JP3958499B2 - Exhaust gas treatment apparatus for semiconductor manufacturing apparatus and operation method thereof - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造装置から排出される有害ガスを無害化する半導体製造装置用排ガス処理装置及びその運転方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造プロセスで使用するCVD装置やエッチング装置においては、各種の人体に有害なガスを使用するので、これらの有害ガスは排ガス処理装置に導入し、無害化してから大気に放出している。これらの有害ガスの中には混合すると爆発や燃焼を起こすガス(混触危険)が多く存在する。そのため、排ガス処理装置は、例えば特公平4−61686号公報に示すように、半導体製造装置の1つのチャンバー(反応室又は処理室)に対して1台設置していた。そのため排ガス処理装置の排ガス流入口やバイパス弁は1台に対して1組であった。
【0003】
半導体製造装置が多様化するに伴い、1台の半導体製造装置に多数のチャンバが搭載されるようになった。そしてそれぞれのチャンバーには真空ポンプが設置され、該真空ポンプによって吸引された各チャンバーからの排ガスがそれぞれ排気ガス処理装置を設置して導入されると設置面積、設置コスト、装置のコストが増加することから、1台の排ガス処理装置に導入され、処理されるようになった。この場合従来のように、排ガス処理装置内に1つのバイパス弁が設置されているだけでは、チャンバーを大気引きする場合等、あるチャンバーから大量のガスが排出される場合、排ガス処理装置の性能が低下するため、このバイパス弁を通して排ガス処理装置をバイパスすると、他のチャンバーからの有害ガスもこのバイパス弁を通して排気されるという危険性がある。
【0004】
また、上記危険を回避するため、チャンバーを大気引きする等大量の排ガスが排出される場合も排ガスをバイパスラインに流さないようにすると、この大量の排ガスを含む全てのチャンバーからの排ガスを排ガス処理装置に導入することになり排ガス処理装置の性能が低下するという問題がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、多数のチャンバーからの排ガスが一台の排ガス処理装置に導入されるように構成され、大気引きする等大量の排ガスがチャンバーから排出される場合や排ガス処理装置に流したくないガスが排出される場合でも、このラインのガスのみをバイパスして排出させ、排ガス処理装置の性能低下を防止でき、且つ有害ガスが排気される危険性のない半導体製造装置用排ガス処理装置及びその運転方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項1に記載の発明は、ガス処理部を具備し、該ガス処理部に半導体製造装置から排出される有害ガスを導入、無害化する半導体製造装置用ガス処理装置であって、半導体製造装置は複数の有害ガス排出口を具備し、ガス処理部は複数のガス流入口を具備し、1台又は複数台の半導体製造装置の1個又は複数個の有害ガス排出口から排出されるガスがガス処理部の複数のガス流入口の1個に流入するように配管を接続し、ガス処理部のガス流入口に接続されたそれぞれの配管と出口側配管の間に該ガス処理部をバイパスするバイパスラインを設けると共に、それぞれのバイパスラインにバイパス弁を設け、各バイパス弁の開閉を制御する制御装置を具備することを特徴とする。
【0007】
上記のように、1台又は複数台の半導体製造装置の1個又は複数個の有害ガス排出口から排出されるガスがガス処理部の複数のガス流入口の1個に流入するように配管を接続し、ガス処理部のガス流入口に接続されたそれぞれの配管と出口側配管の間に該ガス処理部をバイパスするバイパスラインを設けると共に、それぞれのバイパスラインにバイパス弁を設け、各バイパス弁の開閉を制御する制御装置を具備するので、ガス処理部に流入する流量が大気引き等増大した時や該ガス処理部に流入させたくないガスが流入してくる時に、制御装置が対応するバイパスラインのバイパス弁を開き、このガスを該バイパスラインを通して流すので、大気引き等大量の排ガスが半導体製造装置のチャンバーから排出される場合も排ガス処理装置の性能低下を防止できると共に、流したくないガスをガス処理部に流すことなく、且つ有害ガスが排気される危険性もなくなる。
【0008】
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の半導体製造装置用排ガス処理装置であって、バイパスラインに該バイパスラインを通る有害ガスを希釈する希釈ガスを供給する希釈ガスラインを接続したことを特徴とする。
【0009】
また、請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の半導体製造装置用排ガス処理装置の運転方法であって、ガス処理部に異常が発生した場合、異常検知と同時にバイパス弁を開いて流入するガスをバイパスラインに流すと共に、希釈ガスラインから該バイパスラインに希釈ガスを供給することを特徴とする。
【0010】
上記のようにバイパスラインに該バイパスラインを通る有害ガスを希釈する希釈ガスを供給する希釈ガスラインを接続したので、該バイパスラインを通って流れる有害ガスを希釈することができ、また爆発性のあるガスでは爆発下限界以下に希釈することで燃焼を防ぐことができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態例を図面に基づいて説明する。図1は本発明に係る半導体製造装置用排ガス処理装置の構成例を示す図である。図1において、1は半導体製造装置であり、該半導体製造装置1には図示は省略するが複数のプロセスガスを使用してそれぞれ異なる処理を行なう複数のチャンバー(反応室又は処理室)が搭載されており、該複数のチャンバーのそれぞれには配管3−1、3−2、3−3を介して真空ポンプ2−1、2−2、2−3が接続され、該真空ポンプ2−1、2−2、2−3から排出される排ガスは排ガス処理装置4の処理部5に配管3−1、3−2、3−3を通して導入されるようになっている。
【0012】
即ち、半導体製造装置1の1つのガス排出口から排出されたガスは処理部5の1つのガス流入口に流入するように、半導体製造装置1のガス排出口と処理部5のガス流入口がそれぞれ対応している。
【0013】
処理部5で有害成分が無害化されたガスは排気配管6を通してダクト(図示せず)から排出されるようになっている。排ガス処理装置4の内部には半導体製造装置1から排ガスを排出する複数の配管3−1、3−2、3−3のそれぞれに対応して(即ち、半導体製造装置1のガス排出口数又は処理部5のガス流入口数に対応して)バイパス弁7−1、7−2、7−3を有するバイパスライン10−1、10−2、10−3が設けられている。
【0014】
8はバイパス弁7−1、7−2、7−3を開閉制御する制御装置、9−1、9−2、9−3はそれぞれ処理部5の排ガス流入口の圧力を検出する圧力検出器である。制御装置8には圧力検出器9−1、9−2、9−3で検出された検出値、真空ポンプ2−1、2−2、2−3の起動信号、半導体製造装置1からのバイパス弁7−1、7−2、7−3の開閉に関する信号、排ガス処理装置4からの信号が入力されるようになっている。
【0015】
上記構成の半導体製造装置用排ガス処理装置において、例えば真空ポンプ2−1で半導体製造装置1のあるチャンバーを大気引きし大量の排ガスが処理部5に流入する場合、該制御装置8には圧力検出器9−1で検出した処理部5のガス流入口の検出圧力値や真空ポンプ2−1の起動信号が入力されているから、制御装置8は真空ポンプ2−1が起動され、若しくは検出圧力値が所定値を越えたことにより、大量の排ガスが処理部5に流入すると判断し、バイパス弁7−1を開いて、この大量の排ガスをバイパスライン10−1を通して、即ち処理部5をパイパスして排気配管6に流す。これにより、大量の排ガスは処理部5に流入することが無いから、処理部5の処理性能が低下することがない。
【0016】
また、このときバイパス弁7−2、7−3は閉じているから、真空ポンプ2−2、2−3を介して排出される有害ガスは処理部5に流入し、処理され無害化されて排気されるから、有害ガスが排出されることはない。また、半導体製造装置1からは場合によって、処理部5に流入させたくないガスを排出する場合がある。例えば真空ポンプ2−3を通して処理部5に流入させたくないガスを排気する場合、半導体製造装置1は制御装置8にその旨を知らせる信号を出力する。これにより、制御装置8はバイパス弁2−3を開いて該処理部5に流したくない排ガスを処理部5をバイパスして排気配管6に流す。
【0017】
なお、図1では、排ガス処理装置4の処理部5に1つの半導体製造装置1が接続されている例を示しているが、処理部5に接続される半導体製造装置1は1つに限定されるものではなく、図示は省略するが複数の半導体製造装置1を接続し、それぞれの半導体製造装置1の複数の排出口から排出される排ガスをそれぞれ処理部に設けられた異なるガス流入口に流入させるように構成してもよいことは当然である。
【0018】
図2は本発明に係る半導体製造装置用排ガス処理装置の構成例を示す図である。図2において、1−1、1−2はそれぞれ半導体製造装置であり、半導体製造装置1−1、1−2は図示を省略するが複数のプロセスガスを使用してそれぞれ異なる処理を行なう複数のチャンバー(反応室又は処理室)が搭載されており、該複数のチャンバーのそれぞれには配管3−1、3−2、3−3を介して真空ポンプ2−1、2−2、2−3が接続されている。半導体製造装置1−1に接続された真空ポンプ2−1、2−2、2−3の吐出口は共通する配管3−6で排ガス処理装置4の処理部5のガス流入口5−1に接続されている。また、半導体製造装置1−2に接続された真空ポンプ2−1、2−2の吐出口は共通する配管3−7でガス流入口5−2に接続され、真空ポンプ2−3は配管3−8でガス流入口5−3に接続されている。
【0019】
排ガス処理装置4内には処理部5のガス流入口5−1、5−2、5−3に対応しそれぞれバイパス弁7−1、7−2、7−3を有するバイパスライン10−1、10−2、10−3が設けられている。また、図示は省略するが、図2の半導体製造装置用排ガス処理装置においても、図1の半導体製造装置用排ガス処理装置と同様、バイパス弁7−1、7−2、7−3を開閉制御する制御装置が設けられており、該制御装置にはガス流入口5−1、5−2、5−3のそれぞれの圧力を検出する圧力検出器9−1、9−2、9−3の検出圧力値が入力されるようになっている。
【0020】
また、該制御装置には半導体製造装置1−1に接続された真空ポンプ2−1、2−2、2−3の起動信号、半導体製造装置1−2に接続された真空ポンプ2−1、2−2、2−3の起動信号が入力されるようになっている。更に、半導体製造装置1−1、1−2からはバイパス弁7−1、7−2、7−3の開閉に関する信号が入力されるようになっている。
【0021】
上記構成の半導体製造装置用排ガス処理装置において、例えばガス流入口5−1に流入するガスが大量である場合や該処理部5に流したくないガスが該ガス流入口5−1から流入する場合、バイパス弁7−1を開いてこれらの排ガスをバイパスライン10−1を通して(処理部5をバイパスして)排気配管6に流す。また、例えばガス流入口5−2から流入するガスが大量である場合や該処理部5に流したくないガスがガス流入口5−2から流入する場合、バイパス弁7−2を開いてこれらの排ガスはバイパスライン10−2を通して(処理部5をバイパスして)排気配管6に流す。
【0022】
この場合、バイパス弁7−3が閉じているから、真空ポンプ2−3を介して半導体製造装置1−2から有害なガスが排出されていても、該有害ガスは処理部5に流入し、無害化されて排気配管6から排出される。
【0023】
上記実施の形態例ではバイパス弁7−1、7−2、7−3を開閉するための動力に電気を用いているが、半導体製造装置から排出される排ガスは可燃性のガスが多く、この可燃性のガスがバイパス弁7−1、7−2、7−3を通るので、該バイパス弁7−1、7−2、7−3を開閉するための動力に電気を用いると燃焼・爆発の危険性がある。そこでバイパス弁7−1、7−2、7−3にガスの圧力で開閉操作される弁を用い、そのガスにArガスやN2ガス等の不活性ガスを用いると可燃ガスが燃焼・爆発する危険性がなく好都合である。
【0024】
図3はガス圧でバイパス弁7−1、7−2、7−3を開閉する構成例を示す図である。図3において、13−1、13−2、13−3はバイパス弁7−1、7−2、7−3を開閉するガスを通す操作弁であり、該操作弁13−1、13−2、13−3はそれぞれ制御装置8からの電気信号で開閉するようになっている。例えば制御装置8により操作弁13−1が開けられると、不活性ガス源12から不活性ガスがバイパス弁7−1に送られ、パイパス弁7−1は開く。また、閉じる時も同様である。
【0025】
上記構成例の半導体製造装置用排ガス処理装置では、大気引きなどにより、配管内圧力が上昇した場合、バイパスライン10−1、10−2、10−3を通してバイパスさせるという内容であった。これはあくまでも半導体製造装置1側からの異常時を想定している。そこで、次に排ガス処理装置4の処理部5の内部で異常が起こった場合について説明する。
【0026】
燃料式排ガス処理装置を例にとると、排ガス処理装置4の処理部5の内部で平常運転時に何らかの異常が起こった場合、処理するための火炎が消えてしまう。火炎が消えるとガス処理ができないため、処理部5内を有害ガスを通過させるのは好ましくない。そこで処理部5内で何等かの異常が起こった時の検知信号にて、バイパス弁7−1、7−2、7−3を開いてバイパスライン10−1、10−2、10−3に流す。この時有害ガスを処理しないまま、バイパスライン10−1、10−2、10−3を通して排気ダクトに排出させることになる。
【0027】
そこで、図4に示すように、開閉弁15−1、15−2、15−3を有する希釈ガスライン16−1、16−2、16−3を設け、それぞれバイパスライン10−1、10−2、10−3に接続している。そして処理部5内で何等かの異常が起こった時の検知信号にて、バイパス弁7−1、7−2、7−3を開いてバイパスライン10−1、10−2、10−3に流した時、開閉弁15−1、15−2、15−3を開いて、希釈ガス源14から希釈ガス(N2、He、Ar、Ne、空気ガス等)を供給することにより、有害ガスを希釈して排出する。
【0028】
希釈条件は半導体製造装置から排出されるガスの種類によって異なるが、例えば爆発する恐れのあるガスであれば、爆発を起こさないレベルになるまでN2ガスを供給して希釈する。また、SiH4等は0.6%以下、H2は4%以下に希釈すれば爆発下限界以下である。
【0029】
上記実施例ではガスバイパスライン10−1、10−2、10−3に開閉型のバイパス弁7−1、7−2、7−3を設けているが、図5に示すように、切換型のバイパス弁7−1、7−2、7−3としてもよい。
【0030】
なお、図1及び図2に示す半導体製造装置用排ガス処理装置の構成は一例であり、本発明の半導体製造装置用排ガス処理装置はこれに限定されるものではなく、要はガス処理部に有害ガスが流入するガス流入口に応じて該ガス処理部をバイパスするバイパス弁を有するバイパスラインを設け、ガス流入口からガス処理部に大量のガスが流入する場合や該処理部に流入させたくないガスが流入する場合、バイパスラインを通してガス処理部をバイパスさせ排出する構成であればよい。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1に記載の発明によれば、1台又は複数台の半導体製造装置の1個又は複数個の有害ガス排出口から排出されるガスがガス処理部の複数のガス流入口の1個に流入するように配管を接続し、ガス処理部のガス流入口に接続されたそれぞれの配管と出口側配管の間に該ガス処理部をバイパスするバイパスラインを設けると共に、それぞれのバイパスラインにバイパス弁を設け、各バイパス弁の開閉を制御する制御装置を具備するので、ガス処理部に流入する流量が大気引き等増大した時や該ガス処理部に流入させたくないガスが流入してくる時に、制御装置が対応するバイパスラインのバイパス弁を開き、このガスを該バイパスラインを通して流すので、大気引き等大量の排ガスが半導体製造装置のチャンバーから排出される場合も排ガス処理装置の性能低下を防止できると共に、流したくないガスをガス処理部に流すことなく、且つ有害ガスが排気される危険性もない半導体製造装置用排ガス処理装置を提供できる。
【0032】
また、請求項2に記載の発明によれば、バイパスラインに希釈ガスラインを接続したので、バイパスガスを通る有害ガスを希釈ガスで有害性が無くなるように希釈して排出することができる半導体製造装置用排ガス処理装置を提供できる。
【0033】
また、請求項3に記載の発明によれば、ガス処理部に異常が発生した場合、異常検知と同時にバイパス弁を開いて有害ガスをバイパスラインに流すと共に、有害性が無くなるように、また爆発しないように希釈して排出することができる半導体製造装置用排ガス処理装置の運転方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明に係る半導体製造装置用排ガス処理装置の構成例を示す図である。
【図2】本願発明に係る半導体製造装置用排ガス処理装置の構成例を示す図である。
【図3】本願発明に係る半導体製造装置用排ガス処理装置のガス圧でバイパス弁を開閉する装置の構成例を示す図である。
【図4】本願発明に係る半導体製造装置用排ガス処理装置の有害ガスを希釈する希釈システムの構成例を示す図である。
【図5】本願発明に係る半導体製造装置用排ガス処理装置の構成例を示す図である。
【符号の説明】
1 半導体製造装置
2−1〜3 真空ポンプ
3−1〜3 配管
4 排ガス処理装置
5 処理部
5−1〜3 ガス流入口
6 排気配管
7−1〜3 バイパス弁
8 制御装置
9−1〜3 圧力検出器
10−1〜3 バイパスライン
12 不活性ガス源
13−1〜3 操作弁
14 希釈ガス源
15−1〜3 開閉弁
16−1〜3 希釈ガスライン[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus for detoxifying harmful gas discharged from a semiconductor manufacturing apparatus, and an operation method thereof.
[0002]
[Prior art]
In a CVD apparatus and an etching apparatus used in a semiconductor manufacturing process, gases harmful to various human bodies are used. Therefore, these harmful gases are introduced into an exhaust gas treatment apparatus, detoxified and then released to the atmosphere. Among these harmful gases, there are many gases that cause explosion and combustion when mixed (danger of contact). For this reason, as shown in, for example, Japanese Examined Patent Publication No. 4-61686, one exhaust gas treatment apparatus is installed for one chamber (reaction chamber or treatment chamber) of the semiconductor manufacturing apparatus. Therefore, the exhaust gas inlet and the bypass valve of the exhaust gas treatment apparatus are one set for one unit.
[0003]
With the diversification of semiconductor manufacturing apparatuses, a large number of chambers are mounted on one semiconductor manufacturing apparatus. A vacuum pump is installed in each chamber, and when exhaust gas from each chamber sucked by the vacuum pump is introduced by installing an exhaust gas treatment device, the installation area, installation cost, and device cost increase. For this reason, it has been introduced into one exhaust gas treatment device and processed. In this case, when a large amount of gas is discharged from a certain chamber, such as when the chamber is evacuated, just by installing a single bypass valve in the exhaust gas treatment apparatus as in the past, the performance of the exhaust gas treatment apparatus When the exhaust gas treatment device is bypassed through this bypass valve, there is a risk that harmful gases from other chambers are also exhausted through this bypass valve.
[0004]
In addition, in order to avoid the above-mentioned danger, even if a large amount of exhaust gas is exhausted, such as by venting the chamber, if exhaust gas is not allowed to flow through the bypass line, exhaust gas from all chambers containing this large amount of exhaust gas will be treated as exhaust gas. There is a problem that the performance of the exhaust gas treatment device is deteriorated because it is introduced into the device.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in view of the above points, and is configured such that exhaust gases from a large number of chambers are introduced into a single exhaust gas treatment apparatus, and a large amount of exhaust gases such as air is exhausted from the chambers. Even if the gas that you do not want to flow to the exhaust gas treatment device is exhausted, only the gas in this line can be bypassed and exhausted to prevent the exhaust gas treatment device from degrading and there is no danger of exhausting harmful gases An object of the present invention is to provide an exhaust gas treatment apparatus for a manufacturing apparatus and an operation method thereof.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the invention according to claim 1 is provided with a gas processing unit, and a gas processing device for a semiconductor manufacturing apparatus that introduces and detoxifies harmful gas discharged from a semiconductor manufacturing device into the gas processing unit. The semiconductor manufacturing apparatus includes a plurality of harmful gas discharge ports, the gas processing unit includes a plurality of gas inlets, and one or a plurality of harmful gas discharges of one or a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses. A pipe is connected so that the gas discharged from the outlet flows into one of the plurality of gas inlets of the gas processing unit, and between each pipe connected to the gas inlet of the gas processing unit and the outlet side pipe A bypass line for bypassing the gas processing unit is provided , a bypass valve is provided in each bypass line, and a control device for controlling opening and closing of each bypass valve is provided .
[0007]
As described above , the piping is arranged so that the gas discharged from one or more harmful gas discharge ports of one or more semiconductor manufacturing apparatuses flows into one of the plurality of gas inlets of the gas processing unit. A bypass line that bypasses the gas processing unit is provided between each pipe connected to the gas inlet of the gas processing unit and the outlet side piping, and a bypass valve is provided in each bypass line. since having a control device for controlling the opening and closing of, when the gas flow entering the gas treatment unit is not desired to flow into and the gas treatment unit when the increased air evacuation, etc. come to flow, bypassing the control device corresponds Since the bypass valve of the line is opened and this gas is allowed to flow through the bypass line, the performance of the exhaust gas treatment device can be used even when a large amount of exhaust gas such as atmospheric air is discharged from the chamber of the semiconductor manufacturing device. In addition to preventing the decrease, the gas that is not desired to flow does not flow to the gas processing section, and the risk of exhausting harmful gas is eliminated.
[0008]
The invention according to
[0009]
The invention according to claim 3 is an operation method of the exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to
[0010]
Since the dilution gas line for supplying the dilution gas for diluting the harmful gas passing through the bypass line is connected to the bypass line as described above, the harmful gas flowing through the bypass line can be diluted and explosive. Some gases can prevent combustion by diluting below the lower explosive limit.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a semiconductor manufacturing apparatus. The semiconductor manufacturing apparatus 1 includes a plurality of chambers (reaction chambers or processing chambers) that perform different processes using a plurality of process gases (not shown). Each of the plurality of chambers is connected to vacuum pumps 2-1, 2-2, 2-3 via pipes 3-1, 3-2, 3-3, and the vacuum pumps 2-1, The exhaust gas discharged from 2-2 and 2-3 is introduced into the
[0012]
That is, the gas exhaust port of the semiconductor manufacturing apparatus 1 and the gas inlet port of the
[0013]
The gas from which harmful components have been rendered harmless in the
[0014]
8 is a control device that controls opening and closing of the bypass valves 7-1, 7-2, and 7-3, and 9-1, 9-2, and 9-3 are pressure detectors that detect the pressure at the exhaust gas inlet of the
[0015]
In the exhaust gas processing apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus having the above configuration, for example, when a vacuum pump 2-1 evacuates a chamber in which the semiconductor manufacturing apparatus 1 is located and a large amount of exhaust gas flows into the
[0016]
At this time, since the bypass valves 7-2 and 7-3 are closed, the harmful gas discharged through the vacuum pumps 2-2 and 2-3 flows into the
[0017]
1 shows an example in which one semiconductor manufacturing apparatus 1 is connected to the
[0018]
FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention. In FIG. 2, 1-1 and 1-2 are semiconductor manufacturing apparatuses, respectively, and the semiconductor manufacturing apparatuses 1-1 and 1-2 are not shown in the drawing, but a plurality of processes are performed using a plurality of process gases. Chambers (reaction chambers or processing chambers) are mounted, and vacuum pumps 2-1, 2-2, 2-3 are respectively connected to the plurality of chambers via pipes 3-1, 3-2, 3-3. Is connected. The discharge ports of the vacuum pumps 2-1, 2-2, 2-3 connected to the semiconductor manufacturing apparatus 1-1 are connected to the gas inlet 5-1 of the
[0019]
In the exhaust
[0020]
The control device includes start signals of vacuum pumps 2-1, 2-2, 2-3 connected to the semiconductor manufacturing device 1-1, a vacuum pump 2-1 connected to the semiconductor manufacturing device 1-2, The startup signals 2-2 and 2-3 are input. Further, signals relating to the opening and closing of the bypass valves 7-1, 7-2 and 7-3 are input from the semiconductor manufacturing apparatuses 1-1 and 1-2.
[0021]
In the exhaust gas processing apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus having the above configuration, for example, when a large amount of gas flows into the gas inlet 5-1 or when a gas that is not desired to flow into the
[0022]
In this case, since the bypass valve 7-3 is closed, even if harmful gas is discharged from the semiconductor manufacturing apparatus 1-2 via the vacuum pump 2-3, the harmful gas flows into the
[0023]
In the above embodiment, electricity is used for the power for opening and closing the bypass valves 7-1, 7-2, and 7-3, but the exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing apparatus has a lot of combustible gas. Since flammable gas passes through the bypass valves 7-1, 7-2 and 7-3, if electricity is used to open and close the bypass valves 7-1, 7-2 and 7-3, combustion and explosion There is a danger of. Therefore, if the bypass valves 7-1, 7-2, 7-3 are valves that are opened and closed by the gas pressure, and an inert gas such as Ar gas or N 2 gas is used as the gas, the combustible gas will burn or explode. There is no risk of doing it.
[0024]
FIG. 3 is a diagram showing a configuration example for opening and closing the bypass valves 7-1, 7-2 and 7-3 with gas pressure. In FIG. 3, reference numerals 13-1, 13-2, and 13-3 denote operation valves that allow gas to open and close the bypass valves 7-1, 7-2, and 7-3, and the operation valves 13-1, 13-2. , 13-3 are opened and closed by electrical signals from the control device 8, respectively. For example, when the operation valve 13-1 is opened by the control device 8, the inert gas is sent from the
[0025]
In the exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus of the above configuration example, when the pressure in the pipe rises due to atmospheric drawing or the like, the contents are bypassed through the bypass lines 10-1, 10-2, and 10-3. This assumes the time of abnormality from the semiconductor manufacturing apparatus 1 side to the last. Then, next, the case where abnormality arises inside the
[0026]
Taking a fuel-type exhaust gas treatment device as an example, if any abnormality occurs during normal operation inside the
[0027]
Therefore, as shown in FIG. 4, dilution gas lines 16-1, 16-2, 16-3 having on-off valves 15-1, 15-2, 15-3 are provided, and bypass lines 10-1, 10-, respectively. 2 and 10-3. And by the detection signal when any abnormality occurs in the
[0028]
Dilution conditions vary depending on the type of gas discharged from the semiconductor manufacturing apparatus. For example, if there is a gas that may explode, N 2 gas is supplied and diluted until it reaches a level that does not cause an explosion. Further, if SiH 4 or the like is diluted to 0.6% or less and H 2 is diluted to 4% or less, it is below the lower limit of explosion.
[0029]
In the above embodiment, the gas bypass lines 10-1, 10-2 and 10-3 are provided with the open / close bypass valves 7-1, 7-2 and 7-3. However, as shown in FIG. The bypass valves 7-1, 7-2, and 7-3 may be used.
[0030]
The configuration of the exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 1 and FIG. 2 is an example, and the exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor production apparatus of the present invention is not limited to this. A bypass line having a bypass valve that bypasses the gas processing unit is provided according to the gas inlet into which the gas flows in, and when a large amount of gas flows into the gas processing unit from the gas inlet or does not want to flow into the processing unit When gas flows in, the gas processing unit may be bypassed and discharged through the bypass line.
[0031]
【The invention's effect】
As described above, according to the invention described in claim 1, the gas discharged from one or a plurality of harmful gas discharge ports of one or a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses is a plurality of gases of the gas processing unit. A pipe is connected to flow into one of the inlets, and a bypass line is provided between each pipe connected to the gas inlet of the gas processing part and the outlet side pipe to bypass the gas processing part. The bypass line is provided with a control device that controls the opening and closing of each bypass valve, so that when the flow rate flowing into the gas processing section increases to the atmosphere, etc., or the gas that you do not want to flow into the gas processing section When inflowing, the control device opens the bypass valve of the corresponding bypass line and flows this gas through the bypass line, so that a large amount of exhaust gas such as atmospheric air is discharged from the chamber of the semiconductor manufacturing apparatus. Rutotomoni also prevent performance degradation of the exhaust gas treatment device when it is discharged without flowing gas that does not want to flow to the gas processing unit, and noxious gases provides a semiconductor manufacturing apparatus for an exhaust gas treatment apparatus there is no risk of being exhausted it can.
[0032]
Further, according to the invention described in
[0033]
According to the invention of claim 3, when an abnormality occurs in the gas processing unit, the bypass valve is opened simultaneously with the abnormality detection so that harmful gas flows into the bypass line, and the explosion is performed so that the harmfulness is eliminated. It is possible to provide a method of operating an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus that can be diluted and discharged so as not to occur.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of an apparatus for opening and closing a bypass valve with a gas pressure of an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of a dilution system for diluting harmful gases of an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing a configuration example of an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor manufacturing apparatus 2-1 to 3 Vacuum pump 3-1 to 3
Claims (3)
前記半導体製造装置は複数の有害ガス排出口を具備し、
前記ガス処理部は複数のガス流入口を具備し、
1台又は複数台の前記半導体製造装置の1個又は複数個の有害ガス排出口から排出されるガスが前記ガス処理部の複数のガス流入口の1個に流入するように配管を接続し、
前記ガス処理部のガス流入口に接続されたそれぞれの配管と出口側配管の間に該ガス処理部をバイパスするバイパスラインを設けると共に、それぞれのバイパスラインにバイパス弁を設け、
前記各バイパス弁の開閉を制御する制御装置を具備することを特徴とする半導体製造装置用排ガス処理装置。A gas processing apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus comprising a gas processing section, introducing harmful gas discharged from the semiconductor manufacturing apparatus into the gas processing section, and detoxifying the gas processing section,
The semiconductor manufacturing apparatus comprises a plurality of harmful gas discharge ports,
The gas processing unit includes a plurality of gas inlets,
Connecting a pipe so that gas discharged from one or a plurality of harmful gas discharge ports of one or a plurality of the semiconductor manufacturing apparatuses flows into one of a plurality of gas inlets of the gas processing unit;
A bypass line for bypassing the gas processing unit is provided between each pipe connected to the gas inlet of the gas processing unit and an outlet side piping, and a bypass valve is provided for each bypass line ,
An exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus , comprising a control device for controlling opening and closing of each bypass valve .
前記バイパスラインに該バイパスラインを通る有害ガスを希釈する希釈ガスを供給する希釈ガスラインを接続したことを特徴とする半導体製造装置用排ガス処理装置。An exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1,
An exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus, wherein a dilution gas line for supplying a dilution gas for diluting harmful gas passing through the bypass line is connected to the bypass line.
前記ガス処理部に異常が発生した場合、異常検知と同時に前記バイパス弁を開いて該ガス処理部に流入するガスを前記バイパスラインに流すと共に、前記希釈ガスラインから該バイパスラインに希釈ガスを供給することを特徴とする半導体製造装置用排ガス処理装置の運転方法。A method for operating an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2,
When an abnormality occurs in the gas processing unit, the bypass valve is opened at the same time as the abnormality is detected to flow the gas flowing into the gas processing unit to the bypass line, and supply the dilution gas from the dilution gas line to the bypass line A method for operating an exhaust gas treatment apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus.
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