JP3949122B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
(1)ドーピングパターンの形成(レジスト塗布、露光、現像)
(2)イオン注入(あるいはイオンドーピング)
(3)再結晶化
という、3工程が必要であった。しかしながら、本発明では、
(1)ドーピングパターンの形成(レジスト塗布、露光、現像)
(2)レーザー照射
という2工程で完了する。
雰囲気 PH3 5%濃度(H2 希釈)
試料温度 350度
圧力 0.02〜1.00Torr
レーザー KrFエキシマレーザー(波長248nm)
エネルギー密度 150〜350mJ/cm2
パルス数 10ショット
雰囲気 PH3 5%濃度(H2 希釈)
試料温度 室温
圧力 0.02〜1.00Torr
レーザー KrFエキシマレーザー(波長248nm)
エネルギー密度 150〜350mJ/cm2
パルス数 10ショット
102、103 拡散領域(ソース、ドレイン)
104 ゲート絶縁膜
105 ゲート電極
201 基板
202、203 拡散領域(ソース、ドレイン)
204 ゲート絶縁膜
205 ゲート電極
Claims (10)
- 半導体上に、ゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜上のフローティングゲートと、前記フローティングゲート上のコントロールゲートと、前記フローティングゲート及び前記コントロールゲートを覆う絶縁膜とを有するゲート電極部を形成し、
前記ゲート電極部をマスクに用いて前記フローティングゲートの一方の側の前記半導体に不純物を添加することによって、前記フローティングゲートとオーバーラップする第1の不純物領域を形成し、
前記ゲート電極部をマスクに用いて前記フローティングゲートの他方の側の前記半導体に不純物を添加することによって、深さが前記第1の不純物領域よりも浅い0.1μm以下の第2の不純物領域を形成し、
前記第2の不純物領域は、前記絶縁膜の外端部からチャネル形成領域方向への回り込みが50nm以下で、前記フローティングゲートとオフセットしていることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記絶縁膜は、前記フローティングゲート及び前記コントロールゲートを酸化して形成した酸化物であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1又は請求項2において、前記不純物はヒ素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1又は請求項2において、前記不純物はリンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記フローティングゲート及び前記コントロールゲートは、リンをドープした多結晶シリコンを用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記半導体に多結晶又は単結晶シリコンを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記半導体にウェファー状の単結晶シリコンを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、前記半導体装置がEPROMであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、前記半導体装置がEEPROMであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、前記半導体装置がフラッシュメモリーであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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JP2004138077A JP3949122B2 (ja) | 2004-05-07 | 2004-05-07 | 半導体装置の作製方法 |
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JP2004297077A JP2004297077A (ja) | 2004-10-21 |
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2004
- 2004-05-07 JP JP2004138077A patent/JP3949122B2/ja not_active Expired - Lifetime
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