JP3952393B2 - 同期型ダイナミックランダムアクセスメモリアレイにおいてアクセス動作を実行するための方法およびコラム選択信号を制御するための回路を含む集積回路素子 - Google Patents
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Description
【発明の背景】
この発明は、一般に、集積回路(「IC」)メモリ素子および埋め込まれたメモリを組込んだ素子の分野に関する。さらに特定的に、この発明は、同期型ダイナミックランダムアクセスメモリ(「SDRAM」)素子および埋め込まれたSDRAMアレイを用いるICにおける、早期「読出し」および「書込み」メモリアクセス動作のための自動遅延技術に関する。
【0002】
「読出し」および「書込み」コマンドをダイナミックランダムアクセスメモリ(「DRAM」)素子に与えることができるのは、ロウアドレスがデコードされ、適切なワード線(「WL」)が選択され、適切なビット線(「BL」)信号が増幅され、適用可能なセンスアンプ(「SA」)がラッチされた後のみである。バンク選択と読出し/書込みコマンドのアサートとの間の期間を、通常、tRCD、すなわち、ロウアドレスストローブ(「/RAS」)−コラムアドレスストローブ(「/CAS」)遅延と称する。
【0003】
DRAMの「読出し」または「書込み」のコマンドをあまりに早く生じさせると、一般にセンスアンプの「ディスターブ」と称されるものにより、データが損なわれるおそれがある。選択されたコラムアドレスの早まった「読出し」により、この「ディスターブ」が動作障害を引き起こすおそれがあり、結果として、そのアドレスを正しく読み出すことができなくなる。代わりに、「書込み」をあまりに早く生じさせると、隣接するコラムが損なわれるおそれがある。なぜなら、センスアンプが、それらの隣接するコラムへの容量性結合の結果として、それらのデータをラッチする時間をとる前に、特定のコラムに書込み動作が行なわれるためである。
【0004】
これに関し、拡張データアウト(「EDO」)および高速ページモード(「FPM」)DRAM等の、非同期型(またはクロックされない)DRAMのための回路が開発され、コラムアドレスストローブ信号は早期にアサートされ、読出し/書込みおよびアドレス情報は、/CAS信号の立下がり端縁でラッチされるようになった。クロックまたは他のタイマを内部で用い、センスアンプがラッチされるまでコラム選択およびデータ情報を「待機」させる。このことにより、上述の「ディスターブ」状態を効果的に防ぐ。
【0005】
これに反し、同期型(またはクロックされた)DRAM、ダブルデータレート(「DDR」)SDRAM、および埋め込まれたDRAMのほとんどにおいて、類似の技術が用いられることはなく、早期/CASは不可能であった。なぜなら、外部コラムアドレスおよびデータ情報を素子の内部セットアップ要件と等しくして、アレイまたはセンスアンプのいかなる「ディスターブ」をも防がなくてはならないからである。。クロックされたDRAM(またはSDRAM)の特性により、コマンドを与えることができるのは、1クロック期間につき1回のみである。この量子化効果はこの発明の重要性を高める。なぜなら、先行技術のSDRAMにおいて、/RAS−/CAS遅延(tRCD)の特定が惜しくも行なわれず、ユーザが「読出し」または「書込み」動作を始めるのに、1クロック期間をまるまる待たざるを得ない場合があるかもしれないからである。
【0006】
【発明の概要】
この明細書に開示されるこの発明の技術に従い、内部コラム選択(「Yi」)およびデータ信号を制御する、回路および方法を、同期型DRAMアレイと関連させて提供する。従来のSDRAM素子および埋設されたSDRAMアレイを有する他のICを用いた場合よりも早く、/CAS信号を「アクティブ」にさせる。
【0007】
ここに開示された一例としての実施例において、この発明の技術を実施するためのシステムは、コラム選択信号「Yi」(「読出し」コラム選択信号「YRi」または「書込み」コラム選択信号「YWi」のいずれか)を、プリデコードされたコラムアドレス信号「CA210」(対応するプリデコードされた「読出し」コラムアドレス信号「CA210R」またはプリデコードされた「書込み」コラムアドレス信号「CA210W」のいずれか)またはコラムクロック信号「PHIYB」(対応するコラムクロック「読出し」信号「PHIYBR」またはコラムクロック「書込み」信号「PHIYBW」のいずれか)のいずれか後に生じる方が有効になるまで、遅延させる機能を果たす。機能的には、PHIYB信号は、クロック「CLK」または選択「SEL」(「読出し」選択信号「RSEL」または「書込み」選択信号「WSEL」のいずれか)のいずれか後の方により、遅延される。ここに開示される「書込み」回路構成に対し、アレイ選択回路から出力されたアレイ選択「書込み」信号「ASELW」が用いられ、その信号は、感知が始まった後に「有効」となる。ここに開示される「読出し」回路構成に対し、アレイ信号「読出し」信号「ASELR」が用いられ、その信号は、感知が始まって一定の遅延の後、「有効」となる。このことにより、YRiが「有効」となって高速読出しアクセス時間「tAC」を確保する前に、センスアンプラッチノードを分離させることができる。
【0008】
行列状に配置された同期型ダイナミックランダムアクセスメモリアレイにおいて、アクセス動作を実行するための方法を、ここに特定的に開示する。この方法は、アクセス動作のために、プリデコードされたコラムアドレス信号の有効状態の指示を待つステップと、コラムクロック信号の有効状態の指示もまた待つステップと、プリデコードされたコラムアドレス信号またはコラムクロック信号のうち、後の方の有効状態まで、アクセス動作のためのコラム選択信号を遅延させるステップとを含む。さらに詳細な実現化例において、この方法は、アクセス動作のためのアレイ選択信号の有効状態の指示を待つステップと、クロック信号のアサートをさらに待つステップと、アレイ選択信号またはクロック信号のうち、後の方の有効状態まで、コラムクロック信号の有効状態の指示を遅らせるステップとをさらに含む。
【0009】
アクセス動作が「書込み」動作であるとき、この方法は、メモリアレイへのセンスアンプイネーブル信号を検出するステップと、センスアンプイネーブル信号を検出するとアレイ選択信号の有効状態を指示するステップとをさらに含んでよい。アクセス動作が「読出し」動作であるとき、この方法は、メモリアレイへのセンスアンプイネーブル信号を検出するステップと、センスアンプイネーブル信号の検出後、予め定められた時間だけ、アレイ選択信号の有効状態を示すステップとをさらに含んでよい。
【0010】
同期型ダイナミックランダムアクセスメモリアレイにおいてコラム選択信号を制御するための回路を含む集積回路素子も、ここに開示される。この回路は、センスアンプイネーブル信号を受取り、それに応答して第1のアレイ選択信号を与えるためのアレイ選択回路と、第1のアレイ選択信号、第1のコラムアドレス信号、およびクロック信号を受取るための第1のコラムクロック回路とを含み、第1のコラムクロック回路はそれに応答して第1のコラムクロック信号を与え、さらに、第1のコラムクロック信号と第1のプリデコードされたコラムアドレス信号とを受取り、それに応答して第1のコラム選択信号を与えるための、第1のアクセス動作コラムデコーダ回路を含む。
【0011】
より詳細な実現化例において、回路は、アレイ選択回路からの第2のアレイ選択信号と、第2のコラムアドレス信号と、クロック信号とを受取るための第2のコラムクロック回路を含んでよく、第2のコラムクロック回路は、それに応答して第2のコラムクロック信号を与える。第2のコラムクロック信号と第2のプリデコードされたコラムアドレス信号とを受取り、それに応答して第2のコラム選択信号を与えるための、第2のアクセス動作コラムデコーダ回路が設けられる。
【0012】
この発明の、上述のおよび他の特性および目的に加え、それらを達成する方法は、添付の図面とともに好ましい実施例の以下の説明を参照することによってより明らかとなり、この発明自体が最もよく理解されるであろう。
【0013】
【代表的実施例の説明】
まず、図1を参照すると、先行技術である、非同期型の、すなわち、クロックされない、DRAM素子に対する単純化されたタイミング図が示され、/CAS信号を早期にアサートできること(すなわち、比較的短い/RAS−/CAS遅延、tRCD)を示しており、外部から供給されたアドレス(「X」および「Y」)ならびに読出し/書込み(「R/W」)信号は、/CASの立下がり端縁でラッチされる。上述のとおり、この先行技術のタイミング技術に従い動作するDRAMは、センスアンプがラッチされるまでコラム選択(Yi)およびデータ情報を意図的に待機させ、センスアンプの「ディスターブ」の可能性を予め排除する機能を果たすクロック、すなわちタイマを通常有するものとする。
【0014】
次に、図2をさらに参照すると、先行技術のSDRAM素子に対する、単純化された、対応するタイミング図もまた示され、内部クロック信号に関し、図1に示されたものと同じ信号のタイミングが示される。示されるとおり、/CAS信号のアサートのさらなる遅延(すなわち、より長いtRCD)が、アドレスおよびR/W信号のラッチが可能となる前に求められる。外部からのコラムアドレスおよびデータ情報は、メモリアレイまたはセンスアンプのいかなる「ディスターブ」をも防ぐために、予め定められた、内部のSDRAMの制約条件と等しくなければならない。すなわち、このような従来の素子では、LN/LP信号が「有効」になり、センスアンプがラッチされるまで、/CAS信号は「アクティブ」になることができない。
【0015】
さらに、図3を参照すると、この発明の一実施例に従った、SDRAMにおける早期読出し/書込みアクセスを可能にするための、自動遅延回路300の特定の実現化例の概略図が示される。回路300へのさまざまな信号入力および出力は、以下のように規定される。
【0016】
SEN:センスアンプイネーブル。ラッチN−チャネルバー(「LNB」)クロックとラッチP−チャネルバー(「LPB」)クロックとを開始させる。
【0017】
ASELW:アレイ選択書込み。SENからタイミングがずらされている。
ASELR:アレイ選択読出し。SENからタイミングがずらされている。
【0018】
ASEL:アレイ選択。「読出し」または「書込み」コラム選択信号Yiが生成されるかどうかに依存して、ASELRまたはASELWのいずれかに結合される。
【0019】
RSEL:読出し選択。
WSEL:書込み選択。
【0020】
CLK:クロック。メイン内部クロック信号。
RESETB:リセットバー。Yiのパルス幅をセルフタイムする。
【0021】
CA4:内部コラムアドレス信号。CA4W(書込み)、CA4R(読出し)。
【0022】
CA210:プリデコードされたコラムアドレス。CA210W(書込み)、CA210R(読出し)。
【0023】
Yi:コラム選択信号。YWi(書込み)、YRi(読出し)。
PHIYB:コラムクロックバー。すべてのコラムデコーダをイネーブルする。PHIYBW(書込み)、PHIYBR(読出し)。
【0024】
YDELB:コラム選択(Y)遅延バー。メイン「読出し」アンプへの入力。
以下の図に関して、より詳細に説明されるように、回路300は、アレイ選択回路502と、個別の「読出し」および「書込み」コラムクロック発生回路504と、対応する「読出し」および「書込み」コラムデコーダ回路506とを含む。
【0025】
ライン302上のSEN信号は、相補型金属酸化物半導体(「CMOS」)の伝達ゲート304に入力され、ASELW信号をライン380上に与える。ライン308上のCLK信号は、伝達ゲート304の制御端子の1つに入力され、インバータ306を介し、反対側の制御端子およびN−チャネルトランジスタ310のゲートに入力され、このトランジスタは、ライン380を回路接地(基準電圧VSS)に結合する。
【0026】
SEN信号はまた、2入力NANDゲート312および330の一方入力としてだけでなく、インバータ316の入力を回路接地に結合するN−チャネルトランジスタ314のゲートにも供給される。ライン318上の信号YDELBもまた、インバータ316の入力に供給され、その出力はNANDゲート312の他方入力に結合される。NANDゲート312の出力は、インバータ320の入力に接続され、このインバータは、供給電圧VCCと回路接地との間に結合され、直列接続された、P−チャネルトランジスタ322、324、およびN−チャネルトランジスタ326を有する。トランジスタ322のゲートが接地に結合される一方で、トランジスタ324、326の共通接続されたゲートは、インバータ320の入力を定める。さらなるP−チャネルトランジスタ328のソースおよびドレイン端子はVCCに結合され、そのゲート端子はインバータ320の出力およびNANDゲート330の他の入力に結合される。NANDゲート330の出力は、インバータ332を介して反転され、ライン334上にASELR信号を与える。
【0027】
SEL信号を、ライン342上の3入力NANDゲート340の1つの入力に与える一方で、ライン344上の内部コラムアドレス信号(「CA4」)を伝達ゲート346を介し、ライン354上の第2の入力に供給する。ライン348上のASEL信号を、インバータ350の入力だけでなく、伝達ゲート346の制御端子の1つにも結合する。インバータ350からの出力を、伝達ゲート346の他方入力だけでなく、ライン354を回路接地に結合するN−チャネルトランジスタ352のゲートにも結合する。この発明の特定の実現化例では、CA4信号を用いて2つの異なる対のコラムクロック発生回路504に対して左/右選択機能を実施してよく、1対の「読出し」および「書込み」コラムクロック発生回路504Rおよび504Wはそれぞれ、メモリサブアレイの各側に位置決めされてよく、左の対はCA4B信号を、右の対は相補CA4信号を受取る。
【0028】
ライン356上のNANDゲート340の出力を、VCCと回路接地との間でN−チャネルトランジスタ360と直列接続されるN−チャネルトランジスタ358のゲート端子に供給する。ライン308上のCLK信号は、一方の制御端子がライン356に結合され、他方の制御端子がインバータ384を介してライン356に接続される、伝達ゲート382の入力に結合される。伝達ゲート382の出力は、トランジスタ360のゲート端子だけでなく、反対側の端子を回路接地に結合させたN−チャネルトランジスタ386および404の端子の1つにも結合される。トランジスタ386のゲート端子はライン356に結合され、伝達ゲート382の出力もまた、ラッチ388の入力に結合される。このラッチは、その出力がインバータ390を介してN−チャネルトランジスタ392およびP−チャネルトランジスタ394のゲート端子に接続される、クロス結合されたインバータを有する。
【0029】
トランジスタ392が、ライン400上の、NANDゲート340の第3の入力を回路接地に結合する一方で、トランジスタ394はVCCと回路接地との間で、P−チャネルトランジスタ396およびN−チャネルトランジスタ398に直列接続される。ノード中間トランジスタ396および398がライン400に結合される一方で、これらの素子の、共通結合されたゲート端子はトランジスタ404のゲートに結合される。インバータ402は、トランジスタ396、398の共通接続されたゲートにライン400を結合する。トランジスタ404のゲートはトランジスタ408を介して回路接地に結合され、トランジスタ408のゲート端子は、インバータ406を介してライン308上のCLK信号を受取るよう結合される。
【0030】
トランジスタ358、360の間のノードは、ライン362を規定してPHIYB信号を与える。直列接続されたP−チャネルトランジスタ366とN−チャネルトランジスタ370とは、VCCをライン362に結合する。トランジスタ366のゲート端子がライン364上のRESETB信号を受取る一方で、トランジスタ370のゲート端子はCA210信号を受取る。トランジスタ366および370の間のノードは、ラッチ372の入力に結合され、ラッチ372はクロス結合されたインバータを有し、ライン374上のその出力は、Yi信号を供給する。
【0031】
次に、図4をさらに参照すると、この発明の技術を実施するための、単純化された代替的実施例を含む、自動遅延回路400のさらなる概略図が示される。この実施例では、ライン302上のSEN信号がライン380に直接接続され、先行の図面とは異なり、ASELW信号を与える。今回も、SEN信号を2入力NANDゲート312および330のうちの1つの入力だけでなく、トランジスタ314のゲートに結合する。ライン318上のYDELB信号を、トランジスタ314を介して回路接地に結合するだけでなく、インバータ316の入力にも接続するが、このインバータの出力は、NANDゲート312の第2の入力に接続される。NANDゲート312の出力は、インバータ320を介して反転され、NANDゲート330の他の入力に接続される。NANDゲート330の出力は、インバータ332を介して反転され、ライン334上にASELR信号を与える。
【0032】
この実施例では、SEL信号がライン342上の2入力NANDゲート3401の1つの入力に与えられる一方で、CA4信号は伝達ゲート346を介してライン354上の第2の入力に供給される。ライン348上のASEL信号は、インバータ350の入力だけでなく、伝達ゲート346の制御端子の1つにも結合される。インバータ350からの出力は、伝達ゲート346の他方入力だけでなく、ライン354を回路接地に結合するN−チャネルトランジスタ352のゲートにも結合される。
【0033】
ライン356上のNANDゲート3401の出力は、VCCと回路接地との間でN−チャネルトランジスタ360と直列接続されるN−チャネルトランジスタ358の、ゲート端子に供給される。ライン308上のCLK信号は、一方の制御端子がライン356に結合され、他方の制御端子がインバータ384を介し、ライン356に接続される伝達ゲート382の入力に結合される。伝達ゲート382の出力を、トランジスタ360のゲート端子だけでなく、N−チャネルトランジスタ386の一方の端子にも結合する。トランジスタ386の反対側の端子は回路接地に結合される。トランジスタ386のゲート端子をライン356に結合し、伝達ゲート382の出力もまた、ラッチ388の入力に結合する。
【0034】
先行の図面の実施例のように、トランジスタ358、360の間のノードはライン362を規定し、PHIYB信号を与える。直列接続されたP−チャネルトランジスタ366およびN−チャネルトランジスタ370は、VCCをライン362に結合する。トランジスタ366のゲート端子がライン364上のRESETB信号を受取る一方で、トランジスタ370のゲート端子はCA210信号を受取る。トランジスタ366および370の間のノードは、ラッチ372の入力に結合され、ラッチ372は、クロス結合されたインバータを有し、ライン374上のインバータの出力は、Yi信号を供給する。
【0035】
次に、図5をさらに参照すると、SDRAMにおける早期読出し/書込みアクセスのための自動遅延を実現するための完全なシステム500が、先行の2つの図面のうちのいずれかの回路を有する、より高レベルの機能ブロック図の形をとって示される。図3および図4に関して上に説明された機能ブロック、信号、および信号線には、図5でも同様の番号が付され、それに対する上述の説明は、ここでも通用する。示されるように、システム500はそれぞれ個別の「読出し」および「書込み」コラムクロック発生回路504Rおよび504Wを用い、それぞれは、対応する「読出し」および「書込み」コラムデコーダ回路506Rおよび506Wに結合される。ライン362上のPHIYBR信号およびPHIYBW信号を用いて、ライン374上の、対応するYRi信号またはYWi信号にゲーティングまたはタイミングを行なうことができる。
【0036】
動作の際に、システム500は、ライン368上の信号CA210(CA210RもしくはCA210W)またはライン362上のPHIYB(PHIYBRもしくはPHIYBW)のいずれか後の方が有効となるまで、ライン374上の信号Yi(YRiまたはYWi)を遅延させる機能を果たす。機能的には、ライン362上のPHIYB信号は、ライン308上のCLK信号またはライン342上のSEL信号(RSELもしくはWSEL)のいずれか後の方により、遅延される。「書込み」回路に対しては、ASEL回路502から出力される、ライン380上の信号ASELWが用いられ、その信号は、感知が始まった後に、「有効」となる。「読出し」回路に対しては、ライン334上の信号ASELRが用いられ、その信号は、感知が始まって一定の遅延の後、有効となる。このことにより、YRiが「有効」となる前に、センスアンプラッチノードを分離させて、高速読出しアクセス時間「tAC」を確保することが可能になる。
【0037】
次に、図6をさらに参照すると、この発明の技術に従った、早期読出し/書込みSDRAMのための単純化されたタイミング図が示され、同期型素子における/CAS信号を早期にアサートできることを示す。コラム選択信号(YRiもしくはYWi)は、それぞれプリデコードされたコラムアドレス信号(CA210RもしくはCA210W)または対応するコラムクロック信号(PHIYBRもしくはPHIYBW)のいずれか後の方が有効となるまで遅延され、/CAS信号は、図2のタイミング図で示される、対応する従来の同期型DRAM素子と比べ、一段と早くアサートされ得ることが分かる。
【0038】
特定の回路および機能的実現化例とともにこの発明の原理を上に説明してきたが、上述の説明は例としてのみ行なわれたものであり、この発明の範囲を限定するものとして行なわれたものではないことがはっきりと理解されるべきである。特に、上述の開示の教示が当該技術の技術者に対し、他の変形を示唆するであろうことが認識される。このような変形は、すでにそれ自体が公知でありかつこの明細書で既に説明された特徴の代わりに、またはその特徴に追加して用い得る他の特徴を含んでよい。この出願において、特徴の特定の組合せに対して請求項が作成されているが、この明細書の開示の範囲は、明示的もしくは暗示的な態様のいずれかで開示された、新規の特徴もしくは特徴の新規な任意の組合せ、または当該技術の技術者にとっては明らかである、その任意の一般化もしくは変形を含むことも理解されるべきであり、任意の請求項において現在クレームされているのと同じ発明に関するか否か、およびこの発明が直面するのと同じ、技術的な問題の一部または全部を軽減するか否かを問わないことも理解されるべきである。これにより、出願人は、この出願またはこの出願に基づくさらなる出願の手続きの間、このような特徴および/またはこのような特徴の組合せに対して新しい請求項を作成する権利を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 先行技術である、同期型、すなわち、クロックされないDRAM素子に対する単純化されたタイミング図であり、/CAS信号を早期にアサートできることを示し、外部から供給されたアドレス(「X」および「Y」)ならびに読出し/書込み(「R/W」)信号が、/CASの立下がり端縁でラッチされるのを示す。
【図2】 先行技術であるSDRAM素子に対する、対応する、単純化されたタイミング図であり、示されたさまざまな信号のタイミングを示し、アドレスおよびR/W信号のラッチが可能になる前の、/CAS信号のアサートにおける相対的遅延を示す。
【図3】 この発明の一実施例に従った、SDRAMにおける、早期読出し/書込みアクセスを可能にするための自動遅延回路の概略図である。
【図4】 この発明の技術を実施するための、単純化された代替的実施例を含む、自動遅延回路のさらなる概略図である。
【図5】 図3または図4のいずれかの回路を含む、SDRAMにおける早期読出し/書込みアクセスのための自動遅延を実現するための完全なシステムの、よりハイレベルな機能ブロック図である。
【図6】 この発明の技術に従った、早期読出し/書込みSDRAMに対する単純化されたタイミング図であり、結果的に、同期素子における/CAS信号をより早くアサートできることを示す。
【符号の説明】
300 自動遅延回路、304 伝達ゲート、310 N−チャネルトランジスタ、316 インバータ、322 P−チャネルトランジスタ、392 トランジスタ、502 アレイ選択回路、504 コラムクロック発生回路、506コラムデコーダ回路。
Claims (9)
- 同期型ダイナミックランダムアクセスメモリアレイにおいてコラム選択信号を制御するための回路を含む集積回路素子であって、前記コラム選択信号を制御するための回路は、
センスアンプイネーブル信号を受取り、それに応答してデータ読出しを行なうアレイを選択するための第1のアレイ選択信号を与えるためのアレイ選択回路と、
読出し動作を指示する第1の選択信号入力と、前記第1のアレイ選択信号と、アレイの読出しコラムアドレスを指示する第1のコラムアドレス信号と、クロック信号とを受取るための第1のコラムクロック回路とを含み、
前記第1のコラムクロック回路は、前記受取りに応答して読出しの動作タイミングに用いられる第1のコラムクロック信号を与え、前記コラム選択信号を制御するための回路はさらに、
前記第1のコラムクロック信号と第1のプリデコードされたコラムアドレス信号とを受取り、それに応答して、前記読出しコラムアドレスに対応するコラムを活性化する第1のコラム選択信号を与えるための第1のアクセス動作コラムデコーダ回路を含む、集積回路素子。 - 前記アレイ選択回路は、前記メモリアレイのメイン読出アンプへの入力に対して遅延信号をさらに与える、請求項1に記載の集積回路素子。
- 前記アレイ選択回路は、データ書込みを行なうアレイを選択するための第2のアレイ選択信号をさらに与える、請求項1に記載の集積回路素子。
- 書込み動作を指示する第2の選択信号入力と、前記第2のアレイ選択信号と、アレイの書込みコラムアドレスを指示する第2のコラムアドレス信号と、前記クロック信号とを受取るための第2のコラムクロック回路をさらに含み、前記第2のコラムクロック回路は、前記受取りに応答して書込みの動作タイミングに用いられる第2のコラムクロック信号を与え、前記回路素子は、
前記第2のコラムクロック信号と第2のプリデコードされたコラムアドレス信号とを受取り、それに応答して、前記書込みコラムアドレスに対応するコラムを活性化する第2のコラム選択信号を与えるための第2のアクセス動作コラムデコーダ回路をさらに含む、請求項3に記載の集積回路素子。 - 前記第1のアクセス動作コラムデコーダ回路は、前記第1のコラムクロック信号または前記第1のプリデコードされたコラムアドレス信号のうち、後の方の有効状態の指示まで、前記第1のコラム選択信号を遅延させるよう動作する、請求項1に記載の集積回路素子。
- 前記第1のコラムクロック回路は、前記第1のアレイ選択信号または前記クロック信号のアサートのうち、後の方の有効状態の指示まで、前記第1のコラムクロック信号の前記有効状態を遅延させるよう動作する、請求項5に記載の集積回路素子。
- 前記第2のアクセス動作コラムデコーダ回路は、前記第2のコラムクロック信号または前記第2のプリデコードされたコラムアドレス信号のうち、後の方の有効状態の指示まで、前記第2のコラム選択信号を遅延させるよう動作する、請求項4に記載の集積回路。
- 前記第2のコラムクロック回路は、前記第2のアレイ選択信号または前記クロック信号のアサートのうち、後の方の有効状態の指示まで、前記第2のコラムクロック信号の前記有効状態を遅延させるよう動作する、請求項7に記載の集積回路素子。
- 前記アレイ選択回路は、前記センスアンプイネーブル信号の入力の後、前記第1のアレイ選択信号の前記有効状態を予め定められた時間だけ遅延させるよう動作する、請求項3に記載の集積回路素子。
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