JP3937935B2 - 情報処理装置用無線通信カード - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報処理装置のカードスロットに挿入可能に構成され、その情報処理装置と外部装置との間での無線データ通信を可能とする無線通信カードに関し、特に、ノイズ混入による通信品質の悪化を抑制することの可能な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（携帯情報端末）等の情報処理装置と外部装置との間において無線データ通信を可能にする無線通信カード（例えば無線ＬＡＮカード、携帯電話システムの通信方式によるデータ通信用カード等）が、既に実用化されている。この無線通信カードは、外部装置に向けて送信するデータの変調、および外部装置から受け取ったデータの復調に関する処理を行う。
【０００３】
図２９に示す従来の無線通信カード５０は、基板５４上に形成された送受信処理部（図示せず）や、無線通信用のアンテナ素子５２等を備える。アンテナ素子５２は、筐体内に挿入されない場所に位置する１／４波長（の整数倍）モノポールアンテナとして構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、アンテナ素子が１／４波長モノポールアンテナである場合で説明すると、図２９に示すように、アンテナ素子５２の高周波電流Ｉｏによって、基板５４のグランド部を流れる電流Ｉｓが励起される。すると、電流Ｉｓの流れる部分と１／４波長モノポールアンテナとが擬似的に半波長ダイポールアンテナとして動作し、情報処理装置等において発生した高周波ノイズが通信信号に混入してしまうという問題が生じる。特に、この種の無線通信カードは、情報処理装置のカードスロットに深く挿入され、情報処理装置のノイズ発生源の近くにこの擬似的な１／２ダイポールアンテナが配置されることになり、高周波ノイズを拾い易い。したがって、情報処理装置用の無線通信カードにおいてこの種のノイズの混入を抑制することは、非常に重要な課題である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる無線通信カードは、情報処理装置のカードスロットに挿入可能に構成され、該情報処理装置と外部装置との無線によるデータ通信を可能とする無線通信カードにおいて、基板グランド部を有する基板と、カードスロットへの挿入方向に伸びる基板中心線から離間して配置される半波長型アンテナ素子と、を備え、前記半波長型アンテナ素子を一対の１／４波長放射電極で構成し、一対の１／４波長放射電極のうち、一方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量と、他方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量とが、ほぼ等しくなるようにしたこと、を特徴とする。
【０００６】
ここで、図１を参照して、本発明にかかる無線通信カードの作用について説明する。図１は本発明にかかる無線通信カード１０の一例の概略構成を示す図である。図１では、上側が情報処理装置に無線通信カード１０を装着したときに露出する側、下側が情報処理装置の内部側（カードスロットの奥側）に相当する。また白抜きの矢印は、無線通信カード１０のカードスロットへの挿入方向を示す。基板１２はほぼ長方形に形成されており、その長手方向がカード１０の挿入方向に一致している。このカード１０には、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂを有する半波長型アンテナ素子１４が設けられている。
【０００７】
かかる構成の無線通信カード１０の基板１２においても、１／４波長放射電極１４ａに流れる高周波電流によって励起される励起電流Ｉｓａと、１／４波長放射電極１４ｂに流れる高周波電流によって励起される励起電流Ｉｓｂとが生じる。半波長型アンテナ素子１４の場合、二つの１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂに流れる電流の正負が逆となるため、これら電流によって基板１２上に励起される励起電流についても、正負が逆となり、これら励起電流Ｉｓａ，Ｉｓｂの大きさをほぼ等しくすれば、励起電流Ｉｓａ，Ｉｓｂを相殺することができるということを想起するに至った。励起電流Ｉｓａ，Ｉｓｂが相殺された場合、基板１２（のグランド部）および１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂが擬似的にアンテナとして動作することがなくなるから、それによるノイズの混入が抑制される。
【０００８】
そして、発明者らは、研究を重ねた結果、励起電流Ｉｓａ，Ｉｓｂの大きさは、各１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂと、基板１２上の基板グランド部と、の間の浮遊容量（静電容量）Ｃａ，Ｃｂの大きさに依存しているため、これら浮遊容量Ｃａ，Ｃｂをほぼ等しくすることで、励起電流Ｉｓａ，Ｉｓｂの大きさがほぼ等しくなり、その結果としてノイズの影響を無視できる程度に励起電流Ｉｓａ，Ｉｓｂが相殺できることを見出すに至った。なお、ここでいう静電容量とは、使用高周波に対する容量を意味し、半波長型ダイポールアンテナの電界放射を決定している。
【０００９】
これら浮遊容量Ｃａ，Ｃｂは、図１の場合のように、半波長型アンテナ素子１４が挿入方向に伸びる基板１２の中心線Ｌｃについて線対称となるように配置されている場合には、等しくなる。この場合、励起電流Ｉｓａ，Ｉｓｂが相殺される。
【００１０】
また、半波長型アンテナ素子１４が中心線Ｌｃについて線対称ではなく、その長手方向の中央が基板中心線Ｌｃから離間した位置となっている場合においても、種々のパラメータを調整することで、ほぼ等しくすることができる。これを図２を参照して説明する。図２は、有限な大きさの二つの矩形電極１６ｕ，１６ｄを種々の姿勢で対向させた場合の静電容量を示す図である。そしてこの考察では、矩形電極１６ｕ，１６ｄのうち、小さい方は１／４波長放射電極に相当し、また大きい方は基板グランド部に相当するものとして考えればよい。まず図２（ａ）に示すように、一般的に二つの電極１６ｕ，１６ｄ間の静電容量Ｃａ１，Ｃａ２は、それらの距離ｈ１，ｈ２が近いほど大きくなる（すなわち、ｈ１＜ｈ２の場合、Ｃａ１＞Ｃａ２）。距離ｈ１、ｈ２が近いほど二つの電極間の電界（電気力線）が外部に漏れにくくなることに相当する。また図２（ｂ）に示すように、二つの電極１６ｕ，１６ｄがそれぞれ有限の大きさを備える場合、二つの電極１６ｕ，１６ｄ間の距離ｈが同じであっても、互いの中心位置ｏｕ，ｏｄ間の距離δ１，δ２が近いほど静電容量は大きくなる（すなわち、δ１＜δ２の場合、Ｃｂ１＞Ｃｂ２）。この場合も、距離δ１、δ２が近いほど二つの電極間の電界（電気力線）が外部に漏れにくくなるからである。
【００１１】
このような性質を利用すれば、例えば、基板グランド部に対する半波長型アンテナ素子の相対的な位置にあわせて、半波長型アンテナ素子上の点が、該素子の延伸によって生ずる、基板グランド部に対する距離を変化させることで、上記二つの浮遊容量をほぼ等しくすることができる。具体的には、例えば、基板中心線と直交する方向に延伸する二つの１／４波長放射電極のうち、基板中心線から遠い位置にある１／４波長放射電極については基板グランド部との離間距離を小さくし、他方、基板中心線から近い位置にある１／４波長放射電極については基板グランド部との離間距離を大きくする。こうすることで、一方の１／４波長放射電極および基板グランド部間の浮遊容量と、他方の１／４波長放射電極および基板グランド部間の浮遊容量とをほぼ等しくし、基板上に生じる励起電流を相殺することができる。
【００１２】
また、例えば、二つの１／４波長放射電極のうち、基板中心線から遠い位置にある１／４波長放射電極については基板グランド部（基板）の端辺と平行にし、他方、基板中心線から近い位置にある１／４波長放射電極については根元から先端に向かうにつれて基板グランド部の端辺からの距離が長くなるようにその延伸方向を設定する。こうすることで、上記二つの浮遊容量をほぼ等しくし、基板上に生じる励起電流を相殺することができる。
【００１３】
また、例えば、一方の１／４波長放射電極の大きさと他方の１／４波長放射電極の大きさとを異ならせることにより、上記二つの浮遊容量をほぼ等しくすることができる。具体的には、例えば、二つの１／４波長放射電極のうち、基板中心線から遠い位置にある１／４波長放射電極を大きく、他方、基板中心線から近い位置にある１／４波長放射電極を小さくする。こうすることで、上記二つの浮遊容量をほぼ等しくし、基板上に生じる励起電流を相殺することができる。
【００１４】
また、例えば、基板グランド部に対する半波長型アンテナ素子の相対的な位置にあわせて、一方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の比誘電率と、他方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の比誘電率と、を異ならせる部品を設けることにより、上記二つの浮遊容量をほぼ等しくすることができる。例えば、二つの１／４波長放射電極のうち、基板中心線から遠い位置にある１／４波長放射電極と基板グランド部との間には導体部品を設け、かつ基板中心線から近い位置にある１／４波長放射電極と基板グランド部との間には特に部品を追加しない。こうすることで、各１／４波長放射電極と基板グランド部との間の浮遊容量を等しくすることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図３は、本実施形態にかかる無線通信カード１０が情報処理装置１８に装着された状態を示す斜視図、また図４〜図２８は、各実施形態にかかる無線通信カード１０の要部を示す斜視図である。
【００１６】
図３に示すように、無線通信カード１０は、情報処理装置１８（例えばノート型のパーソナルコンピュータ等）の例えば側面に設けられたカードスロット（ＰＣカードスロット）に挿入／取出自在に構成される。この無線通信カード１０は、通信データの変復調にかかる処理を行う。具体的には、無線通信カード１０は、情報処理装置１８から受け取った通信データを、基板（図３では図示せず）上に構成される送信処理部（図示せず）において変調し、変調した通信データを外部の無線通信装置（図示せず）に向けて半波長型アンテナ素子１４から送信する。また無線通信カード１０は、外部の無線通信装置から半波長型アンテナ素子１４を介して受信した通信データを、同じく基板上に構成される受信処理部（図示せず）において復調し、復調した通信データを情報処理装置１８に伝送する。無線通信カード１０の挿入先側に設けられたインタフェイスコネクタ（図示せず）と、カードスロットの奥側に設けられたインタフェイスコネクタ（図示せず）とが電気的に接続され、これらコネクタを介して無線通信カード１０と情報処理装置１８との間のデータ伝送が行われる。
【００１７】
以下、図４〜図２８を参照して、各実施形態における無線通信カード１０の基板１２および半波長型アンテナ素子１４について説明する。各図では、実際の無線通信カード１０に設けられる外部筐体や、送受信にかかる構成については図示しておらず、半波長型アンテナ素子１４と基板１２（基板グランド部１２ａ）との間の浮遊容量に関する構成と、半波長型アンテナ素子１４への給電に関する構成の一部（給電部２０、バラン回路２２；図４のみ）についてのみ示している。
【００１８】
図４〜図２８の実施形態において、基板１２はそれぞれ略長方形に構成されており、その長手方向が無線通信カード１０のカードスロットへの挿入方向に一致し、その短手方向がインタフェースコネクタ（図示せず）の幅方向（基板中心線Ｌｃに直交する方向）に一致している。なお、無線通信カード１０は、その表面側および裏面側から例えば樹脂製の図示しない外部筐体（ケーシング）によって、基板１２が一体的に狭持されることにより、形成される。また、これら実施形態では、基板（例えば誘電体基板等）１２の表面には、基板グランド部１２ａとしての導体膜（例えば銅箔等）が形成されている。そしてこれら実施形態においては、特に言及しない限り、導体膜が基板１２の表面上の全体を被覆して基板グランド部１２ａが形成されているものとする。そして、その場合、基板グランド部１２ａの重心は、基板１２の表面の重心に一致する。
【００１９】
図４〜図２３の実施形態では、半波長型アンテナ素子１４は、基板１２の長手方向の端辺１２ｂ（基板端辺１２ｂ）の近傍において、その延伸方向が該基板端辺１２ｂに沿うように配置される。また、半波長型アンテナ素子１４の長手方向中央部は基板中心線Ｌｃから離間して配置されている。なお、図４〜図２３においては、右上側がカードスロットの奥側、左下側が情報処理装置１８に装着されたときに露出する側となるが、各図では、その露出側についてのみ示している。
【００２０】
図４〜図１１の実施形態では、いずれも、半波長型アンテナ素子１４は、その一端から他端にかけて一直線には形成されず、その途中で折り曲げて構成されている。すなわち、これら実施形態では、半波長型アンテナ素子１４の延伸方向が長手方向の途中で変化していることになる。そしてこれら実施形態では、こうした構成によって、片方の１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａの間の静電容量と、他方の１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａの間の静電容量と、をほぼ等しくしている。
【００２１】
図４〜図６の実施形態は、半波長型アンテナ素子１４の１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂを、基板１２の長手方向側の外方に、棒状のダイポールアンテナ素子として構成した例である。
【００２２】
図４の実施形態では、基板中心線Ｌｃに近い側の１／４波長放射電極１４ａを、根元点ｐ１から途中点ｐ３までは基板端辺１２ｂから離間する方向（すなわち基板グランド部１２ａの重心との距離が増大する方向；例えば基板中心線Ｌｃに沿った方向）に延伸し、該途中点ｐ３から端点ｐ２までは基板端辺１２ｂと平行な方向に延伸している。一方、基板中心線Ｌｃから遠い側の１／４波長放射電極１４ｂについては、その根元点ｐ４から端点ｐ５まで基板端辺１２ｂと平行な方向に延伸している。
【００２３】
ここで、図４中の破線に示すように、１／４波長放射電極１４ａに替えて、半波長型アンテナ素子１４が一直線状となるように１／４波長放射電極１４ｃを設けた場合を仮定する。このとき、１／４波長放射電極１４ｃと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は、基板グランド部１２ａの重心（または基板中心線Ｌｃ）に近い分、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より大きくなる。これに対し、１／４波長放射電極１４ａは、１／４波長放射電極１４ｃに比べて基板グランド部１２ａの重心から離間しているから、該１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｃと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より小さい。このことから、上記構成において、１／４波長放射電極１４ａの屈曲点（途中点ｐ３）の位置や延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくできるのがわかる。
【００２４】
図５の実施形態では、１／４波長放射電極１４ａを、根元点ｐ１から端点ｐ２に向けて基板端辺１２ｂから徐々に離間する方向（すなわち、基板グランド部１２ａの重心との距離が漸増する方向）に延伸し、一方、１／４波長放射電極１４ｂについては、基板端辺１２ｂと平行な方向に延伸している。この場合も、上記図４の実施形態と同様、１／４波長放射電極１４ａの延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくすることができる。
【００２５】
また図４および図５の実施形態のように、一方側の１／４波長放射電極１４ａを基板グランド部１２ａの重心から遠ざけるのではなく、逆に、他方側の１／４波長放射電極１４ｂを基板グランド部１２ａの重心に近づけることによって、半波長型アンテナ素子１４を構成する二つの１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの基板グランド部との間の静電容量のバランスを調整してもよい。その一例が図６の実施形態である。
【００２６】
図６の実施形態では、１／４波長放射電極１４ａを、基板端辺１２ｂと平行な方向に延伸し、一方、１／４波長放射電極１４ｂについては、根元点ｐ４から途中点ｐ６までは基板端辺１２ｂと平行な方向に延伸し、該途中点ｐ６から端点ｐ５までは、基板端辺１２ｂに近づく方向（すなわち、基板グランド部１２ａの重心との距離が漸減する方向；例えば基板中心線Ｌｃと平行で基板１２の外側から中心側に向かう方向）に延伸している。
【００２７】
ここで、図６中の破線に示すように、１／４波長放射電極１４ｂに替えて、半波長型アンテナ素子１４が一直線状となるように１／４波長放射電極１４ｄを設けた場合を仮定する。このとき、１／４波長放射電極１４ｄと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は、基板グランド部１２ａの重心（または基板中心線Ｌｃ）から遠い分、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より小さくなる。これに対し、１／４波長放射電極１４ｂは、１／４波長放射電極１４ｄに比べて基板グランド部１２ａの重心に近いから、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｄと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より大きい。このことから、上記構成において、１／４波長放射電極１４ｂの屈曲点（途中点ｐ６）の位置や延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくできるのがわかる。
【００２８】
図７〜図１１の実施形態は、半波長型アンテナ素子１４の１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂを、基板１２の表面上に、板状のアンテナ素子として構成した例である。
【００２９】
図７の実施形態では、基板中心線Ｌｃから近い側の１／４波長放射電極１４ａを、根元点ｐ７から途中点ｐ９までは基板グランド部１２ａから離間する方向（すなわち基板グランド部１２ａとの距離が漸増する方向；例えば基板１２の表面に垂直な方向）に延伸し、該途中点ｐ９から端点ｐ８までは基板１２の表面に平行かつ基板中心線Ｌｃに垂直な方向に延伸している。一方、基板中心線Ｌｃから遠い側の１／４波長放射電極１４ｂについては、その根元点ｐ１０から端点ｐ１１まで基板１２の表面に平行な方向かつ基板中心線Ｌｃに垂直な方向に延伸している。
【００３０】
ここで、図７中の破線に示すように、１／４波長放射電極１４ａに替えて、半波長型アンテナ素子１４が一直線状となるように１／４波長放射電極１４ｅを設けた場合を仮定する。このとき、１／４波長放射電極１４ｅと基板グランド部との間の静電容量は、基板グランド部１２ａの重心（または基板中心線Ｌｃ）に近い分、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より大きくなる。これに対し、１／４波長放射電極１４ａは、１／４波長放射電極１４ｅに比べて基板１２の表面に遠いから、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｅと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より小さい。このことから、上記構成において、１／４波長放射電極１４ａの屈曲点（途中点ｐ９）の位置や延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくできるのがわかる。
【００３１】
図８の実施形態では、１／４波長放射電極１４ａを、根元点ｐ７から端点ｐ８に向けて基板グランド部１２ａから徐々に離間する方向に延伸し、一方、１／４波長放射電極１４ｂについては、基板１２の表面に平行かつ基板中心線Ｌｃに垂直な方向に延伸している。この場合も、上記図７の実施形態と同様、１／４波長放射電極１４ａの延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくすることができる。
【００３２】
図９の実施形態では、１／４波長放射電極１４ａを、基板１２の表面に平行かつ基板中心線Ｌｃに垂直な方向に延伸し、一方、１／４波長放射電極１４ｂについては、根元点ｐ１０から端点ｐ１１まで基板グランド部１２の重心に近づく方向（すなわち、基板グランド部１２ａの重心との距離が漸減する方向；例えば基板中心線Ｌｃと平行で基板１２の外側から内側に向かう方向）に延伸している。
【００３３】
ここで、図９中の破線に示すように、１／４波長放射電極１４ｂに替えて、半波長型アンテナ素子１４が一直線状となるように１／４波長放射電極１４ｆを設けた場合を仮定する。このとき、１／４波長放射電極１４ｆと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は、基板グランド部１２ａの重心（または基板中心線Ｌｃ）から遠い分、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より小さくなる。これに対し、１／４波長放射電極１４ｂは、１／４波長放射電極１４ｆに比べて基板グランド部１２ａの重心に近いから、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｆと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より大きい。このことから、上記構成において、１／４波長放射電極１４ｂの延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくできるのがわかる。
【００３４】
図１０の実施形態では、１／４波長放射電極１４ａを、基板１２の表面に平行かつ基板中心線Ｌｃに垂直な方向に延伸し、一方、１／４波長放射電極１４ｂについては、根元点ｐ１０から途中点ｐ１２までは基板１２の表面に平行かつ基板中心線Ｌｃに垂直な方向に延伸し、該途中点ｐ１２から端点ｐ１１までは基板１２の表面（すなわち基板グランド部１２ａ）に近づく方向（例えば基板１２の表面に垂直な方向）に延伸している。この実施形態では、１／４波長放射電極１４ｂ（の一部）と基板グランド部１２ａとの距離を、上記１／４波長放射電極１４ｆ（図１０中に破線で示す）と基板グランド部１２ａとの距離より短くすることで、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくしている。
【００３５】
図１１の実施形態では、図１０の実施形態にかかる半波長型アンテナ素子１４において、その１／４波長放射電極１４ｂの先端部１４ｂ２をさらに折り曲げ、当該先端部１４ｂ２が基板１２の表面に平行かつ基板中心線Ｌｃに垂直な方向に延伸するように構成している。かかる構成においても、図１０の実施形態の場合と同様に、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくすることができる。
【００３６】
以上図４〜図１１の実施形態では、基板グランド部１２ａの重心からの距離が異なる二つの１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂのうちいずれか一方について、基板グランド部１２ａからの距離、あるいは基板グランド部１２ａの重心からの距離を適切に調節することで静電容量のバランスを図った。しかし、二つの１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの双方について、基板グランド部１２ａからの距離、あるいは基板グランド部１２ａの重心からの距離を適切に設定した場合においても、これらのバランスを図ることができるのは言うまでもない。また１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂを、複数箇所で折り曲げたり、二次元あるいは三次元の曲線状に折り曲げたり、あるいは、半波長型アンテナ素子１４の延伸方向位置に応じて、さらに細かく、基板グランド部１２ａからの距離、基板グランド部１２ａの重心からの距離、半波長型アンテナ素子１４の曲率（延伸方向）を変化させたりすることによっても、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、をほぼ等しくできることは、容易に理解できよう。
【００３７】
ところで、基板グランド部１２ａの形状および配置を工夫することによっても、それらをバランスさせることができる。その例が図１２および図１３の実施形態である。
【００３８】
図１２および図１３の実施形態では、基板端辺１２ｂより外側に、基板中心線Ｌｃから離間した位置を中心として基板端辺１２ｂと平行に伸びる棒状のダイポールアンテナとして、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂを有する半波長型アンテナ素子１４が設けられる。そして、基板１２上の１／４波長アンテナ素子１４ａに近い部分においては、基板グランド部１２ａが形成されず、基板本体１２ｃが露出している。基板１２上の表面全体に基板グランド部１２ａが形成され、かつこのような配置および形状の半波長型アンテナ素子１４が設けられた場合には、基板グランド部１２ａの重心との距離の違いにより、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量が、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より大きくなる。本実施形態では、１／４波長放射電極１４ａに近い側で基板本体１２ｃを露出させる分、それを露出させなかった場合に比べ、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの距離（または基板グランド部１２ａの重心との距離）がより長くなり、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量が小さくなる。このことから、適切な位置および形状で基板本体１２ｃを露出させることにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、をほぼ等しくできるのがわかる。また、図１２の実施形態と図１３の実施形態とでは、基板グランド部１２ａの形状（すなわち基板本体１２ｃの露出部の形状）が異なるが、その形状は、基板１２上に形成される回路構成や、静電容量の大きさなどによって適宜決定すればよい。
【００３９】
また、図１４の実施形態のように、二つの１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの大きさを異ならせることによっても、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量とをほぼ等しくすることができる。図１４の実施形態では、二つの１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂのうち、基板グランド部１２ａの重心から遠くに位置する１／４波長放射電極１４ｂを、基板グランド部１２ａの重心の近くに位置する１／４波長放射電極１４ａより大きくすることで、それらのバランスを図っている。
【００４０】
図１５〜図２３の実施形態では、基板１２の表面上方に設けられた１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量を調整する部品または部材を設けることにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とのバランスを図っている。
【００４１】
そのうち図１５〜図１８の実施形態では、半波長型アンテナ素子１４の１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂは、それぞれ板状のアンテナ素子として構成され、基板１２の表面の上方において、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂが、一直線上に延伸し、かつ基板端辺１２ｂおよび基板１２の表面（すなわち基板グランド部１２ａ）に対して平行となるように設けられている。この場合、基板グランド部１２ａと１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂとの相対的な位置関係のみから考えれば、基板グランド部１２ａの重心（または基板中心線Ｌｃ）に近い１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は、基板グランド部１２ａから遠い１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より大きくなる。この静電容量のアンバランスを補償するため、図１５〜図１８の実施形態では、それが設けられていない場合に比べて１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量を大きくする静電容量増大部品２４ａ〜２４ｄを、基板１２上に備えている。
【００４２】
図１５の実施形態では、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間に静電容量増大部品２４ａが設けられている。この静電容量増大部品２４ａとしては、例えば、基板１２表面に実装された金属導体や比較的大きな部品（例えばフィルタ等）などを用いることができる。
【００４３】
図１６の実施形態では、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間に静電容量増大部品２４ｂが設けられている。本実施形態では、実装部品のノイズ混入抑制のために基板１２上に設けられた導体金属からなるシールドケース２３の一部を、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の領域（またはその近傍）まで延伸させ、静電容量増大部品２４ｂとして用いている。
【００４４】
図１７および図１８の実施形態では、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間に、基板１２の表面上に設けられその上側端面が１／４波長放射電極１４ｂの下面に接する静電容量増大部品２４ｃ，２４ｄが設けられている。この静電容量増大部品２４ｃ，２４ｄとしては、例えば、誘電体（例えばセラミック、樹脂材料、複合誘電材等）などを用いることができる。また、この場合、静電容量増大部品２４ｃ，２４ｄは、１／４波長放射電極１４ｂを支持する支持部材としても機能する。なお、図１７の実施形態では静電容量増大部品２４ｃは１／４波長放射電極１４ｂの一部（端部側）のみを支持し、図１８の実施形態では静電容量増大部品２４ｄは１／４波長放射電極１４ｂの全面を支持している。これら静電容量増大部品２４ｃ，２４ｄの設置位置（支持位置）や大きさを、静電容量増大部品２４ｃ，２４ｄの比誘電率や、基板グランド部１２ａに対する１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの位置関係などに応じて適宜設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくすることができる。
【００４５】
図１９〜図２３の実施形態では、誘電体基体２６ａ〜２６ｆの表面上に膜状の１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂ（ハッチングで示す）が形成されている。誘電体基体２６ａ〜２６ｆは、例えばセラミック、樹脂材料、複合誘電材等からなる。誘電体を装荷することにより、半波長型アンテナ素子１４をより小型化することができるとともに、誘電体基体２６ａ〜２６ｆが１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの支持部材として機能する分、その形状および基板グランド部１２ａに対する姿勢をより確実に保つことができるようになる。また、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂが誘電体基体２６ａ〜２６ｆとともに一体化されるため、半波長型アンテナ素子１４の基板１２への実装がより容易になるという利点もある。なお、各誘電体基体２６ａ〜２６ｆの上面の１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂおよび基板１２上の給電回路（図示せず）の間は、各誘電体基体２６ａ〜２６ｆの側面に形成され１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの一部として機能する側面導体部１４ａｓ，１４ｂｓを介して接続される。
【００４６】
図１９の実施形態では、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂは、長手方向に傾斜する上面（すなわち基板１２に接触する面と反対側の面）を有する細長い誘電体基体２６ａの該上面に、所定間隔を隔てて形成されている。そして、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの形成された誘電体基体２６ａは、基板端辺１２ｂの近傍において、その（底面の）長手方向が基板端辺１２ｂに平行かつ基板中心線Ｌｃに垂直となり、かつ基板中心線Ｌｃに近い側の高さが高くかつ基板中心線Ｌｃから遠い側の高さが低くなるように、配置される。この場合、基板グランド部１２ａの重心（または基板中心線Ｌｃ）に近い１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの距離は、基板グランド部１２ａの重心から遠い１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの距離より長くなる。すなわちこのような構成によれば、上記図７および図８の実施形態の場合と同様、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量とをほぼ等しくすることができる。ただし、図７および図８の実施形態の場合と異なり、本実施形態では１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂと基板グランド部１２ａとの間に誘電体基体２６ａが存在することになる。このため、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の距離や上面の傾斜角度などは、誘電体基体２６ａの比誘電率や、基板グランド部１２ａと誘電体基体２６ａとの相対的な位置関係に応じて適宜設定すればよい。
【００４７】
図２０の実施形態にかかる誘電体基体２６ｂは、図１９の実施形態にかかる誘電体基体２６ａの傾斜する平面状の上面に替えて、長手方向に曲がる曲面状の上面を備える。具体的には、上面基板１２の上方に凸となるようにし、１／４波長放射電極１４ａは基板１２（基板グランド部１２ａ）とほぼ平行に、また１／４波長放射電極１４ｂは、曲率を高くして、１／４波長放射電極１４ｂの根元側から端部側への延伸方向が基板グランド部１２ａ側を指向するように形成する。このような形状としても、図１９の実施形態と同様、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくすることができる。そして、この場合にも、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の距離や上面の曲面形状、曲率などは、誘電体基体２６ｂの比誘電率や、基板グランド部１２ａと誘電体基体２６ｂとの相対的な位置関係に応じて適宜設定すればよい。
【００４８】
図２１の実施形態にかかる誘電体基体２６ｃは、直方体として形成され、その長手方向が基板端辺１２ｂに平行となるように設けられる。そして、その上面（すなわち基板１２に接触する面と反対側の面）に、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂが、所定間隔を隔てて形成されている。そして本実施形態では、１／４波長放射電極１４ｂは、上面の長手方向側端辺ｐ１３から誘電体基体２６ｃの長手方向側端面２６ｃ１に沿って基板グランド部１２ａ（基板１２）側に折れ曲がるように延伸している。一方、１／４波長放射電極１４ａは、誘電体基体２６ｃのもう一方の長手方向側端面２６ｃ２に折れ曲がっていない。このような構成により、上記図１０の実施形態にかかる半波長型アンテナ素子１４と同様の効果が得られる。なお、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂのそれぞれの長さや、１／４波長放射電極１４ｂの先端の折り曲げ部の長さなどは、半波長型アンテナ素子１４の基板グランド部１２ａに対する相対的な位置や静電容量の大きさなどによって適宜調整すればよい。
【００４９】
図２２の実施形態にかかる誘電体基体２６ｄは、外形としては上記図２１の実施形態と同様の直方体として形成される。ただし、本実施形態にかかる誘電体基体２６ｄは、１／４波長放射電極１４ａの下方に孔２８を備える。この孔２８を設けた場合、それを設けない場合に比べ、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は小さくなる。すなわち、このような構成により、基板グランド部１２ａの重心に近い１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量と、基板グランド部１２ａの重心から遠い１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量と、を等しくすることができる。また、孔２８は、必ずしも貫通させる必要はないし、また図２２の四角形断面以外の形状としてもよい。
【００５０】
図２３の実施形態では、その上面に１／４波長放射電極１４ａの形成される誘電体基体２６ｅと、その上面に１／４波長放射電極１４ｂの形成される誘電体基体２６ｆとが、長手方向に縦列に配置されている。そして、誘電体基体２６ｆの比誘電率を誘電体基体２６ｅの比誘電率より高く設定することで、基板グランド部１２ａの重心に近い１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量と、基板グランド部１２ａの重心から遠い１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量とをほぼ等しくしている。
【００５１】
図２４〜図２８の実施形態では、半波長型アンテナ素子１４は、その延伸方向がほぼ基板１２の幅方向の端辺１２ｄ（基板端辺１２ｄ）の近傍において該基板端辺１２ｄに沿うように配置される。この場合においても、上記図４〜図２３の実施形態と同様の手法またはそれらの組み合わせにより、片方の１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、他方の１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、をほぼ等しくすることができる。なお、図２４〜図２８においては、左上側がカードスロットの奥側、右下側が情報処理装置１８に装着されたときに露出する側となるが、各図では、その露出側についてのみ示している。
【００５２】
図２４の実施形態は、半波長型アンテナ素子１４を、基板１２の短手方向側の外方に、棒状のダイポールアンテナ素子として構成した例である。本実施形態では、１／４波長放射電極１４ａを、１／４波長放射電極１４ｂに比べて基板端辺１２ｄから離間した位置に配置する。ここで、１／４波長放射電極１４ｂと一直線状に並び基板端辺１２ｄに平行な１／４波長放射電極１４ｇを仮定したとき、該１／４波長放射電極１４ｇが１／４波長放射電極１４ｂより基板グランド部１２ａの重心に近い分、１／４波長放射電極１４ｇおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量より大きくなる。１／４波長放射電極１４ａは１／４波長放射電極１４ｇより基板１２の外方に位置するから、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｇおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量より小さい。すなわち、上記構成において１／４波長放射電極１４ａの基板端辺１２ｄからの距離や延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、をほぼ等しくすることができる。
【００５３】
図２５の実施形態は、半波長型アンテナ素子１４の１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂを、基板１２の表面の上方に、板状のアンテナ素子として構成した例である。本実施形態では、露出側に位置する１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａ（基板１２）との距離より、情報処理装置側に位置する１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの距離を大きくしている。ここで、１／４波長放射電極１４ｂと一直線状に並び基板グランド部１２ａ（基板１２の表面）に平行な１／４波長放射電極１４ｈを仮定したとき、該１／４波長放射電極１４ｈは１／４波長放射電極１４ｂより基板グランド部１２ａの重心に近い分、１／４波長放射電極１４ｈおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量より大きくなる。１／４波長放射電極１４ａは１／４波長放射電極１４ｈに比べ基板グランド部１２ａとの距離が長いから、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｈおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量より小さい。すなわち、上記構成において１／４波長放射電極１４ａの基板グランド部１２ａとの距離や延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、をほぼ等しくすることができる。
【００５４】
図２６の実施形態は、半波長型アンテナ素子１４の１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂを、基板１２の表面上に、板状のアンテナ素子として構成し、１／４波長放射電極１４ｂの端部を、基板グランド部１２ａに近づく方向（例えば基板１２の表面に垂直な下方）に折り曲げて構成した例である。ここで、１／４波長放射電極１４ａと一直線状に並び基板グランド部１２ａ（基板１２の表面）に平行な１／４波長放射電極１４ｉを仮定したとき、該１／４波長放射電極１４ｉが１／４波長放射電極１４ａに比べて基板グランド部１２ａの重心から遠い分、１／４波長放射電極１４ｉおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量より小さくなる。１／４波長放射電極１４ｂは、その先端部が１／４波長放射電極１４ｉに比べて基板グランド部１２ａ側に近い分、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｉおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量より大きい。すなわち、上記構成において１／４波長放射電極１４ｂの折り曲げ位置や延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、をほぼ等しくすることができる。
【００５５】
図２７の実施形態では、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間に、基板１２の表面上に設けられその上側端面が１／４波長放射電極１４ｂの下面に接する静電容量増大部品２４ｅが設けられている。この静電容量増大部品２４ｅの設置位置（支持位置）や大きさを、静電容量増大部品２４ｅの比誘電率や、基板グランド部１２ａに対する１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの位置関係などに応じて適宜設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、をほぼ等しくすることができる。
【００５６】
図２８の実施形態では、その上面に１／４波長放射電極１４ａの形成される誘電体基体２６ｇと、その上面に１／４波長放射電極１４ｂの形成される誘電体基体２６ｈとが、長手方向に縦列に隣接配置されている。そして、誘電体基体２６ｈの比誘電率を誘電体基体２６ｇの比誘電率より高く設定することで、基板グランド部１２ａの重心に近い１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量と、基板グランド部１２ａの重心から遠い１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量とをほぼ等しくしている。
【００５７】
なお、上記図５〜図２８の実施形態にかかる半波長型アンテナ素子１４については、図４に示すような回路構成により、給電部２０からバラン回路２２を介して１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの双方に給電を行うことができる。また、これに替えて、給電部２０から半波長型アンテナ素子１４に対して不平衡給電を行うこともできる。また、適宜平衡回路を設けたり、片側を接地したりすることも可能である。
【００５８】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。また、上記実施形態を複数組み合わせることによっても、片方の１／４波長放射電極および基板グランド部間の静電容量と、他方の１／４波長放射電極および基板グランド部間の静電容量と、をほぼ等しくすることができる。また本発明は、携帯電話等の通信機器についても同様に適用可能である。すなわち、内部基板の周縁部に半波長型アンテナ素子を備える通信機器において、上記実施形態に示したのと同様の手法またはそれらの組み合わせを用いて、半波長型アンテナ素子の片方の１／４波長放射電極および基板グランド部間の静電容量と、他方の１／４波長放射電極および基板グランド部間の静電容量とを、ほぼ等しくすることができる。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、無線通信カードにおいて、アンテナ素子によって基板に励起される電流が抑制され、この励起電流による情報処理装置から通信データへの高周波ノイズの混入が抑制される。このため、該無線通信カードにおける通信品質の劣化が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明にかかる無線通信カードにおける半波長型アンテナ素子による励起電流の相殺の概念を示す説明図である。
【図２】 二つの電極の相対的な位置関係に応じたそれら電極間の静電容量の大小関係を示す説明図である。
【図３】 本発明の実施形態にかかる無線通信カードの情報処理装置への装着状態について示す図である。
【図４】 本発明の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図５】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図６】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図７】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図８】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図９】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１０】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１１】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１２】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１３】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１４】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１５】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１６】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１７】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１８】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１９】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２０】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２１】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２２】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２３】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２４】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２５】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２６】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２７】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２８】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２９】 従来の無線通信カードにおいて半波長型アンテナ素子によって生じる励起電流を示す図である。
【符号の説明】
１０ 無線通信カード、１２ 基板、１２ａ 基板グランド部、１２ｂ，１２ｄ 基板端辺、１２ｃ 基板本体、１４（１４ａ，１４ｂ） 半波長型アンテナ素子、１８ 情報処理装置、２４ａ〜２４ｅ 静電容量増大部品、２６ａ〜２６ｈ 誘電体基体。
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報処理装置のカードスロットに挿入可能に構成され、その情報処理装置と外部装置との間での無線データ通信を可能とする無線通信カードに関し、特に、ノイズ混入による通信品質の悪化を抑制することの可能な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（携帯情報端末）等の情報処理装置と外部装置との間において無線データ通信を可能にする無線通信カード（例えば無線ＬＡＮカード、携帯電話システムの通信方式によるデータ通信用カード等）が、既に実用化されている。この無線通信カードは、外部装置に向けて送信するデータの変調、および外部装置から受け取ったデータの復調に関する処理を行う。
【０００３】
図２９に示す従来の無線通信カード５０は、基板５４上に形成された送受信処理部（図示せず）や、無線通信用のアンテナ素子５２等を備える。アンテナ素子５２は、筐体内に挿入されない場所に位置する１／４波長（の整数倍）モノポールアンテナとして構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、アンテナ素子が１／４波長モノポールアンテナである場合で説明すると、図２９に示すように、アンテナ素子５２の高周波電流Ｉｏによって、基板５４のグランド部を流れる電流Ｉｓが励起される。すると、電流Ｉｓの流れる部分と１／４波長モノポールアンテナとが擬似的に半波長ダイポールアンテナとして動作し、情報処理装置等において発生した高周波ノイズが通信信号に混入してしまうという問題が生じる。特に、この種の無線通信カードは、情報処理装置のカードスロットに深く挿入され、情報処理装置のノイズ発生源の近くにこの擬似的な１／２ダイポールアンテナが配置されることになり、高周波ノイズを拾い易い。したがって、情報処理装置用の無線通信カードにおいてこの種のノイズの混入を抑制することは、非常に重要な課題である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる無線通信カードは、情報処理装置のカードスロットに挿入可能に構成され、該情報処理装置と外部装置との無線によるデータ通信を可能とする無線通信カードにおいて、基板グランド部を有する基板と、カードスロットへの挿入方向に伸びる基板中心線から離間して配置される半波長型アンテナ素子と、を備え、前記半波長型アンテナ素子を一対の１／４波長放射電極で構成し、一対の１／４波長放射電極のうち、一方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量と、他方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量とが、ほぼ等しくなるようにしたこと、を特徴とする。
【０００６】
ここで、図１を参照して、本発明にかかる無線通信カードの作用について説明する。図１は本発明にかかる無線通信カード１０の一例の概略構成を示す図である。図１では、上側が情報処理装置に無線通信カード１０を装着したときに露出する側、下側が情報処理装置の内部側（カードスロットの奥側）に相当する。また白抜きの矢印は、無線通信カード１０のカードスロットへの挿入方向を示す。基板１２はほぼ長方形に形成されており、その長手方向がカード１０の挿入方向に一致している。このカード１０には、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂを有する半波長型アンテナ素子１４が設けられている。
【０００７】
かかる構成の無線通信カード１０の基板１２においても、１／４波長放射電極１４ａに流れる高周波電流によって励起される励起電流Ｉｓａと、１／４波長放射電極１４ｂに流れる高周波電流によって励起される励起電流Ｉｓｂとが生じる。半波長型アンテナ素子１４の場合、二つの１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂに流れる電流の正負が逆となるため、これら電流によって基板１２上に励起される励起電流についても、正負が逆となり、これら励起電流Ｉｓａ，Ｉｓｂの大きさをほぼ等しくすれば、励起電流Ｉｓａ，Ｉｓｂを相殺することができるということを想起するに至った。励起電流Ｉｓａ，Ｉｓｂが相殺された場合、基板１２（のグランド部）および１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂが擬似的にアンテナとして動作することがなくなるから、それによるノイズの混入が抑制される。
【０００８】
そして、発明者らは、研究を重ねた結果、励起電流Ｉｓａ，Ｉｓｂの大きさは、各１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂと、基板１２上の基板グランド部と、の間の浮遊容量（静電容量）Ｃａ，Ｃｂの大きさに依存しているため、これら浮遊容量Ｃａ，Ｃｂをほぼ等しくすることで、励起電流Ｉｓａ，Ｉｓｂの大きさがほぼ等しくなり、その結果としてノイズの影響を無視できる程度に励起電流Ｉｓａ，Ｉｓｂが相殺できることを見出すに至った。なお、ここでいう静電容量とは、使用高周波に対する容量を意味し、半波長型ダイポールアンテナの電界放射を決定している。
【０００９】
これら浮遊容量Ｃａ，Ｃｂは、図１の場合のように、半波長型アンテナ素子１４が挿入方向に伸びる基板１２の中心線Ｌｃについて線対称となるように配置されている場合には、等しくなる。この場合、励起電流Ｉｓａ，Ｉｓｂが相殺される。
【００１０】
また、半波長型アンテナ素子１４が中心線Ｌｃについて線対称ではなく、その長手方向の中央が基板中心線Ｌｃから離間した位置となっている場合においても、種々のパラメータを調整することで、ほぼ等しくすることができる。これを図２を参照して説明する。図２は、有限な大きさの二つの矩形電極１６ｕ，１６ｄを種々の姿勢で対向させた場合の静電容量を示す図である。そしてこの考察では、矩形電極１６ｕ，１６ｄのうち、小さい方は１／４波長放射電極に相当し、また大きい方は基板グランド部に相当するものとして考えればよい。まず図２（ａ）に示すように、一般的に二つの電極１６ｕ，１６ｄ間の静電容量Ｃａ１，Ｃａ２は、それらの距離ｈ１，ｈ２が近いほど大きくなる（すなわち、ｈ１＜ｈ２の場合、Ｃａ１＞Ｃａ２）。距離ｈ１、ｈ２が近いほど二つの電極間の電界（電気力線）が外部に漏れにくくなることに相当する。また図２（ｂ）に示すように、二つの電極１６ｕ，１６ｄがそれぞれ有限の大きさを備える場合、二つの電極１６ｕ，１６ｄ間の距離ｈが同じであっても、互いの中心位置ｏｕ，ｏｄ間の距離δ１，δ２が近いほど静電容量は大きくなる（すなわち、δ１＜δ２の場合、Ｃｂ１＞Ｃｂ２）。この場合も、距離δ１、δ２が近いほど二つの電極間の電界（電気力線）が外部に漏れにくくなるからである。
【００１１】
このような性質を利用すれば、例えば、基板グランド部に対する半波長型アンテナ素子の相対的な位置にあわせて、半波長型アンテナ素子上の点が、該素子の延伸によって生ずる、基板グランド部に対する距離を変化させることで、上記二つの浮遊容量をほぼ等しくすることができる。具体的には、例えば、基板中心線と直交する方向に延伸する二つの１／４波長放射電極のうち、基板中心線から遠い位置にある１／４波長放射電極については基板グランド部との離間距離を小さくし、他方、基板中心線から近い位置にある１／４波長放射電極については基板グランド部との離間距離を大きくする。こうすることで、一方の１／４波長放射電極および基板グランド部間の浮遊容量と、他方の１／４波長放射電極および基板グランド部間の浮遊容量とをほぼ等しくし、基板上に生じる励起電流を相殺することができる。
【００１２】
また、例えば、二つの１／４波長放射電極のうち、基板中心線から遠い位置にある１／４波長放射電極については基板グランド部（基板）の端辺と平行にし、他方、基板中心線から近い位置にある１／４波長放射電極については根元から先端に向かうにつれて基板グランド部の端辺からの距離が長くなるようにその延伸方向を設定する。こうすることで、上記二つの浮遊容量をほぼ等しくし、基板上に生じる励起電流を相殺することができる。
【００１３】
また、例えば、一方の１／４波長放射電極の大きさと他方の１／４波長放射電極の大きさとを異ならせることにより、上記二つの浮遊容量をほぼ等しくすることができる。具体的には、例えば、二つの１／４波長放射電極のうち、基板中心線から遠い位置にある１／４波長放射電極を大きく、他方、基板中心線から近い位置にある１／４波長放射電極を小さくする。こうすることで、上記二つの浮遊容量をほぼ等しくし、基板上に生じる励起電流を相殺することができる。
【００１４】
また、例えば、基板グランド部に対する半波長型アンテナ素子の相対的な位置にあわせて、一方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の比誘電率と、他方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の比誘電率と、を異ならせる部品を設けることにより、上記二つの浮遊容量をほぼ等しくすることができる。例えば、二つの１／４波長放射電極のうち、基板中心線から遠い位置にある１／４波長放射電極と基板グランド部との間には導体部品を設け、かつ基板中心線から近い位置にある１／４波長放射電極と基板グランド部との間には特に部品を追加しない。こうすることで、各１／４波長放射電極と基板グランド部との間の浮遊容量を等しくすることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図３は、本実施形態にかかる無線通信カード１０が情報処理装置１８に装着された状態を示す斜視図、また図４〜図２８は、各実施形態にかかる無線通信カード１０の要部を示す斜視図である。
【００１６】
図３に示すように、無線通信カード１０は、情報処理装置１８（例えばノート型のパーソナルコンピュータ等）の例えば側面に設けられたカードスロット（ＰＣカードスロット）に挿入／取出自在に構成される。この無線通信カード１０は、通信データの変復調にかかる処理を行う。具体的には、無線通信カード１０は、情報処理装置１８から受け取った通信データを、基板（図３では図示せず）上に構成される送信処理部（図示せず）において変調し、変調した通信データを外部の無線通信装置（図示せず）に向けて半波長型アンテナ素子１４から送信する。また無線通信カード１０は、外部の無線通信装置から半波長型アンテナ素子１４を介して受信した通信データを、同じく基板上に構成される受信処理部（図示せず）において復調し、復調した通信データを情報処理装置１８に伝送する。無線通信カード１０の挿入先側に設けられたインタフェイスコネクタ（図示せず）と、カードスロットの奥側に設けられたインタフェイスコネクタ（図示せず）とが電気的に接続され、これらコネクタを介して無線通信カード１０と情報処理装置１８との間のデータ伝送が行われる。
【００１７】
以下、図４〜図２８を参照して、各実施形態における無線通信カード１０の基板１２および半波長型アンテナ素子１４について説明する。各図では、実際の無線通信カード１０に設けられる外部筐体や、送受信にかかる構成については図示しておらず、半波長型アンテナ素子１４と基板１２（基板グランド部１２ａ）との間の浮遊容量に関する構成と、半波長型アンテナ素子１４への給電に関する構成の一部（給電部２０、バラン回路２２；図４のみ）についてのみ示している。
【００１８】
図４〜図２８の実施形態において、基板１２はそれぞれ略長方形に構成されており、その長手方向が無線通信カード１０のカードスロットへの挿入方向に一致し、その短手方向がインタフェースコネクタ（図示せず）の幅方向（基板中心線Ｌｃに直交する方向）に一致している。なお、無線通信カード１０は、その表面側および裏面側から例えば樹脂製の図示しない外部筐体（ケーシング）によって、基板１２が一体的に狭持されることにより、形成される。また、これら実施形態では、基板（例えば誘電体基板等）１２の表面には、基板グランド部１２ａとしての導体膜（例えば銅箔等）が形成されている。そしてこれら実施形態においては、特に言及しない限り、導体膜が基板１２の表面上の全体を被覆して基板グランド部１２ａが形成されているものとする。そして、その場合、基板グランド部１２ａの重心は、基板１２の表面の重心に一致する。
【００１９】
図４〜図２３の実施形態では、半波長型アンテナ素子１４は、基板１２の長手方向の端辺１２ｂ（基板端辺１２ｂ）の近傍において、その延伸方向が該基板端辺１２ｂに沿うように配置される。また、半波長型アンテナ素子１４の長手方向中央部は基板中心線Ｌｃから離間して配置されている。なお、図４〜図２３においては、右上側がカードスロットの奥側、左下側が情報処理装置１８に装着されたときに露出する側となるが、各図では、その露出側についてのみ示している。
【００２０】
図４〜図１１の実施形態では、いずれも、半波長型アンテナ素子１４は、その一端から他端にかけて一直線には形成されず、その途中で折り曲げて構成されている。すなわち、これら実施形態では、半波長型アンテナ素子１４の延伸方向が長手方向の途中で変化していることになる。そしてこれら実施形態では、こうした構成によって、片方の１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａの間の静電容量と、他方の１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａの間の静電容量と、をほぼ等しくしている。
【００２１】
図４〜図６の実施形態は、半波長型アンテナ素子１４の１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂを、基板１２の長手方向側の外方に、棒状のダイポールアンテナ素子として構成した例である。
【００２２】
図４の実施形態では、基板中心線Ｌｃに近い側の１／４波長放射電極１４ａを、根元点ｐ１から途中点ｐ３までは基板端辺１２ｂから離間する方向（すなわち基板グランド部１２ａの重心との距離が増大する方向；例えば基板中心線Ｌｃに沿った方向）に延伸し、該途中点ｐ３から端点ｐ２までは基板端辺１２ｂと平行な方向に延伸している。一方、基板中心線Ｌｃから遠い側の１／４波長放射電極１４ｂについては、その根元点ｐ４から端点ｐ５まで基板端辺１２ｂと平行な方向に延伸している。
【００２３】
ここで、図４中の破線に示すように、１／４波長放射電極１４ａに替えて、半波長型アンテナ素子１４が一直線状となるように１／４波長放射電極１４ｃを設けた場合を仮定する。このとき、１／４波長放射電極１４ｃと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は、基板グランド部１２ａの重心（または基板中心線Ｌｃ）に近い分、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より大きくなる。これに対し、１／４波長放射電極１４ａは、１／４波長放射電極１４ｃに比べて基板グランド部１２ａの重心から離間しているから、該１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｃと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より小さい。このことから、上記構成において、１／４波長放射電極１４ａの屈曲点（途中点ｐ３）の位置や延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくできるのがわかる。
【００２４】
図５の実施形態では、１／４波長放射電極１４ａを、根元点ｐ１から端点ｐ２に向けて基板端辺１２ｂから徐々に離間する方向（すなわち、基板グランド部１２ａの重心との距離が漸増する方向）に延伸し、一方、１／４波長放射電極１４ｂについては、基板端辺１２ｂと平行な方向に延伸している。この場合も、上記図４の実施形態と同様、１／４波長放射電極１４ａの延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくすることができる。
【００２５】
また図４および図５の実施形態のように、一方側の１／４波長放射電極１４ａを基板グランド部１２ａの重心から遠ざけるのではなく、逆に、他方側の１／４波長放射電極１４ｂを基板グランド部１２ａの重心に近づけることによって、半波長型アンテナ素子１４を構成する二つの１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの基板グランド部との間の静電容量のバランスを調整してもよい。その一例が図６の実施形態である。
【００２６】
図６の実施形態では、１／４波長放射電極１４ａを、基板端辺１２ｂと平行な方向に延伸し、一方、１／４波長放射電極１４ｂについては、根元点ｐ４から途中点ｐ６までは基板端辺１２ｂと平行な方向に延伸し、該途中点ｐ６から端点ｐ５までは、基板端辺１２ｂに近づく方向（すなわち、基板グランド部１２ａの重心との距離が漸減する方向；例えば基板中心線Ｌｃと平行で基板１２の外側から中心側に向かう方向）に延伸している。
【００２７】
ここで、図６中の破線に示すように、１／４波長放射電極１４ｂに替えて、半波長型アンテナ素子１４が一直線状となるように１／４波長放射電極１４ｄを設けた場合を仮定する。このとき、１／４波長放射電極１４ｄと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は、基板グランド部１２ａの重心（または基板中心線Ｌｃ）から遠い分、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より小さくなる。これに対し、１／４波長放射電極１４ｂは、１／４波長放射電極１４ｄに比べて基板グランド部１２ａの重心に近いから、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｄと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より大きい。このことから、上記構成において、１／４波長放射電極１４ｂの屈曲点（途中点ｐ６）の位置や延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくできるのがわかる。
【００２８】
図７〜図１１の実施形態は、半波長型アンテナ素子１４の１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂを、基板１２の表面上に、板状のアンテナ素子として構成した例である。
【００２９】
図７の実施形態では、基板中心線Ｌｃから近い側の１／４波長放射電極１４ａを、根元点ｐ７から途中点ｐ９までは基板グランド部１２ａから離間する方向（すなわち基板グランド部１２ａとの距離が漸増する方向；例えば基板１２の表面に垂直な方向）に延伸し、該途中点ｐ９から端点ｐ８までは基板１２の表面に平行かつ基板中心線Ｌｃに垂直な方向に延伸している。一方、基板中心線Ｌｃから遠い側の１／４波長放射電極１４ｂについては、その根元点ｐ１０から端点ｐ１１まで基板１２の表面に平行な方向かつ基板中心線Ｌｃに垂直な方向に延伸している。
【００３０】
ここで、図７中の破線に示すように、１／４波長放射電極１４ａに替えて、半波長型アンテナ素子１４が一直線状となるように１／４波長放射電極１４ｅを設けた場合を仮定する。このとき、１／４波長放射電極１４ｅと基板グランド部との間の静電容量は、基板グランド部１２ａの重心（または基板中心線Ｌｃ）に近い分、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より大きくなる。これに対し、１／４波長放射電極１４ａは、１／４波長放射電極１４ｅに比べて基板１２の表面に遠いから、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｅと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より小さい。このことから、上記構成において、１／４波長放射電極１４ａの屈曲点（途中点ｐ９）の位置や延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくできるのがわかる。
【００３１】
図８の実施形態では、１／４波長放射電極１４ａを、根元点ｐ７から端点ｐ８に向けて基板グランド部１２ａから徐々に離間する方向に延伸し、一方、１／４波長放射電極１４ｂについては、基板１２の表面に平行かつ基板中心線Ｌｃに垂直な方向に延伸している。この場合も、上記図７の実施形態と同様、１／４波長放射電極１４ａの延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくすることができる。
【００３２】
図９の実施形態では、１／４波長放射電極１４ａを、基板１２の表面に平行かつ基板中心線Ｌｃに垂直な方向に延伸し、一方、１／４波長放射電極１４ｂについては、根元点ｐ１０から端点ｐ１１まで基板グランド部１２の重心に近づく方向（すなわち、基板グランド部１２ａの重心との距離が漸減する方向；例えば基板中心線Ｌｃと平行で基板１２の外側から内側に向かう方向）に延伸している。
【００３３】
ここで、図９中の破線に示すように、１／４波長放射電極１４ｂに替えて、半波長型アンテナ素子１４が一直線状となるように１／４波長放射電極１４ｆを設けた場合を仮定する。このとき、１／４波長放射電極１４ｆと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は、基板グランド部１２ａの重心（または基板中心線Ｌｃ）から遠い分、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より小さくなる。これに対し、１／４波長放射電極１４ｂは、１／４波長放射電極１４ｆに比べて基板グランド部１２ａの重心に近いから、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｆと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より大きい。このことから、上記構成において、１／４波長放射電極１４ｂの延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくできるのがわかる。
【００３４】
図１０の実施形態では、１／４波長放射電極１４ａを、基板１２の表面に平行かつ基板中心線Ｌｃに垂直な方向に延伸し、一方、１／４波長放射電極１４ｂについては、根元点ｐ１０から途中点ｐ１２までは基板１２の表面に平行かつ基板中心線Ｌｃに垂直な方向に延伸し、該途中点ｐ１２から端点ｐ１１までは基板１２の表面（すなわち基板グランド部１２ａ）に近づく方向（例えば基板１２の表面に垂直な方向）に延伸している。この実施形態では、１／４波長放射電極１４ｂ（の一部）と基板グランド部１２ａとの距離を、上記１／４波長放射電極１４ｆ（図１０中に破線で示す）と基板グランド部１２ａとの距離より短くすることで、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくしている。
【００３５】
図１１の実施形態では、図１０の実施形態にかかる半波長型アンテナ素子１４において、その１／４波長放射電極１４ｂの先端部１４ｂ２をさらに折り曲げ、当該先端部１４ｂ２が基板１２の表面に平行かつ基板中心線Ｌｃに垂直な方向に延伸するように構成している。かかる構成においても、図１０の実施形態の場合と同様に、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくすることができる。
【００３６】
以上図４〜図１１の実施形態では、基板グランド部１２ａの重心からの距離が異なる二つの１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂのうちいずれか一方について、基板グランド部１２ａからの距離、あるいは基板グランド部１２ａの重心からの距離を適切に調節することで静電容量のバランスを図った。しかし、二つの１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの双方について、基板グランド部１２ａからの距離、あるいは基板グランド部１２ａの重心からの距離を適切に設定した場合においても、これらのバランスを図ることができるのは言うまでもない。また１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂを、複数箇所で折り曲げたり、二次元あるいは三次元の曲線状に折り曲げたり、あるいは、半波長型アンテナ素子１４の延伸方向位置に応じて、さらに細かく、基板グランド部１２ａからの距離、基板グランド部１２ａの重心からの距離、半波長型アンテナ素子１４の曲率（延伸方向）を変化させたりすることによっても、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、をほぼ等しくできることは、容易に理解できよう。
【００３７】
ところで、基板グランド部１２ａの形状および配置を工夫することによっても、それらをバランスさせることができる。その例が図１２および図１３の実施形態である。
【００３８】
図１２および図１３の実施形態では、基板端辺１２ｂより外側に、基板中心線Ｌｃから離間した位置を中心として基板端辺１２ｂと平行に伸びる棒状のダイポールアンテナとして、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂを有する半波長型アンテナ素子１４が設けられる。そして、基板１２上の１／４波長アンテナ素子１４ａに近い部分においては、基板グランド部１２ａが形成されず、基板本体１２ｃが露出している。基板１２上の表面全体に基板グランド部１２ａが形成され、かつこのような配置および形状の半波長型アンテナ素子１４が設けられた場合には、基板グランド部１２ａの重心との距離の違いにより、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量が、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より大きくなる。本実施形態では、１／４波長放射電極１４ａに近い側で基板本体１２ｃを露出させる分、それを露出させなかった場合に比べ、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの距離（または基板グランド部１２ａの重心との距離）がより長くなり、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量が小さくなる。このことから、適切な位置および形状で基板本体１２ｃを露出させることにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、をほぼ等しくできるのがわかる。また、図１２の実施形態と図１３の実施形態とでは、基板グランド部１２ａの形状（すなわち基板本体１２ｃの露出部の形状）が異なるが、その形状は、基板１２上に形成される回路構成や、静電容量の大きさなどによって適宜決定すればよい。
【００３９】
また、図１４の実施形態のように、二つの１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの大きさを異ならせることによっても、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量とをほぼ等しくすることができる。図１４の実施形態では、二つの１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂのうち、基板グランド部１２ａの重心から遠くに位置する１／４波長放射電極１４ｂを、基板グランド部１２ａの重心の近くに位置する１／４波長放射電極１４ａより大きくすることで、それらのバランスを図っている。
【００４０】
図１５〜図２３の実施形態では、基板１２の表面上方に設けられた１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量を調整する部品または部材を設けることにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とのバランスを図っている。
【００４１】
そのうち図１５〜図１８の実施形態では、半波長型アンテナ素子１４の１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂは、それぞれ板状のアンテナ素子として構成され、基板１２の表面の上方において、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂが、一直線上に延伸し、かつ基板端辺１２ｂおよび基板１２の表面（すなわち基板グランド部１２ａ）に対して平行となるように設けられている。この場合、基板グランド部１２ａと１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂとの相対的な位置関係のみから考えれば、基板グランド部１２ａの重心（または基板中心線Ｌｃ）に近い１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は、基板グランド部１２ａから遠い１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量より大きくなる。この静電容量のアンバランスを補償するため、図１５〜図１８の実施形態では、それが設けられていない場合に比べて１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量を大きくする静電容量増大部品２４ａ〜２４ｄを、基板１２上に備えている。
【００４２】
図１５の実施形態では、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間に静電容量増大部品２４ａが設けられている。この静電容量増大部品２４ａとしては、例えば、基板１２表面に実装された金属導体や比較的大きな部品（例えばフィルタ等）などを用いることができる。
【００４３】
図１６の実施形態では、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間に静電容量増大部品２４ｂが設けられている。本実施形態では、実装部品のノイズ混入抑制のために基板１２上に設けられた導体金属からなるシールドケース２３の一部を、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の領域（またはその近傍）まで延伸させ、静電容量増大部品２４ｂとして用いている。
【００４４】
図１７および図１８の実施形態では、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間に、基板１２の表面上に設けられその上側端面が１／４波長放射電極１４ｂの下面に接する静電容量増大部品２４ｃ，２４ｄが設けられている。この静電容量増大部品２４ｃ，２４ｄとしては、例えば、誘電体（例えばセラミック、樹脂材料、複合誘電材等）などを用いることができる。また、この場合、静電容量増大部品２４ｃ，２４ｄは、１／４波長放射電極１４ｂを支持する支持部材としても機能する。なお、図１７の実施形態では静電容量増大部品２４ｃは１／４波長放射電極１４ｂの一部（端部側）のみを支持し、図１８の実施形態では静電容量増大部品２４ｄは１／４波長放射電極１４ｂの全面を支持している。これら静電容量増大部品２４ｃ，２４ｄの設置位置（支持位置）や大きさを、静電容量増大部品２４ｃ，２４ｄの比誘電率や、基板グランド部１２ａに対する１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの位置関係などに応じて適宜設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくすることができる。
【００４５】
図１９〜図２３の実施形態では、誘電体基体２６ａ〜２６ｆの表面上に膜状の１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂ（ハッチングで示す）が形成されている。誘電体基体２６ａ〜２６ｆは、例えばセラミック、樹脂材料、複合誘電材等からなる。誘電体を装荷することにより、半波長型アンテナ素子１４をより小型化することができるとともに、誘電体基体２６ａ〜２６ｆが１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの支持部材として機能する分、その形状および基板グランド部１２ａに対する姿勢をより確実に保つことができるようになる。また、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂが誘電体基体２６ａ〜２６ｆとともに一体化されるため、半波長型アンテナ素子１４の基板１２への実装がより容易になるという利点もある。なお、各誘電体基体２６ａ〜２６ｆの上面の１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂおよび基板１２上の給電回路（図示せず）の間は、各誘電体基体２６ａ〜２６ｆの側面に形成され１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの一部として機能する側面導体部１４ａｓ，１４ｂｓを介して接続される。
【００４６】
図１９の実施形態では、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂは、長手方向に傾斜する上面（すなわち基板１２に接触する面と反対側の面）を有する細長い誘電体基体２６ａの該上面に、所定間隔を隔てて形成されている。そして、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの形成された誘電体基体２６ａは、基板端辺１２ｂの近傍において、その（底面の）長手方向が基板端辺１２ｂに平行かつ基板中心線Ｌｃに垂直となり、かつ基板中心線Ｌｃに近い側の高さが高くかつ基板中心線Ｌｃから遠い側の高さが低くなるように、配置される。この場合、基板グランド部１２ａの重心（または基板中心線Ｌｃ）に近い１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの距離は、基板グランド部１２ａの重心から遠い１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの距離より長くなる。すなわちこのような構成によれば、上記図７および図８の実施形態の場合と同様、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量とをほぼ等しくすることができる。ただし、図７および図８の実施形態の場合と異なり、本実施形態では１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂと基板グランド部１２ａとの間に誘電体基体２６ａが存在することになる。このため、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の距離や上面の傾斜角度などは、誘電体基体２６ａの比誘電率や、基板グランド部１２ａと誘電体基体２６ａとの相対的な位置関係に応じて適宜設定すればよい。
【００４７】
図２０の実施形態にかかる誘電体基体２６ｂは、図１９の実施形態にかかる誘電体基体２６ａの傾斜する平面状の上面に替えて、長手方向に曲がる曲面状の上面を備える。具体的には、上面基板１２の上方に凸となるようにし、１／４波長放射電極１４ａは基板１２（基板グランド部１２ａ）とほぼ平行に、また１／４波長放射電極１４ｂは、曲率を高くして、１／４波長放射電極１４ｂの根元側から端部側への延伸方向が基板グランド部１２ａ側を指向するように形成する。このような形状としても、図１９の実施形態と同様、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量とをほぼ等しくすることができる。そして、この場合にも、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の距離や上面の曲面形状、曲率などは、誘電体基体２６ｂの比誘電率や、基板グランド部１２ａと誘電体基体２６ｂとの相対的な位置関係に応じて適宜設定すればよい。
【００４８】
図２１の実施形態にかかる誘電体基体２６ｃは、直方体として形成され、その長手方向が基板端辺１２ｂに平行となるように設けられる。そして、その上面（すなわち基板１２に接触する面と反対側の面）に、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂが、所定間隔を隔てて形成されている。そして本実施形態では、１／４波長放射電極１４ｂは、上面の長手方向側端辺ｐ１３から誘電体基体２６ｃの長手方向側端面２６ｃ１に沿って基板グランド部１２ａ（基板１２）側に折れ曲がるように延伸している。一方、１／４波長放射電極１４ａは、誘電体基体２６ｃのもう一方の長手方向側端面２６ｃ２に折れ曲がっていない。このような構成により、上記図１０の実施形態にかかる半波長型アンテナ素子１４と同様の効果が得られる。なお、１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂのそれぞれの長さや、１／４波長放射電極１４ｂの先端の折り曲げ部の長さなどは、半波長型アンテナ素子１４の基板グランド部１２ａに対する相対的な位置や静電容量の大きさなどによって適宜調整すればよい。
【００４９】
図２２の実施形態にかかる誘電体基体２６ｄは、外形としては上記図２１の実施形態と同様の直方体として形成される。ただし、本実施形態にかかる誘電体基体２６ｄは、１／４波長放射電極１４ａの下方に孔２８を備える。この孔２８を設けた場合、それを設けない場合に比べ、１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量は小さくなる。すなわち、このような構成により、基板グランド部１２ａの重心に近い１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量と、基板グランド部１２ａの重心から遠い１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量と、を等しくすることができる。また、孔２８は、必ずしも貫通させる必要はないし、また図２２の四角形断面以外の形状としてもよい。
【００５０】
図２３の実施形態では、その上面に１／４波長放射電極１４ａの形成される誘電体基体２６ｅと、その上面に１／４波長放射電極１４ｂの形成される誘電体基体２６ｆとが、長手方向に縦列に配置されている。そして、誘電体基体２６ｆの比誘電率を誘電体基体２６ｅの比誘電率より高く設定することで、基板グランド部１２ａの重心に近い１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量と、基板グランド部１２ａの重心から遠い１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量とをほぼ等しくしている。
【００５１】
図２４〜図２８の実施形態では、半波長型アンテナ素子１４は、その延伸方向がほぼ基板１２の幅方向の端辺１２ｄ（基板端辺１２ｄ）の近傍において該基板端辺１２ｄに沿うように配置される。この場合においても、上記図４〜図２３の実施形態と同様の手法またはそれらの組み合わせにより、片方の１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、他方の１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、をほぼ等しくすることができる。なお、図２４〜図２８においては、左上側がカードスロットの奥側、右下側が情報処理装置１８に装着されたときに露出する側となるが、各図では、その露出側についてのみ示している。
【００５２】
図２４の実施形態は、半波長型アンテナ素子１４を、基板１２の短手方向側の外方に、棒状のダイポールアンテナ素子として構成した例である。本実施形態では、１／４波長放射電極１４ａを、１／４波長放射電極１４ｂに比べて基板端辺１２ｄから離間した位置に配置する。ここで、１／４波長放射電極１４ｂと一直線状に並び基板端辺１２ｄに平行な１／４波長放射電極１４ｇを仮定したとき、該１／４波長放射電極１４ｇが１／４波長放射電極１４ｂより基板グランド部１２ａの重心に近い分、１／４波長放射電極１４ｇおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量より大きくなる。１／４波長放射電極１４ａは１／４波長放射電極１４ｇより基板１２の外方に位置するから、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｇおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量より小さい。すなわち、上記構成において１／４波長放射電極１４ａの基板端辺１２ｄからの距離や延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、をほぼ等しくすることができる。
【００５３】
図２５の実施形態は、半波長型アンテナ素子１４の１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂを、基板１２の表面の上方に、板状のアンテナ素子として構成した例である。本実施形態では、露出側に位置する１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａ（基板１２）との距離より、情報処理装置側に位置する１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの距離を大きくしている。ここで、１／４波長放射電極１４ｂと一直線状に並び基板グランド部１２ａ（基板１２の表面）に平行な１／４波長放射電極１４ｈを仮定したとき、該１／４波長放射電極１４ｈは１／４波長放射電極１４ｂより基板グランド部１２ａの重心に近い分、１／４波長放射電極１４ｈおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量より大きくなる。１／４波長放射電極１４ａは１／４波長放射電極１４ｈに比べ基板グランド部１２ａとの距離が長いから、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｈおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量より小さい。すなわち、上記構成において１／４波長放射電極１４ａの基板グランド部１２ａとの距離や延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、をほぼ等しくすることができる。
【００５４】
図２６の実施形態は、半波長型アンテナ素子１４の１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂを、基板１２の表面上に、板状のアンテナ素子として構成し、１／４波長放射電極１４ｂの端部を、基板グランド部１２ａに近づく方向（例えば基板１２の表面に垂直な下方）に折り曲げて構成した例である。ここで、１／４波長放射電極１４ａと一直線状に並び基板グランド部１２ａ（基板１２の表面）に平行な１／４波長放射電極１４ｉを仮定したとき、該１／４波長放射電極１４ｉが１／４波長放射電極１４ａに比べて基板グランド部１２ａの重心から遠い分、１／４波長放射電極１４ｉおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量より小さくなる。１／４波長放射電極１４ｂは、その先端部が１／４波長放射電極１４ｉに比べて基板グランド部１２ａ側に近い分、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量は、１／４波長放射電極１４ｉおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量より大きい。すなわち、上記構成において１／４波長放射電極１４ｂの折り曲げ位置や延伸方向を適切に設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、をほぼ等しくすることができる。
【００５５】
図２７の実施形態では、１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間に、基板１２の表面上に設けられその上側端面が１／４波長放射電極１４ｂの下面に接する静電容量増大部品２４ｅが設けられている。この静電容量増大部品２４ｅの設置位置（支持位置）や大きさを、静電容量増大部品２４ｅの比誘電率や、基板グランド部１２ａに対する１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの位置関係などに応じて適宜設定することにより、１／４波長放射電極１４ａおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、１／４波長放射電極１４ｂおよび基板グランド部１２ａ間の静電容量と、をほぼ等しくすることができる。
【００５６】
図２８の実施形態では、その上面に１／４波長放射電極１４ａの形成される誘電体基体２６ｇと、その上面に１／４波長放射電極１４ｂの形成される誘電体基体２６ｈとが、長手方向に縦列に隣接配置されている。そして、誘電体基体２６ｈの比誘電率を誘電体基体２６ｇの比誘電率より高く設定することで、基板グランド部１２ａの重心に近い１／４波長放射電極１４ａと基板グランド部１２ａとの間の静電容量と、基板グランド部１２ａの重心から遠い１／４波長放射電極１４ｂと基板グランド部１２ａとの間の静電容量とをほぼ等しくしている。
【００５７】
なお、上記図５〜図２８の実施形態にかかる半波長型アンテナ素子１４については、図４に示すような回路構成により、給電部２０からバラン回路２２を介して１／４波長放射電極１４ａ，１４ｂの双方に給電を行うことができる。また、これに替えて、給電部２０から半波長型アンテナ素子１４に対して不平衡給電を行うこともできる。また、適宜平衡回路を設けたり、片側を接地したりすることも可能である。
【００５８】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。また、上記実施形態を複数組み合わせることによっても、片方の１／４波長放射電極および基板グランド部間の静電容量と、他方の１／４波長放射電極および基板グランド部間の静電容量と、をほぼ等しくすることができる。また本発明は、携帯電話等の通信機器についても同様に適用可能である。すなわち、内部基板の周縁部に半波長型アンテナ素子を備える通信機器において、上記実施形態に示したのと同様の手法またはそれらの組み合わせを用いて、半波長型アンテナ素子の片方の１／４波長放射電極および基板グランド部間の静電容量と、他方の１／４波長放射電極および基板グランド部間の静電容量とを、ほぼ等しくすることができる。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、無線通信カードにおいて、アンテナ素子によって基板に励起される電流が抑制され、この励起電流による情報処理装置から通信データへの高周波ノイズの混入が抑制される。このため、該無線通信カードにおける通信品質の劣化が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明にかかる無線通信カードにおける半波長型アンテナ素子による励起電流の相殺の概念を示す説明図である。
【図２】 二つの電極の相対的な位置関係に応じたそれら電極間の静電容量の大小関係を示す説明図である。
【図３】 本発明の実施形態にかかる無線通信カードの情報処理装置への装着状態について示す図である。
【図４】 本発明の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図５】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図６】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図７】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図８】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図９】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１０】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１１】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１２】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１３】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１４】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１５】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１６】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１７】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１８】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図１９】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２０】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２１】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２２】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２３】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２４】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２５】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２６】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２７】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２８】 本発明の別の実施形態にかかる無線通信カードの基板および半波長型アンテナ素子の斜視図である。
【図２９】 従来の無線通信カードにおいて半波長型アンテナ素子によって生じる励起電流を示す図である。
【符号の説明】
１０ 無線通信カード、１２ 基板、１２ａ 基板グランド部、１２ｂ，１２ｄ 基板端辺、１２ｃ 基板本体、１４（１４ａ，１４ｂ） 半波長型アンテナ素子、１８ 情報処理装置、２４ａ〜２４ｅ 静電容量増大部品、２６ａ〜２６ｈ 誘電体基体。
Claims (8)
- 情報処理装置のカードスロットに挿入可能に構成され、該情報処理装置と外部装置との無線によるデータ通信を可能とする無線通信カードにおいて、
基板グランド部を有する基板と、
カードスロットへの挿入方向に伸びる基板中心線から離間して配置される半波長型アンテナ素子と、を備え、
前記半波長型アンテナ素子を一対の１／４波長放射電極で構成し、一対の１／４波長放射電極のうち、一方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量と、他方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量とが、ほぼ等しくなるようにしたこと、
を特徴とする情報処理装置用無線通信カード。 - 前記半波長型アンテナ素子上の点が、該素子の延伸によって生ずる、基板グランド部に対する距離を変化させることにより、前記一方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量と、前記他方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量とが、ほぼ等しくなるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置用無線通信カード。
- 前記一方の１／４波長放射電極の大きさと前記他方の１／４波長放射電極の大きさとを異ならせることにより、該一方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量と、該他方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量とが、ほぼ等しくなるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置用無線通信カード。
- 前記一方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の比誘電率と、前記他方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の比誘電率と、を異ならせる部品を設けることにより、該一方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量と、該他方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量とが、ほぼ等しくなるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置用無線通信カード。
- 前記一方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量と、前記他方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量と、をバランスさせる導体部品を設けたことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置用無線通信カード。
- 前記一方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量と、前記他方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量と、をバランスさせる誘電体部品を設けたことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置用無線通信カード。
- 情報処理装置のカードスロットに挿入可能に構成され、該情報処理装置と外部装置との無線によるデータ通信を可能とする無線通信カードにおいて、
基板グランド部としての導体膜が基板表面に形成されており、
前記導体膜が、前記半波長型アンテナ素子の近傍において、基板中心線に対して非対称な形状に形成されることにより、前記一方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量と、前記他方の１／４波長放射電極と基板グランド部との間の静電容量とが、ほぼ等しくなるようにしたこと、
を特徴とする情報処理装置用無線通信カード。 - 前記半波長型アンテナ素子は半波長ダイポールアンテナであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の情報処理装置用無線通信カード。
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