JP3958578B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置に関し、例えばアプリケータを利用したマイクロ波励起型のプラズマ処理装置などにおいて、マイクロ波の伝播を制御することにより安定したプラズマを高い再現性で生成することが可能なプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマを利用したエッチング、アッシング、薄膜堆積あるいは表面改質などのプラズマ処理は、半導体装置や液晶ディスプレイ装置をはじめとした各種の装置あるいは部品の製造分野において広く利用されている。
【０００３】
これらの処理に用いるプラズマ処理装置の一例として、以下、「アプリケータ」を用いたマイクロ波励起型のプラズマ処理装置を例に挙げて説明する。
【０００４】
図８は、アプリケータを用いたマイクロ波励起型プラズマ処理装置のチャンバ要部構造を表す模式図である。すなわち、同図（ａ）は、その全体構造を例示する断面図であり、同図（ｂ）は、矢印Ａの方向からアプリケータを眺めた平面図である。
【０００５】
図８のプラズマ処理装置は、真空チャンバ１０２と、その中に設けられた載置台１０４とを有する。チャンバ１０２の内部は、同図に矢印Ｅで表したように、排気口１０６を介して図示しない真空ポンプにより真空排気される。エッチングなどのプラズマ処理が施される被処理物Ｓは載置台１０４に設置される。載置台１０４の上方には、透過窓１０８を介してアプリケータ１１０が設けられ、アプリケータ１１０は、導波管１１２に接続されている。
【０００６】
アプリケータ１１０の中央付近には、スリット状の開口としてのスロット１１０Ｓが設けられている。マイクロ波は、導波管１１２の中を矢印Ｍの方向に導波され、スロット１１０Ｓから透過窓１０８を介してチャンバ１０２の内部空間に導入される。
【０００７】
一方、チャンバ１０２の内部は、真空排気され且つ所定のガスが導入されて適当な圧力状態が保持され、透過窓１０８を介して導入されたマイクロ波によってプラズマＰが形成される。このようにして形成されたプラズマＰの作用によって、被処理物Ｓにエッチングや表面改質などの所定のプラズマ処理が施される。
【０００８】
図９は、このようなプラズマ処理装置におけるマイクロ波供給系を表す模式図である。すなわち、発振器１２０が発生したマイクロ波は、アイソレータ（分離器）１３０、マッチャー（整合器）１４０を介して導波管１１２により導波される。アイソレータ１３０は、反射されたマイクロ波が発振器１２０に戻ることしによる影響を防ぐ役割を果たす。また、マッチャー１４０は、発振器１２０と負荷側とのインピーダンスの整合を調節する役割を果たす。
【０００９】
以上説明したようなマイクロ波供給系を備えたプラズマ処理装置においては、マッチャー１４０からアプリケータ１１０の終端に亘って、マイクロ波の共振器が形成される。従って、スロット放射型アプリケータ１１０によって生成されるプラズマＰのモードは、マイクロ波供給系において形成されるマイクロ波の定在波の影響を受けて決まる。
【００１０】
そして、この定在波は、マッチャー１４０からスロット放射型アプリケータ１１０の終端までの全長と、スロット１１０Ｓにおいてプラズマに吸収されるマイクロ波の吸収率を含む共振回路によって決定される。
【００１１】
例えば、波長２．４５ＧＨｚ（ギガヘルツ）のマイクロ波を用いる装置の場合、マッチャー１４０からアプリケータ １１０の終端までの管路長を１１２０ミリメートルとすると、導波管１１２の内部にマイクロ波の定在波形成条件が満足され、定在波の「はら」が１４個形成される計算となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、現実のプラズマ処理装置の場合、以下に挙げる３つの理由により、このようなマイク波の定在波形成条件が「ずれ」ることがある。
【００１３】
まず、第１の理由は、共振器全長の「ずれ」である。すなわち、マイクロ波供給系を構成する個々の部品の設計寸法からの「機差」に起因して共振器の全長が所定値から「ずれ」る場合がある。また、温度の上昇や経年変化などによっても、共振器の全長が「ずれ」る場合もある。このような共振器全長の「ずれ」によって、マイクロ波の定在波形成条件も「ずれ」ることとなり、極端な場合には、その中に形成されるマイクロ波の定在波の「はら」の個数が変化する場合もある。
【００１４】
第２の理由は、マッチャー１４０の初期動作の変化である。すなわち、マッチャー１４０は、発振器１２０と負荷側とのインピーダンスの整合を調節する役割を有するが、種々の要因により、その応答が変動することがある。すると、負荷側からの反射波のバランスが変動するために、定在波形成条件に変動が生ずる場合がある。
【００１５】
第３の理由は、負荷側におけるマイクロ波の吸収率の変化である。すなわち、スロット１１０Ｓを介してチャンバ１０２内に導入されたマイクロ波は、プラズマＰにより吸収されるが、チャンバ１０２内のガス種、圧力、流量分布、内壁の表面状態などに応じてプラズマＰの状態は変動し、その結果として、マイクロ波の吸収率も変化する場合がある。このようにマイクロ波の吸収率が変化すると、定在波の形成条件も変動することとなる。
【００１６】
以上説明した第１乃至第３の理由のうちで、第２の理由すなわちマッチャー１４０の初期動作の変動に関しては、その初期動作位置を固定したり、動作範囲を限定したり、あるいはマッチャーの応答感度を鈍くするなどの方式により、変動を抑制することが可能である。
【００１７】
しかし、第１及び第３の理由に関しては、有効な対応策がなく、マイクロ波の定在波形成条件が設計値からずれてしまうことにより、プラズマＰのモードも設計値からずれてしまう場合がある。
【００１８】
プロセス処理中にプラズマのモードが変わる（以下、「モードジャンプ」と称する）と、その間の投入電力がロス（損失）してしまう。このため、モードジャンプを起こす回数が増えるに従ってプロセス性能が低下する問題が発生する。つまり、効率が低下し、さらにプラズマ処理の再現性が劣化する点で問題となる。
【００１９】
本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、マイクロ波供給系におけるマイクロ波の定在波形成条件の変動を確実に吸収することにより、効率よく再現性の高いプラズマ処理を可能としたプラズマ処理装置を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の関連技術にかかるプラズマ処理装置は、
大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空チャンバと、
前記真空チャンバの壁面の一部を占める透過窓と、
前記真空チャンバの外部においてマイクロ波を導波し、前記透過窓を介して前記マイクロ波を前記真空チャンバ内に導入するマイクロ波供給系と、
を備え、
前記透過窓を介して前記真空チャンバ内に導入されたマイクロ波によってプラズマを生成可能としたプラズマ処理装置であって、
前記マイクロ波供給系の終端に可変短絡器が設けられたことを特徴とする。
【００２１】
上記構成によれば、プロセス条件などが変動しても、安定してマイクロ波の定在波を形成し、安定したプラズマを形成することができる。
【００２２】
また、本発明の一態様によれば、
大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空チャンバと、
前記真空チャンバの壁面の一部を占める透過窓と、
前記真空チャンバの外部においてマイクロ波を導波し、前記透過窓を介して前記マイクロ波を前記真空チャンバ内に導入するマイクロ波供給系と、
を備え、
前記透過窓を介して前記真空チャンバ内に導入されたマイクロ波によってプラズマを生成可能としたプラズマ処理装置であって、
前記マイクロ波供給系においてマイクロ波が導波される導波経路の途上に、前記導波されるマイクロ波の透過率と負荷側から反射されるマイクロ波の透過率とが異なるリアクタンス素子を設けることにより、そのリアクタンス素子と前記マイクロ波供給系の終端との間において前記マイクロ波が共振して定在波が形成され前記透過窓を介して前記真空チャンバ内に導入されるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【００２３】
上記構成によれば、プラズマ供給系の各部の「機差」や温度変化あるいは経年変化などによる共振条件の「ずれ」を抑制し、安定したマイクロ波の定在波を形成することができる。
【００２４】
また、このプラズマ処理装置において、前記リアクタンス素子から前記終端までの距離は、導波されるマイクロ波の管内波長をλgとした時に、λg／２の実数倍にほぼ等しいものとすれば、マイクロ波の定在波を確実に形成することができる。
【００２５】
また、前記マイクロ波供給系は、前記導波した前記マイクロ波を前記透過窓に向けて放出するためのスロットを有し、前記リアクタンス素子は、前記終端との間に前記スロットを挟み且つ前記スロットの端部に近接して設けられたものとすれば、共振器長を最短にすることにより、温度などによる変動を最小に抑えて安定性を増すことができる。
【００２６】
また、前記マイクロ波供給系の終端に可変短絡器が設けられたものとすれば、さらに、プロセス条件などが変動しても、微調節が可能となり、安定してマイクロ波の定在波を形成し、安定したプラズマを形成することができる。
【００２７】
また、前記リアクタンス素子は、前記マイクロ波の導波の方向に沿って可動とされたものとすれば、さらに柔軟で広範なマイクロ波定在波形成条件の調節が可能となる。
【００２８】
また、前記真空チャンバ内に生成されるプラズマの状態をモニタするモニタ手段と、前記モニタ手段からの信号に基づいて、前記可変短絡器を調節する制御手段と、をさらに備えたものとすれば、プロセス条件の変動などに応じてダイナミック且つ迅速な調節が可能となる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００３０】
図１は、本発明の実施の形態にかかるプラズマ処理装置のマイクロ波供給系を表す模式図である。すなわち、発振器１２０が発生したマイクロ波は、アイソレータ（分離器）１３０、マッチャー（整合器）１４０を介して導波管１１２により導波される。アイソレータ１３０は、反射されたマイクロ波が発振器１２０に戻ることしによる影響を防ぐ役割を果たす。また、マッチャー１４０は、発振器１２０と負荷側とのインピーダンスの整合を調節する役割を果たす。
【００３１】
導波管１１２を導波されたマイクロ波は、アプリケータ１１０に伝搬される。アプリケータ１１０の中央付近には、スリット状の開口としてのスロット１１０Ｓが設けられている。マイクロ波Ｍは、導波管１１２の中を矢印Ａの方向に導波され、スロット１１０Ｓから透過窓１０８を介してチャンバ１０２の内部空間に導入される。
【００３２】
チャンバ１０２の内部は、例えば、図８に例示したような構成を有し、真空排気され且つ所定のガスが導入されて適当な圧力状態が保持され、透過窓を介して導入されたマイクロ波によってプラズマＰが形成される。このようにして形成されたプラズマＰの作用によって、被処理物にエッチングや表面改質などの所定のプラズマ処理が施される。
【００３３】
なお、プラズマＰを形成する空間と、被処理物を載置する空間とを分離してもよい。すなわち、プラズマ形成チャンバとプラズマ処理チャンバとを設け、プラズマ形成チャンバにマイクロ波を導入してプラズマＰを形成し、このプラズマＰをプラズマ処理チャンバに導入して、被処理物をプラズマ処理するような構成としてもよい。
【００３４】
さて、本発明においては、図１に表したように、マイクロ波供給系にリアクタンス素子（共振窓）１５０を設ける。リアクタンス素子１５０は、導波されるマイクロ波の位相を調節する役割を有し、具体的には例えば、方向性結合器と同様の作用を有するものを用いることができる。すなわち、マッチャー１４０から導波されるマイクロ波の透過率と、負荷側から反射されるマイクロ波の透過率とが異なるような素子をリアクタンス素子１５０として用いることができる。このようにすると、発振器１２０から導波されたマイクロ波を負荷側に供給し、負荷側から戻るマイクロ波を反射することができる。
【００３５】
図２及び図３は、リアクタンス素子の具体例を表す模式図である。すなわち、同図（ａ）は、導波管の軸方向から眺めた図であり、同図（ｂ）は、導波管の軸に対して垂直方向から眺めた図である。
【００３６】
これらの具体例のリアクタンス素子は、導波管１１２の内部に設けられた板状の形態を有し、図中に破線で表した導波管の内径よりも小さい開口ＯＰを有する。また、導波管の外周フランジ部には、取り付けのためのねじ穴Ｈが適宜設けられている。
【００３７】
このように、導波管１１２の内径よりも小さな開口ＯＰを有する板状の部材は、本発明におけるリアクタンス素子として作用する。図２及び図３に表した具体例の場合、リアクタンス素子の板厚は、例えば１ミリメートル程度で、その材質は、導波管１１２と同様のアルミニウムや真鍮などにより形成することができる。
【００３８】
このようなリアクタンス素子１５０を設けることにより、アプリケータ１１０の終端からリアクタンス素子１５０までの間をマイクロ波の共振回路とすることができる。つまり、アプリケータ１１０とリアクタンス素子１５０との間でマイクロ波を共振させて定在波を形成させることができる。その結果として、マイクロ波供給系の「機差」や温度の上昇あるいは経年変化などによる共振器全長の変動の影響を抑制し、マイクロ波に対する定在波形成条件の「ずれ」を抑制することができる。
【００３９】
なお、図１に例示したスロット型のアプリケータを用いる場合、リアクタンス素子１５０は、マッチャー１４０とスロット１１０Ｓとの間に設けることが望ましく、さらに、スロット１１０Ｓにできるだけ接近させて設けることが望ましい。このようにすれば、共振器長を短くして、その変動も最小に抑制することができるからである。
【００４０】
また、マイクロ波の共振条件を満たすためには、リアクタンス素子１５０からアプリケータ１１０の終端（厳密には、プランジャ１６０まで）までの管路長がマイクロ波の管内波長の半分（１／２）の実数倍となるように配置する。このようにすれば、リアクタンス素子１５０からアプリケータ１１０の終端までの導波空間にマイクロ波の定在波を安定して形成することができる。そして、この定在波の分布に応じてマイクロ波がチャンバ１０２内に導入され、プラズマＰを安定して形成することができる。
【００４１】
さらにまた、本発明においては、図１に表したように、アプリケータ１１０の終端にプランジャ（可変短絡器）１６０を設ける。プランジャ１６０は、終端位置を変化させることにより管路長を調節し、且つ終端を短絡する素子である。このようなプランジャ１６０を設けることにより、共振器全長を調節可能とし、負荷側におけるマイクロ波の吸収率の変動などに対して柔軟に対処することができる。すなわち、チャンバ１０２内におけるガス種、圧力、流量分布などのプロセス条件や、チャンバ内壁の表面状態などに応じて、形成されるプラズマＰの状態は変動し、その結果として、マイクロ波の吸収率が変化する場合がある。このようにマイクロ波の吸収率が変化すると、定在波の形成条件も変動することとなる。
【００４２】
これに対して、プランジャ１６０を設けることにより、リアクタンス素子１５０からの共振器長を調節することができる。その結果として、プロセス条件などが変動しても、それに対応した共振条件を満足することができ、安定したマイクロ波の定在波をリアクタンス素子１５０とプランジャ１６０との間で形成して、安定したプラズマＰを形成することができる。
【００４３】
なお、このようにしてマイクロ波定在波長が変化しうる場合には、これに対して広範に対応させるために、アプリケータ１１０に設けるスロット１１０Ｓの開口幅を狭く形成することが望ましい。
【００４４】
図４は、プランジャ１６０の具体的な構成例を表す模式図である。すなわち、同図（ａ）に表したように、アプリケータ１１０の内壁に接触して可動子１６０Ａの位置を駆動機構１６０Ｂにより調節可能としたプランジャ１６０を用いることができる。ただし、この場合、アプリケータ１１０の内壁と可動子１６０Ａとの間の接触状態や「隙間」が問題となることがある。
【００４５】
これに対して、図４（ｂ）及び（ｃ）に例示したプランジャは、狭い隙間を作る一方、電気的に短絡に近い状態を作ることができる、いわゆる「チョーク型」の構成を有する。これらチョーク型のプランジャは、それぞれ、マイクロ波の管内波長λｇに対して、管路長がλｇ／４となるような２つの導波部を有する。これら２つの導波部のインピーダンスは、それぞれＺ１、Ｚ２である。
【００４６】
図４（ｄ）は、同図（ｂ）及び（ｃ）に例示したチョーク型のプランジャの等価回路図である。導波部のインピーダンスの関係は、Ｚ１＜＜Ｚ２であるので、この回路図から容易にＺin〜０となることが分かる。つまり、終端の短絡をより確実に行うことができる。
【００４７】
以上説明したように、本発明によれば、プラズマ処理装置のマイクロ波供給系にリアクタンス素子１５０を設けることにより、「機差」や温度変化あるいは経年変化などによる共振条件の「ずれ」を抑制し、安定したマイクロ波の定在波を形成することができる。
【００４８】
またさらに、本発明によれば、プランジャ１６０を設けることにより、プロセス条件などが変動しても、安定してマイクロ波の定在波をリアクタンス素子１５０とプランジャ１６０との間で形成し、安定したプラズマＰを形成することができる。
【００４９】
その結果として、安定したプラズマを形成し、再現性の高いプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置を実現できる。
【００５０】
次に、本発明の変型例について説明する。
【００５１】
図５は、本発明の第１の変型例としてのプラズマ処理装置のマイクロ波供給系を表す模式図である。同図については、図１乃至図４に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５２】
本変型例においては、プランジャが設けられず、その代わりに、リアクタンス素子（共振窓）１５０が駆動機構１７０によって移動可能とされている。この場合、リアクタンス素子１５０とアプリケータ１１０の終端との間でマイクロ波の共振が生ずるが、プロセス条件の変動などによる共振器長の微調整は、駆動機構１７０によりリアクタンス素子１５０の位置を調節することによって行うことができる。
【００５３】
その結果として、図１乃至図４に関して前述したものと同様に安定したプラズマを形成させることができる。
【００５４】
図６は、本発明の第２の変型例としてのプラズマ処理装置のマイクロ波供給系を表す模式図である。同図については、図１乃至図５に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５５】
本変型例においては、プランジャ１６０を設けるとともに、リアクタンス素子（共振窓）１５０も駆動機構１７０によって移動可能とされている。このようにすれば、マイクロ波共振器長の調節を、より柔軟且つ広範囲に亘って行うことが可能となり、幅広いプロセス条件や装置設計に対応することが可能となる。
【００５６】
図７は、本発明の第３の変型例としてのプラズマ処理装置のマイクロ波供給系を表す模式図である。同図については、図１乃至図６に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５７】
本変型例においては、チャンバ１０２に、プロセスモニタ１８０が設けられ、プラズマＰの状態をモニタ可能としている。プロセスモニタ１８０は、例えば、チャンバ１０２の内部の所定の位置におけるプラズマＰの密度を測定するものであってもよい。あるいは、プロセスモニタ１８０は、プラズマＰの密度分布を連続的あるいは離散的に測定するものであってもよい。プロセスモニタ１８０としては、例えば、プラズマＰからの発光強度あるいはそのスペクトルを測定するものを用いることができる。
【００５８】
そして、プロセスモニタ１８０によるプラズマの測定結果は、コントローラ１９０に供給され、コントローラ１９０は、この測定結果に基づいてプランジャ１６０を調節する。つまり、プラズマＰの状態に応じて、マイクロ波の共振条件を最適とするようにプランジャ１６０を自動調節することができる。
【００５９】
このようにすれば、プロセス条件の変動やその他の各種の要因によってプラズマＰの状態が変動した場合でも、迅速にマイクロ波の定在波形成条件を調節して対処することできる。その結果として、常に安定した再現性の高いプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置を実現できる。
【００６０】
なお、図７においては、コントローラ１９０がプランジャ１６０を自動調節する構成を例示したが、本発明はこれに限定されず、例えば、図５に表した構成における駆動機構１７０をコントローラ１９０により自動調節してもよく、また、図６に表した構成におけるプランジャ１６０及び駆動機構１７０のいずれか一方あるいは両方をコントローラ１９０により自動調節するようにしてもよい。
【００６１】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００６２】
例えば、本発明において、マイクロ波を放射するためのスロットの形状は、図示した如き矩形状には限定されず、例えば、特許第２８５７０９０号公報において開示されているように、マイクロ波の導波方向に対して手前側が広く、導波管の終端反射面に近い方が狭くなるような開口形状を有するものであってもよい。
【００６３】
また、そのスロットの長さについても、マイクロ波の波長λに対して、ｎλ／２からｎλ／２＋λ／８の範囲内とすることができる。
【００６４】
またさらに、そのようなスロットの長さ方向の中心が、導波管の終端反射面からマイクロ波の波長λの距離に位置するようにすることができる。
【００６５】
また、本発明は、スロットを介してマイクロ波をチャンバ内に導入するプラズマ処理装置に限定されず、その他各種の形状の開口あるいはその他の導入手段によりマイクロ波をチャンバ内に導入するプラズマ処理装置に同様に適用して同様の作用効果を得ることができ、これらの各種のマイクロ波励起型のプラズマ処理装置も本発明の範囲に包含される。
【００６６】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、プラズマ処理装置のマイクロ波供給系にリアクタンス素子を設けることにより、「機差」や温度変化あるいは経年変化などによる共振条件の「ずれ」を抑制し、安定したマイクロ波の定在波を形成することができる。
【００６７】
またさらに、本発明によれば、プランジャを設けることにより、プロセス条件などが変動しても、安定してマイクロ波の定在波をリアクタンス素子とプランジャとの間で形成し、安定したプラズマを形成することができる。
【００６８】
その結果として、安定したプラズマを形成し、再現性の高いプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置を実現でき、産業上のメリットは多大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかるプラズマ処理装置のマイクロ波供給系を表す模式図である。
【図２】リアクタンス素子の具体例を表す模式図である。
【図３】リアクタンス素子の具体例を表す模式図である。
【図４】プランジャ１６０の具体的な構成例を表す模式図である。
【図５】本発明の第１の変型例としてのプラズマ処理装置のマイクロ波供給系を表す模式図である。
【図６】本発明の第２の変型例としてのプラズマ処理装置のマイクロ波供給系を表す模式図である。
【図７】本発明の第３の変型例としてのプラズマ処理装置のマイクロ波供給系を表す模式図である。
【図８】アプリケータを用いたマイクロ波励起型プラズマ処理装置のチャンバ要部構造を表す模式図であり、同図（ａ）は、その全体構造を例示する断面図、同図（ｂ）は、矢印Ａの方向からアプリケータを眺めた平面図である。
【図９】従来のプラズマ処理装置におけるマイクロ波供給系を表す模式図である。
【符号の説明】
１０２ 真空チャンバ
１０４ 載置台
１０６ 排気口
１０８ 透過窓
１１０ アプリケータ
１１０Ｓ スロット
１１２ 導波管
１２０ 発振器
１３０ アイソレータ
１４０ マッチャー（整合器）
１５０ リアクタンス素子（共振窓）
１６０ プランジャ（可変短絡器）
１６０Ａ 可動子
１６０Ｂ 駆動機構
１７０ 駆動機構
１８０ プロセスモニタ
１９０ コントローラ
Ｍ マイクロ波
Ｐ プラズマ
Ｓ 被処理物

Claims (7)

1. 大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空チャンバと、
   前記真空チャンバの壁面の一部を占める透過窓と、
   前記真空チャンバの外部においてマイクロ波を導波し、前記透過窓を介して前記マイクロ波を前記真空チャンバ内に導入するマイクロ波供給系と、
   を備え、
   前記透過窓を介して前記真空チャンバ内に導入されたマイクロ波によってプラズマを生成可能としたプラズマ処理装置であって、
   前記マイクロ波供給系においてマイクロ波が導波される導波経路の途上に、前記導波されるマイクロ波の透過率と負荷側から反射されるマイクロ波の透過率とが異なるリアクタンス素子を設けることにより、そのリアクタンス素子と前記マイクロ波供給系の終端との間において前記マイクロ波が共振して定在波が形成され前記透過窓を介して前記真空チャンバ内に導入されるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 前記リアクタンス素子から前記終端までの距離は、導波されるマイクロ波の管内波長をλgとした時に、λg／２の実数倍にほぼ等しいことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
3. 前記マイクロ波供給系は、前記導波した前記マイクロ波を前記透過窓に向けて放出するためのスロットを有し、
   前記リアクタンス素子は、前記終端との間に前記スロットを挟み且つ前記スロットの端部に近接して設けられたことを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記マイクロ波供給系の終端に可変短絡器が設けられたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
5. 前記リアクタンス素子は、前記マイクロ波の導波の方向に沿って可動とされたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
6. 前記真空チャンバ内に生成されるプラズマの状態をモニタするモニタ手段と、
   前記モニタ手段からの信号に基づいて、前記可変短絡器を調節する制御手段と、
   をさらに備えたことを特徴とする請求項４記載のプラズマ処理装置。
7. 前記真空チャンバ内に生成されるプラズマの状態をモニタするモニタ手段と、
   前記モニタ手段からの信号に基づいて、前記リアクタンス素子を動かす駆動機構を制御する制御手段と、
   をさらに備えたことを特徴とする請求項５記載のプラズマ処理装置。

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