JP3995515B2 - X線反射装置 - Google Patents
X線反射装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3995515B2 JP3995515B2 JP2002110785A JP2002110785A JP3995515B2 JP 3995515 B2 JP3995515 B2 JP 3995515B2 JP 2002110785 A JP2002110785 A JP 2002110785A JP 2002110785 A JP2002110785 A JP 2002110785A JP 3995515 B2 JP3995515 B2 JP 3995515B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- angle
- range
- array
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/36—Measuring spectral distribution of X-rays or of nuclear radiation spectrometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
- G01B15/02—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring thickness
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/201—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials by measuring small-angle scattering
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
- G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/02—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators
- G21K1/04—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators using variable diaphragms, shutters, choppers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/045—Electrodes for controlling the current of the cathode ray, e.g. control grids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
- H01J35/112—Non-rotating anodes
- H01J35/116—Transmissive anodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は分析機器に係り、具体的にはX線を用いた薄膜分析機器および手法に関する。
【0002】
【従来の技術】
X線反射装置(XRR)は基板上に積層された薄膜層の膜厚、密度、表面の性質を測定するためのよく知られた技法である。通常のX線反射装置は沢山の会社、中でもテクノス (日本、大阪)、Siemens社(Munich、Germany)、Bede Scientific Instrument 社(Durham、UK)から販売されている。それらの反射装置は一般的に試料にかすめ角、すなわち試料の表面から微小な角度、試料の外部からの全反射角に近い角度でX線ビームを照射する仕組みである。試料から反射したX線強度を角度の関数として測定すると干渉縞パターンが見られ、この干渉縞を解析する事で干渉縞の原因となっている薄膜層の特性を決定する事ができる。X線強度測定は通例、比例計数器またはフォトダイオードアレイや電荷結合素子(CCD)が典型的な例としてあげられるアレイ検出器などの位置敏感型検出器を用いて行われる。
【0003】
薄膜の膜厚を決定するためのX線データ解析手法は例えば、Komiyaらの米国特許第5,740,226号に開示されている。また、この特許に言及することをもって本明細書の一部とする。X線の反射率を角度の関数として測定した後、平均反射率曲線が干渉縞スペクトル(fringe spectrum)に適用される。平均曲線は減衰、背景と薄膜表面の粗さを表す式に基づいている。適用された平均反射率曲線は干渉縞スペクトルの振動する成分を抜き出すのに用いられる。この成分はフーリエ変換することにより薄膜の膜厚が判明する。
【0004】
反射率測定に基づいたX線膜厚測定器はKoppelの米国特許第5,619,548号に開示されている。また、この特許に言及することをもって本明細書の一部とする。曲線反射X線モノクロメーターは試料の表面にX線の焦点を結ぶために用いられる。フォトダイオード検出器アレイのような位置検出器は表面から反射したX線を検出し、反射角の関数として強度信号を発生する。角度に依存している信号を分析することで膜厚、密度、表面の粗さを含む試料の薄膜層構造を測定することができる。Bartonの米国特許第5,923,720号にも曲線結晶モノクロメーターに基づいたX線反射装置が開示されている。また、この特許に言及することをもって本明細書の一部とする。モノクロメーターはテーパー状の対数状のらせん形をしており、試料表面上で従来技術に基づくモノクロメーターよりも細かい焦点を実現するものとして記載されている。試料の表面から反射または回折したX線は位置検出器で受信される。
【0005】
さまざまなタイプの位置検出X線検出器が反射装置技術として知られている。固層アレイは一般的にCCDやほかのスキャニング機構で読み取られる多数の検出要素から成る。一般的に、各要素は読み取りが終わる前までの時間の間にも光電荷を蓄積するのでそれゆえに入射X線の光子数やエネルギーを決定する事ができない。単純に各要素の入射である輻射束の総和を記録するアレイに基づくXXRシステムという技術が知られている。通常、全反射角以下の角度からの信号はそれ以上の角度の信号よりも強くなっている。一般的には0°から3°の間の反射では光子束で105に対して107の比率となる。アレイ検出装置の技術で知られているダイナミックレンジはこの比率よりだいぶ小さくなっている。それゆえ、高入射角での高次元の干渉縞は一般的に検出することができなかった。これらの角度での微弱な信号を測定するためには光子数計測できるくらいの感度が必要となる。
【0006】
X線薄膜測定システムの技術としてのさらなる障害は空間解像度の欠如である。前述した曲線モノクロメーターのようなX線光学では、X線ビームを直径が100μm以下のスポットに焦点をあわすことができる。表面に低角度でビームが入射するとき、例えば1°以下ならば表面上のスポットは、その直径の50倍以上に細長くなる。こういった状況下での測定からは全体が細長い領域上での平均的な表面特性しか得られない。集積回路ウェアハ上の薄膜の微細構造の評価作業のような、より多くの応用のためによりよい空間解像度が必要である。
【0007】
本明細書では主に試料へ単色ビームを照射するシステムに関係しているが、X線反射装置の技術として他の方法も知られている。例えばそのような方法の一つがChibaによりJournal of Applied Cyrstallography 22 (1989) のp.460に「New Apparatus for Grazing X-ray Reflectometry in the Angle-Resolved Dispersive Mode」という題の記事で記述されている。この特許に言及することをもって本明細書の一部とする。細いX線ビームが試料の表面にかすめ角で向けられており、X線ビーム供給源の向かい側には反射X線を収集する検出器が置かれている。一次X線ビームを遮り、反射したX線ビームだけが検出器に届くようにサンプルの表面近くにナイフエッジがおかれている。検出器に到達する反射X線ビームの波長はサンプルと検出器の間(米国特許第5,619,548号のようにX線源とサンプル間ではなく)におかれたモノクロメーターにより選択する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、X線分析による測定、特に薄膜特性の測定のための改良した方法及び装置を提供することである。
【0009】
本発明のいくつかの実施態様の更なる目的は、ダイナミックレンジを拡大したX線反射装置のためのシステムを提供することである。
【0010】
本発明のいくつかの実施態様の更なる目的は、改善された空間解像度を有するX線微少分析のための装置を提供することである。
【0011】
本発明のいくつかの実施態様の更なる目的は、改善されたS/N比を有するX線反射率の測定をするための装置を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の好適な実施例では、X線反射装置を用いて、通常は半導体ウエハである試料の表面の薄膜の特性を決定する。試料は、その表面の小さなスポットに集光されるX線の単色ビームによって照射される。表面から反射されたX線は、好ましくはCCDアレイである検出アレイに入射する。アレイの各検出要素は、表面からの異なった反射角度に対応する。検出要素に蓄積された電荷は、クロック信号によってアレイからプロセッサに送られる。プロセッサは、角度の関数として表面から反射されたX線の強度に対応する干渉縞パターンを作り出す電荷を分析する。システムのX線源、光学素子、及び処理回路は、高いS/N比及び広いダイナミックレンジを達成するべく配置されており、それによって高次の干渉縞が反射された信号に含まれる。プロセッサは、密度、膜厚、表面の粗さを含む薄膜特性の物理的モデルに基づいて干渉縞パターンを分析する。広いダイナミックレンジによって、薄膜層の表層のみならず、試料の表面の下側の1或いは複数の層の特性を正確に決定することができる。
【0013】
本発明の背景の部分で説明したように、X線反射装置システムにおける大きな問題点の1つは、低角(0°近く)における表面反射率が高角における表面反射率より著しく大きいことである。検出アレイに入射する低角X線の強いフラックスは、全バックグラウンドレベルを上昇させる傾向にあり、それによって高角の弱いフラックスを検出することが困難となる。この問題に取り組むために、本発明のいくつかの好適な実施例では、システムは、低角検出位置及び高角検出位置を有する動的なシャッターを含む。低角位置では、シャッターは、X線源からのX線のビーム全てが試料に衝当する。高角位置では、シャッターは低角のX線を遮断する。その結果、強い低角の反射が排除され、それによって検出器におけるバックグラウンドレベルが低減され、高角における有用な信号を得ることができる。プロセッサは、シャッターの低角位置において検出器によって受け取られた信号とシャッターの高角位置において検出器によって受け取られた信号とを継ぎ合わせ(stitches together)、広いダイナミックレンジを有する1つの干渉縞スペクトルを生成する。
【0014】
検出圧アレイに関連する読み出し回路及びハウジングは、高角の要素におけるバックグラウンドレベルを低減するように設計されるのが好ましい。アレイから回路に送られる出力信号が、高角の反射を受け取るアレイの端部に隣接するように、CCDアレイが読み出し回路に接続されるのが最も好ましい。この構成では、高角のアレイ要素が始めに読み出され、低角要素から転送されるバックグラウンド電荷によって読み出しが汚染される前に、高角のアレイ要素が受け取る弱い信号を正確に読み出すことができる。追加或いは別法として、検出アレイは、アレイの前面からアレイとサンプルとの間のかなりの距離離間したX線透過窓によって閉じられ、真空にされたエンクロージャによって保護されている。その結果、窓によって散乱される低角X線、及びアレイの前面の付近の空気によって散乱される低角X線がかなり低減されるため、高角要素におけるバックグラウンドのレベルが低下する。
【0015】
試料の表面のスポットに入射するX線の大きさを小さくし、かつ低入射角における過度に強い信号を低減するための別の方法は、本発明の好適な実施例では、動的なナイフエッジを表面上に配置する。動的なナイフエッジは、上記した動的なシャッターと共に動作するのが好ましい。低角入射を測定する場合は、ナイフエッジを表面に近接するように下げ、入射X線ビームを遮断し、表面のスポットの横方向の寸法を短くするようにする(すなわち、ビームの軸に概ね平行な表面に沿った方向における寸法)。動的シャッターを用いた高角入射を測定する場合は、ナイフエッジをX線経路の上方に上げ、X線ビームの全強度を利用できるようにするのが好ましい。このようにナイフエッジを動作させることによって、高角においても高い強度を維持しつつ、スポットの横方向の寸法が最も細長くなる低角においても高い空間解像度で測定が可能となる。
【0016】
本発明のいくつかの好適な実施例では、プロセッサは検出アレイの出力を分析して、高い強度(通常は低角)における各検出要素に対する全X線フラックスを決定するとともに、低い強度(高角)における検出要素あたりの個々のX線光子を効果的にカウントする。本願発明者らは、既知のエネルギーであるX線光子は、高光子フラックスの一部として光子が入射すると、検出要素に所定の平均電荷を生成し、低光子フラックスの一部として光子が入射すると、隣接する2つの検出要素に広がり得る低い平均電荷を生成することを見出した。アレイの出力を分析するために、プロセッサはまず、高X線フラックスが入射する各検出要素に入射する光子の数を、これらの検出要素に蓄積された全電荷を高フラックス平均電荷で除して決定するのが好ましい。次に、プロセッサが、低フラックス電荷に相当する電荷レベルを有する個々の要素或いは対の要素を、残っている検出要素において検索する。プロセッサは、このような各要素或いは対の要素に対して1つの光子カウントを記録する。この技術によって、CCDアレイなどの1つの検出アレイを用いて、集中フラックス及び光子カウントの測定を両方同時に行い、システムが反射干渉縞のパターンを測定できるダイナミックレンジをさらに広くすることができる。
【0017】
本発明のいくつかの好適な実施例では、当分野で知られているようにパルスX線源を用いて試料を照射する。検出アレイをパルス源と同期してゲート制御し、好ましくは、パルス源が放射する直前にアレイ要素によって蓄積された電荷を消失させ、次にパルスを励起した直後に各要素を読み出すようにする。この方式では、検出アレイの出力に対する熱雑音などの定常状態のバックグラウンドノイズが、アレイのゲーティング・デューティーサイクルに比例して低減される。一方、X線源の平均電力が、パルスモードにおいて従来の定常波(CW)動作と同じであれば、検出アレイからの全信号出力が同一に維持される。この方式では、システムのS/N比が著しく改善される。
【0018】
本発明の好適な実施例は、薄膜、具体的には半導体ウエハ上のX線反射率測定に関するが、本発明の原理は、その他のX線反射率計への適用でき、またその他の種類の放射線を利用した分析にも同様に利用することができる。
【0019】
従って、本発明の好適な実施例に従って反射装置を提供する。この反射装置は、試料の表面に対して一定範囲の角度に渡って放射線を前記試料に照射するように構成された放射線源と、前記範囲の角度に渡って前記試料から反射された放射線を受け取るように配置され、前記放射線に応答する信号を生成するための検出アセンブリと、前記放射線を遮断するように調節可能に配置されたシャッターであって、前記範囲の角度の低角領域の放射線を遮断し、それによって前記範囲の高角領域の反射された放射線のみが前記アレイに到達できるようにする遮断位置と、前記範囲の低角領域の放射線が遮断されずに実質的に前記アレイに到達する開放位置とを有する、該シャッターとを含む。
【0020】
好ましくは、前記放射線がX線を含み、前記範囲の低角領域が、前記表面から前記放射線が全反射する臨界角より低い角度を含む。
【0021】
さらに好ましくは、前記反射された放射線が、角度の関数として薄膜層による強度の変化で特徴付けられ、前記シャッターが遮断位置にある場合、前記範囲の角度の高角領域の反射された放射線に応答して前記検出アセンブリによって生成された前記信号が、前記シャッターが前記開放位置にある場合のバックグラウンドレベルより低減されたバックグラウンドレベルを有する。好適な実施例では、前記試料が1或いは複数の薄膜層を含み、前記強度の変化が振動パターンを含む。最も好ましくは、装置が、前記検出アセンブリからの信号を受け取るように接続され、前記1或いは複数の薄膜層の1或いは複数の特性を決定するべく前記振動パターンを分析するためのプロセッサを含む。
【0022】
追加或いは別法として、前記振動パターンが、前記試料の表面における前記薄膜層の外側の層から前記放射線が全反射される臨界角近傍で生じる第1の肩部を含み、前記1或いは複数の特性が、前記外側の薄膜層の密度を含み、前記プロセッサが、任意の他の特性に関わりなく、前記肩部に対応する前記外側の薄膜層の密度を推定するように構成されている。
【0023】
さらなる追加或いは別法として、前記検出器アレイが検出要素のアレイを含み、前記信号が、前記要素に入射した前記放射線の光子によって前記検出器アレイに蓄積されたそれぞれの電荷を表し、前記プロセッサが、前記それぞれの電荷に応答して前記要素のそれぞれに入射した光子の数を推定するように構成されている。
【0024】
好ましくは、前記検出アセンブリが、前記シャッターが前記開放位置にある第1の集積時間に渡って、および前記シャッターが前記遮断位置にある前記第1の集積時間より相当長い第2の集積時間に渡って、前記放射線を受け取るように構成されており、前記検出アセンブリからの前記信号を受け取るように接続され、前記第1の集積時間中に前記検出アセンブリによって生成された信号と前記第2の集積時間中に前記検出アセンブリによって生成された信号とを組み合わせて、前記範囲の全角度に渡って強度の変化を生成するように構成されたプロセッサを含む。
【0025】
好ましくは、前記検出アセンブリが、前記角度の範囲の低い領域の角度で前記試料から反射された放射線を受け取るように配置された第1の要素と、前記範囲の角度の高い領域の角度で前記試料から反射された放射線を受け取るように配置された最後の要素とを含む検出要素のアレイを含む。最も好ましくは、前記検出アセンブリが読み出し回路および電荷結合素子(CCD)を含み、前記CCDが、前記読み出し回路に接続された出力を有し、前記放射線に応答して前記検出要素によって生成された電荷を、前記検出要素の前記最後の要素からアレイに沿って逐次前記出力に転送するように接続されている。
【0026】
好ましくは、前記放射線源が、前記試料上のスポットに照射するように構成されており、前記シャッターが前記開放位置にあるときに前記放射線の一部を遮断して前記スポットの寸法を小さくするように調節可能に配置されたナイフエッジをさらに含む。最も好ましくは、前記放射線がX線を含み、前記範囲が前記表面から前記放射線が全反射する臨界角近傍の角度を含み、前記ナイフエッジを前記スポットの寸法を1mm以下と小さくするように配置可能である。
【0027】
本発明の好適な実施例に従って、放射線検出装置を提供する。この放射線検出装置は、検出要素のアレイを含む検出アセンブリであって、所定の範囲の角度に渡って放射されたX線光子を受け取るように配置され、前記検出要素に入射した光子によって前記検出要素に蓄積されたそれぞれの電荷を表す信号を生成する、該検出アセンブリと、前記検出アセンブリからの前記信号を受け取るように接続されたプロセッサであって、前記信号に応答して、前記各要素に光子の高いフラックス或いは光子の低いフラックスの何れかが入射したかを決定し、前記各要素に入射した光子の数を、前記高フラックスが入射した前記要素によって蓄積された電荷を高フラックス平均電荷で除し、前記低フラックスが入射した前記要素によって蓄積された電荷を前記高フラックス平均電荷とは相当異なる低フラックス平均電荷で除して推定する、該プロセッサとを含む。
【0028】
好ましくは、前記低フラックスを、電荷が蓄積される所定時間に1個以下の光子が前記1つの要素に入射する場合の前記1つの要素への入射とする。最も好ましくは、前記低フラックスが前記要素に入射した場合、前記プロセッサが、相互に隣接する一対の要素によって蓄積された電荷を前記低フラックス平均電荷で除して、前記一対の要素の1つの要素に1つの光子が入射したか否かを決定するように構成されている。
【0029】
追加或いは別法として前記検出アセンブリが、前記高フラックスが前記範囲の低角領域の角度で前記要素に入射し、前記低フラックスが前記範囲の高角領域の角度で前記要素に入射するように角度の関数として反射された光子のフラックスの変化によって特徴づけられる、前記範囲の角度に渡って試料から反射されるX線光子を受け取るように構成されている。
【0030】
本発明の好適な実施例に従って、さらに検出アセンブリを提供する。この検出アセンブリは、放射線を受け取るように配置され、その放射線に応答して信号を生成する検出要素のアレイであって、第1の要素及び最後の要素を含み、前記第1の要素と前記最後の要素との間の距離によって画定される長さを有する、該検出要素のアレイと、前記アレイの前記長さに少なくとも等しい距離離間した前面と後面とを有する真空にすることが可能なエンクロージャであって、前記アレイが前記エンクロージャの前記後面に配置され、前記放射線が透過して前記アレイに衝当するように形成された前記前面に設けられた窓を含む、該エンクロージャとを含む。
【0031】
好ましくは、前記エンクロージャの前記前面と前記後面とが、前記アレイの前記長さの少なくとも2倍の距離離間している。
【0032】
さらに好ましくは、前記放射線が、前記エンクロージャの外側の試料から放出され、前記第1の要素が所定範囲の低い領域の角度に前記試料から反射された前記放射線を受け取り、前記最後の要素が前記範囲の角度の高い領域の角度で前記試料から反射された前記放射線を受け取るように、前記範囲の角度に渡って前記試料から反射されたX線を含む。最も好ましくは、前記検出アセンブリが、読み出し回路および電荷結合素子(CCD)を含み、前記CCDが、前記読み出し回路に接続された出力を有し、前記放射線に応答して前記検出要素によって生成された電荷を、前記検出要素のまず前記最後の要素からアレイに沿って逐次前記出力に転送するように接続されている。
【0033】
本発明の好適な実施例に従って、さらに反射装置のための方法を提供する。この方法は、試料の表面に対して所定の範囲の角度に渡って放射線で前記試料を照射するステップと、前記範囲の低い領域の角度に反射された前記放射線に応答して低い範囲の信号を生成するべく、前記範囲の角度に渡って前記試料から反射された前記放射線を受け取るステップと、前記範囲の角度の低い領域を遮断して、それによって前記範囲の高い領域の角度に反射された前記放射線のみが実質的にアレイに到達するようにするステップと、前記範囲の高い領域の角度に反射された放射線に応答して高い範囲の信号を生成するべく、前記範囲の低い領域が遮断された状態で、前記範囲の角度に渡って前記試料から反射された放射線を受け取るステップと、前記高い範囲の信号と前記低い範囲の信号とを組み合わせて、前記低い領域及び前記高い領域の両方を含む前記範囲の角度に渡って反射された放射線のパターンを決定するステップとを含む。
【0034】
本発明の好適な実施例に従って、さらに放射線を検出する方法を提供する。この方法は、検出要素のアレイで所定の範囲の角度に渡って放射されたX線光子を受け取って、前記要素に入射した前記光子によって前記検出要素に蓄積されたそれぞれの電荷を表す信号を生成するステップと、前記信号に応答して前記各検出要素に光子の高いフラックス或いは光子の低いフラックスが入射したかを決定するステップと、前記高フラックスが入射した前記各要素に入射した光子の数を、前記要素によって蓄積された前記電荷を高フラックス平均電荷で除して推定するステップと、前記低フラックスが入射した前記各要素に入射した光子の数を、前記要素によって蓄積された前記電荷を前記高フラックス平均電荷とは相当異なる低フラックス平均電荷で除して推定するステップとを含む。
【0035】
好ましくは、前記高フラックス或いは前記低フラックスの何れかが入射したかを決定するステップが、バックグラウンド電荷を含まない前記要素によって蓄積された電荷が前記高フラックス平均電荷の少なくとも3倍である場合、高フラックスが前記要素の1つに入射したと決定するステップとを含む。追加或いは別法として、前記高フラックス或いは前記低フラックスの何れかが入射したかを決定するステップが、電荷が蓄積されている所定の時間に1個以下の光子が前記要素に入射した場合に、低フラックスが前記要素の1つに入射したと決定するステップを含む。
【0036】
本発明の好適な実施例に従って、さらに放射線を検出する方法を提供する。この方法は、エンクロージャ内に検出要素のアレイを配設するステップであって、前記アレイが第1の要素と最後の要素とを含み、前記両要素によって前記両要素間の前記アレイの長さが画定され、前記エンクロージャが、その前面に窓を有し、前記窓が、放射線が透過できるように形成され、前記アレイの前記長さに少なくとも等しい距離前記アレイから離間している、前記配設するステップと、前記アレイを含む前記エンクロージャを真空にするステップと、前記アレイで前記放射線を受け取り、その放射線に応答して信号を生成するステップとを含む。
【0037】
本発明の好適な実施例に従って、さらに反射装置のための方法を提供する。この方法は、1或いは複数の薄膜層を含む試料に、前記試料の表面に対して所定範囲の角度に渡って放射線を照射するステップと、前記範囲の角度に渡って前記試料から反射された前記放射線を受け取り、前記反射された放射線に応答して信号を生成するステップであって、前記信号が前記角度の関数として振動パターンを有し、前記パターンが、前記試料の表面の前記薄膜層の外側の層から放射線が全反射する臨界角近傍で生じる第1の肩部を含む、該ステップと、前記1或いは複数の薄膜層の任意の他の特性に関わらず、前記肩部に応答して前記外側の薄膜層の密度を推定するステップとを含む。
【0038】
好ましくは、この方法は、前記推定した密度を用いて1或いは複数の他の特性を決定するステップを更に含み、前記1或いは複数のその他の特性を決定するステップが、前記層の少なくとも1つの層の膜厚を推定するステップおよび/または前記層の少なくとも1つの層の表面の粗さを推定するステップを含む。
【0039】
本発明の好適な実施例に従って、さらなる反射装置を提供する。この反射装置は、試料を、その表面に対して所定の範囲の角度に渡って放射線の一連のパルスで照射するように構成されたパルスX線源と、前記範囲の角度に渡って前記試料から反射された前記放射線を受け取るように配置され、検出要素に入射した放射線の光子によって前記検出要素に蓄積されたそれぞれの電荷を表す信号を生成する検出要素のアレイと、一連の各パルスの直前に、前記検出要素から電荷を消失させ、前記各パルスの直後に前記要素からの信号をサンプリングするように前記アレイに接続されたタイミング回路とを含む。
【0040】
一般的には、前記試料が1或いは複数の薄膜層を含み、前記反射された放射線が、前記角度の関数として前記薄膜層による強度の振動的な変化で特徴づけられ、前記検出要素のアレイが前記振動的な変化を検出するように構成されている。好ましくは、前記装置が、前記検出要素のアレイからの信号を受け取るように接続され、前記振動の変化を分析して前記1或いは複数の薄膜層の1或いは複数の特性を決定するプロセッサを含む。最も好ましくは、前記プロセッサが、前記それぞれの電荷に応答して、前記要素のそれぞれに入射した光子の数を推定するように構成されている。
【0041】
一般的には、さらに前記検出要素が、前記放射線に関わらず、前記検出要素に雑音電荷を蓄積させるバックグラウンド電流によって特徴づけられ、前記電荷を前記検出要素から消失させることによって、前記タイミング回路が、前記各パルスの直後に前記要素からサンプリングされた前記信号における前記雑音電荷を低減するように動作する。好適な実施例では、前記検出要素のアレイが電荷結合素子(CCD)を含む。
【0042】
好ましくは、前記タイミング回路が、前記検出要素から前記電荷を消失させること及び前記検出要素から前記信号をサンプリングすることを前記X線源からの前記パルスと同期させるように接続されている。
【0043】
本発明の好適な実施例に従って、反射装置のための方法を提供する。この方法は、試料から反射された放射線を受け取り、前記放射線に応答して、前記要素に入射した放射線の光子によって前記検出要素に蓄積されたそれぞれの電荷を表す信号を生成できるように検出要素のアレイを配置するステップと、前記試料の表面に対して所定の範囲の角度に渡って前記放射線の一連のパルスを前記試料に照射するステップと、前記一連の各パルスの直前に、前記検出要素から前記電荷を消失させるステップと、前記範囲の角度に渡って反射された前記放射線のパターンを決定するべく、前記各パルスの直後に前記要素から前記信号をサンプリングするステップとを含む。
【0044】
後述する添付の図面を用いた詳細な好適な実施例から、本発明がより明らかになるであろう。
【0045】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の好適実施例にしたがった22を試料としたX線反射率を測定するためのシステム20の模式図である。試料は位置及び方向が正確に調整ができるモーションステージ24に取り付けるのが好ましい。26はX線源で、一般的にはX線管と好適な光学素子(図示せず)から成り、試料22上の小領域28を照射する。この目的のためにX線管はOxford Instruments社(Scotts Valley, California)製のXTF5011X線管である。X線源26で用いられるいくつかの異なる光学素子の構成は米国出願特許第09/408,894号に開示されており、本出願の譲受人が譲り受けている。また、この特許に言及することをもって本明細書の一部とする。光学素子はXOS社(Albany, New York)製のDoubly-Bent Focusing Crystal Opticのような湾曲結晶モノクロメータ(curved crystal monochrometer)から成るのが好ましい。他の好適な光学素子は出願特許第09/408,894号と、前述の米国特許第5,619,548号と同第5,923,720号に開示されている。なお可能な光学素子は当業者なら明らかであろう。システム20では一般に反射率測定のX線エネルギーを約8.05KeV(CuKa1)としている。代わりに5.4KeV(CrKa1)のような他のエネルギー値を用いてもよい。動的なナイフエッジ36とシャッター38が後述されるようにX線の入射ビーム27を制限するように用いられるのが好ましい。
【0046】
試料22からのX線反射ビーム29は検出器アセンブリ30に集められる。アセンブリ30に反射角がサンプルの全反射臨界角の下値と上値に該当する約0度と3°の間の値にわたった反射X線が集められるのが好ましい。後述のように、アセンブリ30は検出アレイ32から成り、検出アレイ32としてはCCDアレイが好ましい。図の単純化のために、図1には比較的少数の検出要素の検出器の列が一つしか示されていないが、本発明の好適実施例ではアレイ32は一般的に多数の要素を含み、マトリクス(2次元)または直線状のアレイとして配置されている。さらに、アセンブリ30はベリリウムのような適切なX線透過材料によって作られた窓34から成り、その窓は検出器アレイの前、試料とアレイの間に位置している。
【0047】
試料22から反射したX線光子フラックスの、与えられたエネルギーもしくはエネルギー領域での角度関数の分布42を決定するためにアセンブリ30の出力を反射率計プロセッサ40で分析する。一般的に、試料22は領域28の薄膜のように一つまたはそれ以上の薄膜層を持っているので、分布42は層間の境界面からの反射X線の波同士の干渉効果による振動が示される。プロセッサは後述される解析手法を用いて振動構造の特性を分析し、一つまたはそれ以上の表面層の膜厚、密度、表面の性質を決定する。
【0048】
システム20はまた、プロセッサ40の統制下におかれていることが好ましい随意選択の同期コントローラ43にが含まれているものとして示されている。同期コントローラ43は本発明の別の実施例に用いてX線源26のパルス動作と検出器アセンブリ30のゲーティングの同期させる。この実施態様は以降の文で図10を参照しながら記述されている。
【0049】
図1に示されている好適な実施例では、X線反射率法を用いてシステム20を説明するが、このシステム20は必要な変更を加えれば、同様の方法で他の分野のX線分析に用いることができることを理解されたい。適用可能な分野は、微小角放射(grazing emission)X線蛍光(XRF)分析及び当分野で周知のその他のXRF技術を含むX線蛍光分析を含む。微小角放射XRFは例えば、Wienar によりApplied Surface Science 125(1998)の p.129に「Characterization of Tiatanium Nitride Layers by Grazing-Emission X-ray Fluorescence Spectrometry」なる記事で記述されている。また、この特許に言及することをもって本明細書の一部とする。それだけでなく、システム20の原理はガンマ線やそれ以外の核放射線のような他のエネルギー領域における位置敏感型検出システムとして履行することができる。
図2は本発明の好適実施例に同じ検出器アセンブリ30の詳細をブロックを用いた図で模式的に示したものである。前述した通り、検出器アレイ32はHamamatu社(日本、浜松市)製のS7032-0908N型アレイのようなCCDアレイから成るのが好ましい。このアレイは全体の大きさが12.6×6mmで、536×256個のピクセルから成り、この目的のためのHamamatu社製の特別製のハードウェアを用いてライン・ビニング(line-binning)モードで操作することが好ましい。代わりに、検出器アレイは本出願の譲渡人が譲渡されている米国出願特許第09/409,046号に記述された処理回路(Integrated processing electronics)を一体化したものでもよい適切な読み出し回路を備えたPINダイオードアレイを含んでもよい。また、この特許に言及することをもって本明細書の一部とする。この特許出願第09/409,096号はまた、アレイに関するさまざまな(一次元と二次元両方の)幾何学的構成と、適用することによりアレイの検出特性を高めるマスキングを含めた一つのアレイ特性を記述している。これらの特性もまた、本明細書のアセンブリ30に適用できる。いずれにせよ、これらの検出機の型はここでは例として記述しており、適切などんな種類、寸法、および数の検出器でも用いることができることを理解されたい。
【0050】
検出器アセンブリ30は検出器アレイ32に近接した真空可能なエンクロージャ44を含む。アレイ32とサンプル22の間に位置するエンクロージャ44の前面には窓34で閉じられていて作業中は真空状態になっている。アレイ32と窓34の間の距離は少なくとも第一番目の検出要素46から最後の検出素子48までの計測によるアレイの長さと同じであることが好ましく、アレイの2、3倍の長さであるのがもっとも好ましい。(第一番目の検出器の要素46はほぼ0°の最低反射角度での光子を捕える位置に設定されており、一方、最後の要素48は一般的に3°近い最高反射角度での光子を捕える位置に設定されている。)本願発明者らは窓をアレイから遠ざけて、アレイの前面に隣接した領域から空気を除去するとアレイに到達する散乱X線光子の数が大幅に減少することを見い出した。アレイ32を空気中で用いたり、窓34をアレイの近くに位置付けると試料22から反射された低角度での光子の散乱が高角度での信号バックグラウンドに大きく寄与してくる。
一般的に低角度での反射は高角度での反射と比較してかなり強度があるのでこのバックグラウンドは高角度での信号をかなり弱め、おおい隠してしまうことさえある。図2に示しているように窓34および真空エンクロージャ44を使用することで、システム全体を真空にする難しさやそのための出費なしにこの散乱によるバックグラウンドをほとんど除去することができる。
【0051】
アセンブリ30の中のバックグラウンドのさらなる原因はアレイ32のCCDシフトレジスタ中に残った電荷である。CCDは電荷を「バケツブリゲード」モードで一つの要素から次の要素へとアレイの下に移動させることによって動作する。電荷はそのようにして最後の要素48でアレイの出力と接続した読み出し回路50に一度に1ピクセルずつ運ばれる。CCDは要素から要素へかなり効率よく電荷を運ぶが、それでも、運ばれる度に転送電荷の量におおよそ比例する少量ずつの残存電荷が残る。図2で示される構成では、X線露光時間毎に最後の要素48が最初に読み込まれ、それに対し第一の要素46は電荷がアレイ全体を転送された後、最後に読み込まれる。最も弱いX線信号を通常受け取る要素48が最初に読み込まれるようにアレイ32の位置を設定していることにより、残存電荷によるバックグラウンドのレベルが要素48付近における弱い信号の要素では最小になる。最後に信号を読み込むために、第一の要素46付近の検出要素における強い信号に加算されるバックグラウンドは信号そのものの強さと比較するとたいしたことはない。
【0052】
図3は本発明の好適実施例にしたがった、入射光子に対する検出器アレイ32の要素の応答を模式的に示したプロットである。この実験では、検出器アレイは単色X線で照射されており、信号は二つの異なる読み出しモードが集められている。横軸の振幅の単位は任意であるが、アレイ要素への入射である各X線光子により産み出された電子数の見積もりをアレイからの出力信号に基づき示している。各入射光子は一つの「事象」を構成しており、縦軸はそれぞれの振幅の値に対して入射光子によりその振幅の電荷が何回発生したかを示している。
【0053】
図から見てとれるように、異なる読み出しモードでは事象の分布がかなり異なっている。入射光子により発生した電荷は二つの近接したピクセルに分布するのが一般的である。振幅100付近に鋭いピークを持つ曲線は近接したピクセルで計測された電荷を合わせたものである。しかしながら、この読み出しモードは、任意の読み出しフレームにおいて、ほとんどのピクセルが光子を受け取らず、ピクセル当たり入射光子が1個以下の場合のような低フラックスの場合にのみ適用することができる。各要素への入射光子の多い高フラックスにおいてはこの「電荷合計」手法は使えない。この場合には、事象分布は振幅60近くにピークを持つ図3に示される第二の曲線形となる。そのような振る舞いはCu Kα(8.05 KeV)線とCr Kα(5.41 KeV)線の両方で観測されている。本願発明者らはこれら二つの高フラックスと低フラックス状態の読み出しモードを、アレイ32から受け取った電気信号レベルをかなり広範なダイナミックレンジにわたり光子の計測単位に変換することで効果的に用いることができることを経験的に見い出した。これは、XRR測定においては一般的である。
【0054】
図4は、本発明の好適な実施例に従った、検出器アレイ32によって受け取られた信号を分析するための方法を模式的に例示するフローチャートである。この方法は、図3を用いて説明した原理に基づいている。それぞれの要素に対して、電荷がアレイの要素から読み出される度に、プロセッサが各要素において測定された電荷の振幅を入射したX線光子の単位に変換する。この方法は、アレイの全てのピクセルに対して実行される4つの動作を含む。
【0055】
1.バックグラウンド減算ステップ52では、全バックグラウンドレベルを各ピクセルで測定されたデジタル信号レベルから差引いて、バックグラウンドを含まない各ピクセルのレベルy(j)を得る。全バックグラウンドレベルは、入射X線が存在しない時に検出器アレイから出力される暗電流を測定して求める。
【0056】
2.高フラックスのカウントステップ54では、バックグラウンドを差引いた後の信号レベルを、図3に示されている高フラックスモードの分布に基づいて決定された高い信号の閾値と比較する。具体的には、プロセッサが、信号レベルy(j)が信号振幅パラメータAv1の3倍より大きいピクセル(即ち、検出器アレイ要素)を探す。この信号振幅パラメータAv1は、高フラックスの単一光子の信号におけるピーク(図3に示されている高振幅ピークのような)の位置に基づいて経験的に決定される。このようなピクセルjのそれぞれに対して、このピクセルに対する光子のカウント数n(j)は、 n(j)=int{[y(j)-BL1]/Av1}の式から求めることができる。この式のBL1は経験的なバックグラウンド閾値である。次にプロセッサ40は、続くステップで再びカウントされないように、ピクセルに対する信号レベルを0にセットする。
【0057】
3.ピクセル対のカウントステップ56では、プロセッサは、ステップ54でカウントされずに残っているピクセルを検索し、低フラックス単一光子信号振幅パラメータAv2に概ね等しい全信号レベル(対の合計)の隣接するピクセルの対を探す。このパラメータAv2及び第2のバックグラウンド閾値BL2は、経験的に決定される。具体的には、本願発明者らは、Av2=Av1とすることによって良い結果が得られることを見いだした。BL1及びBL2は、ステップ54およびステップ56のそれぞれにおける光子エネルギースペクトルの高強度領域及び低強度領域が一致するようにセットされる。これらのパラメータに基づいて、ステップ56でプロセッサが、|y(j)+y(j+1)−Av2|<BL2 を満たすピクセルの対を探す。このような対のそれぞれに対して、プロセッサは2つのピクセルのうちの第1のピクセルに対して任意に割り当てられた光子カウント数n(j)である1つの光子カウント数を記録する。これらのピクセルにおける信号のレベルを0に戻す。
【0058】
4.残りのカウントステップ58では、ステップ54およびステップ56でカウントされなかった有意の信号レベルを有するその他のピクセル全てを評価する。このステップを実行するために、バックグラウンドレベルより低い、即ちステップ52でバックグラウンドが差し引かれた後にy(j)<0となる全てのピクセルの信号値y(j)をy(j)=0にセットする。局所最大(すなわち、信号値y(j)が隣接するピクセルより高い)である各ピクセルに対して、ピクセル光子カウント数n(j)は、n(j)=int{[y(j)+y(k)−BL1]/Av1}の式から求めることができる。この式のy(k)は、ピクセルjに隣接する2つのピクセルj+1及びj−1の内の信号の値の高い方である。次に値y(j)及びy(k)を0にセットする。残ったピクセル(局所最大或いは近接するピクセルより高くない)全てに対する光子カウント数は、n(j)=int{[y(j)−BL1]/Av1}の式から求めることができ、y(j)を0にする。
【0059】
上記した4つ全てのステップが終了した後、アレイをリセットし、プロセッサがアレイ32から読み出した次の信号を受け取る。次に、カウント累算ステップ60で、各ピクセルに対して決定されたカウント数を対応するレジスタに累算する。上記した信号の読み出し及び処理のステップを十分な回数を繰り返して、アレイ全体に渡るカウントスペクトルを決定するのが好ましい。この技術を用いると、各信号読み出しサイクルにおいて多くのピクセルに入射する(高フラックスピクセル)低角においてのみならず、所定のサイクルにおいてそれぞれのピクセルに1個以下しか光子が到達しない高角においても干渉縞構造が得られる。
【0060】
図5及び図6には、本発明の好適な実施例に従った、ナイフエッジ36及びシャッター38を有するシステム20の詳細が示されている。図5では、0°に近い低角の反射の最適な検出が可能となるように、ナイフエッジ及びシャッターが配置されている。シャッター38は、入射ビーム27の範囲外となるように下げられている。ナイフ36は、入射ビーム27の上側の領域をカットするように配置されている。その結果、入射ビーム27の大部分がカットされ、領域28に入射するX線スポットの横方向の寸法が小さくなる。好ましくは試料22の表面から10μm未満、最も好ましくは表面から1μm未満の距離となるように、ナイフエッジを下げる。こうすることによって、スポットの横方向の寸法が、ナイフエッジを使用しない場合の5mm以上から1mm未満になる。試料上のスポットの大きさが小さくなると、システム20によって行なわれる低角反射測定の空間解像度が改善され、試料22の薄膜微細構造についてのより詳細な情報が得られる。代替或いは追加として、パターン形成された半導体ウエハなどの試料の所定の領域を検査のために残さなければならない場合、スポットのサイズが小さいため、検査のために試料の小さい領域「リアルエステイト(real estate)」を残せばよい。
【0061】
更に本願発明者らは、検査及び製造装置において良く実行されるように特に真空チャックで保持すると、ウエハが反る傾向にあることを見出した。X線スポットが横方向に長い寸法に亘って拡散すると、この反りによってスポットの異なった部分がわずかに異なった角度でウエハに入射する。その結果、反射された放射線の測定された分布における干渉縞構造がぶれてしまう。従って、ナイフエッジ36を用いる別の利点は、スポット内のX線の入射角の範囲が狭いため、ウエハの反りによるぶれが抑制されことである。
【0062】
図6において、弱い高角反射を効果的に検出することができるように、ナイフエッジ36及びシャッター38が配置されている。この場合、ナイフエッジ36はビームから離れ、シャッター38は入射ビーム27の低角領域をカットするように配置されている。別法では、シャッターは反射されたビーム29の低角領域をカットするように配置してもよい。試料22からの高角反射のみが検出器アレイに到達し、強い低角反射は検出器アレイに到達しない。その結果、検出器アレイの高角の要素におけるバックグラウンドのレベルが低下し、飽和することなくX線光子をかなり長い集積時間に渡ってアレイで収集することができる。従って、弱い高角の信号が検出され、S/N比が高くなる。
【0063】
図7は、図5および図6に示されている動的シャッター38及び図4の信号処理方法を用いて、本発明の好適な実施例に従ったプロセッサ40によって収集された反射信号を示す模式的なプロットである。このプロットは反射角の関数として各ピクセルに集積されたカウント数n(j)を対数目盛で示す。高い強度トレース70は、図5の構成を用いて(ナイフエッジ36を用いて或いは用いないで)比較的短時間の露光で生成された。第2の低い強度トレース72は、図6に示されているように低角ビームを遮断するように配置したシャッター38を用いて長時間の露光で生成した。トレース70は低角干渉縞構造を示し、一方、トレース72は高角干渉縞構造を示す。中間領域(約1°)における干渉縞は両方のトレースで見られる。
【0064】
図8は、トレース70を中間領域におけるトレース70の振幅と一致するように尺度を合わせた後のトレース70及び72を示す模式的なプロットである。
【0065】
図9は、本発明の好適な実施例に従った、尺度を合わせて重ね合わせた図8のトレース70と72を組み合わせて生成した合成トレース74を示す。合成トレース74における各ピクセルの値は、角度の関数として適切に変化する重み付け因子を用いて重み付けされたトレース70及びトレース72における対応する値の合計である。トレース74は、約0°から2.5°に渡る輪郭が明確に示された干渉縞パターンを示す。高角干渉縞は、特に多層から成る薄膜構造を分析する場合、試料22の表面における中間層の特性を決定する際に重要である。高角において見られるスパイクは、後述する分析では無視する実験的なアーティファクトである。
【0066】
図10は、本発明の好適な実施例に従った、試料22の薄膜の特性を決定するためにトレース74を分析する方法を模式的に示すフローチャートである。この方法は、反射された干渉縞パターンの物理的モデルに基づいている。この物理的モデルに従えば、干渉縞パターンにおける最初の肩78(図9)の角度位置は、主に試料の最も上層の密度によって決定される。干渉縞の空間周波数即ち周波数は薄膜層の厚みを示唆する。トレース74に合わせた減衰曲線76によって示される低次の干渉縞に対する高次の干渉縞の強度は、試料の最も外側の表面の粗さによって主に決定され、第2に試料の薄膜層間の界面によって決定される。
【0067】
密度合わせステップ80では、このモデルに基づき、最初の理論干渉縞パターンを、モデルにおける密度を調節して理論パターンが肩78に一致するようにトレース74に合わせる。このステップの目的のために、薄膜を無限の厚みと仮定し、肩に近接する干渉縞パターンの部分のみを考慮する。次に、粗さ合わせステップ82で、試料の外側の表面の粗さに対応するモデルにおけるパラメータを調節して、曲線76を角度の関数としてトレース74の実際の平均減衰に合わせるようにする。このように合わせられるため、全角度の範囲(或いは範囲の相当な選択された領域)に渡って統合されたトレース74と曲線76との差は、殆ど0である。
【0068】
振動抽出ステップ84で、反射した信号の振動部分を分離するために、トレース74から合わせた減衰曲線を差し引く。周波数決定ステップ86で、差し引いた信号における振動周波数すなわち周波数が、好ましくは信号を高速フーリエ変換(FFT)分析して決定される。周波数スペクトルは、スプリアス高周波数成分を排除するためにフィルタリングするのが好ましい。フィルタリングしたスペクトルを変換してその空間ドメインに戻し、膜厚測定ステップ88で、最小二乗法で試料の表面に検出された層の膜厚を決定する。試料が複数の層から成る場合、通常は外側の層が、この層の膜厚に対応する比較的低い周波数においてスペクトルに最も強い周波数成分を与える。次の周波数成分は、外側の層とその下側の層との合計した膜厚に対応する高周波数になる。次の層の膜厚は、組み合わせた膜厚から外側の層の膜厚を差し引いて求める。追加の層の膜厚は、スペクトルが十分な解像度であれば同様に求めることができる。
【0069】
ステップ88を終了すると、試料の外側の層の物理的特性(密度、膜厚、及び外側表面の粗さ)が分かる。ステップ86で2以上の周波数が検出された場合、多層構造に従って、トレース74をさらに分析して1或いは複数の中間層の特性を決定する。中間層の密度を合わせるステップ90で、表層の下側の第2の層の密度を理論モデルに導入して、最適のフィットが得られるように調節する。最も外側の層と内部の層との間の界面に対する粗さパラメータは、中間層の粗さ合わせステップ92で、トレース74における振動の振幅に対するモデル曲線のフィットが改善されるように調節する。微調整ステップ94で、最も外側の層及び第2の層の膜厚における可能なエラーに対応する膜厚パラメータが、干渉縞の位置と得られたモデルの位置との全ての不一致を補正するために調節される。上記したようにトレース74が明確で詳細な干渉縞の十分な解像度を提供している範囲まで、ステップ90、92、及び94を繰り返して試料の中間層を調べる。
【0070】
図11は、本発明の好適な実施例に従った、試料22からのX線反射のゲート測定の際に用いられるパルスX線管100の模式的な部分図である。パルスX線管100の構造は、Jaklevicらによる、IEEE Transactions On Nuclear Science NS-19:3 (1972)の392〜395ページに掲載された“High Rate X-ray Fluorescence Analysis by Pulsed Excitation”、及びAdvances in X-ray Analysis 15 (1972)の266〜275ページに掲載された“Smal1 X-ray Tubes for Energy Dispersive Analysis Using Semiconductor Spectrometers”に記載されている。これらの記事に言及することをもって本明細書の一部とする。Jaklevic及び彼の同僚らは、エネルギー散発性X線螢光(ED−XRF)光子カウントシステムにおいて発生するパルスの「パイルアップ」の現象を回避するために、パルスX線励起の使用について述べている。
【0071】
パルスX線管100は、真空容器102に含まれるタングステンフィラメント104などの電子供給源とアノード106とを含む。アノードは、電力供給源114によって接地されたフィラメントに対して約+40kVに維持されている。制御グリッド108及びスクリーングリッド110を用いて、フィラメントからアノードへの電子の経路を制御する。このスクリーングリッドは約+300Vに維持されている。パルスとパルスとの間は、この制御グリッドは−10Vのカットオフ電圧より低く維持される。パルス発生器116は、約+100Vで素早く制御グリッドにパルスし、それによって電子バーストが起こりスクリーングリッドを通ってアノード106に衝当する。従って、アノードで生成されたX線が窓118を介してパルスX線管100から放射され、上記したように試料22に収束される。
【0072】
図1及び図2を参照すると、検出アセンブリ30の読み出し回路50が同期コントローラ43によって同期され、パルスX線管100の各パルスの直前及び直後にアレイ32の要素から電荷が読み出される。パルスX線管100から放射される前に行なわれる読み出しサイクルで蓄積される電荷は、熱雑音などのバックグラウンド効果によってのみ生じる。従って、この読み出し信号を廃棄する、或いはこの読み出し信号を用いて、次の信号から差し引くための基準ノイズのレベルを確立する。パルスX線管がパルスされた後のサイクルにおいて蓄積された電荷が、試料からのX線光子の反射による信号を表し、S/N比が高い。
【0073】
本実施例によってS/N比を高めるために、平均全ノイズレベルをNカウント/秒とし、アセンブリ30がMフレーム/秒の一定の比率で読み出される。このような条件下で、読み出し回路50が、平均してフレーム当たりN/Mノイズカウントを読み出す。当分野で周知のシステムと同様に、X線源26が平均出力電力レベルPで連続的に動作する場合、各フレームでアレイ32によって検出される反射信号がP/Mに比例するため、各フレームにおけるシステム20のS/N比が、(P/M)/(N/M)=P/Nに比例する。一方、例えば同じ平均出力電力レベルPに維持しながら、パルスX線管100が1秒に1回パルスされる場合、ノイズレベルが一定に維持されながら、平均出力電力レベルPによる全ての反射信号が1つのフレームに収集される。従って、S/N比がP(N/M)となり、従来の連続動作に対してM倍のS/N比となる(信号の平均化によって連続した動作におけるS/N比の可能な改善率(√M)を無視した場合)。
【0074】
パルス動作におけるS/N比のこのような著しい改善は、飽和効果が存在せず、熱雑音が主雑音源であるという仮定に基づいている。最適なパルスレート及びその他のパルスX線管100に対する動作パラメータは、パルスX線管、試料、及び検出アセンブリの特性によってそれぞれ異なる。しかしながら、好適な動作条件下では、システム20にパルスX線管100を使用することは、同じ平均電力レベルで動作する連続波(CW)X線管より相当良いS/N比を実現できる。
【0075】
システム20の構造を組み合わせて説明してきたが、これらの構造を個別にまたはサブグループにして、その他の構造としは別に用いることもできることを理解されたい。更に、これらの構造はX線反射率法の範囲で説明してきたが、その内の少なくともいくつかは、X線及びその他の放射線を用いる回折法などの別の分析分野にも応用することができる。
【0076】
上記した好適な実施例は例を用いて説明してきたが、本発明は図示された例及び上記した説明に限定されるものではないことを理解されたい。むしろ、本発明の範囲は、上記した様々な構造の組み合わせや、先行技術としては開示されていないが当業者であれば上記の説明から発案可能な変更や変形を含む。
【0077】
【発明の効果】
X線反射装置における低角(0°近く)の表面反射率が高角の表面反射率より著しく大きいという問題点を考慮した、X線分析による測定、特に薄膜特性の測定のための改良した装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の好適な実施例に従ったX線反射装置のためのシステムの模式的な例を示す。
【図2】本発明の好適な実施例に従った図1のシステムに用いられるX線検出アセンブリの例を示す模式的なブロック図である。
【図3】本発明の好適な実施例に従った、所定のエネルギーのX線光子が入射する検出器によって集積された電荷の振幅の模式的なプロットである。
【図4】本発明の好適な実施例に従った、X線検出アレイによって生成された信号を処理するための方法を模式的に例示するフローチャートである。
【図5】本発明の好適な実施例に従ったシステムに用いられる動的なナイフエッジ及びシャッターの動作を例示する、図1のシステムの模式的な詳細図である。
【図6】本発明の好適な実施例に従ったシステムに用いられる、図5とは異なった位置にある動的なナイフエッジ及びシャッターを例示する、図1のシステムの模式的な詳細図である。
【図7】本発明の好適な実施例に従った、2つの異なった検出条件における反射角の関数であるX線反射信号の模式的なプロットである。
【図8】本発明の好適な実施例に従った図7の各信号の尺度を合わせた信号を例示する模式的なプロットである。
【図9】本発明の好適な実施例に従った、図8の各信号を合成したX線反射スペクトルを例示する模式的なプロットである。
【図10】本発明の好適な実施例に従った、X線反射スペクトルから薄膜のデータを得るための方法を模式的に例示するフローチャートである。
【図11】本発明の好適な実施例を実施するために有用な、パルスX線管の例を示す模式的な部分図である。
【符号の説明】
20 システム
22 試料
24 モーションステージ
27 入射ビーム
28 領域
29 反射ビーム
30 検出器アセンブリ
32 検出アレイ
34 窓
36 ナイフエッジ
38 シャッター
40 プロセッサ
42 X線光子フラックスの分布
Claims (27)
- 反射装置であって、
試料の表面に対して一定範囲の角度に渡って放射線ビームを前記試料に照射するように構成された放射線源と、
前記範囲の角度に渡って前記試料から反射された放射線を受け取るように配置され、前記放射線に応答する信号を生成するためのアレイより成る検出アセンブリと、
前記放射線を遮断するように前記ビームに対して調節可能に配置されたシャッターであって、或る角度より下方の前記範囲の角度の低角領域の放射線を遮断し、それによって前記或る角度より上方の前記範囲の高角領域の反射された放射線のみが前記アレイに到達できるようにする遮断位置と、前記範囲の低角領域の放射線が遮断されずに前記アレイに到達する開放位置とを有する、該シャッターとを含み、前記シャッターは、前記ビームに対して調節可能であるが、前記放射線源は、固定されていることを特徴とする反射装置。 - 前記放射線がX線を含み、前記範囲の低角領域が、前記表面から前記放射線が全反射する臨界角より低い角度を含むことを特徴とする請求項1に記載の反射装置。
- 前記反射された放射線が、角度の関数として薄膜層による強度の変化で特徴付けられ、前記シャッターが遮断位置にある場合、前記範囲の角度の高角領域の反射された放射線に応答して前記検出アセンブリによって生成された前記信号が、前記シャッターが前記開放位置にある場合のバックグラウンドレベルより低減されたバックグラウンドレベルを有することを特徴とする請求項1若しくは請求項2の何れかに記載の反射装置。
- 前記試料が1或いは複数の薄膜層を含み、前記強度の変化が振動パターンを含むことを特徴とする請求項3に記載の反射装置。
- 前記検出アセンブリからの信号を受け取るように接続され、前記1或いは複数の薄膜層の1或いは複数の特性を決定するべく前記振動パターンを分析するためのプロセッサを含むことを特徴とする請求項4に記載の反射装置。
- 前記振動パターンが、前記試料の表面における前記薄膜層の外側の層から前記放射線が全反射される臨界角近傍で生じる第1の肩部を含み、前記1或いは複数の特性が、前記外側の薄膜層の密度を含み、前記プロセッサが、任意の他の特性に関わりなく、前記肩部に対応する前記外側の薄膜層の密度を推定するように構成されていることを特徴とする請求項5に記載の反射装置。
- 前記検出アセンブリが検出要素のアレイを含み、前記信号が、前記要素に入射した前記放射線の光子によって前記検出要素に蓄積されたそれぞれの電荷を表し、前記プロセッサが、前記それぞれの電荷に応答して前記要素のそれぞれに入射した光子の数を推定するように構成されていることを特徴とする請求項5に記載の反射装置。
- 前記プロセッサが、前記信号に応答して、前記各要素に、高い信号の閾値より上の、光子の高いフラックス或いは、前記高い信号の閾値より下の、光子の低いフラックスの何れかが入射したかを決定し、前記各要素に入射した光子の数を、高フラックスが入射した前記要素によって蓄積された電荷を高フラックス平均電荷で除し、前記低フラックスが入射した前記要素によって蓄積された電荷を前記高フラックス平均電荷とは異なる低フラックス平均電荷によって除して推定するように構成されていることを特徴とする請求項7に記載の反射装置。
- 前記検出アセンブリが、前記シャッターが前記開放位置にある第1の集積時間に渡って、および前記シャッターが前記遮断位置にある前記第1の集積時間より長い第2の集積時間に渡って、前記放射線を受け取るように構成されており、前記検出アセンブリからの前記信号を受け取るように接続され、前記第1の集積時間中に前記検出アセンブリによって生成された信号と前記第2の集積時間中に前記検出アセンブリによって生成された信号とを組み合わせて、前記範囲の全角度に渡って強度の変化を生成するように構成されたプロセッサを含むことを特徴とする請求項3に記載の反射装置。
- 前記検出アセンブリが、前記角度の範囲の低角領域の角度に前記試料から反射された放射線を受け取るように配置された第1の要素と、前記範囲の角度の高角領域の角度に前記試料から反射された放射線を受け取るように配置された最後の要素とを含む検出要素のアレイを含むことを特徴とする請求項1乃至請求項9の何れかに記載の反射装置。
- 前記検出アセンブリが読み出し回路および電荷結合素子(CCD)を含み、前記CCDが、前記読み出し回路に接続された出力を有し、前記放射線に応答して前記検出要素によって生成された電荷を、前記検出要素の前記最後の要素からアレイに沿って逐次前記出力に転送するように接続されていることを特徴とする請求項10に記載の反射装置。
- 前記アレイが、前記第1の要素から前記最後の要素までの長さを有し、前記検出アセンブリが、前記アレイの長さに少なくとも等しい距離離間した前面と後面とを有する真空にすることが可能なエンクロージャを含み、前記アレイが前記エンクロージャの前記後面に配置されており、前記エンクロージャがその前面に前記反射された放射線が透過できるように形成された窓を含むことを特徴とする請求項10に記載の反射装置。
- 前記放射線源が、前記試料上のスポットに照射するように構成されており、前記シャッターが前記開放位置にあるときに前記放射線の一部を遮断して調節可能に配置されたナイフエッジをさらに含むことを特徴とする請求項1乃至請求項10の何れかに記載の反射装置。
- 前記放射線がX線を含み、前記範囲が前記表面から前記放射線が全反射する臨界角近傍の角度を含み、前記ナイフエッジが前記スポットの寸法を1mm以下と小さくするように配置可能であることを特徴とする請求項13に記載の反射装置。
- 反射装置のための方法であって、
試料の表面に対して所定の範囲の角度に渡って放射線ビームで前記試料を照射するステップと、
前記範囲の低い領域の角度に反射された前記放射線に応答して低い範囲の信号を生成するべく、前記範囲の角度に渡って前記試料から反射された前記放射線を受け取るステップと、
或る角度より下方の前記範囲の角度の低い領域の前記放射線ビームを遮断して、それによって前記ある角度より上方の前記範囲の高い領域の角度に反射された前記放射線のみがアレイに到達するようにするステップと、
前記範囲の高い領域の角度に反射された放射線に応答して高い範囲の信号を生成するべく、前記範囲の低い領域が遮断された状態で、前記範囲の角度に渡って前記試料から反射された放射線を受け取るステップと、
前記高い範囲の信号と前記低い範囲の信号とを組み合わせて、前記低い領域及び前記高い領域の両方を含む前記範囲の角度に渡って反射された放射線のパターンを決定するステップとを含むことを特徴とする方法。 - 前記放射線がX線を含み、前記範囲の低い領域が、前記表面からの前記放射線の全反射のための臨界角より低い角度を含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記反射された放射線が、前記角度の関数として薄膜層による強度の変化で特徴づけられ、前記範囲の角度の低い領域が遮断されている状態で前記放射線を受け取るステップが、前記範囲の角度の低い領域が遮断されていない場合のバックグラウンドレベルより低いバックグラウンドレベルの前記高い範囲の信号を生成するステップを含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記サンプルが1或いは複数の薄膜層を含み、前記強度の変化が振動パターンを含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記振動パターンを分析して、前記1或いは複数の薄膜層の1或いは複数の特性を決定するステップを更に含むことを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記振動パターンが、前記試料の前記表面における前記薄膜層の外側の層から放射線が全反射する臨界角近傍で生じる第1の肩部を含み、前記1或いは複数の特性を決定するステップが、任意の他の特性に関わりなく、前記肩部に対応する前記外側の薄膜層の密度を推定するステップを含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記検出アセンブリが検出要素のアレイを含み、前記信号が、前記要素に入射した前記放射線の光子によって前記検出要素に蓄積されたそれぞれの電荷を表し、前記信号を組み合わせるステップが、前記それぞれの電荷に応答して前記各要素に入射した光子の数を推定するステップを含むことを特徴とする請求項15乃至請求項20の何れかに記載の方法。
- 前記光子の数を推定するステップが、
前記信号に応答して、前記各要素に、高い信号の閾値より上の光子の高いフラックス或いは、前記高い信号の閾値より下の光子の低いフラックスの何れかが入射したかを決定するステップと、
前記高フラックスが入射した前記要素によって蓄積された電荷を、高フラックス平均電荷によって除すステップと、
前記低フラックスが入射した前記要素によって蓄積された電荷を、前記高フラックス平均電荷とは異なる低フラックス平均電荷によって除すステップとを含むことを特徴とする請求項21に記載の方法。 - 前記低い範囲の信号を生成するべく前記放射線を受け取るステップが、第1の集積時間に渡って前記放射線を受け取るステップを含み、前記高い範囲の信号を生成するべく前記放射線を受け取るステップが、前記第1の集積時間より長い第2の集積時間に渡って前記放射線を受け取るステップを含むことを特徴とする請求項15乃至請求項22の何れかに記載の方法。
- 前記放射線を受け取るステップが、前記範囲の低角領域の角度に前記試料から反射された放射線を受け取るように配置された第1の要素と、前記範囲の高角領域の角度に前記試料から反射された放射線を受け取るように配置された最後の要素とを含む検出要素のアレイで前記放射線を受け取るステップと、前記放射線に応答して生成された電荷を、前記検出要素の前記最後の要素から前記アレイに沿って逐次転送するステップとを含むことを特徴とする請求項15乃至請求項23の何れかに記載の方法。
- 前記放射線を受け取るステップが、
エンクロージャ内に設けられた検出要素のアレイで前記放射線を受け取るステップであって、前記アレイが第1の要素及び最後の要素を含み、これら両要素によって前記アレイの長さが画定され、前記エンクロージャが、その前面を画定する窓を有し、前記窓が、前記反射された放射線が透過できるように形成され、前記アレイの前記長さに少なくとも等しい距離前記アレイから離間して配置されている、該放射線を受け取るステップと、
前記アレイを含む前記エンクロージャを、前記放射線を受け取る間真空にするステップとを含むことを特徴とする請求項15乃至請求項24の何れかに記載の方法。 - 前記試料を照射するステップが、前記試料上のスポットを照射するステップと、前記低い範囲の信号を生成するべく前記放射線を受け取る間、前記放射線の一部を遮断するステップとを含むことを特徴とする請求項15乃至請求項25の何れかに記載の方法。
- 前記放射線がX線を含み、前記角度の範囲が、前記表面から前記放射線が全反射する臨界角近傍の角度を含み、前記放射線の一部を遮断するステップが、前記スポットの寸法が1mm以下となるように前記表面に近接してナイフエッジを配置するステップを含むことを特徴とする請求項26に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/833,902 US6512814B2 (en) | 2001-04-12 | 2001-04-12 | X-ray reflectometer |
US09/833902 | 2001-04-12 | ||
US10/077,125 US6535575B2 (en) | 2001-04-12 | 2002-02-14 | Pulsed X-ray reflectometer |
US10/077125 | 2002-02-14 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006297410A Division JP2007078702A (ja) | 2001-04-12 | 2006-11-01 | X線反射装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003004670A JP2003004670A (ja) | 2003-01-08 |
JP3995515B2 true JP3995515B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=26758908
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002110785A Expired - Lifetime JP3995515B2 (ja) | 2001-04-12 | 2002-04-12 | X線反射装置 |
JP2006297410A Pending JP2007078702A (ja) | 2001-04-12 | 2006-11-01 | X線反射装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006297410A Pending JP2007078702A (ja) | 2001-04-12 | 2006-11-01 | X線反射装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6535575B2 (ja) |
JP (2) | JP3995515B2 (ja) |
TW (1) | TW575729B (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7062013B2 (en) * | 2001-04-12 | 2006-06-13 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray reflectometry of thin film layers with enhanced accuracy |
US6895075B2 (en) * | 2003-02-12 | 2005-05-17 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray reflectometry with small-angle scattering measurement |
US6718008B1 (en) * | 2002-04-22 | 2004-04-06 | Bruker Axs, Inc. | X-ray diffraction screening system with retractable x-ray shield |
TWI345055B (en) * | 2002-11-20 | 2011-07-11 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd | Method and apparatus for inspection,and cluster tool and apparatus for producing microelectronic devices |
US7609812B2 (en) * | 2002-12-27 | 2009-10-27 | Technos Co., Ltd. | Pore- or particle-size distribution measurement apparatus |
US6711232B1 (en) * | 2003-04-16 | 2004-03-23 | Kla-Tencor Technologies Corporation | X-ray reflectivity measurement |
US20050129178A1 (en) * | 2003-12-16 | 2005-06-16 | Pettit John W. | Detector using carbon nanotube material as cold cathode for synthetic radiation source |
US7068753B2 (en) * | 2004-07-30 | 2006-06-27 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Enhancement of X-ray reflectometry by measurement of diffuse reflections |
US7120228B2 (en) | 2004-09-21 | 2006-10-10 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Combined X-ray reflectometer and diffractometer |
DE102004060609A1 (de) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Yxlon International Security Gmbh | Verfahren zum Messen des Impulsübertragungsspektrums von elastisch gestreuten Röntgenquanten |
JP4912743B2 (ja) * | 2006-05-18 | 2012-04-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線管及びそれを用いたx線照射装置 |
KR101462140B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2014-12-05 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 조명 광원의 잡음을 제거하는 적외선 광 처리 장치 |
US20080181363A1 (en) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Uchicago Argonne, Llc | Surface topography with X-ray reflection phase-contrast microscopy |
JP5103583B2 (ja) * | 2007-08-27 | 2012-12-19 | 株式会社ジェイテック | X線ナノビーム強度分布の精密測定方法及びその装置 |
CN101569530B (zh) * | 2008-04-30 | 2013-03-27 | Ge医疗系统环球技术有限公司 | X-射线检测器和x-射线ct设备 |
JP5246548B2 (ja) * | 2008-12-15 | 2013-07-24 | 富士電機株式会社 | X線ビームの断面強度分布を測定するための方法 |
KR101822847B1 (ko) * | 2010-10-06 | 2018-01-30 | 한국전자통신연구원 | 단일 광자 검출장치 및 광자 수 분해 검출장치 |
US8903044B2 (en) * | 2011-01-31 | 2014-12-02 | Rigaku Corporation | X-ray diffraction apparatus |
US9551677B2 (en) | 2014-01-21 | 2017-01-24 | Bruker Jv Israel Ltd. | Angle calibration for grazing-incidence X-ray fluorescence (GIXRF) |
US10145968B2 (en) * | 2014-05-12 | 2018-12-04 | Purdue Research Foundation | Linear fitting of multi-threshold counting data |
WO2019080041A1 (en) | 2017-10-26 | 2019-05-02 | Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. | X-RAY DETECTOR WITH COOLING SYSTEM |
JP6988595B2 (ja) * | 2018-03-13 | 2022-01-05 | 富士通株式会社 | X線分析装置、x線分析方法及びプログラム |
CN108838561B (zh) * | 2018-07-02 | 2020-10-23 | 南京光宝光电科技有限公司 | 一种用于晶体快速准确定向激光切割的装置及切割方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5493122A (en) | 1994-02-04 | 1996-02-20 | Nucleonics Development Company | Energy resolving x-ray detector |
US5619548A (en) | 1995-08-11 | 1997-04-08 | Oryx Instruments And Materials Corp. | X-ray thickness gauge |
US5740226A (en) | 1995-11-30 | 1998-04-14 | Fujitsu Limited | Film thickness measuring and film forming method |
US5923720A (en) | 1997-06-17 | 1999-07-13 | Molecular Metrology, Inc. | Angle dispersive x-ray spectrometer |
US6389102B2 (en) * | 1999-09-29 | 2002-05-14 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | X-ray array detector |
-
2002
- 2002-02-14 US US10/077,125 patent/US6535575B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-09 TW TW91107022A patent/TW575729B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-04-12 JP JP2002110785A patent/JP3995515B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-11-01 JP JP2006297410A patent/JP2007078702A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003004670A (ja) | 2003-01-08 |
US6535575B2 (en) | 2003-03-18 |
US20020150209A1 (en) | 2002-10-17 |
JP2007078702A (ja) | 2007-03-29 |
TW575729B (en) | 2004-02-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3995515B2 (ja) | X線反射装置 | |
US6512814B2 (en) | X-ray reflectometer | |
JP4796254B2 (ja) | X線アレイ検出器 | |
KR101275532B1 (ko) | 표면 층을 갖는 샘플을 분석하기 위한 장치 및 방법 | |
US7130376B2 (en) | X-ray reflectometry of thin film layers with enhanced accuracy | |
JP4519455B2 (ja) | X線反射計用のビームセンタリング方法及び角度較正方法 | |
CA2297088C (en) | System and method for the detection of abnormal radiation exposures using pulsed optically stimulated luminescence | |
EP2208089B1 (en) | Detector for hard x-radiation | |
US20100177869A1 (en) | Device for locating and imaging gamma or x-radiation sources | |
Schriever et al. | Calibration of charge coupled devices and a pinhole transmission grating to be used as elements of a soft x-ray spectrograph | |
JP4677217B2 (ja) | サンプル検査方法、サンプル検査装置、マイクロエレクトロニックデバイス製造用クラスタツール、マイクロエレクトロニックデバイス製造用装置 | |
Saemann et al. | Absolute calibration of a flat field spectrometer in the wavelength range 10–70 Å | |
JP5302281B2 (ja) | サンプルの検査方法及び装置 | |
Haugh et al. | Flat field anomalies in an x-ray charge coupled device camera measured using a Manson x-ray source | |
Manning et al. | Quantum efficiency calibration of AXAF CCDs from 2 to 10 keV | |
Lazarchuk et al. | A technique for measuring absolute fluxes of line X radiation from laser-produced plasma at the Iskra-5 facility | |
Danielsson | Evaluation of a New Experimental Geometry for Ultra-fast Time Resolved Diffraction Experiments Using a Laser-produced Plasma Source: Experimental Set-up and Image Processing | |
WO2016098794A1 (ja) | 放射線測定装置及び方法 | |
JPH07318658A (ja) | X線エネルギー検出器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061101 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070406 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070608 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070703 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070731 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3995515 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110810 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120810 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130810 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |