JP4002791B2 - 自励発振ランプ安定器ホット再点弧保護回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、自励発振安定器、特に、自励発振安定器の保護回路に関する。
【0002】
【発明の背景】
高輝度高出力(HID)ランプ、特にセラミックメタルハライド(CMH)ランプのコールド点弧及びホット再発弧は、全く異なる動作特性及び必要条件を有する。コールドCMHランプを始動させるためには、安定器は高圧パルス(例えば、約2,000ボルト)を出力してガスをイオン化し、電極間でアーク放電を開始する必要がある。アーク放電開始又は放電破壊開始の直後、ランプ電圧がまだ比較的高い状態(例えば、約数百ボルト)にある間、ランプはグローモードとなる。その後、アークが定常放電電圧(例えば、約100ボルト)になるまでウォームアップする間に、ランプはグローモードからアークモードへ遷移する。
【0003】
ホットランプを再発弧又は再点弧するためには、更に大きなエネルギーが必要であり、このため、耐圧はより大きく(例えば、10,000ボルトより大きく)なる。ホット再点弧中に保護回路がない場合、自励発振安定器は、電気応力が安定器の限界を超えるまで、過剰な高圧パルスを継続してランプに出力することがあり、その結果、臨界半導体部品が破壊される。
【0004】
従って、ランプのホット再発弧又は再点弧中に安定器構成部品を保護するため、自励発振ランプ安定器に堅牢な保護回路網を備えることが望ましい。
【0005】
【課題を解決するための手段】
ホット再点弧保護(HRP)回路は、スイッチング装置間の接合部で第2のインダクタ、すなわち制御インダクタと直列接続するゲート駆動インダクタを有するブリッジ構成である一対の相補形スイッチング装置を備える形式の自励発振高輝度高出力(HID)ランプ安定器に対して、遮断保護を提供する。HRP回路は、制御インダクタを介して結合する3端子機器を有効に備えている。特に、HRP回路は、制御インダクタ両端電圧を検知する検知回路網と、所定の制御インダクタ両端再点弧電圧閾値に達した時に放電破壊経路を提供する放電破壊回路網と、ランプが再始動するのに十分に冷却されるまで、安定器の動作を遮断する遮断回路網とを備えており、このため、ランプのホット再点弧又は再発弧中、安定器構成部品は保護される。
【0006】
【発明の実施の形態】
図1は、直流電源16によって発生される直流バス電圧から電力供給される高輝度高出力ランプ14(例えば、CMHランプ)を動作させるのに適する自励発振安定器回路10を示す。直流バス電圧は、バス導体18と基準導体20との間に発生する。安定器10は、バス導体18上の電圧を、ランプ14の放電管内のアークを点弧するのに適する交流電圧に変換するための直流交流変換器、すなわちインバータ21を備えており、点弧後のアークを維持する。特に、ランプ14の放電管内のアークを開始するために、安定器10は、放電管電極両端(不図示)に印加される一連の周期電圧パルスを発生させる。
【0007】
変換器21は、導体18、20間で直列に接続されたスイッチング装置22、24を備えるように図示される。図示される実施例において、スイッチング装置22、24の各々は、共通ノード26で相互に接続するソース電極をそれぞれ有するnチャンネルエンハンスメント型MOSFET及びpチャンネルエンハンスメント型MOSFETを備える。スイッチング装置は、pnpバイポーラ接合型トランジスタやnpnバイポーラ接合型トランジスタ等の相補的導通モードを有する他の装置を備えても良い。インバータ21の出力に結合される共振負荷回路28は、共振動作の周波数を設定するための共振インダクタ30及び共振キャパシタンス32、34を備える。キャパシタ32は直流阻止キャパシタとしても機能する。
【0008】
スイッチング装置22、24は、協働して共通ノード26から共振インダクタ30へ交流電流を供給する。スイッチング装置22のゲート電極38及びスイッチング装置24の制御電極40は、それぞれ制御ノード42で接続する。ゲート駆動回路部44は、スイッチング装置22、24の再生制御を実現するために、制御ノード42と共通ノード26との間に接続される。ゲート駆動インダクタ46は、共振負荷回路28内の電流の瞬時変化率と比例する電圧をインダクタ46で誘導するための共振インダクタ30と、相互に結合する。第2のインダクタすなわち制御インダクタ48は、共通ノード26と制御ノード42との間で、インダクタ46と直列に接続される。
【0009】
双方向電圧クランプ50は、ノード26とノード42との間に接続され、例えば、背面結合ツェナーダイオード51、52を備える。電圧クランプは、共振負荷回路両端電圧の基本周波数成分と共振インダクタ30内の交流電流との間の位相角がランプ点弧中にゼロに接近する方法により、第2のインダクタ48と協働する。図示の通り、直流阻止キャパシタ53は、例えばノード26とノード42との間で、インダクタ46、48と直列に接続しても良い。
【0010】
図示の通り、キャパシタ54は、ノード26とノード42との間の制御電圧の変化率を制限するために、ノード26とノード42との間に設けられるのが望ましい。この方法において、不動作時間間隔は装置22、24のスイッチング動作中に設定され、両スイッチング装置がオフになる。
【0011】
抵抗器56、58は、ゲート駆動回路部44の再生動作を開始するために抵抗器59と共に動作するため、導体18と導体20との間で直列に設けられる。特に、始動処理中、キャパシタ53は、抵抗器56、58、59を介して電源16を通電する時に初期充電される。このとき、キャパシタ53の両端電圧はゼロである。また始動処理中、インダクタ46、48は、キャパシタ53を充電するための比較的長い時定数の結果としての短絡回路として、本質的に作用する。ほぼ同じ値の抵抗器56、58、59に関して、例えば共通ノード26上の電圧は、当初、バス電圧18のほぼ1/3である。このように、キャパシタ54は、スイッチング装置22のゲートーソース電圧(例えば、2〜3ボルト)の閾値に達するまで、加速的に充電される。この時、スイッチング装置22は導通モードに切り替わり、その結果、スイッチング装置22によって電流が共振負荷回路に供給される。その後、この共振負荷回路内の電流により、スイッチング装置22、24の再生制御が行なわれる。このため、安定器は共振負荷回路28を励起して、アーク放電を点弧するためにランプに印加されるパルス出力電圧を供給する。
【0012】
安定器10の定常動作中、共通ノード26の電圧は、バス電圧18のほぼ1/2となる。ノード42の電圧も、バス電圧18のほぼ1/2となり、このため、キャパシタ53は定常動作中、スイッチング装置22をオンするための始動パルスを再び発生させるように再度充電されることはない。定常動作中、キャパシタ53の容量性リアクタンスは、ゲート駆動インダクタ46及び第2のインダクタ48の誘導性リアクタンスよりもかなり大きくなるため、キャパシタ53はインダクタ46、48の動作に干渉しない。
【0013】
図2は、図1のように、安定器に有用であり且つホット再点弧、すなわちホット再始動中、ランプ14の放電管への望ましくない高圧の印加を回避する周知のホット再点弧保護(HRP)回路12を示す。ホット再点弧保護回路は、検知回路網60、放電破壊回路網70及び遮断回路網80を有する。
【0014】
検知回路網60は、コンダクタ71とコンダクタ73との間で接合部1、2によりそれぞれ結合されてブリッジのダイオード対61−62、63−64をそれぞれ接合するダイオード61〜64のブリッジ構成と、ノード1とノード2との間に直列に接続される一対の背面結合ツェナーダイオード65、66と、ダイオードブリッジ61〜64と放電破壊回路網70との間で接続される抵抗器67と、検知回路網とコンダクタ73との間で接続される抵抗器68と、抵抗器68を介して接続されるキャパシタ69とを有する。背面結合ツェナーダイオード65、66は、ツェナーダイオードの耐圧値によって決定するHRP回路12の両端電圧を制限することが望ましい。
【0015】
放電破壊回路網70は、例えば、相補形トランジスタ74、75を備えるラッチ装置72を備える。トランジスタ74はpnp装置として図示され、トランジスタ75はnpn装置として図示される。このトランジスタ74、75は、各ベースが他方のコレクタと接続するように結合される。抵抗器76は、トランジスタ74のベースとエミッタとの間に結合され、また、ツェナーダイオード78は、トランジスタ75のベースとエミッタとの間に結合される。
【0016】
遮断回路網80は、放電破壊回路網70と導体73との間に結合される抵抗器82及びキャパシタ84の並列接続と、ゲート及びソースが相互に接続された2つのNチャンネルMOSFET86、88とを有する。MOSFET86のドレインはノード3の位置にあり、MOSFET88のドレインはノード4の位置にある。
【0017】
HRP回路12の動作中、ノード1、3が相互に接続し、ノード2、4が相互に接続するため、これら2つの共通ノードを有する装置は、検知機能、遮断機能の両方を実行するために、インダクタ48(図1)の両端に接続される。特に、HRP回路12は、所定の電圧より高い電圧が所定時間インダクタ48に印加される時に起動するように構成される。この状態は、例えば、ランプが回路から取り外された時、又は、寿命末期のランプが(特に、例えばランプ電極で)過熱された時に発生しうる。HRP回路12は、インダクタ48の両端電圧をノード1−2、ノード3−4を介して検知し、この電圧は整流ブリッジ61〜64によって整流され、その後キャパシタ69を充電するために使用される。キャパシタ69の電圧がツェナーダイオード78の耐圧を超えたとき、電流はツェナーダイオード78及び抵抗器76で形成された経路を流れ、ラッチ72を起動する。ラッチ72の起動は、インダクタ48の両端の電圧降下を引き起こし、その後、この電圧により安定器回路10の周波数は共振回路28の共振周波数を超えて増加する。この回路周波数の増加は、結果として、ランプ14に供給される電流を減少させる。
【0018】
ラッチ72は、トランジスタ間に直接結合帰還を形成するように、相補形トランジスタ74、75によって構成される。ラッチ回路ループ内の全てのポイントでの電流の変化が増幅し、同じ位相で開始位置に戻るため、この帰還は正である。ラッチ72は、常に2つの状態、つまり開成か閉成のうちの1つの状態で動作する。ラッチ72が開成状態の場合、入力電流がラッチ72を閉成するまで、開成状態が維持される。閉成状態の場合、入力電流又はシステム電圧降下がラッチ72を開成するまで、閉成状態で動作し続ける。
【0019】
ラッチ72を閉成する1つの方法は、トリガパルスをトランジスタ74のベースに与え、このベースを瞬間的に順バイアスすることである。正帰還が大きいため、正帰還する増幅電流は元の入力電流よりもかなり大きい。この時、トランジスタ75のコレクタはベース電流をトランジスタ74に供給し、トリガパルスは必要なくなる。始動後、この動作は持続するため、この動作は再生帰還である。再生帰還は、急速に両トランジスタを飽和状態とし、この時点でループ利得は一単位に降下する。
【0020】
ラッチ72を開成する1つの方法は、負トリガパルスをトランジスタ74のベースに印加し、トランジスタ75を飽和状態から解放することである。この後、再生が引き継ぎ、トランジスタ75が急速にカットオフする。ラッチ72を開成するもう1つの方法は、低電流ドロップアウトである。これは、図2のHRP回路の検知端子1、2の両端電圧を十分に低減することによって、トランジスタ74、75を飽和状態から解放し、カットオフ状態に遷移させることによって起こる。
【0021】
高圧状態の発生とラッチ72の起動との間で、一定の遅延が発生する。特に、キャパシタ84の必要充電時間により、高電圧の発生からラッチ72が起動するまでの時間遅延が発生する。また、ツェナーダイオード78の耐圧により、HRP回路12がラッチ72をトリガする高電圧値が確定される。
【0022】
ゲートインダクタ48を短絡するためにHRP回路12のスイッチング装置86、88がオンする場合、HRP回路12は、ゲート駆動電圧を消滅させて安全器インバータをオフするように、ゲート共振の停止を試みる。しかし不都合なことに、インダクタ48が短絡されても、インダクタ48と直列接続した共振変流器28の2次漏れインダクタンスは、ゲート共振を維持しようとする。これにより、安定器インバータを完全に遮断することはできないため、安定器回路構成部品は完全には保護されない。
【0023】
図3は、ホット再点弧動作中、安定器インバータを完全にオフするために都合よく動作するHRP回路112の好適な実施例を示す。HRP回路112は、検知回路網160、放電破壊回路網170及び遮断回路網180を備える。検知回路網160は、ノード101とノード102との間に直列に接続する一対の背面結合ツェナーダイオード165、166と、ノード101と抵抗器167との間に接続するダイオード161と、陰極がダイオード161の陰極に接続され、陽極がノード102に接続されるダイオード162と、抵抗器167を接合する接合部と放電破壊回路網170との間に接続し、他方の端子が導体173に接続する抵抗器168及びキャパシタ169の並列接続とを有する。
【0024】
放電破壊回路網170は、例えば相補形トランジスタ174、175を有するラッチ装置172を備える。トランジスタ174はpnp装置として、またトランジスタ175はnpn装置として図示され、これらのトランジスタ174、175は、それぞれのベースが他方のコレクタと接続するように結合される。抵抗器176は、トランジスタ174のベースとエミッタとの間に結合され、ツェナーダイオード178は、トランジスタ175のベースとエミッタとの間に結合される。
【0025】
遮断回路網180は、放電破壊回路網170と導体173との間に結合された抵抗器182及びキャパシタ184の並列接続と、ゲート及びソースを相互に接続された2つのNチャンネルMOSFET186、188とを有する。MOSFET186のドレインはノード103の位置にあり、MOSFET188のドレインはノード104の位置にある。図3もまた、装置186の一体型ダイオード187と、装置188の一体型ダイオード189とを示す。一体型ダイオード187、189は、検知機能の実行時に、ダイオード161、162と共に都合よく動作し、回路構成部品の数は図2の場合よりも減少する。
【0026】
HRP回路112は、相互に接続し且つキャパシタ53とインダクタ48との間で接合部に接続するノード101、103を有する図1の安定器10と共に使用される。しかしながら、ノード102、104は相互に接続されず、ノード102はインダクタ48とインダクタ46との間で接合部と接続し、ノード104は安定器インバータの中間、すなわちスイッチング装置22とスイッチング装置24との間の接合部に接続する。その結果、HRP回路112は、3端子機器として効果的であり、検知ノード及び遮断ノード、検知機能及び遮断機能を分離する。
【0027】
都合がよいことには、HRP回路112の動作中、HRP遮断回路180のスイッチング装置186、188が起動された場合、2次漏れインダクタンスを含む全ゲート共振インダクタンスが効果的に短絡し、それによってゲート共振が消滅し、安定器インバータが完全にオフとなる。
【0028】
HRP回路112は、インバータによってランプの放電管に印加される出力電圧の振幅を(例えば、ほぼ2.0kVに)制限するために動作する。更に、主安定器に接続されたHRP回路112は、短時間(例えば、約50マイクロ秒)、パルスのバースト間に所定の間隔(例えば、1秒)をおいて、パルスのバースト(例えば、2.0kV)としての出力電圧を与える。このパルスのバーストは、ランプが点弧可能となるまで十分に冷却される間、ほぼ2kVのコールドスタート電圧で周期的に継続する。
【0029】
HRP回路112は、ホット再点弧中に有効な遮断を確実に実行し、更に標準的なランプウォームアップに干渉することなく再点弧時間を確定するRC回路網を備える。通常のランプウォームアップ動作中に必要とされる高圧パルスの大きさは、ホット再点弧中に必要とされるパルスの大きさに比べてかなり小さい。このため、抵抗器168及びキャパシタ169を備えるRC回路は、キャパシタ169の両端電圧を標準的なランプウォームアップ中にツェナーダイオード178の耐圧まで増大できないように構成されており、これにより、HRP回路112がウォームアップ点弧に影響を与えないことが確実となる。そのため、抵抗器168及びキャパシタ169の値は、所望の再点弧パルス幅によって選択される。その他のRC回路(抵抗器168とキャパシタ169、抵抗器182とキャパシタ184)は、再点弧パルス間の時間間隔を制御するように構成されている。コールドスタートに必要な大きさとほぼ同じ大きさの再点弧パルスによって、アークを点弧するのに十分な程度までランプ14の放電管が冷却された後、アークの点弧は発生する。アークをコールドスタート電圧で再点弧するのに十分な程度まで放電管が冷却されなかった場合、管は冷却し続け、他の再点弧パルスが所定時間間隔後に印加される。
【0030】
ホット再点弧中、キャパシタ169の両端電圧はツェナーダイオード178の耐圧より大きくなり、抵抗器176の両端電圧は増加を開始する。抵抗器176の両端電圧が所定値(例えば、0.7V)を超える場合、スイッチング装置174、175はオンする。装置174のベース電流は増幅し、装置175のベースに供給される。装置175のベース電流は増幅し、装置174のベースに供給される。このため、装置174、175は、ラッチされ、装置174の両端電圧降下及び装置175の両端電圧降下は、ほぼゼロとなる。この方法により、キャパシタ184は、キャパシタ169の両端電圧を検知する。キャパシタ169の両端閾値電圧で、装置186、188はオンとなり、安定器10を遮断するゲート共振回路44を短絡する。
【0031】
安定器の遮断後、キャパシタ169は抵抗器168を介して放電し、キャパシタ184は抵抗器182を介して放電する。キャパシタ184の両端電圧が装置186、188の閾値電圧より低い場合、装置186、188はオフになるため、ゲート共振回路が開放され、安定器が再び発振を開始する。この時、CMHランプが十分に冷却されていれば、安定器始動電圧(例えば、ほぼ2kV)は、HRP回路112によって再度遮断される前にランプを点弧するのに十分に高くなる。しかしながら、CMHランプがまだ高温の場合、安定器は再び遮断され、上記の動作は、ランプが再点弧されるのに十分に冷却されるまで継続する。
【0032】
図4は、HRP回路112に対する、安定器出力電圧200、抵抗器176の両端電圧202、放電破壊回路網170の両端電圧204、キャパシタ184の両端電圧206、キャパシタ169の両端電圧208のシミュレーション結果を示す。
【0033】
本発明の好ましい実施例が示され、説明されたが、これらの実施例が単に例示として提供されていることは明らかである。この発明の趣旨から逸脱せずに、数々の変形、変更及び置換を行えることは、当業者にとっては明らかなことである。従って、本発明は後述する特許請求の範囲によってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 CMHランプの相補形自励発振安定器の概略図。
【図2】 従来のホット再点弧保護回路の概略図。
【図3】 本発明におけるホット再点弧保護回路の実施例の概略図。
【図4】 図3のHRP回路のシミュレーション結果の特性図。
【符号の説明】
10…自励発振ランプ安定器、21…スイッチング変換器、22、24…スイッチング装置、48…制御インダクタ、44…ゲート駆動回路、101…第1の端子、102…第2の端子、103…第3の端子、104…第4の端子、112…ホット再点弧保護回路、160…検知回路網、161、162、168、169、187、189…検知回路、170…放電破壊回路網、174、175、176、178…ラッチ回路、180…遮断回路網、182、184、186、188…スイッチング回路
Claims (14)
- ブリッジ構成のスイッチング装置(22、24)を含むスイッチング変換器(21)を有し、前記変換器を駆動するゲート駆動回路(44)内の制御インダクタ(48)を更に有する形式の自励発振ランプ安定器(10)において、ホット再点弧保護回路(112)は、
第1の端末(101)と第2の端末(102)との間に結合され、前記制御インダクタ(48)の両端電圧を検知する検知回路部(161、162、168、169、187、189)を有する検知回路網(160)と、
前記検知回路網と遮断回路網との間に結合されたラッチ回路部(174、175、176、178)を有する放電破壊回路網(170)と、
第3の端末(103)と第4の端末(104)との間に結合したスイッチング回路部(182、184、186、188)を有する前記ラッチ回路部と結合される遮断回路網(180)とを具備し、
前記ホット再点弧保護回路は、相互に結合され且つ前記制御インダクタの一端に結合される前記第1の端末(101)及び前記第3の端末(103)と、前記制御インダクタの他端に接続される前記第2の端末(102)と、前記変換器の前記スイッチング装置を接合する接合部に接続される前記第4の端末(104)とに前記制御インダクタを介して結合され、前記放電破壊回路網は、前記検知回路網が所定の閾値電圧を超える前記制御インダクタ両端電圧を検知する時に起動され、前記遮断回路網は、ランプの再起動用に再点弧パルスを提供するために、第2の所定の閾値電圧を超える時に前記スイッチング回路部をオンにすることによって起動され、これにより、前記制御インダクタを短絡し、ランプが再起動するのに十分に冷却されるまで前記変換器を停止するホット再点弧保護回路。 - 前記検知回路網(160)は、ダイオード整流回路網(161、162、187、189)を具備する請求項1記載のホット再点弧保護回路。
- 前記検知回路網は、相互の陰極で共に結合され、且つ前記一方のダイオード(161)の陽極が前記第1の端末(101)と、また前記他方のダイオード(162)の陽極が前記第2の端末(102)と結合するように更に結合される一対のダイオード(161、162)を具備し、前記検知回路網は前記スイッチング回路部の一体型ダイオードを更に具備する請求項1記載のホット再点弧保護回路。
- 前記放電破壊回路網は、各ベースが他方のコレクタと接続するように結合する2つの相補形トランジスタ(174、175)を有するラッチ装置(172)を具備し、更に、互いに直列に接続するツェナーダイオード(178)及び抵抗器(176)を具備し、前記ツェナーダイオード及び抵抗器の直列接続は、前記ラッチ装置を介して結合される請求項1記載のホット再点弧保護回路。
- 前記遮断回路は、前記第3の端末と前記第4の端末との間の半ブリッジ構成の一対のスイッチング装置(186、188)を具備し、RC回路(182、184)を更に具備する請求項1記載のホット再点弧保護回路。
- 標準的ランプウォームアップ中に前記遮断回路網が起動するのを回避するために、前記ラッチ回路網の起動前に時間遅延を与えるRC回路を更に具備する請求項1記載のホット再点弧保護回路。
- 再点弧パルス間の時間間隔を制御するタイミング回路部(168〜169、182〜184)を更に具備する請求項1記載のホット再点弧保護回路。
- 共振インダクタンス(30)と共振キャパシタンス(32、34)とを有する共振負荷回路(28)と、
前記共振負荷回路に結合され、前記スイッチング装置間で接合部と結合される制御インダクタ(48)を含む半ブリッジ構成の一対の相補形スイッチング装置(22、24)を有し、前記共振負荷回路の交流電流を誘導するインバータ(21)と、
前記インバータを駆動し、共振インダクタ(30)と結合されたゲート駆動インダクタ(46)を有するゲート駆動回路部(44)と、
第1の端末(101)と第2の端末(102)との間に結合され、前記制御インダクタ(48)の両端電圧を検知する検知回路部(161、162、168、169、187、189)を有する検知回路網(160)と、前記検知回路網と遮断回路網との間に結合されたラッチ回路部(174、175、176、178)を有する放電破壊回路網(170)と、第3の端末(103)と第4の端末(104)との間に結合したスイッチング回路部(186、188)を有する前記ラッチ回路部と結合される遮断回路網(180)とを具備し、相互に結合され且つ前記制御インダクタの一端に結合される前記第1の端末(101)及び前記第3の端末(103)と、前記制御インダクタの他端に接続される前記第2の端末(102)と、前記変換器の前記スイッチング装置を接合する接合部に接続される前記第4の端末(104)とに前記制御インダクタを介して結合され、前記放電破壊回路網が、前記検知回路網が所定の閾値電圧を超える前記制御インダクタ両端電圧を検知する時に起動され、前記遮断回路網が、ランプの再起動用に再点弧パルスを提供するために、第2の所定の閾値電圧を超える時に前記スイッチング回路部をオンにすることによって起動され、これにより、前記制御インダクタを短絡し、ランプが再起動するのに十分に冷却されるまで前記変換器を停止するホット再点弧保護回路とを具備するランプの自励発振安定器(10)。 - 前記検知回路網(160)は、ダイオード整流回路網(161、162、187、189)を具備する請求項8記載の安定器。
- 前記検知回路網は、相互の陰極で共に結合され、且つ前記一方のダイオード(161)の陽極が前記第1の端末(101)と、また前記他方のダイオード(162)の陽極が前記第2の端末(102)と結合するように更に結合される一対のダイオード(161、162)を具備し、前記検知回路網は前記スイッチング回路部の一体型ダイオードを更に具備する請求項8記載の安定器。
- 前記放電破壊回路網は、各ベースが他方のコレクタと接続するように結合する2つの相補形トランジスタ(174、175)を有するラッチ装置(172)を具備し、更に、互いに直列に接続するツェナーダイオード(178)及び抵抗器(176)を具備し、前記ツェナーダイオード及び抵抗器の直列接続は、前記ラッチ装置を介して結合される請求項8記載の安定器。
- 前記遮断回路は、前記第3の端末と前記第4の端末との間の半ブリッジ構成の一対のスイッチング装置(186、188)を具備し、RC回路(182、184)を更に具備する請求項8記載の安定器。
- 標準的ランプウォームアップ中に前記遮断回路網が起動するのを回避するために、前記ラッチ回路網の起動前に時間遅延を与えるRC回路を更に具備する請求項8記載の安定器。
- 再点弧パルス間の時間間隔を制御するタイミング回路部(168〜169、182〜184)を更に具備する請求項8記載の安定器。
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