JP3975759B2 - プラズマ測定装置、測定方法及びセンサプローブ - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、測定対象となるプラズマ雰囲気内にセンサプローブを設置し、その測定値に基づいてプラズマ密度、電子温度及びプラズマポテンシャル等のプラズマパラメータを測定するプラズマ測定装置、測定方法及びセンサプローブに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、プラズマ放電による分子解離の結果発生する励起分子、ラジカル、イオン等を利用して、洗浄、エッチング、膜形成、表面改質を行うプラズマ加工が注目されている。
このプラズマ加工は、熱ではなく放電による解離を利用するため、比較的低温で処理することができ、耐熱温度の低い材料でも、高精度で加工することができることから、ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの集積回路素子の製作にも盛んに利用されている。
【０００３】この場合に、プラズマ加工により得られる製品を一定品質に維持するには、常に同一条件でプラズマ加工を行う必要があり、そのためには、プラズマ密度、電子温度及びプラズマポテンシャルなどのプラズマパラメータを一定に維持管理することが望ましい。
【０００４】この加工中のプラズマ雰囲気におけるプラズマパラメータを測定する方法として、従来より、質量分析法、吸光度分析法、光分離プローブ法、ラングミュアプローブ法のような計測手段が知られているが、質量分析法、吸光度分析法、光分離プローブ法に用いる計測器は極めて高価であり、これを個々のプラズマ加工装置に設けることは現実的でない。
【０００５】このため通常は、図８に示すように、ガラスなどの絶縁材で被覆された支柱５１の先端に金属電極５２を露出形成したラングミュアプローブ５３をチャンバ５４に設置して測定する方法が採られている。
この方法は、可変電源５５を介してラングミュアプローブ５３を基準電極となる陽極５６又は陰極５７に接続し、陽極５６又は陰極５７間にプラズマを発生させる。
【０００６】そして、可変電源５５により印加電圧を広い範囲にわたって変化させながら当該プローブ５３に印加される電圧及び電流を電圧計５８及び電流計５９で測定し、得られた電圧Ｖｐ−電流Ｉｐ特性に基づいて、プラズマ密度、電子温度及びプラズマポテンシャルのプラズマパラメータを算出する方法である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ラングミュアプローブ５３は金属電極５２をプラズマ中に露出させて設けていることから、その表面にプラズマにより生じる汚れが付着し易く、その汚れが電気抵抗となるため、金属電極５２に印加する電圧を一定にしても、電流が変化し、長時間測定するうちに測定値が数十〜数百％のオーダーで大幅に狂い、センサプローブとして全く機能しなくなるという問題があった。
【０００８】そこで本発明は、プラズマにより生じる汚れが付着しても精度良くプラズマパラメータを測定できるようにすることを技術的課題としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために、請求項１の発明は、測定対象となるプラズマ雰囲気内にセンサプローブを設置し、その測定値に基づいてプラズマ密度、電子温度及びプラズマポテンシャルのプラズマパラメータの少なくとも一を測定するプラズマ測定装置において、前記センサプローブは、プラズマ雰囲気中でバイアス電圧が印加されるバイアス電極と、当該電極又はその電極近傍の温度を検出する温度センサを備え、当該センサプローブに印加されたバイアス電圧と検出された温度により得られた電圧−温度特性に基づいて前記プラズマパラメータの少なくとも一を算出する演算装置を備えたことを特徴とする。
【００１０】請求項１の発明によれば、測定対象となるプラズマ雰囲気内に請求項３のセンサプローブが設置される。
このセンサプローブは、プラズマ雰囲気中でバイアス電圧が印加されるバイアス電極と、当該電極又はその電極近傍の温度を温度を検出する温度センサを備えている。
【００１１】
バイアス電極は、請求項４の発明のように、白金、金、タングステン、モリブデン、タンタル、ステンレスから選ばれる耐食性金属で形成すれば、プラズマ中でも酸化したり腐食され難く、長寿命化できる。
【００１２】また、温度センサは、請求項５の発明のようにバイアス電極を構成する金属で被覆又はコーティングされていても、請求項６の発明のようにバイアス電極の表面に接触した状態に配されていても、請求項７の発明のようにバイアス電極から所定距離離隔して配されていてもよい。
【００１３】そして、このセンサプローブをプラズマ雰囲気内に設置し、バイアス電極にバイアス電圧を印加すると共に、そのときのプラズマ雰囲気中の温度を温度センサで検出することによりバイアス電圧−温度特性を求める。
【００１４】本発明者の研究によれば、バイアス電圧−温度特性のグラフ線図がラングミュアプローブにおける電圧−電流特性のグラフ線図に似ていることが判明した。
そして、電流に替えて温度を測定することにより、そのバイアス電圧−温度特性から、プラズマ密度、電子温度及びプラズマポテンシャルのプラズマパラメータは、バイアス電圧−温度特性に基づいて理論的に算出することができることを解明した。
さらに、その測定結果は、汚れが付着していないラングミューアプローブで測定した結果と略一致した。
【００１５】この場合、センサプローブに流れる電流は測定する必要がないので、バイアス電極に汚れが付着しても印加電圧に影響はない。また、温度センサに汚れが付着しても、その熱伝導率は電気抵抗ほど変化しないので、センサプローブに流れる電流を測定するラングミューアプローブと異なり、長期間にわたってプラズマパラメータを正確に測定できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて具体的に説明する。
図１は本発明に係るセンサプローブを用いたプラズマパラメータ測定装置を示す説明図、図２は処理手順を示すフローチャ−ト、図３及び図４はグラフ、図５は他の実施形態を示す説明図、図６はその処理手順を示す説明図、図７は他の実施形態を示す説明図である。
【００１７】図１に示す測定装置１は、プラズマを発生させる任意のチャンバ２に設けられるもので、アース電位に維持されるチャンバ２内に設置されるセンサプローブ３と、その測定値に基づいてプラズマ密度、電子温度及びプラズマポテンシャルのプラズマパラメータを算出する演算装置４を備えている。
【００１８】センサプローブ３は、プラズマ雰囲気中でバイアス電圧が印加されるバイアス電極５と、当該バイアス電極５の温度又はその電極５近傍の温度を検出する温度センサ６を備えており、チャンバ２に絶縁支柱７で支持されている。
【００１９】バイアス電極５は、金、白金、タングステン、モリブデン、タンタル、ステンレスなどの耐食性金属で形成することが好ましいが、これに限定されるものではなく、例えば不活性ガス中で限定使用されるものであればそれほど高い耐食性は必要ない。
【００２０】また、その形状は任意であるが、表面積の計算や理論解析の都合上、球状、平板状、円柱状、多角柱状、正多面体などの幾何学形状に形成されており、本例では球状のものを用いている。
【００２１】バイアス電極５の電源回路８は、絶縁支柱７内を通ってチャンバ２の外側に配された可変電源９に接続されると共に、バイアス電極５に印加されるバイアス電圧Ｖを測定する電圧計１０に接続されている。
また、バイアス電極５とチャンバ２間には、その電位差をフローティング電位Ｖ_ｆ０として測定する電圧計１１が接続されている。
【００２２】温度センサ６としては、熱電対、白金測温抵抗体、サーミスタ、ＩＣ化温度センサ、サーモパイルなど任意のものを採用することができ、本例では、熱電対をバイアス電極５に埋め込んだ構成となっており、その熱起電力を測定する電圧計１２が設けられている。
そして、各電圧計１０〜１２は、その測定結果が演算装置４に入力されるようになっている。
【００２３】また、チャンバ２には、真空ポンプ１３によりチャンバ２内を減圧する排気系１４、ガスボンベ１５からチャンバ２にアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給系１６、熱陰極１７、陽極を兼用するチャンバ２と熱陰極１７の間に所定電圧を印加するグロー放電用電源１８、熱陰極１７からの電子放出量をコントロールする電子放出用電源１９が設けられている。
【００２４】演算装置４は、センサプローブ３のバイアス電極５に印加されたバイアス電圧Ｖと温度センサ６の熱起電力により定まるプローブ温度Ｔｐから得られた電圧Ｖ−温度Ｔｐの関係に基づいて、プラズマ密度、電子温度及びプラズマポテンシャルのプラズマパラメータを算出するプログラムがインストールされたパソコンなどが用いられている。
【００２５】図２はこのプログラムの処理手順を示すフローチャートである。
プラズマ発生条件に応じて、真空ポンプ１３でチャンバ２内を予め設定された圧力まで減圧した後、アルゴンガス供給系１６からアルゴンガスを導入して所定の圧力に調整したところで、プログラムを実行開始させる。
【００２６】まず、ステップＳＴＰ１で、温度センサ６を起動させプラズマ発生前の雰囲気温度をガス温度Ｔｎとして測定する。
次いで、ステップＳＴＰ２でグロー放電用電源１８及び電子放出用電源１９をオンしてプラズマを発生させ、バイアス電圧Ｖ＝０のときのフローティング電位Ｖ_ｆ０を電圧計１１により測定する。
そして、ステップＳＴＰ３に移行して、可変電源９によりバイアス電圧Ｖを段階的に変化させながら、電圧計１０及び１２の測定結果に基づき、バイアス電圧Ｖに応じたプローブ温度Ｔｐを測定する。
【００２７】ステップＳＴＰ４では、ステップＳＴＰ３で測定されたバイアス電圧Ｖ及びプローブ温度Ｔｐと、ステップＳＴＰ１で測定されたガス温度Ｔｎに基づき、プラズマパラメータの一であるプラズマポテンシャルＶ_ｐｌを求める。
まず、ΔＴ＝Ｔｐ−Ｔｎを算出し、図３に示すようなＶ−ΔＴの特性線図を描くと屈曲点Ｐ_１が表れ、この屈曲点Ｐ_１における電圧がプラズマポテンシャルＶ_ｐｌとなる。
【００２８】次に、ステップＳＴＰ５でプラズマパラメータの一である電子温度Ｔｅを算出する。
センサプローブ３への熱流入項Ｑ_Ｈは、熱平衡状態では、以下に示すように、プローブ３表面への電子衝突による加熱割合Ｑ_Ｈｅと、イオン衝撃による加熱割合Ｑ_Ｈｉの和で表わされる。
Ｑ_Ｈ＝Ｑ_Ｈｅ＋Ｑ_Ｈｉ………（式１）
【００２９】電子衝突による加熱割合Ｑ_Ｈｅは、プローブの表面積Ｓ、ボルツマン定数ｋ、電子温度Ｔｅ、電子の質量ｍ_e、電子密度n_e、電荷ｅ、バイアス電圧Ｖとすると、式２で表わされる。
【数１】

【００３０】また、イオン衝撃による加熱割合Ｑ_Ｈｉは、イオン電流I_i(V)、使用する気体の電離電圧ε_i、プローブの仕事関数φ、正イオンとプローブ間のエネルギー移送率ζ（≒0.01）、イオン密度ｎ_ｉとすると、式３で表わされる。
【数２】

【００３１】既知の値を定数として整理すると、電子衝突による加熱割合Ｑ_Ｈｅは、ｎ_ｅ、Ｔｅ、Ｖの関数として、
Ｑ_Ｈｅ＝Ｆ_１（ｎ_ｅ、Ｔｅ、Ｖ）
で表わされ、イオン衝撃による加熱割合Ｑ_Ｈｉは、ｎ_ｉ、Ｔｅ、Ｖ、Ｖ_ｐｌの関数として、
Ｑ_Ｈｉ＝Ｆ_２（ｎ_ｉ、Ｔｅ、Ｖ、Ｖ_ｐｌ）
で表わされる。
プラズマ内ではｎ_ｅ＝ｎ_ｉであるから、式１の熱流入項Ｑ_Ｈは、プラズマ密度ｎ_ｅ、電子温度Ｔｅ、バイアス電圧Ｖ、プラズマポテンシャルＶ_ｐｌの関数として、
Ｑ_Ｈ＝Ｆ_３（ｎ_ｅ、Ｔｅ、Ｖ、Ｖ_ｐｌ）………（式４）
で表わされる。
【００３２】また、熱放射によるプローブ３の冷却項をｑ_Ｒ、流体の粘性を考慮した時の熱伝導による損失項をｑ_kとすると、熱平衡状態では、熱流入項Ｑ_Ｈは熱損失項と等しく、
Ｑ_Ｈ＝Ｓ（ｑ_Ｒ＋ｑ_k）…………（式５）
で表わされる。
【００３３】冷却項ｑ_Ｒは、ステファン・ボルツマン定数σ、プローブの表面からの熱放射係数ε_R（≒１）、プローブの熱吸収係数σ_R（≒１）、ガス温度Ｔｎとすると、式６で表わされる。
q_R=σ(ε_RT_p ⁴−σ_RT_n ⁴) …………（式６）
【００３４】損失項をｑ_kは、ガス比熱容量係数γ、調整係数α＝１、イオンの質量ｍ_iとすると、式７で表わされる。
【数３】

【００３５】既知の値を定数として整理すると、冷却項をｑ_Ｒ及び損失項をｑ_kは、それぞれ、
ｑ_Ｒ＝Ｆ_４（Ｔｐ、Ｔｎ）
ｑ_k＝Ｆ_５（Ｔｐ、Ｔｎ）
で表わされるので、式５の熱流入項Ｑ_Ｈは、プローブ温度Ｔｐとガス温度Ｔｎの関数として、式８で表わされる。
Ｑ_Ｈ＝Ｆ_６（Ｔｐ、Ｔｎ）………………（式８）
【００３６】式４及び式８より、
Ｆ_３（ｎ_ｅ、Ｔｅ、Ｖ、Ｖ_ｐｌ）＝Ｆ_６（Ｔｐ、Ｔｎ）
となり、ここで、プラズマポテンシャルＶ_ｐｌ及びガス温度Ｔｎとして、ステップＳＴＰ１及びＳＴＰ４で測定された値を代入すれば、未知数はｎ_ｅ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｐの四つとなる。
【００３７】ｎ_ｅ及びＴｅの値が決まれば、未知数はＶ、Ｔｐの二つだけとなるので、ｎ_ｅ＝１０^１３〜１０^１６／ｍ^３、Ｔｅ＝０.５〜１０ｅＶの範囲で任意の値を与えてＶ−Ｔｐを算出し、ｎ_ｅ及びＴｅの値を変化させながら、ステップＳＴＰ３で測定したＶ−Ｔｐに最も近くなるときのＴｅの代入値を電子温度Ｔｅとする。これにより、高精度で電子温度Ｔｅを算出できる。
【００３８】なお、電子温度Ｔｅを簡便に求める場合は、ステップＳＴＰ３で測定したバイアス電圧Ｖと、ステップＳＴＰ４で算出したΔＴを、図４に示すような片対数グラフにプロットし、バイアス電圧ＶがプラズマポテンシャルＶ_ｐｌよりも少し低い範囲における傾きを求めれば、その傾きが電子温度Ｔｅに近似的に等しい。
【００３９】そして最後に、ステップＳＴＰ６でプラズマパラメータの一であるプラズマ密度ｎ_０を式９により算出し、処理を終了する。
【数４】

【００４０】表１は、本発明に係るセンサプローブ３及びラングミュアプローブにより測定した各プラズマパラメータについて、表面に汚れが付着する前後に測定したときの測定値の変化を示すものである。
【００４１】
【表１】

【００４２】このように、ラングミュアプローブで測定した場合は表面に汚れが付着する前後で、電子温度で約４０％、プラズマ密度で約３０％、プラズマポテンシャルで約６０％と、いずれも各プラズマパラメータの測定値が数十％以上も変化しているのに対し、本発明のセンサプローブ３で測定した場合は、電子温度で２.２％、プラズマ密度で２.０％、プラズマポテンシャルで５.６％と僅か数％しか変化せず、ラングミュアプローブよりも正確に誤差なく測定できることがわかる。
【００４３】図５はグロー放電を用いた基板洗浄装置に本発明に係るプラズマ測定装置を設置した場合を示す説明図である。なお、図１と共通する部分については同一符号を付して詳細説明は省略する。
【００４４】基板洗浄装置２１は、直径１５０ｍｍ×深さ１００ｍｍ程度のステンレス製のチャンバ２２に碍子２３を介して一対の対抗電極２４Ａ、２４Ｂが上下に設けられると共に、電極２４Ａ及び２４Ｂ間にグロー放電用電源２５が接続されている。
また、真空ポンプ１３によりチャンバ２２内を減圧する排気系１４、ガスボンベ１５からチャンバ２２にアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給系１６が設けられている点は共通である。
【００４５】プラズマ測定装置１のセンサプローブ３は、対抗電極２４Ａ及び２４Ｂの間に配され、金を直径４ｍｍの球状に形成したバイアス電極５の内部に、白金ロジウム−白金系熱電対の温度センサ６を配した構造となっており、バイアス電極５に印加されるバイアス電圧及びフローティング電位と、温度センサ６の熱起電力を測定する電圧計１０〜１２がプラズマパラメータを算出する演算装置４に接続されている。
【００４６】真空ポンプ１３にてチャンバ２２の内圧が１×１０^−５Torr程度になるまで真空引きを行った後、アルゴンガス供給系１６からアルゴンガスを導入して内圧を３ｍTorrに調整した状態で、図６に示す演算装置４のプログラムを実行開始する。
【００４７】まず、ステップＳＴＰ１で温度センサ６によりプラズマ発生前の雰囲気温度をガス温度Ｔｎとして測定し、次いで、ステップＳＴＰ２でグロー放電用電源２５にて対抗電極２４Ａ、２４Ｂ間に電圧を印加し、チャンバ２２内にグロー放電を開始させ、ステップＳＴＰ３に移行して可変電源９によりバイアス電極５に印加するバイアス電圧を段階的に変化させながら電圧計１０〜１２の測定結果に基づき、バイアス電圧Ｖに応じたフローティング電位Ｖ_ｆ０及びプローブ温度Ｔｐを測定する。
【００４８】そして、ステップＳＴＰ４〜ＳＴＰ６により、プラズマ密度ｎ_０、電子温度Ｔｅ、プラズマポテンシャルＶ_ｐｌを算出する。
本例では、プラズマ密度ｎ_０＝５.９×10^１５（ｍ^−３）、電子温度Ｔｅ＝１.３２（ｅＶ）、プラズマポテンシャルＶ_ｐｌ＝−１.５（Ｖ）であった。
【００４９】次いで、ステップＳＴＰ７に移行して算出されたプラズマ密度ｎ_０と予め設定された値ｎ_Ｃを比較し、ｎ_０＞ｎ_Ｃの場合はステップＳＴＰ８に移行してグロー放電用電源２５からの供給電圧を減少させ、ｎ_０＝ｎ_Ｃの場合はステップＳＴＰ９に移行してグロー放電用電源２５からの供給電圧を維持し、ｎ_０＜ｎ_Ｃの場合はステップＳＴＰ１０に移行してグロー放電用電源２５からの供給電圧を増大させる。
【００５０】なお、プラズマ密度ｎ_０を一定に維持させる場合に限らず、電子温度ＴｅやプラズマポテンシャルＶ_ｐｌを設定値と比較して、これらを一定に維持するように制御することも可能である。
【００５１】図７は高周波放電を用いた表面改質装置に本発明に係るプラズマ測定装置を設置した場合を示す説明図である。なお、図１と共通する部分については同一符号を付して詳細説明は省略する。
【００５２】表面改質装置３１は、直径２００ｍｍ×深さ２００ｍｍのステンレス製の真空チャンバ３２内に、碍子３３を介して高周波放電用主電極３４、高周波放電用対向電極３５が配置されている。主電極３４はブロッキングコンデンサー３６を介して１３.５６ＭＨｚの高周波電源３７に接続され、各電極３４、３５に対して冷却水を循環供給する冷却用水循環器３８が設けられている。
【００５３】また、真空ポンプ１３によりチャンバ３２内を減圧する排気系１４、ガスボンベ１５からチャンバ３２にアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給系１６が設けられている点は、図１及び図５のチャンバ２、２２と同様である。
【００５４】プラズマ測定装置１のセンサプローブ３は、電極３４及び３５の間に配され、金を直径４ｍｍの球状に形成したバイアス電極５の内部に、白金ロジウム−白金系熱電対の温度センサ６を配した構造となっている。
【００５５】バイアス電極５に印加されるバイアス電圧Ｖは、演算装置４からＤ／Ａ変換器３９を介して電力増幅アンプ４０に制御信号が入力され、当該アンプ４０から出力される。
このバイアス電圧Ｖは、差動アンプ４１、絶縁アンプ４２のアナログコンピュータにて測定され、その測定結果が、Ａ／Ｄ変換器４３を介して演算装置４に入力されるようになっている。
【００５６】また、温度センサ６の熱起電力は、差動アンプ４４、絶縁アンプ４５のアナログコンピュータにて測定され、その測定結果が、Ａ／Ｄ変換器４３を介して演算装置４に入力されるようになっている。
【００５７】高周波放電用対向電極３５上に表面改質を行うワークＷとしてパイレックス（登録商標）の基板を置き、真空ポンプ１３にてチャンバ３２を1×１０^−５Torr以下まで真空引きを行い、アルゴンガス供給系１６よりアルゴンガスを導入しチャンバ３２内の真空度を５ｍTorrに調整し、プラズマ発生前に温度センサ６によりガス温度Ｔｎを検出する。
【００５８】次いで、高周波電源３７をオンして高周波プラズマ放電を開始させ、バイアス電圧Ｖを段階的に変化させながらプローブ温度Ｔｐを測定し、電圧−温度特性から算出されたプラズマパラメータの値は、プラズマ密度ｎ_０＝１.５×10^１５（ｍ^−３）、電子温度Ｔｅ＝２.０（ｅＶ）、プラズマポテンシャルＶ_ｐｌ＝２.０（Ｖ）であった。
したがって、ワークＷを加工するごとに、プラズマパラメータの各値がこの値に維持されるように高周波電源３７の出力を制御すれば、同一条件で表面改質を行うことができ、仕上の品質を一定に維持できる。
【００５９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明に係るセンサプローブは、バイアス電圧が印加されるバイアス電極と、当該電極又はその近傍の温度を測定する温度センサを備え、電極表面に付着する汚れによる誤差の大きい電流を測定するまでもなく、電圧−温度特性に基づいて、プラズマ密度、電子温度、プラズマポテンシャルなどのプラズマパラメータを測定することができるので、測定誤差の要因となる電極表面に付着する汚れによる影響をほとんど受けることなく精度良く測定することができるという大変優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプラズマパラメータ測定装置を示す説明図。
【図２】その処理手順を示すフローチャ−ト。
【図３】ΔＴ−Ｖ線図。
【図４】その対数グラフ。
【図５】他の実施形態を示す説明図。
【図６】その処理手順を示すフローチャート。
【図７】他の実施形態を示す説明図。
【図８】従来装置を示す説明図。
【符号の説明】
１………プラズマパラメータ測定装置
２………チャンバ
３………センサプローブ
４………演算装置
５………バイアス電極
６………温度センサ

Claims (7)

1. 測定対象となるプラズマ雰囲気内にセンサプローブ（３）を設置し、その測定値に基づいてプラズマ密度、電子温度及びプラズマポテンシャルのプラズマパラメータの少なくとも一を測定するプラズマ測定装置において、
   前記センサプローブ（３）は、プラズマ雰囲気中でバイアス電圧が印加されるバイアス電極（５）と、当該電極（５）又はその電極近傍の温度を検出する温度センサ（６）を備え、当該センサプローブ（３）に印加されたバイアス電圧と検出された温度により得られた電圧−温度特性に基づいて前記プラズマパラメータの少なくとも一を算出する演算装置（４）を備えたことを特徴とするプラズマ測定装置。
2. 測定対象となるプラズマ雰囲気内に、バイアス電圧が印加されるバイアス電極（５）と、当該電極（５）又はその電極近傍の温度を検出する温度センサ（６）とを備えたセンサプローブ（３）を設置し、前記バイアス電極（５）に印加されたバイアス電圧及び前記温度センサ（６）で検出された温度から電圧−温度特性を求め、得られた電圧−温度特性に基づいてプラズマ密度、電子温度及びプラズマポテンシャルのプラズマパラメータの少なくとも一を算出することを特徴とするプラズマパラメータ測定方法。
3. プラズマ雰囲気中でバイアス電圧が印加されるバイアス電極（５）と、当該電極（５）又はその電極近傍の温度を検出する温度センサ（６）とを備えたことを特徴とするプラズマパラメータ測定用センサプローブ。
4. 前記バイアス電極（５）が、白金、金、タングステン、モリブデン、タンタル、ステンレスから選ばれる耐食性金属で形成されてなる請求項３記載のプラズマパラメータ測定用センサプローブ。
5. 前記温度センサ（６）が前記バイアス電極（５）を構成する金属で被覆又はコーティングされて成る請求項３記載のプラズマパラメータ測定用センサプローブ。
6. 前記バイアス電極（５）の表面に前記温度センサ（６）が接触した状態に配されて成る請求項３記載のプラズマパラメータ測定用センサプローブ。
7. 前記バイアス電極（５）と前記温度センサ（６）が所定距離離隔して配されて成る請求項３記載のプラズマパラメータ測定用センサプローブ。

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