフロップ178-1〜178-nのクロック端子には制御回路171からスイッチ制御信号SWCが供給される。
【0065】
第1のメモリバンク150について説明する。この第1のメモリバンク150は、バンク内の各回路の動作を制御入力に基づいて制御する制御回路151と、複数のメモリセルがマトリックス状に配されたメモリセルアレイ152と、記憶データ入力用のデータバッファ153と、ロウアドレスデコーダ154とを有している。
【0066】
メモリセルアレイ152を構成するメモリセルMCは、上述の第2のメモリバンク170を構成するメモリセルMCと同様に、例えばDRAMセルである。このメモリセルアレイ152には、カラム方向に延びると共にロウ方向に配列された各ワード線WLに対応したメモリセルMCの並びに、それぞれ、探索フレームの探索範囲に対応して水平方向に並ぶ第2の行の各画素ブロックの複数の画素データが格納される。この第2の行の各画素ブロックは、上述の第2のメモリバンク170におけるメモリセルアレイ172の部分で説明した第1の行に隣接した行である。
【0067】
本実施の形態において、上述したように探索範囲は参照ブロックに対応した画素ブロックを中心とした3画素ブロック×3画素ブロックとされる。その場合、メモリセルアレイ152の連続する3本のワード線に対応したメモリセルMCの並びに、それぞれ、1番目または3番目の行の水平方向に並ぶ3画素ブロックの複数の画素データが格納される。
【0068】
この場合、最初は、第1のメモリバンク150のメモリセルアレイ152には1番目の行の水平方向に並ぶ3画素ブロックの複数の画素データを格納し、上述したように第2のメモリバンク170のメモリセルアレイ172には2番目の行の水平方向に並ぶ3画素ブロックの複数の画素データを格納する。そして、メモリセルアレイ152,172に格納されている1番目および2番目の行の6個の画素ブロックの画素データを用いた候補ブロックを順次生成していく。
【0069】
次に、第1のメモリバンク150のメモリセルアレイ152には3番目の行の水平方向に並ぶ3画素ブロックの複数の画素データを格納する。そして、メモリセルアレイ152,172に格納されている3番目および2番目の行の6個の画素ブロックの画素データを用いた候補ブロックを順次生成していく。これにより、探索フレームの探索範囲内における全ての候補ブロックが順次生成される。
【0070】
上述したようにメモリセルアレイ152の各ワード線に対応したメモリセルMCの並びに1画素ブロック分の複数の画素データが格納されるものである。そこで、本実施の形態において、メモリセルアレイ152のカラム方向には、上述した第2のメモリバンク170のメモリセルアレイ172と同様に、1画素ブロック分の複数の画素データを格納するために必要なだけの個数のメモリセルMCが配列されている。
【0071】
このメモリセルアレイ152の各ワード線に対応したメモリセルMCの並びに格納される探索範囲の画素ブロックの複数の画素データは、上述したフレームメモリ123(図2参照)から読み出されてデータバッファ153に一時的に格納される。そして、このデータバッファ153に1画素ブロック分の複数の画素データが揃った後に、この1画素ブロック分の複数の画素データを構成する各ビット信号が後述するセンスアンプを介してメモリセルアレイ152の各ビット線BL,/BLに供給される。
【0072】
この状態で、メモリセルアレイ152の所定のワード線が活性化されると、当該所定のワード線に対応したメモリセルMCの並びに、1画素ブロック分の複数の画素データが同時に記憶される。このように、メモリセルアレイ152には、画素ブロック単位で画素データの書き込みを行うことができ、画素データの書き込みを効率よく行うことができる。
【0073】
また、ロウアドレスデコーダ154には、アドレスバッファ154aを介してロウアドレスが入力される。ロウアドレスデコーダ154は、アドレスバッファ154aを介して供給されるロウアドレスに対応して、メモリセルアレイ152の所定のワード線を活性化し、当該所定のワード線に対応したメモリセルMCの並びに、記憶データの書き込み、読み出しが可能となるようにする。
【0074】
また、第1のメモリバンク150は、メモリセルアレイ152より活性化された所定のワード線に対応して読み出される所定画素ブロックの複数の画素データの各ビット信号を増幅するセンスアンプ155と、このセンスアンプ155より出力される複数の画素データを格納するデータバッファ157と、センスアンプ155とデータバッファ157との間に挿入され、センスアンプ155より出力される複数の画素データのそれぞれをデータバッファ157に選択的に取り込むためのスイッチ156とを有している。
【0075】
メモリセルアレイ152より活性化された所定のワード線に対応して読み出される1画素ブロックの複数の画素データを構成する全ビット信号の数をnとするとき、センスアンプ155はn個のアンプ部からなっており、スイッチ156はn個のスイッチ部156-1〜156-nからなっており、データバッファ157はn個の記憶部からなっている。
【0076】
この場合、メモリセルアレイ152より活性化された所定のワード線に対応して所定画素ブロックの複数の画素データが読み出されるとき、この複数の画素データの各ビット信号が増幅されてセンスアンプ155の出力側に得られた状態となる。この状態で、スイッチ156の所定のスイッチ部をオンとすることで、当該所定のスイッチ部に対応したセンスアンプ155のアンプ部の出力ビット信号を、当該所定のスイッチ部に対応したデータバッファ157の記憶部に取り込むことができる。
【0077】
そのため、ある画素ブロックの複数の画素データのみがデータバッファ177に取り込まれた状態から、この画素ブロックに対して水平方向に隣接する画素ブロックの複数の画素データのみがデータバッファ157に取り込まれた状態となるまでの各段階の状態を、以下のようにメモリセルアレイ152への2回のアクセスのみで達成できる。
【0078】
まず、あるワード線を活性化してある画素ブロックの複数の画素データを読み出し、これをセンスアンプ155およびスイッチ156を介してデータバッファ157に取り込む。次に、隣接するワード線を活性化させて水平方向に隣接する画素ブロックの複数の画素データを読み出し、この複数の画素データがセンスアンプ155の出力側に得られた状態とする。この状態で、スイッチ156のスイッチ部156-1〜156-nを選択的にオンとして、センスアンプ155の出力側に得られた複数の画素データをデータバッファ157に順次取り込んでいく。
【0079】
なお、スイッチ156およびデータバッファ157は、上述の第2のメモリバンク170のスイッチ176およびデータバッファ177と同様に、Dフリップフロップを用いて構成される(図5参照)。
【0080】
また、第1のメモリバンク150は、データバッファ157に格納された複数の画素データおよび上述の第2のメモリバンク170のデータバッファ177に格納された複数の画素データに基づいて、候補ブロックを構成する複数の画素データを取り出すセレクタ158を有している。このセレクタ158には、制御回路151より選択制御信号SELが供給される。
【0081】
この場合、候補ブロックを構成する複数の画素データが、1つの画素ブロックあるいは水平方向に隣接する2つの画素ブロックの画素データからなる場合には、第1のメモリバンク150のデータバッファ157に格納された複数の画素データのみ、あるいは第2のメモリバンク170のデータバッファ177に格納された複数の画素データのみを用いて、候補ブロックを構成する複数の画素データが取り出される。
【0082】
一方、候補ブロックを構成する複数の画素データが、垂直方向に隣接する2つの画素ブロックあるいは水平垂直に隣接する4つの画素ブロックの画素データからなる場合には、第1のメモリバンク150のデータバッファ157に格納された複数の画素データおよび第2のメモリバンク170のデータバッファ177に格納された複数の画素データを用いて、候補ブロックを構成する複数の画素データが取り出される。
【0083】
また、第1のメモリバンク150は、参照ブロックの画素データ入力用のデータバッファ159とを有している。上述したブロック化回路122(図2参照)より順次出力される各画素ブロックの複数の画素データは、それぞれ参照ブロックの複数の画素データとして、データバッファ159に一時的に格納される。
【0084】
また、第1のメモリバンク150は、マッチング回路160を有している。このマッチング回路160は、データバッファ159に格納された所定の参照ブロックの複数の画素データと、この所定の参照ブロックに対応してセレクタ158より順次取り出される所定個数、本実施の形態においては81個の候補ブロックの複数の画素データに基づいて、ブロックマッチング処理により、当該所定の参照ブロックに係る動きベクトルMVを求める。
【0085】
この場合、参照ブロックを構成する複数の画素データ(4画素×4画素)と候補ブロックを構成する複数の画素データ(4画素×4画素)とから、それぞれ対応する位置にある画素データの差分絶対値を求め、差分絶対値の和をこの候補ブロックについての差分絶対値和とする。81個の候補ブロックの全てについて、参照ブロックとの差分絶対値和を計算する。こうして求めた差分絶対値和の中で最も小さな値を提供する候補ブロックの参照ブロックに対する相対位置を、当該参照ブロックの動きベクトルMVとする。
【0086】
次に、図3に示す動きベクトル検出回路124の動作を説明する。参照フレームの所定の参照ブロック(以下、「注目参照ブロック」という)の動きベクトルMVを得る場合について説明する。
この場合、図6に示すように、探索フレームの探索範囲として、注目参照ブロックに対応した画素ブロックを中心とした3画素ブロック×3画素ブロックの範囲が決定される。
【0087】
そこでまず、第1のメモリバンク150のメモリセルアレイ152には、1番目の行の水平方向に並ぶ3画素ブロック(画素ブロック1〜3)の複数の画素データが格納される。
【0088】
この場合、画素ブロック1の複数の画素データはフレームメモリ123(図2参照)から読み出されてデータバッファ153に一時的に格納される。そして、この画素ブロック1の複数の画素データを構成する各ビット信号はセンスアンプ155を介してメモリセルアレイ152の各ビット線BL,/BLに供給される。この状態で、メモリセルアレイ152のワード線WLiが活性化され、このワード線WLiに対応したメモリセルMCの並びに、画素ブロック1の複数の画素データが同時に書き込まれる。画素ブロック2,3のそれぞれの複数の画素データも、同様にして、メモリセルアレイ152のワード線WLi+1,WLi+2にそれぞれ対応したメモリセルMCの並びに同時に書き込まれる。
【0089】
また、第2のメモリバンク170のメモリセルアレイ172には、2番目の行の水平方向に並ぶ3画素ブロック(画素ブロック4〜6)の複数の画素データが格納される。
【0090】
この場合、画素ブロック4の複数の画素データはフレームメモリ123(図2参照)から読み出されてデータバッファ173に一時的に格納される。そして、この画素ブロック4の複数の画素データを構成する各ビット信号はセンスアンプ175を介してメモリセルアレイ172の各ビット線BL,/BLに供給される。この状態で、メモリセルアレイ172のワード線WLiが活性化され、このワード線WLiに対応したメモリセルMCの並びに、画素ブロック4の複数の画素データが同時に書き込まれる。画素ブロック5,6のそれぞれの複数の画素データも、同様にして、メモリセルアレイ172のワード線WLi+1,WLi+2にそれぞれ対応したメモリセルMCの並びに同時に書き込まれる。
【0091】
次に、このようにメモリセルアレイ152,172に6画素ブロック分の画素データが格納された状態で、図7Bに示すように、メモリセルアレイ152のワード線WLiが活性化されて、このワード線WLi対応したメモリセルMCの並びに格納されていた画素ブロック1の複数の画素データが同時に読み出される。
【0092】
この画素ブロック1の複数の画素データの各ビット信号はセンスアンプ155で増幅されて、このセンスアンプ155の出力側に得られる。この状態で、スイッチ156の各スイッチ部を全てオンとすると、センスアンプ155の出力側に得られていた画素ブロック1の複数の画素データの全部が、データバッファ157に取り込まれる。
【0093】
このように、データバッファ157に格納された画素ブロック1の複数の画素データは、図7Aに示すように、探索範囲内の候補ブロック1の複数の画素データとして、セレクタ158で取り出されてマッチング回路160に供給される。マッチング回路160には、データバッファ159を介して注目参照ブロックの複数の画素データDTが供給される。マッチング回路160では、注目参照ブロックを構成する複数の画素データ(4画素×4画素)と候補ブロック1を構成する複数の画素データ(4画素×4画素)とを用いて、それぞれ対応する位置にある画素データの差分絶対値が求められ、各差分絶対値の和が取られて当該候補ブロック1の差分絶対値和が求められる。
【0094】
次に、図8Bに示すように、メモリセルアレイ152のワード線WLi+1が活性化されて、このワード線WLi+1に対応したメモリセルMCの並びに格納されていた画素ブロック2の複数の画素データが同時に読み出される。
【0095】
この画素ブロック2の複数の画素データの各ビット信号はセンスアンプ155で増幅されて、このセンスアンプ155の出力側に得られる。この状態で、スイッチ156の各スイッチ部のうち、左端から1列目の4画素に対応した全てのスイッチ部がオンとされる。これにより、センスアンプ155の出力側に得られていた画素ブロック2の左端から1列目の4画素の画素データが、データバッファ157に新たに取り込まれる。
【0096】
これにより、データバッファ157に格納されている1画素ブロック分の画素データは、図8Aに示すように、候補ブロック1に対して右方向に1画素ずれた位置にある候補ブロック2を構成する複数の画素データとなる。この候補ブロック2を構成する複数の画素データは、セレクタ158で取り出されてマッチング回路160に供給される。そして、マッチング回路160では、上述した候補ブロック1の場合と同様にして、当該候補ブロック2の差分絶対値和が求められる。
【0097】
次に、スイッチ156の各スイッチ部のうち、左端から2列目の4画素に対応した全てのスイッチ部がオンとされる。これにより、図9Bに示すように、センスアンプ155の出力側に得られていた画素ブロック2の左端から2列目の4画素の画素データが、データバッファ157に新たに取り込まれる。これにより、データバッファ157に格納されている1画素ブロック分の画素データは、図9Aに示すように、候補ブロック1に対して右方向に2画素ずれた位置にある候補ブロック3を構成する複数の画素データとなる。この候補ブロック3を構成する複数の画素データは、セレクタ158で取り出されてマッチング回路160に供給される。そして、マッチング回路160では、上述した候補ブロック1の場合と同様にして、当該候補ブロック3の差分絶対値和が求められる。
【0098】
次に、スイッチ156の各スイッチ部のうち、左端から3列目の4画素に対応した全てのスイッチ部がオンとされる。これにより、センスアンプ155の出力側に得られていた画素ブロック2の左端から3列目の4画素の画素データが、データバッファ157に新たに取り込まれる。これにより、データバッファ157に格納されている1画素ブロック分の画素データは、候補ブロック1に対して右方向に3画素ずれた位置にある候補ブロック4(図示せず)を構成する複数の画素データとなる。この候補ブロック4を構成する複数の画素データは、セレクタ158で取り出されてマッチング回路160に供給される。そして、マッチング回路160では、上述した候補ブロック1の場合と同様にして、当該候補ブロック4の差分絶対値和が求められる。
【0099】
次に、スイッチ156の各スイッチ部のうち、左端から4列目の4画素に対応した全てのスイッチ部がオンとされる。これにより、図10Bに示すように、センスアンプ155の出力側に得られていた画素ブロック2の左端から4列目の4画素の画素データが、データバッファ157に新たに取り込まれる。これにより、データバッファ157に格納されている1画素ブロック分の画素データは、画素ブロック2の複数の画素データそのものとなる。
【0100】
このように、データバッファ157に格納された画素ブロック2の複数の画素データは、図10Aに示すように、候補ブロック1に対して右方向に4画素ずれた位置にある候補ブロック5の複数の画素データとして、セレクタ158で取り出されてマッチング回路160に供給される。マッチング回路160では、上述した候補ブロック1の場合と同様にして、当該候補ブロック5の差分絶対値和が求められる。
【0101】
次に、図11Bに示すように、メモリセルアレイ152のワード線WLi+2が活性化されて、このワード線WLi+2に対応したメモリセルMCの並びに格納されていた画素ブロック3の複数の画素データが同時に読み出される。
【0102】
この画素ブロック3の複数の画素データの各ビット信号はセンスアンプ155で増幅されて、このセンスアンプ155の出力側に得られる。この状態で、スイッチ156の各スイッチ部のうち、左端から1列目の4画素に対応した全てのスイッチ部がオンとされる。これにより、センスアンプ155の出力側に得られていた画素ブロック3の左端から1列目の4画素の画素データが、データバッファ157に新たに取り込まれる。
【0103】
これにより、データバッファ157に格納されている1画素ブロック分の画素データは、図11Aに示すように、候補ブロック1に対して右方向に5画素ずれた位置にある候補ブロック6を構成する複数の画素データとなる。この候補ブロック6を構成する複数の画素データは、セレクタ158で取り出されてマッチング回路160に供給される。そして、マッチング回路160では、上述した候補ブロック1の場合と同様にして、当該候補ブロック6の差分絶対値和が求められる。
【0104】
以下、上述した候補ブロック3〜5の場合と同様にして、スイッチ156の各スイッチ部が選択的にオンとされていき、データバッファ157には、候補ブロック1に対して右方向に6画素ずれた位置にある候補ブロック7、候補ブロック1に対して右方向に7画素ずれた位置にある候補ブロック8、さらには候補ブロック1に対して右方向に8画素ずれた位置(画素ブロック3と同じ位置)にある候補ブロック9を構成する複数の画素データが格納された状態が得られる。そして、マッチング回路160では、それぞれ候補ブロック7〜9の差分絶対値和が求められる。
【0105】
次に、図12Bに示すように、第2のメモリバンク170のメモリセルアレイ172のワード線WLi+2が活性化されて、このワード線WLi+2に対応したメモリセルMCの並びに格納されていた画素ブロック6の複数の画素データが同時に読み出される。
【0106】
この画素ブロック6の複数の画素データの各ビット信号はセンスアンプ175で増幅されて、このセンスアンプ155の出力側に得られる。この状態で、スイッチ176の各スイッチ部を全てオンとすると、センスアンプ175の出力側に得られていた画素ブロック6の複数の画素データの全部が、データバッファ177に取り込まれる。
【0107】
このようにデータバッファ177に格納された画素ブロック6の複数の画素データは、第1のメモリバンク150のセレクタ158に供給される。このセレクタ158には、データバッファ157に格納された画素ブロック3の複数の画素データも供給されている。
【0108】
この状態で、セレクタ158では、画素ブロック3の上端から2〜4行目の12画素の画素データが取り出されると共に、画素ブロック6の上端から1行目の4画素の画素データが取り出される。このようにセレクタ158で取り出される1画素ブロック分の画素データは、図12Aに示すように、候補ブロック9(画素ブロック3)に対して下方向に1画素ずれた位置にある候補ブロック10を構成する複数の画素データとなる。
【0109】
この候補ブロック10を構成する複数の画素データは、マッチング回路160に供給される。マッチング回路160では、上述した候補ブロック1の場合と同様にして、当該候補ブロック10の差分絶対値和が求められる。
【0110】
以下、図示せずも、第1のメモリバンク150は、順に、画素ブロック3に対して左方向に1画素〜8画素ずれた位置の画素ブロックの複数の画素データがデータバッファ157に格納された状態とされる。またこれに伴って、第2のメモリバンク170は、順に、画素ブロック6に対して左方向に1画素〜8画素ずれた位置の画素ブロックの複数の画素データがデータバッファ177に格納された状態とされる。
【0111】
そして、セレクタ158では、データバッファ157,177にそれぞれ対応して格納された各2画素ブロックの複数の画素データから、上述の候補ブロック10に対して左方向に1画素〜8画素ずれた位置の候補ブロック11〜18を構成する複数の画素データが順次取り出される。そして、マッチング回路160では、それら候補ブロック11〜18の差分絶対値和が順次求められる。
【0112】
以下、上述したと同様の動作により、第1のメモリバンク150のセレクタ158より、上述した候補ブロック1〜9に対して、それぞれ下方向に2画素ずれた候補ブロック19〜27、それぞれ下方向に3画素ずれた候補ブロック36〜28、それぞれ下方向に4画素ずれた候補ブロック37〜45を構成する複数の画素データが順次取り出され、マッチング回路160では、それら候補ブロック19〜45の差分絶対値和が順次求められる。
【0113】
次に、セレクタ158より、上述した候補ブロック1〜9に対して、それぞれ下方向に5画素ずれた候補ブロック54〜46、それぞれ下方向に6画素ずれた候補ブロック55〜63、それぞれ下方向に7画素ずれた候補ブロック72〜64、それぞれ下方向に8画素ずれた候補ブロック73〜81を構成する複数の画素データを取り出す必要がある。
【0114】
そのために、第1のメモリバンク150のメモリセルアレイ152には、1番目の行の水平方向に並ぶ3画素ブロック(画素ブロック1〜3)の複数の画素データの代わりに、3番目の行の水平方向に並ぶ3画素ブロック(画素ブロック7〜9)の複数の画素データが格納される。そして、以下は、上述したと同様の動作により、第1のメモリバンク150のセレクタ158より、候補ブロック46〜81を構成する複数の画素データが順次取り出され、マッチング回路160では、それら候補ブロック46〜81の差分絶対値和が順次求められる。
【0115】
このように、第1のメモリバンク150のマッチング回路160では、上述したように、注目参照ブロックに対応した81個の候補ブロック1〜81の差分絶対値和が順次求められる。そして、このマッチング回路160は、それらの差分絶対値和の中で最も小さな値を提供する候補ブロックの参照ブロックに対する相対位置を、当該注目参照ブロックの動きベクトルMVとして出力する。
【0116】
以上説明したように本実施の形態においては、第1のメモリバンク150および第2のメモリバンク170において、ある画素ブロックの複数の画素データのみがデータバッファ157,177に取り込まれた状態から、この画素ブロックに対して水平方向に隣接する画素ブロックの複数の画素データのみがデータバッファ157,177に取り込まれた状態となるまでの各段階の状態、例えば候補ブロック1〜候補ブロック5を構成する複数の画素データをデータバッファ157に得る状態(図7〜図10参照)は、あるワード線を活性化してある画素ブロックの複数の画素データを読み出し、これをデータバッファ157,177に取り込んだ後、隣接するワード線を活性化させて水平方向に隣接する画素ブロックの複数の画素データを読み出し、この複数の画素データをスイッチ156,176を用いてデータバッファ157,177に順次取り込んでいくことのみで実現される。したがって、メモリセルアレイ152,172へのアクセス回数を少なくでき、動きベクトルMVを求めるための処理時間の短縮化を図ることができる。
【0117】
また、本実施の形態においては、メモリセルアレイ152,172に、カラム方向に延びるとともにロウ方向に配列された各ワード線に対応したメモリセルMCの並びに、それぞれ、探索フレームの探索範囲内に水平方向に並ぶ各画素ブロックの複数の画素データを格納するものである。したがって、各画素ブロックの複数の画素データを、対応する1本のワード線WLを活性化するのみで、容易に書き込みおよび読み出しを行うことができる。
【0118】
なお、上述実施の形態においては、動きベクトル検出回路124が、図3に示すように第1のメモリバンク150および第2のメモリバンク170により構成されるものを示したが、さらに多くのメモリバンクを使用して構成することもできる。例えば、さらに第3のメモリバンクを設け、この第3のメモリバンクの構成は第2のメモリバンク170の構成と同様とし、そのメモリセルアレイに、探索範囲の3番目の行の水平方向に並ぶ3画素ブロック(画素ブロック7〜9)の複数の画素データを格納し、そのデータバッファに得られる1画素ブロックの複数の画素データを第1のメモリバンク150のセレクタ158に供給するように構成すればよい。
【0119】
また、上述実施の形態においては、画素ブロックの大きさが4画素×4画素であって、探索範囲が参照ブロックに対応する画素ブロックを中心とする3画素ブロック×3画素ブロックの範囲としたものであるが、この発明の適用はこれに限定されるものではない。
【0120】
また、上述実施の形態においては、この発明のメモリブロックを動き検出回路124に適用したものであるが、ある複数のデータのみが得られた状態から他の複数のデータのみが得られた状態となるまでの各段階の状態を得る必要があるその他の回路にも同様に適用できることは勿論である。
【0121】
また、上述実施の形態においては、画素データを取り扱うものを示したが、オーディオデータ等のその他のデータを取り扱うものにも、この発明のメモリブロックを適用することができる。
【0122】
【発明の効果】
この発明によれば、第1のメモリバンクでは、探索フレームの探索範囲に対応して水平方向に並ぶ第1の行の各画素ブロックの複数の画素データを格納するメモリセルアレイより活性化された所定ワード線に対応して読み出される所定画素ブロックの複数の画素データをセンスアンプおよびスイッチを介してデータバッファに選択的に取り込み、このデータバッファに格納された複数の画素データに基づいて、候補ブロックを構成する複数の画素データを取り出し、順次取り出された候補ブロックの複数の画素データおよび参照フレームの参照ブロックの複数の画素データに基づいて、ブロックマッチング処理により参照ブロックに係る動きベクトルを求めるものである。したがって、この発明によれば、メモリセルアレイへのアクセス回数を大幅に減らすことができ、動きベクトルを求めるための処理時間の短縮化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態としての動き補償予測符号化装置の構成を示すブロック図である。
【図2】動きベクトル検出部の構成を示すブロック図である。
【図3】動きベクトル検出回路124の構成を示すブロック図である。
【図4】DRAMセルの構成の一例を示す図である。
【図5】スイッチとデータバッファの実際の構成を説明するための図である。
【図6】第1、第2のメモリバンクのメモリセルアレイへの書き込みを説明するための図である。
【図7】候補ブロックの生成動作を説明するための図である。
【図8】候補ブロックの生成動作を説明するための図である。
【図9】候補ブロックの生成動作を説明するための図である。
【図10】候補ブロックの生成動作を説明するための図である。
【図11】候補ブロックの生成動作を説明するための図である。
【図12】候補ブロックの生成動作を説明するための図である。
【図13】動き検出のためのブロックマッチング法を説明するための図である。
【符号の説明】
100・・・動き補償予測符号化装置、111・・・動きベクトル検出部、121・・・制御部、122・・・ブロック化回路、123・・・フレームメモリ、124・・・動きベクトル検出回路、150・・・第1のメモリバンク、151,171・・・制御回路、152,172・・・メモリセルアレイ、153,173・・・記憶データ入力用のデータバッファ、154,174・・・ロウアドレスデコーダ、155,175・・・センスアンプ、156,176・・・スイッチ、157,177・・・データバッファ、158・・・セレクタ、159・・・参照ブロックの画素データ入力用のデータバッファ、160・・・マッチング回路、170・・・第2のメモリバンク
Claims (5)
- 少なくとも第1のメモリバンクを備え、
上記第1のメモリバンクは、
カラム方向に延びると共にロウ方向に配列された各ワード線に対応したメモリセルの並びに、探索フレームの探索範囲に対応して水平方向に並ぶ、第1の行の各画素ブロックの複数の画素データを格納するメモリセルアレイと、
上記メモリセルアレイより活性化されたワード線に対応して読み出される所定画素ブロックの複数の画素データの各ビット信号を増幅するセンスアンプと、
上記センスアンプより出力される複数の画素データを格納するデータバッファと、
上記センスアンプと上記データバッファとの間に挿入され、上記センスアンプより出力される複数の画素データのそれぞれを上記データバッファに選択的に取り込むためのスイッチと、
上記探索範囲から候補ブロックを選択し、上記候補ブロックを構成する画素データを含む上記第1の行の画素ブロックに対応するワード線を活性化するとともに、活性化されたワード線に対応する画素ブロックを構成する画素データのうち上記候補ブロックを構成する画素データを上記データバッファに取り込むように上記スイッチのオンオフ動作を制御する制御回路と、
上記制御回路により順次選択される上記候補ブロックの複数の画素データおよび入力される参照フレームの参照ブロックの複数の画素データに基づいたブロックマッチング処理により、上記参照ブロックに最もマッチする上記候補ブロックの、上記参照ブロックに対する相対位置に基づいて、動きベクトルを求めるマッチング回路とを有する
ことを特徴とする動きベクトル検出回路。 - 第2のメモリバンクをさらに備え、
上記第2のメモリバンクは、
カラム方向に延びると共にロウ方向に配列された各ワード線に対応したメモリセルの並びに、探索フレームの探索範囲に対応して水平方向に並ぶ、上記第1の行に隣接する第2の行の各画素ブロックの複数の画素データを格納するメモリセルアレイと、
上記メモリセルアレイより活性化されたワード線に対応して読み出される所定画素ブロックの複数の画素データの各ビット信号を増幅するセンスアンプと、
上記センスアンプより出力される複数の画素データを格納するデータバッファと、
上記センスアンプと上記データバッファとの間に挿入され、上記センスアンプより出力される複数の画素データのそれぞれを上記データバッファに選択的に取り込むためのスイッチと、
上記候補ブロックを構成する画素データを含む上記第2の行の画素ブロックに対応するワード線の活性化するとともに、活性化されたワード線に対応する画素ブロックを構成する画素データのうち上記候補ブロックを構成する画素データを上記データバッファに取り込むように上記スイッチのオンオフ動作を制御する制御回路とを有し、
上記第1のメモリバンクは、
上記制御回路により制御され、上記第1のメモリバンクのデータバッファに格納された複数の画素データおよび上記第2のメモリバンクのデータバッファに格納された複数の画素データから、上記候補ブロックを構成する複数の画素データを取り出すセレクタをさらに有し、
上記第1のメモリバンクのマッチング回路は、上記制御回路により制御される上記セレクタにより順次取り出された上記候補ブロックの複数の画素データおよび入力される参照フレームの参照ブロックの複数の画素データに基づいたブロックマッチング処理により動きベクトルを求める
ことを特徴とする請求項1に記載の動きベクトル検出回路。 - 上記第1のメモリバンクのスイッチおよびデータバッファはDフリップフロップで構成され、上記第2のメモリバンクのスイッチおよびデータバッファはDフリップフロップで構成される
ことを特徴とする請求項2に記載の動きベクトル検出回路。 - 上記第1のメモリバンクおよび上記第2のメモリバンクにおける上記メモリセルアレイのカラム方向には、1画素ブロック分の複数の画素データを格納するために必要なだけの個数のメモリセルが配列されている
ことを特徴とする請求項2に記載の動きベクトル検出回路。 - 入力される参照フレームの参照ブロックの複数の画素データおよび探索フレームの探索範囲から選択される候補ブロックの複数の画素データに基づいたブロックマッチング処理により動きベクトルを求める動きベクトル検出方法であって、
カラム方向に延びると共にロウ方向に配列された各ワード線に対応したメモリセルの並びに、探索フレームの探索範囲に対応して水平方向に並ぶ、第1の行の各画素ブロックの複数の画素データを格納するステップと、
上記探索範囲から候補ブロックを選択して、該候補ブロックを構成する画素データを含む上記第1の行の画素ブロックに対応するワード線を活性化するとともに、活性化されたワード線に対応する画素ブロックを構成する画素データのうち、上記候補ブロックを構成する画素データをデータバッファに取り込むステップと、
順次選択される上記候補ブロックを構成する上記データバッファに取り込まれた複数の画素データおよび上記参照フレームの参照ブロックの複数の画素データに基づいたブロックマッチング処理により、上記参照ブロックに最もマッチする上記候補ブロックの、上記参照ブロックに対する相対位置に基づいて、動きベクトルを求めるステップを設けた
ことを特徴とする動きベクトル検出方法。
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