JP4001661B2 - Wafer mounting table, wafer back surface processing method, exposure apparatus, and spin coating apparatus - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエハ載置台及びウエハ裏面の処理方法に関し、特には露光用ステッパのような半導体装置の製造装置に設けられるウエハ載置台および半導体装置の各製造工程における前処理として行われるウエハ裏面の処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程で用いられる露光用ステッパのステージは、X−Y方向に移動する移動ステージ上にウエハを載置するためのウエハ載置台が設けられている。図8に示すように、このウエハ載置台1は、基台11におけるウエハWの載置面12側に同心円状の吸着溝13が形成され、この吸着溝13の底面に吸引管14が接続された構成になっている。このように構成されたウエハ載置台1では、載置されたウエハWによって吸着溝13が塞がれた状態になる。そして、吸引管14に接続された当該吸着溝13内が陰圧になり、基台11上にウエハWが真空吸着によって固定される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記ウエハ載置台には、以下のような課題があった。すなわち、ウエハ載置台上に載置されるウエハの裏面側には、パーティクルが付着している場合がある。このような場合に、ウエハ載置台上にウエハを載置して真空吸着によって固定すると、図9(図8のA−A’断面図)に示すように、異物aが付着しているウエハW部分に局所的に圧力が加わり、このウエハW部分だけが持ち上げられてしまう。このため、露光時には上記ウエハW部分だけフォーカスがズレ、正常なパターン露光を行うことができないという問題があった。
【0004】
また、露光用ステッパのウエハ載置台だけではなく、例えば回転塗布装置のウエハ載置台でも、上記のようにパーティクルが付着している部分だけウエハが局所的に持ち上げられると、ウエハ上の塗布膜が局所的に薄くなるという問題が発生する。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明は、ウエハ載置台及びウエハ裏面の処理方法であり、特に第1の発明に係るウエハ載置台は、真空吸着によってウエハが固定載置される基台の上面側の表面層を低粘性樹脂で構成することを特徴としている。また、第2の発明に係るウエハ載置台は、挟み込みによってウエハが固定載置される基台上に低粘性樹脂層を設けたことを特徴としている。
【0006】
上記各ウエハ載置台では、ウエハが固定載置される面が低粘性樹脂で構成されることから、基台上に載置されたウエハの裏面側(載置面側)の凹凸形状が当該低粘性樹脂で吸収される。このため、ウエハの裏面側に異物が付着した状態であっても、この異物の付着形状が上記低粘性樹脂に吸収され、ウエハ載置台とウエハとの間に異物が挟まることによる圧力がウエハに加わることはない。したがって、ウエハの表面側は平坦な状態に保たれる。
【0007】
また、本発明の第3の発明に係るウエハ載置台は、ウエハを支持する状態で基台上から突出自在に設けられた支持具を有するウエハ載置台において、上記基台上に接着性材料層を設け、上記支持具を上記接着性材料層から上方に突出自在なものにしたことを特徴としている。そして、本発明のウエハ裏面の処理方法は、上記第3の発明のウエハ載置台を用いたウエハ裏面の処理方法であり、上記支持具を降下させた状態で上記接着性材料層上にウエハを載置し、次に、上記支持具を上昇させて上記接着性材料層上のウエハをこの支持具上に支持させることを特徴としている。
【0008】
上記ウエハ載置台では、基台上に接着性材料層を設け、この接着性材料層から支持具が突出自在に設けられていることから、支持具を接着性材料層内に埋没させた状態ではウエハは接着性材料層上に載置され、支持具を降下させて接着性材料層から突出させた状態ではウエハはこの支持具に支持される。
【0009】
そして、上記ウエハ裏面の処理方法では、接着性材料層上にウエハを載置した後に支持具を上昇させてこのウエハを支持具上に支持させるようにしたことで、ウエハの裏面側に異物が付着している場合にこの異物は接着性材料層に接着され、ウエハの裏面から異物が除去される。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のウエハ載置台及びウエハ裏面の処理方法を適用した実施の形態を図面に基づいて順次説明する。
尚、ここで説明するウエハ載置台は半導体装置の製造工程で用いられる露光装置のステッパステージ上や回転塗布装置に設けられるものであり、ウエハ裏面の処理方法は半導体装置の製造における露光工程や回転塗布による成膜工程の前処理として行われることとする。
【0011】
(第1実施形態)
図1は第1実施形態のウエハ載置台の平面図であり、図2は図1のA−A’断面図である。以下にこれらの図面に基づいて、第1実施形態のウエハ載置台の構成を説明する。図に示すように、第1実施形態のウエハ載置台2は、基台21と、基台21における上面22側に設けられた吸着溝23とを有し、吸着溝23に吸引管24を接続してなる真空吸着式の載置台である。そして、特にこのウエハ載置台2には、基台21の上面側における吸着溝23間に溝25を設け、溝25内に低粘性樹脂26を充填してなる構成になっている。
【0012】
上記ウエハ載置台2の基台21は、例えば熱による収縮が小さい金属材料等で構成されている。そして、上記吸着溝23は、基台21の上面22側に同心円状に設けられており、各吸着溝23の底面に上記吸引管24が接続されている。
【0013】
そして、吸着溝23間に設けられた上記溝25は、基台21の上面22側において同心円状に設けられる。この溝25は、基台21で構成される側壁で完全に吸着溝23と仕切られた状態で設けられることとする。このように溝25を設けてこの内部に低粘性樹脂26を充填することによって、ウエハWを載置した際に溝25から吸着溝23内へのリークを防止して吸着溝23でのウエハWの吸着を確実にすると共に、低粘性樹脂26が基台21の表面層に効率的に配置されるようにする。また、溝25は、できるだけ広い面積で設けられることとする。
また、この溝25内に充填される低粘性樹脂26としては、例えばアクリル樹脂やポリエチレン樹脂のような接着性を有するゲル状の樹脂と、グラスファイバーやフッ素樹脂のような接着性を弱める疎水性の樹脂とを混合したものを用いて好適である。
【0014】
上記構成のウエハ載置台2によれば、基台21上にウエハWを載置することで吸着溝23が塞がれた状態になり、さらに吸引管24からの吸引で吸着溝23内が陰圧になることによって、上記ウエハWが基台21上面に吸着固定される。ここで、ウエハWの裏面(載置面)側に異物aが付着している場合、この異物aは、基台21の表面層の低粘性樹脂26に吸収されるか、または吸着溝23内に吸収される。この際、複数の吸着溝23間のそれぞれに低粘性樹脂26を設けているので、ウエハW裏面の異物aを低粘性樹脂26に効率的に吸収することができる。したがって、ウエハWとウエハ載置台2との間に異物aが挟まれることによって、ウエハWに圧力が加わる可能性を低減できる。このため、ウエハWの裏面に異物aが付着していても、ウエハWの表面にその影響が及ぼされて局所的に盛り上がることが防止され、ウエハWの表面は平坦に保たれる。
【0015】
したがって、このウエハ載置台2を備えた露光装置では、ウエハWの裏面に異物が付着していても、ウエハWの表面の全域で良好なフォーカス状態で露光を行うことができる。また、このウエハ載置台2を備えた回転塗布装置では、ウエハW上の全面で均一な膜厚の塗布膜を成膜することができる。これは、ウエハWの裏面に傷等による除去不可能な凸部が形成されている場合も同様である。また、露光工程前や成膜工程前に異物除去のための洗浄工程を行っていた場合には、この洗浄工程が不必要になり、半導体装置の製造工程が簡略化される。
【0016】
尚、上記低粘性樹脂26には、接着性を持たせても良い。これは、第1実施形態の他の実施の形態になる。この場合、低粘性樹脂26の接着性としては、ウエハWの裏面に低粘性樹脂26が付着しない程度とする。このような接着性を有する低粘性樹脂26としては、例えばアクリル樹脂やポリエチレン樹脂等を用いて好適である。
【0017】
このように、低粘性樹脂26に接着性を持たせたことによって、ウエハ載置台2上からウエハWを取り除いた際に、ウエハWの裏面の上記異物aを低粘性樹脂26に接着させてウエハWの裏面から除去することが可能になる。したがって、ウエハWの搬送系や次工程で用いる製造装置が上記異物aによって汚染されることを防止できる。
【0018】
また、上記ウエハ載置台2は、薄板状に構成しても良い。この薄板状のウエハ載置台には、吸着溝23,これに接続される吸引管24,溝25及びこれに充填される低粘性樹脂26が設けられていることとする。そして、従来の真空吸着式のウエハ載置台(図示省略)上に、吸引管を連通させる状態でこの薄板状のウエハ載置台を載置して使用することとする。これによって、低粘性樹脂26の流動性が損なわれたり、接着性を有する低粘性樹脂26に多くの異物が接着されてその接着性が損なわれた場合、薄板状のウエハ載置台を交換することで、ウエハ載置台2の機能を回復させることができる。
【0019】
(第2実施形態)
図3は、第2実施形態のウエハ載置台の斜視図であり、図4は図3のウエハ載置台にウエハを載置した状態のA−A’断面図である。以下にこれらの図面に基づいて、第2実施形態のウエハ載置台の構成を説明する。図に示すように、ウエハ載置台3は、基台31と、この基台31の上面32から突出した状態で立設された固定ピン33とを有している。そして、特にこのウエハ載置台3には、基台31の上面32上に低粘性樹脂層34が設けられ、上記固定ピン33は低粘性樹脂層34よりも上方に突出して設けられている。さらに、このウエハ載置台3には、ウエハWを支持する状態でこの低粘性樹脂層34上から突出自在に設けられた支持具35を設けても良い。
【0020】
上記基台31は、上記図1及び図2を用いて説明した第1実施形態の基台(21)と同様の材質で構成されており、その上面32は、載置されるウエハWよりも十分に広い面積を有していることとする。
また、上記固定ピン33は、ウエハWの周縁を均等に3分割した位置においてウエハWの周囲から中心方向に向かう状態で基台31に設けられたガイド孔33a内に、それぞれ1本つづ計3本立設されている。そして、各固定ピン33は、低粘性樹脂層34よりも上方に突出して立設された状態を保って、ガイド孔33aに沿ってウエハWの周囲から中心方向に向かって移動自在に設けられている。
【0021】
そして、上記低粘性樹脂層34は、例えば、ウエハWよりも一回り小さい略円形に形成され、基台31上における3本の固定ピン33で囲まれた部分に設けられる。この低粘性樹脂層34は、例えばアクリル樹脂やポリエチレン樹脂のような接着性を有するゲル状の樹脂と、グラスファイバーやフッ素樹脂のような接着性を弱める疎水性の樹脂との混合材料で構成される。そして、低粘性樹脂層34は、容易に交換可能なように、裏面側に接着剤層34aを設けた基材フィルム34bの上面にこの低粘性樹脂層34を設け、接着剤層34aを基台31に接着させることによって基台31上に設けることとする。だだし、交換の手間を考慮する必要のない場合には、低粘性樹脂層34を基台31上に直接設けても良い。
【0022】
さらに、上記支持具35は、例えば3本のピンからなり、各ピンで構成される面上でウエハWを支持するように構成されている。そして、上記低粘性樹脂層34と上記基台31には、この支持具35の突出が可能となるように、支持具35の突出部分に穴パターン36が形成されている。
【0023】
上記構成のウエハ載置台3によれば、支持具35上にウエハWを支持させた状態でこの支持具35を下降させて低粘性樹脂層34内に埋没させることによって、ウエハWが低粘性樹脂層34上に載置される。この状態で、固定ピン33をウエハWの中心方向に向かって移動させていくと、各固定ピン33間にウエハWが挟まれた状態で固定される。ここで、ウエハWの裏面(載置面)側に異物aが付着している場合、この異物aは、低粘性樹脂層34に吸収される。このため、ウエハWとウエハ載置台3との間に異物aが挟まれることによって、ウエハWに圧力が加わることが完全に防止される。したがって、上記第1実施形態のウエハ載置台(2)と同様の効果を得ることができる。しかも、ウエハWを載置した状態では、ウエハWの裏面が殆ど全て低粘性樹脂層34に接触して、ウエハWの裏面の凸形状を完全に吸収することができるため、第1実施形態よりもさらに確実にウエハWの表面を平坦に保つ降下が得られる。
【0024】
尚、上記低粘性樹脂層34には、接着性を持たせても良い。これは、第2実施形態の他の実施の形態になる。この場合、低粘性樹脂層34の接着性としては、ウエハWの裏面に低粘性樹脂が付着しない程度で、かつ接着剤層34aよりも接着力が弱いこととする。このような接着性を有する低粘性樹脂層34を構成する物質としては、例えばアクリル樹脂やポリエチレン樹脂等を用いて好適である。
【0025】
このように、低粘性樹脂層34に接着性を持たせたことによって、上記第1実施形態と同様に、ウエハの搬送系や次工程で用いる製造装置が上記異物aによって汚染されることを防止できる。
【0026】
(第3実施形態)
図5は、第3実施形態のウエハ載置台の斜視図であり、図6は図5のウエハ載置台にウエハを載置した状態のA−A’断面図である。以下にこれらの図面に基づいて、第3実施形態のウエハ載置台の構成を説明する。図に示すように、ウエハ載置台4は、基台41と、ウエハWを支持する状態でこの基台41の上面42上から突出自在に設けられた支持具43とを有している。そして、特にこのウエハ載置台4には、基台41の上面42上に接着性材料層44が設けられ、上記支持具43はこの接着性材料層44から上方に突出自在となっている。
【0027】
上記基台41は、上記図1及び図2を用いて説明した第1実施形態の基台(21)と同様の材質で構成されており、その上面42は、載置されるウエハWよりも十分に広い面積を有していることとする。
また、上記支持具43は、例えば3本のピンからなり、各ピンで構成される面上でウエハWを支持するように構成されている。そして、上記基台41及び接着性材料層44には、この支持具43が基台41の上面42から突出自在となるように、支持具43の突出部分に穴パターン45が形成されている。
【0028】
そして、上記接着性材料層44は、載置されるウエハよりも十分に広い面積を有していることとする。この接着性材料層44は、ウエハWの裏面に接着性材料が付着しない程度の接着性を有することとし、例えばアクリル樹脂やポリエチレン樹脂で構成される。そして、接着性材料層44は、容易に交換可能なように、裏面側に接着剤層44aを設けた基材フィルム44bの上面にこの接着性材料層44を設け、接着剤層44aを基台41に接着させることによって基台41上に設けることとする。この場合、接着性材料層44よりも接着剤層44aの接着力のほうが強力であることとする。だだし、交換の手間を考慮する必要のない場合には、接着性材料層44を基台41上に直接設けても良い。
【0029】
上記構成のウエハ載置台4によれば、基台41上に接着性材料層44を設け、この接着性材料層44から支持具43を突出自在に設けたことで、支持具43を接着性材料層44内に埋没させた状態ではウエハWは接着性材料層44上に載置され、支持具43を接着性材料層44から突出させた状態ではウエハWはこの支持具43によって支持される。
【0030】
図7は、上記第3実施形態のウエハ載置台4を用いたウエハ裏面の処理方法を説明する断面工程図である。以下に、ウエハ裏面の処理方法の実施の形態を説明する。先ず、図7(1)に示すように、ウエハ載置台4の支持具43を上昇させて接着性材料層44から突出させた状態にする。次に、ウエハWの裏面を接着性材料層44に対向させる状態で、このウエハWを支持具43上に支持させる。
【0031】
この際、ウエハWを搬送するための搬送アーム5を用い、搬送アーム5上に載置したウエハWを支持具43上に搬送して載置することとする。この搬送アーム5の上面には、接着性材料層51が設けられている。この接着性材料層51は、ウエハ載置台4の接着性材料層44と同様のものとする。
【0032】
次いで、図7(2)に示すように、搬送アーム(5)をウエハW下から抜き出した後、支持具43を下降させて接着性材料層44内に埋没させる。これによって、ウエハWを接着性材料層44上に載置し、ウエハWの裏面を接着性材料層44に接着させる。
【0033】
その後、図7(3)に示すように、支持具43を上昇させ、接着性材料層44上に載置されたウエハWを、接着性材料層44上から支持具43上に支持させる。
以降、必要に応じて支持具43の下降と上昇とを繰り返し行うことによって、ウエハ裏面の処理を行う。
【0034】
そして、ウエハ裏面の処理が終了した後、支持具43に支持されたウエハW下に搬送アーム(5)を差し入れ、この搬送アーム(5)によってウエハWを次工程の製造装置のウエハ載置台上に搬送する。
【0035】
上記ウエハ裏面の処理方法によれば、図7(2)に示したように接着性材料層44上にウエハWを載置することで、ウエハWの裏面側に異物aが付着している場合、この異物aを接着性材料層44に接着させることができる。そして、接着性材料層44上にウエハWを載置した後に、支持具43を上昇させてこのウエハWを支持具43上に支持させるようにしたことで、上記異物aを接着性材料層44に接着させたまま当該接着性材料層44上に残し、ウエハWの裏面から異物aを除去することができる。
【0036】
したがって、次にこのウエハWが搬送される製造装置では、ウエハWの裏面への異物aの付着による影響を考慮することなくウエハWの処理を行うことが可能になる。また、ウエハWの搬送系や次工程で用いる製造装置が上記異物aによって汚染されることを防止できる。
【0037】
また、上記搬送アーム5にも接着性材料層51を設けたことで、この搬送アーム5によってもウエハWの裏面の異物aを除去することができる。
【0038】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のウエハ載置台によれば、ウエハが固定載置される面を低粘性樹脂で構成したことによって、ウエハ載置台とウエハとの間に異物が挟まることによる圧力を上記低粘性樹脂で吸収させてウエハの表面側を平坦な状態に保つことが可能になる。このため、例えばこのウエハ載置台を備えた露光装置ではウエハの全面で良好なフォーカスを保って露光を行うことが可能になり、回転塗布装置ではウエハの全面上で均一な膜厚の塗布膜を得ることが可能になる。
【0039】
また、本発明のウエハ載置台は、基台上から突出自在に設けられたウエハ用の支持具を有するウエハ載置台において、上記基台上に接着性材料層を設けたことで、接着性材料層に対してウエハ裏面の接着剥離を自在に行うことが可能になる。そして、このウエハ載置台を用いた請求項6記載のウエハ裏面処理方法では、接着性材料層上にウエハを載置した後に、支持具を上昇させてこの支持具上にウエハを支持させることで、ウエハの裏面側に付着した異物を接着性材料層に接着させてウエハの裏面からこの異物を除去することが可能になる。このため、次の工程ではウエハ裏面の異物の影響を考慮することなく当該ウエハの処理を行うことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態のウエハ載置台の上面図である。
【図2】図1のA−A’断面図である。
【図3】第2実施形態のウエハ載置台の斜視図である。
【図4】図3のA−A’断面図である。
【図5】第3実施形態のウエハ載置台の斜視図である。
【図6】図5のA−A’断面図である。
【図7】第3実施形態のウエハ載置台によるウエハ裏面の処理方法を示す工程図である。
【図8】従来のウエハ載置台の一例を示す上面図である。
【図9】図8のA−A’断面図である。
【符号の説明】
2,3,4 ウエハ載置台
21,31,41 基台
22,32,42 上面
23 吸着溝
24 吸引管
25 溝
26 低粘性樹脂
33 固定ピン
34 低粘性樹脂層
43 支持具
44 接着性樹脂層
W ウエハ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a wafer mounting table and a wafer back surface processing method, and more particularly to a wafer mounting table provided in a semiconductor device manufacturing apparatus such as an exposure stepper and a wafer back surface performed as a pre-process in each manufacturing process of the semiconductor device. It relates to the processing method.
[0002]
[Prior art]
A stage of an exposure stepper used in a semiconductor device manufacturing process is provided with a wafer mounting table for mounting a wafer on a moving stage that moves in the XY direction. As shown in FIG. 8, the wafer mounting table 1 has a
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, the wafer mounting table has the following problems. That is, particles may adhere to the back side of the wafer placed on the wafer placement table. In such a case, when the wafer is mounted on the wafer mounting table and fixed by vacuum suction, as shown in FIG. 9 (cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 8), the wafer W to which the foreign matter a is attached. A pressure is locally applied to the portion, and only the wafer W portion is lifted. For this reason, there has been a problem that during the exposure, only the portion of the wafer W is out of focus, and normal pattern exposure cannot be performed.
[0004]
Further, not only the wafer mounting table of the exposure stepper, but also the wafer mounting table of the spin coater, for example, when the wafer is locally lifted only on the part where the particles are adhered as described above, the coating film on the wafer is formed. The problem of thinning locally occurs.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The present invention for solving the above problems is a wafer mounting table and a method for processing a wafer back surface. In particular, the wafer mounting table according to the first invention is a top surface side of a base on which a wafer is fixedly mounted by vacuum suction. The surface layer is made of a low-viscosity resin. The wafer mounting table according to the second invention is characterized in that a low-viscosity resin layer is provided on a base on which a wafer is fixedly mounted by sandwiching.
[0006]
In each of the above wafer mounting tables, since the surface on which the wafer is fixedly mounted is made of a low-viscosity resin, the uneven shape on the back surface side (mounting surface side) of the wafer mounted on the base is low. Absorbed with viscous resin. For this reason, even when foreign matter is attached to the back side of the wafer, the adhesion shape of the foreign matter is absorbed by the low-viscosity resin, and the pressure caused by foreign matter sandwiched between the wafer mounting table and the wafer is applied to the wafer. There is no participation. Therefore, the surface side of the wafer is kept flat.
[0007]
The wafer mounting table according to a third aspect of the present invention is a wafer mounting table having a support provided so as to be able to protrude from the base while supporting the wafer, and an adhesive material layer on the base. And the support is made to protrude upward from the adhesive material layer. The wafer back surface processing method of the present invention is a wafer back surface processing method using the wafer mounting table of the third invention, and the wafer is placed on the adhesive material layer in a state where the support is lowered. Next, the support tool is raised and the wafer on the adhesive material layer is supported on the support tool.
[0008]
In the wafer mounting table, an adhesive material layer is provided on the base, and a support tool is provided so as to protrude freely from the adhesive material layer. Therefore, in a state where the support tool is buried in the adhesive material layer, The wafer is placed on the adhesive material layer, and the wafer is supported by the support in a state where the support is lowered and protruded from the adhesive material layer.
[0009]
In the wafer back surface processing method, after the wafer is placed on the adhesive material layer, the support is lifted so that the wafer is supported on the support, so that foreign matter is present on the back side of the wafer. When adhered, the foreign matter is adhered to the adhesive material layer, and the foreign matter is removed from the back surface of the wafer.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments to which a wafer mounting table and a wafer back surface processing method of the present invention are applied will be sequentially described with reference to the drawings.
The wafer mounting table described here is provided on a stepper stage of an exposure apparatus used in the manufacturing process of a semiconductor device or in a spin coating apparatus, and the wafer back surface processing method is an exposure process or rotation in the manufacture of a semiconductor device. Suppose that it is performed as a pretreatment of a film forming process by coating.
[0011]
(First embodiment)
FIG. 1 is a plan view of the wafer mounting table of the first embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. The configuration of the wafer mounting table of the first embodiment will be described below based on these drawings. As shown in the drawing, the wafer mounting table 2 of the first embodiment has a
[0012]
The
[0013]
The
Further, as the low-
[0014]
According to the wafer mounting table 2 configured as described above, the
[0015]
Therefore, in the exposure apparatus provided with the wafer mounting table 2, exposure can be performed with a good focus state over the entire surface of the wafer W even if foreign matter adheres to the back surface of the wafer W. Further, in the spin coater provided with the wafer mounting table 2, a coating film having a uniform film thickness can be formed on the entire surface of the wafer W. The same applies to a case where a non-removable convex portion due to scratches or the like is formed on the back surface of the wafer W. In addition, when a cleaning process for removing foreign matters is performed before the exposure process or the film forming process, this cleaning process becomes unnecessary, and the manufacturing process of the semiconductor device is simplified.
[0016]
Note that the low-
[0017]
As described above, since the low-
[0018]
The wafer mounting table 2 may be configured in a thin plate shape. The thin plate-like wafer mounting table is provided with a
[0019]
(Second Embodiment)
FIG. 3 is a perspective view of the wafer mounting table of the second embodiment, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in a state where the wafer is mounted on the wafer mounting table of FIG. The configuration of the wafer mounting table of the second embodiment will be described below based on these drawings. As shown in the figure, the wafer mounting table 3 includes a
[0020]
The
In addition, one fixing
[0021]
The low-
[0022]
Further, the
[0023]
According to the wafer mounting table 3 having the above-described configuration, the wafer W is lowered and buried in the low-
[0024]
Note that the low-
[0025]
As described above, the adhesion to the low-
[0026]
(Third embodiment)
FIG. 5 is a perspective view of the wafer mounting table of the third embodiment, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in a state where the wafer is mounted on the wafer mounting table of FIG. The configuration of the wafer mounting table of the third embodiment will be described below based on these drawings. As shown in the figure, the wafer mounting table 4 includes a
[0027]
The
Further, the
[0028]
The
[0029]
According to the wafer mounting table 4 configured as described above, the
[0030]
FIG. 7 is a cross-sectional process diagram illustrating a wafer back surface processing method using the wafer mounting table 4 of the third embodiment. In the following, an embodiment of a wafer back surface processing method will be described. First, as shown in FIG. 7A, the
[0031]
At this time, the
[0032]
Next, as shown in FIG. 7 (2), after the transfer arm (5) is extracted from under the wafer W, the
[0033]
Thereafter, as shown in FIG. 7 (3), the
Thereafter, the wafer back surface is processed by repeatedly lowering and raising the
[0034]
Then, after the processing of the wafer back surface is completed, the transfer arm (5) is inserted under the wafer W supported by the
[0035]
According to the processing method for the back surface of the wafer, when the wafer W is placed on the
[0036]
Therefore, in the next manufacturing apparatus in which the wafer W is transferred, the wafer W can be processed without considering the influence of the foreign matter a attached to the back surface of the wafer W. Further, it is possible to prevent the wafer W transfer system and the manufacturing apparatus used in the next process from being contaminated by the foreign matter a.
[0037]
In addition, since the
[0038]
【The invention's effect】
As described above , according to the wafer mounting table of the present invention, the surface on which the wafer is fixedly mounted is made of low-viscosity resin, so that the pressure caused by foreign matter sandwiched between the wafer mounting table and the wafer is reduced. By absorbing with the low viscosity resin, it becomes possible to keep the surface side of the wafer flat. For this reason, for example, in an exposure apparatus equipped with this wafer mounting table, it becomes possible to perform exposure while maintaining a good focus on the entire surface of the wafer, and in a spin coating apparatus, a coating film having a uniform film thickness is formed on the entire surface of the wafer. It becomes possible to obtain.
[0039]
Further, the wafer mounting table of the present invention is a wafer mounting table having a wafer support provided so as to be protruded from the base table, and an adhesive material layer is provided on the base table, whereby an adhesive material is provided. It is possible to freely peel and peel the wafer back surface from the layer. In the wafer back surface processing method according to claim 6, wherein the wafer mounting table is used, after the wafer is placed on the adhesive material layer, the support is raised to support the wafer on the support. It becomes possible to remove the foreign matter from the back side of the wafer by adhering the foreign matter attached to the back side of the wafer to the adhesive material layer. Therefore, in the next process, the wafer can be processed without considering the influence of foreign matter on the back surface of the wafer.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a top view of a wafer mounting table according to a first embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG.
FIG. 3 is a perspective view of a wafer mounting table according to a second embodiment.
4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
FIG. 5 is a perspective view of a wafer mounting table according to a third embodiment.
6 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
FIG. 7 is a process diagram illustrating a wafer back surface processing method by a wafer mounting table according to a third embodiment;
FIG. 8 is a top view showing an example of a conventional wafer mounting table.
FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
[Explanation of symbols]
2, 3, 4 Wafer mounting table 21, 31, 41
Claims (6)
前記基台の上面側における前記吸着溝間に設けられた溝と、前記溝内に充填された接着性を有する低粘性樹脂と、
を備えており、
前記吸着溝と前記溝との間には前記基台で構成される側壁が設けられていることを特徴とするウエハ載置台。In a wafer mounting table having a base and an adsorption groove provided on the upper surface side of the base and connected to the suction pipe,
A groove provided between the adsorption grooves on the upper surface side of the base, and a low-viscosity resin having adhesiveness filled in the groove;
Equipped with a,
A wafer mounting table, wherein a side wall composed of the base is provided between the suction groove and the groove .
前記低粘性樹脂は、ゲル状の樹脂と、疎水性の樹脂とを混合したものを含むことを特徴とするウエハ載置台。The wafer mounting table according to claim 1,
The low-viscosity resin includes a mixture of a gel-like resin and a hydrophobic resin.
前記低粘性樹脂は、アクリル樹脂、またはポリエチレン樹脂を含むことを特徴とするウエハ載置台。The wafer mounting table according to any one of claims 1 and 2,
The low-viscosity resin includes an acrylic resin or a polyethylene resin.
前記ウエハ載置台から前記ウエハを取り除く工程とを有することを特徴とするウエハ裏面の処理方法。A step of mounting a wafer on the wafer mounting table according to claim 1 ;
And a step of removing the wafer from the wafer mounting table.
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