JP3958499B2

JP3958499B2 - Exhaust gas treatment apparatus for semiconductor manufacturing apparatus and operation method thereof

Info

Publication number: JP3958499B2
Application number: JP2000162422A
Authority: JP
Inventors: 健辻; 敬一石川
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2000-05-31
Filing date: 2000-05-31
Publication date: 2007-08-15
Anticipated expiration: 2020-05-31
Also published as: JP2001345270A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造装置から排出される有害ガスを無害化する半導体製造装置用排ガス処理装置及びその運転方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造プロセスで使用するＣＶＤ装置やエッチング装置においては、各種の人体に有害なガスを使用するので、これらの有害ガスは排ガス処理装置に導入し、無害化してから大気に放出している。これらの有害ガスの中には混合すると爆発や燃焼を起こすガス（混触危険）が多く存在する。そのため、排ガス処理装置は、例えば特公平４−６１６８６号公報に示すように、半導体製造装置の１つのチャンバー（反応室又は処理室）に対して１台設置していた。そのため排ガス処理装置の排ガス流入口やバイパス弁は１台に対して１組であった。
【０００３】
半導体製造装置が多様化するに伴い、１台の半導体製造装置に多数のチャンバが搭載されるようになった。そしてそれぞれのチャンバーには真空ポンプが設置され、該真空ポンプによって吸引された各チャンバーからの排ガスがそれぞれ排気ガス処理装置を設置して導入されると設置面積、設置コスト、装置のコストが増加することから、１台の排ガス処理装置に導入され、処理されるようになった。この場合従来のように、排ガス処理装置内に１つのバイパス弁が設置されているだけでは、チャンバーを大気引きする場合等、あるチャンバーから大量のガスが排出される場合、排ガス処理装置の性能が低下するため、このバイパス弁を通して排ガス処理装置をバイパスすると、他のチャンバーからの有害ガスもこのバイパス弁を通して排気されるという危険性がある。
【０００４】
また、上記危険を回避するため、チャンバーを大気引きする等大量の排ガスが排出される場合も排ガスをバイパスラインに流さないようにすると、この大量の排ガスを含む全てのチャンバーからの排ガスを排ガス処理装置に導入することになり排ガス処理装置の性能が低下するという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、多数のチャンバーからの排ガスが一台の排ガス処理装置に導入されるように構成され、大気引きする等大量の排ガスがチャンバーから排出される場合や排ガス処理装置に流したくないガスが排出される場合でも、このラインのガスのみをバイパスして排出させ、排ガス処理装置の性能低下を防止でき、且つ有害ガスが排気される危険性のない半導体製造装置用排ガス処理装置及びその運転方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、ガス処理部を具備し、該ガス処理部に半導体製造装置から排出される有害ガスを導入、無害化する半導体製造装置用ガス処理装置であって、半導体製造装置は複数の有害ガス排出口を具備し、ガス処理部は複数のガス流入口を具備し、１台又は複数台の半導体製造装置の１個又は複数個の有害ガス排出口から排出されるガスがガス処理部の複数のガス流入口の１個に流入するように配管を接続し、ガス処理部のガス流入口に接続されたそれぞれの配管と出口側配管の間に該ガス処理部をバイパスするバイパスラインを設けると共に、それぞれのバイパスラインにバイパス弁を設け、各バイパス弁の開閉を制御する制御装置を具備することを特徴とする。
【０００７】
上記のように、１台又は複数台の半導体製造装置の１個又は複数個の有害ガス排出口から排出されるガスがガス処理部の複数のガス流入口の１個に流入するように配管を接続し、ガス処理部のガス流入口に接続されたそれぞれの配管と出口側配管の間に該ガス処理部をバイパスするバイパスラインを設けると共に、それぞれのバイパスラインにバイパス弁を設け、各バイパス弁の開閉を制御する制御装置を具備するので、ガス処理部に流入する流量が大気引き等増大した時や該ガス処理部に流入させたくないガスが流入してくる時に、制御装置が対応するバイパスラインのバイパス弁を開き、このガスを該バイパスラインを通して流すので、大気引き等大量の排ガスが半導体製造装置のチャンバーから排出される場合も排ガス処理装置の性能低下を防止できると共に、流したくないガスをガス処理部に流すことなく、且つ有害ガスが排気される危険性もなくなる。
【０００８】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の半導体製造装置用排ガス処理装置であって、バイパスラインに該バイパスラインを通る有害ガスを希釈する希釈ガスを供給する希釈ガスラインを接続したことを特徴とする。
【０００９】
また、請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の半導体製造装置用排ガス処理装置の運転方法であって、ガス処理部に異常が発生した場合、異常検知と同時にバイパス弁を開いて流入するガスをバイパスラインに流すと共に、希釈ガスラインから該バイパスラインに希釈ガスを供給することを特徴とする。
【００１０】
上記のようにバイパスラインに該バイパスラインを通る有害ガスを希釈する希釈ガスを供給する希釈ガスラインを接続したので、該バイパスラインを通って流れる有害ガスを希釈することができ、また爆発性のあるガスでは爆発下限界以下に希釈することで燃焼を防ぐことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態例を図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る半導体製造装置用排ガス処理装置の構成例を示す図である。図１において、１は半導体製造装置であり、該半導体製造装置１には図示は省略するが複数のプロセスガスを使用してそれぞれ異なる処理を行なう複数のチャンバー（反応室又は処理室）が搭載されており、該複数のチャンバーのそれぞれには配管３−１、３−２、３−３を介して真空ポンプ２−１、２−２、２−３が接続され、該真空ポンプ２−１、２−２、２−３から排出される排ガスは排ガス処理装置４の処理部５に配管３−１、３−２、３−３を通して導入されるようになっている。
【００１２】
即ち、半導体製造装置１の１つのガス排出口から排出されたガスは処理部５の１つのガス流入口に流入するように、半導体製造装置１のガス排出口と処理部５のガス流入口がそれぞれ対応している。
【００１３】
処理部５で有害成分が無害化されたガスは排気配管６を通してダクト（図示せず）から排出されるようになっている。排ガス処理装置４の内部には半導体製造装置１から排ガスを排出する複数の配管３−１、３−２、３−３のそれぞれに対応して（即ち、半導体製造装置１のガス排出口数又は処理部５のガス流入口数に対応して）バイパス弁７−１、７−２、７−３を有するバイパスライン１０−１、１０−２、１０−３が設けられている。
【００１４】
８はバイパス弁７−１、７−２、７−３を開閉制御する制御装置、９−１、９−２、９−３はそれぞれ処理部５の排ガス流入口の圧力を検出する圧力検出器である。制御装置８には圧力検出器９−１、９−２、９−３で検出された検出値、真空ポンプ２−１、２−２、２−３の起動信号、半導体製造装置１からのバイパス弁７−１、７−２、７−３の開閉に関する信号、排ガス処理装置４からの信号が入力されるようになっている。
【００１５】
上記構成の半導体製造装置用排ガス処理装置において、例えば真空ポンプ２−１で半導体製造装置１のあるチャンバーを大気引きし大量の排ガスが処理部５に流入する場合、該制御装置８には圧力検出器９−１で検出した処理部５のガス流入口の検出圧力値や真空ポンプ２−１の起動信号が入力されているから、制御装置８は真空ポンプ２−１が起動され、若しくは検出圧力値が所定値を越えたことにより、大量の排ガスが処理部５に流入すると判断し、バイパス弁７−１を開いて、この大量の排ガスをバイパスライン１０−１を通して、即ち処理部５をパイパスして排気配管６に流す。これにより、大量の排ガスは処理部５に流入することが無いから、処理部５の処理性能が低下することがない。
【００１６】
また、このときバイパス弁７−２、７−３は閉じているから、真空ポンプ２−２、２−３を介して排出される有害ガスは処理部５に流入し、処理され無害化されて排気されるから、有害ガスが排出されることはない。また、半導体製造装置１からは場合によって、処理部５に流入させたくないガスを排出する場合がある。例えば真空ポンプ２−３を通して処理部５に流入させたくないガスを排気する場合、半導体製造装置１は制御装置８にその旨を知らせる信号を出力する。これにより、制御装置８はバイパス弁２−３を開いて該処理部５に流したくない排ガスを処理部５をバイパスして排気配管６に流す。
【００１７】
なお、図１では、排ガス処理装置４の処理部５に１つの半導体製造装置１が接続されている例を示しているが、処理部５に接続される半導体製造装置１は１つに限定されるものではなく、図示は省略するが複数の半導体製造装置１を接続し、それぞれの半導体製造装置１の複数の排出口から排出される排ガスをそれぞれ処理部に設けられた異なるガス流入口に流入させるように構成してもよいことは当然である。
【００１８】
図２は本発明に係る半導体製造装置用排ガス処理装置の構成例を示す図である。図２において、１−１、１−２はそれぞれ半導体製造装置であり、半導体製造装置１−１、１−２は図示を省略するが複数のプロセスガスを使用してそれぞれ異なる処理を行なう複数のチャンバー（反応室又は処理室）が搭載されており、該複数のチャンバーのそれぞれには配管３−１、３−２、３−３を介して真空ポンプ２−１、２−２、２−３が接続されている。半導体製造装置１−１に接続された真空ポンプ２−１、２−２、２−３の吐出口は共通する配管３−６で排ガス処理装置４の処理部５のガス流入口５−１に接続されている。また、半導体製造装置１−２に接続された真空ポンプ２−１、２−２の吐出口は共通する配管３−７でガス流入口５−２に接続され、真空ポンプ２−３は配管３−８でガス流入口５−３に接続されている。
【００１９】
排ガス処理装置４内には処理部５のガス流入口５−１、５−２、５−３に対応しそれぞれバイパス弁７−１、７−２、７−３を有するバイパスライン１０−１、１０−２、１０−３が設けられている。また、図示は省略するが、図２の半導体製造装置用排ガス処理装置においても、図１の半導体製造装置用排ガス処理装置と同様、バイパス弁７−１、７−２、７−３を開閉制御する制御装置が設けられており、該制御装置にはガス流入口５−１、５−２、５−３のそれぞれの圧力を検出する圧力検出器９−１、９−２、９−３の検出圧力値が入力されるようになっている。
【００２０】
また、該制御装置には半導体製造装置１−１に接続された真空ポンプ２−１、２−２、２−３の起動信号、半導体製造装置１−２に接続された真空ポンプ２−１、２−２、２−３の起動信号が入力されるようになっている。更に、半導体製造装置１−１、１−２からはバイパス弁７−１、７−２、７−３の開閉に関する信号が入力されるようになっている。
【００２１】
上記構成の半導体製造装置用排ガス処理装置において、例えばガス流入口５−１に流入するガスが大量である場合や該処理部５に流したくないガスが該ガス流入口５−１から流入する場合、バイパス弁７−１を開いてこれらの排ガスをバイパスライン１０−１を通して（処理部５をバイパスして）排気配管６に流す。また、例えばガス流入口５−２から流入するガスが大量である場合や該処理部５に流したくないガスがガス流入口５−２から流入する場合、バイパス弁７−２を開いてこれらの排ガスはバイパスライン１０−２を通して（処理部５をバイパスして）排気配管６に流す。
【００２２】
この場合、バイパス弁７−３が閉じているから、真空ポンプ２−３を介して半導体製造装置１−２から有害なガスが排出されていても、該有害ガスは処理部５に流入し、無害化されて排気配管６から排出される。
【００２３】
上記実施の形態例ではバイパス弁７−１、７−２、７−３を開閉するための動力に電気を用いているが、半導体製造装置から排出される排ガスは可燃性のガスが多く、この可燃性のガスがバイパス弁７−１、７−２、７−３を通るので、該バイパス弁７−１、７−２、７−３を開閉するための動力に電気を用いると燃焼・爆発の危険性がある。そこでバイパス弁７−１、７−２、７−３にガスの圧力で開閉操作される弁を用い、そのガスにＡｒガスやＮ₂ガス等の不活性ガスを用いると可燃ガスが燃焼・爆発する危険性がなく好都合である。
【００２４】
図３はガス圧でバイパス弁７−１、７−２、７−３を開閉する構成例を示す図である。図３において、１３−１、１３−２、１３−３はバイパス弁７−１、７−２、７−３を開閉するガスを通す操作弁であり、該操作弁１３−１、１３−２、１３−３はそれぞれ制御装置８からの電気信号で開閉するようになっている。例えば制御装置８により操作弁１３−１が開けられると、不活性ガス源１２から不活性ガスがバイパス弁７−１に送られ、パイパス弁７−１は開く。また、閉じる時も同様である。
【００２５】
上記構成例の半導体製造装置用排ガス処理装置では、大気引きなどにより、配管内圧力が上昇した場合、バイパスライン１０−１、１０−２、１０−３を通してバイパスさせるという内容であった。これはあくまでも半導体製造装置１側からの異常時を想定している。そこで、次に排ガス処理装置４の処理部５の内部で異常が起こった場合について説明する。
【００２６】
燃料式排ガス処理装置を例にとると、排ガス処理装置４の処理部５の内部で平常運転時に何らかの異常が起こった場合、処理するための火炎が消えてしまう。火炎が消えるとガス処理ができないため、処理部５内を有害ガスを通過させるのは好ましくない。そこで処理部５内で何等かの異常が起こった時の検知信号にて、バイパス弁７−１、７−２、７−３を開いてバイパスライン１０−１、１０−２、１０−３に流す。この時有害ガスを処理しないまま、バイパスライン１０−１、１０−２、１０−３を通して排気ダクトに排出させることになる。
【００２７】
そこで、図４に示すように、開閉弁１５−１、１５−２、１５−３を有する希釈ガスライン１６−１、１６−２、１６−３を設け、それぞれバイパスライン１０−１、１０−２、１０−３に接続している。そして処理部５内で何等かの異常が起こった時の検知信号にて、バイパス弁７−１、７−２、７−３を開いてバイパスライン１０−１、１０−２、１０−３に流した時、開閉弁１５−１、１５−２、１５−３を開いて、希釈ガス源１４から希釈ガス（Ｎ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、空気ガス等）を供給することにより、有害ガスを希釈して排出する。
【００２８】
希釈条件は半導体製造装置から排出されるガスの種類によって異なるが、例えば爆発する恐れのあるガスであれば、爆発を起こさないレベルになるまでＮ₂ガスを供給して希釈する。また、ＳｉＨ₄等は０．６％以下、Ｈ₂は４％以下に希釈すれば爆発下限界以下である。
【００２９】
上記実施例ではガスバイパスライン１０−１、１０−２、１０−３に開閉型のバイパス弁７−１、７−２、７−３を設けているが、図５に示すように、切換型のバイパス弁７−１、７−２、７−３としてもよい。
【００３０】
なお、図１及び図２に示す半導体製造装置用排ガス処理装置の構成は一例であり、本発明の半導体製造装置用排ガス処理装置はこれに限定されるものではなく、要はガス処理部に有害ガスが流入するガス流入口に応じて該ガス処理部をバイパスするバイパス弁を有するバイパスラインを設け、ガス流入口からガス処理部に大量のガスが流入する場合や該処理部に流入させたくないガスが流入する場合、バイパスラインを通してガス処理部をバイパスさせ排出する構成であればよい。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１に記載の発明によれば、１台又は複数台の半導体製造装置の１個又は複数個の有害ガス排出口から排出されるガスがガス処理部の複数のガス流入口の１個に流入するように配管を接続し、ガス処理部のガス流入口に接続されたそれぞれの配管と出口側配管の間に該ガス処理部をバイパスするバイパスラインを設けると共に、それぞれのバイパスラインにバイパス弁を設け、各バイパス弁の開閉を制御する制御装置を具備するので、ガス処理部に流入する流量が大気引き等増大した時や該ガス処理部に流入させたくないガスが流入してくる時に、制御装置が対応するバイパスラインのバイパス弁を開き、このガスを該バイパスラインを通して流すので、大気引き等大量の排ガスが半導体製造装置のチャンバーから排出される場合も排ガス処理装置の性能低下を防止できると共に、流したくないガスをガス処理部に流すことなく、且つ有害ガスが排気される危険性もない半導体製造装置用排ガス処理装置を提供できる。
【００３２】
また、請求項２に記載の発明によれば、バイパスラインに希釈ガスラインを接続したので、バイパスガスを通る有害ガスを希釈ガスで有害性が無くなるように希釈して排出することができる半導体製造装置用排ガス処理装置を提供できる。
【００３３】
また、請求項３に記載の発明によれば、ガス処理部に異常が発生した場合、異常検知と同時にバイパス弁を開いて有害ガスをバイパスラインに流すと共に、有害性が無くなるように、また爆発しないように希釈して排出することができる半導体製造装置用排ガス処理装置の運転方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係る半導体製造装置用排ガス処理装置の構成例を示す図である。
【図２】本願発明に係る半導体製造装置用排ガス処理装置の構成例を示す図である。
【図３】本願発明に係る半導体製造装置用排ガス処理装置のガス圧でバイパス弁を開閉する装置の構成例を示す図である。
【図４】本願発明に係る半導体製造装置用排ガス処理装置の有害ガスを希釈する希釈システムの構成例を示す図である。
【図５】本願発明に係る半導体製造装置用排ガス処理装置の構成例を示す図である。
【符号の説明】
１半導体製造装置
２−１〜３真空ポンプ
３−１〜３配管
４排ガス処理装置
５処理部
５−１〜３ガス流入口
６排気配管
７−１〜３バイパス弁
８制御装置
９−１〜３圧力検出器
１０−１〜３バイパスライン
１２不活性ガス源
１３−１〜３操作弁
１４希釈ガス源
１５−１〜３開閉弁
１６−１〜３希釈ガスライン[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus for detoxifying harmful gas discharged from a semiconductor manufacturing apparatus, and an operation method thereof.
[0002]
[Prior art]
In a CVD apparatus and an etching apparatus used in a semiconductor manufacturing process, gases harmful to various human bodies are used. Therefore, these harmful gases are introduced into an exhaust gas treatment apparatus, detoxified and then released to the atmosphere. Among these harmful gases, there are many gases that cause explosion and combustion when mixed (danger of contact). For this reason, as shown in, for example, Japanese Examined Patent Publication No. 4-61686, one exhaust gas treatment apparatus is installed for one chamber (reaction chamber or treatment chamber) of the semiconductor manufacturing apparatus. Therefore, the exhaust gas inlet and the bypass valve of the exhaust gas treatment apparatus are one set for one unit.
[0003]
With the diversification of semiconductor manufacturing apparatuses, a large number of chambers are mounted on one semiconductor manufacturing apparatus. A vacuum pump is installed in each chamber, and when exhaust gas from each chamber sucked by the vacuum pump is introduced by installing an exhaust gas treatment device, the installation area, installation cost, and device cost increase. For this reason, it has been introduced into one exhaust gas treatment device and processed. In this case, when a large amount of gas is discharged from a certain chamber, such as when the chamber is evacuated, just by installing a single bypass valve in the exhaust gas treatment apparatus as in the past, the performance of the exhaust gas treatment apparatus When the exhaust gas treatment device is bypassed through this bypass valve, there is a risk that harmful gases from other chambers are also exhausted through this bypass valve.
[0004]
In addition, in order to avoid the above-mentioned danger, even if a large amount of exhaust gas is exhausted, such as by venting the chamber, if exhaust gas is not allowed to flow through the bypass line, exhaust gas from all chambers containing this large amount of exhaust gas will be treated as exhaust gas. There is a problem that the performance of the exhaust gas treatment device is deteriorated because it is introduced into the device.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in view of the above points, and is configured such that exhaust gases from a large number of chambers are introduced into a single exhaust gas treatment apparatus, and a large amount of exhaust gases such as air is exhausted from the chambers. Even if the gas that you do not want to flow to the exhaust gas treatment device is exhausted, only the gas in this line can be bypassed and exhausted to prevent the exhaust gas treatment device from degrading and there is no danger of exhausting harmful gases An object of the present invention is to provide an exhaust gas treatment apparatus for a manufacturing apparatus and an operation method thereof.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the invention according to claim 1 is provided with a gas processing unit, and a gas processing device for a semiconductor manufacturing apparatus that introduces and detoxifies harmful gas discharged from a semiconductor manufacturing device into the gas processing unit. The semiconductor manufacturing apparatus includes a plurality of harmful gas discharge ports, the gas processing unit includes a plurality of gas inlets, and one or a plurality of harmful gas discharges of one or a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses. A pipe is connected so that the gas discharged from the outlet flows into one of the plurality of gas inlets of the gas processing unit, and between each pipe connected to the gas inlet of the gas processing unit and the outlet side pipe A bypass line for bypassing the gas processing unit is provided , a bypass valve is provided in each bypass line, and a control device for controlling opening and closing of each bypass valve is provided .
[0007]
As described above , the piping is arranged so that the gas discharged from one or more harmful gas discharge ports of one or more semiconductor manufacturing apparatuses flows into one of the plurality of gas inlets of the gas processing unit. A bypass line that bypasses the gas processing unit is provided between each pipe connected to the gas inlet of the gas processing unit and the outlet side piping, and a bypass valve is provided in each bypass line. since having a control device for controlling the opening and closing of, when the gas flow entering the gas treatment unit is not desired to flow into and the gas treatment unit when the increased air evacuation, etc. come to flow, bypassing the control device corresponds Since the bypass valve of the line is opened and this gas is allowed to flow through the bypass line, the performance of the exhaust gas treatment device can be used even when a large amount of exhaust gas such as atmospheric air is discharged from the chamber of the semiconductor manufacturing device. In addition to preventing the decrease, the gas that is not desired to flow does not flow to the gas processing section, and the risk of exhausting harmful gas is eliminated.
[0008]
The invention according to claim 2 is the exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein a dilution gas line for supplying a dilution gas for diluting harmful gas passing through the bypass line to the bypass line is provided. It is connected.
[0009]
The invention according to claim 3 is an operation method of the exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, wherein when an abnormality occurs in the gas processing unit, the bypass valve is opened simultaneously with the abnormality detection. The inflowing gas is caused to flow to the bypass line, and the dilution gas is supplied from the dilution gas line to the bypass line.
[0010]
Since the dilution gas line for supplying the dilution gas for diluting the harmful gas passing through the bypass line is connected to the bypass line as described above, the harmful gas flowing through the bypass line can be diluted and explosive. Some gases can prevent combustion by diluting below the lower explosive limit.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a semiconductor manufacturing apparatus. The semiconductor manufacturing apparatus 1 includes a plurality of chambers (reaction chambers or processing chambers) that perform different processes using a plurality of process gases (not shown). Each of the plurality of chambers is connected to vacuum pumps 2-1, 2-2, 2-3 via pipes 3-1, 3-2, 3-3, and the vacuum pumps 2-1, The exhaust gas discharged from 2-2 and 2-3 is introduced into the processing unit 5 of the exhaust gas processing device 4 through the pipes 3-1, 3-2 and 3-3.
[0012]
That is, the gas exhaust port of the semiconductor manufacturing apparatus 1 and the gas inlet port of the processing unit 5 are arranged so that the gas discharged from one gas exhaust port of the semiconductor manufacturing apparatus 1 flows into one gas inlet port of the processing unit 5. Each corresponds.
[0013]
The gas from which harmful components have been rendered harmless in the processing section 5 is discharged from a duct (not shown) through the exhaust pipe 6. The exhaust gas treatment apparatus 4 has a plurality of pipes 3-1, 3-2, and 3-3 that discharge exhaust gas from the semiconductor manufacturing apparatus 1 (that is, the number of gas discharge ports or processing of the semiconductor manufacturing apparatus 1). Bypass lines 10-1, 10-2, 10-3 having bypass valves 7-1, 7-2, 7-3 (corresponding to the number of gas inlets in section 5) are provided.
[0014]
8 is a control device that controls opening and closing of the bypass valves 7-1, 7-2, and 7-3, and 9-1, 9-2, and 9-3 are pressure detectors that detect the pressure at the exhaust gas inlet of the processing unit 5. It is. The control device 8 includes detected values detected by the pressure detectors 9-1, 9-2, and 9-3, start signals for the vacuum pumps 2-1, 2-2, and 2-3, bypass from the semiconductor manufacturing device 1. Signals related to the opening and closing of the valves 7-1, 7-2 and 7-3 and a signal from the exhaust gas treatment device 4 are input.
[0015]
In the exhaust gas processing apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus having the above configuration, for example, when a vacuum pump 2-1 evacuates a chamber in which the semiconductor manufacturing apparatus 1 is located and a large amount of exhaust gas flows into the processing unit 5, the control apparatus 8 detects the pressure. Since the detected pressure value of the gas inlet of the processing unit 5 detected by the vessel 9-1 and the activation signal of the vacuum pump 2-1 are input, the control device 8 activates the vacuum pump 2-1, or detects the detected pressure. When the value exceeds the predetermined value, it is determined that a large amount of exhaust gas flows into the processing unit 5, the bypass valve 7-1 is opened, and this large amount of exhaust gas passes through the bypass line 10-1, that is, the processing unit 5 is bypassed. And flow into the exhaust pipe 6. Thereby, since a lot of exhaust gas does not flow into processing part 5, processing performance of processing part 5 does not fall.
[0016]
At this time, since the bypass valves 7-2 and 7-3 are closed, the harmful gas discharged through the vacuum pumps 2-2 and 2-3 flows into the processing unit 5 and is processed and rendered harmless. Because it is exhausted, no harmful gases are emitted. In some cases, the semiconductor manufacturing apparatus 1 may discharge a gas that is not desired to flow into the processing unit 5. For example, when the gas that is not desired to flow into the processing unit 5 is exhausted through the vacuum pump 2-3, the semiconductor manufacturing apparatus 1 outputs a signal notifying the controller 8 of the fact. As a result, the control device 8 opens the bypass valve 2-3 and causes the exhaust gas that is not desired to flow to the processing unit 5 to bypass the processing unit 5 and flow to the exhaust pipe 6.
[0017]
1 shows an example in which one semiconductor manufacturing apparatus 1 is connected to the processing unit 5 of the exhaust gas processing apparatus 4, but the semiconductor manufacturing apparatus 1 connected to the processing unit 5 is limited to one. Although not shown, a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses 1 are connected, and exhaust gases discharged from a plurality of outlets of the respective semiconductor manufacturing apparatuses 1 flow into different gas inlets provided in the processing units, respectively. Of course, it may be configured to be made to.
[0018]
FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention. In FIG. 2, 1-1 and 1-2 are semiconductor manufacturing apparatuses, respectively, and the semiconductor manufacturing apparatuses 1-1 and 1-2 are not shown in the drawing, but a plurality of processes are performed using a plurality of process gases. Chambers (reaction chambers or processing chambers) are mounted, and vacuum pumps 2-1, 2-2, 2-3 are respectively connected to the plurality of chambers via pipes 3-1, 3-2, 3-3. Is connected. The discharge ports of the vacuum pumps 2-1, 2-2, 2-3 connected to the semiconductor manufacturing apparatus 1-1 are connected to the gas inlet 5-1 of the treatment unit 5 of the exhaust gas treatment device 4 through a common pipe 3-6. It is connected. The discharge ports of the vacuum pumps 2-1 and 2-2 connected to the semiconductor manufacturing apparatus 1-2 are connected to the gas inlet 5-2 through a common pipe 3-7, and the vacuum pump 2-3 is connected to the pipe 3. It is connected to the gas inlet 5-3 at -8.
[0019]
In the exhaust gas treatment device 4, bypass lines 10-1 corresponding to the gas inlets 5-1, 5-2 and 5-3 of the processing unit 5 and having bypass valves 7-1, 7-2 and 7-3, respectively. 10-2 and 10-3 are provided. Moreover, although illustration is abbreviate | omitted, also in the waste gas processing apparatus for semiconductor manufacturing apparatuses of FIG. 2, open / close control of the bypass valves 7-1, 7-2, 7-3 is carried out similarly to the exhaust gas processing apparatus for semiconductor manufacturing apparatuses of FIG. The control device is provided with pressure detectors 9-1, 9-2, 9-3 for detecting the pressures of the gas inlets 5-1, 5-2, 5-3, respectively. The detected pressure value is input.
[0020]
The control device includes start signals of vacuum pumps 2-1, 2-2, 2-3 connected to the semiconductor manufacturing device 1-1, a vacuum pump 2-1 connected to the semiconductor manufacturing device 1-2, The startup signals 2-2 and 2-3 are input. Further, signals relating to the opening and closing of the bypass valves 7-1, 7-2 and 7-3 are input from the semiconductor manufacturing apparatuses 1-1 and 1-2.
[0021]
In the exhaust gas processing apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus having the above configuration, for example, when a large amount of gas flows into the gas inlet 5-1 or when a gas that is not desired to flow into the processing unit 5 flows from the gas inlet 5-1 Then, the bypass valve 7-1 is opened, and these exhaust gases are caused to flow through the exhaust pipe 6 through the bypass line 10-1 (bypassing the processing unit 5). Further, for example, when there is a large amount of gas flowing in from the gas inlet 5-2, or when gas that you do not want to flow into the processing section 5 flows in from the gas inlet 5-2, the bypass valve 7-2 is opened and these are opened. The exhaust gas flows to the exhaust pipe 6 through the bypass line 10-2 (bypassing the processing unit 5).
[0022]
In this case, since the bypass valve 7-3 is closed, even if harmful gas is discharged from the semiconductor manufacturing apparatus 1-2 via the vacuum pump 2-3, the harmful gas flows into the processing unit 5, It is rendered harmless and discharged from the exhaust pipe 6.
[0023]
In the above embodiment, electricity is used for the power for opening and closing the bypass valves 7-1, 7-2, and 7-3, but the exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing apparatus has a lot of combustible gas. Since flammable gas passes through the bypass valves 7-1, 7-2 and 7-3, if electricity is used to open and close the bypass valves 7-1, 7-2 and 7-3, combustion and explosion There is a danger of. Therefore, if the bypass valves 7-1, 7-2, 7-3 are valves that are opened and closed by the gas pressure, and an inert gas such as Ar gas or N ₂ gas is used as the gas, the combustible gas will burn or explode. There is no risk of doing it.
[0024]
FIG. 3 is a diagram showing a configuration example for opening and closing the bypass valves 7-1, 7-2 and 7-3 with gas pressure. In FIG. 3, reference numerals 13-1, 13-2, and 13-3 denote operation valves that allow gas to open and close the bypass valves 7-1, 7-2, and 7-3, and the operation valves 13-1, 13-2. , 13-3 are opened and closed by electrical signals from the control device 8, respectively. For example, when the operation valve 13-1 is opened by the control device 8, the inert gas is sent from the inert gas source 12 to the bypass valve 7-1, and the bypass valve 7-1 is opened. The same applies when closing.
[0025]
In the exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus of the above configuration example, when the pressure in the pipe rises due to atmospheric drawing or the like, the contents are bypassed through the bypass lines 10-1, 10-2, and 10-3. This assumes the time of abnormality from the semiconductor manufacturing apparatus 1 side to the last. Then, next, the case where abnormality arises inside the processing part 5 of the exhaust gas processing apparatus 4 will be described.
[0026]
Taking a fuel-type exhaust gas treatment device as an example, if any abnormality occurs during normal operation inside the processing section 5 of the exhaust gas treatment device 4, the flame for treatment will disappear. Since gas treatment cannot be performed when the flame is extinguished, it is not preferable to pass harmful gas through the treatment unit 5. Therefore, the bypass valve 7-1, 7-2, 7-3 is opened by the detection signal when any abnormality occurs in the processing unit 5, and the bypass lines 10-1, 10-2, 10-3 are opened. Shed. At this time, the harmful gas is discharged to the exhaust duct through the bypass lines 10-1, 10-2, 10-3 without being treated.
[0027]
Therefore, as shown in FIG. 4, dilution gas lines 16-1, 16-2, 16-3 having on-off valves 15-1, 15-2, 15-3 are provided, and bypass lines 10-1, 10-, respectively. 2 and 10-3. And by the detection signal when any abnormality occurs in the processing unit 5, the bypass valves 7-1, 7-2, 7-3 are opened to the bypass lines 10-1, 10-2, 10-3. that which causes, by opening the opening and closing valve 15-1, the dilution gas from the dilution gas source _{14 (N 2, He, Ar} , Ne, air gas, etc.) by supplying, noxious gas Dilute and discharge.
[0028]
Dilution conditions vary depending on the type of gas discharged from the semiconductor manufacturing apparatus. For example, if there is a gas that may explode, N ₂ gas is supplied and diluted until it reaches a level that does not cause an explosion. Further, if SiH ₄ or the like is diluted to 0.6% or less and H ₂ is diluted to 4% or less, it is below the lower limit of explosion.
[0029]
In the above embodiment, the gas bypass lines 10-1, 10-2 and 10-3 are provided with the open / close bypass valves 7-1, 7-2 and 7-3. However, as shown in FIG. The bypass valves 7-1, 7-2, and 7-3 may be used.
[0030]
The configuration of the exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 1 and FIG. 2 is an example, and the exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor production apparatus of the present invention is not limited to this. A bypass line having a bypass valve that bypasses the gas processing unit is provided according to the gas inlet into which the gas flows in, and when a large amount of gas flows into the gas processing unit from the gas inlet or does not want to flow into the processing unit When gas flows in, the gas processing unit may be bypassed and discharged through the bypass line.
[0031]
【The invention's effect】
As described above, according to the invention described in claim 1, the gas discharged from one or a plurality of harmful gas discharge ports of one or a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses is a plurality of gases of the gas processing unit. A pipe is connected to flow into one of the inlets, and a bypass line is provided between each pipe connected to the gas inlet of the gas processing part and the outlet side pipe to bypass the gas processing part. The bypass line is provided with a control device that controls the opening and closing of each bypass valve, so that when the flow rate flowing into the gas processing section increases to the atmosphere, etc., or the gas that you do not want to flow into the gas processing section When inflowing, the control device opens the bypass valve of the corresponding bypass line and flows this gas through the bypass line, so that a large amount of exhaust gas such as atmospheric air is discharged from the chamber of the semiconductor manufacturing apparatus. Rutotomoni also prevent performance degradation of the exhaust gas treatment device when it is discharged without flowing gas that does not want to flow to the gas processing unit, and noxious gases provides a semiconductor manufacturing apparatus for an exhaust gas treatment apparatus there is no risk of being exhausted it can.
[0032]
Further, according to the invention described in claim 2, since the dilution gas line is connected to the bypass line, the semiconductor production capable of diluting and discharging the harmful gas passing through the bypass gas with the dilution gas so as not to be harmful. An exhaust gas treatment apparatus for an apparatus can be provided.
[0033]
According to the invention of claim 3, when an abnormality occurs in the gas processing unit, the bypass valve is opened simultaneously with the abnormality detection so that harmful gas flows into the bypass line, and the explosion is performed so that the harmfulness is eliminated. It is possible to provide a method of operating an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus that can be diluted and discharged so as not to occur.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of an apparatus for opening and closing a bypass valve with a gas pressure of an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of a dilution system for diluting harmful gases of an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing a configuration example of an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor manufacturing apparatus 2-1 to 3 Vacuum pump 3-1 to 3 Piping 4 Exhaust gas processing apparatus 5 Processing part 5-1 to 3 Gas inlet 6 Exhaust piping 7-1 to 3 Bypass valve 8 Control apparatus 9-1 to 3 Pressure detectors 10-1 to 3 Bypass line 12 Inert gas source 13-1 to 3 Operation valve 14 Dilution gas source 15-1 to 3 Open / close valve 16-1 to 3 Dilution gas line

Claims

A gas processing apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus comprising a gas processing section, introducing harmful gas discharged from the semiconductor manufacturing apparatus into the gas processing section, and detoxifying the gas processing section,
The semiconductor manufacturing apparatus comprises a plurality of harmful gas discharge ports,
The gas processing unit includes a plurality of gas inlets,
Connecting a pipe so that gas discharged from one or a plurality of harmful gas discharge ports of one or a plurality of the semiconductor manufacturing apparatuses flows into one of a plurality of gas inlets of the gas processing unit;
A bypass line for bypassing the gas processing unit is provided between each pipe connected to the gas inlet of the gas processing unit and an outlet side piping, and a bypass valve is provided for each bypass line ,
An exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus , comprising a control device for controlling opening and closing of each bypass valve .

An exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1,
An exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus, wherein a dilution gas line for supplying a dilution gas for diluting harmful gas passing through the bypass line is connected to the bypass line.

A method for operating an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2,
When an abnormality occurs in the gas processing unit, the bypass valve is opened at the same time as the abnormality is detected to flow the gas flowing into the gas processing unit to the bypass line, and supply the dilution gas from the dilution gas line to the bypass line A method for operating an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus.